JPH081972B2 - ガスレーザ発振器 - Google Patents
ガスレーザ発振器Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
-
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-
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Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極間に交流電圧を印
加してレーザ光を発振させるガスレーザ発振器に関す
る。
加してレーザ光を発振させるガスレーザ発振器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種のガスレーザ発振器の従来構成の
一例を図１２に示す。本構成はガス流が光軸と直交し
た、いわゆる横流形装置の例である。同図において、断
面矩形状をなす外部風洞１内には、断面略Ｕ字状をなす
ステンレスまたはアルミニウム製の内部風洞２設けられ
ている。外部風洞１の上面中央部にはセラミックスなど
からなる平板状をなす第１の誘電体３ａと所定の間隔を
もって対向して気密に取り付けられている。内部風洞２
の誘電体３ｂにより閉鎖されており、この内部風洞２の
内部は外気と連通している。また、第１の誘電体３ａの
上面中央部には第１の電極４ａが取り付けられ一方の誘
電体電極を構成し、第２の誘電体３ｂの下面中央部には
第１の電極４ａと対をなす第２の電極４ｂが取り付けら
れ、他方の誘電体電極を構成する。第１の電極４ａ及び
第２の電極４ｂは、交流電源５に接続されている。そし
て、外部風洞１と内部風洞２との間の空間部にはレーザ
媒質としてのガスが封入されており、そのガスは内部風
洞２の下方に配設された送風機６により外部風洞１内を
矢印Ａ方向に循環され、熱交換器７によって冷却される
ようになっている。
一例を図１２に示す。本構成はガス流が光軸と直交し
た、いわゆる横流形装置の例である。同図において、断
面矩形状をなす外部風洞１内には、断面略Ｕ字状をなす
ステンレスまたはアルミニウム製の内部風洞２設けられ
ている。外部風洞１の上面中央部にはセラミックスなど
からなる平板状をなす第１の誘電体３ａと所定の間隔を
もって対向して気密に取り付けられている。内部風洞２
の誘電体３ｂにより閉鎖されており、この内部風洞２の
内部は外気と連通している。また、第１の誘電体３ａの
上面中央部には第１の電極４ａが取り付けられ一方の誘
電体電極を構成し、第２の誘電体３ｂの下面中央部には
第１の電極４ａと対をなす第２の電極４ｂが取り付けら
れ、他方の誘電体電極を構成する。第１の電極４ａ及び
第２の電極４ｂは、交流電源５に接続されている。そし
て、外部風洞１と内部風洞２との間の空間部にはレーザ
媒質としてのガスが封入されており、そのガスは内部風
洞２の下方に配設された送風機６により外部風洞１内を
矢印Ａ方向に循環され、熱交換器７によって冷却される
ようになっている。
【０００３】上記構成において、交流電源５により第１
及び第２の放電電極４ａ，４ｂ間に交流電圧が印加され
ると、第１及び第２の誘電体３ａ，３ｂを介してこれら
の間に交流放電が生じ、第１及び第２の誘電体３ａ，３
ｂ間に流れるガスが励起されてレーザ８が紙面に対して
垂直方向に発生する。
及び第２の放電電極４ａ，４ｂ間に交流電圧が印加され
ると、第１及び第２の誘電体３ａ，３ｂを介してこれら
の間に交流放電が生じ、第１及び第２の誘電体３ａ，３
ｂ間に流れるガスが励起されてレーザ８が紙面に対して
垂直方向に発生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成を有する従来のレーザ装置においては、以下
に述べるような解決すべき課題があった。
ような構成を有する従来のレーザ装置においては、以下
に述べるような解決すべき課題があった。
【０００５】即ち、放電の物理構造は大きく陽光と電極
層とから成立する。陽光柱に注入された電力はレーザ励
起に寄与するが、電極層に注入された電力はレーザ励起
に寄与しない。交流放電周波数が高い場合、電極層内部
を流れる電流は変位電流が主成分なので電力損失は少な
い。しかし、交流放電周波数が低い場合、電極層内部を
流れる電流は変位電流成分に伝導電流成分が加わり、電
力損失が生じる。交流放流周波数が十分低いと電極層内
部を流れる電流は伝導電流成分のみになり、大きな電力
損失となる。
層とから成立する。陽光柱に注入された電力はレーザ励
起に寄与するが、電極層に注入された電力はレーザ励起
に寄与しない。交流放電周波数が高い場合、電極層内部
を流れる電流は変位電流が主成分なので電力損失は少な
い。しかし、交流放電周波数が低い場合、電極層内部を
流れる電流は変位電流成分に伝導電流成分が加わり、電
力損失が生じる。交流放流周波数が十分低いと電極層内
部を流れる電流は伝導電流成分のみになり、大きな電力
損失となる。
【０００６】電極層内の電力損失が大きく、その大きさ
が陽光柱内の電力消費に対し無視できなくなると、レー
ザ励起に寄与しない無駄な電力損失が増えるので、レー
ザ発振効率は低減することになる。そこで、これまでは
この電極層内の損失を抑えるため次の２つの方法が用い
られていた。 （１）陽光柱電圧を高くする。具体的方法は、レーザガ
ス圧力を高い条件で動作させる。 （２）交流放電周波数を高くして電極層内損失を小さく
する。
が陽光柱内の電力消費に対し無視できなくなると、レー
ザ励起に寄与しない無駄な電力損失が増えるので、レー
ザ発振効率は低減することになる。そこで、これまでは
この電極層内の損失を抑えるため次の２つの方法が用い
られていた。 （１）陽光柱電圧を高くする。具体的方法は、レーザガ
ス圧力を高い条件で動作させる。 （２）交流放電周波数を高くして電極層内損失を小さく
する。
【０００７】ところが、（１）の方法を使うとレーザ励
起の基本パラメータである小信号利得が低下するため、
光共振器を構成する出力ミラーの反射率を高くする必要
があった。しかし、出力ミラーの反射率を高くすると、
ミラーの熱レンズ効果によるレーザ・ビームの質の低下
という問題を引き起こす。
起の基本パラメータである小信号利得が低下するため、
光共振器を構成する出力ミラーの反射率を高くする必要
があった。しかし、出力ミラーの反射率を高くすると、
ミラーの熱レンズ効果によるレーザ・ビームの質の低下
という問題を引き起こす。
【０００８】また、（２）の方法を用いようとすると、
交流放電周波数をおよそ数ＭＨｚ以上と高周波にする必
要がでてくる。一般に、数ＭＨｚ以上の周波数の電源は
増幅器方式をとるため、その電源効率は、比較的良好な
Ｃ級増幅器方式でも、７０％程度である。しかし、数Ｍ
Ｈｚより交流放電周波数を低くすると、スイッチング電
源方式を使用でき、その電源効率は９０％程度の高い値
が可能となる。
交流放電周波数をおよそ数ＭＨｚ以上と高周波にする必
要がでてくる。一般に、数ＭＨｚ以上の周波数の電源は
増幅器方式をとるため、その電源効率は、比較的良好な
Ｃ級増幅器方式でも、７０％程度である。しかし、数Ｍ
Ｈｚより交流放電周波数を低くすると、スイッチング電
源方式を使用でき、その電源効率は９０％程度の高い値
が可能となる。
【０００９】そこで、本発明は上記事情に鑑みてなされ
たもので、その目的は高効率のスイッチング電源方式を
採用できる数ＭＨｚ以下の交流放電周波数を使って高い
電源効率を実現し、かつ、適当なレーザガス圧力、レー
ザガス混合比で動作し高い小信号利得を得ることで高い
レーザ出力への取り出し効率を得られる総合効率の高い
ガスレーザ発振器を提供することにある。［発明の構
成］
たもので、その目的は高効率のスイッチング電源方式を
採用できる数ＭＨｚ以下の交流放電周波数を使って高い
電源効率を実現し、かつ、適当なレーザガス圧力、レー
ザガス混合比で動作し高い小信号利得を得ることで高い
レーザ出力への取り出し効率を得られる総合効率の高い
ガスレーザ発振器を提供することにある。［発明の構
成］
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、内部をレーザ媒質が満たす容器と、対
向配置した電極と、これに接続された交流電源と、前記
電極間にかかる交流電界の方向と垂直方向に磁界を印加
する手段とを有することを特徴とする。
達成するために、内部をレーザ媒質が満たす容器と、対
向配置した電極と、これに接続された交流電源と、前記
電極間にかかる交流電界の方向と垂直方向に磁界を印加
する手段とを有することを特徴とする。
【００１１】
【作用】レーザ非励起空間である電極層に横方向に磁界
を加えると電子の衝突が増えるため、高エネルギー電子
の磁界によるトラッピングが起こる。その結果、電離が
強められるので電極層の電圧は低下し、電極層内の損失
は低減できる。また、レーザ励起空間である陽光柱の電
圧は横方向の磁界によって電子衝突が増える事で電圧が
上昇し、有効に電力が消費される。この磁界による陽光
柱電圧の上昇はガス圧を上昇するのと異なり、小信号利
得を低下させないので、出力ミラーの反射率を高くする
必要がなく、ミラーの熱レンズ効果という問題も引き起
こさない。
を加えると電子の衝突が増えるため、高エネルギー電子
の磁界によるトラッピングが起こる。その結果、電離が
強められるので電極層の電圧は低下し、電極層内の損失
は低減できる。また、レーザ励起空間である陽光柱の電
圧は横方向の磁界によって電子衝突が増える事で電圧が
上昇し、有効に電力が消費される。この磁界による陽光
柱電圧の上昇はガス圧を上昇するのと異なり、小信号利
得を低下させないので、出力ミラーの反射率を高くする
必要がなく、ミラーの熱レンズ効果という問題も引き起
こさない。
【００１２】その結果、レーザ非励起空間である電極層
内の電力損失がレーザ励起空間である陽光柱内の電力消
費に対し充分小さくできる為、レーザ励起に寄与しない
無駄な電力損失が減るので、レーザ発振効率は数ＭＨｚ
以下の交流放電周波数を用いても良好になる。
内の電力損失がレーザ励起空間である陽光柱内の電力消
費に対し充分小さくできる為、レーザ励起に寄与しない
無駄な電力損失が減るので、レーザ発振効率は数ＭＨｚ
以下の交流放電周波数を用いても良好になる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１を用いて説
明する。同図において、図１２の従来例と同一のものは
同一符号を付して示した。図１では図示しなかったが、
第１の電極４ａの下面中央部には第１の誘電体３ａが取
り付けられ、第２の電極４ｂの上面中央部には誘電体３
ｂが取り付けられている。
明する。同図において、図１２の従来例と同一のものは
同一符号を付して示した。図１では図示しなかったが、
第１の電極４ａの下面中央部には第１の誘電体３ａが取
り付けられ、第２の電極４ｂの上面中央部には誘電体３
ｂが取り付けられている。
【００１４】上記構成において、交流電源５により及び
第２の放電電極４ａ，４ｂ間に交流電圧が印加される
と、図示しない第１及び第２の誘電体３ａ，３ｂを介し
てこれらの間に交流放電が生じ、ガスが励起されてレー
ザ８が発生する。
第２の放電電極４ａ，４ｂ間に交流電圧が印加される
と、図示しない第１及び第２の誘電体３ａ，３ｂを介し
てこれらの間に交流放電が生じ、ガスが励起されてレー
ザ８が発生する。
【００１５】この時、電極４ａの近傍に配置した永久磁
石９ａ，９ｂによって電極４ａの下面誘電体３ａの表面
には電界と横方向に磁界が発生する。磁石９ａ，９ｂの
極性は、電界と横方向に磁界が強くなるように異なる極
性が向き合うようにしている。また、電極４ｂの近傍に
も同様に配置した永久磁石９ｃ，９ｄによって電極４ｂ
の上面誘電体３ｂの表面には電界と横方向に磁界が発生
する。誘電体３ａ，３ｂの表面の磁界を強めるため、透
磁率の高い材料１０ａを用いて９ａ，９ｂ間には磁気回
路を構成し、また、同様に９ｃ，９ｄ間には透磁率の高
い材料１０ｂが配置されている。
石９ａ，９ｂによって電極４ａの下面誘電体３ａの表面
には電界と横方向に磁界が発生する。磁石９ａ，９ｂの
極性は、電界と横方向に磁界が強くなるように異なる極
性が向き合うようにしている。また、電極４ｂの近傍に
も同様に配置した永久磁石９ｃ，９ｄによって電極４ｂ
の上面誘電体３ｂの表面には電界と横方向に磁界が発生
する。誘電体３ａ，３ｂの表面の磁界を強めるため、透
磁率の高い材料１０ａを用いて９ａ，９ｂ間には磁気回
路を構成し、また、同様に９ｃ，９ｄ間には透磁率の高
い材料１０ｂが配置されている。
【００１６】本発明の第２の実施例を図２に示す。同図
において、図１２の従来例と同一のものは同一符号を付
けて示した。本実施例ではコイル１１ａと１１ｂに直流
電源１２から直流電源を流すことにより、電界と横方向
に磁界が発生するようになっている。
において、図１２の従来例と同一のものは同一符号を付
けて示した。本実施例ではコイル１１ａと１１ｂに直流
電源１２から直流電源を流すことにより、電界と横方向
に磁界が発生するようになっている。
【００１７】本発明の第３，第４，第５の実施例を図３
乃至図６を用いて説明する。図３，図４及び図６は図１
２の従来例の装置において、電４ａ，４ｂを永久磁石１
３ａ，１３ｂに置き換えることで誘電体３ａ，３ｂの表
面に横方向に磁界を発生させるものである。永久磁石１
３ａ，１３ｂは交流電源より発生した交流電流が流れる
ため、永久磁石自身の抵抗損、及び渦電流損を生じてし
まう。そこでこれを防止するため、交流電源の周波数で
決まる表皮深さ以上の厚さの非磁性良導体で永久磁石を
被覆している。この非磁性良導体には銀，金，アルミニ
ウムなどが用いらける。第３の実施例では、横方向に磁
界が発生するように、永久磁石１３ａ，１３ｂは同一の
極性の面を向かい合せている。
乃至図６を用いて説明する。図３，図４及び図６は図１
２の従来例の装置において、電４ａ，４ｂを永久磁石１
３ａ，１３ｂに置き換えることで誘電体３ａ，３ｂの表
面に横方向に磁界を発生させるものである。永久磁石１
３ａ，１３ｂは交流電源より発生した交流電流が流れる
ため、永久磁石自身の抵抗損、及び渦電流損を生じてし
まう。そこでこれを防止するため、交流電源の周波数で
決まる表皮深さ以上の厚さの非磁性良導体で永久磁石を
被覆している。この非磁性良導体には銀，金，アルミニ
ウムなどが用いらける。第３の実施例では、横方向に磁
界が発生するように、永久磁石１３ａ，１３ｂは同一の
極性の面を向かい合せている。
【００１８】第４の実施例では、横方向に磁界が発生す
るように、永久磁石１３ａ，１３ｂはそれぞれ極性の方
向を誘電体３ａ，３ｂと横方向とし、また、永久磁石１
３ａ，１３ｂは互いに同一の極性の面を向かい合わせて
いる。
るように、永久磁石１３ａ，１３ｂはそれぞれ極性の方
向を誘電体３ａ，３ｂと横方向とし、また、永久磁石１
３ａ，１３ｂは互いに同一の極性の面を向かい合わせて
いる。
【００１９】第４の実施例の実験結果を図５に示す。本
図の縦軸はレーザ出力ＰL であり、横軸は電力ＰRFであ
る。図中の白抜き三角印は磁界を印加しないときで、黒
塗り三角印は磁界を印加したときである。磁界を印加す
ることによって、レーザ出力ＰL は上昇しているのが判
る。つまり、レーザ発振効率が磁界の印加によって向上
する。図６は横方向に磁界が発生するように永久磁石１
３ａ，１３ｂはそれぞれ極性の方向を誘導体３ａ，３ｂ
と横方向とだけしている。
図の縦軸はレーザ出力ＰL であり、横軸は電力ＰRFであ
る。図中の白抜き三角印は磁界を印加しないときで、黒
塗り三角印は磁界を印加したときである。磁界を印加す
ることによって、レーザ出力ＰL は上昇しているのが判
る。つまり、レーザ発振効率が磁界の印加によって向上
する。図６は横方向に磁界が発生するように永久磁石１
３ａ，１３ｂはそれぞれ極性の方向を誘導体３ａ，３ｂ
と横方向とだけしている。
【００２０】本発明の第７の実施例を図７（ａ），
（ｂ）に示す。本図はいわゆる軸流形装置の例で、図７
（ａ）は横断面を示し、図７（ｂ）は軸断面を示す。放
電管１４の外部から電極４ａ，４ｂを対向するように配
置している。電極４ａ，４ｂには交流電源５から交流電
圧が印加され、放電管内部を満たすレーザガスに交流放
電を発生する。放電管１４の両端には図示しない光共振
器が設置されている。レーザガスは図示しない外部に設
けたガス循環装置によりガス流Ａが流れる。放電管の外
部には永久磁石１５ａ，１５ｂを設け、これにより放電
管内部に電界と横方向に磁界を発生する。磁界を強める
ため、磁石１５ａ，１５ｂには、透磁率の高い材料１６
を外部磁気回路として接続している。本発明の第７，第
８，第９の実施例を図８乃至図１０に断面図を示す。こ
れらの実施例はいわゆるスラブ形装置の例である。
（ｂ）に示す。本図はいわゆる軸流形装置の例で、図７
（ａ）は横断面を示し、図７（ｂ）は軸断面を示す。放
電管１４の外部から電極４ａ，４ｂを対向するように配
置している。電極４ａ，４ｂには交流電源５から交流電
圧が印加され、放電管内部を満たすレーザガスに交流放
電を発生する。放電管１４の両端には図示しない光共振
器が設置されている。レーザガスは図示しない外部に設
けたガス循環装置によりガス流Ａが流れる。放電管の外
部には永久磁石１５ａ，１５ｂを設け、これにより放電
管内部に電界と横方向に磁界を発生する。磁界を強める
ため、磁石１５ａ，１５ｂには、透磁率の高い材料１６
を外部磁気回路として接続している。本発明の第７，第
８，第９の実施例を図８乃至図１０に断面図を示す。こ
れらの実施例はいわゆるスラブ形装置の例である。
【００２１】図８に示すように、第７の実施例は、誘電
体よりなる容器１７の外部から電極４ａ，４ｂを対向し
て配置し、電極４ａ，４ｂに交流電源５から交流電圧を
印加する事によって、容器１７の内部に満たしたレーザ
ガスに交流放電を発生する。図示しない光共振器を紙面
の手前と背面に設置してレーザ光を発振させる。このと
き電界と垂直方向に磁界がかかるように永久磁石１８
ａ，１８ｂを設置している。
体よりなる容器１７の外部から電極４ａ，４ｂを対向し
て配置し、電極４ａ，４ｂに交流電源５から交流電圧を
印加する事によって、容器１７の内部に満たしたレーザ
ガスに交流放電を発生する。図示しない光共振器を紙面
の手前と背面に設置してレーザ光を発振させる。このと
き電界と垂直方向に磁界がかかるように永久磁石１８
ａ，１８ｂを設置している。
【００２２】図９に示すように、第８の実施例は、誘導
体よりなる容器１７の内部に設けた電極４ａ，４ｂを対
向して配置し、電極４ａ，４ｂに交流電源５から交流電
圧を印加する事によって、容器１７の内部に満たしたレ
ーザガスに交流放電を発生する。図示しない光共振器を
紙面の手前と背面に設置してレーザ光を発振させる。こ
のとき電界と垂直方向に磁界がかかるように永久磁石１
８ａ，１８ｂを設置している。
体よりなる容器１７の内部に設けた電極４ａ，４ｂを対
向して配置し、電極４ａ，４ｂに交流電源５から交流電
圧を印加する事によって、容器１７の内部に満たしたレ
ーザガスに交流放電を発生する。図示しない光共振器を
紙面の手前と背面に設置してレーザ光を発振させる。こ
のとき電界と垂直方向に磁界がかかるように永久磁石１
８ａ，１８ｂを設置している。
【００２３】図１０は第９の実施例を示し、第８の実施
例より磁界を強めるため、永久磁石１８ａ，１８ｂを容
器１７の外部横に設置し、透磁率の高い材料１９ａ，１
９ｂでこれら永久磁石１８ａ，１８ｂ並びに容器１７を
挟むようにして磁気外部回路を構成している。
例より磁界を強めるため、永久磁石１８ａ，１８ｂを容
器１７の外部横に設置し、透磁率の高い材料１９ａ，１
９ｂでこれら永久磁石１８ａ，１８ｂ並びに容器１７を
挟むようにして磁気外部回路を構成している。
【００２４】図１１は第１０の実施例で、２重円筒形電
極２０ａ，２０ｂ間に交流電源５から交流電圧を印加
し、２重円筒形２０ａ，２０ｂ間の空間を満たすレーザ
ガスに交流放電を発生させる。図示しない光共振器をこ
の２重円筒形電極の両端に設置してレーザ発振させる。
このとき、ソレノイドコイル２１によって、軸方向に磁
界を発生し、放電の電界方向である径方向と直交させ
る。
極２０ａ，２０ｂ間に交流電源５から交流電圧を印加
し、２重円筒形２０ａ，２０ｂ間の空間を満たすレーザ
ガスに交流放電を発生させる。図示しない光共振器をこ
の２重円筒形電極の両端に設置してレーザ発振させる。
このとき、ソレノイドコイル２１によって、軸方向に磁
界を発生し、放電の電界方向である径方向と直交させ
る。
【００２５】以上述べたような構成により、電極層に横
方向に磁界が加わり、その結果、電極層の電子の衝突が
増え、電極層の電圧は低下し、電極層内の損失は低減で
きる。したがって、電極層内の電力損失が陽光柱内の電
力消費に対し充分小さくできる為、レーザ励起に寄与し
ない無駄な電力損失が減るので、レーザ発振効率はＭＨ
ｚ以下の交流放電周波数を用いても良好になる。なお、
本実施例はガスレーザ発振器について述べたが、ガスレ
ーザ増幅器にも適用可能であることは言うまでもない。
方向に磁界が加わり、その結果、電極層の電子の衝突が
増え、電極層の電圧は低下し、電極層内の損失は低減で
きる。したがって、電極層内の電力損失が陽光柱内の電
力消費に対し充分小さくできる為、レーザ励起に寄与し
ない無駄な電力損失が減るので、レーザ発振効率はＭＨ
ｚ以下の交流放電周波数を用いても良好になる。なお、
本実施例はガスレーザ発振器について述べたが、ガスレ
ーザ増幅器にも適用可能であることは言うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
効率のスイッチング電源方式を採用できる数ＭＨｚ以下
の交流放電周波数を使って高い電源効率を実現し、か
つ、適当なレーザ出力への取り出し効率を得られる総合
効率の高いレーザ発振器を提供することが可能になる。
効率のスイッチング電源方式を採用できる数ＭＨｚ以下
の交流放電周波数を使って高い電源効率を実現し、か
つ、適当なレーザ出力への取り出し効率を得られる総合
効率の高いレーザ発振器を提供することが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概要構成図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す概要構成図。
【図３】本発明の第３の実施例を示す概要構成図。
【図４】本発明の第４の実施例を示す概要構成図。
【図５】本発明の第４の実施例における実験結果である
発振効率を示すグラフ。
発振効率を示すグラフ。
【図６】本発明の第５の実施例を示す概要構成図。
【図７】本発明の第６の実施例を示す概要構成図。
【図８】本発明の第７の実施例を示す概要構成図。
【図９】本発明の第８の実施例を示す概要構成図。
【図１０】本発明の第９の実施例を示す概要構成図。
【図１１】本発明の第１０の実施例を示す概要構成図。
【図１２】従来のガスレーザ発振器を示す概要構成図。
１…外部風洞、 ２…内部風洞、 ３ａ，３ｂ…誘電体、 ４ａ，４ｂ…電極、 ５…電極、 ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１
５ｂ，１８ａ，１８ｂ…永久磁石、 １０ａ，１０ｂ，１６，１９ａ，１９ｂ…高透磁率材、 １１ａ，１１ｂ…コイル、 １２…直流電源、 １７…容器、 ２０ａ，２０ｂ…同筒形電極、 ２１…ソレノイドコイル
５ｂ，１８ａ，１８ｂ…永久磁石、 １０ａ，１０ｂ，１６，１９ａ，１９ｂ…高透磁率材、 １１ａ，１１ｂ…コイル、 １２…直流電源、 １７…容器、 ２０ａ，２０ｂ…同筒形電極、 ２１…ソレノイドコイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 博勝 三重県三重郡朝日町大字繩生2121番地 株 式会社東芝 三重工場内 (56)参考文献 特開 昭47−7273（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−188987（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−291189（ＪＰ，Ａ) 特公 昭47−10828（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】 内部をレーザ媒質が満たす容器と、対向
配置されレーザ非励起空間である電極層を構成する電極
と、前記電極に接続された交流電源と、前記電極間にか
かる交流電界の方向と垂直方向の磁界を前記電極層に印
加する手段とを具備したことを特徴とするガスレーザ発
振器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187995A JPH081972B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | ガスレーザ発振器 |
| TW081105760A TW226492B (ja) | 1991-07-29 | 1992-07-21 | |
| DE4224023A DE4224023A1 (de) | 1991-07-29 | 1992-07-21 | Gaslaseroszillator |
| KR1019920013578A KR960013517B1 (ko) | 1991-07-29 | 1992-07-29 | 가스레이저 발진기 |
| US08/329,663 US5454003A (en) | 1991-07-29 | 1994-10-26 | Gas laser oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187995A JPH081972B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | ガスレーザ発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537056A JPH0537056A (ja) | 1993-02-12 |
| JPH081972B2 true JPH081972B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=16215791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187995A Expired - Fee Related JPH081972B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | ガスレーザ発振器 |
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR960013517B1 (ja) |
| DE (1) | DE4224023A1 (ja) |
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| US5596593A (en) * | 1996-02-09 | 1997-01-21 | Luxar Corporation | Orthogonal RFDC transverse excited gas laser |
| US7339973B2 (en) * | 2001-09-13 | 2008-03-04 | Cymer, Inc. | Electrodes for fluorine gas discharge lasers |
| JP3730223B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2005-12-21 | ファナック株式会社 | ガスレーザ発振装置 |
| DE10325512A1 (de) * | 2003-06-04 | 2005-01-05 | Thales Electron Devices Gmbh | Gaslaseranordnung |
| EP1976346A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | Ecole Polytechnique | Apparatus for generating a plasma |
| WO2022128056A1 (de) * | 2020-12-14 | 2022-06-23 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Laserverstärker, laser und verfahren mit quer zum e-feld verlaufendem b-feld |
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|---|---|---|---|---|
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| US4672618A (en) * | 1983-03-07 | 1987-06-09 | Beckman Instruments, Inc. | Laser stabilization servo system |
| JPS59188987A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Nec Corp | イオンレ−ザ装置 |
| JPS6037189A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 無声放電励起同軸型レ−ザ発振器 |
| US4785458A (en) * | 1984-02-13 | 1988-11-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Gas laser device |
| US4779279A (en) * | 1984-03-05 | 1988-10-18 | Beckman Instruments, Inc. | Magnetic laser control |
| US4755999A (en) * | 1985-03-25 | 1988-07-05 | Macken John A | Laser apparatus utilizing a magnetically enhanced electrical discharge |
| US4849984A (en) * | 1986-02-03 | 1989-07-18 | Hill Alan E | Large volume gaseous electric discharge system |
| JPS62291189A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Nec Corp | Ｈｅ−Ｎｅガスレ−ザ装置 |
| US4730334A (en) * | 1987-01-05 | 1988-03-08 | Collins George J | Ultraviolet metal ion laser |
| JPS63229793A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Fanuc Ltd | レ−ザ発振器配管系の異常検出装置 |
| IL82545A (en) * | 1987-05-15 | 1991-11-21 | Galram Technology Ind Ltd | Method and apparatus for the cooling of gas lasers |
| EP0295539A3 (de) * | 1987-06-12 | 1989-06-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Gaslaser |
| JPH025585A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Fanuc Ltd | レーザ発振装置 |
| DE3926965A1 (de) * | 1989-08-16 | 1991-02-21 | Siemens Ag | Gaslaser |
| US5048032A (en) * | 1990-07-18 | 1991-09-10 | Spectra-Physics | Air cooled RF induction excited ion laser |
-
1991
- 1991-07-29 JP JP3187995A patent/JPH081972B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-21 DE DE4224023A patent/DE4224023A1/de not_active Ceased
- 1992-07-21 TW TW081105760A patent/TW226492B/zh active
- 1992-07-29 KR KR1019920013578A patent/KR960013517B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-10-26 US US08/329,663 patent/US5454003A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0537056A (ja) | 1993-02-12 |
| US5454003A (en) | 1995-09-26 |
| KR930003516A (ko) | 1993-02-24 |
| KR960013517B1 (ko) | 1996-10-05 |
| TW226492B (ja) | 1994-07-11 |
| DE4224023A1 (de) | 1993-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |