CN114512518A - 显示装置及制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

显示装置及制造显示装置的方法。根据本公开的一个方面，显示装置包括：下基板和设置在下基板上的多个像素基板。显示装置还包括设置在多个像素基板上的多个晶体管和设置在多个像素基板上以覆盖多个晶体管的上部的平坦化层。显示装置还包括设置在平坦化层上的公共连接焊盘和多个独立连接焊盘。显示装置还包括设置在公共连接焊盘和多个独立连接焊盘上的多个发光二极管。多个独立连接焊盘和公共连接焊盘中的至少一个可以具有多层结构。

Description

显示装置及制造显示装置的方法
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体而言，涉及一种连接线路可靠性提高的可拉伸显示装置(stretchable display device)。
背景技术
计算机监视器、电视机、移动电话等所采用的显示装置包括自身发光的有机发光显示(OLED)装置和需要单独光源的液晶显示(LCD)装置。
随着显示装置已经越来越多地应用于诸如计算机监视器、电视机和个人移动装置的各种领域，已经研究了具有大的有效面积以及减小的体积和重量的显示装置。
近来，其中在由柔性塑料制成的柔性基板上形成显示元件、线路等，能够在特定方向上拉伸并且能够被制造成各种形状的可拉伸显示装置已经作为下一代显示装置引起关注。
发明内容
本公开所要实现的一个目标是提供一种显示装置，其能够在制造的同时最小化在对转移发光二极管时未对准的发光二极管进行修复的工艺期间焊盘的剥离。
本公开所要实现的另一目标是提供一种显示装置，其能够在制造的同时抑制在转移发光二极管时由结合发光二极管的粘合层的移动引起的发光二极管的未对准。
本公开所要实现的另一目标是提供一种显示装置，其能够在制造的同时抑制由发光二极管的未对准以及电源线与公共连接焊盘之间的短路引起的暗点的发生。
本公开所要实现的另一目标是提供一种显示装置，其能够在制造的同时抑制由发光二极管的未对准以及电源线与公共连接焊盘之间的短路引起的暗点的发生。
本公开所要实现的另一目标是提供一种显示装置，其能够在制造的同时抑制在转移发光二极管时由结合发光二极管的粘合层的不均匀放置引起的发光二极管的转移效率降低和驱动缺陷。
本公开所要实现的又一目标是提供一种制造显示装置的方法，其中将粘合层选择性地转移到平坦化层的整个上表面上以简化制造工艺。
本公开的目标不限于上述目标，并且本领域技术人员能够从以下的描述中清楚地理解上面没有提到的其它目标。
根据本公开的一个方面，显示装置包括：下基板和设置在下基板上的多个像素基板。显示装置还包括设置在多个像素基板上的多个晶体管和设置在多个像素基板上以覆盖多个晶体管的上部的平坦化层。显示装置还包括设置在平坦化层上的公共连接焊盘和多个独立连接焊盘。显示装置还包括设置在公共连接焊盘和多个独立连接焊盘上的多个发光二极管。多个独立连接焊盘和公共连接焊盘中的至少一个可以具有多层结构。
根据本公开的另一方面，显示装置包括：多个像素基板，其设置在下基板上，并且其中设置有多个发光二极管。显示装置还包括覆盖多个像素基板的上部的平坦化层。显示装置还包括设置在平坦化层上以分别对应于多个发光二极管的多个独立连接焊盘。显示装置还包括设置在平坦化层上并且电连接到全部多个发光二极管的公共连接焊盘。显示装置还包括将公共连接焊盘和多个独立连接焊盘电连接到多个发光二极管的粘合层。多个独立连接焊盘和公共连接焊盘中的至少一个可以具有下部焊盘和设置在下部焊盘的边缘上的上部焊盘。
根据本公开的又一方面，显示装置包括：设置在下基板上的多个像素基板，并且在多个像素基板上设置有多个发光二极管。显示装置还包括覆盖多个像素基板的上部的平坦化层。显示装置还包括设置在平坦化层上并且分别对应于多个发光二极管的多个独立连接焊盘。显示装置还包括设置在平坦化层上并且电连接到全部多个发光二极管的公共连接焊盘。显示装置还包括粘合层，其将多个独立连接焊盘和公共连接焊盘电连接到多个发光二极管，并且被设置为覆盖平坦化层的整个上表面。
根据本公开的又一方面，制造显示装置的方法包括以下工艺：将包括基础构件和分散在基础构件中的多个导电球的粘合层放置在第一转移基板上。制造显示装置的方法还包括以下工艺：使第一转移基板靠近设置有覆盖多个晶体管的上部的平坦化层的基板的上部，并且将粘合层结合到平坦化层的上部。制造显示装置的方法还包括以下工艺：使其上设置有多个发光二极管的第二转移基板靠近粘合层的上部，并且将多个发光二极管结合到粘合层的上部。
示例性实施方式的其它细节包括在详细描述和附图中。
根据本公开，可以在修复发光二极管未对准的区域的工艺期间，最小化由焊盘的损坏所引起的缺陷的发生。
根据本公开，可以最小化当电连接发光二极管和焊盘的粘合层移动时可能发生的发光二极管的未对准。
根据本公开，可以抑制当转移发光二极管时，通过发光二极管的电极在焊盘和电源线之间进行的电连接引起的暗点的发生。
根据本公开，用于电连接发光二极管的电极与焊盘的多个导电球在单个层中彼此分隔开。因此，可以抑制发光二极管的短路或开路的发生。
根据本公开，用于电连接发光二极管与焊盘的粘合层设置在平坦化层的整个上表面上。因此，可以减少或最小化由粘合层的不均匀放置引起的发光二极管的转移效率降低和驱动缺陷。
根据本公开，通过将粘合层结合在平坦化层的整个上表面上，可以简化制造工艺。此外，可以减少或最小化制造时间和成本。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容，并且更多的各种效果包括在本说明书中。
附记1.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素基板；
多个晶体管，所述多个晶体管设置在所述像素基板上；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述像素基板上以覆盖所述多个晶体管的上部；
公共连接焊盘和多个独立连接焊盘，所述公共连接焊盘和所述多个独立连接焊盘设置在所述平坦化层上；以及
多个发光二极管，所述多个发光二极管设置在所述公共连接焊盘和所述多个独立连接焊盘上，
其中，所述多个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘中的至少一个具有多层结构。
附记2.根据附记1所述的显示装置，其中，所述公共连接焊盘包括设置在所述平坦化层上的下部公共连接焊盘和设置在所述下部公共连接焊盘上的上部公共连接焊盘。
附记3.根据附记2所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘由对所述多个发光二极管的电极的粘合性比对所述下部公共连接焊盘的粘合性高的材料制成。
附记4.根据附记3所述的显示装置，其中，所述下部公共连接焊盘由铜Cu制成，并且
所述上部公共连接焊盘由金Au、钛Ti、铝Al或钼Mo制成。
附记5.根据附记3所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘的材料与所述下部公共连接焊盘的材料不同，并且与所述多个发光二极管的电极的材料相同。
附记6.根据附记2所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘设置在所述下部公共连接焊盘的边缘上。
附记7.根据附记6所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘还与所述多个独立连接焊盘之间的空间相对应地设置在所述下部公共连接焊盘上。
附记8.根据附记7所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘以网格形式设置在所述下部公共连接焊盘上。
附记9.根据附记6所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘以闭合曲线设置在所述下部公共连接焊盘的边缘上。
附记10.根据附记2所述的显示装置，其中，所述多个独立连接焊盘包括设置在所述平坦化层上的下部独立连接焊盘和设置在所述下部独立连接焊盘上的上部独立连接焊盘，并且
所述上部独立连接焊盘具有对应于所述上部公共连接焊盘的形状。
附记11.根据附记1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
电源线，所述电源线设置在所述平坦化层上；以及
绝缘层，所述绝缘层设置在所述电源线上。
附记12.根据附记11所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括设置在所述电源线上的多个绝缘图案。
附记13.根据附记12所述的显示装置，其中，所述多个发光二极管中的每一个通过粘合层结合到所述多个独立连接焊盘中的对应的一个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘上，所述粘合层是通过将导电球分散在具有粘合性和绝缘特性的基础构件中而形成的，并且
其中，所述多个绝缘图案之间的距离小于所述导电球的尺寸。
附记14.根据附记11所述的显示装置，其中，在所述绝缘层中，相对邻近所述公共连接焊盘的部分比相对远离所述公共连接焊盘的部分具有更小的高度。
附记15.根据附记11所述的显示装置，其中，所述绝缘层被设置为覆盖所述电源线的与所述公共连接焊盘相邻的侧表面。
附记16.根据附记11所述的显示装置，其中，所述公共连接焊盘与所述多个独立连接焊盘之间的距离大于所述公共连接焊盘与所述电源线之间的距离。
附记17.根据附记11所述的显示装置，其中，所述电源线被配置为传输高电位电力，并且被设置为与所述公共连接焊盘相邻并且绝缘。
附记18.根据附记1所述的显示装置，其中，所述多个发光二极管中的每一个设置在所述多个独立连接焊盘中的对应的一个独立连接焊盘上，并且全部所述多个发光二极管设置在所述公共连接焊盘上。
附记19.根据附记1所述的显示装置，其中，所述独立连接焊盘电连接到所述发光二极管的第一电极，并且所述公共连接焊盘连接到所述发光二极管的第二电极。
附记20.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素基板，在所述像素基板中设置有多个发光二极管；
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述像素基板的上部；
多个独立连接焊盘，所述多个独立连接焊盘设置在所述平坦化层上以分别对应于所述多个发光二极管；
公共连接焊盘，所述公共连接焊盘设置在所述平坦化层上并且电连接到全部所述多个发光二极管；以及
粘合层，所述粘合层将所述公共连接焊盘和所述多个独立连接焊盘电连接到所述多个发光二极管，
其中，所述多个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘中的至少一个具有下部焊盘和设置在所述下部焊盘上的上部焊盘。
附记21.根据附记20所述的显示装置，其中，所述上部焊盘由与所述下部焊盘不同的材料制成。
附记22.根据附记20所述的显示装置，其中，所述上部焊盘以网格形式设置在所述下部焊盘上。
附记23.根据附记20所述的显示装置，其中，所述上部焊盘设置在所述下部焊盘的边缘上。
附记24.根据附记20所述的显示装置，所述显示装置还包括：
高电位电源线，所述高电位电源线设置在所述平坦化层上；以及
绝缘层，所述绝缘层设置在所述高电位电源线上，
其中，所述公共连接焊盘设置在所述多个独立连接焊盘和所述高电位电源线之间。
附记25.根据附记24所述的显示装置，其中，所述绝缘层被设置为覆盖所述高电位电源线的侧表面。
附记26.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素基板，所述多个像素基板设置在下基板上，并且在所述多个像素基板上设置有多个发光二极管；
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述多个像素基板的上部；
多个独立连接焊盘，所述多个独立连接焊盘设置在所述平坦化层上并且分别对应于所述多个发光二极管；
公共连接焊盘，所述公共连接焊盘设置在所述平坦化层上并且电连接到全部所述多个发光二极管；以及
粘合层，所述粘合层将所述多个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘电连接到所述多个发光二极管，并且所述粘合层被设置为覆盖所述平坦化层的整个上表面。
附记27.根据附记26所述的显示装置，其中，所述粘合层包括多个导电球和基础构件，并且
其中，所述多个导电球在分散在所述基础构件中的情况下设置在单个层中。
附记28.根据附记27所述的显示装置，其中，所述多个导电球彼此分隔开并且彼此不电连接，并且所述多个导电球将所述多个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘电连接到所述多个发光二极管。
附记29.根据附记27所述的显示装置，其中，所述多个导电球与所述平坦化层的所述上表面平行地彼此分隔开，并且所述多个导电球在垂直于所述平坦化层的所述上表面的方向上与所述多个发光二极管的电极、所述多个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘接触。
附记30.根据附记27所述的显示装置，其中，所述粘合层的厚度等于或小于所述平坦化层的厚度。
附记31.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
将包括基础构件和分散在所述基础构件中的多个导电球的粘合层放置在第一转移基板上；
使所述第一转移基板靠近设置有覆盖多个晶体管的上部的平坦化层的下基板的上部，并且将所述粘合层结合到所述平坦化层的上部；
将第一转移基板从结合到所述平坦化层的上部的所述粘合层分离；以及
使设置有多个发光二极管的第二转移基板靠近所述粘合层的上部，并且将所述多个发光二极管结合到所述粘合层的上部。
附记32.根据附记31所述的制造显示装置的方法，其中，所述多个导电球彼此分隔开并且彼此不电连接，并且所述多个导电球将多个独立连接焊盘和公共连接焊盘电连接到所述多个发光二极管。
附记33.根据附记32所述的制造显示装置的方法，其中，所述多个导电球设置在单个层中。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和其它优点，其中：
图1是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的分解立体图；
图2是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的放大平面图；
图3是沿图2的线III-III’截取的截面图；
图4是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性放大平面图；
图5A是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图；
图5B是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的放大平面图；
图6是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的放大平面图；
图7是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的放大平面图；
图8是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图；
图9是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图；
图10是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图；
图11是示出根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的通过修复工艺已经移除上部公共连接焊盘的示意性截面图；
图12A是根据本公开的又一实施方式的显示装置的一个像素基板的放大平面图；
图12B是根据本公开的又一实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图；以及
图13A至图13D是示出根据本公开的又一实施方式的制造显示装置的方法的示意性截面图。
具体实施方式
通过参照以下结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特性以及实现这些优点和特性的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅作为示例提供，以使得本领域技术人员能够完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
在用于描述本公开的示例性实施方式的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其它组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则任何单数的引用都可以包括复数。
即使没有明确说明，也将组件解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“旁边”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，一个或更多个部分可以位于该两个部分之间，除非这些术语与术语“恰好”或“直接”一起使用。
当一个元件或层设置在另一个元件或层“上”时，该一个元件或层可以直接设置在该另一个元件或层上，或者又一个元件或又一个层可以插置其间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件与其它组件。因此，下面要提到的第一组件可以是本公开的技术构思中的第二组件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述，示出了附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示组件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施方式的特征能够部分地或全部地彼此附接或结合，并且能够在技术上以各种方式互锁和操作，并且这些实施方式能够彼此独立或关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置。
<可拉伸显示装置>
可拉伸显示装置可以称为即使在被弯曲或拉伸时也能够显示图像的显示装置。可拉伸显示装置可以比传统的典型显示装置具有更高的柔性。因此，用户可以弯曲或拉伸可拉伸显示装置，并且显示装置的形状可以响应于用户的操纵而自由改变。例如，当用户抓住可拉伸显示装置的一端并且拉动可拉伸显示装置时，可拉伸显示装置可以被用户的力拉伸。当用户将可拉伸显示装置放置在不平坦的壁面上时，可拉伸显示装置可以沿着壁面的形状弯曲。此外，当移除用户施加的力时，显示装置可以恢复到其原始形状。
图1是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的分解立体图。参照图1，显示装置100包括下基板110、多个像素基板111、多个连接构件120、多个非像素基板121、膜上芯片(COF)130、印刷电路板140和上基板US。
下基板110是用于支撑和保护显示装置100的各种组件的基板。下基板110是延性基板(ductile substrate)，并且可以由可弯曲或可拉伸的绝缘材料制成。例如，下基板110可以由诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)的硅橡胶和诸如聚氨酯(PU)或聚四氟乙烯(PTFE)的弹性体(elastomer)制成。因此，下基板110可以具有柔性特性。然而，下基板110的材料不限于此。
下基板110是延性基板，并且可以可逆地膨胀和收缩。此外，下基板110可以具有几MPa至几百MPa(例如，0.5MPa至1MPa)范围内的弹性模量。
下基板110可以具有有效区A(active area)A和围绕有效区AA的非有效区NA。
有效区AA是在显示装置100上显示图像的区域。在有效区AA中，设置有显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。在有效区AA中，设置有包括多个子像素的多个像素。多个像素设置在有效区AA中，并且包括多个显示元件。多个子像素中的每一个可以连接到各种线路。例如，多个子像素中的每一个可以连接到例如选通线、数据线、高电位电源线、低电位电源线和参考电压线的各种线路。
非有效区NA可以是与有效区AA相邻设置的区域。非有效区NA可以是与有效区AA相邻设置并且围绕有效区AA的区域。非有效区NA是不显示图像的区域，并且在非有效区NA中可以形成线路和电路单元。例如，在非有效区NA中，可以设置多个焊盘。焊盘中的每一个可以连接到有效区AA中设置的多个子像素中的每一个。
多个像素基板111和多个非像素基板121设置在下基板110上。多个像素基板111可以设置在下基板110的有效区AA中，并且多个非像素基板121可以设置在下基板110的非有效区NA中。尽管图1示出了多个非像素基板121在有效区AA的左侧设置在非有效区NA中，但是本公开不限于此。多个非像素基板121可以设置在非有效区NA的任意区域中。
多个像素基板111和多个非像素基板121是刚性基板，并且彼此间隔开以独立地设置在下基板110上。多个像素基板111和多个非像素基板121可以比下基板110更具刚性。也就是说，下基板110可以比多个像素基板111和多个非像素基板121更具延性。此外，多个像素基板111和多个非像素基板121可以比下基板110更具刚性。
作为刚性基板的多个像素基板111和多个非像素基板121可以由具有柔性的塑性材料制成。例如，多个像素基板111和多个非像素基板121可以由聚酰亚胺(PI)、聚丙烯酸酯、聚乙酸酯等制成。这里，多个像素基板111和多个非像素基板121可以由相同的材料制成，但是不限于此。多个像素基板111和多个非像素基板121也可以由彼此不同的材料制成。
多个像素基板111和多个非像素基板121的模量可以是下基板110的模量的1000倍或更多，但是不限于此。例如，根据透明度，多个像素基板111和多个非像素基板121的弹性模量可以是2GPa至9GPa。更具体而言，当多个像素基板111和多个非像素基板121透明时，弹性模量可以是2GPa。此外，当多个像素基板111和多个非像素基板121不透明时，弹性模量可以是9GPa，但是本公开不限于此。因此，多个像素基板111和多个非像素基板121可以是与下基板110相比具有刚性的多个刚性基板。
COF 130是各种元件设置在具有延性的基膜131上的薄膜，并且向有效区AA的多个子像素提供信号。COF 130可以结合到设置在非有效区NA中的多个非像素基板121的多个焊盘。此外，COF 130通过焊盘向有效区AA的多个子像素中的每一个提供电源电压、数据电压、选通电压等。COF 130包括基膜131和驱动IC 132。此外，各种组件可以附加地设置在COF130上。
基膜131用于支撑COF 130的驱动IC 132。基膜131可以由绝缘材料制成。例如，基膜131可以由具有柔性的绝缘材料制成。
驱动IC 132被配置为处理用于显示图像的数据和用于处理数据的驱动信号。图1示出了通过COF 130的方法安装驱动IC 132，但是本公开不限于此。驱动IC 132也可以通过玻璃上芯片(COG)方法、带载封装(TCP)方法等安装。
图1示出了非像素基板121在有效区AA的上侧设置在非有效区NA中，以对应于设置在有效区AA中的一行中的像素基板111。此外，图1示出了COF 130针对非像素基板121设置。然而，本公开不限于此。也就是说，非像素基板121和COF 130可以被设置成对应于多个行中的像素基板111。
在印刷电路板140中，可以安装诸如IC芯片、电路等的控制单元。此外，在印刷电路板140中，也可以安装存储器、处理器等。印刷电路板140被配置为将用于驱动显示元件的信号从控制单元传输到显示元件。尽管图1示出了使用三个COF 130，但是COF 130的数量不限于此。
在下文中，将参照图2和图3更详细地描述根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100。
<平面和横截面结构>
图2是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的放大平面图。图3是图2的子像素的示意性截面图。为了便于描述，下文还将参照图1。
参照图1和图2，多个像素基板111在有效区AA中设置在下基板110上。多个像素基板111被设置成在下基板110上彼此分隔开。例如，如图1和图2所示，多个像素基板111可以以矩阵形式设置在下基板110上，但是不限于此。
参照图1和图2，构成多个像素PX的多个子像素SPX可以设置在多个像素基板111中。此外，可以在多个非像素基板121中位于有效区AA左侧的非像素基板121上安装选通驱动器GD。当制造像素基板111上的各种组件时，可以以面板内栅极(GIP)方式在非像素基板121上形成选通驱动器GD。因此，构成选通驱动器GD的各种电路组件(例如，各种晶体管、电容器和线路)可以设置在多个非像素基板121上。然而，本公开不限于此。也可以以膜上芯片(COF)方式安装选通驱动器GD。多个非像素基板121也可以设置在位于有效区AA右侧的非有效区NA中。此外，选通驱动器GD也可以安装在位于有效区AA右侧的多个非像素基板121上。
参照图1，多个非像素基板121可以比多个像素基板111具有更大的尺寸。具体而言，多个非像素基板121中的每一个可以比多个像素基板111中的每一个具有更大的尺寸。如上所述，选通驱动器GD设置在多个非像素基板121中的每一个上。例如，选通驱动器GD的一个级可以设置在多个非像素基板121中的每一个上。因此，由于构成选通驱动器GD的一个级的各种电路组件所占据的面积相对大于其上设置有像素PX的像素基板111的面积，所以多个非像素基板121中的每一个的尺寸可以大于多个像素基板111中的每一个的尺寸。
参照图1和图2，多个连接构件120设置在多个像素基板111之间、多个非像素基板121之间、或者多个像素基板111与多个非像素基板121之间。多个连接构件120用于连接彼此相邻的像素基板111、彼此相邻的非像素基板121或者彼此相邻的像素基板111和非像素基板121。多个连接构件120也可以称为连接基板。多个连接构件120可以由与像素基板111或非像素基板121相同的材料制成，并且可以与像素基板111或非像素基板121同时一体形成。然而，本公开不限于此。
参照图2，多个连接构件120具有曲线形状。例如，如图2所示，多个连接构件120可以具有正弦波形状。然而，多个连接构件120的形状不限于此。多个连接构件120可以具有各种形状。例如，多个连接构件120可以以之字形方式延伸，或者多个菱形基板可以通过在其顶点处彼此连接而延伸。图2所示的多个连接构件120的数量和形状以示例的方式提供。多个连接构件120的数量和形状可以根据设计而变化。
参照图2，多条连接线路180以直线设置在多个像素基板111上。具体而言，多条第一连接线路181和多条第二连接线路182中的每一条可以连续地形成在多个连接构件120上，以将多个像素基板111的一端连接到另一端。
参照图2和图3，多个连接构件120上的多条连接线路180具有对应于多个连接构件120的形状。也就是说，多条连接线路180可以具有正弦波形状。多条连接线路180电连接设置在多个像素基板111中彼此相邻的像素基板111上的焊盘170。多条连接线路180中的每一条在焊盘170之间以曲线形状而非直线延伸。然而，例如，如图2所示，多条连接线路180的形状不限于此。多条连接线路180可以具有各种形状。例如，多条连接线路180可以以之字形方式延伸，或者多条菱形线路180可以通过在其顶点处彼此连接而延伸。
参照图3，在多个像素基板111上设置多个无机绝缘层。例如，多个无机绝缘层可以包括缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114。然而，本公开不限于此。各种无机绝缘层可以进一步设置在多个像素基板111上。可以省略缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114中的一个或更多个。
参照图3，缓冲层112设置在多个像素基板111上。缓冲层112形成在多个像素基板111上，以保护显示装置100的各种组件免受来自下基板110和多个像素基板111外部的湿气(H2O)和氧气(O2)的渗透。缓冲层112可以由绝缘材料制成。例如，缓冲层112可以形成为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)等的单个无机层或多个无机层。然而，根据显示装置100的结构或特性，可以省略缓冲层112。
在这种情况下，缓冲层112可以仅形成在与多个像素基板111和多个非像素基板121交叠的区域中。如上所述，缓冲层112可以由无机材料制成。因此，当拉伸显示装置100时，缓冲层112可能容易损坏(例如，容易破裂)。因此，缓冲层112可以不形成在多个像素基板111和多个非像素基板121之间的区域中。缓冲层112可以被图案化成多个像素基板111和多个非像素基板121的形状，并且仅形成在多个像素基板111和多个非像素基板121的上部。因此，在根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100中，缓冲层112仅形成在与作为刚性基板的多个像素基板111和多个非像素基板121交叠的区域中。因此，即使当显示装置100变形(例如，弯曲或拉伸)时，也可以抑制缓冲层112的损坏。
参照图3，在缓冲层112上形成晶体管150，其包括栅极电极151、有源层152、源极电极153和漏极电极154。
参照图3，有源层152设置在缓冲层112上。例如，有源层152可以由氧化物半导体制成。另选地，有源层152可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、有机半导体等制成。
栅极绝缘层113设置在有源层152上。栅极绝缘层113被配置为使栅极电极151与有源层152电绝缘。此外，栅极绝缘层113可以由绝缘材料制成。例如，栅极绝缘层113可以形成为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单个无机层或多个无机层，但是不限于此。
栅极电极151设置在栅极绝缘层113上。栅极电极151设置为与有源层152交叠。栅极电极151可以由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的任何一种制成。另选地，栅极电极151可以由上述金属材料中的两种或更多种的合金或其多个层制成，但是不限于此。
层间绝缘层114设置在栅极电极151上。层间绝缘层114用于使栅极电极151与源极电极153和漏极电极154绝缘。层间绝缘层114也可以类似于缓冲层112由无机材料制成。例如，层间绝缘层114可以形成为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单个无机层或多个无机层，但是不限于此。
均与有源层152接触的源极电极153和漏极电极154设置在层间绝缘层114上。源极电极153和漏极电极154设置成在同一层上彼此间隔开。源极电极153和漏极电极154可以电连接到有源层152以与有源层152接触。源极电极153和漏极电极154可以由例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的各种金属材料中的任何一种制成。另选地，源极电极153和漏极电极154可以由以上金属材料中的两种或更多种的合金或者其多个层制成，但是不限于此。
此外，可以仅在与多个像素基板111交叠的区域中图案化和形成栅极绝缘层113和层间绝缘层114。栅极绝缘层113和层间绝缘层114也可以类似于缓冲层112由无机材料制成。因此，当拉伸显示装置100时，栅极绝缘层113和层间绝缘层114可能容易损坏(例如，容易破裂)。因此，栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以不形成在多个像素基板111之间的区域中。栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以被图案化成多个像素基板111的形状，并且仅形成在多个像素基板111的上部。
为了便于描述，图3仅示出可以包括在显示装置100中的各种晶体管中的驱动晶体管。然而，开关晶体管、电容器等也可以包括在显示装置100中。此外，在本公开中，将晶体管150描述为具有共面结构，但是也可以使用具有交错结构(staggered structure)等的各种类型的晶体管。
参照图3，在层间绝缘层114上设置多个焊盘170中的电源焊盘171。电源焊盘171用于向多个子像素SPX传输电源信号。电源信号可以通过形成在像素基板111上的线路从电源焊盘171传输到像素电路。电源焊盘171可以与源极电极153和漏极电极154在相同的层上由相同的材料形成，但是不限于此。
参照图3，多个焊盘170中的数据焊盘172设置在层间绝缘层114上。数据焊盘172用于向多个子像素SPX传输数据信号。数据信号可以通过形成在像素基板111上的数据线从数据焊盘172传输到源极电极153或漏极电极154。数据焊盘172可以与源极电极153和漏极电极154在相同的层上由相同的材料形成，但是不限于此。
参照图3，在晶体管150和层间绝缘层114上形成平坦化层115。平坦化层115用于平坦化晶体管150的上部。平坦化层115可以形成为单层或多层，并且可以由有机材料制成。因此，平坦化层115也可以称为有机绝缘层。例如，平坦化层115可以由丙烯酸有机材料制成，但是不限于此。
参照图3，平坦化层115设置在多个像素基板111和第一连接线路181之间，以覆盖缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114的上表面和侧表面。此外，平坦化层115与多个像素基板111一起围绕缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114。具体而言，平坦化层115可被设置为覆盖层间绝缘层114的上表面和侧表面、栅极绝缘层113的侧表面、缓冲层112的侧表面以及多个像素基板111的上表面的一部分。因此，多个像素基板111和多条第一连接线路181之间的平坦化层115可以补偿缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114的侧表面之间的阶梯。此外，平坦化层115可以增强平坦化层115和设置在平坦化层115的侧表面上的第一连接线路181之间的粘合强度。
同时，平坦化层115的侧表面的倾斜角可以小于缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114的侧表面的倾斜角。然而，本公开不限于此。
在一些示例性实施方式中，可在晶体管150与平坦化层115之间形成钝化层。也就是说，可以形成覆盖晶体管150的钝化层，以保护晶体管150免受湿气和氧气的渗透。钝化层可以由无机材料制成，并形成为单层或多层，但是不限于此。
参照图2和图3，连接线路180是指电连接到设置在多个像素基板111或多个非像素基板121上的焊盘170的线路。连接线路180设置在像素基板111和多个连接构件120上。
连接线路180包括第一连接线路181和第二连接线路182。第一连接线路181和第二连接线路182设置在多个像素基板111和多个连接构件120上。具体而言，第一连接线路181是指设置在多个连接构件120和多个像素基板111中沿作为第一方向的X轴方向延伸的连接构件120上的线路。第二连接线路182是指设置在多个连接构件120和多个像素基板111中设置在沿作为第二方向的Y轴方向延伸的连接构件120上的线路。连接线路180可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)或钼(Mo)的金属材料制成。否则，连接线路180可以具有金属材料的层叠结构，例如铜/钼-钛(Cu/MoTi)、钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)等，但是不限于此。
参照图1和图2，第一连接线路181可以连接多个像素基板111上的焊盘中沿X轴方向并排设置的两个像素基板111上的焊盘。第一连接线路181中的每一条可以用作选通线、发光信号线、高电位电源线或低电位电源线，但是不限于此。例如，如图3所示，第一连接线路181可以用作用于传输电源电压中的高电位电压的电源线。此外，第一连接线路181可以电连接沿X轴方向并排设置的两个像素基板111上的电源焊盘171。
参照图2，第二连接线路182可以连接多个像素基板111中沿Y轴方向并排设置的两个像素基板111。每条第二连接线路182可以用作数据线、高电位电源线、低电位电源线或参考电压线，但是不限于此。例如，第二连接线路182可以用作数据线，并且可以电连接沿Y轴方向并排设置的两个像素基板111上的数据线。
参照图1，连接线路180还可以包括连接多个像素基板111和多个非像素基板121上的焊盘或者连接多个非像素基板121中并排设置的两个非像素基板121上的焊盘的线路。
每条第一连接线路181可以与设置在像素基板111上的平坦化层115的上表面和侧表面接触，并且可以延伸到连接构件120的上表面。此外，每条第二连接线路182可以从像素基板111延伸到无机绝缘层的上表面和连接构件120。
参照图3，在平坦化层115上设置独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2。独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2用于向多个发光二极管(LED)160传输信号。
参照图2和图3，在平坦化层115上设置多个独立连接焊盘CP1。多个独立连接焊盘CP1可以连接到晶体管150，并且可以向多个LED 160传输电压。因此，多个独立连接焊盘CP1可以用作阳极。
多个独立连接焊盘CP1可以通过与连接线路180相同的工艺形成在平坦化层115上。也就是说，多个独立连接焊盘CP1可以与连接线路180由相同的材料形成并且设置在相同的层上，但是不限于此。
设置在一个像素基板111上的多个独立连接焊盘CP1的数量可以等于设置在一个像素基板111上的多个LED 160的数量。例如，如图2所示，如果在一个像素基板111上设置三个LED 160，则可以在一个像素基板111上设置三个独立连接焊盘CP1，以向LED 160中的每一个施加单独的电压。
参照图2和图3，公共连接焊盘CP2设置在平坦化层115上。公共连接焊盘CP2可以连接到第一连接线路181，并且可以向多个LED 160传输电压。因此，公共连接焊盘CP2可以用作阴极。
设置在一个像素基板111上的公共连接焊盘CP2的数量可以是一个，而与设置在一个像素基板111上的多个LED 160的数量无关。例如，如图2所示，如果在一个像素基板111上设置三个LED 160，则公共连接焊盘CP2只需要向三个LED 160同等地施加低电位电力。因此，单个公共连接焊盘CP2可以设置在一个像素基板111上，并且可以电连接到三个LED160。
可以基于LED 160的n电极165和p电极164之间的距离来确定独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2之间的距离d1。LED 160的p电极164需要电连接到独立连接焊盘CP1，并且LED 160的n电极165需要电连接到公共连接焊盘CP2。LED 160的n电极165和p电极164中的任何一个都不应电连接到独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2两者。因此，可以考虑LED160中的n电极165和p电极164之间的距离来确定独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2之间的距离d1。
可以将与公共连接焊盘CP2相邻并且传输高电位电压的第一连接线路181和公共连接焊盘CP2之间的距离d2设置为最小。参照图2和图3，传输高电位电压的第一连接线路181可以沿Y轴方向设置在公共连接焊盘CP2的下侧的平坦化层115上。随着显示装置100被开发为具有高分辨率，有益的是需要最小化每个像素基板111的尺寸。因此，有益的是还考虑工艺余量等最小化设置在像素基板111上的组件之间的距离。因此，可以考虑到工艺余量将与公共连接焊盘CP2相邻并且传输高电位电压的第一连接线路181和公共连接焊盘CP2之间的距离d2设计为最小。
同时，尽管图3中未示出，但是也可以在独立连接焊盘CP1、公共连接焊盘CP2、连接线路180和平坦化层115上设置堤部。堤部可以用于区分彼此相邻的子像素SPX。
参照图3，LED 160设置在独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2上。LED 160包括n型层161、有源层162、p型层163、n电极165和p电极164。根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100的LED 160具有倒装芯片结构，其中n电极165和p电极164形成在其一个表面上。
可以通过将n型杂质注入到具有优异结晶度的氮化镓(GaN)中来形成n型层161。n型层161可以设置在由透光材料制成的单独的基底基板上。
有源层162设置在n型层161上。有源层162是在LED 160中发光的发光层，并且可以由例如铟镓氮化物(InGaN)的氮化物半导体制成。p型层163设置在有源层162上。可以通过将p型杂质注入氮化镓(GaN)中来形成p型层163。
如上所述，通过顺序层叠n型层161、有源层162和p型层163，并且然后蚀刻这些层的预定区域以形成n电极165和p电极164来制造根据本公开的一个示例性实施方式的LED160。在这种情况下，预定区域是将n电极165和p电极164彼此分离的空间，并且被蚀刻以暴露n型层161的一部分。换句话说，LED 160的其上将要设置n电极165和p电极164的表面可以是不平的，并且可以具有不同的高度水平。
如上所述，n电极165设置在蚀刻区域上(即，通过蚀刻而暴露的n型层161上)。n电极165可以由导电材料制成。此外，p电极164设置在非蚀刻区域上(即，p型层163上)。p电极164也可以由导电材料制成。例如，p电极164可以与n电极165由相同的材料制成。
在独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2的上表面上以及独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2之间设置粘合层AD。因此，LED 160可以结合到独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2上。在这种情况下，n电极165可以设置在公共连接焊盘CP2上，并且p电极164可以设置在独立连接焊盘CP1上。
粘合层AD可以是通过将导电球CB分散在基础构件BR中而形成的导电粘合层。因此，当向粘合层AD施加热量或压力时，导电球CB被电连接以在粘合层AD的施加了热量或压力的部分中具有导电特性。
当LED 160的电极结合到公共连接焊盘CP2和独立连接焊盘CP1时，混合在基础构件BR中的导电球CB可以用于将LED 160的电极电连接到公共连接焊盘CP2和独立连接焊盘CP1。导电球CB可以由在诸如镍(Ni)的材料内的具有延性的诸如金(Au)的导电金属制成，但是不限于此。此外，导电球CB在结合之前可以具有约4μm的直径，但是本公开不限于此。当LED 160的电极结合到连接焊盘时，覆盖内部导电金属的材料可以被热量和压力损坏，并且内部导电金属可以被冷却和硬化。因此，LED 160的电极可以电连接到连接焊盘。
基础构件BR可以是具有粘合性和绝缘特性的粘合构件。基础构件BR例如可以是热固性粘合剂，但是不限于此。
参照图3，n电极165例如通过粘合层AD电连接到公共连接焊盘CP2。此外，p电极164通过粘合层AD电连接到独立连接焊盘CP1。其中混合有导电球CB的粘合层AD可以通过喷墨方法等施加到独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2的上表面。然后，LED 160可以转移到粘合层AD上。此后，可以按压和加热LED 160，从而通过导电球CB将独立连接焊盘CP1电结合和连接到p电极164，并且将公共连接焊盘CP2电结合和连接到n电极165。这里，导电球CB可以被引导为仅设置在n电极165和公共连接焊盘CP2之间以及p电极164和独立连接焊盘CP1之间。同时，除了粘合层AD的在n电极165和公共连接焊盘CP2之间的部分以及粘合层AD的导电球CB设置在p电极164和独立连接焊盘CP1之间的部分之外的粘合层AD的其它部分具有绝缘特性。此外，粘合层AD也可以分开地设置在独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2中的每一个上。
如上所述，根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100具有这样的结构：其中LED 160设置在其上设置有晶体管150的下基板110上。因此，当显示装置100导通时，施加到独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2中的每一个的不同电平的电压分别传输到n电极165和p电极164。因此，LED 160发光。
参照图3，在LED 160和下基板110上设置上基板US。
上基板US用于支撑设置在上基板US下方的各种组件。具体而言，可以通过在下基板110和像素基板111上涂覆和硬化上基板US的材料来形成上基板US。因此，上基板US可以设置成与下基板110、像素基板111、连接构件120和连接线路180接触。
上基板US是延性基板，并且可以由可弯曲或可拉伸的绝缘材料制成。上基板US是延性基板，并且可以可逆地膨胀和收缩。此外，上基板US可以具有几MPa到几百MPa的范围内的弹性模量。此外，上基板US可以具有100％或更高的延展断裂率(ductile breakingrate)。上基板US可以具有10μm至1mm的厚度，但是不限于此。
上基板US可以与下基板110由相同的材料制成。例如，上基板US可以由诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)的硅橡胶和诸如聚氨酯(PU)和聚四氟乙烯(PTFE)的弹性体制成。因此，上基板US可以具有柔性。然而，上基板US的材料不限于此。
同时，尽管图3中未示出，但是也可以在上基板US上设置偏振层。偏振层可以用于偏振从显示装置100外部入射的光并且减少外部光的反射。此外，代替偏振层，可以在上基板US上设置其它光学膜等。
在下文中，将参照图4以及图1至图3更详细地描述公共连接焊盘CP2。
<公共连接焊盘的多层结构>
图4是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的像素基板的示意性放大平面图。
参照图3和图4，公共连接焊盘CP2包括下部公共连接焊盘CP21和上部公共连接焊盘CP22。也就是说，公共连接焊盘CP2可以具有多层结构。
公共连接焊盘CP2的下部公共连接焊盘CP21设置在平坦化层115上。下部公共连接焊盘CP21可以电连接到第一连接线路181和多个LED 160。
可以通过与第一连接线路181相同的工艺形成下部公共连接焊盘CP21。也就是说，下部公共连接焊盘CP21可以与第一连接线路181在相同的层上由相同材料形成，但是不限于此。这里，下部公共连接焊盘CP21可以与第一连接线路181中用于传输低电位电力的第一连接线路181一体形成。然而，有益的是多个LED 160设置在下部公共连接焊盘CP21上并且电连接。因此，公共连接焊盘CP2可以比第一连接线路181具有更大的宽度。下部公共连接焊盘CP21例如可以由铜(Cu)等制成，但是不限于此。下部公共连接焊盘CP21的材料可以根据设计而变化。这里，下部公共连接焊盘CP21可以具有约
Figure BDA0003359117100000201
到约
Figure BDA0003359117100000202
的厚度，但是不限于此。
公共连接焊盘CP2的上部公共连接焊盘CP22设置在下部公共连接焊盘CP21上。这里，上部公共连接焊盘CP22可以设置在下部公共连接焊盘CP21的边缘上。也就是说，如图4所示，上部公共连接焊盘CP22可以以闭合曲线的形式设置在下部公共连接焊盘CP21的边缘上。然而，本公开不限于此。上部公共连接焊盘CP22也可以以多个图案的形式设置在下部公共连接焊盘CP21的边缘上。尽管图4示出了上部公共连接焊盘CP22具有矩形截面形状，但是上部公共连接焊盘CP22的截面形状不限于此。
上部公共连接焊盘CP22可以由与下部公共连接焊盘CP21不同的材料制成。这里，上部公共连接焊盘CP22可以由对多个LED 160的电极的粘合性高于其对下部公共连接焊盘CP21的粘合性的材料制成。因此，在修复多个LED 160的工艺期间，上部公共连接焊盘CP22可以容易地与下部公共连接焊盘CP21分离。
例如，如果下部公共连接焊盘CP21由铜(Cu)制成，并且多个LED 160的电极由金(Au)制成，则上部公共连接焊盘CP22可以由金(Au)制成。也就是说，上部公共连接焊盘CP22的材料可以与下部公共连接焊盘CP21的材料不同，并且可以与多个LED 160的电极的材料相同。因此，由于同质材料之间的高粘合性，上部公共连接焊盘CP22对多个LED 160的电极的粘合性可以高于对下部公共连接焊盘CP21的粘合性。上部公共连接焊盘CP22例如可以由金(Au)、钛(Ti)、铝(Al)或钼(Mo)制成，但是不限于此。这里，上部公共连接焊盘CP22可以具有约
Figure BDA0003359117100000212
Figure BDA0003359117100000211
的厚度，但是不限于此。
在制造显示装置100时，如果在用于将独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2电连接和结合到多个LED 160的转移工艺中发生未对准，则可以增加用于移除未对准的LED 160和转移和结合新的LED 160的修复工艺。这里，如果接合到多个LED 160的公共连接焊盘CP2与多个LED 160的电极之间的粘合性太高，则在移除LED 160的同时，公共连接焊盘CP2可能与多个LED 160一起被从下基板110剥离。也就是说，公共连接焊盘CP2随如上所述的未对准的LED 160被移除。在这种情况下，即使新的LED 160被转移，其也因为未被适当的结合而不能被驱动。因此，整个显示装置100产生缺陷。
因此，在根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100中，公共连接焊盘CP2具有包括下部公共连接焊盘CP21和上部公共连接焊盘CP22的多层结构。因此，在修复工艺期间，可以容易地从公共连接焊盘CP2移除多个LED 160。具体而言，由对多个LED 160的电极的粘合性高于其对下部公共连接焊盘CP21的粘合性的材料制成的上部公共连接焊盘CP22设置在下部公共连接焊盘CP21上。因此，在修复工艺期间，上部公共连接焊盘CP22可以与多个LED 160一起容易地与下部公共连接焊盘CP21分离。此外，在一些工艺中，上部公共连接焊盘CP22和下部公共连接焊盘CP21可以全部设置在下基板110侧，并且可以仅分离LED160。因此，在根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100中，当修复未对准的LED160时，可以最小化公共连接焊盘CP2随LED 160从下基板110被剥离。
此外，在制造显示装置100时，在用于将独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2电连接到多个LED 160的转移工艺中，使用用于将多个LED 160同时结合和电连接到独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2的粘合层AD。粘合层AD可以以液态形成在独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2上，并且然后通过热量和/或压力而硬化。因此，当粘合层AD处于液态时，多个LED 160可以随着粘合层AD的移动而移动。因此，可能发生多个LED 160相对于独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2的未对准。此外，当粘合层AD移动时，LED 160可能在其间具有相对较小距离的公共连接焊盘CP2和用于传输高电位电压的第一连接线路181之间未对准。因此，公共连接焊盘CP2和第一连接线路181可能通过LED 160的电极而电连接。在这种情况下，可能在包括LED 160的子像素SPX中出现暗点。
因此，在根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100中，公共连接焊盘CP2具有包括下部公共连接焊盘CP21和上部公共连接焊盘CP22的多层结构。因此，可以最小化由粘合层AD的移动引起的LED 160的未对准。具体而言，上部公共连接焊盘CP22可以沿着下部公共连接焊盘CP21的边缘设置在下部公共连接焊盘CP21的边缘上，并且公共连接焊盘CP2可以具有阶梯差。因此，即使粘合层AD移动，粘合层AD中的导电球CB和LED 160的电极的移动也可以受到上部公共连接焊盘CP22的限制。因此，在根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100中，具有阶梯结构的公共连接焊盘CP2可以用于抑制LED 160的未对准的发生和由未对准引起的暗点的发生。
<独立连接焊盘的多层结构>
图5A是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图。图5B是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的放大平面图。除了独立连接焊盘CP1之外，图5A和图5B所示的显示装置500与图1至图4所示的显示装置100基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图5A和图5B，根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置500的独立连接焊盘CP1包括多个下部独立连接焊盘CP11和多个上部独立连接焊盘CP12。上部独立连接焊盘CP12可以设置在下部独立连接焊盘CP11上。此外，上部独立连接焊盘CP12可以形成为对应于上部公共连接焊盘CP22的形状，并且设置在下部独立连接焊盘CP11上。因此，上部独立连接焊盘CP12可以设置在下部独立连接焊盘CP11的边缘上，并且多个上部独立连接焊盘CP12可以与多个LED 160的电极部分地接触。
在独立连接焊盘CP1的多层结构中，多个下部独立连接焊盘CP11设置在平坦化层115上。多个下部独立连接焊盘CP11可以电连接到第一连接线路181和多个LED160。
可以通过与下部公共连接焊盘CP21相同的工艺形成多个下部独立连接焊盘CP11。也就是说，多个下部独立连接焊盘CP11可以与下部公共连接焊盘CP21在相同的层上由相同的材料形成，但是不限于此。多个下部独立连接焊盘CP11例如可以由铜(Cu)等制成，但是不限于此。多个下部独立连接焊盘CP11的材料可以根据设计而变化。这里，多个下部独立连接焊盘CP11可以具有约
Figure BDA0003359117100000231
到约
Figure BDA0003359117100000232
的厚度，但是不限于此。
上部独立连接焊盘CP12设置在下部独立连接焊盘CP11上。这里，上部独立连接焊盘CP12可以设置在下部独立连接焊盘CP11的边缘上。也就是说，如图5B所示，上部独立连接焊盘CP12可以以闭合曲线的形式设置在下部独立连接焊盘CP11的边缘上。然而，本公开不限于此。上部独立连接焊盘CP12也可以以多个图案的形式设置在下部独立连接焊盘CP11的边缘上。具有对应于上部公共连接焊盘CP22的图案的多个图案的上部独立连接焊盘CP12可以设置在下部独立连接焊盘CP11上。
上部独立连接焊盘CP12可以由与下部独立连接焊盘CP11不同的材料制成。这里，上部独立连接焊盘CP12可以由对多个LED 160的电极的粘合性高于其对下部独立连接焊盘CP11的粘合性的材料制成。因此，在修复多个LED 160的工艺期间，上部独立连接焊盘CP12可以容易地与下部独立连接焊盘CP11分离。
例如，如果下部独立连接焊盘CP11由铜(Cu)制成，并且多个LED 160的电极由金(Au)制成，则上部独立连接焊盘CP12可以由金(Au)制成。也就是说，上部独立连接焊盘CP12的材料可以与下部独立连接焊盘CP11的材料不同，并且可以与多个LED 160的电极的材料相同。因此，由于同质材料之间的高粘合性，上部独立连接焊盘CP12对LED 160的电极的粘合性可以高于对下部独立连接焊盘CP11的粘合性。上部独立连接焊盘CP12例如可以由金(Au)、钛(Ti)、铝(Al)或钼(Mo)制成，但是不限于此。这里，上部独立连接焊盘CP12可以具有约
Figure BDA0003359117100000241
的厚度，但是不限于此。
在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置500中，多个独立连接焊盘CP1具有包括多个下部独立连接焊盘CP11和多个上部独立连接焊盘CP12的多层结构。因此，在修复工艺期间，多个LED 160可以容易地从多个独立连接焊盘CP1移除。具体而言，由对多个LED 160的电极的粘合性高于其对下部独立连接焊盘CP11的粘合性的材料制成的上部独立连接焊盘CP12设置在下部独立连接焊盘CP11上。因此，在修复工艺期间，上部独立连接焊盘CP12可以与多个LED 160一起容易地从下部独立连接焊盘CP11分离。此外，在一些工艺中，多个上部独立连接焊盘CP12和多个下部独立连接焊盘CP11可以全部设置在下基板110侧，并且可以仅分离LED 160。因此，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置500中，当未对准的LED 160被修复时，可以最小化独立连接焊盘CP1随LED 160从下基板110被剥离。
此外，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置500中，多个独立连接焊盘CP1具有包括多个下部独立连接焊盘CP11和多个上部独立连接焊盘CP12的多层结构。因此，可以最小化由粘合层AD的移动引起的LED 160的未对准。具体而言，上部独立连接焊盘CP12可以沿着下部独立连接焊盘CP11的边缘设置在下部独立连接焊盘CP11的边缘上，并且独立连接焊盘CP1可以具有阶梯差。因此，即使粘合层AD移动，粘合层AD中的导电球CB和LED 160的电极的移动也可以受到多个上部独立连接焊盘CP12的限制。因此，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置500中，具有阶梯结构的多个独立连接焊盘CP1可以用于抑制LED 160的未对准的发生和由未对准引起的暗点的发生。
<上部公共连接焊盘的图案>
图6是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的放大平面图。除了上部公共连接焊盘CP22的形状之外，图6所示的显示装置600与图5A和图5B所示的显示装置500基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图6，根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置600的上部公共连接焊盘CP22还可以对应于多个独立连接焊盘CP1之间的空间设置在下部公共连接焊盘CP21上。因此，上部公共连接焊盘CP22还可以设置在多个LED 160之间的空间中。
在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置600中，上部公共连接焊盘CP22进一步对应于多个独立连接焊盘CP1之间的空间设置在下部公共连接焊盘CP21上。因此，可以将摩擦力提供给多个LED 160的电极。因此，多个LED 160的电极可以不偏离上部公共连接焊盘CP22所在的区域。例如，即使多个LED 160从图6所示的状态沿左右方向滑动，也可引导多个LED 160在由上部公共连接焊盘CP22限定的区域内移动。因此，可以抑制多个LED160从上部公共连接焊盘CP22偏离。因此，即使粘合层AD移动，粘合层AD中的导电球CB和LED160的电极的移动也可以受到上部公共连接焊盘CP22的限制。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置600中，上部公共连接焊盘CP22进一步设置在对应于多个独立连接焊盘CP1之间的空间的位置处。因此，可以抑制LED 160的未对准的发生。
图7是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置700的一个像素基板的放大平面图。除了上部公共连接焊盘CP22的形状之外，图7所示的显示装置700与图6所示的显示装置600基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图7，根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置700的上部公共连接焊盘CP22可以具有网格形式。也就是说，上部公共连接焊盘CP22可以以网格形式设置在下部公共连接焊盘CP21上。这里，上部公共连接焊盘CP22可以在下部公共连接焊盘CP21上从图7所示的状态沿垂直方向和左右方向延伸。例如，上部公共连接焊盘CP22可以包括设置在下部公共连接焊盘CP21上的与公共连接焊盘CP2的延伸方向平行的部分。此外，上部公共连接焊盘CP22可以包括设置在下部公共连接焊盘CP21上以垂直于公共连接焊盘CP2的延伸方向的部分。根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置700的上部公共连接焊盘CP22以网格形式设置在下部公共连接焊盘CP21上。因此，可以向多个LED 160的电极提供更大的摩擦力。因此，多个LED 160的电极可以不偏离上部公共连接焊盘CP22所在的区域。例如，即使多个LED 160滑动，导电球CB也可以卡在上部公共连接焊盘CP22的网格图案的孔中。因此，多个LED可以在由上部公共连接焊盘CP22限定的区域内移动，并且可以抑制多个LED 160从公共连接焊盘CP2偏离。因此，即使粘合层AD移动，粘合层AD中的导电球CB和LED 160的电极的移动也可以受到上部公共连接焊盘CP22的限制。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置700中，上部公共连接焊盘CP22以网格形式设置在下部公共连接焊盘CP21上。因此，可以抑制LED 160的未对准的发生。
<绝缘层>
图8是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图。除了绝缘层IL1的放置之外，图8所示的显示装置800与图5A和图5B所示的显示装置500基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图8，根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置800可以包括绝缘层IL1。绝缘层IL1可以设置在第一连接线路181上。具体而言，绝缘层IL1可以设置在第一连接线路181中用于传输高电位电力的电源线PL上。
绝缘层IL1可以由具有绝缘特性的材料制成。绝缘层IL1例如可以是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机层，但是不限于此。绝缘层IL1的材料可以根据设计而变化。这里，绝缘层IL1可以具有约
Figure BDA0003359117100000261
到约
Figure BDA0003359117100000262
的厚度，但是不限于此。
绝缘层IL1可以包括多个绝缘图案。绝缘层IL1的多个绝缘图案可以具有各种形状，例如柱状、线形或网格形。
绝缘层IL1的多个绝缘图案之间的距离可以小于粘合层AD中的导电球CB的尺寸。例如，绝缘层IL1的多个绝缘图案之间的距离可以小于粘合层AD中的导电球CB的半径或直径。
在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置800中，包括多个绝缘图案的绝缘层IL1设置在用作高电位电源线的第一连接线路181上。因此，可以最小化LED 160未对准的发生。具体而言，如果LED 160通过粘合层AD的移动而朝向用于传输高电位电力的第一连接线路181移动，则在多个绝缘图案中最靠近公共连接焊盘CP2设置的绝缘图案可以初次抑制LED 160的移动。此外，当LED 160在绝缘层IL1上移动时，全部多个绝缘图案提供摩擦力，从而可以限制LED 160的移动。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置800中，可以抑制由粘合层AD的移动引起的LED 160的未对准的发生。
此外，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置800中，绝缘层IL1设置在用作高电位电源线的第一连接线路181上。因此，即使多个LED 160未对准，也可以抑制LED160与用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181的连接。即使LED 160通过粘合层AD的移动而设置在用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181上，LED 160也可以通过设置在第一连接线路181上的绝缘层IL1而不连接到用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置800中，绝缘层IL1可以用于抑制由LED 160连接到公共连接焊盘CP2和用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181两者所引起的暗点的发生。
图9是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图。除了绝缘层IL2之外，图9所示的显示装置900与图8所示的显示装置800基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图9，根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置900可以包括绝缘层IL2。绝缘层IL2可以设置在第一连接线路181上。具体而言，绝缘层IL2可以设置在第一连接线路181中用于传输高电位电力的电源线PL上。
绝缘层IL2可以具有阶梯状的上表面。也就是说，在绝缘层IL2中，相对邻近公共连接焊盘CP2的部分可以比相对远离公共连接焊盘CP2的部分具有更小的高度。然而，本公开不限于此。绝缘层IL2可以具有倾斜的上表面。在这种情况下，绝缘层IL2可以具有其高度随着与公共连接焊盘CP2的距离增大而逐渐增大的倾斜的上表面。
在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置900中，绝缘层IL2设置在用作高电位电源线的第一连接线路181上。因此，可以最小化LED 160的未对准的发生。具体而言，如果LED 160通过粘合层AD的移动而朝向用于传输高电位电力的第一连接线路181移动，则绝缘层IL2的与公共连接焊盘CP2相对邻近的部分可以初次抑制LED 160的移动。此外，如果LED 160移动到绝缘层IL2的相对邻近公共连接焊盘CP2的部分上，则绝缘层IL2相对远离公共连接焊盘CP2并且具有更高高度的部分可以二次抑制LED 160的移动。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置900中，可以抑制由粘合层AD的移动引起的LED 160的未对准的发生。
此外，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置900中，绝缘层IL2设置在用作高电位电源线的第一连接线路181上。因此，即使多个LED 160未对准，也可以抑制LED160与用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181的连接。也就是说，即使LED160通过粘合层AD的移动而设置在用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181上，LED 160也可以通过设置在第一连接线路181上的绝缘层IL2而不连接到用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181。因此，可以抑制由于LED 160连接到公共连接焊盘CP2和用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181两者而引起的暗点的发生。
图10是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图。除了绝缘层IL3之外，图10所示的显示装置1000与图8所示的显示装置800基本上相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图10，根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置1000可以包括绝缘层IL3。绝缘层IL3可以设置在第一连接线路181上。具体而言，绝缘层IL3可以设置在第一连接线路181中用于传输高电位电力的电源线PL上。
绝缘层IL3可以设置为覆盖用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181的上表面和侧表面。具体而言，绝缘层IL3可以设置为覆盖用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181的上表面和第一连接线路181的与公共连接焊盘CP2相邻的侧表面。也就是说，绝缘层IL3可以使LED 160与用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181的上表面和侧表面绝缘。
在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置1000中，绝缘层IL3设置在用作高电位电源线的第一连接线路181的上表面和侧表面上。因此，可以最小化LED 160未对准的发生。具体而言，如果LED 160通过粘合层AD的移动而朝向用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181移动，则绝缘层IL3可以抑制LED 160的移动。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置1000中，可以抑制由粘合层AD的移动引起的LED 160的未对准的发生。
此外，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置1000中，绝缘层IL3设置在用作高电位电源线的第一连接线路181的上表面和侧表面上。因此，即使多个LED 160未对准，也可以抑制LED 160与用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181的连接。也就是说，即使LED 160通过粘合层AD的移动而朝向用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181移动，LED 160也可以通过设置在第一连接线路181的上表面和第一连接线路181的与公共连接焊盘CP2相邻的侧表面上的绝缘层IL3而不连接到用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181。因此，可以抑制由于LED 160连接到公共连接焊盘CP2和用作用于传输高电位电力的电源线的第一连接线路181两者而引起的暗点的发生。
图11是示出根据本公开的一个示例性实施方式的通过显示装置的修复工艺移除了上部公共连接焊盘的示意性截面图。除了移除了上部公共连接焊盘CP22之外，图11所示的显示装置1100与图1至图4所示的显示装置100基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图11，在修复工艺之后，在对应于图1至图4所示的显示装置100的显示装置1100中，公共连接焊盘CP2的上部公共连接焊盘CP22与LED 160一起被移除。因此，公共连接焊盘CP2可以具有单层结构。
在修复工艺之后的显示装置1100的多个子像素SPX中的一些子像素中，公共连接焊盘CP2可以是如图11所示的单层。然而，在其它子像素SPX中，在修复工艺期间仅移除了LED 160，并且保留了上部公共连接焊盘CP22。因此，这些子像素SPX可以处于如图1至图4所示的状态。
此外，在修复工艺之后的显示装置1100的多个子像素SPX中的一些子像素中，仅上部公共连接焊盘CP22的一部分可以与LED 160一起被移除，而其它部分可以保留。
<粘合层的变形>
图12A是根据本公开的又一实施方式的显示装置的一个像素基板的放大平面图。图12B是根据本公开的又一实施方式的显示装置的一个像素基板的示意性截面图。除了移除了上部公共连接焊盘CP22并且不同地设置粘合层AD之外，图12A和图12B所示的显示装置1200与图1至图4所示的显示装置100基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
参照图12A和图12B，粘合层AD用于将多个独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2电连接到多个160。
粘合层AD设置为覆盖平坦化层115的整个上表面。粘合层AD设置在平坦化层115的整个上表面上以及独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2的上表面上。因此，160能够结合到独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2上。这里，n电极165可以设置在公共连接焊盘CP2上，并且p电极164可以设置在独立连接焊盘CP1上。
粘合层AD包括多个导电球CB和基础构件BR。粘合层AD可以是通过将多个导电球CB分散在基础构件BR中而形成的导电粘合层。当LED 160的电极结合到公共连接焊盘CP2和独立连接焊盘CP1时，分散在基础构件BR中的多个导电球CB可以用于将LED 160的电极电连接到公共连接焊盘CP2和独立连接焊盘CP1。
在一些实施方式中，多个导电球CB设置在单个层中。如图13A所示，导电球CB分散在基础构件BR中。导电球CB在单个层中以预定距离彼此分隔开。例如，导电球CB之间的距离可以是2μm到3μm，但是不限于此。在本文中，导电球CB之间的距离是指导电球CB和另一个导电球CB之间的最短距离。
由于多个导电球CB彼此分隔开，所以多个导电球CB不彼此电连接。也就是说，多个导电球CB与平坦化层115的上表面平行地彼此分隔开，并且因此彼此不电连接。此外，多个导电球CB将多个独立连接焊盘CP1和公共连接焊盘CP2电连接到多个LED 160。也就是说，多个导电球CB沿垂直于平坦化层115的上表面的方向与连接焊盘和LED 160的电极接触。因此，多个导电球CB可以将LED 160的电极电连接到连接焊盘。
基础构件BR可以是具有粘合性和绝缘特性的粘合构件。除了设置有导电球CB的部分之外，粘合层AD具有绝缘特性。基础构件BR涂覆在平坦化层115的整个上表面上，使得多个LED 160的位置能够固定。
粘合层AD的厚度或高度H1小于平坦化层115的厚度或高度H2(参见例如图13A)。如果粘合层AD的厚度大于平坦化层115的厚度，则粘合层AD可以向下流动到平坦化层115的上表面的外部。因此，LED 160可能发生未对准。也就是说，可以通过平坦化层115和粘合层AD的厚度的阶梯来约束粘合层AD的移动。此外，粘合层AD可以设置在平坦化层115的整个上表面上，使得平坦化层115的上表面的边缘与粘合层AD的边缘重合。同时，粘合层AD的侧表面可以垂直于平坦化层115的上表面或者倾斜于平坦化层115的上表面，但是不限于此。
在根据本公开的又一实施方式的显示装置1200中，包括在粘合层AD中的多个导电球CB在单个层中彼此分隔开。因此，可以抑制LED 160的短路或开路的发生。此外，在根据本公开的又一实施方式的显示装置1200中，粘合层AD设置在平坦化层115的整个上表面上，而非仅选择性地设置在与多个LED 160交叠的连接焊盘上。因此，可以最小化由粘合层AD的不均匀放置引起的LED 160的转移效率降低和LED 160的驱动缺陷。
在下文中，将参照图13A至图13D描述根据本公开的又一实施方式的制造显示装置1200的方法。
图13A至图13D是示出根据本公开的又一实施方式的制造显示装置的方法的示意性截面图。图13D所示的显示装置与图12所示的显示装置1200基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
首先，参考图13A，制备第一转移基板191，其上设置有粘合层AD，粘合层AD包括基础构件BR和分散在基础构件BR中的多个导电球CB。
然后，使第一转移基板191靠近下基板110的上部，在下基板110上设置有平坦化层115，并且粘合层AD放置在平坦化层115的上部。这里，第一转移基板191可以为膜的形式，但不限于此。当第一转移基板191和下基板110保持在平坦状态时，粘合层AD被按压预定的时间段以结合到平坦化层115上。
然后，参照图13B，将第一转移基板191与粘合层AD分离。仅局部加热第一转移基板191的其上设置有平坦化层115的部分，使得粘合层AD仅结合到平坦化层115上。例如，加热棒与对应于平坦化层115的区域接触同时被压向该区域，以仅使结合到平坦化层115的上表面的粘合层AD与第一转移基板191分离。然而，本公开不限于此。然后，当移除第一转移基板191时，粘合层AD仅设置在平坦化层115上。
然后，参照图13C，使其上设置有多个LED 160的第二转移基板192靠近粘合层AD的上部，并且多个LED 160结合到粘合层AD的上部。例如，在多个LED 160通过粘合构件结合在第二转移基板192上的状态下转移多个LED 160。设置在第二转移基板192上的多个LED 160结合到粘合层AD的上部，使得多个LED 160位于下基板110的连接焊盘上方。当激光照射到多个LED 160时，移除粘合构件，并且多个LED 160与第二转移基板192分离并且通过粘合层AD固定到连接焊盘上。
然后，参照图13D，可以通过在多个LED 160上涂覆和硬化可弯曲或可拉伸的绝缘材料来形成上基板US。因此，上基板US可以设置成与下基板110、像素基板111、连接构件120和连接线路180接触。结果，可以制造图12所示的显示装置1200。
通常，当转移粘合层时，采用喷墨印刷工艺以选择性地将粘合层仅转移到设置有发光二极管的电极的区域或设置在平坦化层上的连接焊盘上。然而，如果通过喷墨印刷工艺转移粘合层，则由于粘合层的高粘度，转移受到限制。此外，喷墨印刷工艺是复杂的工艺，并且需要昂贵的装置。
然而，依据根据本公开的又一实施方式的制造显示装置1200的方法，粘合层AD结合到平坦化层115上，并且然后LED结合到其上。因此，可以简化制造工艺并且降低制造时间和成本。也就是说，曾经仅在平坦化层的一部分上设置粘合层，然而粘合层AD以更大面积设置在平坦化层115的整个上表面上。因此，粘合层AD能够更容易地结合，并且LED 160能够通过粘合层AD容易地固定位置。此外，粘合层AD均匀地涂覆在平坦化层115上。因此，可以提高LED 160的转移效率，减少制造时间并且最小化LED 160的驱动缺陷。
本公开的示例性实施方式也可以描述如下：
根据本公开的一个方面，显示装置可以包括下基板和设置在下基板上的多个像素基板。显示装置还包括设置在多个像素基板上的多个晶体管和设置在多个像素基板上以覆盖多个晶体管的上部的平坦化层。显示装置还包括设置在平坦化层上的公共连接焊盘和多个独立连接焊盘。显示装置还包括设置在公共连接焊盘和多个独立连接焊盘上的多个发光二极管。多个独立连接焊盘和公共连接焊盘中的至少一个可以具有多层结构。
公共连接焊盘可以包括设置在平坦化层上的下部公共连接焊盘和设置在下部公共连接焊盘上的上部公共连接焊盘。
上部公共连接焊盘可以由对多个发光二极管的电极的粘合性比对下部公共连接焊盘的粘合性更高的材料制成。
下部公共连接焊盘可以由铜(Cu)制成，并且上部公共连接焊盘可以由金(Au)、钛(Ti)、铝(Al)或钼(Mo)制成。
上部公共连接焊盘可以设置在下部公共连接焊盘的边缘上。
上部公共连接焊盘还可以对应于多个独立连接焊盘之间的空间设置在下部公共连接焊盘上。
上部公共连接焊盘可以以网格形式设置在下部公共连接焊盘上。
多个独立连接焊盘可以包括设置在平坦化层上的下部独立连接焊盘和设置在下部独立连接焊盘上的上部独立连接焊盘。上部独立连接焊盘可以具有对应于上部公共连接焊盘的形状，并且设置在下部独立连接焊盘上。
显示装置还可以包括设置在平坦化层上的电源线和设置在电源线上的绝缘层。
绝缘层可以包括设置在电源线上的多个绝缘图案。
在绝缘层中，相对邻近公共连接焊盘的部分可以比相对远离公共连接焊盘的部分具有更小的高度。
绝缘层可以设置为覆盖电源线的与公共连接焊盘相邻的侧表面。
公共连接焊盘和多个独立连接焊盘之间的距离可以大于公共连接焊盘和电源线之间的距离。
根据本公开的另一方面，显示装置可以包括设置在下基板上并且其中设置有多个发光二极管的多个像素基板。显示装置还包括覆盖多个像素基板的上部的平坦化层。显示装置还包括设置在平坦化层上以分别对应于多个发光二极管的多个独立连接焊盘。显示装置还包括设置在平坦化层上并且电连接到全部多个发光二极管的公共连接焊盘。显示装置还包括将公共连接焊盘和多个独立连接焊盘电连接到多个发光二极管的粘合层。多个独立连接焊盘和公共连接焊盘中的至少一个可以具有下部焊盘和设置在下部焊盘的边缘上的上部焊盘。
上部焊盘可以由与下部焊盘不同的材料制成。
上部焊盘可以以网格形式设置在下部焊盘上。
显示装置还可以包括：设置在平坦化层上的高电位电源线；以及设置在高电位电源线上的绝缘层。公共连接焊盘可以设置在多个独立连接焊盘和高电位电源线之间。
绝缘层可以设置成覆盖高电位电源线的侧表面。
根据本公开的又一方面，显示装置包括设置在下基板上的多个像素基板，并且在多个像素基板上设置有多个发光二极管。显示装置还包括覆盖多个像素基板的上部的平坦化层。显示装置还包括设置在平坦化层上并且分别对应于多个发光二极管的多个独立连接焊盘。显示装置还包括设置在平坦化层上并且电连接到全部多个发光二极管的公共连接焊盘。显示装置还包括粘合层，其将多个独立连接焊盘和公共连接焊盘电连接到多个发光二极管，并且被设置为覆盖平坦化层的整个上表面。
粘合层可以包括多个导电球和基础构件。多个导电球可以在分散在基础构件中的情况下设置在单个层中。
多个导电球可以彼此分隔开，可以不彼此电连接，并且可以将多个独立连接焊盘和公共连接焊盘电连接到多个发光二极管。
粘合层的厚度可以等于或小于平坦化层的厚度。
根据本公开的又一方面，制造显示装置的方法可以包括以下工艺：将包括基础构件和分散在基础构件中的多个导电球的粘合层放置在第一转移基板上。制造显示装置的方法还包括以下工艺：使第一转移基板靠近设置有覆盖多个晶体管的上部的平坦化层的基板的上部，并且将粘合层结合到平坦化层的上部。制造显示装置的方法还包括以下工艺：使其上设置有多个发光二极管的第二转移基板靠近粘合层的上部，并且将多个发光二极管结合到粘合层的上部。
多个导电球可以彼此分隔开，可以不彼此电连接，并且可以将多个独立连接焊盘和公共连接焊盘电连接到多个发光二极管。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施方式仅仅是出于例示的目的，而不是为了限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是例示性的而不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且其等同范围内的所有技术构思应当被解释为落入本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年11月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0153424和2021年10月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0139771的优先权，其公开内容通过引用结合于此。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素基板；
多个晶体管，所述多个晶体管设置在所述像素基板上；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述像素基板上以覆盖所述多个晶体管的上部；
公共连接焊盘和多个独立连接焊盘，所述公共连接焊盘和所述多个独立连接焊盘设置在所述平坦化层上；以及
多个发光二极管，所述多个发光二极管设置在所述公共连接焊盘和所述多个独立连接焊盘上，
其中，所述多个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘中的至少一个具有多层结构。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述公共连接焊盘包括设置在所述平坦化层上的下部公共连接焊盘和设置在所述下部公共连接焊盘上的上部公共连接焊盘。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘由对所述多个发光二极管的电极的粘合性比对所述下部公共连接焊盘的粘合性高的材料制成。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述下部公共连接焊盘由铜Cu制成，并且
所述上部公共连接焊盘由金Au、钛Ti、铝Al或钼Mo制成。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘的材料与所述下部公共连接焊盘的材料不同，并且与所述多个发光二极管的电极的材料相同。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘设置在所述下部公共连接焊盘的边缘上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述上部公共连接焊盘还与所述多个独立连接焊盘之间的空间相对应地设置在所述下部公共连接焊盘上。
8.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素基板，在所述像素基板中设置有多个发光二极管；
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述像素基板的上部；
多个独立连接焊盘，所述多个独立连接焊盘设置在所述平坦化层上以分别对应于所述多个发光二极管；
公共连接焊盘，所述公共连接焊盘设置在所述平坦化层上并且电连接到全部所述多个发光二极管；以及
粘合层，所述粘合层将所述公共连接焊盘和所述多个独立连接焊盘电连接到所述多个发光二极管，
其中，所述多个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘中的至少一个具有下部焊盘和设置在所述下部焊盘上的上部焊盘。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素基板，所述多个像素基板设置在下基板上，并且在所述多个像素基板上设置有多个发光二极管；
平坦化层，所述平坦化层覆盖所述多个像素基板的上部；
多个独立连接焊盘，所述多个独立连接焊盘设置在所述平坦化层上并且分别对应于所述多个发光二极管；
公共连接焊盘，所述公共连接焊盘设置在所述平坦化层上并且电连接到全部所述多个发光二极管；以及
粘合层，所述粘合层将所述多个独立连接焊盘和所述公共连接焊盘电连接到所述多个发光二极管，并且所述粘合层被设置为覆盖所述平坦化层的整个上表面。
10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
将包括基础构件和分散在所述基础构件中的多个导电球的粘合层放置在第一转移基板上；
使所述第一转移基板靠近设置有覆盖多个晶体管的上部的平坦化层的下基板的上部，并且将所述粘合层结合到所述平坦化层的上部；
将第一转移基板从结合到所述平坦化层的上部的所述粘合层分离；以及
使设置有多个发光二极管的第二转移基板靠近所述粘合层的上部，并且将所述多个发光二极管结合到所述粘合层的上部。
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