CN115669232A - 极紫外光源的对准 - Google Patents

Abstract

一种装置包括：容器，包括内部空间；材料供应系统，被配置为沿内部空间中的路径提供包括靶材料的靶；检测系统，被配置为检测由靶中的一者与量测光束之间的相互作用产生的散射光，并基于相互作用产生信息；以及控制系统，被配置为基于由检测系统产生的信息来调整路径。靶材料在等离子状态下产生极紫外(EUV)光。量测光束不将靶材料转换成等离子体状态。

Description

极紫外光源的对准

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月28日提交的题为“ALIGNMENT OF EXTREME ULTRAVIOLETLIGHT SOURCE”的美国申请号63/031,265的优先权，通过引用将本申请的全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及用于对准极紫外(EUV)光源的技术。

背景技术

EUV光可以是例如具有100纳米(nm)或更小的波长的电磁辐射(有时也被称为软x射线)，并且该EUV光包括例如20nm或更小、在5和20nm之间、或在13nm和14nm之间的波长的光，且该EUV光可以用于光刻工艺中，以通过在抗蚀剂层中引发聚合而在例如硅晶片的衬底中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不必限于：将如下的材料转换成等离子体状态，该材料包括具有EUV范围内的发射线的例如氙、锂或锡等的元素。在一种这样的方法中，通常被称为激光产生的等离子体(LPP)，通过用被称为驱动激光器的放大光束来辐射(例如，以液滴、板、带、流或团簇的形式的)靶材料，可以产生所需的等离子体。对于该过程，等离子体通常在密封的容器(例如，真空腔)中产生，并使用各种类型的量测设备来进行监测。

发明内容

在一个方面，一种装置包括：容器，包括内部空间；材料供应系统，被配置为沿内部空间中的路径提供包括靶材料的靶；检测系统，被配置为检测由靶中的一者与量测光束之间的相互作用产生的散射光，并基于相互作用产生信息；以及控制系统，被配置为基于由检测系统产生的信息来调整路径。靶材料在等离子体状态下产生极紫外(EUV)光。量测光束不将靶材料转换成等离子体状态。

实施方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

该装置还可以包括在内部空间中的反射光学元件。该反射光学元件可以包括主焦点和中间焦点。控制系统可以被配置为调整路径，使得该路径与反射光学元件的主焦点相交。控制系统还可以被配置为调整沿容器中的传播方向引导光的转向元件，以使得传播方向与主焦点相交。检测系统可以被配置为在散射光已被反射光学元件反射之后检测散射光。检测系统可以包括成像传感器，并且检测系统可以被配置为在散射光已被从反射光学元件反射之后对散射光进行成像。检测系统可以包括在中间焦点处、或在中间焦点和从装置接收光的扫描仪装置之间的位置处的部件。该部件可以包括掩模，并且检测系统还可以包括被配置为检测由掩模透射的光的检测器。该部件可以包括检测器，其被配置为被放置在中间焦点处或被从中间焦点移除。该部件可以包括成像平面。成像平面可以包括使散射光被成像系统感测到的材料。成像平面可以包括磨砂玻璃。成像平面可以包括膜或表膜。成像平面可以基本上阻挡靶材料碎片。

沿着路径的每个点可以是三维坐标系中的位置，并且控制系统可以被配置为：在三维中的至少两维中，调整路径的至少一个点的位置。控制系统可以被配置为通过控制材料供应系统来调整路径的位置。

该装置还可以包括量测光源。量测光源可以是被配置为产生可见光的激光器、或被配置为产生红外光的激光器。量测光源可以是脉冲光源，并且量测光束可以包括多个光脉冲。量测光源可以是连续波光源，并且量测光束可以包括连续波光束。

在另一方面中，一种极紫外(EUV)光源包括：容器；靶材料供应系统，被配置为向容器的内部提供靶；以及装置。靶包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料，并且靶在容器的内部沿路径行进。该装置被配置为将靶的路径与容器内部的光学元件的焦点对准。该装置包括：检测系统，被配置为检测由靶中的一者与量测光束之间的相互作用产生的散射光，并基于相互作用产生信息；以及控制系统，被配置为基于由检测系统产生的信息来调整靶的路径。量测光束不将靶材料转换成等离子体状态，并且靶中的一者被配置为当被量测光束照射时充当点光源。

实施方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

EUV光源还可包括转向元件，其被配置为接收放大光束，该放大光束具有足以将至少一些靶材料转换成等离子态的能量。

EUV光源还可包括最终转向元件，该最终转向元件可以包括被配置为调整入射光束方向的转向镜。最终转向镜可以在容器外。

光学元件可以是反射光学元件，该反射光学元件可以包括主焦点和中间焦点，并且该装置可以被配置为将靶的路径与反射光学元件的主焦点对准。检测系统可以包括：第一传感器和第二传感器，第一传感器被配置为检测靶中的一者的在中间焦点处的图像。反射光学元件可以在第二传感器和第一传感器之间。

在另一方面，一种方法包括：沿着容器的内部中的路径引导靶；向容器的内部提供量测光束以产生散射光；在检测系统处检测散射光；以及基于关于来自检测系统的散射光的信息来调整路径。每个靶包括在等离子体状态下发射EUV光的靶材料。散射光由量测光束和靶中的一者之间的相互作用产生。

在另一方面，一种用于光学系统的装置包括：检测系统，包括被配置为接收散射量测光的部件；以及控制系统。散射量测光包括从靶散射的光。每个靶在路径上行进，每个靶包括反射量测光的靶材料，并且每个靶被配置为当被量测光照射时充当点光源。控制系统被配置为调整每个靶的路径以与光学系统的主焦点相交。

实施方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

靶可以包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料，并且靶可以是运动靶流中的一个靶。靶可以基本上是球形的。

在另一方面，一种用于检查极紫外(EUV)光源的容器中的光学元件的方法包括：用量测光束照射靶，以从靶散射量测光束；对容器中的接收散射量测光束的的光学元件进行成像；以及基于被成像的光学元件检查光学元件。靶包括当处于等离子态时发射EUV光的靶材料，并且量测光束不将靶材料转换成等离子态。

在另一方面，一种方法包括：向容器的内部提供量测光束；对由量测光束与靶材料液滴之间的相互作用产生的散射光进行成像以确定关于路径的信息，散射光从与主焦点和次级焦点相关联的光学元件反射；基于信息调整路径，使得路径与光学元件的主焦点相交；以及调整转向元件以沿着与主焦点相交的传播方向引导光。量测光束和靶材料液滴之间的相互作用不产生发射EUV光的等离子体。

实施方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。

该方法还可以包括：在调整路径之后和在调整转向元件之后，将放大光束提供给经调整的转向元件，使得放大光束被提供给主焦点。放大光束可以具有足以将靶材料液滴中的至少一些靶材料转换成发射EUV光的等离子体的能量。转向元件可以包括接收散射光中的一些散射光的反射光学元件，并且调整转向元件可以包括：移动转向元件和对散射光进行成像以对准反射光学元件，使得传播方向与光学元件的主焦点相交。散射光可以在光学元件的次级焦点处以及在放大光束源和光学元件之间的位置处被成像。

上述任何技术的实施方式可以包括EUV光源、系统、方法、工艺、设备或装置。在附图和以下描述中阐述了一个或多个实施方式的细节。从描述和附图以及从权利要求中，其他特征将是显而易见的。

附图说明

图1是装置的框图。

图2A和图2B是另一装置的框图。

图2C是图2A和图2B的装置的光学元件的透视图。

图3A-3E是图2A和图2B的装置的第一传感器的各种示例实施方式的框图。

图4是用于对准光源的过程的示例的流程图。

图5是用于检查光学元件的过程的示例的流程图。

图6A是反射表面的图像。

图6B是反射表面的另一图像。

图7是EUV光源的框图。

具体实施方式

图1是装置100的框图。装置100是发射极紫外(EUV)光197的EUV光源。通过产生发射EUV光197的等离子体196而生成EUV光197。通过用放大光束106辐射靶122形成等离子体196。如下所述，装置100包括检测系统130。检测系统130允许使用反射或散射光198来使装置100被对准而不产生等离子体196。反射或散射光198由靶122中的一者和量测光束108之间的相互作用产生。靶122和量测光束108之间的相互作用不干扰靶122并且不产生等离子体196。在不产生等离子体196的情况下对准装置100允许装置100更容易和有效地被对准。例如，装置100可以在由最终用户安装和使用之前由制造商对准。这导致减少的安装时间和对于最终用户更有成效的体验。此外，因为等离子体196还发射可能损坏装置100中的部件、系统和器件的碎片，所以通过用光198来对准装置100并且不产生等离子体196，装置100的寿命和整体性能增加。

装置100包括具有内部空间112的容器110。内部空间112是保持真空的真空空间。装置100还包括通过喷嘴113发射靶122的材料供应系统120。为了简单起见，在图1中仅标记了一个靶122。然而，材料供应系统120可以发射多于一个靶122。靶122在内部112中沿着路径121行进。在图1的示例中，路径121通常沿X方向。

材料供应系统120沿着路径121递送、控制和引导靶122。靶122由靶混合物制成，该靶混合物呈例如液滴、包括固体颗粒或团簇的液滴、被包含在液滴内的固体颗粒或被包含在液流内的固体颗粒的形式。靶122可以基本上是球形的，并且可以是例如约15μm至40μm的直径。靶混合物包括靶材料。靶材料是在转换成等离子体状态时具有EUV范围内的发射线的任何材料。靶材料可以是例如水、锡、锂和/或氙、或包括这种材料的物质。例如，元素锡可以用作纯锡(Sn)；作为锡化合物，例如SnBr₄、SnBr₂、SnH₄；作为锡合金，例如，锡-镓合金、锡-铟合金、锡-铟-镓合金或这些合金的任何组合。靶混合物还可以包括诸如非靶颗粒的杂质。因此，在没有杂质的情况下，靶混合物仅由靶材料组成。

放大光束106和靶122中的一者之间的相互作用产生等离子体196。放大光束106是具有足以将靶122中的至少一些靶材料转换成等离子体196的能量的任何类型的光束。放大光束106可以是由诸如图2A和图2B的光源205的光源产生的脉冲激光束。量测光束108也在内部112中传播。量测光束108与靶122相互作用并且产生光198，该光198是反射和/或散射光，但该相互作用不改变靶122的特性(诸如例如，尺寸、形状和/或密度)或不将靶材料转换成等离子体196。换句话说，量测光束108是通过与靶122相互作用而产生光198但不干扰靶122的光学探针。

检测系统130检测光198、并将与光198相关的信息提供给控制系统150。控制系统150作用于装置100的一个或多个部件，以使用来自检测系统130的信息来对准装置100。例如，控制系统150可以控制材料供应系统120以调整路径121，使得路径121(和靶122)与内部112中的光学元件(诸如图2A-2C的反射光学元件240)的主焦点相交。在另一示例中，控制系统150基于关于光198的信息调整光学元件(诸如光学元件263)，该光学元件使得放大光束106转向转向。

参考图2A和图2B，示出了装置200的框图。装置200是装置100(图1)的实施方式。图2A示出了当量测光束108与靶122中的一者相互作用并产生光198时的装置200。图2B示出了当放大光束106与另一个靶122相互作用并产生等离子体196时的稍后时间的装置200。

装置200包括容器210和供应系统120，该供应系统120向容器210的内部212提供靶122。靶122沿路径221行进。装置200还包括量测光源209和主光源205。量测光源209产生量测光束108。主光源205产生放大光束106。

装置200还包括内部212中的光学元件240。图2A和图2B示出了光学元件240的侧截面图。图2C示出了光学元件240的透视图。光学元件240是具有反射表面241和通孔245的椭圆抛物面镜。反射表面241是弯曲的。通孔245大致位于反射表面241的中心，并且一直穿过光学元件240。通孔245为放大光束106提供通道。主焦点242处的点光源被反射表面241聚焦到中间焦点243。主焦点242位于反射表面241和中间焦点243之间。反射表面241由反射EUV光197和光198的材料制成。因此，反射表面241将入射EUV光197和入射光198反射到中间焦点243并朝向扫描仪装置299。

为了优化由光学元件240收集并被提供给扫描仪装置299的EUV光197的量，路径221和放大光束106的传播路径与主焦点242对准。换句话说，路径221和光束106被引导穿过主焦点242。传统上，使用EUV光197将路径221和放大光束106与主焦点242对准。例如，一些现有系统重复地生成等离子体196，并在调整路径221和/或放大光束106的传播方向时，测量产生的EUV光197的量。当产生最大量的EUV光197时，假定放大光束106和路径221与主焦点242对准或几乎对准。这种方法需要产生等离子体196，这会损坏表面241或内部212中的其它物体。此外，因为每个系统具有其自身与主焦点242的错位，所以传统方法没有相对于应当与主焦点242对准的所有系统来定位主焦点242。此外，传统方法需要在更换或移动与主焦点242对准的部件以进行维修的任何时间重复。

另一方面，装置200使用不需要产生等离子体196的光198来将路径221和放大光束106与主焦点242对准。通过使用光198代替EUV光197，装置200避免了传统方法可能发生的污染和损坏。此外，因为EUV光197不用于对准，所以装置200可以在不产生任何等离子体196的情况下对准。因此，装置200可以在最终用户安装和使用之前被制造商对准。此外，使用光198允许多个系统(供应系统120、主光源205和量测光源209)被对准到公共点(主焦点242)。换句话说，从靶122散射的光用于识别主焦点242相对于多个系统和部件的位置，从而在不产生等离子体196的情况下允许供应系统120、量测光源209和主光源205与主焦点242对准。

在讨论使用灯198来对准装置200的示例之前，更详细地讨论装置200的配置。

再次参考图2A，量测光源209在检视口207处被耦合到容器210的外部区域211。检视口207被密封在外部区域211处，使得真空可以被维持在内部212中。检视口207包括对量测光束108中的波长透明的窗口或其它元件。量测光源209产生量测光束108，并且光束108穿过检视口207的透明部分并在内部212中传播。量测光源209可以是例如激光器。量测光束108可以是连续光束或者可以是脉冲光束。量测光束108可以包括可见光区域(约380纳米至740纳米(nm))和/或近红外(NIR)区域(约0.7μm至5μm)中的波长。例如，量测光源209可以是产生具有以下中心波长的光的激光器：523nm、808nm、820nm、908nm、980nm、1064nm、1070nm或1550nm。

参考图2B，主光源205发射放大光束106。主光源205可以是能够发射放大光束106的任何类型的光源。例如，主光源205可以是二氧化碳(CO₂)激光器。放大光束106的中心波长可以是例如10.6μm或介于9μm和11μm之间的另一波长。放大光束106可以是脉冲光束。

光束106经由光路265行进到内部空间212。光学路径265由光学元件263和264限定。在所示的示例中，光学元件263和264是诸如反射镜的反射光学元件。然而，引导光的任何类型的光学元件都可以用作元件263和264。在图2A和图2B的示例中，示出了两个光学元件。然而，更少或更多的光学元件可以限定路径265。在图2A和图2B的示例中，光学元件263和264在容器210的外部。然而，在其他实施方式中，光学元件264在内部212内。在一些实施方式中，光学元件264和263都在内部212中。

光学元件263被耦合到致动器262，而光学元件264被耦合到致动器267。每个致动器262和267是可控的以分别移动光学元件263和264的任何类型的设备。例如，每个致动器262和267可以包括马达、铰链、平移台或这些元件的组合。每个致动器262和267可以手动地调整，或者每个致动器262和267可以被耦合到用于电子控制的控制系统250。通过控制致动器262和267中的一个或多个致动器来调整放大光束106在内部212中的传播方向。

装置200还包括检测系统230，其从一个或多个传感器接收关于光198的信息。在图2A和图2B的示例中，检测系统230包括第一传感器231和第二传感器238。第一传感器231包括有源元件232，其被配置为感测中间焦点243处或附近的光198。有源元件232是对光198敏感的任何类型的有源元件。有源元件232可以是在特定位置处产生一定量的感测光的单个元件，或者有源元件232可以是产生二维图像数据的二维传感器阵列。图3A-3E涉及第一传感器231的各种示例实施方式。

图3A和图3B示出了第一传感器231是可移动传感器331A的实施方式，该可移动传感器331A包括有源感测元件232。可移动传感器331A机械地被安装到使可移动传感器331A能够移动的移动系统334。例如，安装系统334可以是臂或轨道。安装系统334可以是手动可控的、或者可以被耦合到控制系统250。当被激活时，安装系统334将第一传感器331A从第一位置(图3A)移动到第二位置(图3B)。当传感器331A处于第一位置时，传感器331A相对于中间焦点243在X方向上移位。当传感器331A处于第二位置时，有源感测元件232处于中间焦点243处。因此，当传感器331A处于第二位置时，有源元件232被定位成捕获从反射表面241反射的光。当传感器331A处于第一位置时，有源元件232不被定位成捕获从反射表面241反射的光，并且传感器331A不阻挡从表面241反射的光。如上所述，在装置200的操作使用期间，EUV光197穿过中间焦点243并进入扫描仪装置299。因此，当传感器331A处于第一位置时，它不会阻止EUV光197到达扫描仪装置299。换句话说，当装置200正被用于产生EUV光197时，传感器331A被定位在第一位置(图3A)处，而当装置200被对准时，传感器331A被定位在第二位置(图3B)处。

图3C是传感器331C和部件337的框图。传感器331C是传感器231(图2A和图2B)的另一实施方式，并且传感器331C包括有源感测元件232。传感器331C被远离中间焦点243定位，并且部件337用于将光198散射到有源感测元件232。部件337是散射光198的任何物体。例如，部件337可以是磨砂玻璃、成像屏、表膜或膜。部件337可以被定位在中间焦点243处或相对于中间焦点243在Z或-Z方向上移位的位置处。在图3C所示的示例中，该部件相对于中间焦点243在Z方向上移位。

部件337可以是仅当光198被测量时被定位在中间焦点243处或附近、并且当EUV光197被产生时被移除的可移动部件。在一些实施方式中，部件337散射光198中的波长，但透射EUV光197。在这些实施方式中，部件337不干涉EUV光197到扫描仪装置299的递送，并且在装置200正被用于产生EUV光197时保持在适当位置。此外，这种类型的部件337还可以防止或禁止来自等离子体196的碎片到达扫描仪299。

图3D是反射表面241、可移动传感器331D和部件337D的透视图。部件337D是掩模。图3E是X-Y平面中的掩模337D的框图。掩模337D包括透明部分346和不透明部分348。透明部分346由在光198的波长处透明或透射的材料制成。例如，透明部分346可以由石英或塑料制成。不透明部分348由阻挡或不透射光198中的波长的材料制成。

掩模337D的透明部分346的中心347位于中间焦点243处。中心347在X和Y方向上与光学元件240的中心对准。透明部分346具有与反射表面241的聚焦图像相同的形状。当主焦点242处的点光源照射反射表面241时，在中间焦点243处形成反射表面241的聚焦图像。当被量测光束109照射时，靶122充当点光源。因此，当靶122在主焦点242处时，反射表面241的图像聚焦在中间焦点243处。当靶122在主焦点242时，由透明部分346透射的光量是最大的。

可移动传感器331D沿X和-X方向和/或Y和-Y方向是可移动的。当可移动传感器331D被定位以测量穿过透明部分346的光时，可移动传感器331D在X-Y平面中与透明部分346的中心347对准，并且相对于透明部分346的中心在Z方向上移位。当装置200未被对准时，掩模337D和传感器331D可沿X或-X和/或Y和-Y方向被移动，使得它们不再与从反射表面241反射的光相互作用。

回到图2A和图2B，检测系统230还包括第二传感器238。第二传感器238包括对光线198中的波长敏感的有源元件239。有源元件239可以是例如捕获二维数据的成像传感器。第二传感器238被沿着光路265定位。光198的一部分在-Z方向上并沿光路265传播通过通孔245。这部分光198被称为返回光198或反向光198。第二传感器238用于检测返回光198。例如，可以定位有源元件239以接收返回光198的来自反射光学元件263的反射。

装置200被耦合到控制系统250。控制系统250包括电子处理模块251、电子存储器252和I/O接口253。电子处理模块251包括适于执行计算机程序的一个或多个处理器，诸如通用或专用微处理器，以及任何类型的数字计算机的任何一个或多个处理器。通常，电子处理器从只读存储器、随机存取存储器(RAM)或两者接收指令和数据。电子处理模块251可以包括任何类型的电子处理器。电子处理模块251的一个或多个电子处理器执行指令并访问存储在电子存储器252上的数据。一个或多个电子处理器还能够将数据写入电子存储器252。

电子存储器252是任何类型的计算机可读或机器可读介质。例如，电子存储器252可以是诸如RAM的易失性存储器或非易失性存储器。在一些实施方式中，电子存储器252包括非易失性和易失性部分或部件。电子存储器252可以存储在控制系统250的操作中使用的数据和信息。电子存储器252还可以存储如下指令(例如，以计算机程序的形式)，这些指令使控制系统250与装置200和/或扫描仪装置299中的部件和子系统交互的指令。例如，指令可以是使电子处理模块251向材料供应120提供命令信号以改变路径221的方向、和/或向致动器262和267提供命令信号以改变放大光束106的传播方向的指令。电子存储器252还可以存储从装置200和/或扫描仪装置299接收的信息。电子存储器252还存储实现关于图4和5所讨论的过程的指令。

I/O接口253是任何类型的接口，其允许控制系统250与操作员、其它设备和/或在另一电子设备上运行的自动过程交换数据和信号。例如，在可以编辑存储在电子存储器252上的规则或指令的实施方式中，可以通过I/O接口253进行编辑。I/O接口253可以包括一个或多个可视显示器、键盘和通信接口(诸如并行端口)、通用串行总线(USB)连接和/或任何类型的网络接口(诸如例如，以太网)。I/O接口253还可以允许在没有物理接触的情况下通过例如IEEE 802.11、蓝牙或近场通信(NFC)连接进行通信。

控制系统250通过数据连接254被耦合到装置200的各个部件。数据连接254在图2A和图2B中用虚线示出。在图2A和图2B中，材料供应系统120、检测系统230和致动器262被示出为耦合到控制系统250。然而，装置200的其它部件可以被耦合到控制系统250。例如，致动器267可以被耦合到控制系统250。此外，扫描仪装置299和/或主光源205可以被耦合到控制系统250。

数据连接254是允许传输数据、信号和/或信息的任何类型的连接。例如，数据连接254可以是物理电缆或其它物理数据管道(诸如支持基于IEEE 802.3的数据传输的电缆)、无线数据连接(诸如经由IEEE802.11或蓝牙提供数据的数据连接)、或有线和无线数据连接的组合。

提供装置200作为示例，并且其他实施方式是可能的。例如，可以将装置200与控制系统250分开封装，并且装置200不必包括控制系统250。控制系统250被示为单个控制系统。然而，控制系统250可以实现为多个控制系统。例如，控制系统250可以被实现为多个本地控制系统，每个本地控制系统与装置200的特定部件或子系统相关联，其中每个本地控制系统与主机控制器通信。

类似地，可以将装置200与扫描仪装置299和主光源205分开封装，并且装置200不必包括扫描仪装置299或主光源205。在一些实施方式中，装置200包括附加光源，该附加光源提供在放大光束106与靶122相互作用之前与靶122相互作用的预脉冲光束。预脉冲光束用于改变靶122的一个或多个特性(诸如尺寸、形状和/或密度)。此外，装置200可以包括除了量测光源209之外的附加量测光源。其它量测光源可以被安装到容器210。

图4是过程400的流程图。过程400是用于对准光源的过程的示例。关于装置200(图2A-2C)讨论过程400。过程400可以由控制系统250执行。例如，过程400可以由处理模块251中的一个或多个电子处理器来执行。过程400可以在装置200被运送到最终用户之前、或者在装置200被安装在最终用户的站点之前被执行。然而，过程400可以在装置200的寿命期间被执行。例如，过程400可以在装置200已经被安装在最终用户的站点之后由最终用户执行。

过程400使用光198来对准装置200，并且不依赖于等离子体196的产生。当靶122被量测光束209照射时，靶122充当点光源，并且由相互作用产生的光198用于对准装置200。

提供第一传感器(410)。第一传感器测量中间焦点243处或附近的光198。例如，可以移动第一传感器331A，使得有源元件232在中间焦点243处，如图3B所示。在另一示例中，部件337被安装在中间焦点243处或附近，使得在中间焦点243处接收的光198被引导至有源元件232。在又一示例中，第一传感器331D相对于掩模337D被定位在Z方向上，如图3D所示。

量测光束被提供给内部212(420)。量测光束是充当光学探针、并在不干扰靶122的情况下产生光198的任何光束。量测光束可以是例如光束108。量测光束108与靶122相互作用以产生光198。当靶122在主焦点242处时，量测光108在与靶122同步的时间被提供给内部212。

如上所述，光198是当光束108入射到靶122上时被产生的反射光和/或散射光。靶122基本上是球形的，并且通过对量测光束108进行反射而充当点光源。至少一些光198入射到反射表面241上并朝向中间焦点243反射。由第一传感器231的有源感测元件232来检测到达中间焦点243的光198。传感器231基于检测的光198产生信息或数据，并将该信息提供给控制系统250。该信息可以是例如二维图像数据，其表示中间焦点243处的反射光学表面241的图像。在另一示例中，关于光198的信息是在中间焦点243处或附近的光198的强度。

分析来自第一传感器231的信息(430)。如上所述，当靶122在主焦点242时，反射表面241的图像在中间焦点243处聚焦。靶122沿路径221行进。因此，当靶122在主焦点242处时，路径221也与主焦点242相交。通过分析来自第一传感器231的信息，过程400确定路径221是否与主焦点242相交。在来自第一传感器231的信息是二维图像数据的实施方式中，分析由传感器231收集的图像以确定反射表面241聚焦的时间。例如，当反射表面241的成像边缘具有与反射表面241的边缘的实际形状最接近的形状时，反射表面241可被认为是聚焦的。在另一示例中，当使用掩模337D时，当由有源元件232检测到的光量最大时，反射表面241被认为是聚焦的。在使用掩模337D的实施方式中，当最大量的光被透明部分346透射时，靶122处于主焦点242处。

基于该分析，确定路径221是否与主焦点242相交(440)。如果路径221不与主焦点242相交，则调整路径221(450)。例如，如果来自第一传感器231的信息指示光仅从反射表面241的小中心部分反射，或者如果光过度填充反射表面241，或者如果反射光的分布不以反射表面241的中心为中心，则可以按预期将靶材料滴122更好地对准到主焦点242上的方向和程度上来调整路径221。通过调整靶供应系统120，从而在Y和Z方向上调整路径221。例如，控制系统150可以发出命令来移动喷嘴113以在Y和/或Z方向上调整路径221。可以通过例如驱动被机械安装到喷嘴113上的致动器(未示出)来移动喷嘴113。过程400执行(420)-(450)，直到路径221在Y和Z方向上与主焦点242对准。

附加地，使用来自第一传感器231的信息，使得路径221在X方向上与主焦点242对准。通过沿X方向和/或-X方向扫描(移动)量测光束108直到找到主焦点242为止，从而找到主焦点242的X坐标。

光198还可用于使第二传感器238与主焦点242对准。通过将第二传感器238与主焦点242对准，放大光束106的传播方向也与主焦点242对准。为了将第二传感器238与主焦点242对准，返回光198(其是光198穿过通孔245并到达路径265的部分)由第二传感器238成像。第二传感器238产生关于检测的返回光198的信息。分析来自第二传感器238的信息(460)。当靶材料小滴122在主焦点242处时，靶122应该表现为由第二传感器238产生的靶122的图像中的点。因为如上所述使用(420)-(450)使得路径221与主焦点242对准，所以如果由第二传感器238产生的靶122的图像没有将靶122显示为点，则光学元件263没有与主焦点242对准。当光学元件263没有与主焦点242对准时，光学元件263不会将前向进入光束(诸如放大光束106)引导至主焦点242。

对来自第二传感器238的信息的分析用于确定靶122是否表现为图像中的点，以及确定第二传感器238是否与主焦点242对准(470)。分析来自第二传感器238的信息可以包括将形状滤波器或其他空间滤波器应用于来自第二传感器238的图像数据。当靶122在图像数据中表现为点源时，形状滤波器或掩模具有靶122的图像的形状。备选地或附加地，光198可以与第二传感器238上的基准标记进行比较，以确定第二传感器238是否与主焦点242对准。

如果靶122表现为来自第二传感器238的图像中的点，则光学元件263相对于主焦点242对准并且不被调整。过程400结束。如果靶122没有表现为来自第二传感器的图像中的点，则调整光学元件263(480)。控制系统250发出使致动器262移动光学元件263的命令。用量测光束108辐射另一靶122，并再次分析来自第二传感器238的信息(460)。控制系统250继续命令致动器262调整光学元件263，直到靶122表现为由第二传感器238产生的图像中的点为止。

当装置200用于产生EUV光197时，光学元件263将放大光束106递送到内部212。如相对于(460)-(480)所讨论的，通过将第二传感器238与主焦点242对准，光学元件263也与主焦点242对准。因此，光学元件263也将前向进入光束(诸如放大光束106)递送到主焦点242。以此方式，在不必将放大光束106实际递送到内部212并且不产生发射EUV光197的等离子体196的情况下，放大光束106与主焦点242对准。此外，尽管在图2A和2B中用装置200示出了主光源205，但是不需要主光源205来将放大光束106与主焦点242对准。

在光束106和由光学元件263引导至内部212中的其它光束(诸如预脉冲光束)是脉冲光束的实施方式中，当脉冲与靶122中的一者同时到达主焦点242时，等离子体196的产生被优化。量测光束108还可用于确定光脉冲的定时。具体地，量测光束108可用于确定光束106的脉冲(或预脉冲光束的脉冲)应到达主焦点242以使得光脉冲和靶122同时处于主焦点242的时间。

在使用过程400将靶路径221和量测光束108对准到主焦点242之后，将量测光束108的脉冲导向主焦点242。通过在接收来自路径265的光的第二传感器238(或在另一检测器，诸如光电二极管)处检测光198，对光198(其是量测光束108的脉冲的离开靶122中的一者的反射和/或散射)进行时间解析。反射脉冲(光198)精确地确定被辐射的靶122中的一者通过主焦点242的时间。在形成光束106的脉冲(或在路径265上传播的其它前向进入光脉冲)的时间和前向进入光脉冲到达主焦点242的时间之间存在延迟。该延迟被称为脉冲延迟时间，并且等于介质中的光速乘以脉冲源和主焦点242之间的路径长度。靶122通过主焦点242的时间减去脉冲延迟时间提供了前向进入脉冲源(诸如主源205)应当被激活、激励或激发以产生脉冲的时间。控制系统250可以确定脉冲延迟时间和前向进入脉冲源被激活的时间。此外，靶122可以以规则的间隔从材料供应系统120发射。光198还可用于确认或测量靶的发射速率，并且速率的知识可用于设置光脉冲产生的定时。

图5是过程500的流程图。过程500是用于检查光学元件240的过程的示例。关于装置200讨论过程500。过程500可以由控制系统250执行。例如，过程500可以由处理模块251中的一个或多个电子处理器来执行。可以在路径221已经与主焦点242对准之后以及在装置200已经用于产生等离子体196之后执行过程500。

用量测光束108照射靶122中的一者(510)。量测光束108从靶122散射和/或反射以产生光198。光198反射离开反射表面241并在第一传感器231处成像(520)。第一传感器231产生反射表面241的图像数据。基于所产生的图像数据检查反射表面241(530)。

如上所述，靶122充当点光源，并且当在主焦点242处照射靶122时，从反射表面241反射的光198在中间焦点243处产生反射表面241的聚焦图像。该聚焦图像可用于检查反射表面241。例如，聚焦图像可以显示由于形成等离子体196而在反射表面241上已经形成的损坏和碎片。

而且，由光198产生的图像是比用EUV光197形成的反射表面241的图像更清晰的反射表面241的图像。图6A和图6B是反射表面241的相应图像687A和687B的示例。图6A是用EUV光197形成的反射表面241的图像687A。图6B是在量测光束108具有1070nm波长的实施方式中用光198形成的反射表面241的图像687B。图像687A(图6A)的中间区域中的水平条是EUV检测器。用光198形成的反射表面241的图像更加清晰，并且更适合于检查反射表面241。例如，在图像687A和687B中存在缺陷689。然而，缺陷689在图像687B中更清楚。图像687B(其是基于光198获得的反射表面241的图像)允许对反射表面241进行更有效的检查，并且可以允许通过自动分析(例如，通过在控制系统250上实现的计算机程序)或在无需从容器210移除光学元件240的情况下通过手动地检查图像来进行这种检查。

参考图7，示出了LPP EUV光源700的实施方式。LPP EUV光源700是EUV光源100(图1)的实施方式。通过将量测光束(诸如量测光束108)提供到光源700的真空腔730的内部707中，可以用EUV光源700执行工艺400和500。

EUV光源700包括靶供应系统727。EUV光源700可以包括产生量测光束的量测光源，诸如产生量测光束108(图2A)的量测光源209。EUV光源700还可以包括检测系统，诸如检测系统130(图1)或检测系统230(图2A和图2B)，检测由量测光束和从靶供应系统727提供的靶中的一者之间的相互作用产生的散射光。

通过在等离子体形成区域705处用沿着朝向靶混合物714的光束路径行进的放大光束710辐射靶混合物714，形成LPP EUV光源700。关于图1讨论的靶122中的靶材料可以是或包括靶混合物714。等离子体形成区域705在真空腔730的内部707内。当放大光束710撞击靶混合物714时，靶混合物714内的靶材料被转换成具有在EUV范围内的发射线的元素的等离子体状态。所产生的等离子体具有取决于靶混合物714内的靶材料的成分的某些特性。这些特性可以包括由等离子体产生的EUV光的波长以及从等离子体释放的碎片的类型和量。

光源700包括驱动激光系统715，其由于激光系统715的一个或多个增益介质内的粒子数反转而产生放大光束710。光源700包括在激光系统715和等离子体形成区域705之间的光束递送系统，光束递送系统包括光束输送系统720和聚焦组件722。光束输送系统720从激光系统715接收放大光束710，并根据需要对放大光束710进行转向和修改，并将放大光束710输出到聚焦组件722。聚焦组件722接收放大光束710并将光束710聚焦到等离子体形成区域705。

在一些实施方式中，激光系统715可以包括一个或多个光学放大器、激光器和/或灯，其用于提供一个或多个主脉冲并且在一些情况下提供一个或多个预脉冲。每个光放大器包括能够以高增益光学放大所期望的波长的增益介质、激励源和内部光学器件。光放大器可以具有或不具有形成激光腔的激光反射镜或其它反馈器件。因此，即使没有激光腔，由于激光放大器的增益介质中的粒子数反转，激光系统715也产生放大光束710。此外，如果存在向激光系统715提供足够反馈的激光腔，则激光系统715可以产生作为相干激光束的放大光束710。术语“放大光束”包括以下中的一个或多个：来自激光系统715的光，该光仅被放大但不一定是相干激光振荡；以及来自激光系统715的光，该光被放大并且也是相干激光振荡。

激光系统715中的光放大器可以包括作为增益介质的填充气体，该填充气体包括CO₂，并且可以以大于或等于900倍的增益来放大波长在大约9100nm和大约11000nm之间并且特别是波长在大约10600nm的光。用于激光系统715的合适的放大器和激光器可以包括脉冲激光器设备，例如，产生大约9300nm或大约10600nm辐射的脉冲气体放电CO₂激光器设备，例如，其利用相对高的功率(例如，10kW或更高)和高脉冲重复率(例如，40kHz或更高)下运行的DC或RF激励来产生上述的辐射。脉冲重复率可以是例如50kHz。激光系统715中的光放大器还可以包括诸如水的冷却系统，可以在以较高功率操作激光系统715时使用该冷却系统。

光源700包括收集器反射镜735，该收集器反射镜735具有孔径740以允许放大光束710通过并到达等离子体形成区域705。收集器反射镜735可以是例如椭球面反射镜，其具有在等离子体形成区域705处的主焦点和在中间位置745处的次级焦点(也称为中间焦点)，其中EUV光可以从光源700输出并且可以输入到例如集成电路光刻工具(未示出)。光源700还可以包括端部开口的中空圆锥形罩750(例如，气体锥体)，其从收集器反射镜735朝向等离子体形成区域705逐渐变细，以减少进入聚焦组件722和/或光束输送系统720的等离子体产生的碎片的量，同时允许放大光束710到达等离子体形成区域705。为了这个目的，可以在护罩中提供被导向等离子体形成区域705的气流。

光源700还可以包括被连接到液滴位置检测反馈系统756、激光控制系统757和光束控制系统758的主控制器755。光源700可以包括一个或多个靶或液滴成像器760，其提供表示例如液滴相对于等离子体形成区域705的位置的输出，并将该输出提供给液滴位置检测反馈系统756，该液滴位置检测反馈系统756可以例如计算液滴位置和轨迹，根据液滴位置和轨迹可以逐个液滴地或平均地计算液滴位置误差。因此，液滴位置检测反馈系统756将液滴位置误差作为输入提供给主控制器755。因此，主控制器755可以将激光位置、方向和定时校正信号提供给例如可以用于例如控制激光定时电路的激光控制系统757和/或提供给光束控制系统758，该光束控制系统758用于控制光束输送系统720的放大光束位置和形状，以改变腔730内的光束焦点的位置和/或焦度。

供应系统725包括靶材料递送控制系统726，其是可操作的以响应于来自主控制器755的信号，例如以修改由靶供应系统727释放的液滴的释放点，以校正到达期望的等离子体形成区域705的液滴中的误差。

附加地，光源700可包括测量一个或多个EUV光参数的光源检测器765和770，这些EUV光参数包括但不限于脉冲能量、作为波长函数的能量分布、特定波长带内的能量、特定波长带外的能量，以及EUV强度和/或平均功率的角分布。光源检测器765产生由主控制器755使用的反馈信号。反馈信号可以是例如表示诸如激光脉冲的定时和焦距的参数中的误差，以在正确的位置和时间适当地截获液滴以用于有效和高效的EUV光产生。

光源700还可包括导向激光器775，其可用于对准光源700的各个部分或有助于将放大光束710转向至等离子体形成区域705。结合导向激光器775，光源700包括被放置在聚焦组件722内的量测系统724，以对来自导向激光器775的一部分光和放大光束710进行采样。在其它实施方式中，量测系统724被放置在光束输送系统720内。量测系统724可以包括对光的子集进行采样或重定向的光学元件，这种光学元件由可以耐受导向激光束和放大光束710的功率的任何材料制成。光束分析系统由量测系统724和主控制器755形成，因为主控制器755分析来自导向激光器775的采样光并使用该信息通过光束控制系统758来调整聚焦组件722内的部件。

因此，总之，光源700产生放大光束710，该放大光束沿着光束路径被引导以在等离子体形成区域705处辐射靶混合物714，以将混合物714内的靶材料转换成发射EUV范围内的光的等离子体。放大光束710工作在基于激光系统715的设计和特性确定的特定波长(也称为驱动激光波长)处。附加地，当靶材料将足够的反馈提供回激光系统715以产生相干激光时、或者如果驱动激光系统715包括合适的光学反馈以形成激光腔时，放大光束710可以是激光束。

本发明的其它方面在以下编号的条款中阐述。

1.一种装置，包括：

容器，包括内部空间；

材料供应系统，被配置为沿着所述内部空间中的路径提供包括靶材料的靶，其中所述靶材料在处于等离子体状态时产生极紫外(EUV)光；

检测系统，被配置为检测由所述靶中的一者与量测光束之间的相互作用产生的散射光，并且基于所述相互作用产生信息，其中所述量测光束不将所述靶材料转换为所述等离子体状态；以及

控制系统，被配置为基于由所述检测系统产生的所述信息来调整所述路径。

2.根据条款1所述的装置，还包括：

在所述内部空间中的反射光学元件，所述反射光学元件包括主焦点和中间焦点，并且其中

所述控制系统被配置为：调整所述路径，使得所述路径与所述反射光学元件的所述主焦点相交。

3.根据条款2所述的装置，其中所述控制系统还被配置为调整沿所述容器中的传播方向引导光的转向元件，以使得所述传播方向与所述主焦点相交。

4.根据条款2所述的装置，其中所述检测系统被配置为：在所述散射光已被从所述反射光学元件反射之后，检测所述散射光。

5.根据条款2所述的装置，其中所述检测系统包括成像传感器，并且所述检测系统被配置为：在所述散射光已被从所述反射光学元件反射之后，对所述散射光进行成像。

6.根据条款2所述的装置，其中所述检测系统包括在所述中间焦点处、或在所述中间焦点和从所述装置接收光的扫描仪装置之间的位置处的部件。

7.根据条款6所述的装置，其中所述部件包括掩模，并且所述检测系统还包括被配置为检测由所述掩模透射的光的检测器。

8.根据条款6所述的装置，其中所述部件包括被配置为被放置在所述中间焦点处或被从所述中间焦点移除的检测器。

9.根据条款6所述的装置，其中所述部件包括成像平面，所述成像平面包括使所述散射光被成像系统感测到的材料。

10.根据条款9所述的装置，其中所述成像平面包括磨砂玻璃。

11.根据条款9所述的装置，其中所述成像平面包括膜或表膜。

12.根据条款9所述的装置，其中所述成像平面基本上阻挡靶材料碎片。

13.根据条款1所述的装置，其中沿着所述路径的每个点是三维坐标系中的位置，并且所述控制系统被配置为：在所述三维中的至少两维中，调整所述路径的所述点中的至少一个点的所述位置。

14.根据条款13所述的装置，其中所述控制系统被配置为通过控制所述材料供应系统来调整所述路径的所述位置。

15.根据条款1所述的装置，还包括量测光源。

16.根据条款15所述的装置，其中所述量测光源是被配置为产生可见光的激光器、或被配置为产生红外光的激光器。

17.根据条款15所述的装置，其中所述量测光源是脉冲光源，并且所述量测光束包括多个光脉冲。

18.根据条款15所述的装置，其中所述量测光源是连续波光源，并且所述量测光束包括连续波光束。

19.一种极紫外(EUV)光源，包括：

容器；

靶材料供应系统，所述靶材料供应系统被配置为向所述容器的内部提供靶，其中所述靶包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料，并且所述靶在所述容器的所述内部中沿着路径行进；以及

装置，被配置为将所述靶的所述路径与所述容器的所述内部中的光学元件的焦点对准，所述装置包括：

检测系统，被配置为检测由所述靶中的一者与量测光束之间的相互作用产生的散射光，并且基于所述相互作用产生信息，其中所述量测光束不将所述靶材料转换为所述等离子体状态，并且所述靶中的所述一者被配置为当被所述量测光束照射时充当点光源；以及

控制系统，被配置为基于由所述检测系统产生的所述信息来调整所述靶的所述路径。

20.根据条款19所述的EUV光源，还包括转向元件，其被配置为接收放大光束，所述经放大光束具有足以将所述靶材料中的至少一些转换成所述等离子体状态的能量。

21.根据条款19所述的EUV光源，还包含最终转向元件，所述最终转向元件包括被配置为调整入射光束的方向的转向镜。

22.根据条款21所述的EUV光源，其中所述最终转向镜在所述容器的外部。

23.根据条款19所述的EUV光源，其中所述光学元件是包括主焦点和中间焦点的反射光学元件，并且所述装置被配置为将所述靶的所述路径与所述反射光学元件的所述主焦点对准。

24.根据条款23所述的EUV光源，其中所述检测系统包括第一传感器和第二传感器，所述第一传感器被配置为检测所述靶中的所述一者的在所述中间焦点处的图像，所述反射光学元件位于所述第二传感器和所述第一传感器之间。

25.一种方法，包括：

沿着容器内部中的路径引导靶，每个靶包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料；

向所述容器的所述内部提供量测光束以产生散射光，所述散射光由所述靶中的一者与所述量测光束之间的相互作用产生；

在检测系统处，检测所述散射光；以及

基于来自所述检测系统的关于所述散射光的信息来调整所述路径。

26.一种用于光学系统的装置，所述装置包括：

检测系统，包括被配置为接收散射量测光的部件，所述散射量测光包括从靶散射的光，其中

每个靶在路径上行进，每个靶包括反射所述量测光的靶材料，并且每个靶被配置为当被所述量测光照射时充当点光源；以及

所述装置还包括控制系统，其被配置为调整每个靶的所述路径以与所述光学系统的主焦点相交。

27.根据条款26所述的装置，其中所述靶包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料，并且所述靶是移动靶流中的一个靶。

28.根据条款27所述的装置，其中所述靶基本上是球形的。

29.一种用于检查极紫外(EUV)光源的容器中的光学元件的方法，所述方法包括：

用量测光束照射靶，以从所述靶散射所述量测光束，其中所述靶包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料，并且所述量测光束不将所述靶材料转换为所述等离子体状态；

对所述容器中的接收所述散射量测光束的光学元件进行成像；以及

基于被成像的所述光学元件，检查所述光学元件。

30.一种方法，包括：

向容器的内部提供量测光束；

对由所述量测光束与靶材料液滴之间的相互作用产生的散射光进行成像以确定关于路径的信息，其中所述散射光从与主焦点和次级焦点相关联的光学元件反射；

基于所述信息调整所述路径，使得所述路径与所述光学元件的所述主焦点相交；以及

调整转向元件以沿着与所述主焦点相交的传播方向引导光，其中

所述量测光束和所述靶材料液滴之间的所述相互作用不产生发射EUV光的等离子体。

31.根据条款30所述的方法，还包括：

在调整所述路径之后并且在调整所述转向元件之后，将放大光束提供给经调整的所述转向元件，使得所述放大光束被提供给所述主焦点，并且其中

所述放大光束具有足以将所述靶材料液滴中的至少一些所述靶材料转换成发射EUV光的等离子体的能量。

32.根据条款31所述的方法，其中所述转向元件包括接收所述散射光中的一些散射光的反射光学元件，并且调整所述转向元件包括：移动所述转向元件并成像所述散射光以对准所述反射光学元件，使得所述传播方向与所述光学元件的所述主焦点相交。

33.根据条款32所述的方法，其中所述散射光在所述光学元件的所述次级焦点处和在所述放大光束的源与所述光学元件之间的位置处成像。

上述实施方式和其它实施方式在权利要求的范围内。

Claims (33)

1.一种装置，包括：

容器，包括内部空间；

材料供应系统，被配置为沿着所述内部空间中的路径提供包括靶材料的靶，其中所述靶材料在处于等离子体状态时产生极紫外(EUV)光；

检测系统，被配置为检测由所述靶中的一者与量测光束之间的相互作用产生的散射光，并且基于所述相互作用产生信息，其中所述量测光束不将所述靶材料转换为所述等离子体状态；以及

控制系统，被配置为基于由所述检测系统产生的所述信息来调整所述路径。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

在所述内部空间中的反射光学元件，所述反射光学元件包括主焦点和中间焦点，并且其中

所述控制系统被配置为：调整所述路径，使得所述路径与所述反射光学元件的所述主焦点相交。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述控制系统还被配置为调整沿着所述容器中的传播方向引导光的转向元件，，以使得所述传播方向与所述主焦点相交。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述检测系统被配置为：在所述散射光已被从所述反射光学元件反射之后，检测所述散射光。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述检测系统包括成像传感器，并且所述检测系统被配置为：在所述散射光已经被从所述反射光学元件反射之后，对所述散射光进行成像。

6.根据权利要求2所述的装置，其中所述检测系统包括在所述中间焦点处、或在所述中间焦点与从所述装置接收光的扫描仪装置之间的位置处的部件。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述部件包括掩模，并且所述检测系统还包括被配置为检测由所述掩模透射的光的检测器。

8.根据权利要求6所述的装置，其中所述部件包括检测器，所述检测器被配置为被放置在所述中间焦点处或被从所述中间焦点移除。

9.根据权利要求6所述的装置，其中所述部件包括成像平面，所述成像平面包括使所述散射光被成像系统感测到的材料。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述成像平面包括磨砂玻璃。

11.根据权利要求9所述的装置，其中所述成像平面包括膜或表膜。

12.根据权利要求9所述的装置，其中所述成像平面基本上阻挡靶材料碎片。

13.根据权利要求1所述的装置，其中沿着所述路径的每个点是三维坐标系中的位置，并且所述控制系统被配置为：在所述三维中的至少两维中，调整所述路径的所述点中的至少一个点的所述位置。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述控制系统被配置为通过控制所述材料供应系统来调整所述路径的所述位置。

15.根据权利要求1所述的装置，其中还包括量测光源。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述量测光源是被配置为产生可见光的激光器、或被配置为产生红外光的激光器。

17.根据权利要求15所述的装置，其中所述量测光源是脉冲光源，并且所述量测光束包括多个光脉冲。

18.根据权利要求15所述的装置，其中所述量测光源是连续波光源，并且所述量测光束包括连续波光束。

19.一种极紫外(EUV)光源，包括：

容器；

靶材料供应系统，被配置为向所述容器的内部提供靶，其中所述靶包括靶材料，所述靶材料在处于等离子体状态时发射EUV光，并且所述靶在所述容器的所述内部中沿着路径行进；以及

装置，被配置为将所述靶的所述路径与所述容器的所述内部中的光学元件的焦点对准，所述装置包括：

检测系统，被配置为检测由所述靶中的一者与量测光束之间的相互作用产生的散射光，并且基于所述相互作用产生信息，其中所述量测光束不将所述靶材料转换为所述等离子体状态，并且所述靶中的所述一者被配置为当被所述量测光束照射时充当点光源；以及

控制系统，被配置为基于由所述检测系统产生的所述信息来调整所述靶的所述路径。

20.根据权利要求19所述的EUV光源，还包括转向元件，所述转向元件被配置为接收放大光束，所述放大光束具有足以将所述靶材料中的至少一些转换成所述等离子体状态的能量。

21.根据权利要求19所述的EUV光源，其中还包括最终转向元件，所述最终转向元件包括被配置为调整入射光束的方向的转向镜。

22.根据权利要求21所述的EUV光源，其中所述最终转向镜在所述容器的外部。

23.根据权利要求19所述的EUV光源，其中所述光学元件是包括主焦点和中间焦点的反射光学元件，并且所述装置被配置为将所述靶的所述路径与所述反射光学元件的所述主焦点对准。

24.根据权利要求23所述的EUV光源，其中所述检测系统包括第一传感器和第二传感器，所述第一传感器被配置为检测所述靶中的所述一者的在所述中间焦点处的图像，所述反射光学元件位于所述第二传感器和所述第一传感器之间。

25.一种方法，包括：

沿着容器的内部中的路径引导靶，每个靶包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料；

向所述容器的所述内部提供量测光束，以产生散射光，所述散射光由所述靶中的一者与所述量测光束之间的相互作用产生；

在检测系统处，检测所述散射光；以及

基于来自所述检测系统的关于所述散射光的信息，调整所述路径。

26.一种用于光学系统的装置，所述装置包括：

检测系统，包括被配置为接收散射量测光的部件，所述散射量测光包括从靶散射的光，其中

每个靶在路径上行进，每个靶包括反射所述量测光的靶材料，并且每个靶被配置为当被所述量测光照射时充当点光源；以及

所述装置还包括控制系统，所述控制系统被配置为调整每个靶的所述路径以与所述光学系统的主焦点相交。

27.根据权利要求26所述的装置，其中所述靶包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料，并且所述靶是移动靶流中的一个靶。

28.根据权利要求27所述的装置，其中所述靶基本上是球形的。

29.一种用于检查极紫外(EUV)光源的容器中的光学元件的方法，所述方法包括：

用量测光束照射靶，以从所述靶散射所述量测光束，其中所述靶包括当处于等离子体状态时发射EUV光的靶材料，并且所述量测光束不将所述靶材料转换为所述等离子体状态；

对所述容器中的接收所散射的所述量测光束的光学元件进行成像；以及

基于被成像的所述光学元件，检查所述光学元件。

30.一种方法，包括：

向容器的内部提供量测光束；

对由所述量测光束与靶材料液滴之间的相互作用生成的散射光进行成像，以确定关于路径的信息，其中所述散射光从与主焦点和次级焦点相关联的光学元件反射；

基于所述信息调整所述路径，使得所述路径与所述光学元件的所述主焦点相交；以及

调整转向元件以沿着与所述主焦点相交的传播方向引导光，其中

所述量测光束和所述靶材料液滴之间的所述相互作用不产生发射EUV光的等离子体。

31.根据权利要求30所述的方法，还包括：

在调整所述路径之后并且在调整所述转向元件之后，将放大光束提供给经调整的所述转向元件，使得所述放大光束被提供给所述主焦点，并且其中

所述放大光束具有足以将所述靶材料液滴中的至少一些所述靶材料转换成发射EUV光的等离子体的能量。

32.根据权利要求31所述的方法，其中所述转向元件包括接收所述散射光中的一些散射光的反射光学元件，并且调整所述转向元件包括：移动所述转向元件并对所述散射光进行成像以对准所述反射光学元件，使得所述传播方向与所述光学元件的所述主焦点相交。

33.根据权利要求32所述的方法，其中所述散射光在所述光学元件的所述次级焦点处、以及在所述放大光束的源与所述光学元件之间的位置处被成像。

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