TW202243854A - 射出成形體、襯管及襯閥 - Google Patents

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山本有香里
山口安行
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Abstract

本發明提供一種射出成形體，其係具備形成流體之流路之管體部、及形成於上述管體部之一端或兩端之凸緣部者，且上述凸緣部之最大厚度為2～12 mm，上述射出成形體包含：含有四氟乙烯單元及氟(烷基乙烯基醚)單元之共聚物，上述共聚物之氟(烷基乙烯基醚)單元之含量相對於全部單體單元為2.8～6.0質量%，上述共聚物於372℃之熔體流動速率為4.0 g/10分鐘以上且未達11.0 g/10分鐘，上述共聚物之官能基數量為50個以下。

Description

射出成形體、襯管及襯閥
本發明係關於一種射出成形體、襯管及襯閥。
專利文獻1中記載有一種遍及導管之內周面及凸緣面而實施了襯裏之襯管。
專利文獻2中記載有以下內容：將圓柱狀之芯體插入至圓筒狀物品之中空部，向物品與芯體之間隙射出注入樹脂，在樹脂冷卻、固化後拔出芯體而對圓筒狀物品之內表面實施襯裏，於此方法中，使用於372℃之熔融黏度為1～7×10 5泊之全氟碳樹脂作為樹脂。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開昭58-132512號公報 [專利文獻2]日本特公平01-053167號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明之目的在於：提供一種射出成形體，其係具備管體部及厚度較大之凸緣部者，且即便於高溫環境下使用，亦可抑制管體部內表面之磨耗及凸緣部之密封性之降低。 [解決課題之技術手段]
根據本發明，提供一種射出成形體，其係具備形成流體之流路之管體部、及形成於上述管體部之一端或兩端之凸緣部者，且上述凸緣部之最大厚度為2～12 mm，上述射出成形體包含：含有四氟乙烯單元及氟(烷基乙烯基醚)單元之共聚物，上述共聚物之氟(烷基乙烯基醚)單元之含量相對於全部單體單元為2.8～6.0質量%，上述共聚物於372℃之熔體流動速率為4.0 g/10分鐘以上且未達11.0 g/10分鐘，上述共聚物之官能基數量為50個以下。
上述共聚物之上述氟(烷基乙烯基醚)單元較佳為全氟(丙基乙烯基醚)單元。 上述共聚物之上述氟(烷基乙烯基醚)單元之含量相對於全部單體單元，較佳為3.5～5.5質量%。 上述共聚物於372℃之熔體流動速率較佳為5.0～9.0 g/10分鐘。 上述共聚物之熔點較佳為295～315℃。 上述射出成形體較佳為襯管或襯閥之襯裏構件。
又，根據本發明，提供一種襯管，其與流體之接觸面經上述之射出成形體而實施了襯裏。
又，根據本發明，提供一種襯閥，其與流體之接觸面經上述之射出成形體而實施了襯裏。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種射出成形體，其係具備管體部及厚度較大之凸緣部者，且即便於高溫環境下使用，亦可抑制管體部內表面之磨耗及凸緣部之密封性之降低。
以下，對本發明之具體實施方式詳細地進行說明，但本發明並不限定於以下實施方式。
以往，為了防止管體或閥之腐蝕或積垢之附著，而使用於管體或閥之內表面設置有氟樹脂之襯裏之襯管或襯閥。作為對管體或閥實施氟樹脂之襯裏之方法，已知有射出成形方法及旋轉成形方法。該等方法之中，射出成形方法具有以下優點：能夠容易地形成相對較厚之襯裏、以及所獲得之射出成形體之內表面相對較平滑等。又，於襯裏具備凸緣部之情形時，亦具有以下優點：可使管體部與凸緣部一體成形、以及容易地形成厚度較大且顯示出相對較高之機械強度之凸緣部。
然而，藉由射出成形法而實施了氟樹脂之襯裏之習知襯管及襯閥存在以下問題：包含固形粒子之高溫流體之通過會造成內表面磨耗、或者於高溫環境下，被緊固之凸緣部逐漸發生變形，而變得無法獲得充分之密封性。於凸緣部之厚度較大之情形時，相較於厚度較小之凸緣而言，即便變化之比率相同，亦會產生更大之間隙，因此凸緣部之厚度大者其密封性容易降低。因此，要求一種技術，其藉由增加凸緣部之厚度，而確保即便受到衝擊凸緣部亦不容易破損之強度，並且即便於高溫環境下使用時，仍可抑制管體部內表面之磨耗及凸緣部之密封性之降低。
本發明之射出成形體具備形成流體之流路之管體部、及形成於上述管體部之一端或兩端之凸緣部，且凸緣部之最大厚度為2～12 mm。因此，本發明之射出成形體之凸緣部具有充分之強度，不易因衝擊等而破損。進而，管體部及凸緣部係由共聚物所形成，該共聚物係含有四氟乙烯（TFE）單元及氟(烷基乙烯基醚)（FAVE）單元者，且FAVE單元之含量、熔體流動速率（MFR）及官能基數量處於極為受限之範圍內。藉此，管體部之耐磨耗性得到改善，當凸緣部之厚度較大時尤其成為問題之凸緣部之密封性降低亦得到抑制。
於圖1示出使用本發明之射出成形體作為用於對內表面實施襯裏之襯裏構件之襯管之一實施方式。圖1所示之襯管100具備襯裏構件1、及經襯裏構件1實施了襯裏之管體2。襯裏構件1具備形成流體之流路之管體部11、及形成於管體部11之兩端之凸緣部12。襯裏構件1中，於兩端設置有凸緣部12，但亦可僅於一端設置有凸緣部12。
襯裏構件1係凸緣部12與管體部11一體成形之射出成形體。通常而言，凸緣部12與其他管或閥所具備之凸緣部藉由隔著襯墊緊固而連接。
本發明之射出成形體中，凸緣部12之最大厚度為2～12 mm。如此，藉由增加凸緣部12之最大厚度，而可使得即便凸緣部12受到衝擊仍不易破損。若凸緣部12之厚度較大，則連接部分之密封性容易降低，但由於本發明之射出成形體係由FAVE單元之含量、MFR及官能基數量處於極為受限之範圍內之共聚物所形成，因此即便於高溫下持續使用時，密封性仍不易降低。若凸緣部之厚度過小，則模具之厚度亦變小，共聚物難以填充至模具，從而無法獲得具備所需形狀之凸緣部之射出成形體。若凸緣部之厚度過大，則射出成形時容易產生被稱為孔隙之成形不良，凸緣部容易破損。
圖1所示之射出成形體100中，凸緣部12之厚度較均勻，但厚度亦能夠以最大厚度處於2～12 mm之範圍內之方式進行變化。於一實施方式中，凸緣部12整體之厚度亦可處於2～12 mm之範圍內。凸緣部12之最大厚度較佳為3 mm以上；且較佳為10 mm以下，更佳為8 mm以下。
射出成形體100之管體部1與管體2之形狀同樣地為圓筒狀，以對管體2之內表面實施襯裏。管體部1之形狀並不限於圓筒狀，可為與實施襯裏之對象物之形狀吻合之形狀。管體部1之形狀例如可為圓筒狀、角形柱狀、球狀等。又，管體部1可彎曲，亦可具有分支。
射出成形體100之管體部1之厚度並無特別限定，例如可為0.1～100 mm。
本發明之射出成形體包含：含有四氟乙烯（TFE）單元及氟(烷基乙烯基醚)（FAVE）單元之共聚物。該共聚物係熔融加工性氟樹脂。熔融加工性係指能夠使用擠出機及射出成形機等習知加工機器來使聚合物熔融並進行加工之性質。
作為構成上述FAVE單元之FAVE，可例舉選自由通式（1）： CF 2=CFO(CF 2CFY 1O) p-(CF 2CF 2CF 2O) q-Rf    （1） （式中，Y 1表示F或CF 3，Rf表示碳數1～5之全氟烷基。p表示0～5之整數，q表示0～5之整數）所表示之單體、及通式（2）： CFX=CXOCF 2OR 1（2） （式中，X相同或不同，表示H、F或CF 3，R 1表示直鏈或支鏈之可包含1～2個選自由H、Cl、Br及I所組成之群中之至少1種原子之碳數1～6之氟烷基、或者可包含1～2個選自由H、Cl、Br及I所組成之群中之至少1種原子之碳數5或6的環狀氟烷基）所表示之單體所組成之群中之至少1種。
其中，作為上述FAVE，較佳為通式（1）所表示之單體，更佳為選自由全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)（PEVE）及全氟(丙基乙烯基醚)（PPVE）所組成之群中之至少1種，進而較佳為選自由PEVE及PPVE所組成之群中之至少1種，特佳為PPVE。
共聚物之FAVE單元之含量相對於全部單體單元為2.8～6.0質量%。共聚物之FAVE單元之含量更佳為3.0質量%以上，進而較佳為3.2質量%以上，進一步較佳為3.3質量%以上，特佳為3.4質量%以上，最佳為3.5質量%以上；且更佳為5.8質量%以下，進而較佳為5.6質量%以下，進一步較佳為5.5質量%以下。若共聚物之FAVE單元之含量過多，則無法充分地抑制因高溫流體流通而產生之管體部內表面之磨耗。若共聚物之FAVE單元之含量過少，則當於高溫下使用時，凸緣部之密封性降低。
共聚物之TFE單元之含量相對於全部單體單元，較佳為94.0～97.2質量%，更佳為94.2質量%以上，進而較佳為94.4質量%以上，進一步較佳為94.5質量%以上；且更佳為97.0質量%以下，進而較佳為96.8質量%以下，進一步較佳為96.7質量%以下，特佳為96.6質量%以下，最佳為96.5質量%以下。若共聚物之TFE單元之含量過少，則存在無法充分地抑制因高溫流體流通而產生之管體部內表面之磨耗之虞。若共聚物之TFE單元之含量過多，則當於高溫下使用時，存在凸緣部之密封性降低之虞。
於本發明中，共聚物中之各單體單元之含量係利用 19F-NMR法來進行測定。
共聚物亦可含有來自能夠與TFE及FAVE共聚合之單體之單體單元。於該情形時，能夠與TFE及FAVE共聚合之單體單元之含量相對於共聚物之全部單體單元，較佳為0～3.2質量%，更佳為0.05～1.0質量%，進而較佳為0.1～0.3質量%。
作為能夠與TFE及FAVE共聚合之單體，可例舉：六氟丙烯（HFP）、CZ 1Z 2=CZ 3(CF 2) nZ 4（式中，Z 1、Z 2及Z 3相同或不同，表示H或F，Z 4表示H、F或Cl，n表示2～10之整數）所表示之乙烯系單體、及CF 2=CF-OCH 2-Rf 1（式中，Rf 1表示碳數1～5之全氟烷基）所表示之烷基全氟乙烯基醚衍生物等。其中，較佳為HFP。
作為共聚物，較佳為選自由僅由TFE單元及FAVE單元構成之共聚物、及TFE/HFP/FAVE共聚物所組成之群中之至少1種，更佳為僅由TFE單元及FAVE單元構成之共聚物。
共聚物之熔體流動速率（MFR）為4.0 g/10分鐘以上且未達11.0 g/10分鐘。共聚物之MFR較佳為4.5 g/10分鐘以上，更佳為5.0 g/10分鐘以上；且較佳為10.5 g/10分鐘以下，更佳為10.0 g/10分鐘以下，進而較佳為9.5 g/10分鐘以下，特佳為9.0 g/10分鐘以下。若MFR過低，則無法獲得具備具有所需厚度之凸緣部之射出成形體。若共聚物之MFR過高，則無法充分地抑制因高溫流體流通而產生之管體部內表面之磨耗，又，當於高溫下使用時，凸緣部之密封性降低。
於本發明中，MFR係依據ASTM D1238，使用熔融指數測定儀（Melt Indexer），於372℃、5 kg負載下，求出每10分鐘自內徑2.1 mm、長度8 mm之噴嘴流出之聚合物之質量（g/10分鐘）而獲得之值。
MFR可藉由調整使單體聚合時所使用之聚合起始劑之種類及量、鏈轉移劑之種類及量等來進行調整。
於本發明中，共聚物之相對於每10 6個主鏈碳數而言之官能基數量為50個以下，較佳為40個以下，更佳為30個以下，進而較佳為20個以下，進一步較佳為15個以下，特佳為10個以下，最佳為未達6個。若共聚物之官能基數量過多，則當於高溫下使用時，凸緣部之密封性降低。
上述官能基之種類之鑑定及官能基數量之測定可使用紅外線光譜分析法。
關於官能基數量，具體而言係利用以下方法進行測定。首先，藉由冷壓使上述共聚物成形而製成厚度0.25～0.30 mm之膜。藉由傅立葉轉換紅外線光譜分析對該膜進行分析，獲得上述共聚物之紅外線吸收光譜，並獲得與完全氟化而不存在官能基之基譜（base spectrum）之差譜。根據該差譜中所出現之特定官能基之吸收峰，依據下述式（A），算出上述共聚物中相對於每1×10 6個碳原子而言之官能基數量N。
N＝I×K/t     （A） I：吸光度 K：校正係數 t：膜之厚度（mm）
作為參考，於表1示出若干官能基之吸收頻率、莫耳吸光係數及校正係數。又，莫耳吸光係數係根據低分子模型化合物之FT-IR測定數據來確定。 [表1]
官能基 吸收頻率（cm -1） 莫耳吸光係數（l/cm/mol） 校正係數 模型化合物
-COF 1883 600 388 C 7F 15COF
-COOH free 1815 530 439 H(CF 2) 6COOH
-COOH bonded 1779 530 439 H(CF 2) 6COOH
-COOCH 3 1795 680 342 C 7F 15COOCH 3
-CONH 2 3436 506 460 C 7H 15CONH 2
-CH 2OH、-OH 3648 104 2236 C 7H 15CH 2OH
-CF 2H 3020 8.8 26485 H(CF 2CF 2) 3CH 2OH
-CF=CF 2 1795 635 366 CF 2=CF 2
-CH 2CF 2H、-CH 2COF、-CH 2COOH、-CH 2COOCH 3、-CH 2CONH 2之吸收頻率分別較表中所示之-CF 2H、-COF、-COOH free與-COOH bonded、-COOCH 3、-CONH 2之吸收頻率低數十k數（kayser）（cm -1）。
例如，-COF之官能基數量係指根據起因於-CF 2COF之吸收頻率1883 cm -1之吸收峰而求出之官能基數量、與根據起因於-CH 2COF之吸收頻率1840 cm -1之吸收峰而求出之官能基數量的合計。
官能基係存在於共聚物之主鏈末端或側鏈末端之官能基、及存在於主鏈中或側鏈中之官能基。官能基數量可為-CF=CF 2、-CF 2H、-COF、-COOH、-COOCH 3、-CONH 2及-CH 2OH之合計數量。
上述官能基例如藉由製造共聚物時所使用之鏈轉移劑或聚合起始劑而導入至共聚物中。例如，於使用醇作為鏈轉移劑，或者使用具有-CH 2OH結構之過氧化物作為聚合起始劑之情形時，-CH 2OH被導入至共聚物之主鏈末端。又，藉由使具有官能基之單體聚合而將上述官能基導入至共聚物之側鏈末端。
藉由對此類具有官能基之共聚物進行氟化處理，而可獲得具有上述範圍內之官能基數量之共聚物。即，本發明之射出成形體所含之共聚物較佳為經氟化處理而得者。本發明之射出成形體所含之共聚物亦較佳為具有-CF 3末端基。
共聚物之熔點較佳為295～315℃，更佳為300℃以上，進而較佳為301℃以上，特佳為302℃以上；且更佳為310℃以下，進而較佳為305℃以下。藉由使熔點位於上述範圍內，而可進一步抑制管體部內表面之磨耗及凸緣部之密封性之降低。
於本發明中，熔點可使用示差掃描熱量計[DSC]來進行測定。
本發明之射出成形體於150℃之儲存模數（E’）較佳為67 MPa以上，更佳為70 MPa以上。藉由使射出成形體於150℃之儲存模數（E’）處於上述範圍內，使得射出成形體於高溫下之彈性模數進一步變高，高溫高彈性更加優異。因此，不僅進一步提高凸緣部之密封性，亦可進一步抑制密封性之降低。
儲存模數（E’）可藉由於升溫速度2℃/分鐘、頻率10 Hz條件下，在30～250℃之範圍進行動態黏彈性測定來測定。
本發明之射出成形體可藉由使上述共聚物射出成形而製造。更詳細而言，本發明之射出成形體可利用以下製造方法進行製造，即，使用具備缸體（cylinder）、及收容於缸體內之螺桿之射出成形機，使共聚物射出成形，藉此獲得射出成形體。向射出成形機供給之共聚物之形狀並無特別限定，可使用粉體、顆粒等形狀之共聚物。
又，亦可於管體或閥之中空部設置芯材，自射出成形機射出熔融狀態之共聚物，注入至管體或閥之內表面與芯材之間隙，使共聚物冷卻而固化後，拔出芯材，藉此製得管體或閥之內表面實施有襯裏之狀態之射出成形體。
本發明之射出成形體可較佳地用作襯管或襯閥之襯裏構件。
藉由利用本發明之射出成形體對管體之內表面實施襯裏，而可製作襯管。襯管可具備由本發明之射出成形體所形成之襯裏構件、及經襯裏構件實施了襯裏之管體。藉由利用襯裏構件形成襯管之與流體之接觸面，而即便當管體由金屬所形成時，仍可抑制管體之腐蝕，進而可抑制積垢附著於襯管之內表面。襯管可較佳地用作供藥液流通之配管。
藉由利用本發明之射出成形體對閥本體之內表面實施襯裏，而可製作襯閥。襯閥可具備由本發明之射出成形體所形成之襯裏構件、及經襯裏構件實施了襯裏之閥本體。藉由利用襯裏構件形成襯閥之與流體之接觸面，而即便當閥本體由金屬所形成時，仍可抑制閥本體之腐蝕，進而亦可抑制積垢附著於襯閥之內表面。襯閥可較佳地用作供藥液流通之閥。
以上，對實施方式進行了說明，但應理解為可不脫離申請專利範圍之主旨及範圍而進行形態或詳情之各種變更。 [實施例]
繼而，例舉實施例來對本發明之實施方式進行說明，但本發明並不僅限定於該實施例。
實施例之各數值係利用以下方法進行測定。
（單體單元之含量） 各單體單元之含量係藉由NMR分析裝置（例如，Bruker BioSpin公司製造，AVANCE300，高溫探針）來進行測定。
（熔體流動速率（MFR）） 依據ASTM D1238，使用熔融指數測定儀（Melt Indexer）G-01（東洋精機製作所公司製造），於372℃、5 kg負載下，求出每10分鐘自內徑2.1 mm、長度8 mm之噴嘴流出之聚合物之質量（g/10分鐘）。
（熔點） 使用示差掃描熱量計（商品名：X-DSC7000，Hitachi High-Tech Science公司製造），進行以升溫速度10℃/分鐘自200℃升溫至350℃之第一次升溫，繼而，以冷卻速度10℃/分鐘自350℃冷卻至200℃後，再次進行以升溫速度10℃/分鐘自200℃升溫至350℃之第二次升溫，根據第二次升溫過程中所生成之熔融曲線峰來求出熔點。
（官能基數量） 藉由冷壓使共聚物之顆粒成形而製成厚度0.25～0.30 mm之膜。藉由傅立葉轉換紅外線光譜分析裝置[FT-IR（Spectrum One，珀金埃爾默公司製造）]對該膜進行40次掃描、分析，獲得紅外線吸收光譜，且獲得與完全氟化而不存在官能基之基譜之差譜。根據該差譜中所出現之特定官能基之吸收峰，依據下述式（A），算出試樣中相對於每1×10 6個碳原子而言之官能基數量N。 N＝I×K/t    （A） I：吸光度 K：校正係數 t：膜之厚度（mm） 作為參考，於表2示出本發明中之官能基之吸收頻率、莫耳吸光係數及校正係數。莫耳吸光係數係根據低分子模型化合物之FT-IR測定數據來確定。
[表2]
官能基 吸收頻率（cm -1） 莫耳吸光係數（l/cm/mol） 校正係數 模型化合物
-COF 1883 600 388 C 7F 15COF
-COOH free 1815 530 439 H(CF 2) 6COOH
-COOH bonded 1779 530 439 H(CF 2) 6COOH
-COOCH 3 1795 680 342 C 7F 15COOCH 3
-CONH 2 3436 506 460 C 7H 15CONH 2
-CH 2OH、-OH 3648 104 2236 C 7H 15CH 2OH
-CF 2H 3020 8.8 26485 H(CF 2CF 2) 3CH 2OH
-CF=CF 2 1795 635 366 CF 2=CF 2
合成例1 於174 L容積之高壓釜投入純水51.8 L，在充分地進行氮氣置換後，加入全氟環丁烷40.9 kg、全氟(丙基乙烯基醚)（PPVE）0.54 kg、及甲醇5.10 kg，系統內之溫度保持為35℃，攪拌速度保持為200 rpm。繼而，壓入四氟乙烯（TFE）直至壓力變為0.64 MPa後，投入過氧化二碳酸二正丙酯之50%甲醇溶液0.051 kg後開始聚合。由於隨著聚合之進行，系統內壓力降低，因此連續地供給TFE而使壓力固定，每供給1 kg之TFE便追加投入0.020 kg之PPVE。當TFE之追加投入量達到40.9 kg時，停止聚合。釋出未反應之TFE，使高壓釜內恢復為大氣壓後，對所獲得之反應產物進行水洗、乾燥，獲得41.1 kg之粉末。
對於所獲得之粉末，藉由螺桿擠出機（商品名：PCM46，池貝公司製造），於360℃進行熔融擠出，獲得TFE/PPVE共聚物之顆粒。使用所獲得之顆粒，利用上述方法來測定PPVE含量。
將所獲得之顆粒放入至真空振動式反應裝置VVD-30（大川原製作所公司製造），並升溫至210℃。在抽真空後，導入利用N 2氣體稀釋至20體積%之F 2氣體，直至變為大氣壓。自導入F 2氣體開始經過0.5小時後，暫時抽真空，並再次導入F 2氣體。進而再經過0.5小時後，再次抽真空，並再次導入F 2氣體。此後，繼續每小時進行一次上述F 2氣體導入及抽真空之操作，於210℃之溫度下進行10小時反應。反應結束後，將反應器內充分地置換為N 2氣體，結束氟化反應。使用經氟化之顆粒，利用上述方法來測定各種物性。
合成例2 以PPVE為3.47 kg、甲醇為3.28 kg、過氧化二碳酸二正丙酯之50%甲醇溶液為0.026 kg、每供給1 kg之TFE便追加投入0.071 kg之PPVE之方式進行變更，獲得乾燥粉末43.8 kg，除此之外，與合成例1同樣地進行操作，獲得經氟化之顆粒。
合成例3 以PPVE為2.69 kg、甲醇為0.10 kg、過氧化二碳酸二正丙酯之50%甲醇溶液為0.026 kg、每供給1 kg之TFE便追加投入0.057 kg之PPVE之方式進行變更，獲得乾燥粉末43.2 kg，除此之外，與合成例1同樣地進行操作，獲得經氟化之顆粒。
合成例4 以PPVE為2.69 kg、甲醇為2.48 kg、每供給1 kg之TFE便追加投入0.057 kg之PPVE之方式進行變更，獲得乾燥粉末43.2 kg，除此之外，與合成例1同樣地進行操作，獲得經氟化之顆粒。
合成例5 以PPVE為2.75 kg、甲醇為0.88 kg、每供給1 kg之TFE便追加投入0.058 kg之PPVE之方式進行變更，獲得乾燥粉末43.3 kg，除此之外，與合成例1同樣地進行操作，獲得未經氟化之顆粒。
合成例6 以PPVE為1.49 kg、甲醇為1.65 kg、每供給1 kg之TFE便追加投入0.036 kg之PPVE之方式進行變更，獲得乾燥粉末42.4 kg，除此之外，與合成例1同樣地進行操作，獲得經氟化之顆粒。
合成例7 以PPVE為2.11 kg、甲醇為1.28 kg、每供給1 kg之TFE便追加投入0.047 kg之PPVE、真空振動式反應裝置之升溫溫度為170℃、於170℃之溫度下反應5小時之方式進行變更，獲得乾燥粉末42.8 kg，除此之外，與合成例1同樣地進行操作，獲得經氟化之顆粒。
合成例8 以PPVE為2.75 kg、甲醇為0.60 kg、每供給1 kg之TFE便追加投入0.058 kg之PPVE之方式進行變更，獲得乾燥粉末43.3 kg，除此之外，與合成例1同樣地進行操作，獲得經氟化之顆粒。
將結果示於表3。
[表3]
   PPVE含量 （質量%） MFR （g/10分鐘） 熔點 （℃） 官能基數量 （個/C 10 6）
合成例1 2.0 8.0 314 ＜6
合成例2 6.6 9.0 298 ＜6
合成例3 5.4 2.3 301 ＜6
合成例4 5.4 15.0 302 ＜6
合成例5 5.5 8.8 302 193
合成例6 3.5 5.0 307 ＜6
合成例7 4.5 7.0 303 28個
合成例8 5.5 9.0 302 ＜6
表3中之記載「＜6」係指官能基數量未達6個。
例1～8 使用上述所獲得之顆粒，利用以下方法來製作射出成形體。將結果示於表4。
射出成形體（1）之製作（比較） 使用射出成形機（住友重機械工業公司製造，SE50EV-A），將缸體溫度設為395℃，模具溫度設為220℃，射出速度設為3 mm/s，壓力保持為50 MPa，使顆粒射出成形，藉此製得片狀射出成形體（10 cm×10 cm×0.10 cmt）。雖欲藉由切割所獲得之片狀射出成形體而製作射出成形體（1），但經熔融之共聚物無法充分地填充於模具，而無法獲得成形體。
射出成形體（2）之製作 使用射出成形機（住友重機械工業公司製造，SE50EV-A），將缸體溫度設為395℃，模具溫度設為220℃，射出速度設為3 mm/s，壓力保持50 MPa，使顆粒射出成形，藉此製得片狀射出成形體（10 cm×10 cm×0.30 cmt）。藉由切割所獲得之片狀射出成形體，而製得射出成形體（2）。
射出成形體（3）之製作 使用射出成形機（住友重機械工業公司製造，SE50EV-A），將缸體溫度設為395℃，模具溫度設為220℃，射出速度設為3 mm/s，壓力保持為50 MPa，使顆粒射出成形，藉此製得片狀射出成形體（5 cm×5 cm×0.7 cmt）。藉由切割所獲得之片狀射出成形體，而製得射出成形體（3）。
射出成形體（4）之製作 使用射出成形機（住友重機械工業公司製造，SE50EV-A），將缸體溫度設為395℃，模具溫度設為220℃，射出速度設為3 mm/s，壓力保持為50 MPa，使顆粒射出成形，藉此製得片狀射出成形體（5 cm×5 cm×1.0 cmt）。藉由切割所獲得之片狀射出成形體，而製得射出成形體（4）。
射出成形體（5）之製作（比較） 使用射出成形機（住友重機械工業公司製造，SE50EV-A），將缸體溫度設為395℃，模具溫度設為220℃，射出速度設為3 mm/s，壓力保持為50 MPa，使顆粒射出成形，藉此製得片狀射出成形體（5 cm×5 cm×1.5 cmt）。藉由切割所獲得之片狀射出成形體，而製得射出成形體（5）。
對於射出成形體（2）～（5），依據以下基準對外觀進行評價。將結果示於表5。表5中，「無法成形」係指經熔融之共聚物無法充分地填充於模具而無法獲得成形體。
（成形性評價（孔隙）） 藉由目視對10個射出成形體進行確認，依據以下基準進行評價。 N：所有成形體中未觀察到孔隙 Y：於1個以上之成形體中觀察到孔隙
（成形性評價（毛邊）） 藉由目視對射出成形體進行確認，依據以下基準進行評價。 N：未觀察到毛邊 Y：觀察到毛邊
[表4]
   共聚物 之種類 射出成形體（1）之製作（比較） 射出成形體（2）之製作 射出成形體（3）之製作 射出成形體（4）之製作 射出成形體（5）之製作（比較）
孔隙 毛邊 孔隙 毛邊 孔隙 毛邊 孔隙 毛邊 孔隙 毛邊
例1 合成例1 無法成形 N N N N N N Y N
例2 合成例2 無法成形 N N N N N N Y N
例3 合成例3 無法成形 無法成形 無法成形 無法成形 無法成形
例4 合成例4 無法成形 N Y N Y N Y Y Y
例5 合成例5 無法成形 N N N N N N Y N
例6 合成例6 無法成形 N N N N N N Y N
例7 合成例7 無法成形 N N N N N N Y N
例8 合成例8 無法成形 N N N N N N Y N
例9～13（比較）、例14～16 利用以下方法，對上述所獲得之射出成形體進行評價。將結果示於表5。
（磨耗試驗） 使用上述所獲得之射出成形體（2）作為試片，將所製得之試片固定於TABER磨耗試驗機（No.101 特型TABER式剝蝕測試機，安田精機製作所公司製造）之試驗台，於試片表面溫度90℃、負載500 g、磨輪CS-10（經研磨紙#240研磨了20轉）、旋轉速度60 rpm之條件下，使用TABER磨耗試驗機來進行磨耗試驗。測量1000轉後之試片重量，以同一試片進而進行5000轉試驗後，測量試片重量。依據下式求出磨耗量。 磨耗量（mg）＝M1－M2 M1：1000轉後之試片重量（mg） M2：5000轉後之試片重量（mg）
（耐蠕變性評價） 耐蠕變性之測定係依據ASTM D395或JIS K6262：2013中所記載之方法。藉由對上述所獲得之射出成形體（3）進行切削而製得外徑13 mm、高度6 mm之試片。對於所製得之試片，使用壓縮裝置，於常溫下進行壓縮，直至壓縮變形率達到25%。將經壓縮之試片在固定於壓縮裝置之狀態下靜置於電爐內，於80℃放置72小時。自電爐取出壓縮裝置，冷卻至室溫後，卸除試片。將所回收之試片於室溫下放置30分鐘後，測定所回收之試片之高度，並依據下式求出回復比率。於80℃壓縮後形狀仍充分地回復之成形體具有優異之耐蠕變性，即便於高溫下使用時，密封性仍不易降低。 回復比率（%）＝（t 2－t 1）/t 3×100 t 1：間隔件之高度（mm） t 2：自壓縮裝置卸除之試片之高度（mm） t 3：壓縮變形之高度（mm） 上述之試驗中，t 1＝4.5 mm、t 3＝1.5 mm。
（儲存模數（E’）） 使用DVA-220（日本IT計測控制公司製造），進行動態黏彈性測定而求出儲存模數。對上述所獲得之射出成形體（3）進行切割而製得長度25 mm、寬度2 mm、厚度1 mm之試片。使用所製得之試片，於升溫速度2℃/分鐘、頻率10 Hz條件下，在30℃～250℃之範圍進行測定，讀取150℃之儲存模數（MPa）。於150℃之儲存模數較大之成形體即便於高溫下亦可顯示出適度之硬度，且即便於高溫下使用時，密封性仍不易降低。
（回復量） 回復量之測定係依據ASTM D395或JIS K6262：2013中所記載之方法。
藉由對上述所獲得之射出成形體（3）進行切削而製得外徑13 mm、高度6 mm之試片。對於所製得之試片，使用壓縮裝置，於常溫下進行壓縮，直至壓縮變形率達到50%（即，將高度6 mm之試片壓縮至高度3 mm）。將經壓縮之試片在固定於壓縮裝置之狀態下靜置於電爐內，於150℃放置18小時。自電爐取出壓縮裝置，冷卻至室溫後，卸除試片。將所回收之試片於室溫下放置30分鐘後，測定所回收之試片之高度，依據下式求出回復量。 回復量（mm）＝t 2－t 1t 1：間隔件之高度（mm） t 2：自壓縮裝置卸除之試片之高度（mm） 上述試驗中，t 1＝3 mm。
（於150℃之反彈力） 根據於150℃之壓縮永久變形試驗之結果、及於150℃之儲存模數測定之結果，依據下式求出於150℃之反彈力。 於150℃之反彈力（MPa）＝（t 2－t 1）/t 1×E’ t 1：間隔件之高度（mm） t 2：自壓縮裝置卸除之試片之高度（mm） E’：於150℃之儲存模數（MPa） 於150℃之反彈力較大之成形體即便於高溫下，密封性亦較高，且即便於高溫下持續使用時，密封性仍不易降低。
[表5]
   共聚物 之種類 90℃ 磨耗量 耐蠕變性 評價 150℃ 儲存模數 回復量    150℃ 反彈力
   （mg） 回復比率（%） （MPa） （mm） （MPa）
例9（比較） 合成例1 28.3 38% 156 0.044 2.29
例10（比較） 合成例2 21.2 17% 63 0.013 0.27
例11（比較） 合成例3 - - - - -
例12（比較） 合成例4 30.5 20% 79 0.015 0.40
例13（比較） 合成例5 23.1 17% 69 0.017 0.39
例14 合成例6 20.7 33% 109 0.035 1.27
例15 合成例7 22.5 27% 86 0.026 0.75
例16 合成例8 23.4 21% 70 0.019 0.44
根據表4所示之結果，可知藉由使用將凸緣部之厚度（即模具之模腔之厚度）調整為合適之範圍內，且FAVE單元之含量、MFR及官能基數量處於極為受限之範圍內之共聚物來進行射出成形，而可形成無成形不良之凸緣部。相對於此，可知若凸緣部之厚度過小，則射出成形所用之模具之模腔之厚度亦變小，因此難以將共聚物填充至模具，無法獲得具備所需形狀之凸緣部之射出成形體。可知若凸緣部之厚度過大，則射出成形所用之模具之模腔之厚度亦變大，因此會產生被稱為孔隙之成形不良。孔隙會降低凸緣部之機械強度，故而欠佳。
根據表5所示之結果，可知由FAVE單元之含量、MFR及官能基數量處於極為受限之範圍內之共聚物所形成之射出成形體於90℃之磨耗量較少，耐蠕變性優異，儲存模數較高，且於150℃之反彈力較高。因此，由FAVE單元之含量、MFR及官能基數量處於極為受限之範圍內之共聚物所形成之本發明之射出成形體可充分地抑制因高溫流體流通而產生的管體部內表面之磨耗。進而，藉由將凸緣部緊固而使本發明之射出成形體與其他構件連接時，即便凸緣部之厚度較大，連接部分仍充分地被密封，並且即便於高溫下持續使用，優異之密封性仍不易受損。
1:襯裏構件 2:管體 11:管體部 12:凸緣部 100:襯管
[圖1]係表示使用本發明之射出成形體作為用於對內表面實施襯裏之襯裏構件之一實施方式之示意剖視圖。

Claims (8)

  1. 一種射出成形體，其係具備形成流體之流路之管體部、及形成於上述管體部之一端或兩端之凸緣部者，且 上述凸緣部之最大厚度為2～12 mm， 上述射出成形體包含：含有四氟乙烯單元及氟(烷基乙烯基醚)單元之共聚物， 上述共聚物之氟(烷基乙烯基醚)單元之含量相對於全部單體單元為2.8～6.0質量%，上述共聚物於372℃之熔體流動速率為4.0 g/10分鐘以上且未達11.0 g/10分鐘，上述共聚物之官能基數量為50個以下。
  2. 如請求項1之射出成形體，其中，上述共聚物之上述氟(烷基乙烯基醚)單元係全氟(丙基乙烯基醚)單元。
  3. 如請求項1或2之射出成形體，其中，上述共聚物之上述氟(烷基乙烯基醚)單元之含量相對於全部單體單元為3.5～5.5質量%。
  4. 如請求項1至3中任一項之射出成形體，其中，上述共聚物於372℃之熔體流動速率為5.0～9.0 g/10分鐘。
  5. 如請求項1至4中任一項之射出成形體，其中，上述共聚物之熔點為295～315℃。
  6. 如請求項1至5中任一項之射出成形體，其係襯管或襯閥之襯裏構件。
  7. 一種襯管，其與流體之接觸面經請求項1至6中任一項之射出成形體而實施了襯裏。
  8. 一種襯閥，其與流體之接觸面經請求項1至6中任一項之射出成形體而實施了襯裏。
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