TW202224827A - 雷射加工裝置及雷射加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 65
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 44
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 76
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
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- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
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- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
- B23K26/0676—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
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Abstract
提供一種可同時兼具維持加工溝的加工品質與防止節拍時間的增加之雷射加工裝置及雷射加工方法。具備使第2雷射光沿著加工進給方向分歧成複數道分歧光之分歧元件、和將藉由分歧元件分歧的複數道分歧光聚光於加工對象的切割道之第2聚光透鏡,並且將藉由第2聚光透鏡聚光於切割道之每個分歧光的光點中彼此相鄰的先行光點與後行光點的間隔、即分歧距離設為L,將相對移動的速度即加工速度設為V,及將迄至後行光點對先行光點的加工位置重疊為止的時間設為τ時,時間係以τ=L/V表示,在將第2溝的加工品質惡化發生之時間的閾值設為τ1時,滿足τ>τ1。
Description
本發明係關於進行晶圓的雷射加工之雷射加工裝置及雷射加工方法。
在近年來的半導體裝置的製造領域中,已知有藉由在矽等的基板的表面,積層有由玻璃質材料構成的低介電常數絕緣體被膜(Low-k膜)和形成電路的功能膜之積層體,而形成有複數個元件(device)的晶圓(半導體晶圓)。此種晶圓為,複數個元件藉由格子狀切割道劃分成格子狀,藉由將晶圓沿著切割道分割而製造各個元件。
作為將晶圓分割成複數個元件(晶片)的方法,已知有使用高速旋轉的刀之方法;和在晶圓的內部沿著切割道形成雷射加工區域,藉由形成此雷射加工區域而沿著強度降低的切割道施加外力之方法。然而,在適用了Low-k膜之晶圓的情況,由於Low-k膜的材料與晶圓的材料不同,故以前者的方法難以利用刀將絶緣膜與基板同時切削。又,在切割道上存在Low-k膜之情況,以後者的方法難以良好的品質分割成各個元件。
於是,專利文獻1揭示了進行沿著晶圓的切割道形成兩條切邊溝(阻隔溝)之切邊加工、和在兩條切邊溝之間形成鏤空溝(分割溝)之鏤空加工的雷射加工裝置。此雷射加工裝置係一邊使雷射光學系相對於晶圓相對移動至加工進給方向的一方向側(例如去程方向側),一邊藉由雷射光學系沿著同一切割道同時形成(併行形成)兩條切邊溝和鏤空溝,而去除Low-k膜等。
專利文獻2揭示了一種一邊使保持晶圓的夾盤和雷射光學系相對移動,一邊藉由雷射光學系形成沿著切割道彼此平行的一對溝槽(trench)(兩條第1溝)、和形成於一對溝槽間之屬於凹部的深溝(furrow)(第2溝)之雷射加工裝置。專利文獻2的雷射光學系係在無關乎雷射光學系對晶圓之加工進給方向(去程方向,回程方向)的情況下使與溝槽的加工對應之雷射光束比與深溝的加工對應之雷射光束還先行。
又,專利文獻2記載的雷射加工裝置,係使與深溝的加工對應之雷射光束朝加工進給方向分歧為四道,藉由使分歧為四道的雷射光束以共同的聚光透鏡個別地聚光於切割道上,進行深溝的加工。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-182019號公報
[專利文獻2]日本特開2016-208035號公報
[發明欲解決之課題]
在專利文獻1記載的雷射加工裝置中,欲將形成於切割道上的加工溝(兩條切邊溝、鏤空溝),尤其是加深鏤空溝的加工深度時,必需提高與鏤空加工對應之雷射光(脈衝雷射光)的功率,或者必須提高此雷射光的重複頻率。然而,在此情況,因晶圓的熔融所致之加工溝的回填係顯著的,無法獲得所期望的加工深度且加工品質也會惡化。
為了防止加工溝(鏤空溝)的加工品質的惡化等,會有例如依據確保按各晶圓所制定的加工品質之雷射光的功率的閾值,以此閾值以下的功率的雷射光進行鏤空加工之方法。然而,於此情況,必須按各切割道進行複數次(複數次通道的鏤空加工,會導致節拍時間(tact time)增加。
因此,在以上述之小於閾值的功率的雷射光進行鏤空加工時,例如,想到藉由增加進行鏤空加工的聚光透鏡,按各切割道僅進行1次鏤空加工來形成所期望深度的鏤空溝之方法(參照後述的圖8)。然而,於此情況,依聚光透鏡的數量增加的程度,也會增加雷射光學系相對於晶圓之相對移動量(加工距離),所以會導致節拍時間增加。又,必須將各聚光透鏡配置在同一直線上,會導致其配置調整的複雜化及難度增加。
於是,如上述專利文獻2所記載,想到使與鏤空加工對應的雷射光分歧成複數道分歧光,使各分歧光以共同的聚光透鏡聚光於切割道之方法。然而,當各分歧光的分歧距離(間隔)窄時,會成為與使雷射光的重複頻率增加者同樣的狀態。於此情況,由於在晶圓未充分冷卻的狀態下雷射光(脈衝雷射光)陸續被照射到切割道,故而會擔心對晶圓增加入熱(heat input)量所致加工溝的加工品質惡化。
本發明係有鑑於此種情事而完成者,目的在提供一種可兼具維持加工溝的加工品質與防止節拍時間的增加之雷射加工裝置及雷射加工方法。
[用以解決課題之手段]
用以達成本發明的目的之雷射加工裝置,係進行切邊加工與鏤空加工,該切邊加工係一邊使雷射光學系相對於保持晶圓的工作台朝向沿著晶圓的切割道之加工進給方向相對移動,一邊藉由雷射光學系沿著切割道形成彼此平行的兩條第1溝,該鏤空加工係在兩條第1溝之間形成第2溝;在該雷射加工裝置中,
雷射光學系具備:
雷射光射出系,將與切邊加工對應的兩道第1雷射光、以及與鏤空加工對應的第2雷射光射出;
第1聚光透鏡,使射出自雷射光射出系之兩道第1雷射光聚光於加工對象的切割道;
分歧元件,使射出自雷射光射出系之第2雷射光沿著加工進給方向分歧成複數道分歧光;及
第2聚光透鏡,使藉由分歧元件分歧的複數道分歧光聚光於加工對象的切割道;
將藉由第2聚光透鏡聚光於切割道之每個分歧光的光點中彼此相鄰的先行光點與後行光點的間隔、即分歧距離設為L,將相對移動的速度即加工速度設為V,及將迄至後行光點對先行光點的加工位置重疊為止的時間設為τ時,時間係以τ=L/V表示,
在將第2溝的加工品質惡化發生之時間的閾值設為τ1時,滿足τ>τ1。
根據此雷射加工裝置,可在防止節拍時間的增加,且不會導致加工溝(第2溝)的加工品質惡化下獲得所期望的加工深度。
在本發明的其他態樣之雷射加工裝置中,雷射光射出系具備:第1雷射光源,將與切邊加工對應之條件的雷射光射出;第2雷射光源,將與鏤空加工對應之條件的雷射光射出;第1光形成元件,從射出自第1雷射光源的雷射光,形成兩道第1雷射光;及第2光形成元件,從射出自第2雷射光源的雷射光,形成第2雷射光;分歧元件係設置於第2光形成元件與第2聚光透鏡之間的光路上。藉此,可使雷射加工高速化並使節拍時間減少。
在本發明的其他態樣之雷射加工裝置中,雷射光射出系具備:雷射光源,係射出雷射光;二分元件,使射出自雷射光源的雷射光分歧為二;第1光形成元件,從藉由二分元件分歧為二之雷射光的一者形成兩道第1雷射光;及第2光形成元件,從藉由二分元件分歧為二之雷射光的另一者形成第2雷射光;分歧元件係設置於第2光形成元件與第2聚光透鏡之間的光路上。
在本發明的其他態樣的雷射加工裝置中,第2光形成元件係在切割道形成第2雷射光,該第2雷射光形成非圓形的光點;且具備第2光形成元件旋轉機構,其係使第2光形成元件繞以第2光形成元件的光軸為中心之軸方向旋轉。藉此可調整第2溝的寬度。
在本發明的其他態樣的雷射加工裝置中,具備第1光形成元件旋轉機構,該第1光形成元件旋轉機構係使第1光形成元件繞以第1光形成元件的光軸為中心的軸方向旋轉。藉此可調整兩條第1溝的間隔。
在本發明的其他態樣的雷射加工裝置中,
第2聚光透鏡係以中間夾著第1聚光透鏡的方式設置兩個且連同第1聚光透鏡一起沿著加工進給方向配置成一列;
且具備接續光學系,其將射出自雷射光射出系之兩道第1雷射光導入第1聚光透鏡,且將藉由分歧元件分歧的複數道分歧光選擇性地導入兩個第2聚光透鏡;
接續光學系係在雷射光學系相對於工作台朝加工進給方向的去程方向側相對移動時,將複數道分歧光導入相對於第1聚光透鏡是位於與去程方向側相反的回程方向側之第2聚光透鏡,且在雷射光學系相對於工作台往回程方向側相對移動時,將複數道分歧光導入相對於第1聚光透鏡是位於去程方向側之第2聚光透鏡。
藉此可減少雷射加工的節拍時間。
在本發明的其他態樣的雷射加工裝置中,第2雷射光為脈衝雷射光,調整加工速度及第2雷射光的重複頻率的至少任一者,按每個光點,將相對於光點之下一次照射的光點在加工進給方向的重疊率設為50%以下。藉此,可使加工溝(第2溝)的加工品質進一步提升。
用以達成本發明的目的之雷射加工方法,係進行切邊加工與鏤空加工,該切邊加工係一邊使雷射光學系相對於保持晶圓的工作台朝向沿著晶圓的切割道的加工進給方向相對移動,一邊藉由雷射光學系沿著切割道形成彼此平行的兩條第1溝,該鏤空加工係在兩條第1溝之間形成第2溝,
雷射光學系係將與切邊加工對應的兩道第1雷射光、以及與鏤空加工對應的第2雷射光射出,將兩道第1雷射光藉由第1聚光透鏡聚光於加工對象的切割道,將第2雷射光沿著加工進給方向分歧成複數道分歧光,將複數道分歧光藉由第2聚光透鏡聚光於加工對象的切割道,
將藉由第2聚光透鏡聚光於切割道之每個分歧光的光點中彼此相鄰的先行光點與後行光點的間隔、即分歧距離設為L,將相對移動的速度即加工速度設為V,及將迄至後行光點對先行光點的加工位置重疊為止的時間設為τ時,時間係以τ=L/V表示,
在將第2溝的加工品質惡化發生之時間的閾值設為τ1之情況,滿足τ>τ1。
[發明之效果]
本發明係兼具維持加工溝的加工品質與防止節拍時間的增加。
[用以實施發明的形態]
[第1實施形態的雷射加工裝置之整體構成]
圖1係第1實施形態的雷射加工裝置10的概略圖。如圖1所示,雷射加工裝置10在將晶圓12分割成複數個晶片14(參照圖2)之前的前工程方面,係對晶圓12實施雷射加工(剝蝕溝加工)。此外,圖中的XYZ方向係相互正交,其中X方向及Y方向為水平方向,Z方向為上下方向。在此,X方向相當於本發明的加工進給方向。
圖2係利用雷射加工裝置10之加工對象的晶圓12之平面圖。如圖2所示,晶圓12係在矽等的基板的表面積層有Low-k膜、和形成電路的功能膜而成之積層體。晶圓12係藉由配列成格子狀的複數個切割道C(分割預定線)劃分成複數個區域。於此經劃分的各區域,設有構成晶片14的元件16。
雷射加工裝置10係如圖中帶有括弧的數字(1)~(4)、・・・所示,按各切割道C沿著切割道C對晶圓12進行雷射加工,藉此去除基板上的Low-k膜等。
此時,雷射加工裝置10係為了降低晶圓12的雷射加工所需之節拍時間,將後述的雷射光學系24相對於晶圓12相對移動於X方向時之相對移動方向按各切割道C交替切換。
例如,在沿著圖中帶有括弧的數字(1)、(3)等所示之奇數號的切割道C進行雷射加工時,使後述的雷射光學系24相對於晶圓12相對移動於去程方向側X1(參照圖5),該去程方向為X方向的一方向側。又,在沿著圖中帶有括弧的數字(2)、(4)等所示之偶數號的切割道C進行雷射加工時,使雷射光學系24相對於晶圓12相對移動於X方向的另一方向側,亦即與去程方向側X1相反的回程方向側X2(參照圖6)。
圖3係用以說明沿著奇數號的切割道C之雷射加工的說明圖。圖4係用以說明沿著偶數號的切割道C之雷射加工的說明圖。
如圖3及圖4所示,本實施形態中,作為雷射加工,係同時(併行)執行切邊加工及鏤空加工。切邊加工係使用兩道第1雷射光L1進行的雷射加工,且係形成沿著切割道C相互平行的兩條切邊溝18(相當於本發明的兩條第1溝之剝蝕溝)之雷射加工。
鏤空加工係在藉切邊加工所形成的兩條切邊溝18之間形成鏤空溝19(相當於本發明的第2溝之剝蝕溝)之雷射加工。本實施形態中,此鏤空加工係使用直徑比兩道第1雷射光L1還粗的第2雷射光L2於加工進給方向(X方向)分歧成複數個所得的分歧光L2a來進行。此外,關於為剝蝕溝的兩條切邊溝18及鏤空溝19,由於為周知技術,所以省略關於其詳情的說明(參照專利文獻1)。
雷射加工裝置10中,使後述的雷射光學系24相對於晶圓12往去程方向側X1(參照圖5)相對移動或往回程方向側X2(參照圖6)相對移動的情況之任一者中,均是在鏤空加工前先進行切邊加工鏤空。
返回圖1,雷加工裝置10係具備:工作台20;第1雷射光源22A;第2雷射光源22B;雷射光學系24;顯微鏡26;相對移動機構28;及控制裝置30。
工作台20係保持晶圓12。又,工作台20係在控制裝置30的控制下,藉由相對移動機構28,在與加工對象的切割道C平行之加工進給方向即X方向以及在和切割道C的寬度方向平行之Y方向移動,並且以與Z方向平行之工作台20的中心軸(旋轉軸)為中心旋轉。
第1雷射光源22A及第2雷射光源22B係連同後述的雷射光學系24一起構成本發明的雷射光學系。第1雷射光源22A係常時朝雷射光學系24射出適合於切邊加工的條件(波長、脈衝寬度及重複頻率等)之脈衝雷射光、即雷射光LA。第2雷射光源22B係常時朝雷射光學系24射出適合於鏤空加工的條件(波長、脈衝寬度及重複頻率等)之脈衝雷射光、即雷射光LB。
在此,如後述的第4實施形態所示,亦想到以一個雷射光源22(參照圖23)來進行切邊溝加工與鏤空溝加工,但根據雷射光條件之不同,即便切邊溝加工的速度能夠提升,鏤空溝加工的速度也無法提升,其結果,必須以無法提升速度之鏤空溝加工的速度來進行加工。又,根據雷射光條件之不同,也有與其相反的情況。因此,導致在各者中成為低速度之側的速度會成為雷射加工的上限速度。
如此,在切邊加工及鏤空加工中,有分別適合於加工速度與加工完成之雷射光條件。因此,較佳為在切邊加工與鏤空加工中使用不同的光源(第1雷射光源22A及第2雷射光源22B)。藉此,雷射加工可更高速化,所以可使節拍時間降低。
雷射光學系24(亦稱為雷射單元或雷射頭)係依據來自第1雷射光源22A的雷射光LA,形成切邊加工用的兩道第1雷射光L1,惟詳如後述。又,雷射光學系24係在依據來自第2雷射光源22B的雷射光LB形成有鏤空加工用的一道第2雷射光L2後,使此第2雷射光L分歧為二成複數道分歧光L2a。接著,雷射光學系24係將兩道第1雷射光L1從第1聚光透鏡38朝切割道C射出(照射)。又,雷射光學系24係在控制裝置30的控制下,從兩個第2聚光透鏡40A、40B將各分歧光L2a選擇性地朝切割道C射出(照射)。
再者,雷射光學系24係在控制裝置30的控制下,藉由相對移動機構28往Y方向及Z方向移動。
顯微鏡26係固定於雷射光學系24,與雷射光學系24一體移動。顯微鏡26係在切邊加工及鏤空加工之前,對形成於晶圓12的對準基準(省略圖示)進行拍攝。又,顯微鏡26係對藉由切邊加工及鏤空加工沿著切割道C形成的兩條切邊溝18及鏤空溝19進行拍攝。藉顯微鏡26拍攝的拍攝影像(影像資料),係朝控制裝置30輸出,藉由此控制裝置30顯示於未圖示的監視器(monitor)。
相對移動機構28係由未圖示的XYZ致動器及馬達等所構成,在控制裝置30的控制下,進行工作台20在XY方向的移動及以旋轉軸為中心的旋轉、與雷射光學系24在Z方向的移動。藉此,相對移動機構28係可相對於工作台20及晶圓12使雷射光學系24相對移動。此外,只要可相對於工作台20(晶圓12),使雷射光學系24朝各方向(包含旋轉)相對移動,則該相對移動方法並無特別限定。
藉由驅動相對移動機構28,可執行:雷射光學系24相對於加工對象之切割道C的一端、即加工開始位置之對位(對準);以及雷射光學系24在沿著切割道C的X方向[去程方向側X1(參照圖5)或回程方向側X2(參照圖6)]之相對移動。又,藉由驅動相對移動機構28,使工作台20旋轉90°,可使晶圓12的沿著Y方向之各切割道C與加工進給方向即X方向平行。
控制裝置30係藉由例如個人電腦之類的演算裝置構成,具備由各種處理器(Processor)及記憶體等構成的演算電路。各種處理器係包含CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)、GPU(Graphics Processing Unit,圖形處理單元)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit,特殊應用積體電路)、及可程式邏輯元件[例如SPLD(Simple Programmable Logic Devices,簡單可程式邏輯裝置)、CPLD(Complex Programmable Logic Device,複合可程式邏輯裝置)、及FPGA(Field Programmable Gate Arrays,現場可程式邏輯閘陣列)]等。此外,控制裝置30的各種功能係可藉由一個處理器實現,也可藉由同種或不同種的複數個處理器。
控制裝置30係統括地控制第1雷射光源22A、第2雷射光源22B、雷射光學系24、顯微鏡26、及相對移動機構28等的動作。
[雷射光學系]
圖5係用以說明利用相對於晶圓12往去程方向側X1相對移動之雷射光學系24所進行的切邊加工及鏤空加工之說明圖。圖6係用以說明利用相對於晶圓12往回程方向側X2相對移動之雷射光學系24所進行的切邊加工及鏤空加工之說明圖。以下,將相對於晶圓12往去程方向側X1相對移動之雷射光學系24的加工對象、即奇數號的切割道C適當稱為「去程」;將往回程方向側X2相對移動之雷射光學系24的加工對象、即偶數號的切割道C適當稱為「回程」。
如圖5及圖6所示,雷射光學系24具備:第1安全閘(safety shutter)100A及第2安全閘100B、安全閘驅動機構102、第1光形成元件32、第2光形成元件34、分歧元件35、接續切換元件36、第1聚光透鏡38、兩個第2聚光透鏡40A、40B、第1高速閘47A及第2高速閘47B、以及高速閘驅動機構47C。
第1安全閘100A係以可插入脫離自如的方式設置於第1雷射光源22A與第1光形成元件32之間的雷射光LA的光路上。又,第2安全閘100B係以可插入脫離自如的方式設置於第2雷射光源22B與第2光形成元件34之間的雷射光LB的光路上。
安全閘驅動機構102係在控制裝置30的控制下,使第1安全閘100A相對於雷射光LA的光路插入脫離,並且使第2安全閘100B相對於雷射光LB的光路插入脫離之致動器。安全閘驅動機構102除了在雷射加工時以外,係使第1安全閘100A插入於雷射光LA的光路,並且使第2安全閘100B插入於雷射光LB的光路,藉此將雷射光LA、LB的光路開啟。
又,安全閘驅動機構102係在雷射加工時使來自雷射光LA的光路之第1安全閘100A退避,並且使第2安全閘100B從雷射光LB的光路退避,藉此將雷射光LA、LB的光路開啟。
第1光形成元件32及第2光形成元件34,係連同已述的第1雷射光源22A及第2雷射光源22B,一起構成本發明的雷射光射出系。第1光形成元件32係使用例如繞射光學元件(Diffractive Optical Element:DOE)。此第1光形成元件32係從入射自第1雷射光源22A的雷射光LA形成與切邊加工對應的兩道第1雷射光L1,將兩道第1雷射光L1朝第1聚光透鏡38射出。藉此,在切割道C(去程及回程)上藉由第1聚光透鏡38使兩道第1雷射光L1聚光,形成在切割道C上於Y方向分離的2個光點SP1(亦稱為聚光點或加工點)。此外,從第1光形成元件32到第1聚光透鏡38之兩道第1雷射光L1的光路(包含設置於光路上的各種光學元件),係構成本發明的接續光學系的一部分,但省略了圖示。
第2光形成元件34係使用例如繞射光學元件及遮罩等。第2光形成元件34係從入射自第2雷射光源22B的雷射光LB形成與鏤空加工對應之第2雷射光L2。第2雷射光L2係經由後述的分歧元件35,在兩條切邊溝18之間形成呈矩形(亦可為圓形等其他的形狀)且沿著X方向之複數個光點SP2。此光點SP2在Y方向的寬度係配合兩條切邊溝18的間隔作調整。第2光形成元件34係將第2雷射光L2朝分歧元件35射出。
分歧元件35係使入射自第2光形成元件34的第2雷射光L2沿著X方向(加工進給方向)分歧成複數道分歧光L2a。作為此分歧元件35,係使用例如繞射光學元件、折射光學元件、稜鏡、及此等的組合等。此外,在圖中,係藉由分歧元件35使第2雷射光L2分歧為二,但亦可分歧為3道以上。接著,分歧元件35係將各分歧光L2a朝接續切換元件36射出。此外,關於各分歧光L2a之具體的分歧條件,將於後闡述。
接續切換元件36係構成本發明的接續光學系。作為此接續切換元件36,係使用例如周知的光開關或者各種光學元件(λ/2板、極化束分光器、半鏡、及反射鏡(mirror)等、或者此等的組合)。接續切換元件36係在控制裝置30的控制下,將從分歧元件35射出的各分歧光L2a選擇性地導入第2聚光透鏡40A、40B。
第1聚光透鏡38及第2聚光透鏡40A、40B係沿著X方向(加工進給方向)配置成一列。第1聚光透鏡38係配置在第2聚光透鏡40A與第2聚光透鏡40B之間。換言之,第2聚光透鏡40A、40B係以將第1聚光透鏡38夾在中間之方式配置。第2聚光透鏡40A係相對於第1聚光透鏡38配置在回程方向側X2。第2聚光透鏡40B係相對於第1聚光透鏡38配置在去程方向側X1。
第1聚光透鏡38係使入射自第1光形成元件32的兩道第1雷射光L1在切割道C(去程及回程)上聚光。第2聚光透鏡40A係使入射自接續切換元件36的各分歧光L2a在切割道C(去程)上聚光。第2聚光透鏡40B係使入射自接續切換元件36的各分歧光L2a在切割道C(回程)上聚光。
接續切換元件36係在藉由相對移動機構28使雷射光學系24相對於晶圓12朝去程方向側X1及回程方向側X2的任一方向側相對移動時,將各分歧光L2a導入於第2聚光透鏡40A、40B當中之相對於第1聚光透鏡38是位於去程方向側X1及回程方向側X2的另一方向側之透鏡。
具體而言,如圖5所示,接續切換元件36係在藉由相對移動機構28使雷射光學系24相對於晶圓12朝去程方向側X1相對移動時,將射出自分歧元件35的各分歧光L2a導入第2聚光透鏡40A。依此方式,在切割道C(去程)上藉由第2聚光透鏡40A使各分歧光L2a個別地聚光,藉此形成每個分歧光L2a的光點SP2。其結果,藉由雷射光學系24朝去程方向側X1的相對移動,沿著切割道C(去程)先執行切邊加工,藉此形成兩條切邊溝18,接著執行鏤空加工而在兩條切邊溝18之間形成鏤空溝19。
如圖6所示,接續切換元件36係在藉由相對移動機構28使雷射光學系24相對於晶圓12朝回程方向側X2相對移動時,將射出自分歧元件35的各分歧光L2a導入第2聚光透鏡40B。依此方式,在切割道C(回程)上藉由第2聚光透鏡40B使各分歧光L2a個別地聚光,藉此形成每個分歧光L2a的光點SP2。其結果,藉由雷射光學系24朝回程方向側X2的相對移動,沿著切割道C(回程)先執行切邊加工,藉此形成兩條切邊溝18,繼而執行鏤空加工,藉此在兩條切邊溝18之間形成鏤空溝19。
如此,本實施形態中,使第2雷射光L2分歧成複數道分歧光L2a,藉由第2聚光透鏡40A、40B使各分歧光L2a個別地在切割道C上聚光,藉此可按每個分歧光L2a進行切割道C的鏤空加工。其結果,藉由雷射光學系24相對於晶圓12的一次去程方向側X1或回程方向側X2的相對移動,可對切割道C同時進行因應分歧光L2a的數量之複數次份的鏤空加工。因此,可在不會提升第2雷射光L2的功率下加深鏤空溝19(加工溝)的加工深度。藉此,可在不增加節拍時間下,以可維持鏤空溝19的加工品質之功率的第2雷射光L2進行鏤空加工。
第1高速閘47A係以可對第1雷射光源22A與第1光形成元件32之間的雷射光LA的光路(亦可為第1光形成元件32與第1聚光透鏡38之間的光路)插入脫離自如的方式設置。第1高速閘47A係在被插入第1雷射光源22A與第1光形成元件32之間的光路時,藉由阻隔自第1雷射光源22A入射至第1光形成元件32的雷射光LA,而使來自第1聚光透鏡38之兩道第1雷射光L1的射出停止。
第2高速閘47B係以可對第2雷射光源22B與第2光形成元件34之間的雷射光LB的光路(亦可為第2光形成元件34與接續切換元件36之間的光路)插入脫離自如的方式設置。第2高速閘47B係在被插入第2雷射光源22B與第2光形成元件34之間的光路時,藉由阻隔自第2雷射光源22B入射至第2光形成元件34的雷射光LB,而使來自第2聚光透鏡40A、40B之各分歧光L2a的射出停止。
高速閘驅動機構47C係在控制裝置30的控制下,使第1高速閘47A及第2高速閘47B對已述的各光路插入脫離之致動器。高速閘驅動機構47C係在切邊加工時使第1高速閘47A自雷射光LA的光路退避,且在切邊加工時以外的時間將第1高速閘47A插入雷射光LA的光路。又,高速閘驅動機構47C係在鏤空加工時使第2高速閘47B自雷射光LB的光路退避,且在鏤空加工時以外的時間將第2高速閘47B插入雷射光LB的光路。
[雷射加工(各閘的動作)]
圖7係顯示利用上述構成之第1實施形態的雷射加工裝置10之晶圓12的每個切割道C的雷射加工之流程,尤其係顯示第1高速閘47A、第2高速閘47B、第1安全閘100A、及第2安全閘100B的動作之流程圖。
如圖7所示,當雷射加工對象的晶圓12保持於工作台20時,控制裝置30最初驅動安全閘驅動機構102以使各安全閘100A、100B自雷射光LA、LB的光路上退避(步驟S0)。
接著,控制裝置30驅動相對移動機構28,使顯微鏡26相對於晶圓12相對移動至可拍攝晶圓12的對準基準(省略圖示)之位置後,執行利用顯微鏡26所進行之對準基準的拍攝。接著,控制裝置30係依據藉由顯微鏡26所拍攝之對準基準的拍攝影像,進行檢測晶圓12內之各切割道C的位置之對準檢測。其次,控制裝置30係驅動相對移動機構28,進行雷射光學系24之第1聚光透鏡38的光軸、與第1號切割道C(去程)的加工開始位置之對位(步驟S1)。
又,控制裝置30係在驅動接續切換元件36以將射出各分歧光L2a的透鏡切換成第2聚光透鏡40A後(步驟S2),驅動高速閘驅動機構47C以使第1高速閘47A自雷射光LA的光路上退避(步驟S3)。藉此,從第1聚光透鏡38射出兩道第1雷射光L1,兩道第1雷射光L1聚光於切割道C(去程)上的加工開始位置。
接著,控制裝置30係驅動相對移動機構28,使雷射光學系24相對於晶圓12朝去程方向側X1相對移動(步驟S4)。接著,當第2聚光透鏡40A的光軸到達切割道C(去程)的加工開始位置時,控制裝置30係驅動高速閘驅動機構47C以使第2高速閘47B從雷射光LB的光路上退避(步驟S5)。藉此,自第2聚光透鏡40A射出各分歧光L2a,各分歧光L2a聚光於上述的加工開始位置。
當雷射光學系24朝去程方向側X1的相對移動持續時,如圖3及圖5所示,兩道第1雷射光L1的光點SP1與每個分歧光L2a的光點SP2沿著切割道C(去程)朝去程方向側X1移動。其結果,沿著切割道C(去程),隔著間隔同時執行利用切邊加工進行兩條切邊溝18的形成與利用鏤空加工進行鏤空溝19的形成。
控制裝置30係配合光點SP1到達切割道C(去程)的加工結束位置之時間點(timing),驅動高速閘驅動機構47C以使第1高速閘47A插入雷射光LA的光路上(步驟S6、S7)。又,控制裝置30係配合各光點SP2到達上述的加工結束位置的時間點,驅動高速閘驅動機構47C以使第2高速閘47B插入雷射光LB的光路上(步驟S8)。藉此,第1號切割道C(去程)的雷射加工完成。
控制裝置30係在當第1號切割道C(去程)的雷射加工完成時,驅動相對移動機構28,進行第1聚光透鏡38的光軸、與第2號切割道C(回程)的加工開始位置之對位(步驟S9中為YES,步驟S10)。
又,控制裝置30係在驅動接續切換元件36將射出各分歧光L2a的透鏡切換成第2聚光透鏡40B後(步驟S11),驅動高速閘驅動機構47C以使第1高速閘47A自雷射光LA的光路上退避(步驟S12)。藉此,藉由第1聚光透鏡38使兩道第1雷射光L1聚光於切割道C(回程)上的加工開始位置。
接著,控制裝置30係驅動相對移動機構28,使雷射光學系24相對於晶圓12朝回程方向側X2相對移動(步驟S13)。接著,當第2聚光透鏡40B的光軸係通常在到達切割道C(回程)的加工開始位置時,控制裝置30便驅動高速閘驅動機構47C以使第2高速閘47B從雷射光LB的光路上退避(步驟S14)。藉此,藉由第2聚光透鏡40B使各分歧光L2a聚光於加工開始位置。
當雷射光學系24朝回程方向側X2的相對移動持續時,如圖4及圖6所示,兩道第1雷射光L1的光點SP1與每個分歧光L2a的光點SP2係沿切割道C(回程)往回程方向側X2移動。其結果,沿著切割道C(回程),隔著間隔同時執行利用切邊加工之兩條切邊溝18的形成、與利用鏤空加工之鏤空溝19的形成。
控制裝置30係在配合光點SP1到達切割道C(回程)的加工結束位置之時間點,驅動高速閘驅動機構47C以使第1高速閘47A插入雷射光LA的光路上(步驟S15、S16)。又,控制裝置30係在配合每個分歧光L2a的光點SP2到達加工結束位置的時間點,驅動高速閘驅動機構47C以使第2高速閘47B插入雷射光LB的光路上(步驟S17)。藉此,完成第2號切割道C(回程)的雷射加工。
以下同樣地,沿著與X方向平行的所有切割道C反覆執行雷射加工(切邊加工及鏤空加工)(步驟S9中為YES,步驟S18中為YES)。接著,控制裝置30係驅動相對移動機構28以使工作台20旋轉90°後,反覆執行上述一連串的處理。藉此,沿著格子狀的各切割道C執行雷射加工。
圖8係在比較例(參照符號8A)與本實施形態(參照符號8B)中,用以比較各切割道C的雷射加工所需之加工距離(雷射光學系24相對於晶圓12之相對移動量)之說明圖。此外,圖8中,係以使第2雷射光L2分歧為四的情況為例來說明。
本實施形態中,係在1個(共同)第2聚光透鏡40A(第2聚光透鏡40B)內使第2雷射光L2分歧為各分歧光L2a,但例如,如圖8的符號8A所示之比較例所示,亦想到增加進行鏤空加工之第2聚光透鏡40A、40B之方法。
然而,比較例中,在複數個第2聚光透鏡40A、40B中的最後透鏡到達加工結束位置為止,必須持續進行雷射光學系24相對於晶圓12之相對移動,藉由雷射加工的加工距離增加,也會導致節拍時間增加。尤其如本實施形態所示,在往復進行切割道C(去程,回程)的雷射加工時,會導致加工距離進一步增加。又,會有必須將複數個第2聚光透鏡40A、40B配置在同一直線上,配置調整的複雜化及難度增加之問題。
對此,如圖8的符號8B所示,本實施形態中,由於係在1個(共同)第2聚光透鏡40A、40B內使第2雷射光L2(光點SP2),所以與比較例不同,加工距離不會增加,可防止節拍時間的增加。又,如比較例所示,變得不需要進行複數個第2聚光透鏡40A、40B的配置調整。
[鏤空加工]
圖9係用以說明第2雷射光L2的重複頻率為10kHz且加工速度為300mm/s時的鏤空加工之說明圖。圖10係用以說明第2雷射光L2的重複頻率為10kHz且加工速度為30mm/s時的鏤空加工之說明圖。
如圖9及圖10所示,在鏤空加工中,藉由雷射光學系24於切割道C上形成複數個光點SP2。此時,由於第2雷射光L2為脈衝雷射光,所以各分歧光L2a從雷射光學系24對切割道C的照射係依據第2雷射光L2的重複頻率間歇地(按一定間隔)進行。又,同時,相對移動機構28係使雷射光學系24相對於晶圓12朝X方向相對移動,具體而言,使晶圓12以既定的加工速度朝X方向移動。藉此,每次對切割道C照射各分歧光L2a的脈衝,各光點SP2的位置便沿著切割道C移動。
各光點SP2的位置的移動量即光點移動量d,係依據第2雷射光L2的重複頻率及加工速度而改變。
例如,如圖9所示,重複頻率為10kHz且加工速度為300mm/s時的光點移動量d係為30μm。又,如圖10所示,重複頻率為10kHz且加工速度為30mm/s時的光點移動量d係為3μm。此外,重複頻率愈增加,光點移動量d愈減少;反之,重複頻率越減少,光點移動量d愈增加。
圖11係用以說明本發明的雷射加工方法之說明圖,更具體而言,係顯示藉由第2聚光透鏡40A、40B聚光於切割道C(回程,回程)上之各分歧光L2a的光點SP2的上視圖。
如圖11所示,本實施形態中,將聚光於切割道C上之每個分歧光L2a的光點SP2的間隔,亦即,將每個分歧光L2a的光點SP2中彼此相鄰的先行光點SP2a與後行光點SP2b的間隔、即分歧距離設為「L」。此外,在彼此相鄰的光點SP2中沿著切割道C先行移動者係為先行光點SP2a,沿著切割道C後行移動者係為後行光點SP2b。
接著,將雷射加工(切邊加工及鏤空加工)的加工速度設為「V」時,迄至切割道C上之後行光點SP2b對先行光點SP2a的加工位置重疊為止的時間τ係以τ=L/V表示。
此時,在時間τ短的情況,亦即,當分歧距離L短或加工速度V快的情況,會成為與使第2雷射光L2的重複頻率增加的情況同樣的狀態,因對晶圓12的入熱量變過大,會導致鏤空溝19的加工品質惡化。又,反之,在時間τ長的情況,亦即,在分歧距離L長或加工速度V慢的情況,在迄至切割道C上之後行光點SP2b對先行光點SP2a的加工位置重疊為止的期間,此加工位置會被冷卻,所以對晶圓12的入熱量會被抑制在一定範圍內。其結果,可確保鏤空溝19的加工品質。
於是,本實施形態中,將鏤空溝19的加工品質惡化發生的時間τ的閾值(上限値)、即時間閾值設為τ1時,在滿足τ>τ1的狀態下進行鏤空加工(雷射加工)。在此,關於時間閾值τ1,藉由預先進行實驗或者模擬,可依據晶圓12的種類、第2雷射光L2的種類及功率等來決定。又,「滿足τ>τ1的狀態」係指:以滿足τ>τ1的方式調整分歧距離L及加工速度V之至少一者的狀態。再者,在分歧光L2a為3以上的情況亦同樣,設成在彼此相鄰的分歧光L2a(先行光點SP2a、後行光點SP2b)之間滿足τ>τ1。
圖12至圖15係表示在切割道C的任意一點之入熱量與經過時間的關係之圖表。圖12係顯示在未使第2雷射光L2分歧時的任意一點之入熱量與經過時間的關係。圖13係顯示使第2雷射光L2分歧為二,但τ成為「τ<τ1」時的任意一點之入熱量與經過時間的關係。圖14係表示使第2雷射光L2分歧為二且在τ滿足「τ>>τ1」時的任意一點之入熱量與經過時間的關係。圖15係表示使第2雷射光L2分歧為二且在τ滿足「τ>τ1」時的任意一點之入熱量與經過時間的關係。
此外,圖12至圖15中,為了防止說明的複雜化,以矩形表示第2雷射光L2及各分歧光L2a之每一脈衝的能量,但亦可為其他形狀,例如高斯(Gaussian)或者三角波等。又,圖12至圖15中的「加工發生」係表示可形成鏤空溝19之入熱量的閾值,「品質惡化」係表示鏤空溝19的加工品質惡化之入熱量的閾值。
如圖12所示,在未使第2雷射光L2分歧的情況,為了加深鏤空溝19的加工深度,必須提升第2雷射光L2的功率。其結果,藉由第2雷射光L2的一次脈衝對任意一點之照射,會導致任意一點的蓄熱HS(入熱量)超過「品質惡化」的閾值。
如圖13所示,在使第2雷射光L2分歧為二,而τ為「τ<τ1」的情況,亦即在分歧距離L短或者加工速度V快(重複頻率過高)之情況,因各分歧光L2a(先行光點SP2a及後行光點SP2b)導致的入熱量會儲存在任意一點。其結果,此任意一點的蓄熱HS(入熱量)會超越「品質惡化」的閾值。
如圖14所示,在使第2雷射光L2分歧為二且τ滿足「τ>>τ1」之情況,在先行光點SP2a對任意一點所產生的蓄熱HS(入熱量)已超過「加工發生」的閾值後,迄至因後行光點SP2b所致的入熱開始為止之期間會充分地被冷卻。因此,在後行光點SP2b對此任意一點的入熱開始後,也可在不會有蓄熱HS(入熱量)超過「品質惡化」的閾值的情況下維持鏤空溝19的加工品質。其結果,可在不會使鏤空溝19的加工品質惡化下獲得所期望的加工深度。
如圖15所示,在使第2雷射光L2分歧為二且τ滿足「τ>τ1」的情況,由於比起圖13,τ是大的(例如分歧距離L廣),所以即便先行光點SP2a及後行光點SP2b對任意一點的入熱連續,也可在不會有蓄熱HS(入熱量)超過「品質惡化」的閾值之情況下維持鏤空溝19的加工品質。其結果,可在不會使鏤空溝19的加工品質惡化下獲得所期望的加工深度。
[第1實施形態的功效]
如以上所述,在第1實施形態中,藉由在第2聚光透鏡40A、40B內使第2雷射光L2(光點SP2)分歧成複數道,可防止節拍時間的增加。且,第1實施形態中,藉由在以滿足τ>τ1的方式調整了分歧距離L及加工速度V(重複頻率)之至少一者的狀態下進行鏤空加工,可在不會導致鏤空溝19的加工品質惡化下獲得所期望的加工深度。其結果,第1實施形態中,可同時兼具防止節拍時間的增加、與維持所期望的加工深度之鏤空溝19的加工品質。
[第2實施形態]
其次,就第2實施形態的雷射加工裝置10進行說明。如上述第1實施形態中說明所示,為了滿足τ>τ1,可考慮使分歧距離L加寬或使加工速度V變慢或者兩者皆考慮。這時,使加工速度V變愈慢,下一次照射的光點SP2相對於已照射在切割道C的光點SP2在X方向(加工進給方向)的重疊率依每個光點SP2愈上升。且,如後述的圖16所示,重疊率與鏤空溝19的加工品質之間有關連。於是,在第2實施形態中,以滿足τ>τ1後,進而重疊率滿足後述的既定條件(50%以下)之方式,進行加工速度V及第2雷射光L2的重複頻率之至少任一者的調整。
此外,第2實施形態的雷射加工裝置10,由於與上述第1實施形態的雷射加工裝置10基本上為相同構成,所以關於與上述第1實施形態在功能或構成上相同者,係標註同一符號並省略其說明。
圖16係顯示在使第2雷射光L2分歧之「1個光點」的比較例與使第2雷射光L2分歧為二之「2個光點」的本實施例中,鏤空加工的加工條件(加工速度V及重疊率)與鏤空溝19的底面的加工狀態之關係的說明圖。圖17係表示圖16所示之每個加工條件(A~D、A1~D1)的入熱量與鏤空溝19的加工深度的關係之圖表。圖18係表示圖16所示之每個加工條件的加工速度V與鏤空溝19的加工深度之關係的圖表。
此外,加工速度V及重疊率以外的加工條件係重複頻率為50kHz,X方向(加工進給方向)之第2雷射光L2及分歧光L2a的寬度為10μm,本實施例的分歧距離L為100μm。又,比較例的第2雷射光L2、本實施例之各分歧光L2a的能量係為相同。因此,當比較本實施例與比較例施加於切割道C的能量大小時,在相同的加工條件(加工速度V及重疊率)下本實施例相對於比較例係成為2倍的大小。
如圖16所示,若比較在本實施例與比較例中按各加工條件之鏤空溝19的加工品質時,由於在本實施例的加工條件C1、D1中,於鏤空溝19的底面可看到金屬光澤,所以鏤空溝19的加工品質良好。又,本實施例的加工條件A1、B1中,由於在鏤空溝19的底面會產生一些燒焦,所以鏤空溝19的加工品質比上述的加工條件C1、D1差。
另一方面,在比較例的加工條件A中,由於鏤空溝19的底面完全燒焦,所以鏤空溝19的加工品質變成NG。又,在比較例的加工條件B~D中,由於發生鏤空溝19的加工不足,所以鏤空溝19的加工品質變成NG。
如圖17及圖18所示,本實施例的加工條件D1與比較例的加工條件B,雖然對切割道C之每單位面積的熱投入量相同,但加工條件D1比較可加深鏤空溝19的加工深度。再者,加工條件D1係如已述的圖16中說明所示,鏤空溝19的加工品質比加工條件B更良好。又,關於本實施例的加工條件B1與比較例的加工條件A亦同樣。
如圖16至圖18所示,當比較本實施例的加工條件A1~D1時,若重疊率高於50%,則會發生鏤空溝19的加工品質降低。
圖19係用以說明鏤空加工(雷射加工)的較佳重疊率之說明圖。如圖19的符號XIXA、XIXB所示,若光點SP2的重疊率大於50%,則會產生切割道C上照射3個光點份的分歧光L2a之區域OA。其結果,如已述的圖13所示,恐有因蓄熱HS(入熱量)增加而造成鏤空溝19的加工品質降低或者蓄熱HS超過「品質惡化」的閾值之虞。
因此,在如上述第1實施形態說明所示以滿足τ>τ1的方式調整分歧距離L及加工速度V之情況,較佳為進一步使重疊率成為50%以下的方式調整加工速度V及第2雷射光L2的重複頻率之至少任一者。例如,假設第2雷射光L2的重複頻率為50kHz且重疊率為50%,由於時間閾值τ1為τ1=20μs,故以滿足τ>20μs的方式進行分歧距離L等的調整。藉此,比起第1實施形態,可使鏤空溝19的加工品質更加提升。
[第3實施形態]
其次,進行第3實施形態的雷射加工裝置10的說明。第3實施形態的雷射加工裝置10係可調整兩條切邊溝18在Y方向的間隔、與鏤空溝19在Y方向的寬度。此外,第3實施形態的雷射加工裝置10除了具備後述的第1旋轉機構44(參照圖20)與第2旋轉機構46(參照圖21)這點外,係與上述各實施形態的雷射加工裝置10為基本上相同的構成。因此,關於與上述各實施形態在功能或構成上相同者,係標註相同符號並省略其說明。
圖20係用以說明利用第1旋轉機構44調整兩條切邊溝18在Y方向的間隔之說明圖。如圖20所示,第1旋轉機構44(相當於本發明的第1光形成元件旋轉機構)係例如藉由馬達及驅動傳送機構所構成,在控制裝置30的控制下,使第1光形成元件32繞以其光軸為中心的軸方向旋轉。藉此,在從Z方向上方側觀看晶圓12的情況下,可使藉由第1聚光透鏡38聚光於切割道C上之兩道第1雷射光L1的光點SP1,以第1聚光透鏡38的光軸為中心而旋轉。其結果,藉由將切割道C上之2個光點SP1在Y方向的間隔擴大或者變窄,可調整兩條切邊溝18在Y方向的間隔。
圖21係用以說明利用第2旋轉機構46調整鏤空溝19在Y方向的寬度的說明圖。圖22係第3實施形態之每個分歧光L2a的光點SP2之上視圖。
如圖21所示,第2旋轉機構46(相當於本發明的第2光形成元件旋轉機構),係與第1旋轉機構44同樣藉由例如馬達及驅動傳送機構所構成,在控制裝置30的控制下,使第2光形成元件34繞以其光軸為中心之軸方向旋轉。藉此,如圖22的符號XXIIA、XXIIB所示,在將晶圓12從Z方向上方側觀看的情況下,可使藉由第2聚光透鏡40A、40B聚光於切割道C上之每個分歧光L2a的光點SP2,以第2聚光透鏡40A、40B的光軸為中心旋轉。
在此,每個分歧光L2a的光點SP2為矩形,亦即為非圓形。因此,藉由使各光點SP2旋轉,可進行將形成於切割道C上之鏤空溝19在Y方向的寬度擴大或者縮窄等的調整。此外,各光點SP2的形狀只要為非圓形即可,不限定於矩形。
控制裝置30係依據由操作者輸入到未圖示的操作部之調整指示,分別驅動第1旋轉機構44及第2旋轉機構46,使第1光形成元件32及第2光形成元件34分別旋轉,藉此調整兩條切邊溝18的間隔及鏤空溝19的寬度。
[第4實施形態]
圖23係第4實施形態的雷射加工裝置10的雷射光學系24之概略圖。上述各實施形態的雷射加工裝置10係依據從第1雷射光源22A射出的雷射光LA生成切邊加工用的兩道第1雷射光L1,且依據從第2雷射光源22B射出的雷射光LB生成鏤空加工用的第2雷射光L2。相對於此,第4實施形態的雷射加工裝置10係從射出自共同的雷射光源22之雷射光L0,生成兩道第1雷射光L1與第2雷射光L2。
如圖23所示,第4實施形態的雷射加工裝置10,除了取代第1雷射光源22A及第2雷射光源22B而具備雷射光源22外,且取代第1安全閘100A及第2安全閘100B而具備安全閘100及分歧元件31這點外,係與上述各實施形態的雷射加工裝置10基本上相同的構成。因此,關於與上述各實施形態在功能或構成上相同者,係標註相同符號並省略其說明。
雷射光源22係連同分歧元件31、第1光形成元件32及第2光形成元件34一起構成本發明的雷射光射出系。雷射光源22係常時射出適用於切邊加工及鏤空加工兩者的條件(波長、脈衝寬度及重複頻率等)之雷射光L0(脈衝雷射光等)。從雷射光源22射出的雷射光L0係入射至雷射光學系24的分歧元件31。
安全閘100係以可插入脫離自如的方式設置於雷射光源22與分歧元件31之間的雷射光L0的光路上。第4實施形態的安全閘驅動機構102係在控制裝置30的控制下,使安全閘100對雷射光L0的光路插入脫離。安全閘驅動機構102除了在雷射加工時以外,係使安全閘100插入上述的光路。又,安全閘驅動機構102係在雷射加工時,使安全閘100從上述的光路退避。
分歧元件31(相當於本發明的二分元件)係使用例如半鏡等,或者與分歧元件35同樣使用繞射光學元件、折射光學元件、稜鏡及此等的組合等。分歧元件31係使自雷射光源22射出的雷射光L0分歧為二,將分歧為二之雷射光L0的一者朝第1光形成元件32射出,且將雷射光L0的另一者朝第2光形成元件34射出。
以下,與上述各實施形態同樣,進行利用第1光形成元件32形成兩道第1雷射光L1、以及利用第1聚光透鏡38朝切割道C上聚光兩道第1雷射光L1。又,進行利用第2光形成元件34形成第2雷射光L2、利用分歧元件35生成各分歧光L2a、利用接續切換元件36切換第2聚光透鏡40A、40B、以及利用第2聚光透鏡40A、40B朝切割道C上聚光各分歧光L2a。
[其他]
上述各實施形態的雷射加工裝置10中,藉由第1聚光透鏡38聚光於切割道C上的光點SP1、和藉由第2聚光透鏡40A聚光於切割道C上的各光點SP2、和藉由第2聚光透鏡40B聚光於切割道C上的各光點SP2係彼此獨立。因此,如上述各實施形態所示,當第1聚光透鏡38及第2聚光透鏡40A、40B的位置固定時,會有因應雷射加工時的加工進給軸(X軸)的運動精度,在兩條切邊溝18及鏤空溝19之間於水平方向(Y方向)及垂直方向(Z方向)產生偏差之問題。
於是,在上述各實施形態的雷射加工裝置10,亦可設置將藉由第1聚光透鏡38聚光於切割道C上之光點SP1、和藉由第2聚光透鏡40A聚光於切割道C上之各光點SP2、和藉由第2聚光透鏡40B聚光於切割道C上之各光點SP2在Y方向及Z方向的位置進行個別調整之功能。藉此,例如可在雷射加工裝置10的製造商那調整各光點SP1、SP2在Y方向位置及Z方向位置(調整平行度)。
又,在晶圓12的雷射加工中依據藉由顯微鏡26所拍攝的拍攝影像,可使切邊加工的光點SP1對切割道C進行追蹤(trace)且使鏤空加工的各光點SP2對兩條切邊溝18的中央進行追蹤。再者,依據上述的拍攝影像,可調整光點SP1及各光點SP2相對於晶圓12(切割道C)的表面在Z方向的偏移量(聚光位置的偏移量)。
上述各實施形態中,藉由使各安全閘100、100A、100B在光路上插入脫離,可切換切邊加工及鏤空加工的關閉開啟(off/on),惟亦可藉由使第1雷射光源22A及第2雷射光源22B(雷射光源22)開啟關閉(on/off),來切換切邊加工及鏤空加工的開啟關閉。又,亦可為第1安全閘100A與第1高速閘47A呈一體化,且第2安全閘100B與第2高速閘47B呈一體化。
在上述各實施形態中,對於切割道C,係藉由第1聚光透鏡38進行切邊加工且藉由第2聚光透鏡40A、40B的一者進行鏤空加工,惟對於切割道C,亦可藉由第2聚光透鏡40A、40B的一者進行切邊加工且藉由第1聚光透鏡38進行鏤空加工。於此情況也是,在無關乎加工進給方向之情況下以切邊加工比鏤空加工常時先進行之方式控制接續切換元件36。
在上述各實施形態中,係以在第2聚光透鏡40A、40B內使第2雷射光L2分歧成複數道並且滿足τ>τ1之方式調整了分歧距離L及加工速度V(重複頻率)之至少一者的狀態下進行鏤空加工,惟關於切邊加工亦可同樣地進行。亦即,亦可以在第1聚光透鏡38內使兩道第1雷射光L1分歧成複數道且滿足τ>τ1之方式在調整了分歧距離L及加工速度V之至少一者的狀態下進行切邊加工。
在上述各實施形態中,係使用第1聚光透鏡38及第2聚光透鏡40A、40B進行雷射加工,惟亦可使用2種聚光透鏡(相當於本發明的第1聚光透鏡及第2聚光透鏡)來進行雷射加工。於此情況,依據雷射光學系24相對於晶圓12之相對移動方向,切換兩種聚光透鏡之一者所進行的切邊加工及另一者所進行的鏤空加工、與2種聚光透鏡之另一者所進行的切邊加工及一者所進行的鏤空加工。
在上述各實施形態中,係相對於晶圓12使雷射光學系24在X方向相對地往復一次,來進行兩條份的切割道C(去程及回程)的雷射加工,惟亦可將本發明適用於雷射加工的方向被固定於一方向之雷射加工裝置10。
10:雷射加工裝置
12:晶圓
14:晶片
16:元件
18:切邊溝
19:鏤空溝
20:工作台
22:雷射光源
22A:第1雷射光源
22B:第2雷射光源
24:雷射光學系
26:顯微鏡
28:相對移動機構
30:控制裝置
31,35:分歧元件
32:第1光形成元件
34:第2光形成元件
36:接續切換元件
38:第1聚光透鏡
40A,40B:第2聚光透鏡
44:第1旋轉機構
46:第2旋轉機構
47A:第1高速閘
47B:第2高速閘
47C:高速閘驅動機構
100:安全閘
100A:第1安全閘
100B:第2安全閘
102:安全閘驅動機構
HS:蓄熱
L:分歧距離
L0:雷射光
L1:第1雷射光
L2:第2雷射光
L2a:分歧光
LA,LB:雷射光
OA:區域
SP1,SP2:光點
SP2a:先行光點
SP2b:後行光點
V:加工速度
X1:去程方向側
X2:回程方向側
d:光點移動量
τ1:時間閾值
圖1係第1實施形態的雷射加工裝置的概略圖。
圖2係利用雷射加工裝置之加工對象的晶圓的平面圖。
圖3係用以說明沿著奇數號的切割道之雷射加工的說明圖。
圖4係用以說明沿著偶數號的切割道之雷射加工的說明圖。
圖5係用以說明利用相對於晶圓朝去程方向側相對移動之雷射光學系進行之切邊加工及鏤空加工之說明圖。
圖6係用以說明利用相對於晶圓朝回程方向側相對移動之雷射光學系進行之切邊加工及鏤空加工之說明圖。
圖7係顯示利用第1實施形態的雷射加工裝置進行晶圓的每個切割道的雷射加工之流程,特別是顯示第1高速閘、第2高速閘、第1安全閘、及第2安全閘的動作之流程圖。
圖8係在比較例與本實施形態中,用以比較每個切割道的雷射加工所需要的加工距離之說明圖。
圖9係用以說明第2雷射光的重複頻率為10kHz且加工速度為300mm/s時的鏤空加工之說明圖。
圖10係用以說明第2雷射光的重複頻率為10kHz且加工速度為30mm/s時的鏤空加工之說明圖。
圖11係顯示藉由第2聚光透鏡聚光於切割道(回程、回程)上之各分歧光的光點之上視圖。
圖12係顯示在未使第2雷射光分歧時之切割道的任意一點之入熱量與經過時間的關係之圖表。
圖13係顯示在「τ<τ1」時之切割道的任意一點之入熱量與經過時間的關係之圖表。
圖14係顯示滿足「τ>>τ1」時之切割道的任意一點之入熱量與經過時間的關係之圖表。
圖15係顯示滿足「τ>τ1」時之切割道的任意一點之入熱量與經過時間的關係之圖表。
圖16係顯示在「1個光點」的比較例與「2個光點」的本實施例中,鏤空加工的加工條件與鏤空溝的底面的加工狀態之關係的說明圖。
圖17係顯示圖16所示之每個加工條件(A~D,A1~D1)的入熱量與鏤空溝的加工深度的關係之圖表。
圖18係顯示圖16所示之每個加工條件的加工速度與鏤空溝的加工深度之關係之圖表。
圖19係用以說明鏤空加工的較佳重疊率之說明圖。
圖20係用以說明利用第1旋轉機構調整兩條切邊溝在Y方向的間隔之說明圖。
圖21係用以說明利用第2旋轉機構調整鏤空溝在Y方向的寬度之說明圖。
圖22係第3實施形態之每個分歧光的光點的上視圖。
圖23係第4實施形態的雷射加工裝置之雷射光學系的概略圖。
12:晶圓
14:晶片
18:切邊溝
19:鏤空溝
22A:第1雷射光源
22B:第2雷射光源
24:雷射光學系
32:第1光形成元件
34:第2光形成元件
35:分歧元件
36:接續切換元件
38:第1聚光透鏡
40A,40B:第2聚光透鏡
47A:第1高速閘
47B:第2高速閘
47C:高速閘驅動機構
100A:第1安全閘
100B:第2安全閘
102A:安全閘驅動機構
L1:第1雷射光
L2:第2雷射光
L2a:分歧光
LA,LB:雷射光
SP1,SP2:光點
X1:去程方向側
C:切割道
Claims (8)
- 一種雷射加工裝置,係進行切邊加工與鏤空加工,該切邊加工係一邊使雷射光學系相對於保持晶圓的工作台朝向沿著前述晶圓的切割道之加工進給方向相對移動,一邊藉由前述雷射光學系沿著前述切割道形成彼此平行的兩條第1溝,該鏤空加工係在前述兩條第1溝之間形成第2溝, 前述雷射光學系具備: 雷射光射出系,將與前述切邊加工對應的兩道第1雷射光、以及與前述鏤空加工對應的第2雷射光射出; 第1聚光透鏡,使射出自前述雷射光射出系之前述兩道第1雷射光聚光於加工對象的前述切割道; 分歧元件,使射出自前述雷射光射出系之前述第2雷射光沿著前述加工進給方向分歧成複數道分歧光;及 第2聚光透鏡,使藉由前述分歧元件分歧的複數道前述分歧光聚光於加工對象的前述切割道; 將藉由前述第2聚光透鏡聚光於前述切割道之每個前述分歧光的光點中彼此相鄰的先行光點與後行光點的間隔、即分歧距離設為L,將前述相對移動的速度即加工速度設為V,及將迄至前述後行光點對前述先行光點的加工位置重疊為止的時間設為τ時,前述時間係以τ=L/V表示, 將前述第2溝的加工品質惡化發生之前述時間的閾值設為τ1時,滿足τ>τ1。
- 如請求項1之雷射加工裝置,其中 前述雷射光射出系具備: 第1雷射光源,將與前述切邊加工對應之條件的雷射光射出; 第2雷射光源,將與前述鏤空加工對應之條件的雷射光射出; 第1光形成元件,從射出自前述第1雷射光源的前述雷射光,形成前述兩道第1雷射光;及 第2光形成元件,從射出自前述第2雷射光源的前述雷射光,形成前述第2雷射光; 前述分歧元件係設置於前述第2光形成元件與前述第2聚光透鏡之間的光路上。
- 如請求項1之雷射加工裝置,其中 前述雷射光射出系具備: 雷射光源,係射出雷射光; 二分元件,使射出自前述雷射光源的前述雷射光分歧為二; 第1光形成元件,從藉由前述二分元件分歧為二之前述雷射光的一者形成前述兩道第1雷射光;及 第2光形成元件,從藉由前述二分元件分歧為二之前述雷射光的另一者形成前述第2雷射光; 前述分歧元件係設置於前述第2光形成元件與前述第2聚光透鏡之間的光路上。
- 如請求項2或3之雷射加工裝置,其中 前述第2光形成元件係在前述切割道形成前述第2雷射光,前述第2雷射光形成非圓形的前述光點, 且具備第2光形成元件旋轉機構,其係使前述第2光形成元件繞以前述第2光形成元件的光軸為中心之軸方向旋轉。
- 如請求項2至4中任一項之雷射加工裝置,其具備第1光形成元件旋轉機構,該第1光形成元件旋轉機構係使前述第1光形成元件繞以前述第1光形成元件的光軸為中心的軸方向旋轉。
- 如請求項1至5中任一項之雷射加工裝置,其中 前述第2聚光透鏡係以中間夾著前述第1聚光透鏡的方式設置兩個且連同前述第1聚光透鏡一起沿著前述加工進給方向配置成一列, 具備接續光學系,其將射出自前述雷射光射出系之前述兩道第1雷射光導入前述第1聚光透鏡,且將藉由前述分歧元件分歧的複數道前述分歧光選擇性地導入兩個前述第2聚光透鏡, 前述接續光學系係在前述雷射光學系相對於前述工作台朝前述加工進給方向的去程方向側相對移動時,將複數道前述分歧光導入相對於前述第1聚光透鏡是位於與前述去程方向側相反的回程方向側之前述第2聚光透鏡,且在前述雷射光學系相對於前述工作台往前述回程方向側相對移動時,將複數道前述分歧光導入相對於前述第1聚光透鏡是位於前述去程方向側之前述第2聚光透鏡。
- 如請求項1至6中任一項之雷射加工裝置,其中 前述第2雷射光為脈衝雷射光, 調整前述加工速度及前述第2雷射光的重複頻率之至少任一者,按每個前述光點,將相對於前述光點之下一次照射的前述光點在前述加工進給方向的重疊率設為50%以下。
- 一種雷射加工方法,係進行切邊加工與鏤空加工,該切邊加工係一邊使雷射光學系相對於保持晶圓的工作台朝向沿著前述晶圓的切割道的加工進給方向相對移動,一邊藉由前述雷射光學系沿著前述切割道形成彼此平行的兩條第1溝,該鏤空加工係在前述兩條第1溝之間形成第2溝, 前述雷射光學系係將與前述切邊加工對應的兩道第1雷射光、以及與前述鏤空加工對應的第2雷射光射出,將前述兩道第1雷射光藉由第1聚光透鏡聚光於加工對象的前述切割道,將前述第2雷射光沿著前述加工進給方向分歧成複數道分歧光,將複數道前述分歧光藉由第2聚光透鏡聚光於加工對象的前述切割道, 將藉由前述第2聚光透鏡聚光於前述切割道之每個前述分歧光的光點中彼此相鄰的先行光點與後行光點的間隔、即分歧距離設為L,將前述相對移動的速度即加工速度設為V,及將迄至前述後行光點對前述先行光點的加工位置重疊為止的時間設為τ時,前述時間係以τ=L/V表示, 在將前述第2溝的加工品質惡化發生之前述時間的閾值設為τ1之情況,滿足τ>τ1。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020180345A JP2022071402A (ja) | 2020-10-28 | 2020-10-28 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2020-180345 | 2020-10-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202224827A true TW202224827A (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=81382369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110139613A TW202224827A (zh) | 2020-10-28 | 2021-10-26 | 雷射加工裝置及雷射加工方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230264292A1 (zh) |
EP (1) | EP4238686A4 (zh) |
JP (1) | JP2022071402A (zh) |
KR (1) | KR20230069240A (zh) |
CN (1) | CN116507443A (zh) |
TW (1) | TW202224827A (zh) |
WO (1) | WO2022091721A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2024080246A (ja) * | 2022-12-02 | 2024-06-13 | タツモ株式会社 | 積層デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5284651B2 (ja) | 2008-01-29 | 2013-09-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2010207879A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Panasonic Corp | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP2013180295A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 加工装置及び加工方法 |
JP6210902B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2017-10-11 | 株式会社ディスコ | レーザー加工溝の検出方法 |
JP2015167969A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
DE112015001163T5 (de) * | 2014-03-12 | 2016-11-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Laserbearbeitungskopf-Vorrichtung mit Kameramonitor |
TWI628027B (zh) | 2015-04-21 | 2018-07-01 | 先進科技新加坡有限公司 | 用於切割晶元的方法和設備 |
JP2017177194A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社東京精密 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
-
2020
- 2020-10-28 JP JP2020180345A patent/JP2022071402A/ja active Pending
-
2021
- 2021-10-06 WO PCT/JP2021/036929 patent/WO2022091721A1/ja active Application Filing
- 2021-10-06 CN CN202180073415.XA patent/CN116507443A/zh active Pending
- 2021-10-06 KR KR1020237014523A patent/KR20230069240A/ko unknown
- 2021-10-06 EP EP21885840.5A patent/EP4238686A4/en active Pending
- 2021-10-26 TW TW110139613A patent/TW202224827A/zh unknown
-
2023
- 2023-04-27 US US18/140,452 patent/US20230264292A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230264292A1 (en) | 2023-08-24 |
EP4238686A4 (en) | 2024-05-01 |
EP4238686A1 (en) | 2023-09-06 |
JP2022071402A (ja) | 2022-05-16 |
KR20230069240A (ko) | 2023-05-18 |
WO2022091721A1 (ja) | 2022-05-05 |
CN116507443A (zh) | 2023-07-28 |
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