TW202221918A - 顯示裝置 - Google Patents

顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202221918A
TW202221918A TW110142647A TW110142647A TW202221918A TW 202221918 A TW202221918 A TW 202221918A TW 110142647 A TW110142647 A TW 110142647A TW 110142647 A TW110142647 A TW 110142647A TW 202221918 A TW202221918 A TW 202221918A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
connection pad
display device
common connection
disposed
layer
Prior art date
Application number
TW110142647A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI820517B (zh
Inventor
宋浚赫
李孝剛
權效院
池文培
金紀漢
Original Assignee
南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020210139771A external-priority patent/KR20220067487A/ko
Application filed by 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 filed Critical 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
Publication of TW202221918A publication Critical patent/TW202221918A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI820517B publication Critical patent/TWI820517B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)

Abstract

根據本發明的一態樣，顯示裝置包括：一下部基板；以及複數個像素基板，設置在下部基板上。顯示裝置還包括：複數個電晶體，設置在複數個像素基板上；以及一平坦化層，設置在複數個像素基板上以覆蓋複數個電晶體的上部。顯示裝置進一步包括：複數個獨立連接墊，設置在平坦化層上；以及一共用連接墊。顯示裝置還包括：複數個發光二極體，設置在複數個獨立連接墊及共用連接墊上。複數個獨立連接墊及共用連接墊中的至少一個可以具有一多層結構。

Description

顯示裝置
本發明是關於一種顯示裝置，更具體地，是有關於一種具有連接線可靠性改進的可拉伸顯示裝置。
由電腦、電視、手機或類似之物的顯示器採用的顯示裝置包括自行發光的有機發光顯示（OLED）裝置、以及需要單獨光源的液晶顯示（LCD）裝置。
隨著顯示裝置越來越多地應用於各種領域，諸如電腦顯示器、電視及個人行動裝置，已經研究出具有大的主動區域及減少體積和重量的顯示裝置。
近來，一種其中顯示器元件、線路等形成在由可撓性塑料製成的可撓性基板上、並可以在特定方向上拉伸且製成各種形狀的可拉伸顯示裝置作為下一代顯示裝置已受到關注。
本發明所欲實現的一目的是提供一種顯示裝置，其可以在當轉移發光二極體時，最小化在修復發光二極體未對準的過程中焊墊的撕裂的同時製造。
本發明所欲實現的另一個目的是提供一種顯示裝置，其可以在當轉移發光二極體時，抑制由接合發光二極體的黏合層的移動所引起之發光二極體的未對準的同時製造。
本發明所欲實現的再另一目的是提供一種顯示裝置，其可以在抑制由發光二極體的未對準以及電源線與共用連接墊之間的短路所引起之暗點的發生的同時製造。
本發明所欲實現的又另一目的是提供一種顯示裝置，其可以在當發光二極體轉移時，抑制在接合發光二極體的黏合層中由導電球的分佈不均所引起之發光二極體短路或開路的發生的同時製造。
本發明的一個或多個實施例提供一種顯示裝置，其可以在當發光二極體轉移時，抑制由接合發光二極體的黏合層的不均勻放置所引起之發光二極體的轉移效率降低及缺陷驅動的同時製造。
本發明所欲實現的又再另一目的是提供一種製造顯示裝置的方法，其中將黏合層選擇性地轉移到平坦化層的整個上表面上以簡化製造流程。
本發明的目的不限於上述目的，那些本技術領域中熟習此技術者藉由以下描述可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
根據本發明的一態樣，顯示裝置包括：一下部基板；以及複數個像素基板，設置在下部基板上。顯示裝置還包括：複數個電晶體，設置在複數個像素基板上；以及一平坦化層，設置在複數個像素基板上以覆蓋複數個電晶體的上部。顯示裝置進一步包括：複數個獨立連接墊，設置在平坦化層上；以及一共用連接墊。顯示裝置還包括複數個發光二極體，設置在複數個獨立連接墊及共用連接墊上。複數個獨立的連接墊及共用連接墊中的至少一個可以具有一多層結構。
根據本發明的另一態樣，顯示裝置包括：複數個像素基板，其設置在下部基板上且其中設置有複數個發光二極體。顯示裝置還包括一平坦化層，覆蓋複數個像素基板的上部。顯示裝置進一步包括複數個獨立連接墊，設置在平坦化層上以分別對應於複數個發光二極體。顯示裝置又包括一共用連接墊，設置在平坦化層上且電性連接所有的複數個發光二極體。顯示裝置進一步包括一黏合層，將複數個獨立連接墊及共用連接墊電連接到複數個發光二極體。複數個獨立連接墊及共用連接墊中的至少一個可以具有一下部墊及設置在下部墊的邊緣上的一上部墊。
根據本發明的再一態樣，顯示裝置包括：複數個像素基板，其設置在下部基板上且其中設置有複數個發光二極體。顯示裝置還包括平坦化層，覆蓋複數個像素基板的上部。顯示裝置進一步包括複數個獨立連接墊，設置在平坦化層上並分別對應於複數個發光二極體。顯示裝置又包括一共用連接墊，設置在平坦化層上且電性連接所有複數個發光二極體。顯示裝置進一步包括一黏合層，將複數個獨立連接墊及共用連接墊電連接到複數個發光二極體，並設置以覆蓋平坦化層的整個上表面。
根據本發明的又一態樣，製造顯示裝置的方法包括：將一黏合層放置在一第一傳送基板上的步驟，黏合層包括一基底構件及分散在基底構件中的複數個導電球。製造顯示裝置的方法還包括：使第一傳送基板靠近其上設置有覆蓋複數個電晶體的上部的一平坦化層的一下部基板的上部，並將黏合層接合到平坦化層的上部的步驟。製造顯示裝置的方法進一步包括：將其上設置有複數個發光二極體的一第二傳送基板靠近黏合層的上部並將複數個發光二極體接合到黏合層的上部的步驟。
示例性實施例的其他詳細事項包括在詳細說明及圖式中。
根據本發明，可以在修復發光二極體未對準的區域的過程中最小化由焊墊損壞所引起之缺陷的發生。
根據本發明，可以最小化當用於電連接發光二極體及焊墊的黏合層移動時可能發生之發光二極體的未對準。
根據本發明，當發光二極體轉移時，可以抑制由發光二極體的電極在焊墊與電源線之間的電連接所引起之暗點的發生。
根據本發明，用於電連接發光二極體的電極及焊墊的複數個導電球在單層中彼此間隔開。因此，可以抑制發光二極體的短路或開路的發生。
根據本發明，用於電連接發光二極體及焊墊的黏合層設置在平坦化層的整個上表面上。因此，可以減少或最小化由黏合層的不均勻放置所引起之發光二極體的傳輸效率降低及缺陷驅動。
根據本發明，可以藉由在平坦化層的整個上表面上接合黏合層來簡化製造流程。此外，可以減少或最小化製造時間及成本。
根據本發明的效果不限於以上例示的內容，本說明書中包括更多的各種效用。
藉由參考以下詳細描述的示例性實施例並結合隨文檢附的圖式，本發明的優點及特徵以及實現這些優點及特徵的方法將變得清楚。然而，本發明不限於此處所揭露的示例性實施例，而是將以各種不同的形式來實現。示例性實施例僅以示例的方式提供，以使那些本技術領域中熟習此技術者能夠充分理解本發明的揭露內容及本發明的範疇。因此，本發明僅由隨文檢附的申請專利範圍的範疇定義。
隨文檢附的圖式中顯示的用於描述本發明示例性實施例的形狀、尺寸、比例、角度、數量及類似者僅是示例，本發明不限於此。在整篇說明書中，相似的參考符號通常表示相似的元件。此外，在本發明的以下描述中，可以省略已知相關技術的詳細解釋以避免不必要地混淆本發明的標的。本文使用的諸如“包括、包含”、“具有”及“由...構成”之類的術語通常旨在允許添加其他組件，除非這些術語與術語“僅”一起使用。除非另有明確說明，否則任何對單數的引用都可以包括複數。
即使沒有明確說明，組件也被解釋為包括一普通的誤差範圍。
當使用諸如“上”、“上面”、“下面”及“下一個”等術語來描述兩個部件之間的位置關係時，一或多個部件可位於兩個部件之間，除非這些術語與術語“立即”或“直接”一起使用。
當一元件或層設置在另一元件或層“上”時，另一層或另一元件可以直接插入另一元件上或它們之間。
儘管術語“第一”、“第二”及類似者用於描述各種組件，但是這些組件不受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個組件與其他組件區分開來。因此，下面要提到的第一組件可以是本發明的技術概念中的第二組件。
在整篇說明書中，相似的參考符號通常表示相似的元件。
圖式中所示的每個組件的尺寸及厚度是為了便於描述而顯示的，並且本發明不限於所示組件的尺寸及厚度。
本發明的各個實施例的特徵可以部分地或全部地彼此依附或組合，並可以在技術上以多種方式互鎖及操作，且實施例可以彼此獨立或關聯地實施。
在下文中，將參照隨文檢附的圖式詳細描述根據本發明示例性實施例的可拉伸顯示裝置。 ＜ 可拉伸顯示裝置 ＞
可拉伸顯示裝置可以稱為即使在彎曲或拉伸時也能夠顯示影像的顯示裝置。可拉伸顯示裝置可以具有比傳統典型顯示裝置更高的柔韌性。因此，使用者可以彎曲或拉伸可拉伸顯示裝置，並且響應於使用者的操縱可以自由地改變顯示裝置的形狀。例如，當使用者抓住可拉伸顯示裝置的一端並拉動可拉伸顯示裝置時，可拉伸顯示裝置可以被使用者的力拉伸。當使用者將可拉伸顯示裝置放置在不平坦的牆面上時，可拉伸顯示裝置可以沿牆面的形狀彎曲。此外，當移除使用者施加的力時，顯示裝置可以恢復到其原始形狀。
圖1是根據本發明一示例性實施例之顯示裝置的分解立體圖。參照圖1，顯示裝置100包括：下部基板110；複數個像素基板111；複數個連接構件120；複數個非像素基板121；薄膜覆晶（COF）130；印刷電路板140；以及上部基板US。
下部基板110是用於支撐及保護顯示裝置100的各種組件的基板。下部基板110是可延展基板並可以由可彎曲或可拉伸的絕緣材料製成。例如，下部基板110可以由諸如聚二甲基矽氧烷（PDMS）的矽橡膠及諸如聚胺酯（PU）或聚四氟乙烯（PTFE）的彈性體製成。因此，下部基板110可以具有可撓性特性。然而，下部基板110的材料不限於此。
下部基板110是可延展基板並可以可逆地膨脹及收縮。此外，下部基板110的彈性係數可以在數百MPa的範圍內，例如0.5 Mpa到1 MPa。
下部基板110可以具有：主動區域AA；以及圍繞主動區域AA的非主動區域NA。
主動區域AA是在顯示裝置100上顯示影像的區域。在主動區域AA中，設置顯示元件及用於驅動顯示元件的各種驅動元件。在主動區域AA中，設置包含複數個子像素的複數個像素。複數個像素設置在主動區域AA中並包含複數個顯示元件。複數個子像素中的每一個可以連接到各種線。例如，複數個子像素中的每一個可以連接到各種線，諸如閘極線、資料線、高電位電源線、低電位電源線、以及參考電壓線。
非主動區域NA可以是與主動區域AA相鄰設置的區域。非主動區域NA可以是相鄰主動區域AA設置並圍繞主動區域AA的區域。非主動區域NA是不顯示影像的區域，並且在非主動區域NA中，可以形成線路及電路單元。例如，在非主動區域NA中，可以設置複數個焊墊。每個焊墊可以連接到設置在主動區域AA中的複數個子像素的每一個。
複數個像素基板111及複數個非像素基板121設置在下部基板110上。複數個像素基板111可以設置在下部基板110的主動區域AA中，並且複數個非像素基板121可以設置在下部基板110的非主動區域NA中。雖然圖1顯示複數個非像素基板121設置在非主動區域NA中的主動區域AA的上側及左側，但本發明不限於此。複數個非像素基板121可以設置在非主動區域NA的任意區域中。
複數個像素基板111及複數個非像素基板121為剛性基板且彼此間隔開以獨立地設置在下部基板110上。複數個像素基板111及複數個非像素基板121可以比下部基板110更剛性。即，下部基板110可以比複數個像素基板111及複數個非像素基板121更具延展性。此外，複數個像素基板111及複數個非像素基板121可以比下部基板110更剛性。
作為剛性基板的複數個像素基板111及複數個非像素基板121可以由具有可撓性的塑膠材料製成。例如，複數個像素基板111及複數個非像素基板121可以由聚醯亞胺（PI）、聚丙烯酸酯、聚乙酸酯或類似之物製成。在此，複數個像素基板111及複數個非像素基板121的材質可以相同，但不限於此。複數個像素基板111及複數個非像素基板121也可以由彼此不同的材料製成。
複數個像素基板111及複數個非像素基板121的彈性係數可以是下部基板110的彈性係數的1000倍或更多，但不限於此。例如，根據透明度，複數個像素基板111及複數個非像素基板121的彈性係數可以是2 Gpa至9 GPa。更具體地，當複數個像素基板111及複數個非像素基板121為透明時，彈性係數可以為2 GPa。此外，當複數個像素基板111及複數個非像素基板121不透明時，彈性係數可以為9 GPa，但本發明不限於此。因此，與下部基板110相比，複數個像素基板111及複數個非像素基板121可以是具有剛性的複數個剛性基板。
COF 130是一種薄膜，其上各種組件設置在具有延展性的基底薄膜131上並向主動區域AA的複數個子像素提供訊號。COF 130可以接合到設置在非主動區域NA中的複數個非像素基板121的複數個焊墊。此外，COF 130透過焊墊向主動區域AA的複數個子像素中的每一個供應電源電壓、資料電壓、閘極電壓或類似之物。COF 130包括基底薄膜131及驅動IC 132。此外，可以在其上另外設置各種組件。
基底薄膜131用於支撐COF 130的驅動IC 132。基底薄膜131可以由絕緣材料製成。例如，基底薄膜131可以由具有可撓性的絕緣材料製成。
驅動IC 132配置以處理用於顯示影像的資料及用於處理資料的驅動訊號。圖1顯示藉由COF 130的方法安裝驅動IC 132，但本發明不限於此。還可以藉由覆晶玻璃構裝（COG）方法、捲帶式封裝（TCP）方法或類似方法來安裝驅動IC 132。
圖1顯示非像素基板121設置在主動區域AA上側上的非主動區域NA中，以便對應於設置在主動區域AA中的一排像素基板111。此外，圖1顯示了為非像素基板121設置COF 130。然而，本發明不限於此。即，可以設置非像素基板121及COF 130以對應於複數排中的像素基板111。
在印刷電路板140中，可以安裝諸如IC晶片、電路或類似之物的控制單元。此外，在印刷電路板140中，還可以安裝記憶體、處理器或類似之物。印刷電路板140配置以將用於驅動顯示元件的訊號從控制單元傳輸到顯示元件。儘管圖1顯示使用三個COFs 130，但是COFs 130的數量不限於此。
在下文中，將參照圖2及圖3更詳細地描述根據本發明一示例性實施例的顯示裝置100。 ＜ 平面及剖面結構 ＞
圖2是根據本發明一示例性實施例之顯示裝置的放大平面圖。圖3為圖2的子像素的示意剖面圖。為了描述的方便，下文也將參考圖1。
參照圖1及圖2，複數個像素基板111設置在主動區域AA中的下部基板110上。複數個像素基板111設置成在下部基板110上彼此間隔開。例如，複數個像素基板111可以如圖1及圖2所示以矩陣形式設置在下部基板110上，但不限於此。
參照圖1及圖2，構成複數個像素PX的複數個子像素SPX可以設置在複數個像素基板111中。此外，閘極驅動器GD可以安裝在複數個非像素基板121之中位於主動區域AA左側的非像素基板121上。當製造像素基板111上的各種組件時，閘極驅動器GD可以以面板內閘極（GIP）方式形成在非像素基板121上。因此，可以在複數個非像素基板121上設置構成閘極驅動器GD的各種電路組件，諸如各種電晶體、電容器及線路。然而，本發明不限於此。閘極驅動器GD也可以用薄膜覆晶（COF）方式安裝。複數個非像素基板121也可以設置在位於主動區域AA右側的非主動區域NA中。進一步地，閘極驅動器GD也可以安裝在位於主動區域AA右側的複數個非像素基板121上。
參照圖1，複數個非像素基板121的尺寸可以比複數個像素基板111的尺寸大。特別地，複數個非像素基板121中的每一個的尺寸可以比複數個像素基板111中的每一個的尺寸大。如上所述，閘極驅動器GD設置在複數個非像素基板121的每一個上。例如，閘極驅動器GD的一級可以設置在複數個非像素基板121中的每一個上。因此，由於構成閘極驅動器GD的一級的各種電路組件所佔據的面積比其上設置像素PX的像素基板111的面積相對地大，因此複數個非像素基板121中的每一個的尺寸可以比複數個像素基板111中的每一個的尺寸大。
參照圖1及圖2，複數個連接構件120設置在複數個像素基板111之間、複數個非像素基板121之間、或複數個像素基板111與複數個非像素基板121之間。複數個連接構件120用於連接彼此相鄰的像素基板111、彼此相鄰的非像素基板121、或彼此相鄰的像素基板111及非像素基板121。複數個連接構件120也可以稱為連接基板。複數個連接構件120可以與像素基板111或非像素基板121相同的材料製成，並可以同時與像素基板111或非像素基板121一體成形。然而，本發明不限於此。
參照圖2，複數個連接構件120具有彎曲形狀。例如，如圖2所示，複數個連接構件120可以具有正弦波形。然而，複數個連接構件120的形狀不限於此。複數個連接構件120可以具有各種形狀。例如，複數個連接構件120可以以鋸齒形方式延伸，或者複數個菱形基板可以藉由在它們的頂點處彼此連接來延伸。圖2中所示的複數個連接構件120的數量及形狀以示例的方式設置。複數個連接構件120的數量及形狀可以根據設計而變化。
參照圖2及圖3，複數條連接線180以直線設置在複數個像素基板111上。具體地，複數條第一連接線181及複數條第二連接線182中的每一條可以連續地形成在複數個連接構件120上，以將複數個像素基板111的一端連接到其他端。
參照圖2及圖3，複數個連接構件120上的複數條連接線180具有與複數個連接構件120對應的形狀。即，複數條連接線180可以具有正弦波形。複數條連接線180電連接設置在複數個像素基板111之中彼此相鄰的像素基板111上的焊墊170。複數條連接線180中的每一條在焊墊170之間以彎曲形狀而不是直線延伸。然而，例如，如圖2所示，複數條連接線180的形狀不限於此。複數條連接線180可以具有各種形狀。例如，複數條連接線180可以以鋸齒形方式延伸，或者複數條菱形的連接線180可以藉由在它們的頂點處彼此連接來延伸。
參照圖3，複數個無機絕緣層設置在複數個像素基板111上。例如，複數個無機絕緣層可以包括：緩衝層112；閘極絕緣層113；以及層間絕緣層114。然而，本發明不限於此。可以在複數個像素基板111上進一步設置各種無機絕緣層。可以省略緩衝層112、閘極絕緣層113及層間絕緣層114中的一者或多者。
參照圖3，緩衝層112設置在複數個像素基板111上。緩衝層112形成在複數個像素基板111上以保護顯示裝置100的各個組件免受來自下部基板110及複數個像素基板111的外部的濕氣（H 2O）及氧氣（O 2）的滲透。緩衝層112可以由絕緣材料製成。例如，緩衝層112可以形成為氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）、氮氧化矽（SiON）或類似之物的單個無機層或複數個無機層。然而，取決於顯示裝置100的結構或特性，可以省略緩衝層112。
在這種情況下，緩衝層112可以僅形成在與複數個像素基板111與複數個非像素基板121重疊的區域中。如上所述，緩衝層112可以由無機材料製成。因此，當顯示裝置100被拉伸時，緩衝層112會容易損壞，諸如容易破裂。因此，緩衝層112可以不形成在複數個像素基板111與複數個非像素基板121之間的區域中。緩衝層112可以被圖案化為複數個像素基板111及複數個非像素基板121的形狀，並且僅形成在複數個像素基板111及複數個非像素基板121的上部上。因此，在根據本發明一示例性實施例的顯示裝置100中，緩衝層112僅形成在與作為剛性基板的複數個像素基板111及複數個非像素基板121重疊的區域中。因此，即使當顯示裝置100變形，諸如彎曲或拉伸時，也可以降低對緩衝層112的損壞。
參照圖3，包含閘電極151、主動層152、源電極153及汲電極154的電晶體150形成在緩衝層112上。
參照圖3，主動層152設置在緩衝層112上。例如，主動層152可以由氧化物半導體製成。或者，主動層152可以由非晶矽（a-Si）、多晶矽（poly-Si）、有機半導體或類似之物製成。
閘極絕緣層113設置在主動層152上。閘極絕緣層113配置以使閘電極151與主動層152電絕緣。此外，閘極絕緣層113可以由絕緣材料製成。例如，閘極絕緣層113可以形成為單個無機層或氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）的複數個無機層，但不限於此。
閘電極151設置在閘極絕緣層113上。閘電極151設置以與主動層152重疊。閘電極151可以由各種金屬材料中的任一種製成，例如鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd) 及銅（Cu）。或者，閘電極151可以由它們中的兩種或更多種的合金製成，或者由它們的複數層製成，但不限於此。
層間絕緣層114設置在閘電極151上。層間絕緣層114用於使閘電極151與源電極153及汲電極154絕緣。層間絕緣層114也可以由無機材料製成，如緩衝層112。例如，層間絕緣層114可以形成為單個無機層或氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）的複數個無機層，但不限於此。
均與主動層152接觸的源電極153及汲電極154設置在層間絕緣層114上。源電極153及汲電極154設置成在同一層上彼此間隔開。源電極153及汲電極154可以電連接到主動層152以與主動層152接觸。源電極153及汲電極154可以由各種金屬材料中的任一種製成，例如鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）及銅（Cu）。或者，源電極153及汲電極154可以由它們中的兩種或更多種的合金製成，或者由它們的複數層製成，但不限於此。
此外，閘極絕緣層113及層間絕緣層114可以僅在與複數個像素基板111重疊的區域中被圖案化及形成。閘極絕緣層113及層間絕緣層114也可以由無機材料製成，如緩衝層112。因此，當顯示裝置100被拉伸時，閘極絕緣層113及層間絕緣層114可能容易損壞，例如容易破裂。因此，在複數個像素基板111之間的區域中可以不形成閘極絕緣層113及層間絕緣層114。閘極絕緣層113及層間絕緣層114可以被圖案化為複數個像素基板111的形狀並僅形成在複數個像素基板111的上部上。
為了便於描述，圖3僅顯示可以包含在顯示裝置100中的各種電晶體中的驅動電晶體。然而，開關電晶體、電容器及類似之物也可以包含在顯示裝置100中。此外，在本發明中，電晶體150描述為具有共面結構，但是也可以使用具有交錯結構或類似之物的各種類型的電晶體。
參照圖3，複數個焊墊170之中的電源焊墊171設置在層間絕緣層114上。電源焊墊171用於向複數個子像素SPX傳輸電源訊號。該電源訊號可以透過形成在像素基板111上的一條線從電源焊墊171傳輸到像素電路。電源焊墊171可以在與源電極153及汲電極154相同的層上由相同的材料形成，但不限於此。
參照圖3，複數個焊墊170中的資料焊墊172設置在層間絕緣層114上。資料焊墊172用於向複數個子像素SPX傳輸資料訊號。該資料訊號可以透過形成在像素基板111上的資料線從資料焊墊172傳輸到源電極153或汲電極154。資料焊墊172可以在與源電極153及汲電極154相同的層上由相同的材料形成，但不限於此。
參照圖3，平坦化層115形成在電晶體150及層間絕緣層114上。平坦化層115用於平面化電晶體150 的上部。平坦化層115可以形成為單層或多層並可以由有機材料製成。因此，平坦化層115也可以稱為有機絕緣層。例如，平坦化層115可以由丙烯酸有機材料製成，但不限於此。
參照圖3，平坦化層115設置在複數個像素基板111與第一連接線181之間以覆蓋緩衝層112、閘極絕緣層113及層間絕緣層114的上表面及側表面。此外，平坦化層115及複數個像素基板111一起圍繞緩衝層112、閘極絕緣層113及層間絕緣層114。具體地，平坦化層115可以設置以覆蓋層間絕緣層114的上表面及側表面、閘極絕緣層113的側表面、緩衝層112的側表面以及複數個像素基板111的部分上表面。因此，複數個像素基板111與複數個第一連接線181之間的平坦化層115可以補償緩衝層112、閘極絕緣層113及層間絕緣層114的側表面之間的階型。此外，平坦化層115可以增強平坦化層115與設置在平坦化層115的側表面的第一連接線181之間的黏合強度。
同時，平坦化層115的側表面的傾斜角可以比緩衝層112、閘極絕緣層113及層間絕緣層114的側表面的傾斜角小。然而，本發明不限於此。
在某些示例性實施例中，鈍化層可以形成在電晶體150與平坦化層115之間。即，可以形成覆蓋電晶體150的鈍化層以保護電晶體150免受濕氣及氧氣的滲透。鈍化層可以由無機材料製成並形成為單層或多層，但不限於此。
參照圖2及圖3，連接線180是指電連接設置在複數個像素基板111或複數個非像素基板121上的焊墊170的線。連接線180設置在像素基板111及複數個連接構件120上。
連接線180包括第一連接線181及第二連接線182。第一連接線181及第二連接線182設置在複數個像素基板111及複數個連接構件120上。具體地，第一連接線181是指設置在複數個連接構件120及複數個像素基板111之中沿為第一方向的X軸方向延伸的連接構件120上的線。第二連接線182是指設置在複數個連接構件120及複數個像素基板111之中沿為第二方向的Y軸方向延伸的連接構件120上的線。連接線180可以由諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鈦（Ti）或鉬（Mo）的金屬材料製成。另外，連接線180可以具有諸如銅/鉬-鈦（Cu/MoTi）、鈦/鋁/鈦（Ti/Al/Ti）或類似之物的金屬材料的層疊結構，但不限於此。
參照圖1及圖2，第一連接線181可以連接在X軸方向上彼此相鄰設置的複數個像素基板111上的焊墊之中在並排設置的兩個像素基板111上的焊墊。每條第一連接線181可以作為閘極線、發光訊號線、高電位電源線或低電位電源線，但不限於此。例如，如圖3所示，第一連接線181可以用作用於傳輸電源電壓之中的高電位電壓的電源線。此外，第一連接線181可以電連接在X軸方向上並排設置的兩個像素基板111上的電源焊墊171。
參照圖2，第二連接線182可以連接在Y軸方向上彼此相鄰設置的複數個像素基板111之中並排設置的兩個像素基板111。每條第二連接線182可以作為資料線、高電位電源線、低電位電源線或參考電壓線，但不限於此。例如，第二連接線182可以作為資料線，並可以電連接在Y軸方向上並排設置的兩個像素基板111上的資料線。
參照圖1，連接線180可以進一步包括連接在複數個像素基板111及複數個非像素基板121上的焊墊或連接在Y軸方向上彼此相鄰設置的複數個非像素基板121上的焊墊之中在並排設置的兩個非像素基板121上的焊墊的線。
每條第一連接線181可以與設置在像素基板111的平坦化層115的上表面及側表面接觸並可以延伸到連接構件120的上表面。此外，每條第二連接線182可以從像素基板111延伸到連接構件120及無機絕緣層的上表面。
參照圖3，獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2設置在平坦化層115上。獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2用於將訊號傳輸到複數個發光二極體（LEDs）160。
參照圖2及圖3，複數個獨立連接墊CP1設置在平坦化層115上。複數個獨立連接墊CP1可以連接到電晶體150，並可以將電壓傳輸到複數個LEDs 160。因此，複數個獨立連接墊CP1可以用作陽極。
複數個獨立連接墊CP1可以透過與連接線180相同的程序形成在平坦化層115上。即，複數個獨立連接墊CP1可以由與連接線180相同的材料形成，並設置在相同的層上，但不限於此。
設置在一個像素基板111上的複數個獨立連接墊CP1的數量可以等於設置在一個像素基板111上的複數個LEDs 160的數量。例如，如圖2所示，如果三個LEDs 160設置在像素基板111上，則三個獨立連接墊CP1可以設置在一個像素基板111上以向每個LEDs 160施加單獨的電壓。
參照圖2及圖3，共用連接墊CP2設置在平坦化層115上。共用連接墊CP2可以連接到第一連接線181，並可以將電壓傳輸到複數個LEDs 160。因此，共用連接墊CP2可以用作陰極。
不管設置在一個像素基板111上的複數個LEDs 160的數量如何，設置在一個像素基板111上的共用連接墊CP2的數量可以是一個。例如，如圖2所示，如果三個LEDs 160設置在一個像素基板111上，則共用連接墊CP2只需要對三個LEDs 160均等地施加低電位電源即可。因此，單個共用連接墊CP2可以設置在一個像素基板111上，並可以電連接到三個LEDs 160。
獨立連接墊CP1與共用連接墊CP2之間的距離d1可以基於LED 160的n-電極165和p-電極164之間的距離來確定。LED 160的p-電極164需要電連接到獨立連接墊CP1，並且LED 160的n-電極165需要電連接到共用連接墊CP2。LED 160的n-電極165及p-電極164中的任何一個不應電連接到獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2兩者。因此，可以考慮到LED 160中的n-電極165和p-電極164之間的距離，來確定獨立連接墊CP1與共用連接墊CP2之間的距離d1。
與共用連接墊CP2相鄰並傳輸高電位電壓的第一連接線181與共用連接墊CP2之間的距離d2可以設定為最小化。參照圖2及圖3，傳輸高電位電壓的第一連接線181可以沿Y軸方向設置在共用連接墊CP2下側的平坦化層115上。隨著顯示裝置100發展為具有高解析度，每個像素基板111的尺寸被最小化是有利的。因此，考慮到操作界限或類似者，使設置在像素基板111的組件之間的距離也被最小化是有益的。因此，考慮到操作界限，可以將與共用連接墊CP2相鄰並傳輸高電位電壓的第一連接線181與共用連接墊CP2之間的距離d2設計為最小。
同時，雖然圖3中未顯示，但是可以在獨立連接墊CP1、共用連接墊CP2、連接線180及平坦化層115上設置堤部。該堤部可以用來區分彼此相鄰的子像素SPX。
參照圖3，LED 160設置在獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2上。LED 160包括：n型層161；主動層162；p型層163；n-電極165；以及p-電極164。根據本發明一示例性實施例之顯示裝置100的LED 160具有覆晶結構，其中n-電極165及p-電極164形成在其一個表面上。
n型層161可以藉由將n型雜質注入具有優良結晶度的氮化鎵（GaN）中來形成。n型層161可以設置在由發光材料製成的單獨基底基板上。
主動層162設置在n型層161上。主動層162是在LED 160中發光的發光層，並可以由氮化物半導體製成，例如氮化銦鎵（InGaN）。p型層163設置在主動層162上。p型層163可以藉由將p型雜質注入氮化鎵（GaN）中來形成。
如上所述，根據本發明一示例性實施例的LED 160藉由依次層疊n型層161、主動層162及p型層163，然後蝕刻LED的預定區域來製造，從而形成n-電極165及p-電極164。在這種情況下，該預定區域是將n-電極165及p-電極164彼此分開的空間，並且被蝕刻以暴露n型層161的一部分。換言之，其上要設置n-電極165及p-電極164的LED 160的表面可能不是平坦的，並可能具有不同的水平高度。
如上所述，n-電極165設置在蝕刻區域上，即藉由蝕刻暴露的n型層161上。n-電極165可以由導電材料製成。此外，p-電極164設置在未蝕刻區域上，即在p型層163上。p-電極164也可以由導電材料製成。例如，p-電極164可以由與n-電極165相同的材料製成。
黏合層AD設置在獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2的上表面上以及在獨立連接墊CP1與共用連接墊CP2之間。因此，LED 160可以接合到獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2上。在這種情況下，n-電極165可以設置在共用連接墊CP2上，而p-電極164可以設置在獨立連接墊CP1上。
黏合層AD可以是藉由將導電球CB分散在基底構件BR中而形成的導電黏合層。因此，當熱或壓力施加到黏合層AD時，導電球CB電連接以在黏合層AD被施加熱或壓力的部分中具有導電特性。
當LED 160的電極接合到共用連接墊CP2及獨立連接墊CP1時，混合在基底構件BR中的導電球CB可以用於將LED 160的電極電連接到共用連接墊CP2及獨立連接墊CP1。導電球CB可以由導電金屬製成，諸如金（Au），在材料內部具有延展性，諸如鎳（Ni），但不限於此。此外，在接合之前，導電球CB的直徑可以約為4
Figure 02_image001
m，但本發明不限於此。當LED 160的電極接合到連接墊時，覆蓋內部導電金屬的材料會被熱及壓力損壞，並且內部導電金屬會被冷卻及硬化。因此，LED 160的電極可以電連接到連接墊。
基底構件BR可以是具有黏合性及絕緣性的黏合構件。基底構件BR可以是例如熱固性黏合劑，但不限於此。
參照圖3，例如，n-電極165透過黏合層AD電連接到共用連接墊CP2。此外，p-電極164透過黏合層AD電連接到獨立連接墊CP1。可以藉由噴墨方法或類似者將其中混合有導電球CB的黏合層AD施加到獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2的上表面。然後，可以將LED 160轉移到黏合層AD上。此後，LED 160可以被加壓及加熱，從而透過導電球CB將獨立連接墊CP1電連接到p-電極164並將共用連接墊CP2電連接到n-電極165。此處，導電球CB可以被引導成僅設置在n-電極165與共用連接墊CP2之間以及p-電極164與獨立連接墊CP1之間。同時，除了n-電極165與共用連接墊CP2之間的黏合層AD的一部分以及黏合層AD的導電球CB設置在p-電極164與獨立連接墊CP1之間的一部分之外，黏合層AD的其他部分具有絕緣特性。同時，黏合層AD也可以分別設置在獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2的每一個上。
如上所述，根據本發明一示例性實施例的顯示裝置100具有一種其中LED 160設置在其上設置有電晶體150的下部基板110上的結構。因此，當顯示裝置100開啟時，施加到獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2中的每一個的不同水平的電壓分別傳輸到n-電極165及p-電極164。因此，LED 160發光。
參照圖3，上部基板US設置在LED 160及下部基板110上。
上部基板US用於支撐設置在上部基板US下方的各種組件。具體地，可以藉由在下部基板110及像素基板111上塗覆並硬化上部基板US的材料來形成上部基板US。因此，上部基板US可以設置成與下部基板110、像素基板111、連接構件120及連接線180接觸。
上部基板US是可延展基板並可以由可彎曲或可拉伸的絕緣材料製成。上部基板US是可延展基板並可以可逆地膨脹及收縮。此外，上部基板US可以具有在數百MPa範圍內的彈性係數。此外，上部基板US可以具有100%或更高的延性斷裂率。上部基板US的厚度可以為10
Figure 02_image001
m至1 mm，但不限於此。
上部基板US可以由與下部基板110相同的材料製成。例如，上部基板US可以由諸如聚二甲基矽氧烷（PDMS）的矽橡膠及諸如聚胺酯（PU）及聚四氟乙烯（PTFE）的彈性體製成。因此，上部基板US可以具有可撓性。然而，上部基板US的材料不限於此。
同時，雖然圖3中未顯示，偏光層也可以設置在上部基板US上。該偏光層使從顯示裝置100外部入射的光極化並減少外部光的反射。此外，代替偏光層，可以在上部基板US設置其他光學膜或類似之物。
在下文中，將參照圖4以及圖1至圖3更詳細地描述共用連接墊CP2。 ＜ 共用連接墊的多層結構 ＞
圖4是根據本發明一示例性實施例之顯示裝置的像素基板的示意放大平面圖。
參照圖3及圖4，共用連接墊CP2包括：下共用連接墊CP21；以及上共用連接墊CP22。亦即，共用連接墊CP2可以具有多層結構。
共用連接墊CP2的下共用連接墊CP21設置在平坦化層115上。下共用連接墊CP21可以電連接到第一連接線181及複數個LEDs 160。
下共用連接墊CP21可以透過與第一連接線181相同的程序來形成。亦即，下共用連接墊CP21可以在與第一連接線181相同的層上由相同的材料形成，但不限於此。此處，下共用連接墊CP21可以與第一連接線181一體成形，用於在第一連接線181之中傳輸低電位電源。然而，將複數個LEDs 160設置在下共用連接墊CP21上並且電連接是有益的。因此，共用連接墊CP2可以具有比第一連接線181更大的寬度。下共用連接墊CP21可以由例如銅（Cu）或類似之物製成，但不限於此。下共用連接墊CP21的材料可以根據設計而變化。此處，下共用連接墊CP21可以具有從大約3000 Å到大約10000 Å的厚度，但不限於此。
共用連接墊CP2的上共用連接墊CP22設置在下共用連接墊CP21上。此處，上共用連接墊CP22可以設置在下共用連接墊CP21的邊緣上。即，如圖4所示，上共用連接墊CP22可以以閉合曲線設置在下共用連接墊CP21的邊緣上。然而，本發明不限於此。上共用連接墊CP22也可以以複數個圖案設置在下共用連接墊CP21的邊緣上。儘管圖4顯示上共用連接墊CP22具有矩形截面形狀，但是上共用連接墊CP22的截面形狀不限於此。
上共用連接墊CP22可以由與下共用連接墊CP21不同的材料製成。此處，上共用連接墊CP22可以由對複數個LEDs 160的電極的黏附性高於其對下共用連接墊CP21的黏附性的材料製成。因此，在修復複數個LEDs 160 的過程中，上共用連接墊CP22可以容易地與下共用連接墊CP21分離。
例如，如果下共用連接墊CP21由銅（Cu）製成並且複數個LEDs 160的電極由金（Au）製成，則上共用連接墊CP22可以由金（Au）製成。亦即，上共用連接墊CP22的材料可以與下共用連接墊CP21的材料不同，並且可以與複數個LEDs 160的電極的材料相同。因此，由於同質材料之間的高黏附性，上共用連接墊CP22可以比下共用連接墊CP21對複數個LEDs 160的電極具有更高黏附性。上共用連接墊CP22可以由例如金（Au）、鈦（Ti）、鋁（Al）或鉬（Mo）製成，但不限於此。此處，上共用連接墊CP22可以具有大約20000 Å的厚度，但不限於此。
在製造顯示裝置100的同時，如果在將獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2電連接到複數個LEDs 160的轉移過程中發生未對準，則可以加入用於移除未對準的LED 160並轉移新的LED 160的修復過程。此處，如果接合到複數個LEDs 160的共用連接墊CP2與複數個LEDs 160的電極之間的黏附性太高，則共用連接墊CP2會與複數個LEDs 160一起從下部基板110撕下，而LED 160同時被移除。亦即，共用連接墊CP2以如上所述的未對準的LED 160來去除。在這種情況下，即使轉移新的LED 160，也不能驅動它。因此，整個顯示裝置100變得有缺陷。
因此，在根據本發明一示例性實施例的顯示裝置100中，共用連接墊CP2具有包含下共用連接墊CP21及上共用連接墊CP22的多層結構。因此，在修復過程中，可以容易地從共用連接墊CP2移除複數個LEDs 160。具體地，由對複數個LEDs 160的電極的黏附性高於其對下共用連接墊CP21的黏附性的材料製成的上共用連接墊CP22設置在下共用連接墊CP21上。因此，在修復過程中，上共用連接墊CP22可以與複數個LEDs 160一起容易地與下共用連接墊CP21分離。此外，在某些程序中，所有的上共用連接墊CP22及下共用連接墊CP21可以設置在下部基板110的一側上，並可以僅分開LEDs 160。因此，在根據本發明一示例性實施例的顯示裝置100中，當未對準的LED 160被修復時，可以與LED 160一起最小化共用連接墊CP2從下部基板110的撕下。
此外，在製造顯示裝置100時，用於將複數個LEDs 160接合並同時電連接到獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2的黏合層AD在轉移過程期間被用來將獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2電連接到複數個LEDs 160。黏合層AD可以以液態形成在獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2上，然後藉由熱及/或壓力硬化。因此，當黏合層AD處於液態時，複數個LEDs 160可以隨著黏合層AD的移動而移動。因此，會發生複數個LEDs 160相對於獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2的未對準。此外，當黏合層AD移動時，LED 160可以在具有相對小的距離的共用連接墊CP2與用於傳輸高電位電壓的第一連接線181之間未對準。因此，共用連接墊CP2及第一連接線181可以藉由LED 160的電極電連接。在這種情況下，在包含LED 160的子像素SPX中會出現暗點。
因此，在根據本發明一示例性實施例的顯示裝置100中，共用連接墊CP2具有包含下共用連接墊CP21及上共用連接墊CP22的多層結構。因此，可以最小化由黏合層AD的移動所引起之LED 160的未對準。具體地，上共用連接墊CP22可以沿下共用連接墊CP21的邊緣設置在下共用連接墊CP21的邊緣上，並且共用連接墊CP2可以具有一階差。因此，即使黏合層AD移動，黏合層AD中的導電球CB及LEDs 160的電極的移動也會受到上共用連接墊CP22的限制。因此，在根據本發明一示例性實施例的顯示裝置100中，具有階型結構的共用連接墊CP2可以用於抑制LEDs 160未對準的發生及由未對準所引起之暗點的發生。 ＜ 獨立連接墊的多層結構 ＞
圖5A是根據本發明另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖。圖5B是根據本發明另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的放大平面圖。除了獨立連接墊CP1之外，圖5A及圖5B中所示的顯示裝置500與圖1至圖4中所示的顯示裝置100實質上相同。因此，將省略其多餘的描述。
參照圖5A及圖5B，根據本發明另一示例性實施例之顯示裝置500的獨立連接墊CP1包括：複數個下獨立連接墊CP11；以及複數個上獨立連接墊CP12。上獨立連接墊CP12可以設置在下獨立連接墊CP11上。此外，上獨立連接墊CP12可以形成為對應於上共用連接墊CP22的形狀並設置在下獨立連接墊CP11上。因此，上獨立連接墊CP12可以設置在下獨立連接墊CP11的邊緣上，並且複數個上獨立連接墊CP12可以與複數個LEDs 160的電極部分地接觸。
在獨立連接墊CP1的多層結構中，複數個下獨立連接墊CP11設置在平坦化層115上。複數個下獨立連接墊CP11可以電連接到第一連接線181及複數個LEDs 160。
複數個下獨立連接墊CP11可以透過與下共用連接墊CP21相同的程序形成。亦即，複數個下獨立連接墊CP11可以在與下共用連接墊CP21相同的層上由相同的材料形成，但不限於此。例如，複數個下獨立連接墊CP11可以由銅（Cu）或類似之物製成，但不限於此。複數個下獨立連接墊CP11的材料可以根據設計而變化。此處，複數個下獨立連接墊CP11可以具有從大約3000 Å到大約10000 Å的厚度，但不限於此。
上獨立連接墊CP12設置在下獨立連接墊CP11上。此處，上獨立連接墊CP12可以設置在下獨立連接墊CP11的邊緣。即，如圖5B所示，上獨立連接墊CP12可以以閉合曲線設置在下獨立連接墊CP11的邊緣上。然而，本發明不限於此。上獨立連接墊CP12也可以以複數個圖案設置在下獨立連接墊CP11的邊緣上。具有與上共用連接墊CP22的圖案對應的複數個圖案的上獨立連接墊CP12可以設置在下獨立連接墊CP11上。
上獨立連接墊CP12可以由與下獨立連接墊CP11不同的材料製成。此處，上獨立連接墊CP12可以由對複數個LEDs 160的電極的黏附性高於其對下獨立連接墊CP11的黏附性的材料製成。因此，在修復複數個 LEDs 160 的過程中，上獨立連接墊CP12可以容易地與下獨立連接墊CP11分離。
例如，如果下獨立連接墊CP11由銅（Cu）製成且複數個LEDs 160的電極由金（Au）製成，則上獨立連接墊CP12可以由金（Au）製成。亦即，上獨立連接墊CP12的材料可以與下獨立連接墊CP11的材料不同，並可以與複數個LEDs 160的電極的材料相同。因此，由於同質材料之間的高黏附性，上獨立連接墊CP12可以比下獨立連接墊CP11對LEDs 160的電極具有更高黏附性。上獨立連接墊CP12可以由例如金（Au）、鈦（Ti）、鋁（Al）或鉬（Mo）製成，但不限於此。此處，上獨立連接墊CP12可以具有大約20000 Å的厚度，但不限於此。
在根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置500中，複數個獨立連接墊CP1具有包含複數個下獨立連接墊CP11及複數個上獨立連接墊CP12的多層結構。因此，在修復過程中，可以容易地從複數個獨立連接墊CP1移除複數個LEDs 160。具體地，由對複數個LEDs 160的電極的黏附性高於其對下獨立連接墊CP11的黏附性的材料製成的上獨立連接墊CP12設置在下獨立連接墊CP11上。因此，在修復過程中，上獨立連接墊CP12可以與複數個LEDs 160一起容易地與下獨立連接墊CP11分離。此外，在某些程序中，所有的複數個上獨立連接墊CP12及複數個下獨立連接墊CP11可以設置在下部基板110的一側上，並可以僅分開LEDs 160。因此，在根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置500中，當未對準的LED 160被修復時，可以最大限度減少從下部基板110撕下獨立連接墊CP1及LED 160。
此外，在根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置500中，複數個獨立連接墊CP1具有包含複數個下獨立連接墊CP11及複數個上獨立連接墊CP12的多層結構。因此，可以最小化由黏合層AD的移動所引起之LED 160的未對準。具體地，上獨立連接墊CP12可以沿下獨立連接墊CP11的邊緣設置在下獨立連接墊CP11的邊緣上，並且獨立連接墊CP1可以具有一階差。因此，即使黏合層AD移動，黏合層AD中的導電球CB及LEDs 160的電極的移動也會受到複數個上獨立連接墊CP12的限制。因此，在根據本發明另一示例性實施例的顯示裝置500中，具有階型結構的複數個獨立連接墊CP1可以用於抑制LEDs 160未對準的發生及由未對準引起之暗點的發生。 ＜ 上共用連接墊的圖案 ＞
圖6是根據本發明再另一示例性實施例之顯示裝置的像素基板的放大平面圖。除了上共用連接墊CP22的形狀之外，圖6所示的顯示裝置600與圖5A及圖5B所示的顯示裝置500實質相同。因此，將省略其多餘的描述。
參照圖6，根據本發明又另一示例性實施例之顯示裝置600的上共用連接墊CP22可以進一步設置在對應於複數個獨立連接墊CP1之間的空間的下共用連接墊CP21上。因此，上共用連接墊CP22可以進一步設置在複數個LEDs 160之間的空間中。
在根據本發明再另一示例性實施例的顯示裝置600中，上共用連接墊CP22進一步設置在對應於複數個獨立連接墊CP1之間的空間的下共用連接墊CP21上。因此，摩擦力可以供應給複數個LEDs 160的電極。因此，複數個LEDs 160的電極不會偏離上共用連接墊CP22所在的區域。例如，即使複數個LEDs 160從圖6所示的狀態沿左右方向滑動，它們也可以被引導以在由上共用連接墊CP22界定的區域內移動。因此，可以抑制複數個LEDs 160從上共用連接墊CP22偏離。因此，即使黏合層AD移動，黏合層AD中的導電球CB及LEDs 160的電極的移動也會受到上共用連接墊CP22的限制。因此，在根據本發明再另一示例性實施例的顯示裝置600中，上共用連接墊CP22進一步設置在與複數個獨立連接墊CP1之間的空間對應的位置處。因此，可以抑制LEDs 160未對準的發生。
圖7是根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置700的一個像素基板的放大平面圖。除了上共用連接墊CP22的形狀之外，圖7所示的顯示裝置700與圖6所示的顯示裝置600實質相同。因此，將省略其多餘的描述。
參照圖7，根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置700的上共用連接墊CP22可以具有網格形式。亦即，上共用連接墊CP22可以以網格形式設置在下共用連接墊CP21上。此處，上共用連接墊CP22可以從圖7所示的狀態沿垂直方向及左右方向在下共用連接墊CP21上延伸。例如，上共用連接墊CP22可以包括設置在下共用連接墊CP21上平行於共用連接墊CP2的延伸方向的部分。此外，上共用連接墊CP22可以包括設置在下共用連接墊CP21上垂直於共用連接墊CP2的延伸方向的部分。根據本發明又另一示例性實施例之顯示裝置700的上共用連接墊CP22以網格形式設置在下共用連接墊CP21上。因此，更大摩擦力可以供應給複數個LEDs 160的電極。因此，複數個LEDs 160的電極不會偏離上共用連接墊CP22所在的區域。例如，即使複數個LEDs 160滑動，導電球CB也會卡在上共用連接墊CP22的網格圖案的孔中。因此，複數個LEDs可以在由上共用連接墊CP22界定的區域內移動，並可以抑制複數個LEDs 160從共用連接墊CP2的偏離。因此，即使黏合層AD移動，黏合層AD中的導電球CB及LEDs 160的電極的移動也會受到上共用連接墊CP22的限制。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置700中，上共用連接墊CP22以網格形式設置在下共用連接墊CP21上。因此，可以抑制LEDs 160未對準的發生。 ＜ 絕緣層 ＞
圖8是根據本發明又另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖。除了絕緣層IL1的佈置之外，圖8所示的顯示裝置800與圖5A及圖5B所示的顯示裝置500實質相同。因此，將省略其多餘的描述。
參照圖8，根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800可以包括絕緣層IL1。絕緣層IL1可以設置在第一連接線181上。具體地，絕緣層IL1可以設置在第一連接線181之中用於傳輸高電位電源的電源線PL上。
絕緣層IL1可以由具有絕緣特性的材料製成。絕緣層IL1可以是例如氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）的無機層，但不限於此。絕緣層IL1的材料可以根據設計而變化。此處，絕緣層IL1可以具有從大約10000 Å到大約20000 Å的厚度，但不限於此。
絕緣層IL1可以包括複數個絕緣圖案。絕緣層IL1的複數個絕緣圖案可以具有各種形狀，諸如柱狀、線狀或網狀。
絕緣層IL1的複數個絕緣圖案之間的距離可以比黏合層AD中的導電球CB的尺寸小。例如，絕緣層IL1的複數個絕緣圖案之間的距離可以比黏合層AD中的導電球CB的半徑或直徑小。
在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800中，包含複數個絕緣圖案的絕緣層IL1設置在用作高電位電源線的第一連接線181上。因此，可以最小化LEDs 160未對準的發生。具體地，如果LEDs 160藉由黏合層AD的移動朝用於傳輸高電位電源的第一連接線181移動，則複數個絕緣圖案之中設置最靠近共用連接墊CP2的絕緣圖案可以主要抑制LEDs 160的移動。此外，當LEDs 160在絕緣層IL1上移動時，所有複數個絕緣圖案供應摩擦力，因此可以限制LEDs 160的移動。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800中，可以抑制由黏合層AD的移動所引起之LEDs 160未對準的發生。
此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置800中，絕緣層IL1設置在用作高電位電源線的第一連接線181上。因此，即使複數個LEDs 160未對準，也可以抑制LEDs 160連接到用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181。即使LEDs 160設置在用於透過黏合層AD的移動傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181上，LEDs 160也可以不連接到用於透過設置在第一連接線181上的絕緣層IL1傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181。因此，在根據本發明的又另一示例性實施例的顯示裝置800中，絕緣層 IL1可以用以抑制由LEDs 160連接到共用連接墊CP2及用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181兩者所引起之暗點的發生。
圖9是根據本發明又另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖。除了絕緣層IL2之外，圖9所示的顯示裝置900與圖8所示的顯示裝置800實質相同。因此，將省略其多餘的描述。
參照圖9，根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900可以包括絕緣層IL2。絕緣層IL2可以設置在第一連接線181上。具體地，絕緣層IL2可以設置在第一連接線181之間用於傳輸高電位電源的電源線PL上。
絕緣層IL2可以具有階型形狀的上表面。亦即，在絕緣層IL2中，與共用連接墊CP2相對相鄰的部分的高度可以比相對遠離於共用連接墊CP2的部分的高度小。然而，本發明不限於此。絕緣層IL2可以具有傾斜的上表面。在這種情況下，絕緣層IL2可以具有高度隨著與共用連接墊CP2的距離增加而逐漸增加之傾斜的上表面。
在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，絕緣層IL2設置在作為高電位電源線的第一連接線181上。因此，可以最小化LEDs 160未對準的發生。具體地，如果LEDs 160透過黏合層AD的移動而朝用於傳輸高電位電源的第一連接線181移動，則絕緣層IL2與共用連接墊CP2相對相鄰的部分可以主要抑制LEDs 160的移動。此外，如果將LEDs 160移動到絕緣層IL2與共用連接墊CP2相對相鄰的部分上，則絕緣層IL2與共用連接墊CP2相對較遠且具有較大高度的部分可以其次抑制LEDs 160的移動。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，可以抑制由黏合層AD的移動所引起之LEDs 160未對準的發生。
此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置900中，絕緣層IL2設置在用作高電位電源線的第一連接線181上。因此，即使複數個LEDs 160未對準，也可以抑制LEDs 160連接到用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181。也就是說，即使LEDs 160設置在用於透過黏合層AD的移動傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181上，LEDs 160也可以不連接到用於透過設置在第一連接線181上的絕緣層IL2傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181。因此，可以抑制由LEDs 160連接到共用連接墊CP2及用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181兩者所引起之暗點的發生。
圖10是根據本發明另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖。除了絕緣層IL3之外，圖10所示的顯示裝置1000與圖8所示的顯示裝置800實質相同。因此，將省略其多餘的描述。
參照圖10，根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000可以包括絕緣層IL3。絕緣層IL3可以設置在第一連接線181上。具體地，絕緣層IL3可以設置在第一連接線181之間用於傳輸高電位電源的電源線PL上。
絕緣層IL3可以設置以覆蓋用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181的上表面及側表面。具體地，絕緣層IL3可以設置以覆蓋用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181的上表面及第一連接線181與共用連接墊CP2相鄰的側表面。即，絕緣層IL3可以使LEDs 160與用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181的上表面及側表面絕緣。
在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，絕緣層IL3設置在用作高電位電源線的第一連接線181的上表面及側表面上。因此，可以最小化LEDs 160未對準的發生。具體地，如果LEDs 160透過黏合層AD的移動朝用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181移動，則絕緣層IL3可以抑制LEDs 160的移動。因此，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，可以抑制由黏合層AD的移動所引起之LEDs 160未對準的發生。
此外，在根據本發明又另一示例性實施例的顯示裝置1000中，絕緣層IL3設置在用作高電位電源線的第一連接線181的上表面及側表面上。因此，即使複數個LEDs 160未對準，也可以抑制LEDs 160連接到用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181。也就是說，即使LEDs 160朝用於透過黏合層AD的移動傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181移動，LEDs 160也可以不連接到用於透過設置在第一連接線181的上表面及第一連接線181的側表面的絕緣層IL3傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181。因此，可以抑制由LEDs 160連接到共用連接墊CP2及用於傳輸高電位電源用作電源線的第一連接線181兩者所引起之暗點的發生。
圖11是顯示根據本發明一示例性實施例透過顯示裝置的修復程序已去除上共用連接墊的示意剖面圖。除了去除上共用連接墊CP22之外，圖11中所示的顯示裝置1100與圖1至圖4中所示的顯示裝置100實質相同。因此，將省略其多餘的描述。
參照圖11，在對應於圖1至圖4中所示之顯示裝置100的顯示裝置1100中，在修復程序之後，共用連接墊CP2的上共用連接墊CP22與LEDs 160一起被去除。因此，共用連接墊CP2可以具有單層結構。
在修復程序之後的顯示裝置1100的複數個子像素SPX的一些子像素中，共用連接墊CP2可以是單層，如圖11所示。然而，在其他子像素SPX中，僅LEDs 160在修復過程中被移除，且上共用連接墊CP22保留。因此，這些子像素SPX可以處於如圖1至圖4中所示的狀態。
此外，在修復程序之後的顯示裝置1100的複數個子像素SPX的一些子像素中，只有上共用連接墊CP22的一部分可以與LEDs 160一起被去除，而其他部分可以保留。 ＜ 黏合層的變形 ＞
圖12A是根據本發明又另一實施例之顯示裝置的一個像素基板的放大平面圖。圖12B是根據本發明又另一實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖。圖12A及圖12B中所示的顯示裝置1200與圖1至圖4中所示的顯示裝置100實質相同，除了上共用連接墊CP22被去除，且黏合層AD的設置不同以外。因此，將省略其多餘的描述。
參照圖12A及圖12B，黏合層AD用於將複數個獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2電連接到複數個LEDs 160。
黏合層AD設置以覆蓋平坦化層115的整個上表面。黏合層AD設置在平坦化層115的整個上表面上，也設置在獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2的上表面上。因此，LEDs 160可以接合到獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2上。此處，n-電極165可以設置在共用連接墊CP2上，而p-電極164可以設置在獨立連接墊CP1上。
黏合層AD包括：複數個導電球CB；以及基底構件BR。黏合層AD可以是藉由將複數個導電球CB分散在基底構件BR中而形成的導電黏合層。當LED 160的電極接合到共用連接墊CP2及獨立連接墊CP1時，分散在基底構件BR中的複數個導電球CB可以用以將LED 160的電極電連接到共用連接墊CP2及獨立連接墊CP1。
在某些實施例中，複數個導電球CB設置在單層中。如圖13A所示，導電球CB分散在基底構件BR中。導電球CB在單層中彼此間隔開一預定距離。例如，導電球CB之間的距離可以從2
Figure 02_image001
m到3
Figure 02_image001
m，但不限於此。此處，導電球CB之間的距離是指導電球CB與另一導電球CB之間的最短距離。
由於複數個導電球CB彼此間隔開，因此複數個導電球CB彼此不電連接。即，複數個導電球CB平行於平坦化層115的上表面彼此間隔開，因此彼此不電連接。此外，複數個導電球CB將複數個獨立連接墊CP1及共用連接墊CP2電連接到複數個LEDs 160。亦即，複數個導電球CB在垂直於平坦化層115的上表面的方向上與LEDs 160的電極及連接墊接觸。因此，複數個導電球CB可以將LEDs 160的電極電連接到連接墊。
基底構件BR可以是具有黏合性及絕緣性的黏合構件。除了設置導電球CB的部分之外的黏合層AD具有絕緣特性。基底構件BR塗覆在平坦化層115的整個上表面上，使得複數個LEDs 160可以固定就位。
黏合層AD具有比平坦化層115的厚度或高度H2小的厚度或高度H1（例如參見圖13A） 。如果黏合層AD的厚度大於平坦化層115的厚度，則黏合層AD會向下流動到平坦化層115的上表面的外側。因此，會發生LEDs 160的未對準。即，黏合層AD的移動可以透過平坦化層115的階型及黏合層AD的厚度來調節。此外，黏合層AD可以設置在平坦化層115的整個上表面上，使得平坦化層115的上表面的邊緣與黏合層AD的邊緣重合。同時，黏合層AD的側表面可以垂直於平坦化層115的上表面或傾斜於平坦化層115的上表面，但不限於此。
在根據本發明又另一實施例的顯示裝置1200中，包含在黏合層AD中的複數個導電球CB在單層中彼此間隔開。因此，可以抑制LED 60的短路或開路的發生。此外，在根據本發明又另一實施例的顯示裝置1200中，黏合層AD設置在平坦化層115的整個上表面上，而不是選擇性地僅設置在與複數個LEDs 160重疊的連接墊上。因此，可以最小化由黏合層AD的不均勻放置所引起之LED 160的傳輸效率降低及LED 160的驅動缺陷。
在下文中，將參照圖13A至圖13D描述根據本發明又另一實施例之製造顯示裝置1200的方法。
圖13A至圖13D是顯示根據本發明又另一實施例之製造顯示裝置的方法的示意性剖面圖。圖13D中所示的顯示裝置與圖12B中所示的顯示裝置1200實質相同。因此，將省略其多餘的描述。
首先，參照圖13A，製備第一傳送基板191，其上設置有包含基底構件BR及分散在基底構件BR中的複數個導電球CB的黏合層AD。
然後，使第一傳送基板191靠近下部基板110的上部，下部基板110上設置有平坦化層115，並且黏合層AD放置在平坦化層115的上部上。此處，第一傳送基板191可以是膜的形式，但不限於此。在第一傳送基板191及下部基板110保持在平面狀態的同時，黏合層AD被加壓一預定時段以接合到平坦化層115上。
然後，參照圖13B，第一傳送基板191與黏合層AD分離。僅在其上設置有平坦化層115的第一傳送基板191的一部分被局部加熱，使得黏合層AD僅接合到平坦化層115上。例如，使加熱棒與對應於平坦化層115的區域接觸的同時被按壓到其上以僅將接合到平坦化層115的上表面的黏合層AD與第一傳送基板191分離。然而，本發明不限於此。然後，當去除第一傳送基板191時，黏合層AD僅設置在平坦化層 115上。
然後，參照圖13C，其上設置有複數個LEDs 160的第二傳送基板192靠近黏合層AD的上部，並且複數個LEDs 160接合到黏合層AD的上部。例如，複數個LEDs 160在複數個LEDs 160透過黏合構件接合在第二傳送基板192上的狀態下轉移。設置在第二傳送基板192的複數個LEDs 160接合到黏合層AD的上部，使得複數個LEDs 160位於下部基板110的連接墊上方。當雷射照射到複數個LEDs 160時，黏合構件被去除，並且複數個LEDs 160與第二傳送基板192分離且透過黏合層AD固定到連接墊上。
然後，參照圖13D，可以藉由在複數個LEDs 160上塗覆及硬化可彎曲或可拉伸的絕緣材料來形成上部基板US。因此，上部基板US可以設置成與下部基板110、像素基板111、連接構件120及連接線180接觸。結果，可以製造圖12A及圖12B中所示的顯示裝置1200。
一般而言，當轉移黏合層時，會採用噴墨印刷程序將黏合層選擇性地僅轉移到發光二極體的電極所設置的區域或設置在平坦化層的連接墊上。然而，如果透過噴墨印刷程序轉移黏合層，由於黏合層的高黏度，轉移受到限制。此外，噴墨印刷程序是一個複雜的過程，需要昂貴的裝置。
然而，根據本發明又另一實施例之製造顯示裝置1200的方法，將黏合層AD接合到平坦化層115上，然後將LEDs接合到平坦化層115上。因此，可以簡化製造過程並減少製造時間及成本。即，黏合層僅設置在平坦化層的一部分上，而黏合層AD以更大的面積設置在平坦化層115的整個上表面上。因此，可以更容易地接合黏合層AD，並可以透過黏合層AD容易地將LEDs 160固定到位。此外，黏合層AD均勻地塗覆在平坦化層115上。因此，可以提高LEDs 160的傳輸效率，減少製造時間並使LEDs 160的驅動缺陷最小化。
本發明的示例性實施例還可以描述如下。
根據本發明的一態樣，顯示裝置可以包括：一下部基板；以及複數個像素基板，設置在下部基板上。顯示裝置還包括：複數個電晶體，設置在複數個像素基板上；以及一平坦化層，設置在複數個像素基板上以覆蓋複數個電晶體的上部。顯示裝置進一步包括：複數個獨立連接墊，設置在平坦化層上；以及一共用連接墊。顯示裝置還包括複數個發光二極體，設置在複數個獨立連接墊及共用連接墊上。複數個獨立連接墊及共用連接墊中的至少一個可以具有一多層結構。
共用連接墊可以包括一下共用連接墊，設置在平坦化層上；以及一上共用連接墊，設置在下共用連接墊上。
上共用連接墊可以由比下共用連接墊對複數個發光二極體的電極具有更高黏附性的材料製成。
下共用連接墊可以由銅（Cu）製成，而上共用連接墊可以由金（Au）、鈦（Ti）、鋁（Al）或鉬（Mo）製成。
上共用連接墊可以設置在下共用連接墊的邊緣上。
上共用連接墊可以進一步設置在對應於複數個獨立連接墊之間的空間的共用連接墊上。
上共用連接墊可以以網格形式設置在下共用連接墊上。
複數個獨立連接墊可以包括：下獨立連接墊，設置在平坦化層上；以及上獨立連接墊，設置在下獨立連接墊上。上獨立連接墊可以具有對應於上共用連接墊的形狀並設置在下獨立連接墊上。
顯示裝置可以進一步包括：一電源線，設置在平坦化層上；以及一絕緣層，設置在電源線上。
絕緣層可以包括設置在電源線上的複數個絕緣圖案。
在絕緣層中，與共用連接墊相對相鄰的部分的高度可以比與共用連接墊相對遠離的部分的高度小。
絕緣層可以設置以覆蓋電源線與共用連接墊相鄰的側表面。
複數個獨立連接墊與共用連接墊之間的距離可以比共用連接墊與電源線之間的距離大。
根據本發明的另一態樣，顯示裝置包括：複數個像素基板，其設置在下部基板上，且其中設置有複數個發光二極體。顯示裝置還包括一平坦化層，覆蓋複數個像素基板的上部。顯示裝置進一步包括複數個獨立連接墊，設置在平坦化層上以分別對應於複數個發光二極體。顯示裝置又包括一共用連接墊，設置在平坦化層且電性連接所有的複數個發光二極體。顯示裝置進一步包括一黏合層，將複數個獨立連接墊及共用連接墊電連接到複數個發光二極體。複數個獨立連接墊及共用連接墊中的至少一個可以具有：一下部墊；以及設置在下部墊的邊緣上的一上部墊。
上部墊可以由與下部墊不同的材料製成。
上部墊可以以網格形式設置在下部墊上。
顯示裝置可以進一步包括：一高電位電源線，設置在平坦化層上；以及一絕緣層，設置在高電位電源線上。共用連接墊可以設置在複數個獨立連接墊與高電位電源線之間。
絕緣層可以設置以覆蓋高電位電源線的側表面。
根據本發明的又一態樣，顯示裝置包括：複數個像素基板，其設置在下部基板上且其上設置有複數個發光二極體。顯示裝置還包括一平坦化層，覆蓋複數個像素基板的上部。顯示裝置進一步包括複數個獨立連接墊，設置在平坦化層上並分別於複數個發光二極體。顯示裝置又包括一共用連接墊，設置在平坦化層尚且電性連接所有的複數個發光二極體。顯示裝置進一步包括一黏合層，將複數個獨立連接墊及共用連接墊電連接到複數個發光二極體，並設置以覆蓋平坦化層的整個上表面。
黏合層可以包括：複數個導電球；以及一基底構件。複數個導電球可以以分散在基底構件中的形式設置在一單層中。
複數個導電球可以彼此間隔開且彼此不電連接，並可以複數個獨立連接墊及共用連接墊電連接至複數個發光二極體。
黏合層的厚度可以等於或小於平坦化層的厚度。
根據本發明的又一態樣，製造顯示裝置的方法可以包括：將一黏合層放置在第一傳送基板上的步驟，黏合層包括一基底構件及分散在基底構件中的複數個導電球。製造顯示裝置的方法還包括：使第一傳送基板靠近其上設置有覆蓋複數個電晶體的上部的一平坦化層的一基板的上部，並將黏合層接合到平坦化層的上部的步驟。製造顯示裝置的方法進一步包括：將其上設置有複數個發光二極體的第二傳送基板靠近黏合層的上部、並將複數個發光二極體接合到黏合層的上部的步驟。
複數個導電球可以彼此間隔開且彼此不電連接，並可以將複數個獨立連接墊及共用連接墊電連接至複數個發光二極體。
儘管已經參照隨文檢附的圖式詳細地描述本發明的示例性實施例，但是本發明不限於此並可以在不脫離本發明的技術構思的情況下以多種不同的形式實施。因此，本發明的示例性實施例僅用於說明目的，但不用於限制本發明的技術構思。本發明的技術構思的範疇不限於此。因此，應當理解的，上述示例性實施例在各個方面都是示例性的，並不限制本發明。本發明的保護範疇應基於以下請求項釋明，在其等效範疇中的所有技術構思均應理解為落入本發明的範疇內。
本申請主張向韓國智慧財產局於2020年11月17日提交的韓國專利申請第10-2020-0153424號及於2021年10月19日提交的韓國專利申請第10-2021-0139771號的優先權，所揭露的內容在此透過引用併入本文中。
100,500,600,700,800,900,1000,1100,1200:顯示裝置 110:下部基板 111:像素基板 112:緩衝層 113:閘極絕緣層 114:層間絕緣層 115:平坦化層 120:連接構件 121:非像素基板 130:薄膜覆晶（COF） 131:基底薄膜 132:驅動IC 140:印刷電路板 150:電晶體 151:閘電極 152:主動層 153:源電極 154:汲電極 160:發光二極體（LED） 161:n型層 162:主動層 163:p型層 164:p-電極 165:n-電極 170:焊墊 171:電源焊墊 172:資料焊墊 180:連接線 181:第一連接線 182:第二連接線 191:第一傳送基板 192:第二傳送基板 US:上部基板 AA:主動區域 NA:非主動區域 PX:像素 SPX:子像素 GD:閘極驅動器 CP1:獨立連接墊 CP2:共用連接墊 CP11:下獨立連接墊 CP12:上獨立連接墊 CP21:下共用連接墊 CP22:上共用連接墊 AD:黏合層 CB:導電球 BR:基底構件 d1,d2:距離 IL1,IL2,IL3:絕緣層 PL:電源線 H1,H2:高度
本發明的上述及其他方面、特徵及其他優點將從以下結合隨文檢附的圖式的詳細說明中得到更清楚的理解，其中： 圖1是根據本發明一示例性實施例之顯示裝置的分解立體圖； 圖2是根據本發明一示例性實施例之顯示裝置的放大平面圖； 圖3是沿圖2之III-III’線所截取的剖面圖； 圖4是根據本發明一示例性實施例之顯示裝置的像素基板的示意放大平面圖； 圖5A是根據本發明另一示例性實施例之顯示裝置的像素基板的示意剖面圖； 圖5B是根據本發明另一示例性實施例之顯示裝置的像素基板的放大平面圖； 圖6是根據本發明再另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的放大平面圖； 圖7是根據本發明又另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的放大平面圖； 圖8是根據本發明又另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖； 圖9是根據本發明又另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖； 圖10是根據本發明又另一示例性實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖； 圖11是顯示根據本發明一示例性實施例透過顯示裝置的修復程序已去除上共用連接墊的示意剖面圖； 圖12A是根據本發明又另一實施例之顯示裝置的一個像素基板的放大平面圖； 圖12B是根據本發明又另一實施例之顯示裝置的一個像素基板的示意剖面圖；以及 圖13A至圖13D是顯示根據本發明又另一實施例之製造顯示裝置的方法的示意性剖面圖。
100:顯示裝置
110:下部基板
111:像素基板
120:連接構件
121:非像素基板
130:薄膜覆晶(COF)
131:基底薄膜
132:驅動IC
140:印刷電路板
GD:閘極驅動器
US:上部基板
AA:主動區域
NA:非主動區域

Claims (24)

  1. 一種顯示裝置，包括： 一下部基板； 複數個像素基板，設置在該下部基板上； 複數個電晶體，設置在該複數個像素基板上； 一平坦化層，設置在該複數個像素基板上以覆蓋該複數個電晶體的上部； 複數個獨立連接墊及一共用連接墊，設置在該平坦化層上；以及 複數個發光二極體，設置在該複數個獨立連接墊及該共用連接墊上， 其中該複數個獨立連接墊及該共用連接墊中的至少一個具有一多層結構。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，該共用連接墊包括： 一下共用連接墊，設置在該平坦化層上；以及 一上共用連接墊，設置在該下共用連接墊上。
  3. 如請求項2所述的顯示裝置，其中，該上共用連接墊由比該下共用連接墊對該複數個發光二極體的電極具有更高黏附性的材料製成。
  4. 如請求項3所述的顯示裝置，其中，該下共用連接墊由銅（Cu）製成，而該上共用連接墊由金（Au）、鈦（Ti）、鋁（Al）或鉬（Mo）製成。
  5. 如請求項2所述的顯示裝置，其中，該上共用連接墊設置在該下共用連接墊的一邊緣上。
  6. 如請求項5所述的顯示裝置，其中，該上共用連接墊進一步設置在對應於該複數個獨立連接墊之間的空間的該下共用連接墊上。
  7. 如請求項6所述的顯示裝置，其中，該上共用連接墊以一網格形式設置在該下共用連接墊上。
  8. 如請求項2所述的顯示裝置，其中，該複數個獨立連接墊包括：一下獨立連接墊，設置在該平坦化層上；以及一上獨立連接墊，設置在該下獨立連接墊上，以及 該上獨立連接墊具有對應於該上共用連接墊的形狀並設置在該下獨立連接墊上。
  9. 如請求項1所述的顯示裝置，進一步包括： 一電源線，設置在該平坦化層上；以及 一絕緣層，設置在該電源線上。
  10. 如請求項9所述的顯示裝置，其中，該絕緣層包括複數個絕緣圖案，設置在該電源線上。
  11. 如請求項9所述的顯示裝置，其中，在該絕緣層中，與該共用連接墊相對相鄰的一部分的高度比與該共用連接墊相對遠離的一部分的高度小。
  12. 如請求項9所述的顯示裝置，其中，該絕緣層設置以覆蓋該電源線與該共用連接墊相鄰的一側表面。
  13. 如請求項9所述的顯示裝置，其中，該複數個獨立連接墊與該共用連接墊之間的距離比該共用連接墊與該電源線之間的距離大。
  14. 一種顯示裝置，包括： 複數個像素基板，設置在一下部基板上，且其中設置複數個發光二極體； 一平坦化層，覆蓋該複數個像素基板的上部； 複數個獨立連接墊，設置在該平坦化層上以分別對應於該複數個發光二極體； 一共用連接墊，設置在該平坦化層上並電性連接至所有的該複數個發光二極體；以及 一黏合層，將該複數個獨立連接墊及該共用連接墊電連接到該複數個發光二極體， 其中該複數個獨立連接墊及該共用連接墊中的至少一個具有一下部墊及設置在該下部墊的一邊緣的一上部墊。
  15. 如請求項14所述的顯示裝置，其中，該上部墊由與該下部墊不同的材料製成。
  16. 如請求項14所述的顯示裝置，其中，該上部墊以一網格形式設置在該下部墊上。
  17. 如請求項14所述的顯示裝置，進一步包括： 一高電位電源線，設置在該平坦化層上；以及 一絕緣層，設置在該高電位電源線上， 其中該共用連接墊設置在該複數個獨立連接墊與該高電位電源線之間。
  18. 如請求項17所述的顯示裝置，其中，該絕緣層設置以覆蓋該高電位電源線的一側表面。
  19. 一種顯示裝置，包括： 複數個像素基板，設置在一下部基板上，且其上設置有複數個發光二極體； 一平坦化層，覆蓋該複數個像素基板的上部； 複數個獨立連接墊，設置在該平坦化層上並分別對應於該複數個發光二極體； 一共用連接墊，設置在該平坦化層上並電性連接所有的該複數個發光二極體；以及 一黏合層，將該複數個獨立連接墊及該共用連接墊電連接到該複數個發光二極體，並設置以覆蓋該平坦化層的整個上表面。
  20. 如請求項19所述的顯示裝置，其中，該黏合層包括：複數個導電球；以及一基底構件，以及 其中該複數個導電球以分散在該基底構件中的形式設置在一單層中。
  21. 如請求項20所述的顯示裝置，其中該複數個導電球彼此間隔開且彼此不電連接，並將該複數個獨立連接墊及該共用連接墊電連接至該複數個發光二極體。
  22. 如請求項20所述的顯示裝置，該黏合層的厚度等於或小於該平坦化層的厚度。
  23. 一種製造顯示裝置的方法，包括： 將一黏合層放置在一第一傳送基板上的步驟，該黏合層包括一基底構件及分散在該基底構件中的複數個導電球； 使該第一傳送基板靠近其上設置有覆蓋複數個電晶體的上部的一平坦化層的一下部基板的一上部，並將該黏合層接合到該平坦化層的一上部的步驟；以及 使其上設置有複數個發光二極體的一第二傳送基板靠近該黏合層的一上部，並將該複數個發光二極體接合到該黏合層的該上部的步驟。
  24. 如請求項23所述之製造顯示裝置的方法，其中該複數個導電球彼此間隔開且彼此不電連接，並將複數個獨立連接墊及一共用連接墊電連接至該複數個發光二極體。
TW110142647A 2020-11-17 2021-11-16 顯示裝置 TWI820517B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0153424 2020-11-17
KR20200153424 2020-11-17
KR1020210139771A KR20220067487A (ko) 2020-11-17 2021-10-19 표시 장치
KR10-2021-0139771 2021-10-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202221918A true TW202221918A (zh) 2022-06-01
TWI820517B TWI820517B (zh) 2023-11-01

Family

ID=78695500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110142647A TWI820517B (zh) 2020-11-17 2021-11-16 顯示裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220158057A1 (zh)
EP (1) EP4002456A3 (zh)
JP (1) JP7245889B2 (zh)
CN (1) CN114512518A (zh)
TW (1) TWI820517B (zh)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101356594B1 (ko) * 2011-11-11 2014-02-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP5604457B2 (ja) * 2012-01-26 2014-10-08 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9997685B2 (en) * 2013-09-05 2018-06-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device
KR102555648B1 (ko) * 2016-07-28 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US10483434B2 (en) * 2017-01-03 2019-11-19 Innolux Corporation Display devices and methods for forming display devices
US20190181122A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-13 Innolux Corporation Electronic device and method of manufacturing the same
KR102554461B1 (ko) * 2018-07-26 2023-07-10 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
EP3608964B1 (en) * 2018-08-08 2022-05-11 LG Display Co., Ltd. Stretchable display device
KR20200045904A (ko) * 2018-10-23 2020-05-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200078176A (ko) * 2018-12-21 2020-07-01 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시장치
EP3675178A1 (en) * 2018-12-27 2020-07-01 LG Display Co., Ltd. Display device
KR20200081945A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시장치
US11424224B2 (en) * 2019-04-24 2022-08-23 Seoul Viosys Co., Ltd. LED display panel, LED display apparatus having the same and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN114512518A (zh) 2022-05-17
JP7245889B2 (ja) 2023-03-24
EP4002456A2 (en) 2022-05-25
TWI820517B (zh) 2023-11-01
US20220158057A1 (en) 2022-05-19
JP2022080301A (ja) 2022-05-27
EP4002456A3 (en) 2022-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11436950B2 (en) Stretchable display device
US11502069B2 (en) Stretchable display device
US20220139888A1 (en) Display device
CN112713168A (zh) 可拉伸显示装置
TWI820517B (zh) 顯示裝置
US20240047444A1 (en) Display device
US20230207537A1 (en) Display device
TWI820953B (zh) 顯示裝置
TWI829036B (zh) 顯示裝置
US11874705B2 (en) Display device
US20240128279A1 (en) Display device
US11720196B2 (en) Display device
US20240014365A1 (en) Display device
KR20220067487A (ko) 표시 장치
US20230215873A1 (en) Display device
US20230215874A1 (en) Display device
US20240032362A1 (en) Display device
KR20220066777A (ko) 표시 장치
KR20240092865A (ko) 표시 장치
KR20220057103A (ko) 표시 장치