TW202243089A - 進行基板的搬送之裝置、處理基板之系統及處理基板之方法 - Google Patents

進行基板的搬送之裝置、處理基板之系統及處理基板之方法 Download PDF

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Abstract

[課題]在基板搬送室內，藉由利用了磁懸浮之基板搬送模組搬送基板。 [解決手段] 被構成為具備有：基板搬送室，具有設置了第1磁石之地面部，經由開口部連接有對基板進行處理的基板處理室；及基板搬送模組，具備有保持前述基板的基板保持部及排斥力作用於與前述第1磁石之間的第2磁石，並被構成為可藉由使用了前述排斥力的磁懸浮，在前述基板搬送室內移動，基板搬送模組，係被構成為經由開口部直接進入基板搬送室內且進行基板的搬入搬出，抑或被構成為在與固定設置於前述基板搬送室內的基板搬送機構之間收授基板。

Description

進行基板的搬送之裝置、處理基板之系統及處理基板之方法
本揭示，係關於進行基板的搬送之裝置、處理基板之系統及處理基板之方法。
例如，在實施對基板即半導體晶圓(以下，亦稱為「晶圓」)之處理的裝置中，係在收容了晶圓的載體與執行處理的晶圓處理室之間，進行晶圓的搬送。在晶圓之搬送時，係利用各種構成的晶圓搬送機構。
例如在專利文獻1，係記載有一種「利用磁懸浮，以自板體懸浮的狀態，在處理腔室間移送半導體基板」的基板載體。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2018-504784號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種「在基板搬送室內，藉由利用了磁懸浮之基板搬送模組搬送基板」的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之進行基板的搬送之裝置，係對基板處理室進行基板的搬送之裝置，該基板處理室，係進行基板的處理，該裝置，其特徵係，具備有： 基板搬送室，具有地面部與側壁部，該地面部，係設置有第1磁石，該側壁部，係與前述基板處理室連接，並形成有在與該基板處理室之間進行基板的搬入搬出之開口部；及 基板搬送模組，具備有保持前述基板的基板保持部及排斥力作用於與前述第1磁石之間的第2磁石，並被構成為可藉由使用了前述排斥力的磁懸浮，在前述基板搬送室內移動， 前述基板搬送模組，係被構成為經由前述開口部直接進入前述基板搬送室內且進行基板的搬入搬出，抑或被構成為當在前述基板搬送室內固定設置有基板搬送機構的情況下，在與該基板搬送機構之間收授基板，該基板搬送機構，係用以經由前述開口部，在與該前述基板處理室之間進行基板的搬入搬出。 [發明之效果]
根據本揭示，可在基板搬送室內，藉由利用了磁懸浮之基板搬送模組搬送基板。
以下，參閱圖1，說明關於本揭示之實施形態的處理基板之裝置即晶圓處理系統100的整體構成。 在圖1，係表示具備有處理晶圓W的基板處理室即複數個晶圓處理室110之多腔室型的晶圓處理系統100。如圖1所示般，晶圓處理系統100，係具備有：裝載埠141；大氣搬送室140；裝載鎖定室130；真空搬送室120；及複數個晶圓處理室110。在以下說明中，係將設置有裝載埠141之側設成為前側。
在晶圓處理系統100中，裝載埠141、大氣搬送室140、裝載鎖定室130、真空搬送室120，係自前側起沿水平方向依序配置。又，複數個晶圓處理室110，係自前側觀看，被排列設置於真空搬送室120的左右。
裝載埠141，係被構成為載置有收容處理對象的晶圓W之載體C的載置台，自前側觀看，沿左右方向排列配置有4台。作為載體C，係例如可使用FOUP(Front Opening Unified Pod)等。 大氣搬送室140，係成為大氣壓(常壓氛圍)氛圍，例如形成潔淨空氣的下降流。又，在大氣搬送室140之內部，係設置有搬送晶圓W的晶圓搬送機構142。大氣搬送室140內之晶圓搬送機構142，係在載體C與裝載鎖定室130之間進行晶圓W的搬送。又，在大氣搬送室140之例如左側面，係設置有進行晶圓W之對準的對準室150。
在真空搬送室120與大氣搬送室140之間，係左右排列地設置三個裝載鎖定室130。裝載鎖定室130，係具有：升降銷131，將所搬入的晶圓W從下方上推且保持。升降銷131，係沿圓周方向以等間隔設置有3根，並被構成為升降自如。裝載鎖定室130，係被構成為可切換大氣壓氛圍與真空氛圍。裝載鎖定室130與大氣搬送室140，係經由閘閥133而連接。又，裝載鎖定室130與真空搬送室120，係經由閘閥132而連接。真空搬送室120與裝載鎖定室130之邊界部分，係以在地面不形成階差的方式而連接。因此，被構成為不妨礙後述的第1搬送模組20的裝載鎖定室130與真空搬送室120之間的移動。真空搬送室120，係藉由未圖示的真空排氣機構，被減壓成真空氛圍。真空搬送室120，係相當於本實施形態的基板搬送室。
在真空氛圍下進行晶圓W之搬送的真空搬送室120，係如圖1所示般，由前後方向較長之俯視下呈矩形狀的殼體所構成。在本例之晶圓處理系統100中，在真空搬送室120之左右側的側壁部，係分別經由閘閥111設置有3台晶圓處理室110，合計6台晶圓處理室110。經由以閘閥111開關之未圖示的開口部，在真空搬送室120與晶圓處理室110之間進行晶圓W的搬入搬出。
各晶圓處理室110，係經由設置有閘閥111的前述開口部被連接於真空搬送室120。各晶圓處理室110，係在藉由未圖示之真空排氣機構被減壓成真空氛圍的狀態下，對被設置於其內部之載置台112所載置的晶圓W實施預定處理。作為對晶圓W實施之處理，係可例示有蝕刻處理、成膜處理、清洗處理、灰化處理等。在載置台112，係例如設置有將晶圓W加熱至預定溫度之未圖示的加熱器。在對晶圓W實施之處理為利用處理氣體者的情況下，在晶圓處理室110，係設置有由噴頭等所構成之未圖示的處理氣體供給部。晶圓處理室110，係相當於本實施形態的基板處理室。
自前側觀看圖1中記載之真空搬送室120的內部，當劃分成前段、中段、後段之三個區域時，晶圓處理室110，係被設置為從左右包夾各區域且呈對向。在前段之區域及中段之區域，係分別設置有基板搬送機構即晶圓搬送臂5。如圖1、圖2所示般，晶圓搬送臂5，係被構成為從下方側依序連結基台50、下層臂部51、上層臂部52及晶圓保持部53的關節臂，該基台50，係被固定於真空搬送室120的底面，下層臂部51、上層臂部52，係經由未圖示之旋轉軸被連接於基台50的上方，該晶圓保持部53，係被配置成兩層。藉由該構成，晶圓搬送臂5，係可伸縮自如及繞垂直軸旋轉自如地進行動作。另外，以下，分別將符號A、B一併記述至前段的區域(前側)所設置之晶圓搬送臂5、中段的區域(後側)所設置之晶圓搬送臂5而進行表示(5A、5B)。
而且，在前段的區域與中段的區域之間及中段區域與後段區域之間，係分別例如沿左右方向排列設置有3處基板收授部即載置部4，該載置部4，係暫時載置晶圓W。配置有載置部4之位置，係相當於收授基板的位置。載置部4，係以在俯視下構成三角形之支撐面的方式，設置有3根支撐晶圓W的升降銷41。升降銷41，係被構成為藉由未圖示之升降機構，從真空搬送室120的底面突出／沒入，將晶圓W從下方側上推且保持。另外，在圖面中，係以虛線來表示將被支撐於升降銷41的晶圓W投影至真空搬送室120之底面的區域，以作為載置部4。又，分別將符號A、B一併記述至排列於晶圓搬送臂5A及晶圓搬送臂5B之間的載置部4、設置於晶圓搬送臂5B之後側的載置部4而進行表示(4A、4B)。
載置部4A、4B，係被構成為在保持晶圓W時，升降銷41從真空搬送室120的底面突出，在未保持晶圓W時，升降銷41，係下降至比真空搬送室120的底面更下方。因此，在未保持晶圓W時，後述的第1及第2搬送模組20、30，係可通過載置部4A、4B的上方。
各載置部4A、4B與各晶圓搬送臂5A、5B的基台50之間的前後方向之間隔，係被設定為「後述的第1搬送模組20即便在使升降銷41上升之狀態下亦可通過」的間隔。又，前側之晶圓搬送臂5A的基台50與裝載鎖定室130之間的前後方向之間隔亦被設定為「第1搬送模組20在相同條件下可通過」的間隔。而且，後側之載置部4B與真空搬送室120之後側的壁面之間的前後方向之間隔，係被設定為「後述的第2搬送模組30可採取使臂部32朝向前後方向之姿勢」的間隔。
藉由上述構成，在真空搬送室120內，係以被夾置於連接有晶圓處理室110之兩個開口部的方式，配置有晶圓搬送臂5(5A、5B)。而且，成為「沿著該些開口部與晶圓搬送臂5之排列，配置有複數個載置部4」的配置。
在真空搬送室120內，係除了晶圓搬送臂5A、5B以外，收容有搬送晶圓W的基板搬送模組即第1及第2搬送模組20、30。在本例中，係收容有：第1搬送模組20，被構成為圓板狀；及第2搬送模組30，具備了具有叉狀之基板保持部的臂部32。 第1及第2搬送模組20，係分別被構成為可藉由磁懸浮在真空搬送室120內移動。以下，詳細地說明與利用了搬送模組20之晶圓W的搬送及處理相關連之機器的構成。
如圖3、圖4所示般，第1搬送模組20，係具備有：基板保持部即平台2，載置晶圓W並予以保持。例如平台2，係被形成為扁平的圓板狀，其上面，係成為用以載置進行搬送・處理的對象之晶圓W的載置面。 而且，如圖3所示般，在第1搬送模組20，係以不干涉載置部4A、4B及裝載鎖定室130內之升降銷41、131的方式，形成有從平台2之周緣朝向平台2之內側延伸的三條狹縫21。另外，在以下的說明書中，係關於第1搬送模組20之朝向，有時將「使前述狹縫21之開口端側朝向預定方向」表現為使第1搬送模組20正對。
關於升降銷41、131與狹縫21之關係，以真空搬送室120內的載置部4為例而進行說明。首先，使第1搬送模組20以正對著真空搬送室120之後側的姿勢，配置於載置部4的前側並朝向後側移動。此時，如前述般，在載置部4與各晶圓搬送臂5的基台50之間，係確保第1搬送模組20可通過的間隔。因此，可在「第1搬送模組20與升降銷41不發生干涉而與載置部4正對」的位置配置第1搬送模組20。又，使第1搬送模組20以正對著真空搬送室120之前側的姿勢，配置於載置部4的後側並朝向前側移動。藉由該動作，沿著升降銷41之配置位置，移動狹縫21的形成區域。該結果，以使第1搬送模組20與升降銷41不發生干涉而彼此之中心一致的方式，可上下地配置第1搬送模組20與載置部4。
如圖4示意地表示般，在真空搬送室120及裝載鎖定室130之地面部10內，係分別配列有複數個地面側線圈15。地面側線圈15，係藉由從未圖示之電力供給部供給電力的方式而產生磁場。在該觀點下，地面側線圈15，係相當於本實施形態的第1磁石。
另一方面，第1搬送模組20之內部亦配列有複數個模組側線圈35。對於模組側線圈35，係排斥力作用於與藉由地面側線圈15所生成的磁場之間。藉由該作用，可使第1搬送模組20相對於地面部10磁懸浮。又，調節藉由地面側線圈15而生成的磁場之強度或位置，藉此，可在地面部10上，進行使第1搬送模組20朝所期望的方向移動或懸浮量之調節、第1搬送模組20之朝向的調節。
設置於第1搬送模組20之模組側線圈35，係相當於本實施形態的第2磁石。對於模組側線圈35，係藉由被設置於第1搬送模組20內之磁石電力供給部即未圖示的電池供給電力，作為電磁鐵而發揮功能。另外，亦可設成為「設置有複數個模組側線圈35，並且在第1搬送模組20之內部輔助性地設置永久磁鐵」的構成。而且，亦可藉由永久磁鐵來構成模組側線圈35。
例如，各模組側線圈35，係藉由設置於第1搬送模組20內之未圖示的供電控制部，進行對模組側線圈35所供給的電力之增加或供給・停止的控制。此時，供電控制部，係亦可設成為「在與後述的控制部9之間，藉由無線通信取得有關供電控制之控制信號」的構成。
又，如前述般，第1搬送模組20，係被形成為可通過晶圓搬送臂5A、5B的基台50與載置部4之間的尺寸(圖1、圖2)。而且，如圖2所示般，第2搬送模組30，係被形成為「在保持了晶圓W的狀態下，可通過晶圓搬送臂5A、5B中之旋轉的下層臂部51之下方」的高度尺寸。
其次，說明關於真空搬送室120之後段所配置的第2搬送模組30之構成。如圖5、圖6所示般，第2搬送模組30，係具有與第1搬送模組20大致相同的寬度尺寸，並具備有平面形狀呈矩形的本體部31。在該本體部31，係設置有臂部32，該臂部32，係被設置為水平地延伸，並水平地保持晶圓W。在臂部32之前端部，係設置有叉架，該叉架，係可配置為從左右包圍設置有3根升降銷41、131的區域。叉架，係相當於第2搬送模組30中之基板保持部。該臂部32，係被設定為「在使本體部31仍位於真空搬送室120內的狀態下，可藉由開啟閘閥111且將臂部32插入晶圓處理室110內的方式，將晶圓W收授至載置台112」的長度。
又，在第2搬送模組30之本體部31的內部，係設置有與第1搬送模組20相同的模組側線圈35。藉由該構成，與第1搬送模組20相同地，可在地面部10上，進行使第2搬送模組30朝所期望的方向移動或懸浮量之調節、第2搬送模組30之朝向的調節。 以上所說明的具備有第1、第2搬送模組20、30、晶圓搬送臂5且連接有晶圓處理室110之真空搬送室120，係相當於進行本揭示的基板之搬送的裝置。
返回到圖1，具備有上述構成之晶圓處理系統100，係具備有：控制部9，控制各地面側線圈15或晶圓處理室110等。控制部9，係由具備有CPU與記憶部的電腦所構成，且控制地面部10之各部等者。在記憶部，係記錄有程式，該程式，係編入有用以控制第1及第2搬送模組20、30或晶圓處理室110之動作等的步驟(命令)群。該程式，係例如被儲存於硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等的記憶媒體並從該些被安裝於電腦。
接著，說明關於晶圓處理系統100之動作的一例。首先，當收容了處理對象之晶圓W的載體C被載置於裝載埠141時，則藉由大氣搬送室140內的晶圓搬送機構142，從載體C取出晶圓W。其次，晶圓W，係被搬送至對準室150，進行晶圓W之對準。而且，當藉由晶圓搬送機構142從對準室150取出晶圓W時，則閘閥133被開啟。
接著，晶圓搬送機構142，係進入裝載鎖定室130，升降銷131，係將晶圓W上推且接收。在此，係例如自前側觀看後側，最初之晶圓W被搬入至最左邊的裝載鎖定室130。然後，當晶圓搬送機構142從裝載鎖定室130退避時，則閘閥133被關閉。而且，裝載鎖定室130內從大氣壓氛圍被切換到真空氛圍。接著，晶圓W，係相同地被搬送至各裝載鎖定室130，在該例子中，係例如第2片晶圓W被搬送至最右側的裝載鎖定室130。
當裝載鎖定室103內成為真空氛圍後，則閘閥132被開啟。此時，在真空搬送室120內，係在裝載鎖定室130之連接位置的附近，以第1搬送模組20A正對著裝載鎖定室130的姿勢待機。而且，利用由被設置於地面部10之地面側線圈15而生成的磁場，藉由使用了排斥力的磁懸浮，使第1搬送模組20A上升。
接著，說明晶圓W從裝載鎖定室130朝各晶圓處理室110之搬送，參閱圖7～圖10，首先說明關於將晶圓W依序搬送至前段之晶圓處理室110、中段之晶圓處理室110的例子。在此，係說明「自前側觀看，將晶圓W依次搬送至被設置於真空搬送室120的右側之各晶圓處理室110」的例子。另外，在圖7～圖10中，係將符號A一併記述至先搬送晶圓W的第1搬送模組20(20A)，並將符號B一併記述至接著搬送晶圓W的第1搬送模組20。
首先，如圖7所示般，使第1搬送模組20A進入裝載鎖定室130內，並使其位於升降銷131所支撐的晶圓W之下方。而且，使升降銷131下降且將晶圓W收授至第1搬送模組20，藉此，晶圓W被載置於平台2。
其次，使保持了晶圓W之第1搬送模組20A從裝載鎖定室130退避，並直進到前側之載置部A4的跟前。 接著，第1搬送模組20A，係在前側之載置部4A與前側之晶圓搬送臂5A的基台50之間朝右方向移動。此時，第1搬送模組20A，係不改變方向而朝右側平行移動。而且，在移動到最右側之載置部4A的跟前之後，使移動方向朝後側變化，到達載置部4的上方(圖8)。
而且，在該載置部4A中，升降銷41上升，將被保持於第1搬送模組20A的晶圓W上推且接收。又，此時，後續的晶圓W被搬入至最左側之裝載鎖定室130，且相同地將裝載鎖定室130的氛圍切換成真空氛圍。而且，第1搬送模組20B進入該裝載鎖定室130並接收晶圓W。
接著，如圖9所示般，收授了晶圓W之第1搬送模組20A，係朝該載置部4A的後側移動，並在前側之載置部4A的後側從右側朝左側移動。而且，第1搬送模組20A，係朝向前側直進，在左側之裝載鎖定室130的後側待機。 另外，第1搬送模組20A，係在仍正對著裝載鎖定室130之姿勢的狀態下，移動至未使升降銷41上升之狀態的載置部4A。因此，第1搬送模組20A，係可不干涉升降銷41地沿著圖9中所示的軌道移動。該點，係在另一方的第1搬送模組20B之動作中亦相同。
而且，前側之晶圓搬送臂5A，係接收被收授至右側之載置部4A的晶圓W，並將該晶圓W搬送至例如前段之右側的晶圓處理室110。 又，此時，保持了後續的晶圓W之第1搬送模組20B，係從裝載鎖定室130退避，並直進到載置部A4的跟前。而且，使移動方向變化，在載置部4A與前側的晶圓搬送臂5A之間朝左側移動。而且，在移動到中央之載置部4A的跟前之後，使移動方向朝後側變化，到達載置部4A的上方(圖9)。而且，使載置部4A的升降銷41上升，將晶圓W收授至升降銷41。
接著，如圖10所示般，收授了晶圓W之第1搬送模組20B，係在移動到該載置部4的後側後，使移動方向朝右側變化。其後，朝向前側直進，在最右側之裝載鎖定室130的後側待機。 另一方面，後側之晶圓搬送臂5B，係接收被收授至中央之載置部4A的晶圓W，並將該晶圓W搬送至例如中段之右側的晶圓處理室110。
接著，參閱圖11～圖13，說明關於將晶圓W從裝載鎖定室130搬送至後段之晶圓處理室110的動作。在該例子中，係說明搬送至被設置於真空搬送室120之後段的右側之晶圓處理室110的情形。 首先，例如在左側之裝載鎖定室130，將晶圓W收授至第1搬送模組20。其次，如圖11所示般，接收了晶圓W之第1搬送模組20，係朝向後側直進，移動至後側之載置部4B的前側。
而且，第1搬送模組20，係使移動方向變化，在後側的載置部4B與後側的晶圓搬送臂5B之間朝右側移動。而且，在移動到右側之載置部4B的跟前之後，使移動方向朝後側變化，到達右側之載置部4B的上方。而且，例如在該處繞垂直軸旋轉，以正對著該載置部4B的方式，改變朝向。在此，由於第1搬送模組20，係在從裝載鎖定室130退出時成為朝向前側正對的姿勢，因此，只要在載置部4之上方繞垂直軸旋轉180°即可。另外，此時，第2搬送模組30，係在右側之載置部4B的後側，以使臂部32朝向前側之姿勢待機。
接著，如圖12所示般，當使該載置部4的升降銷41上升且將晶圓W上推時，則第1搬送模組20朝前側移動。而且，在繞垂直軸旋轉180°後，第1搬送模組20，係在後側的載置部4B與後側的晶圓搬送臂5B之間朝左方向移動。而且，朝向前側直進，返回到最左邊之裝載鎖定室130的後側待機。 另一方面，使第2搬送模組30朝前側前進且使臂部32位於載置部4B，並且使該載置部4B的升降銷41下降，將晶圓W收授至臂部32。
而且，如圖13所示般，保持了晶圓W之第2搬送模組30，係自載置部4B觀看，進行一邊使朝向變化一邊後退的折返，並使臂部32之前端朝向右側的晶圓處理室110。其次，開啟該晶圓處理室110之閘閥111，使第2搬送模組30直進，且使臂部32進入晶圓處理室110而收授晶圓W。另外，在收授晶圓W時，第2搬送模組30之本體部31，係位於真空搬送室120內，僅臂部32進入晶圓處理室110(圖13)。
藉由以上說明的各動作，當晶圓W朝各晶圓處理室110之搬入完成後，則使臂部32退避至真空搬送室120且關閉閘閥111。接著，由載置台112依次進行晶圓W之加熱並升溫至預先設定的溫度，並且將處理氣體從處理氣體供給部供給至晶圓處理室110內。如此一來，對晶圓W執行所期望的處理。
如此一來，當在預先設定之期間執行了晶圓W的處理後，則停止晶圓W之加熱，並且停止處理氣體的供給。又，亦可因應所需，將冷卻用氣體供給至晶圓處理室110內，並進行晶圓W的冷卻。然後，以與搬入時相反的步驟來搬送晶圓W，使晶圓W從晶圓處理室110返回到裝載鎖定室130。 而且，在將裝載鎖定室130之氛圍切換成常壓氛圍後，藉由大氣搬送室140側的晶圓搬送機構142，取出裝載鎖定室130內之晶圓W並返回到預定的載體C。
在上述實施形態中，係在將晶圓W搬送至晶圓處理室110時，藉由第1搬送模組20，從裝載鎖定室130搬送至設置於真空搬送室120內的載置部4。 另一方面，當在真空搬送室120內未設置第1搬送模組20的情況下，係晶圓W朝裝載鎖定室130與前段側的載置部4A之間、前段側的載置部4A與後段側的載置部4B之間的前後方向之搬送亦需要使用晶圓搬送臂5A、5B。因此，在各晶圓搬送臂5A、5B，係除了將晶圓W搬送至晶圓處理室110的動作以外，另施加有沿前後方向搬送晶圓W的動作。該結果，導致藉由晶圓搬送臂5A、5B搬送晶圓W之動作的負荷變大。特定之設備的負荷增大，係亦恐有在謀求可藉由晶圓處理系統100於每一單位時間進行處理的晶圓W之片數的增大方面成為制約之虞。另一方面，追加設置沿前後方向搬送晶圓W之專用的晶圓搬送臂，係會造成配置空間的不足或與其他晶圓搬送臂5A、5B的干涉、因追加之晶圓搬送臂而對晶圓的可搬送位置產生制約，故不切實際。
對此，設置可比較自由地在真空搬送室120內移動的第1搬送模組20，藉此，可使第1搬送模組20分擔從裝載鎖定室130至各載置部4之晶圓W的搬送。因此，晶圓搬送臂5，係只要僅分擔載置部4與晶圓處理室110之間的晶圓W之搬送即可。因此，可抑制晶圓搬送臂5之負荷的增大。 又，如前述般，沿著晶圓處理室110與晶圓搬送臂5之排列，配置有複數個載置部4。藉由該構成，可一邊確保第1搬送模組20之移動空間，一邊有效率地實施由晶圓搬送臂5及第1搬送模組20所進行的晶圓W之搬送動作。
在此，亦可在晶圓處理室110的地面部也設置地面側線圈15，使第1搬送模組20直接進入至晶圓處理室110內且可搬送晶圓W。又，例如亦可因應晶圓處理室110內之處理的前後之晶圓W的溫度，分別採用能使用之溫度不同的第1及第2搬送模組20、30。
又，亦可在藉由第1搬送模組20搬送晶圓W時，進行晶圓W的缺口或定向平面(OF)的對位。當在晶圓處理室110進行晶圓W之處理時，有時需要基於在對準室150預先進行了對準的結果，在使缺口或OF朝向預定方向的狀態下進行處理。另一方面，如圖1所示般，在夾著晶圓搬送臂5而於左右配置有晶圓處理室110的情況下，係當載置部4所載置之晶圓W經常朝向相同方向時，則在左右的晶圓處理室110間，缺口或OF之朝向有時會相差180°。 在像這樣的情況中，第1搬送模組20，係亦可使用於缺口或OF的對位。另外，在以下說明的圖14～圖15中，係為了便於圖示而省略晶圓搬送臂5的記載。
因此，敍述關於例如缺口之對位的例子，藉由對準進行了缺口之對位的晶圓W如圖14所示般地予以配置。在此，當「不變更缺口之朝向而將晶圓W載置於載置部4，並藉由晶圓搬送臂5將晶圓W搬入至右邊的晶圓處理室110」時，則成為晶圓W相對於預先設定之朝向繞垂直軸旋轉180°的狀態。
在該情況下，係例如保持了晶圓W之第1搬送模組20從裝載鎖定室130進入至真空搬送室120內後，如圖15所示般，使第1搬送模組20繞垂直軸旋轉180°。而且，如圖16所示般，將晶圓W收授至載置部4，藉此，可使收授至載置部4之晶圓W的方向旋轉180°。而且，第1搬送模組20，係從載置部4的位置退避，繞垂直軸旋轉180°，且返回到最左邊之裝載鎖定室130的後側待機(圖16)。 如此一來，使用利用了磁懸浮之第1搬送模組20，藉此，不需在晶圓處理系統100另外設置進行缺口之對位的裝置。
其次，在圖17、圖18中，表示構成被配置於載置部4的基板收授部之載置模組400的例子。該載置模組400，係被構成為利用磁懸浮繞垂直軸旋轉自如。該載置模組400，係具備有可將晶圓W載置於上下兩層的兩個載置台401、402。例如下段側之載置台401，係具備有台部411，在台部411的上方設置有保持晶圓W之下面中央的保持部403。保持部403，係被構成為可在與各第1搬送模組20的晶圓保持部53之間進行晶圓W的收授。
又，上段側之載置台402，係具備有包圍下段側之載置台401的圓筒部412，在圓筒部412的上方設置有保持晶圓W之下面中央的保持部404。在圓筒部412的側面之彼此對向的位置形成有2處窗部405，該窗部405，係用以將晶圓W收授至下段側的載置台401。關於保持部404，亦被構成為可在與各第1搬送模組20的晶圓保持部53之間進行晶圓W的收授。
又，在載置台401之台部411及載置台402之圓筒部412的下端，係分別設置有收授部側的磁石即模組側線圈35。利用該模組側線圈35與被設置於真空搬送室12之地面部10的地面側線圈15之排斥力，各個載置台401、402，係被構成為繞垂直軸獨立地旋轉自如。根據本例之載置模組400，在被保持於第1搬送模組20的情況下與在被保持於晶圓搬送臂5的情況下，可變更晶圓W之朝向。在本例中，係藉由設置專用之載置模組400的方式，可分擔晶圓W之搬送及旋轉動作，以代替使用圖14～圖16所說明的由第1搬送模組20而進行的晶圓W之缺口或OF的對位之動作。
其次，圖19，係表示使用利用了磁懸浮之搬送模組來進行晶圓W之對準的例子。圖19所例示之搬送模組60，係具備有：本體部61，設置有模組側線圈35；及支柱部62，以從本體部61之上面朝向上方突出的方式延伸，且直徑比晶圓W小。在支柱部62之上面，係形成有構成基板保持部的基板保持面，晶圓W，係藉由基板保持面，從下面側予以支撐。 在使用了上述搬送模組60之對準中，係例如使用檢測部即對準用的晶圓感測器6，該對準用的晶圓感測器6，係具備有「朝向下方照射光，並且在下方側接收該光」的受光部。晶圓感測器6，係檢測位於比支柱部62更外方的晶圓W之周緣的位置。晶圓感測器6，係例如設置於裝載鎖定室130內。
而且，例如在使搬送模組60於裝載鎖定室130內待機的狀態下，將晶圓W從大氣搬送室140側收授至搬送模組60，且關閉大氣搬送室140側的閘閥133。而且，以使晶圓W的周緣位於晶圓感測器6之光路上的方式，使搬送模組60移動。
而且，在將裝載鎖定室130內切換成真空氛圍的期間，於該處使搬送模組60繞垂直軸旋轉。該結果，晶圓W繞通過其中心之中心軸旋轉，一邊檢測該旋轉的晶圓W之周緣的位置，一邊進行對準。 藉由這樣的構成，可省略圖1所示之對準室150的設置，並使晶圓處理系統100小型化。而且，由於在將裝載鎖定室130切換成真空的期間，可進行對準，因此，與例如搬送至對準室150進行對準的例子相比，可使每一單位時間之晶圓W的處理片數提高。另外，亦可在大氣搬送室140或真空搬送室120等的搬送模組60之移動區域設置感測器部6，在各設置地點進行對準。
關於上述搬送模組60亦相當於本例的基板搬送模組，亦可代替前述的第1、第2搬送模組20、30或與其同時執行真空搬送室120內之晶圓W的搬送。在該情況下，載置部4之升降銷41，係被配置於可在支柱部62的周圍支撐晶圓W之下面的位置。
又，亦可在上述各搬送模組20、30、60設置加速度計或溫度計，檢測晶圓W之搬送時的振動或檢測晶圓W的溫度上升。而且，亦可將例如加速度或溫度之測定值發送至控制部9，基於例如加速度之測定值超過閾值的情形或溫度之測定值超過閾值的情形，自我診斷搬送模組20、30、60的故障。又，亦可基於晶圓W的溫度之測定值超過閾值的情形，檢測晶圓W之處理製程的異常。
又，亦可在圓板狀之第1搬送模組20設置例如監視真空搬送室120內的攝像機。例如藉由拍攝真空搬送室120內的方式，可確認真空搬送室120內有無異常。又，亦可使第1搬送模組20進入晶圓處理室110內，拍攝室內而進行異常的確認。例如亦可拍攝被載置於載置台112的晶圓W與載置台112，確認晶圓W之位置與載置台112之位置，藉此，確認晶圓W的教示或搬送的精度。又，除了攝像機以外，亦可設置雷射位移計或編碼器，進一步提高位置確認的精度。 又，亦可有別於上述搬送模組20、30、60，另外設置可藉由磁懸浮在真空搬送室120內移動的攝像模組，並在該攝像模組設置攝像機。
其次，圖20、圖21，係表示「在進行晶圓W之搬送的基板搬送室(例如前述真空搬送室120)之頂棚(頂面部)側設置磁石，並設置藉由磁石吸引而沿著頂棚移動之模組」的例子。作為像這樣的模組之一例，說明關於氣體吐出模組7。 如圖20所示般，氣體吐出模組7，係具備有殼體70。在殼體70之內部，係例如設置有儲存了清淨氣體即氮(N 2)氣體的氣體儲存部71。
又，在殼體70之下面側，係形成有複數個氣體吐出孔72，且被構成為氣體儲存部71所儲存的N 2氣體經由配管73從氣體吐出孔72被吐出。另外，設置於圖20中之配管73的V73為閥。
而且，在殼體70的頂板設置模組側線圈35，並且在真空搬送室120的頂面部11設置頂面部側線圈16。頂面部側線圈16，係相當於第3磁石，模組側線圈35，係相當於第4磁石。而且，藉由模組側線圈35、頂面部側線圈16及磁力所產生的引力，在真空搬送室120內之頂面部11的下方位置，磁吸引氣體吐出模組7。
藉由像這樣所構成的氣體吐出模組7，如圖21所示般，例如一邊在真空搬送室120內移動，一邊吐出N 2氣體。藉此，朝向真空搬送室120內之晶圓W形成清淨氣體的下降氣流。藉由該下降氣流，可抑制漂浮在真空搬送室120內的微粒93或伴隨著晶圓處理室110內之處理而產生的腐蝕性氣體94附著於晶圓W，並可與N 2氣體之流動一起從排氣口90排出。 而且，亦可在搬送模組20、30搬送晶圓W時，以將N 2氣體繼續吐出至搬送模組20、30所保持的晶圓W之方式，使氣體吐出模組7追隨於搬送模組20、30而移動。 藉由像這樣的構成，可藉由N 2氣體覆蓋搬送中之晶圓W，並可防止晶圓W因漂浮於搬送路徑的氣體而氧化。
此外，作為被設置於頂面部側而移動的模組，係亦可為收納有加熱器等的調溫模組。例如使藉由沿著地面移動之第1搬送模組20所搬送的晶圓W與位於被配置在晶圓W之上方的調溫模組一起移動，藉此，在晶圓W之搬送中，可調節晶圓W的溫度。又，亦可在沿著頂棚移動之模組設置棚架上的晶圓載置部，使用該模組搬送晶圓W。
又，亦可設置將各搬送模組20、30、60彼此相互連結的連結機構。例如，在圖22，係表示在第1搬送模組20之側面設置突起部22的例子。在與突起部22相反側之側面，係設置有可插入該突起部22的凹部23。而且，如圖23所示般，被構成為可將第1搬送模組20之突起部22插入其他第1搬送模組20的凹部並連結。突起部22與凹部23，係構成連結機構。
藉由像這樣的構成，例如在第1搬送模組20故障而變得無法移動時，以藉由其他第1搬送模組20夾住故障之第1搬送模組20的方式連結。圖23中標註有斜線之第1搬送模組20，係表示故障的第1搬送模組20。藉由像這樣的構成，可藉由其他第1搬送模組20搬送故障的第1搬送模組20。
而且，為了搬出故障的第1搬送模組20，亦可設置專用之裝載鎖定室200，該專用之裝載鎖定室200，係可將內部氛圍切換成大氣氛圍與真空氛圍。圖24，係表示在真空搬送室120的後側之側壁面設置有該裝載鎖定室200的例子。圖24中之符號201，係閘閥，符號202，係第1搬送模組20的取出口。藉由像這樣地設置用於回收故障的搬送模組20、30、60之裝載鎖定室200的方式，從而不需停止、開放晶圓處理系統100，且可縮減系統100的停機時間。又，亦可從裝載鎖定室200回收發生異常的晶圓W。
而且，前述裝載鎖定室200，係亦可使用來作為「收納未使用之搬送模組20、30、60」的收納室。而且，亦可構成為可配合晶圓處理系統100中所進行的處理之生產率，調整真空搬送室120內使用之搬送模組20、30、60的數量。而且，可增減經由裝載鎖定室200而配置於真空搬送室120內之搬送模組20、30、60的數量。
而且，亦可使用搬送模組20、30、60，搬送被設置於真空搬送室120內或晶圓處理室110內的零件。圖25，係表示藉由第1搬送模組20搬送聚焦環113的例子。而且，例如晶圓搬送臂5，係亦可構成為從該些第1搬送模組20接收聚焦環113，且可搬入至晶圓處理室110內並設置於載置台112。藉由像這樣的構成，可不開放晶圓處理室110地進行內部之零件或構件的交換、設置。
另外，第1搬送模組20，係亦可構成為平面形狀呈矩形。另一方面，藉由設成為平面形狀呈圓形之搬送模組20的方式，可縮小搬送模組20之旋轉所需的面積，並可縮小真空搬送室120的面積。
又，第1搬送模組20與晶圓搬送臂5之間的晶圓W之收授，係亦可不經由載置部4而直接在第1搬送模組20與晶圓搬送臂5之間進行。在該情況下，係例如設置有升降銷，該升降銷，係從第1搬送模組20之平台2的表面突出／沒入。而且，亦可使用該升降銷，使被載置於第1搬送模組20的晶圓W升降，進行與晶圓搬送臂5之間的收授。
又，真空搬送室120之晶圓處理室110的配置數、配置佈局，係不限定於圖1所示的例子。亦可因應所需，增減晶圓處理室110的配置數。例如在真空搬送室120僅設置一個晶圓處理室110的情形亦包含於本揭示的技術範圍內。
又，關於真空搬送室120之配置，亦不限定於如圖1所示般使平面形狀呈矩形狀的真空搬送室120之長邊朝向前後方向而配置的情形。例如自裝載埠141側觀看，亦可使前述長邊朝向左右方向配置真空搬送室120。 而且，關於真空搬送室120的平面形狀，亦可因應配置有晶圓處理系統100之區域的形狀，採用各種形狀。例如亦可為正方形或五角形以上的多角形、圓形或橢圓形。
此外，使用搬送模組20、30、60實施對晶圓處理室110搬送晶圓W之基板搬送室，係不限定於由內部為真空氛圍之真空搬送室120所構成的情形。對於在內部為大氣壓氛圍之基板搬送室的側方設置有晶圓處理室110之構成的晶圓處理系統，亦可應用本揭示的搬送模組20、30、60。在該情況下，對晶圓處理系統設置裝載鎖定室130，係並非必須要件，亦可將從載體C取出到大氣搬送室140的晶圓W直接搬入至基板搬送室。
又，例如亦可藉由連通路徑8來連結真空搬送室120A與另一真空搬送室120B。例如如圖26所示般，將連通路徑8之一端連接至真空搬送室120A的左側方，並將連通路徑8之另一端連接至另一真空搬送室120B的右側方。該真空搬送室120B，係除了在前側未設置裝載鎖定室130以外，其餘被構成為與真空搬送室120A相同。
而且，構成為在連通路徑8之地面亦設置地面側線圈15，且搬送模組20、30、60可移動。如此一來，藉由連結複數個真空搬送室120A、120B的方式，可使裝載鎖定室130、大氣搬送室140及裝載埠141共用化。
又，在例如僅採用晶圓搬送臂5作為將真空搬送室120A、120B之間固定於底面的晶圓搬送機構的情況下，係需要用以旋轉之較大的空間。又，由於可搬送之距離被予以限定，因此，為了搬送至較遠的地點，有時必需設置複數個搬送機構。
對此，在使用藉由磁力懸浮而移動之第1及第2搬送模組20、30的情況下，係可比較自由地調節能設置地面側線圈15的範圍。該結果，由於可自由地設定一台搬送模組20、30、60能移動的範圍，因此，裝置設計之自由度變高。
又，在真空搬送室120內亦可不設置固定式的搬送機構而藉由磁力進行懸浮，並僅藉由搬送模組20、30、60，在真空搬送室120內進行晶圓W的搬送。圖27，係表示「僅使用前述第2搬送模組30(以下，亦僅記載為「搬送模組30」)進行晶圓W之搬送」的晶圓處理系統101。在該晶圓處理系統101中，於俯視下，矩形狀之真空搬送室160的短邊方向之長度，係成為「保持了晶圓W之兩台搬送模組30分別在左右排列的狀態下可錯身而過」之程度的寬度。又，該例子的真空搬送室160之短邊方向的長度，係比搬送模組30保持了晶圓W時之從本體部31至晶圓W的前端為止之長度(保持了晶圓W的狀態之搬送模組30的全長)短。在該例子中，係使用被設置於真空搬送室160內的兩台搬送模組30，進行晶圓W之搬送。
而且，在真空搬送室160之前側正面，係2台裝載鎖定室130被排列設置於左右，在真空搬送室160之左右各排列設置有4台晶圓處理室110。亦即，晶圓處理室110，係朝向與真空搬送室160之長邊方向交叉的方向(短邊方向)搬入晶圓W。另一方面，如前述般，真空搬送室160之短邊方向的長度，係比保持了晶圓W的狀態之搬送模組30的全長短。因此，在使用該搬送模組30進行晶圓W之搬入搬出時，係需要進行「組合沿著真空搬送室160的長邊方向之直線移動與曲線移動」的折返動作，該曲線移動，係一邊使搬送模組30之朝向變化，一邊進行對真空搬送室160的進入或退出。
因此，在真空搬送室160之後側，係設置有空間161，該空間161，係用以在將晶圓W搬入至最後段之晶圓處理室110時，進行搬送模組30轉換時的折返動作。亦即，空間161，係被設置為朝比最後段的晶圓處理室110(詳細而言，係後段的晶圓處理室110之閘閥111的位置)更後側突出。另外，在對最後段以外之前側的晶圓處理室110進行晶圓W之搬入搬出中，係可使用朝比前述空間161更前側擴展之真空搬送室160內的空間，進行上述折返動作。 在該晶圓處理系統101中，搬送模組30，係於真空搬送室160內，以使臂部32朝向裝載鎖定室130側(前側)的姿勢，沿著真空搬送室160之長邊方向，自前側觀看，在靠左及靠右的軌道上移動。
關於該晶圓處理系統101中與晶圓處理室110之間的晶圓W之收授動作，以左側之最後段的晶圓處理室110為例而進行說明。 首先，當搬送模組30從左側之裝載鎖定室130接收晶圓W時，則以使臂部32朝向前側的姿勢，直接朝向後側後退移動(亦參閱自圖27之前側觀看，一併記述至左手側的搬送模組30之表示行進方向的箭頭)。
而且，保持了晶圓W之搬送模組30，係移動至最後段的晶圓處理室110之設置有閘閥111的位置。此時，該搬送模組30之本體部31，係通過前述閘閥111之配置位置，進一步到達後側的空間161。藉由該動作，保持了晶圓W之臂部32的前端側被配置於閘閥111的附近。 如此一來，當臂部32之前端側到達閘閥111附近後，則如圖28所示般，除了後退動作以外，還順時針轉動，使得臂部32之前端側朝向閘閥111。
接著，開啟閘閥111，一邊以將晶圓W插入晶圓處理室110內的方式進行轉動，一邊將搬送模組30之移動方向切換成前進(圖29)。然後，當搬送模組30成為正對著晶圓處理室110的狀態後，則停止旋轉並進行直進，直至晶圓W到達載置台112的上方。 藉由「一邊使上述搬送模組30旋轉，一邊切換後退與前進」的折返動作，搬送模組30，係自前側觀看，成為使臂部32朝向左方向的姿勢(圖30)。而且，將晶圓W收授至載置台112，使搬送模組30從晶圓處理室110退避。進一步將閘閥111關閉並進行晶圓W的處理。
而且，在結束晶圓W的處理且從晶圓處理室110搬出晶圓W時，搬送模組30，係再次使臂部32進入晶圓處理室110內，接收處理完畢晶圓W。 其次，如圖31～圖33所示般，藉由與搬入時相反的動作，一邊使搬送模組30旋轉，一邊執行切換後退與前進的折返動作，搬出晶圓W。然後，朝向跟前前進，將晶圓W搬送至左側的裝載鎖定室130。另外，在上述例子中雖省略了說明，但搬送模組30使未保持晶圓W的狀態之臂部32從晶圓處理室110退避、使其進入時的動作亦使用利用圖28～圖33所說明的折返動作。
如以上說明般，在真空搬送室160之後側，係設置有「一邊進行搬送模組30之折返，一邊轉換方向」的空間161。藉由設置該空間161的方式，可使得真空搬送室160之短邊方向的寬度為比保持了晶圓W的狀態之搬送模組30的全長短。因此，可縮小真空搬送室160的占用面積。另外，如前述般，對被配置於比最後段之晶圓處理室110更前側的各晶圓處理室110，係可使用朝比該空間161更前側擴展之真空搬送室160內的空間，進行折返動作。 又，由於該晶圓處理系統101，係在真空搬送室160內未設置晶圓搬送臂5或載置部4，因此，與設置該些機器5、4的情形相比，可降低真空搬送室160的高度尺寸。
吾人應理解本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示而非限制性者。上述實施形態，係亦可在不脫離添附之申請專利範圍及其主旨的情況下，以各種形態進行省略、置換、變更。
2:平台 5:晶圓搬送臂 10:地面部 15:地面側線圈 20:第1搬送模組(搬送模組) 30:第2搬送模組(搬送模組) 32:晶圓保持部 35:模組側線圈 60:搬送模組 100,101:晶圓處理系統 110:晶圓處理室 120,160:真空搬送室 W:晶圓
[圖1]本揭示之晶圓處理系統的平面圖。 [圖2]前述晶圓處理系統所具備的真空搬送室內之一部分的縱剖側視圖。 [圖3]第1搬送模組的平面圖。 [圖4]真空搬送室之地面部及第1搬送模組的示意圖。 [圖5]第2搬送模組的縱剖側視圖。 [圖6]第2搬送模組的平面圖。 [圖7]前述搬送模組的動作之一例的第1作用圖。 [圖8]前述搬送模組的動作之一例的第2作用圖。 [圖9]前述搬送模組的動作之一例的第3作用圖。 [圖10]前述搬送模組的動作之一例的第4作用圖。 [圖11]前述搬送模組的動作之其他例的第1作用圖。 [圖12]前述搬送模組的動作之其他例的第2作用圖。 [圖13]前述搬送模組的動作之其他例的第3作用圖。 [圖14]前述搬送模組之缺口對準的第1作用圖。 [圖15]前述搬送模組之缺口對準的第2作用圖。 [圖16]前述搬送模組之缺口對準的第3作用圖。 [圖17]表示被設置於載置部之載置模組的立體圖。 [圖18]表示被設置於載置部之載置模組的縱剖側視圖。 [圖19]說明對準的說明圖。 [圖20]表示移動頂面部之氣體供給模組的縱剖側視圖。 [圖21]表示前述氣體供給模組之作用的示意圖。 [圖22]表示具備有連結機構之第1搬送模組的立體圖。 [圖23]表示故障的第1搬送模組之搬送的示意圖。 [圖24]表示具備有回收用的裝載鎖定室之晶圓處理系統的平面圖。 [圖25]表示由第1搬送模組搬送設置於裝置之零件的示意圖。 [圖26]連結複數個真空搬送室之晶圓處理系統的平面圖。 [圖27]表示晶圓處理系統之其他例的平面圖。 [圖28]前述晶圓處理系統中的搬送模組之動作的第1作用圖。 [圖29]前述晶圓處理系統中的搬送模組之動作的第2作用圖。 [圖30]前述晶圓處理系統中的搬送模組之動作的第3作用圖。 [圖31]前述晶圓處理系統中的搬送模組之動作的第4作用圖。 [圖32]前述晶圓處理系統中的搬送模組之動作的第5作用圖。 [圖33]前述晶圓處理系統中的搬送模組之動作的第6作用圖。
4:載置部
4A:載置部
4B:載置部
5:晶圓搬送臂
5A:晶圓搬送臂
9:控制部
20:搬送模組
30:搬送模組
31:本體部
32:臂部
41:升降銷
50:基台
51:下層臂部
52:上層臂部
53:晶圓保持部
100:晶圓處理系統
110:晶圓處理室
111:閘閥
112:載置台
120:真空搬送室
130:裝載鎖定室
131:升降銷
132:閘閥
133:閘閥
140:大氣搬送室
141:裝載埠
142:晶圓搬送機構
150:對準室
C:載體

Claims (20)

  1. 一種裝置，係對基板處理室進行基板的搬送，該基板處理室，係進行基板的處理，該裝置，其特徵係，具備有： 基板搬送室，具有地面部與側壁部，該地面部，係設置有第1磁石，該側壁部，係與前述基板處理室連接，並形成有在與該基板處理室之間進行基板的搬入搬出之開口部；及 基板搬送模組，具備有保持前述基板的基板保持部及排斥力作用於與前述第1磁石之間的第2磁石，並被構成為可藉由使用了前述排斥力的磁懸浮，在前述基板搬送室內移動， 前述基板搬送模組，係被構成為經由前述開口部直接進入前述基板搬送室內且進行基板的搬入搬出，抑或被構成為當在前述基板搬送室內固定設置有基板搬送機構的情況下，在與該基板搬送機構之間收授基板，該基板搬送機構，係用以經由前述開口部，在與該前述基板處理室之間進行基板的搬入搬出。
  2. 如請求項1之裝置，其中， 在前述基板搬送機構被設置於前述基板搬送室內的情況下，具備有： 基板收授部，被設置於前述基板搬送室內，暫時載置在前述基板搬送模組與前述基板搬送機構之間所收授的基板。
  3. 如請求項2之裝置，其中， 前述基板搬送機構，係被構成為伸縮自如及繞垂直軸旋轉自如的基板搬送臂， 在夾著前述基板搬送臂而設置之前述基板搬送室的兩個側壁部，係以夾著該基板搬送臂且彼此對向的方式，分別設置有前述開口部，並沿著該些開口部與基板搬送臂之排列，配置有複數個前述基板收授部。
  4. 如請求項1～3中任一項之裝置，其中， 前述基板收授部，係具備有：載置部，載置基板；及基板收授部側之磁石，排斥力作用於與前述第1磁石之間，在被保持於前述基板搬送模組的情況下與在被保持於前述基板搬送機構的情況下，為了變更前述基板之朝向，被構成為藉由使用了前述排斥力的磁懸浮，在前述基板搬送室內繞垂直軸旋轉自如。
  5. 如請求項1～4中任一項之裝置，其中， 前述基板搬送室，係具備有：頂面部，設置有第3磁石， 並具備有：處理模組，設置有引力作用於與前述第3磁石之間的第4磁石，進行前述基板搬送室之內部或基板的處理， 前述處理模組，係被構成為可藉由使用了前述引力的磁吸引，在前述基板搬送室內移動。
  6. 如請求項5之裝置，其中， 前述處理模組，係氣體吐出模組，該氣體吐出模組，係為了朝向前述基板搬送室內之基板形成清淨氣體的下降氣流，從而將氣體經由被設置於處理模組之下面的氣體供給孔吐出至前述基板搬送室內。
  7. 如請求項1～6中任一項之裝置，其中， 前述基板搬送模組，係具備有：連結機構，與其他基板搬送模組連結。
  8. 如請求項1～7中任一項之裝置，其中，具備有： 收納室，被連接於前述基板搬送室，收納前述基板搬送模組。
  9. 如請求項1～8中任一項之裝置，其中， 前述基板搬送模組，係被構成為除了前述基板的搬送以外，另可進行被設置於前述基板搬送室內或前述基板處理室內之零件的搬送。
  10. 如請求項1～9中任一項之裝置，其中， 前述基板搬送模組，係被構成為在內部設置有前述第2磁石的圓板狀，且該圓板的上面成為前述基板保持部。
  11. 如請求項1～9中任一項之裝置，其中， 前述基板搬送模組，係具備有：本體部，在內部設置有前述第2磁石；及臂部，從該本體部朝向側方延伸，並在其前端部設置有構成前述基板保持部的叉架。
  12. 如請求項11之裝置，其中， 前述基板搬送模組，係在使前述本體部仍位於前述基板搬送室內的狀態下，藉由將前述臂部經由前述開口部插入前述基板處理室的方式，進行前述基板之搬入搬出。
  13. 如請求項12之裝置，其中， 前述基板搬送室，係在俯視下呈細長矩形狀，且被構成為前述矩形之短邊方向的長度比保持了前述基板的狀態之前述基板搬送模組的全長短，並且，在基板搬送室，係設置有「用以在使前述臂部經由前述開口部插入、退出基板處理室時，一邊進行折返動作，一邊轉換前述基板搬送模組之方向」的空間。
  14. 如請求項1～9中任一項之裝置，其中， 前述基板搬送模組，係具備有：本體部，在內部設置有前述第2磁石；及支柱部，以從該本體部之上面朝向上方突出的方式延伸，並在其上面形成有構成前述基板保持部的基板保持面。
  15. 如請求項14之裝置，其中， 前述支柱部，係被構成為直徑比前述基板小， 藉由在地面部設置有前述第1磁石的方式，在前述基板搬送模組可移動之區域設置感測器部，該感測器部，係藉由前述支柱部予以支撐，光學性地檢測位於比前述支柱部更外方之基板的周緣部， 前述基板搬送模組，係被構成為移動至可藉由前述感測器部檢測被保持於前述基板保持面的基板之周緣部的位置，並使前述本體部繞通過前述基板之中心的中心軸旋轉，藉此，進行前述基板之對準。
  16. 如請求項15之裝置，其中， 前述基板搬送室，係被構成為在真空氛圍下進行基板的搬送， 在與「前述基板搬送室的側壁部之形成有用以連接前述基板處理室的開口部」之位置不同的位置，係連接有裝載鎖定室，該裝載鎖定室，係被構成為使內部的壓力於常壓與真空切換自如，並暫時配置有在與前述基板搬送室之間所搬入搬出的基板， 前述裝載鎖定室，係具備有「藉由在地面部設置有前述第1磁石的方式，前述基板搬送模組可移動」的區域與被設置於該區域之前述感測器部及對準用的前述基板搬送模組， 在使前述裝載鎖定室內之壓力於常壓與真空切換的期間中，對被搬入至該裝載鎖定室內的基板進行前述對準。
  17. 如請求項1～16中任一項之裝置，其中， 前述基板搬送模組，係具備有自我診斷故障的功能。
  18. 如請求項1～17中任一項之裝置，其中，具備有： 攝像模組，具備了拍攝設置有前述第1磁石之移動區域的攝像機，具備有排斥力作用於與前述第1磁石之間的攝像模組用之磁石，並被構成為可藉由使用了前述排斥力的磁懸浮移動。
  19. 一種處理基板之系統，其特徵係，具備有： 如請求項1～18中任一項之進行基板搬送的裝置；及 複數個基板處理室，經由側壁部所形成的複數個前述開口部被連接於前述基板搬送室。
  20. 一種方法，係處理被搬送至基板處理室的基板，該方法，其特徵係，包含有： 「被收容於基板搬送室(該基板搬送室，係具有：地面部，設置有第1磁石；及側壁部，與前述基板處理室連接，並形成有在與該基板處理室之間進行基板的搬入搬出之開口部)內，使用基板搬送模組(該基板搬送模組，係具備有保持前述基板的基板保持部及排斥力作用於與前述第1磁石之間的第2磁石，並被構成為可藉由使用了前述排斥力的磁懸浮，在前述基板搬送室內移動)，並使該基板搬送模組經由前述開口部直接進入前述基板處理室內且進行基板的搬入，抑或當在前述基板搬送室內固定設置有基板搬送機構(該基板搬送機構，係用以經由前述開口部，在與前述基板處理室之間進行基板的搬入搬出)的情況下，在與該基板搬送機構之間收授基板後，藉由前述基板搬送機構，將基板搬入至前述基板處理室內」的工程；及 「然後，在前述基板處理室內處理前述基板」的工程。
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