TW202209454A - 切割晶粒接合一體型膜、晶粒接合膜及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

切割晶粒接合一體型膜、晶粒接合膜及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202209454A
TW202209454A TW110120690A TW110120690A TW202209454A TW 202209454 A TW202209454 A TW 202209454A TW 110120690 A TW110120690 A TW 110120690A TW 110120690 A TW110120690 A TW 110120690A TW 202209454 A TW202209454 A TW 202209454A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
die
bonding
bonding film
film
adhesive layer
Prior art date
Application number
TW110120690A
Other languages
English (en)
Inventor
板垣圭
谷口紘平
平本祐也
Original Assignee
日商昭和電工材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商昭和電工材料股份有限公司 filed Critical 日商昭和電工材料股份有限公司
Publication of TW202209454A publication Critical patent/TW202209454A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C08K2003/0806—Silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

揭示一種切割晶粒接合一體型膜。該切割晶粒接合一體型膜具備：切割帶，其具有基材和設置於基材上之黏著層；以及晶粒接合膜，其配置於切割帶的黏著層上。晶粒接合膜含有用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子。以晶粒接合膜的總量為基準，含銀粒子的含量為75質量%以上。

Description

切割晶粒接合一體型膜、晶粒接合膜及半導體裝置的製造方法
本揭示係有關一種切割晶粒接合（dicing/die-bonding）一體型膜、晶粒接合膜及半導體裝置的製造方法。
以往，半導體裝置經過以下步驟而製造。首先，在切割用黏著片上貼附半導體晶圓，在該狀態下將半導體晶圓單片化為半導體晶片（切割步驟）。然後，實施紫外線照射步驟、拾取步驟、壓接步驟及晶粒接合步驟等。專利文獻1揭示一種黏接著片（切割晶粒接合片），該黏接著片同時具有在切割步驟中固定半導體晶圓之功能和在晶粒接合步驟中使半導體晶片與基板接著之功能。在切割步驟中，藉由將半導體晶圓及接著劑層單片化，得到附有接著劑片之晶片。
近年來，已普及進行電力的控制等之稱為功率半導體裝置之裝置。功率半導體裝置容易因供給之電流而產生熱，要求優異的散熱性。專利文獻2揭示一種固化後的散熱性高於固化前的散熱性之導電性膜狀接著劑及膜狀附有接著劑之切割帶。
[專利文獻1]日本特開2008-218571號公報 [專利文獻2]日本專利第6396189號公報
本發明人等在開發具有優異的散熱性之半導體裝置之過程中，使用具有由調配了可得到充分的散熱性之量（例如，以晶粒接合膜的總量為基準，75質量%以上）的含銀粒子之晶粒接合膜形成之黏著層和接著劑層之切割晶粒接合一體型膜，結果發現在照射紫外線後黏著層與接著劑層的接著強度有時無法充分地降低。若黏著層與接著劑層的接著強度沒有充分地降低，則在後續的拾取步驟中，有時產生無法從黏著層拾取附有接著劑片之晶片之不良情況。
因此，本揭示的一方式的目的為提供一種在具備黏著層和接著劑層之切割晶粒接合一體型膜中，能夠充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度之切割晶粒接合一體型膜。
本揭示的一方式係有關一種切割晶粒接合一體型膜。該切割晶粒接合一體型膜具備：切割帶，其具有基材和設置於基材上之黏著層；以及晶粒接合膜，其配置於切割帶的黏著層上。晶粒接合膜含有用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子，以晶粒接合膜的總量為基準，該含銀粒子的含量為75質量%以上。依據這樣的切割晶粒接合一體型膜，能夠充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度。依據本發明人等的研究，明確得知當使用用不飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子時，黏著層與接著劑層的接著強度無法充分地降低，具有維持原樣之傾向。該理由未必明確，但例如可以認為，藉由紫外線照射進行不飽和脂肪酸的不飽和鍵與黏著層的成分的反應，黏著層與接著劑層難以分離。因此，推測藉由使用不是用不飽和脂肪酸而是用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子，能夠抑制與黏著層的成分的反應，能夠充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度。又，藉由使用用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子，接著劑層中的與其他樹脂成分的相溶性提高，接著劑層的表面粗糙度（Ra）具有改善之傾向。藉由改善接著劑層的表面粗糙度（Ra），能夠改善黏著層與接著劑層的密接性，例如能夠抑制在切割步驟中附有接著劑片之晶片從黏著層脫離之不良情況（晶片脫離）。進而，具有晶粒接合步驟後的晶片剪切強度亦優異的傾向。
飽和脂肪酸的碳數可以為8～20。藉由使用這樣的脂肪酸，能夠更充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度。
晶粒接合膜亦可以還含有熱固性樹脂、固化劑及彈性體。含有該等之晶粒接合膜具有容易調整表面粗糙度（Ra）之傾向。
熱固性樹脂亦可以含有在25℃為液狀的環氧樹脂。藉由熱固性樹脂含有這樣的環氧樹脂，具有容易得到表面粗糙度（Ra）得到改善之晶粒接合膜之傾向。
本揭示的另一方式係有關一種半導體裝置的製造方法。該半導體裝置的製造方法包括：將上述切割晶粒接合一體型膜的晶粒接合膜貼附到半導體晶圓之步驟；將半導體晶圓及晶粒接合膜單片化之步驟；對黏著層照射紫外線之步驟；從切割帶拾取附著有晶粒接合膜片之半導體晶片之步驟；以及隔著晶粒接合膜片，將半導體晶片接著於支撐基板之步驟。依據這樣的半導體裝置的製造方法，由於使用上述切割晶粒接合一體型膜，因此能夠製造散熱性優異的半導體裝置。
本揭示的另一方式係有關一種晶粒接合膜。該晶粒接合膜含有用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子。以晶粒接合膜的總量為基準，含銀粒子的含量為75質量%以上。 [發明效果]
依據本揭示，揭示一種在具備黏著層和接著劑層之切割晶粒接合一體型膜中，能夠充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度之切割晶粒接合一體型膜。又，依據本揭示，提供一種使用這樣的切割晶粒接合一體型膜之半導體裝置的製造方法。進而，依據本揭示，提供一種較佳地用於這樣的切割晶粒接合一體型膜之晶粒接合膜。
以下，適當參閱圖式對本揭示的實施形態進行說明。然而，本揭示並不限定於以下的實施形態。在以下的實施形態中，除了特別明示之情況以外，其構成要素（亦包括步驟等）不是必須的。各圖中的構成要素的大小為概念性的大小，構成要素之間的大小的相對關係並不限定於各圖所示之關係。
關於本說明書中的數值及其範圍亦相同，並不限制本揭示。在本說明書中，使用“～”表示之數值範圍表示將記載於“～”前後之數值分別作為最小值及最大值包含之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍內，一個數值範圍所記載之上限值或下限值亦可以替換成其他階段性地記載之數值範圍的上限值或下限值。又，在本說明書中記載之數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值亦可以替換成實施例中所示之值。
在本說明書中，（甲基）丙烯酸酯係指丙烯酸酯或與其對應之甲基丙烯酸酯。關於（甲基）丙烯醯基、（甲基）丙烯酸共聚物等其他類似表述亦相同。
[晶粒接合膜] 圖1係表示晶粒接合膜的一實施形態之示意剖面圖。圖1所示之晶粒接合膜10具有第1表面10A及與第1表面10A相反一側的第2表面10B。如後述，第1表面10A可以為配置於切割帶的黏著層上之表面。如圖1所示，晶粒接合膜10亦可以設置於支撐膜20上。晶粒接合膜10具有熱固性，經過半固化（B階段）狀態，在固化處理後能夠成為完全固化物（C階段）狀態。
晶粒接合膜10含有（a）用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子，依據需要，亦可以還含有（b）熱固性樹脂、（c）固化劑及（d）彈性體。
（a）成分：用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子 （a）成分為用於提高晶粒接合膜的散熱性之成分。（a）成分中的表面處理之前的含銀粒子（（a1）成分）可以為在粒子的表面含有銀之粒子，例如亦可以為由銀構成之銀粒子或用銀包覆金屬粒子（銅粒子等）的表面而成之銀包覆金屬粒子。銀包覆金屬粒子例如可以為銀包覆銅粒子等。（a1）成分可以為由銀構成之銀粒子。
（a）成分為用飽和脂肪酸對（a1）成分進行表面處理而得之成分。（a1）成分例如藉由用脂肪酸等進行表面處理，能夠防止粒子彼此凝聚。此外，由於（a）成分為不是用不飽和脂肪酸而是用飽和脂肪酸對（a1）成分進行表面處理而得之成分，因此推測能夠抑制不飽和脂肪酸的不飽和鍵與黏著層的成分的反應。藉此，認為能夠充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度。
作為飽和脂肪酸，例如可舉出己酸（Caproic acid）、庚酸（Enanthic acid）、辛酸（Octanoic acid）、壬酸（Nonanoic acid）、癸酸（Decanoic acid）、十一酸、月桂酸、十三酸、肉荳蔻酸、十五酸、棕櫚酸、十七酸、硬脂酸、十九酸、二十酸、二十一酸、二十二酸、二十三酸、二十四酸等。該等之中，飽和脂肪酸的碳數例如可以為6以上、8以上、10以上、12以上、14以上或16以上，並且可以為30以下、24以下、22以下或20以下。當飽和脂肪酸的碳數在這樣的範圍內時，能夠更充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度。又，接著劑層中的與其他樹脂成分的相溶性提高，接著劑層的表面粗糙度（Ra）具有改善之傾向，進而，具有晶粒接合步驟後的晶片剪切強度亦優異的傾向。
用飽和脂肪酸對（a1）成分進行表面處理之方法並無特別限制，能夠適用以往公知的方法。例如，在利用使用還原劑之液相還原法製造含有銀之粒子時，藉由使用飽和脂肪酸作為表面處理劑（潤滑劑），能夠用飽和脂肪酸對（a1）成分進行表面處理。
（a）成分及（a1）成分的形狀並無特別限制，例如可以為片狀、樹脂狀、球狀等，（a）成分的形狀為球狀為較佳。當（a）成分的形狀為球狀時，具有容易得到表面粗糙度（Ra）得到改善之晶粒接合膜之傾向。另外，（a）成分的形狀具有維持（a1）成分的形狀之傾向。
（a）成分及（a1）成分的平均粒徑可以為0.01～10μm。當（a）成分的平均粒徑為0.01μm以上時，具有如下傾向：能夠防止製作接著劑清漆時的黏度上升，使晶粒接合膜含有所期望的量的（a）成分，並且能夠確保晶粒接合膜對被接著體的潤濕性而發揮更良好的接著性。當（a）成分的平均粒徑為10μm以下時，膜成形性更優異，具有藉由添加（a）成分能夠進一步提高散熱性之傾向。又，藉由設為這樣的範圍，能夠使晶粒接合膜的厚度更薄，能夠進一步使半導體晶片高積層化，並且具有能夠防止由於（a）成分從晶粒接合膜突出而產生晶片裂紋之傾向。（a）成分及（a1）成分的平均粒徑可以為0.1μm以上、0.5μm以上、1.0μm以上或1.5μm以上，亦可以為8.0μm以下、7.0μm以下、6.0μm以下、5.0μm以下、4.0μm以下或3.0μm以下。當（a）成分的平均粒徑為5.0μm以下時，具有容易得到表面粗糙度（Ra）得到改善之晶粒接合膜之傾向。另外，（a）成分的平均粒徑係指相對於（a）成分整體的體積的比率（體積分率）為50%時的粒徑（D50 ）。（a）成分的平均粒徑（D50 ）能夠藉由使用雷射散射型粒徑測量裝置（例如，麥奇克（Microtrac）），利用雷射散射法測量使（a）成分懸浮在水中之懸浮液來求出。（a1）成分的平均粒徑亦與（a）成分的平均粒徑含義相同，能夠利用相同的方法求出。又，（a）成分的平均粒徑具有維持（a1）成分的平均粒徑之傾向。
（a）成分及（a1）成分為球狀粒子，且其平均粒徑為5.0μm以下為較佳。
以晶粒接合膜的總量為基準，（a）成分的含量為75質量%以上。當以晶粒接合膜的總量為基準，（a）成分的含量為75質量%以上時，能夠提高晶粒接合膜的導熱率，其結果，能夠提高散熱性。以晶粒接合膜的總量為基準，（a）成分的含量亦可以為77質量%以上、80質量%以上、83質量%以上或85質量%以上。（a）成分的含量的上限並無特別限制，以晶粒接合膜的總量為基準，可以為98質量%以下、96質量%以下或95質量%以下。
（b）成分：熱固性樹脂 （b）成分為具有藉由加熱等在分子之間形成三維鍵而固化之性質之成分，且為在固化後顯示接著作用之成分。（b）成分可以為環氧樹脂。（b）成分亦可以含有在25℃為液狀的環氧樹脂。環氧樹脂只要係在分子內具有環氧基之樹脂，則能夠並無特別限制地使用。環氧樹脂可以在分子內具有兩個以上的環氧基。
作為環氧樹脂，例如可舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、三𠯤骨架含有環氧樹脂、茀骨架含有環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸茬基（xylylene）型環氧樹脂、聯苯芳烷基（biphenyl aralkyl）型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、多官能酚類、蒽等多環芳香族類的二環氧丙基醚化合物等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。該等之中，從固化物的耐熱性等觀點而言，環氧樹脂可以為雙酚型環氧樹脂或甲酚酚醛清漆型環氧樹脂。
環氧樹脂亦可以含有在25℃為液狀的環氧樹脂。藉由含有這樣的環氧樹脂，具有容易得到表面粗糙度（Ra）得到改善之晶粒接合膜之傾向。作為在25℃為液狀的環氧樹脂的市售品，例如可舉出EXA-830CRP（商品名，DIC Corporation製造）、YDF-8170C（商品名，NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd.）等。
環氧樹脂的環氧當量並無特別限制，可以為90～300g/eq或110～290g/eq。當環氧樹脂的環氧當量在這樣的範圍內時，具有維持晶粒接合膜的體強度（bulk strength），並且容易確保形成晶粒接合膜時的接著劑組成物的流動性之傾向。
以晶粒接合膜的總量為基準，（b）成分的含量可以為0.1質量%以上、1質量%以上、2質量%以上或3質量%以上，並且可以為15質量%以下、12質量%以下、10質量%以下、8質量%以下或6質量%以下。
在（b）成分含有在25℃為液狀的環氧樹脂之情況下，該環氧樹脂與（b）成分的質量比（該環氧樹脂的質量/（b）成分的總質量）以百分比計，可以為10～100%、40～100%、60%～100%或80%～100%。在（b）成分含有在25℃為液狀的環氧樹脂之情況下，以晶粒接合膜的總量為基準，該環氧樹脂的含量可以為0.1質量%以上、1質量%以上、2質量%以上或3質量%以上，並且可以為15質量%以下、12質量%以下、10質量%以下、8質量%以下或6質量%以下。
（c）成分：固化劑 （c）成分可以係能夠成為環氧樹脂的固化劑之酚樹脂。酚樹脂只要係在分子內具有酚性羥基者，則能夠並無特別限制地使用。作為酚樹脂，例如可舉出將苯酚、甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚類及/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類與甲醛等具有醛基之化合物在酸性觸媒下進行縮合或共縮合而得到之酚醛清漆型酚樹脂、由烯丙基化雙酚A、烯丙基化雙酚F、烯丙基化萘二醇、苯酚酚醛清漆、苯酚等酚類及/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙（甲氧基甲基）聯苯合成之苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基型酚樹脂、苯基芳烷基型酚樹脂等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
酚樹脂的羥基當量可以為40～300g/eq、70～290g/eq或100～280g/eq。當酚樹脂的羥基當量為40g/eq以上時，具有膜的儲存彈性模數進一步提高之傾向，當其為300g/eq以下時，能夠防止由發泡、釋氣等的產生引起之不良情況。
從固化性的觀點而言，作為（b）成分之環氧樹脂的環氧當量與作為（c）成分之酚樹脂的羥基當量之比（作為（b）成分之環氧樹脂的環氧當量/作為（c）成分之酚樹脂的羥基當量）可以為0.30/0.70～0.70/0.30、0.35/0.65～0.65/0.35、0.40/0.60～0.60/0.40或0.45/0.55～0.55/0.45。當該當量比為0.30/0.70以上時，具有得到更充分的固化性之傾向。當該當量比為0.70/0.30以下時，能夠防止黏度變得過高，能夠得到更充分的流動性。
以晶粒接合膜的總量為基準，（c）成分的含量可以為0.1質量%以上、0.5質量%以上、1質量%以上或2質量%以上，並且可以為15質量%以下、12質量%以下、10質量%以下、8質量%以下或6質量%以下。
（d）成分：彈性體 作為（d）成分，例如可舉出聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚伸苯醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、改質聚伸苯醚樹脂等。（d）成分為該等樹脂，且可以為具有交聯性官能基之樹脂，亦可以為具有交聯性官能基之丙烯酸樹脂。在此，丙烯酸樹脂係指含有來自於（甲基）丙烯酸酯之構成單元之聚合物。丙烯酸樹脂可以為含有來自於具有環氧基、醇性羥基或酚性羥基、羧基等交聯性官能基之（甲基）丙烯酸酯之構成單元作為構成單元之聚合物。又，丙烯酸樹脂亦可以為（甲基）丙烯酸酯與丙烯酸腈的共聚物等丙烯酸橡膠。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
作為丙烯酸樹脂的市售品，例如可舉出SG-70L、SG-708-6、WS-023 EK30、SG-280 EK23、HTR-860P-3、HTR-860P-3CSP、HTR-860P-3CSP-3DB（均為Nagase ChemteX Corporation製造）等。
（d）成分的玻璃轉移溫度（Tg）可以為-50～50℃或-30～20℃。當丙烯酸樹脂的Tg為-50℃以上時，晶粒接合膜的黏性降低，因此具有操作性進一步提高之傾向。當丙烯酸樹脂的Tg為50℃以下時，具有能夠更充分地確保形成晶粒接合膜時的接著劑組成物的流動性之傾向。在此，（d）成分的玻璃轉移溫度（Tg）係指使用DSC（熱示差掃描量熱儀）（例如，Rigaku Corporation製造，商品名：Thermo Plus 2）測量之值。
（d）成分的重量平均分子量（Mw）可以為5萬～160萬、10萬～140萬或30萬～120萬。當（d）成分的重量平均分子量為5萬以上時，具有成膜性更優異的傾向。當（d）成分的重量平均分子量為160萬以下時，具有形成晶粒接合膜時的接著劑組成物的流動性更優異的傾向。另外，重量平均分子量（Mw）為利用凝膠滲透層析法（GPC）進行測量，使用基於標準聚苯乙烯之校準曲線換算之值。
（d）成分的重量平均分子量（Mw）的測量裝置、測量條件等例如如下。 泵：L-6000（Hitachi,Ltd.製造） 管柱：依序連接凝膠袋（Gelpack）GL-R440（Hitachi Chemical Co., Ltd.製造）、凝膠袋（Gelpack）GL-R450（Hitachi Chemical Co., Ltd.製造）及凝膠袋GL-R400M（Hitachi Chemical Co., Ltd.製造）（各10.7mm（直徑）×300mm）之管柱 溶離液：四氫呋喃（以下，稱為“THF”。） 樣品：將試樣120mg溶解於THF5mL中之溶液 流速：1.75mL/分鐘
以晶粒接合膜的總量為基準，（d）成分的含量可以為0.1質量%以上、0.5質量%以上、1質量%以上或2質量%以上，並且可以為10質量%以下、8質量%以下、6質量%以下或5質量%以下。
晶粒接合膜10亦可以還含有（e）固化促進劑。
（e）成分：固化促進劑 藉由晶粒接合膜含有（e）成分，具有能夠進一步兼顧接著性和連接可靠性之傾向。作為（e）成分，例如可舉出咪唑類及其衍生物、有機磷系化合物、二級胺類、三級胺類、四級銨鹽等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。該等之中，從反應性的觀點而言，（e）成分可以為咪唑類及其衍生物。
作為咪唑類，例如可舉出2-甲基咪唑、1-芐基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
以晶粒接合膜總量為基準，（e）成分的含量可以為0.001～1質量%。當（e）成分的含量在這樣的範圍內時，具有能夠進一步兼顧接著性和連接可靠性之傾向。
晶粒接合膜10亦可以還含有偶合劑、抗氧化劑、流變控制劑、調平劑等作為（a）成分～（e）成分以外的其他成分。作為偶合劑，例如可舉出γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-（2-胺乙基）胺基丙基三甲氧基矽烷等。以晶粒接合膜總量為基準，其他成分的含量可以為0.01～3質量%。
圖1所示之晶粒接合膜10能夠藉由將含有上述（a）成分（依據需要，含有（b）成分～（e）成分及其他成分之）接著劑組成物形成為膜狀來製作。這樣的晶粒接合膜10能夠藉由將接著劑組成物塗佈於支撐膜20上而形成。接著劑組成物能夠用作利用溶劑稀釋之接著劑清漆。在使用接著劑清漆之情況下，將接著劑清漆塗佈於支撐膜20上，對其加熱乾燥來去除溶劑，藉此能夠形成晶粒接合膜10。
溶劑只要能夠溶解（a）成分以外的成分，則並無特別限制。作為溶劑，例如可舉出甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、異丙苯、對異丙甲苯等芳香族烴；己烷、庚烷等脂肪族烴；甲基環己烷等環狀烷烴；四氫呋喃、1,4-二㗁烷等環狀醚；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯；碳酸伸乙酯、碳酸丙烯酯等碳酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮等醯胺等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。該等之中，從溶解性及沸點的觀點而言，溶劑亦可以為甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁酮或環己酮。以接著劑清漆的總質量為基準，接著劑清漆中的固體成分濃度可以為10～80質量%。
接著劑清漆能夠藉由對（a）成分～（e）成分、其他成分及溶劑進行混合、混煉來製備。另外，各成分的混合、混煉的順序並無特別限制，能夠適當設定。混合及混煉能夠適當組合通常的攪拌機、擂碎機、三輥、球磨機、珠磨機等分散機來進行。製備接著劑清漆之後，可以藉由真空脫氣等去除清漆中的氣泡。
作為支撐膜20，並無特別限制，例如可舉出聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺等膜。支撐膜亦可以實施脫模處理。支撐膜20的厚度例如可以為10～200μm或20～170μm。
作為將接著劑清漆塗佈於支撐膜20之方法，能夠使用公知的方法，例如可舉出刮刀塗佈法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒塗法及簾式塗佈法等。加熱乾燥的條件只要係所使用之溶劑充分揮發之條件，則並無特別限制，例如亦可以為在50～200℃進行0.1～90分鐘。
晶粒接合膜10的厚度能夠依據用途適當調整，例如可以為3～200μm。當晶粒接合膜10的厚度為3μm以上時，具有與半導體晶圓的接著強度變得充分之傾向，當為200μm以下時，具有散熱性變得充分之傾向。從接著強度及半導體裝置的薄型化的觀點而言，晶粒接合膜10的厚度亦可以為5～100μm或10～50μm。
在晶粒接合膜10中，第1表面10A的表面粗糙度例如可以為1.0μm以下。在此，第1表面10A為配置於切割帶的黏著層上之表面（亦即，與晶粒接合膜10的支撐膜20所接觸之表面相反一側的表面）。另外，在本說明書中，表面粗糙度係指算術平均粗糙度Ra（JIS B 0601-2001），算術平均粗糙度Ra係指藉由實施例中記載之方法計算之值。另外，測量倍率亦可以為50～100倍。
從防止由表面粗糙度引起之接著性的降低之觀點而言，第1表面10A的表面粗糙度例如亦可以為0.9μm以下、0.8μm以下、0.7μm以下或0.6μm以下。從防止由表面的平滑性過高引起之定錨效果的降低之觀點而言，第1表面10A的表面粗糙度亦可以為0.1μm以上、0.2μm以上或0.3μm以上。
在本揭示的晶粒接合膜中，（a）成分不是用不飽和脂肪酸而是用飽和脂肪酸進行表面處理，藉此不具有與黏著層的成分進行反應之部位，因此能夠抑制與黏著層的成分的反應，能夠充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度。因此，本揭示的晶粒接合膜能夠與具有由紫外線固化型黏著劑形成之黏著層之切割帶進行組合，並且能夠較佳地用於切割晶粒接合一體型膜。
[切割晶粒接合一體型膜] 圖2係表示切割晶粒接合一體型膜的一實施形態之示意剖面圖。圖2所示之切割晶粒接合一體型膜100具備：切割帶50，其具有基材40和設置於基材40上之黏著層30；以及晶粒接合膜10，其配置於切割帶50的黏著層30上。晶粒接合膜10具有第1表面10A及與第1表面10A相反一側的第2表面10B。切割晶粒接合一體型膜100亦可以在晶粒接合膜10的第2表面10B上設置有支撐膜20。
作為切割帶50上的基材40，例如可舉出聚四氟乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。又，基材40亦可以依據需要實施底漆塗佈、UV處理、電暈放電處理、研磨處理、蝕刻處理等表面處理。
黏著層30可以為由切割帶的領域中使用之黏著劑形成之黏著層，亦可以為由感壓型黏著劑形成之黏著層，亦可以為由紫外線固化型黏著劑形成之黏著層。由於上述晶粒接合膜不具有與黏著層的成分進行反應之部位，因此黏著層30亦可以為由紫外線固化型黏著劑形成之黏著層。在黏著層30為由紫外線固化型黏著劑形成之黏著層之情況下，黏著層30能夠具有藉由照射紫外線而黏著性降低之性質。以下，對黏著層30為由紫外線固化型黏著劑形成之黏著層之情況進行說明。
切割晶粒接合一體型膜100能夠藉由準備切割帶50及晶粒接合膜10，將晶粒接合膜10的第1表面10A貼附到切割帶50的黏著層30來製作。
在切割晶粒接合一體型膜100中，以晶粒接合膜的總量為基準，晶粒接合膜10含有75質量%以上的（a）成分。依據具備這樣的黏著層和接著劑層之切割晶粒接合一體型膜，具有優異的散熱性，能夠充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度。
[半導體裝置（半導體封裝）的製造方法] 圖3係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖面圖。圖3（a）、（b）、（c）、（d）、（e）及（f）係示意性地表示各步驟之剖面圖。半導體裝置的製造方法包括：將上述切割晶粒接合一體型膜100的晶粒接合膜10（接著劑層）（的第2表面10B）貼附到半導體晶圓W之步驟（晶圓層合步驟，參閱圖3（a）、（b））；將半導體晶圓W及晶粒接合膜10（接著劑層）單片化之步驟（切割步驟，參閱圖3（c））；對黏著層30（隔著基材40）照射紫外線之步驟（紫外線照射步驟，參閱圖3（d））；從黏著層30a拾取附著有晶粒接合膜片10a之半導體晶片Wa（附有接著劑片之半導體晶片60）之步驟（拾取步驟，參閱圖3（e））；以及隔著晶粒接合膜片10a，將附有接著劑片之半導體晶片60接著於支撐基板80之步驟（半導體晶片接著步驟，參閱圖3（f）））。
＜晶圓層合步驟＞ 首先，將切割晶粒接合一體型膜100配置於規定的裝置中。繼而，將切割晶粒接合一體型膜100的晶粒接合膜10（接著劑層）的第2表面10B貼附到半導體晶圓W的表面Ws（參閱圖3（a）、（b））。半導體晶圓W的電路面設置於與表面Ws相反一側的面為較佳。
＜切割步驟＞ 接著，切割半導體晶圓W及晶粒接合膜10（接著劑層）（參閱圖3（c））。此時，黏著層30的一部分或黏著層30的全部及基材40的一部分可以被切割。如此，切割晶粒接合一體型膜100亦作為切割片發揮作用。
＜紫外線照射步驟＞ 接著，對黏著層30（隔著基材40）照射紫外線（參閱圖3（d））。藉此，該黏著層30固化，進而晶粒接合膜10（接著劑層）不具有與黏著層的成分進行反應之部位，因此能夠充分地降低黏著層30與晶粒接合膜10（接著劑層）之間的接著強度。在紫外線照射中，使用波長200～400nm的紫外線為較佳。關於紫外線照射條件，將照度及照射量分別調整為30～240mW/cm2 的範圍及50～500mJ/cm2 的範圍為較佳。
＜拾取步驟＞ 接著，藉由擴展基材40使切割後的附有接著劑片之半導體晶片60彼此分離，並且用吸引夾頭74從基材40側吸引由針72頂起之附有接著劑片之半導體晶片60，並將其從黏著層30a拾取（參閱圖3（e））。另外，附有接著劑片之半導體晶片60具有半導體晶片Wa和晶粒接合膜片10a。半導體晶片Wa為藉由切割將半導體晶圓W單片化而得到者，晶粒接合膜片10a為藉由切割將晶粒接合膜10單片化而得到者。又，黏著層30a為藉由切割將黏著層30單片化而得到者。黏著層30a在拾取附有接著劑片之半導體晶片60時能夠殘留於基材40上。在拾取步驟中，未必需要擴展基材40，但藉由擴展基材40能夠進一步提高拾取性。
針72的上推量能夠適當設定。進而，從對極薄晶圓亦確保充分的拾取性之觀點而言，例如亦可以進行2級或3級的上推。又，亦可以利用使用吸引夾頭74的方法以外的方法來拾取附有接著劑片之半導體晶片60。
＜半導體晶片接著步驟＞ 在拾取附有接著劑片之半導體晶片60之後，藉由熱壓接，將附有接著劑片之半導體晶片60隔著晶粒接合膜片10a接著於支撐基板80（參閱圖3（f））。亦可以將複數個附有接著劑片之半導體晶片60接著於支撐基板80。
半導體裝置的製造方法依據需要還可以包括：藉由打線接合將半導體晶片Wa與支撐基板80電連接之步驟；以及使用樹脂密封材料將半導體晶片Wa樹脂密封在支撐基板80的表面80A上之步驟。
圖4係表示半導體裝置的一實施形態之示意剖面圖。圖4所示之半導體裝置200能夠經過上述步驟來製造。在半導體裝置200中，半導體晶片Wa與支撐基板80亦可以藉由打線接合70電連接。半導體裝置200亦可以使用樹脂密封材料92將半導體晶片Wa樹脂密封在支撐基板80的表面80A上。亦可以在與支撐基板80的表面80A相反一側的面上形成焊球94，用於與外部基板（母版）的電連接。 [實施例]
以下，依據實施例對本揭示進行說明，但本揭示並不限定於該等實施例。
＜接著劑清漆的製備＞ 以表1所示之記號及組成比（單位：質量份），向作為（b）熱固性樹脂的環氧樹脂、作為（c）固化劑的酚樹脂及作為（d）彈性體的丙烯酸橡膠中添加環己酮，進行攪拌，藉此得到了混合物。各成分溶解之後，向混合物添加（a）用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子，使用分散葉片進行攪拌，使其分散直至各成分均勻。然後，添加（e）固化促進劑，使其分散直至各成分均勻，藉此得到了固體成分78質量%的接著劑清漆A～C。
另外，表1的各成分的記號表示下述產品。
（a）用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子 ·在SF134 Ag Flake（硬脂酸）（SF134 Ag Flake（Ames Advanced Materials Corporation製造）中，用硬脂酸進行表面處理之銀粒子，形狀：球狀，平均粒徑（雷射50%粒徑（D50 ））：2.2μm） ·在SF134 Ag Flake（癸酸）（SF134 Ag Flake（Ames Advanced Materials Corporation製造）中，用癸酸進行表面處理之銀粒子，形狀：球狀，平均粒徑（雷射50%粒徑（D50 ））：2.2μm）
（a’）用不飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子 ·AO-UCI-9（商品名，用油酸進行表面處理之銀包覆銅粒子，DOWA Electronics Co., Ltd.製造，形狀：球狀，平均粒徑（雷射50%粒徑（D50 ））：2.3μm）
（b）熱固性樹脂 ·EXA-830CRP（商品名，DIC Corporation製造，雙酚型環氧樹脂，環氧當量：159g/eq，在25℃為液狀）
（c）固化劑 ·MEH-7800M（商品名，MEIWA PLASTIC INDUSTRIES,LTD.製造，酚樹脂，黏度（150℃）：0.31～0.43Pa·s（3.1～4.3poise），羥基當量：175g/eq）
（d）彈性體 ·HTR-860P-3CSP（商品名，Nagase ChemteX Corporation製造，含環氧丙基之丙烯酸橡膠，重量平均分子量：100萬，Tg：-7℃）
（e）固化促進劑 ·2PZ-CN（商品名，SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑）
【表1】
項目 A B C
（a） SF134 Ag Flake（硬脂酸） 90 - -
SF134 Ag Flake（癸酸） - 90 -
（a'） AO-UCI-9（油酸） - - 90
（b） EXA-830CRP 4.2 4.2 4.2
（c） MEH-7800M 3.4 3.4 3.4
（d） HTR-860P-3CSP 2.4 2.4 2.4
（e） 2PZ-CN 0.01 0.01 0.01
（實施例1） ＜晶粒接合膜的製作＞ 製作晶粒接合膜時使用了接著劑清漆A。將真空消泡之接著劑清漆A塗佈於作為支撐膜的已實施脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜（厚度38μm）上。將經塗佈之清漆在90℃5分鐘，繼而在130℃5分鐘分2個階段進行加熱乾燥，在支撐膜上製作了處於B階段狀態之厚度20μm的實施例1的晶粒接合膜。
＜表面粗糙度的測量＞ 對晶粒接合膜的第1表面（與支撐膜相反一側的面）進行了表面粗糙度的測量。表面粗糙度（算術平均粗糙度Ra，JIS B 0601-2001）藉由使用形狀測量雷射顯微鏡VK-X100（KEYENCE CORPORATION製造）以倍率50倍進行測量來求出。將結果示於表2中。
＜切割晶粒接合一體型膜的製作＞ 準備具有基材和黏著層之切割帶（商品名：6363-30，Hitachi Chemical Co., Ltd.製造），用橡膠輥將切割帶的黏著層貼合於實施例1的晶粒接合膜，製作了依序具有基材、黏著層及接著劑層（晶粒接合膜）之實施例1的切割晶粒接合一體型膜。
＜照射紫外線前後的黏著層與接著劑層之間的T字剝離強度的測量＞ 準備實施例1的切割晶粒接合一體型膜，使用該膜測量了黏著層與接著劑層之間的T字剝離強度。測量時，使用了Autograph EZ-S 50N（Shimadzu Corporation製造）。在切割晶粒接合一體型膜的接著劑層（晶粒接合膜）側貼附Easy cut tape（Oji Tac Co., Ltd.製造），以寬25mm、長100mm的尺寸切出切割晶粒接合一體型膜而得到了樣品。使用該樣品，以夾頭之間距離50mm、速度300mm/分鐘測量了照射紫外線前後的黏著層與接著劑層之間的T字剝離強度。利用鹵素燈在80mW/cm2 、200mJ/cm2 的條件下照射了紫外線。在照射紫外線前和照射紫外線後分別測量3次，將3次的平均值作為剥離強度。將結果示於表2中。
＜晶片剪切強度的測量＞ 準備了實施例1的切割晶粒接合一體型膜。剝離切割晶粒接合一體型膜的支撐膜，使用薄膜積層機（Teikoku Taping System Co., Ltd.製造），在70℃將切割晶粒接合一體型膜的晶粒接合膜（接著劑層）貼附到厚度400μm的半導體晶圓上，藉此得到了積層體。接著，藉由切割將積層體單片化為5mm×5mm的尺寸，得到了附著有晶粒接合膜片之半導體晶片。切割以使用2片刀片之階梯切割方式進行，使用了切割刀片SD2000-FF及SD2000-EE。在階梯切割方式中，在第1次切割中切割至半導體晶圓的深度200μm的位置，然後在第2次切割中切割至切割帶的基材的深度20μm的位置。切割條件設為刀片轉速4000rpm、切斷速度30mm/秒。關於所得到之附著有晶粒接合膜片之半導體晶片，在溫度120℃、壓力0.1MPa、時間5秒的條件下，將單片化之附有半導體晶圓之晶粒接合膜熱壓接於引線框上，藉此得到了試樣。 然後，將所得到之試樣在110℃加熱1小時，然後在170℃加熱3小時，使晶粒接合膜片固化，利用萬能型接合測試儀（商品名：Dage Series4000，ARCTEC, Inc.製造）在250℃的條件下測量了晶片剪切強度。將結果示於表2中。
（實施例2） 除了在晶粒接合膜的製作中使用了接著劑清漆B以外，以與實施例1相同的方式，得到了實施例2的晶粒接合膜及切割晶粒接合一體型膜。對於實施例2的晶粒接合膜及切割晶粒接合一體型膜，以與實施例1相同的方式，測量了表面粗糙度、照射紫外線前後的黏著層與接著劑層之間的T字剝離強度及晶片剪切強度。將結果示於表2中。
（比較例1） 除在晶粒接合膜的製作中使用了接著劑清漆C以外，以與實施例1相同的方式，得到了比較例1的晶粒接合膜及切割晶粒接合一體型膜。對於比較例1的晶粒接合膜及切割晶粒接合一體型膜，以與實施例1相同的方式，測量了表面粗糙度、照射紫外線前後的黏著層與接著劑層之間的T字剝離強度及晶片剪切強度。將結果示於表2中。
【表2】
項目 實施例1 實施例2 比較例1
接著劑清漆的種類 A B C
脂肪酸的種類 硬脂酸 癸酸 油酸
接著劑層的表面粗糙度Ra（μm） 0.4 0.5 0.7
照射紫外線前的T字剝離強度（N/25mm） 1.4 0.7 0.7
照射紫外線後的T字剝離強度（N/25mm） 0.3 0.1 0.8
晶片剪切強度（MPa） 2.3 1.6 0.4
如表2所示明確得知，含有用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子之實施例1、2的切割晶粒接合一體型膜與含有用不飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子之比較例1的切割晶粒接合一體型膜相比，照射紫外線後的T字剝離強度足夠低，進而晶片剪切強度亦足夠高。從該等結果確認到本揭示的具備黏著層和接著劑層之切割晶粒接合一體型膜能夠充分地降低照射紫外線後的黏著層與接著劑層的接著強度。
10:晶粒接合膜 10A:第1表面 10B:第2表面 10a:晶粒接合膜片 20:支撐膜 30:黏著層 40:基材 50:切割帶 60:附有接著劑片之半導體晶片 70:打線接合 72:針 74:吸引夾頭 80:支撐基板 92:樹脂密封材料 94:焊球 100:切割晶粒接合一體型膜 200:半導體裝置
圖1係表示晶粒接合膜的一實施形態之示意剖面圖。 圖2係表示切割晶粒接合一體型膜的一實施形態之示意剖面圖。 圖3係表示半導體裝置的製造方法的一實施形態之示意剖面圖。圖3（a）、（b）、（c）、（d）、（e）及（f）係示意性地表示各步驟之剖面圖。 圖4係表示半導體裝置的一實施形態之示意剖面圖。
10:晶粒接合膜
10A:第1表面
10B:第2表面
20:支撐膜
30:黏著層
40:基材
50:切割帶
100:切割晶粒接合一體型膜

Claims (9)

  1. 一種切割晶粒接合一體型膜，其具備： 切割帶，其具有基材和設置於前述基材上之黏著層；以及 晶粒接合膜，其配置於前述切割帶的前述黏著層上， 前述晶粒接合膜含有用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子， 以晶粒接合膜的總量為基準，前述含銀粒子的含量為75質量%以上。
  2. 如請求項1所述之切割晶粒接合一體型膜，其中 前述飽和脂肪酸的碳數為8～20。
  3. 如請求項1或請求項2所述之切割晶粒接合一體型膜，其中 前述晶粒接合膜還含有熱固性樹脂、固化劑及彈性體。
  4. 如請求項3所述之切割晶粒接合一體型膜，其中 前述熱固性樹脂含有在25℃為液狀的環氧樹脂。
  5. 一種半導體裝置的製造方法，其包括： 將請求項1至請求項4之任一項所述之切割晶粒接合一體型膜的前述晶粒接合膜貼附到半導體晶圓之步驟； 將前述半導體晶圓及前述晶粒接合膜單片化之步驟； 對前述黏著層照射紫外線之步驟； 從前述切割帶拾取附著有晶粒接合膜片之半導體晶片之步驟；以及 隔著前述晶粒接合膜片，將前述半導體晶片接著於支撐基板之步驟。
  6. 一種晶粒接合膜，其含有用飽和脂肪酸進行表面處理之含銀粒子， 以晶粒接合膜的總量為基準，前述含銀粒子的含量為75質量%以上。
  7. 如請求項6所述之晶粒接合膜，其中 前述飽和脂肪酸的碳數為8～20。
  8. 如請求項6或請求項7所述之晶粒接合膜，其還含有熱固性樹脂、固化劑及彈性體。
  9. 如請求項8所述之晶粒接合膜，其中 前述熱固性樹脂含有在25℃為液狀的環氧樹脂。
TW110120690A 2020-07-08 2021-06-08 切割晶粒接合一體型膜、晶粒接合膜及半導體裝置的製造方法 TW202209454A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020117870A JP2022015188A (ja) 2020-07-08 2020-07-08 ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法
JP2020-117870 2020-07-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202209454A true TW202209454A (zh) 2022-03-01

Family

ID=79552380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110120690A TW202209454A (zh) 2020-07-08 2021-06-08 切割晶粒接合一體型膜、晶粒接合膜及半導體裝置的製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2022015188A (zh)
KR (1) KR20230036069A (zh)
CN (1) CN115702478A (zh)
TW (1) TW202209454A (zh)
WO (1) WO2022009570A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4430085B2 (ja) 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6396189B2 (ja) 2014-11-27 2018-09-26 日東電工株式会社 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ及び半導体装置の製造方法
JP6005312B1 (ja) * 2016-02-10 2016-10-12 古河電気工業株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム
JP6502606B1 (ja) * 2018-04-19 2019-04-17 ニホンハンダ株式会社 ペースト状銀粒子組成物、接合方法および電子装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022009570A1 (ja) 2022-01-13
KR20230036069A (ko) 2023-03-14
JP2022015188A (ja) 2022-01-21
CN115702478A (zh) 2023-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI827632B (zh) 半導體裝置的製造方法、熱硬化性樹脂組成物及切晶黏晶一體型膜
TWI791751B (zh) 半導體裝置的製造方法及接著膜
WO2019220540A1 (ja) 半導体装置、並びに、その製造に使用する熱硬化性樹脂組成物及びダイシングダイボンディング一体型テープ
JP7287477B2 (ja) 半導体装置の製造方法、接着剤層の選定方法、並びに、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法
WO2020195981A1 (ja) 半導体装置の製造方法、ダイボンディングフィルム、及びダイシング・ダイボンディング一体型接着シート
TW202209454A (zh) 切割晶粒接合一體型膜、晶粒接合膜及半導體裝置的製造方法
WO2022009571A1 (ja) ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法
WO2021006158A1 (ja) ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法
WO2023136057A1 (ja) ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
TWI842941B (zh) 半導體裝置的製造方法、接著劑層的選定方法、以及切割-黏晶一體型膜及其製造方法
US20230395420A1 (en) Film adhesive and method for making same; dicing/die bonding integrated film and method for making same; and semiconductor device and method for making same
TWI785196B (zh) 熱硬化性樹脂組成物、膜狀接著劑、接著片及半導體裝置的製造方法
WO2022138455A1 (ja) フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
US20240043722A1 (en) Film-like adhesive agent, dicing/die-bonding all-in-one film, semiconductor device, and method for manufacturing same
TW202124642A (zh) 接著劑組成物、膜狀接著劑及切晶黏晶一體型膜以及半導體裝置及其製造方法
TW202231809A (zh) 半導體裝置及其製造方法、以及熱固性樹脂組成物、接著膜及切割晶粒接合一體型膜
JP2021061284A (ja) ダイボンディングフィルム、フィルム状接着剤、並びに半導体装置及びその製造方法
TW202414550A (zh) 半導體裝置的製造方法、接著層及切晶黏晶一體型膜