TW202246063A - 多層複合物件 - Google Patents

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杰拉德 Ｔ 布斯
詹姆斯 Ｍ 麥克馬丁
蒂莫西 Ｐ 波洛克
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美商聖高拜塑膠製品公司
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Abstract

本發明揭露涉及可包括結構基板、多層氟聚合物薄膜及低熔融氟聚合物黏著層之複合物件，該多層氟聚合物薄膜可包括高熔融氟聚合物層，該低熔融氟聚合物黏著層可接觸該結構基板及該氟聚合物薄膜。該高熔融氟聚合物層可具有熔融溫度A1且該低熔融氟聚合物黏著層可具有熔融溫度A2。該熔融溫度A2可小於該熔融溫度A1。

Description

多層複合物件
本發明涉及一種複合物件，其經設計用於在單個多層結構中提供保護、高射頻傳輸、高疏水性及/或結構完整性。
高頻(5GHz-40GHz及以上)通訊應用(諸如5G天線及地對衛星天線)提供高速度，但由於其訊號波長較短，對干擾非常敏感。這些敏感的電子設備部件通常安裝在室外元件上，需要保護它們免受該等室外元件的影響，並且這種保護材料必須提供多種功能。例如，理想的是這種材料具有高射頻傳輸，具有高度疏水性表面以減少水、冰及/或雪的積聚，並且具有結構完整性，以便在通訊設備周圍形成保護形狀。據此，需要在這些功能中表現出改進性能的多層複合材料。
根據第一態樣，複合物件可包括結構基板、多層氟聚合物薄膜及低熔融氟聚合物黏著層之複合物件，該多層氟聚合物薄膜可包括高熔融氟聚合物層，該低熔融氟聚合物黏著層可接觸該結構基板及該氟聚合物薄膜。該高熔融氟聚合物層可具有熔融溫度A1且該低熔融氟聚合物黏著層可具有熔融溫度A2。該熔融溫度A2可小於該熔融溫度A1。
根據另一態樣，複合物件可包括結構基板，多層氟聚合物薄膜，以及可包含PVDF之低熔融氟聚合物黏著層。該低熔融氟聚合物黏著層可接觸該結構基板及該多層氟聚合物薄膜。
根據又一態樣，複合物件可包括結構基板，多層氟聚合物薄膜，以及可包含PVDF-HFP共聚物之低熔融氟聚合物黏著層。該低熔融氟聚合物黏著層可接觸該結構基板及該多層氟聚合物薄膜。
根據再一態樣，複合物件可包括結構基板，多層氟聚合物薄膜，過渡層以及低熔融氟聚合物黏著層。該過渡層可包括PTFE及PVDF之混合物。該過渡層可以進一步接觸該多層氟聚合物薄膜及該低熔融氟聚合物黏著層。該低熔融氟聚合物黏著層可接觸該結構基板及該過渡層。
100、200:複合物件
110、210:結構基板
120、220:低熔融氟聚合物黏著層
130、230:多層氟聚合物薄膜
131、132、133:層
225:過渡層
A1、A2:熔融溫度
CS1:對比樣品複合物件
S1、S2:樣品複合物件
實施例係藉由實例描繪且不受限於圖式。
圖1包括根據本文中所述之實施例配置的複合物件的圖解，
圖2包括根據本文中所述之實施例配置的另一複合物件的圖解，
圖3a包括在樣品複合物件的剝離強度測試期間測得的剝離延伸與載荷的關係圖，以及
圖3b包括在樣品複合物件的剝離強度測試期間測得的剝離延伸與載荷的關係圖。
熟習技術者理解圖式中的元件是為簡化和清楚明確而描繪且不一定按比例繪製。
以下討論將著重於教示的特定實施方式和實施例。詳述係提供以輔助描述某些實施例，並且不應將其解釋為對本揭露或教示的範圍或應用性的限制。應理解的是，其他實施例可基於如本文中所提供之揭露和教示來使用。
用語「包含/包括」(comprises/comprising/includes/including)、「具有」(has/having)或任何彼等之其他變體，係意欲涵蓋非排除性含括(non-exclusive inclusion)。例如，包含一系列特徵之方法、物件或設備不一定僅限於該些特徵，而是可包括未明確列出或此方法、物件或設備固有的其他特徵。進一步地，除非有相反的明確提及，否則「或」(or)係指包含性的或(inclusive-or)而非互斥性的 或(exclusive-or)。例如，條件A或B滿足下列任一者：A為真(或存在)且B為假(或不存在)、A為假(或不存在)且B為真(或存在)、以及A和B均為真(或存在)。
又，「一」(a/an)的使用係經利用來描述本文中所述之元件和組件。這僅係為方便起見且為給出本發明範圍的一般含義。除非係明確意指其他意涵，否則此描述應該被理解為包括一者、至少一者，或單數也包括複數，或反之亦然。例如，當本文中所述者係單一項目時，可使用多於一個項目來替代單一項目。類似地，若本文中所述者係多於一個項目時，單一項目可取代多於一個項目。
本文中所述之實施例通常涉及可包括結構基板，多層氟聚合物薄膜及低熔融氟聚合物黏著層之複合物件，該低熔融氟聚合物黏著層接觸該結構基板及該氟聚合物薄膜。
為了說明的目的，圖1包括根據本文中所述之實施例的複合物件100的圖解。如圖1所示，複合物件100可包括結構基板110，多層氟聚合物薄膜130及低熔融氟聚合物黏著層120，且該低熔融氟聚合物黏著層接觸該結構基板110及該多層氟聚合物薄膜130。
根據特定實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括特定數量的層。根據特定實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括至少約2個，諸如，至少約3個或至少約4個或至少約5個或至少約6個或甚至至少約7個。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括不大於約12層，諸如，不大於約11層或甚至不大於約10層。應理解的是，多層氟聚合物薄膜130中的層數可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，多層氟聚合物薄膜130中的層數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據特定實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括特定數量的氟聚合物層。根據特定實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括至少約2個氟聚合物層，諸如，至少約3個氟聚合物層或至少約4個氟聚合物層或至少約5個氟聚合物層或至少約6個氟聚合物層或甚至至少約7個氟聚合物層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括不大於約12層氟聚合物層，諸如，不大於約11層氟聚合物層或甚至不大於約10層氟聚合物層。應理解的是，多層氟聚 合物薄膜130中的氟聚合物層數可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，多層氟聚合物薄膜130中的氟聚合物層數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
如圖1所示，為了說明的目的，多層氟聚合物薄膜130可包括三層(即，層131、層132及層133)。
根據特定實施例，多層氟聚合物薄膜130的至少一層可以為高熔融氟聚合物層。
根據再一些實施例，氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可具有根據ASTM D4591使用差示掃描量熱法(Differential scanning calorimetry,DSC)測得的特定熔融溫度A1，並且低熔融氟聚合物黏著層120可具有根據差示掃描量熱法(DSC)測得的特定熔融溫度A2。根據特定實施例，低熔融氟聚合物黏著層120的熔融溫度A2可小於氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層的熔融溫度A1。
根據再一些實施例，A2可以為小於A1的特定量。例如，A2可以小於A1至少約5%，諸如小於A1至少約10%或小於A1至少約15%或小於A1至少約20%或小於A1至少約25%或小於A1至少約30%或小於A1至少約35%或小於A1至少約40%或小於A1至少約45%或甚至小於A1至少約50%。根據再一些實施例，A2可以小於A1不大於約85%，例如小於A1不大於約80%或甚至小於A1不大於約75%。應理解的是，A2可為在上述任何最小值與最大值之間的範圍內的小於A1的百分比。應進一步理解的是，A2可為上述任何最小值與最大值之間的任何值的小於A1的百分比。
根據特定實施例，結構基板110可包括特定材料。例如，結構基板110可包括可熱成型材料。根據其他實施例，結構基板110可包括熱塑性材料。根據再一些實施例，結構基板110可包括FR4環氧玻璃。根據再一些實施例，結構基板110可包括G10環氧玻璃。根據再一些實施例，結構基板110可包括高密度聚乙烯(HDPE)。根據再一些實施例，結構基板110可包括聚丙烯(PP)。根據再一些實施例，結構基板110可包括聚碳酸酯(PC)。根據再一些實施例，結構基板110可包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。根據再一些實施例，結構 基板110可包括摻雜乙二醇(PETG)的PET。根據再一些實施例，結構基板110可包括FR4或G10或HDPE或PP或PC或PET或PETG的任意組合。
根據特定實施例，結構基板110可由特定材料組成。例如，結構基板110可由可熱成型材料組成。根據其他實施例，結構基板110可由熱塑性材料組成。根據再一些實施例，結構基板110可由FR4環氧玻璃組成。根據再一些實施例，結構基板110可由G10環氧玻璃組成。根據再一些實施例，結構基板110可由高密度聚乙烯(HDPE)組成。根據再一些實施例，結構基板110可由聚丙烯(PP)組成。根據再一些實施例，結構基板110可由聚碳酸酯(PC)組成。根據再一些實施例，結構基板110可由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)組成。根據再一些實施例，結構基板110可由摻雜乙二醇(PETG)的PET組成。根據再一些實施例，結構基板110可由FR4或G10或HDPE或PP或PC或PET或PETG的任意組合組成。
根據特定實施例，結構基板110可為特定材料的層。例如，結構基板110可為可熱成型材料層。根據其他實施例，結構基板110可為熱塑性材料層。根據再一些實施例，結構基板110可為FR4環氧玻璃層。根據再一些實施例，結構基板110可為G10環氧玻璃層。根據再一些實施例，結構基板110可為高密度聚乙烯(HDPE)層。根據再一些實施例，結構基板110可為聚丙烯(PP)層。根據再一些實施例，結構基板110可為聚碳酸酯(PC)層。根據再一些實施例，結構基板110可為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)層。根據再一些實施例，結構基板110可為摻雜乙二醇(PETG)的PET層。根據再一些實施例，結構基板110可為FR4或G10或HDPE或PP或PC或PET或PETG的任意組合的層。
根據特定實施例，結構基板110可為特定材料的基板。例如，結構基板110可為可熱成型材料基板。根據其他實施例，結構基板110可為熱塑性材料基板。根據再一些實施例，結構基板110可為FR4環氧玻璃基板。根據再一些實施例，結構基板110可為G10環氧玻璃基板。根據再一些實施例，結構基板110可為高密度聚乙烯(HDPE)基板。根據再一些實施例，結構基板110可為聚丙烯(PP)基板。根據再一些實施例，結構基板110可為聚碳酸酯(PC)基板。根據再一些實施例，結構基板110可為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板。根 據再一些實施例，結構基板110可為摻雜乙二醇(PETG)的PET基板。根據再一些實施例，結構基板110可為FR4或G10或HDPE或PP或PC或PET或PETG的任意組合的基板。
根據再一些實施例，結構基板110可具有特定厚度。例如，結構基板110可具有至少約0.025mm的厚度，諸如，至少約0.03mm或至少約0.035mm或至少約0.04mm或至少約0.05mm或至少約0.06mm或至少約0.07mm或至少約0.08mm或至少約0.09mm或至少約0.1mm或至少約0.25mm或至少約0.5mm或至少約0.75mm或甚至至少約1.0mm。根據再一些實施例，結構基板110可具有不大於約2.6mm的厚度，諸如，不大於約2.5mm或不大於約2.4mm或不大於約2.3mm或不大於約2.2mm或不大於約2.1mm或不大於約2.0mm或不大於約1.75mm或不大於約1.5mm或甚至不大於約1.25mm。應理解的是，結構基板110的厚度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，結構基板110的厚度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，結構基板110可具有根據ASTM D3418使用差示掃描量熱法(DSC)測得的特定玻璃轉化溫度。例如，結構基板110可具有至少約150℃的玻璃轉化溫度，諸如至少約-140℃或至少約-130℃或至少約-120℃或至少約-110℃或至少約-100℃或至少約-75℃或至少約-50℃或至少約-25℃或至少約0℃或至少約25℃或至少約50℃或至少約75℃或甚至至少約100℃。根據再一些實施例，結構基板110可具有不大於約350℃的玻璃轉化溫度，諸如，不大於約340℃或不大於約330℃或不大於約320℃或不大於約310℃或不大於約300℃或不大於約275℃或不大於約250℃或不大於約225℃或甚至不大於約200℃。應理解的是，結構基板110的玻璃轉化溫度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，結構基板110的玻璃轉化溫度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，結構基板110可具有根據ASTME2550使用熱重分析(Thermogravimetric analysis,TGA)測得的特定降解起始溫度。例如，結構基板110可具有至少約50℃的降解起始溫度，諸如，至少約60℃或至少約 70℃或至少約80℃或至少約90℃或至少約100℃或至少約110℃或至少約120℃或至少約130℃或至少約140℃或甚至至少約150℃。根據再一些實施例，結構基板110可具有不大於約350℃的降解起始溫度，諸如，不大於約340℃或不大於約330℃或不大於約320℃或不大於約310℃或不大於約300℃或不大於約275℃或不大於約250℃或不大於約225℃或甚至不大於約200℃。應理解的是，結構基板110的降解起始溫度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，結構基板110的降解起始溫度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據又一實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括特定材料。例如，多層氟聚合物薄膜130可包括聚四氟乙烯(PTFE)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括氟化乙烯丙烯(FEP)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括全氟烷氧基烷烴(PFA)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括改性PTFE(TFM)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯的三元共聚物(THV)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括聚偏二氟乙烯(PVDF)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括偏二氟乙烯及六氟丙烯的共聚物(P(VDF-HFP)或PVDF-HFP)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可包括PTFE、FEP、PFA、TFM、THV、PVDF及P(VDF-HFP)的任意組合。
根據又一實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可包括特定材料。例如，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可包括聚四氟乙烯(PTFE)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可包括氟化乙烯丙烯(FEP)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可包括全氟烷氧基烷烴(PFA)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可包括改性PTFE(TFM)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可包括四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯的三元共聚物(THV)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可包括聚偏二氟乙烯(PVDF)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可包括偏二氟乙烯及六氟丙烯的共聚物(P(VDF-HFP)或PVDF-HFP)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄 膜130的氟聚合物層可包括PTFE、FEP、PFA、TFM、THV、PVDF及P(VDF-HFP)的任意組合。
根據又一實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由特定材料組成。例如，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由聚四氟乙烯(PTFE)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由氟化乙烯丙烯(FEP)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由全氟烷氧基烷烴(PFA)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由改性PTFE(TFM)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯的三元共聚物(THV)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由聚偏二氟乙烯(PVDF)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由偏二氟乙烯及六氟丙烯的共聚物(P(VDF-HFP)或PVDF-HFP)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可由PTFE、FEP、PFA、TFM、THV、PVDF及P(VDF-HFP)的任意組合組成。
根據又一實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為特定材料的層。例如，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為聚四氟乙烯(PTFE)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為氟化乙烯丙烯(FEP)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為全氟烷氧基烷烴(PFA)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為改性PTFE(TFM)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯層的三元共聚物(THV)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為聚偏二氟乙烯(PVDF)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為偏二氟乙烯及六氟丙烯的共聚物(P(VDF-HFP)或PVDF-HFP)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可為PTFE、FEP、PFA、TFM、THV、PVDF及P(VDF-HFP)的任意組合的層。
根據又一實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括特定材料。例如，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括聚四氟 乙烯(PTFE)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括氟化乙烯丙烯(FEP)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括全氟烷氧基烷烴(PFA)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括改性PTFE(TFM)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯的三元共聚物(THV)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括聚偏二氟乙烯(PVDF)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括偏二氟乙烯及六氟丙烯的共聚物(P(VDF-HFP)或PVDF-HFP)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可包括PTFE、FEP、PFA、TFM、THV、PVDF及P(VDF-HFP)的任意組合。
根據又一實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由特定材料組成。例如，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由聚四氟乙烯(PTFE)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由氟化乙烯丙烯(FEP)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由全氟烷氧基烷烴(PFA)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由改性PTFE(TFM)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯的三元共聚物(THV)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由聚偏二氟乙烯(PVDF)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由偏二氟乙烯及六氟丙烯的共聚物(P(VDF-HFP)或PVDF-HFP)組成。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可由PTFE、FEP、PFA、TFM、THV、PVDF及P(VDF-HFP)的任意組合組成。
根據又一實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可為特定材料的層。例如，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可為聚四氟乙烯(PTFE)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可為氟化乙烯丙烯(FEP)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高 熔融氟聚合物層可為全氟烷氧基烷烴(PFA)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可為改性PTFE(TFM)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可為四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯層的三元共聚物(THV)。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可為聚偏二氟乙烯(PVDF)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可為偏二氟乙烯及六氟丙烯的共聚物(P(VDF-HFP)或PVDF-HFP)層。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可為PTFE、FEP、PFA、TFM、THV、PVDF及P(VDF-HFP)的任意組合的層。
根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可進一步包括填充物。根據特定實施例，其中填充物可包括二氧化鈦或碳黑或石墨或奈米碳管或玻璃纖維或玻璃珠或滑石或吸收UV填充物或白色顏料填充物或顏料填充物或其任意組合。
根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的氟聚合物層可進一步包括填充物。根據特定實施例，其中填充物可包括二氧化鈦或碳黑或石墨或奈米碳管或玻璃纖維或玻璃珠或滑石或吸收UV填充物或白色顏料填充物或顏料填充物或其任意組合。
根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130的高熔融氟聚合物層可進一步包括填充物。根據特定實施例，其中填充物可包括二氧化鈦或碳黑或石墨或奈米碳管或玻璃纖維或玻璃珠或滑石或吸收UV填充物或白色顏料填充物或顏料填充物或其任意組合。
根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可具有特定厚度。例如，多層氟聚合物薄膜130可具有至少約0.005mm的厚度，諸如，至少約0.010mm或至少約0.015mm或至少約0.020mm或至少約0.025mm或至少約0.03mm或至少約0.035mm或至少約0.04mm或至少約0.05mm或至少約0.06mm或至少約0.07mm或至少約0.08mm或至少約0.09mm或甚至至少約0.1mm。根據再一些實施例，多層氟聚合物薄膜130可具有不大於約0.25mm的厚度，諸如，不大於約0.24mm或不大於約0.23mm或不大於約0.22mm或不大於約 0.21mm或不大於約0.20mm或不大於約0.19mm或不大於約0.18mm或不大於約0.17mm或不大於約0.16或甚至不大於約0.15mm。應理解的是，多層氟聚合物薄膜130的厚度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，多層氟聚合物薄膜130的厚度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可具有根據ASTM D4591使用差示掃描量熱法(DSC)測得的特定熔融溫度。例如，高熔融氟聚合物層可具有至少約250℃的熔融溫度，諸如，至少約255℃或至少約260℃或至少約265℃或至少約270℃或至少約275℃或至少約280℃或至少約285℃或至少約290℃或至少約295℃或甚至至少約300℃。根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可具有不大於約350℃的熔融溫度，諸如，不大於約340℃或不大於約330℃或不大於約320℃或不大於約310℃或不大於約300℃或不大於約275℃或不大於約250℃或不大於約225℃或甚至不大於約200℃。應理解的是，高熔融氟聚合物層的熔融溫度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，高熔融氟聚合物層的熔融溫度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可具有特定厚度。例如，高熔融氟聚合物層可具有至少約0.001mm的厚度，諸如，至少約0.005mm或至少約0.01mm或至少約0.015mm或至少約0.02mm或至少約0.25mm至少約0.03mm或至少約0.035mm或至少約0.04mm或至少約0.05mm或至少約0.06mm或至少約0.07mm或至少約0.08mm或至少約0.09mm或至少約0.1mm或至少約0.25mm或至少約0.5mm或至少約0.75mm或甚至至少約1.0mm。根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可具有不大於約0.25mm的厚度，諸如，不大於約0.24mm或不大於約0.23mm或不大於約0.22mm或不大於約0.21mm或不大於約0.20mm或不大於約0.19mm或不大於約0.18mm或不大於約0.17mm或不大於約0.16或甚至不大於約0.15mm。應理解的是，高熔融氟聚合物層的厚度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，高熔融氟聚合物層的厚度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可包括特定含量的氟聚合物。例如，高熔融氟聚合物層可具有佔高熔融氟聚合物層之總重量的至少約25wt.%的氟聚合物含量，諸如，至少約30wt.%或至少約35wt.%或至少約40wt.%或至少約45wt.%或至少約50wt.%或至少約55wt.%或至少約60wt.%或至少約65wt.%。根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可具有佔高熔融氟聚合物層之總重量的不大於約100wt.%的氟聚合物含量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約75wt.%。應理解的是，高熔融氟聚合物層的氟聚合物含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，高熔融氟聚合物層的氟聚合物含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可包括特定含量的PTFE。例如，高熔融氟聚合物層可具有佔高熔融氟聚合物層之總重量的至少約25wt.%的PTFE含量，諸如，至少約30wt.%或至少約35wt.%或至少約40wt.%或至少約45wt.%或至少約50wt.%或至少約55wt.%或至少約60wt.%或至少約65wt.%。根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可具有佔高熔融氟聚合物層之總重量的不大於約100wt.%的PTFE含量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約75wt.%。應理解的是，高熔融氟聚合物層的PTFE含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，高熔融氟聚合物層的PTFE含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可包括特定含量的填充物。例如，高熔融氟聚合物層可具有佔高熔融氟聚合物層之總重量的至少約0.05wt.%的填充物含量，諸如，至少約0.1wt.%或至少約1.0wt.%或至少約5wt.%或至少約10wt.%或至少約20wt.%或至少約30wt.%或至少約40wt.%或甚至至少約50wt.%。根據再一些實施例，高熔融氟聚合物層可具有佔高熔融氟聚合物層之總重量的不大於約75wt.%的填充物含量，諸如，不大於約70wt.%或不 大於約65wt.%或不大於約60wt.%或不大於約55wt.%或甚至不大於約51wt.%。應理解的是，高熔融氟聚合物層的填充物含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，高熔融氟聚合物層的填充物含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層可具有根據ASTM D4591使用差示掃描量熱法(DSC)測得的特定的熔融溫度。例如，低熔融氟聚合物黏著層可具有至少約50℃的熔融溫度，諸如，至少約55℃或至少約60℃或至少約65℃或至少約70℃或至少約75℃或至少約80℃或至少約85℃或至少約90℃或至少約95℃或甚至至少約100℃。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層可具有不大於約270℃的熔融溫度，諸如，不大於約260℃或不大於約250℃不大於約240℃或不大於約230℃或不大於約220℃或不大於約210℃或不大於約200℃或不大於約175℃或不大於約150℃或甚至不大於約125℃。應理解的是，低熔融氟聚合物黏著層的熔融溫度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，低熔融氟聚合物黏著層的熔融溫度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據又一實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括特定材料。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可包括聚偏二氟乙烯(PVDF)。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯的三元共聚物(THV)。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括乙烯四氟乙烯(ETFE)。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括乙烯三氟氯乙烯(ECTFE)。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括PVDF-HFP共聚物。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括PVDF及PTFE的混合物(PVDF/PTFE混合物)。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括PVDF、THV、ETFE、ECTFE、PVDF-HFP共聚物或PVDF/PTFE混合物的任意組合。
根據又一實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可由特定材料組成。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可由聚偏二氟乙烯(PVDF)組成。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可由四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯的三 元共聚物(THV)組成。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可由乙烯四氟乙烯(ETFE)組成。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可由乙烯三氟氯乙烯(ECTFE)組成。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可由PVDF-HFP共聚物組成。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可由PVDF及PTFE的混合物(PVDF/PTFE混合物)組成。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可由PVDF、THV、ETFE、ECTFE、PVDF-HFP共聚物或PVDF/PTFE混合物的任意組合組成。
根據又一實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可為特定材料的層。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可為聚偏二氟乙烯(PVDF)層。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可為四氟乙烯、六氟丙烯及偏二氟乙烯層的三元共聚物(THV)。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可為乙烯四氟乙烯(ETFE)層。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可為乙烯三氟氯乙烯(ECTFE)層。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可為PVDF-HFP共聚物層。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可為PVDF及PTFE的混合物(PVDF/PTFE混合物)的層。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可為PVDF、THV、ETFE、ECTFE、PVDF-HFP共聚物或PVDF/PTFE混合物的任意組合的層。
根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括特定含量的氟聚合物。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物層120之總重量的至少約50wt.%的氟聚合物含量，諸如，至少約55wt.%或至少約60wt.%或至少約65wt.%或至少約70wt.%或甚至至少約75wt.%。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物層120之總重量的不大於約100wt.%的氟聚合物含量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約77wt.%。應理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的氟聚合物含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的氟聚合物含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括特定含量的PVDF。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物層120之總重量的至少約50wt.%的PVDF含量，諸如，至少約55wt.%或至少約60wt.%或至少約65wt.%或至少約70wt.%或甚至至少約75wt.%。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物層120之總重量的不大於約100wt.%的PVDF含量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約77wt.%。應理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的PVDF含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的PVDF含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括特定含量的PVDF-HFP共聚物。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物層120之總重量的至少約50wt.%的PVDF-HFP共聚物含量，諸如，至少約55wt.%或至少約60wt.%或至少約65wt.%或至少約70wt.%或甚至至少約75wt.%。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物層120之總重量的不大於約100wt.%的PVDF-HFP共聚物含量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約77wt.%。應理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的PVDF-HFP共聚物含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的PVDF-HFP共聚物含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，PVDF-HFP共聚物可包括特定含量的HFP。例如，PVDF-HFP共聚物可具有佔PVDF-HFP共聚物之總重量的至少約0.5wt.%的HFP含量，諸如，至少約1wt.%或至少約5wt.%或至少約10wt.%或至少約15wt.%或至少約20wt.%或甚至至少約25wt.%。根據再一些實施例，PVDF-HFP共聚物可具有佔PVDF-HFP共聚物之總重量的不大於約約50wt.%的HFP 含量，諸如，不大於約45wt.%或不大於約40wt.%或不大於約35wt.%或甚至不大於約30wt.%。應理解的是，PVDF-HFP共聚物的HFP含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，PVDF-HFP共聚物的HFP含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，PVDF-HFP共聚物可包括特定含量的PVDF。PVDF-HFP共聚物可具有佔PVDF-HFP共聚物之總重量的至少約50wt.%的PVDF含量，諸如，至少約55wt.%或至少約60wt.%或至少約65wt.%或至少約70wt.%或甚至至少約75wt.%。根據再一些實施例，PVDF-HFP共聚物可具有佔PVDF-HFP共聚物之總重量的不大於約100wt.%的PVDF含量，諸如，不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或甚至不大於約80wt.%。應理解的是，PVDF-HFP共聚物的PVDF含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，PVDF-HFP共聚物的PVDF含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據某些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括PVDF及PTFE的混合物。根據又一實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可由PVDF及PTFE的混合物組成。
根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括特定含量的PVDF。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物黏著層120之總重量的至少約5wt.%的PVDF含量，諸如，至少約10wt.%或至少約20wt.%或至少約30wt.%或至少約40wt.%或至少約50wt.%或至少約60wt.%或至少約70wt.%或至少約75wt.%。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物層120之總重量的不大於約100wt.%的PVDF含量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約75wt.%。應理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的PVDF含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的PVDF含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可包括特定含量的PTFE。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物黏著層120之總重量的至少約5wt.%的PTFE含量，諸如，至少約10wt.%或至少約20wt.%或至少約30wt.%或至少約40wt.%或至少約50wt.%或至少約60wt.%或至少約70wt.%或至少約75wt.%。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可具有佔低熔融氟聚合物層120之總重量的不大於約100wt.%的PTFE含量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約75wt.%。應理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的PTFE含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的PTFE含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可具有特定厚度。例如，低熔融氟聚合物黏著層120可具有至少約0.001mm的厚度，諸如，至少約0.0015mm或至少約0.002mm或至少約0.0025mm或至少約0.005mm或至少約0.0075mm或至少約0.01mm或至少約0.02或至少約0.03mm或至少約0.035mm或至少約0.04mm或至少約0.05mm或至少約0.06mm或至少約0.07mm或至少約0.08mm或至少約0.09mm or even至少約0.1mm。根據再一些實施例，低熔融氟聚合物黏著層120可具有不大於約0.25mm的厚度，諸如，不大於約0.24mm或不大於約0.23mm或不大於約0.22mm或不大於約0.21mm或不大於約0.20mm或不大於約0.19mm或不大於約0.18mm或不大於約0.17mm或不大於約0.16或甚至不大於約0.15mm。應理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的厚度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，低熔融氟聚合物黏著層120的厚度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據又一實施例，複合物件100可具有根據ASTM D2520測試方法C在5GHz下測得的特定介電常數。例如複合物件100可具有在5GHz下測得的不大於約5.0的介電常數，諸如，不大於約4.5或不大於約4.0或不大於約3.5或不大於約3.0或不大於約2.5或不大於約2.0或不大於約1.5或甚至不大於 約1.0。應理解的是，複合物件100的介電常數可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的介電常數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據其他實施例，複合物件100可具有根據ASTM D2520測試方法C在15GHz下測得的特定介電常數，例如複合物件100可具有在15GHz下測得的不大於約5.0的介電常數，諸如，不大於約4.5或不大於約4.0或不大於約3.5或不大於約3.0或不大於約2.5或不大於約2.0或不大於約1.5或甚至不大於約1.0。應理解的是，複合物件100的介電常數可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的介電常數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，複合物件100可具有根據ASTM D2520測試方法C在30GHz下測得的特定介電常數，例如複合物件100可具有在30GHz下測得的不大於約5.0的介電常數，諸如，不大於約4.5或不大於約4.0或不大於約3.5或不大於約3.0或不大於約2.5或不大於約2.0或不大於約1.5或甚至不大於約1.0。應理解的是，複合物件100的介電常數可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的介電常數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據其他實施例，複合物件100可具有根據ASTM D2520測試方法C在40GHz下測得的特定介電常數，例如複合物件100可具有在40GHz下測得的不大於約5.0的介電常數，諸如，不大於約4.5或不大於約4.0或不大於約3.5或不大於約3.0或不大於約2.5或不大於約2.0或不大於約1.5或甚至不大於約1.0。應理解的是，複合物件100的介電常數可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的介電常數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據又一實施例，複合物件100可具有根據ASTM D2520測試方法C在5GHz下測得特定損耗正切。例如複合物件100可具有在5GHz下測得的不大於約0.5的損耗正切，諸如，不大於約0.1或不大於約0.05或不大於約0.01或不大於約0.005或不大於約0.001或不大於約0.0005或不大於約0.0001 或甚至不大於約0.00005。應理解的是，複合物件100的損耗正切可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的損耗正切可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據其他實施例，複合物件100可具有根據ASTM D2520測試方法C在15GHz下測得的特定損耗正切。例如複合物件100可具有在15GHz下測得的不大於約0.5的損耗正切。諸如，不大於約0.1或不大於約0.05或不大於約0.01或不大於約0.005或不大於約0.001或不大於約0.0005或不大於約0.0001或甚至不大於約0.00005。應理解的是，複合物件100的損耗正切可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的損耗正切可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，複合物件100可具有根據ASTM D2520測試方法C在30GHz下測得的特定損耗正切，例如複合物件100可具有在30GHz下測得的不大於約0.5的損耗正切。諸如，不大於約0.1或不大於約0.05或不大於約0.01或不大於約0.005或不大於約0.001或不大於約0.0005或不大於約0.0001或甚至不大於約0.00005。應理解的是，複合物件100的損耗正切可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的損耗正切可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據其他實施例，複合物件100可具有根據ASTM D2520測試方法C在40GHz下測得的特定損耗正切。例如複合物件100可具有在40GHz下測得的不大於約0.5的損耗正切。諸如，不大於約0.1或不大於約0.05或不大於約0.01或不大於約0.005或不大於約0.001或不大於約0.0005或不大於約0.0001或甚至不大於約0.00005。應理解的是，複合物件100的損耗正切可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的損耗正切可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，複合物件100可具有根據ASTM D882(對於具有高達1mm厚度的複合物件)或ASTM D638(對於具有1mm或更大厚度的複合物件)測得的特定拉伸強度。例如，複合物件100的拉伸強度可為至少約5MPa，諸如，至少約10MPa或至少約20MPa或至少約30MPa或至少約40MPa 或至少約50MPa或至少約60MPa或至少約70MPa或至少約80MPa或至少約90MPa或至少約100MPa或至少約150MPa或甚至至少約200MPa。根據再一些實施例，複合物件100的拉伸強度可不大於約500MPa，諸如，不大於約450MPa或甚至不大於約400MPa。應理解的是，複合物件100的拉伸強度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的拉伸強度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，複合物件100可具有根據ASTM D882(對於具有高達1mm厚度的複合物件)或ASTM D638(對於具有1mm或更大厚度的複合物件)測得的特定彈性模量.例如，複合物件100的彈性模量可為至少約0.1GPa，諸如，至少約0.5GPa或至少約1GPa或至少約5GPa或至少約10GPa或至少約15GPa或至少約20GPa或甚至至少約25GPa。根據再一些實施例，複合物件100的彈性模量可不大於約50GPa，諸如，不大於約45GPa或甚至不大於約40GPa。應理解的是，複合物件100的彈性模量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件100的彈性模量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據又一實施例，複合物件100可具有使用在Instron機械測試框架上執行的180°剝離測試測得的，同時以2英寸/分鐘的恆定速度拉伸樣品的特定第一峰值剝離強度。例如，複合物件100的第一峰值剝離強度可為至少約175牛頓/延米(NPM)，諸如，至少約200NPM或至少約225NPM或至少約250NPM或至少約275NPM或至少約300NPM或至少約325NPM或至少約350NPM或至少約375NPM或至少約400NPM或至少約425NPM或至少約450NPM或至少約475NPM或至少約500NPM或至少約525NPM或至少約550NPM或至少約575NPM或至少約600NPM或至少約625NPM或至少約650NPM或至少約675NPM或至少約700NPM或至少約725NPM或至少約750NPM或至少約775NPM或甚至至少約800NPM。應理解的是，複合物件100的第一峰值剝離強度可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是複合物件100的第一峰值剝離強度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。本文中所述之替代實施例還涉及可包括結構基板，多層氟聚合物薄膜，過渡層及低熔融氟聚合物黏著 層之複合物件，且該過渡層接觸多層氟聚合物薄膜，該低熔融氟聚合物黏著層接觸該結構基板及該過渡層。
為了說明的目的，圖2包括根據本文中所述之實施例的複合物件200的圖解。如圖1所示，複合物件200可包括結構基板210、多層氟聚合物薄膜230、過渡層225及低熔融氟聚合物黏著層220，該低熔融氟聚合物黏著層接觸該結構基板110及過渡層225。
應理解的是，複合物件200及參考複合物件200所述之所有組件，如圖2所示，可具有本文參考圖1中的對應組件所述之任何特徵。具體而言，圖2中所示的複合物件200、結構基板210、多層氟聚合物薄膜230及低熔融氟聚合物黏著層220的特徵可具有圖1中所示的本文參考複合物件100、結構基板110、多層氟聚合物薄膜130及低熔融氟聚合物黏著層120所述之任何相應特徵。
根據某些實施例，過渡層225可包括PVDF及PTFE的混合物。根據又一實施例，過渡層225可由PVDF及PTFE的混合物組成。
根據再一些實施例，過渡層225可包括特定含量的PVDF。例如，過渡層225可具有佔過渡層225之總重量的至少約5wt.%的PVDF含量，諸如，至少約10wt.%或至少約20wt.%或至少約30wt.%或至少約40wt.%或至少約50wt.%或至少約60wt.%或至少約70wt.%或至少約75wt.%。根據再一些實施例，過渡層225可具有佔過渡層225之總重量的不大於約100wt.%的PVDF含量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約75wt.%。應理解的是，過渡層225的PVDF含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，過渡層225的PVDF含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，過渡層225可包括特定含量的PTFE。例如，過渡層225可具有佔過渡層225之總重量的至少約5wt.%的PTFE含量，諸如，至少約10wt.%或至少約20wt.%或至少約30wt.%或至少約40wt.%或至少約50wt.%或至少約60wt.%或至少約70wt.%或至少約75wt.%。根據再一些實施例，過渡層225可具有佔過渡層225之總重量的不大於約100wt.%的PTFE含 量，諸如，不大於約99wt.%或不大於約98wt.%或不大於約97wt.%或不大於約96wt.%或不大於約95wt.%或不大於約90wt.%或不大於約85wt.%或不大於約80wt.%或甚至不大於約75wt.%。應理解的是，過渡層225的PTFE含量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，過渡層225的PTFE含量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據某些實施例，過渡層225可具有根據ASTM D4591使用差示掃描量熱法(DSC)測得的特定熔融溫度。例如，過渡層225可具有至少約50℃的熔融溫度，諸如，至少約60℃或至少約70℃或至少約80℃或至少約90℃或至少約100℃或至少約110℃或至少約120℃或至少約130℃或至少約140℃或甚至至少約150℃。根據再一些實施例，過渡層225可具有不大於約350℃的熔融溫度，諸如，不大於約340℃或不大於約330℃或不大於約320℃或不大於約310℃或不大於約300℃或不大於約275℃或不大於約250℃或不大於約225℃或甚至不大於約200℃。應理解的是，過渡層225的熔融溫度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，過渡層225的熔融溫度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，過渡層225可具有特定厚度。例如，過渡層225可具有至少約0.001mm的厚度，諸如，至少約0.0015mm或至少約0.002mm或至少約0.0025mm或至少約0.005mm或至少約0.0075mm或至少約0.01mm或至少約0.02mm或至少約0.03mm或至少約0.035mm或至少約0.04mm或至少約0.05mm或至少約0.06mm或至少約0.07mm或至少約0.08mm至少約0.09mm或甚至至少約0.1mm。根據再一些實施例，過渡層225可具有不大於約0.25mm的厚度，諸如，不大於約0.24mm或不大於約0.23mm或不大於約0.22mm或不大於約0.21mm或不大於約0.20mm或不大於約0.19mm或不大於約0.18mm或不大於約0.17mm或不大於約0.16mm或甚至不大於約0.15mm。應理解的是，過渡層225的厚度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，過渡層225的厚度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據又一實施例，複合物件200可具有根據ASTM D2520測試方法C在5GHz下測得的特定介電常數。例如複合物件200可具有在5GHz下測得的不大於約5.0的介電常數，諸如，不大於約4.5或不大於約4.0或不大於約3.5或不大於約3.0或不大於約2.5或不大於約2.0或不大於約1.5或甚至不大於約1.0。應理解的是，複合物件200的介電常數可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的介電常數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據其他實施例，複合物件200可具有根據ASTM D2520測試方法C在15GHz下測得的特定介電常數，例如複合物件200可具有在15GHz下測得的不大於約5.0的介電常數，諸如，不大於約4.5或不大於約4.0或不大於約3.5或不大於約3.0或不大於約2.5或不大於約2.0或不大於約1.5或甚至不大於約1.0。應理解的是，複合物件200的介電常數可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的介電常數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，複合物件200可具有根據ASTM D2520測試方法C在30GHz下測得的特定介電常數，例如複合物件200可具有在30GHz下測得的不大於約5.0的介電常數，諸如，不大於約4.5或不大於約4.0或不大於約3.5或不大於約3.0或不大於約2.5或不大於約2.0或不大於約1.5或甚至不大於約1.0。應理解的是，複合物件200的介電常數可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的介電常數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據其他實施例，複合物件200可具有根據ASTM D2520測試方法C在40GHz下測得的特定介電常數，例如複合物件200可具有在40GHz下測得的不大於約5.0的介電常數，諸如，不大於約4.5或不大於約4.0或不大於約3.5或不大於約3.0或不大於約2.5或不大於約2.0或不大於約1.5或甚至不大於約1.0。應理解的是，複合物件200的介電常數可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的介電常數可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據又一實施例，複合物件200可具有根據ASTM D2520測試方法C在5GHz下測得特定損耗正切。例如複合物件200可具有在5GHz下測得的不大於約0.5的損耗正切，諸如，不大於約0.1或不大於約0.05或不大於約0.01或不大於約0.005或不大於約0.001或不大於約0.0005或不大於約0.0001或甚至不大於約0.00005。應理解的是，複合物件200的損耗正切可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的損耗正切可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據其他實施例，複合物件200可具有根據ASTM D2520測試方法C在15GHz下測得的特定損耗正切。例如複合物件200可具有在15GHz下測得的不大於約0.5的損耗正切。諸如，不大於約0.1或不大於約0.05或不大於約0.01或不大於約0.005或不大於約0.001或不大於約0.0005或不大於約0.0001或甚至不大於約0.00005。應理解的是，複合物件200的損耗正切可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的損耗正切可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，複合物件200可具有根據ASTM D2520測試方法C在30GHz下測得的特定損耗正切，例如複合物件200可具有在30GHz下測得的不大於約0.5的損耗正切。諸如，不大於約0.1或不大於約0.05或不大於約0.01或不大於約0.005或不大於約0.001或不大於約0.0005或不大於約0.0001或甚至不大於約0.00005。應理解的是，複合物件200的損耗正切可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的損耗正切可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據其他實施例，複合物件200可具有根據ASTM D2520測試方法C在40GHz下測得的特定損耗正切。例如複合物件200可具有在40GHz下測得的不大於約0.5的損耗正切。諸如，不大於約0.1或不大於約0.05或不大於約0.01或不大於約0.005或不大於約0.001或不大於約0.0005或不大於約0.0001或甚至不大於約0.00005。應理解的是，複合物件200的損耗正切可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的損耗正切可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，複合物件200可具有根據ASTM D882(對於具有高達1mm厚度的複合物件)或ASTM D638(對於具有1mm或更大厚度的複合物件)測得的特定拉伸強度。例如，複合物件200的拉伸強度可為至少約5MPa，諸如，至少約10MPa或至少約20MPa或至少約30MPa或至少約40MPa或至少約50MPa或至少約60MPa或至少約70MPa或至少約80MPa或至少約90MPa或至少約100MPa或至少約150MPa或甚至至少約200MPa。根據再一些實施例，複合物件200的拉伸強度可不大於約500MPa，諸如，不大於約450MPa或甚至不大於約400MPa。應理解的是，複合物件200的拉伸強度可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的拉伸強度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據再一些實施例，複合物件200可具有根據ASTM D882(對於具有高達1mm厚度的複合物件)或ASTM D638(對於具有1mm或更大厚度的複合物件)測得的特定彈性模量.例如，複合物件200的彈性模量可為至少約0.1GPa，諸如，至少約0.5GPa或至少約1GPa或至少約5GPa或至少約10GPa或至少約15GPa或至少約20GPa或甚至至少約25GPa。根據再一些實施例，複合物件200的彈性模量可不大於約50GPa，諸如，不大於約45GPa或甚至不大於約40GPa。應理解的是，複合物件200的彈性模量可在上述任何最小值與最大值之間的範圍內。應進一步理解的是，複合物件200的彈性模量可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。
根據又一實施例，複合物件200可具有使用在Instron機械測試框架上執行的180°剝離測試測得的，同時以2英寸/分鐘的恆定速度拉伸樣品的特定第一峰值剝離強度。例如，複合物件200的第一峰值剝離強度可為至少約175牛頓/延米(NPM)，諸如，至少約200NPM或至少約225NPM或至少約250NPM或至少約275NPM或至少約300NPM或至少約325NPM或至少約350NPM或至少約375NPM或至少約400NPM或至少約425NPM或至少約450NPM或至少約475NPM或至少約500NPM或至少約525NPM或至少約550NPM或至少約575NPM或至少約600NPM或至少約625NPM或至少約650NPM或至少約675NPM或至少約700NPM或至少約725NPM或至少約750NPM或至少約 775NPM或甚至至少約800NPM。應理解的是，複合物件200的第一峰值剝離強度可在上述任何值之間的範圍內。應進一步理解的是複合物件200的第一峰值剝離強度可為上述任何最小值與最大值之間的任何值。應理解的是，根據本文中所述之實施例形成的複合物件可以藉由特定工藝形成，該特定工藝包括澆鑄工藝、擠出工藝、刮削工藝、模塑工藝、靜壓層壓工藝、壓延層壓工藝或任何其他卷對卷層壓工藝。
許多不同態樣及實施例係可行的。一些該等態樣及實施例已於本文中描述。在閱讀本說明書之後，熟習本技術者將理解該等態樣及實施例僅係說明性，且並不限制本發明的範圍。實施例可根據如下列實施例之任何一或多者。
實施例1.一種複合物件，其包括：結構基板、多層氟聚合物薄膜，該多層氟聚合物薄膜包括具有熔融溫度A1的高熔融氟聚合物層及具有熔融溫度A2的低熔融氟聚合物黏著層，其中低熔融氟聚合物黏著層接觸結構基板及多層氟聚合物薄膜，且熔融溫度A2小於熔融溫度A1。
實施例2.一種複合物件，其包括：結構基板、多層氟聚合物薄膜及包含PVDF之低熔融氟聚合物黏著層，其中低熔融氟聚合物黏著層接觸結構基板及氟聚合物疊層。
實施例3.一種複合物件，其包括：結構基板、多層氟聚合物薄膜及包含PVDF-HFP共聚物之低熔融氟聚合物黏著層，其中低熔融氟聚合物黏著層接觸結構基板及氟聚合物疊層。
實施例4.一種複合物件，其包括：結構基板、多層氟聚合物薄膜、包含PTFE及PVDF的混合物的過渡層及低熔融氟聚合物黏著層，其中過渡層接觸多層氟聚合物薄膜及低熔融氟聚合物黏著層，且其中低熔融氟聚合物黏著層接觸結構基板及過渡層。
實施例5.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該結構基板包含可熱成型材料。
實施例6.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該結構基板包含熱塑性材料。
實施例7.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中結構基板包含FR4或G10或HDPE或PP或PC或PET或PETG的任意組合。
實施例8.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該結構基板包含至少約0.025mm的厚度。
實施例9.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該結構基板包含不大於約2.54mm的厚度。
實施例10.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該結構基板包含至少約-150℃的玻璃轉化溫度。
實施例11.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該結構基板包含不大於約350℃的玻璃轉化溫度。
實施例12.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該結構基板包含至少約50℃的降解起始溫度。
實施例13.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該結構基板包含不大於約350℃的降解起始溫度。
實施例14.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含至少2個或至少約3個或至少約4個或至少約5個或至少約6個或至少約7個。
實施例15.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含不大於約9層。
實施例16.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含PTFE或FEP或PFA或TFM或THV或PVDF或P(VDF-HFP)或其組合。
實施例17.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含PTFE層或FEP層或PFA層或TFM層或THV層或PVDF層或P(VDF-HFP)層或其組合。
實施例18.如實施例16及17中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含填充物。
實施例19.如實施例18之複合物件，其中該填充物包含二氧化鈦或碳黑或石墨或奈米碳管或玻璃纖維或玻璃珠或滑石或吸收UV填充物或白色顏料填充物或顏料填充物或其任意組合。
實施例20.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含至少約0.005mm的厚度。
實施例21.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含不大於約0.25mm的厚度。
實施例22.如實施例2、3及4中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含高熔融氟聚合物層。
實施例23.如實施例1及22中任一項之複合物件，其中高熔融氟聚合物層包含至少約250℃的熔融溫度。
實施例24.如實施例1及22中任一項之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含不大於約350℃的熔融溫度。
實施例25.如實施例1及22中任一項之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含至少約0.001mm的厚度。
實施例26.如實施例1及22中任一項之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含不大於約0.25mm的厚度。
實施例27.如實施例22之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含佔高熔融氟聚合物層之總重量的至少約25wt.%的氟聚合物含量。
實施例28.如實施例22之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含佔高熔融氟聚合物層之總重量的不大於約100wt.%的氟聚合物含量。
實施例29.如實施例1及22中任一項之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含PTFE。
實施例30.如實施例29之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含佔高熔融氟聚合物層之總重量的至少約25wt.%的PTFE含量。
實施例31.如實施例29之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含佔高熔融氟聚合物層之總重量的不大於約100wt.%的PTFE含量。
實施例32.如實施例1及22中任一項之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含填充物。
實施例33.如實施例32之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含佔高熔融氟聚合物層之總重量的至少約0.05wt.%的填充物含量。
實施例34.如實施例32之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層包含佔高熔融氟聚合物層之總重量的不大於約75wt.%的填充物含量。
實施例35.如實施例32、33及34中任一項之複合物件，其中該填充物包含二氧化鈦或碳黑或石墨或奈米碳管或玻璃纖維或玻璃珠或吸收UV填充物或白色顏料填充物或顏料填充物或其任意組合。
實施例36.如實施例1及22中任一項之複合物件，其中該高熔融氟聚合物層係該複合物件的最外層。
實施例37.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含至少約50℃的熔融溫度。
實施例38.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含不大於約270℃的熔融溫度。
實施例39.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含PVDF或THV或ETFE或ECTFE或PVDF-HFP共聚物或其任意組合。
實施例40.如實施例39之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的至少約50wt.%的氟聚合物含量。
實施例41.如實施例39之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的不大於約100wt.%的氟聚合物含量。
實施例42.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含PVDF。
實施例43.如實施例42之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的至少約25wt.%的PVDF含量。
實施例44.如實施例42之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的不大於約100wt.%的PVDF含量。
實施例45.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含PVDF-HFP共聚物。
實施例46.如實施例45之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的至少約25wt.%的PVDF-HFP共聚物含量。
實施例47.如實施例45之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的不大於約100wt.%的PVDF-HFP共聚物含量。
實施例48.如實施例46及47中任一項之複合物件，其中該PVDF-HFP共聚物包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的至少約0.5wt.%的HFP含量。
實施例49.如實施例46及47中任一項之複合物件，其中該PVDF-HFP共聚物包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的不大於約50wt.%的HFP含量。
實施例50.如實施例46及47中任一項之複合物件，其中該PVDF-HFP共聚物包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的至少約50wt.%的PVDF含量。
實施例51.如實施例46及47中任一項之複合物件，其中該PVDF-HFP共聚物包含佔低熔融氟聚合物黏著層之總重量的不大於約99.5wt.%的PVDF含量。
實施例52.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含至少約0.001mm的厚度。
實施例53.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含不大於約0.25mm的厚度。
實施例54.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該複合物件還包含過渡層，其中該過渡層接觸該多層氟聚合物薄膜及該低熔融氟聚合物黏著層。
實施例55.如實施例4及54中任一項之複合物件，其中該過渡層包含PVDF，且其中該過渡層包含PTFE。
實施例56.如實施例55之複合物件，其中該過渡層包含佔過渡層之總重量的至少約5wt.%的PVDF含量。
實施例57.如實施例55之複合物件，其中該過渡層包含佔過渡層之總重量的不大於約95wt.%的PVDF含量。
實施例58.如實施例55之複合物件，其中該過渡層包含佔過渡層之總重量的至少約5wt.%的PTFE含量。
實施例59.如實施例55之複合物件，其中該過渡層包含佔過渡層之總重量的不大於約95wt.%的PTFE含量。
實施例60.如實施例55之複合物件，其中該過渡層包含至少約50℃的熔融溫度。
實施例61.如實施例55之複合物件，其中該過渡層包含不大於約350℃的熔融溫度。
實施例62.如實施例55之複合物件，其中該過渡層包含至少約0.001mm的厚度。
實施例63.如實施例55之複合物件，其中該過渡層包含不大於約0.25mm的厚度。
實施例64.如實施例1、2、3及4中任一項之複合物件，其中該過渡層包含PVDF，且其中該過渡層包含PTFE。
實施例65.如實施例64之複合物件，其中該過渡層包含佔過渡層之總重量的至少約5wt.%的PVDF含量。
實施例66.如實施例64之複合物件，其中該過渡層包含佔過渡層之總重量的不大於約95wt.%的PVDF含量。
實施例67.如實施例64之複合物件，其中該過渡層包含佔過渡層之總重量的至少約5wt.%的PTFE含量。
實施例68.如實施例64之複合物件，其中該過渡層包含佔過渡層之總重量的不大於約95wt.%的PTFE含量。
實例
本文中所述之概念將於下列實例中進一步描述，這些實例不限制申請專利範圍中所述之本發明的範圍。
實例1
根據本文中所述之實施例形成兩個樣品複合物件S1及S2。
樣品複合物件S1包括使用低熔融氟聚合物黏著層(LMA)及過渡層(TL)黏合至多層氟聚合物薄膜(MFF)的結構基板(SS)。樣品複合物件S1的構型為SS/LMA/TL/MFF。多層氟聚合物薄膜具有0.066mm的總厚度。結構基板係0.381mm厚的FR4基板。低熔融氟聚合物黏著層係黏合強度大於1.0PLI的PVDF層。過渡層係PTFE-PVDF，其包括佔過渡層之總重量的50wt.% PTFE及佔過渡層之總重量的50wt.% PVDF。多層氟聚合物薄膜包括3個氟聚合物層。第一氟聚合物層(即，覆蓋並接觸過渡層的層)係填充有佔第一層之總重量的4wt.%吸收UV碳黑的PTFE層。第二氟聚合物層(即，覆蓋並接觸第一氟聚合物層的層)係填充有佔第二氟聚合物層之總重量的8wt.% TiO2白色顏料的PTFE層。第三氟聚合物層(即，覆蓋並接觸第二氟聚合物層的層)係透明的疏水性PTFE表面層。樣品複合物件S1係在177℃的溫度、4MPa的壓力及1分鐘的停留時間下層壓的。
樣品複合物件S2包括使用低熔融氟聚合物黏著層(LMA)及過渡層(TL)黏合至多層氟聚合物薄膜(MFF)的結構基板(SS)。樣品複合物件S2的構型為SS/LMA/TL/MFF。多層氟聚合物薄膜具有0.066mm的總厚度。結構基板係0.381mm厚的FR4基板。低熔融氟聚合物黏著層係佔具有低熔融氟聚合物黏著層之總重量的4.5wt.% HFP，且黏合強度大於1.0PLI的P(VDF-HFP)共聚物層。過渡層係PTFE-P(VDF-HFP)，其包括佔過渡層之總重量的50wt.% PTFE及占過渡層之總重量的50wt.% P(VDF-HFP)共聚物。多層氟聚合物薄膜包括3 個氟聚合物層。第一氟聚合物層(即，覆蓋並接觸過渡層的層)係填充有佔第一層之總重量的4wt.%吸收UV碳黑的PTFE層。第二氟聚合物層(即，覆蓋並接觸第一氟聚合物層的層)係填充有佔第二氟聚合物層之總重量的8wt.% TiO2白色顏料的PTFE層。第三氟聚合物層(即，覆蓋並接觸第二氟聚合物層的層)係透明的疏水性PTFE表面層。樣品複合物件S2係在177℃的溫度、4MPa的壓力及1分鐘的停留時間下層壓的。
為了對比的目的，製備了對比樣品複合物件CS1。
對比樣品複合物件CS1包括結合至PTFE外殼薄膜(PCF)的結構基板(SS)。對比樣品複合物件CS1的構型為SS/PCF。結構基板係0.381mm厚的FR4基板。該PTFE外殼薄膜具有3密耳的厚度。樣品複合物件CS1係在177℃的溫度、4MPa的壓力及1分鐘的停留時間下層壓的。
測試樣品複合物件S1及S2以及對比樣品複合物件CS1以確定它們的第一峰值剝離強度。第一峰值剝離強度係使用在Instron機械測試框架上執行的180°剝離測試進行測試，同時以2英寸/分鐘的恆定速度拉伸樣品。
圖3a包括在樣品複合物件S1的剝離強度測試期間剝離延伸與施加的載荷的關係圖。圖3b包括在樣品複合物件S2的剝離強度測試期間剝離延伸與施加的載荷的關係圖。剝離強度測試的結果總結於下表1中。
表1：第一峰值剝離強度對比
Figure 111119351-A0101-12-0033-1
請注意，並非上文一般說明或實例中所述的所有行為均係需要，可能並不需要特定行為的一部分，並且除了所述者之外的一或多種進一步行為可予執行。又進一步地，所列出的行為之順序不一定是它們的執行順序。
益處、其他優點及解決問題之技術手段已於上文針對特定實施例而描述。然而，益處、優點、解決問題之技術手段以及可造成任何益處、優點、解決問題之技術手段發生或變得更加顯著之任何特徵不應被解釋為任何或所有請求項之關鍵、所需或必要特徵。
說明書及本文中所述之實施例的描繪係意欲提供各種實施例之結構的一般瞭解。說明書和描繪並非意欲用作使用本文中所述之結構或方法的裝置和系統之所有元件和特徵之詳盡和全面的描述。單獨的實施例亦可在單一實施例中組合提供，並且相反地，為了簡潔起見，在單一實施例的上下文中所述的各種特徵亦可單獨提供或以任何次組合來提供。進一步地，引用範圍中所述的值包括該範圍內的各個及每個值。只有在閱讀本說明書之後，許多其他實施例對於熟習本技術領域者才是清楚易見的。其他實施例可予使用並衍生自本揭示，使得結構取代、邏輯性取代，或另外的改變可在不脫離本揭示的範圍下進行。據此，本揭示應被視為說明性的而非限制性的。
100:複合物件
110:結構基板
120:低熔融氟聚合物黏著層
130:多層氟聚合物薄膜
131、132、133:層

Claims (10)

  1. 一種複合物件，其包含：
    結構基板，
    多層氟聚合物薄膜，其包含具有熔融溫度A1之高熔融氟聚合物層，以及
    低熔融氟聚合物黏著層，其具有熔融溫度A2，
    其中該低熔融氟聚合物黏著層接觸該結構基板及該多層氟聚合物薄膜，以及
    其中該熔融溫度A2小於該熔融溫度A1。
  2. 一種複合物件，其包含：
    結構基板，
    多層氟聚合物薄膜，以及
    低熔融氟聚合物黏著層，其包含PVDF，
    其中該低熔融氟聚合物黏著層接觸該結構基板及該氟聚合物堆疊。
  3. 一種複合物件，其包含：
    結構基板，
    多層氟聚合物薄膜，以及
    低熔融氟聚合物黏著層，其包含PVDF-HFP共聚物，
    其中該低熔融氟聚合物黏著層接觸該結構基板及該氟聚合物堆疊。
  4. 如請求項1、2及3中任一項之複合物件，其中該結構基板包含可熱成型材料。
  5. 如請求項1、2及3中任一項之複合物件，其中該結構基板包含熱塑性材料。
  6. 如請求項1、2及3中任一項之複合物件，其中該結構基板包含至少約-150℃且不大於約350℃之玻璃轉化溫度。
  7. 如請求項1、2及3中任一項之複合物件，其中該多層氟聚合物薄膜包含填充物。
  8. 如請求項7之複合物件，其中該等填充物包含二氧化鈦或碳黑或石墨或奈米碳管或玻璃纖維或玻璃珠或滑石或吸收UV填充物或白色顏料填充物或顏料填充物或其任意組合。
  9. 如請求項1、2及3中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含PVDF。
  10. 如請求項1、2及3中任一項之複合物件，其中該低熔融氟聚合物黏著層包含PVDF-HFP共聚物。
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