CN116097104A - 探针卡 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于,提供一种探针卡,将在引导板的引导孔插通的探针卡止在引导板以使得不会脱落,并且能以更窄间距配置。探针卡具备:2个以上的探针(200);和具有分别插通探针(200)的2个以上的第1引导孔(14h)的第1引导板(14),探针(200)相对于第1引导板(14)倾斜配置,具有:卡止部(21),其使作为比第1引导板(14)更上方的侧面的相对于第1引导板(14)的角度成为锐角的第1方向(d1)侧的侧面(210)突出;和偏移部(22),其使作为比第1引导板(14)更上方的侧面的相对于第1引导板(14)的角度成为钝角的第2方向(d2)侧的侧面(220)向卡止部侧(21)偏移,相邻的2个探针(220)配置成一方的卡止部(21)与另一方的偏移部(22)对置。

Description

探针卡
技术领域
本发明涉及探针卡,更详细地,涉及2个以上的探针被引导板支承的探针卡的改良。
背景技术
探针卡是用在形成于半导体晶片的半导体器件的电特性的检查中的检查装置,在布线基板设有与半导体器件上的电极焊盘分别接触的大量探针。在将进行测试信号的输入输出的测试仪装置与探针卡连接的基础上,使半导体晶片靠近探针卡来使探针的前端与半导体器件上的电极焊盘接触,经由探针以及布线基板使测试仪装置和半导体器件导通,从而来进行半导体器件的特性检查。
图17是表示现有的探针卡的一例的图(例如专利文献1)。在该探针卡中,具有卡止部31的探针300被引导板14支承。探针卡在布线基板10、11的下方设有引导板14、15,探针300在两引导板14、15的引导孔14h、15h插通,上端与形成于布线基板11的下表面的探针用电极11t接触,下端与形成于半导体晶片的上表面的电极焊盘接触。
探针300在比上侧的引导板14更上方具有使侧面突出的一对卡止部31。一对卡止部31使探针的对置的侧面分别突出来形成,探针300被支承,以使得不会从第1引导板14脱落。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2018-44912号公报
发明内容
发明要解决的课题
通过近年的微细加工技术的进步,半导体器件的电极焊盘窄间距化,与此相伴,对探针也要求窄间距化。若要使探针配置窄间距化,就需要缩短探针宽度或探针间隔。但若考虑对探针要求的电特性、机械强度,探针的截面积的减小中存在极限。因此,为了实现进一步的窄间距化,需要缩短探针间隔,与此相伴,也需要使卡止部31的突出量变短。
通过这样的窄间距化的进展,卡止部31的突出量不断靠近探针300与引导孔14h的间隙,若使突出量进一步缩短,卡止部31就有可能从引导孔14h脱落。
本发明鉴于上述的事情而提出,目的在于,提供一种探针卡,能将在引导板的引导孔插通的探针卡止在引导板以使得不会脱落,并且能以更窄间距配置。
用于解决课题的手段
本发明的第1实施方式的探针卡具备:2个以上的探针;第1引导板,其具有分别插通所述探针的2个以上的第1引导孔,所述探针相对于所述第1引导板倾斜配置,具有:卡止部,其使作为比所述第1引导板更上方的侧面的相对于所述第1引导板的角度成为锐角的第1方向侧的侧面突出,作为比所述探针的所述第1引导板更上方的侧面的相对于所述第1引导板的角度成为钝角的第2方向侧的侧面与所述卡止部的突出面相比,距所述探针的中心轴的距离更短。
通过使在第1引导孔插通的探针相对于第1引导板倾斜,使作为比第1引导板更上方的侧面的相对于第1引导板的角度成为锐角的第1方向侧的侧面突出来形成卡止部,由此,卡止部与第1引导孔周边的第1引导板的上表面对置,探针卡止在第1引导板。因此,不管探针宽度与第1引导孔的间隙的大小如何,都能减小卡止部的突出量,能以窄间距配置探针。进而,由于与第1方向侧相反侧、即作为比第1引导板更上方的侧面的相对于第1引导板的角度成为钝角的第2方向侧的侧面处于比卡止部的突出面更接近中心轴的距离,因此,能进一步以窄间距配置探针。
本发明的第2实施方式的探针卡在上述结构的基础上,所述探针还具有:偏移部,其使所述第2方向侧的侧面向所述卡止部侧偏移,相邻的2个所述探针配置成一方的所述卡止部与另一方的所述偏移部对置。
通过采用这样的结构,通过将2个以上的探针相邻配置,以使得一方的卡止部与另一方的偏移部对置,来使卡止部的突出方向和偏移部的偏移方向一致,能进一步以窄间距配置探针。此外,通过在第2方向侧的侧面形成偏移部,不管探针宽度与第1引导孔的间隙的大小如何,都能加大偏移量,能进一步以窄间距配置探针。
本发明的第3实施方式的探针卡在上述结构的基础上,所述偏移部的下表面形成于在所述探针的中心轴上比所述卡止部的下表面更下方。
通过采用这样的结构,抑制了卡止部的下端与比偏移部更下方的侧面接触,能以窄间距配置探针。
本发明的第4实施方式的探针卡在上述结构的基础上,所述偏移部的下表面的最外缘配置在比所述第1引导板的上表面更下方。
通过采用这样的结构,防止了卡止部的下端与比偏移部更下方的侧面接触,能以窄间距配置探针。
本发明的第5实施方式的探针卡在上述结构的基础上,所述偏移部的下表面构成为相对于所述探针的中心轴倾斜成越前往下方则偏移量越减少。
通过采用这样的结构,能抑制卡止部与比偏移部更下侧的侧面接触。此外,能抑制通过设置偏移部而给探针的电特性、机械强度带来的影响。
本发明的第6实施方式的探针卡在上述结构的基础上,还具备:布线基板,其配置于所述第1引导板的上方,具有所述探针的上端分别进行抵接的2个以上的探针用电极,所述偏移部是形成于与所述卡止部对置的侧面的凹部。
通过采用这样的结构,能拓宽探针的上端的宽度,能拓宽能使探针的上端与探针用电极接触的探针的倾斜角的范围,能使探针和探针用电极更可靠地导通。
本发明的第7实施方式的探针卡在上述结构的基础上构成为,所述偏移部的上表面的最外缘构成为形成于在所述探针的中心轴上比所述卡止部的上表面的最外缘更上方。
通过采用这样的结构,抑制了卡止部的上端与比偏移部更上方的侧面接触,能以窄间距配置探针。
本发明的第8实施方式的探针卡在上述结构的基础上构成为,所述偏移部的上表面相对于所述探针的中心轴倾斜成越前往上方则偏移量越减少。
通过采用这样的结构,能抑制卡止部与比偏移部更上侧的侧面接触。此外,能抑制通过设置偏移部而给探针的电特性、机械强度带来的影响。
本发明的第9实施方式的探针卡在上述结构的基础上构成为,还具备:第2引导板,其配置于所述第1引导板的下方,具有分别插通所述探针的2个以上的第2引导孔,所述第1引导孔以及所述第2引导孔配置于在所述探针所倾斜的方向上相对偏移的位置。
通过采用这样的结构,能使在第1引导孔插通的探针相对于第1引导板倾斜。
发明的效果
根据本发明,能提供一种探针卡,将在引导板的引导孔插通的探针卡止在引导板,以使得不会脱落,能以更窄间距配置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的探针卡100的一结构例的截面图。
图2是表示图1的第1引导板14的一结构例的俯视图。
图3是表示探针200以及引导板14、15的组装时的样子的概略图。
图4是表示探针200的一结构例的外观图。
图5是放大表示探针200的一部分的部分放大图。
图6是表示图5的A-A切断线处的截面的截面图。
图7是放大表示图1的第1引导板14以及探针200的一部分的放大截面图。
图8是表示要与本发明的实施方式1比较的比较例的主要部分的图。
图9是表示本发明的实施方式2的探针201的主要部分的一例的图。
图10是表示图9的B-B切断线处的截面的截面图。
图11是放大表示第1引导板14以及探针201的一部分的放大截面图。
图12是表示要与本发明的实施方式2比较的比较例的主要部分的图。
图13是表示本发明的实施方式3的探针202的主要部分的一例的图。
图14是放大表示第1引导板14以及探针202的一部分的放大截面图。
图15是表示本发明的实施方式4的探针203的主要部分的一例的图。
图16是放大表示第1引导板14以及探针203的一部分的放大截面图。
图17是表示现有的探针卡的一例的图。
具体实施方式
实施方式1.
<探针卡100>
图1是表示本发明的实施方式1的探针卡100的一结构例的截面图,示出通过铅垂面切断水平配置的探针卡100的情况下的截面。探针卡100是进行针对半导体晶片等检查对象物(未图示)的电连接的检查装置,与检查对象物上的大量电极焊盘分别接触的大量探针200与该电极焊盘对应地配设。图示的探针卡100由主基板10、ST(空间转换器)基板11、加固板12、间隔件13、第1引导板14、第2引导板15以及2个以上的探针200构成。
主基板10是能拆装地安装于探测器(未图示)的布线基板,例如能使用圆板状的印刷电路基板。主基板10大致水平地配置,在其上表面安装加固板12。加固板12是用于抑制主基板10的形变的加固构件,例如能使用金属块。此外,在比主基板10上的加固板12更外侧、即主基板10的上表面的外周缘部设有连接测试仪(未图示)的信号端子的2个以上的外部电极10t。
ST基板11是变换电极间距的布线基板,安装于主基板10的下表面。在ST基板11的下表面形成2个以上的探针用电极11t。探针用电极11t是使探针200接触的电极端子,以与探针200对应的间距配设,并且经由主基板10以及ST基板11的布线图案以及通孔与以更宽间距配设的外部电极10t导通。
引导板14以及15均是支承探针200的支承基板,例如能使用平板状的硅基板。引导板14以及15隔着间隔件13固定于主基板10或ST基板11,从ST基板11空出距离地大致水平配置。
第1引导板14具有2个以上的第1引导孔14h。第1引导孔14h是在上下方向上贯通第1引导板14的贯通孔,插通探针200。第1引导板14在ST基板11的下方分离地配置,支承探针200以使其不会脱落,并且进行探针200相对于ST基板11的水平方向的定位。
第2引导板15具有2个以上的第2引导孔15h。第2引导孔15h是在上下方向上贯通第2引导板15的贯通孔,插通探针200。第2引导板15在第1引导板14的下方分离地配置,能在上下方向上移动地支承探针200,进行探针200相对于检查对象物的水平方向的定位。
插通相同探针200的引导孔14h以及15h配置成在水平方向上偏移一定距离。通过使对应的引导孔14h以及15h的位置相对地偏移,探针200在引导板14、15间进行弯曲变形,并且探针200的两端近旁相对于引导板14以及15倾斜。倾斜方向D是表示探针200的倾斜的水平面上的方向。
探针200是具有细长的形状的垂直型探针,包含导电性材料。探针200的上端与ST基板11的探针用电极11t接触,下端与检查对象物的电极焊盘接触。
通过在使检查对象物与探针200接触后进行使两者进一步靠近的过驱动(overdrive)处理,探针200弹性变形,下端上下活动。因此,通过引导孔14h、15h的偏移配置使非检查时的探针200弯曲变形,从而在过驱动时,使探针200的弯曲部压弯变形,能对检查对象物赋予适度的压力,并且确保上下活动的行程长度。此外,通过在非检查时使得其弯曲变形,以使得各探针200成为大致相同形状,能防止在引导板14、15间压弯变形的探针接触。
<引导板14、15>
图2是表示图1的第1引导板14的一结构例的俯视图,示出第1引导板14的上表面。
图示的第1引导板14是大致矩形的平板,大量第1引导孔14h二维配置成在倾斜方向D以及其正交方向上分别排列。第1引导孔14h是与主面正交的贯通孔,其截面由一对边与倾斜方向D正交的矩形构成。
若着眼于倾斜方向D,则第1引导孔14h是宽度Hw的贯通孔,空开间隔Hi而配置。即,以间距Hp=Hw+Hi排列配置。探针200的截面形状根据对探针200要求的电特性、机械强度等来确定。因此,若要使探针200以更窄间距配置,就需要缩短间隔Hi。最近,要求第1引导孔14h的间隔Hi为宽度Hw的1/2以下、例如1/3以下。其结果,易于产生相邻的探针200间的短路。
第2引导板15除了第2引导孔15h的位置相对于第1引导孔14h的位置偏移这点以外,具有与第1引导板14完全同样的结构。
图3是表示探针200以及引导板14、15的组装时的样子的概略图。在图中的(a)示出将探针200在引导孔14h、15h插通的状态,在图中的(b)中示出使引导孔14h、15h偏移来使探针200弯曲变形的状态。
图中的(a)示出配置引导板14、15以使对应的引导孔14h、15h的位置一致、将直线形状的探针200在引导孔14h、15h插通的状态。之后,若使引导板14、15在倾斜方向D上相对地平行移动,就能使对应的引导孔14h以及15h的位置偏移。图中的(b)表示使引导孔14h以及15h偏移后的状态。之后,安装ST基板11,以使得探针200的上端与探针用电极11t接触。
<探针200>
图4是表示探针200的一结构例的外观图。图中的(a)是探针200的主视图,(b)是探针200的右侧视图。
探针200形成为具有大致相同的矩形截面的柱状体,探针200的上端以及下端分别尖锐化成探针200的中心轴J突出。此外,在探针200的上端近旁设有使侧面的一部分突出的卡止部21。
探针200区分成探针上部251、探针主体252以及探针下部253。探针主体252是配置于引导板14、15间的弹性变形部,比探针主体252更上侧是探针上部251,更下侧是探针下部253,卡止部21设于探针上部251。
探针200例如具有用2个外层301、303夹着1个中间层302的3层构造,利用MEMS(MicroElectroMechanicalSystems,微机电系统)技术来制作。中间层302是利用了导电性良好的金属材料的导电层,外层301、303是利用了机械强度良好的金属材料的应力层。此外,在探针200的上端面,利用了导电性良好的金属材料的接触层304形成为与3个主层301~303的各端面相接。3个主层301~303层叠形成为与中心轴J以及倾斜方向D平行的层,卡止部21形成为各层301~303的平面形状中的大致矩形的凸部。
图5以及图6是表示图4的探针200的详细结构的图。图5是放大表示探针200的一部分的部分放大图,图6是表示图5的A-A切断线处的截面的截面图。
卡止部21使倾斜方向D的一方的侧面210向与中心轴J垂直的方向突出而形成,且具有:与中心轴J正交的下表面211以及上表面213;和与中心轴J平行的突出面212。另一方面,不在倾斜方向D的另一方的侧面220形成卡止部。
图中的Lw是探针宽度,L21是卡止部21的突出量。关于距探针200的中心轴J的距离,突出面212为L31=Lw/2+L21,与此相对,与卡止部21对置的侧面220为L32=Lw/2,侧面220距中心轴J的距离与突出面212距中心轴J的距离相比,短了突出量L21。
图7是放大表示图1的第1引导板14以及探针200的一部分的放大截面图。探针200的上端与ST基板11的探针用电极11t抵接,卡止部21的下表面211与第1引导基板14的上表面抵接。因此,能使探针200与探针用电极11t导通,并且支承探针200以使其不会从第1引导孔14h脱落。
探针上部251相对于第1引导板14向倾斜方向D倾斜地配置。将倾斜方向D当中的、在比第1引导板14更上方处探针200的中心轴J以及第1引导板14所成的角度成为锐角的方向设为第1方向d1,将与第1方向d1相反的方向、即在比第1引导板14更上方处探针200的中心轴J以及第1引导板14所成的角度成为钝角的方向设为第2方向d2。
卡止部21形成于探针上部251的第1方向d1侧的侧面210。即,通过使作为比第1引导板14更上方的侧面的、因倾斜而相对于第1引导板14的角度成为锐角的侧面210突出,来形成卡止部21。因此,不管卡止部21以及第1引导孔14h的形状、大小如何,卡止部21的下表面211都与第1引导孔14h周边的引导板14的上表面对置,卡止部21都卡止在第1引导板14,能支承探针200以使得不会从第1引导孔14h脱落。
例如,在探针上部251被预先设计成能通过第1引导孔14h的形状的情况下、或由于磨耗或损伤而事后变得能通过的情况下,能支承探针200。
此外,与在第2方向d2侧的侧面220、即作为比第1引导板14更上方的侧面的因倾斜而相对于第1引导板14的角度成为钝角的侧面220形成卡止部21的情况相比,由于能减小卡止部21的突出量L21,因此,能在确保给定的探针间隔Li的同时,使探针间距Lp减少。
探针间隔Li是从相邻的2个探针200的一方的卡止部21的突出面212到另一方的第2方向d2侧的侧面220的距离,探针间距成为Lp=Lw+L21+Li。例如,若探针宽度Lw为20μm,卡止部21的突出量L21为7μm,探针间隔Li为13μm,则探针间距Lp成为40μm。为了实现窄间距配置,期望卡止部21的突出量L21为探针宽度Lw以下,更期望为探针宽度Lw的1/2以下。此外,探针间隔Li期望是探针宽度Lw以下。
图8是表示要与本发明的实施方式1比较的比较例的主要部分的图。作为比较例的探针200′相对于第1引导板14倾斜配置,具有分别使第1方向d1侧以及与第1方向d1相反的第2方向d2侧的2个侧面210、220突出的一对卡止部21。该探针200′若与图7的探针200比较,有要确保相同探针间隔Li时的探针间距Lp变长突出量L21这样的缺点。
本实施方式的探针卡中,探针200相对于第1引导板14倾斜配置,具有使在比第1引导板14更上方处探针200以及第1引导板14所成的角度成为锐角的第1方向d1侧的侧面210突出的卡止部21。因此,能使卡止部21卡止在第1引导板14的上表面,并支承探针200以使得不会脱落。此外,不管探针200与第1引导孔14h的间隙的大小如何,都能缩短卡止部21的突出量L21,能缩短探针间距Lp。
此外,探针200不在与卡止部21对置的侧面220形成卡止部,关于相邻的2个探针200,一方的卡止部21与另一方的侧面220对置,卡止部21彼此不会对置。因此,与使用在对置的两侧面210、220设置卡止部21的探针的情况相比,能确保相同探针间隔Li,并缩短探针间距Lp。
在上述实施方式中,说明了与卡止部21对置的侧面220平坦的情况的示例,但本发明并不仅限定于这样的情况。即,与卡止部21对置的侧面只要距中心轴J的距离L32比从中心轴J到突出面212的距离L31短即可,也可以具有凹部、凸部,或者可以是曲面。即,在包含卡止部21的截面中,中心轴J向第2方向d2侧偏心即可。
实施方式2.
在实施方式1中,说明了使用探针200的情况,其中该探针200相对于第1引导板14倾斜配置,具有使在比第1引导板14更上方处探针200以及第1引导板14所成的角度成为锐角的第1方向d1侧的侧面210突出的卡止部21。在本实施方式中,说明使用探针201的情况,其中该探针201在上述的基础上,具有使与第1方向d1相反的第2方向d2侧的侧面220向中心轴J侧偏移的偏移部22。
图9以及图10是表示构成本发明的实施方式2的探针卡的探针201的主要部分的一例的图。图9是放大表示探针201的一部分的部分放大图,图10是表示图9的B-B切断线处的截面的截面图。
探针201在具有使与卡止部21对置的侧面220向内侧偏移的偏移部22这点上与图5的探针200(实施方式1)不同。在其他结构中,由于与探针200同样,因此,省略重复的说明。
偏移部22使探针上部251的第2方向d2侧的侧面220向卡止部21的突出方向偏移来形成,具有:与中心轴J正交的下表面221;和与中心轴J平行的偏移面222。此外,偏移部22设于在中心轴J上与卡止部21对应的位置,偏移面222与突出面212对置,并延伸至探针上端。下表面221构成形成于侧面220以及偏移面222的边界的高低差部,形成于比卡止部21的下表面211更下方。即,偏移部22的下端位于在中心轴J上比卡止部21的下端进一步靠下方。
图中的L22是偏移部22的偏移量。关于距探针201的中心轴J的距离,突出面212是L31=Lw/2+L21,与此相对,偏移面222是L32=Lw/2-L22,偏移面222距中心轴J的距离与突出面212距中心轴J的距离相比,短了突出量L21与偏移量L22的和。
图11是放大表示第1引导板14以及探针201的一部分的放大截面图。相邻的2个探针201的一方的卡止部21与另一方的偏移部22对置。此外,形成偏移部22,以使得相邻配置的2个探针201的一方的卡止部21的下端不与比另一方的偏移部22更下方的侧面220接触。因此,与图7的探针200(实施方式1)相比,能将要确保相同探针间隔Li时的探针间距Lp缩短偏移量L22。
在探针201倾斜的状态下,偏移部22的下表面221的最外缘225配置在比卡止部21的下表面211的最外缘215更下方。即,偏移部22的下表面221的最外缘225配置在比第1引导板14的上表面更下方、例如第1引导孔14h内。通过采用这样的结构,能防止卡止部21的下表面211的最外缘215与比偏移部22更下侧的侧面220接触。另外,最外缘215、225是距中心轴J最远的下表面211、221的缘部。
探针间隔Li是从相邻的探针201的一方的突出面212到另一方的偏移面222的距离,探针间距成为Lp=Lw+L21*L22+Li。例如,若探针宽度Lw为20μm,卡止部21的突出量L21为7μm,偏移量L22为5μm,探针间隔Li为13μm,则探针间距Lp成为35μm。
图12是表示要与本发明的实施方式2比较的比较例的主要部分的图。作为比较例的探针201′的偏移部22的下端设置在与卡止部21的下端对应的位置。即,偏移部22的下表面221和卡止部21的下表面211形成在探针201′的中心轴J上的相同位置。因此,若将探针201′倾斜配置,则偏移部22的下表面221的最外缘225位于比第1引导板14的上表面更上方,卡止部21的下表面211的最外缘215成为与比偏移部22更下侧的侧面220相同的高度。其结果,相邻配置的2个探针201′的一方的卡止部21有可能与另一方的不偏移的侧面220接触,即使设置偏移部22,也不能缩短探针间距Lp。
构成本实施方式的探针卡的探针201具有使与卡止部21对置的侧面220向卡止部21的突出方向偏移的偏移部22。因此,与没有偏移部22的情况相比,能确保相同探针间隔Li,并且进一步缩短探针间距Lp。
此外,构成本实施方式的探针卡的探针201在倾斜的状态下,偏移部22的下端位于比第1引导板14的上表面更下方、例如第1引导孔14h内。因此,在相邻配置的2个探针201间,能防止一方的卡止部21与比另一方的偏移部22更下侧的侧面220接触,能缩短探针间距Lp。
实施方式3.
在实施方式2中,说明了使用具有延伸至探针上端的偏移部22的探针201的情况。与此相对,在本实施方式中,说明使用探针202的情况,其中该探针202具有形成为未到达探针上端的凹部的偏移部22。
图13是表示构成本发明的实施方式3的探针卡的探针202的主要部分的一例的图,是放大表示探针202的一部分的部分放大图。探针202在偏移部22形成为未到达探针上端的凹部这点上与图9的探针201(实施方式2)不同。关于其他结构,由于与探针201同样,因此省略重复的说明。
偏移部22使探针上部251的第2方向侧的侧面220向卡止部21的突出方向偏移来形成,具有:与中心轴J正交的下表面221以及上表面223;和与中心轴J平行的偏移面222。此外,偏移部22设于在中心轴J上与卡止部21对应的位置,偏移面222与卡止部21的突出面212对置。
偏移部22形成为未到达探针上端的凹部,未偏移的侧面220不仅设于偏移部22的下方,还设于偏移部22的上方。上表面223是构成形成于偏移面222与上侧的侧面220的边界的高低差部的面。上表面223设置在比卡止部21的上表面213更上方。即,偏移部22的上端关于中心轴J形成在比卡止部21的上端进一步靠上方的位置。下表面221是构成形成于偏移面222与下方的侧面220的边界的高低差部的面。下表面221设置在比卡止部21的下表面211更下方。即,偏移部22的下端关于中心轴J形成在比卡止部21的下端进一步靠下方的位置。
图14是放大表示第1引导板14以及探针202的一部分的放大截面图。相邻的2个探针202的一方的卡止部21与另一方的偏移部22对置。此外,形成偏移部22,以使得相邻配置的2个探针202的一方的卡止部21的下端以及上端与比另一方的偏移部22更下方或上方的侧面220的任一者都不接触。因此,与图11的探针201同样,能缩短探针间距Lp。此外,与图11的探针201不同,通过将偏移部22形成为凹部,探针上端的宽度不会因偏移而狭小化。因此,能拓宽能使探针上端与探针用电极11t接触的探针的倾斜角的范围,例如,即使是探针202的倾斜角变得过大的情况,也能使其与探针用电极11t接触。
在探针202倾斜的状态下,偏移部22的下表面221的最外缘225配置在比卡止部21的下表面211的最外缘215更下方。即,偏移部22的下表面221的最外缘225配置在比第1引导板14的上表面更下方,例如配置在第1引导孔14h内。通过采用这样的结构,能防止卡止部21的下表面211的最外缘215与比偏移部22更下侧的侧面220接触。
此外,在探针202倾斜的状态下,偏移部22的上表面223的最外缘227配置在比卡止部21的上表面213的最外缘217更上方。通过采用这样的结构,能防止卡止部21的上表面213的最外缘217与比偏移部22更上侧的侧面220接触。另外,最外缘217、227是最远离中心轴J的上表面213、223的缘部。
实施方式4.
在实施方式3中,说明了使用探针202的情况,其中卡止部21的上表面213、和偏移部22的下表面221以及上表面223与中心轴J正交。与此相对,在本实施方式中,说明使用它们相对于中心轴J倾斜的探针203的情况。
图15是表示构成本发明的实施方式4的探针卡的探针203的主要部分的一例的图,是放大表示探针203的一部分的部分放大图。探针203在卡止部21的上表面213、和偏移部22的下表面221以及上表面223相对于中心轴J倾斜这点上与图13的探针202(实施方式3)不同。关于其他结构,由于与探针202同样,因此,省略重复的说明。
卡止部21使探针上部251的第1方向侧的侧面210突出来形成,具有:与中心轴J正交的下表面211;与中心轴J平行的突出面212;和相对于中心轴J倾斜的上表面213。上表面213是倾斜成越前往上方则突出量越减少而越靠近中心轴J的平面或曲面。
偏移部22使探针上部251的第2方向侧的侧面220向卡止部21的突出方向偏移来形成,具有:相对于中心轴J倾斜的下表面221以及上表面223;和与中心轴J平行的偏移面222。偏移部22设于在中心轴J上与卡止部21对应的位置,偏移面222与卡止部21的突出面212对置。形成在比偏移面222更下方的下表面221设置在比卡止部21的下表面211更下方,是倾斜成越前往下方则偏移量越减少从而越远离中心轴J的平面或曲面。形成在比偏移面222更上方的上表面223是倾斜成越前往上方则偏移量越减少从而越远离中心轴J的平面或曲面。
图16是放大表示第1引导板14以及探针203的一部分的放大截面图。相邻的2个探针203的一方的卡止部21由于与另一方的偏移部22对置,因此,与图14的探针202(实施方式3)同样,能缩短探针间距Lp。另一方面,与图11的探针201不同,通过使卡止部21的上表面213、偏移部22的下表面221以及偏移部22的上表面223相对于中心轴J倾斜,在相邻配置的2个探针203间,能抑制一方的卡止部21与另一方接触。此外,能抑制设置偏移部22给探针203的电特性、机械强度带来的影响。
此外,在探针202倾斜的状态下,偏移部22的下表面221的最外缘225配置在比卡止部21的下表面211的最外缘215更下方,偏移部22的上表面223的最外缘227配置在比卡止部21的上表面213的最外缘217更上方。通过采用这样的结构,能防止卡止部21与偏移部22近旁的侧面220接触。
另外,关于图9所示的探针201(实施方式2),同样地,通过使卡止部21的上表面213或偏移部22的下表面221相对于中心轴J倾斜,在相邻配置的2个探针201间,也能抑制一方的卡止部21的上端或下端与另一方接触。
附图标记的说明
100 探针卡
10 主基板(布线基板)
10t 外部电极
11 ST基板(布线基板)
11t 探针用电极
12 加固板
13 间隔件
14 第1引导板
14h 第1引导孔
15 第2引导板
15h 第2引导孔
200~203 探针
21 卡止部
210 第1方向侧的侧面
211 卡止部的下表面
212 卡止部的突出面
213 卡止部的上表面
215 卡止部的下表面的最外缘
217 卡止部的上表面的最外缘
22 偏移部
220 第2方向侧的侧面
221 偏移部的下表面
222 偏移部的偏移面
223 偏移部的上表面
225 偏移部的下表面的最外缘
227 偏移部的上表面的最外缘
251 探针上部
252 探针主体
253 探针下部
301~303 主层
304 接触层
D 倾斜方向
d1 第1方向
d2 第2方向
Hi 第1引导孔的间隔
Hp 第1引导孔的间距
Hw 第1引导孔的宽度
J 中心轴
L21 突出量
L22 偏移量
L31 从中心轴到突出面的距离
L32 从中心轴到偏移面的距离
Li 探针间隔
Lp 探针间距
Lw 探针宽度。

Claims (9)

1.一种探针卡,其特征在于,具备:
2个以上的探针;
第1引导板,其具有分别插通所述探针的2个以上的第1引导孔,
所述探针相对于所述第1引导板倾斜配置,具有:卡止部,其使作为比所述第1引导板更上方的侧面的相对于所述第1引导板的角度成为锐角的第1方向侧的侧面突出,
作为比所述探针的所述第1引导板更上方的侧面的相对于所述第1引导板的角度成为钝角的第2方向侧的侧面与所述卡止部的突出面相比,距所述探针的中心轴的距离更短。
2.根据权利要求1所述的探针卡,其特征在于,
所述探针还具有:偏移部,其使所述第2方向侧的侧面向所述卡止部侧偏移,
相邻的2个所述探针配置成一方的所述卡止部与另一方的所述偏移部对置。
3.根据权利要求2所述的探针卡,其特征在于,
所述偏移部的下表面形成于在所述探针的中心轴上比所述卡止部的下表面更下方。
4.根据权利要求3所述的探针卡,其特征在于,
所述偏移部的下表面的最外缘配置在比所述第1引导板的上表面更下方。
5.根据权利要求2所述的探针卡,其特征在于,
所述偏移部的下表面相对于所述探针的中心轴倾斜成越前往下方则偏移量越减少。
6.根据权利要求2~5中任一项所述的探针卡,其特征在于,
所述探针卡还具备:
布线基板,其配置于所述第1引导板的上方,具有所述探针的上端分别进行抵接的2个以上的探针用电极,
所述偏移部是形成于与所述卡止部对置的侧面的凹部。
7.根据权利要求6所述的探针卡,其特征在于,
所述偏移部的上表面的最外缘形成于在所述探针的中心轴上比所述卡止部的上表面的最外缘更靠上方。
8.根据权利要求6或7所述的探针卡,其特征在于,
所述偏移部的上表面相对于所述探针的中心轴倾斜成越前往上方则偏移量越减少。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的探针卡,其特征在于,
所述探针卡还具备:第2引导板,其配置于所述第1引导板的下方,具有分别插通所述探针的2个以上的第2引导孔,
所述第1引导孔以及所述第2引导孔配置于在所述探针所倾斜的方向上相对偏移的位置。
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