TW202226911A - 銅構件、印刷佈線板用導體、印刷佈線板用構件、印刷佈線板、印刷電路板及該等的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之銅構件係具有上面、下面及側面之銅構件，該上面與該下面平行，該上面及該下面各具有第一相對邊及第二相對邊，該第一相對邊的長度係比該第二相對邊的長度長，該第一相對邊為平行，垂直於該上面且於該第一相對邊之直線部分垂直於該直線之截面中的規定比例，或於該第一相對邊之曲線部分與該曲線的切線垂直之截面中的規定比例，該等比例中，來自該上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自該側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自該上面之線段所成的角度為未滿90°。

Description

銅構件、印刷佈線板用導體、印刷佈線板用構件、印刷佈線板、印刷電路板及該等的製造方法

本發明係關於一種銅構件、印刷佈線板用導體、印刷佈線板用構件、印刷佈線板、印刷電路板及該等的製造方法。

隨著電子機器的小型化，由印刷佈線板及電子零件構成之印刷電路板亦有發展佈線的多層化及高密度化。為了高密度化，印刷佈線板的導體佈線之微細化亦有進展。另一方面，印刷佈線板由於佈線的多層化，已知熱膨脹係數不同之樹脂與導體佈線積層導致產生彎曲，此時產生之應力導致樹脂與銅佈線之間發生剝離，或降伏應力小之樹脂部產生裂痕等問題。為了解決此問題，有重新進行對樹脂層之層結構探討（日本特開2005-223226號公報）。

此導體佈線之形成方法可對應所需的佈線寬度，使用SAP（Semi-Additive Process）、MSAP（Modified Semi-Additive Process）或減成法等。以減成法形成佈線係最低成本，但微細佈線之形成有其極限。因此，需要以減成法對微細佈線化之應對。

減成法中，以蝕刻液對銅箔溶解佈線圖案以外之非必要部分，藉此形成佈線圖案。具體而言，首先為了得到與塗佈於銅箔之光阻的密著性，對貼附於整面樹脂基材之銅箔表面施予軟性蝕刻及黑化處理等。之後，將光阻塗佈成所需之佈線形狀後，使用氯化鐵溶液、氯化銅溶液、過氧化氫－硫酸系等溶解銅之蝕刻液，溶解未被光阻覆蓋之部分的銅。

以蝕刻液溶解銅時，銅及銅氧化物形成銅箔表面，故銅箔由表面以均一的速度溶解。此時越接近銅箔表面則溶解越多，故未溶解而殘留之銅佈線係下部比上部寬，銅佈線的截面形狀形成梯形（日本特開2010-267891號公報）。又，梯形的佈線由於底部寬，故若蝕刻不足則銅佈線會短路，為了防止短路而強化蝕刻則佈線上面變得極端地細，以導體電路而言不佳。因此，微細化很困難。為了防止佈線上面窄縮，已有藉由在蝕刻時於電路上面形成蝕刻速率慢之鈷或鎳層，來控制佈線形狀的技術（日本特開2002-176242號公報）。

在此，本發明之目的係提供一種新穎的銅構件、使用該銅構件之印刷佈線板用導體、印刷佈線板用構件、印刷佈線板、印刷電路板及該等的製造方法。

經本發明的發明人等致力研究，發現可製造一種銅構件，具有上面、下面及側面，該上面與該下面平行，垂直於該上面之規定截面中，來自該上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自該側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自該上面之線段所成的角度為未滿90°，進而完成本發明。 本發明之一實施態樣係一種銅構件，具有上面、下面及側面，該上面與該下面平行，該上面及該下面各具有第一相對邊及第二相對邊，該第一相對邊的長度係比該第二相對邊的長度長，該第一相對邊為平行，垂直於該上面且於該第一相對邊之直線部分垂直於該直線之截面中的規定比例中，或於該第一相對邊之曲線部分與該曲線的切線垂直之截面中的規定比例中，來自該上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自該側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自該上面之線段所成的角度為未滿90°。該截面中，來自該下面之線段的長度相對於來自該上面之線段的長度之比例可小於1.4。該截面中，來自該下面之線段的長度相對於來自該上面之線段的長度之比例可小於1.0。平行於該上面及該下面之截面的面積係可在該上面與該下面之間隔的40～60%之間的規定部分最小。該銅構件包含由該下面往該上面依序積層之第一層及第二層，形成該第一層之第一金屬相較於形成該第二層之第二金屬，可具有藉由形成該銅構件之蝕刻方法被快速去除的特性。該第一金屬可包含銅。該第二金屬可包含鎳。該第二層的附著量可為0.5～9.0 mg/dm ²。該第二層可為鍍敷皮膜。該蝕刻方法可包含酸處理。該銅構件的寬度可為100 μm以下。 本發明之其他實施態樣係一種印刷佈線板用導體，由上述任一個銅構件形成。 本發明之又一實施態樣係一種印刷佈線板用構件，包含：上述印刷佈線板用導體；及絕緣體，係積層於該導體的底面。 本發明之另一實施態樣係一種印刷佈線板，包含上述任一個印刷佈線板用構件。該印刷佈線板用構件係能以該導體間的間隔為100 μm以下之方式形成佈線。 本發明之其他實施態樣係一種印刷電路板，包含電子零件及上述任一個印刷佈線板。 本發明之又一實施態樣係印刷佈線板用構件的製造方法，為上述任一個印刷佈線板用構件的製造方法，具有：在包含第一金屬之導體箔的表面形成第二層的步驟；在與該導體箔的形成有該第二層的面為相反側之面積層該絕緣層的步驟；在該導體箔的形成有該第二層之面形成光阻層的步驟；將形成有該光阻層之該導體箔蝕刻處理的步驟；及由經該蝕刻處理之該導體箔去除該光阻層的步驟。

與相關文獻之交互參照：本申請案係基於2020年12月25日申請之日本特許出願2020-218004主張優先權，藉由引用該基礎申請案而包含於本說明書。

以下關於本發明的較佳實施形態，使用附加圖式詳細地說明，但本發明不限定於此。又，根據本說明書的記載，發明所屬技術領域中具有通常知識者係明瞭本發明的目的、特徵、優點及其構思，發明所屬技術領域中具有通常知識者可容易地根據本說明書的記載重現本發明。以下記載之發明的實施形態及具體實施例等，係表示本發明的較佳實施態樣，用於例示及說明，不用以限定本發明。發明所屬技術領域中具有通常知識者係明瞭，在本說明書所揭示之本發明的意圖及範圍內，可基於本說明書的記載進行各種變更及修飾。

＜銅構件＞ 本發明之一實施形態為具有上面、下面及側面之銅構件，上面與下面平行，上面及下面各具有第一相對邊及第二相對邊，第一相對邊的長度係與第二相對邊的長度相同或比第二相對邊的長度長，第一相對邊為平行，垂直於上面且於第一相對邊之直線部分垂直於直線之截面中的規定比例，或於第一相對邊之曲線部分與曲線的切線垂直之截面中的規定比例，該等比例中，來自上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自上面之線段所成的角度為未滿90°。此外，本說明書中，「平行」或「垂直」不僅包含完全的平行或垂直，亦包含由完全的平行或垂直至±10°。又，只要有4個角，則即使邊為曲線亦稱為「四角形」，其四角形中，若上邊的角之間的直線距離比下邊的角之間的直線距離長，稱為「梯形」。

銅構件可為印刷佈線板的銅佈線等結構物的一部分。例如，將整體之銅佈線切出上面及下面為四角形之部分亦可。亦即，結構物的一部分具有本說明書規定之結構即可。

上面及下面各具有第一相對邊及第二相對邊。上面的第一相對邊係上面與側面交叉而形成之線，下面的第一相對邊係下面與側面交叉而形成之線。第一相對邊只要為平行即可，可分別為直線或曲線。切斷第一相對邊之截面的規定比例中，來自上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自上面之線段所成的角度為未滿90°。

此截面中，來自下面之線段的長度相對於來自上面之線段的長度之比例不特別限定，較佳為小於1.4，更佳為小於1.2，又較佳為小於1.0。此數值越大則下面的寬度越寬，難以進行微細化。惟，銅構件可不用所有截面均為此構造，截面中的規定比例滿足此構造即可。

又，該等截面中，將平行於來自上面之線段的直線與來自側面之兩條線段的兩個交點連接之線段，較佳係在與來自上面之線段及來自下面之線段相隔幾乎等距離時最短。具體而言，完全等距離之中央作為0%，至來自上面之線段或來自下面之線段為止之距離作為100%時，該線段較佳位於0～20%之位置，更佳位於0～10%之位置，又較佳位於0～5%之位置。惟，銅構件可不用所有截面均為此構造，截面中的規定比例滿足此構造即可。在此，規定比例在各情況下可不相同，較佳為10%以上，更佳為30%以上，又較佳為50%以上，又更佳為70%以上，再較佳為90%以上。

銅構件的寬度不特別限定，較佳為100μm以下，更佳為75μm以下，又較佳為50μm以下，又更佳為40μm以下，再較佳為30μm以下，再更佳為20μm以下，又較佳為10μm以下。

上述截面的寬度係可在上面與下面之間隔的40～60%之間的規定部分最狹窄，較佳為在45～55%之間的規定部分最狹窄。又，此比例係表示使上面與下面之間隔為100%時的由上面起算之距離的比例。上述規定部分的窄縮率（＝［上述規定部分的寬度／上面及下面之中較短者的寬度］×100（%））可為25%以上且99%以下，或可為40%以上且99%以下，又可為55%以上且98%以下。此窄縮率係在上述規定部分到達最大。

銅構件可包含第一層及第二層，在此情況下，第一層及第二層係由下側依序積層第一層及第二層。在此，第一層及第二層分別包含第一金屬及第二金屬，或者由第一金屬及第二金屬形成。又，第一金屬相較於第二金屬，具有藉由形成銅構件之蝕刻方法被快速去除的特性，詳細說明係與蝕刻方法一併於後說明。

第一層所包含的金屬可以是作為印刷佈線板之佈線來使用的金屬，可舉例如銅、銀、鉑等，較佳為銅。銅的純度越高越好，較佳為99.9質量%以上之純金屬。該銅可為韌煉銅、去氧銅、無氧銅，較佳為含氧量0.0005質量%以下之無氧銅。銅構件包含銅的情況下，較佳為包含於第一層，在此情況下，第二層較佳為包含銅以外之金屬或由銅以外之金屬形成。第二層包含的金屬不特別限定，可包含選自由錫、銀、鋅、鋁、鈦、鉍、鉻、鐵、鈷、鎳、鈀、金及鉑組成之群組中至少一種之金屬。特別是為了賦予耐酸性及耐熱性，較佳包含耐酸性及耐熱性比銅高之金屬，例如鎳、鈀、金及鉑。第二導體層較佳係存在於導體的下面。

第一金屬包含銅或由銅形成的情況下，在其上面的一部分或全部，或者下面的一部分或全部可設置包含銅氧化物之層。此銅氧化物包含氧化銅（CuO）及／或氧化亞銅（Cu ₂O）。此包含銅氧化物之層係可藉由將導體表面進行氧化處理來形成。藉由此氧化處理，導體表面被粗化，故可提升與光阻之密著力。氧化處理後，可使用溶解劑調整被氧化之導體表面的凸部的形狀。又，可藉由還原劑將此包含銅氧化物之層的表面進行還原處理。純銅的電阻率為1.7×10 ^-8（Ωm），相較於此，氧化銅的電阻率為1～10（Ωm），氧化亞銅的電阻率為1×10 ⁶～1×10 ⁷（Ωm），故以氧化處理形成的包含銅氧化物之層的導電性比純銅低。

第二層的附著量不特別限定，較佳為0.5～9.0 mg/dm ²、更佳為0.89～8.9 mg/dm ²。以蝕刻法製造的情況下，若第二層太厚則難以被蝕刻，故佈線形成性惡化，若太薄則蝕刻速率會與第一層幾乎相同，故銅構件的截面形狀形成為梯形。又由於形成梯形，難以進行微細佈線化，且應力緩和效果減小。又，若第二層太厚則磁性的影響增大，故不利於作為導體。此外，第二層的附著量係例如將第二層以酸性溶液溶解，藉由ICP分析測定金屬量，將其測定量除以結構體的平面觀察面積來算出。第二層之表面的L ^*a ^*b ^*色系中的明度L ^*之值較佳為未滿60、未滿55、未滿50、未滿45、未滿40、未滿35、未滿30、未滿25或未滿20，此值越小則越能抑制曝光光線反射。

在第二層的上側之表面，較佳為不產生表面的氧化或變質導致之脆弱層（Weak Boundary Layer：WBL）。此係因為若形成脆弱層，則與光阻層之密著性降低。容易產生脆弱層的程度可用例如表面的耐熱性來評價。耐熱性係例如可由加熱處理時的第二層的上側之表面的顏色變化來評價。顏色變化小的情況下，不易產生脆弱層，可得到光阻層的良好密著性。耐熱性的程度不特別限定，較佳為例如於225℃熱處理30分鐘，比較熱處理前後之表面的顏色時，表面的顏色變化（ΔE ^*ab）較佳為10以下、5以下、3以下、2以下或1以下。

第一層來自銅箔的情況下，第二層之表面的最大高度粗度（Rz）較佳為1.0 μm以下、0.9 μm以下或0.8 μm以下，且較佳為0.1 μm以上、0.2 μm以上或0.3 μm以上。又，Rz係表示基準長度l中，輪廓曲線（y=Z(x)）的峰高Zp之最大值與谷深Zv之最大值的和。此Rz係可根據JIS B 0601:2001（基於國際標準ISO13565-1）規定之方法算出。

第一層之凸部的數量係可在例如用聚焦離子束（FIB）製作之銅箔的截面以掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察的影像（倍率為50000倍）中計算，每3.8 μm中高度為50 nm以上之凸部，較佳為平均9個以上，更佳為19個以上，又較佳為20個以上。若為8個以下，則與光阻之密著性降低。

第一層來自銅箔的情況下，第二層之表面的粗度曲線參數的平均長度（RSm）較佳為750 nm以下、700 nm以下、650 nm以下、600 nm以下、550 nm以下、450 nm以下或350 nm以下，且較佳為100 nm以上、200 nm以上或300 nm以上。RSm表示一個基準長度（lr）之粗度曲線所包含的一個週期量的凹凸產生的長度（即輪廓曲線參數的長度：Xs1～Xsm）之平均，用下述式子算出。

式1：

在此，算數平均粗度（Ra）的10%作為凹凸的最小高度，基準長度（lr）的1%作為最小長度以定義一個週期量的凹凸。

算數平均粗度（Ra）係表示基準長度l中，以下式表示之輪廓曲線（y=Z(x)）中Z(x)（即峰高及谷深）之絕對值的平均值。

式2：

舉例如，RSm可根據「利用原子力顯微鏡之精密陶瓷薄膜的表面粗度測定方法（JIS R 1683:2007）」來測定並算出。並且，包含此印刷佈線板用導體及積層於該導體之底面的絕緣體之印刷佈線板用構件亦為本發明之一實施態樣。此外，印刷佈線板用構件可為本發明之一實施態樣即用於印刷佈線板的構件，亦可構成印刷佈線板的一部分。

＜印刷佈線板用構件＞ 本發明之一實施態樣的印刷佈線板用構件包含上述印刷佈線板用導體及積層於導體之底面的絕緣體。此導體包含對應於第一層之第一導體層及對應於第二層之第二導體層，第一導體層及第二導體層係由絕緣體側依序以第一導體層及第二導體層之順序來積層，第一導體相較於第二導體，具有藉由形成導體之蝕刻方法被快速去除的特性。

導體可為電解金屬箔或壓延金屬箔等一片金屬箔，亦可積層有數個金屬箔。金屬箔的厚度不特別限定，較佳為0.1 μm以上且100 μm以下，更佳為0.5 μm以上且50 μm以下。又，金屬箔包含板狀的金屬，在此情況下，厚度可為1 mm以上、2 mm以上或10 mm以上，且可為10 cm以下、5 cm以下或2.5 cm以下。

絕緣體可包含在玻璃布含浸樹脂之片狀樹脂基材（亦稱為預浸體），亦可由片狀樹脂基材構成。印刷佈線板用構件係可藉由在絕緣體的單面或雙面貼附金屬箔來製作。印刷佈線板用構件可為三層或兩層，三層主要用於TAB（tape-automated bonding）法封裝，係以接著劑將金屬箔及樹脂基材貼合（即金屬層、接著劑層及樹脂層），兩層用於COF（chip on film）法封裝，不使用接著劑（即金屬層及樹脂層）。又，可於紙或玻璃等基材重疊樹脂基材並熱壓接來作為絕緣體使用，在此情況下，係於與基材相反之面貼附銅。此外，導體為銅的情況下，此印刷佈線板用構件被稱為貼銅積層板（Copper Clad Laminate: CCL）。

樹脂基材包含之樹脂不特別限定，可為熱塑性樹脂或熱固性樹脂，較佳為聚苯醚（PPE）、環氧樹脂、聚氧二甲苯（PPO）、聚苯噁唑（PBO）、聚四氟乙烯（PTFE）、液晶聚合物（LCP）、亞磷酸三苯酯（TPPI）、氟樹脂、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚環烯烴、雙馬來醯亞胺樹脂、低電容率聚醯亞胺、氰酸樹脂或該等之混合樹脂。樹脂基材可另包含無機填充物或玻璃纖維。

樹脂基材的厚度不特別限定，較佳為1 μm以上且100 mm以下。

＜印刷佈線板＞ 本發明之印刷佈線板包含上述印刷佈線板用構件。近年來的印刷佈線板進行高密度化，藉由使用本發明之導體，可達到減成法對微細佈線之應對。因此，此印刷佈線板中，導體之佈線間的間隔寬度不特別限定，較佳為100 μm以下，更佳為75 μm以下，又較佳為50 μm以下，又更佳為40 μm以下，再較佳為30 μm以下，再更佳為20 μm以下，又較佳為10 μm以下。惟，佈線可不用所有部分均為此間隔，一部分滿足此間隔即可。

又，由於印刷佈線板之多層化而成為以數個層形成佈線之構造，故絕緣體與導體之間，或在層間容易發生熱膨脹差異導致之剝離或在絕緣體產生裂痕。此係因熱膨脹差異使應力集中於特定部位。以往未確認導體佈線之形狀對應力的影響，但藉由使導體形成為此形狀，可使應力由降伏應力小之絕緣體移動至導體，可抑制如此之破損。特別是佈線具有由三個以上之層形成的形狀的情況下，例如在加熱的情況下容易在層間產生應變，故可特別期待此佈線之形狀產生的應力緩和效果。

此外，導體的熱膨脹係數與絕緣體的熱膨脹係數不同的情況下，由於加熱時膨脹率各有不同，在導體與絕緣體之間會產生應變，故可特別期待此導體之形狀產生的應力緩和效果。例如，該差異較佳為0.1 ppm/K以上，更佳為0.2 ppm/K以上，又較佳為0.3 ppm/K以上。此熱膨脹係數不同之絕緣體，拉伸彈性係數較佳為0.5 GPa以上，更佳為1.0 GPa以上，又較佳為1.5 GPa以上，又更佳為3.0 GPa以上，再較佳為6.0 GPa以上，再更佳為10 Gpa以上。若拉伸彈性係數低，則在絕緣體內能吸收應力，故佈線形狀產生的應力緩和效果小。

＜印刷佈線板用構件的製造方法＞ 本發明之一實施態樣係印刷佈線板用構件的製造方法，具有在包含第一導體之導體箔的表面形成第二導體層的第一步驟；在與導體箔的形成有第二導體層的面為相反側之面積層絕緣層的第二步驟；在導體箔的形成有第二導體層之面形成光阻層的第三步驟；將形成有光阻層之導體箔蝕刻處理的第四步驟；及由經蝕刻處理之導體箔去除光阻層的第五步驟。以下以銅箔作為導體箔之例示，一邊參照第2圖一邊詳細地說明印刷佈線板用構件的製造方法。

首先，進行第一步驟前，可用氧化劑氧化銅箔表面，形成包含銅氧化物之層，並於表面形成微細的凹凸。氧化處理可為單面處理或雙面處理。此氧化步驟之前不需要軟性蝕刻或蝕刻等粗化處理步驟，但亦可進行。又，在氧化處理前亦可進行脫脂處理步驟、藉由將自然氧化膜去除以使表面均一化之酸洗步驟、在酸洗後防止酸被帶入氧化步驟的鹼處理步驟。鹼處理的方法不特別限定，較佳可用0.1～10 g/L之鹼性水溶液，更佳可用1～2 g/L之鹼性水溶液，鹼性水溶液例如氫氧化鈉水溶液，於30～50 ℃處理0.5～2分鐘程度即可。

氧化劑不特別限定，例如可使用亞氯酸鈉、次氯酸鈉、氯酸鉀、過氯酸鉀、過氯酸鉀等水溶液。氧化劑中可添加各種添加劑（例如磷酸三鈉十二水合物這樣的磷酸鹽）或表面活性分子。表面活性分子可舉例如紫質、紫質大環、擴張紫質、縮環紫質、紫質直鏈聚合物、紫質夾心配位錯合物、紫質陣列、矽烷、四有機基-矽烷、胺基乙基-胺基丙基-三甲氧基矽烷、(3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(1-[3-(三甲氧基矽基)丙基]尿素)（l-[3-(Trimethoxysilyl)propyl]urea）、(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷、(3-環氧丙基氧丙基)三甲氧基矽烷、(3-氯丙基)三甲氧基矽烷、(3-環氧丙基氧丙基)三甲氧基矽烷、二甲基二氯矽烷、3-(三甲氧基矽基)丙基甲基丙烯酸酯、乙基三乙醯氧基矽烷、三乙氧基(異丁基)矽烷、三乙氧基(辛基)矽烷、參(2-甲氧基乙氧基)(乙烯基)矽烷、氯三甲基矽烷、甲基三氯矽烷、四氯化矽、四乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、氯三乙氧基矽烷、乙烯基-三甲氧基矽烷、胺、糖等。

氧化反應條件不特別限定，氧化用藥液的液溫較佳為40～95 ℃，更佳為45～80 ℃。反應時間較佳為0.5～30分，更佳為1～10分。

進行此氧化步驟後，可用溶解劑將包含銅氧化物之層部分地溶解。

此溶解步驟使用之溶解劑不特別限定，較佳為螯合劑，特別是生物分解性螯合劑，可舉例如乙二胺四乙酸、二羥乙基甘胺酸、L-麩胺酸二乙酸四鈉、乙二胺-N,N’-二琥珀酸、3-羥基-2,2’-亞胺基二琥珀酸鈉、甲基甘胺酸二乙酸三鈉、天門冬胺酸二乙酸四鈉、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸二鈉、葡萄糖酸鈉等。

溶解用藥液的pH值不特別限定，較佳為鹼性，更佳為pH8～10.5，又較佳為pH9.0～10.5，又更佳為pH9.8～10.2。

又，進行氧化步驟後，可使用還原劑將形成之包含銅氧化物之層所包含的銅氧化物部分地還原。此還原步驟使用之還原劑可舉例如二甲基胺硼烷（DMAB）、乙硼烷、硼氫化鈉、聯氨等。

接著在第一步驟中，對形成有包含銅氧化物之層的銅箔形成第二導體層。第二導體層係例如可藉由在第一導體層的表面進行鍍敷處理，作為鍍敷皮膜而形成。鍍敷的方法不特別限定，可舉例如電鍍、無電解鍍、化成處理、濺鍍等真空蒸鍍等，較佳為形成均一的薄鍍敷皮膜，故以電鍍為佳。

在經氧化處理之銅箔表面藉由電鍍形成第二層的情況下，首先表面的氧化銅被還原，形成氧化亞銅或純銅時使用電荷，因此，至形成鍍敷為止會產生時間的延遲，之後形成第二層之金屬開始析出。其電荷量係因鍍敷液種類或銅氧化物量而不同，例如對銅構件施加鎳鍍的情況下，為了使其厚度形成於較佳範圍，較佳係給予所電鍍處理之銅構件的每dm ²面積15 C以上且75 C以下之電荷，更佳係給予25 C以上且65 C以下之電荷。藉由鍍敷處理，以氧化處理形成之氧化銅的一部分被還原成銅，包含銅氧化物之層的導電性提升，形成結構體之導電體的銅，與同為導電體之包含銅以外之金屬的層之間可導通。

確認導通的方法不特別限定，例如相對於包含銅以外之金屬的層之平面觀察面積4 μm ²，於形成結構體之導電體的銅，與同為導電體之包含銅以外之金屬的層之間，施加-0.5 V電壓時的原子力顯微鏡（AFM）之電流影像中，電流值為-60 nA以下之區域為包含銅以外之金屬的鍍敷皮膜之平面觀察面積的2.5%以上、5%以上或10%以上時，可判斷為形成結構體之導電體的銅，與同為導電體之包含銅以外之金屬的層之間導通。或者，使用結構體形成佈線圖案，製造印刷佈線板用構件時，在包含銅以外之金屬的層上安裝電子零件並作為電子電路發揮作用時，即可判斷為形成結構體之導電體的銅，與同為導電體之包含銅以外之金屬的層之間導通。

在不損害本發明之技術特徵的範圍內，可對該等步驟製造的導體進行使用矽烷耦合劑等之耦合處理或分子接合處理、使用苯并三唑類等之防鏽處理。

接著，第二步驟係在與導體箔的形成有第二導體層的面為相反側之面積層絕緣層。絕緣層包含樹脂基材或由樹脂基材形成的情況下，可藉由例如將樹脂基材熱壓接於導體箔來積層絕緣層。熱壓接之條件係可使用各基材製造商推薦的條件（例如溫度、壓力、時間）。

各基材製造商推薦的條件例如可考量以下條件。

1）樹脂基材包含環氧樹脂，或由環氧樹脂形成的情況下，較佳係在50 ℃～300 ℃之溫度施加0～20 MPa之壓力1分鐘～5小時，藉此將複合銅構件熱壓接於樹脂基材。

例如， 1-1）樹脂基材為R-1551（Panasonic股份有限公司製）的情況下，於1 MPa之壓力下加熱，到達100 ℃後於該溫度維持5～10分鐘，之後於3.3 MPa之壓力下進一步加熱，到達170～180 ℃後於該溫度維持50分鐘，以進行熱壓接。 1-2）樹脂基材為R-1410A（Panasonic股份有限公司製）的情況下，於1 MPa之壓力下加熱，到達130 ℃後於該溫度維持10分鐘，之後於2.9 MPa之壓力下進一步加熱，到達200 ℃後於該溫度維持70分鐘，以進行熱壓接。 1-3）樹脂基材為EM-285（EMC製）的情況下，於0.4 MPa之壓力下加熱，到達100 ℃後，提升壓力至2.4～2.9 MPa再進一步加熱，到達195 ℃後於該溫度維持50分鐘，以進行熱壓接。 1-4）樹脂基材為GX13（味之素製）的情況下，於1.0 MPa之壓力下加熱，於180 ℃維持60分鐘以進行熱壓接。

2）樹脂基材包含PPE樹脂，或由PPE樹脂形成的情況下，較佳係在50 ℃～350 ℃之溫度施加0～20 MPa之壓力1分鐘～5小時，藉此將複合銅構件熱壓接於樹脂基材。

例如， 2-1）樹脂基材為R5620（Panasonic股份有限公司製）的情況下，一邊於0.5 MPa之壓力下加熱至100 ℃一邊熱壓接後，提升溫度及壓力，於2.0～3.0 MPa、200～210 ℃維持120分鐘以進一步熱壓接。 2-2）樹脂基材為R5670（Panasonic股份有限公司製）的情況下，一邊於0.49 MPa之壓力下加熱至110 ℃一邊熱壓接後，提升溫度及壓力，於2.94 MPa、210 ℃維持120分鐘以進一步熱壓接。 2-3）樹脂基材為R5680（Panasonic股份有限公司製）的情況下，一邊於0.5 MPa之壓力下加熱至110 ℃一邊熱壓接後，提升溫度及壓力，於3.0～4.0 MPa、195 ℃維持75分鐘以進一步熱壓接。 2-4）樹脂基材為N-22（Nelco製）的情況下，一邊以1.6～2.3 MPa加壓一邊加熱，於177 ℃維持30分鐘後，進一步加熱，於216 ℃維持60分鐘以進行熱壓接。

3）樹脂基材包含PTFE樹脂，或由PTFE樹脂形成的情況下，較佳係在50 ℃～400 ℃之溫度施加0～20 MPa之壓力1分鐘～5小時，藉此將銅構件熱壓接於樹脂基材。

例如， 3-1）樹脂基材為NX9255（Park Electrochemical製）的情況下，一邊以0.69 MPa加壓一邊加熱至260 ℃，提升壓力至1.03～1.72 MPa並加熱至385 ℃，於385 ℃維持10分鐘以進行熱壓接。 3-2）樹脂基材為RO3003（Rogers製）的情況下，壓製開始50分鐘（約220 ℃）以後，加壓至2.4 MPa，於371 ℃維持30～60分鐘以進行熱壓接。

在此，樹脂基材與銅箔之密著性高為佳。密著性可基於90°剝離測試（日本工業規格（JIS）C5016「可撓性印刷佈線板試驗方法」；對應國際規格IEC249-1:1982、IEC326-2:1990），作為剝離強度來測定。樹脂基材與銅箔之間的剝離強度不特別限定，較佳為0.40 kgf/cm以上、0.50 kgf/cm以上或0.60 kgf/cm以上。

接著，第三步驟係於形成有第二導體層之面形成光阻層。

光阻層可包含藉由感光而硬化或溶解之材料，較佳用乾膜光阻（DFR）、正型液狀光阻或負型液狀光阻形成，但不特別限定。

DFR較佳包含有助於薄膜形成性之黏合劑聚合物（包含鹼性顯影型及溶劑顯影型）以及藉由UV照射產生光聚合反應之單體（例如丙烯酸酯系或甲基丙烯酸酯系單體）與光聚合起始劑。為了形成DFR，較佳使用具有覆蓋薄膜／光阻／載體薄膜之三層結構的乾膜。藉由一邊剝離覆蓋薄膜一邊將光阻熱壓接於結構體並積層，積層後剝離載體薄膜，可在結構體形成光阻層即DFR。

正型液狀光阻、負型液狀光阻可舉例如可溶於有機溶劑之酚醛樹脂（Novolak）等。關於液狀光阻，可藉由在結構體表面塗佈後乾燥來形成光阻層。

光阻層的厚度不特別限定，較佳為5 μm～200 μm。

如上所述，形成光阻層的第二導體層之表面的Rz較佳為1.0 μm以下、0.9 μm以下或0.8 μm以下，且較佳為0.1 μm以上、0.2 μm以上或0.3 μm以上。又，形成光阻層的第二導體層之表面的RSm較佳為750 nm以下、700 nm以下、650 nm以下、600 nm以下、550 nm以下、450 nm以下或350 nm以下，且較佳為100 nm以上、200 nm以上或300 nm以上。

第一層之凸部的數量係例如將用聚焦離子束（FIB）製作之銅箔的截面以掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察的影像（倍率為50000倍）中，每3.8 μm中高度為50 nm以上之凸部較佳為平均9個以上，更佳為19個以上，又較佳為29個以上。

該等表面粗度及凸部的數量係有關光阻層之密著性。Rz若太小或凸部的數量太少則與光阻層之密著性不足，若太大則蝕刻處理後的光阻難以去除。另一方面，RSm若太大則與光阻層之密著性不足，若太小則蝕刻處理後的光阻難以去除。例如，僅有鈷或鎳層的情況下，表面粗度小且凸部的數量少，故與乾膜之密著性弱，蝕刻液侵入鈷或鎳層與乾膜之界面，電路上面亦進行蝕刻。

第二導體表面與光阻之密著性弱的情況下，由於蝕刻液侵入導體表面與光阻之間，因此導體上部形成帶有圓弧的形狀，來自上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由線段隔開2 μm之直線與來自側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自上面之線段所成的角度會到90°以上。此外，由於佈線上部被蝕刻，故來自下面之線段的長度相對於來自上面之線段的長度之比例會增大。

形成光阻層之方法中，首先使光阻附著於第二導體層的整體表面。具體而言，可舉例如使用乾膜且一邊加熱光阻一邊貼附之方法，或者將正型液狀光阻或負型液狀光阻於室溫塗佈並乾燥之方法等。

通常在形成光阻層前，為了增加密著性而可進行軟性蝕刻處理，但本發明之方法中，不進行軟性蝕刻處理亦可得到充分的密著性。又，軟性蝕刻處理可舉例如拋光輪（buff roll）研磨、刷磨（scrubbing）、噴射研磨（jet scrubbing）、化學研磨及該等之組合。化學研磨的方法可舉例如含浸於包含硫酸及過氧化氫之水溶液、包含氯化銅之水溶液、包含過硫酸鹽之水溶液、包含苯并三唑之有機溶劑或包含過錳酸之水溶液等。

接著，藉由對光阻層照光後顯影，去除不需要的光阻。光阻藉由感光而硬化的情況下，係沿著佈線圖案照光，光阻藉由感光而溶解的情況下，係對佈線圖案以外的部分照光。

照射之光的波長及照射量係在使光阻層所包含的樹脂硬化或溶解的範圍即可。乾膜的情況下，較佳為波長100 nm～500 nm的光。液狀光阻的情況下，較佳為波長10 nm～900 nm的光。光的照射量不特別限定，較佳為1～1000 mJ/cm ²的照射量，更佳為10～1000 mJ/cm ²的照射量，又較佳為100～1000 mJ/cm ²的照射量。

之後藉由顯影去除佈線圖案不需要的光阻。光阻所包含的黏合劑聚合物為鹼性顯影型的情況下，較佳係進行鹼處理，但不特別限定。鹼處理較佳係於25 ℃～35 ℃，在0.5%～1.5%之碳酸鈉水溶液浸漬最小顯影時間的1.5倍～2.5倍後水洗。

接著，第四步驟係將形成有光阻層之銅箔蝕刻處理。

藉由光阻保護佈線圖案後，藉由蝕刻溶解未被光阻層保護的銅箔之部分。蝕刻條件不特別限定，較佳為酸處理，例如於20 ℃～60 ℃，浸漬於過氧化氫／鹽酸混合液、過氧化氫／硫酸混合液、20%～50%之氯化銅或氯化鐵水溶液等後水洗，藉此，未被光阻層保護的銅箔之部分溶解，被光阻層保護的銅箔之部分殘留形成銅佈線。

在此，相當於第一導體之銅箔具有比相當於第二導體之鍍敷皮膜更快被蝕刻方法去除之特性。亦即，藉由酸處理，銅箔比鍍敷皮膜更快溶解。結果使得經蝕刻處理後的導體，其截面不形成梯形，而是形成在上下方向之中央部分往內側凹的四角形。

接著，第五步驟係由經蝕刻處理之導體箔去除光阻層。去除方法不特別限定，光阻所包含的黏合劑聚合物為鹼性顯影型的情況下，較佳於40 ℃～60 ℃的1～5%之氫氧化鈉水溶液含浸180秒以內、120秒以內或90秒以內，藉此去除光阻層後水洗。

去除光阻後的形成有鍍敷層之表面的Rz較佳為1.0 μm以下、0.9 μm以下或0.8 μm以下，且較佳為0.1 μm以上、0.2 μm以上或0.3 μm以上。

又，去除光阻後的形成有鍍敷層之表面的RSm較佳為750 nm以下、700 nm以下、650 nm以下、600 nm以下、550 nm以下、450 nm以下或350 nm以下，且較佳為100 nm以上、200 nm以上或300 nm以上。

去除光阻後的形成有鍍敷皮膜之表面的Rz及RSm藉由設為上述範圍，可得到與另積層之樹脂基材及阻焊劑等之密著性。

去除光阻之前或之後，可在藉由蝕刻形成之銅佈線的由銅構成的側面（例如第3圖的第三面為例示）另進行形成銅氧化物層之處理、黑化處理、防鏽處理或／及耦合處理，來形成銅佈線保護層。或者，可進行將由銅構成的側面粗化之處理。該等處理較佳係不影響銅佈線的包含銅以外之金屬的鍍敷皮膜及其表面的粗度、以及由銅構成的佈線與包含銅以外之金屬的鍍敷皮膜之間的導通。

去除光阻之後，在不損傷佈線形狀的程度內，可去除鍍敷皮膜，同時將包含銅氧化物之層的一部分或全部去除。之後，可另進行藉由銅鍍使佈線高度增高之處理、形成銅氧化物層之處理、黑化處理、防鏽處理或／及耦合處理來形成銅佈線保護層。或者，可將側面進行粗化處理。該等處理較佳係不影響銅佈線的包含銅以外之金屬的鍍敷皮膜及其表面的粗度、以及由銅構成的佈線與包含銅以外之金屬的鍍敷皮膜之間的導通。

如此製造之銅佈線係如上述，形成上面與下面平行，上面及下面各具有第一相對邊及第二相對邊，第一相對邊的長度係與第二相對邊的長度相同或比第二相對邊的長度長，第一相對邊為平行，垂直於上面且於第一相對邊之直線部分垂直於直線之截面中的規定比例，或於第一相對邊之曲線部分與曲線的切線垂直之截面中的規定比例，該比例中，來自上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自上面之線段所成的角度為未滿90°之形狀。

＜印刷電路板的製造方法＞ 使用如此製造之印刷佈線板用構件，可製造印刷佈線板（Printed Wiring Board：PWB），另將電子零件焊接而可製造印刷電路板（Printed Circuit Board：PCB）。

例如，去除光阻後，為了保護電路，可將形成絕緣膜之墨水即阻焊劑塗佈。在此情況下，除了裝接有電子零件的部分以外，較佳係塗佈阻焊劑。

阻焊劑可舉例如1）曝光並將未硬化部分以稀鹼顯影液顯影，藉此可形成微細圖案之鹼性顯影型阻焊劑；2）以網版印刷法印刷圖案，照射UV光（紫外線）藉此硬化之類型的UV硬化型阻焊劑；及3）以網版印刷法印刷圖案，藉由加熱而硬化之類型的阻焊劑即熱硬化型阻焊劑。

對於未經阻焊劑處理之部分的形成有鍍敷皮膜之表面，可進行焊接處理。藉由此步驟，可抑制形成電路之金屬的自然氧化，提升安裝電子零件時的焊接效率。

之後，可進一步焊接電子零件，藉此製造印刷電路板。

或者，去除光阻後，可在形成有鍍敷皮膜之表面熱壓接樹脂基材，並在其上設置銅佈線，藉此製作由數個佈線層形成之多層電路基板。熱壓接之條件係可使用各基材製造商推薦的條件（例如溫度、壓力、時間）。

＜實施例1＞印刷佈線板用導體之製造及結構 1.銅箔之處理 實施例1～5及比較例3～4中，使用銅箔（DR-WS，厚度：18 μm）（古河電工股份有限公司製）。積層乾膜AK3021（旭化成股份有限公司製）之面為非光澤面（與相反面比較時為粗糙之面）。比較例1及2中，使用將厚度18 μm之H-VLP銅箔積層於預浸體R5680J（厚度100 μm）之兩面者。又，比較例5中，藉由SAP法（半加成法）形成銅佈線。

（1）氧化處理 實施例1～5及比較例3中，將銅箔於73℃浸漬於氧化劑（亞氯酸鈉45 g/L；氫氧化鈉12 g/L；KBM-403（3-環氧丙基氧丙基三甲氧基矽烷；信越Silicone公司製）2 g/L）1.75分鐘，對銅箔之兩面進行氧化處理。將銅箔在氧化處理後水洗並乾燥。

（2）電鍍處理 實施例1～5及比較例3、4中，之後使用鎳電鍍液（硫酸鎳240 g/L；氯化鎳45 g/L；檸檬酸三鈉20 g/L）於50℃以電流密度0.5 A/dm ²之條件進行銅箔之兩面的電鍍。實施例1通電30秒，實施例2通電39秒，實施例3通電56秒，實施例4通電91秒，實施例5通電109秒，比較例3通電26秒，比較例4通電87秒。將銅箔在電鍍處理後水洗並乾燥。

關於實施例及比較例之銅箔，分別以相同條件製作數個測試片。 （3）經處理之銅箔的評價 測定以下數值，於第1表顯示評價結果。 （3-1）Rz 對於實施例1～5及比較例1～5之箔片的貼附乾膜之面（密著面）及其背面（非密著面），由使用共軛焦掃描式電子顯微鏡OPTELICS H1200（Lasertec股份有限公司製）之觀察結果製作輪廓曲線，藉由JIS B 0601:2001規定之方法算出Rz。測定條件為掃描寬度100 μm、掃描類型為Area、光源為藍光、Cut-off值為1/5。接物鏡x100、目鏡x14、數位變焦x1、Z間距設為10 nm，取得3個位置之資料，Rz為3個位置之平均值。 （3-2）凸部的數量 第一層之凸部的數量係將用聚焦離子束（FIB）製作之銅箔的截面以掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察的影像（倍率為50000倍）中，計算每3.8 μm中高度為50 nm以上之凸部的數量。 （3-3）鍍敷附著量 對實施例1～5及比較例4之銅片，測定密著面於垂直方向之平均厚度。首先，將銅片溶解於12%硝酸，將所得之液體使用ICP發射光譜裝置5100 SVDV ICP-OES（Agilent Technologies公司製）分析並測定金屬的濃度，藉由考慮金屬密度、金屬層的表面積來算出每單位面積的附著量。

2.印刷佈線板用構件之製造 （1）樹脂基材之熱壓接 對實施例1～5及比較例1～4之銅片的非密著面，積層預浸體R5680KJ（Panasonic股份有限公司製，厚度100 μm），用真空高壓壓製機，於加壓壓力2.9 MPa、溫度210 ℃、加壓時間120分鐘之條件熱壓接。

（2）軟性蝕刻處理 對於將比較例1、2之樹脂基材熱壓接後的銅片的密著面，塗佈過氧化氫1.8%；硫酸5%之水溶液，於25℃處理43秒，藉此進行軟性蝕刻處理。將銅片在蝕刻處理後水洗並乾燥。

（3）貼附乾膜 對於經（1）及（2）之處理後的銅片，將乾膜AK3021（旭化成股份有限公司製）以滾輪溫度105℃、運送速度0.4 m/min作貼附。

（4）製造銅線 對貼附有乾膜的各銅片，曝光並顯影使銅線形成L/S=20/20 μm且長度為5 cm。顯影後，使用鹽酸1.3 mol/L；過氧化氫31.6 mol/L之水溶液，以於45 ℃、1.82 m/min之速率條件進行銅片之蝕刻處理，形成銅線。之後，浸漬於40 ℃之3%氫氧化鈉水溶液，去除銅線上殘留的DFR。又，比較例5中，藉由SAP（Semi-Additive Process）法形成佈線。實施例及比較例之銅線的SEM截面影像係如第4圖所示（左：3000倍，右：12000倍）。此外，比較例1、2至此係進行相同處理，故僅顯示比較例1。

（5）Φ50點（dot）剝離數量（與DFR之密著性） 對於積層體，曝光並顯影以形成64個Φ50 μm之點狀DFR。顯影後，使用鹽酸1.3 mol/L；過氧化氫31.6 mol/L之水溶液，以於45 ℃、1.82 m/min之速率條件進行蝕刻處理。蝕刻處理後，以CCD攝影機計算未被蝕刻而殘留的點之個數。若DFR未充分密著，則曝光顯影後DFR剝離，蝕刻處理後產生點的脫落。

（6）銅線之截面形狀的評價 去除DFR後，對於所得到之銅線，由銅線的SEM截面影像測量第1表所示之數值。佈線上部之角的內角係如下述地測定。首先，在銅線的SEM截面影像（12000倍）中，拉出由來自上面之線段隔開2 μm之直線，找出與來自側面之線的交點。以直線連接來自上面之線段的端點及與該端點位於同一側之交點，測定與來自上面之線段所成的角度，作為佈線上部左角的內角。此外，確認到佈線上部的左角、右角為相同角度。

蝕刻因子係用以下式子算出。

蝕刻因子（E.F.）計算式

3.結果 第1表

	實施例
1	2	3	4	5
銅片	密著面鎳量	mg/dm 2	0.89	1.78	3.56	7.12	8.90
密著面Rz	μm	0.86	0.86	0.81	0.72	0.67
非密著面Rz	μm	0.33	0.33	0.33	0.33	0.33
密著面凸部的數量	個	58	52	48	29	19
Φ50μm點剝離數(DFR)	個	0	0	2	0	3
導體佈線	佈線上部左角之角度	°	61	69	78	60	45
上邊	μm	20.2	20.8	22.6	21.1	18.9
下邊	μm	27.5	25.8	26.5	20.8	18.8
高度	μm	18.0	16.5	16.8	17.9	18.0
E.F.	4.9	6.7	8.5	-92.3	-239.7
下邊－上邊	μm	7.4	4.9	3.9	-0.4	-0.2
下邊／上邊	1.37	1.24	1.17	0.98	0.99
佈線寬度之最小部	位置	中部	中部	中部	中部	中部
μm	19.8	19.8	20.0	11.7	11.7
上邊－最小部	μm	0.4	1.0	2.6	9.5	7.3
最小部／上邊	98	95	88	55	62

	比較例
1	2	3	4	5
銅片	密著面鎳量	mg/dm 2	－	－	0.45	8.90	－
密著面Rz	μm	0.91	0.91	0.91	0.52	－
非密著面Rz	μm	0.81	0.81	0.33	0.33	－
密著面凸部的數量	個	8	8	55	3	6
Φ50μm點剝離數(DFR)	個	11	11	18	15	－
導體佈線	佈線上部左角之角度	°	110	110	99	96	97
上邊	μm	19.9	19.9	20.7	19.1	28.5
下邊	μm	28.7	28.7	32.1	29.6	31.6
高度	μm	15.6	15.6	17.3	17.3	22.1
E.F.	3.5	3.5	3.0	3.3	14.6
下邊－上邊	μm	8.8	8.8	11.5	10.5	3.0
下邊／上邊	1.44	1.44	1.55	1.55	1.11
佈線寬度之最小部	位置	上面	上面	上面	上面	上面
μm	19.9	19.9	20.7	19.2	28.5
上邊－最小部	μm	0.0	0.0	0.0	-0.1	0.0
最小部／上邊	100	100	100	101	100

比較例1、2中，佈線上部左角所成的角度比90°大，來自下面之線段的長度相對於來自上面之線段的長度之比例較大，形成梯形之形狀，推測係由於未形成第二層，故蝕刻由佈線上部進展。比較例3中蝕刻由佈線上部進展而形成梯形之形狀。推測係因第二層的厚度不足。比較例4中蝕刻亦由佈線上部進展，佈線上部左角所成的角度比90°大，且下邊／上邊之數值亦較大，佈線形狀為梯形。第二層的量與實施例5相同，但推測係因佈線上部與DFR之密著性低。比較例6由於以SAP形成，故佈線上部左角所成的角度比90°大，並且如後所述地，佈線寬度之最小部為上面，佈線形狀未往內側凹，故對樹脂基材之應力大，無應力緩和效果。

另一方面，實施例係由第1表及第4圖可知，銅線的截面中，佈線上部左角所成的角度未滿90°，來自下面之線段的長度相對於來自上面之線段的長度之比例為1.37以下，係較小，佈線形成性優異，上邊長度－最小部的寬度為0.4以上，窄縮率（＝最小部的寬度／上邊的寬度）為98%以下。

第一層中每3.8 μm中高度為50 nm以上之凸部的數量，於實施例均為19個以上。又，Φ50點剝離數量於實施例中為3個以下，係較小，任一個結果均顯示實施例中與DFR之高密著性。

又，佈線寬度亦即將平行於來自上面之線段的直線與來自側面之兩條線段的兩個交點連接之線段，達到最小的位置在中部時，即為幾乎與該等線段位於幾乎等距離的情況。

＜實施例2＞應力緩和效果之確認

（1）印刷佈線板用構件的製造 實施例2中，為了確認應力緩和效果，印刷佈線板用構件係使用與模擬模型（第5圖）相同構造者。本實施例中，對銅構件的側面進行與1－（1）相同的氧化處理。比較例2、5係進行黑化處理。黑化處理係使用Meltex製Enplate，以溫度80 ℃、處理時間6分20秒之條件進行。之後，分別於上下積層樹脂及銅箔，在最外層的佈線形成後對內層部的佈線（對應於第5圖中由上起算第二段之銅佈線／樹脂層）進行評價。銅構件係使用熱膨脹係數為16.8 ppm/K者，樹脂構件係使用Tg以下之熱膨脹係數為16.5 ppm/K及30 ppm/K兩種。評價結果如第2表所示。

（2）剝離測試 對（1）所製作之樣品，進行3000次循環之-55 ℃30分鐘、125 ℃30分鐘的循環作為熱循環測試。以SEM觀察3000次循環後的佈線截面，確認佈線與基材有無剝離。結果如第2表所示。

（3）模擬 模擬係使用泛用的有限元素法分析軟體「ANSYS mechanical Ver.19.2」（ANSYS公司），以CAD將印刷佈線基板模型化並分析。分析方法係將銅作為彈性體，將樹脂部作為黏彈性體，輸入溫度及時間依存性之物性值，進行樹脂由硬化溫度降至低溫時的黏彈性應力分析，得到材料間的熱膨脹係數差產生的應變及應力。結果如第2表及第6圖所示。

3.結果 第2表

	樹脂物性	評價項目	實施例
熱膨脹係數	拉伸彈性係數
ppm/K	GPa	1	2	3	4	5
實驗值	16.5	23.6	3μm以上之剝離	起始	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離
測試後	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離
剝離強度(起始)	kgf/cm	0.64	0.71	0.73	0.68	0.62
30	5	3μm以上之剝離	起始	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離
測試後	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離
剝離強度(起始)	kgf/cm	0.63	0.65	0.64	0.62	0.57
模擬	16.5	23.6	樹脂等效應力	MPa	－	－	49.8	－	48.9

	樹脂物性	評價項目	比較例
熱膨脹係數	拉伸彈性係數
ppm/K	GPa	1	2	3	4	5
實驗值	16.5	23.6	3μm以上之剝離	起始	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離
測試後	有剝離	有剝離	有剝離	有剝離	有剝離
剝離強度(起始)	kgf/cm	0.31	0.69	0.55	0.28	－
30	5	3μm以上之剝離	起始	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離	無剝離
測試後	有剝離	有剝離	有剝離	有剝離	有剝離
剝離強度(起始)	kgf/cm	0.28	0.69	0.61	0.34	－
模擬	16.5	23.6	樹脂等效應力	MPa	－	51.5	51.6	－	51.4

由第2表可知，起始的剝離強度差異不大，但實施例1～5在熱循環測試後未產生剝離，而比較例產生剝離。

第6圖顯示模擬結果。顏色越淺表示等效應力越小，顏色越深表示等效應力越大。A、銅佈線之圖為由模擬分析結果僅挑出銅佈線部分之圖，B、樹脂之圖為僅挑出樹脂部分之圖。

樹脂（B）中，實施例之佈線形狀的淡色部較多，等效應力較小。另一方面，比較例係在線狀具有深色部，等效應力較大。銅佈線（A）中，實施例的深色部較比較例多。此係顯示實施例的情況下，減輕降伏應力較小之樹脂部的應力，將所減輕的應力轉移至降伏應力較大之銅佈線。

由模擬結果可知，實施例不產生剝離，推測係因實施例之形狀中，基材的應力轉移至降伏應力較大之銅佈線。

像這樣，基材之應力係藉由形成如本實施例之佈線形狀，可緩和在基材側產生的應力，可得到可靠性優異的基板。

1:第一面 2:第二面 3:第三面

［第1圖］ 本發明之一實施態樣中，具有上面、下面及側面之銅構件的概略圖。（A）為由上面觀察之圖，（B）為立體圖。 ［第2圖］ 顯示一般製作印刷佈線板用構件之方法，以及本發明之一實施態樣的製作印刷佈線板用構件之方法。 ［第3圖］ 本發明之一實施態樣的導體（各列左）、將導體積層於絕緣體之單面的印刷佈線板用構件（各列中）及將導體積層於絕緣體之雙面的印刷佈線板用構件（各列右）的截面之概略圖。導體為由銅形成的情況下，第一面（1）（本說明書中會稱為上面）具有包含銅以外之金屬的鍍敷皮膜（A～C）。顯示與樹脂基材之熱壓接面即第二面（2）（本說明書中會稱為下面）不具有包含銅以外之金屬的鍍敷皮膜的情況（A）及具有該皮膜的情況（B）。第二面（2）可進行提高密著度之加工（C）。第三面（3）（本說明書中會稱為側面）可維持為由銅形成之佈線，亦可具有銅氧化物層或防鏽層等銅佈線保護層。 ［第4圖］ 由本發明之實施例1～5、比較例1～5製作的光阻剝離後，以掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察銅佈線之截面影像。僅有比較例5為鍍銅後之銅佈線的影像。 ［第5圖］ 顯示本發明之實施例中使用之印刷佈線板用構件的模擬模型之圖。 ［第6圖］ 顯示本發明之實施例中進行之模擬的結果之圖。

1:第一面

2:第二面

3:第三面

Claims (18)

1. 一種銅構件，具有上面、下面及側面，該上面與該下面平行，該上面及該下面各具有第一相對邊及第二相對邊，該第一相對邊的長度係比該第二相對邊的長度長，該第一相對邊為平行，垂直於該上面且於該第一相對邊之直線部分垂直於該直線之截面中的規定比例中，或於該第一相對邊之曲線部分與該曲線的切線垂直之截面中的規定比例中，來自該上面之線段的端點，及與該端點位於同一側且係由該線段隔開2 μm之直線與來自該側面之線的交點，將該端點及該交點連接的直線與來自該上面之線段所成的角度為未滿90°。
2. 如請求項1之銅構件，其中，該截面中，來自該下面之線段的長度相對於來自該上面之線段的長度之比例為小於1.4。
3. 如請求項1或2之銅構件，其中，該截面中，來自該下面之線段的長度相對於來自該上面之線段的長度之比例為小於1.0。
4. 如請求項1至3中任一項之銅構件，其中，窄縮率係在該上面與該下面之間隔的40～60%之間的規定部分最大。
5. 如請求項1至4中任一項之銅構件，其中，該銅構件包含由該下面往該上面依序積層之第一層及第二層，形成該第一層之第一金屬相較於形成該第二層之第二金屬，具有藉由形成該銅構件之蝕刻方法被快速去除的特性。
6. 如請求項5之銅構件，其中，該第一金屬包含銅。
7. 如請求項5或6之銅構件，其中，該第二金屬包含鎳。
8. 如請求項5至7中任一項之銅構件，其中，該第二層的附著量為0.5～9.0 mg/dm ²。
9. 如請求項5至8中任一項之銅構件，其中，該第二層為鍍敷皮膜。
10. 如請求項5至9中任一項之銅構件，其中，該蝕刻方法包含酸處理。
11. 如請求項1至10中任一項之銅構件，其中，寬度為100 μm以下。
12. 一種印刷佈線板用導體，係由如請求項1至11中任一項之銅構件形成。
13. 一種印刷佈線板用構件，包含： 如請求項12之該導體；及 絕緣體，係積層於該導體的底面。
14. 如請求項13之印刷佈線板用構件，其中，該絕緣體包含樹脂基材。
15. 一種印刷佈線板，包含如請求項12至14中任一項之印刷佈線板用構件。
16. 如請求項15之印刷佈線板，其中，該印刷佈線板用構件係以該導體間的間隔為100 μm以下之方式形成佈線。
17. 一種印刷電路板，包含電子零件及如請求項15或16之印刷佈線板。
18. 一種印刷佈線板用構件的製造方法，係如請求項13或14之印刷佈線板用構件的製造方法，具有： 在包含第一金屬之導體箔的表面形成第二層的步驟； 在與該導體箔的形成有該第二層的面為相反側之面積層該絕緣層的步驟； 在該導體箔的形成有該第二層之面形成光阻層的步驟； 將形成有該光阻層之該導體箔蝕刻處理的步驟；及 由經該蝕刻處理之該導體箔去除該光阻層的步驟。

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