TW202215058A

TW202215058A - 探針卡

Info

Publication number: TW202215058A
Application number: TW110134208A
Authority: TW
Inventors: 森親臣
Original assignee: 日商日本電子材料股份有限公司
Priority date: 2020-09-15
Filing date: 2021-09-14
Publication date: 2022-04-16
Also published as: US20230266365A1; KR20230038795A; JPWO2022059070A1; WO2022059070A1; CN116097104A

Abstract

本發明之目的，在於提供一種能將插通於導板之導孔之探針以不脫落之方式卡止於導板、同時以更窄之間距配置的探針卡。探針卡，具備2以上的探針200、與具有探針200分別插通之2以上之第1導孔14h的第1導板14，探針200，具有：相對第1導板14傾斜配置、在較第1導板14上方之側面使相對第1導板14之角度為銳角之第1方向d1側之側面210突出的卡止部21，以及在較第1導板14上方之側面使相對第1導板14之角度為鈍角之第2方向d2側之側面220往卡止部21側偏位的偏位部22，相鄰之2個探針220係配置成一方之卡止部21與另一方之偏位部22對向。

Description

探針卡

本發明係關於探針卡，進一步詳言之，係關於將2以上之探針以導板加以支承之探針卡的改良。

探針卡係用於檢查形成在半導體晶圓之半導體元件之電氣特性的檢査裝置，在配線基板設有多數個分別接觸於半導體元件上之電極墊的探針。半導體元件之特性檢査，係在將進行測試訊號之輸出入之測試器裝置連接於探針卡後，使半導體晶圓接近探針卡以使探針之前端接觸半導體元件上之電極墊，透過探針及配線基板使測試器裝置與半導體元件導通來進行。

圖17係顯示先前之一探針卡例的圖（例如，專利文獻1）。於此探針卡，具有卡止部31之探針300被導板14支承。探針卡，在配線基板10、11之下方設有導板14、15，探針300插通於兩導板14、15之導孔14h、15h，上端接觸於形成在配線基板11下面之探針用電極11t，下端與形成在半導體晶圓上面之電極墊接觸。

探針300，具有在上側之導板14上方使側面突出的一對卡止部31。一對卡止部31係使探針之對向側面分別突出形成，探針300被支承為不會從第1導板14脫落。 先行技術文獻

專利文獻1：特開2018－44912號公報

發明欲解決之課題

由於近年來微細加工技術之進歩，半導體元件之電極墊日益窄間距化，伴隨於此，探針亦被要求窄間距化。若欲使探針配置窄間距化，必須縮短探針寬度或探針間隔。然而，若考慮探針被要求之電氣特性及機械強度的話，探針剖面積之降低是有其極限的。因此，為實現進一步之窄間距化，必須縮短探針間隔，同時亦必須縮短卡止部31之突出量。

由於此種窄間距化之進展，卡止部31之突出量持續接近探針300與導孔14h之間隙，若進一步縮短突出量的話，卡止部31會有從導孔14h脫落之虞。

本發明有鑑於上述情事而成，其目的在於提供一種能將插通於導板之導孔之探針以不脫落之方式卡止於導板，同時以更窄間距配置之探針卡。 用以解決課題之手段

本發明第1實施態樣之探針卡，具備：2以上之探針、及具有該探針分別插通之2以上之第1導孔的第1導板；該探針，具有相對該第1導板傾斜配置，在較該第1導板上方之側面、使相對該第1導板之角度為銳角之第1方向側之側面突出的卡止部；該探針之較該第1導板上方之側面、相對該第1導板之角度為鈍角之第2方向側之側面，其距該探針之中心軸之距離較該卡止部之突出面短。

使插通於第1導孔之探針相對第1導板傾斜，並藉由在較第1導板上方之側面、使相對第1導板之角度為銳角之第1方向側之側面突出以形成卡止部，卡止部與第1導孔周邊之第1導板上面對向，探針即卡止於第1導板。因此，能與探針寬度及第1導孔之間隙大小無關的減少卡止部之突出量，以窄間距配置探針。進一步的，第1方向側之相反側、也就是較第1導板上方之側面、相對第1導板之角度為鈍角之第2方向側之側面，位於較卡止部之突出面接近中心軸之距離，因此能以更窄間距配置探針。

本發明第2實施態樣之探針卡，除上述構成外，該探針進一步具有使該第2方向側之側面往該卡止部側偏位之偏位部；相鄰之2個該探針，係配置成一方之該卡止部與另一方之該偏位部對向。

由於此種構成之採用，藉由將2以上之探針以一方之卡止部與另一方之偏位部對向之方式相鄰配置，以使卡止部之突出方向與偏位部之偏位方向一致，即能以更窄間距配置探針。此外，藉由將偏位部形成在第2方向側之側面，能與探針寬度及第1導孔之間隙大小無關的加大偏位量，以更窄間距配置探針。

本發明第3實施態樣之探針卡，除上述構成外，該偏位部之下面係在該探針之中心軸上、形成在較該卡止部之下面下方。

由於此種構成之採用，可抑制卡止部之下端接觸較偏位部下方之側面，以窄間距配置探針。

本發明第4實施態樣之探針卡，除上述構成外，該偏位部之下面之最外緣係配置在較該第1導板之上面下方。

由於此種構成之採用，可防止卡止部之下端與較偏位部下方之側面接觸，以窄間距配置探針。

本發明第5實施態樣之探針卡，除上述構成外，該偏位部之下面係相對該探針之中心軸傾斜成越往下方、偏位量越減少。

由於此種構成之採用，可抑制卡止部與較偏位部下側之側面接觸。此外，可藉由偏位部之設置，抑制對探針之電氣特性及機械強度之影響。

本發明第6實施態樣之探針卡，除上述構成外，進一步具備配置在該第1導板之上方，具有該探針之上端分別抵接之2以上之探針用電極的配線基板；該偏位部，係形成在與該卡止部對向之側面的凹部。

由於此種構成之採用，可加大探針上端寬度，而加大可使探針上端接觸探針用電極之探針之傾斜角範圍，使探針與探針用電極更為確實的導通。

本發明第7實施態樣之探針卡，除上述構成外，該偏位部之上面之最外緣係在該探針之中心軸上、形成在較該卡止部之上面之最外緣上方。

由於此種構成之採用，可抑制卡止部之上端接觸較偏位部上方之側面，以窄間距配置探針。

本發明第8實施態樣之探針卡，除上述構成外，該偏位部之上面係相對該探針之中心軸傾斜成越往上方、偏位量越減少。

由於此種構成之採用，可抑制卡止部與較偏位部上側之側面接觸。此外，藉由偏位部之設置，可抑制對探針之電氣特性及機械強度之影響。

本發明第9實施態樣之探針卡，除上述構成外，進一步具備配置在該第1導板之下方，具有該探針分別插通之2以上之第2導孔的第2導板；該第1導孔及該第2導孔，係配置在於該探針傾斜之方向相對偏位的位置。

由於此種構成之採用，可使插通於第1導孔之探針相對第1導板傾斜。 發明效果

根據本發明，可提供一種能將插通於導板之導孔之探針以不脫落之方式卡止於導板、同時以更窄之間距配置的探針卡。

實施形態1 ＜探針卡100＞圖1係本發明實施形態1之探針卡100之一構成例的剖面圖，顯示將水平配置之探針卡100從鉛直面加以切斷時之剖面。探針卡100係對半導體晶圓等之檢査對象物（未圖示）進行電性連接之檢査裝置，與檢查對象物上之多數個電極墊分別接觸之多數個探針200以和該電極墊對應之方式配設。圖示之探針卡100由主基板10、ST（space transformer、空間變換）基板11、補強板12、間隔件13、第1導板14、第2導板15、以及2以上之探針200構成。

主基板10係以可裝拆之方式安裝在探針台（未圖示）之配線基板，可使用例如圓板狀之印刷電路基板。主基板10係配置成大致水平，於其上面安裝有補強板12。補強板12係用以抑制主基板10之變形的補強構件，可使用例如金屬塊。又，在主基板10上之補強板12外側、亦即在主基板10上面之外周緣部，設有連接測試器（未圖示）之訊號端子的2以上之外部電極10t。

ST基板11係變換電極節距之配線基板，安裝在主基板10之下面。在ST基板11之下面形成有2以上之探針用電極11t。探針用電極11t係使探針200接觸之電極端子，以和探針200對應之節距配設並透過主基板10及ST基板11之配線圖案及通孔（through hole）與以更寬節距配設之外部電極10t導通。

導板14及15皆係支承探針200之支承基板，可使用例如平板狀之矽基板。導板14及15透過間隔件13被固定在主基板10或ST基板11，與ST基板11相隔一距離配置成大致水平。

第1導板14具有2以上之第1導孔14h。第1導孔14h係於上下方向貫通第1導板14之貫通孔，探針200插通於此。第1導板14係於ST基板11之下方分離配置，以不脫落之方式支承探針200，並進行探針200相對於ST基板11之水平方向之定位。

第2導板15具有2以上之第2導孔15h。第2導孔15h係於上下方向貫通第2導板15之貫通孔，探針200插通於此。第2導板15係於第1導板14之下方分離配置，將探針200支承為能於上下方向移動，進行探針200相對於檢査對象物之水平方向之定位。

被同一探針200插通之導孔14h及15h，係以在水平方向偏位一定距離之方式配置。藉由使對應之導孔14h及15h之位置相對偏位，探針200在導板14、15間彎曲變形且探針200之兩端近旁相對導板14及15傾斜。傾斜方向D係顯示探針200之傾斜的水平面上方向。

探針200係具有細長形狀之垂直型探針，由導電性材料構成。探針200之上端接觸ST基板11之探針用電極11t，下端接觸檢査對象物之電極墊。

藉由使探針200接觸檢査對象物後進一步使兩者接近以進行過驅動（overdrive）處理，據以使探針200彈性變形，下端上下動。因此，藉由導孔14h、15h之偏位配置使非檢査時之探針200預先彎曲變形，即能在過驅動時使探針200之彎曲部屈曲變形，在對檢査對象物賦予適度壓力之同時、確保上下動之行程長度。又，藉由在非檢査時使各探針200彎曲變形成大致同一形狀，即能防止在導板14、15間屈曲變形之探針接觸。

＜導板14、15＞圖2係顯示圖1之第1導板14之一構成例的俯視圖，顯示第1導板14之上面。

圖示之第1導板14係大致矩形之平板，多數個第1導孔14h在傾斜方向D及其正交方向分別排列而成2維配置。第1導孔14h係與主面正交之貫通孔，其剖面由一對邊與傾斜方向D正交之矩形構成。

著眼於傾斜方向D，第1導孔14h係寬度Hw之貫通孔，相距一間隔Hi配置。也就是說，以節距Hp＝Hw＋Hi排列配置。探針200之剖面形狀係根據探針200被要求之電氣特性、機械強度等而定。因此，若欲將探針200以更窄間距配置的話，即必須縮短間隔Hi。最近，第1導孔14h之間隔Hi被要求須在寬度Hw之1／2以下，例如1／3以下。其結果，相鄰之探針200間變得易於產生短路。

第2導板15，除第2導孔15h之位置相對第1導孔14h之位置有偏位外，具有與第1導板14完全相同之構成。

圖3係顯示探針200及導板14、15之組裝時狀態的概略圖。圖中之（a），顯示了將探針200插通於導孔14h、15h之狀態，圖中之（b），顯示了使導孔14h、15h偏位，以使探針200彎曲變形之狀態。

圖中之（a），顯示了將導板14、15配置成對應之導孔14h、15h之位置一致，將直線形狀之探針200插通於導孔14h、15h之狀態。之後，當使導板14、15往傾斜方向D相對平行移動時，即能使對應之導孔14h及15h之位置偏位。圖中之（b），顯示了使導孔14h及15h偏位後之狀態。之後，以探針200之上端接觸探針用電極11t之方式，安裝ST基板11。

＜探針200＞圖4係顯示探針200之一構成例的外觀圖。圖中之（a）係探針200之前視圖、（b）係探針200之右側視圖。

探針200形成為具有大致相同矩形剖面之柱狀體，探針200之上端及下端以探針200之中心軸J突出之方式分別被尖銳化。又，在探針200之上端近旁設有使側面之一部分突出之卡止部21。

探針200被區分為探針上部251、探針本體252及探針下部253。探針本體252係配置在導板14、15間之彈性變形部，探針本體252之上側為探針上部251、下側為探針下部253，卡止部21設在探針上部251。

探針200，具有例如將1個中間層302以2個外層301、303加以包夾之3層構造，利用MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）技術製作。中間層302係使用導電性良好之金屬材料的導電層，外層301、303係使用機械強度良好之金屬材料的應力層。又，在探針200之上端面，使用導電性良好之金屬材料的接觸層304以和3個主層301～303之各端面接觸之方式形成。3個主層301～303作為與中心軸J及傾斜方向D平行之層而積層形成，卡止部21形成為在各層301～303之平面形狀中之大致矩形凸部。

圖5及圖6係顯示圖4之探針200之詳細構成的圖。圖5係放大顯示探針200之一部分的部分放大圖，圖6係顯示圖5之A－A切斷線之剖面的剖面圖。

卡止部21，係使傾斜方向D之一方側面210往與中心軸J垂直之方向突出而形成，具有與中心軸J正交之下面211及上面213、及與中心軸J平行之突出面212。另一方面，在傾斜方向D之另一側面220，未形成卡止部。

圖中之Lw係探針寬度、L21係卡止部21之突出量。探針200距中心軸J之距離，突出面212為L31＝Lw／2＋L21，相對於此，與卡止部21對向之側面220則為L32＝Lw／2，側面220距中心軸J之距離，與突出面212相較，短突出量L21。

圖7係放大顯示圖1之第1導板14及探針200之一部份的放大剖面圖。探針200之上端抵接於ST基板11之探針用電極11t，卡止部21之下面211抵接於第1導板14之上面。因此，可使探針200與探針用電極11t導通、並將探針200支承為不會從第1導孔14h脫落。

探針上部251，係相對第1導板14於傾斜方向D傾斜配置。傾斜方向D中，將第1導板14上方、探針200之中心軸J及第1導板14所夾角度成銳角之方向稱為第1方向d1，將與第1方向d1相反之方向，也就是在第1導板14上方、探針200之中心軸J及第1導板14所夾角度成鈍角之方向稱為第2方向d2。

卡止部21，形成在探針上部251之第1方向d1側之側面210。亦即，在第1導板14上方之側面、使因傾斜而相對第1導板14之角度為銳角之側面210突出而形成卡止部21。因此，能與卡止部21及第1導孔14h之形狀或大小無關的，卡止部21之下面211與第1導孔14h周邊之導板14之上面對向，卡止部21卡止於第1導板14，將探針200支承為不會從第1導孔14h脫落。

例如，在預先將探針上部251設計成能通過第1導孔14h之形狀的情形、或因磨耗或損傷而成事後能通過的情形時，皆能支承探針200。

又，與在第2方向d2側之側面220、也就是較第1導板14上方之側面因傾斜而相對第1導板14之角度成鈍角之側面220形成卡止部21之情形相較，由於能減小卡止部21之突出量L21，因此能在確保既定探針間隔Li之同時，減少探針節距Lp。

探針間隔Li，係從相鄰之2個探針200之一卡止部21之突出面212到另一第2方向d2側之側面220的距離，探針節距為Lp＝Lw＋L21＋Li。例如，探針寬度Lw為20μm、卡止部21之突出量L21為7μm、探針間隔Li為13μm的話，探針節距Lp即為40μm。為實現窄間距配置，以卡止部21之突出量L21在探針寬度Lw以下之情形較佳，探針寬度Lw之1／2以下更佳。又，探針間隔Li以在探針寬度Lw以下較佳。

圖8係顯示與本發明實施形態1比較之比較例之主要部位的圖。作為比較例之探針200'係相對第1導板14傾斜配置，具有使第1方向d1側及與第1方向d1相反之第2方向d2側之2個側面210、220分別突出的一對卡止部21。此探針200'，與圖7之探針200相較，其缺點在於在欲確保相同探針間隔Li時之探針節距Lp長突出量L21。

於本實施形態之探針卡，探針200係相對第1導板14傾斜配置，具有在第1導板14上方、使探針200與第1導板14所夾角度為銳角之第1方向d1側之側面210突出的卡止部21。因此，能使卡止部21卡止在第1導板14之上面，將探針200支承為不會脫落。又，能與探針200與第1導孔14h間之間隙大小無關的縮短卡止部21之突出量L21，而能縮短探針節距Lp。

又，於探針200，卡止部未形成在與卡止部21對向之側面220，相鄰2個探針200，係一方之卡止部21與另一方之側面220對向，卡止部21彼此不對向。因此，與使用在對向之兩側面210、220設置卡止部21之探針之情形相較，能確保相同探針間隔Li，縮短探針節距Lp。

上述實施形態中，雖說明了和卡止部21對向之側面220為平坦之情形之例，但本發明不僅限於上述情形。亦即，與卡止部21對向之側面，距離中心軸J之距離L32只要是較從中心軸J到突出面212之距離L31短即可，可以具有凹部或凸部、或者亦可以是曲面。也就是說，在包含卡止部21之剖面，中心軸J偏心在第2方向d2側即可。

實施形態2 實施形態1，係針對使用探針200之情形做了說明，此探針200，具有相對第1導板14傾斜配置、在較第1導板14上方使探針200與第1導板14所夾角度為銳角之第1方向d1側之側面210突出的卡止部21。於本實施形態，將針對使用探針201之情形進行說明，此探針210，係除卡止部21外，還具有使與第1方向d1相反之第2方向d2側之側面220往中心軸J側偏位的偏位部22。

圖9及圖10係顯示構成本發明實施形態2之探針卡之探針201之主要部位一例的圖。圖9係放大顯示探針201之一部分的部分放大圖、圖10係顯示圖9之B－B切斷線之剖面的剖面圖。

探針201與圖5之探針200（實施形態1）之不同點在於，具有使與卡止部21對向之側面220往内側偏位之偏位部22。其他構成與探針200相同，因此省略重複之說明。

偏位部22，係使探針上部251之第2方向d2側之側面220往卡止部21之突出方向偏位而形成，具有與中心軸J正交之下面221、和與中心軸J平行之偏位面222。又，偏位部22係在中心軸J上設置在與卡止部21對應之位置，偏位面222與突出面212對向並延伸至探針上端。下面221構成形成在側面220及偏位面222之交界處的段差部，設置在較卡止部21之下面211下方。亦即，偏位部22之下端，在中心軸J上，係位在較卡止部21之下端更下方。

圖中之L22係偏位部22之偏位量。與探針201之中心軸J之距離，突出面212為L31＝Lw／2＋L21，相對於此，偏位面222為L32＝Lw／2－L22，偏位面222距中心軸J之距離，與突出面212相較，係短突出量L21與偏位量L22之和。

圖11係放大顯示第1導板14及探針201之一部分的放大剖面圖。相鄰2個探針201中之一卡止部21，與另一偏位部22對向。又，偏位部22以相鄰配置之2個探針201中之一卡止部21之下端不會接觸到較另一偏位部22下方之側面220的方式形成。因此，與圖7之探針200（實施形態1）相較，可將欲確保相同探針間隔Li時之探針節距Lp縮短偏位量L22。

在探針201傾斜之狀態下，偏位部22之下面221之最外緣225係配置在卡止部21之下面211之最外緣215下方。也就是說，偏位部22之下面221之最外緣225係配置在較第1導板14之上面下方、例如配置在第1導孔14h内。藉由此種構成之採用，能防止卡止部21之下面211之最外緣215接觸較偏位部22下側之側面220。此外，最外緣215、225係距離中心軸J最遠之下面211、221之緣部。

探針間隔Li，係從相鄰探針201中之一突出面212到另一偏位面222之距離，探針節距為Lp＝Lw＋L21－L22＋Li。例如，探針寬度Lw為20μm、卡止部21之突出量L21為7μm、偏位量L22為5μm、探針間隔Li為13μm的話，探針節距Lp即為35μm。

圖12係顯示與本發明實施形態2比較之比較例之主要部位的圖。作為比較例之探針201'，偏位部22之下端係設置在與卡止部21之下端對應之位置。也就是說，偏位部22之下面221與卡止部21之下面211，係形成在探針201'之中心軸J上之相同位置。因此，若將探針201'傾斜配置的話，偏位部22之下面221之最外緣225即會位於較第1導板14之上面上方，卡止部21之下面211之最外緣215成為與較偏位部22下側之側面220相同高度。其結果，相鄰配置之2個探針201'中之一卡止部21會有與另一未偏位之側面220接觸之虞，即使設置偏位部22，亦無法縮短探針節距Lp。

構成本實施形態之探針卡之探針201，具有使與卡止部21對向之側面220往卡止部21之突出方向偏位之偏位部22。因此，與不具有偏位部22之情形相較，能在確保相同探針間隔Li之同時，進一步縮短探針節距Lp。

又，構成本實施形態之探針卡之探針201，在傾斜狀態下，偏位部22之下端位在較第1導板14上面下方、例如位在第1導孔14h内。因此，可防止在相鄰配置之2個探針201間，一方卡止部21與較另一偏位部22下側之側面220接觸，而能縮短探針節距Lp。

實施形態3 實施形態2，係針對使用具有延伸至探針上端之偏位部22之探針201的情形做了說明。相對於此，於本實施形態，將針對使用具有形成為未達探針上端之凹部之偏位部22之探針202的情形加以說明。

圖13係顯示構成本發明實施形態3之探針卡之探針202之主要部位一例的圖，係放大顯示探針202之一部分的部分放大圖。探針202與圖9之探針201（實施形態2）相異點在於，其偏位部22係形成為未達探針上端之凹部。其他構成與探針201相同，因此省略重複之說明。

偏位部22，係使探針上部251之第2方向側之側面220往卡止部21之突出方向偏位而形成，具有與中心軸J正交之下面221及上面223、以及與中心軸J平行之偏位面222。又，偏位部22係於中心軸J上設在與卡止部21對應之位置，偏位面222與卡止部21之突出面212對向。

偏位部22係形成為未達探針上端之凹部，未偏位之側面220不僅是在偏位部22之下方，上方亦有設置。上面223，係形成在偏位面222與上側之側面220之交界、構成段差部之面。上面223，設置在較卡止部21之上面213上方。也就是說，偏位部22之上端，就中心軸J而言，係形成在較卡止部21之上端更上方之位置。下面221，係形成在偏位面222與下方之側面220之交界、構成段差部之面。下面221設置在較卡止部21之下面211下方。也就是說，偏位部22之下端，就中心軸J而言，形成在較卡止部21之下端更下方之位置。

圖14係放大顯示第1導板14及探針202之一部分的放大剖面圖。相鄰2個探針202之一方之卡止部21與另一方之偏位部22對向。此外，偏位部22，係以相鄰配置之2個探針202之一方之卡止部21之下端及上端，不會與較另一方之偏位部22下方或上方之側面220中任一者接觸之方式形成。因此，與圖11之探針201同樣的，可縮短探針節距Lp。又，與圖11之探針201相異處在於，藉由將偏位部22形成為凹部，探針上端之寬度不會因偏位而變窄。因此，能加大可使探針上端接觸探針用電極11t之探針之傾斜角範圍，例如，即使是在探針202之傾斜角過大之情形時，亦能使之接觸探針用電極11t。

在探針202傾斜之狀態下，偏位部22之下面221之最外緣225係配置在較卡止部21之下面211之最外緣215下方。也就是說，偏位部22之下面221之最外緣225係配置在較第1導板14之上面下方、例如配置在第1導孔14h内。藉由此種構成之採用，能防止卡止部21之下面211之最外緣215接觸到較偏位部22下側之側面220。

此外，在探針202傾斜之狀態下，偏位部22之上面223之最外緣227係配置在較卡止部21之上面213之最外緣217上方。藉由此種構成之採用，能防止卡止部21之上面213之最外緣217接觸到較偏位部22上側之側面220。又，最外緣217、227係距離中心軸J最遠之上面213、223之緣部。

實施形態4 實施形態3，係針對使用卡止部21之上面213、以及偏位部22之下面221及上面223與中心軸J正交之探針202的情形做了說明。相對於此，於本實施形態，將針對使用此等相對中心軸J傾斜之探針203的情形進行說明。

圖15係顯示構成本發明實施形態4之探針卡之探針203之主要部位之一例的圖，將探針203之一部分放大顯示的部分放大圖。探針203與圖13之探針202（實施形態3）之相異點在於，卡止部21之上面213、與偏位部22之下面221及上面223係相對中心軸J傾斜。其他構成與探針202相同，因此省略重複之說明。

卡止部21係使探針上部251之第1方向側之側面210突出而形成，具有與中心軸J正交的下面211、與中心軸J平行的突出面212、以及相對中心軸J傾斜的上面213。上面213，係越往上方其突出量越減少、向中心軸J接近之方式傾斜之平面或曲面。

偏位部22係使探針上部251之第2方向側之側面220往卡止部21之突出方向偏位而形成，具有相對中心軸J傾斜之下面221及上面223、以及與中心軸J平行之偏位面222。偏位部22，係設置在於中心軸J上與卡止部21對應之位置，偏位面222與卡止部21之突出面212對向。較偏位面222形成在下方之下面221，係設置在較卡止部21之下面211下方、以越往下方偏位量越減少而從中心軸J離開之方式傾斜之平面或曲面。較偏位面222形成在上方之上面223，係以越往上方偏位量越減少、而從中心軸J離開之方式傾斜之平面或曲面。

圖16係放大顯示第1導板14及探針203之一部分的放大剖面圖。由於相鄰2個探針203之一方之卡止部21與另一方之偏位部22對向，因此與圖14之探針202（實施形態3）同樣的，可縮短探針節距Lp。另一方面，與圖11之探針201不同處在於，藉由使卡止部21之上面213、偏位部22之下面221及偏位部22之上面223相對中心軸J傾斜，即能在相鄰配置之2個探針203間，抑制一方之卡止部21與另一方接觸。又，偏位部22之設置，可抑制對探針203之電氣特性及機械強度之影響。

又，在探針202傾斜之狀態下，偏位部22之下面221之最外緣225係配置在較卡止部21之下面211之最外緣215下方，偏位部22之上面223之最外緣227則係配置在較卡止部21之上面213之最外緣217上方。藉由此種構成之採用，可防止卡止部21接觸到偏位部22近旁之側面220。

又，針對圖9所示之探針201（實施形態2），亦可同樣的，藉由使卡止部21之上面213或偏位部22之下面221相對中心軸J傾斜，抑制在相鄰配置之2個探針201間，一方之卡止部21之上端或下端與另一方接觸。

100:探針卡 10:主基板（配線基板） 10t:外部電極 11:ST基板（配線基板） 11t:探針用電極 12:補強板 13:間隔件 14:第1導板 14h:第1導孔 15:第2導板 15h:第2導孔 200～203:探針 21:卡止部 210:第1方向側之側面 211:卡止部之下面 212:卡止部之突出面 213:卡止部之上面 215:卡止部之下面之最外緣 217:卡止部之上面之最外緣 22:偏位部 220:第2方向側之側面 221:偏位部之下面 222:偏位部之偏位面 223:偏位部之上面 225:偏位部之下面之最外緣 227:偏位部之上面之最外緣 251:探針上部 252:探針本體 253:探針下部 301～303:主層 304:接觸層 D:傾斜方向 d1:第1方向 d2:第2方向 Hi:第1導孔之間隔 Hp:第1導孔之節距 Hw:第1導孔之寬度 J:中心軸 L21:突出量 L22:偏位量 L31:從中心軸到突出面之距離 L32:從中心軸到偏位面之距離 Li:探針間隔 Lp:探針節距 Lw:探針寬度

[圖1]係顯示本發明實施形態1之探針卡100之一構成例的剖面圖。 [圖2]係圖1之第1導板14之一構成例的俯視圖。 [圖3]係顯示探針200及導板14、15之組裝時狀態的概略圖。 [圖4]係顯示探針200之一構成例的外觀圖。 [圖5]係放大顯示探針200之一部分的部分放大圖。 [圖6]係顯示圖5之A－A切斷線之剖面的剖面圖。 [圖7]係放大顯示圖1之第1導板14及探針200之一部分的放大剖面圖。 [圖8]係顯示與本發明實施形態1比較之比較例之主要部位的圖。 [圖9]係顯示本發明實施形態2之探針201之主要部位之一例的圖。 [圖10]係顯示圖9之B－B切斷線形成之剖面的剖面圖。 [圖11]係放大顯示第1導板14及探針201之一部分的放大剖面圖。 [圖12]係顯示與本發明實施形態2比較之比較例之主要部位的圖。 [圖13]係顯示本發明實施形態3之探針202之主要部位之一例的圖。 [圖14]係放大顯示第1導板14及探針202之一部分的放大剖面圖。 [圖15]係顯示本發明實施形態4之探針203之主要部位之一例的圖。 [圖16]係放大顯示第1導板14及探針203之一部分的放大剖面圖。 [圖17]係顯示先前之探針卡之一例的圖。

14:導板

14h:第1導孔

201:探針

21:卡止部

211:卡止部21之下面

215:下面211之最外緣

22:偏位部

221:偏位部22之下面

225:下面221之最外緣

D:傾斜方向

d1:第1方向

d2:第2方向

J:中心軸

L21:卡止部21之突出量

L22:偏位部22之偏位量

Li:探針間隔

Lp:探針節距

Lw:探針寬度

Claims

一種探針卡，具備： 2以上之探針；以及第1導板，具有該探針分別插通之2以上之第1導孔；該探針，具有相對該第1導板傾斜配置，在較該第1導板上方之側面、使相對該第1導板之角度為銳角之第1方向側之側面突出的卡止部；該探針之較該第1導板上方之側面、相對該第1導板之角度為鈍角之第2方向側之側面，其距該探針之中心軸之距離較該卡止部之突出面短。
如請求項1所述之探針卡，其中，該探針進一步具有使該第2方向側之側面往該卡止部側偏位之偏位部；相鄰之2個該探針，係配置成一方之該卡止部與另一方之該偏位部對向。
如請求項2所述之探針卡，其中，該偏位部之下面係在該探針之中心軸上、形成在較該卡止部之下面下方。
如請求項3所述之探針卡，其中，該偏位部之下面之最外緣係配置在較該第1導板之上面下方。
如請求項2所述之探針卡，其中，該偏位部之下面係相對該探針之中心軸傾斜成越往下方、偏位量越減少。
如請求項2至5中任一項所述之探針卡，其進一步具備配置在該第1導板之上方，具有該探針之上端分別抵接之2以上之探針用電極的配線基板；該偏位部，係形成在與該卡止部對向之側面的凹部。
如請求項6所述之探針卡，其中，該偏位部之上面之最外緣係在該探針之中心軸上、形成在該卡止部之上面之最外緣之上方。
如請求項6所述之探針卡，其中，該偏位部之上面係相對該探針之中心軸傾斜成越往上方、偏位量越減少。
如請求項1所述之探針卡，其進一步具備配置在該第1導板之下方，具有該探針分別插通之2以上之第2導孔的第2導板；該第1導孔及該第2導孔，係配置在於該探針傾斜之方向相對偏位的位置。