TW202228269A - 晶片移轉方法與製造led顯示器的方法 - Google Patents

晶片移轉方法與製造led顯示器的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202228269A
TW202228269A TW109147026A TW109147026A TW202228269A TW 202228269 A TW202228269 A TW 202228269A TW 109147026 A TW109147026 A TW 109147026A TW 109147026 A TW109147026 A TW 109147026A TW 202228269 A TW202228269 A TW 202228269A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting
substrate
wafer transfer
chips
Prior art date
Application number
TW109147026A
Other languages
English (en)
Inventor
廖建碩
黃聖哲
黃育民
王智正
Original Assignee
台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣愛司帝科技股份有限公司 filed Critical 台灣愛司帝科技股份有限公司
Priority to TW109147026A priority Critical patent/TW202228269A/zh
Priority to US17/516,717 priority patent/US20220209082A1/en
Publication of TW202228269A publication Critical patent/TW202228269A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明公開一種晶片移轉方法與製造LED顯示器的方法。製造LED顯示器的方法包含晶片移轉方法。晶片移轉方法包括: 將多個發光晶片移轉至一基板上；提供電源給多個發光晶片；移動多個發光晶片，以使得全部或者大部分的多個發光晶片產生光源；以及將產生光源的多個發光晶片固定在基板上。

Description

晶片移轉方法與製造LED顯示器的方法
本發明涉及一種晶片移轉方法與製造LED顯示器的方法，特別是涉及一種能夠在固晶前偵測晶片是否正常對位的晶片移轉方法與製造LED顯示器的方法。
一般來說，要將大量的發光二極體(LED)晶片整齊地焊接在電路基板上，其製程通常涉及以下幾個步驟:對位、壓合、焊接以及通電點亮。依照這些步驟的次序，能夠進行大量晶片轉移。
在大量晶片的轉移過程中，難免會出現少量的發光二極體晶片由於對位不齊而造成無法點亮的情形發生。然而，由於受限於現有技術的製程以及設備的缺陷，技術人員無法及時發現及改善會出現少量的發光二極體晶片位不齊的情形。當發現有少量的發光二極體晶片無法點亮時，這些少量的發光二極體晶片已經焊接在電路基板上，需要額外花費時間、金錢及人力成本進行補救。
故，如何通過結構設計的改良，來提升發光二極體晶片在大量轉移過程中的成功率，來克服上述的缺陷，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種晶片移轉方法。
為了解決上述的技術問題，本發明提供一種晶片移轉方法，其包括：將多個發光晶片移轉至一基板上；提供電源給多個發光晶片；移動多個發光晶片，以使得全部或者大部分的多個發光晶片產生光源；以及將產生光源的多個發光晶片固定在基板上。
為了解決上述的技術問題，本發明提供一種製造LED顯示器的方法，其包括上述的晶片移轉方法。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的晶片移轉方法與製造LED顯示器的方法，其能通過“移動多個發光晶片，以使得全部或者大部分的多個發光晶片產生光源”以及“將產生光源的多個發光晶片固定在基板上”的技術方案，以提升發光二極體晶片轉移過程中的良率。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“晶片移轉方法與製造LED顯示器的方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
參閱圖1至圖4所示，圖1至圖4分別示出本發明第一實施例的晶片移轉方法在各製程階段的示意圖。本發明所提供的晶片移轉方法的步驟可先行參閱圖9所示，其主要包括:
步驟S1:將多個發光晶片C移轉至一基板1上；
步驟S2:提供電源給多個發光晶片C；
步驟S3:移動多個發光晶片C，以使得全部或者大部分的多個發光晶片C產生光源；
步驟S4:將產生光源的多個發光晶片C固定在基板1上；
步驟S5:將沒有產生光源的發光晶片C移開基板1；
步驟S6: 將新的發光晶片C補入因移除沒有產生光源的發光晶片C而產生的空缺位置。
本發明所提供的晶片移轉方法主要通過一晶片移轉系統來加以實現。所述的晶片移轉系統包括基板1、電源供應模組2、固晶模組3、晶片移轉模組4以及承載板5。基板1放置在一承載台上，基板1表面具有多組導電焊墊組件，每一導電焊墊組件包括兩個導電焊墊11、12。電源供應模組2電性連接基板1。固晶模組3與晶片移轉模組4設置在基板1上方，在本實施例中，晶片移轉模組4為一承載結構，用以承載並帶動承載板5，承載板5的一表面連接於晶片移轉模組4，另一表面具有一黏著層51。
具體來說，如圖1與圖2所示，多個發光晶片C在移轉至基板1之前是被黏附在承載板5的黏著層51上。本發明不以發光晶片C是否經過封裝製程而限制。也就是說，發光晶片C可為未經封裝的LED晶片(裸晶)，也可以為經過封裝的LED晶片(形成一LED晶片封裝結構)。接著，多個發光晶片C是透過晶片移轉模組4(承載結構)而同時移轉至基板1上。電源供應模組2提供電源給多個發光晶片C，使得多個發光晶片C產生光源。然而，在大量晶片的移轉過程中，難免出現少數的發光晶片C由於對位不齊而造成無法產生光源的情形發生，如圖2中的右邊三個發光晶片C。此時，此三個發光晶片C透過晶片移轉模組4的小範圍晃動而同時進行水平移動，以使得該三個發光晶片C中的其中二個產生光源，僅剩下最右邊的發光晶片C(如圖3所示)仍然因為對位不齊而無法產生光源。接著，如圖3與圖4所示，固晶模組3將產生光源的多個發光晶片C固定在基板1上，固晶模組3可為一用以產生雷射光的雷射產生設備。之後，晶片移轉模組4將沒有產生光源的最右邊發光晶片C移開基板1，並且晶片移轉模組4再將新的發光晶片C補入因移除沒有產生光源的發光晶片C而產生的空缺位置。
進一步來說，產生光源的多個發光晶片C被固定在基板1上之後，產生光源的多個發光晶片C透過晶片移轉模組4(承載結構)的移動而脫離承載板5的黏著層51的黏附。發光晶片C具有兩個導電接點C1、C2，兩個導電接點C1、C2分別透過兩個導電體6而分別電性連接於基板1的兩個導電焊墊11、12，且導電體6透過固晶模組3所產生的雷射光源的照射而固化。舉例來說，兩個導電體6可為放置在導電焊墊11、12上的兩個錫球，但本發明不限於此。在其他實施例中，兩個導電體6也可以是分別塗佈在兩個導電接點C1、C2上的錫層。
值得一提的是，當發光晶片C以非發光的電子晶片（例如電阻、電容）取代時，本發明所提供的晶片移轉方法，其包括：首先，將多個晶片移轉至一基板1上；接著，分別提供多個饋入訊號給多個晶片；然後，移動多個晶片，以使得全部或者大部分的多個晶片分別產生多個回饋訊號（也就是饋入訊號通過相對應的晶片後所產生的回傳訊號）；接下來，將產生回饋訊號的晶片固定在基板1上；然後，將沒有產生回饋訊號的晶片移開基板1；最後，將新的晶片補入因移除沒有產生回饋訊號的晶片而產生的空缺位置。
[第二實施例]
參閱圖5至圖8所示，圖5至圖8分別示出本發明第二實施例的晶片移轉方法在各製程階段的示意圖。
第二實施例中在各製程階段與第一實施例上的製程階段基本上相同。第二實施例的晶片移轉系統包括基板1、電源供應模組2、固晶模組3、晶片移轉模組4以及承載板5，其與第一實施例的晶片移轉系統的主要差異在於，第二實施例中所採用的晶片移轉模組4為用於吸附且帶動發光晶片C的一吸附結構。多個發光晶片C在移轉至基板1之前被晶片移轉模組4(吸附結構)所吸附。也就是說，當晶片移轉模組4為吸附結構時不需要通過承載板5即能夠直接吸附且移動多個發光晶片C。多個發光晶片C是透過晶片移轉模組4(吸附結構)而同時移轉至基板1上，每一發光晶片C的兩個導電接點C1、C2分別透過兩個導電體6(可為錫球或錫層)而分別電性連接於基板1的兩個導電焊墊11、12。電源供應模組2提供電源給多個發光晶片C，使得多個發光晶片C產生光源。然而，在大量晶片的移轉過程中，難免出現少數的發光晶片C由於對位不齊而造成無法產生光源的情形發生，如圖6中的右邊三個發光晶片C。此時，此三個發光晶片C透過晶片移轉模組4的小範圍晃動而同時進行水平移動，以使得該三個發光晶片C中的其中二個產生光源，僅剩下最右邊的發光晶片C(如圖7所示)仍然因為對位不齊而無法產生光源。
接著，產生光源的多個發光晶片C通過固晶模組3所發出的雷射光照射兩個導電體6而固定在基板1上之後，產生光源的多個發光晶片C透過破真空而脫離晶片移轉模組4(吸附結構)的吸附。之後，晶片移轉模組4將沒有產生光源的最右邊發光晶片C移開基板1，並且晶片移轉模組4再將新的發光晶片C補入因移除沒有產生光源的發光晶片C而產生的空缺位置。
[第三實施例]
本發明提供一種製造LED顯示器的方法，其包括上述的晶片移轉方法，所述方法包括:
步驟S1:將多個發光晶片C移轉至一基板1上；
步驟S2:提供電源給多個發光晶片C；
步驟S3:移動多個發光晶片C，以使得全部或者大部分的多個發光晶片C產生光源；
步驟S4:將產生光源的多個發光晶片C固定在基板1上；
步驟S5:將沒有產生光源的發光晶片C移開基板1；
步驟S6: 將新的發光晶片C補入因移除沒有產生光源的發光晶片C而產生的空缺位置。
[實施例的有益效果]
本發明的另一有益效果在於，本發明所提供的晶片移轉方法與製造LED顯示器的方法，其能通過“移動多個發光晶片C，以使得全部或者大部分的多個發光晶片C產生光源”以及“將產生光源的多個發光晶片C固定在基板1上”的技術方案，以提升大量的發光晶片C在轉移過程中的良率。
更進一步來說，由於發光晶片C可能因為未能準確將發光晶片C的導電接點C1、C2與基板1的兩個導電焊墊11、12上的導電體6進行對位並且接觸(接觸不完全或甚至沒接觸)，因此導電接點C1、C2與兩個導電焊墊11、12上的導電體6之間無法電性連接，而造成無法發光或者發光功率大幅降低(即發出的光線相當微弱)。因此，本發明所提供的晶片移轉方法能夠在發光晶片20尚未焊接固定到基板1上時，及時發現對位不齊的發光晶片20並且通過晶片移轉模組4的水平移動，以重新調整對位不齊的發光晶片20與基板1的兩個導電焊墊11、12上的導電體6上的接觸，使兩者能夠達到電性連接。相較於現有技術，本發明所提供的晶片移轉方法不需要額外花費時間、金錢及人力成本，是一極具實用性的改良。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
1:基板 11、12:導電焊墊 2:電源供應模組 C:發光二極體晶片 C1、C2:導電接點 3:固晶模組 4:晶片移轉模組 5:承載板 51:黏著層 6:導電體
圖1為本發明第一實施例的晶片移轉方法的第一示意圖。
圖2為本發明第一實施例的晶片移轉方法的第二示意圖。
圖3為本發明第一實施例的晶片移轉方法的第三示意圖。
圖4為本發明第一實施例的晶片移轉方法的第四示意圖。
圖5為本發明第二實施例的晶片移轉方法的第一示意圖。
圖6為本發明第二實施例的晶片移轉方法的第二示意圖。
圖7為本發明第二實施例的晶片移轉方法的第三示意圖。
圖8為本發明第二實施例的晶片移轉方法的第四示意圖。
圖9為本發明的晶片移轉方法的步驟S1至S6的示意圖。
1:基板
11、12:導電焊墊
2:電源供應模組
C:發光二極體晶片
C1、C2:導電接點
3:固晶模組
4:晶片移轉模組
5:承載板
51:黏著層
6:導電體

Claims (10)

  1. 一種晶片移轉方法，其包括： 將多個發光晶片移轉至一基板上； 提供電源給多個所述發光晶片； 移動多個所述發光晶片，以使得全部或者大部分的多個所述發光晶片產生光源；以及 將產生光源的多個所述發光晶片固定在所述基板上。
  2. 如請求項1所述的晶片移轉方法，進一步包括： 將沒有產生光源的所述發光晶片移開所述基板；以及 將新的發光晶片補入因移除沒有產生光源的所述發光晶片而產生的空缺位置。
  3. 如請求項2所述的晶片移轉方法，其中，多個所述發光晶片是透過一晶片移轉模組而同時移轉至所述基板上，多個所述發光晶片是透過所述晶片移轉模組而同時進行水平移動，沒有產生光源的所述發光晶片是透過所述晶片移轉模組而移開所述基板，且新的所述發光晶片是透過所述晶片移轉模組而補入所述空缺位置。
  4. 如請求項3所述的晶片移轉方法，其中，所述晶片移轉模組為用於承載並帶動一承載板的一承載結構，且多個所述發光晶片在移轉至所述基板之前被黏附在所述承載板的一黏著層上；其中，產生光源的多個所述發光晶片被固定在所述基板上之後，產生光源的多個所述發光晶片透過所述承載結構的移動而脫離所述承載板的所述黏著層的黏附。
  5. 如請求項3所述的晶片移轉方法，其中，所述晶片移轉模組為用於吸附且帶動所述發光晶片的一吸附結構，且所述發光晶片在移轉至所述基板之前被所述吸附結構所吸附；其中，產生光源的多個所述發光晶片被固定在所述基板上之後，產生光源的多個所述發光晶片透過破真空而脫離所述吸附結構的吸附。
  6. 如請求項2所述的晶片移轉方法，其中，多個所述發光晶片是透過一電源供應模組而得到電源供應，且所述電源供應模組電性連接於所述基板，以用於提供電源給多個所述發光晶片。
  7. 如請求項6所述的晶片移轉方法，其中，多個所述發光晶片是透過一固晶模組而固定在所述基板上，所述發光晶片的兩個導電接點分別透過兩個導電體而分別電性連接於所述基板的兩個導電焊墊，且所述導電體透過所述固晶模組所產生的雷射光源的照射而固化。
  8. 如請求項1所述的晶片移轉方法，其中，所述發光晶片係為未經封裝或者經過封裝的LED晶片。
  9. 一種製造LED顯示器的方法，其係包括如請求項1所述的晶片移轉方法。
  10. 一種晶片移轉方法，其包括： 將多個晶片移轉至一基板上； 分別提供多個饋入訊號給多個所述晶片； 移動多個所述晶片，以使得全部或者大部分的多個所述晶片分別產生多個回饋訊號；以及 將產生所述回饋訊號的所述晶片固定在所述基板上。
TW109147026A 2020-12-31 2020-12-31 晶片移轉方法與製造led顯示器的方法 TW202228269A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109147026A TW202228269A (zh) 2020-12-31 2020-12-31 晶片移轉方法與製造led顯示器的方法
US17/516,717 US20220209082A1 (en) 2020-12-31 2021-11-02 Method for transferring chips and method for manufacturing led display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109147026A TW202228269A (zh) 2020-12-31 2020-12-31 晶片移轉方法與製造led顯示器的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202228269A true TW202228269A (zh) 2022-07-16

Family

ID=82119662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109147026A TW202228269A (zh) 2020-12-31 2020-12-31 晶片移轉方法與製造led顯示器的方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220209082A1 (zh)
TW (1) TW202228269A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20220209082A1 (en) 2022-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI380483B (en) Led device and method of packaging the same
TW201541600A (zh) 三維積體電路封裝體
TW487995B (en) Assembly jig and manufacturing method of multilayer semiconductor device
TW200504952A (en) Method of manufacturing semiconductor package and method of manufacturing semiconductor device
KR20000035020A (ko) 소형화된 반도체 패키지 장치
US11222829B2 (en) Electronic device mounting structure and mounting device to mount such electronic device
KR20150033937A (ko) 반도체 패키지 및 그 제작 방법
US20240072033A1 (en) Bonding and transferring method for die package structures
TWI688317B (zh) 發光二極體晶片的固接方法及固接裝置
TW201933624A (zh) 光源模組
TW202228269A (zh) 晶片移轉方法與製造led顯示器的方法
JP2001244508A (ja) 表面実装ｌｅｄのパッケージおよびその製造方法
CN110265307A (zh) 制造半导体封装方法及其封装结构
KR102503855B1 (ko) 매트릭스 배열 마이크로 칩 모듈 및 그 제조방법
CN101640245A (zh) 发光二极管的芯片倒装焊封装方法
TW202205480A (zh) 半導體器件安裝裝置
CN220290830U (zh) 一种led陶瓷支架、led封装结构及led模组
CN217604003U (zh) 光电子器件、led光源和车灯
CN220796789U (zh) 一种实现控制芯片和led发光芯片集成的叠层封装结构
TW515063B (en) IC package device capable of improving signal quality
TW201117437A (en) Method for packaging light-emitting diode
CN210984725U (zh) 一种集成式的led面光源装置
KR20100093857A (ko) 가열부를 갖는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 다이 본딩 방법
KR100709129B1 (ko) 플립 칩 패키지 제조 방법
TWM624043U (zh) 用於轉移電子元件的裝置