TW202202945A - 極紫外光光源之對準 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種裝置，其包括：一容器，其包含一內部空間；一材料供應系統，其經組態以沿著該內部空間中之一路徑提供包含目標材料之目標；一偵測系統，其經組態以偵測藉由一度量衡光束與該等目標中之一者之間的一相互作用產生的散射光且基於該相互作用產生資訊；以及一控制系統，其經組態以基於藉由該偵測系統產生之該資訊而調整該路徑。該目標材料在一電漿狀態中產生極紫外光(EUV)光。該度量衡光束並不將該目標材料轉換成該電漿狀態。

Description

極紫外光光源之對準

本發明係關於用於對準極紫外光(EUV)光源之技術。

EUV光，例如波長為100奈米(nm)或更小(有時亦稱為軟x射線)且包括波長為例如20 nm或更小、介於5與20 nm之間或介於13與14 nm之間的光之電磁輻射可用於微影程序中，以藉由在抗蝕劑層中發起聚合而在基板(例如矽晶圓)中產生極小特徵。用以產生EUV光之方法包括但未必限於將包括具有EUV範圍內之發射譜線之例如氙、鋰或錫的元素的材料轉換成電漿狀態。在常常被稱作雷射產生電漿(LPP)之一個此類方法中，可藉由利用可稱為驅動雷射之經放大光束來輻照例如呈材料之小滴、板、帶、串流或叢集之形式的目標材料來產生所需電漿。對於此程序，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監視電漿。

在一個態樣中，一種裝置包括：一容器，其包括一內部空間；一材料供應系統，其經組態以沿著該內部空間中之一路徑提供包括目標材料之目標；一偵測系統，其經組態以偵測藉由一度量衡光束與該等目標中之一者之間的一相互作用產生的散射光且基於該相互作用產生資訊；以及一控制系統，其經組態以基於藉由該偵測系統產生之該資訊而調整該路徑。該目標材料在一電漿狀態中產生極紫外光(EUV)光。該度量衡光束並不將該目標材料轉換成該電漿狀態。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。

該裝置可進一步包括該內部空間中之一反射光學元件。該反射光學元件可包括一主焦點及一中間焦點。該控制系統可經組態以調整該路徑以使得該路徑與該反射光學元件之該主焦點相交。該控制系統可經進一步組態以調整沿著該容器中之一傳播方向引導光之一轉向元件以使得該傳播方向與該主焦點相交。該偵測系統可經組態以在該散射光已自該反射光學元件反射之後偵測該散射光。該偵測系統可包括一成像感測器，且該偵測系統可經組態以在該散射光已自該反射光學元件反射之後使該散射光成像。該偵測系統可包括該中間焦點處或該中間焦點與自該裝置接收光之一掃描器裝置之間的一位置處之一組件。該組件可包括一遮罩，且該偵測系統可進一步包括經組態以偵測藉由該遮罩透射之光的一偵測器。該組件可包括經組態以置放於該中間焦點處或自該中間焦點移除之一偵測器。該組件可包括一成像平面。該成像平面可包括使得該散射光藉由一成像系統感測之一材料。該成像平面可包括磨砂玻璃。該成像平面可包括一隔膜或一表膜。該成像平面可大體上阻擋目標材料碎片。

沿著該路徑之每一點可為一三維座標系統中之一位置，且該控制系統可經組態以調整該路徑之該等點中之至少一者在該三個維度中之至少兩者中的該位置。該控制系統可經組態以藉由控制該材料供應系統來調整該路徑之該位置。

該裝置可進一步包括一度量衡光源。該度量衡光源可為經組態以產生可見光之一雷射或經組態以產生紅外光之一雷射。該度量衡光源可為一脈衝光源，且該度量衡光束可包括複數個光脈衝。該度量衡光源可為一連續波光源，且該度量衡光束可包括一連續波光束。

在另一態樣中，一種極紫外光(EUV)光源包括：一容器；一目標材料供應系統，其經組態以將目標提供至該容器之一內部；以及一裝置。該等目標包括在處於一電漿狀態中時發射EUV光之一目標材料，且該等目標沿著一路徑在該容器之該內部中行進。該裝置經組態以使該等目標之該路徑與該容器之該內部中的一光學元件之一焦點對準。該裝置包括：一偵測系統，其經組態以偵測藉由一度量衡光束與該等目標中之一者之間的一相互作用產生的散射光且基於該相互作用產生資訊；以及一控制系統，其經組態以基於藉由該偵測系統產生之該資訊而調整該等目標之該路徑。該度量衡光束並不將該目標材料轉換成該電漿狀態，且該等目標中之該一者經組態以在藉由該度量衡光束照射時充當一點光源。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。

該EUV光源可進一步包括一轉向元件，該轉向元件經組態以接收具有足以將該目標材料中之至少一些轉換成該電漿狀態之一能量的一經放大光束。

該EUV光源可進一步包括一最終轉向元件，該最終轉向元件可包括經組態以調整一入射光束之一方向的一轉向鏡面。該最終轉向鏡面可在該容器外部。

該光學元件可為可包括一主焦點及一中間焦點之一反射光學元件，且該裝置可經組態以使該等目標之該路徑與該反射光學元件之該主焦點對準。該偵測系統可包括：一第一感測器，其經組態以偵測該中間焦點處之該等目標中之該一者的一影像；以及一第二感測器。該反射光學元件可處於該第二感測器與該第一感測器之間。

在另一態樣中，一種方法包括：沿著一容器之一內部中之一路徑引導目標；將一度量衡光束提供至該容器之該內部以產生散射光；在一偵測系統處偵測該散射光；以及基於關於來自該偵測系統之該散射光的資訊而調整該路徑。每一目標包括在一電漿狀態中發射EUV光之目標材料。該散射光由該度量衡光束與該等目標中之一者之間的一相互作用產生。

在另一態樣中，一種用於一光學系統之裝置包括：一偵測系統，其包括經組態以接收散射度量衡光之一組件；以及一控制系統。該散射度量衡光包括自一目標散射之光。每一目標在一路徑上行進，每一目標包括反射該度量衡光之目標材料，且每一目標經組態以在藉由該度量衡光照射時充當一點光源。該控制系統經組態以調整每一目標之該路徑以與該光學系統之一主焦點相交。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。

該目標可包括在處於一電漿狀態中時發射EUV光之目標材料，且該目標可為一連串移動目標中之一個目標。該目標可大體上為球形。

在另一態樣中，一種用於檢測一極紫外光(EUV)光源之一容器中之一光學元件的方法包括：利用一度量衡光束照射一目標以散射來自該目標之該度量衡束；使該容器中之接收該散射度量衡束之一光學元件成像；以及基於該經成像光學元件而檢測該光學元件。該目標包括在處於一電漿狀態中時發射EUV光之目標材料，且該度量衡光束並不將該目標材料轉換成該電漿狀態。

在另一態樣中，一種方法包括：將一度量衡光束提供至一容器之一內部；使藉由該度量衡光束與一目標材料小滴之間的一相互作用產生的散射光成像以判定關於該路徑的資訊，該散射光自與一主焦點及一次級焦點相關聯的一光學元件反射；基於該資訊而調整該路徑以使得該路徑與該光學元件之該主焦點相交；以及調整一轉向元件以沿著與該主焦點相交之一傳播方向引導光。該度量衡光束與該目標材料小滴之間的該相互作用並不產生發射EUV光之一電漿。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。

該方法可進一步包括：在調整該路徑之後以及在調整該轉向元件之後，將一經放大光束提供至該經調整轉向元件以使得該經放大光束經提供至該主焦點。該經放大光束可具有足以將該目標材料小滴中之該目標材料中之至少一些轉換成發射EUV光之電漿的一能量。該轉向元件可包括接收該散射光中之一些之一反射光學元件，且調整該轉向元件可包括移動該轉向元件以及使該散射光成像以對準該反射光學元件使得該傳播方向與該光學元件之該主焦點相交。該散射光可在該光學元件之該次級焦點處以及在該經放大光束之一源與該光學元件之間的一位置處成像。

上文所描述之技術中之任一者的實施方案可包括EUV光源、系統、方法、程序、器件或裝置。以下隨附圖式及描述中闡述一或多個實施方案之細節。其他特徵將自描述及圖式且自申請專利範圍而顯而易見。

圖1為裝置100之方塊圖。裝置100為發射EUV光197之極紫外光(EUV)光源。藉由產生發射EUV光197之電漿196來產生EUV光197。藉由利用經放大光束106輻照目標122來形成電漿196。如下文所論述，裝置100包括偵測系統130。偵測系統130允許使用反射或散射光198使裝置100對準且不產生電漿196。反射或散射光198由度量衡光束108與目標122中之一者之間的相互作用產生。目標122與度量衡光束108之間的相互作用並不干擾目標122且並不產生電漿196。在不產生電漿196的情況下對準裝置100允許裝置100更容易且有效地對準。舉例而言，裝置100可在藉由終端使用者安設及使用之前藉由製造商對準。此導致安設時間減少且使終端使用者體驗更多產。此外，由於電漿196亦發射可損害裝置100中之組件、系統及器件的碎片，故藉由使裝置100與光198對準且不產生電漿196，裝置100之壽命及總效能提高。

裝置100包括具有內部空間112之容器110。內部空間112為其中維持真空之真空空間。裝置100亦包括經由噴嘴113發射目標122之材料供應系統120。為簡單起見，在圖1中僅標記一個目標122。然而，材料供應系統120可發射多於一個目標122。目標122沿著路徑121在內部112中行進。在圖1的實例中，路徑121大體上沿著X方向。

材料供應系統120沿著路徑121遞送、控制及引導目標122。目標122由呈例如液體小滴、包括固體顆粒或叢集之小滴、液體小滴內含有的固體顆粒或液體流內含有的固體顆粒之形式的目標混合物製成。目標122之形狀可大體上為球形，且直徑可為例如約15 μm至40 μm。目標混合物包括目標材料。目標材料為在轉換成電漿狀態時具有EUV範圍中之發射譜線的任何材料。目標材料可為例如水、錫、鋰及/或氙，或包括此材料之物質。舉例而言，元素錫可用作純錫(Sn)；用作錫化合物，例如SnBr₄ 、SnBr₂ 、SnH₄ ；用作錫合金，例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金或此等合金之任何組合。目標混合物亦可包括諸如非目標顆粒之雜質。因此，在不存在雜質之情形下，目標混合物僅由目標材料製成。

經放大光束106與目標122中之一者之間的相互作用產生電漿196。經放大光束106為具有足以將目標122中之目標材料中之至少一些轉換成電漿196的能量的任何類型之光束。經放大光束106可為藉由諸如圖2A及圖2B之光源205之光源產生的脈衝雷射光束。度量衡光束108亦在內部112中傳播。度量衡光束108與目標122相互作用且產生光198，該光198為反射光及/或散射光，但相互作用並不改變目標122之性質(諸如大小、形狀及/或密度)或將目標材料轉換成電漿196。換言之，度量衡光束108為藉由與目標122相互作用而產生光198但並不干擾目標122之光學探針。

偵測系統130偵測光198且將與光198有關之資訊提供至控制系統150。控制系統150作用於裝置100之一或多個組件以使用來自偵測系統130之資訊對準裝置100。舉例而言，控制系統150可控制材料供應系統120以調整路徑121，使得路徑121 (及目標122)與內部112中之光學元件(諸如圖2A至圖2C之反射光學元件240)之主焦點相交。在另一實例中，控制系統150基於關於光198之資訊而調整轉向經放大光束106之光學元件(諸如光學元件263)。

參考圖2A及圖2B，展示裝置200之方塊圖。裝置200為裝置100 (圖1)之實施方案。圖2A展示在度量衡光束108與目標122中之一者相互作用且產生光198時的裝置200。圖2B展示在經放大光束106與目標122中之另一者相互作用且產生電漿196的稍後時間的裝置200。

裝置200包括容器210及供應系統120，該供應系統120將目標122提供至容器210之內部212。目標122沿著路徑221行進。裝置200亦包括度量衡光源209及主要光源205。度量衡光源209產生度量衡光束108。主要光源205產生經放大光束106。

裝置200亦包括內部212中之光學元件240。圖2A及圖2B展示光學元件240之側視橫截面圖。圖2C展示光學元件240之透視圖。光學元件240為具有反射表面241及通孔245之橢圓抛物面鏡。反射表面241為彎曲的。通孔245大致處於反射表面241之中心且貫穿光學元件240。通孔245為經放大光束106提供通路。主焦點242處之點光源藉由反射表面241聚焦至中間焦點243。主焦點242處於反射表面241與中間焦點243之間。反射表面241由反射EUV光197及光198之材料製成。因此，反射表面241將入射EUV光197及入射光198反射至中間焦點243且朝著掃描器裝置299反射。

為最佳化藉由光學元件240收集且提供至掃描器裝置299之EUV光197的量，路徑221及經放大光束106之傳播路徑與主焦點242對準。換言之，路徑221及光束106經引導以穿過主焦點242。傳統上，使用EUV光197使路徑221及經放大光束106與主焦點242對準。舉例而言，一些先前系統反覆地產生電漿196，且量測在調整路徑221及/或經放大光束106之傳播方向的同時產生之EUV光197的量。在產生最大量之EUV光197時，假定經放大光束106及路徑221與主焦點242對準或幾乎對準。此類方法需要產生電漿196，此可損害表面241或內部212中之其他物件。此外，由於每一系統其自身未與主焦點242對準，故傳統方法並不相對於應與主焦點242對準之所有系統定位主焦點242。此外，傳統方法需要在與主焦點242對準之組件經替換或移動以供修復之任何時間重複。

另一方面，裝置200使用並不需要產生電漿196之光198來使路徑221及經放大光束106與主焦點242對準。藉由使用光198替代EUV光197，裝置200避免可利用傳統方法出現之污染及損害。此外，由於EUV光197不用於對準，故裝置200可在不產生電漿196中的任一者的情況下對準。因此，裝置200可藉由製造商且在藉由終端使用者安設或使用之前對準。此外，使用光198允許多個系統(供應系統120、主要光源205及度量衡光源209)與共同點(主焦點242)對準。換言之，自目標122散射之光用於識別主焦點242相對於多個系統及組件之位置，從而在不產生電漿196的情況下允許供應系統120、度量衡光源209及主要光源205與主焦點242對準。

在論述使用光198對準裝置200之實例之前更詳細地論述裝置200之組態。

再次參考圖2A，度量衡光源209在檢視區207處耦接至容器210之外部區211。檢視區207密封於外部區211處，使得內部212中可維持真空。檢視區207包括對度量衡光束108中之波長透明的窗或其他元件。度量衡光源209產生度量衡光束108，且光束108穿過檢視區207之透明部分且在內部212中傳播。度量衡光源209可為例如雷射。度量衡光束108可為連續光束或可為脈衝光束。度量衡光束108可包括可見區(約380至740奈米(nm))及/或近紅外(NIR)區(約0.7 μm至5 μm)中之波長。舉例而言，度量衡光源209可為產生具有523 nm、808 nm、820 nm、908 nm、980 nm、1064 nm、1070 nm或1550 nm之中心波長之光的雷射。

參考圖2B，主要光源205發射經放大光束106。主要光源205可為能夠發射經放大光束106之任何類型之光源。舉例而言，主要光源205可為二氧化碳(CO₂ )雷射。經放大光束106之中心波長可為例如10.6 µm，或9 µm與11 µm之間的另一波長。經放大光束106可為脈衝光束。

光束106經由光學路徑265行進至內部空間212。光學路徑265由光學元件263及264定義。在所展示實例中，光學元件263及264為反射光學元件，諸如鏡面。然而，引導光之任何類型的光學元件可用作元件263及264。在圖2A及圖2B的實例中，展示兩個光學元件。然而，更少或更多的光學元件可定義路徑265。在圖2A及圖2B的實例中，光學元件263及264在容器210外部。然而，在其他實施方案中，光學元件264在內部212內部。在一些實施方案中，光學元件264及263兩者處於內部212中。

光學元件263耦接至致動器262，且光學元件264耦接至致動器267。每一致動器262及267為可控制以分別移動光學元件263及264之任何類型的器件。舉例而言，每一致動器262及267可包括馬達、鉸鏈、平移台或此等元件之組合。每一致動器262及267可為可手動調整的，或每一致動器262及267可耦接至控制系統250以用於電子控制。藉由控制致動器262及267中之一或多者來調整經放大光束106在內部212中之傳播方向。

裝置200亦包括偵測系統230，其自一或多個感測器接收關於光198的資訊。在圖2A及圖2B的實例中，偵測系統230包括第一感測器231及第二感測器238。第一感測器231包括經組態以感測中間焦點243處或附近之光198的主動元件232。主動元件232為對光198敏感之任何類型的主動元件。主動元件232可為產生特定位置處之感測光的量的單一元件，或主動元件232可為產生二維影像資料之感測器之二維陣列。圖3A至圖3E係關於第一感測器231之各種實例實施方案。

圖3A及圖3B展示第一感測器231為包括主動感測元件232之可移動感測器331A的實施方案。可移動感測器331A機械安裝至使得可移動感測器331A能夠移動之移動系統334。舉例而言，安裝系統334可為臂或軌道。安裝系統334可為可手動控制的，或可耦接至控制系統250。在啟動時，安裝系統334將第一感測器331A自第一位置(圖3A)移動至第二位置(圖3B)。在感測器331A處於第一位置中時，感測器331A相對於中間焦點243在X方向上移位。在感測器331A處於第二位置中時，主動感測元件232處於中間焦點243處。因此，在感測器331A處於第二位置中時，主動元件232經定位以捕捉自反射表面241反射之光。在感測器331A處於第一位置中時，主動元件232未經定位以捕捉自反射表面241反射之光且感測器331A並不阻擋自表面241反射之光。如上文所論述，在裝置200之操作使用期間，EUV光197穿過中間焦點243且進入掃描器裝置299中。因此，在感測器331A處於第一位置中時，其並不防止EUV光197到達掃描器裝置299。換言之，感測器331A可在裝置200正用以產生EUV光197時定位在第一位置(圖3A)處，且在裝置200經對準時定位在第二位置(圖3B)處。

圖3C為感測器331C及組件337之方塊圖。感測器331C為感測器231 (圖2A及圖2B)之另一實施方案，且感測器331C包括主動感測元件232。感測器331C遠離中間焦點243而定位，且組件337用於將光198散射至主動感測元件232。組件337為散射光198之任何物件。舉例而言，組件337可為磨砂玻璃、成像螢幕、表膜或隔膜。組件337可定位在中間焦點243或相對於中間焦點243在Z或-Z方向上移位之位置處。在圖3C中展示的實例中，組件相對於中間焦點243在Z方向上移位。

組件337可為僅在量測光198時定位在中間焦點243處或附近且在產生EUV光197時移除的可移動組件。在一些實施方案中，組件337散射光198中之波長但透射EUV光197。在此等實施方案中，組件337並不干擾EUV光197至掃描器裝置299之遞送，且在裝置200正用以產生EUV光197時保持在適當位置。此外，此類型之組件337亦可防止或抑制來自電漿196之碎片到達掃描器299。

圖3D為反射表面241、可移動感測器331D及組件337D之透視圖。組件337D為遮罩。圖3E為X-Y平面中之遮罩337D之方塊圖。遮罩337D包括透明部分346及不透明部分348。透明部分346由在光198中之波長下透明或透射的材料製成。舉例而言，透明部分346可由石英或塑膠製成。不透明部分348由阻擋或不透射光198中之波長的材料製成。

遮罩337D之透明部分346之中心347置放於中間焦點243處。中心347在X及Y方向上與光學元件240之中心對準。透明部分346具有與反射表面241之聚焦影像相同的形狀。在主焦點242處之點源照射反射表面241時，反射表面241之聚焦影像形成在中間焦點243處。目標122在藉由度量衡光束109照射時充當點源。因此，在目標122處於主焦點242處時，反射表面241之影像在中間焦點243處聚焦。在目標122處於主焦點242處時，藉由透明部分346透射之光的量最大。

可移動感測器331D可沿著X及-X方向及/或Y及-Y方向移動。在經定位以量測穿過透明部分346之光時，可移動感測器331D在X-Y平面中與透明部分346之中心347對準且相對於透明部分346之中心在Z方向上移位。在裝置200並未對準時，遮罩337D及感測器331D可沿著X或-X及/或Y及-Y方向移動以使得其不再與自反射表面241反射之光相互作用。

返回至圖2A及圖2B，偵測系統230亦包括第二感測器238。第二感測器238包括主動元件239，其對光198中之波長敏感。主動元件239可為例如捕捉二維資料之成像感測器。第二感測器238沿著光學路徑265定位。光198之一部分在-Z方向上且沿著光學路徑265傳播穿過通孔245。光198之此部分稱為傳回光198或反向光198。第二感測器238用於偵測傳回光198。舉例而言，主動元件239可經定位以接收傳回光198自反射光學元件263之反射。

裝置200耦接至控制系統250。控制系統250包括電子處理模組251、電子儲存器252及I/O介面253。電子處理模組251包括適合於執行電腦程式之一或多個處理器，諸如通用或專用微處理器，及任何種類之數位電腦之任一或多個處理器。一般而言，電子處理器自唯讀記憶體、隨機存取記憶體(RAM)或兩者接收指令及資料。電子處理模組251可包括任何類型之電子處理器。電子處理模組251之一或多個電子處理器執行指令，且存取儲存於電子儲存器252上之資料。一或多個電子處理器亦能夠將資料寫入至電子儲存器252。

電子儲存器252為任何類型之電腦可讀或機器可讀媒體。舉例而言，電子儲存器252可為諸如RAM之揮發性記憶體，或非揮發性記憶體。在一些實施方案中，且電子儲存器252包括非揮發性及揮發性部分或組件。電子儲存器252可儲存用於控制系統250之操作的資料及資訊。電子儲存器252亦可儲存使得控制系統250與裝置200及/或掃描器裝置299中之組件及子系統相互作用的指令(例如，呈電腦程式之形式)。舉例而言，指令可為使得電子處理模組251將命令信號提供至材料供應120以改變路徑221之方向及/或提供至致動器262及267以改變經放大光束106之傳播方向的指令。電子儲存器252亦可儲存自裝置200及/或掃描器裝置299接收到之資訊。電子儲存器252亦儲存實施相對於圖4及圖5所論述之程序的指令。

I/O介面253為允許控制系統250與操作者、其他器件及/或在另一電子器件上運行之自動程序交換資料及信號的任何種類之介面。舉例而言，在可編輯儲存於電子儲存器252上之規則或指令的實施方案中，可經由I/O介面253進行編輯。I/O介面253可包括視覺顯示器、鍵盤及諸如平行埠、通用串列匯流排(USB)連接之通信介面及/或諸如乙太網路之任何類型之網路介面中的一或多者。I/O介面253亦可允許在無實體接觸的情況下經由例如IEEE 802.11、藍芽或近場通信(NFC)連接進行通信。

控制系統250經由資料連接254耦接至裝置200之各種組件。圖2A及圖2B中利用虛線展示資料連接254。在圖2A及圖2B中，材料供應系統120、偵測系統230及致動器262經展示為耦接至控制系統250。然而，裝置200之其他組件可耦接至控制系統250。舉例而言，致動器267可耦接至控制系統250。此外，掃描器裝置299及/或主要光源205可耦接至控制系統250。

資料連接254為允許資料、信號及/或資訊之傳輸的任何類型的連接。舉例而言，資料連接254可為實體纜線或其他實體資料管道(諸如支援基於IEEE 802.3進行之資料之傳輸的纜線)、無線資料連接(諸如經由IEEE 802.11或藍芽提供資料之資料連接)或有線與無線資料連接之組合。

裝置200經提供為一實例，且其他實施方案為可能的。舉例而言，裝置200可與控制系統250分離地封裝，且裝置200未必包括控制系統250。控制系統250經展示為單一控制系統。然而，控制系統250可實施為複數個控制系統。舉例而言，控制系統250可實施為複數個局部控制系統，該複數個局部控制系統各自與裝置200之特定組件或子系統相關聯，其中局部控制系統中之每一者與主機控制器通信。

類似地，裝置200可與掃描器裝置299及主要光源205分離地封裝，且裝置200未必包括掃描器裝置299或主要光源205。在一些實施方案中，裝置200包括額外光源，該額外光源提供在經放大光束106與目標122相互作用之前與彼目標122相互作用之預脈衝光束。預脈衝光束用於改變目標122之一或多個性質(諸如大小、形狀及/或密度)。此外，裝置200可包括除度量衡光源209以外之額外度量衡光源。其他度量衡光源可安裝至容器210。

圖4為程序400之流程圖。程序400為用於對準光源之程序之一實例。相對於裝置200 (圖2A至圖2C)論述程序400。程序400可藉由控制系統250執行。舉例而言，程序400可藉由處理模組251中之一或多個電子處理器執行。可在裝置200運送至終端使用者之前或在裝置200安設於終端使用者的位點之前執行程序400。然而，可在裝置200之壽命期間執行程序400。舉例而言，可在裝置200已安設於終端使用者的位點之後藉由終端使用者執行程序400。

程序400使用光198來對準裝置200且並不依賴於電漿196之產生。目標122在藉由度量衡束209照射時充當點光源，且由相互作用產生之光198用於對準裝置200。

提供第一感測器(410)。第一感測器量測中間焦點243處或附近之光198。舉例而言，第一感測器331A可移動以使得主動元件232處於中間焦點243處，如圖3B中所展示。在另一實例中，組件337安設在中間焦點243處或附近，使得在中間焦點243處接收到之光198經引導至主動元件232。在又一實例中，第一感測器331D相對於遮罩337D在Z方向上定位，如圖3D中所展示。

將度量衡光束提供至內部212 (420)。度量衡光束為充當光學探針且在不干擾目標122的情況下產生光198之任何光束。度量衡光束可為例如光束108。度量衡光束108與目標122相互作用以產生光198。在目標122處於主焦點242處時，在與目標122同步之時間將度量衡光108提供至內部212。

如上文所論述，光198為在光束108入射於目標122上時產生之反射及/或散射光。目標122大體上為球形且藉由反射度量衡光束108而充當點光源。光198中之至少一些入射於反射表面241上且朝著中間焦點243反射。藉由第一感測器231之主動感測元件232來偵測到達中間焦點243處之光198。感測器231基於偵測到之光198產生資訊或資料，且將資訊提供至控制系統250。資訊可為例如表示反射光學表面241在中間焦點243處之影像的二維影像資料。在另一實例中，關於光198之資訊為中間焦點243處或附近之光198的強度。

分析來自第一感測器231之資訊(430)。如上文所論述，在目標122處於主焦點242處時，反射表面241之影像在中間焦點243處聚焦。目標122沿著路徑221行進。因此，在目標122處於主焦點242處時，路徑221亦與主焦點242相交。藉由分析來自第一感測器231之資訊，程序400判定路徑221是否與主焦點242相交。在來自第一感測器231之資訊為二維影像資料的實施方案中，分析藉由感測器231收集之影像以判定反射表面241聚焦的時間。舉例而言，在反射表面241之成像邊緣具有最接近於反射表面241之邊緣之實際形狀的形狀時，可認為反射表面241聚焦。在另一實例中，在使用遮罩337D時，在藉由主動元件232偵測之光的量最大時認為反射表面241聚焦。在使用遮罩337D之實施方案中，在最大量之光藉由透明部分346透射時，目標122處於主焦點242處。

基於分析，判定路徑221是否與主焦點242相交(440)。若路徑221並不與主焦點242相交，則調整路徑221 (450)。舉例而言，若來自第一感測器231之資訊指示光僅自反射表面241之小中心部分反射，或若光過度填充反射表面241，或若反射光之分佈並不集中於反射表面241之中心上，則可以按預期將目標材料小滴122更佳地對準至主焦點242上之方向及程度來調整路徑221。藉由調整目標供應系統120來在Y及Z方向上調整路徑221。舉例而言，控制系統150可發出用以移動噴嘴113以在Y及/或Z方向上調整路徑221之命令。可藉由例如驅動機械安裝至噴嘴113之致動器(未展示)來移動噴嘴113。程序400執行(420)至(450)直至路徑221在Y及Z方向上與主焦點242對準為止。

另外，使用來自第一感測器231之資訊使路徑221在X方向上與主焦點242對準。藉由使度量衡光束108沿著X方向及/或-X方向掃描(移動)直至找到主焦點242為止來找到主焦點242之X座標。

光198亦可用於使第二感測器238與主焦點242對準。藉由使第二感測器238與主焦點242對準，經放大光束106之傳播方向亦與主焦點242對準。為使第二感測器238與主焦點242對準，藉由第二感測器238使傳回光198 (其為光198之行進穿過通孔245且行進至路徑265上之部分)成像。第二感測器238產生關於偵測到之傳回光198的資訊。分析來自第二感測器238之資訊(460)。在目標材料小滴122處於主焦點242處時，目標122應呈現為藉由第二感測器238產生之目標122之影像中的點。由於如上文所論述使用(420)至(450)使路徑221與主焦點242對準，故若藉由第二感測器238產生之目標122之影像並未將目標122展示為點，則光學元件263不與主焦點242對準。在光學元件263不與主焦點242對準時，光學元件263將不將前向進入光束(諸如經放大光束106)引導至主焦點242。

對來自第二感測器238之資訊之分析用於判定目標122是否呈現為影像中之點且判定第二感測器238是否與主焦點242對準(470)。分析來自第二感測器238之資訊可包括將形狀濾光器其他空間濾光器應用於來自第二感測器238之影像資料。在目標122呈現為影像資料中之點源時，形狀濾光器或遮罩具有目標122之影像的形狀。替代地或另外，可比較光198與第二感測器238上之基準標記物，以判定第二感測器238是否與主焦點242對準。

若目標122呈現為來自第二感測器238之影像中之點，則光學元件263相對於主焦點242對準且未經調整。程序400結束。若目標122並不呈現為來自第二感測器之影像中之點，則調整光學元件263 (480)。控制系統250發出使得致動器262移動光學元件263之命令。利用度量衡光束108輻照另一目標122，且再次分析來自第二感測器238之資訊(460)。控制系統250繼續命令致動器262調整光學元件263直至目標122呈現為藉由第二感測器238產生之影像中之點為止。

在裝置200用於產生EUV光197時，光學元件263將經放大光束106遞送至內部212。藉由如相對於(460)至(480)所論述使第二感測器238與主焦點242對準，光學元件263亦與主焦點242對準。因此，光學元件263亦將前向進入光束(諸如經放大光束106)遞送至主焦點242。以此方式，在不必實際上將經放大光束106遞送至內部212的情況下且在不產生發射EUV光197之電漿196的情況下，使經放大光束106與主焦點242對準。此外，雖然主要光源205在圖2A及圖2B中與裝置200一起展示，但不需要主要光源205來使經放大光束106與主焦點242對準。

在光束106及藉由光學元件263引導至內部212中之其他光束(諸如預脈衝光束)為脈衝光束之實施方案中，在脈衝與目標122中之一者同時到達主焦點242時，電漿196之產生最佳化。度量衡光束108亦可用於判定光脈衝之時序。特定言之，度量衡光束108可用於判定光束106之脈衝(或預脈衝光束之脈衝)應到達主焦點242以使得光脈衝及目標122同時處於主焦點242處的時間。

在使用程序400使目標路徑221及度量衡光束108已與主焦點242對準之後，朝著主焦點242引導度量衡光束108之脈衝。藉由在自路徑265接收光之第二感測器238處(或在另一偵測器處，諸如光電二極體)偵測光198來時間解析光198 (其為度量衡光束108之脈衝自目標122中之一者之反射及/或散射)。反射脈衝(光198)精確地判定目標122中之經輻照者穿過主焦點242之時間。形成光束106之脈衝(或在路徑265上傳播之其他前向進入光脈衝)的時間與彼前向進入光脈衝到達主焦點242處的時間之間存在延遲。此延遲稱為脈衝延遲時間且等於介質中之光速乘以脈衝源與主焦點242之間的路徑長度。目標122穿過主焦點242之時間減去脈衝延遲時間提供應啟動、刺激或引發前向進入脈衝之源(諸如主要源205)以產生脈衝之時間。控制系統250可判定脈衝延遲時間及前向進入脈衝之源啟動之時間。此外，目標122可以規則間隔自材料供應系統120發射。光198亦可用於確認或量測目標之發射之速率，且對速率之瞭解可用於設定光脈衝之產生的時序。

圖5為程序500之流程圖。程序500為用於檢測光學元件240之程序之實例。相對於裝置200論述程序500。程序500可藉由控制系統250執行。舉例而言，程序500可藉由處理模組251中之一或多個電子處理器執行。可在路徑221已與主焦點242對準之後且在裝置200已用於產生電漿196之後執行程序500。

利用度量衡光束108照射目標122中之一者(510)。度量衡光束108自目標122散射及/或反射以產生光198。光198自反射表面241反射且在第一感測器231處成像(520)。第一感測器231產生反射表面241之影像資料。基於所產生影像資料檢測反射表面241 (530)。

如上文所論述，目標122充當點源，且在目標122經照射同時處於主焦點242處時，自反射表面241反射之光198在中間焦點243處產生反射表面241之聚焦影像。此聚焦影像可用於檢測反射表面241。舉例而言，聚焦影像可展示由形成電漿196而已形成於反射表面241上之損害及碎片。

此外，藉由光198產生之影像為比利用EUV光197得到之反射表面241之影像更清晰的反射表面241之影像。圖6A及圖6B反射表面241之各別影像687A及687B之實例。圖6A為利用EUV光197得到之反射表面241之影像687A。圖6B為在度量衡光束108具有1070 nm之波長的實施方案中利用光198得到之反射表面241之影像687B。影像687A (圖6A)之中間區中的水平條形物為EUV偵測器。利用光198得到之反射表面241之影像更清晰且更適合於檢測反射表面241。舉例而言，影像687A及687B中存在缺陷689。然而，影像687B中之缺陷689更清晰。影像687B (其為基於光198而獲得之反射表面241之影像)允許更有效地檢測反射表面241，且可允許此檢測經由自動分析(例如，藉由實施於控制系統250上之電腦程式)或在無需自容器210移除光學元件240的情況下經由手動檢測影像來進行。

參考圖7，展示LPP EUV光源700之實施方案。LPP EUV光源700為EUV光源100 (圖1)之實施方案。可藉由將度量衡光束(諸如度量衡光束108)供應至光源700之真空腔室730之內部707中來利用EUV光源700執行程序400及500。

EUV光源700包括目標供應系統727。EUV光源700可包括產生度量衡光束之度量衡光源，諸如產生度量衡光束108之度量衡光源209 (圖2A)。EUV光源700亦可包括偵測系統，諸如偵測系統130 (圖1)或偵測系統230 (圖2A及圖2B)，其偵測藉由度量衡光束與自目標供應系統727提供之目標中之一者之間的相互作用產生的散射光。

藉由利用經放大光束710輻照電漿形成區705處之目標混合物714來形成LPP EUV光源700，該經放大光束710朝著目標混合物714沿著光束路徑行進。相對於圖1論述之目標122中之目標材料可為或包括目標混合物714。電漿形成區705處於真空腔室730之內部707內。在經放大光束710照在目標混合物714上時，目標混合物714內的目標材料轉換成具有在EUV範圍中之發射譜線之元素的電漿狀態。所產生電漿具有取決於目標混合物714內之目標材料之組成物的某些特性。此等特性可包括藉由電漿產生之EUV光之波長及自電漿釋放之碎片的類型及量。

光源700包括驅動雷射系統715，其由於雷射系統715之一或多個增益介質內的居量反轉而產生經放大光束710。光源700包括雷射系統715與電漿形成區705之間的光束遞送系統，該光束遞送系統包括光束傳送系統720及聚焦總成722。光束傳送系統720自雷射系統715接收經放大光束710，且視需要轉向及修改經放大光束710且將經放大光束710輸出至聚焦總成722。聚焦總成722接收經放大光束710且將光束710聚焦至電漿形成區705。

在一些實施方案中，雷射系統715可包括用於提供一或多個主要脈衝且在一些狀況下提供一或多個預脈衝之一或多個光學放大器、雷射及/或燈。每一光學放大器包括能夠以高增益光學地放大所要波長之增益介質、激發源及內部光學件。光學放大器可具有或可不具有形成雷射空腔之雷射鏡面或其他回饋器件。因此，雷射系統715即使在不存在雷射空腔之情況下由於雷射放大器之增益介質中之居量反轉亦產生經放大光束710。此外，雷射系統715可在存在用以向雷射系統715提供足夠回饋之雷射空腔的情況下產生作為相干雷射光束之經放大光束710。術語「經放大光束」涵蓋如下中之一或多者：來自雷射系統715之僅經放大但未必為相干雷射振盪的光，以及來自雷射系統715之經放大且亦為相干雷射振盪的光。

雷射系統715中之光學放大器可包括填充氣體(包括CO₂ )作為增益介質，且可以大於或等於900倍之增益放大在約9100 nm與約11000 nm之間的波長下且尤其在約10600 nm下的光。供用於雷射系統715中之適合放大器及雷射可包括脈衝雷射器件，例如脈衝氣體放電CO₂ 雷射器件，其例如利用以相對較高功率(例如10 kW或更高)及高脈衝重複率(例如40 kHz或更大)操作的DC或RF激發產生處於約9300 nm或約10600 nm之輻射。脈衝重複率可為例如50 kHz。雷射系統715中之光學放大器亦可包括可在較高功率下操作雷射系統715時使用的冷卻系統，諸如水。

光源700包括收集器鏡面735，該收集器鏡面735具有孔徑740以允許經放大光束710穿過且到達電漿形成區705。收集器鏡面735可為例如在電漿形成區705處具有主焦點且在中間位置745處具有次級焦點(亦稱為中間焦點)的橢球面鏡，其中EUV光可自光源700輸出且可輸入至例如積體電路微影工具(未展示)。光源700亦可包括開端式中空圓錐形護罩750 (例如，氣體錐體)，該開端式中空圓錐形護罩750自收集器鏡面735朝著電漿形成區705逐漸變窄以減小進入聚焦總成722及/或光束傳送系統720的電漿產生之碎片之量，同時允許經放大光束710到達電漿形成區705。出於此目的，可在護罩中提供氣體流，朝著電漿形成區705引導該氣體流。

光源700亦可包括連接至小滴位點偵測回饋系統756、雷射控制系統757及光束控制系統758之主控制器755。光源700可包括一或多個目標或小滴成像器760，其提供指示小滴之例如相對於電漿形成區705之位點的輸出且將此輸出提供至小滴位點偵測回饋系統756，該小滴位點偵測回饋系統756可例如計算小滴位點及軌跡，可根據該小滴位點及軌跡逐小滴地或平均地計算出小滴位點誤差。因此，小滴位點偵測回饋系統756將小滴位點誤差作為輸入提供至主控制器755。因此，主控制器755可將雷射位點、方向及時序校正信號提供至例如可用以例如控制雷射時序電路之雷射控制系統757及/或提供至光束控制系統758，該光束控制系統758用以控制經放大光束位點及光束傳送系統720之塑形以改變光束焦斑在腔室730內之位置及/或焦度。

供應系統725包括目標材料遞送控制系統726，該目標材料遞送控制系統726可回應於來自例如主控制器755之信號而操作以修改藉由目標供應系統727釋放之小滴之釋放點，以校正到達所要電漿形成區705處之小滴中的誤差。

另外，光源700可包括量測一或多個EUV光參數之光源偵測器765及770，該等EUV光參數包括但不限於脈衝能量、隨波長而變之能量分佈、在特定波長帶內之能量、在特定波長帶外之能量及EUV強度及/或平均功率之角度分佈。光源偵測器765產生供主控制器755使用之回饋信號。回饋信號可例如指示為有效及高效EUV光產生而在適當的地點及時間恰當地攔截小滴之雷射脈衝的諸如時序及焦點之參數中的誤差。

光源700亦可包括導引雷射775，其可用於對準光源700之各個區段或輔助將經放大光束710轉向至電漿形成區705。結合導引雷射775，光源700包括度量衡系統724，其置放於聚焦總成722內以對來自導引雷射775之光之一部分以及經放大光束710進行取樣。在其他實施方案中，度量衡系統724置放於光束傳送系統720內。度量衡系統724可包括對光之子集進行取樣或重新引導之光學元件，此光學元件由可耐受導引雷射光束及經放大光束710之功率的任何材料製成。光束分析系統藉由度量衡系統724及主控制器755形成，此係由於主控制器755分析來自導引雷射775之經取樣光且使用此資訊以經由光束控制系統758調整聚焦總成722內之組件。

因此，綜上所述，光源700產生經放大光束710，其沿著光束路徑經引導以輻照電漿形成區705處之目標混合物714，以將混合物714內之目標材料轉換成發射EUV範圍內之光的電漿。經放大光束710在基於雷射系統715之設計及性質而判定之特定波長(其亦稱為驅動雷射波長)下操作。另外，在目標材料將足夠回饋提供回至雷射系統715中以產生相干雷射光時或在驅動雷射系統715包括適合光學回饋以形成雷射空腔的情況下，經放大光束710可為雷射光束。

在以下編號條項中闡述本發明之其他態樣。 1. 一種裝置，其包含： 容器，其包含內部空間； 材料供應系統，其經組態以沿著內部空間中之路徑提供包含目標材料之目標，其中目標材料在處於電漿狀態中時產生極紫外光(EUV)光； 偵測系統，其經組態以偵測藉由度量衡光束與目標中之一者之間的相互作用產生的散射光且基於相互作用產生資訊，其中度量衡光束並不將目標材料轉換成電漿狀態；以及 控制系統，其經組態以基於藉由偵測系統產生之資訊而調整路徑。 2.      如條項1之裝置，其進一步包含： 內部空間中之反射光學元件，該反射光學元件包含主焦點及中間焦點，且其中 控制系統經組態以調整路徑以使得路徑與反射光學元件之主焦點相交。 3.      如條項2之裝置，其中控制系統經進一步組態以調整沿著容器中之傳播方向引導光之轉向元件以使得傳播方向與主焦點相交。 4.      如條項2之裝置，其中偵測系統經組態以在散射光已自反射光學元件反射之後偵測散射光。 5.      如條項2之裝置，其中偵測系統包含成像感測器，且偵測系統經組態以在散射光已自反射光學元件反射之後使散射光成像。 6.      如條項2之裝置，其中偵測系統包含中間焦點處或中間焦點與自裝置接收光之掃描器裝置之間的位置處之組件。 7.      如條項6之裝置，其中組件包含遮罩，且偵測系統進一步包含經組態以偵測藉由遮罩透射之光的偵測器。 8.      如條項6之裝置，其中組件包含經組態以置放於中間焦點處或自中間焦點移除之偵測器。 9.      如條項6之裝置，其中組件包含成像平面，該成像平面包含使得散射光藉由成像系統感測之材料。 10.    如條項9之裝置，其中成像平面包含磨砂玻璃。 11.    如條項9之裝置，其中成像平面包含隔膜或表膜。 12.    如條項9之裝置，其中成像平面大體上阻擋目標材料碎片。 13.    如條項1之裝置，其中沿著路徑之每一點為三維座標系統中之位置，且控制系統經組態以調整路徑之點中之至少一者在三個維度中之至少兩者中的位置。 14.    如條項13之裝置，其中控制系統經組態以藉由控制材料供應系統來調整路徑之位置。 15.    如條項1之裝置，其進一步包含度量衡光源。 16.    如條項15之裝置，其中度量衡光源為經組態以產生可見光之雷射或經組態以產生紅外光之雷射。 17.    如條項15之裝置，其中度量衡光源為脈衝光源，與度量衡光束包含複數個光脈衝。 18.    如條項15之裝置，其中度量衡光源為連續波光源，且度量衡光束包含連續波光束。 19.    一種極紫外光(EUV)光源，其包含： 容器； 目標材料供應系統，其經組態以將目標提供至容器之內部，其中目標包含在處於電漿狀態中時發射EUV光之目標材料且目標沿著路徑在容器之內部中行進；以及 裝置，其經組態以使目標之路徑與容器之內部中的光學元件之焦點對準，該裝置包含： 偵測系統，其經組態以偵測藉由度量衡光束與目標中之一者之間的相互作用產生的散射光且基於相互作用產生資訊，其中度量衡光束並不將目標材料轉換成電漿狀態，且目標中之該一者經組態以在藉由度量衡光束照射時充當點光源；以及 控制系統，其經組態以基於藉由偵測系統產生之資訊而調整目標之路徑。 20.    如條項19之EUV光源，其進一步包含轉向元件，該轉向元件經組態以接收具有足以將目標材料中之至少一些轉換成電漿狀態之能量的經放大光束。 21.    如條項19之EUV光源，其進一步包含最終轉向元件，該最終轉向元件包含經組態以調整入射光束之方向的轉向鏡面。 22.    如條項21之EUV光源，其中最終轉向鏡面在容器外部。 23.    如條項19之EUV光源，其中光學元件為包含主焦點及中間焦點之反射光學元件，且裝置經組態以使目標之路徑與反射光學元件之主焦點對準。 24.    如條項23之EUV光源，其中偵測系統包含：第一感測器，其經組態以偵測中間焦點處之目標中之一者的影像；以及第二感測器，其中反射光學元件處於第二感測器與第一感測器之間。 25.    一種方法，其包含： 沿著容器之內部中之路徑引導目標，每一目標包含在處於電漿狀態中時發射EUV光之目標材料； 將度量衡光束提供至容器之內部以產生散射光，該散射光由度量衡光束與目標中之一者之間的相互作用產生； 在偵測系統處偵測散射光；以及 基於關於來自偵測系統之散射光的資訊而調整路徑。 26.    一種用於光學系統之裝置，該裝置包含： 偵測系統，其包含經組態以接收散射度量衡光之組件，該散射度量衡光包含自目標散射之光，其中 每一目標在路徑上行進，每一目標包含反射度量衡光之目標材料，且每一目標經組態以在藉由度量衡光照射時充當點光源；且 裝置進一步包含控制系統，該控制系統經組態以調整每一目標之路徑以與光學系統之主焦點相交。 27.    如條項26之裝置，其中目標包含在處於電漿狀態中時發射EUV光之目標材料，且目標為一連串移動目標中之一個目標。 28.    如條項27之裝置，其中目標大體上為球形。 29.    一種用於檢測極紫外光(EUV)光源之容器中之光學元件的方法，該方法包含： 利用度量衡光束照射目標以散射來自目標之度量衡束，其中目標包含在處於電漿狀態中時發射EUV光之目標材料，且度量衡光束並不將目標材料轉換成電漿狀態； 使容器中之接收散射度量衡束之光學元件成像；以及 基於經成像光學元件而檢測光學元件。 30.    一種方法，其包含： 將度量衡光束提供至容器之內部； 使藉由度量衡光束與目標材料小滴之間的相互作用產生的散射光成像以判定關於路徑的資訊，其中散射光自與主焦點及次級焦點相關聯的光學元件反射； 基於資訊而調整路徑以使得路徑與光學元件之主焦點相交；以及 調整轉向元件以沿著與主焦點相交之傳播方向引導光，其中 度量衡光束與目標材料小滴之間的相互作用並不產生發射EUV光之電漿。 31.    如條項30之方法，其進一步包含： 在調整路徑之後以及在調整轉向元件之後，將經放大光束提供至經調整轉向元件以使得該經放大光束經提供至主焦點，且其中 經放大光束具有足以將目標材料小滴中之目標材料中之至少一些轉換成發射EUV光之電漿的能量。 32.    如條項31之方法，其中轉向元件包含接收散射光中之一些之反射光學元件，且調整轉向元件包含移動該轉向元件以及使散射光成像以對準反射光學元件使得傳播方向與光學元件之主焦點相交。 33.    如條項32之方法，其中散射光在光學元件之次級焦點處以及在經放大光束之源與光學元件之間的位置處成像。

上述實施方案及其他實施方案在申請專利範圍之範疇內。

100:裝置 106:經放大光束 108:度量衡光束 110:容器 112:內部空間 113:噴嘴 120:材料供應系統 121:路徑 122:目標 130:偵測系統 150:控制系統 196:電漿 197:EUV光 198:光 200:裝置 205:光源 207:檢視區 209:度量衡光源 210:容器 211:外部區 212:內部 221:路徑 230:偵測系統 231:第一感測器 232:主動感測元件 238:第二感測器 239:主動元件 240:反射光學元件 241:反射表面 242:主焦點 243:中間焦點 245:通孔 250:控制系統 251:電子處理模組 252:電子儲存器 253:I/O介面 254:資料連接 262:致動器 263:光學元件 264:光學元件 265:光學路徑 267:致動器 299:掃描器裝置 331A:可移動感測器 331C:感測器 331D:可移動感測器 334:移動系統 337:組件 337D:組件 346:透明部分 347:中心 348:不透明部分 400:程序 410:提供第一感測器 420:將度量衡光束提供至內部 430:分析來自第一感測器之資訊 440:判定路徑是否與主焦點相交 450:調整路徑 460:分析來自第二感測器之資訊 470:第二感測器是否與主焦點對準 480:調整光學元件 500:程序 510:利用度量衡光束照射目標中之一者 520:光自反射表面反射且在第一感測器處成像 530:基於所產生影像資料檢測反射表面 687A:影像 687B:影像 689:缺陷 700:LPPEUV光源 705:電漿形成區 707:內部 710:經放大光束 714:目標混合物 715:驅動雷射系統 720:光束傳送系統 722:聚焦總成 724:度量衡系統 725:供應系統 726:目標材料遞送控制系統 727:目標供應系統 730:真空腔室 735:收集器鏡面 740:孔徑 745:中間位置 750:開端式中空圓錐形護罩 755:主控制器 756:小滴位點偵測回饋系統 757:雷射控制系統 758:光束控制系統 760:目標或小滴成像器 765:光源偵測器 770:光源偵測器 775:導引雷射

圖1為裝置之方塊圖。

圖2A及圖2B為另一裝置之方塊圖。

圖2C為圖2A及圖2B之裝置之光學元件的透視圖。

圖3A至圖3E為圖2A及圖2B之裝置之第一感測器的各種實例實施方案的方塊圖。

圖4為用於對準光源之程序之實例的流程圖。

圖5為用於檢測光學元件之程序之實例的流程圖。

圖6A為反射表面之影像。

圖6B為反射表面之另一影像。

圖7為EUV光源之方塊圖。

108:度量衡光束

113:噴嘴

120:材料供應系統

122:目標

198:光

200:裝置

205:光源

207:檢視區

209:度量衡光源

210:容器

211:外部區

212:內部

221:路徑

230:偵測系統

231:第一感測器

232:主動感測元件

238:第二感測器

239:主動元件

240:反射光學元件

241:反射表面

242:主焦點

243:中間焦點

245:通孔

250:控制系統

251:電子處理模組

252:電子儲存器

253:I/O介面

254:資料連接

262:致動器

263:光學元件

264:光學元件

265:光學路徑

267:致動器

299:掃描器裝置

Claims (33)

1. 一種裝置，其包含： 一容器，其包含一內部空間； 一材料供應系統，其經組態以沿著該內部空間中之一路徑提供包含目標材料之目標，其中該目標材料在處於一電漿狀態中時產生極紫外光(EUV)光； 一偵測系統，其經組態以偵測藉由一度量衡光束與該等目標中之一者之間的一相互作用產生的散射光且基於該相互作用產生資訊，其中該度量衡光束並不將該目標材料轉換成該電漿狀態；以及 一控制系統，其經組態以基於藉由該偵測系統產生之該資訊而調整該路徑。
2. 如請求項1之裝置，其進一步包含： 該內部空間中之一反射光學元件，該反射光學元件包含一主焦點及一中間焦點，且其中 該控制系統經組態以調整該路徑以使得該路徑與該反射光學元件之該主焦點相交。
3. 如請求項2之裝置，其中該控制系統經進一步組態以調整沿著該容器中之一傳播方向引導光之一轉向元件以使得該傳播方向與該主焦點相交。
4. 如請求項2之裝置，其中該偵測系統經組態以在該散射光已自該反射光學元件反射之後偵測該散射光。
5. 如請求項2之裝置，其中該偵測系統包含一成像感測器，且該偵測系統經組態以在該散射光已自該反射光學元件反射之後使該散射光成像。
6. 如請求項2之裝置，其中該偵測系統包含該中間焦點處或該中間焦點與自該裝置接收光之一掃描器裝置之間的一位置處之一組件。
7. 如請求項6之裝置，其中該組件包含一遮罩，且該偵測系統進一步包含經組態以偵測藉由該遮罩透射之光的一偵測器。
8. 如請求項6之裝置，其中該組件包含經組態以置放於該中間焦點處或自該中間焦點移除之一偵測器。
9. 如請求項6之裝置，其中該組件包含一成像平面，該成像平面包含使得該散射光藉由一成像系統感測之一材料。
10. 如請求項9之裝置，其中該成像平面包含磨砂玻璃。
11. 如請求項9之裝置，其中該成像平面包含一隔膜或一表膜。
12. 如請求項9之裝置，其中該成像平面大體上阻擋目標材料碎片。
13. 如請求項1之裝置，其中沿著該路徑之每一點為一三維座標系統中之一位置，且該控制系統經組態以調整該路徑之該等點中之至少一者在該三個維度中之至少兩者中的該位置。
14. 如請求項13之裝置，其中該控制系統經組態以藉由控制該材料供應系統來調整該路徑之該位置。
15. 如請求項1之裝置，其進一步包含一度量衡光源。
16. 如請求項15之裝置，其中該度量衡光源為經組態以產生可見光之一雷射或經組態以產生紅外光之一雷射。
17. 如請求項15之裝置，其中該度量衡光源為一脈衝光源，且該度量衡光束包含複數個光脈衝。
18. 如請求項15之裝置，其中該度量衡光源為一連續波光源，且該度量衡光束包含一連續波光束。
19. 一種極紫外光(EUV)光源，其包含： 一容器； 一目標材料供應系統，其經組態以將目標提供至該容器之一內部，其中該等目標包含在處於一電漿狀態中時發射EUV光之一目標材料且該等目標沿著一路徑在該容器之該內部中行進；以及 一裝置，其經組態以使該等目標之該路徑與該容器之該內部中的一光學元件之一焦點對準，該裝置包含： 一偵測系統，其經組態以偵測藉由一度量衡光束與該等目標中之一者之間的一相互作用產生的散射光且基於該相互作用產生資訊，其中該度量衡光束並不將該目標材料轉換成該電漿狀態，且該等目標中之該一者經組態以在藉由該度量衡光束照射時充當一點光源；以及 一控制系統，其經組態以基於藉由該偵測系統產生之該資訊而調整該等目標之該路徑。
20. 如請求項19之EUV光源，其進一步包含一轉向元件，該轉向元件經組態以接收具有足以將該目標材料中之至少一些轉換成該電漿狀態之一能量的一經放大光束。
21. 如請求項19之EUV光源，其進一步包含一最終轉向元件，該最終轉向元件包含經組態以調整一入射光束之一方向的一轉向鏡面。
22. 如請求項21之EUV光源，其中該最終轉向鏡面在該容器外部。
23. 如請求項19之EUV光源，其中該光學元件為包含一主焦點及一中間焦點之一反射光學元件，且該裝置經組態以使該等目標之該路徑與該反射光學元件之該主焦點對準。
24. 如請求項23之EUV光源，其中該偵測系統包含：一第一感測器，其經組態以偵測該中間焦點處之該等目標中之該一者的一影像；以及一第二感測器，其中該反射光學元件處於該第二感測器與該第一感測器之間。
25. 一種方法，其包含： 沿著一容器之一內部中之一路徑引導目標，每一目標包含在處於一電漿狀態中時發射EUV光之目標材料； 將一度量衡光束提供至該容器之該內部以產生散射光，該散射光由該度量衡光束與該等目標中之一者之間的一相互作用產生； 在一偵測系統處偵測該散射光；以及 基於關於來自該偵測系統之該散射光的資訊而調整該路徑。
26. 一種用於一光學系統之裝置，該裝置包含： 一偵測系統，其包含經組態以接收散射度量衡光之一組件，該散射度量衡光包含自一目標散射之光，其中 每一目標在一路徑上行進，每一目標包含反射該度量衡光之目標材料，且每一目標經組態以在藉由該度量衡光照射時充當一點光源；且 該裝置進一步包含一控制系統，該控制系統經組態以調整每一目標之該路徑以與該光學系統之一主焦點相交。
27. 如請求項26之裝置，其中該目標包含在處於一電漿狀態中時發射EUV光之目標材料，且該目標為一連串移動目標中之一個目標。
28. 如請求項27之裝置，其中該目標大體上為球形。
29. 一種用於檢測一極紫外光(EUV)光源之一容器中之一光學元件的方法，該方法包含： 利用一度量衡光束照射一目標以散射來自該目標之該度量衡束，其中該目標包含在處於一電漿狀態中時發射EUV光之目標材料，且該度量衡光束並不將該目標材料轉換成該電漿狀態； 使該容器中之接收該散射度量衡束之一光學元件成像；以及 基於該經成像光學元件而檢測該光學元件。
30. 一種方法，其包含： 將一度量衡光束提供至一容器之一內部； 使藉由該度量衡光束與一目標材料小滴之間的一相互作用產生的散射光成像以判定關於該路徑的資訊，其中該散射光自與一主焦點及一次級焦點相關聯的一光學元件反射； 基於該資訊而調整該路徑以使得該路徑與該光學元件之該主焦點相交；以及 調整一轉向元件以沿著與該主焦點相交之一傳播方向引導光，其中 該度量衡光束與該目標材料小滴之間的該相互作用並不產生發射EUV光之一電漿。
31. 如請求項30之方法，其進一步包含： 在調整該路徑之後以及在調整該轉向元件之後，將一經放大光束提供至該經調整轉向元件以使得該經放大光束經提供至該主焦點，且其中 該經放大光束具有足以將該目標材料小滴中之該目標材料中之至少一些轉換成發射EUV光之電漿的一能量。
32. 如請求項31之方法，其中該轉向元件包含接收該散射光中之一些之一反射光學元件，且調整該轉向元件包含移動該轉向元件以及使該散射光成像以對準該反射光學元件使得該傳播方向與該光學元件之該主焦點相交。
33. 如請求項32之方法，其中該散射光在該光學元件之該次級焦點處以及在該經放大光束之一源與該光學元件之間的一位置處成像。

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