TW202230041A - 微影裝置組件及方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，該倍縮光罩載物台包含：至少一個光學元件，其具有待清潔之一區域；一輻射光束目標；以及一控制系統，其經組態以將一輻射光束導向該輻射光束目標，其中該輻射光束與一氣體之相互作用產生一光學元件清潔電漿，其中該輻射光束目標經定位以將該光學元件清潔電漿提供至該至少一個光學元件以清潔該光學元件，且其中該至少一個光學元件為不同於該輻射光束目標之一元件，較佳地其中熱敏性元件為一基準件。亦描述一種用於一微影裝置之包含至少一個彎曲邊緣之一基準件、一種包含該倍縮光罩載物台或基準件之微影裝置以及一種清潔一倍縮光罩載物台之一光學元件之方法。

Description

微影裝置組件及方法

本發明係關於一種用於微影裝置之倍縮光罩載物台、一種用於微影裝置之基準件、一種包含此倍縮光罩載物台及/或基準件之微影裝置、一種清潔微影裝置之倍縮光罩載物台之至少一個光學元件的方法以及一種倍縮光罩載物台、基準件或此方法在微影裝置或方法中之用途，以及一種電腦程式及經組態以執行本文所描述之方法之步驟的電腦可讀媒體。

微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案自圖案化器件(例如，遮罩)投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵的最小大小。相較於習知微影裝置(其可例如使用具有193 nm之波長之電磁輻射)，使用為具有在4 nm至20 nm範圍內之波長之電磁輻射的EUV輻射之微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。

在操作中，諸如碳之污染物可沈積於微影裝置內之表面上。此等表面中之某些位於裝置之光學元件上，該等光學元件為在操作中與輻射光束相互作用之元件。此類光學元件之效能歸因於諸如碳之污染物在其表面上之堆積而降低。因此，需要清潔微影裝置內之任何受污染表面，尤其係與輻射光束相互作用之任何表面。

本發明已設計為提供用於清潔微影裝置之一或多個光學元件之改良或替代性系統，該一或多個光學元件為熱敏性元件。

根據本發明之一第一態樣，提供一種用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，該倍縮光罩載物台包含：至少一個光學元件，其具有待清潔之一區域；一輻射光束目標；以及一控制系統，其經組態以將一輻射光束導向該輻射光束目標，其中該輻射光束與一氣體之相互作用產生一光學元件清潔電漿，其中該輻射光束目標經定位以將該光學元件清潔電漿提供至該至少一個光學元件以清潔該光學元件，且其中該至少一個光學元件為不同於該輻射光束目標之一元件。該倍縮光罩載物台經組態以接收一物件。在一個實施例中，該物件為一倍縮光罩。

先前，在藉由EUV誘發之電漿之微影裝置中之基準件碳清潔引起作為光學元件之基準件上之極高溫，且此情形快速引起基準件之損壞，從而導致基準件之反射率降級。此情形導致需要替換基準件，此花費長時間且致使延長裝置之停機時間，此情形明確地非所要。基準件亦可視為光學元件。光學元件可用於反射輻射光束及/或用於在操作中與輻射光束相互作用及/或用於自所反射之該輻射光束獲得資訊。將基準件用於微影裝置之倍縮光罩載物台中，且若藉由直接EUV輻射來清潔該等基準件，則基準物易於降級且其可不再有可能充分地起作用。因此，需要改變整個倍縮光罩載物台，此情形導致裝置之長停機時間。本發明設法解決此問題。基準件及其他熱敏性元件亦用於微影裝置中之別處，且可在其受損之情況下相似地需要替換或修復。

已發現，有可能藉由將諸如EUV輻射光束之輻射光束導向至為不同於光學元件自身之元件的輻射光束目標上來間接地清潔微影裝置之諸如光學元件之熱敏性元件。輻射光束在微影裝置內與通常為氫氣之氣體相互作用以產生電漿。電漿產生於其能夠到達待清潔之光學元件且自其移除污染物所在的位置中。先前尚未意識到，可以此方式清潔微影裝置之光學元件。通常，污染物包含碳，但在其他情況下，可為諸如錫之其他材料，且電漿能夠自熱敏性元件移除污染物。本發明之優勢為：藉由擊中除正被清潔之熱敏性光學元件之外的輻射光束目標而產生電漿為有可能在無輻射光束擊中熱敏性光學元件自身的情況下進行此操作，藉此減少熱敏性光學元件上之高熱負荷。對熱敏性光學元件之熱影響存在顯著改良，此係由於諸如來自EUV輻射光束之直接輻射能量並非由熱敏性光學元件吸收。本發明之另一優勢為輻射光束並不直接照射熱敏性光學元件，且因此，藉由碳污染物與氫電漿之間的相互作用產生之任何烴不即刻再次分解回碳中。在進行直接照射之系統中，清潔過程可藉由此機制部分逆轉。本發明允許對經受污染之任何熱敏性光學元件進行清潔。熱敏性元件較佳為基準件標記。熱敏性元件可實體地連接至倍縮光罩台、附接至倍縮光罩載物台及/或包括於倍縮光罩載物台中。因此，本發明有利地增加該倍縮光罩載物台之壽命。儘管先前可藉由清潔電漿之產生而清潔非光學元件，但此等元件不如光學元件敏感，且因此存在不瞭解如本文中所描述而產生的電漿將能夠清潔光學元件且不造成損壞。

輻射光束目標可為用於限制熱敏性元件之待照射區域的照射光閘、倍縮光罩夾具、光束捕集器或經組態以自輻射光束吸收能量且產生電漿之吸收體元件。照射光閘亦可稱為倍縮光罩遮蔽光閘，或ReMa葉片或單元，或簡稱ReMa。因此，照射光閘可用於限制基板之待照射區域及/或限制光學元件之待照射區域。光束目標之關鍵特徵在於：其能夠耐受直接暴露至例如EUV輻射光束之輻射光束，且自周圍氣體產生電漿。由於光束目標並非正經清潔之熱敏性元件，因此有可能自更能夠耐受直接暴露至輻射光束之材料製造輻射光束目標，此未必為用於熱敏性元件之情況。

該控制系統可經組態以相對於具有待清潔之一區域之光學元件來移動輻射光束目標。替代或另外地，控制系統可經組態以將具有待清潔之區域之光學元件移動至其能夠與光學清潔電漿相互作用之位置。為了提供最佳清潔效能，需要產生接近待清潔之區域之電漿，此係由於電漿將隨時間推移重組，使得若光學元件過於遠離正產生電漿之處，則將不會發生清潔。因而，考慮多個模式。可存在以下靜態模式：其中至少一個光學元件及輻射光束目標為靜態的且輻射光束經導向至輻射光束目標上以便產生電漿以清潔至少一個光學元件。另一模式可為在輻射光束目標上方掃描輻射光束，且視情況部分地暴露具有除光學元件之任何吸收體區域以外的待清潔區域之光學元件之一部分。舉例而言，熱敏性光學元件可為用於微影裝置中以量測諸如位置或對準之至少一個參數之基準標記。掃描模式可提供對正經清潔之熱敏性元件的更均一清潔。

裝置可包含經組態以供應氣體之氣體供應源。該氣體可為氫氣。氣體供應源可經組態以維持在約1 Pa至約20 Pa之範圍內的氣體壓力。為了產生電漿，必須存在微影裝置內之氣體。通常，微影裝置之內部為低壓氫氣環境。氣體供應源經組態以供應此氣體。為了增加清潔光學元件之速率，較佳地為氫氣之氣體之壓力可貫穿系統或局部地增加。

輻射光束目標可連接至至少一個光學元件。輻射光束目標可位於至少一個光學元件之約25 mm內。由於電漿係由輻射光束、輻射光束目標與周圍氣體之相互作用產生，故需要使輻射光束目標接近於至少一個光學元件以便產生接近於光學元件之待清潔之區域的電漿。

輻射光束目標可包含調節系統。由於輻射光束目標係由輻射光束直接照射，因此其將變熱，且因此，可提供調節系統以便管理此熱負載。

輻射光束目標可為光束捕集器，其視情況包含鉻。如同本文中所描述之任何輻射光束目標，光束捕集器可包括調節系統。光束捕集器可位於倍縮光罩載物台上。

輻射光束目標可位於光學元件旁側。以此方式，最小化電漿產生區域與待清潔區域之間的距離，從而引起較低電漿損耗及較高清潔速率。

至少一個光學元件可包含具有標記區域之基準標記。標記區域之形狀可包含矩形，其中該等側面中之至少一者包含另一半球形區域或半橢圓區域。替代或另外地，標記區域包含至少一個彎曲邊緣。現有基準件具有矩形形狀，且因此較大比例之輻射光束照射基準件之吸收體部分，從而引起基準件上之極高溫，諸如超過300℃，此引起快速的反射率降級及隨之而來的修復或替換基準件的需要，此導致微影裝置之相當大的停機時間。已發現，彎曲基準件能夠反射較多入射輻射，且因此減小基準件之熱吸收。特定言之，彎曲基準件可將溫度自350˚降低至月145℃，且此將基準件可靜態地暴露於輻射光束之時間自小於10秒增加至約100秒。基準件之反射區域可增加，且其可延伸至基準件之邊緣以進一步最小化吸附輻射之區域。此提供基準件之降低的熱負載及降低的溫度增益，同時亦允許在生產期間之現有倍縮光罩載物台掃描移動保持不變。

至少一個照射光閘包含兩個葉片，且控制系統經組態以藉由兩個葉片對至少一個光學元件進行開窗。兩個葉片可稱為倍縮光罩遮蔽葉片，亦稱為ReMa葉片。

葉片可平行於彼此定位。至少一個光學元件可位於葉片之間。至少一個光學元件可位於不同於葉片之平面之平面中。在實施例中光學元件及輻射光束目標處於同一平面或平行平面中。

倍縮光罩載物台可包含調節電路及間隔件。間隔件可連接至至少一個光學元件。調節電路可經組態以調節至少一個光學元件及間隔件。調節電路可命名為熱調節電路。

該氣體可為氫氣。氫氣通常用於微影裝置內，且氫氣電漿能夠移除裝置內之碳沈積物。

輻射光束可為EUV光束。

倍縮光罩載物台可為微影機器之系統或子系統。在微影裝置中，倍縮光罩載物台支撐用於微影裝置中之倍縮光罩以將圖案提供至入射輻射光束。

至少一個光學元件可為基準標記。可提供基準件或基準標記以輔助對準量測以便判定裝置之元件之正確對準。出於量測之目的，基準件可圖案化輻射光束之一部分。舉例而言，基準件可包含反射繞射光柵，該反射繞射光柵在經照射時可形成複數個繞射階。在任何情況下，基準件與輻射相互作用以便提供有用資訊。若基準件變得例如受碳污染，則其在反射輻射下將較不那麼有效，且此情形不理想。

根據本發明之一第二態樣，提供一種用於一微影裝置之一基準件，其中該基準件包含至少一個彎曲邊緣。如上文所描述，已意外地發現彎曲邊緣會導致反射率增加，藉此降低在暴露於輻射光束之後基準件升高至之溫度。現有基準件之形狀為矩形且不包含至少一個彎曲邊緣。

基準件可包含兩個相對線性邊緣。儘管已發現，基準件包括至少一個彎曲邊緣係有利的，但並非所有邊緣需要彎曲以顯示有利效應。因此，基準件可包含兩個相對線性邊緣。相對線性邊緣可為平行的或可發散。基準件可包含與一個實質上線性邊緣相對之一個彎曲邊緣。因此，在實施例中，基準件包含三個線性邊緣及一個彎曲邊緣。根據第二態樣之基準件可為根據本發明之第一態樣的光學元件。

根據本發明之第三態樣，提供一種微影裝置，其包含根據本發明之第一或第二態樣之倍縮光罩載物台或基準件。

根據本發明之一第四態樣，提供一種用於清潔一微影裝置之一倍縮光罩載物台之至少一個光學元件的方法，該方法包含提供本發明之任何態樣之倍縮光罩載物台，以及將一輻射光束導向至該輻射光束目標以用於產生一光學元件清潔電漿。

根據本發明之一第五態樣，提供一種根據本發明之任何態樣之一倍縮光罩載物台、一基準件或一方法在一微影裝置或方法中之用途。

根據本發明之一第六態樣，提供一種包含指令之電腦程式產品，該等指令用以致使本發明之任何態樣之裝置執行根據本發明之第四態樣的方法之步驟。亦提供一種其上儲存有根據本發明之第六態樣之電腦程式的電腦可讀媒體。

應瞭解，相對於一個態樣或實施例所描述之特徵可與相對於另一態樣或實施例所描述之任何特徵組合，且本文中明確地考慮及揭示所有此類組合。

圖1展示微影裝置。微影系統包含輻射源SO及微影裝置LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(extreme ultraviolet；EUV)輻射光束B。微影裝置LA包含照射系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS以及經組態以支撐基板W之基板台WT。照射系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B (現在由遮罩MA圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影裝置將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。

輻射源SO、照射系統IL及投影系統PS可皆經建構且經配置成使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照射系統IL及/或投影系統PS中。在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)可提供於照射系統IL及/或投影系統PS中。

圖1中所展示之輻射源SO係屬於可稱為雷射產生電漿(laser produced plasma；LPP)源之類型。可例如為CO ₂雷射之雷射經配置以經由雷射光束將能量沈積至自例如燃料發射器提供之諸如錫(Sn)的燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合之燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區之軌跡而導向例如呈小滴之形式的錫。雷射光束在電漿形成區處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區處產生電漿。在電漿之離子之去激發及再結合期間自電漿發射包括EUV輻射之輻射。

EUV輻射係由近正入射輻射收集器(有時更一般地稱為正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器可具有經配置以反射EUV輻射(例如具有諸如13.5 nm之所要波長的EUV輻射)之多層結構。收集器可具有橢圓形組態，其具有兩個橢圓焦點。第一焦點可在電漿形成區處，且第二焦點可在中間焦點處，如下文所論述。

雷射可與輻射源SO分離。在此情況下，雷射光束可藉助於包含例如適合導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學器件之光束遞送系統(未展示)而自雷射傳遞至輻射源SO。雷射及輻射源SO可一起認為係輻射系統。

由收集器反射之輻射形成輻射光束B。輻射束B聚焦於一點處以形成電漿形成區之影像，該影像充當用於照射系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦之點可稱為中間焦點。輻射源SO經配置成使得中間焦點位於輻射源之圍封結構中的開口處或附近。

輻射光束B自輻射源SO傳送至照射系統IL中，該照射系統IL經組態以調節輻射光束。照射系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起為輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要角度分佈。輻射光束B自照射系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA反射且圖案化輻射光束B。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照射系統IL亦可包括其他鏡面或器件。

在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面13、14，該複數個鏡面13、14經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上，該基板台WT亦可稱為基板載物台。投影系統PS可將減縮因數應用於輻射光束，從而形成具有小於圖案化器件MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用為4之減縮因數。儘管在圖1中投影系統PS具有兩個鏡面13、14，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如六個鏡面)。

圖1所展示之輻射源SO可包括未說明之組件。舉例而言，輻射源中可設置光譜濾器。光譜濾器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線輻射。

圖2為本發明之一實施例之示意性描繪。在此例示性實施例中，倍縮光罩載物台包含用於圖案化器件MA之支撐結構MT。因而，應瞭解，倍縮光罩載物台可為微影機器之系統或子系統。倍縮光罩載物台通常由數字15展示。倍縮光罩載物台15包含一或多個光學元件16。所描繪實例包括兩個光學元件16，但在一些實施例中，可存在僅一個或多於兩個光學元件16。在所描繪實例中，光學元件16為基準件。基準件用與校準微影裝置且亦提供與用於輻射光束之定位相關的資訊。光學元件16經污染物17污染，該污染物17可為碳。在所描繪實例中，輻射光束目標18為用於限制待照射之基板之區域的照射光閘。在其他實施例中，輻射光束目標可提供為鄰近於光學元件16，且可為光束捕集器或倍縮光罩夾具。在使用中，將輻射光束19導向至輻射光束目標18。輻射光束19、輻射光束目標18與周圍氣體之相互作用產生電漿20，該周圍氣體較佳地為氫氣。電漿20能夠與污染物17反應，且由此清潔光學元件16。由於光學元件16並非輻射光束目標18，因此保護光學元件16免於直接暴露於輻射光束19，且因此不大可能藉由過熱而受損。

圖3與圖2相似，除了圖3亦描繪氣體供應源21以外。氣體供應源21將通常為氫氣之氣體供應至倍縮光罩周圍之區域，此產生一般稱為倍縮光罩微型環境之物。如所描述，本發明利用電漿之產生來清潔倍縮光罩載物台之熱敏性元件，諸如倍縮光罩載物台上之基準件。氣體供應源21經組態以產生用以減少倍縮光罩之表面之污染物的氣幕。

圖4描繪光束捕集器22位於光學元件16旁側之實施例。因此，當輻射光束照射光束捕集器22時，在光學元件16旁側產生電漿且電漿能夠清潔掉污染物17。光束捕集器22可與光學元件16分離或相連或連接至光學元件16。可存在經組態以調節光束捕集器22及/或光學元件16之調節系統23。應瞭解，可在輻射光束目標為除光束捕集器22以外之元件的實施例中提供調節系統。本發明不受所選定調節系統之確切性質特定限制。在實施例中，調節系統23可包括水冷卻電路。

圖5描繪本發明之一實施例，其中熱敏性光學元件與輻射光束目標相對於彼此移動以便自熱敏性光學元件清潔污染物17。在第一載物台中，輻射光束目標18及輻射光束19經定位以在存在於為光學元件之熱敏性元件16上的污染物17之第一區中產生電漿20。隨著清潔過程進行，光學元件16及輻射光束目標18相對於彼此移動，使得輻射光束目標18及輻射光束19經定位成產生存在於光學元件16上之污染物17之第二區中的電漿20，藉此清潔第二區。清潔過程可進一步進行，且光學元件16及輻射光束目標18相對於彼此移動，使得輻射光束目標18及輻射光束19經定位以在存在於光學元件16上之污染物17之第三區中產生電漿，藉此清潔第三區。應瞭解，此可繼續直至光學元件16已經充分清潔為止。該過程可視需要重複一或多次。可視需要在光學元件與輻射光束目標之間存在連續或步進相對移動。在其它實施例中，光學元件及輻射光束目標相對於彼此保持在靜態位置中，且輻射光束在輻射光束目標上方移動以便在不同位置處產生電漿且藉此清潔光學元件。應瞭解，光學元件及輻射光束目標最初可相對於彼此移動以便將其置於所需位置中以用於輻射光束之後續掃描。

圖6a描繪先前技術基準件，其在形狀上為矩形且具有四個線性邊緣。相比之下，根據本發明之基準件，在圖6b及圖6c中展示之實例包含至少一個彎曲邊緣。特定言之，圖6b之基準件包含兩個相對彎曲邊緣，且圖6c之基準件包含單個彎曲邊緣。基準件具有反射性部分及吸收體部分。因此，對於如圖6a中所展示之習知形狀之基準件，大比例之入射輻射光束擊中吸收體部分導致基準件上之極高溫，例如超過300℃，此導致快速反射率降級且需要修復或替換基準件。藉由提供具有至少一個彎曲邊緣之基準件，諸如圖6b及圖6c中所描繪，基準件之溫度可例如自超過300℃顯著減小至小於150℃。另外，基準件可靜態地暴露於輻射光束之最大時間可自小於10秒增加至超過一分鐘，諸如多達100秒。

可管理基準件之溫度之另一方式係藉由如同較低量之吸收體部分一樣增大基準件之反射性區域的量，吸收來自入射輻射光束之較少能量。

總而言之，本發明提供在不將此等元件直接暴露至輻射光束之情況下清潔微影裝置之光學元件。此防止元件之損壞且縮減微影裝置之停機時間。輻射光束目標可經組態以能夠耐受至輻射光束之直接暴露，且因此不受由輻射光束進行之直接照射影響。通常為氫氣之氣體可轉換成電漿，其接著能夠自光學元件清潔污染物，通常為碳。本發明之另一優勢為減少或消除碳歸因於烴之分解而再沈積於熱敏性元件上的問題。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。

上述描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

10:琢面化場鏡面器件 11:琢面化光瞳鏡面器件 13:鏡面 14:鏡面 15:倍縮光罩載物台 16:光學元件 17:污染物 18:輻射光束目標 19:輻射光束 20:電漿 21:氣體供應源 22:光束捕集器 23:調節系統 B:輻射光束 IL:照射系統 LA:微影裝置 MA:圖案化器件 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台

現在將參考隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分，且在該等圖式中：

圖1描繪根據本發明之實施例之可包括倍縮光罩載物台的微影裝置；

圖2描繪根據本發明之倍縮光罩載物台之一個實施例的示意圖；

圖3描繪根據本發明之倍縮光罩載物台之實施例的示意圖；

圖4描繪包含光束捕集器之根據本發明之倍縮光罩載物台的實施例之示意圖；

圖5描繪其中熱敏性元件及輻射光束目標相對於彼此移動之清潔過程；以及

圖6a描繪先前技術基準件之形狀，且圖6b及圖6c描繪根據本發明之態樣之具有至少一個彎曲邊緣之基準件的形狀。

本發明之特徵及優勢將自結合圖式在下文闡述之詳細描述變得更顯而易見，在圖式中，相同附圖標號始終識別對應元件。在圖式中，相同附圖標號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。以下詳細描述將關於具有待清潔區域之光學元件來描述本發明，但應瞭解，其適用於對其他熱敏性元件進行清潔。

15:倍縮光罩載物台

16:光學元件

17:污染物

18:輻射光束目標

19:輻射光束

20:電漿

MA:圖案化器件

MT:支撐結構

Claims (20)

1. 一種用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，該倍縮光罩載物台包含： 至少一個光學元件，其具有待清潔之一區域； 一輻射光束目標；以及 一控制系統，其經組態以將一輻射光束導向至該輻射光束目標，其中該輻射光束與一氣體之相互作用產生一光學元件清潔電漿，其中該輻射光束目標經定位以將該光學元件清潔電漿提供至該至少一個光學元件以清潔該光學元件，且其中該至少一個光學元件為不同於該輻射光束目標之一元件。
2. 如請求項1之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該輻射光束目標為用於限制一基板之一待照射區域的一照射光閘、一倍縮光罩夾具、一光束捕集器或經組態以自該輻射光束吸收能量且產生一電漿之一吸收體元件。
3. 如請求項2之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該控制系統經組態以相對於具有待清潔之一區域之該光學元件來移動該輻射光束目標，及/或其中該控制系統經組態以將具有待清潔之一區域之該光學元件移動至其能夠與該光學元件清潔電漿相互作用的一位置。
4. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其進一步包含經組態以供應該氣體之一氣體供應源，視情況其中該氣體供應源經組態以維持在1 Pa至20 Pa範圍內之一氣體壓力。
5. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該輻射光束目標連接至該至少一個光學元件或位於該至少一個光學元件之25 mm內。
6. 如請求項2或3之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該輻射光束目標進一步包含一調節系統。
7. 如請求項2或3之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該輻射光束目標為一光束捕集器，視情況其中該光束捕集器包含Cr。
8. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中具有待清潔之一區域之該至少一個光學元件包含具有一標記區域之一基準標記，視情況其中該標記區域之形狀包含一矩形，其中該等側面中之一者包含另一半球形區域或半橢圓區域，或包含至少一個彎曲邊緣。
9. 如請求項2或3之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該至少一個照射光閘包含兩個葉片，且該控制系統經組態以藉由該等兩個葉片對該至少一個光學元件進行開窗。
10. 如請求項9之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該等葉片彼此平行地定位，且該至少一個光學元件位於該等葉片之間。
11. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其包含一調節電路及一間隔件，其中該間隔件連接至該至少一個光學元件，且該調節電路經組態以調節該至少一個光學元件及該間隔件。
12. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該氣體為氫氣。
13. 如請求項1至3中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台，其中該輻射光束為一EUV光束。
14. 一種用於清潔一倍縮光罩載物台之至少一個光學元件之方法，該方法包含 提供如請求項1至13中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台， 將一輻射光束導向至該輻射光束目標以用於產生一光學元件清潔電漿。
15. 一種包含指令之電腦程式產品，該等指令用以致使如請求項1至13中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台執行如請求項14之方法的步驟。
16. 一種電腦可讀媒體，其上儲存有如請求項15之電腦程式。
17. 一種用於一微影裝置之基準件，其中該基準件包含至少一個彎曲邊緣。
18. 如請求項17之基準件，其中該基準件包含兩個相對線性邊緣，及/或其中該基準件包含與一個實質上線性邊緣相對之一個彎曲邊緣。
19. 一種微影裝置，其包含如請求項1至13中任一項之用於一微影裝置之倍縮光罩載物台或如請求項17或18中任一項之基準件。
20. 一種如請求項1至13中任一項之用於一微影裝置之一倍縮光罩載物台、如請求項17或18之一基準件或如請求項14之方法之用途，其用於一微影方法或裝置中。

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