TW202233561A - 用於化學電鍍處理非導電區域的活化溶液及方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種用於化學鍍金屬之新型活化劑系統，特別是該活化劑可不含錫及界面活性劑。本發明之活化劑優選用於化學鍍銅。
Description
本發明大致上涉及金屬鍍之活化劑領域，特別是用於化學鍍金屬之新型活化劑系統。本發明的活化劑系統優選用於化學鍍銅。
一般來說，印刷電路板 (Printed circuit board, PCB) 是一種集成了電導線的組件，使各種裝置能安裝在其中或相互做電性連接。由於技術的進展，引領具有各種形式及功能的PCB不斷面世。而隨著使用PCB的行業之成長，對PCB的需求一直在增加，例如家用電器、通信設備、半導體設備、工業機械、車輛電子控制及相關行業。
化學鍍金屬具有廣泛的應用，包括用於製造印刷電路板及非導體的製程上（如裝飾及加工塑膠基材）。印刷電路板包括層壓的非導電介電基材(substrate)，必須依靠鑽孔並電鍍通孔(through-hole)才能使板的兩側或內層之間形成連接。眾所周知，化學鍍已用於在表面上製備金屬塗層，在鍍上金屬前，必須於電介質表面預先沉積活化劑。其中一個催化或活化非導電介電基材的常用方法是，在化學鍍之前，以水性錫/鈀膠體處理基材。該膠體包括一個金屬鈀核，周圍是錫(II)離子錯合物的穩定層，例如 SnCl
3 -，作為表面穩定基團，以避免膠體在懸浮液中聚集。
在活化過程中，鈀膠體被吸附到絕緣基材（如環氧樹脂(epoxy)或聚醯亞胺(polyimide)）上，以催化後續的化學鍍銅。理論上，活化劑顆粒的作用是在電子從還原劑轉移到電鍍浴中的金屬離子之路徑中做為載體。儘管化學鍍的性能也受電鍍浴溶液組成及配體(ligand)選擇等其他因素影響，但活化步驟仍是控制化學鍍速率及機制的關鍵因素。錫/鈀膠體已在商業上用作化學鍍金屬的活化劑數十年，然而，其中的鈀對空氣的敏感性及高昂的成本仍有改進空間。此外，必須再將吸附在樹脂表面的殘留鈀去除，以防止兩根銅線之間可能發生短路，也增加了整個製造過程的成本。
尋找新的及更好的活化劑持續在進行著。例如，由於鈀的成本高，許多努力集中在非貴金屬活化劑的開發上，特別是膠態銅活化劑的開發。然而，對於通孔電鍍，此類活化劑尚未能呈現出足夠的活性或可靠性。此外，這些活化劑通常在存放時也會逐漸變得不活躍，使得這種活化劑應用在商業用途上較不可靠及不切實際。
因此，本發明的一方面涉及一種用於在基材上沉積化學鍍活化劑的組合物，該組合物包含一種或多種金屬離子及一種或多種有機酸；其中該有機酸具有至少一個羧酸基(carboxylic group)及至少一個羥基(hydroxyl group)。
在一些實施例中，該有機酸為二羧酸封端，並具有如式(I)之化學式：
(I)
，其中R
1選自直鏈型或分支型、經取代或未經取代的C
1-C
6醇類。
在一些實施例中，該有機酸選自酒石酸(tartaric acid)、檸檬酸(citric acid)、蘋果酸(malic acid)及2,2-雙(羥甲基)丙二酸(2,2-bis(hydroxymethyl)malonic acid)。
在一些較佳的實施例中，該有機酸為酒石酸或蘋果酸。
在一些實施例中，該有機酸具有如式(II)之化學式：
(II)
，其中R
2選自直鏈型或分支型、經取代或未經取代的C
1-C
6醇類。
在一些實施例中，該有機酸選自甘油酸(glyceric acid)、乙醇酸(glycolic acid)及乳酸(lactic acid)。
在一些較佳的實施例中，該有機酸為甘油酸。
在一些實施例中，該金屬離子選自鈀、銅、銀、金、鉑、銥、鋁、鈷及鎳離子。
在一些較佳的實施例中，該金屬離子為銅離子。
在一些實施例中，該組合物的pH值大於9。
本發明的另一方面涉及一種在基材上沉積化學鍍活化劑的方法，包括：(a)將所述組合物施加到基材上；(b)將還原劑施加到基材上。
在一些較佳的實施例中，該還原劑為二甲基胺硼烷(Dimethylamine Borane, DMAB)或NaBH
4。
本發明的又一方面涉及一種在基材上形成化學鍍銅膜的方法，包括：(a)在基材上沉積所述的化學鍍活化劑；(b)在基材上化學鍍銅。
在一些實施例中，化學鍍步驟使用的鍍浴包含：酒石酸鹽(tartrate)、銅離子、甲醛(Formaldehyde)及2,2-聯吡啶(2,2-bipyridine)。
除非另有說明，本文中使用的所有技術及科學術語與本領域技術人員通常理解的含義相同。如果含義發生衝突，以本說明書為準。
術語「電鍍」及「沉積」在本說明書中可互換使用。除非另有說明，所有含量都是重量百分比。所有數值範圍都包含在內並且可以以任何順序組合，除非這些數值範圍被限制為加起來為100%方合乎邏輯。
以下將利用具體實施例對本發明的技術內容、特點及功效進行說明，並據此加以實施，但不用於限制本發明範圍。
通常，當待鍍金屬的基材是印刷電路板的表面或通孔壁上的介電材料時，會先對基材進行除脂(degreasing)，然後再對通孔壁進行去膠渣(desmearing)。優選為，該待鍍基材為具有介電材料及多個通孔的金屬包覆的基材。首先對基材進行清潔及除脂，然後對通孔壁進行去膠渣。典型的通孔去膠渣或電介質的準備及軟化或去膠渣是利用蓬鬆劑(sweller solvent)。
去膠渣後可進行整孔(conditioning)，本公開中整孔劑的實例包含單乙醇胺(monoethanolamine)、一種或多種季胺(quaternary amine)、一種或多種非離子界面活性劑、一種或多種整孔聚合物及pH調節劑。在一些實施例中，此類調理劑包含5-20 g/L的單乙醇胺、0.1-15 g/L的三乙醇胺(triethanolamine)、0.1-10 g/L的triton X-100 (Dow Inc.)、1-5 g/L的basotronic PVI (BASF)及用於調節pH值的氫氧化鈉。接著，可用水沖洗基材及通孔。
整孔之後可以進行微蝕刻(microetching)。微蝕刻目的在於使銅表面（例如內層銅及面銅表面）上形成微觀的粗糙度，以增強後續化學鍍及電鍍層的附著力。微蝕刻清潔液包含50-150 g/L的過硫酸鈉及10-30 ml/L的硫酸(98%)。微蝕刻後的基材用水沖洗以進行以下流程。
微蝕刻後的基材及通孔可進行預浸(pre-dip)，有助於穩定活化槽液的pH 值並清潔金屬表面。使用預浸的優點，它有助於改善互連缺陷及增加可靠性，常規的預浸水溶液為pH範圍3-5的無機或有機酸。
然而，在本發明的一些實施例中，活化是在鹼性條件下進行的，因此預浸液的pH值也可以大於7。預浸液可以是氫氧化鈉、硫酸、硼酸或其組合以調節至所需的 pH 值。在本發明的一些實施例中，可以接著在鹼性條件下用包含螯合劑及金屬鹽的組合物進行活化。
活化劑組合物包含金屬離子、具有一個或多個羧基及一個或多個羥基的有機酸，形成穩定的錯合物水溶液，可用於催化化學鍍金屬的沉積。本發明的活化劑組合物優選是鹼性的，保持基本鹼性的pH值促進了組合物成分的錯合物形成，這也增強了組合物的性能。
具有羧基及羥基的有機酸作為螯合劑對於金屬離子，尤其是銅離子提供了足夠的螯合能力。此類螯合劑與金屬離子的擬議螯合模型如第1圖（1個-COOH，1個-OH）及第2圖（2個-COOH，1個-OH）所示，其中 R 代表連接基。本發明中的酒石酸則舉例說明了具有2個羧基及2個羥基的酸之結合模式（如第3圖所示）。
金屬離子可由常規的金屬鹽提供，通常活化劑溶液中會含有此類金屬鹽以提供20 ppm至5000 ppm，優選為200 ppm至1500 ppm的金屬離子。金屬離子包括但不限於：銀、金、鉑、鈀、銅、鈷及鎳離子。優選地，金屬離子選自銅和鈀離子。金屬離子的來源可以使用本領域所已知的且可在文獻中找到的常規水溶性金屬鹽來提供。
如果該活化劑是離子型活化劑，其中金屬離子還沒有被還原成金屬態，接著將還原劑施加到基材上將活化劑的金屬離子還原成金屬。施加還原溶液的方式可以是將基材浸入還原溶液中或將還原溶液噴灑在基材上。優選的還原溶液為含有1-25 g/L二甲胺硼烷(Dimethylamine Borane, DMAB)。而在本發明的一些實施例中，也使用包含NaBH
4的還原溶液。接著，活化的基材及通孔可選擇是否用水沖洗。需要注意的是，在本公開的一些實施例中，在此步驟並不需沖洗。
接著用化學鍍浴在基材及通孔壁鍍上金屬，例如銅、銅合金、鎳或鎳合金。優選金屬是使用銅鍍在通孔孔壁上。電鍍時間和溫度可以是常規的，也可以選擇將基材浸入化學鍍浴中或將化學鍍浴噴塗到基材上。通常電鍍可進行5秒至30分鐘，然而電鍍時間可能因基材上金屬的厚度而異。
用於催化化學鍍的活化劑系統之性能可由檢查通孔壁的鍍膜覆蓋率來評估。將每個基材通孔橫向切割以暴露通孔的鍍銅壁，鍍膜覆蓋率由顯微鏡下方照光觀察到的光通過孔壁的狀況決定。如果沒有觀察到透光，該部分是完全黑色的，則在背光測試上評為 5 級，表示通孔壁的銅覆蓋完全。如果光線穿過整個孔壁而沒有任何暗區，這代表壁上幾乎沒有金屬鍍層，該部分的評級為 0。如果孔壁有一些暗區及亮區，它們的評分在0到5之間。
當使用本發明的活化劑水溶液在非導電基材上進行化學鍍時，可以使用以下方法。以下以化學鍍銅為例，所有實施例並非旨在限制本發明的範圍，而是為了進一步說明本發明。
除膠渣/去蝕刻流程
*由超特國際股份有限公司供應
| A | 除膠渣/去蝕刻流程包含： | ||||
| 槽液組成 | 時間 | 溫度 | |||
| A1 | 膨鬆劑 | 5 分 | 60°C | ||
| Sweller PC* NaOH | 350 ml/L 3 g/L | ||||
| A2 | 沖洗 | 1 分 | 20°C | ||
| A3 | 過錳酸鹽蝕刻液 | 10 分 | 75°C | ||
| KMnO 4NaOH | 60 g/L 45 g/L | ||||
| A4 | 沖洗 | 1 分 | 20°C | ||
| A5 | 還原溶液 | 5 分 | 40°C | ||
| Neutralizer PFH* H 2SO 4(98%) | 100 ml/L 40 ml/L | ||||
| A6 | 沖洗 | 1 分 | 20°C | ||
基材經鹼性膨脹劑溶液洗滌而除脂，水洗後，以鹼性過錳酸鹽溶液進行膠渣微蝕，然後再用水沖洗，最後浸入含有中和劑及酸的還原溶液中。
去膠渣/去蝕刻之後的流程進一步描述如下：
實施例1
*由超特國際股份有限公司供應
#由巴斯夫供應
| 槽液組成 | 時間 | 溫度 | ||||||
| 1. | 整孔劑 | 10 分 | 60°C | |||||
| 單乙醇胺 三乙醇胺 Triton X-100 Basotronic PVI# | 10 g/L 5 g/L 1 g/L 1 g/L | |||||||
| 2. | 沖洗 | 1 分 | 20°C | |||||
| 3. | 蝕刻清潔劑 | 1 分 | 25°C | |||||
| 過硫酸鈉 H 2SO 4(98%) | 100 g/L 20 ml/L | |||||||
| 4. | 沖洗 | 1 分 | 20°C | |||||
| 5. | 預浸 | 5 分 | 25°C | |||||
| NaOH溶液 | pH=9.0 | |||||||
| 6. | 活化劑 | 10 分 | 40°C | |||||
| 酒石酸 鈀離子 | 1.44 g/L 0.2 g/L pH=12.1 | |||||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||||
| 7. | 沖洗 | 1 分 | 20°C | |||||
| 8. | 還原劑 | 2 分 | 40°C | |||||
| DMAB | 6 g/L pH=9.5 | |||||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||||
| 9. | 沖洗 | 1 分 | 20°C | |||||
| 10. | 化學鍍 | 8 分 | 33°C | |||||
| Electroless Cu MC* | ||||||||
| 11. | 沖洗 | 1 分 | 20°C | |||||
在這個例子中，微蝕刻後的基材浸入含有NaOH的預浸溶液中，用於後續的鹼性活化。活化組合物包括1.44 g/L的酒石酸(tartaric acid)及0.2 g/L的鈀離子，將pH調至12.1。在40℃下活化10分鐘，然後用水沖洗活化後的基材。
還原溶液包含6 g/L DMAB，並使用1.0 N NaOH將pH值調節至 9.5。在40℃還原2分鐘，然後用水沖洗活化的基材。
將基材浸入33℃的Electroless Cu MC (超特國際股份有限公司)鍍浴中 8 分鐘。背光測試結果如第4A圖所示。
比較例1
| 槽液組成 | 時間 | 溫度 | ||||
| 1-4. | 如實施例1 | |||||
| 5. | 預浸 | 5 分 | 25°C | |||
| H 2SO 4溶液 | pH=2.3 | |||||
| 6. | 活化劑 | 10分 | 40°C | |||
| 酒石酸 鈀離子 | 1.44 g/L 0.2 g/L pH=1.3 | |||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||
| 7-11. | 如實施例1 | |||||
在這個比較例中，除以下條件外，其餘過程與實施例1相同。預浸溶液含1.0 N H
2SO
4，pH=2.3。活化組合物包括1.44 g/L的酒石酸及0.2 g/L的鈀離子，將pH調至1.3。背光測試結果第4B圖所示。
根據實施例1及其比較例，證明含有酒石酸的活化劑組合物適用於pH 12.1及1.3之間。然而，背光測試顯示，該活化劑體系在鹼性條件下比在酸性條件下表現更好，得分分別為4.75及4.25。羧酸的去質子化可促進螯合，從而穩定金屬離子，使這些酸在活化過程中充當媒介。
實施例2
| 槽液組成 | 時間 | 溫度 | ||||||
| 1-4. | 如實施例1 | |||||||
| 5. | 預浸 | 5分 | 25°C | |||||
| H 3BO 3溶液 | 5.0 g/L pH=9.0 | |||||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||||
| 6. | 活化劑 | 10分 | 40°C | |||||
| 蘋果酸 鈀離子 | 12.0 g/L 0.2 g/L pH=12.6 | |||||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||||
| 7-11. | 如實施例1 | |||||||
在這個例子中，測試了螯合劑蘋果酸(malic acid)在活化中的性能。將微蝕刻後的基材浸入含有5.0 g/L硼酸、pH = 9.0的預浸溶液中，在25 ℃下浸泡5分鐘。活化組合物包括12.0 g/L的蘋果酸及0.2 g/L的鈀離子，將pH調至12.6。在40℃下活化10分鐘，然後用水沖洗活化後的基材。
還原溶液含有6 g/L DMAB，並使用1.0 N NaOH將pH值調節至 9.5。在40℃還原2分鐘，然後用水沖洗活化的基材。將基材浸入33℃的Electroless Cu MC (超特國際股份有限公司)鍍浴中8分鐘。背光測試結果如第5A圖所示。
比較例2
| 槽液組成 | 時間 | 溫度 | ||||||
| 1-4. | 如實施例1 | |||||||
| 5. | 預浸 | 5分 | 25°C | |||||
| H 3BO 3溶液 | 5.0 g/L pH=2.3 | |||||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||||
| 6. | 活化劑 | 10分 | 40°C | |||||
| 蘋果酸 鈀離子 | 12.0 g/L 0.2 g/L pH=1.3 | |||||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||||
| 7-11. | 如實施例1 | |||||||
在這個比較例中，除以下條件外，其餘過程與實施例2相同。預浸溶液含硼酸5.0 g/L，pH=2.3。活化組合物含有12 g/L的蘋果酸及0.2 g/L的鈀離子，將pH調至1.3。背光測試結果第5B圖所示。
蘋果酸是具有至少1個羧基及至少1個羥基的有機酸之另一實例，也可以在12.6及1.3之間的pH下應用於活化過程。鹼性及酸性條件下的背光測試得分分別為4.75及3.25。
實施例3
| 槽液組成 | 時間 | 溫度 | ||||
| 1-5. | 如實施例1 | |||||
| 6. | 活化劑 | 10分 | 40°C | |||
| 酒石酸 銅離子 | 5.0 g/L 1.5 g/L pH=12.0 | |||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||
| 7. | 沖洗 | 1分 | 20°C | |||
| 8. | 還原劑 | 2分 | 40°C | |||
| DMAB | 12 g/L pH=9.5 | |||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||
| 9. | 化學鍍 | 15分 | 33°C | |||
| 酒石酸鈉鉀 銅離子 鎳離子 NaOH 甲醛 2,2’-聯吡啶 | 30 g/L 2.5 g/L 0.5 g/L 10 g/L 4 g/L 60 mg/L | |||||
| 10. | 沖洗 | 1分 | 20°C | |||
在這個例子中，在活化劑系統中使用銅離子代替昂貴的鈀離子。將微蝕刻後的基材浸入含有NaOH，pH = 9.0的預浸溶液中，在25℃下浸泡5分鐘。活化組合物含有5.0 g/L酒石酸及1.5 g/L銅離子，將pH調至12.0。在40℃下活化10分鐘，然後用水沖洗活化後的基材。
還原同樣是採用DMAB，可選擇是否用水沖洗還原後的基材及通孔。然而在一些實施例中，可在還原之後立即進行化學鍍而不進行沖洗以避免剛沉積的銅鈍化。化學鍍浴含有30 g/L酒石酸鉀鈉、2.5 g/L硫酸銅、0.5 g/L硫酸鎳、10 g/L NaOH、4 g/L 甲醛及60 mg/L 的 2,2'-聯吡啶。將基材浸入化學鍍浴，在33℃下反應15分鐘。背光測試結果如第6A圖所示。
比較例3
| 槽液組成 | 時間 | 溫度 | ||||
| 1-5. | 如實施例1 | |||||
| 6. | 活化劑 | 10分 | 40°C | |||
| 酒石酸 銅離子 | 5.0 g/L 1.5 g/L pH=12.0 | |||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||
| 7. | 沖洗 | 1分 | 20°C | |||
| 8. | 還原劑 | 2分 | 40°C | |||
| DMAB H 3BO 3溶液 | 12 g/L 20 g/L pH=3.0 | |||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||
| 9. | 化學鍍 | 12分 | 33°C | |||
| 酒石酸鈉鉀 銅離子 鎳離子 NaOH 甲醛 2,2’-聯吡啶 | 30 g/L 2.5 g/L 0.5 g/L 10 g/L 4 g/L 60 mg/L | |||||
| 10. | 沖洗 | 1分 | 20°C | |||
在這個比較例中，除以下條件外，其餘過程與實施例3相同。還原溶液含有12 g/L的DMAB、20 g/L的硼酸，使用1.0 N硫酸將pH調節至3.0。背光測試結果第6B圖所示。
在實施例3及其比較例中，證明銅離子與該活化劑體系相容，且隨後的還原步驟也是影響活化性能的因素之一，使用鹼性或酸性條件還原組合物的背光分數分別為4.75及3。
實施例4
| 槽液組成 | 時間 | 溫度 | ||||
| 1-5. | 如實施例1 | |||||
| 6. | 活化劑 | 5分 | 40°C | |||
| DL-甘油酸 銅離子 | 5.0 g/L 0.5 g/L pH=12.0 | |||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||
| 7. | 沖洗 | 1分 | 20°C | |||
| 8. | 還原劑 | 2分 | 40°C | |||
| NaBH 4 | 2 g/L pH=12.6 | |||||
| (以NaOH溶液調整) | ||||||
| 9. | 化學鍍 | 15分 | 33°C | |||
| 酒石酸鈉鉀 銅離子 鎳離子 NaOH 甲醛 2,2’-聯吡啶 | 30 g/L 2.5 g/L 0.5 g/L 10 g/L 4 g/L 60 mg/L | |||||
| 10. | 沖洗 | 1分 | 20°C | |||
上表顯示了在活化劑系統中使用銅離子代替鈀離子的另一個例子。活化組合物含有5.0 g/L甘油酸及0.5 g/L銅離子，將pH調至12.0。在40℃下活化10分鐘。還原在含有2 g/L NaBH
4pH 12.6的溶液中進行，於40℃下反應2分鐘。
化學鍍浴含有30 g/L酒石酸鉀鈉、2.5 g/L硫酸銅、0.5 g/L硫酸鎳、10 g/L NaOH、4 g/L 甲醛及60 mg/L 的 2,2'-聯吡啶。將基材浸入化學鍍浴，在33℃下反應15分鐘。背光測試分數為5（如第7圖所示），顯示甘油酸及NaBH
4可分別用於活化及後續還原步驟。
以上所述僅為本發明的一些較佳實施例而已，並不用於限制本發明的範圍。任何對於專利申請範圍內提及的立體化學、濃度、溫度、pH、反應時間及精神的改變及調整均應包括在本工作的專利申請範圍內。
無
第1圖 描繪了具有一個-COOH及一個-OH的螯合劑與金屬離子的擬議螯合模型，其中R代表連接基。
第2圖 描繪了具有二個-COOH及一個-OH的螯合劑與金屬離子的擬議螯合模型，其中R代表連接基。
第3圖 顯示了酒石酸與金屬離子的擬議結合模式。
第4圖 顯示了 (A)實施例1 及 (B)比較例1 以背光測試的通孔鍍膜覆蓋率。
第5圖 顯示了 (A)實施例2 及 (B)比較例2 以背光測試的通孔鍍膜覆蓋率。
第6圖 顯示了 (A)實施例3 及 (B)比較例3 以背光測試的通孔鍍膜覆蓋率。
第7圖 顯示了實施例4以背光測試的通孔鍍膜覆蓋率。
無
Claims (14)
- 一種用於在基材上沉積化學鍍活化劑的組合物，包含至少一金屬離子及至少一有機酸；其中該有機酸具有至少一個羧酸基(carboxylic group)及至少一個羥基(hydroxyl group)。
- 如請求項1所述之組合物，其中該有機酸為二羧酸封端(dicarboxyl acid terminated)並具有下式(I)：(I) ，其中R 1係選自直鏈型(linear)或分支型(branched)、經取代或未經取代的C 1-6醇。
- 如請求項2所述之組合物，其中該有機酸係選自酒石酸(tartaric acid)、檸檬酸(citric acid)、蘋果酸(malic acid)及2,2-雙(羥甲基)丙二酸(2,2-Bis(hydroxymethyl)malonic acid)。
- 如請求項3所述之組合物，其中該有機酸為酒石酸(tartaric acid)或蘋果酸(malic acid)。
- 如請求項1所述之組合物，其中該有機酸具有下式(II)：(II) ，其中R 2係選自直鏈型或分支型、經取代或未經取代的C 1-6醇。
- 如請求項5所述之組合物，其中該有機酸係選自甘油酸(glyceric acid)、乙醇酸(glycolic acid)及乳酸(lactic acid)。
- 如請求項6所述之組合物，其中該有機酸為甘油酸(glyceric acid)。
- 如請求項1所述之組合物，其中該金屬離子係選自鈀、銅、銀、金、鉑、銥、鋁、鈷及鎳離子。
- 如請求項8所述之組合物，其中該金屬離子為銅離子。
- 如請求項1所述之組合物，其pH值大於9。
- 一種在基材上沉積化學鍍活化劑之方法，包含： (a) 將如請求項1所述之組合物施加到一基材上； (b) 將一還原劑施加到該基材上。
- 如請求項11所述之方法，其中該還原劑包含二甲基胺硼烷(Dimethylamine Borane, DMAB)或NaBH 4。
- 一種在基材上形成化學鍍銅膜之方法，包含： (a) 如請求項11所述之方法在一基材上沉積化學鍍活化劑； (b) 在該基材上以一鍍浴進行化學鍍銅。
- 如請求項13所述之方法，其中該鍍浴包含：酒石酸鹽(tartrate)、銅離子、甲醛(formaldehyde)及2,2'-聯吡啶(2,2-bipyridine)。
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| TW110106547A TWI780602B (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 用於化學電鍍處理非導電區域的活化溶液及方法 |
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| TW110106547A TWI780602B (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 用於化學電鍍處理非導電區域的活化溶液及方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202233561A true TW202233561A (zh) | 2022-09-01 |
| TWI780602B TWI780602B (zh) | 2022-10-11 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| TW110106547A TWI780602B (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 用於化學電鍍處理非導電區域的活化溶液及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI780602B (zh) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10060034B2 (en) * | 2017-01-23 | 2018-08-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroless copper plating compositions |
-
2021
- 2021-02-24 TW TW110106547A patent/TWI780602B/zh active
Also Published As
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|---|---|
| TWI780602B (zh) | 2022-10-11 |
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