TW202201488A

TW202201488A - 顯示面板

Info

Publication number: TW202201488A
Application number: TW109120445A
Authority: TW
Inventors: 林國棟; 陳憲泓; 林意惠
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-06-17
Filing date: 2020-06-17
Publication date: 2022-01-01
Also published as: TWI750698B; CN112563435B; CN112563435A

Abstract

一種顯示面板包括基板、畫素陣列層與陰極。畫素陣列層設置於基板上，並具有多個發光區與多個非發光區。畫素陣列層包括多個電致發光層，而這些電致發光層分別位於這些發光區。陰極設置於畫素陣列層上，並電性連接這些電致發光層。陰極在發光區的厚度大於陰極在非發光區的厚度，且陰極在發光區的厚度與陰極在非發光區的厚度相差在1奈米至22奈米之間。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種自發光顯示面板（self-luminous display panel）。

現今已有行動裝置（mobile device），例如智慧手機，採用有機發光二極體顯示面板（Organic Light Emitting Diode Display Panel，OLED Display Panel）作為顯示螢幕，其中有的智慧手機內部會在有機發光二極體顯示面板下方裝設影像感光元件，讓使用者可從顯示螢幕進行拍照或攝影。因此，在上述智慧手機中，有機發光二極體顯示面板通常採用由透明導電層，例如銦錫氧化物（Indium Tin Oxide，ITO），所製成的電極，以使外界光線能通過有機發光二極體顯示面板而入射至影像感光元件，讓智慧手機能執行拍照或攝影的功能。

本發明至少一實施例提供一種顯示面板，其包括厚度不均勻一致的陰極。

本發明至少一實施例所提供的顯示面板包括基板、畫素陣列層與陰極。畫素陣列層設置於基板上，並具有多個發光區與多個非發光區，其中畫素陣列層包括多個電致發光層，而這些電致發光層分別位於這些發光區。陰極設置於畫素陣列層上，並電性連接這些電致發光層，其中陰極在發光區的厚度大於陰極在非發光區的厚度，且陰極在發光區的厚度與陰極在非發光區的厚度相差在1奈米至22奈米之間。

在本發明至少一實施例中，上述陰極在發光區的厚度介於16奈米至30奈米之間。

在本發明至少一實施例中，上述陰極在非發光區的厚度介於8奈米至15奈米之間。

在本發明至少一實施例中，上述陰極包括混合層與多個導電層。混合層設置於畫素陣列層上，並分布於這些發光區與這些非發光區。這些導電層設置於混合層上，並分布於這些發光區，其中這些導電層分別與這些電致發光層重疊。

在本發明至少一實施例中，上述混合層與導電層皆包括第一金屬材料，而混合層更包括一第二金屬材料，其中第二金屬材料的表面能小於第一金屬材料的表面能。

在本發明至少一實施例中，上述混合層中的第二金屬材料的體積百分比約在10%以下。

在本發明至少一實施例中，各個電致發光層包括一電子傳輸層，其中第二金屬材料的最低未占分子軌域（Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO）介於電子傳輸層與第一金屬材料兩者的最低未占分子軌域之間。

在本發明至少一實施例中，上述陰極還包括緩衝層。緩衝層設置於畫素陣列層上，並且分布於這些非發光區，其中混合層覆蓋緩衝層。

在本發明至少一實施例中，上述陰極包括混合層與多個導電層。混合層與這些導電層皆設置於畫素陣列層上，而混合層分布於這些非發光區，但不分布於這些發光區。這些導電層分別分布於這些發光區，其中這些導電層分別與這些電致發光層重疊，並電性連接混合層，而各個導電層的厚度大於混合層的厚度。

在本發明至少一實施例中，上述陰極包括緩衝層與導電層。緩衝層設置於畫素陣列層上，並分布於這些非發光區，但不分布於這些發光區。導電層設置於畫素陣列層上，並分布於這些發光區與這些非發光區，其中導電層覆蓋緩衝層，且導電層在發光區的厚度大於導電層在非發光區的厚度。

在本發明至少一實施例中，上述緩衝層的表面能小於導電層的表面能。

在本發明至少一實施例中，上述緩衝層的最低未占分子軌域介於電子傳輸層與導電層兩者的最低未占分子軌域之間。

基於上述，由於陰極在發光區的厚度大於陰極在非發光區的厚度，因此位於發光區的部分陰極具有較厚的厚度，而位於非發光區的部分陰極具有較薄的厚度，以使在非發光區內的陰極容易被光線穿透。如此，設置在非發光區下方的影像感光元件能從顯示面板順利地接收外界而來的光線，以進行拍照或攝影。

為讓本發明的特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在以下的內文中，為了清楚呈現本案的技術特徵，圖式中的元件（例如層、膜、基板以及區域等）的尺寸（例如長度、寬度、厚度與深度）會以不等比例的方式放大。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本案圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本案的申請專利範圍。

其次，本案內容中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本案文中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。

圖1是本發明至少一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖1，顯示面板100包括基板110與畫素陣列層120，其中畫素陣列層120設置於基板110上，並包括多個電致發光層128。各個電致發光層128能發出光線L1，且可以是有機發光二極體（OLED），其中各個電致發光層128可包括電子傳輸層128a、發光層（未繪示）以及電洞傳輸層（未繪示）。

這些電致發光層128可呈陣列排列，而這些電致發光層128所發出的光線L1的顏色可不全部相同。例如，這些電致發光層128其中三者所發出的光線L1分別是紅光、藍光與綠光。各個電致發光層128可視為一個子畫素（sub-pixel），而利用這些電致發光層128所發出的紅光、藍光與綠光，顯示面板100能顯示影像。

另外，這些電致發光層128所發出的光線L1的顏色也可以全部相同。例如，顯示面板100可以還包括彩色濾光基板（圖未繪示），而這些電致發光層128所發出的光線L1可以皆為白光，其中這些光線L1（白光）可以穿透彩色濾光基板，以使這些光線L1能轉換成紅光、綠光與藍光，從而讓顯示面板100能顯示影像。

畫素陣列層120具有多個發光區A10與多個非發光區A11，其中這些電致發光層128分別位於這些發光區A10，但不位於非發光區A11。在圖1所示的實施例中，畫素陣列層120可以還包括畫素定義層127，其中畫素定義層127具有多個開口127h，而這些電致發光層128分別位於這些開口127h內。例如，這些電致發光層128分別設置於這些開口127h的底部。因此，這些開口127h基本上可視為發光區A10，而這些開口127h以外的區域基本上可視為非發光區A11。

畫素陣列層120可以還包括多層絕緣層121、122、123與124，其中這些絕緣層121、122、123與124依序堆疊於基板110上。所以，絕緣層122與123可形成在絕緣層121與124之間。此外，畫素定義層127可設置於絕緣層124上，因此這些絕緣層121、122、123與124可位在基板110與畫素定義層127之間。

畫素陣列層120可以還包括多個控制元件126，其例如是電晶體或二極體。以圖1為例，各個控制元件126可為薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT），並包括閘極G26、汲極D26、源極S26與通道層C26。通道層C26形成於基板110上，並且被絕緣層121所覆蓋，而通道層C26的構成材料可以是半導體材料。

在同一個控制元件126中，閘極G26形成於絕緣層121上，並且位於通道層C26的正上方。因此，閘極G26與通道層C26重疊，且閘極G26、絕緣層121與通道層C26會形成電容結構。絕緣層122覆蓋閘極G26與絕緣層121，而汲極D26與源極S26形成於絕緣層122上，其中汲極D26與源極S26會穿透絕緣層122與121而連接於下方的通道層C26，以使汲極D26與源極S26兩者能電性連接通道層C26。

須說明的是，在圖1所示的實施例中，控制元件126為頂閘極型薄膜電晶體（top-gate TFT），但在其他實施例中，控制元件126可以是底閘極型薄膜電晶體（bottom-gate TFT）。因此，圖1僅供舉例說明，並不限制控制元件126僅為頂閘極型薄膜電晶體。

畫素陣列層120可以還包括多個陽極125。這些陽極125可為金屬層，並形成於絕緣層124上，而絕緣層124具有多個接觸窗124h，其中這些陽極125分別延伸至這些接觸窗124h內，並且接觸及連接這些汲極D26，以使這些汲極D26能分別電性連接這些陽極125。

畫素定義層127覆蓋這些陽極125與絕緣層124，其中開口127h位於這些陽極125上方，而畫素定義層127在其開口127h處不覆蓋陽極125，以使位於開口127h內的電致發光層128能設置於陽極125上，並且進一步地接觸與連接陽極125。如此，電致發光層128得以電性連接陽極125，其中本實施例的陽極125可以電性連接電致發光層128的電洞傳輸層（未繪示）。

畫素陣列層120還包括陰極130，其中陰極130設置於畫素陣列層120上，並電性連接這些電致發光層128。以圖1為例，陰極130設置於畫素定義層127上，並且延伸至這些開口127h內，以使陰極130能接觸及連接這些電致發光層128，其中陰極130可連接電致發光層128的電子傳輸層128a，如圖1所示。如此，陰極130能電性連接電致發光層128，而各個電致發光層128可以被夾置在陽極125與陰極130之間。

由於控制元件126的汲極D26電性連接陽極125，因此可利用閘極G26來開啟或關閉控制元件126，進而控制電致發光層128發光。另外，畫素陣列層120還可以包括多條掃描線與多條資料線（兩者皆未繪示），其中這些掃描線分別電性連接這些閘極G26，而這些資料線分別電性連接這些源極S26。如此，這些掃描線能開啟或關閉這些控制元件126，以控制這些資料線輸入電流至這些陽極125，進而控制這些電致發光層128發光，促使顯示面板100可以顯示影像。

陰極130具有不均勻一致的厚度，其中陰極130在發光區A10的厚度T11大於陰極130在非發光區A11的厚度T12，而厚度T11與厚度T12相差大約在1奈米至22奈米之間。例如，陰極130在發光區A10的厚度T11可介於16奈米至30奈米之間，而陰極130在非發光區A11的厚度T12可介於8奈米至15奈米之間，所以厚度T11與厚度T12可相差在1奈米至22奈米之間。

陰極130可以包括混合層131，其中混合層131設置於畫素陣列層120上，並且分布於這些發光區A10與這些非發光區A11。以圖1為例，混合層131設置於畫素定義層127上，並且全面性地覆蓋畫素定義層127，其中混合層131更覆蓋這些開口127h內的側壁，而且混合層131可依畫素定義層127的表面起伏，共形地（conformally）覆蓋畫素定義層127。因此，混合層131分布於發光區A10與非發光區A11。此外，混合層131可具有厚度T12，如圖1所示。

陰極130可以還包括多個導電層133，而這些導電層133設置於混合層131上，並分別分布於這些發光區A10。這些導電層133可以分別設置在這些開口127h內，但實質上不設置在開口127h以外的區域，所以這些導電層133分別分布於這些發光區A10，並分別與這些電致發光層128重疊，即這些導電層133分別對準這些電致發光層128。由於這些電致發光層128可以呈陣列排列，因此這些導電層133可以隨著電致發光層128而呈陣列排列。此外，厚度T11實質上等於導電層133的厚度加上混合層131的厚度T12。

混合層131與導電層133可由金屬材料製成，而整個陰極130可以是金屬膜層，其中混合層131以及導電層133可以採用蒸鍍（evaporation）以及光刻（photolithography）來形成。由於一般蒸鍍不會產生電漿，因此在進行上述蒸鍍以形成陰極130的過程中，電致發光層128不會被電漿損傷，以避免電致發光層128失效或故障，從而讓電致發光層128保有原來的發光功能。

由於陰極130在發光區A10的厚度T11大於陰極130在非發光區A11的厚度T12，因此位於發光區A10的部分陰極130具有較厚的厚度（例如介於16奈米至30奈米之間）而具有較低的電阻值，以幫助提升輸入至電致發光層128的電流，從而提升電致發光層128的發光效率。

位於非發光區A11的部分陰極130具有較薄的厚度（例如介於8奈米至15奈米之間），因此光線容易穿透位於非發光區A11的部分陰極130。所以，圖1中的顯示面板100非發光區A11下方可以設置影像感光元件，而影像感光元件能從顯示面板100順利地接收外界而來的光線，以進行拍照或攝影。

須說明的是，雖然陰極130為金屬層，且在發光區A10處具有較厚的厚度T11，但陰極130不會完全阻擋電致發光層128所發出的光線L1，而大部分的光線L1仍然可以穿透陰極130。所以，顯示面板100所顯示的影像整體上是不會被發光區A10內的陰極130所影響。詳細而言，陰極130的厚度T11約在100奈米以內，例如介於16奈米至30奈米之間，所以大部分的光線L1仍然可以穿透具有厚度T11的部分陰極130。因此，整體而言，陰極130不會影響到顯示面板100所顯示的影像。

特別一提的是，在圖1所示的實施例中，導電層133形成於開口127h內，且未覆蓋混合層131在這些開口127h以外的上表面131a。然而，在其他實施例中，導電層133可以覆蓋鄰接開口127h邊緣處的一小部分上表面131a。也就是說，導電層133的邊緣部分會覆蓋到一點上表面131a。因此，圖1所示的導電層133僅供舉例說明，並非限制導電層133不能覆蓋上表面131a。

由於混合層131與導電層133可由金屬材料製成，因此混合層131與導電層133皆可包括第一金屬材料，其中混合層131更包括第二金屬材料。第一金屬材料可為導電層133的主要材料，即導電層133主要可用第一金屬材料來製成。在本實施例中，混合層131中的第二金屬材料的體積百分比可約在10%以下，因此混合層131實質上可視為摻雜第二金屬材料的導電層133。然而，在其他實施例中，混合層131中的第二金屬材料的體積百分比也可超過10%，所以上述體積百分比不限制在10%以下。

第二金屬材料的表面能小於第一金屬材料的表面能，所以混合層131的表面能可以小於導電層133的表面能，而第二金屬材料能修補混合層131的表面缺陷，以使混合層131具有平坦的上表面131a，其中上表面131a的均方根粗糙度（Root Mean Square Roughness，RMS Roughness）可介於0奈米至2奈米之間。如此，即使混合層131具有偏薄的厚度T12，具平坦上表面131a的混合層131仍然具有較低的電阻值，以幫助提升輸入至電致發光層128的電流，從而提升電致發光層128的發光效率。

第二金屬材料的最低未占分子軌域（LUMO）可介於電子傳輸層128a與第一金屬材料兩者的最低未占分子軌域之間，所以混合層131的最低未占分子軌域也可介於導電層133與電子傳輸層128a兩者的最低未占分子軌域之間。因此，混合層131的能階（energy level）會介於導電層133的能階與電子傳輸層128a的能階之間。當導電層133的電子傳輸至電子傳輸層128a時，電子會先從導電層133的能階躍遷至混合層131的能階。之後，電子再從混合層131的能階躍遷至電子傳輸層128a。如此，有助於對電致發光層128進行電子注入，從而提升電致發光層128的發光效率。

另外，在第二金屬材料的表面能小於第一金屬材料的表面能，以及第二金屬材料的最低未占分子軌域介於電子傳輸層128a與第一金屬材料兩者的最低未占分子軌域之間的條件下，第一金屬材料可以是銀，而第二金屬材料可以是鎂、鋁與鐿。不過，第一與第二金屬材料也可為其他金屬材料，並不侷限於前述所舉例的金屬材料。

圖2是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖2，圖2所示的實施例與前述實施例相似，且圖2所示的顯示面板200與圖1所示的顯示面板100兩者具有相同的功效，其中顯示面板100與200兩者包括相同的元件：基板110與畫素陣列層120。顯示面板100與200之間的差異僅在於：顯示面板200所包括的陰極230不同於前述實施例中的陰極130。以下主要敘述上述差異，而兩者相同之處原則上不再重複敘述。

在顯示面板200中，陰極230包括混合層231與多個導電層233，其中混合層231的構成材料可相同於混合層131的構成材料，而導電層233的構成材料可相同於導電層133的構成材料。換句話說，混合層231與各個導電層233皆包括前述第一金屬材料，而混合層231更包括前述第二金屬材料，其中混合層231中的第二金屬材料的體積百分比也可以約在10%以下。

混合層231與這些導電層233皆設置於畫素陣列層120上，其中混合層231分布於非發光區A11，但不分布於發光區A10。例如，混合層231設置在畫素定義層127上，並且位於開口127h以外的畫素定義層127表面上，但不分布於開口127h內，如圖2所示。因此，混合層231的形狀可為網狀。這些導電層233分別分布於這些發光區A10，例如分別分布在這些開口127h內。

這些導電層233分別與這些電致發光層128重疊，並且電性連接混合層231與這些電致發光層128，以使陰極230電性連接這些電致發光層128。各個導電層233的厚度T21大於混合層231的厚度T22。所以，陰極230在發光區A10的厚度（即厚度T21）也大於陰極230在非發光區A11的厚度（即厚度T22）。此外，厚度T21的範圍可等於前述厚度T11的範圍，而厚度T22的範圍可等於前述厚度T12的範圍。

特別一提的是，導電層233與133的形成方法可以相同，而混合層231與131的形成方法可以相同。也就是說，導電層233與混合層231可採用蒸鍍與光刻來形成，所以這些導電層233的形狀可由光罩來設計。上述光罩可將導電層233設計成具有較大的寬度，以使各個導電層233的寬度能大於開口127h的口徑，從而讓導電層233能覆蓋鄰接開口127h邊緣處的一部分混合層231，如圖2所示。如此，各個導電層233能接觸混合層231，以確保這些導電層233電性連接混合層231，從而避免導電層233與混合層231之間發生斷路或接觸不良。

圖3是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖3，圖3所示的實施例與圖1所示的實施例相似，其中圖3中的顯示面板300與圖1中的顯示面板100皆具有相同的功效，並包括相同的元件：基板110與畫素陣列層120。以下主要敘述顯示面板300與100之間的差異，而兩者相同之處原則上不再重複敘述。

有別於前述實施例中的顯示面板100，顯示面板300包括陰極330，而陰極330包括緩衝層332與導電層333，其中導電層333與緩衝層332皆設置於畫素陣列層120上。緩衝層332分布於這些非發光區A11，但不分布於這些發光區A10。導電層333分布於這些發光區A10與這些非發光區A11，並覆蓋緩衝層332。

以圖3為例，導電層333與緩衝層332皆設置畫素定義層127上，其中緩衝層332分布於開口127h以外的畫素定義層127表面上，但不分布於開口127h內，所以緩衝層332的形狀可為網狀。導電層333全面性覆蓋畫素定義層127與緩衝層332，並且更覆蓋這些開口127h內的側壁，所以導電層333分布於發光區A10與非發光區A11。此外，導電層333具有不均勻一致的厚度。

從圖3來看，導電層333在發光區A10的厚度T33a明顯大於導電層333在非發光區A11的厚度T33b。緩衝層332可以具有相當薄的厚度T32，其可小於或等於1奈米。由於緩衝層332的厚度T32相當薄，因此陰極330在發光區A10的厚度（等於厚度T33a）仍會大於陰極330在非發光區A11的厚度（等於厚度T32加厚度T33b）。厚度T33a的範圍可等於厚度T11的範圍，而陰極330在非發光區A11的厚度（等於厚度T32加厚度T33b）的範圍實質上可等於厚度T12的範圍。

導電層333的構成材料可相同於導電層133的構成材料，所以導電層333可包括前述第一金屬材料。緩衝層332的表面能可小於導電層333的表面能。例如，緩衝層332可由前述第二金屬材料製成，其中導電層333與緩衝層332兩者可採用蒸鍍來形成。由於緩衝層332的表面能可以小於導電層333的表面能，所以在緩衝層332上形成導電層333的過程中（例如進行蒸鍍），導電層333可易於被分散在緩衝層332上，以使導電層333能形成平坦的表面，其均方根粗糙度（RMS Roughness）可以介於0奈米至2奈米之間。

如此，即使導電層333具有偏薄的厚度T33b，具有平坦表面的導電層333仍然具有較低的電阻值以幫助提升輸入至電致發光層128的電流。此外，緩衝層332的最低未占分子軌域可介於電子傳輸層128a與導電層333兩者的最低未占分子軌域之間，因此緩衝層332的能階會介於導電層333的能階與電子傳輸層128a的能階之間，從而有助於對電致發光層128進行電子注入，提升電致發光層128的發光效率。

在本實施例中，導電層333更可以採用光刻來形成，並且可以分成二次製程來形成。具體而言，導電層333可包括第一次導電層333a與第二次導電層333b，其中第一次導電層333a先形成於非發光區A11。之後，第二次導電層333b才形成於發光區A10內。

在形成第二次導電層333b的過程中，可以先後進行蒸鍍與光刻。光刻所使用的光罩可以將第二次導電層333b設計成具有較大的寬度，以使第二次導電層333的寬度能大於開口127h的口徑。如此，第二次導電層333b能覆蓋鄰接開口127h邊緣處的一部分第一次導電層333a以確保第二次導電層333b電性連接第一次導電層333a。所以，第二次導電層333b會在開口127h的邊緣處形成凸起部，如圖3所示。

圖4是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖4，圖4所示的顯示面板400相似於圖2所示的顯示面板200，且兩者具有相同的功效，並包括基板110與畫素陣列層120。以下主要敘述顯示面板200與400之間的差異，即顯示面板400所包括的陰極430。顯示面板200與400兩者相同之處原則上不再重複敘述。

有別於圖2中的陰極230，圖4中的陰極430不僅包括混合層231與多個導電層233，而且還包括緩衝層332。混合層231、緩衝層332與這些導電層233皆設置於畫素陣列層120上，其中混合層231與緩衝層332皆設置於畫素定義層127上，並且分布於這些非發光區A11。混合層231覆蓋緩衝層332，而緩衝層332可被夾置在混合層231與畫素定義層127之間，如圖4所示。

圖5是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖5，圖5所示的顯示面板500與圖1所示的顯示面板100相似，且兩者具有相同的功效，因此顯示面板500與100兩者相同之處原則上不再重複敘述。顯示面板500與100之間的差異僅在於：顯示面板500的陰極530不僅包括混合層131與導電層133，還包括緩衝層332。緩衝層332僅分布於非發光區A11，而混合層131不僅覆蓋畫素定義層127，且還覆蓋緩衝層332，以使緩衝層332被夾置於畫素定義層127與混合層131之間。

綜上所述，在本發明至少一實施例的顯示面板具有厚度不均勻一致的陰極，其中陰極在發光區的厚度大於陰極在非發光區的厚度。換句話說，位於發光區的部分陰極具有較厚的厚度，而位於非發光區的部分陰極具有較薄的厚度。因此，在非發光區內的陰極容易被光線穿透，以使設置在非發光區下方的影像感光元件能從顯示面板順利地接收外界而來的光線，以進行拍照或攝影。在發光區內的陰極具有較低的電阻值，以幫助提升輸入至電致發光層的電流，從而提升電致發光層的發光效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400、500:顯示面板 110:基板 120:畫素陣列層 121、122、123、124:絕緣層 124h:接觸窗 125:陽極 126:控制元件 127:畫素定義層 127h:開口 128:電致發光層 128a:電子傳輸層 130、230、330、430、530:陰極 131、231:混合層 131a:上表面 133、233、333:導電層 332:緩衝層 A10:發光區 A11:非發光區 C26:通道層 D26:汲極 G26:閘極 S26:源極 L1:光線 T11、T12、T21、T22、T32、T33a、T33b:厚度

圖1是本發明至少一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖2是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖3是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖4是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖5是本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。

100:顯示面板

110:基板

120:畫素陣列層

121、122、123、124:絕緣層

124h:接觸窗

125:陽極

126:控制元件

127:畫素定義層

127h:開口

128:電致發光層

128a:電子傳輸層

130:陰極

131:混合層

131a:上表面

133:導電層

A10:發光區

A11:非發光區

C26:通道層

D26:汲極

G26:閘極

S26:源極

L1:光線

T11、T12:厚度

Claims

一種顯示面板，包括：一基板；一畫素陣列層，設置於該基板上，並具有多個發光區與多個非發光區，其中該畫素陣列層包括多個電致發光層，而該些電致發光層分別位於該些發光區；以及一陰極，設置於該畫素陣列層上，並電性連接該些電致發光層，其中該陰極在該發光區的厚度大於該陰極在該非發光區的厚度，且該陰極在該發光區的厚度與該陰極在該非發光區的厚度相差在1奈米至22奈米之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中該陰極在該發光區的厚度介於16奈米至30奈米之間。
如請求項1或2所述的顯示面板，其中該陰極在該非發光區的厚度介於8奈米至15奈米之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中該陰極包括：一混合層，設置於該畫素陣列層上，並分布於該些發光區與該些非發光區；以及多個導電層，設置於該混合層上，並分布於該些發光區，其中該些導電層分別與該些電致發光層重疊。
如請求項4所述的顯示面板，其中該混合層與該導電層皆包括一第一金屬材料，而該混合層更包括一第二金屬材料，其中該第二金屬材料的表面能小於該第一金屬材料的表面能。
如請求項5所述的顯示面板，其中該混合層中的該第二金屬材料的體積百分比約在10%以下。
如請求項4所述的顯示面板，其中各該電致發光層包括一電子傳輸層，該混合層與該導電層皆包括一第一金屬材料，而該混合層更包括一第二金屬材料，其中該第二金屬材料的最低未占分子軌域介於該電子傳輸層與該第一金屬材料兩者的最低未占分子軌域之間。
如請求項4所述的顯示面板，其中該陰極還包括一緩衝層，該緩衝層設置於該畫素陣列層上，並且分布於該些非發光區，其中該混合層覆蓋該緩衝層。
如請求項1所述的顯示面板，其中該陰極包括：一混合層，設置於該畫素陣列層上，並分布於該些非發光區，但不分布於該些發光區；以及多個導電層，設置於該畫素陣列層上，並分別分布於該些發光區，其中該些導電層分別與該些電致發光層重疊，並電性連接該混合層，而各該導電層的厚度大於該混合層的厚度。
如請求項9所述的顯示面板，其中該混合層與各該導電層皆包括一第一金屬材料，而該混合層更包括一第二金屬材料，其中該第二金屬材料的表面能小於該第一金屬材料的表面能。
如請求項10所述的顯示面板，其中該混合層中的該第二金屬材料的體積百分比約在10%以下。
如請求項9所述的顯示面板，其中各該電致發光層包括一電子傳輸層，該混合層與各該導電層皆包括一第一金屬材料，而該混合層更包括一第二金屬材料，其中該第二金屬材料的最低未占分子軌域介於該電子傳輸層與該第一金屬材料兩者的最低未占分子軌域之間。
如請求項9所述的顯示面板，其中該陰極還包括一緩衝層，該緩衝層設置於該畫素陣列層上，並且分布於該些非發光區，其中該混合層覆蓋該緩衝層。
如請求項1所述的顯示面板，其中該陰極包括：一緩衝層，設置於該畫素陣列層上，並分布於該些非發光區，但不分布於該些發光區；以及一導電層，設置於該畫素陣列層上，並分布於該些發光區與該些非發光區，其中該導電層覆蓋該緩衝層，且該導電層在該發光區的厚度大於該導電層在該非發光區的厚度。
如請求項14所述的顯示面板，其中該緩衝層的表面能小於該導電層的表面能。
如請求項14所述的顯示面板，其中各該電致發光層包括一電子傳輸層，該緩衝層的最低未占分子軌域介於該電子傳輸層與該導電層兩者的最低未占分子軌域之間。