TW202229606A - 在處理腔室中使用雙頻率rf功率之方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露案的實施例大致關於使用雙頻率，頂部，側壁及底部源在基板及腔室的蓋的表面上沉積大於3,000 Å厚度的碳膜層之方法。方法包括將氣體引導至腔室的處理空間。提供具有約40 MHz或更大的第一頻率的第一射頻（RF）功率至腔室的蓋。提供具有第二頻率的第二RF功率至佈置於在處理空間之中的基板支撐件中的偏壓電極。第二頻率為約10 MHz至約40 MHz。提供具有約400 kHz至約2 MHz的較低頻率的額外第三RF功率至偏壓電極。

Description

在處理腔室中使用雙頻率RF功率之方法
本揭露案的實施例大致關於在半導體元件的製造中使用的裝置及方法。更特定而言，本揭露案的實施例關於用於形成半導體元件的基板處理腔室及其部件。
積體電路已進化成在單一晶片上可包括數百萬個電晶體、電容器及電阻器的複雜元件。晶片設計的進化持續牽涉更快電路及更大電路密度。對具有更大電路密度的更快電路的需求在用以製作此等積體電路的材料上強加相對應需求。特定而言，隨著積體電路部件的尺寸減少至次微米級，存在使用低電阻導電材料以及低介電常數絕緣材料以從此等部件獲得適合的電氣效能的趨勢。
對更大積體電路密度的需求亦在積體電路部件的製造中使用的處理序列上強加需求。舉例而言，在使用習知光刻技術的處理序列中，於佈置於基板上的材料層的堆疊上形成能量敏感抗蝕劑的層。能量敏感抗蝕劑層暴露至圖案的影像，以形成光阻遮罩。此後，使用蝕刻處理傳送遮罩圖案至堆疊的一或更多材料層。在蝕刻處理中使用的化學蝕刻劑經選擇以對堆疊的材料層比對能量敏感抗蝕劑的遮罩具有更大的蝕刻選擇性。亦即，化學蝕刻劑以比能量敏感抗蝕劑更高許多的速率蝕刻材料堆疊的一或更多層。更勝於抗蝕劑的對堆疊的一或更多材料層的蝕刻選擇性避免能量敏感抗蝕劑在完成圖案傳送之前消耗。
隨著圖案尺寸減少，能量敏感抗蝕劑的厚度相對應減少以便控制圖案解析度。歸因於藉由化學蝕刻劑的攻擊，此等薄抗蝕劑層在圖案傳送處理期間可能不足以遮蔽下層材料層。稱為硬遮罩的中間層（例如，氮氧化矽、碳化矽或碳膜）通常在能量敏感抗蝕劑層及下層材料層之間使用，以促進圖案傳送，因其對化學蝕刻劑有更大的抗性。常常利用具有高蝕刻選擇性及高沉積率兩者的硬遮罩材料。隨著關鍵尺寸（CD）減少，目前的硬遮罩材料缺乏相對於下層材料（例如，氧化物及氮化物）的所欲蝕刻選擇性，且常常難以沉積。為了生成具有增加的厚度及良好膜特性的硬遮罩，使用多重迭代沉積層而在各個沉積之間具有清潔。此等處理限制產量及/或硬遮罩品質。因此，本領域中需要一種改進的方法及系統，用於在單次沉積中形成具有增加的厚度硬遮罩以增加產量。
本揭露案的實施例大致關於在半導體元件的製造中使用的系統及方法。更特定而言，本揭露案的實施例關於用於形成在半導體元件中使用的硬遮罩的基板處理腔室及其部件。
在一個實施例中，一種方法包括將一氣體引導至一腔室的一處理空間。提供具有約40 MHz或更大的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的一蓋。在該處理空間之中提供具有一第二頻率的一第二RF功率至佈置於一基板支撐件中的一偏壓電極。該第二頻率為約10 MHz至約20 MHz。
在另一實施例中，一種用於清潔一腔室之方法包括將一氣體引導至該腔室的一處理空間。提供具有約40 MHz或更大的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的一蓋。提供具有一第二頻率的一第二RF功率至佈置於在該處理空間之中的一基板支撐件中的一電極。該第二頻率為約10 MHz至約20 MHz。移除佈置於該腔室的一腔室部件的一表面上的一膜的至少一部分。
在另一實施例中，一種處理一基板之方法包括將一氣體引導至一腔室的一處理空間。提供具有約40 MHz至約60 MHz的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的一蓋。提供具有一第二頻率的一第二RF功率至在該處理空間之中佈置於一基板支撐件中的一電極，其中該第二頻率為約10 MHz至約20 MHz。在佈置於該基板支撐件上的該基板上及一腔室部件的至少一個表面上沉積具有約5 KÅ至約3 µm的一厚度的一膜。
本揭露案的實施例關於在電子元件的製造中於基板處理中利用的基板處理腔室。基板處理包括沉積處理，包括用以在基板上製造電子元件的低壓處理，電漿處理及熱處理。可適以從本揭露案的範例態樣獲益的處理腔室及/或系統的範例為PIONEER TMPECVD系統，該系統可購自位於美國加州聖克拉拉市的應用材料公司。考量其他處理腔室及/或處理平台，包括來自其他製造商者，可適以從本揭露案的態樣獲益。
第1圖為用於進行沉積處理的說明性處理腔室100的概要側剖面視圖。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，處理腔室100可配置成沉積進階的圖案化膜至基板上，例如硬遮罩膜，舉例而言，非晶碳硬遮罩膜。
處理腔室100包括蓋125、佈置於腔室主體192上的間隔件110、基板支撐件115及可變壓力系統120。儘管蓋125在第1圖中描繪為平坦的，在可與此處所述的其他實施例結合的某些實施例中，蓋125為圓頂形狀的。
蓋125耦合至第一處理氣源140。第一處理氣源140含有前驅物氣體用於在基板支撐件115上支撐的基板145上形成膜。例如，第一處理氣源140包括例如含碳氣體、含氫氣體及氦等等的前驅物氣體。在具體範例中，含碳氣體包括乙炔（C 2H 2）。第一處理氣源140經由蓋125之中的一或更多通道191提供前驅物氣體。一或更多通道191從第一處理氣源140引導前驅物氣體至處理空間160中。在可與此處所述的其他實施例結合的某些實施例中，第二處理氣源142透過入口144流體耦合至處理空間160，入口144穿過具有噴嘴附接至間隔件110的氣體環佈置，或穿過腔室側壁佈置。例如，第二處理氣源142包括例如含碳氣體、含氫氣體及氦等等的前驅物氣體，舉例而言，C 2H 2。在可與此處所述的其他實施例結合的某些實施例中，至處理空間160中的前驅物氣體的總流速為約100 sccm至約2 slm。透過第二處理氣源142在處理空間160中的前驅物氣體的流動於處理空間160中均勻分配。在一個範例中，複數個入口144可在間隔件110四周或在腔室側壁四周徑向分配。在此範例中，可分開地控制至入口144之各者的氣體流動，以進一步促進在處理空間160之中的氣體均勻性。
蓋125亦耦合至第一或上部射頻（RF）功率源165。第一RF功率源165促進電漿的維持或產生，例如從清潔氣體產生的電漿。清潔氣體透過第一RF功率源165原位離子化成電漿。基板支撐件115耦合至第二或下部RF功率源170。第一RF功率源165為中等至高頻率RF功率源（舉例而言，約13.56 MHz至約80 MHz，例如20 MHz至約40 MHz）。第二RF功率源170可為低或中等頻率RF功率源（舉例而言，約400 kHz至約27 MHz）。應注意亦考量其他頻率。在某些實例中，第二RF功率源170為混合的頻率RF功率源，提供低及中等頻率或低及高頻率，例如2 MHz或400 kHz頻率功率的低頻率與13.56 MHz頻率功率的結合，或2 MHz或400 kHz頻率功率的低頻率與40 MHz頻率功率的結合。使用雙頻率RF功率源，特定為用於沉積的第二RF功率源170，改進在基板上的膜品質。第一RF功率源165用以清潔處理空間的上部部分，例如蓋。不受理論束縛，相信靠近蓋在處理空間的上部部分中的電漿為弱的，且因此若僅第二RF功率源170使用於沉積，則在上部部分中膜的品質為弱的。使用具有第一RF功率源165的雙頻率RF功率源增進在蓋上的膜品質。增進的膜品質可見於膜的剖面的掃描電子顯微鏡（SEM）成像中。特定而言，膜的剖面為非晶、均質且較少孔隙。較佳的膜品質亦體現在基板上減少的缺陷數量，否則缺陷會造成元件製作的良率降低。此等特性表示良好品質的膜。不受理論束縛，相信減少品質的碳膜具有藉由壓縮應力造成的不規則及缺陷，而導致超過某些厚度的膜的失效，例如大於3,000 Å，例如大於5,000 Å。在腔室的頂部處從第一RF功率源165提供功率降低在基板支撐件115處的RF偏壓電壓（V dc）。儘管改進在蓋125的表面304處的膜品質，卻降低在基板上的膜的膜品質。已發現在基板位準145處V dc的損失藉由使用來自低頻率功率源（例如，第三RF功率源171）的額外獨立功率控制與來自偏壓的中等或高頻率源（例如，第二RF功率源170）結合而補償。低頻率RF功率源171給予額外可調性，以增進在基板上的膜特性。已發現低頻率功率產生器提供高V dc（例如，高離子撞擊）以補償歸因於第一RF功率源165的高頻率功率導致的V dc損失，而能夠改進在蓋表面上的膜品質同時維持在基板上的良好膜品質。因此，如此處所述藉由第二RF功率源170及/或第三RF功率源171提供的低、雙頻率功率能夠在整體較低總功率下沉積良好品質的膜。
第一RF功率源165及第二RF功率源170之一者或兩者用在處理空間160中建立或維持電漿中。舉例而言，在沉積處理期間可利用第二RF功率源170且在清潔處理期間可利用第一RF功率源165。在某些沉積處理中，第一RF功率源165與第二RF功率源170結合使用。在沉積處理期間，第一RF功率源165及第二RF功率源170之一者或兩者於處理空間160中提供約100瓦（W）至約20,000 W的功率，以促進前驅物氣體的離子化。在可與此處所述的其他實施例結合的某些實施例中，於沉積期間，第一RF功率源165提供約200 W至約5 KW的第一功率，例如約700 W至約3 KW，例如約1 KW至約3 KW。第二RF功率源170提供約1000 W至約6 KW的第二功率，例如約1500 W至約4 KW。第三RF功率源171提供約500 W至約5000 W的第三功率。
在可與此處所述的其他實施例結合的另一實施例中，前驅物氣體包括氦及C 2H 2。在可與此處所述的其他實施例結合的一個實施例中，C 2H 2以約10 sccm至約1,000 sccm的流速提供，且He以約50 sccm至約5,000 sccm的流速提供。
基板支撐件115耦合至致動器175（即，舉升致動器），而在Z方向中提供其運動。基板支撐件115亦耦合至柔性的設施纜線178，而允許基板支撐件115的垂直運動同時維持與第二RF功率源170以及其他功率及流體連接的連通。間隔件110佈置於腔室主體192上。間隔件110的高度允許基板支撐件115在處理空間160之中垂直地運動。間隔件110的高度為約0.5英吋至約20英吋。在一個範例中，基板支撐件115相對於蓋125從第一距離可移動至第二距離。在一個實施例中，第二距離為第一距離180A的約2/3。舉例而言，在第一距離180A與第二距離之間的差為約5英吋至約6英吋。因此，從在第1圖中顯示的位置，基板支撐件115相對於蓋125的下部表面可移動約5英吋至約6英吋。在另一範例中，基板支撐件115固定在第一距離180A及第二距離180B之一者處。相對於習知電漿增進的化學氣相沉積（PECVD）處理，間隔件110大幅增加基板支撐件115與蓋125之間（且因此其間空間）的距離。
可變壓力系統120包括第一幫浦182及第二幫浦184。第一幫浦182為粗抽幫浦，而在清潔處理及/或基板傳送處理期間可利用。粗抽幫浦大體配置用於移動更高體積流速及/或操作相對更高（但仍為低於大氣）的壓力。在一個範例中，於清潔處理期間第一幫浦182在處理腔室之中維持小於50 mtorr的壓力。在另一範例中，第一幫浦182在處理腔室之中維持約0.5 mTorr至約10 Torr的壓力。在清潔操作期間利用粗抽幫浦促進清潔氣體的更高的壓力及/或體積流動（相較於沉積操作）。在清潔操作期間相對更高的壓力及/或體積流動改進腔室表面的清潔。
第二幫浦184可為渦輪幫浦及低溫幫浦（cryogenic pump）之一者。在沉積處理期間利用第二幫浦184。第二幫浦184大體配置成操作相對更低的體積流速及/或壓力。舉例而言，第二幫浦184配置成將處理腔室的處理區域160維持在小於約5 mtorr的壓力下。在另一範例中，第二幫浦184在處理腔室之中維持約0.5 mtorr至約10 Torr的壓力。當沉積基於碳的硬遮罩時，在沉積期間維持處理區域160降低的壓力促進具有降低的壓縮應力及/或增加的sp 2至sp 3轉換的膜的沉積。因此，處理腔室100配置成利用相對更低的壓力以改進沉積，以及利用相對更高的壓力以強化清潔兩者。
利用閥門186以控制第一幫浦182及第二幫浦184之一或兩者的導通路徑。閥門186亦提供從處理空間160的對稱抽取。
處理腔室100亦包括基板傳送通口185。基板傳送通口185藉由內部門186A及外部門186B選擇性密封。門186A及186B之各者耦合至致動器188（即，門致動器）。門186A及186B促進處理空間160的真空密封。門186A及186B亦提供對稱RF施加及/或在處理空間160之中的電漿對稱。在一個範例中，至少門186A以促進RF功率的導通的材料形成，例如不銹鋼、鋁或其合金。佈置於間隔件110及腔室主體192的界面處的密封件116，例如O形環，可進一步密封處理空間160。耦合至處理腔室100的控制器194配置成在處理期間控制處理腔室100的態樣。
間隔件110包括提供處理空間160的體積的高度，為約0.5英吋至約20英吋，例如約0.5英吋至約3英吋，例如約10英吋至約20英吋，例如約14英吋至約16英吋。處理空間160的高度提供許多優點。一個優點包括降低膜應力，而減少在其中處理的基板中誘發的弓曲的應力。處理空間160的高度從處理空間的頂部至底部影響電漿密度分配。此處提供的方法藉由使用頂部RF源在處理空間的上部部分中提供預定電漿密度，而用於在腔室部件的部分上沉積碳膜，例如蓋125的部分。再者，此處提供的方法藉由使用底部RF源在處理空間的下部部分中維持電漿密度，適合用於在佈置於基板支撐件115上的基板上沉積膜。
第2圖為基板支撐件115的一個實施例的概要剖面視圖。基板支撐件115包括靜電夾盤230。靜電夾盤230包括定位盤（puck）200。定位盤200包括一或更多電極205嵌入其中，例如第一電極及第二電極。第一電極為夾持電極，且第二電極為RF偏壓電極。基板支撐件115可以約300 kHz至約60 MHz的頻率藉由提供RF功率至第二電極而偏壓。提供至第二電極的頻率可為脈衝的。定位盤200以介電材料形成，例如陶瓷材料，舉例而言氮化鋁（AlN）。
定位盤藉由介電板210及底座板215支撐。介電板210可從電氣絕緣材料形成，例如石英或熱塑性材料，例如在REXOLITE ®商標下販賣的高效能塑膠。底座板215可以金屬材料製成，例如鋁。在操作期間，底座板215耦合至接地或電氣浮動，同時定位盤200為RF熱的。至少定位盤200及介電板210藉由絕緣環220環繞。絕緣環220可以介電材料製成，例如石英、矽或陶瓷材料。底座板215及絕緣環220的部分藉由以鋁製成的接地環225環繞。在操作期間絕緣環220避免或最小化定位盤200及底座板215之間的電弧。設施纜線178的一端顯示於在定位盤200、介電板210及底座板215中形成的開口中。用於定位盤200的電極以及來自氣體供應器至基板支撐件115的流體藉由設施纜線178提供。
邊緣環佈置於鄰接絕緣環220的內部周圍。邊緣環可包含介電材料，例如石英、矽、交聯聚苯乙烯及二乙烯苯（例如，REXOLITE ®）、PEEK、Al 2O 3、AIN等等。利用包含此介電材料的邊緣環幫助調製電漿耦合，調製電漿特性，例如在基板支撐件上的電壓（V dc），而無須改變電漿功率，因此改進沉積於基板上硬遮罩膜的特性。藉由透過邊緣環的材料對晶圓或基板調製RF耦合，膜的模量可與膜的應力解耦。
第3A及3B圖為第1圖中顯示的蓋125的放大概要剖面視圖。一或更多通道191定位於蓋125之中的中心，且具有角度的定向，在第3A圖中描繪為角度的通道302。或者，如第3B圖中描繪，一或更多通道191具有實質上垂直的通道302。亦考慮其他角度、間隔及定向。
第4圖根據本揭露案的實施例，為用於處理基板之方法的流程圖。在操作402中，將氣體引導至腔室的處理空間。氣體為含碳氣體，例如烴類氣體，舉例而言，C 2H 2。在操作404中，提供具有約40 MHz至約60 MHz（例如約40 MHz或約60 MHz）的第一頻率的第一射頻（RF）功率至腔室的蓋125。第一RF源為頂部RF源。在操作406中，於處理空間之中提供具有第二頻率的第二RF功率至佈置於基板支撐件中的電極。第二頻率為約10 MHz至約40 MHz，例如約13.56 MHz的頻率。此外，提供第三RF功率至具有低頻率產生器佈置於基板支撐件中的電極，例如約400 kHz至約5 MHz。第一RF源、第二RF源及/或第三RF源在沉積期間同時且持續提供功率。
在操作408中，於佈置於基板支撐件上的基板上沉積具有約5 KÅ至約3 µm的厚度的膜，例如約1 µm至約2 µm。此外，在至少一個腔室部件的至少一部分上沉積膜，例如蓋125的表面304。在單一持續沉積中沉積膜而於膜沉積之間並無清潔。在習知沉積處理中，當在基板上沉積碳膜至大於3,000 Å的厚度時，在交替沉積之間使用斷斷續續的清潔電漿直到膜累積到所欲厚度。在厚的碳膜的中間層之間的習知清潔處理用以最小化在膜中的缺陷，且管理腔室部件上的膜品質。在蓋上的不良膜品質包括增加的粒度、歸因於不良凝聚而在膜中的非均質或孔隙、及以結構形成間隙。隨著膜在應力下失效，粒子可從膜剝離且對基板造成污染。使用各個額外清潔處理及基板的移除及重新放置的管理膜品質增加處理基板所需的時間，且負面影響元件良率。再者，若在厚的碳膜沉積期間並未週期性完成清潔，則在蓋125上的膜展現不足的碳對碳凝聚，且因此在蓋表面304上展現不良膜品質。此處所述的方法400消除在沉積於基板上的各個中間層之後清潔腔室之需求。取而代之，沉積良好品質的膜而具有大於3,000 Å的厚度，例如約5,000 Å至約3 µm，例如約1.5 µm。如此處所使用，「良好品質的膜」代表不具有應力誘發的失效的膜，例如裂縫。
不受理論束縛，相信僅底部RF源沉積處理導致在腔室的蓋表面304上的不良膜品質，而在基板及蓋125之間具有大的間隙。在於腔室中具有大的間隙的底部RF源配置導致在腔室的上部區域中弱很多的電漿密度。因此，底部RF源沉積處理在基板上沉積具有良好品質的膜，但在蓋表面304上沉積的膜為不良品質的碳，具有柱狀特徵及孔隙，而在沉積一定厚度之後導致凝聚失效。與底部RF源一起添加少量的高頻頂部RF源藉由增加在處理空間的上部部分中的電漿密度而改進在蓋125上的膜品質。特定而言，第一RF功率源在沉積期間提供約200 W至約5 KW，例如約1 KW至約3 KW的RF功率至蓋125，且第二RF功率源提供約1500 W至約6000 W，例如約1500 W至約4000 W的RF功率至電極。
此處所述的雙頻率亦適合用於原位清潔處理，例如使用含氧氣體，以清潔腔室。在清潔期間，第一RF源提供約1 KW至約3 KW的RF功率至蓋，且第二RF功率源提供約1500 W至約6000 W的RF功率至電極。頂部RF源亦適合用於清潔處理空間的上部部分，且消除使用遠端電漿源清潔空間的需要。類似於沉積處理，本揭露案的清潔處理包括提供具有約40 MHa及以上的第一頻率的第一RF功率至腔室的蓋。清潔處理進一步包括在處理空間之中提供具有第二頻率的第二RF功率至佈置於基板支撐件中的電極。第二頻率為約10 MHz至約20 MHz，例如來自低頻產生器的約2 MHz頻率與來自第二低頻產生器的13.56MHz頻率結合。
儘管以上針對本揭露案的實施例，可得出本揭露案的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇，且其範疇藉由以下申請專利範圍來決定。
100:圖示處理腔室 110:間隔件 115:基板支撐件 116:密封件 120:可變壓力系統 125:蓋 140:第一處理氣源 142:第二處理氣源 144:入口 145:基板 160:處理空間 165:功率源 170:下部RF功率源 171:第三RF功率源 175:致動器 178:設施纜線 180A:第一距離 180B:第二距離 182:第一幫浦 184:第二幫浦 185:通口 186:閥門 186A:內部門 186B:外部門 188:致動器 191:通道 192:腔室主體 194:控制器 200:定位盤 205:電極 210:介電板 215:底座板 220:絕緣環 225:接地環 230:靜電夾盤 302:角度的通道 304:表面 400:方法 402:操作 404:操作 406:操作 408:操作
以此方式可詳細理解本揭露案以上所載之特徵，以上簡要概述的本揭露案的更特定說明可藉由參考實施例而獲得，某些實施例圖示於隨附圖式中。然而，應理解隨附圖式僅圖示本揭露案的典型實施例，且因此不應考量為其範疇之限制，因為本揭露案可認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據實施例，為圖示處理腔室的概要側剖面視圖。
第2圖根據實施例，為基板支撐件的概要剖面視圖。
第3A圖根據實施例，為具有角度的通道的蓋的放大概要剖面視圖。
第3B圖根據實施例，為具有垂直通道的蓋的放大概要剖面視圖。
第4圖根據實施例，為用於處理基板之方法的流程圖。
為了促進理解，已盡可能地使用相同的元件符號代表圖式中中共有的相同元件。應理解一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:圖示處理腔室
110:間隔件
115:基板支撐件
116:密封件
120:可變壓力系統
125:蓋
140:第一處理氣源
142:第二處理氣源
144:入口
145:基板
160:處理空間
165:功率源
170:下部RF功率源
171:第三RF功率源
175:致動器
178:設施纜線
180A:第一距離
180B:第二距離
182:第一幫浦
184:第二幫浦
185:通口
186:閥門
186A:內部門
186B:外部門
188:致動器
191:通道
192:腔室主體
194:控制器

Claims (20)

  1. 一種方法，包含以下步驟： 將一氣體引導至一腔室的一處理空間； 提供具有約40 MHz或更大的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的一蓋； 在該處理空間之中提供具有一第二頻率的一第二RF功率至佈置於一基板支撐件中的一偏壓電極，其中該第二頻率為約10 MHz至約40 MHz；及 在佈置於該基板支撐件上的一基板上沉積一膜，其中該膜包含約3,000埃或更大的一厚度。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該膜以一持續沉積處理沉積在該基板上。
  3. 如請求項2所述之方法，其中在該腔室的一腔室部件的一表面上的該膜包含5,000埃或更大的一厚度。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該膜為一非晶碳膜。
  5. 如請求項3所述之方法，進一步包含以下步驟：基於該膜的一預定沉積率調整該第一RF功率。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該氣體為一含碳氣體。
  7. 如請求項1所述之方法，其中提供該第一RF功率包含以下步驟：提供約200W至約1KW的RF功率。
  8. 如請求項1所述之方法，其中提供該第二RF功率包含以下步驟：提供約1kW至6kW的RF功率至該偏壓電極。
  9. 如請求項1所述之方法，其中藉由一第一RF源提供該第一RF功率，且藉由一第二RF源提供該第二RF功率，且藉由一第三RF源提供一第三RF功率，其中該第二RF源包含約40 MHz或更少的一第二RF頻率，且該第三RF源包含約40 kHz至2 MHz的一第三RF頻率，其中該第一RF功率、該第二RF功率及該第三RF功率彼此同時提供。
  10. 一種用於清潔一腔室之方法，包含以下步驟： 將一氣體引導至該腔室的一處理空間； 提供具有約40 MHz或更大的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的一蓋； 在該處理空間之中提供具有一第二頻率的一第二RF功率至佈置於一基板支撐件中的一電極，其中該第二頻率為約10 MHz至約20 MHz；及 移除佈置於該腔室的一腔室部件的一表面上的一膜的至少一部分。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該氣體為一含氧氣體。
  12. 如請求項10所述之方法，其中提供該第一RF功率包含以下步驟：提供約1W至約3KW的RF功率。
  13. 如請求項10所述之方法，其中提供該第二RF功率包含以下步驟：提供約1500W至約6000W的RF功率至該電極。
  14. 如請求項10所述之方法，其中從該基板支撐件的一上部表面至該腔室的一蓋的一最上內部表面的一距離為約1英吋至約15英吋。
  15. 如請求項10所述之方法，其中在該移除步驟期間該腔室的一壓力為約0.5 mTorr至約10 Torr。
  16. 一種處理一基板之方法，包含以下步驟： 將一氣體引導至一腔室的一處理空間； 提供具有約40 MHz或更大的一第一頻率的一第一射頻（RF）功率至該腔室的一蓋； 在該處理空間之中提供具有一第二頻率的一第二RF功率至佈置於一基板支撐件中的一電極，其中該第二頻率為約10 MHz至約40 MHz；及 在佈置於該基板支撐件上的該基板上及一腔室部件的至少一個表面上沉積具有約5 KÅ至約3 µm的一厚度的一膜。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該第一RF功率及該第二RF功率彼此同時提供。
  18. 如請求項16所述之方法，其中該氣體包含乙炔。
  19. 如請求項16所述之方法，其中該膜包含非晶碳。
  20. 一種系統，包含在該系統的一記憶體中儲存的一演算法，其中該演算法包含數個指令，當藉由一處理器執行時，造成執行如請求項16所述之方法。
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