TW202306312A - 振盪裝置 - Google Patents

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TW202306312A
TW202306312A TW110129235A TW110129235A TW202306312A TW 202306312 A TW202306312 A TW 202306312A TW 110129235 A TW110129235 A TW 110129235A TW 110129235 A TW110129235 A TW 110129235A TW 202306312 A TW202306312 A TW 202306312A
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謝萬霖
陳昱良
許爾碩
陳志恂
高笙翔
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台灣晶技股份有限公司
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Abstract

本發明係揭露一種振盪裝置，其包含一第一石英晶體諧振器、一驅動電路、一第一緩衝器、一衰減器、一第二石英晶體諧振器與一第二緩衝器。第一石英晶體諧振器與第二石英晶體諧振器分別具有第一諧振頻率與第二諧振頻率。驅動電路驅動第一石英晶體諧振器產生具有第一諧振頻率之一第一振盪訊號，第一緩衝器利用第一振盪訊號產生一第一時脈訊號，衰減器減少第一時脈訊號之波形擺動幅度，以產生一衰減訊號。第二石英晶體諧振器整流衰減訊號，以產生具有第二諧振頻率之一第二振盪訊號，第二緩衝器利用第二振盪訊號產生一第二時脈訊號。

Description

振盪裝置
本發明係關於一種振盪裝置，且特別關於一種用以降低與加速度有關之敏感度與相位雜訊之振盪裝置。
電子裝置通常包括振盪器，以提供用作時脈源的振盪訊號。振盪訊號可由諧振器控制，諧振器需要某種形式的激發訊號來維持振盪。
由諧振器控制的振盪器的操作可能會受到老化和某些環境條件的影響，例如溫度和這裡特別感興趣的加速度。當振盪器受到加速時，它產生的振盪訊號的頻率可能會改變。頻率的變化與加速度的大小成正比，並取決於方向，從而產生與加速度有關之敏感度的向量。時變加速度，例如振動，會導致振盪器頻率的頻率調變。因此，為了從振盪器產生穩定和純淨的頻率輸出，需要降低這種振盪器對由於加速度引起的頻率變化的敏感性。
因此，本發明係在針對上述的困擾，提出一種振盪裝置，以解決習知所產生的問題。
本發明提供一種振盪裝置，其係降低與加速度有關之敏感度與相位雜訊。
在本發明之一實施例中，提供一種振盪裝置，其包含一第一石英晶體諧振器、一驅動電路、一第一緩衝器、一衰減器、一第二石英晶體諧振器與一第二緩衝器。第一石英晶體諧振器具有第一諧振頻率，驅動電路耦接第一石英晶體諧振器。驅動電路用以驅動第一石英晶體諧振器產生具有第一諧振頻率之一第一振盪訊號。第一緩衝器耦接驅動電路與第一石英晶體諧振器，其中第一緩衝器用以接收第一振盪訊號，並隔離第一石英晶體諧振器與驅動電路後面的負載變化，以利用第一振盪訊號產生一第一時脈訊號。衰減器耦接第一緩衝器，其中衰減器用以接收第一時脈訊號，並減少第一時脈訊號之波形擺動幅度，以產生一衰減訊號。第二石英晶體諧振器具有第二諧振頻率，第二石英晶體諧振器耦接衰減器，其中第二石英晶體諧振器用以接收並整流衰減訊號，以產生具有第二諧振頻率之一第二振盪訊號。第二緩衝器耦接第二石英晶體諧振器，其中第二緩衝器用以接收第二振盪訊號，並隔離第一石英晶體諧振器、驅動電路、衰減器與第二石英晶體諧振器後面的負載變化，以利用第二振盪訊號產生一第二時脈訊號。
在本發明之一實施例中，驅動電路與第一緩衝器整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
在本發明之一實施例中，驅動電路、第一緩衝器與第二緩衝器整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
在本發明之一實施例中，驅動電路為積體電路，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
在本發明之一實施例中，驅動電路與第二緩衝器整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
在本發明之一實施例中，驅動電路、第一緩衝器與衰減器整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
在本發明之一實施例中，驅動電路、第一緩衝器、第二緩衝器與衰減器整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
在本發明之一實施例中，振盪裝置更包含一電子開關，其一端耦接第一緩衝器，電子開關之另一端耦接衰減器或一輸出端。
在本發明之一實施例中， 驅動電路、第一緩衝器、第二緩衝器、衰減器與電子開關整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
在本發明之一實施例中，驅動電路、第一緩衝器、衰減器與電子開關整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
在本發明之一實施例中，驅動電路、第一緩衝器與電子開關整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
基於上述，振盪裝置過濾振盪訊號，以利用兩石英晶體諧振器產生時脈訊號，進而降低與加速度有關之敏感度與相位雜訊。
茲為使　貴審查委員對本發明的結構特徵及所達成的功效更有進一步的瞭解與認識，謹佐以較佳的實施例圖及配合詳細的說明，說明如後：
本發明之實施例將藉由下文配合相關圖式進一步加以解說。盡可能的，於圖式與說明書中，相同標號係代表相同或相似構件。於圖式中，基於簡化與方便標示，形狀與厚度可能經過誇大表示。可以理解的是，未特別顯示於圖式中或描述於說明書中之元件，為所屬技術領域中具有通常技術者所知之形態。本領域之通常技術者可依據本發明之內容而進行多種之改變與修改。
除非特別說明，一些條件句或字詞，例如「可以(can)」、「可能(could)」、「也許(might)」，或「可(may)」，通常是試圖表達本案實施例具有，但是也可以解釋成可能不需要的特徵、元件，或步驟。在其他實施例中，這些特徵、元件，或步驟可能是不需要的。
於下文中關於“一個實施例”或“一實施例”之描述係指關於至少一實施例內所相關連之一特定元件、結構或特徵。因此，於下文中多處所出現之“一個實施例”或 “一實施例”之多個描述並非針對同一實施例。再者，於一或多個實施例中之特定構件、結構與特徵可依照一適當方式而結合。
在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異做為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍所提及的「包含」為開放式的用語， 故應解釋成「包含但不限定於」。另外，「耦接」在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述第一元件耦接於第二元件，則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件，或者通過其他元件或連接手段間接地電性或信號連接至該第二元件。
揭露特別以下述例子加以描述，這些例子僅係用以舉例說明而已，因為對於熟習此技藝者而言，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。在通篇說明書與申請專利範圍中，除非內容清楚指定，否則「一」以及「該」的意義包含這一類敘述包括「一或至少一」該元件或成分。此外，如本揭露所用，除非從特定上下文明顯可見將複數個排除在外，否則單數冠詞亦包括複數個元件或成分的敘述。而且，應用在此描述中與下述之全部申請專利範圍中時，除非內容清楚指定，否則「在其中」的意思可包含「在其中」與「在其上」。在通篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞(terms)，除有特別註明，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供從業人員(practitioner)在有關本揭露之描述上額外的引導。在通篇說明書之任何地方之例子，包含在此所討論之任何用詞之例子的使用，僅係用以舉例說明，當然不限制本揭露或任何例示用詞之範圍與意義。同樣地，本揭露並不限於此說明書中所提出之各種實施例。
在以下的描述中，將提供一種振盪裝置。振盪裝置過濾振盪訊號，以利用兩個石英晶體諧振器產生時脈訊號，進而降低與加速度有關之敏感度與相位雜訊。
第1圖為本發明之第一實施例之振盪裝置之電路方塊圖。請參閱第1圖，振盪裝置1包含一第一石英晶體諧振器100、一驅動電路101、一第一緩衝器102、一衰減器103、一第二石英晶體諧振器104與一第二緩衝器105。第一石英晶體諧振器100具有第一諧振頻率，第二石英晶體諧振器104具有第二諧振頻率。第一諧振頻率可不同於第二諧振頻率。較佳地，第一諧振頻率相似於第二諧振頻率。可選擇地，第一石英晶體諧振器100與第二石英晶體諧振器104在不使用任何迴授電路的前提下，可具有相同諧振頻率。驅動電路101耦接第一石英晶體諧振器100。第一緩衝器102耦接驅動電路101與第一石英晶體諧振器100。衰減器103耦接第一緩衝器102。第二石英晶體諧振器104耦接衰減器103，第二緩衝器105耦接第二石英晶體諧振器104。
在振盪裝置1之運作中，驅動電路101驅動第一石英晶體諧振器100產生具有第一諧振頻率之一第一振盪訊號O1。第一緩衝器102接收第一振盪訊號O1，並隔離第一石英晶體諧振器100與驅動電路101後面的負載變化，以利用第一振盪訊號O1產生一第一時脈訊號C1。衰減器103接收第一時脈訊號C1，並減少第一時脈訊號C1之波形擺動幅度，以產生一衰減訊號A。第二石英晶體諧振器104接收並整流衰減訊號A，以產生具有第二諧振頻率之一第二振盪訊號O2。第二緩衝器105接收第二振盪訊號O2，並隔離第一石英晶體諧振器100、驅動電路101、衰減器103與第二石英晶體諧振器104後面的負載變化，以利用第二振盪訊號O2產生一第二時脈訊號C2。
第2圖為本發明之一實施例之與加速度有關之敏感度和振動頻率之曲線圖。第3圖為本發明之一實施例之相位雜訊和振動頻率之曲線圖。請參閱第1圖、第2圖與第3圖，第2圖與第3圖中的參數定義於公式(1)與(2)中。
Figure 02_image001
(1)
Figure 02_image003
(2)
i表示振盪裝置1之位置，
Figure 02_image005
表示位於i之與加速度有關的敏感度，
Figure 02_image007
表示
Figure 02_image005
在x方向上的與加速度有關的敏感度，
Figure 02_image009
表示
Figure 02_image005
在y方向上的與加速度有關的敏感度，
Figure 02_image012
表示
Figure 02_image005
在z方向上的與加速度有關的敏感度，
Figure 02_image014
表示振盪裝置1之振動頻率，
Figure 02_image016
表示振動頻率之功率比例，
Figure 02_image018
表示位於i之加速度，
Figure 02_image020
表示第二時脈訊號C2之頻率。如第1圖、第2圖與第3圖所示，具有第二石英晶體諧振器104之振盪裝置1的與加速度有關之敏感度和相位雜訊分別低於沒有第二石英晶體諧振器104之振盪裝置1的與加速度有關之敏感度和相位雜訊。
第4圖為本發明之第二實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第4圖，驅動電路101與第一緩衝器102可整合於一積體電路10中，積體電路10與第一石英晶體諧振器100耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
第5圖為本發明之第三實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第5圖，驅動電路101、第一緩衝器102與第二緩衝器105可整合於一積體電路10中，積體電路10與第一石英晶體諧振器100耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
第6圖為本發明之第四實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第6圖，驅動電路101可以積體電路10實現，積體電路10與第一石英晶體諧振器100耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
第7圖為本發明之第五實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第7圖，驅動電路101與第二緩衝器105可整合於一積體電路10中，積體電路10與第一石英晶體諧振器100耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
第8圖為本發明之第六實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第8圖，驅動電路101、第一緩衝器102與衰減器103可整合於一積體電路10中，積體電路10與第一石英晶體諧振器100耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
第9圖為本發明之第七實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第9圖，驅動電路101、第一緩衝器102、第二緩衝器105與衰減器103可整合於一積體電路中，積體電路與第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
第10圖為本發明之第八實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第10圖，第八實施例與第一實施例不同的地方在於第八實施例更包含一電子開關106，其一端耦接第一緩衝器102，電子開關106之另一端耦接衰減器103或一輸出端107。第二緩衝器105耦接輸出端107。當電子開關106連接第一緩衝器102至衰減器103，並將第一緩衝器102與輸出端107斷開時，衰減器103經由電子開關106接收第一時脈訊號C1，使第二緩衝器105產生由輸出端107接收之第二時脈訊號C2。當電子開關106將第一緩衝器102與衰減器103斷開，並連接第一緩衝器102至輸出端107時，第一緩衝器102經由電子開關106傳送第一時脈訊號C1至輸出端107。
第11圖為本發明之第九實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第11圖，驅動電路101、第一緩衝器102、第二緩衝器105、衰減器103與電子開關106可整合於一積體電路10中，積體電路10與第一石英晶體諧振器100耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
第12圖為本發明之第十實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第12圖，驅動電路101、第一緩衝器102、衰減器103與電子開關106可整合於一積體電路10中，積體電路10與第一石英晶體諧振器100耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
第13圖為本發明之第十一實施例之振盪裝置之方塊圖。請參閱第1圖與第13圖，驅動電路101、第一緩衝器102與電子開關106整合於一積體電路10中，積體電路10與第一石英晶體諧振器100耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中，但本發明不限於此。
根據上述實施例，振盪裝置過濾振盪訊號，以利用兩石英晶體諧振器產生時脈訊號，進而降低與加速度有關之敏感度與相位雜訊。
以上所述者，僅為本發明一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，故舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
1:振盪裝置 10:積體電路 100:第一石英晶體諧振器 101:驅動電路 102:第一緩衝器 103:衰減器 104:第二石英晶體諧振器 105:第二緩衝器 106:電子開關 107:輸出端 O1:第一振盪訊號 C1:第一時脈訊號 A:衰減訊號 O2:第二振盪訊號 C2:第二時脈訊號
第1圖為本發明之第一實施例之振盪裝置之電路方塊圖。 第2圖為本發明之一實施例之與加速度有關之敏感度和振動頻率之曲線圖。 第3圖為本發明之一實施例之相位雜訊和振動頻率之曲線圖。 第4圖為本發明之第二實施例之振盪裝置之方塊圖。 第5圖為本發明之第三實施例之振盪裝置之方塊圖。 第6圖為本發明之第四實施例之振盪裝置之方塊圖。 第7圖為本發明之第五實施例之振盪裝置之方塊圖。 第8圖為本發明之第六實施例之振盪裝置之方塊圖。 第9圖為本發明之第七實施例之振盪裝置之方塊圖。 第10圖為本發明之第八實施例之振盪裝置之方塊圖。 第11圖為本發明之第九實施例之振盪裝置之方塊圖。 第12圖為本發明之第十實施例之振盪裝置之方塊圖。 第13圖為本發明之第十一實施例之振盪裝置之方塊圖。
1:振盪裝置
100:第一石英晶體諧振器
101:驅動電路
102:第一緩衝器
103:衰減器
104:第二石英晶體諧振器
105:第二緩衝器
O1:第一振盪訊號
C1:第一時脈訊號
A:衰減訊號
O2:第二振盪訊號
C2:第二時脈訊號

Claims (11)

  1. 一種振盪裝置，包含： 一第一石英晶體諧振器，具有第一諧振頻率； 一驅動電路，耦接該第一石英晶體諧振器，其中該驅動電路用以驅動該第一石英晶體諧振器產生具有該第一諧振頻率之一第一振盪訊號； 一第一緩衝器，耦接該驅動電路與該第一石英晶體諧振器，其中該第一緩衝器用以接收該第一振盪訊號，並隔離該第一石英晶體諧振器與該驅動電路後面的負載變化，以利用該第一振盪訊號產生一第一時脈訊號； 一衰減器，耦接該第一緩衝器，其中該衰減器用以接收該第一時脈訊號，並減少該第一時脈訊號之波形擺動幅度，以產生一衰減訊號； 一第二石英晶體諧振器，具有第二諧振頻率，該第二石英晶體諧振器耦接該衰減器，其中該第二石英晶體諧振器用以接收並整流該衰減訊號，以產生具有該第二諧振頻率之一第二振盪訊號；以及 一第二緩衝器，耦接該第二石英晶體諧振器，其中該第二緩衝器用以接收該第二振盪訊號，並隔離該第一石英晶體諧振器、該驅動電路、該衰減器與該第二石英晶體諧振器後面的負載變化，以利用該第二振盪訊號產生一第二時脈訊號。
  2. 如請求項1所述之振盪裝置，其中該驅動電路與該第一緩衝器整合於一積體電路中，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
  3. 如請求項1所述之振盪裝置，其中該驅動電路、該第一緩衝器與該第二緩衝器整合於一積體電路中，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
  4. 如請求項1所述之振盪裝置，其中該驅動電路為積體電路，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
  5. 如請求項1所述之振盪裝置，其中該驅動電路與該第二緩衝器整合於一積體電路中，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
  6. 如請求項1所述之振盪裝置，其中該驅動電路、該第一緩衝器與該衰減器整合於一積體電路中，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
  7. 如請求項1所述之振盪裝置，其中該驅動電路、該第一緩衝器、該第二緩衝器與該衰減器整合於一積體電路中，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
  8. 如請求項1所述之振盪裝置，更包含一電子開關，其一端耦接該第一緩衝器，該電子開關之另一端耦接該衰減器或一輸出端。
  9. 如請求項8所述之振盪裝置，其中該驅動電路、該第一緩衝器、該第二緩衝器、該衰減器與該電子開關整合於一積體電路中，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
  10. 如請求項8所述之振盪裝置，其中該驅動電路、該第一緩衝器、該衰減器與該電子開關整合於一積體電路中，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
  11. 如請求項8所述之振盪裝置，其中該驅動電路、該第一緩衝器與該電子開關整合於一積體電路中，該積體電路與該第一石英晶體諧振器耦接於晶體振盪器(XO)、溫度補償晶體振盪器(TCXO)、壓控晶體振盪器(VCXO)、恆溫控制晶體振盪器(OCXO)或壓控溫度補償晶體振盪器(VCTCXO)中。
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