TW202300716A - 用於製造氮摻雜的單晶矽的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種矽片檢測方法。矽片檢測方法包括確定矽片上的裂紋在旋轉時發生形變對應的最小速度；控制目標矽片旋轉，其中，該目標矽片的最大旋轉速度不小於該最小速度；檢測該目標矽片相對於未旋轉狀態是否發生形變。這樣，通過控制矽片旋轉，當旋轉速度大於最小速度時，如果矽片上存在裂紋，則會進一步解理，從而使得矽片發生形變，有助於提高對於矽片上可能存在的裂紋的檢測精度。

Description

用於製造氮摻雜的單晶矽的方法
本發明屬於半導體矽片生產領域，尤其關於一種用於製造氮摻雜的單晶矽的方法。
伴隨資訊化的全球發展，半導體矽材料為迄今為止應用最廣泛的半導體材料。在整個半導體材料的生產和使用中矽材料占95%左右。矽片應用領域的器件尺寸持續減小，同時在器件集成度逐漸提高的情況下矽片所受到的應力會顯著提高，由於矽材料的機械強度低，會影響加工和製造過程的技術參數的設定，並且在產品組裝過程中矽片損傷、破碎的情況極其容易發生，從而導致矽片生產成本的增加，因此改善矽片的機械強度具有重要意義。
用於生產上述積體電路等半導體電子元器件的矽片，主要通過將直拉（Czochralski）法拉制的單晶矽棒切片而製造出。Czochralski法包括使由石英製成的坩堝中的多晶矽熔化以獲得矽熔體，將單晶晶種浸入矽熔體中，以及連續地提升晶種移動離開矽熔體表面，由此在移動過程中在相介面處生長出單晶矽棒。
在上述生產過程中，提供這樣的一種矽片是非常有利的：該矽片具有從正面開始向體內延伸的無晶體缺陷區域（Denuded Zone，DZ）以及與DZ鄰接並且進一步向體內延伸的含有體微缺陷（Bulk Micro Defect，BMD）的區域，這裡的正面指的是矽片的需要形成電子元器件的表面。上述的DZ是重要的，因為為了在矽片上形成電子元器件，要求在電子元器件的形成區域內不存在晶體缺陷，否則會導致電路斷路等故障的產生，使電子元器件形成在DZ中便可以避免晶體缺陷的影響；而上述的BMD的作用在於，能夠對金屬雜質產生內在吸雜（Intrinsic Getter，IG）作用，使矽片中的金屬雜質保持遠離DZ，從而避免金屬雜質導致的漏電電流增加、柵極氧化膜的膜質下降等不利影響。
然而，在生產上述的具有BMD區域的矽片的過程中，在矽片中摻雜有氮是非常有利的。舉例而言，在矽片中摻雜有氮的情況下，能夠促進以氮作為核心的BMD的形成，從而使BMD達到一定的密度，使BMD作為金屬吸雜源有效地發揮作用，而且還能夠對BMD的密度分佈產生有利影響，比如使BMD的密度在矽片的徑向上的分佈更為均勻，比如使BMD的密度在臨近DZ的區域更高而朝向矽片的體內逐漸降低等。在CZ法制矽中摻雜氮雜質還可以減小空隙（Voids）的尺寸，使其在高溫下退火得到消除，氮還能改善位錯提高矽片的機械性能。另外，在CZ法制矽中摻雜氮雜質，氮和氧會發生相互作用，形成淺熱施主性能的氮氧複合體，改善矽片的電學性能。
在目前製造氮摻雜單晶矽的過程中，利用石英坩堝熔化作為氮摻雜劑的氮化矽以及多晶矽。由於氮化矽的熔化溫度（1800℃）高於多晶矽熔化溫度（1425℃），需要將石英坩堝加熱至足夠高的溫度（至少氮化矽的熔化溫度）並且保持足夠長的時間才能夠獲得氮摻雜的熔體，但是石英坩堝被加熱至這樣的高溫並且保持這樣的長時間時會使石英坩堝中的氧的過度析出，導致熔體中氧含量過高，另外減少加熱時間以減少氧的析出會導致氮化矽無法完全熔化，未熔化微粒會進入晶棒中造成位錯，導致拉晶失敗。
為解決上述技術問題，本發明實施例期望提供一種用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，在較低爐室溫度下氮原子能夠完全熔化至熔融矽當中，不影響低摻氮單晶矽中的氧濃度，加強了製備低摻氮單晶矽的氧濃度控制。
本發明的技術方案是這樣實現的，包括： 利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽； 利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制低摻氮單晶矽。
可選的，還包括計算製備該低摻氮單晶矽所需要的該高摻氮單晶矽品質。
可選的，該計算製備該低摻氮單晶矽所需要的該高摻氮單晶矽品質包括： 將該高摻氮單晶矽切割為具有固定尺寸的高摻氮錠塊； 利用傅立葉轉換紅外光譜儀FTIR或氣體熔融分析GFA測量單塊該高摻氮錠塊的氮濃度； 依據製備該低摻氮單晶矽所需要的總氮量以及該氮濃度確定投入到該石英坩堝中的該高摻氮錠塊的品質。
可選的，該利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽包括： 將該氮化矽摻雜劑與多晶矽一起投入該氮化矽坩堝； 將製備該高摻氮單晶矽的拉晶爐抽真空並通入保護氣體； 打開加熱器，提升爐室溫度並保溫一段時間，直至該氮化矽摻雜劑與該多晶矽完全熔化，得到高摻氮矽熔體； 利用直拉法拉制高摻氮單晶矽。
可選的，該氮化矽摻雜劑為顆粒或粉末。
可選的，不在該氮化矽坩堝中投入除該氮化矽摻雜劑之外的任何其他摻雜劑。
可選的，該利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制獲得低摻氮單晶矽包括： 將該高摻氮單晶矽與多晶矽一起投入該石英坩堝； 將製備該低摻氮單晶矽的拉晶爐抽真空並通入保護氣體； 打開加熱器，提升爐室溫度並且保溫一段時間，直至該高摻氮單晶矽與該多晶矽完全熔化，得到低摻氮矽熔體； 利用直拉法拉制低摻氮單晶矽。
可選的，該保護氣體為氬氣。
為利 貴審查委員了解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達到之功效，茲將本發明配合附圖及附件，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的申請範圍，合先敘明。
在本發明實施例的描述中，需要理解的是，術語“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明實施例和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特徵。在本發明實施例的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本發明實施例中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域的具通常知識者而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明實施例中的具體含義。
下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。
本發明的單晶矽的生長法是以又稱為直拉法為基礎，同時配合固相摻氮的方式進行矽單晶的製備。也就是說，將多晶矽和摻雜劑一起放置在坩堝內加熱形成熔體，並提拉該熔體生長成單晶矽。在本發明中，利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽；利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制低摻氮單晶矽。
在製備氮摻雜單晶矽時，本領域常常使用氣相摻氮的手段，係於晶種熔接後導入高純度氮氣或氮/氬混合氣體，藉由氮氣導入時間以控制矽晶體摻氮濃度。氣相摻氮通過氮氣與矽熔體的反應而完成氮摻雜，純度較高，且反應形成的氮化矽較不易顆粒化，然而，氣相摻氮完全依靠熱對流進行反應，在技術上不易控制使得摻氮結果較不均勻。另外，本領域還會使用固態氮化矽（Si 3N 4）材料進行製備氮摻雜單晶矽，由此可以精確地控制摻氮濃度。在製備氮摻雜單晶矽的過程中，需要將石英坩堝內的多晶矽和氮化矽摻雜劑加熱為熔融狀態，當氮化矽熔化不完全時會造成晶棒中的位錯缺陷，導致拉晶失敗。但是將爐室溫度長時間保持在氮化矽的熔化溫度（約為1900℃）會造成石英坩堝的軟化，高溫生產過程中，熔融矽（Si）和坩堝原料二氧化矽（SiO 2）的反應產物為氣態氧化矽（SiO），逸出後與放置坩堝的石墨製品反應形成一氧化碳（CO）氣體，C1易於進入矽熔體中，將碳和氧引入矽中，使得矽熔體中的氧含量增多。過多的氧原子是形成缺陷的主要起因，過多的氧原子在器件啟動區中的氧沉澱可引起擊穿或漏電，在退火過程中，氧沉澱的產生使得器件成品率下降。另外，坩堝原料中常見的雜質硼和磷也會向矽錠轉移，使得矽錠電阻率不能達到使用要求。因此，為了避免熔化氮化矽需要長時間在高溫下加熱的技術問題，本發明發現將提供氮原子的氮化矽替換為高摻氮單晶矽，攜有氮原子的高摻氮單晶矽在矽的熔化溫度（1450℃）下也可以完全熔化，促使氮元素完全融入熔融矽，解決了爐室溫度高，加熱時間久的技術問題，而且摻氮效果更均勻，更容易達到需求的摻氮濃度，技術簡單，容易控制且成本低。
本領域中製備上述需要的高摻氮單晶矽通常由採用懸浮區熔法製造的晶棒切制而成，但是該製造方法製造成本高、產量低。因此，本發明採用CZ法拉制高摻氮單晶矽，再將其切割為具有一定尺寸的高摻氮錠塊作為氮源替換氮化矽原材料。然而在製備高摻氮單晶矽的過程中同樣會採用方形或圓形的石英陶瓷坩堝，其存在在高溫下軟化、析晶的弱點，容易裂開導致高溫熔體洩露。石英坩堝在高摻氮單晶矽的生長中，由於溶解出的氧經由熔融矽的對流和擴散傳輸到熔融矽介面或自由表面，不可避免地摻入到高摻氮晶中，導致高摻氮晶的品質問題，也就是說同樣會面臨因石英坩堝在長時間高溫下不可控地析出氧導致高摻氮單晶矽中的氧濃度增加的情況。並且，石英坩堝為一次性耗材，不能重複利用，使用壽命極為有限，目前常規Si多晶用石英坩堝使用壽命不足三天左右，常規Si單晶用石英坩堝使用壽命在一周左右，現行技術水準的極限不到400小時，不能滿足拉制高摻氮單晶矽的需求。因此，為了獲得高濃度氮、低濃度氧的高摻氮單晶矽，本發明發現使用氮化矽作為坩堝材料，能夠消除液態或熱的金屬矽與元素氧之間的接觸(假定坩堝上面的氣氛基本沒有氧)，該特徵將切斷上述導致在熔融矽中引入氧和碳汙染的反應鏈，由此基本上改進了多晶矽中存在的氧和碳的汙染水準，避免了石英坩堝中氧不可控地析出的問題，並且氮化矽坩堝具有耐高溫、低氧含量、長使用壽命且可長期重複使用的優點，解決了石英坩堝不能滿足製備高摻氮單晶矽的問題。
本發明主要在於利用氮化矽坩堝製備高含氮量、低含氧量的高摻氮錠塊，然後進一步利用該高摻氮錠塊來製備低摻氮單晶矽，從而實現矽片機械強度提升、單晶矽內部的BMD含量提高。
根據本發明一個實施例的用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，如圖1所示，該方法包括下述步驟： S101：利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽； S102：利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制低摻氮單晶矽。
由於利用的是氮化矽坩堝來熔化氮化矽摻雜劑，因此即使加熱到非常高的溫度也不會如相關技術中一樣有過量的氧析出到熔體中，由於利用的是高摻氮單晶矽摻雜劑，其與多晶矽的熔點一致，因此不需要如相關技術中一樣將石英坩堝加熱至用於熔化氮化矽的高溫，由此減少了石英坩堝的氧析出。
根據本發明一個實施例的用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，如圖2所示，該利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽包括以下步驟。
S201：將該氮化矽摻雜劑與多晶矽一起投入該氮化矽坩堝。根據實際所要生產的高摻氮單晶矽棒所需要的氮濃度選取一定量的氮化矽原材料，可選的，氮化矽原材料選擇氮化矽粉末或者氮化矽顆粒以保證本發明所製備的高摻氮錠塊的品質。可選的，拉制該高摻氮單晶矽時只使用氮化矽摻雜劑，不包括硼、磷、砷等其他任何摻雜劑以避免影響後續低摻氮單晶矽的製備。坩堝選用相關技術中通過反應燒結製備的氮化矽坩堝，其主要原材料為高純Si粉或者高純Si 3N 4粉，加以燒結助劑製成，燒結製成的氮化矽坩堝主要成分Si 3N 4的含量超過82wt％，且燒結緻密度超過92％，完全可以滿足作為拉制矽單晶或的容器需求，並且使用壽命長，可以長期重複使用，其中的氧元素含量低，游離的氧原子含量極低，在拉晶過程中可以避免氧的擴散和引入，從而進一步控制後續製備低摻氮單晶矽的氧濃度。
S202：將製備該高摻氮單晶矽的拉晶爐抽真空並通入保護氣體。在拉晶過程中，為了避免矽的氧化，必須在真空環境和保護氣體的作用下進行。向拉晶爐內通入保護氣體（高純度氬氣），從爐頂注入，底部開啟真空泵將氣體抽出，使得爐內的真空值保持在動態平衡，爐內氣體氣流由上而下貫穿晶棒的生長區域，可以即時帶走高溫生產出來的矽氧化物和雜質揮發物。可選地，通過控制進氣流量以及保持真空泵的抽真空效率以維持爐內的真空值穩定。
S203：打開加熱器，提升爐室溫度並保溫一段時間，直至該氮化矽摻雜劑與該多晶矽完全熔化，得到高摻氮矽熔體。在此過程中，首先將爐室溫度升高至矽的熔化溫度（約為1450-1550℃）並在此溫度下保持一段時間使得多晶矽充分溶解，接著繼續升溫，使得爐室溫度超過氮化矽原料的熔點溫度（約為1900℃左右）在此溫度下保持一段時間直到所有的氮化矽原料充分熔解，氮元素完全融入矽熔體。
S204：利用直拉法拉制高摻氮單晶矽。待矽原料完全熔化後，將爐室溫度以2-10℃/min的冷卻速度逐漸降低至1420-1450℃開始拉制晶棒。由於使用的是氮化矽製成的坩堝，在氮化矽原材料的融化過程中沒有氧原子析出或很少，製成的高摻氮單晶矽中氮含量高、氧含量低。
為了能夠精確地控制低摻氮單晶矽中的摻氮濃度，需要控制用來製備低摻氮單晶矽作為氮源的高摻氮單晶矽的含氮量，即需要計算製備該低摻氮單晶矽所需要的該高摻氮單晶矽品質。本領域中，通常採用光譜分析的方式鑒別物質以及確定其化學組成，結構或者相對含量。而當前最常見的光譜分析技術是借助傅立葉轉換紅外光譜儀（FTIR，Fourier Transform InfRared spectroscopy）通過產生固體、液體或氣體的紅外吸收光譜來檢測分子中的化學鍵，簡單來說，也就是利用紅外光照射樣品（比如固體，液體或氣體），針對每個波長測量透射或反射光強度，然後根據光譜資訊從而定性或定量地分析和確定樣品中所含物質的類型和數量。這樣的光譜分析技術由於不需要破壞樣品就能夠得出檢測結果，因此在半導體行業內廣泛的應用在元素或成分的含量測試工作，特別在對氮含量進行測量方面應用較多。可選的，高摻氮錠塊中氮濃度含量測量還可以使用氣體熔融分析（GFA，Gas Fusion Analysis）法。GFA是一種特別用於定量測量單晶矽樣品中的氧或碳或氮含量的方法，處於上述目的，一般將以脈衝電極爐作為熱源，高溫下樣品在惰性氣氛的石墨坩堝中熔融，氣體元素的化合物被還原分解，樣品中的氮以氮氣的形式隨惰性氣體進入熱導池，氮被熱導檢測系統定量檢測。由此可見，如圖3所示，計算製備該低摻氮單晶矽所需要的該高摻氮單晶矽品質包括如下步驟： S301：將製成的高摻氮單晶矽切割為具有固定尺寸的高摻氮錠塊； S302：選用FTIR測得每塊高摻氮錠塊中的氮濃度含量； S303：依據製備該低摻氮單晶矽所需要的總氮量以及該氮濃度確定投入到該石英坩堝中的該高摻氮錠塊的品質。
接著，如圖4所示，該利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制低摻氮單晶矽包括以下步驟。
S401：將該高摻氮單晶矽與多晶矽一起投入該石英坩堝。在石英坩堝中底部放入多晶矽原料，其上層鋪上制得的高摻氮錠塊以及其他需要的摻雜劑。
S402：將製備該低摻氮單晶矽的拉晶爐抽真空並通入保護氣體。在拉晶過程中，為了避免矽的氧化，必須在真空環境和保護氣體的作用下進行。向單晶爐內通入保護氣體（高純度氬氣），從爐頂注入，底部開機真空泵將氣體抽出，使得爐內的真空值保持在動態平衡，爐內氣體氣流由上而下貫穿晶棒的生長區域，可以即時帶走高溫生產出來的矽氧化物和雜質揮發物。可選地，通過控制進氣流量和保持真空泵的抽真空效率以維持爐內的真空值穩定。
S403：打開加熱器，提升爐室溫度並且保溫一段時間，直至該高摻氮單晶矽與該多晶矽完全熔化，得到低摻氮矽熔體。在此過程中，將爐室溫度升高至矽的熔化溫度（約為1450-1550℃）並在此溫度下保持一段時間使得多晶矽充分熔解，由於使用高摻氮錠塊代替氮化矽原材料作為氮源拉制低摻氮單晶矽，所以爐內溫度無需太高，在多晶矽的熔化溫度下保持一段時間後高摻氮錠塊便能夠充分熔解，使得氮元素充分的融入矽熔體當中，在此溫度下石英坩堝不存在軟化、開裂等問題，並且元素的析出在可接受的範圍之內，不會造成氧含量控制困難的技術問題。並且由於作為氮源的高摻氮錠塊是使用氮化矽氮含量高、氧含量低，防止摻雜劑為矽熔體帶去多餘的氧。
S404：利用直拉法拉制低摻氮單晶矽。上述步驟結束之後，調節爐室溫度，緩慢放下籽晶，爐體內的籽晶經過引晶、縮頸、放肩、等徑生長、收尾階段完成晶體的生長過程，製成低摻氮單晶矽。可選的，採用的籽晶為單晶矽。進一步，可以通過調整晶體的轉速、石英坩堝的轉速等參數調節晶體的品質。
根據本發明的一種用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，由於其利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制低摻氮單晶矽，可以在較低的爐室溫度下使得氮原子完全融入矽熔體，並且石英坩堝不會析出多餘的氧原子，改善了氧濃度的控制，提高了BMD控制。另外，利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽，具有成本低、效率高的優點，其中以氮化矽坩堝作為拉制高摻氮單晶矽的容器，得到了氮含量高、氧含量低的高摻氮單晶矽，進一步加強了後續拉制低摻氮單晶矽過程中的氧濃度控制，降低了位錯風險。
以上僅為本發明之較佳實施例，並非用來限定本發明之實施範圍，如果不脫離本發明之精神和範圍，對本發明進行修改或者等同替換，均應涵蓋在本發明申請專利範圍的保護範圍當中。
S101-S102:步驟 S201-S204:步驟 S301-S303:步驟 S401-S404:步驟
圖1為根據本發明的實施例的一種用於製造氮摻雜的單晶矽的方法的示意圖； 圖2為根據本發明的實施例的一種用於製造氮摻雜的單晶矽的方法中利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽的示意圖； 圖3為根據本發明的實施例的一種用於製造氮摻雜的單晶矽的方法中計算製備該低摻氮單晶矽所需要的該高摻氮單晶矽品質的示意圖； 圖4為根據本發明的實施例的一種用於製造氮摻雜的單晶矽的方法中利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制低摻氮單晶矽的示意圖。
S101-S102:步驟

Claims (8)

  1. 一種用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，該方法包括： 利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽； 利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制低摻氮單晶矽。
  2. 如請求項1所述之用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，其中，該方法還包括計算製備該低摻氮單晶矽所需要的該高摻氮單晶矽品質。
  3. 如請求項2所述之用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，其中，該計算製備該低摻氮單晶矽所需要的該高摻氮單晶矽品質包括： 將該高摻氮單晶矽切割為具有固定尺寸的高摻氮錠塊； 利用傅立葉轉換紅外光譜儀FTIR或氣體熔融分析GFA測量單塊該高摻氮錠塊的氮濃度； 依據製備該低摻氮單晶矽所需要的總氮量以及該氮濃度確定投入到該石英坩堝中的該高摻氮錠塊的品質。
  4. 如請求項1所述之用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，其中，該利用氮化矽坩堝以及氮化矽摻雜劑通過直拉法拉制高摻氮單晶矽包括： 將該氮化矽摻雜劑與多晶矽一起投入該氮化矽坩堝； 將製備該高摻氮單晶矽的拉晶爐抽真空並通入保護氣體； 打開加熱器，提升爐室溫度並保溫一段時間，直至該氮化矽摻雜劑與該多晶矽完全熔化，得到高摻氮矽熔體； 利用直拉法拉制高摻氮單晶矽。
  5. 如請求項4所述之用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，其中，該氮化矽摻雜劑為顆粒或粉末。
  6. 如請求項4所述之用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，其中，不在該氮化矽坩堝中投入除該氮化矽摻雜劑之外的任何其他摻雜劑。
  7. 如請求項1所述之用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，其中，該利用石英坩堝以及以該高摻氮單晶矽作為摻雜劑通過直拉法拉制獲得低摻氮單晶矽包括： 將該高摻氮單晶矽與多晶矽一起投入該石英坩堝； 將製備該低摻氮單晶矽的拉晶爐抽真空並通入保護氣體； 打開加熱器，提升爐室溫度並且保溫一段時間，直至該高摻氮單晶矽與該多晶矽完全熔化，得到低摻氮矽熔體； 利用直拉法拉制低摻氮單晶矽。
  8. 如請求項5或7所述之用於製造氮摻雜的單晶矽的方法，其中，該保護氣體為氬氣。
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