KR20220066777A - 표시 장치 - Google Patents

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엄혜선
윤두현
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 하부 기판, 하부 기판 상에 배치된 복수의 화소 기판, 및 복수의 화소 기판의 엣지에 배치된 복수의 발광 소자를 포함하고, 복수의 발광 소자의 일부분은 하부 기판에 중첩하고, 복수의 발광 소자의 나머지 부분은 복수의 화소 기판과 하부 기판에 중첩한다. 따라서, 복수의 발광 소자의 일부분만을 화소 기판 상에 배치하여, 하나의 화소 기판에 배치될 수 있는 발광 소자의 개수를 증가시킬 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제한된 면적에 배치되는 발광 소자의 개수를 증가시켜 고해상도를 구현한 표시 장치에 관한 것이다.
컴퓨터의 모니터나 TV, 핸드폰 등에 사용되는 표시 장치에는 스스로 광을 발광하는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등과 별도의 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)등이 있다.
표시 장치는 컴퓨터의 모니터 및 TV 뿐만 아니라 개인 휴대 기기까지 그 적용 범위가 다양해지고 있으며, 넓은 표시 면적을 가지면서도 감소된 부피 및 무게를 갖는 표시 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 최근에는 플렉서블(flexible) 소재인 플라스틱 등과 같이 유연성 있는 기판에 표시부, 배선 등을 형성하여, 특정 방향으로 신축이 가능하고 다양한 형상으로 변화가 가능하게 제조되는 표시 장치가 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 고해상도의 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 복수의 LED의 불량으로 인한 표시 품질 저하를 최소화한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 제한된 면적에서 복수의 LED 각각이 차지하는 면적을 최소화한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 하부 기판, 하부 기판 상에 배치된 복수의 화소 기판, 및 복수의 화소 기판의 엣지에 배치된 복수의 발광 소자를 포함하고, 복수의 발광 소자의 일부분은 하부 기판에 중첩하고, 복수의 발광 소자의 나머지 부분은 복수의 화소 기판과 하부 기판에 중첩한다. 따라서, 복수의 발광 소자의 일부분만을 화소 기판 상에 배치하여, 하나의 화소 기판에 배치될 수 있는 발광 소자의 개수를 증가시킬 수 있다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 하부 기판, 하부 기판 상에서 서로 이격되어 배치된 복수의 화소 기판, 및 복수의 화소 기판에 배치된 복수의 발광 소자를 포함하고, 복수의 발광 소자는, 복수의 화소 기판 중 하나의 화소 기판 상에 배치된 복수의 적색 발광 소자, 복수의 녹색 발광 소자, 및 복수의 청색 발광 소자를 포함하고, 복수의 발광 소자 각각은 적어도 일부분이 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된다. 따라서, 하나의 화소 기판에 동일한 색상의 광을 발광하는 발광 소자를 복수 개 배치하여, 어느 하나의 발광 소자에 불량이 발생하더라도 이를 보상할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 표시 장치의 해상도를 향상시킬 수 있다.
본 발명은 복수의 LED의 일부만 화소 기판 상에 배치하여 하나의 화소 기판에 배치되는 LED의 개수를 증가시킬 수 있고, 고해상도의 표시 장치를 구현할 수 있다.
본 발명은 복수의 LED 불량 시 대체 가능한 여분의 LED를 추가 배치하여 표시 품질 저하를 최소화할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 확대 평면도이다.
도 3은 도 2의 A 영역에 대한 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV'에 따른 단면도이다.
도 5는 도 3의 V-V'에 따른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
< 표시 장치>
표시 장치는 휘거나 늘어나도 화상 표시가 가능한 표시 장치로 지칭될 수 있다. 표시 장치는 종래의 일반적인 표시 장치와 비교하여 높은 플렉서빌리티를 가질 수 있다. 이에, 사용자가 표시 장치를 휘게 하거나 늘어나게 하는 등, 사용자의 조작에 따라 표시 장치의 형상이 자유롭게 변경될 수 있다. 예를 들어, 사용자가 표시 장치의 끝단을 잡고 잡아당기는 경우 표시 장치는 사용자의 힘에 의해 늘어날 수 있다. 또는, 사용자가 표시 장치를 평평하지 않은 벽면에 배치시키는 경우, 표시 장치는 벽면의 표면의 형상을 따라 휘어지도록 배치될 수 있다. 또한, 사용자에 의해 가해지는 힘이 제거되는 경우, 표시 장치는 다시 본래의 형태로 되돌아올 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 하부 기판(110), 복수의 화소 기판(111), 복수의 연결 기판(120), 복수의 외곽 기판(131), COF(140)(Chip on Film), 인쇄 회로 기판(150) 및 상부 기판(US)을 포함한다.
하부 기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판이다. 하부 기판(110)은 연성 기판으로서 휘어지거나 늘어날 수 있는 절연 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 하부 기판(110)은 폴리 메탈 실록산(polydimethylsiloxane; PDMS)과 같은 실리콘 고무(Silicone Rubber), 폴리 우레탄(polyurethane; PU), PTFE(polytetrafluoroethylene) 등의 탄성 중합체(elastomer)로 이루어질 있으며, 이에, 유연한 성질을 가질 수 있다. 그러나, 하부 기판(110)의 재질은 이에 제한되는 것은 아니다.
하부 기판(110)은 연성 기판으로서, 팽창 및 수축이 가역적으로 가능할 수 있다. 또한, 탄성 하부 기판(110)은 탄성 계수(elastic modulus)가 수 MPa 내지 수 백 MPa일 수 있으며, 예를 들어, 0.5 MPa 내지 1 MPa일 수 있다. 또한, 하부 기판(110)은 연신 파괴율이 100% 이상일 수 있다. 여기서, 연신 파괴율이란 연신되는 객체가 파괴되거나 크랙되는 시점에서의 연신율을 의미한다. 하부 기판(110)의 두께는 10um 내지 1mm일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 하부 기판(110)은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(NA)을 가질 수 있다.
표시 영역(AA)은 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치된다. 표시 영역(AA)은 복수의 서브 화소를 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 복수의 서브 화소는 표시 영역(AA)에 배치되며, 복수의 표시 소자를 포함한다. 복수의 서브 화소 각각은 다양한 배선과 연결될 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소 각각은 게이트 배선, 데이터 배선, 고전위 전원 배선, 저전위 전원 배선, 기준 배선 등과 같은 다양한 배선과 연결될 수 있다.
비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접한 영역이다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접하여 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역이다. 비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역이며, 배선 및 회로부 등이 형성될 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(NA)에는 복수의 패드가 배치될 수 있으며, 각각의 패드는 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소 각각과 연결될 수 있다.
하부 기판(110) 상에 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)이 배치된다. 복수의 화소 기판(111)은 하부 기판(110)의 표시 영역(AA)에 배치될 수 있고, 복수의 외곽 기판(131)은 하부 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 도 1에서는 복수의 외곽 기판(131)이 X축 방향에서 표시 영역(AA)의 일측의 비표시 영역(NA), Y축 방향에서 표시 영역(AA)의 일측의 비표시 영역(NA)에 배치되는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않고 비표시 영역(NA)의 임의의 영역에 배치될 수 있다.
복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)은 강성 기판으로서, 하부 기판(110) 상에 서로 이격되어 각각 독립적으로 배치된다. 즉, 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)은 강성 기판 또는 아일랜드 기판으로도 지칭될 수 있다. 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)은 하부 기판(110)과 비교하여 강성일 수 있다. 하부 기판(110)은 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)보다 연성 특성을 가질 수 있고, 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)은 하부 기판(110)보다 강성 특성을 가질 수 있다.
복수의 강성 기판인 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131) 각각은 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리아세테이트(polyacetate) 등으로 이루어질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 물질로 이루어질 수도 있다. 또한, 복수의 화소 기판(111)과 복수의 외곽 기판(131)은 동일한 물질로 이루어질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있다.
복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)의 모듈러스는 하부 기판(110)의 모듈러스 보다 높을 수 있다. 모듈러스는 기판에 가해지는 응력에 의해 변형되는 비율을 나타내는 탄성 계수로서 모듈러스가 상대적으로 높을 경우 경도가 상대적으로 높을 수 있다. 따라서, 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)은 하부 기판(110)과 비교하여 강성을 갖는 복수의 강성 기판일 수 있다. 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)의 모듈러스는 하부 기판(110)의 모듈러스보다 1000배 이상 클 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 화소 기판(111)의 탄성 계수(elastic modulus)는 투명도에 따라, 2 GPa 내지 9 GPa일 수 있다. 보다 구체적으로, 화소 기판(111)이 투명할 경우에 탄성 계수가 2 GPa이고, 화소 기판(111)이 불투명할 경우에는 탄성 계수가 9 GPa일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 하부 기판(110)은 복수의 제1 하부 패턴 및 제2 하부 패턴을 포함하는 것으로 정의될 수 있다. 복수의 제1 하부 패턴은 하부 기판(110) 중 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)과 중첩하는 영역에 배치되고, 제2 하부 패턴은 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)이 배치된 영역을 제외한 영역에 배치되거나 표시 장치(100) 전체 영역에 배치될 수도 있다.
이때, 복수의 제1 하부 패턴의 모듈러스는 제2 하부 패턴의 모듈러스보다 클 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 하부 패턴은 복수의 화소 기판(111)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 제2 하부 패턴은 복수의 화소 기판(111)보다 작은 모듈러스를 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
COF(140)는 연성을 가진 베이스 필름(141)에 각종 부품을 배치한 필름으로, 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소로 신호를 공급하기 위한 부품이다. COF(140)는 비표시 영역(NA)에 배치된 복수의 패드에 본딩될 수 있다. COF(140)는 패드를 통하여 데이터 전압 등을 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소 각각으로 공급할 수 있다. COF(140)는 베이스 필름(141) 및 구동 IC(142)를 포함하고, 이 이외에도 각종 부품이 배치될 수 있다.
베이스 필름(141)은 COF(140)의 구동 IC(142)를 지지하는 층이다. 베이스 필름(141)은 절연 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 플렉서빌리티를 갖는 절연 물질로 이루어질 수 있다.
구동 IC(142)는 영상을 표시하기 위한 데이터와 이를 처리하기 위한 구동 신호를 처리하는 부품이다. 도 1에서는 구동 IC(142)가 COF(140) 방식으로 실장되는 것으로 도시하였으나, 구동 IC(142)는 COG(Chip On Glass), TCP (Tape Carrier Package) 등의 방식으로 실장될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
도 1에서는 하나의 외곽 기판(131)이 표시 영역(AA)에 배치된 하나의 열의 화소 기판(111)에 대응하도록 표시 영역(AA) 일측의 비표시 영역(NA)에 배치되고, 하나의 외곽 기판(131)에 하나의 COF(140)가 배치되는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 복수의 열의 화소 기판(111)에 대응하도록 하나의 외곽 기판(131) 및 하나의 COF(140)가 배치될 수도 있다.
인쇄 회로 기판(150)에는 IC 칩, 회로부 등과 같은 제어부가 장착될 수 있다. 또한, 인쇄 회로 기판(150)에는 메모리, 프로세서 등도 장착될 수 있다. 인쇄 회로 기판(150)은 표시 소자를 구동하기 위한 신호를 제어부로부터 표시 소자로 전달하는 구성이다. 도 1에서는 하나의 인쇄 회로 기판(150)이 사용되는 것으로 설명되었으나, 인쇄 회로 기판(150)의 개수는 이에 제한되지 않는다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2 및 도 3을 함께 참조한다.
<평면 및 단면 구조>
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 확대 평면도이다. 도 3은 도 2의 A 영역에 대한 평면도이다. 도 4는 도 3의 IV-IV'에 따른 단면도이다. 도 5는 도 3의 V-V'에 따른 단면도이다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해 화소 기판(111) 상의 복수의 배선 중 저전위 전원 배선(VSS), 보조 저전위 전원 배선(VSSA), n형 연결 배선(NCL) 및 p형 연결 배선(PCL)만을 도시하였다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 하부 기판(110), 화소 기판(111), 버퍼층(112), 게이트 절연층(113), 층간 절연층(114), 평탄화층(115), 제1 절연층(116), 제2 절연층(117), 복수의 연결 기판(120), 복수의 외곽 기판(131), 트랜지스터(TR), 복수의 발광 소자(LED), 제1 접착층(AD1), 제2 접착층(AD2), 저전위 전원 배선(VSS), 보조 저전위 전원 배선(VSSA), n형 연결 배선(NCL), p형 연결 배선(PCL) 및 상부 기판(US)을 포함한다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 표시 영역(AA)에서 하부 기판(110) 상에 복수의 화소 기판(111)이 배치된다. 복수의 화소 기판(111) 각각에는 복수의 서브 화소를 구성하는 복수의 발광 소자(LED) 및 복수의 구동 회로가 배치될 수 있다. 복수의 화소 기판(111)은 서로 이격되어 하부 기판(110) 상에 배치된다. 예를 들어, 복수의 화소 기판(111)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 하부 기판(110) 상에서 복수의 행과 복수의 열을 이루며 매트릭스 형태로 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
비표시 영역(NA)에서 하부 기판(110) 상에 복수의 외곽 기판(131)이 배치된다. 복수의 외곽 기판(131)은 게이트 구동부(GD) 같은 구동 회로, COF(140)가 본딩되는 복수의 패드 등이 배치되는 기판이다. 예를 들어, 복수의 외곽 기판(131) 중 Y축 방향에서 표시 영역(AA)의 일측에 위치한 외곽 기판(131)에는 COF(140)가 본딩되는 복수의 패드가 배치될 수 있다.
예를 들어, 복수의 외곽 기판(131) 중 X축 방향에서 표시 영역(AA)의 일측에 위치한 외곽 기판(131)에는 게이트 구동부(GD)가 실장될 수 있다. 게이트 구동부(GD)는 화소 기판(111) 상의 다양한 구성요소 제조 시 게이트 인 패널(Gate In Panel; GIP) 방식으로 외곽 기판(131)에 형성될 수 있다. 그러므로, 복수의 외곽 기판(131) 상에는 트랜지스터, 커패시터, 배선 등과 같이 게이트 구동부(GD)를 구성하는 다양한 회로 구성이 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 게이트 구동부(GD)는 COF(140)(Chip on Film) 방식으로도 실장될 수 있다. 또한, 복수의 외곽 기판(131)이 X축 방향에서 표시 영역(AA)의 양측의 비표시 영역(NA)에 더 배치되어 표시 영역(AA) 양측에 게이트 구동부(GD)가 실장될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
복수의 외곽 기판(131)의 크기는 복수의 화소 기판(111)의 크기보다 클 수 있다. 구체적으로, 복수의 외곽 기판(131) 각각의 크기는 복수의 화소 기판(111) 각각의 크기보다 클 수 있다. 상술한 바와 같이, 복수의 외곽 기판(131) 각각에는 게이트 구동부(GD)가 배치되고, 예를 들어, 복수의 외곽 기판(131) 각각에는 게이트 구동부(GD)의 하나의 스테이지가 배치될 수 있다. 이에, 게이트 구동부(GD)의 하나의 스테이지를 구성하는 다양한 회로 구성이 차지하는 면적이 화소가 배치되는 화소 기판(111)의 면적보다 상대적으로 더 크므로, 복수의 외곽 기판(131) 각각의 크기는 복수의 화소 기판(111) 각각의 크기보다 클 수 있다. 다만, 복수의 외곽 기판(131)의 크기는 복수의 화소 기판(111)의 크기와 동일할 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
복수의 화소 기판(111) 사이, 복수의 외곽 기판(131) 사이 또는 복수의 화소 기판(111)과 복수의 외곽 기판(131) 사이에 복수의 연결 기판(120)이 배치된다. 복수의 연결 기판(120)은 서로 인접하는 화소 기판(111), 서로 인접하는 외곽 기판(131) 또는 화소 기판(111)과 외곽 기판(131)을 연결하는 기판이다. 복수의 연결 기판(120)은 화소 기판(111) 또는 외곽 기판(131)과 동일한 물질로 동시에 일체로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 연결 기판(120)은 굴곡진 형상을 가진다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 연결 기판(120)은 사인파 형상으로 이루어질 수 있다. 다만, 복수의 연결 기판(120)의 형상은 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 복수의 연결 기판(120)은 지그재그 형상으로 연장될 수도 있고, 복수의 마름모 모양의 기판들이 꼭지점에서 연결되어 연장되는 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 복수의 연결 기판(120)의 개수 및 형상은 예시적인 것이며, 복수의 연결 기판(120)의 개수 및 형상은 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
복수의 연결 기판(120)은 제1 연결 기판(121) 및 제2 연결 기판(122)을 포함한다. 제1 연결 기판(121)은 복수의 화소 기판(111) 사이에서 행 방향, 즉, X축 방향으로 연장되고, 제2 연결 기판(122)은 복수의 화소 기판(111) 사이에서 열 방향, 즉, Y축 방향으로 연장될 수 있다.
복수의 화소 기판(111) 상에 복수의 무기 절연층이 배치된다. 예를 들어, 복수의 무기 절연층은 버퍼층(112), 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114)을 포함할 수 있다. 다만, 복수의 화소 기판(111) 상에는 다양한 무기 절연층이 추가적으로 배치되거나, 버퍼층(112), 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114) 중 하나 이상이 생략될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
먼저, 도 4를 참조하면, 복수의 화소 기판(111) 상에 버퍼층(112)이 배치된다. 버퍼층(112)은 하부 기판(110) 및 복수의 화소 기판(111)의 외부에서 침투하는 수분 및 산소 등으로부터 표시 장치(100)의 다양한 구성요소들을 보호하기 위해 복수의 화소 기판(111) 상에 형성된다. 버퍼층(112)은 절연 물질로 구성될 수 있으며, 예를 들어, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 산화질화물(SiON) 등으로 이루어지는 무기층이 단층 또는 복층으로 구성될 수 있다. 다만, 버퍼층(112)은 표시 장치(100)의 구조나 특성에 따라 생략될 수도 있다.
한편, 버퍼층(112)은 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)과 중첩되는 영역에만 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이 버퍼층(112)은 무기물로 이루어질 수 있으므로, 표시 장치(100)를 연신하는 과정에서 쉽게 크랙(crack)이 발생되는 등 손상될 수 있다. 이에, 버퍼층(112)은 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131) 사이의 영역에는 형성되지 않고, 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131) 상부에만 형성될 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 버퍼층(112)을 강성 기판인 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131)과 중첩되는 영역에만 형성하여 표시 장치(100)가 휘거나 늘어나는 등 변형되는 경우에도 버퍼층(112)의 손상을 방지할 수 있다.
버퍼층(112) 상에 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 트랜지스터(TR)가 배치된다.
버퍼층(112) 상에 액티브층(ACT)이 배치된다. 예를 들어, 액티브층(ACT)은 산화물 반도체로 형성될 수도 있고, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 또는 유기물(organic) 반도체 등으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
액티브층(ACT) 상에 게이트 절연층(113)이 배치된다. 게이트 절연층(113)은 게이트 전극(GE)과 액티브층(ACT)을 전기적으로 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(113)은 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 또는 유기물(organic) 반도체 등으로 형성될 수 있다.
게이트 절연층(113) 상에 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 전극(GE)은 액티브층(ACT)과 중첩하도록 배치된다. 게이트 전극(GE)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 전극(GE) 상에 층간 절연층(114)이 배치된다. 층간 절연층(114)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 게이트 전극(GE)을 절연시키기 위한 층으로, 버퍼층(112)과 동일하게 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 층간 절연층(114)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
층간 절연층(114) 상에는 액티브층(ACT)과 접하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 동일 층에서 서로 이격되어 배치된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 액티브층(ACT)과 접하는 방식으로 액티브층(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114)은 버퍼층(112)과 마찬가지로 패터닝되어 복수의 화소 기판(111)과 중첩되는 영역에만 형성될 수 있다. 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114) 또한 버퍼층(112)과 동일하게 무기물로 이루어질 수 있으므로, 표시 장치(100)를 연신하는 과정에서 쉽게 크랙이 발생되는 등 손상될 수 있다. 이에, 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114)은 복수의 화소 기판(111) 사이의 영역에는 형성되지 않고, 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131) 상부에만 형성될 수 있다.
한편, 본 명세서에서는 트랜지스터(TR)가 코플래너(coplanar) 구조인 것으로 설명하였으나, 스태거드(staggered) 구조 등으로 이루어질 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
도 3 내지 도 5를 함께 참조하면, 화소 기판(111) 상에 저전위 전원 배선(VSS)이 배치된다. 예를 들어, 저전위 전원 배선(VSS)은 화소 기판(111)의 층간 절연층(114) 상에 배치될 수 있다. 저전위 전원 배선(VSS)은 복수의 발광 소자(LED) 각각으로 저전위 전원 신호를 공급하는 배선이다. 복수의 화소 기판(111) 각각에서 배치된 저전위 전원 배선(VSS)은 복수의 연결 배선(CL)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, X축 방향으로 연장된 저전위 전원 배선(VSS)은 X축 방향으로 연장된 복수의 제1 연결 배선(CL1)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 기판(111) 상에 복수의 패드(PD)가 배치된다. 복수의 패드(PD)는 화소 기판(111) 상에 형성된 다양한 배선들에 각종 신호를 전달하기 위한 패드이다. 복수의 패드(PD)는 화소 기판(111) 상의 다양한 구성 중 어느 하나와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 복수의 패드(PD)는 트랜지스터(TR)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일 물질로 이루어져 층간 절연층(114) 상에 배치될 수 있다.
복수의 패드(PD) 각각은 저전위 전원 패드, 고전위 전원 패드, 게이트 패드, 데이터 패드 등으로 기능할 수 있다. 예를 들어, 복수의 패드(PD)는 저전위 전원 배선(VSS)과 일체로 이루어져, 저전위 전원 신호를 전달하는 연결 배선(CL)과 저전위 전원 배선(VSS)을 전기적으로 연결할 수 있다. 도 4에서는 복수의 패드(PD) 중 저전위 전원 배선(VSS)과 전기적으로 연결된 패드만을 도시하였으나, 복수의 패드(PD)는 화소 기판(111) 상에 형성된 다양한 배선, 예를 들어, 게이트 배선, 데이터 배선, 고전위 전원 배선 등으로 신호를 전달하는 패드를 더 포함할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
트랜지스터(TR), 층간 절연층(114), 저전위 전원 배선(VSS) 및 복수의 패드(PD) 상에 평탄화층(115)이 형성된다. 평탄화층(115)은 트랜지스터(TR)의 상부를 평탄화한다. 평탄화층(115)은 단층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 유기 물질로 이루어질 수 있다. 이에, 평탄화층(115)은 유기 절연층으로 지칭될 수도 있다. 예를 들어, 평탄화층(115)은 아크릴(acryl)계 유기 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
평탄화층(115)은 복수의 화소 기판(111) 상에서 버퍼층(112), 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114)의 상면 및 측면을 덮도록 배치되어, 복수의 화소 기판(111)과 함께 버퍼층(112), 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114)을 둘러싼다. 구체적으로, 평탄화층(115)은 층간 절연층(114)의 상면 및 측면, 게이트 절연층(113)의 측면, 버퍼층(112)의 측면 및 복수의 화소 기판(111)의 상면 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 이에, 평탄화층(115)은 버퍼층(112), 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114)의 측면에서 단차를 보완할 수 있고, 평탄화층(115)과 평탄화층(115)의 측면에 배치되는 연결 배선(CL)의 접착 강도를 증가시킬 수 있다.
평탄화층(115)의 측면의 경사각은 버퍼층(112), 게이트 절연층(113) 및 층간 절연층(114)의 측면들이 이루는 경사각보다 작을 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(115)의 측면은 층간 절연층(114)의 측면, 게이트 절연층(113)의 측면 및 버퍼층(112)의 측면이 이루는 경사보다 완만한 경사를 가질 수 있다. 평탄화층(115)의 측면과 접하게 배치되는 연결 배선(CL)이 완만한 경사를 가지고 배치될 수 있다. 따라서, 표시 장치(100)의 연신 시, 연결 배선(CL)에 발생하는 응력이 저감되고, 연결 배선(CL)이 크랙되거나 평탄화층(115)의 측면에서 박리되는 현상을 억제할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 트랜지스터(TR)와 평탄화층(115) 사이에 패시베이션층이 더 형성될 수도 있다. 즉, 트랜지스터(TR)를 수분 및 산소 등의 침투로부터 보호하기 위해, 트랜지스터(TR)를 덮는 패시베이션층이 형성될 수 있다. 패시베이션층은 무기물로 이루어질 수 있고, 단층 또는 복층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
평탄화층(115) 상에 연결 전극(CE)이 배치된다. 연결 전극(CE)은 발광 소자(LED)와 트랜지스터(TR)를 연결하기 위한 구성이다. 연결 전극(CE)은 평탄화층(115)에 형성된 컨택홀을 통해 복수의 트랜지스터(TR)의 소스 전극(SE) 또는 드레인 전극(DE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 기판(111) 및 복수의 연결 기판(120) 상에 연결 배선(CL)이 배치된다. 연결 배선(CL)은 복수의 화소 기판(111) 또는 복수의 외곽 기판(131) 상의 패드를 전기적으로 연결하는 배선을 의미한다.
연결 배선(CL)은 제1 연결 배선(CL1) 및 제2 연결 배선(CL2)을 포함한다. 제1 연결 배선(CL1) 및 제2 연결 배선(CL2)은 복수의 화소 기판(111) 사이에 배치된다. 구체적으로, 제1 연결 배선(CL1)은 연결 배선(CL) 중 복수의 화소 기판(111) 사이에서 X 축 방향으로 연장되는 배선을 의미하고, 제2 연결 배선(CL2)은 연결 배선(CL) 중 복수의 화소 기판(111) 사이에서 Y 축 방향으로 연장되는 배선을 의미한다. 예를 들어, 제1 연결 배선(CL1)은 복수의 연결 기판(120) 중 제1 연결 기판(121) 상에 배치되고, 제2 연결 배선(CL2)은 제2 연결 기판(122) 상에 배치될 수 있다.
연결 배선(CL)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo)과 같은 금속 재질 또는 구리/몰리브덴-티타늄(Cu/Moti), 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti) 등과 같은 금속 재질의 적층 구조로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
일반적인 표시 장치의 경우, 복수의 스캔 배선, 복수의 데이터 배선 등과 같은 다양한 배선은 복수의 서브 화소 사이에서 직선 형상으로 연장되어 배치되며, 하나의 신호 배선에 복수의 서브 화소가 연결된다. 이에, 일반적인 표시 장치의 경우, 스캔 배선, 데이터 배선, 고전위 전원 배선, 저전위 전원 배선(VSS), 기준 배선 등과 같은 다양한 배선은 기판 상에서 끊김 없이 유기 발광 표시 장치의 일 측에서 타 측으로 연장되어 배치된다.
이와 달리, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 경우, 일반적인 표시 장치에서 사용되는 것으로 볼 수 있는 직선 형상의 스캔 배선, 데이터 배선, 고전위 전원 배선, 저전위 전원 배선(VSS), 기준 배선 등과 같은 다양한 배선은 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131) 상에만 배치된다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 직선 형상의 배선은 복수의 화소 기판(111) 및 복수의 외곽 기판(131) 상에만 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 화소 기판(111) 또는 외곽 기판(131) 상에서의 불연속적인 배선들을 연결하기 위해, 서로 인접하는 2개의 화소 기판(111) 또는 2개의 외곽 기판(131) 상의 패드를 연결 배선(CL)으로 연결할 수 있다. 즉, 연결 배선(CL)은 서로 인접하는 화소 기판(111), 외곽 기판(131) 및 화소 기판(111)과 외곽 기판(131) 상의 패드를 전기적으로 연결한다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 스캔 배선, 데이터 배선, 고전위 전원 배선, 저전위 전원 배선(VSS), 기준 배선 등과 같은 다양한 배선을 복수의 화소 기판(111), 복수의 외곽 기판(131) 및 복수의 화소 기판(111)과 복수의 외곽 기판(131) 사이에서 전기적으로 연결하도록 복수의 연결 배선(CL)을 포함할 수 있다. 예를 들면, X축 방향으로 인접하여 배치된 복수의 화소 기판(111) 상에는 스캔 배선이 배치될 수 있고, 스캔 배선의 양 끝단에는 게이트 패드가 배치될 수 있다. 이때, X축 방향으로 인접하여 배치된 복수의 화소 기판(111) 상의 복수의 게이트 패드 각각은 스캔 배선으로 기능하는 제1 연결 배선(CL1)에 의해 서로 연결될 수 있다. 이에, 복수의 화소 기판(111) 상에 배치된 스캔 배선과 연결 기판(120) 상에 배치된 제1 연결 배선(CL1)이 하나의 스캔 배선으로 기능할 수 있다. 또한, 표시 장치(100)에 포함될 수 있는 모든 다양한 배선 중 X축 방향으로 연장하는 배선, 예를 들어, 저전위 전원 배선(VSS), 고전위 전원 배선 또한 상술한 바와 같이, 제1 연결 배선(CL1)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 제1 연결 배선(CL1)은 X축 방향으로 인접하여 배치된 복수의 화소 기판(111) 상의 패드 중 나란히 배치된 2개의 화소 기판(111) 상의 패드들을 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 연결 배선(CL1)은 동일한 행에 배치되어 X축 방향에서 서로 이웃한 한 쌍의 제1 화소 기판(111) 상의 패드들을 전기적으로 연결할 수 있다. 그리고 복수의 제1 연결 배선(CL1)은 동일한 행에 배치되어 X축 방향에서 서로 이웃한 한 쌍의 제2 화소 기판(111) 상의 패드들을 전기적으로 연결할 수 있다.
복수의 제1 연결 배선(CL1)은 스캔 배선, 고전위 전원 배선 및 저전위 전원 배선(VSS)으로 기능할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 예를 들면, 복수의 제1 연결 배선(CL1) 중 하나의 제1 연결 배선(CL1)은 스캔 배선으로 기능할 수 있고, X축 방향으로 나란히 배치된 2개의 화소 기판(111) 상의 게이트 패드를 전기적으로 연결할 수 있다. 이에, 앞서 설명한 바와 같이, 동일한 행에 배치된 복수의 화소 기판(111) 상의 게이트 패드는 스캔 배선으로 기능하는 하나의 제1 연결 배선(CL1)에 의해 연결될 수 있고, 하나의 스캔 신호가 전달될 수 있다.
또한, 복수의 제1 연결 배선(CL1) 중 다른 하나의 제1 연결 배선(CL1)은 저전위 전원 배선(VSS)으로 기능할 수 있고, X축 방향에서 나란히 배치된 2개의 화소 기판(111) 상의 패드를 전기적으로 연결할 수 있다. 복수의 제1 연결 배선(CL1) 중 나머지 제1 연결 배선(CL1)은 고전위 전원 배선으로 기능할 수 있고, X축 방향에서 나란히 배치된 2개의 화소 기판(111) 상의 패드를 전기적으로 연결할 수 있다.
복수의 제2 연결 배선(CL2)은 Y축 방향으로 인접하여 배치된 복수의 화소 기판(111) 상의 패드 중 나란히 배치된 2개의 화소 기판(111) 상의 패드들을 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 연결 배선(CL2)은 동일한 열에 배치되어 Y축 방향에서 서로 이웃한 제1 화소 기판(111)과 제2 화소 기판(111) 상의 패드들을 전기적으로 연결할 수 있다.
복수의 제2 연결 배선(CL2)은 데이터 배선으로 기능할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 복수의 제2 연결 배선(CL2)은 적색 데이터 신호, 청색 데이터 신호 및 녹색 데이터 신호 각각을 전달하는 데이터 배선으로 기능할 수 있고, Y축 방향에서 나란히 배치된 2개의 화소 기판(111) 상의 데이터 배선을 전기적으로 연결할 수 있다. 이에, 상술한 바와 같이, 복수의 화소 기판(111) 상의 데이터 배선은 데이터 배선으로 기능하는 복수의 제2 연결 배선(CL2)에 의하여 연결될 수 있고, 하나의 데이터 신호가 전달될 수 있다. 다만, 서브 화소에 배치된 회로의 구성에 따라 복수의 제2 연결 배선(CL2)은 기준 배선 등 다양한 배선으로 기능할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
도 1을 참조하면, 복수의 연결 배선(CL)은 복수의 화소 기판(111)과 복수의 외곽 기판(131) 상의 패드들을 서로 연결하거나, Y축 방향으로 인접하여 배치된 복수의 외곽 기판(131) 상의 패드 중 나란히 배치된 2개의 외곽 기판(131) 상의 패드들을 서로 연결하는 배선을 더 포함할 수 있다.
제1 연결 배선(CL1)은 화소 기판(111) 상에 배치된 평탄화층(115)의 상면 및 측면과 접하며 제1 연결 기판(121)의 상면으로 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 제2 연결 배선(CL2)은 화소 기판(111) 상에 배치된 평탄화층(115)의 상면 및 측면과 접하며 제2 연결 기판(122)의 상면으로 연장되어 형성될 수 있다.
한편, 도 4에서는 연결 배선(CL)이 평탄화층(115)에 형성된 컨택홀을 통해 평탄화층(115) 하부의 패드와 연결된 경우, 즉, 연결 배선(CL)이 점핑 방식으로 화소 기판(111) 상의 구성요소와 전기적으로 연결되는 경우를 도시하였다. 다만, 이에 제한되지 않고, 연결 배선(CL)은 화소 기판(111) 상의 일 평면 상에서 일직선으로 연장하여 복수의 배선 또는 패드와 같이 기능할 수 있다. 예를 들어, 복수의 연결 배선(CL) 중 저전위 전원 신호를 전달하는 제1 연결 배선(CL1)은 점핑 방식으로 다른 구성요소와 연결되지 않고, 평탄화층(115)의 상면 전체를 가로지르도록 일직선으로 연장될 수 있고, 평탄화층(115) 상면에 배치된 제1 연결 배선(CL1)의 일부분은 저전위 전원 배선(VSS)으로 기능할 수 있다. 즉, 제1 연결 배선(CL1)과 저전위 전원 배선(VSS)이 분리되지 않고, 일체로 이루어질 수도 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 평탄화층(115) 상에 복수의 발광 소자(LED)가 배치된다. 복수의 발광 소자(LED)는 전압이 인가될 시 빛을 발광하는 소자이다. 복수의 발광 소자(LED)는 적색 광, 녹색 광, 청색 광 등을 발광하는 발광 소자(LED)를 포함할 수 있고, 이들의 조합으로 백색을 포함하는 다양한 색상의 광을 구현할 수 있다.
복수의 발광 소자(LED)는 화소 기판(111)의 엣지에 배치될 수 있다. 복수의 발광 소자(LED)는 화소 기판(111)의 엣지에 중첩하도록 배치될 수 있다. 복수의 발광 소자(LED)는 일부분이 평탄화층(115) 상면에 중첩하고, 나머지 부분은 평탄화층(115) 외측으로 돌출될 수 있다.
그리고 복수의 발광 소자(LED) 각각은 평탄화층(115) 상면으로 연장된 연결 배선(CL) 일부분과는 이격되어 배치될 수 있다. 복수의 발광 소자(LED)는 평탄화층(115) 상면으로 연장된 연결 배선(CL) 각각의 사이에서 평탄화층(115) 상면의 엣지이자 화소 기판(111)의 엣지에 중첩하도록 배치될 수 있다.
복수의 발광 소자(LED)는 복수의 적색 발광 소자(160), 복수의 녹색 발광 소자(170) 및 복수의 청색 발광 소자(180)를 포함한다. 하나의 화소 기판(111) 상에 복수의 적색 발광 소자(160), 복수의 녹색 발광 소자(170) 및 복수의 청색 발광 소자(180)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소 기판(111)에서 평탄화층(115) 상에 2개의 적색 발광 소자(160), 2개의 녹색 발광 소자(170) 및 2개의 청색 발광 소자(180)가 배치될 수 있다.
복수의 적색 발광 소자(160)는 하나의 화소 기판(111) 상에 함께 배치된 제1 적색 발광 소자(160a) 및 제2 적색 발광 소자(160b)를 포함한다. 예를 들어, 제1 적색 발광 소자(160a)는 화소 기판(111)의 네 모서리 중 어느 하나에 배치될 수 있고, 제2 적색 발광 소자(160b)는 제1 적색 발광 소자(160a)와 인접한 화소 기판(111)의 다른 모서리에 배치될 수 있다.
복수의 녹색 발광 소자(170)는 하나의 화소 기판(111) 상에 함께 배치된 제1 녹색 발광 소자(170a) 및 제2 녹색 발광 소자(170b)를 포함한다. 예를 들어, 제1 녹색 발광 소자(170a)는 화소 기판(111)의 좌측 엣지에서 화소 기판(111) 상으로 연장된 제1 연결 배선(CL1) 각각의 사이에 배치될 수 있고, 제2 녹색 발광 소자(170b)는 화소 기판(111)의 우측 엣지에서 화소 기판(111) 상으로 연장된 제1 연결 배선(CL1) 각각의 사이에 배치될 수 있다.
복수의 청색 발광 소자(180)는 하나의 화소 기판(111) 상에 함께 배치된 제1 청색 발광 소자(180a) 및 제2 청색 발광 소자(180b)를 포함한다. 예를 들어, 제1 청색 발광 소자(180a) 및 제2 청색 발광 소자(180b) 각각은 화소 기판(111)의 네 모서리 중 적색 발광 소자(160)가 배치되지 않은 나머지 두 모서리에 배치될 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 녹색 발광 소자(170)는 n형 반도체층(171), 녹색 발광층(172), p형 반도체층(173), n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE)을 포함할 수 있다.
평탄화층(115) 상에 n형 반도체층(171)이 배치되고, n형 반도체층(171) 상에 p형 반도체층(173)이 배치된다. n형 반도체층(171) 및 p형 반도체층(173)은 질화 갈륨(GaN)과 같은 물질에 n형 및 p형의 불순물을 도핑하여 형성된 층일 수 있다. 예를 들어, p형의 불순물은 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be) 등일 수 있고, n형의 불순물은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
n형 반도체층(171) 및 p형 반도체층(173) 사이에 녹색 발광층(172)이 배치된다. 녹색 발광층(172)은 n형 반도체층(171) 및 p형 반도체층(173)으로부터 정공 및 전자를 공급받아 빛을 발광할 수 있다. 예를 들어, 녹색 발광층(172)은 n형 반도체층(171) 및 p형 반도체층(173)으로부터 정공 및 전자를 공급받아 녹색의 빛을 발광할 수 있다. 녹색 발광층(172)은 단층 또는 다중 양자 우물(Multi-Quantum Well, MQW) 구조로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 인듐 갈륨 질화물(InGaN) 또는 질화갈륨(GaN) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
n형 반도체층(171)의 일부분은 녹색 발광층(172) 및 p형 반도체층(173)의 외측으로 돌출된다. 녹색 발광층(172) 및 p형 반도체층(173)은 n형 반도체층(171)의 상면을 노출시키도록 n형 반도체층(171)보다 작은 크기를 가질 수 있다. n형 반도체층(171)은 n형 전극(NE)과 전기적으로 연결되기 위해 녹색 발광층(172) 및 p형 반도체층(173)으로부터 노출될 수 있다.
n형 반도체층(171) 및 p형 반도체층(173) 각각의 상부에 n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE)이 배치된다. n형 전극(NE)은 n형 반도체층(171)의 상면에 접하여 n형 반도체층(171)과 전기적으로 연결되고, p형 전극(PE)은 p형 반도체층(173)의 상면에 접하여 p형 반도체층(173)과 전기적으로 연결될 수 있다.
적색 발광 소자(160) 및 청색 발광 소자(180) 또한 녹색 발광 소자(170)와 동일하게 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층, n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 적색 발광 소자(160)는 n형 반도체층, 적색 발광층, p형 반도체층, n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE)을 포함한다. 즉, 적색 발광 소자(160)는 녹색 발광 소자(170)와 비교하여 적색 발광층을 포함하는 점을 제외하면 실질적으로 동일한 구조를 갖는다.
예를 들어, 적색 발광 소자(160)는 평탄화층(115) 상에 n형 반도체층이 배치되고, n형 반도체층 상에 p형 반도체층이 배치된다. n형 반도체층 및 p형 반도체층은 특정 물질에 n형 및 p형의 불순물을 도핑하여 형성된 층일 수 있다. 예를 들어, n형 반도체층은 인듐 알루미늄 인화물(InAlP)에 n형의 불순물을 도핑하여 형성될 수 있고, p형 반도체층은 갈륨 비소(GaAs)에 p형의 불순물을 도핑하여 형성될 수 있다. 예를 들어, p형의 불순물은 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be) 등일 수 있고, n형의 불순물은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 적색 발광층이 배치된다. 적색 발광층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층으로부터 정공 및 전자를 공급받아 빛을 발광할 수 있다. 예를 들어, 적색 발광층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층으로부터 정공 및 전자를 공급받아 적색의 빛을 발광할 수 있다. 적색 발광층은 단층 또는 다중 양자 우물(Multi-Quantum Well, MQW) 구조로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 인듐 갈륨 질화물(InGaN) 또는 질화갈륨(GaN) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
n형 반도체층의 일부분은 적색 발광층 및 p형 반도체층의 외측으로 돌출된다. 적색 발광층 및 p형 반도체층은 n형 반도체층의 상면을 노출시키도록 n형 반도체층보다 작은 크기를 가질 수 있다. n형 반도체층은 n형 전극(NE)과 전기적으로 연결되기 위해 적색 발광층 및 p형 반도체층으로부터 노출될 수 있다.
n형 반도체층 상에 n형 전극(NE)이 배치되고, p형 반도체층 상에 p형 전극(PE)이 배치된다. n형 전극(NE)은 n형 반도체층의 상면에 접하여 n형 반도체층에 전기적으로 연결되고, p형 전극(PE)은 p형 반도체층의 상면에 접하여 p형 반도체층에 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 청색 발광 소자(180)는 n형 반도체층, 청색 발광층, p형 반도체층, n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE)을 포함한다. 청색 발광 소자(180)는 녹색 발광 소자(170)와 비교하여 청색 발광층을 포함하는 점을 제외하면, 실질적으로 동일한 구조를 갖는다.
예를 들어, 청색 발광 소자(180)의 n형 반도체층 및 p형 반도체층은 질화 갈륨(GaN)과 같은 물질에 n형 및 p형의 불순물을 도핑하여 형성된 층일 수 있다. 예를 들어, p형의 불순물은 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 베릴륨(Be) 등일 수 있고, n형의 불순물은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 등일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 청색 발광층이 배치된다. 청색 발광층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층으로부터 정공 및 전자를 공급받아 빛을 발광할 수 있다. 예를 들어, 청색 발광층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층으로부터 정공 및 전자를 공급받아 청색의 빛을 발광할 수 있다. 청색 발광층은 단층 또는 다중 양자 우물(Multi-Quantum Well, MQW) 구조로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 인듐 갈륨 질화물(InGaN) 또는 질화갈륨(GaN) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
n형 반도체층의 일부분은 청색 발광층 및 p형 반도체층의 외측으로 돌출된다. 청색 발광층 및 p형 반도체층은 n형 반도체층의 상면을 노출시키도록 n형 반도체층보다 작은 크기를 가질 수 있다. n형 반도체층은 n형 전극(NE)과 전기적으로 연결되기 위해 청색 발광층 및 p형 반도체층으로부터 노출될 수 있다.
n형 반도체층 및 p형 반도체층 각각의 상부에 n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE)이 배치된다. n형 전극(NE)은 n형 반도체층의 상면에 접하여 n형 반도체층과 전기적으로 연결되고, p형 전극(PE)은 p형 반도체층의 상면에 접하여 p형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 본 명세서에서는 발광 소자(LED)로 LED가 사용되는 것으로 설명되었으나, 퀀텀닷 발광 소자(Quantum dot light-emitting diode; QLED) 또한 발광 소자(LED)로 사용될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
한편, 복수의 발광 소자(LED)는 n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE)이 발광층의 양측에 배치된 수평형(lateral) 구조로 이루어질 수 있다. 만약, 복수의 발광 소자(LED)가 n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE) 중 어느 하나가 발광 소자(LED) 하면에 배치되는 수직형(vertical) 구조인 경우, n형 전극(NE) 또는 p형 전극(PE)은 일부분만이 평탄화층(115) 상면에 중첩하므로, n형 전극(NE) 또는 p형 전극(PE)은 평탄화층(115) 상면에 배치된 배선이나 패드에 일부분만이 접할 수 있고, 전기적으로 연결되기 어려울 수 있다. 마찬가지로, 복수의 발광 소자(LED)가 n형 전극(NE) 및 p형 전극(PE) 둘 다 발광 소자(LED) 하면에 배치되는 플립칩(flip chip) 구조인 경우, n형 전극(NE) 또는 p형 전극(PE) 중 어느 하나는 평탄화층(115)에 중첩하지 않거나, n형 전극(NE)의 일부와 p형 전극(PE)의 일부만이 평탄화층(115)에 중첩하므로, n형 전극(NE)과 p형 전극(PE)을 평탄화층(115) 상면의 배선이나 패드에 전기적으로 연결하기 어려울 수 있다. 그러므로, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 복수의 발광 소자(LED)를 수평형 구조로 구성하고, 복수의 발광 소자(LED) 상부에 후술하게 될 n형 연결 배선(NCL) 및 p형 연결 배선(PCL)을 형성하여 복수의 발광 소자(LED)와 화소 회로를 용이하게 연결할 수 있다.
복수의 발광 소자(LED)와 평탄화층(115) 사이에 제1 접착층(AD1)이 배치된다. 복수의 발광 소자(LED) 각각의 하면에 제1 접착층(AD1)이 배치된다. 제1 접착층(AD1)은 복수의 발광 소자(LED) 각각의 n형 반도체층(171) 하면 전체에 배치되어, 복수의 발광 소자(LED)를 평탄화층(115)에 접착시킬 수 있다. 예를 들어, 하면에 제1 접착층(AD1)이 형성된 복수의 발광 소자(LED)를 화소 기판(111)으로 전사하여 복수의 발광 소자(LED)를 화소 기판(111) 상에 부착할 수 있다.
복수의 발광 소자(LED)의 하면 전체에 배치된 제1 접착층(AD1)은 일부분만이 화소 기판(111) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 복수의 발광 소자(LED)는 일부분이 평탄화층(115) 상면에 중첩하고, 나머지 부분은 평탄화층(115) 상면 외측으로 돌출되어 배치된다. 복수의 발광 소자(LED)의 일부분 및 제1 접착층(AD1)의 일부분은 평탄화층(115) 상면에 중첩하고, 복수의 발광 소자(LED)의 나머지 부분 및 제1 접착층(AD1)의 나머지 부분은 평탄화층(115) 상면에 중첩하지 않을 수 있다. 그러므로, 제1 접착층(AD1)의 일부분만이 평탄화층(115)에 접하여 복수의 발광 소자(LED)를 평탄화층(115) 상에 고정시킬 수 있다. 이 경우, 복수의 발광 소자(LED)를 평탄화층(115)에 안정적으로 부착시키기 위해 복수의 발광 소자(LED) 하면의 약 50% 이상이 평탄화층(115) 상면에 중첩하도록 배치될 수 있다.
복수의 발광 소자(LED) 및 평탄화층(115) 상에 제1 절연층(116)이 배치되고, 제1 절연층(116) 상에 제2 절연층(117)이 배치된다. 제1 절연층(116) 및 제2 절연층(117)은 복수의 발광 소자(LED)를 보호 및 고정하기 위한 구성으로, 복수의 발광 소자(LED)를 덮도록 배치될 수 있다. 제1 절연층(116) 및 제2 절연층(117)은 투광성 에폭시, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 3 및 도 4를 함께 참조하면, 제2 절연층(117) 상에 복수의 p형 연결 배선(PCL)이 배치된다. 복수의 p형 연결 배선(PCL)은 동일한 색상의 광을 발광하는 복수의 발광 소자(LED)의 p형 전극(PE)을 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 복수의 p형 연결 배선(PCL)은 하나의 화소 기판(111) 상에 배치된 제1 적색 발광 소자(160a)와 제2 적색 발광 소자(160b) 각각의 p형 전극(PE)을 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 복수의 p형 연결 배선(PCL)은 하나의 화소 기판(111) 상에 배치된 제1 녹색 발광 소자(170a)와 제2 녹색 발광 소자(170b) 각각의 p형 전극(PE)을 서로 연결하고, 제1 청색 발광 소자(180a) 및 제2 청색 발광 소자(180b) 각각의 p형 전극(PE)을 서로 연결할 수 있다. 따라서, p형 연결 배선(PCL)을 통해 동일한 색상의 광을 발광하는 복수의 발광 소자(LED)는 p형 전극(PE)에 동일한 전압이 인가될 수 있다.
한편, 복수의 발광 소자(LED) 각각의 p형 전극(PE)은 복수의 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결되고, n형 전극(NE)은 저전위 전원 배선(VSS)과 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 발광 소자(LED)는 트랜지스터(TR)와 저전위 전원 배선(VSS) 각각으로부터 전압에 의해 발광할 수 있다.
도 4를 참조하면, 복수의 p형 연결 배선(PCL)은 복수의 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결되어, 복수의 발광 소자(LED)의 p형 전극(PE)을 복수의 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결할 수 있다. p형 연결 배선(PCL)은 제1 절연층(116) 및 제2 절연층(117)을 향해 연장되어, 트랜지스터(TR)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, p형 연결 배선(PCL) 일부분은 제2 절연층(117) 및 제1 절연층(116)을 관통하여 평탄화층(115) 상면으로 연장될 수 있고, 평탄화층(115) 상면의 연결 전극(CE)에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 복수의 발광 소자(LED) 각각의 p형 전극(PE)은 p형 연결 배선(PCL)을 통해 복수의 트랜지스터(TR) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 제2 절연층(117) 상에 복수의 n형 연결 배선(NCL)이 배치된다. 복수의 n형 연결 배선(NCL)은 동일한 색상의 광을 발광하는 복수의 발광 소자(LED)의 n형 전극(NE)을 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 복수의 n형 연결 배선(NCL)은 하나의 화소 기판(111) 상에 배치된 제1 적색 발광 소자(160a)와 제2 적색 발광 소자(160b) 각각의 n형 전극(NE)을 서로 연결할 수 있다. 예를 들어, 복수의 n형 연결 배선(NCL)은 하나의 화소 기판(111) 상에 배치된 제1 녹색 발광 소자(170a) 및 제2 녹색 발광 소자(170b) 각각의 n형 전극(NE)을 서로 연결하고, 제1 청색 발광 소자(180a) 및 제2 청색 발광 소자(180b) 각각의 n형 전극(NE)을 서로 연결할 수 있다. 따라서, n형 연결 배선(NCL)을 통해 동일한 색상의 광을 발광하는 복수의 발광 소자(LED)는 n형 전극(NE)에 동일한 전압이 인가될 수 있다.
그리고 복수의 n형 연결 배선(NCL)은 저전위 전원 배선(VSS)과 전기적으로 연결되어, 복수의 발광 소자(LED) 각각의 n형 전극(NE)을 저전위 전원 배선(VSS)과 전기적으로 연결할 수 있다.
저전위 전원 배선(VSS)을 복수의 발광 소자(LED)의 n형 전극(NE)과 전기적으로 연결하기 위해, 화소 기판(111) 상에 보조 저전위 전원 배선(VSSA)이 더 배치된다. 보조 저전위 전원 배선(VSSA)은 화소 기판(111)의 제1 절연층(116) 상에서 Y축 방향을 따라 배치될 수 있다. 보조 저전위 전원 배선(VSSA)은 제1 절연층(116) 및 평탄화층(115)에 형성된 컨택홀을 통해 층간 절연층(114) 상의 저전위 전원 배선(VSS)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 제2 절연층(117) 상의 복수의 n형 연결 배선(NCL)은 제2 절연층(117)에 형성된 컨택홀을 통해 보조 저전위 전원 배선(VSSA)에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 보조 저전위 전원 배선(VSSA)을 통해 저전위 전원 배선(VSS)과 복수의 n형 연결 배선(NCL) 각각이 전기적으로 연결될 수 있다.
도면에서는 저전위 전원 배선(VSS)이 보조 저전위 전원 배선(VSSA)을 통해 복수의 n형 연결 배선(NCL)과 전기적으로 연결된 것으로 도시하였으나, 저전위 전원 배선(VSS)과 복수의 n형 연결 배선(NCL)은 직접 연결될 수도 있으며, 저전위 전원 배선(VSS), 보조 저전위 전원 배선(VSSA) 및 복수의 n형 연결 배선(NCL)의 설계는 이에 제한되지 않는다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 복수의 발광 소자(LED) 및 하부 기판(110)을 덮도록 제2 접착층(AD2) 및 상부 기판(US)이 배치된다.
상부 기판(US)은 상부 기판(US)의 아래에 배치되는 다양한 구성요소들을 지지하는 기판이다. 상부 기판(US)은 하부 기판(110) 상의 구성요소들을 덮도록 배치된 일종의 필름일 수 있다. 예를 들어, 상부 기판(US)은 하부 기판(110) 상에 배치된 화소 기판(111), 복수의 발광 소자(LED), 복수의 n형 연결 배선(NCL), 복수의 p형 연결 배선(PCL), 복수의 연결 기판(120) 및 복수의 연결 배선(CL) 등을 덮도록 배치될 수 있다.
상부 기판(US)은 연성 기판으로서 휘어지거나 늘어날 수 있는 절연 물질로 구성될 수 있다. 상부 기판(US)은 연성 기판으로서, 팽창 및 수축이 가역적으로 가능할 수 있다. 또한 탄성 계수(elastic modulus)가 수 MPa 내지 수 백 MPa일 수 있으며, 연신 파괴율이 100% 이상일 수 있다. 상부 기판(US)의 두께는 10um 내지 1mm일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상부 기판(US)은 하부 기판(110)과 동일한 물질로 이루어진 필름일 수 있다. 예를 들어, 상부 기판(US)은 폴리 메탈 실록산(polydimethylsiloxane; PDMS)과 같은 실리콘 고무(Silicone Rubber), 폴리 우레탄(polyurethane; PU), PTFE(polytetrafluoroethylene) 등의 탄성 중합체(elastomer)로 이루어진 필름일 수 있으며, 이에, 유연한 성질을 가질 수 있다. 그러나, 상부 기판(US)의 재질은 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 접착층(AD2)은 상부 기판(US)을 하부 기판(110)과 접착시키기 위한 구성이다. 제2 접착층(AD2)은 접착성을 갖는 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, OCA(Optical Clear Adhesive), PSA(Pressure Sensitive Adhesive) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 제2 접착층(AD2)에 의해 하부 기판(110)에 부착된 상부 기판(US)이 필름 타입인 경우, 화소 기판(111) 외측으로 돌출된 발광 소자(LED)의 일부분과 하부 기판(110) 사이의 공간에까지 상부 기판(US)이 배치되지 않을 수 있다. 화소 기판(111) 외측으로 돌출된 발광 소자(LED)의 일부분과 하부 기판(110) 사이는 빈 공간일 수 있고, 발광 소자(LED)에 중첩하는 화소 기판(111)의 측면 일부분은 상부 기판(US)과 이격될 수 있다. 아울러, 복수의 발광 소자(LED) 각각의 하면에 배치되고, 화소 기판(111) 외측으로 돌출된 제1 접착층(AD1)의 하면 일부분은 제2 접착층(AD2)과는 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 복수의 발광 소자(LED)를 평탄화층(115)의 엣지에 중첩하도록 배치하여, 화소 기판(111)에서 복수의 발광 소자(LED) 각각이 차지하는 면적을 줄일 수 있고, 하나의 화소 기판(111)에 배치되는 발광 소자(LED)의 개수를 늘릴 수 있다. 표시 장치(100)의 연신 특성을 위해 하부 기판(110) 상에서 강성 기판인 복수의 화소 기판(111)이 차지하는 면적을 일정 수준 이상으로 늘리기 어렵다. 만약, 하부 기판(110)에서 복수의 화소 기판(111)이 차지하는 면적을 늘리는 경우, 강성 기판인 복수의 화소 기판(111)에 의해 표시 장치(100)의 연신이 어려울 수 있다. 이에, 복수의 화소 기판(111)의 면적이 제한적이고, 복수의 화소 기판(111) 상에 전사되는 복수의 발광 소자(LED)의 개수 또한 늘리기 어려울 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소 기판(111) 상에 복수의 발광 소자(LED)를 배치하는 경우, 복수의 발광 소자(LED)를 구동하기 위한 구동 회로, 복수의 패드(PD) 등이 함께 배치되어야 하므로 하나의 화소 기판(111) 상에 배치될 수 있는 복수의 발광 소자(LED)의 개수는 제한적이었다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 복수의 발광 소자(LED)를 수평형으로 구성하고, 복수의 화소 기판(111)의 엣지를 따라 복수의 발광 소자(LED)를 배치함으로써, 복수의 발광 소자(LED)를 본딩하기 위한 범프 구조물 등을 간소화하고, 복수의 발광 소자(LED) 각각이 차지하는 면적을 줄일 수 있다. 복수의 발광 소자(LED)는 평탄화층(115)의 엣지에 중첩하도록 배치되어, 발광 소자(LED)의 일부분만이 평탄화층(115) 상면에 접하고, 나머지 부분은 평탄화층(115) 외측으로 돌출되어 배치될 수 있다. 따라서, 제한된 면적을 갖는 하나의 화소 기판(111) 상에서 복수의 발광 소자(LED) 일부분만을 화소 기판(111) 상에 접착시켜 하나의 화소 기판(111)에 배치될 수 있는 발광 소자(LED)의 개수를 증가시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 하나의 화소 기판(111) 상에서 동일 색상의 광을 발광하는 복수의 발광 소자(LED)를 병렬 연결하여, 어느 하나의 발광 소자(LED)에 불량이 발생하더라도 표시 품질이 저하되는 것을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 화소 기판(111)의 엣지를 따라 복수의 발광 소자(LED)를 배치함에 따라 최대한 많은 발광 소자(LED)를 하나의 화소 기판(111) 상에 전사할 수 있고, 하나의 화소 기판(111) 상에 복수의 적색 발광 소자(160), 복수의 녹색 발광 소자(170) 및 복수의 청색 발광 소자(180)를 배치할 수 있다. 그리고 복수의 n형 연결 배선(NCL) 및 복수의 p형 연결 배선(PCL)을 이용해 복수의 적색 발광 소자(160)를 서로 병렬 연결하고, 복수의 녹색 발광 소자(170)를 병렬 연결하며, 복수의 청색 발광 소자(180)를 병렬 연결할 수 있다. 이에, 하나의 화소 기판(111) 상에 배치된 복수의 적색 발광 소자(160)는 동시에 발광할 수 있고, 복수의 녹색 발광 소자(170) 및 복수의 청색 발광 소자(180) 또한 동시에 발광할 수 있다. 이때, 어느 하나의 발광 소자(LED)에서 불량이 발생하더라도, 나머지 하나의 발광 소자(LED)에서 더 높은 휘도의 광을 발광할 수 있으므로, 표시 품질 저하를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 서로 병렬 연결된 제1 적색 발광 소자(160a) 및 제2 적색 발광 소자(160b) 중 제1 적색 발광 소자(160a)가 불량인 경우, 제2 적색 발광 소자(160b)에 더 많은 양의 전류가 흐를 수 있고, 제1 적색 발광 소자(160a)가 발광하지 않더라도 제2 적색 발광 소자(160b)에서 더 강한 세기의 광을 발광할 수 있으므로, 불량인 제1 적색 발광 소자(160a)를 보상할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 동일한 색상의 광을 발광하는 복수의 발광 소자(LED) 각각의 n형 전극(NE)과 p형 전극(PE)을 서로 연결하여 하나의 구동 회로에 병렬 연결할 수 있고, 어느 하나의 발광 소자(LED) 불량 시, 나머지 발광 소자(LED)에서 높은 휘도의 광을 발광하여 불량 발광 소자(LED)를 보상할 수 있고, 표시 품질 저하를 최소화할 수 있다.
<상부 기판>
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 6의 표시 장치(600)는 도 1 내지 도 5의 표시 장치(100)와 비교하여 상부 기판(US)이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, 상부 기판(US)은 하부 기판(110) 상의 다양한 구성요소들을 보호한다. 상부 기판(US)은 하부 기판(110) 상의 구성요소들을 모두 덮는 코팅층일 수 있다. 구체적으로, 상부 기판(US)은 상부 기판(US)을 구성하는 물질을 하부 기판(110) 및 화소 기판(111) 상에 코팅한 후 경화시키는 방식으로 형성하여, 하부 기판(110), 화소 기판(111), 연결 기판(120) 및 연결 배선(CL)에 접하도록 배치될 수 있다.
이 경우, 상부 기판(US)은 코팅 타입이므로, 화소 기판(111) 외측으로 돌출된 발광 소자(LED)의 일부분과 하부 기판(110) 사이의 공간까지 채울 수 있고, 상부 기판(US)은 화소 기판(111) 외측으로 돌출된 제1 접착층(AD1)의 하면에까지 접할 수 있다. 따라서, 상부 기판(US)은 하부 기판(110)과 발광 소자(LED) 사이의 공간을 채우도록 배치되어, 평탄화층(115) 상면으로부터 돌출된 발광 소자(LED) 일부분을 지지할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는 상부 기판(US)을 코팅 타입으로 구성하여, 복수의 화소 기판(111) 외측으로 일부분이 돌출된 복수의 발광 소자(LED)를 안정적으로 지지할 수 있다. 복수의 발광 소자(LED) 각각은 제1 접착층(AD1)에 의해 일부분만이 평탄화층(115) 상면에 접착되고, 나머지 부분은 평탄화층(115)과 이격되어 다른 구성요소에 접착되지 않은 상태이다. 그리고 평탄화층(115)에 접착되지 않은 복수의 발광 소자(LED) 각각의 나머지 부분을 지지하도록 상부 기판(US)을 이루는 물질을 하부 기판(110) 전면에 코팅할 수 있다. 이에, 상부 기판(US)은 평탄화층(115) 외측으로 돌출된 복수의 발광 소자(LED) 각각의 나머지 부분과 하부 기판(110) 사이의 빈 공간을 채울 수 있고, 복수의 발광 소자(LED)를 지지 및 고정할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는 상부 기판(US)을 코팅 타입으로 구성하여, 일부분이 화소 기판(111) 외측으로 돌출된 복수의 발광 소자(LED)를 지지할 수 있다.
<독립 구동>
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 7의 표시 장치(700)는 도 1 내지 도 5의 표시 장치(100)와 비교하여 복수의 p형 연결 배선(PCL)이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 화소 기판(111) 상에 복수의 발광 소자(LED) 각각의 p형 전극(PE)에 전기적으로 연결된 복수의 p형 연결 배선(PCL)이 배치된다. 복수의 p형 연결 배선(PCL)은 복수의 제1 p형 연결 배선(PCLa) 및 복수의 제2 p형 연결 배선(PCLb)을 포함한다.
복수의 제1 p형 연결 배선(PCLa)은 복수의 발광 소자(LED) 중 제1 적색 발광 소자(160a), 제1 녹색 발광 소자(170a) 및 제1 청색 발광 소자(180a) 각각에 전기적으로 연결된다. 복수의 제1 p형 연결 배선(PCLa) 각각은 제1 적색 발광 소자(160a)의 p형 전극(PE), 제1 녹색 발광 소자(170a)의 p형 전극(PE) 및 제1 청색 발광 소자(180a)의 p형 전극(PE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 제2 p형 연결 배선(PCLb)은 복수의 발광 소자(LED) 중 제2 적색 발광 소자(160b), 제2 녹색 발광 소자(170b) 및 제2 청색 발광 소자(180b) 각각에 전기적으로 연결된다. 복수의 제2 p형 연결 배선(PCLb) 각각은 제2 적색 발광 소자(160b)의 p형 전극(PE), 제2 녹색 발광 소자(170b)의 p형 전극(PE) 및 제2 청색 발광 소자(180b)의 p형 전극(PE)에 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고 복수의 발광 소자(LED) 각각은 복수의 제1 p형 연결 배선(PCLa) 및 복수의 제2 p형 연결 배선(PCLb) 각각을 통해 서로 다른 트랜지스터(TR)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 적색 발광 소자(160a)에 연결된 제1 p형 연결 배선(PCLa)과 제2 적색 발광 소자(160b)에 연결된 제2 p형 연결 배선(PCLb)은 서로 다른 트랜지스터(TR)에 연결될 수 있다. 따라서, 복수의 p형 연결 배선(PCL)은 복수의 발광 소자(LED) 각각의 p형 전극(PE)을 서로 다른 트랜지스터(TR)에 연결하여 복수의 발광 소자(LED)를 개별적으로 구동할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(700)에서는 복수의 발광 소자(LED) 각각을 서로 다른 p형 연결 배선(PCL)에 연결하여 복수의 발광 소자(LED)를 독립적으로 구동할 수 있다. 복수의 발광 소자(LED)는 n형 전극(NE)이 저전위 전원 배선(VSS)에 연결되고, p형 전극(PE)이 화소 회로의 트랜지스터(TR)에 연결되어 빛을 발광할 수 있다. 이때, 복수의 발광 소자(LED)의 n형 전극(NE)은 저전위 전원 배선(VSS)에 연결하고, 복수의 발광 소자(LED) 각각의 p형 전극(PE)은 서로 다른 트랜지스터(TR)에 연결하는 경우, 트랜지스터(TR)를 제어하여 복수의 발광 소자(LED)를 독립적으로 구동할 수 있다. 이에, 복수의 발광 소자(LED) 각각의 p형 전극(PE)에 복수의 p형 연결 배선(PCL)을 연결하여 복수의 발광 소자(LED)를 서로 다른 트랜지스터(TR)에 전기적으로 연결할 수 있고, 복수의 발광 소자(LED)를 독립적으로 구동할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(700)에서는 복수의 발광 소자(LED)를 독립적으로 구동하여 고해상도의 영상을 표시할 수 있다. 복수의 발광 소자(LED) 각각이 독립적으로 발광할 수 있으므로, 복수의 발광 소자(LED) 각각이 하나의 서브 화소를 이룰 수 있다. 복수의 발광 소자(LED)의 일부분만을 화소 기판(111) 상에 배치하여 제한된 면적을 갖는 화소 기판(111) 상에 전사될 수 있는 발광 소자(LED)의 개수를 증가시킬 수 있다. 이에, 표시 장치(700)에 배치되는 복수의 발광 소자(LED)의 개수를 증가시킬 수 있고, 이러한 복수의 발광 소자(LED) 각각을 개별적으로 구동하여 복수의 서브 화소의 개수, 즉, 해상도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(700)에서는 복수의 발광 소자(LED)를 독립적으로 구동하여 고해상도의 영상을 표시할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 하부 기판, 하부 기판 상에 배치된 복수의 화소 기판, 및 복수의 화소 기판의 엣지에 배치된 복수의 발광 소자를 포함하고, 복수의 발광 소자의 일부분은 하부 기판에 중첩하고, 복수의 발광 소자의 나머지 부분은 복수의 화소 기판과 하부 기판에 중첩한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자는 동일한 색의 광을 발광하는 복수의 제1 발광 소자 및 복수의 제2 발광 소자를 포함하고, 복수의 제1 발광 소자 및 복수의 제2 발광 소자는 복수의 화소 기판 각각에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 발광 소자 및 복수의 제2 발광 소자 각각은, n형 반도체층, n형 반도체층 상에 배치된 n형 전극, n형 반도체층 상에 배치되고, n형 전극과 이격된 발광층, 발광층 상에 배치된 p형 반도체층, 및 p형 반도체층 상에 배치된 p형 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 발광 소자의 n형 전극과 복수의 제2 발광 소자의 n형 전극을 서로 연결하는 n형 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 발광 소자의 p형 전극과 복수의 제2 발광 소자의 p형 전극을 서로 연결하는 p형 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 발광 소자의 p형 전극 각각에 연결된 복수의 제1 p형 연결 배선, 및 복수의 제2 발광 소자의 p형 전극 각각에 연결된 복수의 제2 p형 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자는 수평형(lateral) 구조일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자 하면에 배치된 접착층을 더 포함하고, 접착층의 일부분은 하부 기판에 중첩하고, 접착층의 나머지 부분은 복수의 화소 기판과 하부 기판에 중첩할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자를 덮는 상부 기판을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상부 기판은 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된 복수의 발광 소자의 일부분과 하부 기판 사이의 공간과 이격될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상부 기판은 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된 복수의 발광 소자의 일부분과 하부 기판 사이의 공간 중 적어도 일부를 채울 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 하부 기판, 하부 기판 상에서 서로 이격되어 배치된 복수의 화소 기판, 및 복수의 화소 기판에 배치된 복수의 발광 소자를 포함하고, 복수의 발광 소자는, 복수의 화소 기판 중 하나의 화소 기판 상에 배치된 복수의 적색 발광 소자, 복수의 녹색 발광 소자, 및 복수의 청색 발광 소자를 포함하고, 복수의 발광 소자 각각은 적어도 일부분이 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자 각각은, 복수의 화소 기판 상의 n형 반도체층, n형 반도체층 상의 발광층, 발광층 상의 p형 반도체층, n형 반도체층 상에 배치되고, 발광층과 이격된 n형 전극, 및 p형 반도체층 상의 p형 전극을 포함하고, 복수의 발광 소자 중 적어도 일부의 발광 소자는 n형 전극이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나의 화소 기판 상에서 복수의 적색 발광 소자 각각의 p형 전극을 서로 연결하고, 복수의 녹색 발광 소자 각각의 p형 전극을 서로 연결하며, 복수의 청색 발광 소자 각각의 p형 전극을 서로 연결하는 복수의 p형 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 하나의 화소 기판 상에서 복수의 적색 발광 소자 중 일부 적색 발광 소자의 p형 전극, 복수의 녹색 발광 소자 중 일부 녹색 발광 소자의 p형 전극, 복수의 청색 발광 소자 중 일부 청색 발광 소자의 p형 전극 각각에 연결된 복수의 제1 p형 연결 배선, 및 하나의 화소 기판 상에서 복수의 적색 발광 소자 중 나머지 적색 발광 소자의 p형 전극, 복수의 녹색 발광 소자 중 나머지 녹색 발광 소자의 p형 전극, 복수의 청색 발광 소자 중 나머지 청색 발광 소자의 p형 전극 각각에 연결된 복수의 제2 p형 연결 배선을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자와 화소 기판 사이에 배치된 제1 접착층을 더 포함하고, 제1 접착층의 일부분은 복수의 화소 기판 외측으로 돌출될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자 및 복수의 화소 기판을 덮는 상부 기판, 및 상부 기판과 복수의 발광 소자 사이에 배치된 제2 접착층을 더 포함하고, 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된 제1 접착층의 하면 중 적어도 일부분은 제2 접착층과 이격될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자 및 복수의 화소 기판을 덮는 상부 기판을 더 포함하고, 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된 제1 접착층의 하면은 상부 기판에 접할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 600, 700: 표시 장치
110: 하부 기판
111: 화소 기판
112: 버퍼층
113: 게이트 절연층
114: 층간 절연층
115: 평탄화층
116: 제1 절연층
117: 제2 절연층
120: 연결 기판
121: 제1 연결 기판
122: 제2 연결 기판
131: 외곽 기판
140: COF
141: 베이스 필름
142: 구동 IC
150: 인쇄 회로 기판
TR: 트랜지스터
ACT: 액티브층
GE: 게이트 전극
SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극
LED: 발광 소자
160: 적색 발광 소자
160a: 제1 적색 발광 소자
160b: 제2 적색 발광 소자
170: 녹색 발광 소자
170a: 제1 녹색 발광 소자
170b: 제2 녹색 발광 소자
171: n형 반도체층
172: 녹색 발광층
173: p형 반도체층
NE: n형 전극
PE: p형 전극
180: 청색 발광 소자
180a: 제1 청색 발광 소자
180b: 제2 청색 발광 소자
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
GD: 게이트 구동부
US: 상부 기판
AD1: 제1 접착층
AD2: 제2 접착층
CL: 연결 배선
CL1: 제1 연결 배선
CL2: 제2 연결 배선
VSS: 저전위 전원 배선
VSSA: 보조 저전위 전원 배선
NCL: n형 연결 배선
PCL: p형 연결 배선
PCLa: 제1 p형 연결 배선
PCLb: 제2 p형 연결 배선
PD: 패드
CE: 연결 전극

Claims (18)

  1. 하부 기판;
    상기 하부 기판 상에 배치된 복수의 화소 기판; 및
    상기 복수의 화소 기판의 엣지에 배치된 복수의 발광 소자를 포함하고,
    상기 복수의 발광 소자의 일부분은 상기 하부 기판에 중첩하고, 상기 복수의 발광 소자의 나머지 부분은 상기 복수의 화소 기판과 상기 하부 기판에 중첩하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자는 동일한 색의 광을 발광하는 복수의 제1 발광 소자 및 복수의 제2 발광 소자를 포함하고,
    상기 복수의 제1 발광 소자 및 상기 복수의 제2 발광 소자는 상기 복수의 화소 기판 각각에 배치된, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 제1 발광 소자 및 상기 복수의 제2 발광 소자 각각은,
    n형 반도체층;
    상기 n형 반도체층 상에 배치된 n형 전극;
    상기 n형 반도체층 상에 배치되고, 상기 n형 전극과 이격된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 p형 반도체층; 및
    상기 p형 반도체층 상에 배치된 p형 전극을 더 포함하는, 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 제1 발광 소자의 상기 n형 전극과 상기 복수의 제2 발광 소자의 상기 n형 전극을 서로 연결하는 n형 연결 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 제1 발광 소자의 상기 p형 전극과 상기 복수의 제2 발광 소자의 상기 p형 전극을 서로 연결하는 p형 연결 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 제1 발광 소자의 상기 p형 전극 각각에 연결된 복수의 제1 p형 연결 배선; 및
    상기 복수의 제2 발광 소자의 상기 p형 전극 각각에 연결된 복수의 제2 p형 연결 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자는 수평형(lateral) 구조인, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자 하면에 배치된 접착층을 더 포함하고,
    상기 접착층의 일부분은 상기 하부 기판에 중첩하고, 상기 접착층의 나머지 부분은 상기 복수의 화소 기판과 상기 하부 기판에 중첩하는, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자를 덮는 상부 기판을 더 포함하는, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 상부 기판은 상기 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된 상기 복수의 발광 소자의 일부분과 상기 하부 기판 사이의 공간과 이격된, 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 상부 기판은 상기 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된 상기 복수의 발광 소자의 일부분과 상기 하부 기판 사이의 공간 중 적어도 일부를 채우는, 표시 장치.
  12. 하부 기판;
    상기 하부 기판 상에서 서로 이격되어 배치된 복수의 화소 기판; 및
    상기 복수의 화소 기판에 배치된 복수의 발광 소자를 포함하고,
    상기 복수의 발광 소자는, 복수의 화소 기판 중 하나의 화소 기판 상에 배치된 복수의 적색 발광 소자, 복수의 녹색 발광 소자, 및 복수의 청색 발광 소자를 포함하고,
    상기 복수의 발광 소자 각각은 적어도 일부분이 상기 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된, 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    복수의 발광 소자 각각은,
    상기 복수의 화소 기판 상의 n형 반도체층;
    상기 n형 반도체층 상의 발광층;
    상기 발광층 상의 p형 반도체층;
    상기 n형 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광층과 이격된 n형 전극; 및
    상기 p형 반도체층 상의 p형 전극을 포함하고,
    상기 복수의 발광 소자 중 적어도 일부의 발광 소자는 상기 n형 전극이 서로 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 하나의 화소 기판 상에서 상기 복수의 적색 발광 소자 각각의 상기 p형 전극을 서로 연결하고, 상기 복수의 녹색 발광 소자 각각의 상기 p형 전극을 서로 연결하며, 상기 복수의 청색 발광 소자 각각의 상기 p형 전극을 서로 연결하는 복수의 p형 연결 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 하나의 화소 기판 상에서 상기 복수의 적색 발광 소자 중 일부 적색 발광 소자의 상기 p형 전극, 상기 복수의 녹색 발광 소자 중 일부 녹색 발광 소자의 상기 p형 전극, 상기 복수의 청색 발광 소자 중 일부 청색 발광 소자의 상기 p형 전극 각각에 연결된 복수의 제1 p형 연결 배선; 및
    상기 하나의 화소 기판 상에서 상기 복수의 적색 발광 소자 중 나머지 적색 발광 소자의 상기 p형 전극, 상기 복수의 녹색 발광 소자 중 나머지 녹색 발광 소자의 상기 p형 전극, 상기 복수의 청색 발광 소자 중 나머지 청색 발광 소자의 상기 p형 전극 각각에 연결된 복수의 제2 p형 연결 배선을 포함하는, 표시 장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자와 상기 화소 기판 사이에 배치된 제1 접착층을 더 포함하고,
    상기 제1 접착층의 일부분은 상기 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된, 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 화소 기판을 덮는 상부 기판; 및
    상기 상부 기판과 상기 복수의 발광 소자 사이에 배치된 제2 접착층을 더 포함하고,
    상기 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된 상기 제1 접착층의 하면 중 적어도 일부분은 상기 제2 접착층과 이격된, 표시 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 발광 소자 및 상기 복수의 화소 기판을 덮는 상부 기판을 더 포함하고,
    상기 복수의 화소 기판 외측으로 돌출된 상기 제1 접착층의 하면은 상기 상부 기판에 접하는, 표시 장치.
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