TW202307560A - 防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的光罩、曝光方法、半導體元件的製造方法及液晶顯示器的製造方法 - Google Patents

防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的光罩、曝光方法、半導體元件的製造方法及液晶顯示器的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種帶黏著劑層的防護薄膜框架1，具有：一個端面1a，設置有防護薄膜膜片；以及另一個端面1b，設置有用於貼附至光罩的黏著劑層1c，所述帶黏著劑層的防護薄膜框架中，所述黏著劑層的厚度為0.10 mm～0.30 mm，且所述黏著劑層的黏著力為5×10 -3N/cm～5×10 -1N/cm，且提供一種在所述帶黏著劑層的防護薄膜框架的所述一個端面設置防護薄膜膜片而成的防護薄膜、帶防護薄膜的光罩、曝光系統、半導體元件或液晶顯示器的製造系統。根據本發明的帶黏著劑層的防護薄膜框架，與以往相比，可抑制黏著劑層的平坦度的劣化，進而可緩和自防護薄膜對光罩賦予的應力，結果可抑制PID。

Description

防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的光罩、曝光方法、半導體元件的製造方法及液晶顯示器的製造方法
本發明有關於一種用作製造半導體元件、印刷基板、液晶顯示器等時的防塵件的防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的光罩、曝光方法、半導體元件的製造方法及液晶顯示器的製造方法。
在大規模積體電路（Large Scale Integrated circuit，LSI）、超LSI等半導體製造或液晶顯示器等的製造中，對半導體晶片或液晶用原版照射光來形成圖案，但若此時使用的光罩（photomask）或標線片（reticle）（以下，簡單記述為「光罩」）上附著有灰塵，則有邊緣變得粗糙、或者基底被染黑等而尺寸、品質、外觀受損的問題。
因此，這些作業通常是在無塵室（clean room）內進行，但即便如此，也難以使光罩始終保持潔淨，因此，在光罩表面貼附防護薄膜（pellicle）作為防塵件後進行曝光。此情況下，異物不會直接附著於光罩的表面，而是附著於防護薄膜上，因此，只要在光刻（lithography）時使焦點在光罩的圖案上對焦，則防護薄膜上的異物便與轉印無關。
一般來說，防護薄膜是在包含鋁、不鏽鋼、聚乙烯等的防護薄膜框架（pellicle frame）的上端面塗佈防護薄膜膜片的良溶媒後進行風乾來接著防護薄膜膜片，或者利用丙烯酸樹脂或環氧樹脂等接著劑來接著防護薄膜膜片，所述防護薄膜膜片為透明的而使光良好地透過，且包含硝基纖維素、乙酸纖維素或氟樹脂等。進而，在防護薄膜框架的下端，包括用於接著至光罩的包含聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂等的黏著劑層及以保護黏著劑層為目的的離型層（隔板）。
而且，當將此種防護薄膜安裝於光罩的表面並隔著光罩對形成於半導體晶片或液晶用原版的光致抗蝕劑膜進行曝光時，灰塵等異物附著於防護薄膜的表面而非直接附著於光罩的表面，因此只要以焦點位於形成於光罩的圖案上的方式照射曝光用的光，便可避免灰塵等異物的影響。
且說，近年來，半導體元件及液晶顯示器越來越高積體化、微細化。現在，在光致抗蝕劑膜上形成32 nm左右的微細圖案的技術也已實用化。若為32 nm左右的圖案，則可藉由液浸曝光技術或多重曝光等使用以往的準分子雷射的改良技術來應對，所述液浸曝光技術是利用超純水等液體充滿半導體晶片或液晶用原版與投影透鏡之間，使用氟化氬（ArF）準分子雷射對光致抗蝕劑膜進行曝光。
但是，對下一代的半導體元件或液晶顯示器要求進一步微細化的圖案形成，使用像以往那樣的防護薄膜及曝光技術時，難以形成更微細的圖案。
因此，近年來，作為用於形成更微細的圖案的方法，使用以13.5 nm為主波長的極紫外（Extreme Ultra Violet，EUV）光的EUV曝光技術備受矚目。
此外，隨著半導體元件或液晶顯示器的不斷微細化，關於影響良率的防護薄膜，在將防護薄膜貼附於光罩時由於此應力而光罩變形（防護薄膜引起的變形（PID；Pellicle Induced Distortion）），結果形成的圖案的位置精度偏移，因此難以形成微細圖案，這成為了大問題。
在通常的防護薄膜中，在防護薄膜框架的下端面遍及全周設置有黏著劑層，在防護薄膜與光罩的貼附時，光罩自防護薄膜框架的一個端面整體受到應力，由於此應力而產生光罩變形的問題。若光罩因自防護薄膜框架受到的應力而變形，則根據變形的程度而難以形成目標微細圖案。
為了極力消除光罩的變形，在專利文獻1中提出了一種將黏著劑層的黏著力抑制得低的防護薄膜。然而，即便是所述防護薄膜，也存在根據黏著劑層的厚度而光罩與防護薄膜的貼附變弱從而防護薄膜自光罩掉落的問題。 [現有技術文獻]
[專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2012-108277號公報
[發明所要解決的問題] 本發明是鑒於上述情況而成的，其目的在於提供一種在防護薄膜框架與光罩的貼合時減少自防護薄膜框架向光罩傳遞的應力且可抑制光罩的變形的帶黏著劑層的防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的光罩、曝光方法、半導體元件的製造方法及液晶顯示器的製造方法。
[解決問題的技術手段] 本發明發明人為了實現所述目的反復進行努力研究，結果發現，藉由使設置於防護薄膜框架的下端面的黏著劑層的厚度薄型化且使黏著力降低，可確保抑制黏著劑平坦度的劣化，將防護薄膜貼附於光罩時產生的自防護薄膜框架向黏著劑的變形應力不易保持於黏著劑中，結果遮罩的形狀變化也得到抑制，從而完成了本發明。
因此，本發明提供下述的帶黏著劑層的防護薄膜框架、防護薄膜、帶防護薄膜的光罩、曝光方法、半導體元件的製造方法及液晶顯示器的製造方法。 1、一種帶黏著劑層的防護薄膜框架，其具有：一個端面，設置有防護薄膜膜片；以及另一個端面，設置有用於貼附至光罩的黏著劑層，所述黏著劑層的厚度為0.10 mm～0.30 mm，且所述黏著劑層的黏著力為5×10 -3N/cm～5×10 -1N/cm。 2、所述1記載的帶黏著劑層的防護薄膜框架，其中所述黏著劑層含有丙烯酸系黏著劑。 3、所述1記載的帶黏著劑層的防護薄膜框架，其中所述黏著劑層含有矽酮系黏著劑。 4、所述1～3中任一項記載的帶黏著劑層的防護薄膜框架，其中在所述黏著劑層的表面設置能夠剝離的隔板。 5、一種防護薄膜，其特徵在於：在所述1～4中任一項記載的帶黏著劑層的防護薄膜框架的所述一個端面設置防護薄膜膜片。 6、一種帶防護薄膜的光罩，其特徵在於：在光罩上裝設有所述5記載的防護薄膜。 7、一種曝光方法，其特徵在於：利用所述6記載的帶防護薄膜的光罩來進行曝光。 8、一種半導體元件的製造方法，其特徵在於：包括利用所述6記載的帶防護薄膜的光罩來進行曝光的步驟。 9、一種液晶顯示器的製造方法，其特徵在於：包括利用所述6記載的帶防護薄膜的光罩來進行曝光的步驟。
[發明的效果] 根據本發明的帶黏著劑層的防護薄膜框架，與以往相比可抑制黏著劑層的平坦度的劣化，進而可緩和自防護薄膜對光罩賦予的應力，結果可抑制PID。因此，本發明的帶黏著劑層的防護薄膜框架作為特別是最重視PID性能的近年來的微細化圖案中使用的防護薄膜而有效，且可有效用於使用此種防護薄膜的帶防護薄膜的光罩曝光方法、半導體元件的製造方法及液晶顯示器的製造方法。
以下，對本發明進行更詳細的說明。 本發明的防護薄膜框架是帶黏著劑層的防護薄膜框架，具有：一個端面，設置有防護薄膜膜片；以及另一個端面，設置有用於貼附至光罩的黏著劑層。
作為所述防護薄膜框架的材質，可使用鋁合金、鋼鐵、不鏽鋼、黃銅、因瓦合金（invar）、超因瓦合金（super invar）等金屬或合金；聚乙烯（polyethylene，PE）、聚醯胺（polyamide，PA）、聚醚醚酮（polyether-ether-ketone，PEEK）等工程塑料；玻璃纖維增強塑料（glass fiber reinforced plastic，GFRP）、碳纖維增強塑料（carbon fibre reinforced plastic，CFRP）等纖維複合材料等公知的材質。
另外，所述防護薄膜框架的表面較佳為被處理成黑色，並且視需要實施用於防止起塵的塗裝等表面處理。例如，在使用鋁合金的情況下，較佳為實施氧化鋁膜（alumite）處理或化學轉化處理等表面處理，在鋼鐵、不鏽鋼等的情況下，較佳為實施黑色鍍鉻等表面處理。
在所述防護薄膜框架的下端面（即，在防護薄膜框架的一個端面設置防護薄膜膜片，且在另一個端面），具有用於貼附至光罩的基板的黏著劑層。
所述黏著劑層的厚度為0.10 mm～0.30 mm的範圍內，較佳為0.10 mm～0.20 mm。在形成黏著劑層時，在製造步驟上較佳為壓抵至石英基板等來進行平坦化處理。這樣的話，黏著劑層的平坦度提高，可抑制由防護薄膜向光罩的貼附引起的遮罩變形。黏著劑層的厚度越小，當自石英基板等剝離防護薄膜時，與凝聚破壞（黏著劑層的伸長）相比，更支配性地產生界面破壞，黏著劑層的變形越得到抑制。另一方面，黏著劑層的厚度越大，自石英基板等剝離防護薄膜時的黏性阻力越小，因此與界面破壞相比，凝聚破壞更占支配地位，黏著劑的變形變得顯著。此情況下，傳遞至光罩的變形應力變大，光罩容易變形。
另外，黏著劑層的黏著力為5×10 -3N/cm～5×10 -1N/cm的範圍內，較佳為5×10 -3N/cm～1×10 -1N/cm。另外，下限也可為5×10 -2N/cm。黏著力越小，傳遞至光罩的變形應力越小，但若黏著力低於5×10 -3N/cm而過小，則對光罩的貼附變弱，有防護薄膜自光罩掉落的危險性。另一方面，若黏著力變得大於5×10 -1N/cm，則光罩容易變形，因此並不較佳。認為其原因在於：防護薄膜、特別是防護薄膜框架的形狀會對光罩的形狀產生影響，在黏著力大的情況下，由變形應力引起的形狀變化被保持。
另外，就黏著力與光罩的不易變形度的觀點而言，較佳為以下的（1）～（4）的條件。 （1）當黏著劑層的厚度為0.10 mm以上且小於0.15 mm時，黏著劑層的黏著力較佳為5×10 -3N/cm～5×10 -1N/cm，更佳為5×10 -3N/cm～1×10 -1N/cm，特佳為5×10 -3N/cm～5×10 -2N/cm。 （2）當黏著劑層的厚度為0.15 mm以上且小於0.20 mm時，黏著劑層的黏著力較佳為5×10 -3N/cm～5×10 -1N/cm，更佳為5×10 -3N/cm～1×10 -1N/cm，特佳為5×10 -3N/cm～5×10 -2N/cm。 （3）當黏著劑層的厚度為0.20 mm以上且小於0.25 mm時，黏著劑層的黏著力較佳為5×10 -3N/cm～5×10 -1N/cm，更佳為5×10 -3N/cm～1×10 -1N/cm，特佳為5×10 -3N/cm～5×10 -2N/cm。 （4）當黏著劑層的厚度為0.25 mm以上且0.30 mm以下時，黏著劑層的黏著力較佳為5×10 -3N/cm～5×10 -1N/cm，更佳為5×10 -3N/cm～1×10 -1N/cm，特佳為5×10 -3N/cm～5×10 -2N/cm。
黏著劑層的黏著力可依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）Z0237：2009中規定的黏著帶/黏著片試驗方法進行評價。具體而言，利用壓接輥，將塗敷黏著劑而得的黏著膜貼合於鈉鈣玻璃的利用丙酮進行了清洗的非錫面，在50℃、0.5 MPa×20分鐘的條件下進行高壓釜處理，然後，回到23℃×50%RH的環境下並經過1小時，關於此時的所述黏著膜的剝離強度，可利用黏著力（單位：N/cm）來表示依據JIS Z0237「黏著帶/黏著片試驗方法」並利用拉伸試驗機在180°方向上以5 mm/秒的速度剝離時的剝離強度。
作為黏著劑層的材質，可使用橡膠系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯（styrene-ethylene-butylene-styrene，SEBS）黏著劑、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯（styrene-ethylene-propylene-styrene，SEPS）黏著劑、矽酮系黏著劑等公知的材質。較佳為可能成為霧度產生原因的逸氣少的黏著劑。可自市售的所述公知的黏著劑中適宜地選定具有本發明的數值範圍的黏著力的材質，或者藉由適宜地變更黏著劑組合物的原材料或硬化條件來形成具有所需黏著力的黏著劑層。另外，在含有硬化劑的黏著劑組合物的情況下，可藉由使硬化劑的含量或種類變動而使黏著劑層的黏著力變動。具體而言，在由含有側鏈具有羧基或羥基的丙烯酸系聚合體以及環氧樹脂、異氰酸酯等硬化劑而成的黏著劑組合物獲得的丙烯酸系黏著劑的情況下，若在一定的範圍內增加硬化劑的含量，則所獲得的黏著劑層的黏著力有下降的傾向。另一方面，若減少硬化劑的含量，則所獲得的黏著劑層的黏著力有上升的傾向。
為了確保裝設光罩後的穩定性且進一步減少防護薄膜對光罩帶來的影響，黏著劑層的表面的平坦度較佳為30 μm以下。另外，視需要也可形成為剖面凸形形狀等。
若防護薄膜框架的平坦度良好，則在將防護薄膜貼附於遮罩的情況下，可減小防護薄膜框架的變形量，其結果，可減小防護薄膜框架的變形應力，從而將遮罩的變形抑制得小。此外，所述防護薄膜框架的所謂「平坦度」設為以下的值：在防護薄膜框架的各角部4點與四邊的中央4點共計8點測定高度，算出假想平面，利用各點距所述假想平面的距離中最高點減去最低點的差來算出的值。防護薄膜框架的平坦度可利用具有XY軸編程平臺的雷射位移計等雷射位移計進行測定。
在黏著劑層的表面，可為了保護而安裝對厚度50 μm～300 μm左右的聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）製膜等的表面賦予了剝離性的隔板。也可藉由防護薄膜的殼體或防護薄膜的支撐部件等的設計而將其省略。
在本發明中，藉由在防護薄膜框架的另一端面（下端面）設置黏著劑層的厚度薄且黏著力極小的黏著劑層，可緩和防護薄膜對光罩賦予的應力，因此PID的值越小越較佳，當PID的值為30 nm以下時，幾乎不存在伴隨圖案的位置精度偏移的對微細圖案的影響，可用作高精細品。
此處，所謂PID，是使用康寧特佩爾（Corning Tropel）公司製造的平面度儀（FlatMaster），將防護薄膜貼附前後的光罩的正方向與負方向的最大變形量的和作為PID的數值（大小）。
為了捕捉或固定浮游異物，也較佳為在防護薄膜框架的內表面塗佈丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑等黏著性物質。另外，以防止起塵為目的，也較佳為僅在防護薄膜框架的內表面、或在其整個面形成丙烯酸系樹脂、氟系樹脂等非黏著性樹脂的被膜。這些黏著性樹脂、非黏著性樹脂的被膜的形成可藉由噴霧、浸漬、粉體塗裝、電泳塗裝等公知的方法進行施工。
另外，為了操作等的用途，可在防護薄膜框架的外表面設置多處夾具孔或槽等，另外，也較佳為利用機械刻印或雷射標記來實施型號、製造編號或條形碼等的顯示。
進而，對於防護薄膜框架，可為了調整防護薄膜貼附後的內部的氣壓而設置通氣孔，且為了防止異物的侵入而在其外側安裝包含聚四氟乙烯（poly tetrafluoroethylene，PTFE）等的多孔質薄膜的過濾器。關於此時的過濾器的安裝，可設置適當材質的黏著劑層等而直接貼附於防護薄膜框架的外表面等。而且，這些通氣孔及過濾器的配置位置或個數、其形狀可考慮所要求的通氣性或操作的情況等來決定。
使用所述帶黏著劑層的防護薄膜框架的本發明的防護薄膜包括所述防護薄膜框架、以及鋪設於所述防護薄膜框架的上端面的防護薄膜膜片而構成。關於防護薄膜的用途，在應用於光罩的變形尤其成為問題的半導體元件製造用的用途時效果特別大，但並不限定於所述用途。例如，不僅可應用於一邊為150 mm前後的半導體元件製造用的用途，甚至還可應用於一邊為200 mm～300 mm的印刷基板製造用的用途及一邊為接近500 mm～2000 mm的液晶、有機EL顯示器等顯示器製造用的用途，即，可應用於由防護薄膜貼附引起的光罩的變形會成為問題的所有防護薄膜中。
所述防護薄膜膜片根據使用的曝光光源，自纖維素系樹脂、氟系樹脂等材料中選擇最佳的材料，就透過率、機械強度等觀點而言，自0.1 μm～10 μm左右的範圍中選擇最佳的膜厚來製作，並且視需要也可賦予抗反射層。特別是在使用EUV光作為曝光光源的情況下，可使用膜厚為1 μm以下的矽膜、或石墨烯膜。而且，用於在防護薄膜框架的上端面鋪設防護薄膜膜片的接著劑可使用丙烯酸系接著劑、氟系接著劑、矽酮系接著劑等公知的接著劑。此外，在防護薄膜膜片難以單獨處理的情況下，可使用由矽等的框撐起的防護薄膜膜片。此情況下，例如藉由接著框的區域與防護薄膜框架，可容易地製造防護薄膜。
本發明的防護薄膜利用所述黏著劑層安裝於光罩的基板。所述光罩基板的材質通常是石英基板的表面經鉻（Cr）被覆的材質。
作為將所述黏著劑層貼附於光罩的基板的方法/條件，通常使用自動貼裝機（automounter）等安裝構件。在將黏著劑層按壓至光罩時的荷重小的情況下，可抑制PID，因此建議貼附在5 kg/30 s～25 kg/30 s的荷重下進行。作為利用貼裝機的貼附方法，除了可採用對角部（4處）加壓的方法以外，以一定荷重對貼附面的整體進行加壓的方法中力的分散也變小，PID變小，因此也可較佳地採用。
本發明的防護薄膜不僅可作為用於抑制異物附著於曝光原版的保護構件，而且還可作為在曝光原版的保管時或在曝光原版的搬運時用於保護曝光原版的保護構件。將防護薄膜裝設於光罩等曝光原版以製造帶防護薄膜的曝光原版的方法除了存在利用光罩用黏著劑進行貼附的方法以外，還存在靜電吸附法、進行機械性固定的方法等。
本發明的半導體元件或液晶顯示器（液晶顯示板）的製造方法包括利用所述帶防護薄膜的曝光原版對基板（半導體晶片或液晶用原板）進行曝光的步驟。例如，在作為半導體元件或液晶顯示器的製造步驟之一的光刻步驟中，為了在基板上形成與積體電路等對應的光致抗蝕劑圖案，而在步進器設置所述帶防護薄膜的曝光原版進行曝光。一般而言，在EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射並被引導至基板的投影光學系統，這些是在減壓或真空下進行。由此，假設即便在光刻步驟中異物附著於防護薄膜上，這些異物也不會在塗佈有光致抗蝕劑的晶片上成像，因此可防止由異物的像引起的積體電路等的短路或斷線等。因此，藉由使用帶防護薄膜的曝光原版，可提高光刻步驟中的良率。
半導體元件等的製造中使用的曝光裝置一般而言使用接觸曝光、接近式（proximity）曝光、鏡像投影（mirror projection）曝光、步進重複（step and repeat）型投影曝光裝置、步進掃描（step and scan）型投影曝光裝置等。此處，在步進掃描型投影曝光裝置中，例如一邊利用窄狹縫對曝光原版的圖案進行掃描一邊將電路圖案轉印至晶片上，因此曝光原版與晶片以與投影光學系統的倍率相應的掃描速度同步移動。此時，貼附於曝光原版的防護薄膜也同樣地移動。 [實施例]
以下，示出實施例與比較例，對本發明進行具體說明，但本發明並不受下述實施例的限制。
〔實施例1〕 在實施例1中，首先，準備鋁合金製的防護薄膜框架（外部尺寸149 mm×115 mm×3.15 mm）。另外，在所述防護薄膜框架的長邊的中央部，還設置有直徑1 mm的過濾器孔。
接著，對所準備的防護薄膜框架利用純水進行清洗後，在防護薄膜框架的上端面塗佈氟系接著劑（旭硝子（股）製造的商品名「賽托普（Cytop）CT69」），另外，在防護薄膜框架的下端面，以黏著劑層厚度成為0.10 mm的方式塗佈黏著力為5×10 -3N/cm的丙烯酸系黏著劑（綜研化學（股）製造的製品名「SK達因（Dyne）1499M」）。然後，將防護薄膜框架加熱至130℃，使黏著劑、接著劑硬化。
然後，將防護薄膜框架的接著劑層側貼附至黏貼於比防護薄膜框架大的鋁框的包含非晶質氟樹脂（旭硝子（股）製造的商品名「賽托普（Cytop）CTX-S」）的防護薄膜膜片，將比防護薄膜框架靠外側的部分去除而完成防護薄膜。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，在防護薄膜位於下方的狀態下將溫度保持於80℃，進行90天的長期貼附試驗。防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。
另外，將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，進行PID的評價，結果將實施例1的防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為15 nm。此外，此處，將防護薄膜向光罩的貼附條件設為荷重5 kgf、荷重時間30秒。
〔實施例2〕 在實施例2中，將黏著劑層的黏著力設為1×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為20 nm。
〔實施例3〕 在實施例3中，將黏著劑層的黏著力設為5×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為23 nm。
〔實施例4〕 在實施例4中，將黏著劑層的厚度設為0.15 mm、將黏著力設為5×10 -3N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為19 nm。
〔實施例5〕 在實施例5中，將黏著劑層的厚度設為0.15 mm、將黏著力設為1×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為22 nm。
〔實施例6〕 在實施例6中，將黏著劑層的厚度設為0.15 mm、將黏著力設為5×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為25 nm。
〔實施例7〕 在實施例7中，將黏著劑層的厚度設為0.20 mm、將黏著力設為5×10 -3N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為19 nm。
〔實施例8〕 在實施例8中，將黏著劑層的厚度設為0.20 mm、將黏著力設為1×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為22 nm。
〔實施例9〕 在實施例9中，將黏著劑層的厚度設為0.20 mm、將黏著力設為5×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為26 nm。
〔實施例10〕 在實施例10中，將黏著劑層的厚度設為0.25 mm、將黏著力設為5×10 -3N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為23 nm。
〔實施例11〕 在實施例11中，將黏著劑層的厚度設為0.25 mm、將黏著力設為1×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為20 nm。
〔實施例12〕 在實施例12中，將黏著劑層的厚度設為0.25 mm、將黏著力設為5×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為26 nm。
〔實施例13〕 在實施例13中，將黏著劑層的厚度設為0.30 mm、將黏著力設為5×10 -3N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為23 nm。
〔實施例14〕 在實施例14中，將黏著劑層的厚度設為0.30 mm、將黏著力設為1×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為23 nm。
〔實施例15〕 在實施例15中，將黏著劑層的厚度設為0.30 mm、將黏著力設為5×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為30 nm。
〔比較例1〕 在比較例1中，使用黏著力為1 N/cm的丙烯酸系黏著劑（SK達因（Dyne）1170；綜研化學（股）製品名），以厚度成為0.10 mm的方式塗佈所述黏著劑來製成黏著劑層，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，在防護薄膜位於下方的狀態下將溫度保持於80℃，進行90天的長期貼附試驗。防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。
另外，將所製作的防護薄膜貼附於150 mm見方的光罩基板，進行PID的評價，結果將比較例1的防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為34 nm。此外，此處，將防護薄膜向光罩的貼附條件設為荷重5 kgf、荷重時間30秒。
〔比較例2〕 在比較例2中，將黏著劑層的厚度設為0.35 mm、將黏著力設為5×10 -3N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為33 nm。
〔比較例3〕 在比較例3中，將黏著劑層的厚度設為0.35 mm、將黏著力設為5×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為39 nm。
〔比較例4〕 在比較例4中，將黏著劑層的厚度設為0.50 mm、將黏著力設為5×10 -3N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為43 nm。
〔比較例5〕 在比較例5中，將黏著劑層的厚度設為0.50 mm、將黏著力設為5×10 -1N/cm，除此以外，與實施例1同樣地製作防護薄膜。
針對所製作的防護薄膜，與實施例1同樣地進行評價，結果在長期貼附試驗中，防護薄膜在90天內保持貼附於光罩的狀態，進而自貼附起經過120天後也未自光罩掉落。另外，將防護薄膜裝設於光罩時的PID的值為42 nm。 [表1]
   No. 黏著劑厚度 （mm） 黏著力 （N/cm） PID （nm）
實施例 1 0.10 5×10 -3 15
2 1×10 -1 20
3 5×10 -1 23
4 0.15 5×10 -3 19
5 1×10 -1 22
6 5×10 -1 25
7 0.20 5×10 -3 19
8 1×10 -1 22
9 5×10 -1 26
10 0.25 5×10 -3 23
11 1×10 -1 20
12 5×10 -1 26
13 0.30 5×10 -3 23
14 1×10 -1 23
15 5×10 -1 30
比較例 1 0.10 1 34
2 0.35 5×10 -3 33
3 5×10 -1 39
4 0.50 5×10 -3 43
5 5×10 -1 42
1:帶黏著劑層的防護薄膜框架 1a:防護薄膜框架的一個端面（上端面） 1b:防護薄膜框架的另一個端面（下端面） 1c:黏著劑層
圖1為表示本發明的帶黏著劑層的防護薄膜框架的一例的立體圖。 圖2為將圖1的黏著劑層的防護薄膜框架沿著E-E’切斷的剖面圖。
1:帶黏著劑層的防護薄膜框架
1a:防護薄膜框架的一個端面(上端面)
1b:防護薄膜框架的另一個端面(下端面)
1c:黏著劑層

Claims (9)

  1. 一種帶黏著劑層的防護薄膜框架，其具有：一個端面，設置有防護薄膜膜片；以及另一個端面，設置有用於貼附至光罩的黏著劑層，所述帶黏著劑層的防護薄膜框架的特徵在於，所述黏著劑層的厚度為0.10 mm～0.30 mm，且所述黏著劑層的黏著力為5×10 -3N/cm～5×10 -1N/cm。
  2. 如請求項1所述的帶黏著劑層的防護薄膜框架，其中所述黏著劑層含有丙烯酸系黏著劑。
  3. 如請求項1所述的帶黏著劑層的防護薄膜框架，其中所述黏著劑層含有矽酮系黏著劑。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的帶黏著劑層的防護薄膜框架，其中在所述黏著劑層的表面設置能夠剝離的隔板。
  5. 一種防護薄膜，其特徵在於，在如請求項1至請求項4中任一項所述的帶黏著劑層的防護薄膜框架的所述一個端面設置防護薄膜膜片。
  6. 一種帶防護薄膜的光罩，其特徵在於，在光罩上裝設有如請求項5所述的防護薄膜。
  7. 一種曝光方法，其特徵在於，利用如請求項6所述的帶防護薄膜的光罩來進行曝光。
  8. 一種半導體元件的製造方法，其特徵在於，包括利用如請求項6所述的帶防護薄膜的光罩來進行曝光的步驟。
  9. 一種液晶顯示器的製造方法，其特徵在於，包括利用如請求項6所述的帶防護薄膜的光罩來進行曝光的步驟。
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