TW202230018A - 反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明的目的在於提供一種反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法，該反射型遮罩能夠減少陰影效應，且充分具備氫自由基耐性。本實施形態的反射型遮罩(100)具備基板(11)、形成在基板(11)上的具有多層膜構造之反射EUV光的反射膜(12)、形成在反射膜(12)上的保護反射膜(12)的保護膜(13)、形成在保護膜(13)上的吸收EUV光的吸收膜圖案(14a)、和形成在吸收膜圖案(14a)上的氧化皮膜(15)，其中吸收膜圖案(14a)包含Sn、和Sn以外的金屬元素，且相對於Sn以外的金屬元素的合計原子量，Sn的原子量比(Sn/Sn以外的金屬元素)在1以上小於20的範圍內，而氧化皮膜(15)對氫自由基具有耐性，形成在吸收膜圖案(14a)的表面及側面。
Description
本揭露係關於反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法。
以往，藉由使用利用了波長短的EUV光的EUV曝光裝置而能夠達成光微影技術的微細化的反射型遮罩，係在EUV光的入射上使光軸傾斜，因此有會發生所謂被稱為所謂的「陰影效應」的問題之課題，該問題係由於入射的EUV光造成光罩的圖案(吸收膜圖案)的陰影，而轉印性能惡化。
對此，有提案一種反射型遮罩，其係於吸收膜使用消光係數k高的材料來抑制EUV反射率，藉此而能夠形成膜厚比以前薄的吸收膜，減少陰影效應(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2018/159785號
[發明欲解決之課題]
在EUV曝光裝置，為了防止因雜質混入 (contamination)所造成的腔室內的污染，而進行利用氫自由基的清潔(cleaning)。亦即，反射型遮罩必須使用對氫自由基還原具有耐性的材料來形成。但是，在消光係數k高的材料之中也有氫自由基耐性低的材料，而有所謂藉由氫自由基耐性低的材料所形成的反射型遮罩無法耐受長期間使用的問題。
本揭露之目的在於提供一種反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法，該反射型遮罩能夠減少陰影效應，且充分具備氫自由基耐性。
[用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，而本揭露之一態樣的反射型遮罩係特徵為：具備基板、形成在前述基板上的具有多層膜構造之反射EUV光的反射膜、形成在前述反射膜上的保護該反射膜的保護膜、形成在前述保護膜上的吸收EUV光的吸收膜、和形成在前述吸收膜上的氧化皮膜，其中前述吸收膜包含Sn、和Sn以外的金屬元素，且相對於前述Sn以外的金屬元素的合計原子量，前述Sn的原子量比(Sn/Sn以外的金屬元素)在1以上小於20的範圍內，而前述氧化皮膜對氫自由基具有耐性，形成在前述吸收膜的表面及側面。
[發明之效果]
若為本揭露之一態樣的反射型遮罩，則能夠提供一種反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法，該反射型遮罩能夠減少陰影效應，且充分具備氫自由基耐性。
[用以實施發明的形態]
針對本揭露之一實施形態，一邊參照圖式一邊進行說明。
此處，圖式所示的構成係示意的構成，厚度和平面尺寸的關係、各層的厚度的比率等與實物不同。此外，以下所示的實施形態係例示用以將本揭露的技術性思想具體化的構成者，本揭露之技術性思想係構成構件的材質、形狀、構造等不限於下述者。本揭露的技術性思想可在申請專利範圍所記載的請求項規定的技術性範圍內加入各種改變。
(反射型遮罩的構成)
針對本揭露之實施形態的反射型遮罩的基本構成，使用圖1進行說明。圖1係用以說明本揭露之實施形態的反射型光罩(反射型遮罩)100之一構成例的剖面圖。
如圖1所示，本揭露之一實施形態的反射型光罩100，係多層反射膜12、保護膜13、吸收膜圖案14a依此順序被積層在基板11的一側之面側。又，吸收膜圖案14a係藉由將後述的吸收膜14進行圖案化而形成。此外，氧化皮膜15被形成在吸收膜圖案14a的表面及側面。以下，針對各層詳細地進行說明。
(基板)
基板11係成為反射型光罩100的基材之層。本實施形態的基板11，可使用平坦的Si基板、合成石英基板等。此外，於基板11可使用添加了鈦的低熱膨脹玻璃，但若為熱膨脹率小的材料，則本實施形態中並不限於此等。
此外，如圖8所示，可在基板11之並未多層反射膜12之面形成背面導電膜16。背面導電膜16係用以在將反射型光罩100設置於曝光機時利用靜電吸盤(chuck)的原理進行固定之膜。
(多層反射膜)
多層反射膜12，係形成在基板11上的具有多層膜構造之層，係為了在反射型光罩100中反射為曝光光之EUV光(極紫外光)所設置之層。
多層反射膜12，係由基於對EUV光的折射率差異甚大的材料之組合的複數反射膜所構成。例如，多層反射膜12可藉由將Mo(鉬)和Si(矽)、或Mo(鉬)和Be(鈹)等的組合之層重複積層40周期左右來形成。
(保護膜)
保護膜13，係形成在多層反射膜12上之層，係在藉由蝕刻來形成吸收膜圖案14a之際，作為防止對多層反射膜12的損傷之蝕刻阻擋物而發揮功能之層。又，依多層反射膜12的材質、蝕刻條件，而即使沒有保護膜13也無妨。本實施形態的保護膜13，係以對於在形成吸收膜14的圖案之際所進行的乾式蝕刻具有耐性的材質形成。
(吸收膜)
吸收膜14，係形成在保護膜13上之層，係在反射型光罩100中吸收為曝光光之EUV光之層。此外，吸收膜14，係形成為用以進行轉印之微細圖案的吸收層圖案(轉印圖案)之層。
如圖1所示，藉由將反射型空白光罩的吸收膜14的一部分除去，即藉由將吸收膜14進行圖案化，而形成反射型光罩100的吸收圖案(吸收膜圖案14a)。在EUV微影法中，EUV光係傾斜地入射，被多層反射膜12反射，但由於吸收膜圖案14a成為光路之障礙的陰影效應，而會有對晶圓(半導體基板)上的轉印性能惡化之情形。此轉印性能的惡化係藉由使吸收EUV光的吸收膜圖案14a的厚度變薄而減少。為了使吸收膜圖案14a的厚度變薄，較佳為應用對EUV光的吸收性比以往之材料高的材料，亦即對波長13.5nm的消光係數k高的材料。
圖2係顯示各金屬材料對EUV光的波長13.5nm之光學常數的圖表。圖2之圖表的橫軸表示折射率n，縱軸表示消光係數k。為以往之吸收膜14的主要材料的鉭(Ta)之消光係數k為0.041。若為具有大於鉭(Ta)之消光係數k的化合物材料，則能夠使吸收膜14的厚度變得比以往薄。若使用消光係數k為0.06以上的材料作為主要成分，則能夠使吸收膜14的厚度充分變薄，可減少陰影效應。
就滿足如上述的光學常數(nk值)之組合的材料而言，如圖2所示，例如有銀(Ag)、銦(In)、錫(Sn)、鎳(Ni)、碲(Te)等存在，該等之消光係數k於0.07至0.08的範圍內。若為上述材料，則可使其消光係數k相對於以往的吸收膜材料的鉭(Ta)之消光係數0.041而大幅地變大為約2倍，因此可得到高光吸收性。然而，此等具有高光吸收性的材料，由於乾式蝕刻性差(換言之，此等元素的鹵化物的揮發性低)，因此難以對反射型遮罩進行加工，大都是缺乏作為反射型遮罩的實用性者。相對於此等材料，消光係數k高的Sn，係對氟系氣體或氯系氣體的乾式蝕刻速率高，且加工性良好的吸收膜材料。又，在具備反射型光罩的EUV曝光裝置中，若光罩被曝露於氫自由基環境下，則單體的Sn與氫自由基反應而被轉換為氣體的SnH
4，就會發生吸收膜圖案14a的膜減少。作為此之對策，可藉由以後述的氧化皮膜15覆蓋吸收膜圖案14a的表面及側面，而謀求光罩的長壽命化。
於吸收膜14可使用包含Sn、和Sn以外的金屬元素M的化合物材料。吸收膜14，係期望是相對於Sn以外的金屬元素M的合計原子量，而主要成分的Sn的原子量比(以下，亦簡單標記為「Sn/M」)為1以上。在吸收膜14中的Sn/M為1以上的情況，可減少陰影效應，使轉印性能提高。又，在本實施形態中，所謂「主要成分」，係意指構成吸收膜14的元素(成分)之中含有率最高的元素(成分)。
此外，於吸收膜14可使用包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之至少一種作為Sn以外的金屬元素M的化合物。此等化合物的混合比必須是具有氫自由基耐性之氧化皮膜15可被穩定地形成的混合比。因此，吸收膜14中的上述化合物材料(Sn以外的金屬元素M)的混合比，從上述的Sn/M的比率來看，最高必須小於20。亦即，為了穩定地形成具有氫自由基耐性之氧化皮膜15，而期望吸收膜14中的Sn/M小於20。此外，吸收膜14中的Sn/M更佳為在2以上6以下的範圍內。於在吸收膜14中以Sn/M成為2以上6以下的方式調整上述化合物材料(Sn以外的金屬元素M)的含量的情況，可更穩定地形成氧化皮膜15。
此外，吸收膜14可含有50原子%以上的Sn。可藉由吸收膜14包含50原子%以上的Sn，而減少陰影效應，使轉印性能提高。
此外，即使是吸收膜14包含50原子%以上的Sn的情況，也可在吸收膜14添加於包含上述的Sn以外的金屬元素M，即Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之至少一種的化合物材料。包含50原子%以上的Sn的吸收膜14中的上述化合物材料(Sn以外的金屬元素M)的混合比，係相對於吸收膜14的合計原子量，而必須大於5原子%，更佳為15原子%以上。於在吸收膜14中包含比5原子%還多的上述化合物材料的情況，可穩定地形成氧化皮膜15。此外，在在吸收膜14中包含15原子%以上的上述化合物材料的情況，可更穩定地形成氧化皮膜15。
又，Sn以外的金屬元素M，由於上述的元素之中，Cr、Nb、Hf形成穩定的氧化皮膜，因而更佳。
吸收膜14中，除了上述記載的元素外，還可包含從B、P、C、Si及Ge所選出的至少一種元素作為半金屬元素。可藉由將此等元素(半金屬元素)包含在吸收膜14中，而更穩定地形成氧化皮膜15。此等元素的含量，若比Sn以外的金屬元素M的合計原子量多，則氧化皮膜15的形成變得不穩定，因此必須比Sn以外的金屬元素M的合計原子量少。亦即，為了穩定地形成氧化皮膜15，而相對於Sn以外的金屬元素M的合計原子量的半金屬元素L的合計原子量比(以下，亦簡單標記為「L/M」)，係期望L/M在0以上1以下的範圍內，更佳為在0.1以上0.5以下的範圍內。在吸收膜14中的L/M係在上述範圍內的情況，可更穩定地形成氧化皮膜15。
又，吸收膜14可不含上述的半金屬元素。在該情況，為相對於Sn以外的金屬元素M的合計原子量的半金屬元素L的合計原子量比之L/M成為0。
此外，半金屬元素，在上述的元素之中又更佳為B、P、Si，且由於可迅速地形成氧化皮膜，而最佳為P。
此外，吸收膜14，關於Sn/M和L/M，若在上述的數值範圍內，則也可包含例如O、N作為Sn以外的金屬元素M、半金屬元素L以外的元素。
吸收膜14，為了形成微細的圖案而必須是能夠以氟系氣體或氯系氣體進行蝕刻的材料。為能夠構成吸收膜14的材料之Sn、Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、Hf、B、P、C、Si及Ge皆為能夠以氟系氣體或氯系氣體進行蝕刻的材料，可形成微細的吸收膜圖案14a。
此處，針對表示多層反射膜12和吸收膜14的光強度的對比度之指標的光學濃度(OD：Optical Density)值進行說明。在將來自多層反射膜12的反射光的強度設為Rm，將來自吸收膜14的反射光的強度設為Ra時，OD值由以下的式(1)規定。
OD=-log(Ra/Rm) …(式1)
OD值大者，對比度佳，可得到高轉印性。在反射型光罩中就圖案轉印而言必須是OD＞1，但為了得到比以往之膜高的轉印性能，OD值若為1.5以上，則進一步較佳。
吸收膜14(吸收膜圖案14a)的膜厚較佳為45nm以下。在吸收膜14的膜厚為45nm的情況，可減少陰影效應，且使轉印性能提高。此外，吸收膜14為了維持可進行圖案轉印的對比度，而較佳為以OD值成為1以上的方式所計算的混合比。
(氧化皮膜)
氧化皮膜15對氫自由基具有耐性，為形成在吸收膜圖案14a的表面及側面之膜。即，氧化皮膜15係以覆蓋吸收膜圖案14a之露出的部分的方式所形成之膜。
氧化皮膜15可在形成吸收膜圖案14a後，例如藉由將吸收膜圖案14a的表面氧化而形成。因此，於吸收膜14中若含有包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之至少一種的化合物則為較佳。若吸收膜14中含有包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之至少一種的化合物，則可容易地在氧化皮膜15中添加包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之至少一種的化合物。
如此地，氧化皮膜15較佳為含有包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf的氧化物之至少一種的化合物。此外，在上述的元素之中，Cr、Nb、Hf形成穩定的氧化皮膜，因而更佳。
此外，氧化皮膜15可不含Sn。此外，氧化皮膜15也可包含Sn，而該Sn的含量比包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf的氧化物之至少一種的化合物的含量還少。
就氧化皮膜15的形成方法而言，可舉出利用如下製程的方法：以利用硝酸、硫酸等藥液的化學處理、或是在硝酸、硫酸等藥液中的陽極極化等的電化學處理為代表之使用藥液的濕式製程；或是使用氧電漿等的氧化性氣體的乾式製程。為了形成氧化皮膜15，可使用上述以外的藥液、氣體，也可組合數個方法。
現有的EUV曝光裝置，為了防止因混入雜質所造成的腔室內的污染而進行利用氫自由基的清潔。因此，反射型光罩若是對氫自由基的耐久性低，則遮罩的壽命就變短。為了謀求反射型光罩的長壽命化，反射型光罩必須以氫自由基耐性高的化合物材料形成。作為吸收膜14的材料所使用的Sn為消光係數k高的材料，但在氫自由基環境下，單體的Sn會與氫自由基反應而被轉換為氣體的SnH
4，而有所謂吸收膜圖案14a的膜減少發生之問題。
為了在氫自由基環境下使用反射型光罩，只要不使Sn直接曝露於氫自由基即可。具體而言，例如若由對氫自由基具有耐性的材料所形成的氧化皮膜15存在於包含Sn的吸收膜圖案14a的表面上，則Sn就不被曝露於氫自由基，而能夠在氫自由基環境下長時間使用。
就對氫自由基具有耐性的材料而言，較佳為如下的化合物材料：例如在使用圖3所示的裝置，且以使用氫的流量100sscm、2.45GHz的MWP(Micro Wave Plasma：微波電漿)而將電極301間的距離設定為18mm的條件所激發的氫自由基環境下，膜減少為1nm以下。又，在圖3中，以「302」表示樣品(試驗對象)，以「300」表示腔室。
就形成具備氫自由基耐性之氧化皮膜15的材料而言，可舉出Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf的氧化物。在此氧化皮膜中，可包含如F之對氫自由基惰性的元素作為上述金屬元素、O以外的元素。
由於形成氧化皮膜15的元素為容易被氧化的材料，因此有吸收膜14的表面會被自然氧化的情況。由於此等氧化膜是非常穩定的材料，因此蝕刻速率惡化，會有變得不利形成微細圖案的情況。在該情況，例如，可在吸收膜14上設置防止自然氧化的硬遮罩層。
就此硬遮罩層所使用的材料而言，較佳為SiO
2、SiON、TaO、TaN、TaBN、CrN、CrON、CrO等材料。
氧化皮膜15的膜厚較佳為1nm以上10nm以下。在氧化皮膜15的膜厚為1nm以上的情況，可具備穩定的氫自由基耐性。在氧化皮膜15的膜厚為10nm以下的情況，可減少吸收膜14的陰影效應、或抑制對EUV反射率、對比度等光學特性的影響。此外，氧化皮膜15的膜厚，從最能取得自由基耐性和光學特性變化的均衡來看，更佳為2nm以上5nm以下。
此外，吸收膜14和氧化皮膜15的合計膜厚，若為45nm以下則為更佳。在吸收膜14和氧化皮膜15的合計膜厚為45nm以下的情況，可減少陰影效應，且使轉印性能提高。此外，為了維持能夠進行圖案轉印的對比度，而作為吸收膜14和氧化皮膜15的整體，只要以OD值成為1以上的方式予以設定則為較佳。
此處，為了評價陰影效應的影響，而藉由模擬來比較在分別使用既有的Ta膜(於下層具備TaN層，於上層具備TaO層的積層膜：膜厚60nm)及具有在包含Ti的Sn膜(膜厚40nm)上形成之TiO
2的氧化皮膜(膜厚5nm)的吸收膜時，HV偏差值如何變化。HV偏差值為依賴於遮罩圖案的走向之轉印圖案的線寬差，亦即水平(Horizontal：H)方向的線寬與垂直(Vertical：V)方向的線寬之差。H方向的線寬表示與入射光和反射光所構成的面(以下，有稱為「入射面」的情況)正交之線狀圖案的線寬，V方向的線寬表示與入射面平行之線狀圖案的線寬。亦即，H方向的線寬為與入射面平行之方向的長度，V方向的線寬為與入射面正交之方向的長度。
受陰影效應影響的是H方向的線寬，會發生轉印圖案的邊緣部的對比度降低、H方向的線寬減少。受到陰影效應的影響的圖案，轉印後的線寬會變得比所要的線寬小。另一方面，V方向的線寬幾乎不會受到陰影效應的影響。因此在與入射面垂直之方向的轉印圖案的線寬和與入射面平行之方向的轉印圖案的線寬上，會產生線寬差(HV偏差)。
在既有的Ta膜及具有在包含Ti的Sn膜上形成之TiO
2的氧化皮膜的吸收膜各自的HV偏差值的比較中，使用表1之參考例的鉭(Ta)遮罩及實施例1的反射型光罩。比較參考例的鉭(Ta)遮罩及實施例1的反射型光罩各自的HV偏差值加以的結果，如表1所示，HV偏差值在Ta膜方面為非常大的7.3nm，但在具有在包含Ti的Sn膜上形成之TiO
2的氧化皮膜的吸收膜則可大幅地減少為5.7nm，獲得改善。如此地，可知在本實施形態的反射型光罩100，可藉由將具有在包含Ti的Sn膜、吸收膜14上形成之TiO
2的氧化皮膜15的吸收膜用於吸收膜圖案14a的形成材料，而大幅地減少陰影效應的影響(HV偏差)。
(反射型遮罩之製造方法)
接著，針對反射型光罩(反射型遮罩)之製造方法，使用圖4至圖8進行說明。
如圖4所示，在反射型空白光罩200所具備的吸收膜14上，將正型化學增幅型阻劑(SEBP9012：信越化學工業股份有限公司製)以120nm的膜厚以旋轉塗布機予以成膜。之後，在110℃下烘烤10分鐘形成阻劑膜17。
接著，利用電子線描繪機(JBX3030：日本電子股份有限公司製)來對以正型化學增幅型阻劑所形成的阻劑膜17描繪既定的圖案。之後，實施110℃、10分鐘的烘烤處理，接著進行噴灑顯影(SFG3000：Sigmameltec公司製)。藉此，而如圖5所示，形成阻劑圖案17a。
接著，如圖6所示，以阻劑圖案17a作為蝕刻遮罩，藉由以氯系氣體為主體的乾式蝕刻來進行吸收膜14的圖案化，形成吸收膜圖案14a。
接著，如圖7所示，進行殘留的阻劑圖案17a的剝離，使吸收膜圖案14a露出。在本實施形態中，在吸收膜14中所形成的吸收膜圖案14a係作成線寬64nmLS(線條和間隔(line-and-space))圖案。此線寬64nmLS圖案，以容易看到由EUV照射所產生的陰影效應的影響的方式，而分別設計在x方向和y方向上。
接著，使用重量濃度90%、液溫25度的硫酸溶液，使吸收膜圖案14a的表面氧化，如圖8所示，形成氧化皮膜15。此時，使氧化皮膜15以成為覆蓋吸收膜圖案14a之露出的部分的方式，形成在吸收膜14的表面及側面。如此進行，而製造本實施形態的反射型光罩100。
＜本實施形態的效果＞
本實施形態的反射型光罩100具有以下的效果。
(1)在本實施形態的反射型光罩100中，吸收膜14(吸收膜圖案14a)包含Sn、和Sn以外的金屬元素M，且相對於Sn以外的金屬元素M的合計原子量，Sn的原子量比(Sn/Sn以外的金屬元素M)係在1以上小於20的範圍內。
若根據此構成，則可減少陰影效應，使轉印性能提高。
(2)在本實施形態的反射型光罩100中，氧化皮膜15具有氫自由基耐性，形成在吸收膜14的表面及側面。
若根據此構成，則反射型光罩100具備自由基耐性，可實現反射型光罩100的長壽命化。
(3)在本實施形態的反射型光罩100中，吸收膜14可含有包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之中的至少一種的化合物。此外，吸收膜14可含有包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之中的至少一種的化合物，使其比吸收膜14的合計原子量的5原子%還多。
若根據此構成，則可穩定地形成具備氫自由基耐性之氧化皮膜15。
(4)在本實施形態的反射型光罩100中，吸收膜14可含有半金屬元素L的B、C、P、Si、及Ge之中的至少一種。此外，該半金屬元素L的含量，可相對於Sn以外的金屬元素M的合計原子量，而L/M在0以上1以下的範圍內。當然，在本實施形態的反射型光罩100中，吸收膜14也可不含有為半金屬元素L之B、C、P、Si、及Ge之中的至少一種。
若根據此構成，則可更穩定地形成具備氫自由基耐性之氧化皮膜15。
(5)在本實施形態的反射型光罩100中，吸收膜14可為能夠以氟系氣體或氯系氣體進行蝕刻。
若根據此構成，則可在吸收膜14中形成微細的圖案。
(6)在本實施形態的反射型光罩100中，OD值可為1.0以上。
若根據此構成，則可在吸收膜14中維持能夠進行圖案轉印的對比度。
(7)在本實施形態的反射型光罩100中，吸收膜14可包含50原子%以上的Sn。
若根據此構成，則可減少陰影效應，使轉印性能提高。
(8)在本實施形態的反射型光罩100中，氧化皮膜15可含有包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf的氧化物之至少一種的化合物。
若根據此構成，則可穩定地形成具備氫自由基耐性之氧化皮膜15。
(9)在本實施形態的反射型光罩100中，氧化皮膜15可不含Sn。此外，氧化皮膜15可包含Sn，而該Sn的含量可比包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf的氧化物之至少一種的化合物的含量少。
若根據此構成，則可穩定地形成具備氫自由基耐性之氧化皮膜15。
(10)在本實施形態的反射型光罩100中，氧化皮膜15係其膜厚可為1nm以上。
若根據此構成，則可穩定地形成具備氫自由基耐性之氧化皮膜15。
(11)在本實施形態的反射型光罩100中，吸收膜14和氧化皮膜15的合計膜厚可為45nm以下。
若根據此構成，則可減少陰影效應，使轉印性能提高。
[實施例]
以下，藉由實施例而更詳細地說明本揭露，但本揭露不受本實施例的任何限定。
＜實施例1＞
使用具有低熱膨脹性的合成石英基板作為基板。在基板上，積層40片以矽(Si)和鉬(Mo)為一對的積層膜而形成作為多層反射膜。多層反射膜的膜厚設為280nm。
接著，在多層反射膜上，使用釕(Ru)而以膜厚成為2.5nm的方式將保護膜予以成膜。
在保護膜上，使用錫(Sn)和鈦(Ti)將吸收膜予以成膜。此時，吸收膜係以與後述的氧化皮膜之合計膜厚成為45nm的方式成膜。錫(Sn)、鈦(Ti)的原子數比率以XPS(X線光電子分光法)測定之結果，為80.0:20.0。因此可知Sn/M為4，L/M為0。此外，雖以XRD(X線繞射裝置)測定之結果，可觀察到些微結晶性，但可知為非晶質。
接著，在基板之並未形成多層反射膜之側，將氮化鉻(CrN)以成為100nm的厚度的方式，將背面導電膜予以成膜。
往基板上之各自之膜的成膜係使用多元濺鍍裝置。各個膜的膜厚係以濺鍍時間控制。
接著，在吸收膜上，將正型化學增幅型阻劑(SEBP9012：信越化學工業股份有限公司製)以120nm的膜厚以旋轉塗布機予以成膜，在110度下烘烤10分鐘，形成阻劑膜。
接著，利用電子線描繪機(JBX3030：日本電子股份有限公司製)而對正型化學增幅型阻劑描繪既定的圖案。
之後，施加110度、10分鐘的烘烤處理，接著進行噴灑顯影(SFG3000：Sigmameltec股份有限公司製)。藉此而形成阻劑圖案。
接著，以阻劑圖案為蝕刻遮罩，藉由以氯系氣體為主體的乾式蝕刻來進行吸收膜的圖案化，形成吸收膜圖案。
接著，進行殘留的阻劑圖案的剝離。如此進行，而形成吸收膜的表面及側面露出之吸收膜圖案。
在本實施例中，吸收膜圖案係作成線寬64nmLS(線條和間隔)圖案。此線寬64nmLS圖案，以容易看到由EUV照射所產生的陰影效應的影響的方式，而分別設計在x方向和y方向上。
接著，使用重量濃度90%、液溫25度的硫酸溶液，形成氧化皮膜。以TEM(透射型電子顯微鏡)進行膜厚和組成的確認之結果可知：氧化皮膜的膜厚為5nm，組成以Ti:O=1:2形成，氧化皮膜和吸收膜的合計膜厚以45nm形成。藉由以上方式，而製作實施例1的反射型光罩。
又，針對實施例1的吸收膜，以基於EUV光的反射率測定裝置，測定多層反射膜區域的反射率Rm、和吸收膜區域的反射率Ra。由其測定結果計算遮罩特性的OD值之結果，如表1所示，可知被製作成EUV反射率為0.72%、OD值為1.9。
＜實施例2＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鉻(Cr)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鉻(Cr)的原子數比率設為80.0:20.0。因此可知Sn/M為4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Cr:O=2:3。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例2的反射型光罩。
又，實施例2的反射型光罩係EUV反射率為0.50%、OD值為2.1。
＜實施例3＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈮(Nb)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈮(Nb)的原子數比率設為80.0:20.0。因此可知Sn/M為4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Nb:O=2:3。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例3的反射型光罩。
又，實施例3的反射型光罩係EUV反射率為0.34%、OD值為2.3。
＜實施例4＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鉭(Ta)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鉭(Ta)的原子數比率設為80.0:20.0。因此可知Sn/M為4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ta:O=2:5。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例4的反射型光罩。
又，實施例4的反射型光罩係EUV反射率為0.34%、OD值為2.3。
＜實施例5＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鋁(Al)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鋁(Al)的原子數比率設為80.0:20.0。因此可知Sn/M為4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Al:O=2:3。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例5的反射型光罩。
又，實施例5的反射型光罩係EUV反射率為0.25%、OD值為2.4。
＜實施例6＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和釩(V)而進行成膜。此時，錫(Sn)和釩(V)的原子數比率設為80.0:20.0。因此可知Sn/M為4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為V:O=2:5。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例6的反射型光罩。
又，實施例6的反射型光罩係EUV反射率為0.39%、OD值為2.2。
＜實施例7＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鉿(Hf)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鉿(Hf)的原子數比率設為80.0:20.0。因此可知Sn/M為4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Hf:O=1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例7的反射型光罩。
又，實施例7的反射型光罩係EUV反射率為0.44%、OD值為2.2。
＜實施例8＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鉿(Hf)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鉿(Hf)的原子數比率設為95.0:5.0。因此可知Sn/M為19，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Hf:Sn:O=1:1:2，並未形成只有HfO
2的氧化皮膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例8的反射型光罩。
又，實施例8的反射型光罩係EUV反射率為0.25%、OD值為2.4。
＜實施例9＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)的原子數比率設為93.8:6.2。因此可知Sn/M為15，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:Sn:O=1:1:2，並未形成只有TiO
2的氧化皮膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例9的反射型光罩。
又，實施例9的反射型光罩係EUV反射率為0.36%、OD值為2.3。
＜實施例10＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)、硼(B)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)、硼(B)的原子數比率設為90.9:6.1:3.0。因此可知Sn/M為15，L/M為0.5。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:O=1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例10的反射型光罩。
又，實施例10的反射型光罩係EUV反射率為0.42%、OD值為2.2。
＜實施例11＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)、碳(C)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)、碳(C)的原子數比率設為90.9:6.1:3.0。因此可知Sn/M為15，L/M為0.5。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:O=1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例11的反射型光罩。
又，實施例11的反射型光罩係EUV反射率為0.42%、OD值為2.2。
＜實施例12＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)、磷(P)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)、磷(P)的原子數比率設為90.9:6.1:3.0。因此可知Sn/M為15，L/M為0.5。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:O=1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例12的反射型光罩。
又，實施例12的反射型光罩係EUV反射率為0.43%、OD值為2.2。
＜實施例13＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)、矽(Si)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)、矽(Si)的原子數比率設為90.9:6.1:3.0。因此可知Sn/M為15，L/M為0.5。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:O=1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例13的反射型光罩。
又，實施例13的反射型光罩係EUV反射率為0.43%、OD值為2.2。
＜實施例14＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)、氧(O)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)、氧(O)的原子數比率設為27.4:6.8:65.8。因此可知Sn/M為4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:O=1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例14的反射型光罩。
又，實施例14的反射型光罩係EUV反射率為0.60%、OD值為2.0。
＜實施例15＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)、硼(B)、氧(O)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)、硼(B)、氧(O)的原子數比率設為28.8:4.8:1.0:65.4。因此可知Sn/M為6，L/M為0.2。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:O=1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例15的反射型光罩。
又，實施例15的反射型光罩係EUV反射率為0.54%、OD值為2.1。
＜實施例16＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鉍(Bi)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鉍(Bi)的原子數比率設為80.0:20.0。因此可知Sn/M為4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Bi:O=2:3。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例16的反射型光罩。
又，實施例16的反射型光罩係EUV反射率為0.19%、OD值為2.5。
＜實施例17＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)的原子數比率設為93.8:6.2。因此可知Sn/M為15，L/M為0。此外，使用重量濃度60%、液溫25℃的硫酸溶液，形成氧化皮膜。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:Sn:O=1:2:4，並未形成只有TiO
2的氧化皮膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例17的反射型光罩。
又，實施例17的反射型光罩係EUV反射率為0.36%、OD值為2.3。
＜實施例18＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)、硼(B)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)、硼(B)的原子數比率設為86.7:5.8:7.5。因此可知Sn/M為15，L/M為1.3。伴隨於此，氧化皮膜的膜厚成為2nm，氧化皮膜的組成成為Ti:Sn:O=1:1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例18的反射型光罩。
又，實施例18的反射型光罩係EUV反射率為0.27%、OD值為2.4。
＜比較例1＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)的原子數比率設為30.0:70.0。因此可知Sn/M為0.4，L/M為0。伴隨於此，氧化皮膜的組成成為Ti:O=1:2。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作比較例1的反射型光罩。
又，比較例1的反射型光罩係EUV反射率為5.40%、OD值為1.1。
＜比較例2＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)、硼(B)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)、硼(B)的原子數比率設為66.7:11.1:22.2。因此可知Sn/M為6，L/M為2。又，並未形成包含氧化鈦的氧化皮膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作比較例2的反射型光罩。
又，比較例2的反射型光罩係EUV反射率為0.58%、OD值為2.0。
＜比較例3＞
將吸收膜的材料變更為錫(Sn)和鈦(Ti)而進行成膜。此時，錫(Sn)和鈦(Ti)的原子數比率設為95.2:4.8。因此可知Sn/M為20，L/M為0。又，並未形成包含氧化鈦的氧化皮膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作比較例3的反射型光罩。
又，比較例3的反射型光罩係EUV反射率為0.02%、OD值為3.5。
＜評價＞
針對在上述的實施例1～18、比較例1～3所得到的反射型光罩，用以下的方法進行轉印性能及氫自由基耐性的評價。又，轉印性能係藉由晶圓曝光評價來確認。又，關於上述的「既有的鉭(Ta)遮罩」，在表1中係記載為「參考例」。
[晶圓曝光評價]
使用EUV曝光裝置(NXE3300B：ASML公司製)，將在各實施例、比較例製作的反射型光罩的吸收膜圖案轉印曝光在塗布了EUV正型化學增幅型阻劑的半導體晶圓上。此時，曝光量係以x方向的LS圖案會按設計轉印的方式進行調節。之後，藉由電子線尺寸測定機，實施所轉印的阻劑圖案的觀察及線寬測定，由測定值進行解像性和HV偏差的確認。
＜評價基準＞
以與使用既有的鉭(Ta)遮罩的情況相比時的HV偏差的大小進行評價。亦即，將在以x方向的LS圖案會按設計轉印的方式進行調節的狀態下，y方向的LS圖案按設計被轉印，且HV偏差比使用既有的鉭(Ta)遮罩的情況還小的情況當作「合格」。然後，將在以x方向的LS圖案按設計轉印的方式進行調節的狀態下，未按設計被轉印的情況(y方向的LS圖案未解像的情況)、或者是HV偏差比使用既有的鉭(Ta)遮罩的情況還大的情況當作「不合格」。
[氫自由基耐性]
使用2.45GHz的MWP(Micro Wave Plasma：微波電漿)，將氫的流量100sscm進行激發，在電極間距離18mm的單邊電極上設置製作的反射型光罩。使用原子間力顯微鏡(AFM)來確認在氫自由基處理後的吸收膜的膜厚變化，用以下的◎、○、×的3階段進行評價。又，測定係以線寬200nmLS圖案進行。
＜評價基準＞
◎：對氫自由基未觀察到膜厚變化的情況
○：對氫自由基可觀察到些微的膜厚變化的情況
×：對氫自由基可觀察到膜厚變化的情況
此外，在表1的「遮罩特性」欄中，與既有的鉭(Ta)遮罩相比，從OD值及轉印性的觀點來看，用以下的◎、△、×的3階段進行評價。
＜評價基準＞
◎：在OD值及轉印性兩觀點上可發現優勢的情況
△：在OD值及轉印性當中任一者的觀點上無法發現優勢的情況
×：在OD值及轉印性兩觀點上都惡劣的情況
在表1的「判定」欄中，用以下的◎、○、△、×的4階段進行評價。
＜評價基準＞
◎：在遮罩特性及氫自由基耐性兩觀點上評價為◎的情況
○：遮罩特性的評價為◎，且氫自由基耐性的評價為○的情況
△：遮罩特性的評價為△，且氫自由基耐性的評價為◎或○的情況
×：在遮罩特性及氫自由基耐性當中任一者或兩觀點上評價為×的情況
將以上的評價結果顯示於表1。
[表1]
| 吸收膜 | 氧化皮膜 | 吸收膜及 氧化皮膜的 合計膜厚 (nm) | 光學特性 | 評價 | 判定 | ||||||||
| 材料(Sn/M、L/M) | 膜厚 (nm) | 材料 | 膜厚 (nm) | 反射率 (%) | OD値 | ｘ方向尺寸 (nm) | y方向尺寸 (nm) | HV偏差 (nm) | 遮罩特性 | 氫自由基耐性 | |||
| 實施例1 | Sn＋Ti(4、0) | 40 | TiO 2 | 5 | 45 | 0.72 | 1.9 | 16.0 | 10.3 | 5.7 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例2 | Sn＋Cr(4、0) | 40 | Cr 2O 3 | 5 | 45 | 0.50 | 2.1 | 16.0 | 9.8 | 6.2 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例3 | Sn＋Nb(4、0) | 40 | Nb 2O 3 | 5 | 45 | 0.34 | 2.3 | 16.0 | 10.7 | 5.3 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例4 | Sn＋Ta(4、0) | 40 | Ta 2O 5 | 5 | 45 | 0.34 | 2.3 | 16.0 | 10.4 | 5.6 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例5 | Sn＋Al(4、0) | 40 | Al 2O 3 | 5 | 45 | 0.25 | 2.4 | 16.0 | 10.9 | 5.1 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例6 | Sn＋V(4、0) | 40 | V 2O 5 | 5 | 45 | 0.39 | 2.2 | 16.0 | 10.5 | 5.5 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例7 | Sn＋Hf(4、0) | 40 | HfO 2 | 5 | 45 | 0.44 | 2.2 | 16.0 | 10.2 | 5.8 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例8 | Sn＋Hf(19、0) | 40 | Hf+Sn+O | 5 | 45 | 0.25 | 2.4 | 16.0 | 10.2 | 5.8 | ◎ | 〇 | 〇 |
| 實施例9 | Sn＋Ti(15、0) | 40 | Ti+Sn+O | 5 | 45 | 0.36 | 2.3 | 16.0 | 10.1 | 5.9 | ◎ | 〇 | 〇 |
| 實施例10 | Sn＋Ti＋B(15、0.5) | 40 | TiO 2 | 5 | 45 | 0.42 | 2.2 | 16.0 | 10.1 | 5.9 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例11 | Sn＋Ti＋C(15、0.5) | 40 | TiO 2 | 5 | 45 | 0.42 | 2.2 | 16.0 | 10.0 | 6.0 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例12 | Sn＋Ti＋P(15、0.5) | 40 | TiO 2 | 5 | 45 | 0.43 | 2.2 | 16.0 | 10.1 | 5.9 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例13 | Sn＋Ti＋Si(15、0.5) | 40 | TiO 2 | 5 | 45 | 0.43 | 2.2 | 16.0 | 10.1 | 5.9 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例14 | Sn＋Ti＋O(4、0) | 40 | TiO 2 | 5 | 45 | 0.60 | 2.0 | 16.0 | 10.1 | 5.9 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例15 | Sn＋Ti＋B＋O(6、0.2) | 40 | TiO 2 | 5 | 45 | 0.54 | 2.1 | 16.0 | 10.1 | 5.9 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 實施例16 | Sn＋Bi(4、0) | 40 | Bi 2O 3 | 5 | 45 | 0.19 | 2.5 | 16.0 | 9.3 | 6.7 | ◎ | 〇 | 〇 |
| 實施例17 | Sn＋Ti(15、0) | 40 | Ti+Sn+O(Sn＞Ti) | 5 | 45 | 0.36 | 2.3 | 16.0 | 10.1 | 5.9 | ◎ | 〇 | 〇 |
| 實施例18 | Sn＋Ti＋B(15、1.3) | 40 | Ti+Sn+O | 2 | 42 | 0.27 | 2.4 | 16.0 | 9.9 | 6.1 | ◎ | 〇 | 〇 |
| 比較例1 | Sn＋Ti(0.4、0) | 40 | TiO 2 | 5 | 45 | 5.40 | 1.1 | 16.0 | 11.5 | 4.5 | △ | ◎ | △ |
| 比較例2 | Sn＋Ti＋B(6、2) | 40 | - | - | 40 | 0.58 | 2.0 | 16.0 | 11.0 | 5.0 | ◎ | × | × |
| 比較例3 | Sn＋Ti(20、0) | 40 | - | - | 40 | 0.02 | 3.5 | 16.0 | 10.5 | 5.5 | ◎ | × | × |
| 參考例 | TaO (上層)2 nm TaN (下層)58 nm | 60 | - | - | 60 | 1.83 | 1.5 | 16.0 | 8.7 | 7.3 | △ | ◎ | △ |
如表1中所示，從實施例1～18、比較例1～3的評價結果可得知：與如比較例1般吸收膜係Sn/M小於1的情況相比，在如實施例1至18般吸收膜係Sn/M為1以上的情況，反射率低，可減少陰影效應。
此外，從實施例1～9、16、18、比較例3的評價結果可知：與如比較例3般Sn/M為20以上的情況相比，在如實施例1～9、16、18般Sn/M小於20的情況，氫自由基耐性高。
另外，從實施例9和實施例10～13、17的評價結果可知：包含半金屬元素的情況，即使Sn/M大，也因氧化皮膜穩定地形成，而氫自由基耐性提高。
此外，可知：與如比較例2般L/M大於1的情況相比，實施例10～13的氫自由基耐性高。
此外，從實施例14至15的評價結果可知：即使有如氧之Sn、上述的金屬元素及半金屬元素以外的元素進入，在形成有氧化皮膜的情況，氫自由基耐性高。
又，本揭露之反射型遮罩及反射型遮罩之製造方法不限於上述的實施形態及實施例，可以在無損發明的特徵的範圍內進行各種變更。
11:基板
12:多層反射膜
13:保護膜
14:吸收膜
14a:吸收膜圖案
15:氧化皮膜
16:背面導電膜
17:阻劑膜
100:反射型光罩(反射型遮罩)
200:反射型空白光罩(反射型空白遮罩)
300:腔室
301:電極
302:樣品
圖1係示意地顯示本實施形態的反射型遮罩之一構成例的剖面圖。
圖2係顯示在EUV光的波長下的各金屬之光學常數的圖表(graph)。
圖3係顯示本實施形態的氫自由基耐性評價方法的概念圖。
圖4係顯示本實施形態的反射型遮罩之製造步驟的概略剖面圖。
圖5係顯示本實施形態的反射型遮罩之製造步驟的概略剖面圖。
圖6係顯示本實施形態的反射型遮罩之製造步驟的概略剖面圖。
圖7係顯示本實施形態的反射型遮罩之製造步驟的概略剖面圖。
圖8係顯示本實施形態的反射型遮罩之製造步驟的概略剖面圖。
11:基板
12:多層反射膜
13:保護膜
14a:吸收膜圖案
15:氧化皮膜
100:反射型光罩(反射型遮罩)
Claims (13)
- 一種反射型遮罩，其特徵為：具備 基板、 形成在該基板上的具有多層膜構造之反射EUV光的反射膜、 形成在該反射膜上的保護該反射膜的保護膜、 形成在該保護膜上的吸收EUV光的吸收膜、和 形成在該吸收膜上的氧化皮膜， 該吸收膜包含Sn、和Sn以外的金屬元素，且相對於該Sn以外的金屬元素的合計原子量，該Sn的原子量比(Sn/Sn以外的金屬元素)在1以上小於20的範圍內， 而該氧化皮膜對氫自由基具有耐性，形成在該吸收膜的表面及側面。
- 一種反射型遮罩，其特徵為：具備 基板、 形成在該基板上的具有多層膜構造之反射EUV光的反射膜、 形成在該反射膜上的保護該反射膜的保護膜、 形成在該保護膜上的吸收EUV光的吸收膜、和 形成在該吸收膜上的氧化皮膜， 其中該吸收膜包含50原子%以上的Sn， 而該氧化皮膜對氫自由基具有耐性，形成在該吸收膜的表面及側面。
- 如請求項1或請求項2的反射型遮罩，其中該氧化皮膜含有包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf的氧化物之至少一種的化合物。
- 如請求項1至請求項3中任一項的反射型遮罩，其中該氧化皮膜不含Sn，或該氧化皮膜包含Sn，而該Sn的含量比包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf的氧化物之至少一種的化合物的含量還少。
- 如請求項1至請求項4中任一項的反射型遮罩，其中該吸收膜含有包含Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之中的至少一種作為該Sn以外的金屬元素的化合物。
- 如請求項1至請求項5中任一項的反射型遮罩，其中該氧化皮膜係該氧化皮膜的膜厚為1nm以上。
- 如請求項1至請求項6中任一項的反射型遮罩，其中該吸收膜不含為半金屬元素的B、C、P、Si、及Ge，或包含該半金屬元素之中的至少一種，且相對於該Sn以外的金屬元素的合計原子量，該半金屬元素的合計原子量比(半金屬元素/Sn以外的金屬元素)在0以上1以下的範圍內。
- 如請求項1至請求項7中任一項的反射型遮罩，其中該吸收膜含有多於5原子%的Cr、Ta、Nb、Ti、Al、V、及Hf之中的至少一種的化合物。
- 如請求項1至請求項8中任一項的反射型遮罩，其中該吸收膜能夠以氟系氣體或氯系氣體進行蝕刻。
- 如請求項1至請求項9中任一項的反射型遮罩，其中該吸收膜和該氧化皮膜的合計膜厚為45nm以下， OD值(Optical Density：光學濃度)為1.0以上。
- 一種反射型遮罩之製造方法，係具備 基板、 形成在該基板上的具有多層膜構造之反射EUV光的反射膜、 形成在該反射膜上的保護該反射膜的保護膜、 形成在該保護膜上的吸收EUV光的吸收膜、和 形成在該吸收膜上的氧化皮膜的反射型遮罩之製造方法， 其特徵為該吸收膜包含Sn、和Sn以外的金屬元素，且相對於該Sn以外的金屬元素的合計原子量，該Sn的原子量比(Sn/Sn以外的金屬元素)在1以上小於20的範圍內， 而該氧化皮膜對氫自由基具有耐性，形成在該吸收膜的表面及側面。
- 一種反射型遮罩之製造方法，係具備 基板、 形成在該基板上的具有多層膜構造之反射EUV光的反射膜、 形成在該反射膜上的保護該反射膜的保護膜、 形成在該保護膜上的吸收EUV光的吸收膜、和 形成在該吸收膜上的氧化皮膜的反射型遮罩之製造方法， 其特徵為該吸收膜包含50原子%以上的Sn， 而該氧化皮膜對氫自由基具有耐性，形成在該吸收膜的表面及側面。
- 如請求項11或請求項12的反射型遮罩之製造方法，其中該氧化皮膜係使該吸收膜氧化而形成。
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