TW202239898A - 工件加工用片 - Google Patents

Abstract

[議題]提供一種抑制了工件上的殘膠的工件加工用片。 [解決方式]一種工件加工用片1A、1B、1C，其為包括基材11a、11b、11c、和積層於基材11a、11b、11c的一表面側上的黏著劑層12之工件加工用片1A、1B、1C，其中黏著劑層12中的錫原子的含量為0.002質量％以上、0.015質量％以下。

Description

工件加工用片

本發明係有關於半導體晶圓等的工件的加工時所使用的工件加工用片。

矽、砷化鎵等的半導體晶圓、各種封裝體類會以大尺寸的狀態製造，切斷（切割，dicing）成晶片並剝離（拾取，pickup）之後，移轉至下一步的組裝製程。此時，對半導體晶圓等的工件在積層於包括基材及黏著劑層的黏著片（以下有時稱為「工件加工用片」 ）上的狀態下進行晶背研磨、切割、清洗、乾燥、擴片、拾取、組裝等的加工。

在使用包括表現出活性能量射線硬化性的黏著劑層的片材作為上述加工用片的情況下，藉由活性能量射線的照射來降低黏著力，加工完成的工件變得可容易地從加工用片剝離。專利文獻1揭露了這種工件加工用片。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本專利特開第2010-106283號公報

[發明所欲解決的課題]

順道一提，工件加工用片在運送、使用時可能會帶電，且這種帶電可能會變成導致半導體晶片等的損壞、切割裝置等的故障的原因。例如，當將加工完成的工件從工件加工用片分離時，在工件加工用片和加工完成的工件之間可能會產生稱為剝離電荷的靜電。在加工完成的工件為例如半導體晶片的情況下，這種靜電的產生會變成導致該晶片上所形成的電路等被破壞的原因。

因此，也研究出在工件加工用片中加入抗靜電功能以防止靜電。例如，已研究出在基材與黏著劑層之間設置含有抗靜電劑的抗靜電層。然而，發明人已證實這種設置了抗靜電層的工件加工用片，在將加工完成的工件從工件加工用片分離時，容易發生構成黏著劑層的黏著劑附著在加工完成的工件上的現象（以下有時稱為「殘膠」）。

本發明係有鑑於這種情況而完成的，目的在於提供一種抑制了工件上的殘膠的工件加工用片。 [用於解決課題的手段]

為了達成上述目的，首先，本發明提供一種工件加工用片，其為包括基材、和積層於前述基材的一表面側上的黏著劑層之工件加工用片，其中黏著劑層中的錫原子的含量為0.002質量％以上、0.015質量％以下（發明1）。

在上述發明（發明1）的工件加工用片中，由於黏著劑層中的錫原子的含量介於上述範圍內，因此即使是在基材包括抗靜電層（包含後續描述的「有機導電膜」）的情況下，黏著劑層也變得對基材（或抗靜電層）具有良好的密合性，且變得可抑制從該黏著劑層分離後的加工完成的工件上產生殘膠。

在上述發明（發明1）中，前述黏著劑層以由活性能量射線硬化性黏著劑構成為佳（發明2）。

在上述發明（發明2）中，前述活性能量射線硬化性黏著劑以含有具有活性能量射線硬化性的聚合物及含有錫原子的含錫催化劑為佳（發明3）。

在上述發明（發明3）中，以前述具有活性能量射線硬化性的聚合物為在側鏈導入了活性能量射線硬化性基團的（甲基）丙烯酸酯聚合物，且前述（甲基）丙烯酸酯聚合物為藉由前述含錫催化劑的催化作用使得具有含官能基單體單元的丙烯酸類共聚物、和具有與該官能基鍵結的官能基之含不飽和基化合物進行反應所得到的為佳（發明4）。

在上述發明（發明1～4）中，前述基材中前述黏著劑層所積層的一側的表面的表面電阻率以1×10 ¹⁰Ω/□以下為佳（發明5）。

在上述發明（發明1～5）中，前述基材以在前述黏著劑層所積層的一側的表面上具有有機導電膜為佳（發明6）。

在上述發明（發明1～6）中，以用於切割為佳（發明7）。 [本發明的效果]

根據本發明的工件加工用片能夠抑制工件上的殘膠。

以下，對本發明的實施形態進行說明。 根據本實施形態的工件加工用片包括基材、和積層於該基材的一表面側上的黏著劑層。而且，在根據本實施形態的工件加工用片中，黏著劑層中的錫原子的含量為0.002質量％以上、0.015質量％以下。

一般而言，工件加工用片的使用方式為將工件貼附於工件加工用片的黏著劑層中與基材為相反側的表面（以下有時稱為「黏著表面」）之後，對工件加工用片上的工件進行預定的加工。接著，（在黏著劑層由活性能量射線硬化性黏著劑所構成的情況下，藉由照射活性能量射線使得黏著劑層硬化後）將加工後的工件從工件加工用片分離。在這種分離時，以往的工件加工用片容易產生如前述的殘膠。

然而，在根據本實施形態的工件加工用片中，黏著劑層中的錫原子的含量介於上述範圍內，因此基材與黏著劑層的密合性變高。如此一來，可抑制由於將工件從工件加工用片分離而在基材與黏著劑層之間的界面處發生剝離的情況。結果，可抑制構成黏著劑層的黏著劑附著到分離後的工件上。亦即，可良好地抑制工件上的殘膠。

再者，作為提升基材與黏著劑層的密合性的一般方法，有時候會對基材中要設置黏著劑層的表面進行電暈處理等的表面處理。然而，當在基材的表面設置為了抗靜電的膜（有機導電膜）的情況下，從避免破壞該有機導電膜的觀點來看，不能對該有機導電膜的表面進行電暈處理等的表面處理。因此，在使用包括上述有機導電膜的基材的情況下，存在特別容易產生殘膠的問題。

然而，若是利用根據本實施形態的工件加工用片，即使是例如在基材的表面設置有機導電膜而無法對基材進行為了提升基材與黏著劑層之間的密合性的表面處理的情況下，基材與黏著劑層之間也能夠達到優良的密合性，變得可有效地抑制殘膠的產生。

從進一步提升基材與黏著劑層之間的密合性的觀點來看，黏著劑層中的錫原子含量的上限值以0.014%以下為佳，且以0.013%以下為特佳。再者，從同樣的觀點來看，黏著劑層中的錫原子含量的下限值以0.0022%以上為佳，且以0.0024%以上為特佳。

另外，本實施形態中的黏著劑層中的錫原子的來源，如後續所述，可以是作為用於形成黏著劑層的材料的含錫催化劑。在此情況下，藉由調整含錫催化劑的使用量，使得黏著劑層中錫原子的含量介於前述範圍內，變得可在達到所需的黏著性等的性能的同時，也可得到能夠良好地抑制殘膠的工件加工用片。

本實施形態中的黏著劑層中的錫原子的含量可利用定量分析來求得，也可由形成黏著劑層所使用的材料（例如，後續描述的黏著性組合物）的組成來計算得到。

上述定量分析的種類並沒有特別限定，例如可列舉出以下的方法作為一範例。首先，取得50mg的構成黏著劑層的黏著劑，並利用加壓酸分解法進行預處理。然後，可以利用感應耦合電漿質譜分析法（Inductively coupled plasma mass spectrometry，ICP-MS）（例如，使用安捷倫（Agilent）科技公司所製造的裝置）來求得上述黏著劑中的錫原子的含量。

另外，作為根據本實施形態的工件加工用片所使用的工件，例如，可列舉出半導體晶片、半導體晶圓、半導體封裝體等的半導體部件、玻璃晶片、玻璃板等的玻璃部件。

1.工件加工用片的結構 圖1～圖3繪示出了根據本實施形態的工件加工用片的範例。 圖1所示之工件加工用片1A包括基材11a和黏著劑層12，基材11a中的基膜111的兩表面設置有有機導電膜112，且黏著劑層12積層於該基材11a的一表面側上。

圖2所示之工件加工用片1B包括基材11b和黏著劑層12，基材11b中的基膜111的一表面設置有有機導電膜112，且黏著劑層12積層於該基材11a中設置了有機導電膜112的表面上。

圖3所示之工件加工用片1C包括基材11c和黏著劑層12，基材11c由含有抗靜電劑的基膜111'所構成，且黏著劑層12積層於該基材11c的一表面側上。

（1）基材 本實施形態中的基材，只要可在使用工件加工用片的製程中發揮所期望的功能，則並沒有特別限定。本實施形態中的基材，可如圖1及圖2所示在基膜111的兩表面或一表面上具有有機導電膜112，也可如圖3所示僅由含有抗靜電劑的基膜111'所構成。進一步而言，本實施形態中的基材可不包括有機導電膜112且僅由不含有抗靜電劑的基膜111所構成，也可在含有抗靜電劑的基膜111'的兩表面或一表面上具有有機導電膜112。

根據本實施形態的工件加工用片，如前述，即使是無法對基材進行為了提升基材與黏著劑層之間的密合性的表面處理的情況下，也能夠有效地抑制殘膠的產生。因此，本實施形態中的基材從對殘膠抑制效果的益處高這點來看，適用如圖1及圖2所示之包括有機導電膜112的基材。

（1-1）基膜 上述基膜111以主要材料為樹脂類的材料之樹脂膜為佳，作為其具體範例，可列舉出乙烯-醋酸乙烯共聚物膜；乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物膜、乙烯-（甲基）丙烯酸甲酯共​​聚物膜、其他乙烯-（甲基）丙烯酸酯共聚物膜等的乙烯類共聚物膜；聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降莰烯共聚物膜、降莰烯樹脂膜等的聚烯烴類膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等的聚氯乙烯類膜；聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯類膜；（甲基）丙烯酸酯共聚物膜；聚氨酯膜；聚醯亞胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟樹脂膜等。作為聚乙烯膜的範例，可列舉出低密度聚乙烯（LDPE）膜、線性低密度聚乙烯（LLDPE）膜、高密度聚乙烯（HDPE）膜等。再者，也可使用上述的交聯膜、離子聚合物膜等的改質膜。再者，上述基膜111'的較佳範例可列舉出在上述膜中添加抗靜電劑的基膜。另外，在黏著劑層12由活性能量射線硬化性的黏著劑所形成的情況下，基膜111及基膜111'以由對用來將該黏著劑層12硬化所照射的活性能量射線表現出良好透射性的材料所構成為佳。

再者，基膜111可為積層了複數層的上述膜所形成的積層膜。在此積層膜中，構成各層的材料可以是相同種類，或者也可以是不同種類。至於基膜111'，其也可為積層膜，在此情況下，可以是構成各層的所有層都含有抗靜電劑，也可以是至少一層含有抗靜電劑。

上述膜中，從具有優異的柔軟性的觀點來看，以使用乙烯-甲基丙烯酸甲酯共​​聚物膜作為基膜111為佳。至於基膜111'，以使用含有抗靜電劑的乙烯-甲基丙烯酸甲酯共​​聚物膜為佳。另外，在本說明書中，所謂的「（甲基）丙烯酸」係意味著丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。其他類似的用語也是如此。

基膜111也可包含阻燃劑、增塑劑、抗靜電劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子清除劑等的各種添加劑。這些添加劑的含量並沒有特別限定，而以介於可使得基膜111發揮出所期望的功能的範圍內為佳。至於基膜111'，除了抗靜電劑以外，也可以還包含上述各種添加劑。

為了提高與有機導電膜112的密合性，也可以對基膜111中要積層有機導電膜112的表面進行底漆處理、電暈處理、電漿處理等的表面處理。

（1-2）有機導電膜 有機導電膜112只要能夠表現出抗靜電性等的所期望的功能，則並沒有特別限定。

有機導電膜112以包含導電材料及黏合劑（binder）樹脂為佳。作為導電材料的範例，可列舉出導電高分子、導電填料、陰離子或陽離子化合物、在分子的主鏈或側鏈中具有四級銨鹼基的化合物等。

作為上述導電高分子的範例，可列舉出聚噻吩類、聚苯胺類和聚吡咯類的導電高分子。作為聚噻吩類的導電高分子，例如，可列舉出聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β-乙磺酸)、聚伸烷基二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸鹽的混合物等。另外，作為聚伸烷基二氧噻吩，可列舉出聚伸乙二氧噻吩、聚伸丙二氧噻吩、聚（伸乙/伸丙）二氧噻吩。作為聚苯胺類的導電高分子，例如，可列舉出聚苯胺、聚甲基苯胺、聚甲氧基苯胺等。作為聚吡咯類的導電高分子，例如，可列舉出聚吡咯、聚3-甲基吡咯、聚3-辛基吡咯等。這些導電高分子可以單獨使用1種，或者也可以組合2種以上使用。另外，這些導電高分子以分散於水中並以水溶液的形態使用為佳。

作為導電填料的範例，可列舉出金、銀、銅、鎳、鋁、不銹鋼、碳、導電陶瓷、氧化錫、摻銻氧化錫（ATO）、氧化銦-氧化錫（ITO）、氧化鋅、五氧化二銻等的粒子。

作為陰離子或陽離子化合物的範例，可列舉出離子液體、離子固體、陰離子類表面活性劑、鹼金屬鹽、陽離子類表面活性劑、非離子類表面活性劑等。作為離子液體及離子固體的範例，可列舉出含氮鎓鹽、含硫鎓鹽、含磷鎓鹽等。再者，作為鹼金屬鹽的範例，可列舉出鋰鹽、鉀鹽等。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。

作為具有四級銨鹼基的化合物，可列舉出吡咯環、烷基胺的四級化合物、還有將上述與丙烯酸或甲基丙烯酸共聚合而得到的化合物、N-烷基胺基丙烯醯胺的四級化合物、乙烯基芐基三甲基銨鹽、2-羥基3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲基銨鹽等。

期望上述具有四級銨鹼基的化合物為高分子化合物。具有四級銨鹼基的化合物的數量平均分子量以1000以上為佳，以2000以上為特佳，且以5000以上為更佳。再者，關於該數量平均分子量的上限，從避免含有導電材料的塗佈液的黏度變得過高的觀點來看，該數量平均分子量以500000以下為佳。另外，本說明書中的數量平均分子量係藉由凝膠滲透色譜（gel permeation chromatography，GPC）法所測量出的標準聚苯乙烯換算的值。

有機導電膜112中的導電材料的含量以1質量％以上為佳，且以5質量％以上為特佳。再者，該含量以30質量％以下為佳，且以20質量％以下為特佳。由於導電材料的含量為1質量％以上，因此可有效地發揮抗靜電性等的所期望的功能。再者，由於導電高分子的含量為30質量％以下，因此有機導電膜112中黏合劑樹脂的比例變得充足，有機導電膜112本身的塗膜強度變得良好。

作為黏合劑樹脂，例如，可列舉出三聚氰胺樹脂、聚酯、聚氨酯、丙烯酸樹脂、乙烯基樹脂、環氧樹脂、醯胺樹脂、聚乙烯醇等。作為三聚氰胺樹脂的範例，例如，可列舉出甲基化三聚氰胺樹脂、丁基化三聚氰胺樹脂、甲基/丁基化三聚氰胺樹脂等，在上述之中，以使用丁基化三聚氰胺樹脂為佳。這些黏合劑樹脂也可藉由共聚合等而在骨架結構中具有複合結構。作為具有複合結構的黏合劑樹脂，例如，可列舉出丙烯酸樹脂接枝聚酯、丙烯酸樹脂接枝聚氨酯、乙烯基樹脂接枝聚酯、乙烯基樹脂接枝聚氨酯等。

有機導電膜112也可進一步包含交聯反應性化合物。可藉由在含有導電材料的塗佈液中加入交聯劑並使其與塗佈液中所含有的化合物的官能基產生交聯反應，以得到交聯反應性化合物。藉由在塗佈液中加入交聯劑，可改善有機導電膜112的耐水性、耐溶劑性、機械強度等。

作為交聯劑，可列舉出三聚氰胺類交聯劑或環氧類交聯劑等。作為三聚氰胺類交聯劑，可舉出甲氧基甲基化三聚氰胺、丁氧基甲基化三聚氰胺等作為範例，其為烷醇化(alkylol)或烷氧基烷醇化的三聚氰胺類化合物，且也可使用將尿素等與一部分的三聚氰胺進行共縮合所得到的化合物。作為環氧類交聯劑，以使用具有水溶性或水溶解率為50％以上的環氧基的化合物為佳。

有機導電膜112也可根據需求含有消泡劑、塗佈性改良劑、增黏劑、有機類潤滑劑、有機粒子、無機粒子等的添加劑的至少一種。

將包含上述導電高分子及黏合劑樹脂等的塗佈液塗佈於基膜111的一表面或兩表面並將所得到的塗膜乾燥，進而形成有機導電膜112。

可根據使用工件加工用片的方法適當設定有機導電膜112的厚度，通常以0.003μm以上為佳，且以0.005μm以上為特佳。再者，該厚度以1.5μm以下為佳，且以0.5μm以下為特佳。

（1-3）基膜中的抗靜電劑 在根據本實施形態的基材為僅由含有抗靜電劑的基膜111'所構成的情況下，該基膜111'中所含有的抗靜電劑只要可提供所期望的抗靜電性則並沒有特別限定。

作為較佳的抗靜電劑，可列舉出低分子型抗靜電劑、高分子型抗靜電劑、金屬氧化物、碳材料等，且以高分子型抗靜電劑為特佳。作為該高分子型抗靜電劑的範例，可列舉出在分子中具有磺酸鹽的乙烯基共聚物、烷基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、甜菜鹼（Betaine）等。特別是可列舉出聚醚、聚醯胺彈性體、聚酯彈性體、聚醚醯胺或聚醚酯醯胺的無機質子酸鹽等。作為無機質子酸鹽的範例，可列舉出鹼金屬鹽、鹼土金屬、鋅鹽或銨鹽。

基膜111'中抗靜電劑的含量以3質量％以上、20質量％以下為佳。由於抗靜電劑的含量介於上述範圍內，因此所得到的基膜111'變得容易具有良好的抗靜電性。

（1-4）基材的物性等 基材11中黏著劑層所積層的一側的表面的表面電阻率以1×10 ¹²Ω/□以下為佳，以5×10 ¹¹Ω/□以下為特佳，且以1×10 ¹¹Ω/□以下為更佳。由於基材11表現出上述表面電阻率，因此工件加工用片變得容易發揮出優異的抗靜電性。另外，上述表面電阻率的下限值並沒有特別限定，例如可為1×10 ⁴Ω/□以上，特別是可為1×10 ⁵Ω/□以上。上述表面電阻率的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。

可根據使用工件加工用片的方法適當設定基材11的厚度（在包括有機導電膜112的情況下則為包括該有機導電膜112的厚度），而通常以20μm以上為佳，且以25μm以上為特佳。再者，該厚度通常以450μm以下為佳，且以300μm以下為特佳。

（2）黏著劑層 根據本實施形態的工件加工用片，只要黏著劑層在含有上述含量的錫原子的同時對被黏著物發揮出充分的黏著力（特別是為了進行工件的加工而對工件具有充分的黏著力）則並沒有特別限定。

作為構成根據本實施形態的黏著劑層的黏著劑的範例，可列舉出丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑、聚矽氧類黏著劑、聚氨酯類黏著劑、聚酯類黏著劑、聚乙烯醚類黏著劑等。在上述之中，從容易將錫原子的含量調整為前述範圍且同時容易發揮出所期望的黏著力的觀點來看，以使用丙烯酸類黏著劑為佳。

另外，在本實施形態的黏著劑層中，也可以藉由在構成黏著劑層的黏著劑中添加錫單體及/或含錫化合物來達到前述錫原子的含量。或者，也可以藉由使用含錫化合物（特別是後續描述的含錫催化劑）作為黏著劑層的材料之一來達到前述錫原子的含量。

構成本實施形態中的黏著劑層的黏著劑，也可以是不具有活性能量射線硬化性的黏著劑，而以具有活性能量射線硬化性的黏著劑（以下有時稱為「活性能量射線硬化性黏著劑」）為佳。由於黏著劑層由活性能量射線硬化性黏著劑所構成，因此藉由照射活性能量射線使得黏著劑層硬化，能夠容易降低工件加工用片對於被黏著物的黏著力。特別是，藉由照射活性能量射線，變得可容易地將加工後的工件與該工件加工用片分離。

構成黏著劑層的活性能量射線硬化性黏著劑可以由具有活性能量射線硬化性的聚合物作為主要成分，或者也可以由活性能量射線非硬化性聚合物（不具有活性能量射線硬化性的聚合物）和具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物之混合物作為主要成分。再者，也可以是具有活性能量射線硬化性的聚合物和非活性能量射線硬化性聚合物之混合物，也可以是具有活性能量射線硬化性的聚合物和具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物之混合物，或者也可以是這三種的混合物。

首先，以下針對活性能量射線硬化性黏著劑以具有活性能量射線硬化性的聚合物作為主要成分的情況進行說明。

具有活性能量射線硬化性的聚合物以在側鏈導入了具有活性能量射線硬化性的官能基（活性能量射線硬化性基團）之（甲基）丙烯酸酯聚合物（A）（以下有時稱為「活性能量射線硬化型聚合物（A）」）為佳。此活性能量射線硬化型聚合物（A）以使得具有含有官能基的單體單元之丙烯酸類共聚物（a1）、和具有可與上述官能基鍵結的官能基之含不飽和基化合物（a2）進行反應所得到的聚合物為佳。

丙烯酸類共聚物（a1）以包含源自含有官能基的單體之結構單元、和源自（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物之結構單元為佳。

作為丙烯酸類共聚物（a1）的結構單元中含有官能基的單體，以在分子內具有聚合性的雙鍵、羥基、羧基、胺基、取代胺基、和環氧基等的官能基之單體為佳。

作為含有羥基的單體，例如，可列舉出（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸3-羥丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丁酯、（甲基）丙烯酸3-羥丁酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯等，且上述材料可以單獨使用或者也可以組合2種以上使用。

作為含有羧基的單體，例如，可列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、檸康酸等的烯鍵式不飽和羧酸。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。

作為含有胺基的單體或含有取代胺基的單體，例如，可列舉出（甲基）丙烯酸胺基乙基酯、（甲基）丙烯酸正丁基胺基乙基酯等。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。

在丙烯酸共聚物（a1）中，上述源自含有官能基的單體之結構單元的含量以1質量％以上為佳，以5質量％以上為特佳，且以10質量％以上為更佳。再者，在丙烯酸共聚物（a1）中，上述源自含有官能基的單體之結構單元的含量以35質量％以下為佳，且以30質量％以下為特佳。由於丙烯酸類共聚物（a1）中含有官能基的單體的含量介於上述範圍內，因此變得容易形成所期望的活性能量射線硬化型聚合物（A）。

作為構成丙烯酸共聚物（a1）的（甲基）丙烯酸酯單體，除了烷基的碳原子數為1～20的（甲基）丙烯酸烷基酯以外，較佳可採用例如分子內具有脂環式結構的單體（含有脂環式結構的單體）。

作為上述（甲基）丙烯酸烷基酯，以採用烷基的碳原子數為1～18的（甲基）丙烯酸烷基酯為特佳，例如，（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯等。上述材料可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。

作為含有脂環式結構單體，例如，以使用（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸二環戊酯、（甲基）丙烯酸金剛烷基酯、（甲基）丙烯酸異莰酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等為佳。上述材料可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。

在丙烯酸共聚物（a1）中，上述源自（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物之結構單元的含量以50質量％以上為佳，以60質量％以上為特佳，且以70質量％以上為更佳。再者， 在丙烯酸共聚物（a1）中，源自（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物之結構單元的含量以99質量％以下為佳，以95質量％以下為特佳，且以90質量％以下為更佳。

可以利用一般的方法使上述含有官能基的單體、與（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物進行共聚合，以得到丙烯酸類共聚物（a1），而除了這些單體以外也可以使二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等進行共聚合。

藉由使得上述具有含官能基單體單元的丙烯酸共聚物（a1）與具有與該官能基鍵結的官能基之含不飽和基化合物（a2）反應，以得到活性能量射線硬化型聚合物（A）。

可以根據丙烯酸類共聚物（a1）所具有的含官能基單體單元的種類適當地選擇含不飽和基化合物（a2）所具有的官能基。例如，在丙烯酸類共聚物（a1）所具有的官能基為羥基、胺基或取代胺基的情況下，以異氰酸酯基或環氧基作為含不飽和基化合物（a2）所具有的官能基為佳，而在丙烯酸類共聚物（a1）所具有的官能基為環氧基的情況下，以胺基、羧基或氮丙啶基作為含不飽和基化合物（a2）所具有的官能基為佳。

再者，在上述含不飽和基化合物（a2）中，在1分子中至少包含1個活性能量射線聚合性的碳-碳雙鍵，以包含1〜6個為佳，且以包含1～4個為更佳。作為這種含不飽和基化合物（a2）的具體範例，例如，可列舉出2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、1,1-（雙丙烯醯氧基甲基）乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、與（甲基）丙烯酸羥乙酯進行反應所得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、與多元醇化合物、和（甲基）丙烯酸羥乙酯進行反應所得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；（甲基）丙烯酸縮水甘油酯；（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸2-（1-氮丙啶基）乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。

相對於上述丙烯酸類共聚物（a1）的含官能基單體的莫耳數，上述含不飽和基化合物（a2）的使用比例以50莫耳％以上為佳，以60莫耳％以上為特佳，且以70莫耳％以上為更佳。再者，相對於上述丙烯酸類共聚物（a1）的含官能基單體的莫耳數，上述含不飽和基化合物（a2）的使用比例以95莫耳％以下為佳，以93莫耳％以下為特佳，且以90莫耳％以下為更佳。

在丙烯酸類共聚物（a1）和含不飽和基化合物（a2）的反應中，可以根據丙烯酸類共聚物（a1）所具有的官能基和含不飽和基化合物（a2）所具有的官能基的組合適當地選擇反應的溫度、壓力、溶劑、時間、有無催化劑、催化劑的種類。如此一來，存在於丙烯酸類共聚物（a1）中的官能基與含不飽和基化合物（a2）中的官能基產生反應，不飽和基導入丙烯酸類共聚物（a1）中的側鏈，進而得到活性能量射線硬化型聚合物（A）。

本實施形態中的黏著劑，以使用含錫催化劑作為促進丙烯酸類共聚物（a1）與含不飽和基化合物（a2）之間的反應的催化劑為佳。藉由使用含錫催化劑，丙烯酸類共聚物（a1）與含不飽和基化合物（a2）之間的反應可有效地進行，變得容易形成具有所需功能的黏著劑且同時也變得容易將所得到的黏著劑層中的錫原子含量調整成介於前述範圍內。

作為上述含錫催化劑，例如，可列舉出二月桂酸二丁基錫、氫氧化三甲基錫、四正丁基錫等的有機錫化合物、辛烯酸錫、辛酸錫等的有機酸錫化合物、氯化亞錫、氯化錫等的錫鹽等，在上述之中，以二月桂酸二丁基錫為佳。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。

以構成丙烯酸類共聚物（a1）的單體的總量作為基準，上述含錫催化劑的調配量以0.010質量％以上為佳，以0.015質量％以上為特佳，且以0.02質量％以上為更佳。再者，以構成丙烯酸類共聚物（a1）的單體的總量作為基準，上述調配量以0.12質量％以下為佳，以0.10質量％以下為特佳，且以0.08質量％以下為更佳。 由於含錫催化劑的調配量介於上述範圍內，因此可良好地形成活性能量射線硬化性聚合物（A），黏著劑層中錫原子的含量也變得容易調整成介於前述範圍內。

以上述方式得到的活性能量射線硬化型聚合物（A）的重量平均分子量（Mw）以1萬以上為佳，以15萬以上為特佳，且以20萬以上為更佳。再者，該重量平均分子量（Mw）以150萬以下為佳，且以100萬以下為特佳。

即使是活性能量射線硬化性黏著劑以活性能量射線硬化型聚合物（A）等具有活性能量射線硬化性的聚合物作為主要成分的情況下，活性能量射線硬化性黏著劑也可以進一步含有活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B）。

作為活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B），例如可以使用多元醇與（甲基）丙烯酸的酯等。

作為這種活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B），例如，可列舉出（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸異莰酯等的單官能性丙烯酸酯類，三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、1,4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二（甲基）丙烯酸酯等的多官能性丙烯酸酯類、聚酯低聚（甲基）丙烯酸酯、聚氨酯低聚（甲基）丙烯酸酯等。

在將活性能量射線硬化型聚合物（A）和活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B）混合的情況下，相對於100質量份的活性能量射線硬化型聚合物（A），在活性能量射線硬化性黏著劑中的活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B）的含量以超過0質量份為佳，且以60質量份以上為特佳。再者，對於100質量份的活性能量射線硬化型聚合物（A），該含量以250質量份以下為佳，且以200質量份以下為特佳。

此處，在使用紫外線作為用於將活性能量射線硬化性黏著劑硬化的活性能量射線的情況下，以添加光聚合起始劑（C）為佳，藉由使用光聚合起始劑（C），能夠減少聚合硬化時間及光照射量。

作為光聚合起始劑（C），具體而言，可列舉出二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環己基苯基酮、芐基二苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮二異丁腈、芐基、二芐基、二乙醯基、β-氯蒽醌、（2,4,6-三甲基芐基二苯基）氧化膦、2-苯並噻唑-N，N-二乙基二硫代胺基甲酸酯、低聚{2-羥基-2-甲基-1- [4-（1-丙烯基）苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。

相對於100質量份的活性能量射線硬化型聚合物（A）（在混合活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B）的情況下，活性能量射線硬化型聚合物（A）及活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B）的總和為100質量份），光聚合起始劑（C）的使用量以0.1質量份以上為佳，且以0.5質量份以上為特佳。再者，相對於100質量份的活性能量射線硬化型聚合物（A）（在混合活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B）的情況下，活性能量射線硬化型聚合物（A）及活性能量射線硬化性的單體及/或低聚物（B）的總和為100質量份），光聚合起始劑（C）的使用量以10質量份以下為佳，且以6質量份以下為特佳。

在活性能量射線硬化性黏著劑中，除了上述成分以外，也可以適當添加其他的成分。作為其他的成分，例如，可列舉出非活性能量射線硬化性聚合物成分或低聚物成分（D）、交聯劑（E）等。

作為非活性能量射線硬化性聚合物成分或低聚物成分（D），例如，可列舉出聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，且以重量平均分子量（Mw）為30～250萬的聚合物或低聚物為佳。藉由將成分（D）與活性能量射線硬化性黏著劑混合，可提升硬化前的黏著性及剝離性、硬化後的強度、與其他層之間的附著性、保存穩定性等。該成分（D）的調配量並沒有特別限定，相對於100質量份的活性能量射線硬化型聚合物（A），可在超過0質量份、為50質量份以下的範圍內適當地決定。

作為交聯劑（E），可以使用與活性能量射線硬化型聚合物（A）等所具有的官能基之間具有反應性的多官能性化合物。作為這種多官能性化合物的範例，可列舉出異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬醇鹽化合物、金屬螯合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚醛樹脂等。在上述之中，從容易提升黏著劑層對基材的密合性的觀點來看，以異氰酸酯類化合物為佳，且以六亞甲基二異氰酸酯（HMDI）化合物為特佳。

相對於100質量份的活性能量射線硬化型聚合物（A），交聯劑（E）的調配量以0.01質量份以上為佳，以0.03質量份以上為特佳，且以0.04質量份以上為更佳。再者，相對於100質量份的活性能量射線硬化型聚合物（A），交聯劑（E）的調配量以8質量份以下為佳，以5質量份以下為特佳，且以3.5質量份以下為更佳。

接著，以下針對活性能量射線硬化性黏著劑以非活性能量射線硬化性聚合物成分和具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物之混合物作為主要成分的情況進行說明。

作為非活性能量射線硬化性聚合物成分，例如，可以使用與前述丙烯酸類共聚物（a1）相同的成分。

作為具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物，可以選擇與前述成分（B）相同的單體及/或低聚物。關於非活性能量射線硬化性聚合物成分與具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物之間的調配比，相對於100質量份的活性能量射線硬化性聚合物成分，具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物以1質量份以上為佳，且以60質量份以上為特佳。再者，關於該調配比，相對於100質量份的活性能量射線硬化性聚合物成分，具有至少一個以上的活性能量射線硬化性基團的單體及/或低聚物以200質量份以下為佳，且以160質量份以下為特佳。

在這種情況下也可以與上述相同的方式適當混合光聚合起始劑（C）和交聯劑（E）。

可根據使用工件加工用片的方法適當設定黏著劑層的厚度，通常以3μm以上為佳，且以5μm以上為特佳。再者，該厚度以50μm以下為佳，且以40μm以下為特佳。

（3）剝離片 根據本實施形態的工件加工用片，在將黏著劑層的黏著表面貼附到工件上之前，為了保護該表面，也可以在該表面上積層剝離片。剝離片可為任意的結構，例如利用剝離劑等對塑膠膜進行了剝離處理的結構。作為該塑膠膜的具體範例，可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯膜；以及聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴膜。作為剝離劑，可以使用聚矽氧類、氟類、長鏈烷基類等，在上述之中，以價格便宜且能夠得到穩定的性能的聚矽氧類為佳。對於剝離片的厚度並沒有特別的限制，例如通常為20μm以上、250μm以下。

（4）其他 在根據本實施形態的工件加工用片中，也可以在黏著劑層中與基材為相反側的表面上積層接著劑層。在此情況下，根據本實施形態的工件加工用片可以作為切割・晶片接合片使用。在該片材中，可以將工件貼附於接著劑層中與黏著劑層為相反側的表面上，並將接著劑層與該工件一起切割，進而得到積層了單體化的接著劑層的晶片。該晶片變得可藉由此單體化的接著劑層而容易地固定於將安裝該晶片的物體上。作為構成上述接著劑層的材料，以使用含有熱塑性樹脂和低分子量的熱硬化性接著成分的材料、或含有B階段（半硬化狀）的熱硬化型接著成分的材料等為佳。

再者，在根據本實施形態的工件加工用片中，也可以在黏著劑層中的黏著表面上積層保護膜形成層。在此情況下，根據本實施形態的工件加工用片可以作為保護膜形成兼切割用片使用。在這種片材中，可以將工件貼附於保護膜形成層中與黏著劑層為相反側的表面上，並將保護膜形成層與該工件一起切割，進而得到積層了單體化的保護膜形成層的晶片。作為該工件，以使用在一表面上形成有電路的工件為佳，在此情況下，通常在與形成了該電路的表面為相反側的表面上積層保護膜形成層。可以使得單體化的保護膜形成層以預定的時間硬化，進而在晶片上形成具有充分的耐久性的保護膜。保護膜形成層以由未硬化的硬化性接著劑所構成為佳。

2.工件加工用片的物性 根據本實施形態的工件加工用片，黏著劑層中與基材為相反側的表面（黏著表面）的表面電阻率以1×10 ¹³Ω/□以下為佳，以1×10 ¹⁰Ω/□為特佳，且以1×10 ⁶Ω/□以下為更佳。由於黏著表面表現出上述表面電阻率，因此工件加工用片變得容易發揮出優異的抗靜電性。另外，上述表面電阻率的下限值並沒有特別限定，例如可為1×10 ⁴Ω/□以上，特別是可為1×10 ⁵Ω/□以上。另外，使用DIGITAL ELECTROMETER（由ADVANTEST公司所製造）等裝置，在施加100V的電壓下測量上述表面電阻率。

3.工件加工用片的製造方法 根據本實施形態的工件加工用片的製造方法並沒有特別限定，例如，以在剝離片上形成了黏著劑層之後將基材的一表面積層於該黏著劑層中與剝離片為相反側的表面上進而得到工件加工用片為佳。另外，在使用僅在基膜111的一表面具有有機導電膜112的基材11b的情況下，黏著劑層12可以積層在該基材11b的任一表面上。

可以利用公知的方法形成上述黏著劑層。例如，製備出含有用於形成黏著劑層的黏著性組合物、及根據所需進一步添加的溶劑或分散介質之塗佈液。然後，將上述塗佈液塗佈於剝離片中具有剝離性的表面（以下有時稱為「剝離表面」）上。接著，可以藉由將所得到的塗膜乾燥，以形成黏著劑層。

可以利用公知的方法塗佈上述塗佈液，例如，可以利用棒塗（bar coating）法、刮刀塗佈（knife coating）法、輥塗（roll coating）法、刮刀（blade coating）塗佈法、模具塗佈（die coating）法、凹版塗佈（gravure coating）法等來進行。另外，塗佈液只要可進行塗佈則其性質並沒有特別限定，若有包含用於形成黏著劑層的成分作為溶質的情況，則也有包含作為分散介質的情況。再者，可以將剝離片作為製程材料剝離，或者也可以用來保護黏著劑層，直到其貼附於被黏著物上為止。

在用於形成黏著劑層的黏著性組合物包含前述交聯劑的情況下，以藉由改變上述的乾燥條件（溫度、時間等）、或藉由另外進行加熱處理，使得塗膜內的聚合物成分與交聯劑產生交聯反應，進而以在黏著劑層內具有所期望的存在密度形成交聯結構為佳。此外，為了使上述交聯反應充分地進行，也可以在將黏著劑層與基材貼合後，在例如23°C、相對濕度為50％的環境下靜置數天，以進行固化。

4.工件加工用片的使用方法 根據本實施形態的工件加工用片可以用於工件的加工。亦即，可以在將根據本實施形態的工件加工用片的黏著表面貼附於工件之後，在工件加工用片上對該工件進行加工。例如，可列舉出半導體晶圓或玻璃板等的背面研磨、半導體晶圓或玻璃板等的切割、半導體晶片或玻璃晶片等的擴片、半導體晶片或玻璃晶片的拾取等作為此時的加工。

此處，根據本實施形態的工件加工用片，在包括具有有機導電膜112的基材11a、11b或含有抗靜電劑的基材11c的情況下，可有效地抑制工件加工用片1A、1B、1C在運送時和使用過程中的靜電。結果，能夠有效地抑制工件的損壞、加工裝置的故障等。

在工件加工用片上對工件進行加工完成之後，可以將工件加工用片與工件分離。例如，將作為工件的半導體晶圓或玻璃板在工件加工用片上進行切割，以單體化成複數半導體晶片之後，根據需求將工件加工用片進行擴片，然後從工件加工用片上將半導體晶片或玻璃板逐一拾取。

另外，在根據本實施形態的工件加工用片包括前述接著劑層的情況下，該工件加工用片能夠作為切割・晶片接合片使用。此外，在根據本實施形態的工件加工用片包括前述保護膜形成層的情況下，該工件加工用片能夠作為保護膜形成兼切割用片使用。

此處，在本實施形態中的黏著劑層由活性能量射線硬化性黏著劑所構成的情況下，藉由對黏著劑層照射活性能量射線，使得黏著劑層硬化，進而能夠降低黏著劑層與工件之間的密合性。如此一來，在拾取半導體晶片或玻璃晶片的情況下，變得可容易地從工件加工用片上拾取工件。

而且，根據本實施形態的工件加工用片，由於黏著劑層中的錫原子含量介於前述範圍內，因此在從工件加工用片上拾取工件時，能夠抑制基材與黏著劑層之間的界面發生剝離。如此一來，能夠抑制構成黏著劑層的黏著劑附著到被拾取後的工件的表面上。亦即，能夠抑制工件上產生殘膠。

以上說明的實施形態係為了易於理解本發明所記載，且並非用於限定本發明而記載的。因此，意味著上述實施形態中所揭露的各要件也包含屬於本發明的技術範圍內的所有設計變更和均等物。

例如，也可以在基材與黏著劑層之間、或在基材中與黏著劑層為相反側的表面上設置另一層。 [實施例]

以下，透過實施例等更具體地說明本發明，然而本發明的範圍並不限定於這些實施例等。

（1）黏著劑組合物的製備 在將52質量份的丙烯酸2-乙基己酯、20質量份的甲基丙烯酸甲酯、28質量份的丙烯酸2-羥乙酯、相對於上述單體的總量為0.1%的偶氮二異丁腈（聚合起始劑）混合於乙酸乙酯中之後，在60°C下進行反應24小時，進而得到含有丙烯酸類共聚物的溶液（固體成分濃度為40質量%）。該丙烯酸類共聚物的重量平均分子量以後續描述的方法測量得知為50萬。

接著，將甲基乙基酮加入所得到的上述溶液中，使得固體成分濃度達到35質量％。然後，在該溶液中添加2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯 （MOI），其添加量相對於構成上述丙烯酸類共聚物的丙烯酸2-羥乙酯為90莫耳％，且同時添加作為含錫催化劑的二月桂酸二丁基錫 （DBTDL），其添加量相對於上述單體的總量為0.02質量％。之後，在50°C下進行反應24小時，以得到在側鏈中導入了活性能量射線硬化性基團的（甲基）丙烯酸酯聚合物（活性能量射線硬化型聚合物）。該活性能量射線硬化型聚合物的重量平均分子量以後續描述的方法測量得知為50萬。

將100質量份所得到的活性能量射線硬化型聚合物（以固體成分換算，以下亦同）、0.3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮（由BASF公司所製造，產品名為「Omnirad 184」）、2質量份作為交聯劑的三羥甲基丙烷的六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物（由東曹（Tosoh）公司所製造，產品名為「Coronate HL」）在溶液中混合，進而得到黏著劑組合物的塗佈液（固體成分濃度為25質量％）。

另外，在使用上述黏著劑組合物的塗佈液形成如後續描述的黏著劑層的情況下，所得到的黏著劑層中的錫原子含量經計算為0.0027質量％。

（2）黏著劑層的形成 使用刮刀塗佈機（comma coater），將上述黏著劑組合物的塗佈液塗佈於厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯的（PET）膜的一表面上形成有聚矽氧類的剝離劑層之剝離片（由琳得科（Lintec）公司所製造，產品名為「SP-PET3801」）的剝離表面，並在90℃下乾燥1分鐘，以在剝離片上形成厚度為5μm的黏著劑層。

（3）基材的製作 對將吡咯單體進行乳液聚合所得到的、含有作為導電材料的聚吡咯類導電高分子之乳液，添加作為黏合劑樹脂的丁基化三聚氰胺樹脂（由DIC公司所製造，產品名為「Super Beccamin J820-60」），其添加量相對於100質量份的聚吡咯類導電高分子為2質量份，並藉由充分混合，以得到有機導電膜用的塗佈液。

在厚度為80μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物（EMAA）膜的一側的表面上進行電暈照射。然後，將如上述所得到的有機導電膜用的塗佈液塗佈於EMAA膜中經過電暈照射的表面，並藉由加熱進行乾燥，以形成厚度為50nm的有機導電膜。此外，對於EMAA膜的另一側的表面也以與上述相同的方式進行電暈照射，然後形成厚度為50nm的有機導電膜。如此一來，得到了在EMAA膜的兩表面上形成有機導電膜的基材。

另外，使用DIGITAL ELECTROMETER（由ADVANTEST公司所製造），在施加100V的電壓下測量此基材的兩表面的表面電阻率，結果為1.5×10 ⁶Ω/□。相較於單獨PET膜的一般的表面電阻率（1×10 ¹⁵～1×10 ¹⁶Ω/□），此數值為非常小的值。因此，可預期使用如上述所製作出的基材而得到的工件加工用片能夠發揮出優異的抗靜電性。

（4）工件加工用片的製作 將在上述步驟（2）中所形成的黏著劑層中與剝離片為相反側的表面和在上述步驟（3）中所得到的基材的一表面貼合之後，在23°C、50%的環境下保存1 週。如此一來，得到了依序積層了剝離片、黏著劑層、和在兩表面上具有有機導電膜的基材而形成的工件加工用片。另外，該工件加工用片的黏著劑層中的錫原子的含量如前述為0.0027質量％。

前述丙烯酸類共聚物及活性能量射線硬化型聚合物的重量平均分子量（Mw）係使用凝膠滲透色譜法（gel permeation chromatography，GPC），在以下的條件下所測量（GPC測量）的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 ＜測量條件＞ ・測量裝置：由東曹公司所製造的HLC-8320 ・GPC管柱（依下列順序通過）：由東曹公司所製造 TSK gel super H-H TSK gel super HM-H TSK gel super H2000 ・測量溶劑：四氫呋喃（tetrahydrofuran） ・測量溫度：40℃

[實施例2～6及比較例1～2] 除了在將活性能量射線硬化型聚合物的組成變更為如表1所示的同時，調整含錫催化劑的使用量使得所形成的黏著劑層中的錫原子的含量如表1所記載的以外，其餘以與實施例1相同的方式製造工件加工用片。

[實施例7] 除了使用厚度為80μm的聚丙烯膜作為基材以外，其餘以與實施例1相同的方式製造工件加工用片。另外，使用DIGITAL ELECTROMETER（由ADVANTEST公司所製造），在施加100V的電壓下測量該基材的兩表面的表面電阻率，結果為1.8×10 ¹⁵Ω/□。

[實施例8] 除了使用厚度為80μm的聚對苯二甲酸丁二醇酯膜作為基材以外，其餘以與實施例1相同的方式製造工件加工用片。另外，使用DIGITAL ELECTROMETER（由ADVANTEST公司所製造），在施加100V的電壓下測量該基材的兩表面的表面電阻率，結果為2.4×10 ¹⁵Ω/□。

[實施例9] 將100重量份的聚丙烯和5重量份的作為高分子型抗靜電劑的聚烯烴嵌段聚合物（由三洋化成工業公司所製造，產品名為「Pelectron PVL」）用雙螺桿混練機進行混練之後，用擠出機壓成片狀，進而得到厚度為80μm的含抗靜電劑的聚丙烯膜。除了使用該聚丙烯膜作為基材以外，其餘以與實施例1相同的方式製造工件加工用片。另外，使用DIGITAL ELECTROMETER（由ADVANTEST公司所製造），在施加100V的電壓下測量該基材的兩表面的表面電阻率，結果為2.3×10 ¹⁰Ω/□。

[試驗例1]（拾取性的評估） 使用雷射印刷裝置（由基恩斯（KEYENCE）公司所製造，產品名為「MD-S9910A」）在​​矽晶圓（尺寸為8英寸，厚度為350μm）的#2000研磨表面上印刷。如此一來，在該研磨表面上形成了以剖面來看寬度大約50μm、深度大約15μm的溝槽。

接著，使用2kg的橡膠輥，將在實施例及比較例中所製造出的工件加工用片因將剝離片剝離而露出的黏著表面貼附到上述經過雷射印刷後的研磨表面，並放置20分鐘。

之後，使用切割裝置（由Disco公司所製造，產品名為「Full Auto Dicer DF636」），在以下的切割條件下進行切割，將矽晶圓單體化成尺寸為5mm×5mm的晶片。 切割條件 切割方式：單切 刀片：由Disco公司所製造，產品名為「SD3000-N1-90EC」 刀片轉速：35000rpm 切割速度：50mm/sec 刀片高度：20μm，其作為切入基材的深度

在切割之後，從工件加工用片中基材側的表面對黏著劑層照射紫外線（光量：200mJ/cm ²)。然後，使用黏晶（die bonding）裝置（由Canon Machinery所製造，產品名為「BESTEM-D02」），從工件加工用片上拾取所得到的晶片。此時，拾取10個晶片且全部的晶片在拾取成功時的上推量為300μm以下的情況下，將拾取性評估為「○」。另一方面，在存在上推量超過300μm的晶片的情況下、或存在無法拾取的晶片的情況下，將拾取性評估為「×」。結果如表1所示。

[試驗例2]（殘膠的評估） 對於在試驗例1中拾取性被評估為「○」的工件加工用片，確認在被拾取的10個晶片的印刷部分是否附著有黏著劑（殘膠）。然後，計算出經確認有殘膠的晶片相對於10個晶片的比例（％）。其結果如表1所示。

另外，表1中所記載的縮寫等的詳細內容如下。 EMAA：乙烯-甲基丙烯酸共聚物 PP：聚丙烯 PBT：聚對苯二甲酸丁二醇酯 2EHA：丙烯酸2-乙基己酯 MMA：甲基丙烯酸甲酯 HEA：丙烯酸2-羥乙酯 MOI：2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯 VAc：乙酸乙烯酯 BA：丙烯酸正丁酯

[表1]

由表1可得知，在使用了實施例中所得到的工件加工用片的情況下，並沒有產生殘膠。 [產業上的可利性]

本發明的工件加工用片能夠適用於半導體晶圓等的工件的加工。

1A,1B,1C:工件加工用片 11a,11b,11c:基材 12:黏著劑層 111,111':基膜 112:有機導電膜

[圖1]係根據本發明的一實施形態之工件加工用片的剖面圖。 [圖2]係根據本發明的另一實施形態之工件加工用片的剖面圖。 [圖3]係根據本發明的又另一實施形態之工件加工用片的剖面圖。

1A:工件加工用片

11a:基材

12:黏著劑層

111:基膜

112:有機導電膜

Claims (7)

1. 一種工件加工用片，其為包括基材、和積層於前述基材的一表面側上的黏著劑層之工件加工用片，其中黏著劑層中的錫原子的含量為0.002質量％以上、0.015質量％以下。
2. 如請求項1所述之工件加工用片，其中前述黏著劑層由活性能量射線硬化性黏著劑構成。
3. 如請求項2所述之工件加工用片，其中前述活性能量射線硬化性黏著劑含有具有活性能量射線硬化性的聚合物及含有錫原子的含錫催化劑。
4. 如請求項3所述之工件加工用片，其中前述具有活性能量射線硬化性的聚合物為在側鏈導入了活性能量射線硬化性基團的（甲基）丙烯酸酯聚合物，且前述（甲基）丙烯酸酯聚合物為藉由前述含錫催化劑的催化作用使得具有含官能基單體單元的丙烯酸類共聚物、和具有與該官能基鍵結的官能基之含不飽和基化合物進行反應所得到的。
5. 如請求項1所述之工件加工用片，其中前述基材中前述黏著劑層所積層的一側的表面的表面電阻率為1×10 ¹⁰Ω/□以下。
6. 如請求項1所述之工件加工用片，其中前述基材在前述黏著劑層所積層的一側的表面上具有有機導電膜。
7. 如請求項1所述之工件加工用片，其用於切割。

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