TW202241002A - 磁場橫向穿過電場的雷射放大器、雷射及其操作方法 - Google Patents

Abstract

一種具有一雷射放電管（3）的雷射放大器（2）。該雷射放電管（3）設置在兩個電極（15）之間。較佳者，該等電極（15）設置在兩個磁鐵（17）之間。較佳者，該等磁鐵（17）相互平行排列，以使該二磁鐵（17）的該等N極與該等S極直接相互相對設置。本發明還關於一種具有此一雷射放大器（2）的氣體雷射（1）以及該雷射放大器（2）的操作方法，其中在該雷射放電管（3）中之該電場與該磁場的該等場線（18、19）交叉，特別是其中至少部分垂直。

Description

磁場橫向穿過電場的雷射放大器、雷射及其操作方法

本發明係關於一種具有一雷射放電管的雷射放大器。本發明還關於一種具有此一雷射放大器的氣體雷射以及該雷射放大器的操作方法。

已知使用電場與磁場來最佳化一雷射放大器。

S.H. Tavassoli、H. Latifi，射頻激發二氧化碳雷射之電子參數上的磁場效應，物理期刊A，第335卷，第4期，2005年，第295-303頁，ISSN 0375-9601，https://doi.org/10.1016/j.physleta.2004.12.031，以及 Sohbatzadeh、F & Tavassoli、Seyed Hassan & Latifi、Hamid（2004年），在一射頻激發二氧化碳雷射上之一外部磁場上的效應。電漿物理第11期，https://doi.org/10.1063/1.1767833 揭露在一交流電場中所激發之一種二氧化碳雷射上的一均勻磁場效應。在這兩種情況下都觀察到由於磁場所導致的功率增加。

DE 38 16 413 A1揭露一種具有一雷射放大器的氣體雷射，其中為了產生一徑向或軸向電場，其提供多個電極。已知雷射放大器的目的是為了引起雷射氣體的額外動作，其是在各個壁處更有效地冷卻。

JP 000 H 0 416 7481 A已揭露一般類型的一種氣體雷射，其具有一般類型的一雷射放大器。該雷射放大器的一雷射放電管被依磁場的多個場線所穿透。在那種情況下，一電場的的多個場線平行於該磁場的該等場線而穿過。

在此背景下，本發明的一目的在於提供一種雷射放大器，結合結構簡單的實施方式，其實現一顯著更高的功率、改變該放大器之特性曲線及/或提高能量效率。本發明的再一目的在於提供具有此雷射放大器的一種氣體雷射以及雷射放大器的操作方法。

根據本發明，此目的是透過例如申請專利範圍請求項1中所要求保護的一雷射放大器、例如申請專利範圍請求項14中所要求保護的一氣體雷射以及例如申請專利範圍請求項15中所要求保護的一操作方法來實現的。申請專利範圍的多個附屬項則提出了較佳的演化。

因此，依據本發明實施例的目的是透過具有以下特徵的一雷射放大器所實現的： a）一軸向延伸雷射放電管； b）二電極，其特別是平行於該雷射放電管的一縱軸延伸，其中該雷射放電管特別是中心地配置在該等電極之間，以使由該等電極所產生的多個電場線以垂直該雷射放電管的該軸向延伸的方向穿透該雷射放電管； c）一第一磁鐵，設置或實現在鄰近至少其中一個電極處，其中該第一磁鐵特別平行於該雷射放電管的側表面而偏移地延伸，且較佳者，大致在一圓周方向延伸，其中由該第一磁鐵所產生的多個磁場線穿透該雷射放電管並與該等電場線交叉。

依據本發明實施例之該雷射放大器的配置使其可能在多個有效更長的路徑上移動在雷射介質中的多個電子。這可能造成碰撞，其導致更高度的離子化。由於該電場相對於該磁場的排列，因此增加多個離子化粒子的自由路徑長度，而所述的粒子經由該放電管而設置在多個「更直」的路徑上。在沒有進一步影響的一低壓系統中，這意指減少與該放電管由碰撞所引起的濺射效應(sputter effect)。然而，多個粒子數反轉(population-inverted)之活性粒子設置在該放電管中。增加自由路徑長度則會增加與這些粒子碰撞的可能性。然而，這些碰撞卻反過來降低了該等離子化粒子的能量，因此即使在與該管壁碰撞的情況下，濺射效應也會降低。

由該第一磁鐵的該磁場所引起之對於帶電粒子之勞倫茲力迫使該粒子在一圓形路徑上作動。若是該電場相對橫向於一帶電粒子所在之電場的話，則由所作用的勞倫茲力與該電場之施力而產生一疊加移動。結果，由該粒子所有效覆蓋的距離增加。在該雷射介質中，因此增加與其他粒子碰撞的機率，進而增加離子化。

在較佳實施例中，該等電極相對於該雷射放電管的該縱軸而彼此軸向地且對稱地構成。

該等電極可以線圈方式實施。在這種情況下，該等電極可以在其延伸過程中增加相對於該雷射放電管的該距離。

特別是在較佳實施例中，該二電極設計成相同的。結果，可以在設計方面簡化該雷射放大器的構造。

在較佳實施例中，該第一磁鐵是呈一永久磁鐵的形式。因此，可以在設計方面以一簡單方式達到所需的磁場強度。

第一磁鐵中超過50%，特別是超過70%，較佳者是超過90%的部分，是可以平行於其中一個電極而延伸，特別較佳者是平行於該二電極而延伸。

該第一磁鐵可以一馬蹄形磁鐵的形式而實現，且該雷射放電管則容置在其中。

在本發明的一特別較佳實施例中，該第一磁鐵徑向地及/或在一圓周方向上相對於其中一個電極，或特別是相對於兩個電極，在外側上進行配置或實現。在這種情況下，該第一磁鐵並不位在可由該等電極所產生的該電場中，因此該第一磁鐵是可以長時間而無干擾地使用。

為了遮蔽該電場，所以該雷射放大器可包括一高頻遮蔽，特別是為一高頻板。選擇性地或額外地，該第一磁鐵可具有一冷卻設備。

為了在設計方面進一步簡化該雷射放大器，該第一磁鐵可與其中一個電極一起配置或實現在一共同的極靴(pole shoe)中。

再更較佳者，該雷射放大器包括一第二磁鐵。在這種情況下，該第二磁鐵配置在該電極的一區域中，該區域設置在相對在該第一磁鐵的區域中之該電極處。較佳者，該第二磁鐵平行於該雷射放電管的側表面而偏移地延伸並且特別地大致沿該雷射放電管的一圓周方向延伸，其中由該第二磁鐵所產生的多個磁場線穿透該雷射放電管並與該等電場線交叉。

較佳者，該第二磁鐵具有與該第一磁鐵相同的強度，特別是在結構上與該第一磁鐵相同。

該第二磁鐵可以一永久磁鐵的形式而實現。

該第二磁鐵可對準該等電極，以使至少部分的或特別是全部的該等磁場線與該等電場線垂直交叉。

第二磁鐵中超過50%，特別是超過70%，較佳者是超過90%的部分，是可以平行於其中一個電極而延伸，特別較佳者是平行於該二電極而延伸。

在本發明的一特別較佳實施例中，該第二磁鐵徑向地相對於該等電極在外側上進行配置或實現。在這種情況下，該第二磁鐵並不位在可由該等電極所產生的該電場中，因此該第二磁鐵是可以長時間而無干擾地使用。

為了在設計方面進一步簡化該雷射放大器，該第二磁鐵可與其中一個電極一起配置或實現在一共同的極靴中。

再更較佳者，該第二磁鐵相對於該第一磁鐵而平行對準，以相互相對平行偏移的方法，以使該二磁鐵的各N極對準相同方向。因此，在該雷射放電管的該徑向中心中獲得一特別均勻的磁場。

再更較佳者，該雷射放電管具有一圓形剖面。

該雷射放大器可包括一交流電壓源，該交流電壓源用於施加一交流電壓，該交流電壓在高頻範圍中（高頻交流電壓，特別是射頻交流電壓），而該交流電壓源是連接到該等電極。

為了在結構空間很小的情況下達到一高效率，則該雷射放大器可在空間上摺疊。

此外，藉由具有此處所描述之一雷射放大器的一氣體雷射而達到本發明的一目的。

在這種情況下，在較佳實施例中，該氣體雷射為一種二氧化碳氣體雷射。

藉由本發明之配置而可實現的是，可降低在該雷射放大器中的氣體壓力或氣體的氮含量。

最後，本發明的目的之一係藉由一種具有一雷射放電管之雷射放大器的操作方法，特別是此處所描述之一雷射放大器的操作方法來實現，其中在該雷射放電管中產生一電場以及一磁場，其中，多個電場線部分垂直於在該雷射放電管中的多個磁場線而通過，其中在該雷射放電管中的該等電場線與該等磁場線均垂直於該雷射放電管的縱軸而通過。

在本發明實施例的方法中，較佳者，該等電極以一高頻電壓進行操作。

本發明的其他優點從描述以及圖式中是顯而易見的。同樣，根據本發明，上述特徵以及將進一步解釋的特徵在每種情況下可以單獨使用或以任意組合的多個使用。所顯示以及所描述的該等實施例不應被理解為詳盡列舉，而是具有例示性的特徵以概述本發明。

如圖1及圖2所示的氣體雷射1，此處為一種二氧化碳雷射，包括一雷射放大器2，摺疊呈正方形並具有相互鄰近的四個雷射放電管3，該等雷射放電管3經由多個角落殼體4、5而相互連接。在雷射放電管3的軸線方向上經過的雷射光束6以虛線方式表示。在該等角部外殼4中的多個偏轉反射鏡7分別用於將雷射光束6偏轉90°。一返回反射鏡8以及一個部分透射的輸出耦合鏡 9 設置在其中一個角落殼體 5中。返回反射鏡8以高反射方式實施並且將雷射光束6反射180°，以使其再次沿一相反方向穿經雷射放電管3。一部分的雷射光束6耦合在部分透射之輸出耦合鏡9處之激光放大器2的外部；而另一部分則留在雷射放大器2中，且再次穿經雷射放電管3。經由輸出耦合鏡9而耦合雷射放大器2之外部的雷射光束在圖1中以元件編號10表示。

作為雷射氣體的壓力源，一徑向風扇11設置在折疊式雷射放大器2的中央處，並經由雷射氣體的多個饋送殼體12而連接該等角部殼體4、5。雷射放大器2之另外的外殼14設置在該等角部殼體4、5之間的中央並且連接到多個抽取殼體13，該等抽取殼體13用於從雷射放大器2抽取雷射氣體並饋送回到徑向風扇11。雷射氣體在雷射放電管3內部以及饋送與抽取殼體12、13中的流動方向以在圖1中的箭頭表示。雷射氣體經由與雷射放電管3相鄰設置並連接到高頻發生器（HF generator、圖未示出）的多個電極15所激發。舉例來說，具有13.56MHz或27.12MHz之激發頻率的管式發生器可以用作高頻產生器。一相應的磁鐵 17 設置在該等電極 15 上，如圖 3 所示。

從圖2中可以看出，為了使得雷射氣體能夠在多個階段進行冷卻，兩個熱交換器的每一者都被引入到氣體雷射1之對應的饋送殼體12中以及對應的抽取殼體13中。圖2中所示的氣體雷射1藉由用於在該等階段中之冷卻的一冷卻裝置來進行冷卻。

圖3顯示在其中一個雷射放電管3之區域中的雷射放大器2的一部分的剖視示意圖。雷射放電管3設置在該等電極15之間。交流電壓則施加到該等電極15。較佳者，交流電壓的頻率在高頻範圍中（高頻頻率範圍，特別是射頻頻率範圍）。

該等電極15設置在該等磁鐵17之間的兩個極靴16中。較佳者，該等磁鐵17為永久磁鐵。該等磁鐵17的各N極以及各S極相對於該等電極15之間的假想延伸的連接線而橫向地，特別是垂直地設置。因此，該等電極15的多個電場線18在雷射放電管3的徑向中心區域20中與等磁鐵17的多個磁場線19交叉。特別是較佳者，該等電場線18垂直於在中心區域20中之該等磁場線19的延伸。

為了獲得在設計方面特別簡單之雷射放大器2的構造，該等電極15的每一個可與一相對應的磁鐵17一體成型所實現。

該等電極15及/或該等磁鐵17可相對於穿經中心區域20並在雷射放電管3的縱向方向上延伸的一鏡面而鏡像對稱地實施。因此，獲得了特別對稱的場線輪廓。

圖4顯示在其中一個雷射放電管3的區域中之雷射放大器2的一部分的另一實施例的剖視示意圖。雷射放電管3設置在該等電極15之間。交流電壓施加到該等電極15。較佳者，交流電壓的頻率是在高頻範圍中（高頻頻率範圍，特別是射頻頻率範圍）。

該等電極15與雷射放電管3設置在一磁鐵17中。在這種情況下，磁鐵17以一馬蹄型磁鐵鎖實現，較佳者，其為一永久磁鐵。磁鐵17的N極與S極相對於在該等電極15之間的假想延伸的連接線而橫向地、特別是垂直地設置。此外，該等磁鐵17相對於雷射放電管3的縱向延伸而橫向地、特別是垂直地設置。因此，該等電極15的該等電場線18在雷射放電管3的徑向中心區域20中與磁鐵17的該等磁場線19交叉。特別是較佳者，該等電場線18垂直於在中心區域20中之該等磁場線19的延伸。

該等電極15及/或該等磁鐵17可相對於穿經中心區域20並在雷射放電管3的縱向方向上延伸的一鏡面而鏡像對稱地實施。因此，獲得了特別對稱的場線輪廓。

圖5顯示在其中一個雷射放電管3的區域中之雷射放大器2的一部分的另一實施例的剖視示意圖。雷射放電管3設置在該等電極15之間。交流電壓施加到該等電極15。較佳者，交流電壓的頻率是在高頻範圍中（高頻頻率範圍），該等電極15以相對於該等磁鐵17在一圓周方向上垂直偏移的方式設置。

較佳者，該等磁鐵17為永久磁鐵。磁鐵17的N極與S極相對於在該等電極15之間的假想延伸的連接線而橫向地、特別是垂直地設置。此外，該等磁鐵17相對於雷射放電管3的縱向延伸而橫向地、特別是垂直地設置。因此，該等電極15的該等電場線18在雷射放電管3的徑向中心區域20中與磁鐵17的該等磁場線19交叉。特別是較佳者，該等電場線18垂直於在中心區域20中之該等磁場線19的延伸。

該等電極15及/或該等磁鐵17可相對於穿經中心區域20並在雷射放電管3的縱向方向上延伸的一鏡面而鏡像對稱地實施。因此，獲得了特別對稱的場線輪廓。

當綜合考慮附圖的所有圖式時，本發明概括地關於一種具有一雷射放電管3的雷射放大器2。雷射放電管3設置在二電極15之間。較佳者，該等電極15設置在二磁鐵17之間。較佳者，該二磁鐵17相互平行對準，以使該二磁鐵17的各N極以及各S極直接相互相對設置。本發明還關於一種具有此雷射放大器2的氣體雷射1以及雷射放大器2的操作方法，其中在雷射放電管3中之電場與磁場的該等場線18、19交叉，特別是其中至少部分垂直。

1:氣體雷射 2:雷射放大器 3:雷射放電管 4:角落殼體 5:角落殼體 6:雷射光束 7:偏轉反射鏡 8:返回反光鏡 9:輸出耦合鏡 10:雷射光束 11:徑向風扇 12:饋送殼體 13:抽取殼體 14:殼體 15:電極 16:磁靴 17:磁鐵 18:電場線 19:磁場線 20:中心區域

圖式包括： 圖1顯示一氣體雷射的平面示意圖，而該氣體雷射具有成剖面呈現的一摺疊雷射放大器。 圖2顯示如圖1所示之該氣體雷射的立體示意圖。 圖3顯示該雷射放大器之一放電管的一第一實施例的剖視示意圖。 圖4顯示該雷射放大器之一放電管的一第二實施例的剖視示意圖。 圖5顯示該雷射放大器之一放電管的一第三實施例的剖視示意圖。

2:雷射放大器

3:雷射放電管

15:電極

18:電場線

19:磁場線

20:中心區域

Claims (15)

1. 一種具有一雷射放電管（3）的雷射放大器（2），其中該雷射放大器（2）包括至少二電極（15），其每一個電極（15）平行於該雷射放電管（3）的一縱軸而延伸，其中該雷射放電管（3）設置在該等電極（15）之間，以使在該等電極（15）之間的多個電場線（18）以垂直於該雷射放電管（3）的軸向延伸的方向穿過雷射放電管（3），其中該雷射放大器（2）包括一第一磁鐵（17）， 其特徵在於：該第一磁鐵（17）設置或實現在其中一個電極（15）的一區域中，且該第一磁鐵（17）從其N極到S極的定向特別是相對於該雷射放電管（3）的圓周徑向地偏移並切線地延伸，其中該第一磁鐵（17）的多個磁場線（19）至少部分地，特別是全部地，穿過該雷射放電管（3）並與該等電場線（18）交叉。
2. 如請求項1所述之雷射放大器，其中該第一磁鐵（17）特別與該等電極（15）對準，其中該等磁場線（19）至少部分地，特別是全部地，與該等電場線（18）垂直交叉。
3. 如請求項1或2所述之雷射放大器，其中該第一磁鐵超過50%的部分平行於其中一個電極（15）延伸。
4. 如前述任一請求項所述之雷射放大器，其中該第一磁鐵（17）徑向地設置或實現在相對於其中一個電極（15）的外側上。
5. 如前述任一請求項所述之雷射放大器，其中該第一磁鐵（17）與其中一個電極（15）一起實現在一共同極靴（16）中。
6. 如前述任一請求項所述之雷射放大器，其中該雷射放大器（2）包括一第二磁鐵（17），其中該第二磁鐵（17）設置或實現在另外一個電極（15）的一區域中，且該第二磁鐵（17）從其N極到S極的定向特別是相對於該雷射放電管（3）的圓周徑向地偏移並切線地延伸，其中該第二磁鐵（17）的多個磁場線（19）至少部分地，特別是全部地，穿過該雷射放電管（3）並與該等電場線（18）交叉。
7. 如請求項6所述之雷射放大器，其中該第二磁鐵（17）特別與該等電極（15）對準，其中該等磁場線（19）至少部分地，特別是全部地，與該等電場線（18）垂直。
8. 如請求項6及7其中任一項所述之雷射放大器，其中該第二磁鐵（17）超過50%的部分平行於其中一個電極（15）而延伸。
9. 如請求項6到8其中任一項所述之雷射放大器，其中該第二磁鐵（17）徑向配置或實現在相對於該二電極（15）的外側上。
10. 如請求項6到9其中任一項所述之雷射放大器，其中從該第二磁鐵（17）之N極到S極的連接，以徑向偏移方式對準相同於從該第一磁鐵（17）的N極到S極之連接的方向。
11. 如前述任一請求項所述之雷射放大器，其中該雷射放電管（3）具有一圓形剖面。
12. 如前述任一請求項所述之雷射放大器，其中雷射放大器（2）包括一交流電壓源，該交流電壓源用於輸出在高頻範圍中的一交流電壓，其中為了為該等電極（15）提供電壓，該交流電壓源連接到該等電極（15）。
13. 如前述任一請求項所述之雷射放大器，其中該雷射放大器（2）為摺疊式。
14. 一種氣體雷射（1），具有如前述任一請求項所述之雷射放大器（2）。
15. 一種雷射放大器（2）的操作方法，，特別是操作如請求項1到13中任一項所述的雷射放大器（2）的方法，其中在該雷射放電管（3）中產生一電場與一磁場，其中多個電場線（18）部分地、特別是完全地垂直於該雷射放電管（3）中的多個磁場線（19）而通過，其中在該雷射放電管（3）的該等電場線（18）與該等磁場線（19）垂直地穿過該雷射放電管（3）的縱軸。

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