TW202301710A - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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崔鎭宇
楊秉春
金敏佑
朴聲國
全亨一
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

本發明係提供一種顯示裝置及其製造方法。顯示裝置可以包含：複數個發光元件，其位於基板上，且在第一佈置方向及與第一佈置方向相交的第二佈置方向上以矩陣形式佈置；以及，第一子像素區域及第二子像素區域，其分別與複數個發光元件的至少一部分重疊，且在第一方向上彼此分隔開，並且在與第一方向相交的第二方向上延伸。第二方向與第一佈置方向可以彼此不平行。

Description

顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請主張於2021年4月30日提交至韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office，KIPO)的韓國專利申請案號10-2021-0056924的優先權及權益，其全部內容透過引用合併於此。
本揭露大致涉及一種顯示裝置及其製造方法。
近年來，隨著對資訊顯示的興趣的增加，顯示裝置的研究及開發也在持續進行。
本揭露的一個或多個實施例的態樣涉及一種顯示裝置及其製造方法，其增加了能夠正常運作的發光元件的比例，從而提高了發光元件的設置效率。
本揭露的一個或多個實施例的態樣涉及一種顯示裝置及其製造方法，其改進了製程的可預測性。
本揭露的一個或多個實施例的態樣不限定於上述態樣，並且本發明所屬領域具有通常知識者將透過以下說明而清楚地理解未說明的其他技術態樣。
根據本揭露的一個或多個實施例，一種顯示裝置可以包含：複數個發光元件，其位於基板上，且在第一佈置方向及與第一佈置方向相交的第二佈置方向上以矩陣形式佈置；以及，第一子像素區域及第二子像素區域，其分別與複數個發光元件的至少一部分重疊，且在第一方向上彼此分隔開，並且在與第一方向相交的第二方向上延伸。第二方向與第一佈置方向可以彼此不平行。
根據一個或多個實施例，顯示裝置可以進一步包含光阻擋層，其位於基板上，並界定第一子像素區域及第二子像素區域。
根據一個或多個實施例，可以在第一子像素區域中發射出第一顏色的光，並且可以在第二子像素區域中發射出第二顏色的光。
根據一個或多個實施例，第二方向與第一佈置方向可以形成具有銳角的間隙角。
根據一個或多個實施例，間隙角可以為5度至40度。
根據一個或多個實施例，第一子像素區域可以包含平行於第一方向且具有第一長度的側邊，其中複數個發光元件可以包含第一發光元件及第二發光元件，第一發光元件及第二發光元件在第一佈置方向上彼此相鄰，並且彼此分隔開第一佈置距離，並且第一長度及第一佈置距離可以滿足：
Figure 02_image001
其中x 1為第一長度，且y為第一佈置距離。
根據一個或多個實施例，第一佈置距離可以為第一發光元件與第二發光元件之間的最短距離。
根據一個或多個實施例，顯示裝置可以進一步包含第三子像素區域，其沿第一方向與第一子像素區域及第二子像素區域分隔開。第一子像素區域可以位於第二子像素區域的一側，第三子像素區域可以位於第二子像素區域的另一側，第一子像素區域的一端部及第三子像素區域的另一端部可以彼此分隔開第二長度，複數個發光元件可以包含第一發光元件及第二發光元件，第一發光元件及第二發光元件在第一佈置方向上彼此相鄰，並且彼此分隔開第一佈置距離，並且第二長度及第一佈置距離可以滿足：
Figure 02_image003
其中x 2為第二長度，且y為第一佈置距離。
根據一個或多個實施例，第一子像素區域與第二子像素區域可以彼此分隔開一分隔距離(例如，一預設分隔距離)，複數個發光元件中的每一個可以具有底部長度(例如，一預設底部長度)，並且分隔距離及底部長度可以滿足：
Figure 02_image005
其中z為分隔距離，且w為底部長度。
根據一個或多個實施例，複數個發光元件中的每一個的底面可以具有圓形形狀，並且底部長度可以為圓的直徑。
根據一個或多個實施例，複數個發光元件中的每一個的底面可以具有矩形形狀，並且底部長度可以為矩形的對角線長度。
根據一個或多個實施例，顯示裝置可以進一步包含：光控制部分，其位於複數個發光元件上，且配置為改變從複數個發光元件發射的光的波長；以及第三子像素區域，其沿第一方向與第一子像素區域及第二子像素區域分隔開，並且沿第二方向延伸。光控制部分可以包含：與第一子像素區域重疊的第一波長轉換圖案；與第二子像素區域重疊的第二波長轉換圖案、以及與第三子像素區域重疊的光傳輸圖案。
根據一個或多個實施例，複數個發光元件的至少一個第一部分可以與第一子像素區域重疊，複數個發光元件的至少一個第二部分可以與第二子像素區域重疊，並且複數個發光元件的至少一個第三部分可以與第三子像素區域重疊，並且複數個發光元件可以發射相同顏色的光。
根據一個或多個實施例，基板上的複數個發光元件的單位面積個數可以為一致的。
根據一個或多個實施例，一種顯示裝置的製造方法可以包含：提供堆疊基板；形成第一半導體層、主動層及第二半導體層於堆疊基板上；透過蝕刻第一半導體層、主動層及第二半導體層來提供複數個發光元件；分離堆疊基板及複數個發光元件並且將複數個發光元件結合於在施體膜上；將施體膜上的複數個發光元件設置於基板上；以及設置界定第一子像素區域及第二子像素區域的光阻擋層於複數個發光元件上。提供複數個發光元件可以包含沿第一佈置方向及與第一佈置方向相交的一第二佈置方向以矩陣形式來圖案化複數個發光元件，設置光阻擋層可以包含形成光阻擋層，使得第一子像素區域及第二子像素區域在第一方向上彼此分隔開，並且第一子像素區域及第二子像素區域中的每一個在與第一方向相交的第二方向上延伸，並且第二方向可以與第一佈置方向不平行。
根據一個或多個實施例，此方法可以進一步包含：變形施體膜，使得複數個發光元件之間的分隔距離增加。
根據一個或多個實施例，在變形施體膜之前，複數個發光元件可以以未變形距離彼此分隔開，並且在變形施體膜中，複數個發光元件之間的分隔距離可以增加，在第一佈置方向上相鄰的複數個發光元件可以以第一佈置距離分隔開，並且在第二佈置方向上相鄰的複數個發光元件可以以第二佈置距離分隔開。
根據一個或多個實施例，可擴展範圍可以為當施體膜沿一個方向延伸時在非破壞性的限度內的長度的倍數，並且施體膜的可擴展範圍滿可以足：
Figure 02_image007
其中A為施體膜的可擴展範圍，y為第一佈置距離，且v為未變形距離。
根據一個或多個實施例，第二方向與第一佈置方向可以形成具有銳角的間隙角。
根據一個或多個實施例，此方法可以進一步包含：形成第一波長轉換圖案、第二波長轉換圖案及光傳輸圖案於與光阻擋層相同的層，設置光阻擋層可以包含形成光阻擋層，從而界定在第一方向上與第一子像素區域及第二子像素區域分隔開並且在第二方向上延伸的第三子像素區域，複數個發光元件可以發射第三顏色的光，第一波長轉換圖案可以將第三顏色的光改變為第一顏色的光，第二波長轉換圖案可以將第三顏色的光改變為第二顏色的光，光傳輸圖案可以透射第三顏色的光，複數個發光元件可以包含與第一子像素區域及第一波長轉換圖案重疊的複數個第一發光元件、與第二子像素區域及第二波長轉換圖案重疊的複數個第二發光元件、以及與第三子像素區域及光傳輸圖案重疊的複數個第三發光元件。
本揭露的一個或多個實施例的方法及態樣不限定於上述方法及態樣，並且本發明所屬領域具有通常知識者將透過本說明書及所附圖式清楚地理解未說明的態樣及方法。
本揭露的一個或多個實施例的態樣涉及一種顯示裝置及製造方法，其增加了能夠正常運作的發光元件的比例，從而提高了發光元件的設置效率。
本揭露的一個或多個實施例的態樣涉及一種顯示裝置及其製造方法，其改進了製程的可預測性。
本揭露的功效及態樣不限定於上述功效，並且本發明所屬領域具有通常知識者將透過本說明書及所附圖式清楚地理解未說明的其他功效及態樣。
由於本說明書中所說明的實施例是為了向本發明所屬領域具有通常知識者清楚地說明本發明的精神，因此本發明不受說明書中所說明的實施例的限制，並且本揭露的範圍應解釋為包含不背離本揭露精神的修改或變化。
現在將參照其中繪示出了本揭露的實施例的附圖來更全面地說明本揭露。在附圖中相同的元件符號表示相同的元件，因此，可以省略對其的重複說明。
在本文所使用的術語僅用於說明特定實施例的目的，並不旨在限制本文中所說明的實施例。
如本文使用的，單數形式「一(a)」、「一(an)」及「一(the)」也意圖包含複數形式(反之亦然)，除非上下文明確地另外指出。
可以進一步理解的是，當在本說明書中使用術語「包含(includes)」、「包含(including)」、「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」時，係指定所陳述的特徵、步驟、操作、元件及/或組件存在，但不排除一個或多個其他特徵、步驟、操作、元件及/或組件的存在或添加。
如本文中所使用的，當諸如「中的至少一個(at least one of)」、「中的一個(one of)」及「選自於(selected from)」的用語位在元件列表之前時，則修飾整個元件列表而不修飾列表中的個別元件」。
如本文中所使用的，術語「及/或(and/or)」包含一個或複數個相關聯的所列項目的任意及所有組合。
此外，在說明本揭露的實施例時，「可以(may)」表示「本揭露的一個或複數個實施例」。
可以理解的是，當一元件被稱作在另一元件「之上(on)」，或者「連接至(connected to)」、「耦接至(coupled to)」另一元件時，其可以直接在另一元件之上，或者直接連接至或耦接至其他元件，或者可以存在有一個或多個中間元件。當元件被稱作「直接在(directly)」另一元件「上(on)」，「直接連接至(directly connected to)」或「直接耦接至(directly coupled to)」另一元件時，則不存在中間元件。
在圖式中，為了清楚起見，元件、層及區域的相對尺寸可以被誇大及/或簡化。空間相對術語，例如「下(beneath)」、「下(below)」、「低於(lower)」、「上(above)」、「上(upper)」、「底(bottom)」、「頂(top)」及其相似詞，在本文中僅用於說明目的，以說明圖式中繪示出的一個元件或特徵與另一個元件或特徵之間關係。可以理解的是，除了圖式中所繪示的方向之外，空間相對術語也意圖包含在使用或操作中的裝置的不同方向。例如，當一個附圖中的裝置被翻轉後，被說明為在其他元件或特徵「下(below)」或「下(beneath)」的元件將被定向為在其他元件或特徵「上(above)」或「上(over)」。因此，術語「下(below)」可以包含上方及下方兩個方向。裝置可以以其他方式定向(例如，旋轉90度或其他方向)，並且本文中使用的空間相對術語應做相對應的解釋。
如本文所使用的術語「實質上(substantially)」、「約(about)」及其他類似術語被用作近似詞而非度量詞，並且用於解釋測量值及計算值的固有誤差，且可以被本發明所屬領域具有通常知識者所認可。
儘管在本文中可以使用術語「第一(first)」、「第二(second)」等來說明各種元件，但這些元件不應受到這些術語的限定。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件區分開。例如，第一元件可以被稱作第二元件，並且相似的，在不脫離本揭露的範圍的情況下，第二元件也可以被稱作第一元件。
除非另有定義，否則本文中所使用的所有術語(包含技術術語及科學術語)具有與本揭露所屬領域具有通常知識者所理解的相同的涵義。除非本文中另有明確的定義，術語，例如在常用字典中所定義的術語，應解釋為具有在其相關領域及本揭露的上下文中的含義一致的含義，並且除非在本文中有明確的定義，否則不應理想化或過於正式的解釋。
本揭露涉及一種顯示裝置。在下文中，將參照第1圖至第22圖來說明根據一個或多個實施例的顯示裝置。
第1圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置的透視示意圖。第2圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置的平面示意圖。
參照第1圖及第2圖，根據一個或多個實施例的顯示裝置DD可以配置以發射光。
根據一個或多個實施例，顯示裝置DD可以包含基板SUB及設置在基板SUB上的像素PXL。在一個或多個實施例中，顯示裝置DD可以進一步包含用於驅動像素PXL的驅動電路單元(例如，掃描驅動器及資料驅動器)、線路及焊墊。
根據一個示例，像素PXL可以包含第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3。
顯示裝置DD可以包含顯示區域DA及非顯示區域NDA。非顯示區域NDA可以表示除了顯示區域DA之外的區域。非顯示區域NDA可以圍繞(例如，環繞)顯示區域DA的至少一部分。
基板SUB可以配置為顯示裝置DD的基底元件(base member)。基板SUB可以為剛性或撓性的基板或薄膜，但不限定於特定的示例。
顯示區域DA可以表示設置像素PXL的區域。非顯示區域NDA可以表示不設置像素PXL的區域。在非顯示區域NDA中，可以設置有連接至顯示區域DA的像素PXL的驅動電路單元、線路及焊盤。
根據一個示例，像素PXL可以根據條紋(stripe)佈置結構、PENTILE ®(PENTILE ®為韓國商三星顯示器有限公司的註冊商標)佈置結構或其他相似佈置結構(例如，RGBG佈置結構)來進行佈置，但本揭露不限定於此，可以應用任意合適的變化。
根據一個或多個實施例，包含複數個子像素(例如，參照第4圖的「SPXL」)的像素PXL可以設置在顯示區域DA中。例如，在顯示區域DA中，可以佈置發射第一顏色的光的第一子像素SPXL1、發射第二顏色的光的第二子像素SPXL2以及發射第三顏色的光的第三子像素SPXL3，並且第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3中的至少一個可以配置或形成為能夠發射各種合適的顏色的光的像素單元或像素PXL。
例如，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3中的每一個可以為發射一種顏色(例如，預定的顏色)的光的子像素。例如，第一子像素SPXL1可以為發射紅色(例如，第一顏色)光的紅色像素，第二子像素SPXL2可以為發射綠色(例如，第二顏色)光的綠色像素，並且第三子像素SPXL3可以為發射藍色(例如，第三顏色)光的藍色像素。然而，構成或形成各像素單元或像素PXL的子像素SPXL的顏色、類型、數量、及/或其他相似特性不限定於特定的示例。
在下文中，為了方便說明，說明了包含第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3的像素PXL的一個或多個實施例。在本說明書中所定義的子像素SPXL可以為第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3中的任意一者。
第3圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
顯示裝置DD可以包含基板SUB、像素電路部分PCL、顯示元件部分DPL及光控制部分LCP。根據一個示例，基板SUB、像素電路部分PCL、顯示元件部分DPL及光控制部分LCP可以根據顯示裝置DD的顯示方向(例如，第三方向DR3)來堆疊(例如，依序地堆疊)。在此，顯示方向可以表示基板SUB的厚度方向。
基板SUB可以構成顯示裝置DD的基底表面。顯示裝置DD的個別配置可以設置在基板SUB上。
像素電路部分PCL可以設置在基板SUB上。像素電路部分PCL可以包含配置為用以驅動像素PXL的像素電路(例如參照第4圖的「PXC」)。
顯示元件部分DPL可以設置在像素電路部分PCL上。顯示元件部分DPL可以基於從像素電路部分PCL提供的電訊號來發射光。顯示元件部分DPL可以包含能夠發射光的發光元件(例如，參照第4圖的「LD」)。從顯示元件部分DPL發射的光可以穿透過光控制部分LCP並且可以提供至外部(例如，顯示裝置DD外部的區域)。
光控制部分LCP可以設置在顯示元件部分DPL上。光控制部分LCP可以設置在發光元件LD上。光控制部分LCP可以改變從顯示元件部分DPL(或發光元件LD)提供的光的波長。根據一個示例，如第5圖所繪示，光控制部分LCP可以包含配置為改變光的波長的顏色轉換部分CCL及透射特定波長的光的濾色器部分CFL。
第4圖為根據一個或多個實施例的包含在子像素中的像素電路的示意圖。
第4圖繪示出了包含在根據一個或多個實施例的應用於顯示裝置(例如，主動顯示裝置)DD的子像素SPXL中的組件之間的電性連接關係。儘管第4圖繪示出了包含在子像素SPXL中的組件的類型，但包含在子像素SPXL中的組件的類型不限定於此。
參照第4圖，子像素SPXL可以包含發光元件LD及像素電路PXC。
發光元件LD可以連接在第一電源線VDD與第二電源線VSS之間。發光元件LD的一個端部(例如，P型半導體)可以經由第一電極ELT1及像素電路PXC連接至第一電源線VDD，並且發光元件LD的另一個端部(例如，N型半導體)可以經由第二電極ELT2連接至第二電源線VSS。
根據一個或多個實施例，當透過像素電路PXC來供應驅動電流時，發光元件LD可以發射具有對應於驅動電流的亮度的光。
根據一個或多個實施例，發光元件LD可以透過第一電源線VDD與第二電源線VSS之間的各種合適的連接結構來彼此連接。例如，發光元件LD可以彼此僅並聯連接，或者可以彼此僅串聯連接。或者，發光元件LD可以以串聯/並聯混合結構來連接。例如，第一組複數個發光元件LD可以彼此串聯連接，並且第二組複數個發光元件LD可以彼此並聯連接。
第一電源線VDD及第二電源線VSS可以具有彼此不同的電位，使得發光元件LD可以發光。第一電源線VDD及第二電源線VSS可以具有電位差，其具有在像素PXL的發光時段期間可以發光的位準。例如，第一電源線VDD可以設置為具有高於第二電源線VSS的電位。
像素電路PXC可以連接在第一電源線VDD與發光元件LD之間。像素電路PXC可以包含第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3及儲存電容器Cst。
根據一個或多個實施例，第一電晶體T1的一個電極可以連接至第一電源線VDD，並且其另一個電極可以連接至發光元件LD的一個電極(例如，陽極)。第一電晶體T1的閘電極可以連接至第一節點N1。第一電晶體T1可以因應於透過第一節點N1施加的電壓來控制流經發光元件LD的電流。
根據一個或多個實施例，第二電晶體T2的一個電極可以連接至資料線DL，並且其另一個電極可以連接至第一節點N1。第二電晶體T2的閘電極可以連接至掃描線SL。當從掃描線SL供應掃描訊號時，第二電晶體T2可以導通，且在此時，第二電晶體T2可以將從資料線DL提供的資料訊號傳輸至第一節點N1。
根據一個或多個實施例，第三電晶體T3的一個電極可以連接至感測線SENL，並且其另一個電極可以連接至第二節點N2。第三電晶體T3的閘電極可以連接至感測訊號線SEL。當第三電晶體T3因應於從感測訊號線SEL提供的感測訊號而導通時，可以透過感測線SENL提供參考電壓至第二節點N2。
根據一個或多個實施例，參考電壓可以將連接至發光元件LD的第一電晶體T1的電極(例如，第一電晶體T1的源電極)的電壓設置或初始化為定值(constant value)。根據一個示例，可以將參考電壓設置為小於或等於第二電源線VSS的電壓。
根據一個或多個實施例，當第三電晶體T3因應於從感測訊號線SEL提供的感測訊號而導通時，第三電晶體T3可以將感測電流傳輸至感測線SENL。
根據一個或多個實施例，感測電流可以用於計算第一電晶體T1的遷移率及閾值電壓的變化量。
儲存電容器Cst可以連接在第一節點N1(或第一電晶體T1的閘電極)與第二節點N2(或第一電晶體T1的另一個電極)之間。儲存電容器Cst可以儲存關於第一節點N1的電壓與第二節點N2的電壓之間的差異的資訊。
同時，像素電路PXC的結構不限定於第4圖所繪示的結構，並且可以實現為各種合適類型的結構。此外，在第4圖中，基於N型電晶體繪示出了第一電晶體T1、第二電晶體T2及第三電晶體T3，但本揭露不限定於此，第一電晶體T1、第二電晶體T2及第三電晶體T3可以由P型電晶體構成。
在下文中，將參照第5圖以更詳細地說明構成像素PXL的子像素SPXL的結構。並且，將簡化或省略可能與上述說明重複的內容。
第5圖為根據一個或多個實施例的像素的剖面示意圖。
第5圖繪示出了第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3。
在第5圖中，基於包含在參照第4圖所說明的像素電路PXC的配置中的第一電晶體T1來進行說明。例如，在第5圖中繪示出了在第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3的每一個中設置有第一電晶體T1的一個或多個實施例。
像素電路部分PCL可以設置在基板SUB上。像素電路部分PCL可以包含緩衝層BFL、第一電晶體T1、閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層ILD1、第二層間絕緣層ILD2、橋接圖案BRP、接觸部分CNT及保護層PSV。
根據一個示例，可以在第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3中的每一個中定義像素電路部分PCL的個別配置。
緩衝層BFL可以設置在基板SUB上。緩衝層BFL可以防止或實質上防止來自外部的雜質擴散。緩衝層BFL可以包含諸如氮化矽(SiN x)、氧化矽(SiO x)、氧氮化矽(SiO xN y)及氧化鋁(AlO x)的金屬氧化物中的至少一者。
根據一個或多個實施例，第一電晶體T1可以為薄膜電晶體。根據一個或多個實施例，第一電晶體T1可以為驅動電晶體。
第一電晶體T1可以連接(例如，電性連接)至發光元件LD。例如，第一子像素SPXL1的第一電晶體T1可以連接(例如，電性連接)至設置在第一子像素區域SPXA1中的發光元件LD。第二子像素SPXL2的第一電晶體T1可以連接(例如，電性連接)至設置在第二子像素區域SPXA2中的發光元件LD。第三子像素SPXL3的第一電晶體T1可以連接(例如，電性連接)至設置在第三子像素區域SPXA3中的發光元件LD。
根據一個或多個實施例，第一電晶體T1可以包含主動層ACT、第一電晶體電極TE1、第二電晶體電極TE2及閘電極GE。
主動層ACT可以表示半導體層。主動層ACT可以設置在緩衝層BFL上。主動層ACT可以包含多晶矽、非晶矽及氧化物半導體中的至少一者。
根據一個或多個實施例，主動層ACT可以包含與第一電晶體電極TE1接觸的第一接觸區以及與第二電晶體電極TE2接觸的第二接觸區。第一接觸區及第二接觸區可以為摻雜有雜質的半導體圖案。第一接觸區及第二接觸區之間的區域可以為通道區。通道區可以為未摻雜有雜質的本質半導體圖案。
閘電極GE可以設置在閘極絕緣層GI上。閘電極GE的位置可以對應於主動層ACT的通道區的位置。例如，閘電極GE可以設置在主動層ACT的通道區上，且閘極絕緣層GI插入至其兩者之間。
閘極絕緣層GI可以設置在主動層ACT上。閘極絕緣層GI可以包含無機材料。根據一個示例，閘極絕緣層GI可以包含氮化矽(SiN x)、氧化矽(SiO x)、氧氮化矽(SiO xN y)及氧化鋁(AlO x)中的至少一者。根據一個或多個實施例，閘極絕緣層GI可以包含有機材料。
第一層間絕緣層ILD1可以位於閘電極GE上。與閘極絕緣層GI相似的，第一層間絕緣層ILD1可以包含氮化矽(SiN x)、氧化矽(SiO x)、氧氮化矽(SiO xN y)及氧化鋁(AlO x)中的至少一者。
第一電晶體電極TE1及第二電晶體電極TE2可以位於第一層間絕緣層ILD1上。第一電晶體電極TE1可以穿過閘極絕緣層GI及第一層間絕緣層ILD1，且可以與主動層ACT的第一接觸區接觸，並且第二電晶體電極TE2可以穿過閘極絕緣層GI第一層間絕緣層ILD1，且可以與主動層ACT的第二接觸區接觸。根據一個示例，第一電晶體電極TE1可以為源電極，並且第二電晶體電極TE2可以為汲電極，但是本揭露不限定於此。
第二層間絕緣層ILD2可以位於第一電晶體電極TE1及第二電晶體電極TE2上。與第一層間絕緣層ILD1及閘極絕緣層GI相似地，第二層間絕緣層ILD2可以包含無機材料。第二層間絕緣層ILD2的無機材料的示例可以包含第一層間絕緣層ILD1及閘極絕緣層GI的材料中的至少一者，例如氮化矽(SiN x)、氧化矽(SiO x)、氮氧化矽(SiO xN y)及氧化鋁(AlO x)。然而，本揭露不限定於此。根據一個或多個實施例，第二層間絕緣層ILD2可以包含有機材料。
橋接圖案BRP可以設置在第二層間絕緣層ILD2上。橋接圖案BRP可以透過穿過第二層間絕緣層ILD2的接觸孔連接至第一電晶體電極TE1。
保護層PSV可以位於第二層間絕緣層ILD2上。保護層PSV可以覆蓋橋接圖案BRP。保護層PSV可以以包含有機絕緣層、無機絕緣層或者設置在無機絕緣層上的有機絕緣層的形式提供，但本揭露不限定於此。根據一個或多個實施例，連接至橋接圖案BRP的區域的接觸部分CNT可以形成在保護層PSV中或者形成為穿過保護層PSV。
顯示元件部分DPL可以設置在像素電路部分PCL上。顯示元件部分DPL可以包含第一電極ELT1、連接電極COL、絕緣層INS、發光元件LD及第二電極ELT2。根據一個示例，可以在第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3中的每一個中定義顯示元件部分DPL的個別配置。
第一電極ELT1可以設置在保護層PSV上。第一電極ELT1可以設置在發光元件LD下方。第一電極ELT1可以透過接觸部分CNT連接至橋接圖案BRP。
根據一個或多個實施例，第一電極ELT1可以連接(例如，電性連接)至發光元件LD。根據一個示例，第一電極ELT1可以將從第一電晶體T1提供的電訊號提供至發光元件LD。第一電極ELT1可以將陽極訊號施加至發光元件LD。
根據一個或多個實施例，第一電極ELT1可以包含導電材料。例如，第一電極ELT1可以包含諸如銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鈦(Ti)及其合金的金屬。然而，第一電極ELT1不限定於上述示例。
連接電極COL可以設置在第一電極ELT1上。例如，連接電極COL的一個表面可以連接至發光元件LD，連接電極COL的另一個表面可以連接至第一電極ELT1。
連接電極COL可以包含導電材料並且可以連接(例如，電性連接)第一電極ELT1與發光元件LD。例如，連接電極COL可以連接(例如，電性連接)至發光元件LD的第二半導體層13。根據一個或多個實施例，連接電極COL可以包含具有反射特性的導電材料以反射從發光元件LD發射的光，從而提高像素PXL的發光效率。
根據一個或多個實施例，連接電極COL可以為接合結合(bonding-combined)或接合(bonded to)至發光元件LD的接合金屬(bonding metals)。連接電極COL可以接合結合或接合至發光元件LD。
發光元件LD可以包含在第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3中的每一個中。發光元件LD係配置以發射光。發光元件LD可以包含第一半導體層11、第二半導體層13及插入至第一半導體層11與第二半導體層13之間的主動層12。例如，當發光元件的延伸方向LD為長度方向時，發光元件LD可以包含沿長度方向堆疊(例如，依序地堆疊)的第一半導體層11、主動層12及第二半導體層13。
根據一個或多個實施例，發光元件LD可以設置為沿一個方向延伸的柱狀(column shape)。發光元件LD可以具有第一端部EP1及第二端部EP2。第一半導體層11及第二半導體層13中的一個可以與發光元件LD的第一端部EP1相鄰。第一半導體層11及第二半導體層13中的另一個可以與發光元件LD的第二端部EP2相鄰。
根據一個或多個實施例，發光元件LD可以為透過蝕刻方法或其他相似方法製造成柱狀的發光元件。在本說明書中，術語「柱狀(column shape)」包含在縱向上可以較長(例如，縱橫比可以大於1)的桿狀(rod-like shape)或棒狀(bar-like shape)，例如圓柱或多角柱，且其截面形狀沒有特別的限制。例如，發光元件LD的長度可以大於其直徑(或橫截面的寬度)。
根據一個實施例，發光元件LD可以具有小至奈米尺度至微米尺度(nano scale to micro scale；nanometer scale to micrometer scale)的尺寸。例如，各發光元件LD可以具有奈米尺度至微米尺度範圍的直徑(或寬度)及/或長度。然而，發光元件LD的尺寸不限定於此。
第一半導體層11可以為第一導電類型的半導體層。例如，第一半導體層11可以包含N型半導體層。例如，第一半導體層11可以包含氮化鋁銦鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)及氮化銦(InN)中的至少一種半導體材料，並且可以包含摻雜有諸如矽(Si)、鍺(Ge)及錫(Sn)的第一導電類型摻雜物的N型半導體層。然而，構成第一半導體層11的材料不限定於此。
主動層12可以設置在第一半導體層11上並且可以形成為單量子井結構或多量子井結構。例如，在主動層12形成為多量子井結構的情況下，在主動層12中，障壁層(未繪示出)、應變增強層(strain reinforcing layer)及井層可以作為一個單元週期性地重複堆疊。應變增強層的晶格常數可以小於障壁層的晶格常數，且因此可以進一步加強其結構來對抗施加至井層的應變(strain)，例如壓縮應變(compression strain)。然而，主動層12的結構不限定於上述實施例。
根據一個實施例，主動層12可以發射具有400nm至900nm波長的光。根據一個示例，主動層12可以包含諸如氮化鋁鎵(AlGaN)及氮化鋁銦鎵(InAlGaN)的材料，但不限定於上述示例。
第二半導體層13可以設置在主動層12上並且可以包含與第一半導體層11不同類型的半導體層。例如，第二半導體層13可以包含P型半導體層。例如，第二半導體層13可以包含氮化鋁銦鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)及氮化銦(InN)中的至少一種半導體材料，並且可以包含摻雜有諸如鎂(Mg)的第二導電類型摻雜物的P型半導體層。然而，構成第二半導體層13的材料不限定於此，並且各種其他合適的材料可以構成第二半導體層13。
當向發光元件LD的兩端施加閾值電壓以上的電壓時，電子-電洞對在主動層12中結合，且因此發光元件LD發射光。透過使用此原理來控制發光元件LD的發光，使得發光元件LD可以用作包含顯示裝置的像素在內的各種發光裝置的光源。
根據一個或多個實施例，發光元件LD可以進一步包含設置在表面上的絕緣膜INF。絕緣膜INF可以由單層膜或雙層膜來形成，但本揭露不限定於此，並且可以由多層膜來形成。例如，絕緣膜INF可以包含第一絕緣膜，其包含第一材料，以及第二絕緣膜，其包含不同於第一材料的第二材料。
根據一個或多個實施例，絕緣膜INF可以暴露出具有不同極性的發光元件LD的兩個端部。例如，絕緣膜INF可以暴露出分別位於發光元件LD的第一端部EP1及第二端部EP2的第一半導體層11及第二半導體層13的端部。
根據一個或多個實施例，絕緣膜INF可以包含無機材料。例如，絕緣膜INF可以包含氧化矽(SiO x)、氮化矽(SiN x)、氧氮化矽(SiO xN y)、氧化鋁(AlO x)及氧化鈦(TiO x)中的至少一種絕緣材料，而配置或形成為單層或多層，但本揭露不限定於此。
根據一個或多個實施例，絕緣膜INF可以保障發光元件LD的電穩定性。此外，即使將複數個發光元件LD彼此靠近或接近地設置，也可以防止在發光元件LD之間(例如，相鄰的發光元件LD之間)發生非期望的短路。
根據一個或多個實施例，除了上述配置之外，發光元件LD可以進一步包含額外的配置。例如，發光元件LD可以進一步包含設置在第一半導體層11、主動層12及/或第二半導體層13上或其端側的磷光體層、主動層、半導體層及/或電極層中的至少一者。例如，在發光元件LD的第一端部EP1及第二端部EP2中的每一個上可以進一步設置有接觸電極層。
絕緣層INS可以設置在保護層PSV上。絕緣層INS可以覆蓋第一電極ELT1及/或連接電極COL的至少一部分。絕緣層INS可以設置在接合結合或接合至連接電極COL的發光元件LD之間。絕緣層INS可以設置在發光元件LD之間，並且可以覆蓋發光元件LD的外表面。根據一個示例，絕緣層INS可以包含參照絕緣膜INF為示例而列出的材料中的任意一種，但本揭露不限定於此。
第二電極ELT2可以設置在絕緣層INS上。第二電極ELT2可以設置在發光元件LD上。
根據一個或多個實施例，第二電極ELT2可以連接(例如，電性連接)至發光元件LD。第二電極ELT2可以連接(例如，電性連接)至第一半導體層11。根據一個示例，第二電極ELT2可以將陰極訊號施加至發光元件LD。第二電極ELT2可以將從第二電源線VSS供應的電訊號提供至發光元件LD。
根據一個實施例，第二電極ELT2可以包含導電材料。例如，第二電極ELT2可以包含透明導電材料。第二電極ELT2可以包含諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)及氧化銦錫鋅(ITZO)的導電氧化物、以及諸如聚3,4-乙烯二氧噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，PEDOT)的導電聚合物中的任意一種材料。然而，第二電極ELT2不限定於上述示例。
光控制部分LCP可以設置在顯示元件部分DPL上。光控制部分LCP可以改變由顯示元件部分DPL提供的光的波長。光控制部分LCP可以包含顏色轉換部分CCL及濾色器部分CFL。
根據一個或多個實施例，設置在第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3中的每一個中的發光元件LD可以發射相同顏色的光。例如，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3可以包含發射第三顏色的光(例如，藍光)的發光元件LD。光控制部分LCP可以設置在第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3上以顯示全彩影像(full-color image)。然而，本揭露不限定於此，並且第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3可以包含發射彼此不同顏色的光的發光元件LD。
顏色轉換部分CCL可以包含第一鈍化層PSS1、波長轉換圖案WCP、光傳輸圖案LTP、光阻擋層LBL及第二鈍化層PSS2。波長轉換圖案WCP可以包含第一波長轉換圖案WCP1及第二波長轉換圖案WCP2。
第一鈍化層PSS1可以設置在顯示元件部分DPL與光阻擋層LBL之間及/或顯示元件部分DPL與波長轉換圖案WCP之間。第一鈍化層PSS1可以密封(或覆蓋)波長轉換圖案WCP。第一鈍化層PSS1可以包含參照絕緣膜INF為示例而列出的材料中的任意一種，但不限定於特定的示例。
在一個或多個實施例中，黏合層可以插入至第一鈍化層PSS1與第二電極ELT2之間。黏合層可以結合第一鈍化層PSS1及第二電極ELT2。黏合層可以包含任意合適的黏合材料，並且不限定於特定的示例。
第一波長轉換圖案WCP1可以設置為與第一子像素SPXL1的發光區域EMA(例如，第一子像素區域SPXA1)重疊。例如，第一波長轉換圖案WCP1可以設置在由光阻擋層LBL界定的空間中，並且當在平面圖中觀察時其可以與第一子像素區域SPXA1重疊。
根據一個或多個實施例，光阻擋層LBL可以包含複數個壁，並且第一波長轉換圖案WCP1可以設置在設置於與第一子像素SPXL1對應的區域中的複數個壁之間的空間中。
第二波長轉換圖案WCP2可以設置為與第二子像素SPXL2的發光區域EMA(例如，第二子像素區域SPXA2)重疊。例如，第二波長轉換圖案WCP2可以設置在由光阻擋層LBL界定的空間中，並且當在平面圖中觀察時其可以與第二子像素區域SPXA2重疊。
根據一個或多個實施例，光阻擋層LBL可以包含複數個壁，並且第二波長轉換圖案WCP2可以設置在設置於與第二子像素SPXL2對應的區域中的複數個壁之間的空間中。
光傳輸圖案LTP可以設置為與第三子像素SPXL3的發光區域EMA(例如，第三子像素區域SPXA3)重疊。例如，光傳輸圖案LTP可以設置在由光阻擋層LBL界定的空間中，並且當在平面圖中觀察時其可以與第三子像素區域SPXA3重疊。
根據一個或多個實施例，光阻擋層LBL可以包含複數個壁，並且光傳輸圖案LTP可以設置在設置於與第三子像素SPXL3對應的區域中的複數個壁之間的空間中。
根據一個或多個實施例，第一波長轉換圖案WCP1可以包含第一顏色轉換粒子，其將從發光元件LD發射的第三顏色的光轉換為第一顏色的光。例如，當發光元件LD為發射藍光的藍色發光元件並且第一子像素SPXL1為紅色像素時，第一波長轉換圖案WCP1可以包含將從藍色發光元件發射的藍光轉換為紅光的第一量子點。
例如，第一波長轉換圖案WCP1可以包含分散在諸如基本樹脂(base resin)的基體材料(matrix material)(例如，預定的基體材料)中的複數個第一量子點。第一量子點可以吸收藍光並根據能量轉換(energy transition)來偏移波長以發射紅光。同時，當第一子像素SPXL1為不同顏色的像素時，第一波長轉換圖案WCP1可以包含與第一子像素SPXL1的顏色對應的第一量子點。
根據一個或多個實施例，第二波長轉換圖案WCP2可以包含第二顏色轉換粒子，其將從發光元件LD發射的第三顏色的光轉換為第二顏色的光。例如，當發光元件LD為發射藍光的藍色發光元件並且第二子像素SPXL2為綠色像素時，第二波長轉換圖案WCP2可以包含將從藍色發光元件發射的藍光轉換為綠光的第一量子點。
例如，第二波長轉換圖案WCP2可以包含分散在諸如基本樹脂的基體材料(例如，預定的基體材料)中的複數個第二量子點。第二量子點可以吸收藍光並根據能量轉換來偏移波長以發射綠光。同時，當第二子像素SPXL2為不同顏色的像素時，第二波長轉換圖案WCP2可以包含與第二子像素SPXL2的顏色對應的第二量子點。
第一量子點及第二量子點可以具有球狀(globular shape)、棱錐狀(pyramid shape)、多臂(multi-arm)或立方奈米粒子、奈米管、奈米線路、奈米纖維、奈米板(nanoplate)粒子或其他相似形狀，但本揭露不限定於此，可以以適當的方式對第一量子點及第二量子點的形狀進行各種變更。
在一個實施例中，可以透過將在可見光區域中具有相對較短波長的藍光注入至第一量子點及第二量子點中的每一個來增加第一量子點及第二量子點的吸收係數。因此，可以提高第一子像素SPXL1及第二子像素SPXL2發光效率，並且可以確保優異的顏色再現性(reproducibility)。此外，透過使用相同顏色的發光元件LD(例如，藍色發光元件)來配置第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3的像素單元，可以提高顯示裝置的製造效率。
根據一個或多個實施例，可以設置光傳輸圖案LTP以有效地使用從發光元件LD發射的第三顏色的光。例如，當發光元件LD為發射藍光的藍色發光元件並且第三子像素SPXL3為藍色像素時，光傳輸圖案LTP可以包含至少一種類型的光散射粒子，以有效地使用從發光元件LD發射的光。
例如，光傳輸圖案LTP可以包含分散在諸如基本樹脂的基體材料(例如，預定的基體材料)中的複數個光散射粒子。例如，光傳輸圖案LTP可以包含諸如二氧化矽(silica)的光散射粒子，但是光散射粒子的構成材料不限定於此。
同時，光散射粒子可以不設置在形成其中形成有第三子像素SPXL3的第三子像素區域SPXA3中。例如，光散射粒子可以選擇性地包含在第一波長轉換圖案WCP1及/或第二波長轉換圖案WCP2中。
光阻擋層LBL可以設置在顯示元件部分DPL上。光阻擋層LBL可以設置在基板SUB上。光阻擋層LBL可以設置在第一鈍化層PSS1與第二鈍化層PSS2之間。光阻擋層LBL可以設置為在子像素SPXL之間的邊界處圍繞第一波長轉換圖案WCP1、第二波長轉換圖案WCP2及光傳輸圖案LTP。
根據一個或多個實施例，光阻擋層LBL可以界定子像素SPXL的發光區域EMA及非發光區域NEA。光阻擋層LBL可以界定第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3。
例如，當在平面圖中觀察時，光阻擋層LBL可以不與發光區域EMA重疊。當在平面圖中觀察時，光阻擋層LBL可以與非發光區域NEA重疊。其中未設置光阻擋層LBL的區域可以定義為第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3的發光區域EMA。第一子像素SPXL1的發光區域EMA可以為第一子像素區域SPXA1，第二子像素SPXL2的發光區域EMA可以為第二子像素區域SPXA2，並且第三子像素SPXL3的發光區域EMA可以為第三子像素區域SPXA3。
根據一個或多個實施例，光阻擋層LBL可以由包含石墨、炭黑、黑色顏料或黑色染料中的至少一種的有機材料來形成，或者可以由包含鉻(Cr)的金屬材料來形成，但本揭露不限定於此，光阻擋層LBL的材料可以為能夠阻擋光傳輸且吸收光的任意材料。
第二鈍化層PSS2可以設置在濾色器部分CFL與光阻擋層LBL之間及/或濾色器部分CFL與波長轉換圖案WCP之間。第二鈍化層PSS2可以密封(或覆蓋)第一波長轉換圖案WCP1、第二波長轉換圖案WCP2及光傳輸圖案LTP。第二鈍化層PSS2可以包含參照絕緣膜INF為示例而列出的材料中的至少一種，但不限定於特定的示例。
根據一個或多個實施例，濾色器部分CFL可以設置在顏色轉換部分CCL上。濾色器部分CFL可以包含濾色器CF及平坦化層PLA。在此，濾色器CF可以包含第一濾色器CF1、第二濾色器CF2及第三濾色器CF3。
根據一個或多個實施例，濾色器CF可以設置在第二鈍化層PSS2上。當在平面圖中觀察時，濾色器CF可以與第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3的發光區域EMA重疊。
例如，第一濾色器CF1可以設置在第一子像素區域SPXA1中，第二濾色器CF2可以設置在第二子像素區域SPXA2中，並且第三濾色器CF3可以設置在第三子像素區域SPXA3中。
根據一個或多個實施例，第一濾色器CF1可以透射第一顏色的光，並且可以不透射第二顏色的光及/或第三顏色的光。例如，第一濾色器CF1可以包含對應於第一顏色的著色劑(colorant)。
根據一個或多個實施例，第二濾色器CF2可以透射第二顏色的光，並且可以不透射第一顏色的光及第三顏色的光。例如，第二濾色器CF2可以包含對應於第二顏色的著色劑。
根據一個或多個實施例，第三濾色器CF3可以透射第三顏色的光，並且可以不透射第一顏色的光及第二顏色的光。例如，第三濾色器CF3可以包含對應於第三顏色的著色劑。
根據一個或多個實施例，平坦化層PLA可以設置在濾色器CF上。平坦化層PLA可以覆蓋濾色器CF。平坦化層PLA可以消除由濾色器CF產生的階梯差(step difference)。換句話說，平坦化層PLA可以覆蓋濾色器CF的階梯並且具有平坦的上表面或實質上平坦的上表面。
根據一個示例，平坦化層PLA可以包含有機絕緣材料。然而，本揭露不限定於此，並且平坦化層PLA可以包含參照絕緣膜INF為示例而列出的無機材料。
第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3的結構不限定於以上參照第5圖說明的內容，並且可以適當地或合適地選擇各種合適的結構以提供根據一個或多個實施例的顯示裝置DD。例如，根據一個或多個實施例，顯示裝置DD可以進一步包含低折射率層以提高光效率。
在下文中，將參照第6圖至第10圖說明根據一個或多個實施例的顯示裝置DD的發光元件LD與子像素SPXL之間的位置關係。並且，將簡化或省略可能與上述說明重複的內容。
第6圖至第8圖為第2圖的區域EA1的放大圖。在此，第6圖繪示出了基於界定了子像素SPXL的區域的顏色轉換部分CCL的區域EA1。第7圖及第8圖繪示出了基於包含在子像素SPXL中的發光元件的佈置形式的區域EA1。
參照第6圖，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3(及/或第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3)的位置可以由光阻擋層LBL來界定。
例如，未設置有光阻擋層LBL的區域可以為發光區域EMA，其為從第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3發射的光被提供至外部的區域。設置有光阻擋層LBL的區域可以為非發光區域NEA，其為從第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3發射的光實質上不提供至外部的區域。
根據一個或多個實施例，光阻擋層LBL可以包含第一開口OP1、第二開口OP2及第三開口OP3。第一開口OP1、第二開口OP2及第三開口OP3可以為未設置有光阻擋層LBL的區域。根據一個示例，第一開口OP1的位置可以對應於第一子像素區域SPXA1，第二開口OP2的位置可以對應於第二子像素區域SPXA2，並且第三開口OP3的位置可以對應於第三子像素區域SPXA3。
光阻擋層LBL的至少一部分可以以環繞(例如，圍繞)旨在作為第一子像素SPXL1(例如，第一子像素區域SPXA1)而提供的區域的形狀來設置，且因此可以形成第一開口OP1。此時，第一子像素區域SPXA1可以界定在第一開口OP1中。第一子像素區域SPXA1可以為設置第一子像素SPXL1的區域，並且可以表示第一子像素SPXL1的發光區域EMA。
根據一個或多個實施例，包含第一波長轉換材料的波長轉換圖案WCP可以設置在對應於第一開口OP1的位置處。因此，從包含在第一子像素SPXL1中的發光元件LD發射的光可以作為具有第一顏色的光提供並且輸出至外部。
光阻擋層LBL的至少一部分可以以環繞(例如，圍繞)旨在作為第二子像素SPXL2(例如，第二子像素區域SPXA2)而提供的區域的形狀來設置，且因此可以形成第二開口OP2。此時，第二子像素區域SPXA2可以界定在第二開口OP2中。第二子像素區域SPXA2可以為設置第二子像素SPXL2的區域，並且可以表示第二子像素SPXL2的發光區域EMA。
根據一個或多個實施例，包含第二波長轉換材料的波長轉換圖案WCP可以設置在對應於第二開口OP2的位置處。因此，從包含在第二子像素SPXL2中的發光元件LD發射的光可以作為具有第二顏色的光提供並且輸出至外部。
光阻擋層LBL的至少一部分可以以環繞(例如，圍繞)旨在作為第三子像素SPXL3(例如，第三子像素區域SPXA3)而提供的區域的形狀來設置，且因此可以形成第三開口OP3。此時，第三子像素區域SPXA3可以界定在第三開口OP3中。第三子像素區域SPXA3可以為設置第三子像素SPXL3的區域，並且可以表示第三子像素SPXL3的發光區域EMA。
根據一個或多個實施例，單獨的波長轉換材料可以不設置在對應於第三開口OP3的位置處。因此，從包含在第三子像素SPXL3中的發光元件LD發射的光可以作為具有第三顏色的光提供並且輸出至外部。
根據一個或多個實施例，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3可以在第一方向DR1上彼此分隔開。第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3可以在第一方向DR1上彼此分隔開。
根據一個示例，第一子像素區域SPXA1可以設置在第二子像素區域SPXA2上或設置在第二子像素區域SPXA2的一側，第三子像素區域SPXA3可以設置在第二子像素區域SPXA2上或設置在第二子像素區域SPXA2的另一側。
根據一個或多個實施例，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3可以在第二方向DR2上延伸。第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3可以在第二方向DR2上彼此隔開。
在此，第一方向DR1與第二方向DR2可以彼此相交。第一方向DR1與第二方向DR2可以彼此不平行。根據一個示例，第一方向DR1與第二方向DR2可以彼此正交。
第7圖及第8圖繪示出了發光元件LD佈置的結構。第7圖為根據第一實施例的發光元件LD的佈置結構的圖。第8圖為根據第二實施例的發光元件LD的佈置結構的圖。
參照第7圖及第8圖，發光元件LD可以以矩陣形式佈置。
發光元件LD可以以由或沿著在第一佈置方向ADR1上延伸的列方向與在第二佈置方向ADR2上延伸的行方向所界定的矩陣形式來設置。然而，根據一個或多個實施例，發光元件LD可以以由或沿著在第一佈置方向ADR1上延伸的行方向與在第二佈置方向ADR2上延伸的列方向所界定的矩陣形式來設置。
在此，第一佈置方向ADR1與第二佈置方向ADR2可以彼此相交。第一佈置方向ADR1與第二佈置方向ADR2可以彼此不平行。根據一個或多個實施例，第一佈置方向ADR1與第二佈置方向ADR2可以彼此正交。
根據一個或多個實施例，發光元件LD可以佈置在與矩陣形式的每一列及每一行對應的位置處。在矩陣形式中，第ij發光元件LDij可以表示佈置在第i列及第j行中的發光元件LD。例如，發光元件LD可以設置在第一列的第一行中，而另一個發光元件LD可以設置在第十列的第十行中。
參照第7圖，當在平面圖中觀察時，發光元件LD可以具有四邊形(或正方形)的形狀。例如，當發光元件LD具有長方平行六面體(rectangular parallelepiped)形狀時，發光元件LD可以設置為在平面圖中觀察時呈四邊形(或正方形)。
或者，參照第8圖，當在平面圖中觀察時，發光元件LD可以具有圓形形狀。例如，當發光元件LD設置為底面為圓形的柱狀(column shape)時，發光元件LD可以設置為在平面圖中觀察時呈圓形。
然而，發光元件LD的形狀不限定於上述示例，並且根據一個或多個實施例，可以提供具有任意合適的底部形狀的發光元件LD。
根據一個或多個實施例，基板SUB上的發光元件LD的單位面積個數可以為一致的。設置在第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3中的發光元件LD的單位面積個數可以實質上一致。
例如，發光元件LD可以包含設置在第一子像素區域SPXA1中的第一組複數個發光元件、設置在第二子像素區域SPXA2中的第二組複數個發光元件、以及設置在第三子像素區域SPXA3中的第三組複數個發光元件。在此，第一組複數個發光元件、第二組複數個發光元件及第三組複數個發光元件中的每一個的數量可以實質上彼此相同或者可以小於或等於一差值(例如，預定的差異)。
根據一個或多個實施例，發光元件LD可以大致上沿著第一佈置方向ADR1並排佈置。發光元件LD可以大致上沿著第二佈置方向ADR2並排佈置。也就是說，無論發光元件LD的形狀如何，皆可以根據發光元件LD的佈置位置明確地界定矩陣佈置形式。
根據一個或多個實施例，以矩陣形式佈置的發光元件LD中的至少一些可以設置在第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3中。例如，發光元件LD可以間隔地設置在第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3中，或者可以不間隔地設置在第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3中。
然而，根據本揭露的一個或多個實施例，可以最小化或減少未設置在第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3中的發光元件LD的數量。這將在下文中參照第9圖及第10圖進行說明。
第9圖至第10圖為根據一個或多個實施例的包含在顯示裝置中的發光元件的位置關係的平面示意圖。第10圖為第9圖的區域EA2的放大圖。
在第9圖及第10圖中，為了方便說明，主要繪示出了第一子像素SPXL1及第二子像素SPXL2。可以定義參照第9圖及第10圖說明的第一子像素SPXL1及第二子像素SPXL2的技術特徵，並且將其應用於子像素SPXL。
另外，在第9圖中，為了方便說明，以在複數個發光元件LD中彼此相鄰的第一發光元件LD1、第二發光元件LD2、第三發光元件LD3為基礎進行說明。發光元件LD可以包含第一發光元件LD1、第二發光元件LD2及第三發光元件LD3。
根據一個或多個實施例，第一發光元件LD1及第二發光元件LD2可以設置在第一子像素區域SPXA1中。因此，從第一發光元件LD1及第二發光元件LD2發出的光可以包含在從第一子像素SPXL1發出的光中。
根據一個或多個實施例，第三發光元件LD3可以設置在第二子像素區域SPXA2中。因此，從第三發光元件LD3發射的光可以包含在從第二子像素SPXL2發射的光中。
根據一個或多個實施例，第一發光元件LD1可以沿著第一佈置方向ADR1與第二發光元件LD2相鄰。第一發光元件LD1及第二發光元件LD2可以彼此分隔開第一佈置距離120。在此，第一佈置距離120可以表示第一發光元件LD1與第二發光元件LD2之間的最短距離。
根據一個或多個實施例，第一發光元件LD1可以沿著第二佈置方向ADR2與第三發光元件LD3相鄰。第一發光元件LD1及第三發光元件LD3可以彼此分隔開第二佈置距離140。在此，第二佈置距離140可以表示第一發光元件LD1與第三發光元件LD3之間的最短距離。
根據一個示例，第一佈置距離120及第二佈置距離140可以相同。因此，可以設置上文中參照第7圖及第8圖說明的發光元件LD，使得相鄰的發光元件LD彼此分隔開的距離相同。然而，根據一個或多個實施例，可以設置發光元件LD使得第一佈置距離120與第二佈置距離140彼此不相同。
第一子像素SPXL1及第二子像素SPXL2延伸的方向與第一佈置方向ADR1可以彼此相交。第一子像素SPXL1及第二子像素SPXL2延伸的方向與第一佈置方向ADR1可以彼此不平行。
例如，如上所述，子像素SPXL可以在第一方向DR1上彼此分隔開並且可以在第二方向DR2上延伸。因此，第一佈置方向ADR1與第二佈置方向ADR2可以相交。第一佈置方向ADR1與第二方向DR2可以彼此不平行。
具體地，參照第9圖，平行於第一子像素SPXL1延伸的方向的延伸線210與第一佈置方向ADR1可以形成間隙角θ。在此，延伸線210可以平行於第二方向DR2。
例如，第二方向DR2與第一佈置方向ADR1可以形成具有銳角的間隙角θ。
根據一個或多個實施例，間隙角θ可以不是0度、45度及90度。根據一個示例，間隙角θ可以為5度至40度。或者，間隙角θ可以為10度至35度。
根據本揭露，可以避免間隙角θ形成為0度、45度及90度的值，從而可以減少未佈置在第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3中的發光元件LD的數量。因此，可以提高發光元件LD的佈置效率。
根據一個或多個實施例，發光元件LD之間的分隔距離(例如，第一佈置距離120及第二佈置距離140)可以滿足與第一長度220之間的數值關係(例如，預定的數值關係)。在此，第一長度220可以表示平行於第一方向DR1的子像素SPXL的一側的長度。例如，參照第9圖，第一長度220可以表示平行於第一方向DR1的第一子像素SPXL1的一側的長度。
根據一個或多個實施例，發光元件LD與第一長度220之間的分隔距離可以滿足下列方程式1： 方程式1
Figure 02_image009
。
在此，x 1表示第一長度220，y表示發光元件LD之間的分隔距離。因此，y可以表示第一佈置距離120及/或第二佈置距離140。
然而，根據一個或多個實施例，發光元件LD之間的分隔距離與沿著第一方向DR1的像素PXL的一側的長度x 2可以滿足下列方程式2： 方程式2
Figure 02_image011
。
在此，x 2可以表示像素PXL的第二長度230。第二長度230可以表示像素PXL在第一方向DR1上的長度。例如，當像素PXL由沿著第一方向DR1依序排列的第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3構成時，第二長度230可以表示第一子像素SPXL1(或第一子像素區域SPXA1)的端部232與第三子像素SPXL3(或第三子像素區域SPXA3)的另一端部234之間基於第一方向DR1上的分隔距離。在一個或多個實施例中，第一子像素SPXL1(或第一子像素區域SPXA1)的端部232與第三子像素SPXL3(或第三子像素區域SPXA3)的另一端部234可以位於像素PXL的相對的外端。
n為沿第一方向DR1佈置的子像素SPXL的數量，例如，當像素PXL由第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3構成時，n可以為3。
根據本示例，透過基於由子像素SPXL構成的像素PXL的一側的長度及子像素SPXL的數量來定義子像素SPXL的一側的長度，可以推導出發光元件LD之間的距離以及像素PXL之間的長度關係。在此情況下，當製程進行時，可以增加設計發光元件LD的佈置的便利性。
同時，參照第10圖，第一子像素SPXL1與第二子像素SPXL2之間的分隔距離240與發光元件LD的長度特性可以滿足彼此之間的數值關係(例如，預定的數值關係)。
例如，第一子像素SPXL1及第二子像素SPXL2之間沿第一方向DR1的分隔距離240可以透過單個發光元件LD的長度特性來確定。
根據一個或多個實施例，當在平面圖中觀察時，發光元件LD可以具有底面長度(例如，預定的底面長度)100。在此，發光元件LD的底面長度100可以為根據發光元件LD的底面的形狀而確定的長度。
例如，當發光元件LD的底面具有正方形(或矩形)形狀時，底面長度100可以表示正方形(或矩形)的對角線長度。或者，當發光元件LD的底面為圓形時，底面長度100可以表示圓的直徑。或者，當發光元件LD的底面具有橢圓形狀時，底面長度100可以表示橢圓的長軸(major radius)。
根據一個或多個實施例，發光元件LD的底面長度100與子像素SPXL之間的距離可以滿足下列方程式3： 方程式3
Figure 02_image013
。
在此，z可以為子像素SPXL之間的距離。例如，z可以為根據第一方向DR1的在第一子像素SPXL1(或第一子像素區域SPXA1)與第二子像素SPXL2(或第二子像素區域SPXA2)之間的分隔距離240。進一步地，w可以為發光元件LD的底面長度100。
根據本示例，子像素SPXL之間的距離可以根據發光元件LD的特徵長度來定義，且因此可以防止或實質上防止短路缺陷。
根據本實施例，發光元件LD之間的距離與子像素SPXL的長度之間的關係可以由方程式(例如，預定的方程式)來定義。因此，可以增加製程設計的便利性並且可以防止或實質上防止短路缺陷。因此，可以提供可靠性提高的顯示裝置DD。
在下文中，將參照第11圖至第18圖說明根據一個或多個實施例的顯示裝置DD的製造方法。並且，將簡化或省略可能與上述說明重複的內容。
第11圖至第15圖及第17圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置DD的製造方法的各步驟(或動作)的剖面圖。第16圖及第18圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置DD的製造方法的各步驟(或動作)的平面圖
參照第11圖，可以準備(或提供)堆疊基板1，並且可以在堆疊基板1上形成第一半導體層11、主動層12及第二半導體層13。
根據一個或多個實施例，堆疊基板1可以為用於堆疊目標材料的基板。堆疊基板1可以是用於在材料(例如，預定的材料)上磊晶生長的晶片。根據一個示例，堆疊基板1可以為藍寶石基板、砷化鎵(GaAs)基板、鎵(Ga)基板及磷化銦(InP)基板中的任意一種，但本揭露不限定於此。例如，當特定材料滿足用於製造發光元件LD的選擇性(selectivity)，並且可以順利地產生用於材料(例如，預定的材料)的磊晶生長時，可以選擇此特定材料作為堆疊基板1的材料。
在此步驟(或動作)中，第一半導體層11、主動層12及第二半導體層13可以使用金屬有機化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor-Phase Deposition，MOCVD)、分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、氣相磊晶法(Vapor Phase Epitaxy，VPE)及液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy，LPE)中的任意一種方法來形成。
參照第12圖，可以透過移除第一半導體層11、主動層12及第二半導體層13中的每一個的至少一部分來提供彼此單獨分離的發光元件LD。
在本步驟(或動作)中，可以對第一半導體層11、主動層12及第二半導體層13進行蝕刻製程。為了形成單獨分離的發光元件LD，遮罩可以設置在第一半導體層11、主動層12及第二半導體層13堆疊(例如，依序堆疊)的結構中，並且可以執行蝕刻製程，以執行奈米尺度或微米尺度距離的圖案化。可以在從第二半導體層13朝向第一半導體層11的方向上執行蝕刻製程。
根據一個示例，蝕刻製程可以為反應離子蝕刻(Reactive Ion Etching，RIE)、反應離子束蝕刻(Reactive Ion Beam Etching，RIBE)及電感耦合電漿反應離子蝕刻(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching，ICP-RIE)中的任意一種，但不限定於特定的示例。
在本步驟(或動作)中，所提供的發光元件LD可以以由第一佈置方向ADR1及第二佈置方向ADR2所界定的矩陣形式進行圖案化。
參照第13圖，堆疊基板1可以與發光元件LD分離，並且發光元件LD可以結合(設置或連接)於施體膜(donor film)16上。
在本步驟(或動作)中，堆疊基板1可以與第一半導體層11物理上分離。根據一個示例，堆疊基板1與第一半導體層11可以透過雷射剝離(Laser Lift-Off，LLO)法來分離。然而，本揭露不限定於此，並且根據一個或多個實施例，堆疊基板1與第一半導體層11可以透過化學剝離(Chemical Lift-Off，CLO)法來分離。
在本步驟(或動作)中，也可以移除與第一半導體層11在相同製程中形成的層，此層未被單獨地蝕刻，且因此未構成單獨的發光元件LD。因此，可以執行本步驟(或動作)，並且可以提供在施體膜16上以一個距離(例如，預定的距離)進行圖案化的複數個發光元件LD的陣列。
根據一個或多個實施例，施體膜16可以為用於在執行後續製程(例如，設置發光元件LD於基板SUB及像素電路部分PCL上的製程)之前在一個位置(例如，預定的位置)製備發光元件LD的構造。施體膜16可以稱作供體晶片或供體基板。施體膜16可以為各向同性(isotropically)的可拉伸膜。根據一個示例，施體膜16可以包含聚合物組合物(例如，基於聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride，PVC)的材料)，但不限定於特定的示例。
根據一個或多個實施例，在本步驟(或動作)中圖案化的發光元件LD可以以由或沿著第一佈置方向ADR1延伸的列方向與沿第二佈置方向ADR2延伸的行方向配置的矩陣形式來佈置。
參照第14圖，施體膜16可以變形。可以增加施體膜16在平面上或平面圖中的面積。施體膜16可以沿一個方向擴展。施體膜16可以在面積方向上擴展。
在執行本步驟(或動作)之前，施體膜16上彼此相鄰的發光元件LD可以彼此分隔開未變形距離(或未修改距離)112。
例如，發光元件LD可以以矩陣形式佈置在施體膜16上，並且彼此相鄰的發光元件LD可以彼此分隔開未變形距離112。在此，未變形距離112可以表示在平面上或平面圖中相鄰的發光元件LD之間的最短距離。例如，在第一佈置方向ADR1或第二佈置方向ADR2上相鄰的發光元件LD可以彼此分隔開未變形距離112。
根據一個或多個實施例，在本步驟(或動作)中，施體膜16可以徑向均勻地擴展。在本步驟(或動作)中，可以確定施體膜16的長度(或面積)，且因此可以增加發光元件LD之間的分隔距離。根據一個示例，施體膜16可以物理上地延伸或擴展，但是也可以應用任意合適的方法，並且施體膜16不限定於特定的示例。
根據一個示例，可以執行本步驟(或動作)，且因此在第一佈置方向ADR1上彼此相鄰的發光元件LD之間可以分隔開第一佈置距離120，並且在第二佈置方向ADR2上彼此相鄰的發光元件LD之間可以分隔開第二佈置距離140。
根據一個或多個實施例，可以透過未變形距離112、第一佈置距離120及/或第二佈置距離140之間的數值關係來確定適用於施體膜16的物理特性。
例如，施體膜16在長度方向上的可延伸範圍可以由未變形距離112、第一佈置距離120及/或第二佈置距離140之間的數值關係來確定。
在此，施體膜16的可擴展範圍可以表示即使施體膜16在平面或平面圖中擴展，施體膜16在未破壞的限度內的倍數。換句話說，施體膜在可擴展範圍的擴展可以為非破壞性的。
例如，當施體膜16的可擴展範圍為2時，施體膜16的長度可以在一個方向(例如，第一佈置方向ADR1)上擴展至兩倍，而當施體膜16的長度擴展至兩倍或更少時，可以不發生單獨的破壞。
根據一個或多個實施例，未變形距離(或未變更距離)112、第一佈置距離120及/或第二佈置距離140以及施體膜16的可擴展範圍可以滿足以下方程式4： 方程式4
Figure 02_image015
。
在此，y可以為發光元件LD之間的分隔距離，如上所述，並且可以表示第一佈置距離120及/或第二佈置距離140。此外，A可以表示施體膜16的可擴展範圍。v可以為在施體膜16單獨變形之前發光元件LD之間的距離，並且可以為未變形距離112。
可以執行本步驟(或動作)，且因此可以提供發光元件LD之間的分隔距離以滿足上述方程式1(及/或方程式2)。也就是說，發光元件LD之間的分隔距離可以根據方程式1(及/或方程式2)來確定，並且發光元件LD之間的分隔距離可以在本步驟(或動作)中適當地或合適地進行調整以滿足方程式1(及/或方程式2)。此時，為了調整發光元件LD之間的分隔距離，可以基於方程式4來計算適用於施體膜16的物理特性。因此，根據一個或多個實施例，可以改進製程的可預測性。
參照第15圖及第16圖，發光元件LD可以透過使用設置元件17來佈置在基板SUB及像素電路部分PCL上。發光元件LD可以結合至連接電極COL。
在本步驟(或動作)中，設置元件17可以配置為將佈置在施體膜16上的發光元件LD的陣列組合至一個表面，並且將發光元件LD沉積或轉移到基板SUB及像素電路部分PCL上。設置元件17可以同時地(concurrently/simultaneously)拾取各個發光元件LD，並且可以將各個發光元件LD定位在基板SUB及像素電路部分PCL上。根據一個示例，設置元件17的拾取過程可以為彈性印壓(elastomeric stamp)法、電磁法或使用黏合元件的方法，但不限定於特定的示例。
在本步驟(或動作)中，發光元件LD與設置元件17組合，使得第一半導體層11面向設置元件17，並且可以佈置發光元件LD以使得第二半導體層13面向連接電極COL。
同時，參照第16圖，在本步驟(或動作)中，可以設置發光元件LD以使得第一佈置方向ADR1及第二佈置方向ADR2偏離後續將形成第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3的位置。具體地，可以透過調整施體膜16的傾斜角來調整後續形成的第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3的位置與第一佈置方向ADR1及第二佈置方向ADR2的位置之間的位置關係。
例如，第一方向DR1可以為第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3彼此分隔開的方向，且第二方向DR2可以為與第一方向DR1相交的方向，並且可以定義為第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3延伸的方向。
在此，當設置施體膜16的發光元件LD(例如，參照第15圖)的製程正在進行時，可以調整用於基板SUB及像素電路部分PCL的施體膜16的姿態。此時，透過調整施體膜16的姿態，可以將第一佈置方向ADR1設置為與第二方向DR2相交(或不平行)。
參照第17圖及第18圖，絕緣層INS可以設置在連接電極COL上，使得發光元件LD之間的區域被填充。此外，連接(例如，電性連接)至發光元件LD的第二電極ELT２可以被圖案化，然後光控制部分LCP可以設置在顯示元件部分DPL上。在第17圖中，為了方便說明，繪示出了上文中參照第5圖說明的子像素SPXL中的第一子像素SPXL1。
在本步驟(或動作)中，顏色轉換部分CCL可以設置在顯示元件部分DPL上。此時，光阻擋層LBL可以形成在顯示元件部分DPL上以界定第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3的發光區域EMA，例如，第一子像素區域SPXA1、第二子像素區域SPXA2及第三子像素區域SPXA3。
具體地，參照第18圖，可以設置光阻擋層LBL，從而形成第一開口OP1、第二開口OP2及第三開口OP3。根據一個示例，在形成用於形成光阻擋層LBL的基本光阻擋層之後，可以在對應於第一開口OP1、第二開口OP2及第三開口OP3的位置上執行蝕刻製程。
在本步驟(或動作)中，可以透過調整光阻擋層LBL的第一開口OP1、第二開口OP2及第三開口OP3之間的分隔距離來控制後續設置的第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3之間在第一方向DR1上的分隔距離240。例如，如上所述，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3之間的分隔距離240可以設置為滿足方程式3。
在本步驟(或動作)中，透過調整形成光阻擋層LBL的第一開口OP1、第二開口OP2及第三開口OP3的位置，可以設置第一佈置方向ADR1以使得第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3的延伸方向(例如，第二方向DR2)具有間隙角θ，且此間隙角θ具有一個範圍(例如，預定的範圍)。
在下文中，參照第19圖至第22圖說明根據一個或多個實施例的顯示裝置DD的應用領域。第19圖至第22圖為應用根據一個或多個實施例的顯示裝置的示例的示意圖。根據一個示例，顯示裝置DD可以應用於智慧型手機、筆記型電腦、平板個人電腦、電視及其相似物，並且可以應用於各種其他實施例。
參照第19圖，根據一個或多個實施例的顯示裝置DD可以應用於包含框架1104及鏡片部分1102的智慧眼鏡1100。智慧眼鏡1100可以為可穿戴於使用者的臉上的穿戴式電子裝置。並且可以具有框架1104的一部分為可以折疊或展開的結構。例如，智慧眼鏡1100可以為用於擴增實境(Augmented Reality，AR)的穿戴式裝置。
框架1104可以包含支撐鏡片部分1102的鏡框1104b及供使用者佩戴的鏡腳1104a。鏡腳1104a可以透過鉸接結構(hinge)連接至鏡框1104b而可以折疊或展開。
框架1104可以包含電池、觸控板、麥克風、相機及其相似物於其中。此外，框架1104可以包含輸出光的投影儀、控制光訊號的處理器或其相似物於其中。
鏡片部分1102可以為透射光及/或反射光的光學元件。鏡片部分1102可以包含玻璃、透明合成樹脂或其相似物。
鏡片部分1102可以透過鏡片部分1102的後表面(例如，面向使用者眼睛的方向的表面)反射從框架1104的投影機發射的光訊號的影像，從而使得使用者的眼睛可以識別影像。例如，如圖式中所繪示的，使用者可以識別顯示在鏡片部分1102上的時間及日期等資訊。也就是說，鏡片部分1102可以為一種顯示裝置，並且根據上述實施例的顯示裝置DD可以應用於鏡片部分1102。
參照第20圖，根據一個或多個實施例的顯示裝置DD可以應用於包含顯示部分1220及腕帶部分1240的智慧手錶1200。
智慧手錶1200可以為穿戴式電子裝置並且可以具有可安裝在使用者的手腕上的腕帶部分1240的結構。在此，根據一個或多個實施例的顯示裝置可以應用於顯示部分1220，從而可以將包含時間資訊的影像資料提供給使用者。
參照第21圖，根據一個或多個實施例的顯示裝置DD可以應用於車載顯示器1300。在此，車載顯示器1300可以表示設置在車輛內部及外部以提供影像資料的電子裝置。
根據一個示例，顯示裝置DD可以應用於設置在車輛中的資訊娛樂面板1310、儀表板1320、副駕駛顯示器1330、抬頭顯示器1340、側視鏡顯示器1350及後座顯示器1360中的至少一者。
參照第22圖，根據一個或多個實施例的顯示裝置DD可以應用於包含頭戴式帶體1402及顯示器收納盒1404的頭戴式顯示器(Head-Mounted Display，HMD)1400。頭戴式顯示器1400可以為可穿戴在使用者的頭上的穿戴式電子裝置。
頭戴式帶體1402為連接至顯示器收納盒1404的部分，其可以將顯示器收納盒1404固定在期望的位置。在圖式中，頭戴式帶體1402繪示為能夠圍繞使用者頭部的上表面及兩側，但本揭露不限定於此。頭戴式帶體1402將頭戴式顯示器1400固定至使用者的頭部，並且可以形成為鏡框或頭盔的形式。
顯示器收納盒1404可以容置顯示裝置DD並且可以包含至少一個鏡片。至少一個鏡片為向使用者提供影像的部分。例如，根據一個或多個實施例的顯示裝置DD可以應用於在顯示器收納盒1404中實現的左眼鏡片及右眼鏡片。
根據一個或多個實施例的顯示裝置DD的應用領域不限定於上述示例，並且可以根據一個或多個實施例應用於各種領域。
以上說明僅為本發明的技術精神的一個示例，並且本發明所屬領域具有通常知識者將能夠在不背離本發明的精神及範圍的情況下進行各種修改及變更。因此，上述本揭露的實施例可以單獨地實施，或者可以彼此結合地實施。
因此，雖然已經參照其實施例具體示出且說明了本揭露，但是本發明所屬領域具有通常知識者將理解的是，在不背離所附申請專利範圍及其等同物所闡述的本揭露的精神及範圍的情況下，可以對其中的形式及細節進行各種變更。
DD:顯示裝置 DA:顯示區域 NDA:非顯示區域 SUB:基板 PCL:像素電路部分 DPL:顯示元件部分 LCP:光控制部分 CCL:顏色轉換部分 CFL:濾色器部分 LD:發光元件 1:堆疊基板 11:第一半導體層 12:主動層 13:第二半導體層 16:施體膜 17:設置元件 LD,LDij:發光元件 LD1:第一發光元件 LD2:第二發光元件 LD3:第三發光元件 PXL:像素 SPXL:子像素 SPXL1:第一子像素 SPXL2:第二子像素 SPXL3:第三子像素 SPXA1:第一子像素區域 SPXA2:第二子像素區域 SPXA3:第三子像素區域 VDD:第一電源線 VSS:第二電源線 PXC:像素電路 SENL:感測線 SEL:感測訊號線 SL:掃描線 DL:資料線 T1:第一電晶體 TE1:第一電晶體電極 TE2:第二電晶體電極 ACT:主動層 GE:閘電極 T2:第二電晶體 T3:第三電晶體 N1:第一節點 N2:第二節點 ELT1:第一電極 ELT2:第二電極 Cst:儲存電容器 EMA:發光區域 NEA:非發光區域 WCP:波長轉換圖案 WCP1:第一波長轉換圖案 WCP2:第二波長轉換圖案 LTP:光傳輸圖案 CF:濾色器 CF1:第一濾色器 CF2:第二濾色器 CF3:第三濾色器 EP1:第一端部 EP2:第二端部 INF:絕緣膜 CNT:接觸部分 BFL:緩衝層 GI:閘極絕緣層 ILD1:第一層間絕緣層 ILD2:第二層間絕緣層 PSV:保護層 INS:絕緣層 PSS1:第一鈍化層 PSS2:第二鈍化層 LBL:光阻擋層 PLA:平坦化層 COL:連接電極 BRP:橋接圖案 OP1:第一開口 OP2:第二開口 OP3:第三開口 θ:間隙角 ADR1:第一佈置方向 ADR2:第二佈置方向 DR1:第一方向 DR2:第二方向 DR3:第三方向 100:底面長度 112:未變形距離 120:第一佈置距離 140:第二佈置距離 210:延伸線 220:第一長度 230:第二長度 232,234:端部 240:分隔距離 1100:智慧眼鏡 1102:鏡片部分 1104:框架 1104a:鏡腳 1104b:鏡框 1200:智慧手錶 1220:顯示部分 1240:腕帶部分 1300:車載顯示器 1310:資訊娛樂面板 1320:儀表板 1330:副駕駛顯示器 1340:抬頭顯示器 1350:側視鏡顯示器 1360:後座顯示器 1400:頭戴式顯示器 1402:頭戴式帶體 1404:顯示器收納盒
透過參考附圖以進一步詳細說明其實施例，本揭露的上述及其他態樣及特徵將變得更加清楚，其中： 第1圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置的透視示意圖； 第2圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置的平面示意圖； 第3圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置的剖面示意圖； 第4圖為根據一個或多個實施例的包含在子像素中的像素電路的示意圖； 第5圖為根據一個或多個實施例的像素的剖面示意圖； 第6圖至第8圖為第2圖的區域EA1的放大圖； 第9圖至第10圖為根據一個或多個實施例的包含在顯示裝置中的發光元件的位置關係的平面示意圖； 第11圖至第15圖及第17圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置的製造方法的各步驟(或動作)的剖面圖； 第16圖及第18圖為根據一個或多個實施例的顯示裝置的製造方法的各步驟(或動作)的平面圖；以及 第19圖至第22圖為應用根據一個或多個實施例的顯示裝置的示例的示意圖。
120:第一佈置距離
140:第二佈置距離
210:延伸線
220:第一長度
240:第二長度
LD:發光元件
LD1:第一發光元件
LD2:第二發光元件
LD3:第三發光元件
SPXL1:第一子像素
SPXL2:第二子像素
SPXA1:第一子像素區域
SPXA2:第二子像素區域
θ:間隙角
ADR1:第一佈置方向
ADR2:第二佈置方向
DR1:第一方向
DR2:第二方向
DR3:第三方向

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包含： 複數個發光元件，係位於一基板上，且在一第一佈置方向及與該第一佈置方向相交的一第二佈置方向上以一矩陣形式佈置；以及 一第一子像素區域及一第二子像素區域，係分別與該複數個發光元件的至少一部分重疊，且在一第一方向上彼此分隔開，並且在與該第一方向相交的一第二方向上延伸， 其中該第二方向與該第一佈置方向不平行。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其進一步包含： 一光阻擋層，係位於該基板上，並界定該第一子像素區域及該第二子像素區域。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中在該第一子像素區域中發射出一第一顏色的光，並且 在該第二子像素區域中發射出一第二顏色的光。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二方向與該第一佈置方向形成具有銳角的一間隙角。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該間隙角為5度至40度。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一子像素區域包含平行於該第一方向且具有一第一長度的一側邊， 其中該複數個發光元件包含一第一發光元件及一第二發光元件，該第一發光元件及該第二發光元件在該第一佈置方向上彼此相鄰，並且彼此分隔開一第一佈置距離，並且 其中該第一長度及該第一佈置距離滿足：
    Figure 03_image001
    其中x 1為該第一長度，且y為該第一佈置距離。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置，其中該第一佈置距離為該第一發光元件與該第二發光元件之間的最短距離。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其進一步包含： 一第三子像素區域，係沿該第一方向與該第一子像素區域及該第二子像素區域分隔開， 其中該第一子像素區域位於該第二子像素區域的一側，該第三子像素區域位於該第二子像素區域的另一側， 其中該第一子像素區域的一端部及該第三子像素區域的另一端部彼此分隔開一第二長度， 其中該複數個發光元件包含一第一發光元件及一第二發光元件，該第一發光元件及該第二發光元件在該第一佈置方向上彼此相鄰，並且以一第一佈置距離彼此分隔開，並且 其中該第二長度及該第一佈置距離滿足：
    Figure 03_image003
    其中x 2為該第二長度，且y為該第一佈置距離。
  9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一子像素區域與該第二子像素區域以一分隔距離彼此分隔開， 其中該複數個發光元件中的每一個具有一底部長度，並且 其中該分隔距離及該底部長度滿足：
    Figure 03_image005
    其中z為該分隔距離，且w為該底部長度。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該複數個發光元件中的每一個的底面具有圓形形狀，並且 其中該底部長度為圓的直徑。
  11. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該複數個發光元件中的每一個的底面具有矩形形狀，並且 其中該底部長度為矩形的對角線長度。
  12. 如請求項1所述之顯示裝置，其進一步包含： 一光控制部分，係位於該複數個發光元件上，且配置為改變從該複數個發光元件發射的光的波長；以及 一第三子像素區域，係沿該第一方向與該第一子像素區域及該第二子像素區域分隔開，並且沿該第二方向延伸， 其中該光控制部分包含： 一第一波長轉換圖案，係與該第一子像素區域重疊； 一第二波長轉換圖案，係與該第二子像素區域重疊；以及 一光傳輸圖案，係與該第三子像素區域重疊。
  13. 如請求項12所述之顯示裝置，其中該複數個發光元件的至少一第一部分與該第一子像素區域重疊，該複數個發光元件的至少一第二部分與該第二子像素區域重疊，並且該複數個發光元件的至少一第三部分與該第三子像素區域重疊，並且 其中該複數個發光元件發射相同顏色的光。
  14. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該基板上的該複數個發光元件的單位面積個數為一致的。
  15. 一種顯示裝置的製造方法，包含： 提供一堆疊基板； 形成一第一半導體層、一主動層及一第二半導體層於該堆疊基板上； 透過蝕刻該第一半導體層、該主動層及該第二半導體層來提供複數個發光元件； 分離該堆疊基板及該複數個發光元件並且將該複數個發光元件結合於在一施體膜上； 將該施體膜上的該複數個發光元件設置於一基板上；以及 設置界定一第一子像素區域及一第二子像素區域的一光阻擋層於該複數個發光元件上， 其中，提供該複數個發光元件包含沿一第一佈置方向及與該第一佈置方向相交的一第二佈置方向以一矩陣形式來圖案化該複數個發光元件； 其中，設置該光阻擋層包含形成該光阻擋層，使得該第一子像素區域及該第二子像素區域在一第一方向上彼此分隔開，並且該第一子像素區域及該第二子像素區域中的每一個在與該第一方向相交的一第二方向上延伸，並且 其中，該第二方向與該第一佈置方向不平行。
  16. 如請求項15所述之顯示裝置的製造方法，其進一步包含： 變形該施體膜，使得該複數個發光元件之間的一分隔距離增加。
  17. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中在變形該施體膜之前，該複數個發光元件以一未變形距離彼此分隔開，並且 其中，在變形該施體膜中，該複數個發光元件之間的該分隔距離增加，在該第一佈置方向上相鄰的該複數個發光元件以一第一佈置距離分隔開，並且在該第二佈置方向上相鄰的該複數個發光元件以一第二佈置距離分隔開。
  18. 如請求項17所述之顯示裝置的製造方法，其中一可擴展範圍為當該施體膜沿一個方向延伸時在非破壞性的限度內的長度的倍數，並且 其中該施體膜的該可擴展範圍滿足：
    Figure 03_image007
    其中A為該施體膜的該可擴展範圍，y為該第一佈置距離，且v為該未變形距離。
  19. 如請求項15所述之顯示裝置的製造方法，其中該第二方向與該第一佈置方向形成具有銳角的一間隙角。
  20. 如請求項15所述之顯示裝置的製造方法，其進一步包含： 形成一第一波長轉換圖案、一第二波長轉換圖案及一光傳輸圖案於與該光阻擋層相同的層， 其中設置該光阻擋層包含形成該光阻擋層，從而界定在該第一方向上與該第一子像素區域及該第二子像素區域分隔開並且在該第二方向上延伸的一第三子像素區域， 其中該複數個發光元件發射一第三顏色的光， 其中該第一波長轉換圖案用以將該第三顏色的光改變為一第一顏色的光， 其中該第二波長轉換圖案用以將該第三顏色的光改變為一第二顏色的光， 其中該光傳輸圖案用以透射該第三顏色的光，並且 其中該複數個發光元件包含與該第一子像素區域及該第一波長轉換圖案重疊的複數個第一發光元件、與該第二子像素區域及該第二波長轉換圖案重疊的複數個第二發光元件以及與該第三子像素區域及該光傳輸圖案重疊的複數個第三發光元件。
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