TWI783504B - 高分子薄膜及其製造方法（二） - Google Patents

高分子薄膜及其製造方法（二） Download PDF

Info

Publication number
TWI783504B
TWI783504B TW110120201A TW110120201A TWI783504B TW I783504 B TWI783504 B TW I783504B TW 110120201 A TW110120201 A TW 110120201A TW 110120201 A TW110120201 A TW 110120201A TW I783504 B TWI783504 B TW I783504B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal polymer
polymer
film
glue
Prior art date
Application number
TW110120201A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202248357A (zh
Inventor
何宜學
蔡孟穎
Original Assignee
達邁科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 達邁科技股份有限公司 filed Critical 達邁科技股份有限公司
Priority to TW110120201A priority Critical patent/TWI783504B/zh
Priority to US17/752,884 priority patent/US20220389225A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI783504B publication Critical patent/TWI783504B/zh
Publication of TW202248357A publication Critical patent/TW202248357A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/12—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by physical features, e.g. anisotropy, viscosity or electrical conductivity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/38—Polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
    • C09K19/54—Additives having no specific mesophase characterised by their chemical composition
    • C09K19/56—Aligning agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
    • C09K2019/525—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2219/00—Aspects relating to the form of the liquid crystal [LC] material, or by the technical area in which LC material are used
    • C09K2219/11—Aspects relating to the form of the liquid crystal [LC] material, or by the technical area in which LC material are used used in the High Frequency technical field

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Moulding By Coating Moulds (AREA)
  • Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

本發明高分子薄膜，其包括有一液晶聚合物，其包括有可溶型液晶聚合物及不可溶型液晶聚合物；及一聚醯亞胺聚合物；其中，該高分子薄膜具有50℃~200℃之熱膨脹係數介於0~60ppm/℃，吸水率小於0.5%，頻率10GHz下介電損耗正切Df小於0.005，及310℃下儲存彈性模數大於0.1GPa。
本發明高分子薄膜之製造方法，其包括有提供一液晶聚合物微粉，其粒徑為0.1um~20um；一液晶聚合物膠水，其固體含量大於3wt%；一聚醯胺酸膠水；將一液晶聚合物微粉、液晶聚合物膠水及聚醯胺酸膠水混合製作成混合溶液，將該溶液製作成凝膠膜；及將該凝膠膜經大於300℃溫度烘烤而成高分子薄膜，該高分子薄膜具有50℃~200℃之熱膨脹係數介於0~60ppm/℃、吸水率小於0.5%、頻率10GHz下介電損耗正切Df小於0.005，及310℃下儲存彈性模數大於0.1GPa。。

Description

高分子薄膜及其製造方法(二)
本發明為一種高分子薄膜及其製造方法，特別係指一種包含有可溶型液晶聚合物、不可溶型液晶聚合物及聚醯亞胺聚合物者，其具有較佳的薄膜加工性、耐溫性及電氣性質，且其熱膨脹係數較低，可應用高頻材料上。
聚醯亞胺雖具有較佳的薄膜加工性、耐溫性，但其具有電氣性較差且吸水性較高之缺點，因此在5G高頻的應用上會有訊號傳輸較差的問題。
習之一種應用於高頻之薄膜，係以不可溶型液晶聚合物製成，，亦即液晶聚合物不可溶於溶劑，其電氣性質良好，且吸水率低，但由於其熔點高，在加工溫度接近液晶態溫度時(280~330℃)，液晶聚合物薄膜的機械性質會急遽的下降，導致其薄膜在應用於高頻時，在與銅箔貼合製作的加工性非常的困難，經過高溫的貼合製程液晶聚合物薄膜容易型變。且其具有高結晶性與分子順向性，因此在製膜的過程中分子排列容易與塗料方向同向，最終導致薄膜的垂直/水平方向的機械性質差異過大，甚至薄膜在非塗料方向上容易脆裂，在製作上有其相當的困難度。
習知台灣專利第I356834揭露了一種可溶型液晶聚合物製造方法，係將可溶型液晶聚合物溶於有機溶液，再以塗佈的方式製成可溶型液 晶聚合物薄膜，該方法製作出的液晶聚合物薄膜具有非等向性，有較平衡的垂直/水平方向的機械性質。但該方法製作出的液晶聚合物薄膜耐溫性較差，其熱膨脹係數較高(50度~150度的熱膨脹係數大於30ppm/℃以上)，且在其軟化點Tg約180度下薄膜尺寸會發生劇烈變化，在一般軟性電路板使用溫度範圍50~200度熱膨脹係數會大於100ppm/℃以上，其因此在使用上會受到限制。
習知台灣專利第I650358揭露了一種可溶型液晶聚合物薄膜之製造方法，將可溶型液晶聚合物添加液晶聚合物填料，可有效降低可溶型液晶聚合物薄膜之熱膨脹係數至12~25ppm，但，但仍無法改善其在高溫下的儲存彈性模數，因此在後續貼合銅箔製程時容易造成形變與翹曲等問題。
習知台灣專利I383021揭露了一種可溶型液晶聚合物薄膜，其係於可溶型液晶聚合物添加聚醯亞胺，而製程之可溶型液晶聚合物薄膜亦可有效降低薄膜之熱膨脹係數，亦可改善其在高溫下之機械性質。但，添加聚醯亞胺會使吸水率以及介電損耗正切提升，不利於5G高頻軟性電路板的應用。
本發明提供了一種高分子薄膜，其含有液晶聚合物以及聚醯亞胺聚合物，其中，該液晶聚合物包括有可溶型液晶聚合物及不可溶型液晶聚合物，聚醯亞胺聚合物佔該高分子薄膜5wt%以上，其中，該高分子薄膜具有50℃~200℃之熱膨脹係數介於0~60ppm/℃、吸水率小於0.5%、頻率10GHz下介電損耗正切Df小於0.005，及310℃下儲存彈性模數大於0.1GPa。。
本發明提供了一種高分子薄膜之製造方法，其包括提供有：一液晶聚合物微粉，其中該液晶聚合物微粉之粒徑為0.1um~20um；一液晶聚合物膠水，其固體含量大於3wt%；一聚醯胺酸膠水；將一液晶聚合物微粉、一液晶聚合物膠水及一聚醯胺酸膠水混合製作成混合溶液，將該混合溶液製作成凝膠膜，及將該凝膠膜經由大於℃溫度烘烤而成高分子薄膜，該高分子薄膜具有50℃~200℃之熱膨脹係數介300
S1:提供一液晶聚合物微粉
S2:提供一液晶聚合物膠水
S3:提供一聚醯胺酸膠水
S4:形成混合溶液
S5:形成凝膠膜
S6:形成高分子薄膜
第1圖為本發明之高分子薄膜之製造方法之流程圖。
本發明高分子薄膜，其包含有一液晶聚合物及一聚醯亞胺聚合物，其中，液晶聚合物包含有可溶型液晶聚合物及與不可溶型液晶聚合物。
其中，可溶型液晶聚合物係指可溶於有機溶劑，有機溶劑可為二甲基乙醯胺(DMAc)，N-甲基吡咯烷酮(NMP)，N-乙基-2-吡咯烷酮(NEP)，γ-丁內酯(GBL)與N,N-二甲基甲醯胺(DMF)，其溶解度達重量百分濃度3wt%以上較佳為5wt%以上，本發明使用8wt%之可溶型液晶聚合物，較高的固體含量對於塗佈製膜的操作性較好。
可溶型液晶聚合物佔該高分子薄膜重量百分比為30wt%~80wt%：其中，該不可溶型之液晶聚合物佔該高分子薄膜重量百分比為10wt%~60wt%。
其中，該聚醯亞胺聚合物佔該高分子薄膜重量百分比5wt%以上，且其係由使用包含二酸酐成分與二胺成份而獲得者，其中二酸酐或二胺結構內含有酯基官能基。
請參閱第1圖，本發明高分子薄膜之製造方法，其包括提供有：一液晶聚合物微粉，其較佳的粒徑範圍為0.1~20um，更佳為0.1~10um。
一液晶聚合物膠水，其固體含量大於3wt%。
一聚醯胺酸膠水，其係由二酸酐與二胺聚合得，其中二酸酐或二胺須含有酯基官能基。含酯基官能基之二酸酐或二胺結構能夠增加聚醯亞胺與液晶高分子的相容性。
含酯基官能基之二酸酐或二胺單體較佳的占比為聚醯亞胺莫爾數的20%以上，更佳的聚醯亞胺占比為聚醯亞胺莫爾數的50%以上，在本發明中含酯基官能基之二酸酐或二胺莫爾數佔聚醯亞胺莫爾數的100%。
在本發明中，二酸酐或二胺須含有酯基官能基，以二酸酐而言含有酯基官能基之單體如：對-亞苯基-雙苯偏三酸酯二酐(TAHQ)、Cyclohexane-1,4-diylbis(methylene)bis(1,3-dioxo-1,3-dihy-droisobenzofuran-5-carboxylate)(TA-CHDM)、Ethylene glycol bis(trimellitic anhydride)(TMEG)、(4-鄰苯二甲酸酐)甲醯氧基-4-鄰苯二甲酸酯(8CI)，在本發明之實施例中使用對-亞苯基-雙苯偏三酸酯二酐(TAHQ)作為含酯基官能基之二酸酐。
含酯基之二胺可以為，對氨基苯甲酸對氨基苯酯(APAB)、對苯二甲酸二對氨基苯酯(BPTPA)、[4-(4-aminobenzoyl)oxyphenyl]4-aminobenzoate(ABHQ)等，在本發明之實施例中使用對氨基苯甲酸對氨基苯酯(APAB)作為含酯基官能基之二胺。
除了二酸酐或二胺成分須含有酯基官能基外，亦可選用其他種類的單體與含酯基單體相互搭配來調配所需的特性，其中不含酯基之二酸酐成份可以選用1,2,4,5-苯四甲酸酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐(ODPA)、4,4-六氟異丙基鄰苯二甲酸酐(6FDA)、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐(BTDA)、1,2,3,4-環丁四羧二酐(CBDA)、4,4'-(4,4'-異丙基二苯氧基)二酞酸酐(BPADA)、2,3,3',4'-聯苯四甲 酸二酐(α-BPDA)等。
其中不含酯基之二胺成份可以選用對苯二胺(PDA)、4,4'-二氨基二苯醚(ODA)、3,4'-二氨基二苯醚(34ODA)、間苯二胺(mPDA)、4,4'-二氨基二苯碸(44DDS)、3,3'-二氨基二苯碸(33DDS)、4,4’-二氨基-2,2’-二甲基-1,1’-聯苯(mTB)、2,2'-二(三氟甲基)二氨基聯苯(TFMB)、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷(HFBAPP)、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二氨基苯基醚(6FODA)、2,2'-雙[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷(BAPP)、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯(APB-N)、4,4'-二(4-氨基苯氧基)聯苯(BAPB)、1,3-雙(4'-氨基苯氧基)苯(TPER)、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯(TPEQ)、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯(APB-N)、4,4'-二氨基苯醯替苯胺(44DABA)、2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯並惡唑(5BPOA)、N,N'-(2,2'-bis(trifluoromethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(4-aminobenzamide)(AB-TFMB)。
將聚醯胺酸膠水、液晶聚合物膠水以及液晶聚合物微粉相互混和攪拌均勻，可使用額外的有機溶劑調整該混合液之固體含量，藉以調整製膜的厚度與黏度。其中可以混合之有機溶劑可以為二甲基乙醯胺(DMAc)，N-甲基吡咯烷酮(NMP)，N-乙基-2-吡咯烷酮(NEP)，γ-丁內酯(GBL)與N,N-二甲基甲醯胺(DMF)。其中該有機溶劑可以單獨使用也可以兩種以上混合使用。在本發明中，較佳的溶劑為二甲基乙醯胺(DMAc)與N-甲基吡咯烷酮(NMP)，其中更佳的選擇為N-甲基吡咯烷酮(NMP)。
將上述混合溶液添加脫水劑與催化劑，藉以將聚醯胺酸經由化學環化轉變為聚醯亞胺。其中脫水劑可以為醋酸酐或苯甲酸酐，在本發明中選用醋酸酐作為脫水劑；其中催化劑可以為吡啶、3-甲基吡啶,2-甲基吡啶，4-甲基吡啶,異喹啉,喹啉,三乙胺，其中較佳的選擇為吡啶、3-甲基吡啶，2-甲基吡啶,4-甲基吡啶，在本發明中更佳的選擇為3-甲基吡啶，上述催化劑與脫水劑可以與溶劑混合進行稀釋後添加至混合液中，將最終的混合 溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後使用合適間隙之刮刀將除泡後的混合溶液塗佈於玻璃基材上。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於60~80℃烘箱烘烤60~120分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，即完成凝膠膜，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至大於300℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。其中，較佳的烘烤溫度需大於300℃，更佳為大於320℃。
本發明之高分子薄膜，亦可添加其他類型無機類填充物或有機類填充物藉以提升所需功效。例如添加有機的氟化聚合物，如聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯一全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(PFA)等，藉以降低該高分子薄膜之介電常數；又或者可以添加無機類填充物如二氧化矽、氧化鋁等，藉以更加提升該高分子薄膜之耐溫性。
本發明可用於軟性電路基板使用，包含絕緣基材與覆蓋膜，尤其是絕緣基材較佳。
因此本發明可用於與金屬層積物層積之積層板，此種金屬積層板至少包含金屬層與上述高分子薄膜，亦可包含一層介於金屬層與上述高分子薄膜之間的接著層。
金屬層之構成並無特別限定，可使用銅、鎳、鋁、銀等所構成之單質或合金等。其中較佳者為銅。
該金屬層製作方法可以為電鍍法或熱壓法。
實施例 <檢測方法>
下列實施例中所得到的高分子薄膜的各項性質使用以下方法測。
熱膨脹係數(50℃~200℃)：依照ASTM D696規範，使用TA Instruments公司出的型號Q400 TMA儀器量測。量測聚醯亞胺膜在50℃~200℃時的熱膨脹係數，升溫速率設定為10℃/min。為了除去因熱處理所造成的應力，藉由第一次量測除去殘餘應力後，以第二次量測結果做為實際值。
吸水率：將薄膜於120℃烘烤30分鐘後放置於蒸餾水中靜置24小時，將膜取出後使用TA Instruments公司出的型號Discovery TGA 550熱重分析儀量測120℃下持溫30分鐘的重量損失率。
介電損耗正切Df(10GHz)：使用Keysight Technologies公司出品型號為E5071C ENA Network Analyzer儀器量測。本發明之量測方式為：將高分子薄膜於120℃烘箱烘烤30分鐘後取出，靜置於濕度65%之環境中，放置48小時後進行量測。
介電常數Dk(10GHz)：使用Keysight Technologies公司出品型號為E5071C ENA Network Analyzer儀器量測。本發明之量測方式為：將高分子薄膜於120℃烘箱烘烤30分鐘後取出，靜置於濕度65%之環境中，放置48小時後進行量測。
使用Metravib公司製造之DMA25儀器量測，量取310℃下之儲存彈性模數(E’)：
●樣品測定範圍：寬度15mm，夾具間長度20mm
●溫度測定範圍：30℃至400℃
●升溫速度：10℃/分鐘
●Dynamic force：100mN
●頻率：5Hz
●Static force：1N
【實施例1】
聚醯亞胺聚合物：聚醯亞胺由二胺與二酸酐聚合得到聚醯胺酸膠水，該聚醯胺酸膠水後續經由高溫或化學環化的方式閉環而得到聚醯亞胺。聚醯胺酸膠水的製作方式係使用45.711克之APAB溶於412.5克之二甲基乙醯胺中，待完全溶解後緩慢加入90.871克之TAHQ，攪拌48小時後使用微量的TAHQ將溶液黏度調整至185,000cps，即完成固體含量為25wt%之聚醯胺酸膠水。
不可溶型液晶聚合物：使用ENEOS生產之不可溶型液晶聚合物，型號Lf-31P，粒徑為5um之液晶聚合物微粉。
可溶型液晶聚合物：使用固體含量8wt%，溶於NMP內之液晶聚合物膠水。
高分子薄膜之製作
秤取8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)56.25克，加入25wt%聚醯胺酸膠水7.6克，攪拌均勻後添加2.7克液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)，攪拌均勻後添加1.13克的醋酸酐與0.53克的3-甲基吡啶，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用900um間隙之刮刀。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於80℃烘箱烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
該高分子薄膜含有不可溶型液晶聚合物占比30wt%，可溶型液晶聚合物占比50wt%以及聚醯亞胺占比20wt%。
【實施例2】
聚醯亞胺聚合物：聚醯亞胺由二胺與二酸酐聚合得到聚醯胺酸膠水，該聚醯胺酸膠水後續經由高溫或化學環化的方式閉環而得到聚醯亞胺。聚醯胺酸膠水製作方式同實施例1。
不可溶型液晶聚合物：使用ENEOS生產之不可溶型液晶聚合 物，型號Lf-31P，粒徑為5um之液晶聚合物微粉。
可溶型液晶聚合物：使用固體含量8wt%，溶於NMP內之液晶聚合物膠水。
高分子薄膜之製作
將秤取固體含量25wt%之聚醯胺酸溶液6.84克，再加入8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)40.5克，攪拌均勻後添加3.24克之液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)，持續攪拌待溶液均勻後添加1.02克的醋酸酐與0.46克的3-甲基吡啶，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用600um間隙之刮刀進行塗佈。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於80℃烘箱烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
該高分子薄膜含有不可溶型液晶聚合物占比40wt%，溶劑可溶之液晶聚合物占比40wt%以及聚醯亞胺占比20wt%。
【實施例3】
聚醯亞胺聚合物：聚醯亞胺由二胺與二酸酐聚合得到聚醯胺酸膠水，該聚醯胺酸膠水後續經由高溫或化學環化的方式閉環而得到聚醯亞胺。聚醯胺酸膠水製作方式同實施例1。
不可溶型液晶聚合物：使用ENEOS生產之不可溶型液晶聚合物，型號Lf-31P，粒徑為5um之液晶聚合物微粉。
可溶型液晶聚合物：使用固體含量8wt%，溶於NMP內之液晶聚合物膠水。
高分子薄膜之製作
秤取固體含量25wt%之聚醯胺酸溶液11.4克，加入2.85的二甲基乙醯胺，攪拌均勻後再加入8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合 物)33.75克，攪拌均勻後添加3.6克之液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)，持續攪拌待溶液均勻後添加1.70克的醋酸酐與0.77克的3-甲基吡啶，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用600um間隙之刮刀。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於80℃烘箱烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
該高分子薄膜含有不可溶型液晶聚合物占比40wt%，溶劑可溶之液晶聚合物占比30wt%以及聚醯亞胺占比30wt%。
【實施例4】
聚醯亞胺聚合物：聚醯亞胺由二胺與二酸酐聚合得到聚醯胺酸膠水，該聚醯胺酸膠水後續經由高溫或化學環化的方式閉環而得到聚醯亞胺。聚醯胺酸膠水製作方式同實施例1。
不可溶型液晶聚合物：使用ENEOS生產之不可溶型液晶聚合物，型號Lf-31P，粒徑為5um之液晶聚合物微粉。
可溶型液晶聚合物：使用固體含量8wt%，溶於NMP內之液晶聚合物膠水。
高分子薄膜之製作
秤取固體含量25wt%之聚醯胺酸溶液11.82克，加入2.95的二甲基乙醯胺攪拌均勻後再加入8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)46.67克，攪拌均勻後添加2.8克之液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)，持續攪拌待溶液均勻後添加1.75克的醋酸酐與0.80克的3-甲基吡啶，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用900um間隙之刮刀。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於80℃烘箱烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成 凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
該高分子薄膜含有不可溶型液晶聚合物占比30wt%，溶劑可溶之液晶聚合物占比40wt%以及聚醯亞胺占比30wt%。
【實施例5】
聚醯亞胺聚合物：聚醯亞胺由二胺與二酸酐聚合得到聚醯胺酸膠水，該聚醯胺酸膠水後續經由高溫或化學環化的方式閉環而得到聚醯亞胺。聚醯胺酸膠水製作方式同實施例1。
不可溶型液晶聚合物：使用ENEOS生產之不可溶型液晶聚合物，型號Lf-31P，粒徑為5um之液晶聚合物微粉。
可溶型液晶聚合物：使用固體含量8wt%，溶於NMP內之液晶聚合物膠水。
高分子薄膜之製作
秤取固體含量25wt%之聚醯胺酸溶液9.5克，加入2.37的二甲基乙醯胺攪拌均勻後再加入8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)42.19克，攪拌均勻後添加5.63克之液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)，持續攪拌待溶液均勻後添加1.41克的醋酸酐與0.64克的3-甲基吡啶，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用600um間隙之刮刀。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於80℃烘箱烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
該高分子薄膜含有不可溶型液晶聚合物占比50wt%，可溶型液晶聚合物占比30wt%以及聚醯亞胺占比20wt%。
【實施例6】
聚醯亞胺聚合物：聚醯亞胺由二胺與二酸酐聚合得到聚醯胺酸膠水，該聚醯胺酸膠水後續經由高溫或化學環化的方式閉環而得到聚醯 亞胺。聚醯胺酸膠水製作方式同實施例1。
不可溶型液晶聚合物：使用ENEOS生產之不可溶型液晶聚合物，型號Lf-31P，粒徑為5um之液晶聚合物微粉。
可溶型液晶聚合物：使用固體含量8wt%，溶於NMP內之液晶聚合物膠水。
高分子薄膜之製作
秤取固體含量25wt%之聚醯胺酸溶液2.64克，加入8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)62.5克，攪拌均勻後添加0.63克之液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)，持續攪拌待溶液均勻後添加0.39克的醋酸酐與0.18克的3-甲基吡啶，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用1200um間隙之刮刀。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於60度烘箱烘烤30分鐘後升溫至80度烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
該高分子薄膜含有不可溶型液晶聚合物占比10wt%，可溶型液晶聚合物占比80wt%以及聚醯亞胺占比10wt%。
【實施例7】
聚醯亞胺聚合物：聚醯亞胺由二胺與二酸酐聚合得到聚醯胺酸膠水，該聚醯胺酸膠水後續經由高溫或化學環化的方式閉環而得到聚醯亞胺。聚醯胺酸膠水製作方式同實施例1。
不可溶型液晶聚合物：使用ENEOS生產之不可溶型液晶聚合物，型號Lf-31P，粒徑為5um之液晶聚合物微粉。
可溶型液晶聚合物：使用固體含量8wt%，溶於NMP內之液晶聚合物膠水。
高分子薄膜之製作
秤取固體含量25wt%之聚醯胺酸溶液5.28克，加入8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)54.67克，攪拌均勻後添加0.63克之液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)，持續攪拌待溶液均勻後添加0.79克的醋酸酐與0.36克的3-甲基吡啶，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用1200um間隙之刮刀。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於60度烘箱烘烤30分鐘後升溫至80度烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
該高分子薄膜含有不可溶型液晶聚合物占比10wt%，可溶型液晶聚合物占比70wt%以及聚醯亞胺占比20wt%。
【比較例1】
秤取固含量8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)70克，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用900um間隙之刮刀進行塗佈。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於60度烘箱烘烤30分鐘後升溫至80度烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至320℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
【比較例2】
秤取固含量8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)60克，添加2.06克的液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)，持續攪拌待溶液均勻後，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用900um間隙之刮刀進行塗佈。塗佈完成後將塗有混合溶液之 玻璃基板放置於60度烘箱烘烤30分鐘後升溫至80度烘烤60分鐘後取出，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
【比較例3】
使用Kuraray公司製作，牌號Vecstar，型號CTQ-50之溶劑不可溶之液晶聚合物。
【比較例4】
秤取固含量8wt%的液晶聚合物膠水(可溶型液晶聚合物)40.18克，添加25wt%的聚醯胺酸膠水31.66克，攪拌待溶液均勻後，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用900um間隙之刮刀進行塗佈。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於80度烘箱烘烤60分鐘後，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
【比較例5】
秤取25wt%的聚醯胺酸膠水38克，加入9.5克的二甲基以醯胺攪拌均勻，再添加3.86克的液晶聚合物微粉(不可溶型液晶聚合物)攪拌待溶液均勻後，將上述溶液進行離心脫泡排除溶液內氣泡，脫泡完成後將其塗佈於玻璃基材上，使用600um間隙之刮刀進行塗佈。塗佈完成後將塗有混合溶液之玻璃基板放置於80度烘箱烘烤60分鐘後，將半乾燥膜自玻璃基板上取下，完成凝膠膜後，將該凝膠膜固定於金屬框架上，並放入250℃烘箱烘烤10分鐘，再升溫至340℃烘烤60分鐘後完成高分子薄膜之製作。
實施例與比較例表格比較如下：
Figure 110120201-A0305-02-0017-1
上述特定實施例之內容係為了詳細說明本發明，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本發明。熟習本領域之技藝者可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本發明。所進行之各種變化或修改係落入本發明之一部分。
S1:提供一液晶聚合物微粉
S2:提供一液晶聚合物膠水
S3:提供一聚醯胺酸膠水
S4:形成混合溶液
S5:形成凝膠膜
S6:形成高分子薄膜

Claims (3)

  1. 一種高分子薄膜，其包括有：一液晶聚合物，其包括有可溶型液晶聚合物及不可溶型液晶聚合物；可溶型液晶聚合物係指液晶聚合物可溶於有機溶劑，且溶解度達重量百分濃度3wt%以上，該可溶型之液晶聚合物佔該高分子薄膜重量百分比為30wt%~80wt%，該不可溶型之液晶聚合物佔該高分子薄膜重量百分比為10wt%~60wt%；及一聚醯亞胺聚合物，該聚醯亞胺聚合物佔該高分子薄膜重量百分比5wt%以上；其中，該高分子薄膜具有50℃~200℃之熱膨脹係數介於0~60ppm/℃、吸水率小於0.5%、頻率10GHz下介電損耗正切Df小於0.005，及310℃下儲存彈性模數大於0.1GPa。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高分子薄膜，其中，該有機溶劑可為二甲基乙醯胺(DMAc)，N-甲基吡咯烷酮(NMP)，N-乙基-2-吡咯烷酮(NEP)，γ-丁內酯(GBL)與N,N-二甲基甲醯胺(DMF)。
  3. 如申請專利範圍1項所述之高分子薄膜，其中，該聚醯亞胺聚合物係使用包含二酸酐成分與二胺成份而獲得者，其中二酸酐或二胺結構內含有酯基官能基。
TW110120201A 2021-06-03 2021-06-03 高分子薄膜及其製造方法（二） TWI783504B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110120201A TWI783504B (zh) 2021-06-03 2021-06-03 高分子薄膜及其製造方法（二）
US17/752,884 US20220389225A1 (en) 2021-06-03 2022-05-25 Polymer film and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110120201A TWI783504B (zh) 2021-06-03 2021-06-03 高分子薄膜及其製造方法（二）

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI783504B true TWI783504B (zh) 2022-11-11
TW202248357A TW202248357A (zh) 2022-12-16

Family

ID=84284924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110120201A TWI783504B (zh) 2021-06-03 2021-06-03 高分子薄膜及其製造方法（二）

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220389225A1 (zh)
TW (1) TWI783504B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200607826A (en) * 2004-05-28 2006-03-01 Sumitomo Chemical Co Film and laminate of the same
TW201915094A (zh) * 2017-09-14 2019-04-16 佳勝科技股份有限公司 液晶高分子組成物及高頻複合基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200607826A (en) * 2004-05-28 2006-03-01 Sumitomo Chemical Co Film and laminate of the same
TW201915094A (zh) * 2017-09-14 2019-04-16 佳勝科技股份有限公司 液晶高分子組成物及高頻複合基板

Also Published As

Publication number Publication date
US20220389225A1 (en) 2022-12-08
TW202248357A (zh) 2022-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI498364B (zh) 低介電常數及低光澤度之聚醯亞胺膜及其製備方法
KR101928598B1 (ko) 폴리이미드 필름 및 그 제조방법
TW201702312A (zh) 聚醯亞胺樹脂及其製造方法與薄膜
TWI765392B (zh) 聚醯亞胺薄膜、其製造方法及包含其的多層薄膜、可撓性金屬箔層壓板和電子部件
US20160096952A1 (en) Polyimide resin and polyimide film produced therefrom
JP2024059887A (ja) 金属張積層板の製造方法
TW202016174A (zh) 透明聚醯亞胺膜
TW202140622A (zh) 樹脂膜、覆金屬層疊板及電路基板
TW202118817A (zh) 高彈性及高耐熱之聚醯亞胺薄膜及其製造方法
JP7375749B2 (ja) ポリアミド－イミド樹脂、ポリアミド－イミドワニス及びポリアミド－イミドフィルム
TWI786659B (zh) 高分子薄膜及其製造方法（一）
TW202126128A (zh) 覆金屬層疊板及電路基板
TW202118814A (zh) 聚醯亞胺薄膜、其製造方法及包含其的多層薄膜、可撓性金屬箔層壓板和電子部件
CN114072451A (zh) 聚酰胺酸组合物、制备聚酰胺酸组合物的方法、包含该组合物的聚酰亚胺
TWI783504B (zh) 高分子薄膜及其製造方法（二）
TW202319444A (zh) 聚醯胺酸、聚醯亞胺、聚醯亞胺膜、金屬包覆積層板及電路基板
CN115505262B (zh) 高分子薄膜及其制造方法
CN115505261B (zh) 高分子薄膜及其制造方法
JP6994712B2 (ja) γ－ブチロラクトン溶媒中で重合した可溶性透明ポリイミド
JP6846148B2 (ja) ポリイミド前駆体溶液及びその製造方法並びにポリイミドフィルムの製造方法及び積層体の製造方法
TWI827897B (zh) 低介電損失之聚醯亞胺膜
CN114763436B (zh) 一种低介电损失之聚酰亚胺膜
JP6932349B2 (ja) 溶媒可溶性ポリイミドおよびポリイミド溶液組成物
WO2023199718A1 (ja) 共重合ポリイミド
JP2007099843A (ja) 新規なポリイミド樹脂