TW202240682A - 晶圓之加工方法及晶圓之加工裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種在晶圓的分割時，不會在器件晶片的角部產生缺損，而可確保器件晶片的品質之晶圓之加工方法及雷射加工裝置。 [解決手段]一種晶圓之加工方法，讓已將複數個器件藉由第一方向的分割預定線、及和該第一方向的分割預定線交叉之第二方向的分割預定線來區劃且形成在正面之晶圓，分割成一個個的器件晶片，前述晶圓之加工方法包含以下步驟：第一改質層形成步驟，將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在第一方向的分割預定線之內部來照射而形成第一改質層；及第二改質層形成步驟，將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在和第一方向交叉之第二方向的分割預定線之內部來照射而形成第二改質層，在該第二改質層形成步驟中，以如下之方式來讓雷射光線蛇行成交錯狀：於沿著該第二方向的分割預定線所照射之雷射光線的聚光點到達該第一改質層時，將該聚光點沿著第一改質層移動而不讓該第二改質層成為一直線。

Description

晶圓之加工方法及晶圓之加工裝置
本發明是有關於一種讓已將複數個器件藉由第一方向的複數條分割預定線、及和該第一方向的分割預定線交叉之第二方向的複數條分割預定線來區劃且形成在正面之晶圓，分割成一個個的器件晶片之晶圓之加工方法及雷射加工裝置。
將IC、LSI等的複數個器件藉由交叉之複數條分割預定線來區劃且形成在正面之晶圓，可藉由雷射加工裝置來分割成一個個的器件晶片，並且可將經分割之器件晶片應用在行動電話、個人電腦等的電氣機器上。
雷射加工裝置具備保持晶圓之工作夾台、與雷射光線照射單元，並可將對已保持在該工作夾台之晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在晶圓的對應於分割預定線之內部來照射，而在晶圓的對應於分割預定線之內部形成改質層，且可以藉由對晶圓賦與外力，而將晶圓沿著該改質層分割成一個個的器件晶片(參照例如專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特許第3408805號公報
發明欲解決之課題
在使用上述之雷射加工裝置來將晶圓分割成一個個的器件晶片之時，是將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在晶圓的對應於第一方向的分割預定線之內部來照射，而沿著晶圓的對應於該第一方向的分割預定線之內部形成第一改質層，並進一步將該雷射光線的聚光點定位在晶圓的對應於和該第一方向交叉之第二方向的分割預定線之內部來照射，而沿著晶圓的對應於該第二方向的分割預定線之內部形成第二改質層。之後，藉由對該晶圓賦與外力，而將該晶圓分割成一個個的器件晶片。在該情況下，會有以下問題：在賦與外力來分割成一個個的器件晶片時，在第一改質層與第二改質層之交叉點上，器件晶片的角部彼此會互相摩擦而產生缺損並使器件晶片的品質降低。
據此，本發明之目的在於提供一種在晶圓的分割之時，進行成在第一方向的分割預定線及和第一方向交叉之第二方向的分割預定線之交叉點上，不會讓器件晶片的角部互相摩擦而產生缺損，而可確保器件晶片的品質之晶圓之加工方法及雷射加工裝置。 用以解決課題之手段
根據本發明之一個層面，可提供一種晶圓之加工方法，讓已將複數個器件藉由第一方向的複數條分割預定線、及和該第一方向的分割預定線交叉之第二方向的複數條分割預定線來區劃且形成在正面之晶圓，分割成一個個的器件晶片，前述晶圓之加工方法具備以下步驟： 第一改質層形成步驟，將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在晶圓的對應於第一方向的分割預定線之內部來照射而形成第一改質層；及 第二改質層形成步驟，在實施該第一改質層形成步驟之後，將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在晶圓的對應於和第一方向交叉之第二方向的分割預定線之內部來照射而形成第二改質層， 在該第二改質層形成步驟中，以如下之方式來讓雷射光線蛇行成交錯狀：於沿著該第二方向的分割預定線所照射之雷射光線的聚光點到達該第一改質層時，將該聚光點沿著第一改質層移動而不讓該第二改質層成為一直線。
較佳的是，在該第二改質層形成步驟中，是使用空間光調變器、聲光元件、繞射光學元件、振鏡掃描機、共振掃描器當中的任一種，來讓雷射光線蛇行成交錯狀。
根據本發明的其他的層面，可提供一種雷射加工裝置，前述雷射加工裝置具備：工作夾台，保持晶圓；雷射光線照射單元，對已保持在該工作夾台之晶圓照射雷射光線；進給機構，將該工作夾台與該雷射光線照射單元相對地加工進給；及控制單元， 該雷射光線照射單元包含：雷射振盪器，振盪產生脈衝雷射，並射出脈衝雷射光線；聚光器，包含fθ透鏡，前述fθ透鏡將該雷射振盪器所射出之雷射光線聚光並照射於已保持在該工作夾台之晶圓；及蛇行組件，配設於該雷射振盪器與該聚光器之間且使雷射光線在第二方向的分割預定線的寬度的範圍內蛇行成交錯狀， 該控制單元是以下之單元： 實施將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點沿著第一方向的分割預定線定位到晶圓的內部來照射而形成第一改質層之控制，並且記憶形成有該第一改質層之座標，且實施將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點沿著第二方向的分割預定線定位到晶圓的內部來照射而形成第二改質層之控制，並以如下之方式來讓雷射光線蛇行成交錯狀：於沿著該第二方向的分割預定線所照射之雷射光線的聚光點到達該第一改質層的該座標時，作動該蛇行組件，使該聚光點的位置沿著該第一改質層移動而不讓該第二改質層成為一直線。
較佳的是，該蛇行組件是空間光調變器、聲光元件、繞射光學元件、振鏡掃描機、共振掃描器當中的任一種。 發明效果
根據本發明的晶圓之加工方法，可在第一方向的分割預定線與第二方向的分割預定線之交叉點上，將第二改質層蛇行成交錯狀來形成，在第一方向的分割預定線與第二方向的分割預定線之交叉點上，即使在對晶圓賦與外力來分割成一個個的器件晶片時，也可避免器件晶片的角部彼此互相摩擦而形成缺損之情形，並解決器件晶片的品質降低之問題。
根據本發明之雷射加工裝置，由於控制單元以如下之方式來讓雷射光線蛇行成交錯狀：於沿著第二方向的分割預定線所照射之雷射光線的聚光點到達第一改質層的座標時，作動蛇行組件，使聚光點的位置沿著第一改質層移動而不讓第二改質層成為一直線，因此在第一方向的分割預定線與第二方向的分割預定線之交叉點上，即使在對晶圓賦與外力來分割成一個個的器件晶片時，也可避免器件晶片的角部彼此互相摩擦而形成缺損之情形，並解決器件晶片的品質降低之問題。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明實施形態的晶圓之加工方法、以及適合於實施該晶圓之加工方法的雷射加工裝置，一邊參照附加圖式一邊詳細地說明。
於圖1顯示有本實施形態之雷射加工裝置2的整體立體圖。如圖所示，可被本實施形態的雷射加工裝置2加工之被加工物為圓板狀的晶圓10，且透過黏著膠帶T而保持於環狀的框架F(也參照圖2(a))。
雷射加工裝置2至少具備有：工作夾台25，保持晶圓10；雷射光線照射單元6，對已保持在工作夾台25之晶圓10照射雷射光線來施行雷射加工；進給機構30，將工作夾台25與雷射光線照射單元6相對地加工進給；及控制單元100(參照圖3)，控制包含雷射光線照射單元6以及進給機構30之雷射加工裝置2的作動部分。
包含工作夾台25之保持單元20包含有在X軸方向上移動自如地搭載在基台3上之矩形狀的X軸方向可動板21、沿著X軸方向可動板21上之引導軌道21a、21a以在Y軸方向上移動自如的方式搭載之矩形狀的Y軸方向可動板22、固定在Y軸方向可動板22的上表面之圓筒狀的支柱23、及固定在支柱23的上端之矩形狀的罩板26。工作夾台25是通過形成於罩板26上之長孔而朝上方延伸之圓形狀的構件，且藉由未圖示之旋轉驅動組件而可旋轉地被構成。工作夾台25具備有由具有通氣性之多孔質材料所形成且以X軸方向以及Y軸方向來規定之保持面25a。保持面25a藉由通過支柱23之流路而連接到未圖示之吸引組件。再者，X軸方向是圖1中以箭頭X表示之方向，Y軸方向是以箭頭Y表示之方向且是正交於X軸方向之方向。以X軸方向以及Y軸方向所規定之平面實質上是水平的。
進給機構30具備有X軸移動機構31與Y軸移動機構32，前述X軸移動機構31使保持單元20的工作夾台25與從雷射光線照射單元6所照射之雷射光線相對地在X軸方向上移動來加工進給，前述Y軸移動機構32使工作夾台25與從雷射光線照射單元6所照射之雷射光線相對地在Y軸方向上移動。X軸移動機構31具有在基台3上於X軸方向上延伸之滾珠螺桿34、與連結於滾珠螺桿34的單側端部之馬達33。滾珠螺桿34的螺帽部(省略圖示)是形成在X軸方向可動板21的下表面。並且，X軸移動機構31藉由滾珠螺桿34將馬達33的旋轉運動轉換成直線運動並傳達至X軸方向可動板21，使X軸方向可動板21沿著基台3上的引導軌道3a、3a在X軸方向上進退。Y軸移動機構32具有在X方向可動板21上於Y軸方向上延伸之滾珠螺桿36、與連結於滾珠螺桿36的單側端部之馬達35。滾珠螺桿36的螺帽部(省略圖示)是形成在Y軸方向可動板22的下表面。並且，Y軸移動機構32藉由滾珠螺桿36將馬達35的旋轉運動轉換成直線運動並傳達至Y軸方向可動板22，使Y軸方向可動板22沿著X軸方向可動板21上的引導軌道21a、21a在Y軸方向上進退。
在保持單元20的後側，豎立設置有框體37，前述框體37具備從基台3的上表面朝上方(Z軸方向)延伸之垂直壁部37a、及水平地延伸之水平壁部37b。在水平壁部37b，除了前述之雷射光線照射單元6以外，還配設有使用於校準步驟之拍攝單元7。在水平壁部37b的前端下表面配設有構成雷射光線照射單元6之聚光器61，且在和聚光器61在X軸方向上隔著間隔的位置上配設有該拍攝單元7。上述之雷射光線照射單元6是照射對晶圓10具有穿透性之波長的脈衝狀的雷射光線之組件，且可設定為在晶圓10的沿著分割預定線之內部形成改質層之雷射加工條件。上述之雷射光線照射單元6、拍攝單元7、進給機構30等是電連接於後述之控制單元100，且可依據由該控制單元100所指示之指示訊號來控制，而實施對晶圓10之雷射加工。
於圖2中更具體地顯示有藉由本實施形態之雷射加工裝置2所加工之晶圓10。如從圖2(a)所可理解地，在本實施形態中被加工之晶圓10是將複數個器件12藉由圖中以X表示之第一方向的分割預定線14A、及和第一方向的分割預定線14A正交之圖中以Y表示之第二方向的分割預定線14B來區劃且形成在正面10a之構成，晶圓10將正面10a朝上方露出且將背面10b貼附於黏著膠帶T的中央，而透過黏著膠帶T被環狀的框架F所保持。晶圓10是例如藉由矽基板來形成。再者，在以下所說明之實施形態中，雖然是設成對圖2(a)所示之狀態的晶圓10，從晶圓10的正面10a側照射雷射光線來實施本實施形態的晶圓之加工方法之構成來說明，但本發明並非限定於此，亦可設成如圖2(b)所示，使晶圓10的正面10a側朝向下方並透過黏著膠帶T來保持於環狀的框架F，且使背面10b朝上方露出，而從背面10b側照射雷射光線來實施本發明之晶圓之加工方法。
一邊參照圖3一邊說明配設在本實施形態的雷射加工裝置2之雷射光線照射單元6的光學系統。圖3所示之雷射光線照射單元6至少具備有：雷射振盪器62，振盪產生脈衝狀的雷射，並射出雷射光線；聚光器61，包含fθ透鏡66，前述fθ透鏡66將從雷射振盪器62所射出之雷射光線聚光並照射於已保持在工作夾台25之晶圓10；及蛇行組件64，配設在雷射振盪器62與聚光器61之間並使雷射光線在晶圓10的正面10a上蛇行。再者，在本實施形態中，亦具備有衰減器63與反射鏡65，前述衰減器63是在雷射振盪器62與該蛇行組件64之間調整雷射振盪器62所振盪產生之雷射光線LB0的輸出，前述反射鏡65是將從蛇行組件64所照射出之雷射光線的光路朝聚光器61側變更。
更具體地說明蛇行組件64。蛇行組件64可以由例如空間光調變器(SLM)構成，可以對從雷射振盪器62所射出並入射至蛇行組件64之雷射光線LB0進行電調變，而以高速方式自如地控制其波前形狀。亦即，可以藉由使用此蛇行組件64，使雷射光線LB0的照射方向於圖3在以箭頭R1表示的方向上變化，而使雷射光線的照射位置在已保持在工作夾台25上之晶圓10的Y軸方向上如以例如LB1、LB2、LB3所示地變化。再者，關於此蛇行組件64，並不限定於藉由空間光調變器來實現之作法，也可使用例如聲光元件(AOD)、繞射光學元件(DOE)、振鏡掃描機、共振掃描器等來實現。針對此蛇行組件64之功能、作用，隨後將進一步詳細敘述。
拍攝單元7包含照明組件、一般的拍攝元件(CCD)、紅外線照射組件、光學系統與拍攝元件(紅外線CCD)(皆省略圖示)，前述照明組件會照明已保持在工作夾台25之晶圓10，前述一般的拍攝元件(CCD)是藉由可見光來拍攝，前述紅外線照射組件會對被加工物照射紅外線，前述光學系統會捕捉由紅外線照射組件所照射之紅外線，前述拍攝元件(紅外線CCD)會輸出和該光學系統所捕捉到的紅外線對應之電氣訊號。
本實施形態之雷射加工裝置2具備有大致如上述之構成，以下針對依據本實施形態所實施之晶圓之加工方法來說明。
在實施本實施形態之雷射加工方法時，首先，如圖1所示，將晶圓10搬送至雷射加工裝置2，並使其載置並吸引保持於保持單元20的工作夾台25。晶圓10是如依據圖2(a)所說明地，將複數個器件12藉由第一方向的分割預定線14A、及和第一方向正交之第二方向的分割預定線14B來區劃而形成在正面之構成，且將第一方向的分割預定線14A以及第二方向的分割預定線14B的寬度設定為50μm。接著，作動上述之進給機構30來將已保持在工作夾台25之晶圓10定位到拍攝單元7的正下方。
將晶圓10定位到拍攝單元7的正下方後，和將工作夾台25旋轉驅動之旋轉驅動組件一起，來合宜作動進給機構30，並藉由拍攝單元7拍攝已定位在拍攝單元7的正下方之晶圓10的正面10a，來檢測已形成於晶圓10的正面10a之第一方向的分割預定線14A以及第二方向的分割預定線14B的座標位置。此時，不僅檢測第一方向的分割預定線14A以及第二方向的分割預定線14B的座標位置，如圖3所示，也會檢測第一方向的分割預定線14A與第二方向的分割預定線14B交叉之交叉點的中心(A1~A3、B1~B3以及C1~C3)的XY座標，並記憶於控制單元100的座標記憶部(省略圖示)。再者，在圖3中，雖然為了方便說明，而僅顯示晶圓10的正面10a的一部分，但實際上會將形成於晶圓10的正面10a之全部的第一方向的分割預定線14A、第二方向的分割預定線14B的位置之座標、以及全部的交叉點中心之座標記憶於該座標記憶部(校準步驟)。又，作為被加工物，在對圖2(b)所示之將晶圓10的背面10b朝向上方之狀態的晶圓10進行加工的情況下，會作動配設於拍攝單元7之紅外線照射組件與紅外線CCD，來從晶圓10的背面10b側檢測形成於已被定位成下表面之晶圓10的正面10a之第一方向的分割預定線14A以及第二方向的分割預定線14B等。
接著，藉由上述之進給機構30以及旋轉驅動組件來移動工作夾台25，使該第一方向的分割預定線14A對齊於X軸方向後，實施以下所說明之雷射加工方法。
依據藉由上述之校準步驟所檢測出之第一方向的分割預定線14A的位置座標之資訊，移動工作夾台25來讓雷射光線照射單元6的聚光器61定位在預定的第一方向的分割預定線14A的加工開始位置的正上方。此時，圖3所示之蛇行組件64是設定成：使從雷射振盪器62射出並入射到蛇行組件64之雷射光線LB0直接直進並成為在聚光器61的fθ透鏡66的中央前進之雷射光線LB1(於圖3中以實線表示)。並且，如圖4(a)所示，沿著晶圓10的第一方向的分割預定線14A的中心將雷射光線LB1的聚光點定位在內部來照射，並且讓晶圓10和上述之工作夾台25一起在X軸方向上朝以箭頭X1表示之方向加工進給，而沿著晶圓10的第一方向的分割預定線14A施行雷射加工來形成沿著第一方向的分割預定線14A之第一改質層110。
沿著預定的分割預定線於內部形成有該第一改質層110之後，將晶圓10朝Y軸方向分度進給相當於第一方向的分割預定線14A之間隔，來將在Y軸方向上相鄰之未加工的第一方向的分割預定線14A定位到聚光器61的正下方。然後，和上述同樣地進行而將雷射光線LB1的聚光點定位在晶圓10的第一方向的分割預定線14A來照射，且將晶圓10朝以箭頭X1表示之方向加工進給來形成第一改質層110。此外，藉由重複這些，而如圖4(b)所示，對晶圓10上的全部的第一方向的分割預定線14A來形成第一改質層110(第一改質層形成步驟)。再者，本實施形態之第一改質層110是形成為在平面視角下觀看會通過第一方向的分割預定線14A的中心，且如圖4(b)所示，形成為通過上述之交叉點的中心A1-A2-A3、B1-B2-B3以及C1-C2-C3，且可將表示已形成於晶圓10之全部的第一改質層110的位置之XY座標記憶在上述之控制單元100的座標記憶部(省略圖示)。
藉由上述之第一改質層形成步驟而沿著第一方向的分割預定線14A形成第一改質層110之後，作動工作夾台25的旋轉驅動組件來使晶圓10朝圖4(b)的以箭頭R2表示之方向旋轉90度，並如圖5(a)所示，使第一方向的分割預定線14A以及第一改質層110的方向對齊於Y軸方向，並使和第一方向的分割預定線14A正交之第二方向的分割預定線14B對齊於X軸方向。再者，此時，因為表示形成有第一改質層110的位置之XY座標的位置也會伴隨於使工作夾台25旋轉90度而變化，所以會先在控制單元100中以讓已記憶於控制單元100之第一改質層110的位置座標和雷射加工裝置2上之實際的XY座標一致的方式來實施轉換，並將新的第一改質層110的座標位置記憶到上述之控制單元100的該座標記憶部。
接著，作動上述之進給機構30，而將晶圓10的預定的第二方向的分割預定線14B之加工開始位置定位到雷射光線照射單元6的聚光器61的正下方。在此，在對第二方向的分割預定線14B照射雷射光線時，是依據從控制單元100所發出的指示訊號來作動上述之蛇行組件64，而讓將雷射光線的聚光點定位之方向朝圖3中以LB2表示之方向變化，並且沿著晶圓10的第二方向的分割預定線14B將以LB2表示之雷射光線的聚光點定位在內部，並且如圖5(a)所示，將晶圓10在X軸方向上朝以箭頭X2表示的方向加工進給，而沿著晶圓10的第二方向的分割預定線14B形成第二改質層120。在此，一邊參照顯示圖5(a)所示之形成有第二改質層120之區域S的放大圖之圖5(b)，一邊進一步具體地說明。
如圖5(b)所示，形成有第二改質層120之位置是設定在朝相向的器件12的任一個的一側(在本實施形態中為上方側)位移後之位置(例如和寬度方向中心相距10μm之位置)，而非在第二方向的分割預定線14B的寬度方向的中心。然後，一邊將晶圓10朝X軸方向上的以箭頭X2表示之方向加工進給，一邊照射雷射光線，而在箭頭R3表示之方向上形成第二改質層120。並且，形成該第二改質層120之該雷射光線的聚光點到達第一改質層110的X座標(xa)時，會作動上述之蛇行組件64，使雷射光線的照射方向朝圖3中以LB3表示之方向位移，藉此使聚光點的位置沿著圖5(b)中的第一改質層110朝圖中以箭頭R4表示之方向移動預定距離，例如移動20μm。藉此，該聚光點會移動到夾著中心C1且和中心C1相距10μm之位置。如此進行，以第二改質層120夾著第一改質層110而不會成為一直線之方式讓雷射光線蛇行成交錯狀，並朝以箭頭R5表示之方向形成第二改質層120。
將上述之該蛇行組件64的作動在每次雷射光線的聚光點到達第一改質層110時調整，而如圖6所示，使第二改質層120在第二方向的分割預定線14B的寬度的範圍內蛇形成交錯狀來形成。在預定之第二方向的分割預定線14B的內部如上述地形成了第二改質層120後，將晶圓10朝Y軸方向分度進給相當於第二方向的分割預定線14B之間隔。接著，對在Y軸方向上相鄰之未加工的第二方向的分割預定線14B，也實施和上述之加工同樣的雷射加工，而以如下之方式來讓雷射光線在第二方向的分割預定線14B的寬度的範圍內蛇形成交錯狀：於沿著第二方向的分割預定線14B所照射之雷射光線的聚光點到達該第一改質層110時，不讓第二改質層120成為一直線。藉由重複這樣的雷射加工，而如圖6所示，對晶圓10上的全部的第二方向的分割預定線14B形成呈交錯狀地蛇行之第二改質層120(第二改質層形成步驟)。
再者，實施上述之第一改質層形成步驟以及第二改質層形成步驟時之雷射加工條件，是設定成例如以下所示。 波長                 ：1342nm 平均輸出         ：1.0W 重複頻率         ：90kHz 加工進給速度 ：700mm/秒
如上述，於沿著第一方向的分割預定線14A形成第一改質層110，且沿著第二方向的分割預定線14B形成呈交錯狀地蛇行之第二改質層120後，搬送至省略圖示之擴張組件，並將貼附有晶圓10之黏著膠帶T擴張，來對晶圓10賦與在水平方向上擴張之外力，而沿著上述之第一改質層110以及第二改質層120分割成一個個的器件晶片。
根據上述之實施形態，由於在第一方向的分割預定線14A與第二方向的分割預定線14B交叉之區域中，是將第二改質層120蛇行成交錯狀來形成，所以在第一方向的分割預定線14A與第二方向的分割預定線14B之交叉點中，即使在對晶圓10賦與外力來分割成一個個的器件晶片時，也可避免器件晶片的角部彼此互相摩擦而形成缺損之情形，並解決使器件晶片的品質降低之問題。
再者，本發明並不限定於上述之實施形態。例如，在上述之實施形態中，雖然已將第一改質層110形成為通過第一方向的分割預定線14A的中心，但並不一定限定為形成於中心，亦可朝任一個方向位移來形成。又，在上述之實施形態中，雖然是設成在形成第一改質層110以及第二改質層120之後，藉由將貼附有晶圓10之黏著膠帶T在水平方向上擴張來賦與外力而將晶圓10分割成一個個的器件晶片，但本發明並非限定於此，亦可設成例如藉由從晶圓10的正面10a側按壓滾輪等而藉由推壓之作法來賦與外力，而將晶圓10分割成一個個的器件晶片。
2:雷射加工裝置 3:基台 3a,21a:引導軌道 6:雷射光線照射單元 61:聚光器 62:雷射振盪器 63:衰減器 64:蛇行組件 65:反射鏡 66:fθ透鏡 7:拍攝單元 10:晶圓 10a:正面 10b:背面 12:器件 14:分割預定線 14A:第一方向的分割預定線 14B:第二方向的分割預定線 20:保持單元 21:X軸方向可動板 22:Y軸方向可動板 23:支柱 25:工作夾台 25a:保持面 26:罩板 30:進給機構 31:X軸移動機構 32:Y軸移動機構 33,35:馬達 34,36:滾珠螺桿 37:框體 37a:垂直壁部 37b:水平壁部 100:控制單元 110:第一改質層 120:第二改質層 A1~A3,B1~B3,C1~C3:交叉點的中心 LB0,LB1,LB2,LB3:雷射光線 F:框架 S:區域 T:黏著膠帶 R1~R5,X1,X2,X,Y:箭頭 xa:X座標 Z:方向
圖1是本發明實施形態之雷射加工裝置的整體立體圖。 圖2之(a)、(b)是可被圖1之雷射加工裝置加工之晶圓的立體圖。 圖3是顯示在圖1之雷射加工裝置所裝設之雷射光線照射單元的光學系統的方塊圖。 圖4之(a)、(b)是將第一改質層形成步驟的實施時的晶圓的一部分放大而顯示的平面圖。 圖5之(a)是將表示第二改質層形成步驟的實施態樣之晶圓的一部分放大而顯示的平面圖，(b)是將(a)的區域S進一步放大而顯示的平面圖。 圖6是將已完成第二改質層形成步驟之晶圓的一部分放大而顯示的平面圖。
6:雷射光線照射單元
61:聚光器
62:雷射振盪器
63:衰減器
64:蛇行組件
65:反射鏡
66:f θ透鏡
10:晶圓
10a:正面
12:器件
14A:第一方向的分割預定線
14B:第二方向的分割預定線
25:工作夾台
25a:保持面
100:控制單元
A1~A3,B1~B3,C1~C3:交叉點的中心
LB0,LB1,LB2,LB3:雷射光線
R1,X,Y:箭頭

Claims (4)

  1. 一種晶圓之加工方法，讓已將複數個器件藉由第一方向的複數條分割預定線、及和該第一方向的分割預定線交叉之第二方向的複數條分割預定線來區劃且形成在正面之晶圓，分割成一個個的器件晶片，前述晶圓之加工方法具備以下步驟： 第一改質層形成步驟，將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在晶圓的對應於第一方向的分割預定線之內部來照射而形成第一改質層；及 第二改質層形成步驟，在實施該第一改質層形成步驟之後，將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位在晶圓的對應於和第一方向交叉之第二方向的分割預定線之內部來照射而形成第二改質層， 在該第二改質層形成步驟中，以如下之方式來讓雷射光線蛇行成交錯狀：於沿著該第二方向的分割預定線所照射之雷射光線的聚光點到達該第一改質層時，將該聚光點沿著第一改質層移動而不讓該第二改質層成為一直線。
  2. 如請求項1之晶圓之加工方法，其中在該第二改質層形成步驟中，是使用空間光調變器、聲光元件、繞射光學元件、振鏡掃描機、共振掃描器當中的任一種，來讓雷射光線蛇行成交錯狀。
  3. 一種雷射加工裝置，具備： 工作夾台，保持晶圓； 雷射光線照射單元，對已保持在該工作夾台之晶圓照射雷射光線； 進給機構，將該工作夾台與該雷射光線照射單元相對地加工進給；及 控制單元， 該雷射光線照射單元包含： 雷射振盪器，振盪產生脈衝雷射，並射出脈衝雷射光線； 聚光器，包含fθ透鏡，前述fθ透鏡將該雷射振盪器所射出之雷射光線聚光並照射於已保持在該工作夾台之晶圓；及 蛇行組件，配設於該雷射振盪器與該聚光器之間且使雷射光線在第二方向的分割預定線的寬度的範圍內蛇行成交錯狀， 該控制單元是以下之單元： 實施將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點沿著第一方向的分割預定線定位到晶圓的內部來照射而形成第一改質層之控制，並且記憶形成有該第一改質層之座標，且實施將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點沿著第二方向的分割預定線定位到晶圓的內部來照射而形成第二改質層之控制， 並以如下之方式來讓雷射光線蛇行成交錯狀：於沿著該第二方向的分割預定線所照射之雷射光線的聚光點到達該第一改質層的該座標時，作動該蛇行組件，使該聚光點的位置沿著該第一改質層移動而不讓該第二改質層成為一直線。
  4. 如請求項3之雷射加工裝置，其中該蛇行組件是選自於由空間光調變器、聲光元件、繞射光學元件、振鏡掃描機、共振掃描器所構成之群組。
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