TW202309511A - 光透射性積層體之檢查方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種與以往相比可檢測出格外微小之缺陷的光透射性積層體之檢查方法。本發明光透射性積層體之檢查方法，係檢查具有第1主面與第2主面之單片光透射性積層體之方法，該檢查方法包含以下步驟：以位移感測器檢測該光透射性積層體之該第1主面之高度而獲得位移數據；以光學系統掃描該光透射性積層體，並從藉此所得之掃描影像作成缺陷之座標圖；及，根據該缺陷之座標圖檢測缺陷；並且，該檢查方法係根據該位移數據，一邊將獲得該掃描影像時該光學系統之焦點之高度位置與該第1主面之高度位置的距離維持固定，一邊進行該光透射性積層體之掃描。

Description

光透射性積層體之檢查方法

本發明涉及一種光透射性積層體之檢查方法。

應用於影像顯示裝置之光透射性積層體(例如光學構件、光學積層體、光學薄膜、光透射性黏著片)為了防止影像顯示缺陷等，必須排除該積層體內部之異物。因此，所述光透射性積層體代表上會供於異物檢查。異物檢查代表上係一邊輸送光透射性積層體之長條狀帶材一邊進行的透射檢查，在該透射檢查中異物等缺陷可以暗點形式被辨識。近年來，對於影像顯示裝置所要求之顯示性能變得格外地高，結果對於光透射性積層體之異物檢查精度之要求亦變得格外地高。具體而言，以往若能檢測出50µm左右之缺陷即可容許，但現已產生檢測出10µm左右之缺陷的需求。但，以如上述之一邊輸送長條狀帶材一邊進行的異物檢查來說，要檢測出如此小之缺陷極為困難。且，於光透射性積層體存在皺紋或撓曲時，有難以正確檢測出缺陷之問題。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2005-062165號公報

發明欲解決之課題 本發明係為了解決上述課題而成者，其主要目的在於提供一種光透射性積層體之檢查方法，其與以往相比，即便在光透射性積層體存在皺紋或撓曲之情況下，仍可檢測出格外微小之缺陷。

用以解決課題之手段 根據本發明一面向，提供一種光透射性積層體之檢查方法，係檢查具有第1主面與第2主面之單片光透射性積層體之方法，該檢查方法包含以下步驟：以位移感測器檢測該光透射性積層體之該第1主面之高度而獲得位移數據；以光學系統掃描該光透射性積層體，並從藉此所得之掃描影像作成缺陷之座標圖；及，根據該缺陷之座標圖檢測缺陷；該檢查方法係根據該位移數據，一邊將獲得該掃描影像時該光學系統之焦點之高度位置與該第1主面之高度位置的距離維持固定，一邊進行該光透射性積層體之掃描。 在一實施形態中，上述作成缺陷之座標圖之步驟包含以下步驟：以上述光學系統掃描上述光透射性積層體複數次，作成複數個預備性座標圖；及，整合該複數個預備性座標圖；各掃描中上述焦點之高度位置與上述第1主面之高度位置的距離係相差一預定距離P。 在一實施形態中，進一步包含下述步驟：根據以下事項來決定掃描次數：根據上述位移數據決定之上述光透射性積層體之第1主面的基準高度、最大高度及最小高度、以及上述光透射性積層體之厚度；將該最大高度與基準高度之差除以上述預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qa，將該最小高度與基準高度之差除以上述預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qb，將上述光透射性積層體之厚度除以上述預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qc，此時，該掃描次數為Qa+Qb+Qc以上(惟，Qa+Qb+Qc=0時為1以上)。 在一實施形態中，上述掃描次數為Qa+Qb+Qc+2；該測定方法係在使上述焦點之高度位置與上述第1主面之高度位置的距離每次改變一上述預定距離P之情形下掃描下述區域：以上述光透射性積層體之第1主面之高度位置起算，從往厚度方向上方(Qa+1)×P之距離的高度至往厚度方向下方(Qb+Qc)×P之距離的高度為止的區域。 在一實施形態中，上述預定距離P為10µm~100µm。 在一實施形態中，上述光學系統包含線列式相機；上述獲得位移數據之步驟及上述作成缺陷之座標圖之步驟係按該線列式相機之寬度方向的每個視野連續進行。 在一實施形態中，上述檢查方法係檢測50µm以下尺寸之缺陷。 在一實施形態中，上述光透射性積層體係選自光學薄膜、黏著劑片及該等之組合。 在一實施形態中，上述光學薄膜係選自偏光板、相位差板及包含該等之積層體。 在一實施形態中，上述光透射性積層體之厚度為300µm以下。

發明效果 根據本發明實施形態之光透射性積層體之檢查方法，係檢測單片光透射性積層體之位移(波狀起伏)，並以使拍攝之焦點沿循該波狀起伏之方式掃描該光透射性積層體，藉此即便在光透射性積層體存在皺紋或撓曲之情況下，仍可良好地檢測出微小之缺陷。

以下參照圖式針對本發明實施形態進行說明，惟本發明不受該等實施形態所限。又，圖式皆為示意性展示，並非正確描繪實際狀態之圖式。

A.光透射性積層體之檢查方法之概略 如圖1之流程圖所示，本發明實施形態之光透射性積層體之檢查方法包含以下步驟：以位移感測器檢測具有第1主面與第2主面之單片光透射性積層體的第1主面之高度而獲得位移數據(位移數據取得步驟)；以光學系統掃描該光透射性積層體，並從藉此所得之掃描影像作成缺陷之座標圖(缺陷之座標圖作成步驟)；及，根據該缺陷之座標圖檢測缺陷(缺陷檢測步驟)；宜進一步包含決定掃描次數之步驟(掃描次數決定步驟)。在缺陷之座標圖作成步驟中，係根據所得之位移數據，一邊將獲得掃描影像時光學系統之焦點之高度位置與第1主面之高度位置的距離維持固定，一邊進行光透射性積層體之掃描。藉由如上述掃描光透射性積層體，可進行追隨第1主面之位移(波狀起伏)的掃描，結果即便在光透射性積層體存在皺紋或撓曲之情況下，仍可良好地檢測出微小之缺陷。

A-1.檢查裝置 圖2係可用於本發明實施形態之檢查方法的檢查裝置之一例的概略側視圖。圖2所示之檢查裝置100具備：試樣台10，係固定檢查對象之光透射性積層體者；光學系統20，其包含拍攝掃描影像之拍攝部；位移感測器30，係檢測光透射性積層體之第1主面(上表面)之高度者；及，Z軸移動控制部40，其係以可於Z軸方向上任意移動之方式支持光學系統20者。位移感測器30及Z軸移動控制部40係被支持機構50a、50b支持著，試樣台10可藉由XY軸移動控制部60於X軸方向及Y軸方向上任意移動。雖未圖示，但位移感測器30係與解析或處理所測得之位移數據的位移數據處理部連接，Z軸移動控制部40可根據從位移數據處理部輸出之位移資訊(例如位移圖)，以對應第1主面之位移圖案之方式使光學系統20之高度改變。藉由製成所述構成，可透過光學系統20之位置(高度)之變化，將光學系統(拍攝部)之焦點設定在所期望之位置(高度)，結果可將光學系統(拍攝部)之焦點之高度位置控制成使其於掃描時與第1主面之高度位置的距離呈固定。

如上述，試樣台10係構成為可於X軸方向及Y軸方向上任意移動。藉由製成所述構成，可檢查光透射性積層體之任意區域。試樣台例如可具備載置光透射性積層體之載台及固定其端部的固定構件。或者，試樣台可為可將光透射性積層體固定於半空中之構成，例如可構成為以1對或2對相對向之支持構件可僅握持光透射性積層體之端部。由降低皺紋或撓曲之觀點來看，亦可在賦予張力之狀態下固定光透射性積層體。

光學系統20包含對光透射性積層體照射檢查光之照射側光學系統與拍攝部。拍攝部包含拍攝元件與成像側光學系統，該成像側光學系統係使在光透射性積層體反射之檢查光於拍攝元件上成像者。照射側光學系統可舉同軸垂直照明系統或斜向照明系統，可適宜使用同軸垂直照明系統。檢查光宜可使用雷射光。成像側光學系統可包含接物鏡，成像透鏡等。攝像元件可適宜例示CCD、CMOS等。此外，本說明書中，有時會將拍攝部稱為相機。在一實施形態中，拍攝部係線列式相機。

位移感測器30代表上為非接觸系位移感測器。非接觸系位移感測器可適宜例示雷射位移感測器、超音波位移感測器等。

可用於本發明實施形態之檢查方法的檢查裝置不受上述圖式例限定。圖式例之檢查裝置100為反射型檢查裝置，但亦可與其不同，使用透射型檢查裝置。根據反射型檢查裝置，可將氣泡等缺陷以白點檢測出，而根據透射型檢查裝置，可將異物等缺陷以黑點檢測出。為透射型檢查裝置時，照射側光學系統(光源)係設於2主面側，代表上係設於試樣台之下方，試樣台可構成為以可透射光之方式可僅握持光透射性積層體之端部的形狀(例如框狀)。

又例如，亦可設置可使光學系統及位移感測器於X軸方向及Y軸方向上任意移動之XY軸移動機構，來取代使試樣台構成為可於X軸方向及Y軸方向上任意移動。

A-2.光透射性積層體 成為檢查對象之光透射性積層體可舉需要檢查之任意適當的光透射性積層體。具體例可舉光學薄膜、黏著劑片及該等之組合(例如附黏著劑層之光學薄膜)。光學薄膜可舉例如偏光板、相位差板、觸控面板用導電性薄膜、表面處理薄膜及因應目的將該等適當積層而成的積層體(例如抗反射用圓偏光板、觸控面板用附導電層之偏光板)。黏著劑片代表上包含黏著劑與暫時黏附於其至少一側的脫模薄膜。光透射性積層體代表上可為附黏著劑層之光學薄膜。光透射性積層體之厚度宜為300µm以下，較宜為280µm以下，更宜為250µm以下。根據本發明實施形態，即使是在所述薄型光透射性積層體中，仍可良好地檢測出微小之異物。光透射性積層體之厚度的下限可為例如30µm。此外，本說明書中，光透射性積層體之厚度係加入折射率之情況的厚度，係根據下述式(1)算出。又，式(1)中之平均折射率係根據下述式(2)算出。 加入折射率之情況之光透射性積層體的厚度(µm)=構成光透射性積層體之各層之厚度的合計(µm)÷平均屈折率　　　(1) 平均折射率=構成光透射性積層體之各層之折射率的合計÷構成光透射性積層體之層的數量　　　(2)

光透射性積層體例如可藉由所謂捲對捲(roll to roll)來積層構成光透射性積層體之各層，從而製作出。光透射性積層體具有第1主面與第2主面。第1主面係拍攝部側之面(上表面)。第1主面例如為可貼合光透射性積層體之與影像顯示單元相反側的表面；第2主面例如為影像顯示單元側之表面，更詳細而言可為黏著劑層之表面。所製出之長條狀光透射性積層體係裁斷成預定尺寸後供於檢查。該尺寸代表上可為可獲得複數片最終製品的尺寸。檢查結束後，光透射性積層體代表上可裁斷成最終製品尺寸並出貨。

在一實施形態中，光透射性積層體在供於檢查時，亦可於第1主面上以可剝離之方式暫時黏附有反射性保護薄膜。視光透射性積層體之種類、構成(例如在光透射性積層體包含低反射層(AR層)時)，有難以利用位移感測器檢測表面位移或利用拍攝部進行拍攝之情形，但藉由暫時黏附反射性保護薄膜，可避免所述問題。反射性保護薄膜代表上係反射來自位移感測器之計測光及來自光學系統之檢查光。在一實施形態中，反射性保護薄膜滿足以下關係： y≧0.0181x-11.142 在此，x係650nm~800nm之波長區域下之檢測波長的絕對值，y係反射率的絕對值。若為所述構成，便可良好地進行利用位移感測器檢測表面位移或利用拍攝部進行拍攝。反射性保護薄膜只要具有上述功能便可採用任意適當之構成。具體而言，反射性保護薄膜可以例如日本專利特開2019-099751號公報中之[0031]中記載的環狀烯烴系樹脂來構成。環狀烯烴系樹脂可舉例如聚降𦯉烯。環狀烯烴系樹脂亦可使用市售品。市售品之具體例可舉日本ZEON製之Zeonor及ZEONEX、JSR製之ARTON、三井化學製之APEL、TOPAS ADVANCED POLYMERS製之TOPAS等。環狀烯烴系樹脂薄膜宜為含有50重量%以上之環狀烯烴系樹脂者。在一實施形態中，亦可於反射性保護薄膜之表面形成有硬塗層。藉由形成硬塗層，可防止反射性保護薄膜產生傷痕、異物附著於反射性保護薄膜等，因此可以更高精度進行檢查，而可正確地檢測出微小之缺陷。

反射性保護薄膜亦可因應預定的檢查次數暫時黏附複數片。例如，預定有2次檢查時，藉由貼合2片反射性保護薄膜，而只要在第2次檢查前剝離1片外側的反射性保護薄膜，便可防止內側的反射性保護薄膜產生傷痕、異物附著於內側的反射性保護薄膜等，因此可以更高精度進行複數次檢查。此外，即使是在預定了進行複數次檢查之情況下，仍可僅暫時黏附1片反射性保護薄膜。

在一實施形態中，亦可於反射性保護薄膜之表面(當存在有複數片反射性保護薄膜時，為最表面之反射性保護薄膜表面)上以可剝離之方式暫時黏附表面保護薄膜。藉由暫時黏附表面保護薄膜，可防止反射性保護薄膜產生傷痕、異物附著於反射性保護薄膜等，因此可以更高精度進行檢查。表面保護薄膜代表上係於檢查時被剝離去除。檢查結束後，可將檢查時被剝離的表面保護薄膜再次暫時黏附於光透射性積層體之表面，亦可將另一表面保護薄膜以可剝離之方式暫時黏附。

反射性保護薄膜及表面保護薄膜可藉由捲對捲(亦即在裁斷前)暫時黏附於光透射性積層體，亦可於裁斷後暫時黏附。

以下，具體說明各步驟。

B.位移數據取得步驟 位移數據取得步驟中，係以位移感測器檢測光透射性積層體之第1主面之高度(位移)，來取得位移數據。代表上，係使用位移感測器以二維方式在光透射性積層體之第1主面上掃描，並檢測其高度。例如以如圖3所示方式，按預定間隔L以線狀在光透射性積層體200之第1主面200a上掃描，並檢測其高度。該預定間隔L例如為1mm~100mm，宜為1mm~30mm，較宜為5mm~15mm。

藉由位移感測器進行之第1主面之高度檢測，可按拍攝部(代表上為線列式相機)之寬度方向的每個視野沿複數條線來進行。例如，在圖4所示之實施形態中，係以如下方式檢測第1主面之高度。首先，將光透射性積層體之第1主面之檢查對象區域按拍攝部之寬度方向的每個視野(在圖式例中為30mm)分割成N個區域。在藉由線X1與X4規定之區域1中，依序檢測10mm間隔之4條線X1~X4上從Y方向之起點(座標Y ₀)至終點(座標Y ₁₀₀)為止之第1主面之高度。接著，在藉由線X4與X7規定之區域2中依序檢測10mm間隔之4條線X4~X7上從Y方向之起點(座標Y ₀)至終點(座標Y ₁₀₀)為止之第1主面之高度(可省略檢測在線X4上之高度)。藉由反覆該程序至區域N為止，可針對光透射性積層體之第1主面整體或檢查對象區域整體獲得位移數據。如後述，本發明實施形態之檢查方法中，可針對第1主面整體或檢查對象區域整體取得位移數據，接著進行光學系統之掃描，或者，可按拍攝部之寬度方向的每個視野從位移數據取得步驟連續進行至缺陷之座標圖作成步驟為止，依序挪動視野反覆相同操作，藉此針對第1主面整體或檢查對象區域整體進行檢查。因此，藉由按上述每個視野往一方向檢測第1主面之高度，可獲得與光學系統之掃描圖案(掃描之方向及位置)一致之位移數據，而可於後者之實施形態中有助於檢查效率。

藉由利用任意適當之演算法處理所得之位移數據，可獲得2D或3D形狀曲線(以下亦稱為位移圖)。例如，可獲得第1主面整體或預定區域之位移圖、任意截面之位移圖、從任意側面觀看時之位移圖等。所述處理可舉使用附屬於位移感測器之形狀解析程式、因應目的而製作之程式等之任意適當之電腦程式(例如自動對焦(Auto Focus)整面位移掃描模式演算法)的處理。

C.掃描次數決定步驟 如後述，在缺陷之座標圖作成步驟中，由對光透射性積層體檢查整個其厚度方向整體之觀點來看，可使光透射性積層體之第1主面之高度位置與拍攝部之焦點之高度位置的距離每次改變一預定距離P來進行複數次掃描。因此，在一實施形態中，係在缺陷之座標圖作成步驟前決定掃描次數。

掃描次數例如可根據以下事項來決定：根據位移數據決定之光透射性積層體之第1主面的基準高度、最大高度及最小高度(以下有時僅稱為光透射性積層體之基準高度、最大高度及最小高度)、以及光透射性積層體之厚度。

以光透射性積層體的基準高度來說，可將第1主面之任意地點之高度設為基準高度。在一實施形態中，光透射性積層體的基準高度係針對第1主面所得之位移數據中之最大高度及最小高度的中央值，係以兩者之算術平均來算出。又，光透射性積層體之最大高度及最小高度分別為該位移數據中之最大高度及最小高度。或者，亦可根據該位移數據，分別將以外推法、內推法等算出之假想最大高度及最小高度作為光透射性積層體之最大高度及最小高度。

掃描次數例如可藉由以下方式決定：將最大高度與基準高度之差(｜最大高度-基準高度｜)除以預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qa，將最小高度與基準高度之差(｜最小高度-基準高度｜)除以預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qb，將光透射性積層體之厚度除以預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qc，此時，決定掃描次數為Qa+Qb+Qc以上(惟，Qa+Qb+Qc=0時為1以上)。藉由將掃描次數設為Qa+Qb+Qc以上，即便在光透射性積層體具有皺紋或撓曲之情況下，仍可排除該等之影響，對光透射性積層體檢查整個厚度方向整體。掃描次數的上限無特別限制，但由生產節拍之觀點來看，掃描次數例如可為1次以上且10次以下。

在一實施形態中，掃描次數可更進一步加入較第1主面更上方之第1預掃描及/或較第2主面更下方之第2預掃描，設為Qa+Qb+Qc+1或Qa+Qb+Qc+2。藉由進行第1預掃描及/或第2預掃描，可確實地對光透射性積層體檢查整個厚度方向整體。

參照圖5來針對掃描次數決定步驟之一實施形態說明具體程序。本實施形態中，係從圖5(b)所示之位移圖決定光透射性積層體的基準高度、最大高度及最小高度，並根據該等與光透射性積層體之厚度來決定掃描次數。此外，圖5(b)所示之位移圖係顯示圖5(a)中從Y方向-側觀看光透射性積層體200時之第1主面之表面位移的2D形狀曲線圖；其可如圖5(a)所示，在光透射性積層體200之第1主面以位移感測器30檢測預定間隔之4條線(線A~線D)上之表面位移，並藉由使用自動對焦整面位移掃描模式演算法之處理而得(圖5(b)中，以實測值計之最大高度為線B上之160µm，以實測值計之最小高度為線C上中之-310µm；且，以內推法所得之假想最大高度及假想最小高度分別為190µm及-340µm)。本實施形態中，光透射性積層體之最大高度及最小高度係使用取得之位移數據(實測值)中之最大高度及最小高度。又，光透射性積層體之厚度(將實際之厚度(350µm)除以平均折射率(1.4)算出)為250µm，且各掃描中之預定距離P設為100µm。此外，圖5(b)中之高度0µm係位移數據之取得開始點之第1主面的高度(一開始焦點對到之第1主面的高度)。 程序A1：根據最大高度H _max(160µm)及最小高度H _min(-310µm)決定基準高度為-75µm。 程序A2：將H _max與基準高度之差(235µm)除以預定距離P(100µm)並將所得之商(2.35)的小數點第1位四捨五入後，得值Qa(Qa=2)。 程序A3：將H _min與基準高度之差(235µm)除以預定距離P(100µm)並將所得之商(2.35)的小數點第1位四捨五入後，得值Qb(Qb=2)。 程序A4：將光透射性積層體之厚度(250µm)除以預定距離P並將所得之商(2.5)的小數點第1位四捨五入後，得值Qc(Qc=3)。 程序A5：根據Qa、Qb及Qc決定掃描次數(按Qa+Qb+Qc以上來應用之掃描次數為7以上，進行第1預掃描及第2預掃描中之任一者或兩者時之掃描次數分別可為8或9)。

D.缺陷之座標圖作成步驟 缺陷之座標圖係藉由對光透射性積層體掃描檢查光獲得掃描影像而作成。此時，係根據位移數據，一邊將光學系統(拍攝部)之焦點之高度位置與第1主面之高度位置的距離維持固定一邊掃描。在一實施形態中，係一邊調整焦點之高度位置使拍攝部之焦點追隨第1主面之位移圖案，一邊掃描。

位移數據與掃描位置之對位例如可事先於光透射性積層體之第1主面設置基準記號，根據該基準記號之位置座標來進行。或者，亦可以光透射性積層體之角部為基準來進行對位。

掃描可藉由改變拍攝部與光透射性積層體之相對位置關係，以二維方式對光透射性積層體之檢查對象區域整體來進行。宜為拍攝部之掃描方向與位移感測器之掃描方向呈平行，較宜為相同方向。

在上述掃描中，可使用利用任意適當之演算法從位移數據算出之值作為第1主面之高度位置。例如，使用線列式相機作為拍攝部時，可將線列式相機之寬度方向(例如X方向)視野內之第1主面的最大高度與最小高度的中央值作為第1主面的高度位置，且可按每個該視野一邊使線掃描相機之焦點之高度位置追隨掃描方向(例如Y方向)上之第1主面之高度位置之變化而改變，一邊進行掃描。例如，參照圖4來具體說明，關於區域1，可一邊使線列式相機之焦點之高度位置追隨第1主面之高度位置而改變一邊進行掃描，前述第1主面之高度位置係以在座標Y ₀檢測之線X1~X4上之最大高度與最小高度的中央值、在座標Y ₁檢測之線X1~X4上之最大高度與最小高度的中央值、・・・在座標Y ₁₀₀檢測之線X1~X4上之最大高度與最小高度的中央值之方式，沿著從Y ₀至Y ₁₀₀之Y座標移動而變化。

光透射性積層體之掃描係進行1次或複數次。宜進行在掃描次數決定步驟所決定之複數次掃描。

當僅進行1次掃描時，係在使拍攝部之焦點對焦於第1主面上(換言之，為於第1主面之高度位置上)之狀態下、或在使拍攝部之焦點對焦於光透射性積層體內部之任意深度之狀態下，對檢查對象區域整體進行掃描，而在該掃描中所得之掃描影像便成為缺陷之座標圖(XY座標圖)。

進行複數次掃描時，如圖6所示，可使拍攝部之焦點每次挪動一預定距離P地進行掃描。預定距離P不受限於可獲得鮮明之掃描影像之範圍中，可因應光學系統之焦點深度(景深)來適當設定。預定距離P例如為10µm~100µm，宜為20µm~80µm，較宜為40µm~60µm。根據所述構成，可以適當之掃描次數檢測出實質上存在於厚度方向上之所有缺陷。此外，在圖式例中，係藉由使用自動對焦系統使光學系統(拍攝部)於Z方向上移動而進行了焦點對位，但焦點之對位亦可藉由其他手段來進行。例如，可藉由透鏡等變更拍攝部之焦點距離，可使試樣台之高度變化，亦可組合該等手段。

如上述，進行第1預掃描及第2預掃描時，係在每次掃描時使拍攝部之焦點高度位置與第1主面高度位置的距離改變一預定距離P之情形下掃描下述區域：以光透射性積層體200之第1主面200a之高度位置起算，從往厚度方向上方(Qa+1)×P之距離的高度至往厚度方向下方(Qb+Qc)×P之距離的高度為止的區域。此時，掃描順序無特別限制。具體上，可先進行第1預掃描，再使拍攝部之焦點朝厚度方向下方每次挪動一預定距離P地進行掃描，最後再進行第2預掃描。又例如，可在將拍攝部之焦點對準第1主面上(換言之，係於第1主面之高度位置上)之狀態下進行最初之掃描，接著將拍攝部之焦點一邊朝其厚度方向下方挪動一邊依序進行掃描，並於第2預掃描結束後，將拍攝部之焦點一邊從第1主面之高度位置朝厚度方向上方挪動一邊依序進行掃描，最後再進行第1預掃描。又例如，可在將拍攝部之焦點對準第1主面上(換言之，係於第1主面之高度位置上)之狀態下進行最初之掃描，接著將拍攝部之焦點一邊朝其厚度方向上方挪動一邊依序進行掃描，並於第1預掃描結束後，將拍攝部之焦點一邊從第1主面之高度位置朝厚度方向下方挪動一邊依序進行掃描，最後再進行第2預掃描。

舉具體例來說，圖5所示之實施形態中，分別令最大高度、最小高度、標準高度及光透射性積層體厚度為160µm、-310µm、-75µm及250µm、令預定距離P為100µm、且決定掃描次數為9次時(於藉由Qa+Qb+Qc算出之操作次數(7次)追加第1預掃描及第2預掃描時)，以使拍攝部之焦點之高度位置維持自第1主面之高度位置起算於上方300µm之距離的方式進行第1次掃描，接著將該焦點之高度位置往下方每次挪動100µm地進行合計9次之掃描。

進行複數次掃描時，將在各掃描所得之掃描影像作成預備性座標圖，並整合所得之複數個預備性座標圖，藉此作成缺陷之座標圖(整合XY座標圖)。

例如圖7係顯示整合5個預備性座標圖而作成缺陷之座標圖(整合XY座標圖)之一例。如圖7所示，藉由整合各影像資料，可將存在於各座標圖之缺陷表示在共通之XY座標上。依上述方式，在所得之缺陷的座標圖(整合XY座標圖)中，光透射性積層體中之實質上所有缺陷皆係表示成XY座標(二維座標)。

E.缺陷檢測步驟 缺陷檢測步驟中，係根據缺陷之座標圖檢測缺陷。根據整合XY座標圖檢測缺陷時，可在全部預備性座標圖中，從XY座標圖特定出相同缺陷，並將對比值最高之影像以缺陷檢測出，並從獲得該影像時之焦點的位置特定出缺陷深度(Z座標)。

根據本發明實施形態之檢查方法，可檢測出50µm以下、宜為30µm以下、較宜為20µm以下、更宜為10µm以下尺寸(最大長度)之缺陷。檢測出之缺陷之尺寸例如可為1µm以上，且例如可為3µm以上，且例如可為8µm以上。

依以上方式可進行缺陷之檢測。檢查結束後，光透射性積層體如上述，代表上可裁斷成最終製品尺寸並出貨。同樣如上述，亦可於檢查結束後視需求將經剝離之表面保護薄膜再次以可剝離之方式暫時黏附於光透射性積層體。

在上述B項~E項所說明之本發明實施形態之光透射性積層體之檢查方法，亦可按拍攝部(線列式相機)之寬度方向之每個視野從位移數據取得步驟進行至缺陷之座標圖作成步驟為止。藉由按拍攝部之寬度方向之每個視野從位移數據取得步驟連續進行至缺陷之座標圖作成步驟為止，可不需要位移數據與掃描位置之對位或變得極容易進行位移數據與掃描位置之對位，且可按每個掃描區域將掃描次數最佳化，因此可有效率地進行高精度的缺陷檢測。亦可因應目的，按拍攝部(線列式相機)之寬度方向之每個視野從位移數據取得步驟進行至缺陷之座標圖作成步驟為止。

產業上之可利用性 本發明實施形態之光透射性積層體之檢查方法可適宜在影像顯示裝置之製造過程中用於檢測出光學薄膜、黏著劑片等之缺陷。

10:試樣台 20:光學系統 30:位移感測器 40:Z軸移動控制部 50:支持機構 50a,50b:支持機構 60:XY軸移動控制部 100:檢查裝置 200:光透射性積層體 200a:光透射性積層體之第1主面 A~D,X1~X10:線 L:預定間隔 P:預定距離 X,Y,Z:方向

圖1係說明本發明實施形態之光透射性積層體之檢查方法的流程圖。 圖2係可用於本發明實施形態之檢查方法的檢查裝置之一例的概略側視圖。 圖3係說明位移數據取得步驟的概略圖。 圖4係說明位移數據取得步驟的概略圖。 圖5係說明掃描次數決定步驟的概略圖。 圖6係說明拍攝掃描影像時之焦點之高度位置的概略圖。 圖7係說明缺陷之座標圖之作成之一例的概念圖。

20:光學系統

200:光透射性積層體

200a:光透射性積層體之第1主面

P:預定距離

Y,Z:方向

Claims (10)

1. 一種光透射性積層體之檢查方法，係檢查具有第1主面與第2主面之單片光透射性積層體之方法， 該檢查方法包含以下步驟： 以位移感測器檢測該光透射性積層體之該第1主面之高度而獲得位移數據； 以光學系統掃描該光透射性積層體，並從藉此所得之掃描影像作成缺陷之座標圖；及 根據該缺陷之座標圖檢測缺陷； 並且，該檢查方法係根據該位移數據，一邊將獲得該掃描影像時該光學系統之焦點之高度位置與該第1主面之高度位置的距離維持固定，一邊進行該光透射性積層體之掃描。
2. 如請求項1之檢查方法，其中前述作成缺陷之座標圖之步驟包含以下步驟： 以前述光學系統掃描前述光透射性積層體複數次，作成複數個預備性座標圖；及 整合該複數個預備性座標圖； 各掃描中前述焦點之高度位置與前述第1主面之高度位置的距離係相差一預定距離P。
3. 如請求項2之檢查方法，其進一步包含下述步驟： 根據以下事項來決定掃描次數：根據前述位移數據決定之前述光透射性積層體之第1主面的基準高度、最大高度及最小高度、以及前述光透射性積層體之厚度； 將該最大高度與基準高度之差除以前述預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qa，將該最小高度與基準高度之差除以前述預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qb，將前述光透射性積層體之厚度除以前述預定距離P並將所得之商的小數點第1位四捨五入後令該值為Qc，此時，該掃描次數為Qa+Qb+Qc以上(惟，Qa+Qb+Qc=0時為1以上)。
4. 如請求項3之檢查方法，其中前述掃描次數為Qa+Qb+Qc+2； 該檢查方法係在使前述焦點之高度位置與前述第1主面之高度位置的距離每次改變一前述預定距離P之情形下掃描下述區域：以前述光透射性積層體之第1主面之高度位置起算，從往厚度方向上方(Qa+1)×P之距離的高度至往厚度方向下方(Qb+Qc)×P之距離的高度為止的區域。
5. 如請求項3或4之檢查方法，其中前述預定距離P為10µm~100µm。
6. 如請求項1至5中任一項之檢查方法，其中前述光學系統包含線列式相機； 前述獲得位移數據之步驟及前述作成缺陷之座標圖之步驟係按該線列式相機之寬度方向的每個視野連續進行。
7. 如請求項1至6中任一項之檢查方法，其係檢測50µm以下尺寸之缺陷。
8. 如請求項1至7中任一項之檢查方法，其中前述光透射性積層體係選自光學薄膜、黏著劑片及該等之組合。
9. 如請求項8之檢查方法，其中前述光學薄膜係選自偏光板、相位差板及包含該等之積層體。
10. 如請求項1至9中任一項之檢查方法，其中前述光透射性積層體之厚度為300µm以下。

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