CN116711059A - 进行基板的输送的装置、对基板进行处理的系统以及对基板进行处理的方法 - Google Patents

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Abstract

在基板输送室内，由利用了磁悬浮的基板输送模块对基板进行输送。进行基板的输送的装置具备：基板输送室，其具有设有第1磁体的地面部，经由开口部连接有对基板进行处理的基板处理室；以及基板输送模块，其具备：基板保持部，其保持所述基板；和第2磁体，其在与所述第1磁体之间作用有排斥力，该基板输送模块构成为能够通过使用了所述排斥力的磁悬浮而在所述基板输送室内移动，基板输送模块构成为经由开口部直接进入基板输送室内而进行基板的送入送出，或者，基板输送模块构成为在与固定地设于所述基板输送室内的基板输送机构之间交接基板。

Description

进行基板的输送的装置、对基板进行处理的系统以及对基板 进行处理的方法
技术领域
本公开涉及进行基板的输送的装置、对基板进行处理的系统以及对基板进行处理的方法。
背景技术
例如，在对作为基板的半导体晶圆(以下，也称为“晶圆”)实施处理的装置中，在容纳晶圆的载体和执行处理的晶圆处理室之间进行晶圆的输送。在输送晶圆时，利用各种结构的晶圆输送机构。
例如，在专利文献1中记载有利用磁悬浮以从板浮起的状态在处理腔室之间移送半导体基板的基板载体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2018-504784号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供在基板输送室内由利用了磁悬浮的基板输送模块对基板进行输送的技术。
用于解决问题的方案
本公开的进行基板的输送的装置是相对于进行基板的处理的基板处理室进行基板的输送的装置，其中，
该进行基板的输送的装置具备：
基板输送室，其具有：地面部，其设有第1磁体；和侧壁部，其连接有所述基板处理室，该侧壁部形成有在与该基板处理室之间进行基板的送入送出的开口部；以及
基板输送模块，其具备：基板保持部，其保持所述基板；和第2磁体，其在与所述第1磁体之间作用有排斥力，该基板输送模块构成为能够通过使用了所述排斥力的磁悬浮而在所述基板输送室内移动，
所述基板输送模块构成为经由所述开口部直接进入所述基板输送室内而进行基板的送入送出，或者，所述基板输送模块在所述基板输送室内固定地设有用于经由所述开口部在与所述基板处理室之间进行基板的送入送出的基板输送机构的情况下构成为在与该基板输送机构之间交接基板。
发明的效果
根据本公开，能够在基板输送室内由利用了磁悬浮的基板输送模块对基板进行输送。
附图说明
图1是本公开的晶圆处理系统的俯视图。
图2是所述晶圆处理系统所具备的真空输送室内的局部的纵剖侧视图。
图3是第1输送模块的俯视图。
图4是真空输送室的地面部和第1输送模块的示意图。
图5是第2输送模块的纵剖侧视图。
图6是第2输送模块的俯视图。
图7是所述输送模块的动作的一例的第1作用图。
图8是所述输送模块的动作的一例的第2作用图。
图9是所述输送模块的动作的一例的第3作用图。
图10是所述输送模块的动作的一例的第4作用图。
图11是所述输送模块的动作的另一例的第1作用图。
图12是所述输送模块的动作的另一例的第2作用图。
图13是所述输送模块的动作的另一例的第3作用图。
图14是利用所述输送模块进行的槽口对准的第1作用图。
图15是利用所述输送模块进行的槽口对准的第2作用图。
图16是利用所述输送模块进行的槽口对准的第3作用图。
图17是表示设置在载置部的载置模块的立体图。
图18是表示设置在载置部的载置模块的纵剖侧视图。
图19是说明对准的说明图。
图20是表示在顶面部移动的气体供给模块的纵剖侧视图。
图21是表示所述气体供给模块的作用的示意图。
图22是表示具备连结机构的第1输送模块的立体图。
图23是表示发生了故障的第1输送模块的输送的示意图。
图24是表示具备回收用的加载互锁室的晶圆处理系统的俯视图。
图25是表示利用第1输送模块对在装置设置的部件进行的输送的示意图。
图26是连结了多个真空输送室的晶圆处理系统的俯视图。
图27是表示晶圆处理系统的另一例的俯视图。
图28是所述晶圆处理系统的输送模块的动作的第1作用图。
图29是所述晶圆处理系统的输送模块的动作的第2作用图。
图30是所述晶圆处理系统的输送模块的动作的第3作用图。
图31是所述晶圆处理系统的输送模块的动作的第4作用图。
图32是所述晶圆处理系统的输送模块的动作的第5作用图。
图33是所述晶圆处理系统的输送模块的动作的第6作用图。
具体实施方式
以下，参照图1对作为本公开的实施方式的对基板进行处理的装置的晶圆处理系统100的整体结构进行说明。
在图1示出具备多个对晶圆W进行处理的作为基板处理室的晶圆处理室110的多腔室型的晶圆处理系统100。如图1所示，晶圆处理系统100具备装载口141、大气输送室140、加载互锁室130、真空输送室120以及多个晶圆处理室110。在以下的说明中，将从真空输送室120看来设有装载口141的方向设为近前侧。
在晶圆处理系统100中，装载口141、大气输送室140、加载互锁室130、真空输送室120从近前侧沿水平方向依次配置。此外，在从近前侧观察时，多个晶圆处理室110排列地设置在真空输送室120的左右。
装载口141构成为供容纳作为处理对象的晶圆W的载体C载置的载置台，在从近前侧观察时，在左右方向上排列地设置有4台。作为载体C，例如能够使用FOUP(Front OpeningUnified Pod：前开式晶圆传送盒)等。
大气输送室140为大气压(常压)气氛，例如形成有洁净空气的下降流。此外，在大气输送室140的内部设有对晶圆W进行输送的晶圆输送机构142。大气输送室140内的晶圆输送机构142在载体C和加载互锁室130之间进行晶圆W的输送。此外，在大气输送室140的例如左侧面设有进行晶圆W的对准的对准室150。
在真空输送室120和大气输送室140之间左右排列地设置有三个加载互锁室130。加载互锁室130具有从下方顶起并保持所送入的晶圆W的升降销131。升降销131在周向上等间隔地设有三个，构成为升降自如。加载互锁室130构成为能够在大气压气氛和真空气氛之间切换。加载互锁室130和大气输送室140经由闸阀133连接。此外，加载互锁室130和真空输送室120经由闸阀132连接。真空输送室120和加载互锁室130的交界部分以地面无高度差的方式连接。因而，构成为不妨碍后述的第1输送模块20在加载互锁室130和真空输送室120之间移动。真空输送室120由未图示的真空排气机构减压至真空气氛。真空输送室120相当于本实施方式的基板输送室。
如图1所示，在真空气氛下进行晶圆W的输送的真空输送室120包括在前后方向上较长且俯视时呈矩形形状的壳体。在本例的晶圆处理系统100中，在真空输送室120的左右侧的侧壁部经由闸阀111各设有3台、共计6台晶圆处理室110。经由利用闸阀111进行开闭的未图示的开口部，进行真空输送室120和晶圆处理室110之间的晶圆W的送入送出。
各晶圆处理室110经由设有闸阀111的上述的开口部与真空输送室120连接。在各晶圆处理室110的内部设有载置台112。在各晶圆处理室110中，在利用未图示的真空排气机构减压至真空气氛的状态下，对载置于所述载置台112的晶圆W实施规定的处理。作为对晶圆W实施的处理，能够例示蚀刻处理、成膜处理、清洁处理、灰化处理等。在载置台112例如设有将晶圆W加热至规定的温度的未图示的加热器。在对晶圆W实施的处理利用处理气体的情况下，在晶圆处理室110设有包括喷淋头等的未图示的处理气体供给部。晶圆处理室110相当于本实施方式的基板处理室。
若在从近前侧观察时，将图1所示的真空输送室120的内部划分为前段、中段、后段这三个区域，则晶圆处理室110设置为从左右夹着各区域而相对。在前段的区域和中段的区域分别设有作为基板输送机构的晶圆输送臂5。如图1、图2所示，晶圆输送臂5构成为从下方侧起依次连结有固定于真空输送室120的底面的基台50、在基台50的上方借助未图示的旋转轴连接的下层臂部51、上层臂部52以及配置为两层的晶圆保持部53的关节臂。根据该结构，晶圆输送臂5能够伸缩自如以及绕铅垂轴线旋转自如地进行动作。另外，以下，分别对设置在前段的区域(近前侧)的晶圆输送臂5、设置在中段的区域(进深侧)的晶圆输送臂5一并标注附图标记A、B地进行表示(5A、5B)。
并且，在前段的区域和中段的区域之间以及在中段区域和后段区域之间，例如分别在左右方向上排列地设置有三处临时地载置晶圆W的作为基板交接部的载置部4。载置部4所配置的位置相当于交接基板的位置。在俯视时，在载置部4以形成三角形的支承面的方式设有三个支承晶圆W的升降销41。升降销41构成为利用未图示的升降机构相对于真空输送室120的底面突出没入，从下方侧顶起并保持晶圆W。另外，在附图中，将被升降销41支承的晶圆W投影于真空输送室120的底面而得到的区域设为载置部4并以虚线表示。此外，对在晶圆输送臂5A和晶圆输送臂5B之间排列的载置部4、在晶圆输送臂5B的进深侧设置的载置部4分别一并标注附图标记A、B地进行表示(4A、4B)。
载置部4A、4B构成为，在保持晶圆W时，升降销41自真空输送室120的底面突出，在不保持晶圆W时，升降销41下降至比真空输送室120的底面靠下方的位置。因而，在不保持晶圆W时，后述的第1输送模块20和第2输送模块30能够经过载置部4A、4B的上方。
各载置部4A、4B和各晶圆输送臂5A、5B的基台50之间的前后方向上的间隔设定为，即使在使升降销41上升了的状态下也能够供后述的第1输送模块20穿过的间隔(图2)。此外，近前侧的晶圆输送臂5A的基台50和加载互锁室130之间的前后方向上的间隔也设定为，在同样的条件下能够供第1输送模块20穿过的间隔。而且，进深侧的载置部4B和真空输送室120的进深侧的壁面之间的前后方向上的间隔设定为，后述的第2输送模块30能够使臂部32采取朝向前后方向的姿势的间隔。
根据上述的结构，在真空输送室120内，成为以被两个连接有晶圆处理室110的开口部夹着的方式配置有晶圆输送臂5(5A、5B)的状态。并且，成为沿着这些开口部和晶圆输送臂5的排列方向配置有多个载置部4的布局。
在真空输送室120内，除了容纳有晶圆输送臂5A、5B以外，还容纳有对晶圆W进行输送的作为基板输送模块的第1输送模块20和第2输送模块30。在本例中，容纳有构成为圆板状的第1输送模块20和具备具有叉状的基板保持部的臂部32的第2输送模块30。
第1输送模块20和第2输送模块30分别构成为能够利用磁悬浮在真空输送室120内移动。以下，详细地说明与利用输送模块20进行的晶圆W的输送以及处理相关连的设备的结构。
如图3、图4所示，第1输送模块20具备载置并保持晶圆W的作为基板保持部的载物台2。例如，载物台2形成为扁平的圆板状，其上表面成为用于载置作为输送、处理的对象的晶圆W的载置面。
并且，如图3所示，在第1输送模块20形成有从载物台2的周缘朝向载物台2的内侧延伸的三个狭缝21，以避免与载置部4A、4B的升降销41以及加载互锁室130内的升降销131互相干扰。另外，在以下的说明书中，对于第1输送模块20的朝向，有时将使所述狭缝21的开口端侧朝向规定的方向表述为使第1输送模块20正对规定的方向。
对于升降销41、131和狭缝21的关系，以真空输送室120内的载置部4为例进行说明。在此，升降销41成为从地面突出的状态。首先，使第1输送模块20以与真空输送室120的进深侧正对的姿势配置在载置部4的近前侧，并朝向进深侧移动。此时，如上述的那样，在载置部4和各晶圆输送臂5的基台50之间确保有能够供第1输送模块20穿过的间隔。因而，第1输送模块20和升降销41不互相干扰，能够将第1输送模块20配置在相对于载置部4正对的位置。此外，使第1输送模块20以与真空输送室120的近前侧正对的姿势配置在载置部4的进深侧，并朝向近前侧移动。根据该动作，沿着升降销41的配置位置在狭缝21的形成区域移动。该结果是，第1输送模块20和升降销41不互相干扰，能够将第1输送模块20和载置部4上下配置为彼此的中心对齐。
如图4示意地示出那样，在真空输送室120和加载互锁室130的地面部10内分别配列有多个地面侧线圈15。地面侧线圈15从未图示的电力供给部供给电力，从而产生磁场。根据该观点，地面侧线圈15相当于本实施方式的第1磁体。
另一方面，在第1输送模块20的内部也配列有多个模块侧线圈35。对于模块侧线圈35，在与由地面侧线圈15生成的磁场之间作用有排斥力。利用该作用，能够使第1输送模块20相对于地面部10磁悬浮。此外，通过调节由地面侧线圈15生成的磁场的强度、位置，从而能够使第1输送模块20在地面部10上向期望的方向移动，能够进行悬浮量的调节、第1输送模块20的朝向的调节。
设于第1输送模块20的模块侧线圈35相当于本实施方式的第2磁体。对于模块侧线圈35，由在第1输送模块20内设置的作为磁体电力供给部的未图示的电池供给电力，作为电磁体发挥功能。另外，也可以是与多个模块侧线圈35一起在第1输送模块20的内部辅助性地设置永磁体的结构。除此以外，模块侧线圈35也可以仅由永磁体构成。
例如，各模块侧线圈35由在第1输送模块20内设置的未图示的供电控制部来进行对模块侧线圈35供给的电力的增减、电力的供给、停止的控制。此时，供电控制部也可以是在与后述的控制部9之间由无线通信获取供电控制的控制信号的结构。
此外，如上述那样，第1输送模块20形成为能够从晶圆输送臂5A、5B的基台50和载置部4之间穿过的尺寸(图1、图2)。而且，如图2所示，第2输送模块30形成为在保持有晶圆W的状态下能够穿过晶圆输送臂5A、5B的旋转的下层臂部51的下方的高度尺寸。
接着，对在真空输送室120的后段配置的第2输送模块30的结构进行说明。如图5、图6所示，第2输送模块30具有与第1输送模块20大致相同的宽度尺寸，具备俯视形状呈矩形的主体部31。在该主体部31设有以沿水平延伸的方式设置且将晶圆W保持为水平的臂部32。在臂部32的前端部设有能够以从左右包围设有三个升降销41、131的区域的方式配置的叉。叉相当于第2输送模块30的基板保持部。该臂部32设定为以下这样的长度：能够在使主体部31位于真空输送室120内的状态下打开闸阀111并将臂部32插入于晶圆处理室110内，从而向载置台112交接晶圆W。
此外，在第2输送模块30的主体部31的内部设有与第1输送模块20同样的模块侧线圈35。根据该结构，与第1输送模块20同样，能够使第2输送模块30在地面部10上向期望的方向移动，能够进行悬浮量的调节、第2输送模块30的朝向的调节。
以上说明的具备第1输送模块20、第2输送模块30、晶圆输送臂5且连接有晶圆处理室110的真空输送室120构成本公开的进行基板的输送的装置。
返回图1，具备上述的结构的晶圆处理系统100具备控制各地面侧线圈15、晶圆处理室110等的控制部9。控制部9由具备CPU和存储部的计算机构成，控制晶圆处理系统100的各部分。在存储部记录有编入了用于控制第1输送模块20和第2输送模块30、晶圆处理室110的动作等的步骤(指令)组的程序。该程序例如存储在硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质中，并由此加载于计算机。
接着，对晶圆处理系统100的动作的一例进行说明。首先，在容纳有作为处理对象的晶圆W的载体C载置于装载口141时，由大气输送室140内的晶圆输送机构142从载体C取出晶圆W。接着，晶圆W被向对准室150输送，进行晶圆W的对准。进而，在由晶圆输送机构142从对准室150取出晶圆W时，打开闸阀133。
接下来，晶圆输送机构142进入加载互锁室130，升降销131顶起并承接晶圆W。在此，例如，在从近前侧观察进深侧时，将最初的晶圆W送入最左的加载互锁室130。之后，在晶圆输送机构142从加载互锁室130退避时，关闭闸阀133。进而，使加载互锁室130内从大气压气氛向真空气氛切换。接下来，将晶圆W同样地向各加载互锁室130输送，在该例中，例如，将第二个晶圆W向最右侧的加载互锁室130输送。
在加载互锁室130内成为真空气氛之后，打开闸阀132。此时，在真空输送室120内，在加载互锁室130的连接位置的附近，第1输送模块20A以与加载互锁室130正对的姿势待机。并且，利用由设于地面部10的地面侧线圈15生成的磁场，通过使用了排斥力的磁悬浮使第1输送模块20A上升。
接下来，说明从加载互锁室130向各晶圆处理室110的晶圆W的输送，首先，参照图7～图10对向前段的晶圆处理室110、中段的晶圆处理室110依次输送晶圆W的例子进行说明。在此，说明在从近前侧观察时向在真空输送室120的右侧设置的各晶圆处理室110依次输送晶圆W的例子。另外，在图7～图10中，对先输送晶圆W的第1输送模块20一并标注附图标记A(20A)，对后续输送晶圆W的第1输送模块20一并标注附图标记B。
首先，如图7所示，使第1输送模块20A进入加载互锁室130内，使其位于被升降销131支承的晶圆W的下方。进而，使升降销131下降，向第1输送模块20交接晶圆W，从而将晶圆W载置于载物台2。
接着，使保持有晶圆W的第1输送模块20A从加载互锁室130退出，使其直行至近前侧的载置部A4的近前。
接下来，第1输送模块20A在近前侧的载置部4A和近前侧的晶圆输送臂5A的基台50之间向右方移动。此时，第1输送模块20A不改变方向地向右侧平行移动。然后，在移动至最右侧的载置部4A的近前之后，向进深侧改变移动方向，到达载置部4的上方(图8)。
进而，在该载置部4A，升降销41上升，顶起并承接保持在第1输送模块20A的晶圆W。另外，此时，向最左侧的加载互锁室130送入后续的晶圆W，同样地将加载互锁室130的气氛切换为真空气氛。然后，第1输送模块20B进入该加载互锁室130，承接晶圆W。
接下来，如图9所示，交接了晶圆W的第1输送模块20A向该载置部4A的进深侧移动，在近前侧的载置部4A的进深侧从右侧向左侧移动。进而，第1输送模块20A朝向近前侧直行并在左侧的加载互锁室130的进深侧待机。
另外，第1输送模块20A在维持着与加载互锁室130正对的姿势的状态下向未使升降销41上升的状态的载置部4A移动。因此，第1输送模块20A能够不与升降销41互相干扰地沿着图9中所示的轨迹移动。这点在另一第1输送模块20B的动作中也是同样的。
进而，近前侧的晶圆输送臂5A承接被交接到右侧的载置部4A的晶圆W，例如将该晶圆W向前段的右侧的晶圆处理室110输送。
另外，此时，保持有后续的晶圆W的第1输送模块20B从加载互锁室130退出，直行至载置部4A的近前。进而，改变移动方向，在载置部4A和近前侧的晶圆输送臂5A之间向左侧移动。然后，在移动至中央的载置部4A的近前之后，向进深侧改变移动方向，到达载置部4A的上方(图9)。然后，使载置部4A的升降销41上升，向升降销41交接晶圆W。
接下来，如图10所示，交接了晶圆W的第1输送模块20B在向该载置部4的进深侧移动之后，向右侧改变移动方向。之后，朝向近前侧直行并在最右侧的加载互锁室130的进深侧待机。
另一方面，进深侧的晶圆输送臂5B承接被交接到中央的载置部4A的晶圆W，例如将该晶圆W向中段的右侧的晶圆处理室110输送。
接下来，参照图11～图13对从加载互锁室130向后段的晶圆处理室110输送晶圆W的动作进行说明。在该例中，说明向在真空输送室120的后段的右侧设置的晶圆处理室110输送的情况。
首先，例如在左侧的加载互锁室130，向第1输送模块20交接晶圆W。接着，如图11所示，承接有晶圆W的第1输送模块20朝向进深侧直行，移动至进深侧的载置部4B的近前侧。
进而，第1输送模块20改变移动方向，在进深侧的载置部4B和进深侧的晶圆输送臂5B之间向右侧移动。然后，在移动至右侧的载置部4B的近前之后，向进深侧改变移动方向，到达右侧的载置部4B的上方。然后，例如在该部位绕铅垂轴线旋转，以与该载置部4B正对的方式改变朝向。在此，第1输送模块20由于在从加载互锁室130出来时成为朝向并正对近前侧的姿势，因此，在载置部4的上方绕铅垂轴线旋转180°即可。另外，此时，第2输送模块30在右侧的载置部4B的进深侧以将臂部32朝向近前侧的姿势待机。
接下来，如图12所示，在使该载置部4的升降销41上升，顶起并承接晶圆W时，第1输送模块20向近前侧移动。进而，第1输送模块20在绕铅垂轴线旋转180°之后，在进深侧的载置部4B和进深侧的晶圆输送臂5B之间向左方移动。进而，向近前侧直行，返回最左的加载互锁室130的进深侧并待机。
另一方面，使第2输送模块30向近前侧前进而使臂部32位于载置部4B，并且使该载置部4B的升降销41下降而向臂部32交接晶圆W。
进而，如图13所示，在从载置部4B观察时，保持有晶圆W的第2输送模块30进行一边改变朝向一边后退的折返(日文：切り返し)，使臂部32的前端朝向右侧的晶圆处理室110。接着，打开该晶圆处理室110的闸阀111，使第2输送模块30直行，使臂部32进入晶圆处理室110并交接晶圆W。另外，在交接晶圆W时，第2输送模块30的主体部31位于真空输送室120内，仅臂部32进入晶圆处理室110(图13)。
根据以上说明了的各动作，在完成了向各晶圆处理室110的晶圆W的送入之后，使晶圆输送臂5A、5B、臂部32向真空输送室120退避，关闭闸阀111。接下来，依次进行载置台112对晶圆W的加热，升温至预先设定的温度，并且从处理气体供给部向晶圆处理室110内供给处理气体。如此，对晶圆W执行期望的处理。
在如此以预先设定的期间执行了晶圆W的处理之后，停止晶圆W的加热，并且停止处理气体的供给。此外，也可以根据需要向晶圆处理室110内供给冷却用气体，进行晶圆W的冷却。之后，以与送入时相反的顺序输送晶圆W，使晶圆W从晶圆处理室110返回加载互锁室130。
进而，在使加载互锁室130的气氛切换为常压气氛之后，利用大气输送室140侧的晶圆输送机构142取出加载互锁室130内的晶圆W，使该晶圆W返回规定的载体C。
在上述的实施方式中，在将晶圆W向晶圆处理室110输送时，利用第1输送模块20从加载互锁室130输送至在真空输送室120内设置的载置部4。
另一方面，在真空输送室120内不设置第1输送模块20的结构的情况下，对于加载互锁室130和前段侧的载置部4A之间、前段侧的载置部4A和后段侧的载置部4B之间的前后方向上的晶圆W的输送，也需要使用晶圆输送臂5A、5B。因此，对于各晶圆输送臂5A、5B，除了向晶圆处理室110输送晶圆W的动作以外，还增加了在前后方向上输送晶圆W的动作。该结果是，利用晶圆输送臂5A、5B输送晶圆W的动作的负荷变大。特定的设备的负荷增大也有可能在谋求在晶圆处理系统100每单位时间能够处理的晶圆W的张数的增大这方面成为限制。另一方面，对于追加地设置在前后方向上输送晶圆W的专用的晶圆输送臂的做法，由于配置空间的不足、与其他晶圆输送臂5A、5B之间的干扰、利用追加的晶圆输送臂输送晶圆的可输送位置产生限制，是不现实的。
与此相对，通过设置能够在真空输送室120内比较自由地移动的第1输送模块20，从而能够使第1输送模块20分担从加载互锁室130至各载置部4的晶圆W的输送。因而，晶圆输送臂5仅分担载置部4和晶圆处理室110之间的晶圆W的输送即可。因此，能够抑制晶圆输送臂5的负荷的增大。
此外，如上述那样，沿着晶圆处理室110和晶圆输送臂5的排列方向配置有多个载置部4。根据该结构，能够确保第1输送模块20的移动空间，并且高效地实施晶圆输送臂5和第1输送模块20对晶圆W的输送动作。
在此，也可以是，在晶圆处理室110的地面部也设置地面侧线圈15，能够使第1输送模块20直接进入至晶圆处理室110内而输送晶圆W。此外，也可以是，例如根据晶圆处理室110内的处理的前后的晶圆W的温度，分别使用可使用温度不同的第1输送模块20和第2输送模块30。
此外，也可以是，在由第1输送模块20输送晶圆W时，进行晶圆W的槽口、定位平面(OF)的对位。在晶圆处理室110进行晶圆W的处理时，有时需要在基于在对准室150预先进行对准的结果，将槽口、OF朝向规定的方向状态下进行处理。另一方面，如图1所示，在隔着晶圆输送臂5在左右配置有晶圆处理室110的情况下，若载置于载置部4的晶圆W始终朝向相同的方向，则存在在左右的晶圆处理室110之间槽口、OF的朝向相差180°的情况。
在这样的情况下，第1输送模块20也能够用于槽口、OF的对位。另外，在以下说明的图14～图15中，为了方便图示，省略晶圆输送臂5的记载。
因此，例如，若对槽口的对位的例子进行叙述的话，利用对准进行了槽口的对位的晶圆W如图14所示那样配置。在此，在不变更槽口的朝向地将晶圆W载置于载置部4并由晶圆输送臂5将晶圆W送入右边的晶圆处理室110时，晶圆W成为相对于预先设定的朝向绕铅垂轴线旋转了180°的状态。
在该情况下，例如在保持有晶圆W的第1输送模块20从加载互锁室130进入真空输送室120内时，如图15所示，使第1输送模块20绕铅垂轴线旋转180°。然后，如图16所示，向载置部4交接晶圆W，从而能够使向载置部4交接的晶圆W的方向旋转180°。进而，第1输送模块20从载置部4的位置退避，绕铅垂轴线旋转180°，返回最左的加载互锁室130的进深侧并待机(图16)。通过如此使用利用了磁悬浮的第1输送模块20，从而不需要在晶圆处理系统100另外设置进行槽口的对位的装置。
接着，在图17、图18示出在载置部4配置的构成基板交接部的载置模块400的例子。该载置模块400构成为利用磁悬浮绕铅垂轴线旋转自如。该载置模块400具备两个载置台401、402，以能够上下两层地载置晶圆W。例如下层侧的载置台401具备台部411，在台部411的上方设有保持晶圆W的下表面中央的保持部403。保持部403构成为能够在与各第1输送模块20的晶圆保持部53之间进行晶圆W的交接。
此外，上层侧的载置台402具备包围下层侧的载置台401的圆筒部412，在圆筒部412的上方设有保持晶圆W的下表面中央的保持部404。用于向下层侧的载置台401交接晶圆W的窗部405在圆筒部412的侧面的彼此相对的位置形成有两处。对于保持部404，也构成为能够在与各第1输送模块20的晶圆保持部53之间进行晶圆W的交接。
此外，在载置台401的台部411的下端和载置台402的圆筒部412的下端分别设有作为基板交接部侧的磁体的模块侧线圈35。利用该模块侧线圈35和在真空输送室12的地面部10设置的地面侧线圈15之间的排斥力，各载置台401、402构成为绕铅垂轴线独立地旋转自如。根据本例的载置模块400，能够将晶圆W的朝向在保持于第1输送模块20的情况下的朝向和保持于晶圆输送臂5的情况下的朝向之间变更。在本例中，通过设置专用的载置模块400来代替使用图14～图16说明了的由第1输送模块20进行的晶圆W的槽口、OF的对位的动作，从而能够分担晶圆W的输送和旋转动作。
接着，图19示出使用利用了磁悬浮的输送模块进行晶圆W的对准的例子。图19所例示的输送模块60具备设有模块侧线圈35的主体部61和以从主体部61的上表面朝向上方突出的方式延伸且直径比晶圆W的直径小的支柱部62。在支柱部62的上表面形成有构成基板保持部的基板保持面，晶圆W被基板保持面从下表面侧支承。
在使用了上述的输送模块60的对准中，例如使用朝向下方照射光并且在下方侧具备接收该光的受光部的作为检测部的对准用的晶圆传感器6。晶圆传感器6对晶圆W的位于比支柱部62靠外侧的周缘的位置进行检测。晶圆传感器6例如设于加载互锁室130内。
于是，例如在使输送模块60在加载互锁室130内待机的状态下，从大气输送室140侧将晶圆W向输送模块60交接，关闭大气输送室140侧的闸阀133。进而，使输送模块60移动，以使晶圆W的周缘位于晶圆传感器6的光路上。
然后，在将加载互锁室130内向真空气氛切换的期间，在该部位，使输送模块60绕铅垂轴线旋转。该结果是，晶圆W绕穿过其中心的中心轴线旋转，一边对该旋转的晶圆W的周缘的位置进行检测一边进行对准。
通过如此构成，从而能够省略图1所示的对准室150的设置，使晶圆处理系统100小型化。而且，能够在将加载互锁室130向真空切换的期间进行对准，因此，例如与向对准室150输送并进行对准的例子相比较，能够提高每单位时间的晶圆W的处理张数。另外，也可以是，将传感器部6设于大气输送室140、真空输送室120等输送模块60的移动区域，在各设置场所进行对准。
上述的输送模块60也相当于本例的基板输送模块，也可以代替上述的第1输送模块20、第2输送模块30或者与它们一起执行真空输送室120内的晶圆W的输送。在该情况下，载置部4的升降销41配置在能够在支柱部62的周围支承晶圆W的下表面的位置。
此外，也可以是，在上述的各输送模块20、30、60设置加速度计、温度计，来检测晶圆W的输送时的振动或检测晶圆W的温度上升。并且，也可以是，例如向控制部9发送加速度、温度的测量值，例如以加速度的测量值超过阈值的情况或者温度的测量值超过阈值的情况对输送模块20、30、60的故障进行自我诊断。此外，也可以是，以晶圆W的温度的测量值超过阈值的情况检测晶圆W的处理过程的异常。
此外，也可以是，在圆板状的第1输送模块20设置例如监视真空输送室120内的照相机。例如通过对真空输送室120内进行摄像，从而能够确认真空输送室120内的异常的有无。此外，也可以是，使第1输送模块20进入晶圆处理室110内，对室内进行摄像并进行异常的确认。例如，也可以是，通过对在载置台112载置的晶圆W和载置台112进行摄像，确认晶圆W的位置和载置台112的位置，从而确认晶圆W的示教、输送的精度。此外，也可以是，设置激光位移计、编码器来代替照相机，进一步提高位置确认的精度。
此外，也可以是，相对于上述的输送模块20、30、60独立地设置能够利用磁悬浮在真空输送室120内移动的摄像模块，并在该摄像模块设置照相机。
接着，图20、图21示出在进行晶圆W的输送的基板输送室(例如上述的真空输送室120)的顶部(顶面部)侧设置磁体，并设置利用磁体吸引而沿着顶部移动的模块的例子。作为这样的模块的一例，对气体喷出模块7进行说明。
如图20所示，气体喷出模块7具备壳体70。在壳体70的内部例如设有贮存作为洁净气体的氮(N2)气的气体贮存部71。
此外，在壳体70的下表面侧形成有多个气体喷出孔72，构成为在气体贮存部71贮存的氮气经由配管73从气体喷出孔72喷出。另外，图20中的在配管73设置的V73为阀。
并且，在壳体70的顶板设置模块侧线圈35，并且在真空输送室120的顶面部11设置顶面部侧线圈16。顶面部侧线圈16相当于第3磁体，模块侧线圈35相当于第4磁体。于是，模块侧线圈35和顶面部侧线圈16利用磁力所产生的吸引力，在真空输送室120内的顶面部11的下方位置磁性吸引气体喷出模块7。
根据如此构成的气体喷出模块7，如图21所示，例如一边在真空输送室120内移动一边喷出氮气。由此，朝向真空输送室120内的晶圆W形成洁净气体的下降流。利用该下降流，能够抑制在真空输送室120内漂浮的微粒93、伴随晶圆处理室110内的处理而产生的腐食性气体94向晶圆W的附着，使其与氮气的流动一起从排气口90排出。
而且，也可以是，在输送模块20、30输送晶圆W时，使气体喷出模块7追随输送模块20、30而移动，以持续向输送模块20、30所保持的晶圆W喷出氮气。
通过如此构成，从而能够由氮气覆盖输送过程中的晶圆W，能够防止晶圆W被漂浮在输送路径的气体氧化。
除此以外，作为设于顶面部侧而移动的模块，也可以是容纳有加热器等的调温模块。例如，使配置在晶圆W的上方的调温模块与由沿着地面移动的第1输送模块20输送的晶圆W一起位移、移动，从而能够在晶圆W的输送过程中调节晶圆W的温度。此外，也可以是，在沿着顶部移动的模块设置搁板状的晶圆载置部，并使用该模块输送晶圆W。
此外，也可以是，设置将各输送模块20、30、60彼此互相连结的连结机构。例如，在图22示出在第1输送模块20的侧面设置突起部22的例子。在与突起部22相反的一侧的侧面设置能够供该突起部22插入的凹部23。并且，如图23所示，构成为能够将第1输送模块20的突起部22插入其他第1输送模块20的凹部而进行连结。突起部22和凹部23构成连结机构。
通过如此构成，从而例如在第1输送模块20发生故障而无法移动时，由其他第1输送模块20以夹着发生了故障的第1输送模块20的方式与该发生了故障的第1输送模块20连结。图23中带有斜线的第1输送模块20表示发生了故障的第1输送模块20。通过如此构成，从而能够由其他第1输送模块20输送发生了故障的第1输送模块20。
而且，也可以是，设置能够将内部气氛在大气气氛和真空气氛之间切换的专用的加载互锁室200，以送出发生了故障的第1输送模块20。图24示出在真空输送室120的进深侧的侧壁面设置该加载互锁室200的例子。图24中的附图标记201为闸阀，附图标记202为第1输送模块20的取出口。通过如此设置发生了故障的输送模块20、30、60的回收用的加载互锁室200，从而不需要停止、开放晶圆处理系统100，能够削减系统100的停机时间。此外，也可以是，从加载互锁室200回收产生异常的晶圆W。
而且，也可以是，上述的加载互锁室200用作预先容纳未使用的输送模块20、30、60的容纳室。并且，也可以是，构成为能够与在晶圆处理系统100进行的处理的生产率相应地调节在真空输送室120内使用的输送模块20、30、60的数量。而且，也可以是，能够经由加载互锁室200增减在真空输送室120内配置的输送模块20、30、60的数量。
而且，也可以是，使用输送模块20、30、60输送在真空输送室120内或晶圆处理室110内设置的部件。图25示出由第1输送模块20输送聚焦环113的例子。并且，也可以是，例如，晶圆输送臂5构成为能够从这些第1输送模块20承接聚焦环113，将其送入晶圆处理室110内并设置在载置台112。通过如此构成，从而能够在不开放晶圆处理室110的情况下进行内部的部件、构件的更换、设置。
另外，也可以是，第1输送模块20构成为俯视形状呈矩形。另一方面，通过设为俯视形状呈圆形的输送模块20，从而能够减小输送模块20的旋转所需的面积，能够减小真空输送室120的面积。
此外，也可以是，第1输送模块20和晶圆输送臂5之间的晶圆W的交接不借助载置部4而直接在第1输送模块20和晶圆输送臂5之间进行。在该情况下，例如设置相对于第1输送模块20的载物台2的表面突出没入的升降销。于是，也可以是，使用该升降销使载置于第1输送模块20的晶圆W升降，而进行与晶圆输送臂5之间的交接。
此外，真空输送室120的晶圆处理室110的配置数量、配置布局并不限定于图1所示的例子。也可以是，根据需要增减晶圆处理室110的配置数量。例如，在真空输送室120仅设置一个晶圆处理室110的情况也包含在本公开的技术范围内。
此外，真空输送室120的配置也不限定于如图1所示那样使俯视形状呈矩形形状的真空输送室120的长边朝向前后方向地配置的情况。例如，也可以是，在从装载口141侧观察时，使所述长边朝向左右方向地配置真空输送室120。
而且，真空输送室120的俯视形状也可以根据配置晶圆处理系统100的区域的形状而采用各种形状。例如，也可以是正方形、五边形以上的多边形、圆形、椭圆形。
除此以外，使用输送模块20、30、60实施晶圆W相对于晶圆处理室110的输送的基板输送室并不限定于由内部为真空气氛的真空输送室120构成的情况。对于在内部为大气压气氛的基板输送室的侧方设有晶圆处理室110的结构的晶圆处理系统，也能够应用本公开的输送模块20、30、60。在该情况下，对晶圆处理系统设置加载互锁室130不是必须的要求，也可以是，将从载体C向大气输送室140取出的晶圆W直接送入基板输送室。
此外，例如，也可以是，由连络路径8将真空输送室120A与另一真空输送室120B连结起来。例如，如图26所示，将连络路径8的一端与真空输送室120A的左侧方连接，将连络路径8的另一端与另一真空输送室120B的右侧方连接。该真空输送室120B除了未在近前侧设置加载互锁室130以外，与真空输送室120A同样地构成。
并且，在连络路径8的地面也设置地面侧线圈15，输送模块20、30、60构成为能够移动。如此，通过连结多个真空输送室120A、120B，从而能够使加载互锁室130、大气输送室140以及装载口141共通化。
此外，例如在仅采用晶圆输送臂5来作为在真空输送室120A、120B之间固定于底面的晶圆输送机构的情况下，需要用于旋转的较大的空间。此外，由于能够输送的距离有限，因此，有时为了输送至较远的地点而必须设置多个输送机构。
与此相对，在使用利用磁力悬浮并移动的第1输送模块20和第2输送模块30的情况下，能够比较自由地调节能够设置地面侧线圈15的范围。该结果是，能够自由地设定一台输送模块20、30、60能够移动的范围，因此，装置设计的自由度变高。
此外，也可以是，不在真空输送室120内设置固定式的输送机构，而利用磁力悬浮在真空输送室120内仅由输送模块20、30、60进行晶圆W的输送。
图27示出仅使用上述的第2输送模块30(以下，也简记为“输送模块30”)进行晶圆W的输送的晶圆处理系统101。对于该晶圆处理系统101，在俯视时，矩形形状的真空输送室160的短边方向上的长度分别为能够供两台保持有晶圆W的输送模块30在左右排列状态下交错通过的程度的宽度。此外，该例子的真空输送室160的短边方向上的长度比输送模块30保持有晶圆W时的从主体部31至晶圆W的前端的长度(保持有晶圆W状态的输送模块30的全长)短。在该例中，使用在真空输送室160内设置的两台输送模块30进行晶圆W的输送。
并且，在真空输送室160的近前侧正面，左右排列地设有两台加载互锁室130，在真空输送室160的左右，各排列地设有四台晶圆处理室110。即，朝向与真空输送室160的长边方向交叉的方向(短边方向)向晶圆处理室110送入晶圆W。另一方面，如上述那样，真空输送室160的短边方向上的长度比保持有晶圆W的状态的输送模块30的全长短。因而，在使用该输送模块30进行晶圆W的送入送出时，需要进行将沿着真空输送室160的长边方向的直线移动和一边改变输送模块30的朝向一边进行相对于真空输送室160的进入或退出的曲线移动组合而成的折返动作。
因此，在真空输送室160的进深侧设有空间161，该空间161用于在将晶圆W送入最后段的晶圆处理室110时进行输送模块30转换时的折返动作。即，空间161比最后段的晶圆处理室110(详细而言为后段的晶圆处理室110的闸阀111的位置)向进深侧突出地设置。另外，对于晶圆W相对于最后段以外的近前侧的晶圆处理室110的送入送出，能够使用真空输送室160内的比上述的空间161向近前侧扩展的空间来进行上述的折返动作。
在该晶圆处理系统101中，输送模块30在真空输送室160内以使臂部32朝向加载互锁室130侧(近前侧)的姿势沿着真空输送室160的长边方向在从近前侧观察时靠左和靠右的轨道移动。
对于与该晶圆处理系统101的晶圆处理室110之间的晶圆W的交接动作，以左侧的最后段的晶圆处理室110为例进行说明。
首先，输送模块30在从左侧的加载互锁室130承接晶圆W时，以使臂部32朝向近前侧的姿势在该状态下朝向进深侧后退移动(也参照图27的在从近前侧观察时与左手侧的输送模块30一并标注的表示行进方向的箭头)。
然后，保持有晶圆W的输送模块30移动至最后段的晶圆处理室110的闸阀111所设置的位置。此时，该输送模块30的主体部31经过所述闸阀111的配置位置到达更靠进深侧的空间161。利用该动作，使保持有晶圆W的臂部32的前端侧配置在闸阀111的附近。
如此，在臂部32的前端侧到达闸阀111附近之后，如图28所示，在后退动作的基础上，以使臂部32的前端侧朝向闸阀111的方式顺时针转动。
接下来，打开闸阀111，一边以将晶圆W插入晶圆处理室110内的方式转动，一边使输送模块30的移动方向切换为前进(图29)。之后，在输送模块30成为与晶圆处理室110正对的状态之后，停止旋转并直行，直到使晶圆W达载置台112的上方。
利用一边使上述的输送模块30旋转一边在后退和前进之间切换的折返动作，输送模块30成为在从近前侧观察时使臂部32朝向左方的姿势(图30)。并且，将晶圆W交接于载置台112，使输送模块30从晶圆处理室110退避。进而，关闭闸阀111，进行晶圆W的处理。
然后，在结束晶圆W的处理并从晶圆处理室110送出晶圆W时，输送模块30再次使臂部32进入晶圆处理室110内并承接处理完的晶圆W。
接着，如图31～图33所示，利用与送入时相反的动作，执行一边使输送模块30旋转一边在后退和前进之间切换的折返动作，而送出晶圆W。之后，朝向近前前进，向左侧的加载互锁室130输送晶圆W。另外，虽然在上述的例子中省略了说明，但输送模块30使未保持晶圆W的状态的臂部32相对于晶圆处理室110退避、进入时的动作也利用使用图28～图33说明了的折返动作。
如以上说明的那样，在真空输送室160的进深侧设有供输送模块30一边进行折返一边转换方向的空间161。通过设置该空间161，从而能够使真空输送室160的短边方向上的宽度比保持有晶圆W的状态的输送模块30的全长短。因而，能够减小真空输送室160的地面面积。另外，如上述那样，相对于配置在比最后段的晶圆处理室110靠近前侧的位置的各晶圆处理室110，能够使用真空输送室160内的比该空间161向近前侧扩展的空间来进行折返动作。
此外，该晶圆处理系统101在真空输送室160内未设置晶圆输送臂5、载置部4，因此，与设有这些设备5、4的情况相比较，能够降低真空输送室160的高度尺寸。
应认为本次公开的实施方式在所有方面都是例示，而不是限制性的。上述实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的情况下以各种各样的方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
2、载物台；5、晶圆输送臂；10、地面部；15、地面侧线圈；20、第1输送模块(输送模块)；30、第2输送模块(输送模块)；32、晶圆保持部；35、模块侧线圈；60、输送模块；100、101、晶圆处理系统；110、晶圆处理室；120、160、真空输送室；W、晶圆。

Claims (20)

1.一种进行基板的输送的装置，其相对于进行基板的处理的基板处理室进行基板的输送，其中，
该进行基板的输送的装置具备：
基板输送室，其具有：地面部，其设有第1磁体；和侧壁部，其连接有所述基板处理室，该侧壁部形成有在与该基板处理室之间进行基板的送入送出的开口部；以及
基板输送模块，其具备：基板保持部，其保持所述基板；和第2磁体，其在与所述第1磁体之间作用有排斥力，该基板输送模块构成为能够通过使用了所述排斥力的磁悬浮而在所述基板输送室内移动，
所述基板输送模块构成为经由所述开口部直接进入所述基板输送室内而进行基板的送入送出，或者，所述基板输送模块在所述基板输送室内固定地设有用于经由所述开口部在与所述基板处理室之间进行基板的送入送出的基板输送机构的情况下构成为在与该基板输送机构之间交接基板。
2.根据权利要求1所述的进行基板的输送的装置，其中，
在所述基板输送室内设有所述基板输送机构的情况下，
该进行基板的输送的装置具备基板交接部，该基板交接部设于所述基板输送室内，供在所述基板输送模块和所述基板输送机构之间交接的基板临时地载置。
3.根据权利要求2所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送机构是构成为伸缩自如以及绕铅垂轴线旋转自如的基板输送臂，
在所述基板输送室的隔着所述基板输送臂设置的两个侧壁部分别以隔着该基板输送臂彼此相对的方式设有所述开口部，沿着这些开口部和基板输送臂的排列方向配置有多个所述基板交接部。
4.根据权利要求2或3所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板交接部具备：载置部，其载置基板；和基板交接部侧的磁体，其在与所述第1磁体之间作用有排斥力，该基板交接部构成为通过使用了所述排斥力的磁悬浮而在所述基板输送室内绕铅垂轴线旋转自如，以能够将所述基板的朝向在保持于所述基板输送模块的情况下的朝向和保持于所述基板输送机构的情况下的朝向之间变更。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送室具备设有第3磁体的顶面部，
该进行基板的输送的装置具备处理模块，该处理模块设有在与所述第3磁体之间作用有吸引力的第4磁体，进行所述基板输送室的内部或基板的处理，
所述处理模块构成为能够通过使用了所述吸引力的磁性吸引而在所述基板输送室内移动。
6.根据权利要求5所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述处理模块是经由在处理模块的下表面设置的气体供给孔向所述基板输送室内喷出气体以朝向所述基板输送室内的基板形成洁净气体的下降流的气体喷出模块。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送模块具备与其他基板输送模块连结的连结机构。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
该进行基板的输送的装置具备与所述基板输送室连接并容纳所述基板输送模块的容纳室。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送模块构成为，除了能够进行所述基板的输送以外，还能够进行在所述基板输送室内或所述基板处理室内设置的部件的输送。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送模块构成为在内部设有所述第2磁体的圆板状，该圆板的上表面成为所述基板保持部。
11.根据权利要求1～9中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送模块具备：主体部，其在内部设有所述第2磁体；和臂部，其从该主体部朝向侧方延伸，在该臂部的前端部设有构成所述基板保持部的叉。
12.根据权利要求11所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送模块在使所述主体部位于所述基板输送室内的状态下使所述臂部经由所述开口部向所述基板处理室插入，从而进行所述基板的送入送出。
13.根据权利要求12所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送室在俯视时呈细长的矩形状，所述矩形的短边方向上的长度构成为比保持有所述基板的状态的所述基板输送模块的全长短，并且在基板输送室设有用于在使所述臂部经由所述开口部向基板处理室插入、退出时一边进行折返动作一边转换所述基板输送模块的方向的空间。
14.根据权利要求1～9中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送模块具备：主体部，其在内部设有所述第2磁体；和支柱部，其以从该主体部的上表面朝向上方突出的方式延伸，在该支柱部的上表面形成有构成所述基板保持部的基板保持面。
15.根据权利要求14所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述支柱部构成为直径比所述基板的直径小，
在通过在地面部设置所述第1磁体而所述基板输送模块能够进行移动的区域设有传感器部，该传感器部针对由所述支柱部支承的基板以光学的方式对所述基板的位于比所述支柱部靠外侧的周缘部进行检测，
所述基板输送模块构成为，通过向能够由所述传感器部对保持在所述基板保持面的基板的周缘部进行检测的位置移动，并使所述主体部绕穿过所述基板的中心的中心轴线旋转，从而进行所述基板的对准。
16.根据权利要求15所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送室构成为在真空气氛下进行基板的输送，
在所述基板输送室的侧壁部的与用于连接所述基板处理室的开口部所形成的位置不同的位置连接有加载互锁室，该加载互锁室构成为将内部的压力在常压和真空之间切换自如，供在与所述基板输送室之间送入送出的基板临时地配置，
所述加载互锁室具备通过在地面部设置所述第1磁体而所述基板输送模块能够进行移动的区域以及配置在该区域的所述传感器部和对准用的所述基板输送模块，
在将所述加载互锁室内的压力在常压和真空之间切换的期间内，对送入该加载互锁室内的基板进行所述对准。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
所述基板输送模块具备对故障进行自我诊断的功能。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的进行基板的输送的装置，其中，
该进行基板的输送的装置具备摄像模块，该摄像模块具备对设有所述第1磁体的移动区域进行摄像的照相机，该摄像模块具备在与所述第1磁体之间作用有排斥力的摄像模块用的磁体，构成为能够通过使用了所述排斥力的磁悬浮来移动。
19.一种对基板进行处理的系统，其中，
该对基板进行处理的系统具备：
权利要求1～18中任一项所述的进行基板输送的装置；以及
多个基板处理室，其经由在侧壁部形成的多个所述开口部而与所述基板输送室连接。
20.一种对基板进行处理的方法，其是对输送至基板处理室的基板进行处理的方法，其中，
该对基板进行处理的方法包括以下工序：
使用容纳于基板输送室内的基板输送模块，该基板输送室具有：地面部，其设有第1磁体；和侧壁部，其连接有所述基板处理室，该侧壁部形成有在与该基板处理室之间进行基板的送入送出的开口部，该基板输送模块具备：基板保持部，其保持所述基板；和第2磁体，其在与所述第1磁体之间作用有排斥力，该基板输送模块构成为能够通过使用了所述排斥力的磁悬浮而在所述基板输送室内移动，使该基板输送模块经由所述开口部直接进入所述基板处理室内而进行基板的送入，或者，在所述基板输送室内固定地设有用于经由所述开口部在与所述基板处理室之间进行基板的送入送出的基板输送机构的情况下，在使该基板输送模块在与该基板输送机构之间交接基板之后，由所述基板输送机构将基板送入所述基板处理室内；以及
之后，在所述基板处理室内对所述基板进行处理。
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