TW202216871A - 發泡成形用組成物、發泡成形體、電線、發泡成形體之製造方法、及電線之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種發泡成形用組成物，該發泡成形用組成物不使用氟系界面活性劑便可製造平均泡徑較小，且發泡率較大，火花產生較少之發泡成形體及發泡電線。 本發明係一種發泡成形用組成物，其特徵在於含有：氟樹脂（A）；及化合物（B），其熱分解溫度為300℃以上且溶解度參數（SP值）為8～15。

Description

發泡成形用組成物、發泡成形體、電線、發泡成形體之製造方法、及電線之製造方法
本發明係關於一種發泡成形用組成物、發泡成形體、電線、發泡成形體之製造方法、及電線之製造方法。
對於電線之被覆材而言，為了提昇電特性而期望降低介電常數，為了實現低介電常數化，有效的是將被覆材製成發泡體。以樹脂作為材料之發泡體通常藉由發泡成形獲得，該發泡成形係使氣體存在於熔融之樹脂中來進行成形。
為了使所獲得之發泡體之形狀或特性均勻，發泡體中之氣泡較佳為微細且均勻地分佈。為了使氣泡細小且均勻分佈，有下述方法：使發泡成核劑存在於樹脂中，以使發泡成核劑在發泡成形時成為產生氣泡之起點。
供加入氟樹脂等樹脂中之發泡成核劑例如使用磺酸鹽。作為摻合磺酸鹽而獲得發泡體之方法，有如下揭示。
於專利文獻1中記載了一種氟聚合物樹脂之發泡方法，該氟聚合物樹脂於氮化硼成核劑及（a）至少1種含多原子陰離子之無機鹽、或者（b）至少1種磺酸或膦酸或該酸之鹽、或者（c）、（a）及（b）之組合之存在下可熔融-加工。
於專利文獻2中揭示有一種組成物，其特徵在於含有：氟樹脂（A）；及化合物（B），其為下述式（1）或下述式（2）所表示之磺酸或其等之鹽， F(CF 2) nSO 3H                        （1） （式中，n為4或5）、 F(CF 2) nCH 2CH 2SO 3H           （2） （式中，n為4或5）。
於專利文獻3中揭示有一種含有選自由磷酸根錯合物（α-1）及磷系酯化合物（α-2）所組成之群中至少一種化合物且平均粒徑為0.01 μm～300 μm之發泡成核劑；及一種發泡體用組成物，其含有上述發泡成核劑、及樹脂成分（B），該樹脂成分（B）為選自由彈性體（b-1）及熱塑性樹脂（b-2）所組成之群中至少一種成分。
於專利文獻4中揭示有一種壁紙用組成物，該壁紙用組成物係向熱塑性彈性體中添加發泡劑及作為發泡成核劑之具有特定結構之芳香族環狀磷酸酯鹽而成。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平10-45931號公報 專利文獻2：日本特開2014-224229號公報 專利文獻3：日本特開2013-147566號公報 專利文獻4：日本特開平11-130892號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明之目的在於提供一種發泡成形用組成物，該發泡成形用組成物不使用氟系界面活性劑便可製造平均泡徑較小，且發泡率較大，火花產生較少之發泡成形體及發泡電線。 [解決課題之技術手段]
本發明係關於一種發泡成形用組成物，其含有：氟樹脂（A）；及化合物（B），其熱分解溫度為300℃以上且溶解度參數（SP值）為8～15。 上述化合物（B）較佳為包含選自由芳環、磷酸酯基以及醯胺基所組成之群中至少一種部分結構的化合物。 上述化合物（B）較佳為包含1個以上之C6-14之芳環的化合物或其鹽。 上述化合物（B）較佳為選自由磷酸酯及其鹽、磷酸酯錯合物、以及含有2個以上之醯胺基之化合物所組成之群中至少一種化合物。 上述化合物（B）之鹽較佳為鹼金屬或鹼土金屬。 上述化合物（B）較佳為由下述式（1）、（2）、（3）及（4）所表示之化合物中至少一種。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
Figure 02_image005
Figure 02_image007
（式中，R 1、R 2、R 3、R 4、R 21、R 22、R 23、R 24、R 31、R 32、R 33、R 34、R 41、R 42表示氫原子、碳原子數1～8之烷基或環烷基、或者碳原子數6～12之芳基、烷基芳基或芳烷基（arylalkyl），Ar 41表示芳基，R 5、R 6表示氫原子或甲基，n表示1或2之整數，m表示0～2之整數，X表示m＋n價之金屬）。 上述式（1）、式（2）、式（3）之R 1、R 2、R 21、R 22、R 31及R 33較佳為碳數為1～8之烷基。 上述式（1）、式（2）、式（3）之X較佳為鈉、鉀、銣、鈣及鋇中至少一種。 上述化合物（B）較佳為由上述式（1）所表示之芳香族環狀磷酸酯鹽。 上述化合物（B）較佳為2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉。
上述氟樹脂（A）較佳為可熔融加工之氟樹脂。 上述氟樹脂（A）較佳為選自由四氟乙烯/六氟丙烯系共聚物、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物、及四氟乙烯/乙烯系共聚物所組成之群中至少一種。 上述氟樹脂（A）較佳為經氟化處理之氟樹脂。 上述發泡成形用組成物較佳為實質不含氟系低分子化合物。
本發明亦為一種發泡成形體，其得自上述發泡成形用組成物。 上述發泡成形體較佳為實質不含氟系低分子化合物。 本發明亦為一種電線，其具備：芯線；及被覆材，其被覆於上述芯線且得自上述發泡成形用組成物。 上述電線較佳為實質不含氟系低分子化合物。
本發明亦為一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： 在與長度方向平行之截面觀察中，氣泡之平均縱橫比為1.9以下。 本發明亦為一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： 在與長度方向平行之截面觀察中，縱橫比為3以上之氣泡之存在比率相對於在與長度方向平行之截面觀察中所測得之氣泡總量，為13%以下。 本發明亦為一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： 在與長度方向平行之截面觀察中，氣泡之縱橫比之標準偏差為1.3以下。 本發明亦為一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： 發泡率為35%以上，表面粗糙度為9.0 μm以下。 上述發泡電線較佳為在與長度方向垂直之截面觀察中，氣泡之平均泡徑為40 μm以下。
本發明亦為一種發泡成形體之製造方法，其包括對上述發泡成形用組成物進行發泡成形之步驟。 本發明亦為一種電線之製造方法，其包括將上述發泡成形用組成物被覆於芯線而獲得電線之步驟。 [發明之效果]
本發明之發泡成形用組成物藉由具有上述構成，可製作發泡率較大，平均泡徑較小，火花產生較少，外徑、靜電電容偏差較小，且表面光滑之發泡成形體及發泡電線。
本發明係因發現下述情事而提出者，藉由於以氟系聚合物作為基體樹脂之發泡性樹脂中使用特定化合物（B），可獲得良好之發泡。 該化合物（B）之熱分解溫度為300℃以上，且溶解度參數（SP值）為8～15。以往之發泡成核劑大多熱分解溫度及熔點較低。於樹脂之成形溫度較低之情形時並無問題，但若為包含具有高熔點之樹脂之成形用組成物，則存在於成形過程中發生熱分解或熔融而未作為發泡成核劑有效率地發揮作用之問題。特別是於使用作為高熔點樹脂之氟樹脂之情形時，出現產生著色或分解氣體、氣泡尺寸巨大化、表面狀態變差、電特性變差等缺陷，難以兼顧氟樹脂之物性與作為發泡成形體之特性。 關於本發明，發現藉由使用化合物（B），含有氟樹脂（A）之組成物會發揮良好之發泡性，進而，即便於在高溫下成形之情形時，亦發揮良好之特性，而可獲得上述效果。 以下，對本發明進行詳細說明。
氟樹脂（A）為可熔融加工者即可，並無特別限定，例如可例舉：四氟乙烯（TFE）/六氟丙烯（HFP）系共聚物、TFE/全氟(烷基乙烯基醚)（PAVE）共聚物、TFE/乙烯系共聚物[ETFE]、三氟氯乙烯（CTFE）/乙烯共聚物[ECTFE]、聚偏二氟乙烯[PVdF]、聚三氟氯乙烯[PCTFE]、TFE/偏二氟乙烯（VdF）共聚物[VT]、聚氟乙烯[PVF]、TFE/VdF/CTFE共聚物[VTC]、TFE/乙烯/HFP共聚物、TFE/HFP/VdF共聚物等。
作為上述PAVE，例如可例舉：全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]、全氟(乙基乙烯基醚)[PEVE]、全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]等。其中，較佳為PPVE。其等可使用1種或2種以上。
氟樹脂可以不損及各氟樹脂之本質性質之範圍之量具有基於其他單體之聚合單元。上述其他單體例如可自TFE、HFP、乙烯、丙烯、全氟(烷基乙烯基醚)、全氟烷基乙烯、氫氟烯烴、氟烷基乙烯、全氟(烷基烯丙基醚)等中適當地選擇。作為構成上述其他單體之全氟烷基，較佳為碳數1～10者。
就具有優異之耐熱性之方面而言，氟樹脂較佳為TFE/HFP系共聚物、TFE/PAVE共聚物或TFE/乙烯系共聚物，更佳為TFE/HFP系共聚物或TFE/PAVE共聚物。上述氟樹脂亦可併用2種以上。又，就具有更加優異之電特性之方面而言，全氟樹脂亦較佳。
TFE/HFP系共聚物中，TFE/HFP以質量比計較佳為80～97/3～20，更佳為84～92/8～16。 TFE/HFP系共聚物可為由TFE及HFP所構成之二元共聚物，亦可為進而由TFE、HFP及可與其等共聚之共聚單體所構成之三元共聚物（例如TFE/HFP/PAVE共聚物）。 TFE/HFP系共聚物亦較佳為包含基於PAVE之聚合單元之TFE/HFP/PAVE共聚物。 TFE/HFP/PAVE共聚物中，TFE/HFP/PAVE以質量比計較佳為70～97/3～20/0.1～10，更佳為81～92/5～16/0.3～5。
TFE/PAVE共聚物中，TFE/PAVE以質量比計較佳為90～99/1～10，更佳為92～97/3～8。
TFE/乙烯系共聚物中，TFE/乙烯以莫耳比計較佳為20～80/20～80，更佳為40～65/35～60。又，TFE/乙烯系共聚物亦可含有其他單體成分。 即，TFE/乙烯系共聚物可為由TFE及乙烯所構成之二元共聚物，亦可為進而由TFE、乙烯及可與其等共聚之共聚單體所構成之三元共聚物（例如TFE/乙烯/HFP共聚物）。 TFE/乙烯系共聚物亦較佳為包含基於HFP之聚合單元之TFE/乙烯/HFP共聚物。TFE/乙烯/HFP共聚物中，TFE/乙烯/HFP以莫耳比計較佳為40～65/30～60/0.5～20，更佳為40～65/30～60/0.5～10。
氟樹脂之熔體流動速率（MFR）較佳為0.1～500 g/10分鐘，更佳為4～100 g/10分鐘，進而較佳為10～80 g/10分鐘，就可抑制火花產生，發泡率增大之方面而言，進而更佳為34～50 g/10分鐘，特佳為35～40 g/10分鐘。 上述MFR係依據ASTM D-1238，並利用直徑為2.1 mm且長度為8 mm之模具，於負載5 kg、372℃所測得之值。
氟樹脂可藉由使用通常之聚合方法、例如乳化聚合、懸浮聚合、溶液聚合、塊狀聚合、氣相聚合等各種方法，使單體成分進行聚合來合成。於上述聚合反應中，亦有時使用甲醇等鏈轉移劑。亦可不使用含金屬離子之試劑進行聚合且單離而製造氟樹脂。
氟樹脂可為於聚合物主鏈及聚合物側鏈之至少一部位具有-CF 3、-CF 2H等末端基者，並無特別限制，較佳為經氟化處理之氟樹脂。未經氟化處理之氟樹脂有時會具有-COOH、-CH 2OH、-COF、-CONH 2等熱特性及電特性不穩定之末端基（以下，亦將此種末端基稱為「不穩定末端基」）。此種不穩定末端基可藉由上述氟化處理而減少。氟樹脂較佳為上述不穩定末端基較少或不含上述不穩定末端基，上述4種不穩定末端基與-CF 2H末端基之合計數量更佳為碳數每1×10 6個為50個以下。若超過50個，則有產生成形不良之隱憂。上述不穩定末端基更佳為20個以下，進而較佳為10個以下。於本說明書中，上述不穩定末端基數量係根據紅外吸收光譜測定所獲得之值。可不存在上述不穩定末端基及-CF 2H末端基，而全部為-CF 3末端基。
上述氟化處理可藉由使未經氟化處理之氟樹脂與含氟化合物接觸而進行。 上述含氟化合物並無特別限定，可例舉於氟化處理條件下會產生氟自由基之氟自由基源。作為上述氟自由基源，可例舉F 2氣體、CoF 3、AgF 2、UF 6、OF 2、N 2F 2、CF 3OF及氟化鹵素（例如IF 5、ClF 3）等。 上述F 2氣體等氟自由基源可為100%濃度者，就安全性之方面而言，較佳為與非活性氣體混合並稀釋成5～50質量%、較佳為15～30質量%來使用。作為上述非活性氣體，可例舉氮氣、氦氣、氬氣等，就經濟性方面而言，較佳為氮氣。 上述氟化處理之條件並無特別限定，可使熔融狀態之氟樹脂與含氟化合物接觸，通常可於氟樹脂之熔點以下、較佳為20～220℃、更佳為100～200℃之溫度下進行。上述氟化處理一般進行1～30小時，較佳為進行5～20小時。 上述氟化處理較佳為使未經氟化處理之氟樹脂與氟氣（F 2氣體）接觸。
氟樹脂（A）並無特別限定，就可獲得耐熱性優異，連續使用溫度範圍較廣之發泡成形體之方面而言，期望熔點為200℃以上，成形溫度為250℃以上，熱分解溫度為300℃以上。進而，熔點更佳為250℃以上，較佳為300℃以下。成形溫度更佳為300℃以上，較佳為450℃以下。熱分解溫度更佳為350℃以上，進而較佳為400℃以上。熔點、成形溫度、熱分解溫度之上限為600℃以下。 於本說明書中，熔點係利用示差掃描熱量計（DSC）所測得之溫度，成形溫度係一般推薦之適合成形之溫度，即於該溫度下具有流動性且不會引起著色等樹脂劣化之溫度，熱分解溫度係藉由TG（加熱重量變化測定）於空氣中以10℃/min加熱時減少1%重量之溫度。其中，100℃至200℃可見之含有水或結晶水之揮發所導致之重量減少量除外。具有流動性意指於該溫度下MFR為0.0001以上。
為了減小通訊電線之訊號損耗，上述氟樹脂（A）之介電常數較佳為3.0以下，進而較佳為2.6以下，最佳為2.1以下。下限為1.0以上。同樣地，介電損耗因數較佳為0.01以下，更佳為0.001以下，最佳為0.0004以下。下限為0.0001以上。介電常數、介電損耗因數係藉由頻率6 GHz時之空腔共振器法所測得。
相對於發泡成形用組成物100質量份，上述氟樹脂（A）之含量較佳為50質量份以上，更佳為80質量份以上，進而較佳為90質量份以上，進而更佳為95質量份以上，特佳為98質量份以上。上限為99.999質量份以下，更佳為99.99質量份以下。
本發明中作為發泡成核劑發揮作用之上述化合物（B）為：熱分解溫度為300℃以上，且溶解度參數（SP值）為8～15之化合物。 於本發明中，就可獲得耐熱性優異，連續使用溫度範圍較廣之發泡成形體之方面而言，化合物（B）之熱分解溫度需為300℃以上。熱分解溫度更佳為350℃以上，進而較佳為400℃以上。上限較佳為600℃以下。 熱分解溫度之測定可以與上述氟樹脂（A）相同之方式進行。
為了有效發揮本發明之效果，期望於成形溫度化合物（B）不會熔融。因此，化合物（B）之熔點較佳為200℃以上，更佳為300℃以上，進而更佳為350℃以上，最佳為400℃以上。化合物（B）之熔點係可根據TG測定時之TGA峰來進行確認之溫度，例如，於在400℃以下無法確認到峰之情形時，認為化合物（B）之熔點在400℃以上。 關於化合物於峰溫度下是否熔解，併用利用加熱顯微鏡或電爐之觀察等來進行確認。
又，上述化合物（B）之溶解度參數（SP值）為8～15。藉由使SP值處於上述範圍內，可使添加劑粒子均勻地分散，而可均勻且微細地發泡。進而可獲得下述效果：可抑制發泡成形時因粒子之再凝聚而產生巨大粒子，減少因巨大粒子所導致之電線表面之凹凸，從而使表面光滑。 上述SP值較佳為9以上，更佳為10以上。又，較佳為14以下，更佳為13以下，進而較佳為12以下。 上述SP值可藉由Fedors式（Polym. Eng. Sci., 14 [2], 147 (1974)）求出。
上述化合物（B）較佳為包含選自由芳環、磷酸酯基以及醯胺基所組成之群中至少一種部分結構的化合物。例如於上述化合物（B）包含芳環之情形時，較佳為包含1個以上之C6-14之芳環的化合物或其鹽。
於上述化合物（B）包含醯胺基之情形時，較佳為具有2個以上之醯胺基之化合物。此種化合物並無特別限定，例如較佳為下述式（4）所表示之化合物。
Figure 02_image009
（式中，R 41、R 42表示氫原子、碳原子數1～8之烷基或環烷基、或者碳原子數6～12之芳基、烷基芳基或芳烷基，Ar 41表示芳基）。
更具體而言，可例舉：N,N'-二環己基-2,6-萘二甲醯胺（商品名：NJStar NU-100，新日本理化股份有限公司）等。
於上述化合物（B）包含磷酸酯基之情形時，較佳為選自由磷酸酯及其鹽、以及磷酸酯錯合物所組成之群中至少一種化合物。關於可用作上述化合物（B）之磷酸酯化合物，具有代表性的是磷酸酯、亞磷酸酯、酸性磷酸酯、酸性亞磷酸酯、或者其氨、胺、三聚氰胺、鹼金屬或鹼土金屬等鹽，其具體結構並無特別限定。
作為其具體例，可例舉：磷酸三苯酯、磷酸三月桂酯、磷酸三硬脂酯、磷酸三油酯、磷酸二甲苯二苯酯、磷酸乙基二苯酯、磷酸異丙基二苯酯、磷酸正丁基二苯酯、磷酸2-乙基己基二苯酯、磷酸異癸基二苯酯、磷酸鯨蠟基二苯酯、磷酸硬脂基二苯酯、磷酸油基二苯酯、磷酸丁基二甲酚酯、磷酸辛基二甲酚酯、磷酸月桂基二甲酚酯、焦磷酸二丁酯、酸式磷酸單苯基酯、酸式磷酸二苯酯、酸式磷酸單甲苯酯、酸式磷酸二甲苯酯、酸式磷酸單(二甲苯基)酯、酸式磷酸2-丙烯醯氧基乙酯、酸式磷酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、磷酸二苯基(2-丙烯醯氧基乙基)酯、磷酸二苯基(2-甲基丙烯醯氧基乙基)酯、磷酸三萘酯、磷酸三壬基苯酯、磷酸三(2,6-二甲基苯基)酯、四苯基間苯二酚二磷酸酯、四苯基對苯二酚二磷酸酯、四苯基雙酚A二磷酸酯、四(2,6-二甲基苯基)間苯二酚二磷酸酯、四(2,6-二甲基苯基)雙酚A二磷酸酯、四(2,6-二甲基苯基)聯苯基二磷酸酯、四苯基乙二醇二磷酸酯、雙(2,6-二甲基苯基)新戊四醇二磷酸酯、酸式磷酸二(二甲苯)酯等酸性磷酸酯；或酸性亞磷酸酯、磷酸二甲酯銨鹽、磷酸二乙酯銨鹽、磷酸乙酯銨鹽、磷酸二正丁酯銨鹽、磷酸二丁氧基乙酯三乙醇胺鹽、磷酸二辛酯嗎福啉鹽、磷酸單正丁酯鈉鹽、磷酸二苯酯銨鹽、磷酸二苯酯三聚氰胺鹽、磷酸二苯酯哌𠯤鹽、磷酸苯酯銨鹽、磷酸二甲酚酯乙二胺鹽、磷酸甲苯酯鈉鹽、磷酸二(二甲苯基酯三聚氰胺鹽等酸性磷酸酯；或酸性亞磷酸酯之氨、胺、三聚氰胺、鹼金屬或鹼土金屬之鹽等。
更具體而言，例如可例舉：雙(4-第三丁基苯基)磷酸鈉、2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉等磷酸酯之鹽、2-羥基-2-側氧基-4,6,10,12-四-第三丁基-1,3,2-二苯并[d,g]全氫二氧雜磷八環鈉鹽、雙酚磷酸二酯鋇鹽、聯萘磷酸二酯鈉鹽、雙(4-硝基苯基)磷酸鈉等。又，酯可為單酯，亦可為二酯，亦可為三酯，亦可為更高級之酯。其等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。
其中，較佳為芳香族磷酸酯，更佳為芳香族磷酸酯之鹽，進而更佳為具有環狀結構之芳香族磷酸酯之鹽。更佳為具有聯苯結構或聯萘結構或二苯甲基結構之環狀磷酸酯之鹽，其中，於該等苯環、萘環上可具有碳原子數1～8之烷基或環烷基、或者碳原子數6～12之芳基、烷基芳基或芳烷基。 上述具有環狀結構之芳香族磷酸酯鹽較佳為由下述式（1）、（2）及（3）所表示之芳香族環狀磷酸酯鹽中至少一種。
Figure 02_image011
Figure 02_image013
Figure 02_image015
式中，R 1、R 2、R 3、R 4、R 21、R 22、R 23、R 24、R 31、R 32、R 33、R 34表示氫原子、碳原子數1～8之烷基或環烷基、或者碳原子數6～12之芳基、烷基芳基或芳烷基，R 5、R 6表示氫原子或甲基，n表示1或2之整數，m表示0～2之整數，X表示m＋n價之金屬。
作為R 1、R 2、R 3、R 4、R 21、R 22、R 23、R 24、R 31、R 32、R 33、R 34所表示之烷基，例如可例舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、第二戊基、第三戊基、己基、異己基、庚基、辛基、異辛基、2-乙基己基、第三辛基。作為環烷基，可例舉：環戊基、環己基、環庚基等。其中，較佳為碳數為1～4之烷基、第三丁基。
作為R 1、R 2、R 3、R 4、R 21、R 22、R 23、R 24、R 31、R 32、R 33、R 34所表示之芳基，可例舉苯基、萘基、聯苯基等。作為烷基芳基，可例舉4-甲基苯基、4-第三丁基苯基、壬基苯基等。作為芳烷基，可例舉苄基、苯乙基、異丙苯基等。
作為X所表示之金屬，可例舉：鋰、鈉、鉀、銣等鹼金屬；鎂、鈣、鋇等鹼土金屬；鋁、鋅、鈦等。其中，較佳為鈉、鉀、銣、鈣及鋇中至少1種，更佳為鈉或鋇。
其中，化合物（B）較佳為上述式（1）所表示之芳香族環狀磷酸酯鹽，更具體而言，最佳為下述式（5）所表示之2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉。
Figure 02_image017
可用作上述化合物（B）之磷酸酯錯合物為由金屬及具有磷酸酯之有機化合物所構成之錯合物，其具體結構並無特別限定。作為構成該錯合物之有機化合物，例如可例舉：磷酸雙(4,4',6,6'-四-第三丁基-2,2'-亞甲基二苯基)酯、磷酸2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)酯、磷酸2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-甲基苯基)酯、磷酸2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-甲基苯基)酯、磷酸2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-乙基苯基)酯、磷酸2,2'-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁基苯基)酯、磷酸2,2'-亞甲基-雙(4-乙基-6-第三丁基苯基)酯、磷酸2,2'-亞乙基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)酯、磷酸2,2'-亞乙基-雙(4-異丙基-6-第三丁基苯基)酯、磷酸2,2'-亞乙基-雙(4-間丁基-6-第三丁基苯基)酯、磷酸2,2'-亞庚基-雙(4,6-二-甲基苯基)酯、磷酸2,2'-亞庚基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)酯、磷酸2,2'-第三辛基亞甲基-雙(4,6-二-甲基苯基)酯、磷酸2,2'-第三辛基亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)酯、雙[磷酸2,2'-硫代雙(4-乙基-6-第三丁基苯基)酯]、雙[磷酸2,2'-硫代雙-(4,6-二-第三丁基苯基)酯]、雙[磷酸2,2'-硫代雙-(4-第三辛基苯基)酯]、雙[磷酸2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)酯]、雙[磷酸2,2'-亞乙基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)酯]、雙[磷酸(4,4'-二甲基-6,6'-二-第三丁基-2,2'-聯苯基)酯]、磷酸(4,4'-二甲基-5,6'-二-第三丁基-2,2'-聯苯基)酯、三[磷酸2,2'-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)酯]、三[磷酸2,2'-亞乙基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)酯]、磷酸苯基雙十二烷基酯、磷酸苯基乙基氫酯、磷酸苯基雙(3,5,5-三甲基己基)酯、磷酸乙基二苯酯、磷酸2-乙基己基二(甲苯基)酯、磷酸二苯基氫酯、磷酸亞甲基二苯酯、磷酸雙(2-乙基己基)對甲苯酯、磷酸三甲苯酯、磷酸雙(2-乙基己基)苯酯、磷酸二(壬基)苯酯、磷酸苯基甲基氫酯、磷酸二(十二烷基)對甲苯酯、磷酸對甲苯基雙(2,5,5-三甲基己基)酯、磷酸2-乙基己基二苯酯、磷酸三(丁氧基乙基)酯、磷酸三辛酯、磷酸三甲苯基酯、磷酸甲苯基二苯酯、氯磷酸二乙酯、氯磷酸二苯酯、溴磷酸二乙酯、溴磷酸二苯酯、氯磷酸二甲酯、氯磷酸苯酯、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三正丁酯、磷酸三癸酯、磷酸三苯酯、磷酸異丙基三苯酯、磷酸異癸基二苯酯、磷酸亞甲基二苯酯等。
又，作為構成磷酸酯錯合物之金屬，例如可例舉：鋁、鈉、鋰、鈣、鎂、鋇。其等可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。其中，較佳為芳香族磷酸酯，進而較佳為環狀芳香族磷酸酯，最佳為芳香族環狀磷酸酯之鈉錯合物。
作為上述化合物（B）中熔點為300℃以上之化合物，具體而言，例如可例舉2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉等。
相對於上述氟樹脂（A），上述化合物（B）之含量較佳為20質量份以下，更佳為10質量份以下，進而較佳為5質量份以下，進而更佳為2質量份以下，特佳為1.5質量份以下。 相對於上述氟樹脂（A），上述化合物（B）之含量較佳為0.001質量份以上，更佳為0.01質量份以上。 若化合物（B）之含量過少，則所獲得之被覆材不易獲得微細之氣泡，若化合物（B）之含量過多，則有產生較多火花之隱憂。
本發明之發泡成形用組成物可於不損及本發明之效果之範圍內進而含有氮化硼。
氮化硼之平均粒徑較佳為8.0 μm以上。以往氮化硼之平均粒徑呈減小之趨勢，並未具體地研究使用平均粒徑較大之氮化硼。 本發明之發泡成形用組成物藉由含有具有上述特定範圍之平均粒徑之氮化硼，可形成具備平均泡徑更小且發泡率更大之被覆材之發泡電線。
氮化硼之平均粒徑更佳為9.0 μm以上，進而較佳為10.0 μm以上，進而更佳為10.5 μm以上，特佳為11.0 μm以上，尤佳為12.0 μm以上，最佳為13.0 μm以上。 又，若氮化硼之平均粒徑過大，則有平均泡徑增大之隱憂，或有產生較多火花之隱憂。氮化硼之平均粒徑較佳為25 μm以下，更佳為20 μm以下。 藉由使氮化硼之平均粒徑為上述範圍，可形成具有微細且均勻之氣泡之被覆材。 氮化硼之平均粒徑係使用雷射繞射、散射式粒度分佈分析裝置所求出之值。於使用濕式法之情形時，介質適當地選擇即可，例如使用甲醇等即可。
氮化硼之（D84－D16）/D50所表示之粒度分佈較佳為1.2以下。 D84、D50及D16表示於將氮化硼之粉體集群之總體積設為100%而求出累積曲線時，該累積曲線成為84%之點之粒徑（μm）、成為50%之點之粒徑（μm）、成為16%之點之粒徑（μm）。再者，粒度分佈之累積係自小粒徑側開始進行。上述粉體集群之總體積能以下述方式獲得，即，使氮化硼之粉體分散於甲醇等介質中而製備樣品，使用雷射繞射、散射式粒度分佈分析裝置（例如日機裝股份有限公司製造之Microtrac MT3300）而獲得上述粉體集群之總體積。 藉由使氮化硼之粒度分佈為上述範圍，可形成具有微細且均勻之氣泡之被覆材，並且可進一步抑制火花產生。 上述粒度分佈更佳為1.1以下，進而較佳為1.0以下。粒度分佈之下限並無特別限定，例如可為0.1。 上述粒度分佈（體積粒度分佈）之累積曲線可使用雷射繞射、散射式粒度分佈分析裝置（例如日機裝股份有限公司製造之Microtrac MT3300）獲得。於使用濕式法之情形時，介質適當地選擇即可，例如使用甲醇等即可。
氮化硼較佳為經粉碎。若氮化硼經粉碎，則可進一步抑制火花產生。 上述粉碎可以可使氮化硼之平均粒徑或粒度分佈處於上述範圍內之方法及條件來進行。例如，適當地選擇粉碎機之種類、條件而進行。上述粉碎機例如可使用噴射磨機、錘磨機、球磨機、針磨機等。
氮化硼藉由進行分級，可調整為上述範圍之平均粒徑或粒度分佈。 本發明之組成物並無特別限制，例如，氮化硼之含量較佳為0.1～10質量%，更佳為0.1～2.0質量%，進而較佳為0.1～1.5質量%，進而更佳為0.1～1.0質量%。若氮化硼之含量過少，則有所獲得之發泡電線之被覆材不易獲得微細之氣泡之隱憂，若氮化硼之含量過多，則有製造成本變高之隱憂。
本發明之發泡成形用組成物可於不損及本發明之效果之範圍內進而含有含多原子陰離子之無機鹽。 作為上述含多原子陰離子之無機鹽，可例舉美國專利第4,764,538號說明書中所揭示者。
本發明之發泡成形用組成物可於不損及本發明之效果之範圍內進而含有磺酸、膦酸或其等之鹽、沸石等。又，還可併用ADCA（偶氮二甲醯胺）、DPT（N,N'-二硝基五亞甲基四胺）、OBSH（4,4'-氧基雙苯磺醯肼）等有機系發泡成核劑。
本發明之發泡成形用組成物除氟樹脂（A）及化合物（B）以外，還可於不損及本發明之效果之範圍內包含以往公知之填充材料。
作為上述填充材料，例如可例舉：石墨、碳纖維、焦炭、二氧化矽、氧化鋅、氧化鎂、硫酸鎂、氧化錫、氧化銻、碳酸鈣、碳酸鎂、氫氧化鎂、玻璃、滑石、mica、雲母、氮化鋁、磷酸鈣、絹雲母、矽藻土、氮化矽、矽粉、燻製二氧化矽（fumed silica）、氧化鋁、氧化鋯、石英粉、高嶺土、膨潤土、氧化鈦等。上述填充材料之形狀並無特別限定，可例舉：纖維狀、針狀、柱狀、晶鬚狀、平板狀、層狀、鱗片狀、球狀、多孔狀、短纖狀、粉末狀、粒狀、珠粒狀等。再者，上述填充材料與氮化硼不同。
本發明之發泡成形用組成物亦可進而含有除上述氟樹脂以外之熱塑性樹脂。作為除上述氟樹脂以外之熱塑性樹脂，例如可例舉：聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等通用樹脂；尼龍、聚碳酸酯、聚醚醚酮樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚芳醚酮（PAEK）、聚醚酮酮（PEKK）、聚醚酮（PEK）、聚醚醚酮酮（PEEKK）等）、聚醚碸（PES）、液晶聚合物（LCP）、聚碸（PSF）、非晶性聚芳酯（PAR）、聚醚腈（PEN）、熱塑性聚醯亞胺（TPI）、聚醯亞胺（PI）、聚醚醯亞胺（PEI）、聚醯胺醯亞胺（PAI）等工程塑膠。
本發明之發泡成形用組成物亦可進而含有添加劑等其他成分。作為其他成分，例如可例舉：玻璃纖維、玻璃粉末、石綿纖維、纖維素纖維、碳纖維等填充材料；或補強劑、穩定劑、潤滑劑、顏料、阻燃劑、其他添加劑等。 本發明之發泡成形用組成物例如亦可藉由包括混合步驟之製造方法（以下，稱為「組成物之製造方法」）而獲得，該混合步驟係將氟樹脂（A）、化合物（B）及視需要添加之氮化硼、填充劑、添加劑等加以混合而獲得混合物。
上述混合方法例如可使用以往公知之方法等，較佳為不易使上述化合物（B）凝集之混合方法。 作為上述混合之方法，亦可例舉使用亨舍爾混合機、帶式混合機、V型混合器、球磨機等之方法等。又，例如亦可例舉藉由熔融混練加以混合之方法。
本發明之發泡成形用組成物之製造方法可包括混練步驟，該混練步驟係對藉由上述混合步驟而獲得之混合物加以混練。藉由上述混練，可獲得顆粒（pellet）。上述混練例如可藉由使用單螺桿擠出機、雙螺桿擠出機等以往公知之熔融混練機之方法來進行。
上述發泡成形用組成物之製造方法亦可包括對氟樹脂進行氟化處理之步驟。氟化處理可使用上述方法。氟化處理例如可藉由使藉由上述混練而獲得之顆粒與上述含氟化合物接觸來進行。
已說明作為本發明之發泡成形用組成物中可含有之除氟樹脂以外之熱塑性樹脂、氮化硼、含多原子陰離子之無機鹽、填充材料、其他添加劑等各成分，該等成分可依其性質等而於上述發泡成形用組成物之製造方法之各步驟中適當地添加。又，可進而添加氟樹脂、氮化硼。
本發明之發泡成形用組成物適宜用作發泡性組成物。進而，上述發泡成形用組成物適宜用作用於形成電線之被覆材之電線被覆用組成物。
本發明之發泡成形用組成物不使用氟系界面活性劑而顯示出良好之發泡性。以往之氟系界面活性劑通用氟系低分子化合物。若包含較多之此種氟系低分子化合物，則存在成形時之熔融狀態之樹脂被塑化，而火花增多之問題。本發明之發泡成形用組成物實質不含此種氟系低分子化合物，因此可獲得表面狀態優異之發泡成形體而不會產生上述問題。
上述氟系低分子化合物並無特別限定，例如可例舉全氟烷基酸、全氟磺酸等，具體而言，可例舉C 8F 17COOH及其鹽、C 7F 15COOH及其鹽、C 6F 13COOH及其鹽、C 8F 17SO 3H及其鹽、C 6F 13SO 3H及其鹽、C 4F 9SO 3H及其鹽、C 8F 17CH 2CH 2-SO 3H及其鹽、C 6F 13CH 2CH 2-SO 3H及其鹽、C 8F 17CH 2CH 2OH、C 6F 13CH 2CH 2OH等，更具體而言，可例舉{F(CF 2) 6CH 2CH 2SO 3} 2Ba。
上述氟系低分子化合物之含量可藉由以下之方法進行分析： 藉由冷凍粉碎將該發泡成形用組成物之顆粒加以粉碎，而製作粉體，將該粉體分散於甲醇中，施加60℃×2小時超音波來進行提取。將利用液相層析質譜儀（LC-MS/MS）對提取物定量所得之值作為含量。
本發明之發泡成形體之製造方法包括對上述發泡成形用組成物進行發泡成形之步驟。
對上述發泡成形用組成物進行發泡成形之方法並無特別限定，例如可使用以往公知之方法，例如可例舉下述方法等：將氣體用於熔融之上述氟樹脂（熔融樹脂）中，於設計成發泡操作用之螺桿擠出機中投入本發明之發泡成形用組成物，並使用連續之氣體射出法。
上述氣體例如可使用氯二氟甲烷、氮氣、二氧化碳等氣體或上述氣體之混合物，可以加壓氣體之形式導入至擠出機內之熔融樹脂中，亦可藉由使化學發泡劑混合於熔融樹脂中而產生上述氣體。上述氣體係溶解於上述擠出機內之熔融樹脂中。
溶解於上述熔融樹脂中之氣體由於熔融物之壓力自擠出模具中出來時突然降低而自熔融物中逸出。自擠出機中擠出之擠出物繼而藉由例如導入至水中等方法來冷卻並固化。
上述發泡成形體係對上述發泡成形用組成物進行發泡成形而獲得，故而介電常數較低，呈現穩定之電容，且為輕量，製成下述被覆材時可獲得線徑、厚度等大小穩定之形狀。發泡成形體中之氣泡之總容積例如可藉由上述擠出機中之氣體之插入量之調節等，或藉由選擇所溶解之氣體之種類，而根據用途適當地調整。
上述發泡成形體可以自上述擠出機中擠出時根據用途所成形之成形體的形式獲得。上述成形之方法為加熱熔融成形即可，並無特別限定，例如可例舉擠出發泡成形、射出發泡成形、模具發泡成形等。
上述發泡成形體之形狀並無特別限定，例如可製成：發泡電線等被覆材；線材等絲狀；片狀；膜狀；桿狀；管狀等各種形狀。上述發泡成形體例如可用作：電性絕緣材料；隔熱材料；隔音材料；浮體材料等輕量構造材料；緩衝墊等緩衝材料等。又，上述發泡成形體特別適宜用作發泡電線之被覆材。 所獲得之發泡成形體較佳為含有本發明之發泡成形用組成物之熔融固化體及氣泡，且上述氣泡均勻分佈於熔融固化體中。上述氣泡之平均泡徑並無限定，例如較佳為60 μm以下。又，平均泡徑較佳為0.1 μm以上。 上述發泡成形體之發泡率並無特別限定，較佳為20%以上。發泡率之上限並無特別限定，例如為80%。
表面較包含以往之氟樹脂之發泡成形體更光滑亦為本發明之發泡成形體之特徵之一。由於表面光滑，故而適宜用於雙軸電纜等。 於本發明中，用手掠過發泡成形體之表面，觀察此時手感覺到之卡頓（突起）之程度，藉此進行評價。又，如下所述，利用雷射顯微鏡測定電線表面，對於所獲得之圖像資料，利用面形狀修正之二次曲面修正並指定電線之範圍來實施修正後，算出500×2000 μm之表面粗糙度，藉此亦可進行數值性評價。上述表面粗糙度較佳為未達10.0 μm，更佳為未達7.0 μm。表面粗糙度之下限可為0.001 μm以上。
本發明之電線之製造方法包括將上述發泡成形用組成物被覆於芯線而獲得電線之步驟。藉由使用上述發泡成形用組成物，可形成具備具有微細且均勻之氣泡之被覆材之發泡電線。上述獲得電線之步驟較佳為對上述發泡成形用組成物進行發泡成形。 藉由上述電線之製造方法而獲得之電線以由上述發泡成形用組成物所形成之被覆材及芯線所構成。將上述發泡成形用組成物被覆於芯線而獲得之電線亦為本發明之一。
上述被覆材係將上述發泡成形用組成物被覆於芯線而獲得者，因此具有微細且均勻之氣泡。又，介電常數較低，呈現穩定之電容，且為輕量，可獲得線徑、厚度等大小穩定之形狀。 又，上述被覆材與上述發泡成形體同樣地具有光滑之表面，顯示出相同之物性。
上述電線除將上述發泡成形用組成物被覆於芯線以外，可以與以往相同之方法製成，例如可使用擠出發泡成形來製造。較佳之擠出成形條件可根據所使用之組成物之組成或芯線之尺寸適當地選擇。
作為將上述發泡成形用組成物被覆於芯線之方法，例如可例舉下述方法等：將可溶性之氣體用於熔融之氟樹脂（熔融樹脂）中，於設計成發泡操作用之螺桿擠出機中投入本發明之發泡成形用組成物，使用連續之氣體射出法。上述氣體可使用與發泡成形體之製造方法所使用之氣體相同者。
所獲得之被覆材較佳為含有本發明之發泡成形用組成物之熔融固化體及氣泡，且上述氣泡均勻分佈於熔融固化體中。 上述氣泡之平均泡徑並無限定，例如較佳為200 μm以下，更佳為100 μm以下，進而較佳為50 μm以下，進而更佳為40 μm以下，特佳為30 μm以下，最佳為20 μm以下。又，平均泡徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.5 μm以上，進而較佳為1 μm以上。 此種被覆材之構造係因本發明之發泡成形用組成中之氟樹脂（A）與特定化合物（B）之組合而獲得者。 上述平均泡徑係藉由利用掃描式電子顯微鏡（SEM）獲取被覆材剖面之圖像，藉由圖像處理算出各泡之直徑並進行平均而求出之值。
上述被覆材之發泡率較佳為20%以上，更佳為30%以上，進而較佳為40%以上，進而更佳為43%以上。上限並無特別限定，例如為90%。發泡率之上限可為80%。 上述發泡率係以（（氟樹脂之比重－發泡體之比重）/氟樹脂之比重）×100之方式求出之值。上述發泡率例如可藉由上述擠出機中之氣體之插入量之調節等，或藉由選擇所溶解之氣體之種類，而根據用途適當地調整。
上述被覆材較佳為每3500 m之火花數量未達5個，更佳為未達3個，進而較佳為1個以下。上述火花數量係利用Beta LaserMike Sparktester HFS1220以1500 V之電壓進行測定而獲得之值。
芯線之材料例如可使用銅、鋁等金屬導體材料、碳等。又，可為單一之材質，亦可利用銀或錫等鍍覆表面。 芯線之直徑較佳為0.02～3 mm。芯線之直徑更佳為0.04 mm以上，進而較佳為0.05 mm以上，特佳為0.1 mm以上。芯線之直徑更佳為2 mm以下。又，上述芯線可為單線，亦可為將複數條芯線絞合而成之絞線。 芯線之形狀並無特別限定，可例舉扁平形狀或扁線等。 上述電線較佳為上述被覆材之厚度為0.01～3.0 mm。被覆材之厚度亦較佳為2.0 mm以下。 關於芯線之具體例，例如可使用：AWG（美國線規）-46（直徑為40微米之實心銅製線）、AWG-42（直徑為64微米之實心銅製線）、AWG-36（將7條直徑為127微米之實心銅製線、直徑為51微米之銅線絞合而成且總尺寸為直徑153微米之線）、AWG-30（將7條直徑為254微米之實心銅製線、直徑為102微米之銅線絞合而成且總尺寸為直徑306微米之線）、AWG-27（直徑為361微米之實心銅製線）、AWG-26（直徑為404微米之實心銅製線）、AWG-24（直徑為510微米之實心銅製線）、AWG-22（直徑為635微米之實心銅製線）等。
上述發泡電線由芯線及被覆芯線之被覆材所構成。上述發泡電線可用作連接電腦及其周邊裝置之纜線類、高速通訊高容量之影像或聲音之纜線類、連接資料中心之伺服器間之纜線類，例如，LAN用纜線、USB纜線、Lightning纜線、Thunderbolt纜線、CATV用纜線、HDMI（註冊商標）纜線、QSFP纜線、航天航空用電線、地下輸電纜線、海底電纜、高壓纜線、超導纜線、纏繞電線、汽車用電線、線束-電力組件、機械手-FA用電線、辦公自動化設備用電線、資訊機器用電線（光纜、聲頻纜線等）、通訊基站用內部配線、大電流內部配線（變流器、電力調節器、蓄電池系統等）、電子機器內部配線、小型電子機器-行動配線、可動部配線、電氣設備內部配線、測定機器類內部配線、電力電纜(建築用、風力/太陽能發電用等）、控制-儀錶配線用纜線、馬達用纜線等。
上述電線可為於芯線與被覆材之間插入有非發泡層之2層結構（表層-泡體）、或將非發泡層被覆於外層之2層結構（泡體-表層）、進而將非發泡層被覆於表層-泡體之外層之3層結構（表層-泡體-表層）。 上述電線之非發泡層並無特別限定，可為由TFE/HFP系共聚物、TFE/PAVE共聚物、TFE/乙烯系共聚物、偏二氟乙烯系聚合物、聚乙烯[PE]等聚烯烴樹脂、聚氯乙烯[PVC]等樹脂所構成之樹脂層。
本發明之發泡成形用組成物實質不含氟系低分子化合物，因此上述發泡成形體及電線亦實質不含氟系低分子化合物。 關於上述發泡成形體及電線中之氟系低分子化合物之含量，亦以與上述發泡成形用組成物之情形相同之方式進行分析。
本發明亦為以下所例舉之發泡電線。 （1）一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於：在與長度方向平行之截面觀察中，氣泡之平均縱橫比為1.9以下。 （2）一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於：在與長度方向平行之截面觀察中，縱橫比為3以上之氣泡之存在比率相對於在與長度方向平行之截面觀察中所測得之氣泡總量為13%以下。 （3）一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於：在與長度方向平行之截面觀察中，氣泡之縱橫比之標準偏差為1.3以下。 （4）一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於：發泡率為35%以上，表面粗糙度為9.0 μm以下。
可謂氟樹脂層或氟樹脂組成物層中所含之氣泡滿足該等物性表明具有微細且均勻之氣泡，介電常數較低，呈現穩定之電容。 該等氟樹脂層及氟樹脂組成物層例如可藉由本發明之發泡成形用組成物所形成。
上述氣泡之平均縱橫比為1.9以下。上述平均縱橫比可藉由下述方式測定：藉由掃描式電子顯微鏡（SEM）獲取與被覆材之長度方向平行之截面之圖像，根據藉由圖像處理所獲得之各泡之長徑、短徑計算長徑與短徑之比（長徑/短徑），藉此求出縱橫比，對該縱橫比進行平均。平均縱橫比較佳為1.8以下，更佳為1.6以下。又，較佳為1.0以上。
上述縱橫比為3以上之氣泡之存在比率相對於在與長度方向平行之截面觀察中所測得之氣泡總量為13%以下。上述存在比率係藉由掃描式電子顯微鏡（SEM）獲取與被覆材之長度方向平行之截面之圖像，根據藉由圖像處理而獲得之各泡之長徑、短徑計算長徑與短徑之比（長徑/短徑），藉此求出縱橫比，計算該縱橫比為3以上之泡之比率。 上述縱橫比為3以上之氣泡之存在比率較佳為6%以下，更佳為3%以下。又，較佳為0.01%以上。
上述氣泡之縱橫比之標準偏差為1.3以下。上述標準偏差係藉由掃描式電子顯微鏡（SEM）獲取與被覆材之長度方向平行之截面之圖像，根據藉由圖像處理所獲得之各泡之長徑、短徑計算長徑與短徑之比（長徑/短徑），藉此求出縱橫比，計算該縱橫比之標準偏差。上述縱橫比之標準偏差較佳為1.1以下，更佳為0.8以下，進而較佳為0.6以下。又，較佳為0.01以上。
上述發泡率為35%以上。上述發泡率係以（（氟樹脂之比重－氟樹脂層或氟樹脂組成物層之比重）/氟樹脂之比重）×100之方式求出之值。 上述發泡率更佳為40%以上，更佳為43%以上。
上述表面粗糙度為9.0 μm以下。上述表面粗糙度係利用基恩斯公司製造之雷射顯微鏡測定電線表面，對於所獲得之圖像資料，利用面形狀修正之二次曲面修正並指定電線之範圍來實施修正後，算出500×200 μm之表面粗糙度而成之值。 上述表面粗糙度更佳為8.0 μm以下，進而較佳為7.0 μm以下。
上述發泡電線較佳為在與長度方向垂直之截面觀察中氣泡之平均泡徑為40 μm以下。上述平均泡徑係藉由掃描式電子顯微鏡（SEM）獲取被覆材剖面之圖像，藉由圖像處理算出各泡之直徑並進行平均而求出之值。上述平均泡徑更佳為30 μm以下，進而較佳為25 μm以下，特佳為20 μm以下。又，較佳為0.1 μm以上。
於上述發泡電線中，氟樹脂層或氟樹脂組成物層之被覆厚度較佳為0.4 mm以下，更佳為0.3 mm以下，進而較佳為0.25 mm以下。上述被覆厚度係以（電線被覆外徑－芯線直徑）/2之方式求出之值。
於上述發泡電線中，芯線徑較佳為0.5 mm以下，更佳為0.4 mm以下，進而較佳為0.3 mm以下。
上述發泡電線其製造方法並無特別限定，較佳為藉由使用上述本發明之發泡成形用組成物之發泡電線之製造方法來製造。即，若使用本發明之發泡成形用組成物，則可獲得具有如上述之性能之發泡電線，藉此可獲得各種優異之性能。 上述本發明之發泡電線之製造方法可藉由如上述之步驟來進行。 實施例
以下，基於實施例對本發明進行具體說明。 製造例1     顆粒A之製備 利用與日本特開2017-128119號公報之實施例1所記載之方法相同之方法獲得顆粒A。所獲得之顆粒之組成為TFE/HFP/PPVE共聚物且TFE/HFP/PPVE＝87.8/11.2/1.0（質量比），熔點為255℃，熔體流動速率（MFR）為37 g/10分鐘，關於不穩定末端基與-CF 2H末端基之合計數量，碳數每1×10 6個為0個。
製造例2       顆粒B之製備 變更用於調節分子量之過硫酸銨之投入量，除此以外，以與製造例1相同之方法製備顆粒（B）。所獲得之顆粒之組成為TFE/HFP/PPVE共聚物且TFE/HFP/PPVE＝87.8/11.2/1.0（質量比），熔點為255℃，熔體流動速率（MFR）為30 g/10分鐘，關於不穩定末端基與-CF 2H末端基之合計數量，碳數每1×10 6個為10個。
製造例3       顆粒C之製備 對利用與W02005-052015號公報之合成例1所記載之方法相同之方法獲得之顆粒進行氟化處理，藉此獲得顆粒C。所獲得之顆粒之組成為TFE/PPVE共聚物且TFE/PPVE＝94.9/5.1（質量比），熔點為255℃，熔體流動速率（MFR）為63 g/10分鐘，關於不穩定末端基與-CF 2H末端基之合計數量，碳數每1×10 6個為0個。
發泡電線成形係將利用熔融混練調整成規定添加量之顆粒（組成物）設定為表1所示之擠出機溫度，芯線使用
Figure 02_image019
0.30 mm銅線，以被覆後外徑成為0.80 mm且靜電電容成為0.86 pF/m（相當於發泡率為43%）之方式調整擠出溫度、氮氣導入流量（壓力）、擠出速度、捲取速度來進行。將電線擠出條件示於表2。 連續進行1小時，對於成形穩定之3500 m段觀測線徑波動、電容波動、火花散放(spark out)。進而，對於所獲得之發泡電線以下述方法測定發泡率及平均泡徑，觀察表面狀態，測定表面粗糙度。 對於所獲得之電線評價各特性，將所得結果示於表3及4。
再者，表3、4中之添加劑如下述。 NA11：2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉 BN：氮化硼 C4SBa鹽：(C 4F 9SO 3) 2Ba C4SNa鹽：C 4F 9SO 3Na C8SBa鹽：{F(CF 2) 6CH 2CH 2SO 3} 2Ba CaTB：CaB 4O 7
[表1]
C1 280～340℃
C2 320～380℃
C3 340～400℃
C4 340～400℃
C5 340～400℃
H1 340～400℃
H2 330～400℃
H3 300～400℃
[表2]
擠出機尺寸
Figure 02_image019
35 mm
模具尺寸 2.0-2.5 mm
晶片尺寸 1.0 mm
螺桿轉速 10-20 rpm
芯線（mm） 0.30 mm
氮氣壓力（MPa） 15-30 MPa
氮氣流量（cc/min） 10-30 cc/min
對於本說明書中之各種特性，以下述方法測定。 （不穩定末端基數量之測定） 利用液壓機軋壓顆粒而製作厚度0.3 mm左右之膜，藉由FT-IR Spectrometer 1760X（Perkin-Elmer公司製造）對該膜進行分析。 獲取與標準樣品（已充分氟化至光譜不再有實質差異之樣品）之差光譜，讀取各峰之吸光度，根據下式算出碳數每1×10 6個之不穩定末端基之個數。 碳數每1×10 6個之不穩定末端基之個數＝（l×K）/t （I：吸光度；K：修正係數；t：膜厚度（單位：mm）） 各不穩定末端基之修正係數（K）如下。 -COF（1884 cm -1）             405 -COOH（1813 cm -1、1775cm -1）           455 -COOCH 3（1795 cm -1）                   355 -CONH 2（3438 cm -1）        480 -CH 2OH（3648 cm -1）        2325
（-CF 2H末端基數量之測定） 使用核磁共振裝置AC300（Bruker-Biospin公司製造），將測定溫度設為（氟樹脂之熔點＋20）℃進行 19F-NMR測定，根據源於存在-CF 2H基之峰的積分值與其他峰的積分值而求出。
（熔點） 關於氟樹脂之熔點，將使用RDC220（精工電子公司製造），以升溫速度10℃/分鐘進行測定時峰所對應之溫度作為熔點。
（MFR） 氟樹脂之MFR設為下述值：依據ASTM D-1238，使用KAYENESS熔融指數測定儀4000系列（安田精機公司製造），利用直徑為2.1 mm且長度為8 mm之模具，於372℃、5 kg負載進行測定時之值。
（外徑） 使用LASER MICRO DIAMETER LDM-303H-XY（瀧川工程公司製造）測定電線外徑。
（靜電電容） 使用CAPAC300 19C（Zumbach公司製造）測定電容。
（火花數量） 使用Beta LaserMike Sparktester HFS1220以1500 V之電壓測定每3500 m之火花數量。
（發泡率） 以（（氟樹脂之比重－發泡體之比重）/氟樹脂之比重）×100之方式求出。
（平均泡徑） 獲取電線剖面之SEM圖像，藉由圖像處理算出各泡之直徑，並進行平均，藉此求出平均泡徑。
（表面狀態） 用手掠過被覆電線之表面，以此時手感覺到之卡頓（突起）之程度進行評價。 極其良好                 無卡頓。 良好                         稍有卡頓。 不良                         有許多卡頓。
（表面粗糙度） 利用基恩斯公司製造之雷射顯微鏡測定電線表面，對於所獲得之圖像資料，利用面形狀修正之二次曲面修正並指定電線之範圍來實施修正後，算出500×2000 μm之表面粗糙度。
實施例1 對於向顆粒（A）中添加0.5質量份之2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉（ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11；熔點≧400℃）而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量18 cc/min、捲取速度102 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.6 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.003，靜電電容偏差之標準偏差為0.3，均良好，且火花數量為2個，非常良好。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為17 μm，均良好，表面狀態之觸感亦極其良好，且表面粗糙度為6.6 μm，亦非常良好。又，未自所使用之顆粒及所製作之發泡電線中檢測出氟系低分子化合物。 將實施例1所獲得之電線之剖面照片示於圖1。 進而，將表面狀態之照片示於圖12。
實施例2 對於向顆粒（A）中添加1.0質量份之2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉（ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11）而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量16 cc/min、捲取速度100 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.1 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.003，靜電電容偏差之標準偏差為0.2，均良好，且火花數量為3個，非常良好。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為14 μm，均良好，表面狀態之觸感亦極其良好，且表面粗糙度為6.9 μm，亦非常良好。 將實施例2所獲得之電線之剖面照片示於圖2。 進而，將表面狀態之照片示於圖13。
實施例3 對於向顆粒（A）中添加0.5質量份之2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉（ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11）、1.0質量份之PFA而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量18 cc/min、捲取速度104 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.5 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.003，靜電電容偏差之標準偏差為0.3，均良好，且火花數量為2個，非常良好。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為18 μm，均良好，表面狀態之觸感亦極其良好，且表面粗糙度為6.8 μm，亦非常良好。 將實施例3所獲得之電線之剖面照片示於圖3。 進而，將表面狀態之照片示於圖14。
實施例4 對於向顆粒（C）中添加0.5質量份之2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉（ADEKA股份有限公司製造之結晶成核劑Adekastab NA-11；熔點≧400℃）而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量18 cc/min、捲取速度102 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.3 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.004，靜電電容偏差之標準偏差為0.3，均良好，且火花數量為1個，非常良好。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為19 μm，均良好，表面狀態之觸感亦極其良好，且表面粗糙度為6.8 μm，亦非常良好。 將實施例4所獲得之電線之剖面照片示於圖4。 進而，將表面狀態之照片示於圖15。
比較例1 對於顆粒（A）中未添加任何成分之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量21 cc/min、捲取速度70 m/min實施發泡電線成形。幾乎未見發泡，OD偏差、靜電電容偏差非常大。無法獲得目標發泡電線。
比較例2 對於向顆粒（A）中添加1.0質量份之氮化硼而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量20 cc/min、捲取速度106 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.2 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.004，靜電電容偏差之標準偏差為1.9，較大，且火花數量為100個以上，非常差。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為36 μm，較大，表面狀態亦不良，且表面粗糙度為12.4 μm，亦較差。 將比較例2所獲得之電線之剖面照片示於圖5。 進而，將表面狀態之照片示於圖16。
比較例3 對於向顆粒（B）中添加0.0281質量份之氟辛磺酸鋇鹽、0.011質量份之四硼酸鈣、0.4質量份之氮化硼而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量13 cc/min、捲取速度100 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.4 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.005，靜電電容偏差之標準偏差為0.6，均稍大，且火花數量為12個，較多。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為14 μm，均良好，表面狀態之觸感良好，表面粗糙度為10.0 μm，較差。又，自所使用之顆粒及所製作之發泡電線中分別檢測出11 ppm、16 ppm之{F(CF 2) 6CH 2CH 2SO 3} 2Ba。 將比較例3所獲得之電線之剖面照片示於圖6。 進而，將表面狀態之照片示於圖17。
比較例4 對於向顆粒（A）中添加0.1質量份之氟辛磺酸鋇鹽而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量16 cc/min、捲取速度90 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.5 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.007，靜電電容偏差之標準偏差為0.7，均稍大，火花數量為9個，較多。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為17 μm，均良好，表面狀態之觸感良好，表面粗糙度為10.9 μm，較差。 將比較例4所獲得之電線之剖面照片示於圖7。 進而，將表面狀態之照片示於圖18。
比較例5 對於向顆粒（A）中添加0.08質量份之氟辛磺酸鋇鹽、0.01質量份之四硼酸鈣而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量16 cc/min、捲取速度90 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.5 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.005，靜電電容偏差之標準偏差為0.3，均良好，但火花數量為8個，較多。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為17 μm，均良好，表面狀態之觸感良好，表面粗糙度為10.4 μm，較差。 將比較例5所獲得之電線之剖面照片示於圖8。 進而，將表面狀態之照片示於圖19。
比較例6 對於向顆粒（A）中添加0.01質量份之氟丁磺酸鈉鹽、0.4質量份之氮化硼而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量20 cc/min、捲取速度90 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.1 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.004，靜電電容偏差之標準偏差為0.4，均良好，但火花數量為15個，較多。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為30 μm，較大，表面狀態之觸感不良，表面粗糙度為12.3 μm，較差。 將比較例6所獲得之電線之剖面照片示於圖9。 進而，將表面狀態之照片示於圖20。
比較例7 對於向顆粒（A）中添加0.1質量份之氟丁磺酸鋇鹽而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量20 cc/min、捲取速度90 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.1 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.004，靜電電容偏差之標準偏差為0.3，均良好，但火花數量為8個，較多。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為17 μm，均良好，表面狀態之觸感良好，表面粗糙度為10.0 μm，較差。 將比較例7所獲得之電線之剖面照片示於圖10。 進而，將表面狀態之照片示於圖21。
實施例5 對於向顆粒（A）中添加1.0質量份之雙酚磷酸二酯鋇鹽（熔點≧400℃）而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量14 cc/min、捲取速度105 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.2 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.003，靜電電容偏差之標準偏差為0.3，均良好，且火花數量為2個，非常良好。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為18 μm，均良好，表面狀態之觸感亦極其良好，且表面粗糙度為6.7 μm，亦非常良好。 將實施例5所獲得之電線之剖面照片示於圖23。 進而，將表面狀態之照片示於圖24。
實施例6 對於向顆粒（A）中添加1.0質量份之N,N'-二環己基-2,6-萘二甲醯胺（新日本理化股份有限公司製造之結晶成核劑NJStar NU-100；熔點≧400℃）、1.0質量份之PFA而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量16 cc/min、捲取速度96 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.5 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.004，靜電電容偏差之標準偏差為0.3，均良好，且火花數量為6個，非常良好。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為22 μm，均良好，表面狀態之觸感亦極其良好，且表面粗糙度為8.0 μm，亦非常良好。 將實施例6所獲得之電線之剖面照片示於圖25。 進而，將表面狀態之照片示於圖26。
比較例8 對於向顆粒（A）中添加0.1質量份之苯膦酸鈉而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量18 cc/min、捲取速度100 m/min實施發泡電線成形，獲得了目標外徑為0.80 mm、靜電電容為86.3 pF/m之發泡電線。線徑偏差之標準偏差為0.005、靜電電容偏差之標準偏差為0.9，較大，且火花數量為100個以上，非常差。對所獲得之發泡電線進行分析，結果發泡率為43%，平均泡徑為45 μm，較大，表面狀態亦不良，且表面粗糙度為13.5 μm，亦較差。 將比較例8所獲得之電線之剖面照片示於圖11。 進而，將表面狀態之照片示於圖22。
比較例9 對於向顆粒（A）中添加1.0質量份之2,6-萘二甲酸而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量18 cc/min實施發泡電線成形，但添加劑之分解激烈，無法獲得目標發泡電線。
比較例10 對於向顆粒（A）中添加1.0質量份之1,3:2,4-雙-O-(4-甲基亞苄基)-D-山梨醇（新日本理化股份有限公司製造之結晶成核劑Gelol MD）而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量18 cc/min實施發泡電線成形，但添加劑之分解激烈，無法獲得目標發泡電線。
比較例11 對於向顆粒（A）中添加1.0質量份之N,N'-二(十八烷基)間苯二甲酸醯胺而成之顆粒，以擠出速度15 rpm、氮氣導入流量18 cc/min實施發泡電線成形，但添加劑之分解激烈，無法獲得目標發泡電線。
[表3]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6
樹脂 A A A C A A
添加劑種類 NA11 NA11 NA11 NA11 雙酚磷酸二酯 鋇 鹽 NU- 100
添加劑濃度（重量份） 0.5 1.0 0.5 0.5 1.0 1.0
添加劑熔點（℃） ＞400（無峰值） ＞400（無峰值） ＞400（無峰值） ＞400（無峰值） ＞400（無峰值） ＞400（無峰值）
添加劑分解溫度（℃） 421 421 421 421 362 336
添加劑之 SP 值 10.3 10.3 10.3 10.3 10.3 12.1
添加劑種類 - - PFA - - PFA
添加劑濃度（重量份） - - 1.0 - - 2.0
添加劑分解溫度（℃） - - - - - -
添加劑種類 - - - - - -
添加劑濃度（重量份） - - - - - -
外徑（mm） 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
標準偏差 0.003 0.003 0.003 0.004 0.003 0.004
靜電電容（pF/m） 86.6 86.1 86.5 86.3 86.2 86.5
標準偏差 0.3 0.2 0.3 0.3 0.3 0.3
火花產生數量（個/3500 m） 2 3 2 1 2 6
發泡率（%） 43 43 43 43 43 43
平均泡尺寸（μm） 17 14 18 19 18 22
表面狀態   觸感 極其良好 極其良好 極其良好 極其良好 極其良好 極其良好
表面粗糙度（μm） 6.6 6.9 6.8 6.8 6.7 8.0
發泡電線                  
縱橫比平均值 1.5 1.5 1.4 1.5 1.3 3.0
縱橫比標準偏差 0.4 0.6 0.4 0.4 0.4 2.4
縱橫比為 3 以上之比率（ % ） 0.7 2.7 0.7 0.6 0.6 30.1
[表4]
   比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例6 比較例7 比較例8 比較例9 比較例10 比較例11
樹脂 A A B A A A A A A A A
添加劑種類 無 BN C8SBa 鹽 C8SBa 鹽 C8SBa 鹽 C4SNa 鹽 C4SBa 鹽 苯膦酸鈉 2,6 - 萘二甲酸 Gelol MD N,N ' - 二 ( 十八烷基 ) 間苯二甲酸醯胺
添加劑濃度（重量份） - 1.0 0.028 0.1 0.08 0.01 0.1 0.1 1.0 1.0 1.0
添加劑熔點（℃） - ＞600（無峰值） 342 342 342 364 ＞400（無峰值） ＞400（無峰值） 273 ＞400（無峰值） 132
添加劑分解溫度（℃） - ＞600 413 413 413 425 480 342 297 255 228
添加劑之 SP 值 - - 7.2 7.2 7.2 7.5 7.5 16.3 13.8 12.7 9.8
添加劑種類 - - CaTB - CaTB BN - - - - -
添加劑濃度（重量份） - - 0.01 - 0.01 0.4 - - - - -
添加劑分解溫度（℃） - - - - - - - - - - -
添加劑種類 - - BN - - - - - - - -
添加劑濃度（重量份） - - 0.4 - - - - - - - -
外徑（mm） 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 - - -
標準偏差 - 0.004 0.005 0.007 0.005 0.004 0.004 0.005 - - -
靜電電容（pF/m） - 86.2 86.4 86.5 86.5 86.1 86.1 86.3 - - -
標準偏差 - 1.9 0.6 0.7 0.3 0.4 0.3 0.9 - - -
火花產生數量（個/3500 m） 0 ＞100 12 9 8 15 8 ＞100 - - -
發泡率（%） 幾乎不發泡 43 43 43 43 43 43 43 - - -
平均泡尺寸（μm） 103 36 14 17 17 30 17 45 - - -
表面狀態   觸感 不良 不良 良好 良好 良好 不良 良好 不良 - - -
表面粗糙度（μm） - 12.4 10.0 10.9 10.4 12.3 10.0 13.5 - - -
發泡電線                                 
縱橫比平均值 - 1.9 2.0 2.3 3.2 2.0 2.2 1.7 - - -
縱橫比標準偏差 - 0.9 1.8 2.1 2.2 1.9 1.4 1.2 - - -
縱橫比為 3 以上之比率（ % ） - 6.7 9.9 15.8 38.8 8.1 14.6 7.1 - - -
[產業上之可利用性]
本發明之發泡成形用組成物特別適宜用作用於形成發泡電線之被覆材之材料。
無
[圖1]係實施例1所獲得之電線之剖面照片。 [圖2]係實施例2所獲得之電線之剖面照片。 [圖3]係實施例3所獲得之電線之剖面照片。 [圖4]係實施例4所獲得之電線之剖面照片。 [圖5]係比較例2所獲得之電線之剖面照片。 [圖6]係比較例3所獲得之電線之剖面照片。 [圖7]係比較例4所獲得之電線之剖面照片。 [圖8]係比較例5所獲得之電線之剖面照片。 [圖9]係比較例6所獲得之電線之剖面照片。 [圖10]係比較例7所獲得之電線之剖面照片。 [圖11]係比較例8所獲得之電線之剖面照片。 [圖12]係實施例1所獲得之電線之表面照片。 [圖13]係實施例2所獲得之電線之表面照片。 [圖14]係實施例3所獲得之電線之表面照片。 [圖15]係實施例4所獲得之電線之表面照片。 [圖16]係比較例2所獲得之電線之表面照片。 [圖17]係比較例3所獲得之電線之表面照片。 [圖18]係比較例4所獲得之電線之表面照片。 [圖19]係比較例5所獲得之電線之表面照片。 [圖20]係比較例6所獲得之電線之表面照片。 [圖21]係比較例7所獲得之電線之表面照片。 [圖22]係比較例8所獲得之電線之表面照片。 [圖23]係實施例5所獲得之電線之剖面照片。 [圖24]係實施例5所獲得之電線之表面照片。 [圖25]係實施例6所獲得之電線之剖面照片。 [圖26]係實施例6所獲得之電線之表面照片。

Claims (25)

  1. 一種發泡成形用組成物，其含有：氟樹脂（A）；及化合物（B），其熱分解溫度為300℃以上且溶解度參數（SP值）為8～15。
  2. 如請求項1之發泡成形用組成物，其中，化合物（B）為包含選自由芳環、磷酸酯基以及醯胺基所組成之群中至少一種部分結構的化合物。
  3. 如請求項2之發泡成形用組成物，其中，化合物（B）為包含1個以上之C6-14之芳環的化合物或其鹽。
  4. 如請求項2之發泡成形用組成物，其中，化合物（B）為選自由磷酸酯及其鹽、磷酸酯錯合物、以及具有2個以上之醯胺基之化合物所組成之群中至少一種化合物。
  5. 如請求項4之發泡成形用組成物，其中，化合物（B）之鹽為鹼金屬或鹼土金屬。
  6. 如請求項2至5中任一項之發泡成形用組成物，其中，化合物（B）為由下述式（1）、（2）、（3）及（4）所表示之化合物中至少一種，
    Figure 03_image021
    Figure 03_image023
    Figure 03_image025
    Figure 03_image027
    （式中，R 1、R 2、R 3、R 4、R 21、R 22、R 23、R 24、R 31、R 32、R 33、R 34、R 41、R 42表示氫原子、碳原子數1～8之烷基或環烷基、或者碳原子數6～12之芳基、烷基芳基或芳烷基（arylalkyl），Ar 41表示芳基，R 5、R 6表示氫原子或甲基，n表示1或2之整數，m表示0～2之整數，X表示m＋n價之金屬）。
  7. 如請求項6之發泡成形用組成物，其中，式（1）、式（2）、式（3）之R 1、R 2、R 21、R 22、R 31及R 3 3係碳數為1～8之烷基。
  8. 如請求項6或7之發泡成形用組成物，其中，式（1）、式（2）、式（3）之X為鈉、鉀、銣、鈣及鋇中至少一種。
  9. 如請求項6至8中任一項之發泡成形用組成物，其中，化合物（B）為由上述式（1）所表示之芳香族環狀磷酸酯鹽。
  10. 如請求項9之發泡成形用組成物，其中，化合物（B）為2,2’-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸鈉。
  11. 如請求項1至10中任一項之發泡成形用組成物，其中，氟樹脂（A）為可熔融加工之氟樹脂。
  12. 如請求項1至11中任一項之發泡成形用組成物，其中，氟樹脂（A）為選自由四氟乙烯/六氟丙烯系共聚物、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物、及四氟乙烯/乙烯系共聚物所組成之群中至少一種。
  13. 如請求項1至12中任一項之發泡成形用組成物，其中，氟樹脂（A）為經氟化處理之氟樹脂。
  14. 如請求項1至13中任一項之發泡成形用組成物，其實質不含氟系低分子化合物。
  15. 一種發泡成形體，其得自請求項1至14中任一項之發泡成形用組成物。
  16. 如請求項15之發泡成形體，其實質不含氟系低分子化合物。
  17. 一種發泡電線，其具備：芯線；及被覆材，其被覆於上述芯線且得自請求項1至14中任一項之發泡成形用組成物。
  18. 如請求項17之發泡電線，其實質不含氟系低分子化合物。
  19. 一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： 在與長度方向平行之截面觀察中，氣泡之平均縱橫比為1.9以下。
  20. 一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： 在與長度方向平行之截面觀察中，縱橫比為3以上之氣泡之存在比率相對於在與長度方向平行之截面觀察中所測得之氣泡總量為13%以下。
  21. 一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： 在與長度方向平行之截面觀察中，氣泡之縱橫比之標準偏差為1.3以下。
  22. 一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： 發泡率為35%以上，表面粗糙度為9.0 μm以下。
  23. 如請求項19至22中任一項之發泡電線，其中，在與長度方向垂直之截面觀察中，氣泡之平均泡徑為40 μm以下。
  24. 一種發泡成形體之製造方法，其包括對請求項1至14中任一項之發泡成形用組成物進行發泡成形之步驟。
  25. 一種電線之製造方法，其包括將請求項1至14中任一項之發泡成形用組成物被覆於芯線而獲得電線之步驟。
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