TW202214802A - 兩面黏著薄片及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

兩面黏著薄片及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202214802A
TW202214802A TW110111464A TW110111464A TW202214802A TW 202214802 A TW202214802 A TW 202214802A TW 110111464 A TW110111464 A TW 110111464A TW 110111464 A TW110111464 A TW 110111464A TW 202214802 A TW202214802 A TW 202214802A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive layer
double
layer
adhesive sheet
sided adhesive
Prior art date
Application number
TW110111464A
Other languages
English (en)
Inventor
垣內康彦
Original Assignee
日商琳得科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商琳得科股份有限公司 filed Critical 日商琳得科股份有限公司
Publication of TW202214802A publication Critical patent/TW202214802A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/023—Optical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08—Macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本案發明為提供一種兩面黏著薄片，其係具有依序配置黏著劑層(X1)與基材層(Y)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片，且前述黏著劑層(X1)及前述基材層(Y)中至少一者為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層，前述黏著劑層(X2)為能量線硬化性黏著劑層，將前述兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)上有積層含有鹼石灰玻璃板之厚度1.1mm之玻璃板而成之積層體，以前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘所得之全光線透過率測定用積層體(L A)之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T A)為20%以上，本案發明亦提供一種使用該兩面黏著薄片之半導體裝置之製造方法。

Description

兩面黏著薄片及半導體裝置之製造方法
本發明關於一種兩面黏著薄片及使用該兩面黏著薄片之半導體裝置之製造方法。
黏著薄片不僅使用於將構件半永久地固定之用途，有時也使用作為加工或檢查建材、內裝材及電子零件等時，用來將加工、檢查等之對象之構件(以下有時稱作「被著體」)暫時固定之暫時固定用薄片。例如半導體裝置之製造過程中，加工半導體晶圓時，使用於暫時固定用薄片。
半導體裝置之製造過程中，半導體晶圓係經過以研磨將厚度減薄之研磨步驟、切斷分離而個片化之個片化步驟等而被加工成半導體晶片。此時，半導體晶圓以被暫時固定於暫時固定用薄片上之狀態而施予特定加工。施予特定加工所得之半導體晶片自暫時固定用薄片分離後，因應必要，適當地實施將半導體晶片彼此之間隔擴大之擴張步驟、配列間隔擴大之複數半導體晶片之再配列步驟、使半導體晶片之內外反轉之反轉步驟等後，實裝於基板。上述各步驟中，能夠使用適用於各種用途之暫時固定用薄片。
專利文獻1中有揭示一種電子零件切斷時之暫時固定用之加熱剝離型黏著薄片，其係在基材之至少單面有設置含有熱膨脹性微小球之熱膨脹性黏著層。同文獻中有記載該加熱剝離型黏著薄片在電子零件切斷時，為了對被著體確保特定大小之接觸面積，能夠發揮防止晶片脫離等之接著不良情形之接著性，另一方面，在使用後，加熱使熱膨脹性微小球膨脹，並藉由使與被著體之接觸面積減少，即能夠輕易地剝離之內容。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3594853號公報
[本發明欲解決之課題]
將暫時固定用薄片利用在加工對象物之加工時，有時以於一側之面貼附加工對象物，並於另一側之面貼附支持體之狀態，施予特定之加工。此時，作為暫時固定用薄片，有使用兩面具有黏著劑層之兩面黏著薄片。 使用兩面黏著薄片作為暫時固定用薄片時，藉由在一側之面之黏著劑層，與另一側之面之黏著劑層使用降低黏著力之作用機構相異者，進行使任一側之黏著劑層之黏著力降低之處理時，意外地能夠避免降低至另一側之黏著劑層之黏著力。 本發明者等們著眼於上述之優點，發現一種兩面黏著薄片，其係將一側之面之黏著劑層設為利用熱膨脹之作用而使黏著力降低者，並將另一側之面之黏著劑層設為藉由照射能量線而硬化並使黏著力降低之能量線硬化性黏著劑層，藉此能夠適合於半導體裝置之製造過程等。
另外，能量線硬化性黏著劑層上有貼附不具有光線透過性或光線透過性較低之被著體時，用來使能量線硬化性黏著劑層硬化之能量線必須要從與能量線硬化性黏著劑層為相反側(亦即，熱膨脹性層側)來照射。另一方面，藉由適用之過程，使熱膨脹性層熱膨脹後，必須使能量線硬化性黏著劑層與被著體分離。然而，使熱膨脹性層熱膨脹後之兩面黏著薄片，由於因熱膨脹性粒子之膨脹，全光線透過率會降低，故從熱膨脹性層側照射之能量線較難到達能量線硬化性黏著劑層。因此，會有能量線硬化性黏著劑層之硬化變得較不充分，黏著力也會無法充分降低之問題。
本發明有鑑於上述問題點，目的在於提供一種兩面黏著薄片，其係具有熱膨脹性層與能量線硬化性黏著劑層之兩面黏著薄片，即使使熱膨脹性層熱膨脹後，藉由從熱膨脹性層側之能量線照射，也能夠使能量線硬化性黏著劑層之黏著力充分地降低，及使用該兩面黏著薄片之半導體裝置之製造方法。 [解決課題之手段]
本發明者等發現，著眼於熱膨脹後之兩面黏著薄片之全光線透過率，藉由將以特定條件所測定之全光線透過率調整在特定範圍，能夠解決上述課題，進而完成本發明。
亦即，本發明關於下述[1]~[15]。 [1] 一種兩面黏著薄片，其係具有依序配置黏著劑層(X1)與基材層(Y)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片， 前述黏著劑層(X1)及前述基材層(Y)中至少一者為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層， 前述黏著劑層(X2)為能量線硬化性黏著劑層， 將前述兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)上有積層含有鹼石灰玻璃板之厚度1.1mm之玻璃板而成之積層體，以前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘所得之全光線透過率測定用積層體(L A)之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T A)為20%以上。 [2] 如上述[1]之兩面黏著薄片，其中，前述熱膨脹性層在熱膨脹前之厚度為10~200μm。 [3] 如上述[1]或[2]之兩面黏著薄片，其中，前述熱膨脹性層中之前述熱膨脹性粒子之含量相對於前述熱膨脹性層之全質量(100質量%)為1~25質量%。 [4] 如上述[1]~[3]中任一者之兩面黏著薄片，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃。 [5] 如上述[1]~[4]中任一者之兩面黏著薄片，其中，使其進行前述熱膨脹之前之兩面黏著薄片全體之厚度為90 ~300μm。 [6] 如上述[1]~[5]中任一者之兩面黏著薄片，其中，使其進行前述熱膨脹之前之兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)上有積層含有鹼石灰玻璃板之厚度1.1mm之玻璃板而成之全光線透過率測定用積層體(L B)之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T B)為50%以上。 [7] 如上述[1]~[6]中任一者之兩面黏著薄片，其中，前述能量線硬化性黏著劑層為藉由照射紫外線而使黏著力降低之黏著劑層。 [8] 如上述[1]~[7]中任一者之兩面黏著薄片，其中，前述基材層(Y)為有積層含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之基材積層體，並依序具有前述黏著劑層(X1)與前述熱膨脹性基材層(Y1)與前述非熱膨脹性基材層(Y2)與前述黏著劑層(X2)。 [9] 如上述[8]之兩面黏著薄片，其中，前述熱膨脹性基材層(Y1)為樹脂材料中含有前述熱膨脹性粒子所成者，將前述樹脂材料設為厚度100μm時，波長380nm之全光線透過率(T R)為60%以上。 [10] 如上述[8]或[9]之兩面黏著薄片，其中，前述黏著劑層(X1)、前述熱膨脹性基材層(Y1)、前述非熱膨脹性基材層(Y2)及前述黏著劑層(X2)之合計厚度為90~300μm。 [11] 一種半導體裝置之製造方法，其係使用如上述[1]~[10]中任一者之兩面黏著薄片，且包含下述步驟1A、步驟2A、第一分離步驟及第二分離步驟， 步驟1A：於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)貼附加工對象物，於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)貼附支持體之步驟 步驟2A：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理中1種以上之處理之步驟 第一分離步驟：將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，分離前述黏著劑層(X1)與前述支持體之步驟 第二分離步驟：藉由對前述黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)硬化，分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物之步驟。 [12] 如上述[11]之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃， 在前述步驟2A後，包含於施予前述處理之加工對象物之與黏著劑層(X2)為相反側之面上，貼附具有熱硬化性之熱硬化性薄膜之步驟3A， 前述第一分離步驟為將前述兩面黏著薄片加熱至膨脹開始溫度(t)以上且未滿125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述支持體之步驟。 [13] 一種半導體裝置之製造方法，其係使用如上述[1]~[10]中任一者之兩面黏著薄片，且包含下述步驟1B、步驟2B、第一分離步驟及第二分離步驟， 步驟1B：於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)貼附加工對象物，於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)貼附支持體之步驟 步驟2B：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理中1種以上之處理之步驟 第一分離步驟：將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，分離前述黏著劑層(X1)與前述加工對象物之步驟 第二分離步驟：藉由對前述黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)硬化，分離前述黏著劑層(X2)與前述支持體之步驟。 [14] 如上述[13]之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃， 在前述步驟2B後，包含於施予前述處理之加工對象物之與黏著劑層(X1)為相反側之面上，貼附具有熱硬化性之熱硬化性薄膜之步驟3B， 前述第一分離步驟為將前述兩面黏著薄片加熱至膨脹開始溫度(t)以上且未滿125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述加工對象物之步驟。 [15] 一種附有剝離材之兩面黏著薄片，其係在如上述[1]~[10]中任一者之兩面黏著薄片之一側或兩側之面具有剝離材。 [發明之效果]
藉由本發明，能夠提供一種兩面黏著薄片，其係具有熱膨脹性層與能量線硬化性黏著劑層之兩面黏著薄片，即使使熱膨脹性層熱膨脹後，藉由從熱膨脹性層側之能量線照射，也能夠使能量線硬化性黏著劑層之黏著力充分地降低及，使用該兩面黏著薄片之半導體裝置之製造方法。
本說明書中，「有效成分」意指成為對象之組成物中所含有之成分中，去除稀釋溶劑之成分。 且，本說明書中，質量平均分子量(Mw)為以凝膠滲透層析(GPC)法所測定之標準聚苯乙烯換算之值，且具體來說為基於實施例記載之方法所測定之值。
本說明書中，例如「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」兩者，其他類似用語亦相同。 且，本說明書中，關於較佳之好數值範圍(例如含量等之範圍)，階段性記載之下限值及上限值能夠各自獨立地組合。例如「較佳為10~90，再較佳為30~60」之記載中能夠組合「較佳之下限值(10)」與「更較佳之上限值(60)」，而設為「10~60」。
本說明書中，「能量線」意指電磁波或荷電粒子線中具有能量量子者，作為其例，有舉出紫外線、放射線、電子線等。紫外線能夠藉由例如使用無電極燈泡、高壓水銀燈泡、金屬鹵化物燈泡、UV-LED等作為紫外線源來照射。電子線能夠照射以電子線加速器等所產生者。 本說明書中，「能量線聚合性」意指藉由照射能量線而聚合之性質。且，「能量線硬化性」意指藉由照射能量線而硬化之性質。
本說明書中，「層」為「非熱膨脹性層」或「熱膨脹性層」係由如以下來判斷。 成為判斷對象之層含有熱膨脹性粒子時，將該層於熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)下進行3分鐘加熱處理。由下述式所算出之體積變化率未滿5%時，該層判斷為「非熱膨脹性層」，為5%以上時，該層判斷為「熱膨脹性層」。 •體積變化率(%)={(加熱處理後之前述層之體積-加熱處理前之前述層之體積)/加熱處理前之前述層之體積}×100 且，不含有熱膨脹性粒子之層為「非熱膨脹性層」。
本說明書中，半導體晶圓及半導體晶片之「表面」意指形成電路之面(以下有時稱作「電路面」)，半導體晶圓及半導體晶片之「內面」意指沒有形成電路之面。
本說明書中，各層之厚度意指在23℃下之厚度，並藉由實施例之記載方法所測定之值。
本說明書中，各層之黏著力意指對於矽鏡晶圓之鏡面之黏著力，且意指在23℃、50%RH(相對濕度)之環境下，基於JIS Z0237：2000並根據180°剝離法且以拉伸速度300mm/min而測定之黏著力。
本說明書中，全光線透過率意指藉由紫外可見分光法測定透過光譜所得之值，具體來說意指藉由後述實施例所示之方法而測定之值。
[兩面黏著薄片] 本發明之一形態之兩面黏著薄片為具有依序配置黏著劑層(X1)與基材層(Y)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片， 前述黏著劑層(X1)及前述基材層(Y)中至少一者為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層， 前述黏著劑層(X2)為能量線硬化性黏著劑層， 將前述兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)上有積層含有鹼石灰玻璃板之厚度1.1mm之玻璃板而成之積層體，以前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘所得之全光線透過率測定用積層體(L A)之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T A)為20%以上。
本發明之一形態之兩面黏著薄片為具有下述積層構造：具有依序配置黏著劑層(X1)與基材層(Y)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片。 藉由具有該構成，能夠在黏著劑層(X1)或黏著劑層(X2)之任一者之黏著劑層貼附被著體，並在任一之另一黏著劑層貼附支持體。藉由被著體介隔著兩面黏著薄片而被固定於支持體上，對被著體施予選自加工及檢查中1種以上時，能夠抑制被著體之振動、位置偏移及被著體較脆弱時之破損等，並使加工精度及加工速度以及檢查精度及檢查速度提升。
本發明之一形態之兩面黏著薄片為、藉由將黏著劑層(X1)及基材層(Y)中至少任一者熱膨脹性層中包含之熱膨脹性粒子加熱至膨脹開始溫度(t)以上之溫度，並使其膨脹，使黏著劑層(X1)之黏著表面形成凹凸，而使貼附在黏著劑層(X1)之黏著表面之被著體與該黏著表面之接觸面積大幅地降低者。藉此，能夠使黏著劑層(X1)之黏著表面與被著體之密著性顯著地降低，且容易將兩面黏著薄片與被著體分離。 進而，本發明之一形態之兩面黏著薄片，即使使熱膨脹性層熱膨脹後，藉由從熱膨脹性層側之能量線照射，也能夠使黏著劑層(X2)之能量線硬化性黏著劑層之黏著力充分地降低。因此，使熱膨脹性層熱膨脹後，即使能量線硬化性黏著劑層上有貼附不具有光線透過性或光線透過性極低之被著體時，也能夠藉由能量線照射，而容易地將該被著體分離。
＜兩面黏著薄片之構成＞ 本發明之一形態之兩面黏著薄片只要是具有依序配置黏著劑層(X1)，與基材層(Y)，與黏著劑層(X2)者即可，亦可僅具有黏著劑層(X1)、基材層(Y)及黏著劑層(X2)，亦可因應必要，具有其他層。但，本發明之一形態之兩面黏著薄片之一側之表面為黏著劑層(X1)之黏著表面，本發明之一形態之兩面黏著薄片之另一表面為黏著劑層(X2)之黏著表面。 本發明之一形態之兩面黏著薄片亦可在黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)中至少一側之黏著表面上具有剝離材，但具有剝離材者被分類成後述「附有剝離材之兩面黏著薄片」。
本發明之一形態之兩面黏著薄片中，黏著劑層(X1)及基材層(Y)中至少任一者為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層即可。 作為基材層(Y)為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層時之兩面黏著薄片，有舉出基材層(Y)為有積層含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之基材積層體，且依序具有黏著劑層(X1)，與熱膨脹性基材層(Y1)，與非熱膨脹性基材層(Y2)，與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片。以下，有時將具有該構成之兩面黏著薄片稱作「第1形態之兩面黏著薄片」。 且，本發明之一形態之兩面黏著薄片中，作為黏著劑層(X1)含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層時之兩面黏著薄片，有舉出依序具有熱膨脹性層之配置黏著劑層(X1)與基材層(Y)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片。以下，有時將具有該構成之兩面黏著薄片稱作「第2形態之兩面黏著薄片」。
接著，一邊參照圖示，一邊針對本發明之一形態之兩面黏著薄片之構成進行更具體之說明。
作為本發明之第1形態之兩面黏著薄片，有舉例如圖1(a)所示之依序具有黏著劑層(X1)與熱膨脹性層基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片1a。 第1形態之兩面黏著薄片中，黏著劑層(X1)與熱膨脹性基材層(Y1)之間、熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之間及非熱膨脹性基材層(Y2)與黏著劑層(X2)之間中至少任一層間亦可具有其他層，亦可不具有其他層。 但，第1形態之兩面黏著薄片中，以熱膨脹性粒子之膨脹所造成之熱膨脹性基材層(Y1)之變形良好地傳遞至黏著劑層(X1)之觀點來看，直接積層黏著劑層(X1)與熱膨脹性基材層(Y1)較佳。
作為本發明之第2形態之兩面黏著薄片，有舉例如圖1(b)所示之依序具有熱膨脹性層之黏著劑層(X1)與基材層(Y)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片2a。 第2形態之兩面黏著薄片中，黏著劑層(X1)與基材層(Y)之間及基材層(Y)與黏著劑層(X2)之間中至少任一層間亦可具有其他層，亦可不具有其他層。
＜全光線透過率＞ 將本發明之一形態之兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)上有積層含有鹼石灰玻璃板之厚度1.1mm之玻璃板而成之積層體，以前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘所得之全光線透過率測定用積層體(L A)之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T A)為20%以上。 且，以下說明中，單純記載為「全光線透過率(T A)」時，意指以上述條件測定之全光線透過率測定用積層體(L A)之全光線透過率(T A)。 藉由全光線透過率(T A)為20%以上，即使使熱膨脹性層熱膨脹後，藉由從熱膨脹性層側之能量線照射，也能夠使能量線硬化性黏著劑層之黏著力充分地降低。且，能夠降低用於使能量線硬化性黏著劑層硬化之能量線照射量，並能夠抑制起因於能量線之發熱，並抑制被著體熱變化。 另一方面，全光線透過率(T A)若未滿20%，使熱膨脹性層熱膨脹後，自熱膨脹性層側照射能量線時，能量線較難到達能量線硬化性黏著劑層，能量線硬化性黏著劑層之黏著力有時不會充分降低。且，用於充分地使黏著力降低之能量線照射量會變多，生產性會惡化，且同時起因於能量線之發熱，有時被著體會有熱變化。 本說明書中，全光線透過率(T A)為藉由後述實施例記載之方法來測定。
全光線透過率(T A)以即使熱膨脹後，也只能使能量線硬化性黏著劑層之黏著力充分地降低之觀點來看，為20%以上，較佳為21%以上，再較佳為22%以上。且，全光線透過率(T A)之上限值並無特別限制，亦可為100%以下，但以良好地保持黏著劑層(X1)之易剝離性、兩面黏著薄片之強度等之其他性能之平衡之觀點來看，較佳為80%以下，再較佳為70%以下，更較佳為60%以下。且，以與上述相同之觀點來看，全光線透過率(T A)亦可為45%以下，亦可為35%以下，亦可為30%以下。
且，使其熱膨脹前之兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)上有積層含有鹼石灰玻璃板之厚度1.1mm之玻璃板而成之全光線透過率測定用積層體(L B)之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T B)為50%以上較佳。 且，以下說明中，單純稱作「全光線透過率(T B)」時，意指以上述條件所測定之全光線透過率測定用積層體(L B)之全光線透過率(T B)。 本發明之一形態之兩面黏著薄片藉由其全光線透過率(T B)為50%以上，容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。 以相同之觀點來看，全光線透過率(T B)再較佳為52%以上，更較佳為54%以上。全光線透過率(T B)之上限值並無特別限制，亦可為100%以下，但以良好地保持黏著劑層(X1)之易剝離性、兩面黏著薄片之強度等之其他性能之平衡之觀點來看，較佳為90%以下，再較佳為80%以下，更較佳為75%以下。以與上述相同之觀點來看，全光線透過率(T B)亦可為70%以下，亦可為65%以下，亦可為60%以下。 本說明書中，全光線透過率(T B)藉由後述實施例中記載之方法來測定。
全光線透過率(T A)及全光線透過率(T B)能夠藉由適當地調整例如黏著劑層(X1)、基材層(Y)、黏著劑層(X2)等之形成中使用之材料及各層之厚度、熱膨脹性粒子之含量等，而調整至上述範圍。
＜熱膨脹性粒子＞ 本發明之一形態之兩面黏著薄片中使用之熱膨脹性粒子只要是因加熱而膨脹之粒子即可，膨脹開始溫度(t)能夠因應兩面黏著薄片之用途來適當地選擇。
進而，近年來，將半導體晶片裝載於基板時，採用將半導體晶片介隔著被稱作固晶材料薄膜(以下有時稱作「DAF」)且具有熱硬化性之薄膜狀接著劑貼附於基板之步驟。 DAF係貼附於半導體晶圓或個片化之複數半導體晶片之一側之面，且與半導體晶圓之個片化的同時，或貼附於半導體晶片之後，分割成與半導體晶片同形狀。個片化所得之附有DAF之半導體晶片自DAF側貼附於基板(固晶材料)，之後藉由使DAF熱硬化，半導體晶片與基板會固著。此時，DAF至貼附於基板為止都必須要保持因感壓或加熱而接著之性質。然而，將附有DAF之半導體晶片作為加熱剝離型之黏著薄片之被著體時，藉由使熱膨脹性粒子膨脹時之加熱，在固晶材料前DAF之硬化就會進行，有時對基板之DAF之接著力會降低。DAF之接著力之降低會導致半導體晶片與基板之接合信賴性降低，因此期望受到抑制。亦即，加熱剝離時，期望被著體之熱變化受到抑制。 以相關之觀點來看，本發明一形態之兩面黏著薄片中，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)較佳為未滿125℃，再較佳為120℃以下，更較佳為115℃以下，再更較佳為110℃以下，更較佳為105℃以下。
且，作為加熱剝離型之黏著薄片之熱膨脹性粒子使用膨脹開始溫度較低者的話，由於對被著體進行研磨時等之溫度上升，有時熱膨脹性粒子會膨脹。由於熱膨脹性粒子如此之非意圖之膨脹關係到被著體之非意圖的分離、位置偏移等，因此期望受到抑制。 以相關之觀點來看，本發明一形態之兩面黏著薄片中，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)較佳為50℃以上，再較佳為55℃以上，更較佳為60℃以上，再更較佳為70℃以上。 且，本說明書中，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)意指根據以下方法所測定之值。
(熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)之測定法) 於直徑6.0mm(內徑5.65mm)且深度4.8mm之鋁杯中添加測定對象之熱膨脹性粒子0.5mg，製作從其上方放置鋁蓋(直徑5.6mm且厚度0.1mm)之試料。 使用動力黏彈性測定裝置，從鋁蓋上部以加壓器對其試料施加0.01N之力之狀態，測定試料之高度。且，以加壓器施加0.01N之力之狀態，以10℃/min之升溫速度自20℃加熱至300℃，測定加壓器之垂直方向之變位量，將對正方向之變位開始溫度設為膨脹開始溫度(t)。
作為熱膨脹性粒子，由熱可塑性樹脂構成之外殻與內包在該外殻且加熱至特定溫度後會氣化之內包成分所構成之微膠囊化發泡劑較佳。 作為構成微膠囊化發泡劑之外殻之熱可塑性樹脂，有舉例如聚乙烯醇、聚乙烯縮丁醛、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚氯化亞乙烯、聚碸，或聚合形成此等之熱可塑性樹脂中包含之構成單位之單體中2種以上所得之共聚合物等。
作為內包於微膠囊化發泡劑之外殻之成分之內包成分，有舉例如丙烷、丙烯、丁烯、n-丁烷、異丁烷、異戊烷、新戊烷、n-戊烷、n-己烷、異己烷、n-庚烷、n-辛烷、環丙烷、環丁烷、石油醚等之低沸點液體。 此等之中，以抑制加熱剝離時被著體之熱變化的同時，抑制對被著體進行研磨時等之溫度上升所造成之熱膨脹性粒子之非意圖之膨脹的觀點來看，將熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)設為50℃以上且未滿125℃時，內包成分為丙烷、異丁烷、n-戊烷及環丙烷較佳。 此等之內包成分亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)能夠藉由適當地選擇內包成分之種類來調整。
本發明一形態中所使用之熱膨脹性粒子在23℃中之膨脹前之平均粒子徑較佳為3~100μm，再較佳為4~70μm，更較佳為6~60μm，再更較佳為10~50μm。 且，熱膨脹性粒子在膨脹前之平均粒子徑意指體積中位粒子徑(D 50)，且使用雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製之製品名「Mastersizer 3000」)所測定之膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子分布中，相當於從膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子徑之較小者開始計算之累積體積頻度為50%之粒子徑。
作為本發明一形態中所使用之熱膨脹性粒子在23℃中之膨脹前之90%粒子徑(D 90)，較佳為10~150μm，再較佳為15~100μm，更較佳為20~90μm，再更較佳為25~ 80μm。 且，熱膨脹性粒子之膨脹前之90%粒子徑(D 90)意指使用雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製之製品名「Mastersizer 3000」)所測定之膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子分布中，相當於膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子徑之較小者開始計算之累積體積頻度為90%之粒子徑。
本發明一形態中所使用之加熱至熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上之溫度時之體積最大膨脹率較佳為1.5~200倍，再較佳為2~150倍，更較佳為2.5~120倍，再更較佳為3~100倍。
熱膨脹性層中之熱膨脹性粒子之含量相對於熱膨脹性層之全質量(100質量%)，較佳為1質量%以上，再較佳為3質量%以上，更較佳為7質量%以上，再更較佳為10質量%以上。且，熱膨脹性層中之熱膨脹性粒子之含量相對於熱膨脹性層之全質量(100質量%)，較佳為25質量%以下，再較佳為20質量%以下，更較佳為16質量%以下，再更較佳為14質量%以下。 熱膨脹性粒子之含量只要為1質量%以上，加熱剝離時之剝離性會有提升之傾向。且，熱膨脹性粒子之含量只要為25質量%以下，即使使熱膨脹性層熱膨脹後，藉由從熱膨脹性層側之能量線照射，也能夠使能量線硬化性黏著劑層之黏著力更充分地降低。
＜熱膨脹性層之厚度＞ 本發明一形態中，熱膨脹性層之熱膨脹前之厚度較佳為10~200μm，再較佳為20~150μm，更較佳為25~120μm。 熱膨脹性層之熱膨脹前之厚度若為10μm以上，則能夠抑制起因於熱膨脹前之熱膨脹性粒子之凹凸之形成。且，熱膨脹性層之熱膨脹前之厚度若為200μm以下，則容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。
＜兩面黏著薄片全體之厚度＞ 使本發明一形態之兩面黏著薄片熱膨脹前之兩面黏著薄片全體之厚度較佳為90~300μm，再較佳為100~250μm，更較佳為130~200μm。 兩面黏著薄片全體之厚度若為90μm以上，則兩面黏著薄片之機械性強度等變得良好，且操作變容易。且，兩面黏著薄片全體之厚度若為300μm以下，則容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。
接著，關於本發明一形態之兩面黏著薄片所具有之各層之較適合之形態進行說明。 以下，分別針對第1形態之兩面黏著薄片及第2形態之兩面黏著薄片之較適合形態進行說明，但本發明並不限定於此等之形態。
[第1形態之兩面黏著薄片] 第1形態之兩面黏著薄片為依序具有黏著劑層(X1)，與熱膨脹性基材層(Y1)，與非熱膨脹性基材層(Y2)，與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片。
＜黏著劑層(X1)＞ 第1形態之兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)亦可為熱膨脹性層，亦可為非熱膨脹性層，但為非熱膨脹性層較佳。 黏著劑層(X1)為非熱膨脹性層時，由上述式算出之黏著劑層(X1)之體積變化率(%)為未滿5%，較佳為未滿2%，再較佳為未滿1%，更較佳為未滿0.1%，再更較佳為未滿0.01%。 黏著劑層(X1)為不含有熱膨脹性粒子較佳，但若為不違反本發明目的之範圍，亦可含有熱膨脹性粒子。黏著劑層(X1)含有熱膨脹性粒子時，其含量越少越佳，相對於黏著劑層(X1)之全質量(100質量%)，較佳為未滿3質量%，再較佳為未滿1質量%，更較佳為未滿0.1質量%，再更較佳為未滿0.01質量%，再更較佳為未滿0.001質量%。
第1形態之兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)能夠由包含黏著性樹脂之黏著劑組成物(x-1)來形成。 以下，關於黏著劑組成物(x-1)中包含之各成分進行說明。
(黏著性樹脂) 作為黏著性樹脂，有舉出該樹脂單獨且具有黏著性，質量平均分子量(Mw)為1萬以上之聚合物。 黏著性樹脂之質量平均分子量(Mw)以黏著劑層(X1)之黏著力提升之觀點來看，較佳為1萬~200萬，再較佳為2萬~150萬，更較佳為3萬~100萬。
作為黏著性樹脂之具體例，有舉出丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚異丁烯系樹脂等之橡膠系樹脂、聚酯系樹脂、烯烴系樹脂、矽氧系樹脂、聚乙烯醚系樹脂等。 此等之黏著性樹脂亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 且，此等之黏著性樹脂為具有2種以上構成單位之共聚合物時，該共聚合物之形態並無特別限定，亦可為嵌段共聚合物、隨機共聚合物及接枝共聚合物之任一者。
於此，本發明一形態中，以黏著劑層(X1)表現優異黏著力之觀點來看，黏著性樹脂包含丙烯酸系樹脂較佳。
作為黏著性樹脂中之丙烯酸系樹脂之含量，相對於黏著劑組成物(x-1)或黏著劑層(X1)中包含之黏著性樹脂之全量(100質量%)，較佳為30~100質量%，再較佳為50~100質量%，更較佳為70~100質量%，再更較佳為85~ 100質量%。
本發明一形態中，作為能夠作為黏著性樹脂使用之丙烯酸系樹脂，有舉例如包含來自具有直鏈或分支鏈烷基之烷基(甲基)丙烯酸酯之構成單位之聚合物、包含來自具有環狀構造之(甲基)丙烯酸酯之構成單位之聚合物等。
作為丙烯酸系樹脂之質量平均分子量(Mw)，較佳為10萬~150萬，再較佳為20萬~130萬，更較佳為35萬~120萬，再更較佳為50萬~110萬。
作為本發明一形態所使用之丙烯酸系樹脂，為具有來自烷基(甲基)丙烯酸酯(a1’)(以下有時稱作「單體(a1’)」)之構成單位(a1)及來自含官能基之單體(a2’)(以下有時稱作「單體(a2’)」)之構成單位(a2)之丙烯酸系共聚合物(A1)再較佳。
作為單體(a1’)所具有之烷基之碳數，以使黏著劑層(X1)表現優異之黏著力之觀點來看，較佳為1~24，再較佳為1~12，更較佳為2~10，再更較佳為4~8。 且，單體(a1’)所具有之烷基亦可為直鏈烷基或分支鏈烷基。
作為單體(a1’)，有舉例如甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丁基(甲基)丙烯酸酯、sec-丁基(甲基)丙烯酸酯、iso-丁基(甲基)丙烯酸酯、tert-丁基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、月桂基(甲基)丙烯酸酯、十三基(甲基)丙烯酸酯、硬脂醯基(甲基)丙烯酸酯等。 此等之單體(a1’)亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 作為單體(a1’)，為n-丁基丙烯酸酯及2-乙基己基丙烯酸酯較佳。
構成單位(a1)之含量相對於丙烯酸系共聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為50~99.9質量%，再較佳為60~99.0質量%，更較佳為70~97.0質量%，再更較佳為80~95.0質量%。
作為單體(a2’)所具有之官能基，有舉例如羥基、羧基、胺基、環氧基等。 亦即，作為單體(a2’)，有舉例如含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體、含環氧基之單體等。 此等之單體(a2’)亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 此等之中，作為單體(a2’)，為含羥基之單體及含羧基之單體較佳，為含羥基之單體再較佳。
作為含羥基之單體，有舉例如2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯類；乙烯基醇、丙烯基醇等之不飽和醇類等之含羥基之化合物。
作為含羧基之單體，有舉例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸；丁烯二酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸及其酐、2-(丙烯醯基氧基)乙基琥珀酸、2-羧基乙基(甲基)丙烯酸酯等。
構成單位(a2)之含量相對於丙烯酸系共聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為0.1~30質量%，再較佳為0.5~20質量%，更較佳為1.0~15質量%，再更較佳為3.0~10質量%。
丙烯酸系共聚合物(A1)進一步具有來自單體(a1’)及(a2’)以外之其他單體(a3’)之構成單位(a3)。 且，丙烯酸系共聚合物(A1)中，構成單位(a1)及(a2)之合計含量相對於丙烯酸系共聚合物(A1)之全構成單位(100質量%)，較佳為70~100質量%，再較佳為80~100質量%，更較佳為90~100質量%，再更較佳為95~100質量%。
作為單體(a3’)，有舉例如乙烯、丙烯、異丁烯等之烯烴類；氯化乙烯基、氯化亞乙烯等之鹵化烯烴類；丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等之二烯系單體類；環己基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烷基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、亞醯胺基(甲基)丙烯酸酯等之具有環狀構造之(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯基、乙酸乙烯酯、丙烯腈、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基吡咯烷酮等。
黏著劑組成物(x-1)中之黏著性樹脂之含量相對於黏著劑組成物(x-1)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為35~100質量%，再較佳為50~100質量%，更較佳為60~100質量%，再更較佳為70~99.5質量%。
(交聯劑) 本發明之一形態中，黏著劑組成物(x-1)如上述丙烯酸系共聚合物(A1)，含有具有官能基之黏著性樹脂時，進一步含有交聯劑較佳。 該交聯劑係與具有官能基之黏著性樹脂反應，將該官能基作為交聯起點，並將黏著性樹脂彼此交聯。
作為交聯劑，有舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合系交聯劑等。 此等之交聯劑亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 此等之交聯劑中，以使凝集力提高並使黏著力提升之觀點，與取得容易度等之觀點來看，為異氰酸酯系交聯劑較佳。 作為異氰酸酯系交聯劑，有舉例如甲伸苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯撐基二異氰酸酯等之芳香族聚異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、雙環庚烷三異氰酸酯、環伸戊基二異氰酸酯、環伸己基二異氰酸酯、甲基環伸己基二異氰酸酯、亞甲基雙(環己基異氰酸酯)、3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯、氫化二甲苯撐基二異氰酸酯等之脂環式聚異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯等之非環式脂肪族聚異氰酸酯；等之多價異氰酸酯化合物等。 且，作為異氰酸酯系交聯劑，有舉出該多元異氰酸酯化合物之三羥甲基丙烷加成物型改質物、與水反應之雙縮脲型改質物、包含異三聚氰酸酯環之異三聚氰酸酯型改質物等。 此等之中，以抑制加熱時之黏著劑層(X1)之彈性率之降低，且抑制來自黏著劑層(X1)之殘渣附著於被著體之觀點來看，使用包含異三聚氰酸酯環之異三聚氰酸酯型改質物較佳，使用非環式脂肪族聚異氰酸酯之異三聚氰酸酯型改質物再較佳，使用六亞甲基二異氰酸酯之異三聚氰酸酯型改質物更較佳。
交聯劑之含量能夠依據黏著性樹脂所具有之官能基數來適當地調整，相對於具有官能基之黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，再較佳為0.03~7質量份，更較佳為0.05~5質量份。
(黏著賦予劑) 本發明一形態中，黏著劑組成物(x-1)以進一步提升黏著力之觀點來看，亦可進一步具有黏著賦予劑。 本說明書中，「黏著賦予劑」意指補助性地提升黏著性樹脂之黏著力之成分，且質量平均分子量(Mw)未滿1萬者，並與上述黏著性樹脂區別。 黏著賦予劑之質量平均分子量(Mw)為未滿1萬，較佳為400~9,000，再較佳為500~8,000，更較佳為800~5,000。
作為黏著賦予劑，有舉例如將藉由松脂系樹脂、萜烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、石油腦之熱分解所生成之戊烯、異戊二烯、胡椒鹼、1,3-五二烯等之C5餾分共聚合所得之C5系石油樹脂、將藉由石油腦之熱分解所生成之茚、乙烯基甲苯等之C9餾分共聚合所得之C9系石油樹脂及將此等氫化之氫化樹脂等。
黏著賦予劑之軟化點較佳為60~170℃，再較佳為65~160℃，更較佳為70~150℃。 且，本說明書中，黏著賦予劑之「軟化點」意指根據JIS K 2531測定之值。 黏著賦予劑亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上軟化點、構造等相異者。使用2種以上黏著賦予劑時，此等複數之黏著賦予劑之軟化點之加重平均屬於上述範圍較佳。
黏著賦予劑之含量相對於黏著劑組成物(x-1)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為0.01~65質量%，再較佳為0.1~50質量%，更較佳為1~40質量%，再更較佳為2~30質量%。
(黏著劑用添加劑) 本發明之一形態中，黏著劑組成物(x-1)在不損及本發明效果之範圍內，除了上述添加劑以外，亦可含有一般黏著劑所使用之黏著劑用添加劑。 作為如此之黏著劑用添加劑，有舉例如抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、防鏽劑、顏料、染料、延遲劑、反應促進劑(觸媒)、紫外線吸收劑、後述能量線硬化性化合物及光聚合起始劑等。 且此等之黏著劑用添加劑亦可各自單獨使用，亦可併用2種以上。
含有此等之黏著劑用添加劑時，各自之黏著劑用添加劑之含量各自獨立為相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.0001~20質量份，再較佳為0.001~10質量份。
(使熱膨脹性基材層(Y1)熱膨脹前之黏著劑層(X1)之黏著力) 使熱膨脹性基材層(Y1)熱膨脹前之黏著劑層(X1)之黏著力較佳為0.1~12.0N/25mm，再較佳為0.5~9.0N/25mm，更較佳為1.0~8.0N/25mm，再更較佳為1.2~7.5N/25mm。 使熱膨脹性基材層(Y1)熱膨脹前之黏著劑層(X1)之黏著力若為0.1N/25mm以上，則能夠更有效地抑制暫時固定時自被著體之非意圖之剝離、被著體之位置偏移等。另一方面，該黏著力若為12.0N/25mm以下，則能夠使加熱剝離時之剝離性更提升。
(使熱膨脹性基材層(Y1)熱膨脹後之黏著劑層(X1)之黏著力) 使熱膨脹性基材層(Y1)熱膨脹後之黏著劑層(X1)之黏著力較佳為1.5N/25mm以下，再較佳為0.05N/25mm以下，更較佳為0.01N/25mm以下，再更較佳為0N/25mm。且，黏著力為0N/25mm意指在後述熱膨脹後之黏著力之測定方法中，測定限界以下之黏著力，且亦包含為了測定，而將兩面黏著薄片固定時，黏著力過小而非意圖地剝離之情況。 本說明書中，使熱膨脹性基材層(Y1)熱膨脹後之黏著劑層(X1)之黏著力能夠藉由在後述實施例之[黏著劑層(X2)之黏著力之測定]所記載之方法中，將黏著劑層(X2)取代成黏著劑層(X1)之方法來測定。
(黏著劑層(X1)之厚度) 第1形態之兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)之厚度，以表現良好黏著力，並同時藉由加熱使熱膨脹性粒子膨脹時，在黏著劑層(X1)之黏著表面良好地形成凹凸之觀點來看，較佳為3~10μm，再較佳為3~8μm，更較佳為3~7μm。 藉由將黏著劑層(X1)之厚度調整在上述範圍，能夠容易形成黏著劑層(X1)，且能夠容易在黏著劑層(X1)之黏著表面良好地形成凹凸。
＜熱膨脹性基材層(Y1)＞ 第1形態之兩面黏著薄片所具有之熱膨脹性基材層(Y1)為樹脂材料中含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層，且為設置在黏著劑層(X1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之間之層。
將熱膨脹性基材層(Y1)中含有之樹脂材料作為厚度100μm時，其波長380nm之全光線透過率(T R)較佳為60%以上，再較佳為70%以上，更較佳為75%以上。全光線透過率(T R)之上限值並無特別限制，亦可為100%以下。 第1形態之兩面黏著薄片藉由全光線透過率(T R)為60%以上，容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。 全光線透過率(T R)中，能夠將成形為厚度100μm之薄片之樹脂材料作為測定試料，並藉由全光線透過率(T A)之測定所使用之裝置及測定條件來測定。
熱膨脹性基材層(Y1)為非黏著性之基材較佳。 熱膨脹性基材層(Y1)之表面之探針黏性值通常為未滿50mN/5mmφ，但較佳為未滿30mN/5mmφ，再較佳為未滿10mN/5mmφ，更較佳為未滿5mN/5mmφ。 且，本說明書中，基材之表面之探針黏性值意指藉由以下方法所測定之值。 ＜探針黏性值＞ 將成為測定對象之基材裁斷成一邊為10mm之正方形後，於23℃、50%RH(相對濕度)之環境下，靜置24小時後，將此作為試驗樣品，於23℃、50%RH(相對濕度)之環境下，使用定位試驗機(日本特殊測器股份公司製，製品名「NTS-4800」)，能夠將試驗樣品之表面之探針黏性值根據JIS Z0237：1991來測定。具體來說，將直徑5mm之不鏽鋼製之探針以1秒鐘、接觸荷重0.98N/cm 2使其與試驗樣品之表面接觸後，將該探針以10mm/秒之速度，測定自試驗樣品之表面分離所必要之力道，能夠將所得之值作為其試驗樣品之探針黏性值。
以使熱膨脹性基材層(Y1)與積層之其他層之層間密著性提升之觀點來看，對於熱膨脹性基材層(Y1)之表面，亦可施予氧化法、凹凸化法等之表面處理、易接著處理，或電漿處理。 作為氧化法，有舉例如電暈放電處理、電漿放電處理、鉻酸處理(濕式)、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，作為凹凸化法，有舉例如噴砂法、溶劑處理法等。
熱膨脹性基材層(Y1)由包含樹脂及熱膨脹性粒子之樹脂組成物(y-1)形成較佳。 以下，關於樹脂組成物(y-1)之較佳形態進行說明。且，關於熱膨脹性粒子之適合形態，如上述所述。
(樹脂) 樹脂組成物(y-1)中包含之樹脂亦可為非黏著性樹脂，亦可為黏著性樹脂。 亦即，樹脂組成物(y-1)中包含之樹脂亦可為黏著性樹脂，由樹脂組成物(y-1)形成熱膨脹性基材層(Y1)之過程中，該黏著性樹脂會與聚合性化合物聚合反應，所得之樹脂會成為非黏著性樹脂，包含該樹脂之熱膨脹性基材層(Y1)會成為非黏著性即可。
作為樹脂組成物(y-1)中包含之前述樹脂之質量平均分子量(Mw)，較佳為1,000~100萬，再較佳為1,000 ~70萬，更較佳為1,000~50萬。 且，該樹脂為具有2種以上構成單位之共聚合物時，該共聚合物之形態並無特別限定，亦可為嵌段共聚合物、隨機共聚合物及接枝共聚合物之任一者。
樹脂之含量相對於樹脂組成物(y-1)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為50~99質量%，再較佳為60~ 95質量%，更較佳為65~90質量%，再更較佳為70~85質量%。
作為樹脂組成物(y-1)中包含之前述樹脂，以容易在黏著劑層(X1)之黏著表面形成凹凸之觀點及使熱膨脹後之薄片形狀維持性良好之觀點來看，含有選自丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂所構成群中1種以上較佳。亦即，熱膨脹性基材層(Y1)含有選自丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂所成群中1種以上較佳。 且，作為上述丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂，為以下樹脂(U1)較佳。 •將胺基甲酸酯預聚合物(UP)，與包含(甲基)丙烯酸酸酯之乙烯基化合物聚合所成之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)。 且，本說明書中，預聚合物意指單體聚合所成之化合物，進而藉由進行聚合，能夠構成單體之化合物。
[丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)] 作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之主鏈之胺基甲酸酯預聚合物(UP)，有舉出多元醇與多元異氰酸酯之反應物。 且，胺基甲酸酯預聚合物(UP)進一步為使用鏈延長劑施予鏈延長反應所得者較佳。
作為成為胺基甲酸酯預聚合物(UP)之原料之多元醇，有舉例如伸烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯醯胺型多元醇、酯•醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。 此等之多元醇亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 作為本發明之一形態所使用之多元醇，為二醇較佳，酯型二醇、伸烷基型二醇及碳酸酯型二醇再較佳，為酯型二醇、碳酸酯型二醇更較佳。
作為酯型二醇，有舉例如選自1,3-丙烷二醇、1,4-丁烷二醇、1,5-戊烷二醇、新戊二醇、1,6-己烷二醇等之烷烴二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之伸烷基二醇；等之二醇類中1種或2種以上，與選自苯二甲酸、異苯二甲酸、對苯二甲酸、萘二羧酸、4,4-二苯基二羧酸、二苯基甲烷-4,4’-二羧酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯橋酸、馬來酸、丁烯二酸、衣康酸、環己烷-1,3-二羧酸、環己烷-1,4-二羧酸、六氫苯二甲酸、六氫異苯二甲酸、六氫對苯二甲酸、甲基六氫苯二甲酸等之二羧酸及此等之酐中1種或2種以上之縮聚合物。 具體來說，有舉出聚乙烯己二酸二醇、聚丁烯己二酸二醇、聚六亞甲基己二酸二醇、聚六亞甲基異苯二甲酸酯二醇、聚新戊基己二酸二醇、聚乙烯丙烯己二酸二醇、聚乙烯丁烯己二酸二醇、聚丁烯六亞甲基己二酸二醇、聚二乙烯己二酸二醇、聚(聚四亞甲基醚)己二酸二醇、聚(3-甲基伸戊基己二酸)二醇、聚乙烯壬二酸二醇、聚乙烯癸二酸二醇、聚丁烯壬二酸二醇、聚丁烯癸二酸二醇、聚新戊基對苯二甲酸酯二醇等。
作為伸烷基型二醇，有舉例如1,3-丙烷二醇、1,4-丁烷二醇、1,5-戊烷二醇、新戊二醇、1,6-己烷二醇等之烷烴二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等之伸烷基二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等之聚伸烷基二醇；聚四甲烯乙二醇等之聚氧基伸烷基二醇；等。
作為碳酸酯型二醇，有舉例如1,4-四亞甲基碳酸酯二醇、1,5-五亞甲基碳酸酯二醇、1,6-六亞甲基碳酸酯二醇、1,2-丙烯碳酸酯二醇、1,3-丙烯碳酸酯二醇、2,2-二甲基丙烯碳酸酯二醇、1,7-七亞甲基碳酸酯二醇、1,8-八亞甲基碳酸酯二醇、1,4-環己烷碳酸酯二醇等。
作為成為胺基甲酸酯預聚合物(UP)之原料之多元異氰酸酯，有舉出芳香族聚異氰酸酯、脂肪族聚異氰酸酯、脂環式聚異氰酸酯等。 此等之多元異氰酸酯亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 且，此等之多元異氰酸酯亦可為三羥甲基丙烷加成物型改質物、與水反應之雙縮脲型改質物、含有異三聚氰酸酯環之異三聚氰酸酯型改質物。
此等中，作為本發明之一形態使用之多元異氰酸酯，為二異氰酸酯較佳，為選自4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、2,4-甲伸苯基二異氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯(2,6-TDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HMDI)及脂環式二異氰酸酯中1種以上再較佳。
作為脂環式二異氰酸酯，有舉例如3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯(異佛爾酮二異氰酸酯、IPDI)、1,3-環戊烷二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,4-環己烷二異氰酸酯、甲基-2,6-環己烷二異氰酸酯等，但為異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)較佳。
本發明之一形態中，作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之主鏈之胺基甲酸酯預聚合物(UP)，為二醇與二異氰酸酯之反應物，且在兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚合物較佳。 作為在該直鏈胺基甲酸酯預聚合物之兩末端導入乙烯性不飽和基之方法，有舉出使二醇與二異氰酸酯化合物反應而成之直鏈胺基甲酸酯預聚合物之末端之NCO基，與羥基烷基(甲基)丙烯酸酯進行反應之方法。
作為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，有舉例如2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等。
作為成為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)之側鏈之乙烯基化合物，至少包含(甲基)丙烯酸酯。 作為(甲基)丙烯酸酯，為選自烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯中1種以上較佳，併用烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯再較佳。
併用烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯時，相對於烷基(甲基)丙烯酸酯100質量份，作為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之摻混比例，較佳為0.1~100質量份，再較佳為0.5~30質量份，更較佳為1.0~20質量份，再更較佳為1.5~10質量份。
作為該烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之烷基之碳數，較佳為1~24，再較佳為1~12，更較佳為1~8，再更較佳為1~3。
且，作為羥基烷基(甲基)丙烯酸酯，有舉出與用來在上述直鏈胺基甲酸酯預聚合物之兩末端導入乙烯性不飽和基所使用之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯相同者。
作為(甲基)丙烯酸酯以外之乙烯基化合物，有舉例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等之芳香族烴系乙烯基化合物；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等之乙烯基醚類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、(甲基)丙烯酸、馬來酸、丁烯二酸、衣康酸、甲基(丙烯酸醯胺)等之含極性基之單體；等。 亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為乙烯基化合物中之(甲基)丙烯酸酯之含量，相對於該乙烯基化合物之全量(100質量%)，較佳為40~100質量%，再較佳為65~100質量%，更較佳為80~100質量%，再更較佳為90~100質量%。
作為乙烯基化合物中之烷基(甲基)丙烯酸酯及羥基烷基(甲基)丙烯酸酯之合計含量，相對於該乙烯基化合物之全量(100質量%)，較佳為40~100質量%，再較佳為65~100質量%，更較佳為80~100質量%，再更較佳為90~100質量%。
本發明之一形態所使用之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)係混合胺基甲酸酯預聚合物(UP)與包含(甲基)丙烯酸酯之乙烯基化合物，並將兩者聚合所得。 該聚合中，進而添加自由基起始劑來進行較佳。
本發明之一形態所使用之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂(U1)中，作為來自胺基甲酸酯預聚合物(UP)之構成單位(u11)與來自乙烯基化合物之構成單位(u12)之含量比[(u11)/(u12)]，以質量比來說，較佳為10/90~80/20，再較佳為20/80~70/30，更較佳為30/70~60/40，再更較佳為35/65~55/45。
[烯烴系樹脂] 作為樹脂組成物(y-1)中包含之樹脂，作為適合之烯烴系樹脂，為至少具有來自烯烴單體之構成單位之聚合物。 作為上述烯烴單體，為碳數2~8之α-烯烴較佳，具體來說，有舉出乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、1-己烯等。 此等之中，為乙烯及丙烯較佳。
作為具體之烯烴系樹脂，有舉例如超低密度聚乙烯(VLDPE、密度：880 kg/m 3以上且未滿910 kg/m 3)、低密度聚乙烯(LDPE、密度：910 kg/m 3以上且未滿915 kg/m 3)、中密度聚乙烯(MDPE、密度：915 kg/m 3以上且未滿942 kg/m 3)、高密度聚乙烯(HDPE、密度：942 kg/m 3以上)、直鏈狀低密度聚乙烯等之聚乙烯樹脂；聚丙烯樹脂(PP)；聚丁烯樹脂(PB)；乙烯-丙烯共聚合物；烯烴系彈性體(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚合物(EVA)；乙烯ｰ乙烯基醇共聚合物(EVOH)；乙烯-丙烯-(5-亞乙基-2-降冰片烯)等之烯烴系三元共聚合物；等。
本發明之一形態中，烯烴系樹脂亦可為進一步施予選自酸改質、羥基改質、丙烯酸改質中1種以上改質之改質烯烴系樹脂。
例如作為對烯烴系樹脂施予酸改質而成之酸改質烯烴系樹脂，有舉出使上述無改質之烯烴系樹脂與不飽和羧酸或其酐接枝聚合而成之改質聚合物。 作為上述不飽和羧酸或其酐，有舉例如馬來酸、丁烯二酸、衣康酸、檸康酸、戊烯二酸、四(氫氧)化苯二甲酸、烏頭酸、(甲基)丙烯酸、馬來酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、檸康酸酐、烏頭酸酐、降冰片烯二羧酸酐、四(氫氧)化苯二甲酸酐等。 且，不飽和羧酸或其酐亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為對烯烴系樹脂施予丙烯酸改質而成之丙烯酸改質烯烴系樹脂，有舉出使主鏈之上述無改質之烯烴系樹脂與作為側鏈之烷基(甲基)丙烯酸酯進行接枝聚合而成之改質聚合物。 作為上述烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之烷基之碳數，較佳為1~20，再較佳為1~16，更較佳為1~12。 作為上述烷基(甲基)丙烯酸酯，有舉例如與能夠作為上述單體(a1’)所選擇之化合物相同者。
作為對烯烴系樹脂施予羥基改質而成之羥基改質烯烴系樹脂，有舉出使主鏈之上述無改質之烯烴系樹脂與含羥基之化合物進行接枝聚合而成之改質聚合物。 作為上述含羥基之化合物，有舉出與上述含羥基之化合物相同者。
[丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂] 本發明之一形態中，樹脂組成物(y-1)若為不損及本發明之效果之範圍內，亦可含有丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂。 作為如此之樹脂，有舉例如聚氯化乙烯基、聚氯化亞乙烯、聚乙烯醇等之乙烯基系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚丁烯對苯二甲酸酯、聚乙烯萘二甲酸酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚合物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；不相當於丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂之聚胺基甲酸酯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚伸苯基硫醚；聚醚亞醯胺基、聚亞醯胺基等之聚亞醯胺基系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。
惟，以容易在黏著劑層(X1)之黏著表面形成凹凸之觀點，及使熱膨脹後脂薄片形狀維持性良好之觀點來看，樹脂組成物(y-1)中之丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂之含量較少較佳。 作為丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂及烯烴系樹脂以外之樹脂之含量，相對於樹脂組成物(y-1)中包含之樹脂之全量100質量份，較佳為未滿30質量份，再較佳為未滿20質量份，更較佳為未滿10質量份，再更較佳為未滿5質量份，更較佳為未滿1質量份。
(基材用添加劑) 樹脂組成物(y-1)在不損及本發明效果之範圍內，因應必要亦可含有基材用添加劑。 作為基材用添加劑，有舉例如紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、帶電防止劑、潤滑劑、抗結塊劑、著色劑等。 且，此等之基材用添加劑亦可各自單獨使用，亦可併用2種以上。 含有此等之基材用添加劑時，各自之基材用添加劑之含量各自獨立相對於前述樹脂100質量份，較佳為0.0001 ~20質量份，再較佳為0.001~10質量份。
(無溶劑型樹脂組成物(y-1a)) 作為本發明之一形態所使用之樹脂組成物(y-1)之一形態，有舉出具有質量平均分子量(Mw)為50,000以下之乙烯性不飽和基之寡聚物、與能量線聚合性單體，與上述熱膨脹性粒子而成，且不摻混溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y-1a)。 無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中雖然不摻混溶劑，但能量線聚合性單體為附與前述寡聚物之可塑性之提升者。 藉由對於無溶劑型樹脂組成物(y-1a)，照射能量線，具有乙烯性不飽和基之寡聚物、能量線聚合性單體等會聚合，形成熱膨脹性基材層(Y1)。
無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中包含之前述寡聚物之質量平均分子量(Mw)為50,000以下，但較佳為1,000~50,000，再較佳為2,000~40,000，更較佳為3,000~ 35,000，再更較佳為4,000~30,000。
作為前述寡聚物，上述樹脂組成物(y-1)中包含之樹脂中，具有質量平均分子量為50,000以下之乙烯性不飽和基者即可，但為上述胺基甲酸酯預聚合物(UP)較佳，為兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚合物再較佳。 且，作為該寡聚物，亦能夠使用具有乙烯性不飽和基之改質烯烴系樹脂。
無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中，前述寡聚物及能量線聚合性單體之合計含量相對於無溶劑型樹脂組成物(y-1a)之全量(100質量%)，較佳為50~99質量%，再較佳為60~95質量%，更較佳為65~90質量%，再更較佳為70~85質量%。
作為能量線聚合性單體，有舉例如異莰基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烷基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基氧基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛烷(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷丙烯酸酯等之脂環式聚合性化合物；苯基羥基丙基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、氧化酚乙烯改質丙烯酸酯等之芳香族聚合性化合物；四(氫氧)化呋喃甲基(甲基)丙烯酸酯、嗎啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基環己酮等之雜環式聚合性化合物等。此等之中，為異莰基(甲基)丙烯酸酯、苯基羥基丙基丙烯酸酯較佳。 此等之能量線聚合性單體亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中，前述寡聚物與前述能量線聚合性單體之含量比[寡聚物/能量線聚合性單體]，以質量比來說，較佳為20/80~90/10，再較佳為30/70~85/15，更較佳為35/65~80/20。
本發明之一形態中，無溶劑型樹脂組成物(y-1a)進一步摻混光聚合起始劑而成較佳。 藉由含有光聚合起始劑，即使以比較低能量之能量線之照射，也能夠充分地使硬化反應進行。 作為光聚合起始劑，有舉例如1-羥基環己基苯基酮、安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香丙基醚、硫化苄基苯、單硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二苄、二乙醯、β-氯基蒽醌、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。 此等之光聚合起始劑，亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 光聚合起始劑之摻混量，相對於前述寡聚物及能量線聚合性單體之全量(100質量份)，較佳為0.01~5質量份，再較佳為0.01~4質量份，更較佳為0.02~3質量份。
(熱膨脹性基材層(Y1)之厚度) 本發明之一形態中，熱膨脹性基材層(Y1)之熱膨脹前之厚度較佳為10~200μm，再較佳為20~150μm，更較佳為25~120μm。 熱膨脹性基材層(Y1)之熱膨脹前之厚度若在10μm以上，能夠抑制起因於熱膨脹前之熱膨脹性粒子之凹凸之形成，能夠使黏著劑層(X1)之黏著力良好。熱膨脹性基材層(Y1)之熱膨脹前之厚度若在200μm以下，則容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。
＜非熱膨脹性基材層(Y2)＞ 第1形態之兩面黏著薄片所具有之非熱膨脹性基材層(Y2)設置在與熱膨脹性基材層(Y1)之黏著劑層(X1)之積層面為相反側之面。
非熱膨脹性基材層(Y2)為非黏著性之基材較佳。非熱膨脹性基材層(Y2)之表面上之探針黏性值通常為未滿50mN/5mmφ，但較佳為未滿30mN/5mmφ，再較佳為未滿10mN/5mmφ，更較佳為未滿5mN/5mmφ。
非熱膨脹性基材層(Y2)之波長380nm之全光線透過率(T Y2)較佳為70%以上，再較佳為80%以上，更較佳為85%以上。全光線透過率(T Y2)之上限值並無特別限制，亦可為100%以下。 藉由非熱膨脹性基材層(Y2)之全光線透過率(T Y2)為70%以上，容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。 全光線透過率(T Y2)能夠藉由將非熱膨脹性基材層(Y2)作為測定試料，並以全光線透過率(T A)之測定所使用之裝置及測定條件來測定。
作為非熱膨脹性基材層(Y2)之形成材料，有舉例如樹脂、金屬、紙材等，能夠因應兩面黏著薄片之用途來適當地選擇。
作為樹脂，有舉例如聚乙烯、聚丙烯等之聚烯烴樹脂；聚氯化乙烯、聚氯化亞乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯酯共聚合物、乙烯-乙烯基醇共聚合物等之乙烯系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚丁烯對苯二甲酸酯、聚乙烯萘二甲酸酯等之聚酯系樹脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚合物；三乙酸纖維素；聚碳酸酯；聚胺基甲酸酯、丙烯酸改質聚胺基甲酸酯等之胺基甲酸酯樹脂；聚甲基戊烯；聚碸；聚醚醚酮；聚醚碸；聚伸苯基硫醚；聚醚亞醯胺、聚亞醯胺等之聚亞醯胺系樹脂；聚醯胺系樹脂；丙烯酸樹脂；氟系樹脂等。 作為金屬，有舉例如鋁、錫、鉻、鈦等。 作為紙材，有舉例如薄葉紙、中質紙、上質紙、含浸紙、塗層紙、銅版紙、硫酸紙、玻璃紙等。 此等之中，為聚對苯二甲酸乙二酯、聚丁烯對苯二甲酸酯、聚乙烯萘二甲酸酯等之聚酯系樹脂較佳。
此等之形成材料亦可由1種所構成，亦可併用2種以上。 作為併用2種以上形成材料之非熱膨脹性基材層(Y2)，有舉出將紙材以聚乙烯等之熱可塑性樹脂積層者、包含樹脂之樹脂薄膜或在薄片表面形成金屬膜者等。 且，作為金屬層之形成方法，有舉例如將上述金屬以真空蒸著、濺鍍、離子披覆等之PVD法進行蒸著之方法，或使用一般黏著劑貼附上述金屬而成之金屬箔之方法等。
且，以提升非熱膨脹性基材層(Y2)與積層之其他層之層間密著性之觀點來說，非熱膨脹性基材層(Y2)包含樹脂時，對非熱膨脹性基材層(Y2)之表面，也與上述熱膨脹性基材層(Y1)同樣地，亦可以氧化法、凹凸化法等來施予表面處理、易接著處理或底層處理。
且，非熱膨脹性基材層(Y2)包含樹脂時，亦可與該樹脂共同含有樹脂組成物(y-1)中亦可含有之上述基材用添加劑。
非熱膨脹性基材層(Y2)為根據上述方法所判斷之非熱膨脹性層。 因此，作為由上述式所算出之非熱膨脹性基材層(Y2)之體積變化率(%)，為未滿5%，但較佳為未滿2%，再較佳為未滿1%，更較佳為未滿0.1%，再更較佳為未滿0.01%。
且，非熱膨脹性基材層(Y2)之體積變化率若為上述範圍內，亦可含有熱膨脹性粒子。例如，藉由選擇非熱膨脹性基材層(Y2)中包含之樹脂，即使包含熱膨脹性粒子，也能夠將體積變化率調整至上述範圍。 惟，非熱膨脹性基材層(Y2)中之熱膨脹性粒子之含量越少越較佳。 作為具體之熱膨脹性粒子之含量，相對於非熱膨脹性基材層(Y2)之全質量(100質量%)，通常未滿3質量%，較佳未滿1質量%，再較佳未滿0.1質量%，更較佳未滿0.01質量%，再更較佳未滿0.001質量%。進一步，較佳不含有熱膨脹性粒子。
(非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃中之儲藏彈性率E’(23)) 非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃中之儲藏彈性率E’(23)較佳為5.0×10 7~5.0×10 9Pa，再較佳為5.0×10 8~4.5×10 9Pa，更較佳為1.0×10 9~4.0×10 9Pa。 非熱膨脹性基材層(Y2)之儲藏彈性率E’(23)若為5.0×10 7Pa以上，則容易使兩面黏著薄片之耐變形性提升。另一方面，非熱膨脹性基材層(Y2)之儲藏彈性率E’(23)若在5.0×10 9Pa以下，則容易使兩面黏著薄片之操作性提升。 且，本說明書中，非熱膨脹性基材層(Y2)之儲藏彈性率E’(23)意指藉由實施例記載之方法所測定之值。
(非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度) 非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度較佳為5~500μm，再較佳為15~300μm，更較佳為20~200μm。非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度只要為5μm以上，則容易使兩面黏著薄片之耐變形性提升。另一方面，非熱膨脹性基材層(Y2)之厚度若為500μm以下，則容易使兩面黏著薄片之操作性提升，且同時容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。
＜黏著劑層(X2)＞ 第1形態之兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)為能量線硬化性黏著劑層，且為設置在與非熱膨脹性基材層(Y2)之熱膨脹性基材層(Y1)之積層面為相反側之面之層。 黏著劑層(X2)為藉由照射能量線而硬化並使黏著力降低之黏著劑層，較佳為藉由照射紫外線而硬化並使黏著力降低之黏著劑層。
黏著劑層(X2)為非熱膨脹性層較佳。 黏著劑層(X2)為非熱膨脹性層時，由上述式算出之黏著劑層(X2)之體積變化率(%)為未滿5%，較佳為未滿2%，再較佳為未滿1%，更較佳為未滿0.1%，再更較佳為未滿0.01%。 黏著劑層(X2)不含有熱膨脹性粒子較佳，但在不違反本發明目的之範圍內，亦可含有熱膨脹性粒子。 黏著劑層(X2)含有熱膨脹性粒子時，其含量越少越較佳，相對於黏著劑層(X2)之全質量(100質量%)，較佳為未滿3質量%，再較佳為未滿1質量%，更較佳為未滿0.1質量%，再更較佳為未滿0.01質量%，再更較佳為未滿0.001質量%。
黏著劑層(X2)由含有黏著性樹脂之黏著劑組成物(x-2)形成較佳。以下，關於黏著劑組成物(x-2)中含有之各成分進行說明。
黏著劑組成物(x-2)含有黏著性樹脂，且亦可因應必要，含有交聯劑、黏著賦予劑、聚合性化合物、聚合起始劑、上述各成分以外之一般黏著劑所使用之黏著劑用添加劑等。
(黏著性樹脂) 作為黏著性樹脂，只要是該樹脂單獨具有黏著性，且質量平均分子量(Mw)為1萬以上之聚合物即可。 黏著性樹脂之質量平均分子量(Mw)以進一步提升黏著劑層(X2)之黏著力之觀點來看，較佳為1萬~200萬，再較佳為2萬~150萬，更較佳為3萬~100萬。
作為黏著性樹脂，有舉出與黏著劑組成物(x-1)所含有之黏著劑組成物相同者。 此等之黏著性樹脂亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 且，此等之黏著性樹脂為具有2種以上構成單位之共聚合物時，該共聚合物之形態亦可為嵌段共聚合物、隨機共聚合物及接枝共聚合物之任一者。
黏著劑組成物(x-2)中含有之黏著性樹脂，以將所得之黏著劑層(X2)作為藉由能量線照射而硬化並使黏著力降低之黏著劑層之觀點來看，為側鏈具有能量線聚合性官能基之黏著性樹脂較佳。 作為能量線聚合性官能基，有舉例如具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基、丙烯基等之碳-碳雙鍵者。
黏著性樹脂以表現優異之黏著力之觀點來看，含有丙烯酸系樹脂較佳。 黏著劑組成物(x-2)中丙烯酸系樹脂之含量相對於黏著劑組成物(x-2)中含有之黏著性樹脂之全量(100質量%)，較佳為30~100質量%，再較佳為50~100質量%，更較佳為70~100質量%，再更較佳為85~100質量%。
黏著劑組成物(x-2)中黏著性樹脂之含量相對於黏著劑組成物(x-2)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為35~100質量%，再較佳為50~100質量%，更較佳為60~98質量%，再更較佳為70~95質量%。
(能量線硬化性化合物) 黏著劑組成物(x-2)中，亦可與黏著性樹脂同時含有作為能量線硬化性化合物之藉由能量線照射而能夠聚合硬化之單體或寡聚物。 作為如此之能量線硬化性化合物，有舉例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇(甲基)丙烯酸酯等之多價(甲基)丙烯酸酯單體；多官能胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、多官能聚酯(甲基)丙烯酸酯、多官能聚醚(甲基)丙烯酸酯、多官能環氧(甲基)丙烯酸酯等之寡聚物。 此等之中，以分子量比較高，且使黏著劑層(X2)之彈性率難以降低之觀點來看，為多官能胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物較佳。 能量線硬化性化合物之分子量(為寡聚物時，質量平均分子量(Mw))較佳為100~12,000，再較佳為200~ 10,000，更較佳為400~8,000，再更較佳為600~6,000。
(光聚合起始劑) 黏著劑組成物(x-2)進而含有光聚合起始劑較佳。 藉由含有光聚合起始劑，能夠使能量線聚合性成分之聚合更有效率地進行。 作為光聚合起始劑，有舉出與無溶劑型樹脂組成物(y-1a)中說明所例示者相同者。此等之中，為1-羥基環己基苯基酮較佳。 光聚合起始劑之含量相對於具有能量線聚合性官能基之黏著性樹脂之全量100質量份，較佳為0.01~10質量份，再較佳為0.03~5質量份，更較佳為0.05~2質量份。
(交聯劑) 本發明之一形態中，黏著劑組成物(x-2)含有具有官能基之黏著性樹脂時，黏著劑組成物(x-2)進一步含有交聯劑較佳。 該交聯劑係與具有官能基之黏著性樹脂反應，將該官能基作為交聯起點，並將黏著性樹脂彼此交聯者。
作為黏著劑組成物(x-2)中亦可含有之交聯劑，有舉出與黏著劑組成物(x-1)中亦可含有之交聯劑相同或同等者，但以提高凝集力且提升黏著力之觀點、取得容易度等之觀點來看，為異氰酸酯系交聯劑較佳。
交聯劑之含量能夠依據黏著性樹脂所具有之官能基數來適當地調整，相對於具有官能基之黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01~10質量份，再較佳為0.03~7質量份，更較佳為0.05~5質量份。
(黏著賦予劑) 本發明之一形態中，黏著劑組成物(x-2)以更提升黏著力之觀點來看，亦可進一步含有黏著賦予劑。 作為黏著劑組成物(x-2)亦可含有之黏著賦予劑，能夠使用與黏著劑組成物(x-1)亦可含有之黏著賦予劑相同等者。
(黏著劑用添加劑) 作為黏著劑用添加劑，有舉出與黏著劑組成物(x-1)亦可含有之黏著劑用添加劑相同者。
黏著劑組成物(x-2)能夠藉由混合黏著性樹脂、因應必要所使用之交聯劑、黏著賦予劑、黏著劑用添加劑等來製造。
(黏著劑層(X2)在能量線照射前之黏著力) 黏著劑層(X2)在能量線照射前之黏著力較佳為1.1~ 30.0N/25mm，再較佳為3.0~25.0N/25mm，更較佳為5.0~ 20.0N/25mm。 黏著劑層(X2)在能量線照射前之黏著力若為1.1N/25mm以上，能夠更有效地抑制自被著體之非意圖之剝離、被著體之位置偏移等。另一方面，該黏著力若為30.0N/25mm以下，能夠更提升能量線照射後之剝離性。 且，黏著劑層(X2)在能量線照射前之黏著力，能夠藉由實施例記載之方法來測定。
(黏著劑層(X2)在能量線照射後之黏著力) 黏著劑層(X2)在能量線照射後之黏著力較佳為1.0N/25mm以下，再較佳為0.9N/25mm以下，更較佳為0.8N/25mm以下，再更較佳為0.7N/25mm以下。黏著劑層(X2)在能量線照射後之下限值並無特別限制，亦可為0N/25mm以上。 黏著劑層(X2)在能量線照射後之黏著力若為1.0N/25mm以下，自被著體之剝離性會變得更優異。 且，黏著劑層(X2)在能量線照射後之黏著力能夠藉由實施例記載之方法來測定。
(黏著劑層(X2)之厚度) 第1形態之兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)之厚度較佳為5~150μm，再較佳為8~100μm，更較佳為12~ 70μm，再更較佳為15~50μm。 黏著劑層(X2)之厚度若為5μm以上，容易得到充分之黏著力，有能夠抑制自暫時固定時之被著體之非意圖之剝離、被著體之位置偏移等之傾向。另一方面，黏著劑層(X2)之厚度若為150μm以下，有兩面黏著薄片之操作變得較容易之傾向。
第1形態之兩面黏著薄片中，黏著劑層(X1)、熱膨脹性基材層(Y1)、非熱膨脹性基材層(Y2)及黏著劑層(X2)之熱膨脹前之合計厚度較佳為90~300μm，再較佳為100~250μm，更較佳為130~200μm。 合計厚度若為90μm以上，兩面黏著薄片之機械性強度等容易變得良好且操作變得容易。且，合計厚度若為300μm以下，容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。
＜第1形態之兩面黏著薄片之製造方法＞ 第1形態之兩面黏著薄片之製造方法並無特別限制，有舉例如具有下述步驟(1a)~(5a)之兩面黏著薄片之製造方法。 •步驟(1a)：於剝離材之剝離處理表面上，塗布黏著劑組成物(x-1)，形成黏著劑層(X1)之步驟。 •步驟(2a)：於非熱膨脹性基材層(Y2)之單面上，塗布樹脂組成物(y-1)，形成積層非熱膨脹性基材層(Y2)與熱膨脹性基材層(Y1)之基材積層體之步驟。 •步驟(3a)：貼合於步驟(1a)所形成之黏著劑層(X1)之黏著表面，與於步驟(2a)所形成之基材積層體之熱膨脹性基材層(Y1)側之表面，得到單面黏著薄片之步驟。 •步驟(4a)：於剝離材之剝離處理表面上，塗布黏著劑組成物(x-2)，形成黏著劑層(X2)之步驟。 •步驟(5a)：於步驟(3a)所形成之單面黏著薄片之非熱膨脹性基材層(Y2)之表面上，貼合於步驟(4a)所形成之黏著劑層(X2)之黏著表面之步驟。
上述兩面黏著薄片之製造方法中，樹脂組成物(y-1)、黏著劑組成物(x-1)及黏著劑組成物(x-2)中，亦可進而摻混稀釋溶劑，作為溶液之形態。 作為塗布方法，有舉例如旋塗法、噴塗法、棒塗布法、刀塗布法、捲筒塗布法、葉片塗布法、模具塗布法、凹版塗布法等。
且，將由樹脂組成物(y-1)、黏著劑組成物(x-1)及黏著劑組成物(x-2)所形成之塗膜乾燥之步驟，以抑制熱膨脹性粒子之膨脹之觀點來看，將乾燥溫度以未滿熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)來進行較佳。
[第2形態之兩面黏著薄片] 第2形態之兩面黏著薄片為具有依序配置熱膨脹性層之黏著劑層(X1)與基材層(Y)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片。
關於第2形態之兩面黏著薄片所具有之基材層(Y)之說明，與關於第1形態之兩面黏著薄片中之非熱膨脹性基材層(Y2)之說明相同，關於關於第2形態之兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)之說明，與關於第1形態之兩面黏著薄片中之黏著劑層(X2)之說明相同。
＜黏著劑層(X1)＞ 第2形態之黏著劑層(X1)為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層，且含有能量線聚合性成分聚合物及熱膨脹性粒子較佳。 上述聚合物作為前述能量線聚合性成分，為對含有具有能量線聚合性官能基之單體(b1)(以下亦稱作「(b1)成分」)及具有能量線聚合性官能基之預聚合物(b2)(以下亦稱作「(b2)成分」)之聚合性組成物(以下亦稱作「聚合性組成物(x-1’)」)照射能量線而成之聚合物。 且，本說明書中，預聚合物意指單體聚合而成之化合物，並進而藉由進行聚合，能夠構成單體之化合物。
聚合性組成物(x-1’)所含有之能量線聚合性成分為藉由能量線之照射所聚合之成分，且具有能量線聚合性官能基者。 作為能量線聚合性官能基，有舉例如具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基、丙烯基等之碳-碳雙鍵者。且，以下說明中，有時如將(甲基)丙烯醯基、丙烯基等，將一部分包含乙烯基或取代乙烯基之官能基與乙烯基或取代乙烯基本身總稱為「含乙烯基之基」。 以下，關於聚合性組成物(x-1’)中含有之各成分進行說明。
(具有能量線聚合性官能基之單體(b1)) 作為具有能量線聚合性官能基之單體(b1)，只要具有能量線聚合性官能基之單體即可，除了能量線聚合性官能基以外，亦可具有烴基、能量線聚合性官能基以外之官能基等。
作為(b1)成分所具有之烴基，有舉例如脂肪族烴基、芳香族烴基、組合此等之基等。 脂肪族烴基亦可為直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，亦可為脂環式烴基。 作為直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，有舉例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、tert-丁基、sec-丁基、n-戊基、n-己基、2-乙基己基、n-辛基、異辛基、n-癸基、n-十二基、n-十四基、n-十六基、n-硬脂醯基等之碳數1~20之脂肪族烴基。 作為脂環式烴基，有舉例如環戊基、環己基、異莰基等之碳數3~20之脂環式烴基。 作為芳香族烴基，有舉例如苯基。 作為組合脂肪族烴基與芳香族烴基之基，有舉例如苯氧基乙基、苄基。 此等之中，(b1)成分以更提升黏著劑層(X1)之黏著力之觀點來看，含有具有能量線聚合性官能基與直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基之單體(b1-1)(以下亦稱作「(b1-1)成分」)、具有能量線聚合性官能基與脂環式烴基之單體(b1-2)(以下亦稱作「(b1-2)成分」)等較佳。
(b1)成分含有(b1-1)成分時，其含量相對於(b1)成分之合計(100質量%)，較佳為20~80質量%，再較佳為40~70質量%，更較佳為50~60質量%。 (b1)成分含有(b1-2)成分時，其含量相對於(b1)成分之合計(100質量%)，較佳為5~60質量%，再較佳為10~40質量%，更較佳為20~30質量%。
作為能量線聚合性官能基與能量線聚合性官能基以外之官能基之單體，作為能量線聚合性官能基以外之官能基，有舉例如具有羥基、羧基、硫醇基、1或2級胺基等之單體。此等之中，(b1)成分以更提升黏著劑層(X1)之形成性之觀點來看，含有具有能量線聚合性官能基與羥基之單體(b1-3)(以下亦稱作「(b1-3)成分」)較佳。 (b1)成分含有(b1-3)成分時，其含量相對於(b1)成分之合計(100質量%)，較佳為1~60質量%，再較佳為5~30質量%，更較佳為10~20質量%。
(b1)成分所具有之能量線聚合性官能基之數亦可為1個或2個以上。且，以更提升黏著劑層(X1)之剝離性之觀點來看，(b1)成分含有具有3個以上能量線聚合性官能基之單體(b1-4)(以下亦稱作「(b1-4)成分」)較佳。 (b1)成分含有(b1-4)成分時，其含量相對於(b1)成分之合計(100質量%)，較佳為1~20質量%，再較佳為2~15質量%，更較佳為3~10質量%。
作為具有1個能量線聚合性官能基之單體，為具有1個含乙烯基之基之單體(以下亦稱作「聚合性乙烯基單體」)較佳。 作為具有2個以上能量線聚合性官能基之單體，為具有2個以上(甲基)丙烯醯基之單體(以下亦稱作「多官能(甲基)丙烯酸酯單體」)較佳。藉由(b1)成分含有上述化合物，將此等聚合所得之黏著劑之凝集力會提升，能夠形成剝離後之被著體汙染較少之黏著劑層(X1)。
[聚合性乙烯基單體] 作為聚合性乙烯基單體，只要是具有含乙烯基之基，並無特別限定，能夠適當地使用以往公知者。 聚合性乙烯基單體亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為聚合性乙烯基單體，有舉例如甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯、戊基(甲基)丙烯酸酯、己基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、異辛基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、十二基(甲基)丙烯酸酯、十四基(甲基)丙烯酸酯、十六基(甲基)丙烯酸酯、硬脂醯基(甲基)丙烯酸酯等之相當於上述(b1-1)成分之化合物；環己基(甲基)丙烯酸酯、異莰基(甲基)丙烯酸酯等之相當於上述(b1-2)成分之化合物；苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯、聚氧基伸烷基改質(甲基)丙烯酸酯等之分子內不具有含乙烯基之基以外之官能基之(甲基)丙烯酸酯等。此等之中，為2-乙基己基丙烯酸酯、異莰基丙烯酸酯較佳。
聚合性乙烯基單體亦可為分子內進而具有含乙烯基之基以外之官能基。作為該官能基，有舉例如羥基、羧基、硫醇基、1或2級胺基等。此等之中，為相當於上述(b1-3)成分之具有羥基之聚合性乙烯基單體較佳。 作為具有羥基之聚合性乙烯基單體，有舉例如2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯；N-羥甲基丙烯酸醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺等之含羥基之丙烯酸醯胺類等。且，作為具有羧基之聚合性乙烯基單體，有舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸等。此等之中，為2-羥基乙基丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯較佳。
且，作為其他聚合性乙烯基單體，有舉例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等之乙烯基酯類；乙烯、丙烯、異丁烯等之烯烴類；氯化乙烯、氯化亞乙烯等之鹵化烯烴類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之苯乙烯系單體；丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯等之二烯系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等之腈系單體；丙烯酸醯胺、甲基丙烯醯胺、N-甲基丙烯酸醯胺、N-甲基甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酸醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯酸醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮等之醯胺系單體；(甲基)丙烯酸酸N,N-二乙基胺基乙基、N-(甲基)丙烯醯基嗎呋啉等之含3級胺基之單體等。
[多官能(甲基)丙烯酸酯單體] 作為多官能(甲基)丙烯酸酯單體，只要是一分子中具有2個以上(甲基)丙烯醯基之單體即可，並無特別限定，能夠適當使用以往公知者。 多官能(甲基)丙烯酸酯單體亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為多官能(甲基)丙烯酸酯單體，有舉例如1,4-丁烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸二(甲基)丙烯酸酯、羥基叔戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊烷基二(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二環戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、氧化乙烯改質磷酸二(甲基)丙烯酸酯、二(丙烯醯基氧基乙基)異三聚氰酸酯、丙烯基化環己基二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸氧化乙烯改質二丙烯酸酯等之2官能(甲基)丙烯酸酯單體；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改質二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、氧化丙烯改質三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、參(丙烯醯基氧基乙基)異三聚氰酸酯、雙(丙烯醯基氧基乙基)羥基乙基異三聚氰酸酯、異三聚氰酸氧化乙烯改質三丙烯酸酯、ε-己內酯改質參(丙烯醯基氧基乙基)異三聚氰酸酯、二丙三醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、丙酸改質二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等之相當於上述(b1-4)成分之多官能(甲基)丙烯酸酯單體等。
《(b1)成分之含量》 聚合性組成物(x-1’)中之聚合性乙烯基單體之合計含量相對於聚合性組成物(x-1’)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為10~80質量%，再較佳為30~75質量%，更較佳為50~70質量%。 聚合性組成物(x-1’)中之多官能(甲基)丙烯酸酯單體之合計含量相對於聚合性組成物(x-1’)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為0.5~15質量%，再較佳為1~10質量%，更較佳為2~5質量%。 聚合性組成物(x-1’)中之(b1)成分之合計含量相對於聚合性組成物(x-1’)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為15~90質量%，再較佳為35~80質量%，更較佳為55~75質量%。
(具有能量線聚合性官能基之預聚合物(b2)) 作為具有能量線聚合性官能基之預聚合物(b2)，有舉出具有1個能量線聚合性官能基之預聚合物、具有2個以上能量線聚合性官能基之預聚合物等。此等之中，(b2)成分以形成剝離性優異且同時在剝離後之被著體汙染較少之黏著劑層之觀點來看，含有具有2個以上能量線聚合性官能基之預聚合物較佳，含有具有2個能量線聚合性官能基之預聚合物再較佳，含有具有2個能量線聚合性官能基，且在兩末端具有該能量線聚合性官能基之預聚合物更較佳。
作為(b2)成分，為含有2個以上作為能量線聚合性官能基之(甲基)丙烯醯基之預聚合物(以下，亦稱作「多官能(甲基)丙烯酸酯預聚合物」)較佳。藉由(b2)成分含有上述化合物，聚合此等所得之黏著劑之凝集力會提升，且能夠形成剝離性優異，同時剝離後之被著體汙染較少之黏著劑層(X1)。
[多官能(甲基)丙烯酸酯預聚合物] 作為多官能(甲基)丙烯酸酯預聚合物，只要是一分子中具有2個以上(甲基)丙烯醯基之預聚合物，並無特別限定，能夠適當使用以往公知者。 多官能(甲基)丙烯酸酯預聚合物亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為多官能(甲基)丙烯酸酯預聚合物，有舉例如胺基甲酸酯丙烯酸酯系預聚合物、聚酯丙烯酸酯系預聚合物、環氧丙烯酸酯系預聚合物、聚醚丙烯酸酯系預聚合物、聚丁二烯丙烯酸酯系預聚合物、矽氧丙烯酸酯系預聚合物、聚丙烯酸丙烯酸酯系預聚合物等。
胺基甲酸酯丙烯酸酯系預聚合物能夠藉由將例如聚伸烷多元醇、聚醚多元醇、聚酯多元醇、具有羥基末端之氫化異戊二烯、具有羥基末端之氫化丁二烯等之化合物，與聚異氰酸酯之反應所得之聚胺基甲酸酯預聚合物以(甲基)丙烯酸酸或(甲基)丙烯酸酸衍生物進行酯化所得。
作為胺基甲酸酯丙烯酸酯系預聚合物之製造中使用之聚伸烷多元醇，有舉例如聚丙二醇、聚乙二醇、聚丁二醇、聚己二醇等，此等之中，為聚丙二醇較佳。且，將所得之胺基甲酸酯丙烯酸酯系預聚合物之官能基數設為3以上時，適當地組合例如丙三醇、三羥甲基丙烷、三乙醇胺、季戊四醇、乙烯二胺、二乙烯三胺、山梨醇、蔗糖等即可。
作為胺基甲酸酯丙烯酸酯系預聚合物之製造中使用之聚異氰酸酯，有舉例如六亞甲基二異氰酸酯、三亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族二異氰酸酯；甲伸苯基二異氰酸酯、二甲苯撐基二異氰酸酯、二苯基二異氰酸酯等之芳香族二異氰酸酯；二環己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等之脂環式二異氰酸酯等，此等之中，為脂肪族二異氰酸酯較佳，為六亞甲基二異氰酸酯再較佳。且，聚異氰酸酯不僅能夠使用2官能，亦能夠使用3官能以上者。
作為胺基甲酸酯丙烯酸酯系預聚合物之製造中使用之(甲基)丙烯酸酸衍生物，有舉例如2-羥基乙基丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯等之羥基烷基(甲基)丙烯酸酯；2-異氰酸酯乙基丙烯酸酯、2-異氰酸酯乙基丙烯酸酯、1,1-雙(丙烯醯基氧基甲基)乙基異氰酸酯等，此等之中，為2-異氰酸酯乙基丙烯酸酯較佳。
作為胺基甲酸酯丙烯酸酯系預聚合物之另一種製造方法，有舉出使聚伸烷多元醇、聚醚多元醇、聚酯多元醇、具有羥基末端之氫化異戊二烯、具有羥基末端之氫化丁二烯等之化合物所具有之羥基，與異氰酸酯烷基(甲基)丙烯酸酯所具有之-N=C=O部分反應之方法。此時，作為該異氰酸酯烷基(甲基)丙烯酸酯，能夠使用例如上述2-異氰酸酯乙基丙烯酸酯、2-異氰酸酯乙基丙烯酸酯、1,1-雙(丙烯醯基氧基甲基)乙基異氰酸酯等。
聚酯丙烯酸酯系預聚合物能夠藉由例如將由多價羧酸與多元醇之縮合而得之在兩末端具有羥基之聚酯預聚合物之羥基以(甲基)丙烯酸酸進行酯化所得。且，也能夠藉由將於多價羧酸加成伸烷基氧所得之預聚合物之末端之羥基以(甲基)丙烯酸酸進行酯化所得。
環氧丙烯酸酯系預聚合物能夠藉由例如使比較低分子量之雙酚型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂等之環氧乙烷環與(甲基)丙烯酸酸反應並進行酯化所得。且，能夠使用將環氧丙烯酸酯系預聚合物部分地以二鹼基性羧酸酐改質之羧基改質型之環氧丙烯酸酯系預聚合物。
聚醚丙烯酸酯系預聚合物能夠藉由例如將聚醚多元醇之羥基以(甲基)丙烯酸酸酯化所得。
聚丙烯酸丙烯酸酯系預聚合物中，側鏈亦可具有丙烯醯基，亦可在兩末端或單末端亦具有丙烯醯基。側鏈具有丙烯醯基之聚丙烯酸丙烯酸酯系預聚合物能夠藉由例如對聚丙烯酸酸之羧基加成環氧丙基丙烯酸酯所得。且，兩末端具有丙烯醯基之聚丙烯酸丙烯酸酯系預聚合物能夠藉由例如利用以ATRP(Atom Transfer Radical Polymerization)法合成之聚丙烯酸酯預聚合物之聚合成長末端構造，於兩末端導入丙烯醯基所得。
(b2)成分之質量平均分子量(Mw)較佳為10,000~350,000，再較佳為15,000~200,000，更較佳為20,000~50,000。
《(b2)成分之含量》 聚合性組成物(x-1’)中之多官能(甲基)丙烯酸酯預聚合物之合計含量相對於聚合性組成物(x-1’)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為10~60質量%，再較佳為15~55質量%，更較佳為20~30質量%。 聚合性組成物(x-1’)中之(b2)成分之合計含量相對於聚合性組成物(x-1’)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為10~60質量%，再較佳為15~55質量%，更較佳為20~30質量%。
聚合性組成物(x-1’)中之(b2)成分及(b1)成分之含量比[(b2)/(b1)]以質量基準來說，較佳為10/90~70/30，再較佳為20/80~50/50，更較佳為25/75~40/60。
上述能量線聚合性成分中，聚合性組成物(x-1’)含有聚合性乙烯基單體、多官能(甲基)丙烯酸酯單體及多官能(甲基)丙烯酸酯預聚合物較佳。 聚合性組成物(x-1’)所含有之能量線聚合性成分中，聚合性乙烯基單體、多官能(甲基)丙烯酸酯單體及多官能(甲基)丙烯酸酯預聚合物之合計含量相對於能量線聚合性成分之全量(100質量%)，較佳為80質量%以上，再較佳為90質量%以上，更較佳為95質量%以上，再更較佳為99質量%以上，亦可為100質量%。
聚合性組成物(x-1’)中能量線聚合性成分之合計含量相對於聚合性組成物(x-1’)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為70~98質量%，再較佳為75~97質量%，更較佳為80~96質量%，再更較佳為82~95質量%。
(其他成分) 聚合性組成物(x-1’)中亦可含有能量線聚合性成分及熱膨脹性粒子以外之其他成分。 作為上述其他成分，有舉出光聚合起始劑、黏著賦予劑、上述各成分以外之一般黏著劑所使用之黏著劑用添加劑等。 此等之成分有舉出與第1形態之兩面黏著薄片所說明相同者。
且，聚合性組成物(x-1’)在不違反本發明目的之範圍，亦可含有稀釋劑等之溶劑，但不含有溶劑較佳。亦即，聚合性組成物(x-1’)為無溶劑型聚合性組成物較佳。 藉由聚合性組成物(x-1’)為無溶劑型聚合性組成物，形成黏著劑層(X1)時，能夠省略溶劑之加熱乾燥，因此能夠抑制加熱乾燥時熱膨脹性粒子之膨脹。 聚合性組成物(x-1’)含有溶劑時，其含量較少較佳，相對於聚合性組成物(x-1’)之有效成分之全量(100質量%)，較佳為10質量%以下，再較佳為1質量%以下，更較佳為0.1質量%以下，再更較佳為0.01質量%以下。
聚合性組成物(x-1’)能夠藉由混合能量線聚合性成分、熱膨脹性粒子，及因應必要所含有之其他成分來製造。所得之聚合性組成物(x-1’)為藉由之後之能量線聚合使其高分子量化者，因此形成層時，能夠因應低分子量之能量線聚合性成分調整至適度之黏度。因此，聚合性組成物(x-1’)不須添加稀釋劑等之溶劑，能夠直接作為塗布溶液，使用於黏著劑層(X1)之形成。 且，對聚合性組成物(x-1’)照射能量線所形成之黏著劑層(X1)中有包含能量線聚合性成分聚合而成之多種聚合物，與分散於該聚合物中之熱膨脹性粒子，但無法將此等以構造及物性直接特定，或可能存在非現實之狀況。
(黏著劑層(X1)之黏著力) 關於第2形態之兩面黏著薄片中黏著劑層(X1)在熱膨脹前之黏著力及在熱膨脹後之黏著力之說明與第1形態之兩面黏著薄片之說明中，關於使熱膨脹性基材層(Y1)熱膨脹前之黏著劑層(X1)之黏著力及使熱膨脹性基材層(Y1)熱膨脹後之黏著劑層(X1)之黏著力之說明相同。
(黏著劑層(X1)之厚度) 第2形態之兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)在熱膨脹前之厚度較佳為10~200μm，再較佳為20~150μm，更較佳為25~120μm。 黏著劑層(X1)在熱膨脹前之厚度若為10μm以上，則容易得到充分之黏著力，並有能夠抑制暫時固定時自被著體之非意圖之剝離、被著體之位置偏移等之傾向。另一方面，黏著劑層(X1)在熱膨脹前之厚度若為200μm以下，則加熱剝離時之剝離性會提升，同時有能夠抑制加熱剝離時兩面黏著薄片之捲曲，且提升操作性之傾向。且，容易將全光線透過率(T A)調整至上述範圍。
＜第2形態之兩面黏著薄片之製造方法＞ 第2形態之兩面黏著薄片之製造方法為，形成黏著劑層(X1)之方法包含對含有前述能量線聚合性成分及前述熱膨脹性粒子之聚合性組成物(x-1’)照射能量線，形成前述能量線聚合性成分之聚合物之步驟之兩面黏著薄片之製造方法較佳，具體來說，為包含下述步驟(1b)~(3b)之製造方法再較佳。 步驟(1b)：於基材(Y)之一側之面側形成含有聚合性組成物(x-1’)之聚合性組成物層之步驟 步驟(2b)：藉由對前述聚合性組成物層照射能量線，形成前述能量線聚合性成分之聚合物，形成含有該聚合物與前述熱膨脹性粒子之黏著劑層(X1)之步驟 步驟(3b)：於基材(Y)之另一之面側形成黏著劑層(X2)之步驟
作為步驟(1b)，有舉例如在剝離材之剝離處理面上塗布聚合性組成物(x-1’)，形成聚合性組成物層，對該聚合性組成物層進行第一能量線照射，使聚合性組成物層中之能量線聚合性成分預備聚合後，於預備聚合後之聚合性組成物層貼附基材(Y)之方法。 且，聚合性組成物(x-1’)如上述，為無溶劑型聚合性組成物較佳。聚合性組成物(x-1’)為無溶劑型聚合性組成物時，本步驟中亦可不實施溶劑之加熱乾燥步驟，即能夠抑制熱膨脹性粒子之膨脹。
步驟(2b)為藉由對步驟(1b)所形成之聚合性組成物層照射能量線，形成能量線聚合性成分之聚合物，形成含有該聚合物與熱膨脹性粒子之黏著劑層(X1)之步驟。 於此，步驟(1b)中，進行第一能量線照射時，步驟(2b)中之能量線照射會成為對預備聚合後之聚合性組成物層進行之第二能量線照射。 步驟(2b)之能量線照射與第一能量線照射相異，即使進而照射能量線，進行至實質上不進行能量線聚合性成分之聚合之程度較佳。藉由步驟(2b)之能量線照射，能量線聚合性成分之聚合會進行，形成構成黏著劑層(X1)之能量線聚合性成分之聚合物。
作為步驟(3b)，有舉出於剝離材之一側之面塗布黏著劑組成物(x-2)，形成黏著劑層(X2)，將該黏著劑層(X2)貼附於基材(Y)之另一面側之方法。
上述步驟(1b)及(2b)中包含之任一步驟中，以抑制熱膨脹性粒子之膨脹之觀點來看，不包含加熱聚合性組成物之步驟較佳。 且，於此之「加熱」意指例如在乾燥、積層時等意圖地加熱，並不包含以能量線照射賦予至聚合性組成物之熱、因能量線聚合性組成物之聚合所產生之聚合熱等所造成之溫度上升。
[兩面黏著薄片之用途及使用方法] 本發明之一形態之兩面黏著薄片係藉由加熱經暫時固定之被著體能夠容易地剝離，因此能夠適用於各種用途。具體來說，適合於例如使用於將半導體晶圓等之被著體切割時所使用之切割薄片、使用於削磨被著體之步驟所使用之襯底薄片、為了使經切割而個片化之半導體晶片等之被著體彼此之距離擴大所使用之擴張膠帶、為了使半導體晶片等之被著體之內外反轉所使用之轉印膠帶、用於將檢查對象物暫時固定並檢査之暫時固定用薄片等。
作為本發明之一形態之兩面黏著薄片之被著體，並無特別限定，但有舉例如半導體晶片、半導體晶圓、化合物半導體、半導體包裝、電子零件、藍寶石基板、顯示器、面板用基板等。 本發明之一形態之兩面黏著薄片中，將熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)設為未滿125℃時，由於能夠在低溫下加熱剝離，因此適合用於將附有DAF之半導體晶片等之容易熱變化之被著體暫時固定之情況。 且，本發明之一形態之兩面黏著薄片中，將熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)設為50℃以上時，由於能夠抑制對被著體進行削磨時等之溫度上升所造成之熱膨脹性粒子之非意圖的膨脹，因此適合作為削磨被著體之步驟所使用之襯底薄片來使用。
將本發明之一形態之兩面黏著薄片自被著體加熱剝離時之加熱溫度為熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，較佳為「比膨脹開始溫度(t)高之溫度」，再較佳為「膨脹開始溫度(t)+2℃」以上，更較佳為「膨脹開始溫度(t)+4℃」以上，再更較佳為「膨脹開始溫度(t)+5℃」以上。且，以抑制省能量性及加熱剝離時之被著體之熱變化之觀點來看，較佳為「膨脹開始溫度(t)+50℃」以下，再較佳為「膨脹開始溫度(t)+40℃」以下，更較佳為「膨脹開始溫度(t)+20℃」以下。 且，加熱剝離時之加熱溫度以抑制被著體之熱變化之觀點來看，在膨脹開始溫度(t)以上之範圍內，較佳為未滿125℃，再較佳為120℃以下，更較佳為115℃以下，再更較佳為110℃以下，進一步，較佳為105℃以下。
作為加熱之方式，只要是能夠加熱至熱膨脹性粒子膨脹之溫度以上即可，並無特別限定，能夠適當地使用例如電熱加熱器；誘電加熱；磁氣加熱；近紅外線、中紅外線及遠紅外線等之紅外線等之電磁波之加熱等。且，加熱方式亦可為加熱滾筒、加熱噴霧等之接觸型加熱方式；環境加熱裝置、紅外線照射等之非接觸型加熱方式中任一者之加熱方式。
[附有剝離材之兩面黏著薄片] 本發明之一形態之附有剝離材之兩面黏著薄片為上述本發明之一形態之兩面黏著薄片之一側或兩側之面具有剝離材之附有剝離材之兩面黏著薄片。 作為本發明之一形態之附有剝離材之兩面黏著薄片，有舉例如圖2(a)所示之上述兩面黏著薄片1a之兩面有配置剝離材10a、10b之附有剝離材之兩面黏著薄片1b。 作為本發明之另一形態之附有剝離材之兩面黏著薄片，有舉例如圖2(b)所示之上述兩面黏著薄片2a之兩面上有配置剝離材10a、10b之附有剝離材之兩面黏著薄片2b。
且，如圖2(a)及(b)所示之附有剝離材之兩面黏著薄片1b、2b中，將剝離材10a自黏著劑層(X1)剝離時之剝離力與將剝離材10b自黏著劑層(X2)剝離時之剝離力相同程度時，將兩者剝離材往外側拉扯欲使其剝離的話，黏著劑層有時會跟隨2種剝離材而截斷，而產生被拔脫這種現象。以抑制如此之現象之觀點來看，設計成2種剝離材10a、10b自互相貼附之黏著劑層之剝離力相異之2種剝離材較佳。
作為本發明之更另一形態之附有剝離材之兩面黏著薄片，亦可為上述兩面黏著薄片1a(圖1(a))、2a(圖1(b))中，黏著劑層(X1)及黏著劑層(X2)之一者之黏著表面上具有將兩面施予剝離處理之剝離材所層積者，捲成捲筒狀之構成之兩面黏著薄片。
作為剝離材，有舉出使用施予兩面剝離處理之剝離薄片、施予單面剝離處理之剝離薄片等，且在剝離材用之基材上塗布剝離劑者等。 作為剝離材用之基材，有舉例如塑膠薄膜、紙類等。作為塑膠薄膜，有舉例如聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚丁烯對苯二甲酸酯樹脂、聚乙烯萘二甲酸酯樹脂等之聚酯樹脂薄膜；聚丙烯樹脂、聚乙烯樹脂等之烯烴樹脂薄膜等，作為紙類，有舉例如上質紙、玻璃紙、牛皮紙等。
作為剝離劑，有舉例如矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體；長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。剝離劑亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
剝離材之厚度較佳為10~200μm，再較佳為20~150μm，更較佳為35~80μm。
[半導體裝置之製造方法] 本發明亦提供一種使用本發明之一形態之兩面黏著薄片之半導體裝置之製造方法。 作為本發明之半導體裝置之製造方法之一形態，有舉出將本發明之一形態之兩面黏著薄片作為用於進行被著體之加工及檢查中至少任一種之暫時固定用薄片來使用之形態(以下亦稱作「第1形態之半導體裝置之製造方法」)。 且，本說明書中，「半導體裝置」意指藉由利用半導體特性而能具有機能之裝置全體。例如具備集積電路之晶圓、具備集積電路且經薄化之晶圓、具備集積電路之晶片、具備集積電路且經薄化之晶片、包含此等之晶片之電子零件及具備該電子零件之電子機器類等。
＜第1形態之半導體裝置之製造方法＞ 作為第1形態之半導體裝置之製造方法之更具體之形態，有舉出一種半導體裝置之製造方法，其係包含於本發明之一形態之兩面黏著薄片貼附加工檢查對象物，對該加工檢查對象物施予選自加工及檢查中1種以上後，將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上之步驟。 作為加工檢查對象物，有舉例如半導體晶片、半導體晶圓、化合物半導體、半導體包裝、電子零件、LED元件、藍寶石基板、顯示器、面板用基板等。 對加工檢查對象物進行之加工並無特別限定，但有舉例如削磨處理、個片化處理等。 對加工檢查對象物進行之檢查並無特別限定，但有舉例如光學顯微鏡、利用雷射之缺陷檢查(例如廢物檢查、表面傷檢查、配線圖型檢查等)、目測之表面檢查等。
第1形態之半導體裝置之製造方法中，貼附加工檢查對象物之兩面黏著薄片之黏著劑層亦可為黏著劑層(X1)，亦可為黏著劑層(X2)，但於任一者黏著劑層貼附加工檢查對象物，並於另一者黏著劑層貼附支持體較佳。 藉由加工檢查對象物介隔著兩面黏著薄片固定於支持體上，進行加工及檢查中至少一者時，能夠抑制加工檢查對象物之振動、位置偏移、脆弱之加工檢查對象物之破損等，且提升加工精度及加工速度以及檢查精度及檢查速度。此時，亦可為支持體被貼附於黏著劑層(X1)，且加工檢查對象物被貼附於黏著劑層(X2)之形態，或加工檢查對象物被貼附於黏著劑層(X1)，且支持體被貼附於黏著劑層(X2)之形態。且，本發明之一形態之兩面黏著薄片，即使使熱膨脹性層熱膨脹後，藉由從熱膨脹性層側之能量線照射，也能夠充分地使能量線硬化性黏著劑層之黏著劑層(X2)之黏著力降低，因此相較於以往方法，使用方法之自由度更高。
支持體被貼附於黏著劑層(X1)，且加工檢查對象物被貼附於黏著劑層(X2)之形態時，藉由支持體被貼附於加熱處理後之剝離性優異之黏著劑層(X1)，即使支持體亦可由硬質之材質所構成，也能夠不使兩面黏著薄片及支持體彎曲地進行加熱剝離。且，黏著劑層(X2)能夠藉由能量線之照射使黏著力降低，故不會因來自熱膨脹性粒子之殘渣等而使加工對象物汙染，即能夠進行剝離。進而，黏著劑層(X2)會因為來自熱膨脹性層側之能量線照射，而使黏著力充分地降低，故黏著劑層(X2)側之加工檢查對象物也能夠選擇不具有光線透過性者。
另一方面，加工檢查對象物被貼附於黏著劑層(X1)，且支持體被貼附於黏著劑層(X2)之形態時，藉由加工檢查對象物被貼附於加熱處理後之剝離性優異之黏著劑層(X1)，加工後進行加熱剝離時，不需將加工檢查對象物個別地拾起等，能夠總括且容易地進行剝離，因此半導體裝置之生產性較優異。且，黏著劑層(X2)會因為來自熱膨脹性層側之能量線照射，而使黏著力充分地降低，故黏著劑層(X2)側之支持體也能夠選擇不具有光線透過性者。 且，將本發明之一形態之兩面黏著薄片作為用於作為製造步驟之一環之檢查加工檢查對象物之暫時固定用薄片來使用時，能夠以兩面黏著薄片之黏著劑層(X1)貼附複數個加工檢查對象物之狀態來實施檢查。進行檢查後，能夠例如、將上述有貼附複數個加工檢查對象物之兩面黏著薄片之一部份進行局部性加熱，能夠選擇性地加熱剝離貼附於該部分之特定加工檢查對象物。
＜第2形態之半導體裝置之製造方法＞ 作為第2形態之半導體裝置之製造方法，有舉出使用本發明之一形態之兩面黏著薄片，且包含下述步驟1A、步驟2A、第一分離步驟及第二分離步驟之製造方法(以下亦稱作「製造方法A」)。 步驟1A：於黏著劑層(X2)貼附加工對象物，並於黏著劑層(X1)貼附支持體之步驟 步驟2A：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理中1種以上之處理之步驟 第一分離步驟：將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，分離黏著劑層(X1)與前述支持體之步驟 第二分離步驟：藉由對前述黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)硬化，分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物之步驟。
以下，關於製造方法A，一邊參照圖示，一邊進行說明。且，在以下說明中，主要說明作為加工對象物使用半導體晶圓時之例，但其他加工對象物時亦相同。作為其他加工對象物，有舉出與作為加工檢查對象物所舉出之上述相同者。
(步驟1A) 步驟1A為於兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)貼附加工對象物，且於黏著劑層(X1)貼附支持體之步驟。 圖3為揭示說明於兩面黏著薄片1a所具有之黏著劑層(X2)貼附半導體晶圓W，於黏著劑層(X1)貼附支持體3之步驟之剖面圖。 半導體晶圓W被貼附為電路面之表面W1成為黏著劑層(X2)之側。 半導體晶圓W亦可為矽晶圓，或砷化鎵、碳化矽、藍寶石、鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鎵、銦化燐等之晶圓、玻璃晶圓。 半導體晶圓W之削磨前之厚度通常為500~1000μm。 半導體晶圓W之表面W1所具有之電路能夠藉由例如蝕刻法、舉離(Lift off)法等以往廣用之方法來形成。
支持體3之材質因應加工對象物之種類、加工內容等，並考慮機械強度、耐熱性等所要求之特性來適當地選擇即可。 作為支持體3之材質，有舉例如SUS等之金屬材料；玻璃、矽晶圓等之非金屬無機材料；環氧樹脂、ABS樹脂、丙烯酸樹脂、工程塑膠、超工程塑膠、聚亞醯胺基樹脂、聚醯胺亞醯胺基樹脂等之樹脂材料；玻璃環氧樹脂等之複合材料等，此等之中為SUS、玻璃、矽晶圓較佳。 作為上述工程塑膠，有舉例如尼龍、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等。 作為上述超工程塑膠，有舉例如聚硫化苯(PPS)、聚醚碸(PES)、聚醚醚酮(PEEK)等。
支持體3被貼附於黏著劑層(X1)之黏著表面之全面較佳。因此，貼附於黏著劑層(X1)之黏著表面之側之支持體3之表面面積為黏著劑層(X1)之黏著表面之面積以上較佳。且，貼附於黏著劑層(X1)之黏著表面之側之支持體3之面為平面狀較佳。 支持體3之形狀並無特別限定，但為板狀較佳。 支持體3之厚度考慮要求之特性，來適當地選擇，但較佳為20μm以上50mm以下，再較佳為60μm以上20mm以下。
(步驟2A) 步驟2A為對前述加工對象物施予選自削磨處理及個片化處理中1種以上之處理之步驟。 作為選自削磨處理及個片化處理中1種以上之處理，有舉例如使用研磨機等之削磨處理；藉由刀刃切割法、雷射切割法、隱形切割(註冊商標)法之個片化處理；藉由刀刃先切割法、隱形先切割法之削磨處理及個片化處理；等。 此等之中，為藉由隱形切割法之個片化處理、藉由刀刃先切割法之削磨處理及藉由個片化處理、隱形先切割法之削磨處理及個片化處理較適合，且藉由刀刃先切割法之削磨處理及藉由個片化處理、隱形先切割法之削磨處理及個片化處理再較適合。
隱形切割法為藉由雷射光之照射在半導體晶圓之內部形成改質區域，將該改質區域作為分割起點，並將半導體晶圓個片化之方法。形成在半導體晶圓之改質區域係因多光子吸收而脆質化之部分，半導體晶圓會因擴張而對與晶圓面平行且晶圓擴張之方向施予壓力，藉此將該改質區域作為起點，龜裂會向半導體晶圓之表面及內面伸展，藉此對半導體晶片個片化。亦即，改質區域是沿著被個片化時之分割線而形成。 改質區域是藉由焦點集中於半導體晶圓之內部之雷射光之照射而形成在半導體晶圓之內部。雷射光之入射面亦可為半導體晶圓之表面或內面。且，雷射光入射面亦可為貼附兩面黏著薄片之面，此時，雷射光介隔著兩面黏著薄片而照射至半導體晶圓。
刀刃先切割法亦稱作DBG法(Dicing Before Grinding)。刀刃先切割法係沿著分割預定之線，預先在半導體晶圓上，以比其厚更淺之深度形成溝後，將該半導體晶圓進行內面削磨，使削磨面至少到達溝，一邊使其薄化，一邊個片化之方法。削磨面到達之溝會成為貫通半導體晶圓之凹槽，半導體晶圓會因該凹槽而分割，而對半導體晶片進行個片化。預先形成之溝通常被設置在半導體晶圓之表面(電路面)，且能夠例如藉由使用以往公知之具備切割刀刃之晶圓切割裝置等之切割來形成。
隱形先切割法亦稱為SDBG法(Stealth Dicing Before Grinding)。隱形先切割法為與隱形切割法同樣地藉由雷射光之照射而在半導體晶圓之內部形成改質區域，將該改質區域設為分割起點，將半導體晶圓進行個片化之方法的一種，但在進行削磨處理使半導體晶圓薄化的同時，將半導體晶圓個片化為半導體晶片這一點上，與隱形切割法相異。具體來說，將具有改質區域之半導體晶圓進行內面削磨使其薄化的同時，此時藉由對半導體晶圓施予之壓力，將該改質區域設為起點，龜裂會往與半導體晶圓之黏著劑層之貼附面伸展，將半導體晶圓個片化為半導體晶片。 且，形成改質區域後之削磨厚度亦可為到達改質區域之厚度，但嚴格來說，即使沒有到達改質區域，削磨至接近改質區域之位置，以削磨研磨石等之加工壓力使其割斷。
將半導體晶圓W以刀刃先切割法個片化時，於步驟1A中貼附於黏著劑層(X2)之半導體晶圓W之表面W1上預先形成溝較佳。 另一方面，藉由隱形先切割法將半導體晶圓W個片化時，亦可對於步驟1A中貼附於黏著劑層(X2)之半導體晶圓W照射雷射光，預先形成改質區域，亦可對貼附於黏著劑層(X2)之半導體晶圓W照射雷射光，形成改質區域。
圖4中表示說明對貼附於黏著劑層(X2)之半導體晶圓W，使用雷射光照射裝置4，形成複數改質區域5之步驟之剖面圖。 雷射光係由半導體晶圓W之內面W2側來照射，於半導體晶圓W之內部大至間隔地形成複數改質區域5。
圖5(a)及(b)有揭示使半導體晶圓W薄化的同時，個片化成複數半導體晶片CP之步驟之剖面圖。 如圖5(a)所示，藉由研磨機6將形成改質區域5之半導體晶圓W之內面W2進行削磨，此時，由於對半導體晶圓W施予之壓力，會產生以改質領域5作為起點之割斷。藉此，如圖5(b)所示，能夠得到半導體晶圓W經薄化及個片化之複數半導體晶片CP。 有形成改質區域5之半導體晶圓W係例如以將支持該半導體晶圓W之支持體3固定於夾頭座等之固定座上之狀態，其內面W2經削磨。
削磨後之半導體晶片CP之厚度較佳為5~ 100μm，再較佳為10~45μm。且，藉由隱形先切割法進行削磨處理及個片化處理時，將削磨後所得之半導體晶片CP之厚度設為50μm以下，再較佳設為10~45μm較容易。 削磨後之半導體晶片CP之平視之大小較佳為未滿600mm 2，再較佳為未滿400mm 2，更較佳為未滿300mm 2。且，平視亦即往厚度方向看。 個片化後之半導體晶片CP之平視之形狀亦可為方形，亦可為矩形等之細長形狀。 且，第2形態之半導體裝置之製造方法所使用之兩面黏著薄片，由於熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上，因此藉由進行削磨時等之溫度上升，能夠避免熱膨脹性粒子會非意圖地膨脹之情況。因此能夠抑制加工對象物之非意圖之分離、位置偏移等。
(步驟3A) 製造方法A進而包含下述步驟3A較佳。 步驟3A：於施予前述處理之加工對象物之與黏著劑層(X2)為相反側之面上貼附熱硬化性薄膜之步驟 但，製造方法A中，步驟3A為任意之步驟，亦可為不具有步驟3A之形態。 進行步驟3A時，製造方法A中使用之兩面黏著薄片所含有之熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃較佳。藉此，進行後述第一分離步驟時，能夠抑制上述熱硬化性薄膜非意圖地硬化。
圖6表示說明在施予前述處理所得之複數半導體晶片CP之與黏著劑層(X2)為相反側之面貼附具備支持薄片8之熱硬化性薄膜7之步驟之剖面圖。
熱硬化性薄膜7為具有將至少含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物進行製膜所得之熱硬化性之薄膜，且作為將半導體晶片CP實裝於基板時之接著劑來使用。熱硬化性薄膜7中因應必要，亦可含有上述熱硬化性樹脂之硬化劑、熱可塑性樹脂、無機充填材、硬化促進劑等。 作為熱硬化性薄膜7，能夠使用例如作為固晶薄膜、固晶材料薄膜等之一般使用之熱硬化性薄膜。 熱硬化性薄膜7之厚度並無特別限定，但通常為1~ 200μm，較佳為3~100μm，再較佳為5~50μm。 支持薄片8只要能夠支持熱硬化性薄膜7者即可，有舉例如作為本發明之一形態之兩黏著薄片所具有之非熱膨脹性基材層(Y2)所舉出之樹脂、金屬、紙材等。
作為將熱硬化性薄膜7貼附於複數半導體晶片CP之方法，有舉例如以積層之方法。 積層亦可一邊加熱一邊進行，亦可在非加熱下進行。一邊加熱積層一邊進行實之加熱溫度，以抑制熱膨脹性粒子之膨脹之觀點及抑制被著體之熱變化之觀點來看，較佳為「比膨脹開始溫度(t)低之溫度」，再較佳為「膨脹開始溫度(t)-5℃」以下，更較佳為「膨脹開始溫度(t)-10℃」以下，再更較佳為「膨脹開始溫度(t)-15℃」以下。
(第一分離步驟) 第一分離步驟為將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，將黏著劑層(X1)與前述支持體分離之步驟。 圖7表示說明加熱兩面黏著薄片1a，將黏著劑層(X1)與支持體3分離之步驟之剖面圖。
第一分離步驟中之加熱溫度為熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)以上，較佳為「比膨脹開始溫度(t)高之溫度」，再較佳為「膨脹開始溫度(t)+2℃」以上，更較佳為「膨脹開始溫度(t)+4℃」以上，再更較佳為「膨脹開始溫度(t)+5℃」以上。且，第一分離步驟中之加熱溫度以省能量性及抑制加熱剝離時被著體之熱變化之觀點來看，在未滿125℃之範圍，較佳為「膨脹開始溫度(t)+50℃」以下，再較佳為「膨脹開始溫度(t)+40℃」以下，更較佳為「膨脹開始溫度(t)+20℃」以下。 第一分離步驟中之加熱溫度，以抑制被著體之熱變化之觀點來看，在膨脹開始溫度(t)以上之範圍內，較佳為未滿125℃，再較佳為120℃以下，更較佳為115℃以下，再更較佳為110℃以下，再更較佳為105℃以下。尤其是第一分離步驟中之加熱溫度若未滿125℃，則進行上述步驟3A時，能夠抑制熱硬化性薄膜非意圖地硬化。
(第二分離步驟) 第二分離步驟為藉由對前述黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)硬化，分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物之步驟。 於此，黏著劑層(X2)會因來自熱膨脹性層側之能量線照射而使黏著力充分地降低，故第二分離步驟中，對黏著劑層(X2)之能量線照射能夠自熱膨脹性層側來進行。 圖8中表示說明藉由自熱膨脹性層之熱膨脹性基材層(Y1)側往兩面黏著薄片1a之厚度方向照射能量線9，使黏著劑層(X2)硬化，將黏著劑層(X2)與複數半導體晶片CP分離之步驟之剖面圖。 能量線照射之條件並無特別限定，只要適當地選擇形成之黏著劑層(X2)會硬化且黏著力會充分地降低之條件即可。藉由本發明之一形態之半導體裝置之製造方法，即使在熱膨脹後，兩面黏著薄片之全光線透過率也較高，能夠降低用於使能量線硬化性黏著劑層硬化之能量線照射量。藉此，能夠抑制被著體之熱變化等之變質。
經過上述各步驟，得到貼附於熱硬化性薄膜7上之複數半導體晶片CP。 接著，將有貼附複數半導體晶片CP之熱硬化性薄膜7分割成與半導體晶片CP同形狀，得到附有熱硬化性薄膜7之半導體晶片CP較佳。作為熱硬化性薄膜7之分割方法，能夠適用例如以雷射光之雷射切割、擴張、溶斷等之方法。 圖9表示附有分割成與半導體晶片CP同形狀之熱硬化性薄膜7之半導體晶片CP。
附有熱硬化性薄膜7之半導體晶片CP進一步因應必要，適當地施予將半導體晶片CP彼此之間隔擴大之擴張步驟、使擴大間隔之複數半導體晶片CP配列之再配列步驟、使複數半導體晶片CP之內外反轉之反轉步驟等後，自熱硬化性薄膜7側貼附(固晶材料)於基板。之後，藉由使熱硬化性薄膜熱硬化，能夠固著半導體晶片與基板。
第2形態之半導體裝置之製造方法亦可為包含下述步驟1B~2B、下述第一分離步驟及下述第二分離步驟之製造方法(以下亦稱作「製造方法B」)。 步驟1B：於兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)貼附加工對象物，於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)貼附支持體之步驟 步驟2B：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理中1種以上之處理之步驟 第一分離步驟：將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上且未滿125℃，將黏著劑層(X1)與前述加工對象物分離之步驟 第二分離步驟：藉由對前述黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)硬化，分離前述黏著劑層(X2)與前述支持體之步驟
製造方法B進而包含下述步驟3B較佳。 步驟3B：於施予前述處理之加工對象物之與黏著劑層(X1)為相反側之面上貼附熱硬化性薄膜之步驟 但，製造方法B中，步驟3B為任意步驟，亦可為不具有步驟3B之形態。 進行步驟3B時，製造方法B中使用之兩面黏著薄片所含有之熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃較佳。藉此，進行後述第一分離步驟時，能夠抑制熱硬化性薄膜非意圖地硬化。
步驟1B~3B是將步驟1A~3A之說明中黏著劑層(X1)取代成黏著劑層(X2)，並將黏著劑層(X2)取代成黏著劑層(X1)來說明。
第一分離步驟為將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，分離黏著劑層(X1)與前述加工對象物之步驟。 第一分離步驟中兩面黏著薄片之加熱溫度等之加熱條件與製造方法A之說明相同。尤其是進行步驟3B時，第一分離步驟為將兩面黏著薄片加熱至膨脹開始溫度(t)以上且未滿125℃，將黏著劑層(X1)與前述加工對象物分離之步驟較佳。 藉由第一分離步驟，得到貼附於熱硬化性薄膜上之複數半導體晶片。之後，與上述製造方法A時相同，將熱硬化性薄膜分割，得到附有熱硬化性薄膜之半導體晶片。
第二分離步驟為藉由對前述黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)硬化，分離前述黏著劑層(X2)與前述支持體之步驟。 於此，黏著劑層(X2)會因來自熱膨脹性層側之能量線照射而使黏著力充分地降低，因此第二分離步驟中，對黏著劑層(X2)之能量線照射能夠自熱膨脹性層側來進行。 能量線照射之條件適當地選擇將黏著劑層(X2)硬化並使黏著力降低之條件即可。
且，圖3~圖9表示使用第1形態之兩面黏著薄片1a之例，但使用第2形態之兩面黏著薄片2a時，製造方法A及製造方法B也是同樣地說明。
＜另一形態之半導體裝置之製造方法＞ 本發明之半導體裝置之製造方法並不限定於上述第1形態及第2形態之半導體裝置之製造方法，亦可為與第1形態及第2形態以外之形態之半導體裝置之製造方法。
作為另一形態之半導體裝置之製造方法之其他一例，有舉出使用本發明之一形態之兩面黏著薄片，將貼附於另一薄片之加工對象物自該另一薄片分離之方法。 例如擴張膠帶上間隔被擴大之複數半導體晶片為貼附於擴張膠帶之黏著表面，但將此等之晶片一次一片地拾起之作業較煩雜。藉由本發明之一形態之半導體裝置之製造方法，貼附於擴張膠帶上之複數半導體晶片之露出面貼附本發明之一形態之兩面黏著薄片之黏著劑層(X1)，接著，藉由自複數半導體晶片剝離擴張膠帶，能夠自擴張膠帶一次地將複數半導體晶片分離。此時，於黏著劑層(X2)有貼附支持體時，藉由自熱膨脹性層側對黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)，能夠容易將黏著劑層(X2)與支持體分離。 經分離之複數半導體晶片亦可轉印至另一兩面黏著薄片，亦可在分離了之後，提供至使複數半導體晶片整列之再配列步驟中。 [實施例]
關於本發明以以下實施例來具體地說明，但本發明不限定於以下實施。且，各製造例及實施例之物性值為藉由以下方法所測定之值。
[質量平均分子量(Mw)] 使用凝膠滲透層析儀裝置(Tosoh股份公司製，製品名「HLC-8020」)，並以下述條件下來測定，使用以標準聚苯乙烯換算所測定之值。 (測定條件) •管柱：依序連結「TSK guard column HXL-L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(任一者皆Tosoh股份公司製)者 •管柱溫度：40℃ •展開溶媒：四氫呋喃 •流速：1.0mL/min
[各層之厚度] 使用股份公司Teclock製之定壓厚度測定器(根據型號：「PG-02J」，標準規格：JIS K6783、Z1702、Z1709) 於23℃下來測定。
[熱膨脹性粒子之平均粒子徑(D 50)、90%粒子徑(D 90)] 使用雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如Malvern公司製，製品名「Mastersizer 3000」)，測定在23℃中之膨脹前之熱膨脹性粒子之粒子分布。 且，將相當於由粒子分布之粒子徑較小者開始計算之累積體積頻度為50%及90%之粒子徑分別設為「熱膨脹性粒子之平均粒子徑(D50)」及「熱膨脹性粒子之90%粒子徑(D90)」。
[非熱膨脹性基材層(Y2)在23℃中之儲藏彈性率E’(23)] 將裁剪成縱30mm×寬5mm之非熱膨脹性基材層(Y2)作為試驗樣品，使用動力黏彈性測定裝置(TA Instruments公司製，製品名「DMAQ800」)，以試驗開始溫度0℃，試驗結束溫度200℃，升溫速度3℃/分鐘，振動數1Hz，振幅20μm之條件，測定在23℃時之儲藏彈性率E’。其結果，後述非熱膨脹性基材層(Y2)之PET薄膜在23℃中之儲藏彈性率E’(23)為2.27×10 9Pa。
[在厚度方向之波長380nm之全光線透過率之測定方法] 藉由以下條件，測定各測定試料之透過光譜，取得在厚度方向之波長380nm之全光線透過率。 ＜測定條件＞ 測定波長範圍：200~800nm 測定溫度：23℃ 測定環境：空氣 測定裝置：具備積分球附屬裝置(股份公司島津製作所製，製品名「ISR-3100」)之紫外可見近紅外分光光度計(股份公司島津製作所製、製品名「UV-3600」)
以下之製造例及實施例中，各層之形成所使用之材料之詳細如以下所述。
＜黏著性樹脂＞ •丙烯酸系共聚合物(A1)：包含具有來自n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基丙烯酸酯(MMA)/丙烯酸(AA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)=86/8/1/5(質量比)而成之原料單體之構成單位，且Mw60萬之丙烯酸系共聚合物之溶液，稀釋溶劑：乙酸乙酯，固形分濃度：40質量% •丙烯酸系共聚合物(A2)：包含使具有來自n-丁基丙烯酸酯(BA)/甲基丙烯酸酯(MMA)/2-羥基乙基丙烯酸酯(HEA)=52/20/28(質量比)而成之原料單體之構成單位之丙烯酸系共聚合物與2-甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯(MOI)反應，使相對於丙烯酸系共聚合物中之全羥基之加成率以莫耳數為基準成為90%，且Mw50萬之能量線硬化性之丙烯酸系共聚合物之溶液，稀釋溶劑：乙酸乙酯，固形分濃度：35質量%
＜交聯劑＞ •異氰酸酯系交聯劑(i)：Tosoh股份公司製，製品名「CORONATE HX」，六亞甲基二異氰酸酯之異三聚氰酸酯型改質體，固形分濃度：100質量% •異氰酸酯系交聯劑(ii)：Tosoh股份公司製，製品名「CORONATE L」，包含三羥甲基丙烷改質甲伸苯基二異氰酸酯之溶液，固形分濃度：75質量%
＜能量線硬化性化合物＞ •能量線硬化性化合物(i)：日本合成化學工業股份公司製，製品名「Shikou UT-4332」，多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯
＜光聚合起始劑＞ •光聚合起始劑(i)：雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦 •光聚合起始劑(ii)：1-羥基環己基苯基酮
＜添加劑＞ •酞青素系顏料
＜熱膨脹性粒子＞ •熱膨脹性粒子：Nouryon公司製，製品名「Expancel(註冊商標)031-40」(DU型)，膨脹開始溫度(t)= 88℃，平均粒子徑(D 50)=12.6μm，90%粒子徑(D 90)= 26.2μm
＜剝離材＞ •重剝離薄膜：Lintec股份公司製，製品名「SP-PET382150」，在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜之單面有設置由矽氧系剝離劑形成之剝離劑層者，厚度：38μm •輕剝離薄膜：Lintec股份公司製，製品名「SP-PET381031」，在PET薄膜之單面有設置由矽氧系剝離劑形成之剝離劑層者，厚度：38μm
製造例1：黏著劑層(X1)之形成 於丙烯酸系共聚合物(A1)之固形分100質量份中摻混異氰酸酯系交聯劑(i)0.74質量份(固形分比)，以甲苯稀釋，均勻攪拌後，調製固形分濃度(有效成分濃度)25質量%之黏著劑組成物(x-1)。 且，於重剝離薄膜之剝離面上塗布調製之黏著劑組成物(x-1)，形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥60秒鐘，形成厚度5μm之黏著劑層(X1)。
製造例2：黏著劑層(X2)之形成 於丙烯酸系共聚合物(A2)之固形分100質量份中摻混能量線硬化性化合物(i)12質量份(固形分比)、異氰酸酯系交聯劑(ii)1.1質量份(固形分比)、光聚合起始劑(i)1質量份(固形分比)，以甲苯稀釋，均勻攪拌後，調製固形分濃度(有效成分濃度)30質量%之黏著劑組成物(x-2)。 且，於輕剝離薄膜之剝離面上塗布調製之塗布黏著劑組成物(x-2)，形成塗膜，將該塗膜以100℃乾燥60秒鐘，形成厚度20μm之黏著劑層(X2)。
實施例1~4、比較例1~2：兩面黏著薄片之形成 (1)無溶劑型樹脂組成物(y-1a)之調製 將酯型二醇與異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)反應所得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚合物與2-羥基乙基丙烯酸酯反應，得到質量平均分子量(Mw)5,000之寡聚物且在兩末端具有乙烯性不飽和基之直鏈胺基甲酸酯預聚合物。 且，於上述合成之胺基甲酸酯預聚合物40質量份(固形分比)中摻混作為能量線聚合性單體之異莰基丙烯酸酯(IBXA)40質量份(固形分比)，及苯基羥基丙基丙烯酸酯(HPPA)20質量份(固形分比)，對胺基甲酸酯預聚合物及能量線聚合性單體之全量(100質量份)中，進而摻混光聚合起始劑(ii)2.0質量份(固形分比)，及作為添加劑之酞青素系顏料0.2質量份(固形分比)、環己基丙烯酸酯(CHA)20質量份，調製能量線硬化性組成物。 且，於該能量線硬化性組成物中摻混熱膨脹性粒子，使相對於所得之熱膨脹性基材層(Y1)全質量(100質量%)，熱膨脹性粒子之含量成為表1記載之含量，調製不含有溶劑之無溶劑型樹脂組成物(y-1a)。
(2)積層熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之基材積層體之形成 作為非熱膨脹性基材層(Y2)，準備PET薄膜(東洋紡股份公司製，製品名「Cosmo Shine A4300」，厚度：50μm)。且，將該PET薄膜作為測定試料，以上述方法所測定之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T Y2)為90.9%。 接著，於該PET薄膜之單面塗布溶劑型樹脂組成物(y-1a)，使所形成之熱膨脹性基材層(Y1)之厚度成為表1記載之厚度，形成塗膜。 且，使用紫外線照射裝置(Eyegraphics股份公司製，製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈泡(Eyegraphics股份公司製，製品名「H04-L41」)，以照度160 mW/cm 2且光量500 mJ/cm 2之條件照射紫外線，使該塗膜硬化，得到具有表1記載之厚度之熱膨脹性基材層(Y1)形成在作為非熱膨脹性基材層(Y2)之PET薄膜上之基材積層體。且，紫外線照射時之上述照度及光量為使用照度•光量計(EIT公司製，製品名「UV Power Puck II」)來測定之值。 且，將構成熱膨脹性基材層(Y1)之樹脂材料設為厚度100μm時，為了測定此時之波長380nm之全光線透過率(T R)，不僅包含熱膨脹性粒子且其他材料全部與無溶劑型樹脂組成物(y-1a)相同之無溶劑型樹脂組成物。於輕剝離薄膜之剝離劑層側塗布該無溶劑型樹脂組成物，使硬化後之厚度成為100μm，以與上述相同條件，照射紫外線並使其硬化，貼合重剝離薄膜之剝離劑層側，保護表面，得到樹脂材料積層體。之後，去除輕剝離薄膜與重剝離薄膜，得到成形在厚度100μm之薄片上之樹脂材料。將該薄片作為測定試料，由上述方法所測定之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T R)為78.2%。
(3)附有剝離材之兩面黏著薄片之形成 貼合製造例1所形成之黏著劑層(X1)之黏著表面與上述(2)所形成之基材積層體之熱膨脹性基材層(Y1)之表面。接著，貼合製造例2所形成之黏著劑層(X2)之黏著表面與該基材積層體之PET薄膜之表面。 藉此，製作具有以下構成之附有剝離材之兩面黏著薄片。 ＜重剝離薄膜＞/＜黏著劑層(X1)，厚度：5μm＞/＜熱膨脹性基材層(Y1)，厚度：表1記載之厚度＞/＜非熱膨脹性基材層(Y2)，厚度：50μm＞/＜黏著劑層(X2)，厚度：20μm＞/＜輕剝離薄膜＞
[全光線透過率(T A)及(T B)之測定] 自上述所得之附有剝離材之兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)去除輕剝離薄膜，於露出之黏著劑層(X2)之黏著表面上，使用真空貼合機(Nikko-materials股份公司製，製品名「V-130」)，並以60℃且0.2MPa之條件，進行30秒之噴霧，貼附玻璃板(鹼石灰玻璃板，厚度1.1mm)，自黏著劑層(X1)去除重剝離薄膜，製作積層有熱膨脹前之兩面黏著薄片與玻璃板之全光線透過率測定用積層體(L B)。 且，將以與上述相同方法製作之全光線透過率測定用積層體(L B)裝載於熱盤上，使玻璃板成為與熱盤接觸之側，且使兩面黏著薄片成為不與熱盤接觸之側，於110℃(亦即，熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)之88℃+22℃之溫度)加熱1分鐘。藉此，製作有積層熱膨脹後之兩面黏著薄片與玻璃板之全光線透過率測定用積層體(L A)。 將上述所製作之全光線透過率測定用積層體(L A)及全光線透過率測定用積層體(L B)作為測定試料，以上述條件，測定兩面黏著薄片之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T A)及(T B)。且，光線之入射面作為黏著劑層(X1)側之面。
[黏著劑層(X2)之黏著力之測定] (1)能量線照射前之黏著力測定試料之製作 自裁剪成25mm×250mm之兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)去除輕剝離薄膜，，根據JIS Z0237：2000，並使重量2kg之滾筒來回1次，將露出之黏著劑層(X2)之黏著表面對被著體之矽鏡晶圓之鏡面貼附後，在23℃且50%RH(相對濕度)之環境下，靜置20分鐘。之後，自黏著劑層(X1)去除重剝離薄膜，裝載於熱盤上，使矽鏡晶圓成為與熱盤接觸之側，並使露出之黏著劑層(X1)成為不與熱盤接觸之側，將於110℃加熱1分鐘者於23℃且50%RH(相對濕度)之環境下靜置30分鐘，作為能量線照射前之黏著力測定試料。 (2)能量線照射後之黏著力測定試料之製作 對於以與上述(1)相同方法所準備之黏著力測定試料，自黏著劑層(X1)側往兩面黏著薄片之厚度方向(亦即，黏著劑層(X2)方向)，使用紫外線照射裝置(Eyegraphics股份公司製，製品名「ECS-401GX」)及高壓水銀燈泡(Eyegraphics股份公司製，製品名「H04-L41」)，以照度230 mW/cm 2且光量90 mJ/cm 2之條件，照射紫外線，使黏著劑層(X2)硬化，將此作者為能量線照射後之黏著力測定試料。且，紫外線照射時之上述照度及光量為使用照度•光量計(EIT公司製，製品名「UV Power Puck II」)所測定之值。 (3)黏著力之測定與黏著力降低率之算出 將上述(1)製作之能量線照射前之黏著力測定試料及上述(2)製作之能量線照射後之黏著力測定試料作為測定試料，於23℃且50%RH(相對濕度)之環境下，使用拉伸試驗機(股份公司A&D製，製品名「TENSILON(註冊商標)」)，根據JIS Z0237：2000，藉由180°剝離法，以拉伸速度300mm/min測定黏著力。 且，黏著力降低率(%)為自下述式算出。 黏著力降低率(%)={(能量線照射前之黏著力-能量線照射後之黏著力)/能量線照射前之黏著力}×100 將評價結果表示於表1。
Figure 02_image001
由表1可得知實施例1~4之兩面黏著薄片由於全光線透過率(T A)為20%以上，熱膨脹後之兩面黏著薄片中之黏著劑層(X2)之黏著力會因為自熱膨脹性層側之能量線照射而大幅地降低。相對於此，比較例1及2之兩面黏著薄片由於全光線透過率(T A)未滿20%，熱膨脹後之兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)之黏著力不會因能量線之照射而充分地降低。
1a,2a:兩面黏著薄片 1b,2b:附有剝離材之兩面黏著薄片 10a,10b:剝離材 3:支持體 4:雷射光照射裝置 5:改質區域 6:研磨機 7:熱硬化性薄膜 8:支持薄片 9:能量線 W:半導體晶圓 W1:半導體晶圓之電路面 W2:半導體晶圓之內面 CP:半導體晶片 (X1):黏著劑層(X1) (X2):黏著劑層(X2) (Y):基材層(Y) (Y1):熱膨脹性基材層(Y1) (Y2):非熱膨脹性基材層(Y2)
[圖1]表示本發明之兩面黏著薄片之構成之一例之剖面圖。 [圖2]表示本發明之兩面黏著薄片之構成之另一例之剖面圖。 [圖3]說明本發明之半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖4]說明本發明之半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖5]說明本發明之半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖6]說明本發明之半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖7]說明本發明之半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖8]說明本發明之半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。 [圖9]說明本發明之半導體裝置之製造方法之步驟之一例之剖面圖。
1a,2a:兩面黏著薄片
(X1):黏著劑層(X1)
(X2):黏著劑層(X2)
(Y):基材層(Y)
(Y1):熱膨脹性基材層(Y1)
(Y2):非熱膨脹性基材層(Y2)

Claims (15)

  1. 一種兩面黏著薄片，其係具有依序配置黏著劑層(X1)與基材層(Y)與黏著劑層(X2)之兩面黏著薄片， 前述黏著劑層(X1)及前述基材層(Y)中至少一者為含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性層， 前述黏著劑層(X2)為能量線硬化性黏著劑層， 將前述兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)上有積層含有鹼石灰玻璃板之厚度1.1mm之玻璃板而成之積層體，以前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)+22℃之溫度加熱1分鐘所得之全光線透過率測定用積層體(L A)之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T A)為20%以上。
  2. 如請求項1之兩面黏著薄片，其中，前述熱膨脹性層在熱膨脹前之厚度為10~200μm。
  3. 如請求項1或2之兩面黏著薄片，其中，前述熱膨脹性層中之前述熱膨脹性粒子之含量相對於前述熱膨脹性層之全質量(100質量%)為1~25質量%。
  4. 如請求項1~3中任1項之兩面黏著薄片，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃。
  5. 如請求項1~4中任1項之兩面黏著薄片，其中，使其進行前述熱膨脹之前之兩面黏著薄片全體之厚度為90~300μm。
  6. 如請求項1~5中任1項之兩面黏著薄片，其中，使其進行前述熱膨脹之前之兩面黏著薄片之黏著劑層(X2)上有積層含有鹼石灰玻璃板之厚度1.1mm之玻璃板而成之全光線透過率測定用積層體(L B)之在厚度方向之波長380nm之全光線透過率(T B)為50%以上。
  7. 如請求項1~6中任1項之兩面黏著薄片，其中，前述能量線硬化性黏著劑層為藉由照射紫外線而使黏著力降低之黏著劑層。
  8. 如請求項1~7中任1項之兩面黏著薄片，其中，前述基材層(Y)為有積層含有熱膨脹性粒子之熱膨脹性基材層(Y1)與非熱膨脹性基材層(Y2)之基材積層體，並依序具有前述黏著劑層(X1)與前述熱膨脹性基材層(Y1)與前述非熱膨脹性基材層(Y2)與前述黏著劑層(X2)。
  9. 如請求項8之兩面黏著薄片，其中，前述熱膨脹性基材層(Y1)為樹脂材料中含有前述熱膨脹性粒子所成者， 將前述樹脂材料設為厚度100μm時，波長380nm之全光線透過率(T R)為60%以上。
  10. 如請求項8或9之兩面黏著薄片，其中，前述黏著劑層(X1)、前述熱膨脹性基材層(Y1)、前述非熱膨脹性基材層(Y2)及前述黏著劑層(X2)之合計厚度為90~ 300μm。
  11. 一種半導體裝置之製造方法，其係使用如請求項1~10中任1項之兩面黏著薄片，包含下述步驟1A、步驟2A、第一分離步驟及第二分離步驟， 步驟1A：於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)貼附加工對象物，於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)貼附支持體之步驟 步驟2A：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理中1種以上之處理之步驟 第一分離步驟：將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，分離前述黏著劑層(X1)與前述支持體之步驟 第二分離步驟：藉由對前述黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)硬化，分離前述黏著劑層(X2)與前述加工對象物之步驟。
  12. 如請求項11之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃， 且包含在前述步驟2A後，於施予前述處理之加工對象物之與黏著劑層(X2)為相反側之面上，貼附具有熱硬化性之熱硬化性薄膜之步驟3A， 前述第一分離步驟為將前述兩面黏著薄片加熱至膨脹開始溫度(t)以上且未滿125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述支持體之步驟。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其係使用如請求項1~10中任1項之兩面黏著薄片，且包含下述步驟1B、步驟2B、第一分離步驟及第二分離步驟， 步驟1B：於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X1)貼附加工對象物，於前述兩面黏著薄片所具有之黏著劑層(X2)貼附支持體之步驟 步驟2B：對於前述加工對象物，施予選自研磨處理及個片化處理中1種以上之處理之步驟 第一分離步驟：將前述兩面黏著薄片加熱至前述膨脹開始溫度(t)以上，分離前述黏著劑層(X1)與前述加工對象物之步驟 第二分離步驟：藉由對前述黏著劑層(X2)照射能量線，使前述黏著劑層(X2)硬化，分離前述黏著劑層(X2)與前述支持體之步驟。
  14. 如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中，前述熱膨脹性粒子之膨脹開始溫度(t)為50℃以上且未滿125℃， 且包含在前述步驟2B後，於施予前述處理之加工對象物之與黏著劑層(X1)為相反側之面上，貼附具有熱硬化性之熱硬化性薄膜之步驟3B， 前述第一分離步驟為將前述兩面黏著薄片加熱至膨脹開始溫度(t)以上且未滿125℃，分離前述黏著劑層(X1)與前述加工對象物之步驟。
  15. 一種附有剝離材之兩面黏著薄片，其係在如請求項1~10中任1項之兩面黏著薄片之一側或兩側之面具有剝離材。
TW110111464A 2020-03-31 2021-03-30 兩面黏著薄片及半導體裝置之製造方法 TW202214802A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-063719 2020-03-31
JP2020063719 2020-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202214802A true TW202214802A (zh) 2022-04-16

Family

ID=77929052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110111464A TW202214802A (zh) 2020-03-31 2021-03-30 兩面黏著薄片及半導體裝置之製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2021200789A1 (zh)
KR (1) KR20220156522A (zh)
CN (1) CN115397938A (zh)
TW (1) TW202214802A (zh)
WO (1) WO2021200789A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7157861B1 (ja) 2021-10-15 2022-10-20 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
DE102022121016A1 (de) 2022-08-19 2024-02-22 Tesa Se Laminat
WO2024117235A1 (ja) * 2022-12-01 2024-06-06 日産化学株式会社 異物除去用コーティング膜形成組成物及び半導体基板
KR20240098460A (ko) * 2022-12-21 2024-06-28 주식회사 포스코 전기강판 접착 코팅 조성물, 전기강판 적층체 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS594853B2 (ja) 1981-02-23 1984-02-01 株式会社日立製作所 半導体装置
JP4428908B2 (ja) * 2002-04-08 2010-03-10 日東電工株式会社 粘着シートを用いた被着体加工方法
JP6000595B2 (ja) * 2012-03-27 2016-09-28 日東電工株式会社 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品加工方法
KR102454056B1 (ko) * 2017-03-31 2022-10-14 린텍 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 양면 점착 시트
KR20220062262A (ko) * 2019-09-12 2022-05-16 린텍 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220156522A (ko) 2022-11-25
JPWO2021200789A1 (zh) 2021-10-07
WO2021200789A1 (ja) 2021-10-07
CN115397938A (zh) 2022-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202214802A (zh) 兩面黏著薄片及半導體裝置之製造方法
WO2021117695A1 (ja) 粘着シート及び半導体装置の製造方法
WO2019216262A1 (ja) 半導体チップの製造方法
TWI841705B (zh) 黏著薄片及半導體裝置之製造方法
JP7273792B2 (ja) 加工品の製造方法及び粘着性積層体
TWI836046B (zh) 黏著薄片、黏著薄片之製造方法及半導體裝置之製造方法
JP6792700B2 (ja) 加工検査対象物の加熱剥離方法
JPWO2018181765A1 (ja) 粘着シート
TW202116953A (zh) 半導體裝置之製造方法
WO2020196757A1 (ja) 粘着シート、粘着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法
WO2020196758A1 (ja) 粘着シート、粘着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法
CN113646168A (zh) 粘合片的制造方法、半导体装置的制造方法及粘合片
JP2020009971A (ja) 個片化シート
TW202301426A (zh) 半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置
WO2022054889A1 (ja) 粘着シート及び半導体装置の製造方法
JP7157861B1 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI846851B (zh) 黏著薄片之製造方法、半導體裝置之製造方法及黏著薄片
WO2023054318A1 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2024058094A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2024107808A (ja) 粘着シート及び半導体装置の製造方法