TW202229406A - 耐高溫之聚醯亞胺膜 - Google Patents
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Abstract
本發明為一種耐高溫之聚醯亞胺膜，該耐高溫聚醯亞胺膜含有金屬錯合物，該耐高溫聚醯亞胺膜由芳香族二胺與芳香族二酸酐所得之聚醯胺酸經由醯亞胺化後而得，該耐高溫聚醯亞胺膜之玻璃移轉溫度大於310℃，且其高溫310℃下之儲存彈性模數大於等於0.7GPa，且在10GHz下之介電損耗正切(Df)小於0.009，50℃至200℃間的CTE介於-10~10ppm/℃之間。
Description
本發明係關於一種耐高溫之聚醯亞胺膜，特別係指以一種具有較佳的高溫下儲存彈性模數與熱膨脹係數，且維持較好的介電特性。
5G高頻通訊應用中，對於銅箔基板材料的耐溫性與介電性要求越來越嚴格。一般而言，銅箔基板的基本組成為銅箔、聚醯亞胺膜與接著層。銅箔層需附著於接著層之上、接著層介於銅箔與聚醯亞胺膜之間。
現今較好接著層組成為高溫軟化高分子，高溫軟化高分子分為兩種，一種為具有高熔點的結晶性高分子，其熔點通常大於300℃，另一種為非結晶性高分子，非結晶性高分子通常具有大於250℃以上之玻璃轉移溫度。除了高溫軟化的特性外，還需具有吸濕率，以及良好的介電特性以及耐化與耐酸鹼等特性。由於具有高溫才軟化的特性，因此若要將聚醯亞胺層、接著層與銅箔製作成銅箔基板，往往需要很高的壓合溫度。
一般的聚醯亞胺耐溫性良好，玻璃轉移溫度往往可達到350℃以上，但介電特性較差，其介電損耗正切(Df)往往會高於0.017以上，而在5G高頻材料的應用中，至少需要小於0.01才能符合基本應用門檻。因此聚醯亞胺經由配方改良設計後，其介電損耗正切(Df)可以大幅減小，但玻璃轉移溫度與高溫下的機械性質都會下降，尤其在壓合高溫軟化高分子時，需要大於300℃以上的熱壓合溫度，此時聚醯亞胺層
若玻璃轉移溫度(Tg)過低，或是高溫下的彈性儲存模數較低，都會造成壓合上的操作性不佳或產品外觀不良(斜紋，皺褶、垂膜、氣泡)等缺點。
因此本發明提供一種能夠提升聚醯亞胺層在高溫下彈性模數的方法，藉以改善聚醯亞胺層、接著層與銅箔壓合過程中的操作性與外觀良率。
本發明為一種耐高溫之聚醯亞胺膜，該耐高溫聚醯亞胺膜含有金屬錯合物，該耐高溫聚醯亞胺膜其玻璃轉移溫度大於300℃，且高溫310℃下之儲存彈性模數大於等於0.7GPa，且在10GHz下的介電損耗正切(Df)小於0.009，50℃至200℃間的CTE介於-10~10ppm/℃之間。
該金屬錯合物可以為乙醯丙酮鹽類且較優選為乙醯丙酮鋁、乙醯丙酮鋅與乙醯丙酮鋯，三種至少需一種或多種搭配組合。此外，該金屬錯合物添加量需介於該耐高溫聚醯亞胺膜之重量百分比0.1%~5%。
該耐高溫聚醯亞胺膜係由芳香族二胺與芳香族二酸酐形成聚醯胺酸後經由醯亞胺化反應而得，其中芳香族二胺成分可以為2,2'-二(三氟甲基)二氨基聯苯(TFMB)、對苯二胺(PDA)、4,4’-二氨基-2,2’-二甲基-1,1’-聯苯(mTB)、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷(HFBAPP)、2,2'-雙[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷(BAPP)、間苯二胺(mPDA)、N,N'-(2,2'-bis(trifluoromethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(4-aminobenzamide)(AB-TFMB)、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯並惡唑(5BPOA)、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯並咪唑、鄰聯甲苯胺(oTB)、4,4'-二
氨基二苯醚(ODA)、3,4'-二氨基二苯醚(34ODA)、4,4'-二氨基苯醯替苯胺(44DABA)、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基苯基醚(6FODA)、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯(TPEQ)、1,3-雙(4'-氨基苯氧基)苯(TPER)、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯(APB-N)、4,4'-二(4-氨基苯氧基)聯苯(BAPB)。
在耐高溫聚醯亞胺膜中，芳香族二酸酐可以為3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、對-亞苯基-雙苯偏三酸酯二酐(TAHQ)、1,2,4,5-苯四甲酸酐(PMDA)、4,4-六氟異丙基鄰苯二甲酸酐(6FDA)、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)、2,3,3',4'-聯苯四甲酸二酐(α-BPDA)、1,2,3,4-環丁四羧二酐(CBDA)、4,4'-(4,4'-異丙基二苯氧基)二酞酸酐(BPADA)、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)。
上述耐高溫聚醯亞胺膜係由芳香族二胺與芳香族二酸酐形成聚醯胺酸後經由醯亞胺化反應而得，其中醯亞胺化反應為化學璧環方式，
上述由芳香族二胺、芳香族二酸酐與金屬錯合物所組成之耐高溫聚醯亞胺膜，其厚度介於10~100um之間，此該耐高溫聚醯亞胺膜其高溫310℃下之儲存彈性模數大於等於0.7GPa，玻璃轉移溫度大於300℃，該耐高溫聚醯亞胺膜之10GHz下的介電損耗正切(Df)小於0.009，50℃至200℃間的CTE介於-10~10ppm/℃之間。
請參閱第2圖，本發明之聚醯亞胺膜16上可形成一金屬積層體18，金屬基層體18係藉由接著膠層20黏著於聚醯亞胺膜16上。
10:聚醯胺酸製作
12:添加金屬錯合物
14:聚醯亞胺膜製作
16:聚醯亞胺膜
18:金屬積層體
20:接著膠層
第1圖為本發明耐高溫之聚醯亞胺膜之製造流程圖。
第2圖為本發明耐高溫之聚醯亞膜形成有金屬基層體之示意圖。
請參閱第1圖，本發明為一種耐高溫之聚醯亞胺膜，該耐高溫聚醯亞胺膜含有金屬錯合物，其係由芳香族二胺與芳香族二酸酐所得之聚醯胺酸經由醯亞胺化後而得厚度為10~100微米之聚醯壓胺膜，該耐高溫聚醯亞胺膜其玻璃轉移溫度大於300℃，且高溫310℃下之儲存彈性模數大於等於0.7GPa，且在10GHz下的介電損耗正切(Df)小於0.009，50℃至200℃間的CTE介於-10~10ppm/℃之間。
本發明之耐高溫聚醯亞胺膜製作發法分為三大部分，第一部分為聚醯胺酸之製作(10)，該聚醯胺酸為製作聚醯亞胺膜之前驅物。第二部分為添加金屬錯合物於聚醯胺酸內(12)。第三部分為聚醯亞胺膜的製作(14)。
聚醯胺酸的製作係由二酸酐與二胺反應而得，其中反應溶劑為DMAc，除DMAc外，GBL，NMP或NEP皆可做為該聚醯胺酸聚合之溶劑。該聚醯胺酸可以為共聚物，該共聚物表示可用部分二酸胺與二胺形成第一鏈段，之後再投入部分二酸酐與二胺形成第二鏈段，該共聚物可以含有1至5種共聚鏈段，較佳的配方組合為1至3種共聚鏈段。
聚醯胺酸製作流程如下，將二胺成分加入溶劑中，待溶解後加入二酸酐反應，該過程可投入部分二胺與二酸酐作為共聚物之組成，其中二胺莫爾數需大於二酸酐之莫爾數，等待反應充分之後，再投入另一部分二胺，等待溶解後再投入二酸酐，依照特性需要可以再進行第三鏈段之投入，最終總二酸酐與二胺莫爾數比值需介於0.97~1.01間，以維持製膜需要的分子量。
該聚醯胺酸固含量可以為15%至30%，較佳的固含量範圍介於18%至25%間，此外，該聚醯胺酸聚合最終黏度需介於10萬至50萬cps之間，較佳的範圍介於15萬至30萬cps之間，用以維持製膜需要的量與製膜時的操作性。
該聚醯胺酸前驅物製作完成後，在製膜時可用溶劑加以稀釋至合適的塗膜黏度，之後添加金屬錯合物，其中金屬錯合物可以直接添加粉體，也可以將該金屬錯合物溶於溶劑後用液體的方式添加。之後在攪拌的狀態下添加脫水劑與催化劑，其中脫水劑可為醋酸酐，催化劑可以為3-甲基比啶、2-甲基比啶、4-甲基比啶、三乙胺，異喹啉，較佳的催化劑選擇為3-甲基比啶。
由於添加脫水劑與催化劑於聚醯胺酸前驅物內，聚醯胺酸產生閉環反應生成聚醯亞胺，由於聚醯亞胺與溶劑的溶解度較低，因此會導致黏度快速增長，甚至結膠固化。因此在結膠前須完成塗膜程序。適當的稀釋脫水劑與催化劑可以降低結膠的時間，讓塗膜過程能更順利的進行。
將聚醯胺酸前驅物與脫水劑、催化劑混合均勻後，至於脫泡機進行脫泡，脫泡完成後將該膠狀流體放置於基板層上，且用900um間隙的刮刀進行塗佈，該基板層可以為銅箔、金屬板，鋁箔，玻璃。
將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。最終將烘烤完成之樣品從基板層上取下，即完成耐高溫聚醯亞胺膜的製作。
實施例
<檢測方法>
熱膨脹係數(50℃~200℃)：依照ASTM D696規範，使用TA Instruments公司出的型號Q400 TMA儀器量測。量測聚醯亞胺膜在50~200℃時的熱膨脹係數，升溫速率設定為10℃/min。為了除去因熱處理所造成的應力，藉由第一次量測除去殘餘應力後，以第二次量測結果做為實際值。
介電常數Dk(10GHz)：使用Keysight Technologies公司出品型號為E5071C ENA Network Analyzer儀器量測。
與介電損耗正切Df(10GHz)：使用Keysight Technologies公司出品型號為E5071C ENA Network Analyzer儀器量測。
玻璃轉移溫度：使用Metravib公司製造之DMA25儀器量測，將儲存彈性率之拐點(Tan δ之峰值)設為玻璃轉移溫度。
使用Metravib公司製造之DMA25儀器量測，量取310℃下之儲存彈性模數，：
●樣品測定範圍：寬度15mm，夾具間長度20mm
●溫度測定範圍：30℃至400℃
●升溫速度：10℃/分鐘
●Dynamic force：100mN
●頻率：5Hz
●Static force：1N
厚度：使用Elektro Physik公司所製，型號MiniTest 2100儀器進行量測。
<實施例1>
耐高溫聚醯亞胺膜之製造
將7.947克的PDA與5.567克的44DABA，加入429克的N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)，待溶解後加入25.948克的BPDA，攪拌反應一小時且溫度持續維持在25℃，之後再加入23.535克的2,2'-二(三氟甲基)二氨基聯苯(TFMB)，待攪拌溶解後添加10.687克的PMDA，攪拌30分鐘後再加入15.602克的mTB，待攪拌至完全溶解後再緩慢加入30.272克的BPDA，並且溶液的溫度維持為25℃。攪拌12小時後使用微量的BPDA進行黏度調整，最終得到黏度230,000cps且固體含量為22%的聚醯胺酸。
在上述聚醯胺酸中取出60.45克，並使用N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)將固體含量稀釋至19%後添加0.121克的乙醯丙酮鋁，攪拌10分鐘後將醋酸酐與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後依序添加9.4毫升的醋酸酐稀釋液，與7.9毫升的3-甲基吡啶稀釋液，在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
上述所製成之耐高溫聚醯亞胺膜，其50~200℃間的熱膨脹係數為0.4ppm/℃，在10GHz下的介電損耗正切Df 0.0075，Tg 347℃，在310℃下之儲存彈性模數為1.3GPa。
<實施例2>
耐高溫聚醯亞胺膜之製造
製膜之聚醯胺酸的製備方法與<實施例1>相同，在上述聚醯胺酸中取出60.45克，並使用N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)將固體含量稀釋至19%後添加0.383克的乙醯丙酮鋁，攪拌10分鐘後將醋酸酐與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與DMAc以1比1之重
量比進行稀釋之後依序添加9.4毫升的醋酸酐稀釋液，與7.9毫升的3-甲基吡啶稀釋液，在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
上述所製成之耐高溫聚醯亞胺膜，其50℃~200℃間的熱膨脹係數為-0.03ppm/℃，在10GHz下的介電損耗正切Df 0.0079，Tg 340℃，在310℃下之儲存彈性模數為1.8GPa。
<實施例3>
耐高溫聚醯亞胺膜之製造
將7.801克的PDA，加入429克的N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)，待溶解後加入16.979克的BPDA，攪拌反應一小時且溫度持續維持在25oC，之後再加入30.800克的2,2'-二(三氟甲基)二氨基聯苯(TFMB)，待攪拌溶解後添加10.489克的PMDA，攪拌等待30分鐘後再加入15.314克的mTB，待攪拌至完全溶解後再緩慢加入38.202克的BPDA，並且溶液的溫度維持為25℃。攪拌12小時後使用微量的BPDA進行黏度調整，最終得到黏度230,000cps且固體含量為22%的聚醯胺酸。
在上述聚醯胺酸中取出60.45克，並使用N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)將固體含量稀釋至19%後添加0.121克的乙醯丙酮鋁，攪拌10分鐘後將醋酸酐與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後依序添加9.2毫升的醋酸酐稀釋液，與7.8毫升的3-甲基吡啶稀釋液，在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
上述所製成之耐高溫聚醯亞胺膜，其50℃~200℃間的熱膨脹係數為-0.5ppm/℃，在10GHz下的介電損耗正切Df 0.0073，Tg 320℃，在310℃下之儲存彈性模數為0.8GPa。
<實施例4>
耐高溫聚醯亞胺膜之製造
將42.39克的TFMB加入429克的N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)，待完全溶解後緩慢加入14.437克的PMDA，攪拌反應一小時且溫度持續維持在25℃，之後再加入18.735克的mTB，待攪拌溶解後緩慢添加44.464克的BPDA，並且溶液的溫度維持為25℃。攪拌12小時後使用微量的BPDA進行黏度調整，最終得到黏度220,000cps且固體含量為22%的聚醯胺酸。
在上述聚醯胺酸中取出60.45克，並使用N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)將固體含量稀釋至19%添加0.121克的乙醯丙酮鋁，攪拌10分鐘後將醋酸酐與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後依序添加8.4毫升的醋酸酐稀釋液，與7.2毫升的3-甲基吡啶稀釋液，在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
上述所製成之耐高溫聚醯亞胺膜，其50℃~200℃間的熱膨脹係數為-3.8ppm/℃，在10GHz下的介電損耗正切Df為0.0072，Tg 344℃，在310℃下之儲存彈性模數為1.4GPa。
<實施例5>
耐高溫聚醯亞胺膜之製造
製膜之聚醯胺酸的製備方法與<實施例4>相同，在上述<實施例4>之聚醯胺酸中取出60.45克，並使用N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)將固體含量稀釋至19%添加0.121克的乙醯丙酮鋯，攪拌10分鐘後將醋酸酐與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後依序添加8.4毫升的醋酸酐稀釋液，與7.2毫升的3-甲基吡啶稀釋液，在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
上述所製成之耐高溫聚醯亞胺膜，其50℃~200℃間的熱膨脹係數為-4.2ppm/℃，在10GHz下的介電損耗正切Df為0.0074，Tg 322℃，在310℃下之儲存彈性模數為0.7GPa。
<比較例1>
聚醯亞胺膜之製造
製膜之聚醯胺酸的製備方法與<實施例1>相同，在上述聚醯胺酸中取出60.45克，並使用N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)將固體含量稀釋至19%，攪拌10分鐘後將醋酸酐與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後依序添加9.4毫升的醋酸酐稀釋液，與7.9毫升的3-甲基吡啶稀釋液，在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
上述所製成之聚醯亞胺膜其50℃~200℃間的熱膨脹係數為2.0ppm/℃，在10GHz下的介電損耗正切Df為0.0058，Tg 311℃，在310℃下之儲存彈性模數為0.4GPa。
<比較例2>
聚醯亞胺膜
製膜之聚醯胺酸的製備方法與<實施例3>相同，在上述聚醯胺酸中取出60.45克，並使用N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)將固體含量稀釋至19%後添加0.121克的乙醯丙酮鋁，攪拌10分鐘後將醋酸酐與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後依序添加9.2毫升的醋酸酐稀釋液，與7.8毫升的3-甲基吡啶稀釋液，在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再再以2.0℃/min的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
上述所製成之聚醯亞胺膜其50℃~200℃間的熱膨脹係數為1.3ppm/℃，在10GHz下的介電損耗正切Df為0.0072，Tg 325℃，在310℃下之儲存彈性模數為0.5GPa。
<比較例3>
聚醯亞胺膜之製造
製膜之聚醯胺酸的製備方法與<實施例1>相同，在上述聚醯胺酸中取出60.45克，並使用N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)將固體含量稀釋至19%，攪拌10分鐘後將醋酸酐與DMAc以5比1之重量比進行稀釋，再將3-甲基吡啶與DMAc以1比1之重量比進行稀釋之後依序添加8.4毫升的醋酸酐稀釋液，與7.2毫升的3-甲基吡啶稀釋液，在均勻攪拌後使用離心脫泡機進行脫泡，將脫泡後的溶液塗佈到玻璃板後使用900μm間隙之刮刀進行塗佈。將塗佈完成之樣品置放於80℃烘箱烘烤20
分鐘，再以1.8℃/min的速度升溫至170℃烘烤20分鐘後，再以2.0℃/min
的速度升溫至350℃烘烤20分鐘做為最終處理。
上述所製成之聚醯亞胺膜其50℃~200℃間的熱膨脹係數為-5.1ppm/℃，在10GHz下的介電損耗正切Df為0.0075，Tg 320℃，在310℃下之儲存彈性模數為0.4GPa。
實驗比較表
上述特定實施例之內容係為了詳細說明本發明，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本發明。熟習本領域之技藝者可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本發明。所進行之各種變化或修改係落入本發明之一部分。
10:聚醯胺酸製作
12:添加金屬錯合物
14:聚醯亞胺膜製作
Claims (8)
- 一種耐高溫之聚醯亞胺膜，其包括有；一聚醯亞胺膜，其係由芳香族二胺與芳香族二酸酐所得之聚醯胺酸經由醯亞胺化後而得；，一金屬錯合物，其係填充於該聚醯亞胺膜內；以及該耐高溫聚醯亞胺膜其玻璃轉移溫度大於300℃，且高溫310℃下之儲存彈性模數大於等於0.7GPa，且在10GHz下的介電損耗正切(Df)小於0.009，50℃至200℃間的CTE介於-10~10ppm/℃之間。
- 如申請專利範圍第1項所述，其中耐高溫之聚醯亞胺膜之厚度介於10~100μm。
- 如申請專利範圍第1項所述，其中，該金屬錯合物可以為乙醯丙酮鋁(Al(acac)3)，乙醯丙酮鋯(Zr(acac)4)，乙醯丙酮鋅(Zn(acac)2)。
- 如申請專利範圍第1項所述，其中金屬錯合物佔聚耐高溫聚醯亞胺膜之重量百分比0.1%~5%。
- 如申請專利範圍第1項所述，芳香族二胺成分可以為2,2'-二(三氟甲基)二氨基聯苯(TFMB)、對苯二胺(PDA)、4,4’-二氨基-2,2’-二甲基-1,1’-聯苯(mTB)、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷(HFBAPP)、2,2'-雙[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷(BAPP)、間苯二胺(mPDA)、N,N'-(2,2'-bis(trifluoromethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(4-aminobenzamide)(AB-TFMB)、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯並惡唑(5BPOA)、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯並咪唑、鄰聯甲苯胺(oTB)、4,4'-二氨基二苯醚(ODA)、3,4'-二氨基二苯醚(34ODA)、4,4'-二氨基苯醯替苯胺(44DABA)、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基苯基醚(6FODA)、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯(TPEQ)、1,3-雙(4'-氨基苯氧基)苯(TPER)、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯(APB-N)、4,4'-二(4-氨基苯氧基)聯苯(BAPB)。
- 如申請專利範圍第1項所述，芳香族二酸酐成分可以為3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、對-亞苯基-雙苯偏三酸酯二酐(TAHQ)、1,2,4,5-苯四甲酸酐(PMDA)、4,4-六氟異丙基鄰苯二甲酸酐(6FDA)、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)、2,3,3',4'-聯苯四甲酸二酐(α-BPDA)、1,2,3,4-環丁四羧二酐(CBDA)、4,4'-(4,4'-異丙基二苯氧基)二酞酸酐(BPADA)、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)。
- 如申請專利範圍第1項所述，該聚醯亞胺膜由芳香族二胺與芳香族二酸酐所得之聚醯胺酸經由醯亞胺化後而得，其醯亞胺化使用化學閉環法而得
- 一種金屬基層體，其使用如請求項1至7中任一項之耐高溫之聚醯亞胺膜作為基材。
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| TW109146656A TW202229406A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 耐高溫之聚醯亞胺膜 |
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- 2020-12-29 TW TW109146656A patent/TW202229406A/zh unknown
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