CN112563435A - 显示面板 - Google Patents

Abstract

一种显示面板包括基板、像素阵列层与阴极。像素阵列层设置于基板上，并具有多个发光区与多个非发光区。像素阵列层包括多个电致发光层，而这些电致发光层分别位于这些发光区。阴极设置于像素阵列层上，并电性连接这些电致发光层。阴极在发光区的厚度大于阴极在非发光区的厚度，且阴极在发光区的厚度与阴极在非发光区的厚度相差在1纳米至22纳米之间。

Description

显示面板

技术领域

本发明涉及一种显示面板，且特别涉及一种自发光显示面板(self-luminousdisplay panel)。

背景技术

现今已有移动装置(mobile device)，例如智能手机，采用有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode Display Panel，OLED Display Panel)作为显示屏幕，其中有的智能手机内部会在有机发光二极管显示面板下方装设影像感光元件，让使用者可从显示屏幕进行拍照或摄影。因此，在上述智能手机中，有机发光二极管显示面板通常采用由透明导电层，例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)，所制成的电极，以使外界光线能通过有机发光二极管显示面板而入射至影像感光元件，让智能手机能执行拍照或摄影的功能。

发明内容

本发明至少一实施例提供一种显示面板，其包括厚度不均匀一致的阴极。

本发明至少一实施例所提供的显示面板包括基板、像素阵列层与阴极。像素阵列层设置于基板上，并具有多个发光区与多个非发光区，其中像素阵列层包括多个电致发光层，而这些电致发光层分别位于这些发光区。阴极设置于像素阵列层上，并电性连接这些电致发光层，其中阴极在发光区的厚度大于阴极在非发光区的厚度，且阴极在发光区的厚度与阴极在非发光区的厚度相差在1纳米至22纳米之间。

在本发明至少一实施例中，上述阴极在发光区的厚度介于16纳米至30纳米之间。

在本发明至少一实施例中，上述阴极在非发光区的厚度介于8纳米至15纳米之间。

在本发明至少一实施例中，上述阴极包括混合层与多个导电层。混合层设置于像素阵列层上，并分布于这些发光区与这些非发光区。这些导电层设置于混合层上，并分布于这些发光区，其中这些导电层分别与这些电致发光层重叠。

在本发明至少一实施例中，上述混合层与导电层皆包括第一金属材料，而混合层还包括一第二金属材料，其中第二金属材料的表面能小于第一金属材料的表面能。

在本发明至少一实施例中，上述混合层中的第二金属材料的体积百分比约在10％以下。

在本发明至少一实施例中，各个电致发光层包括一电子传输层，其中第二金属材料的最低未占分子轨域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)介于电子传输层与第一金属材料两者的最低未占分子轨域之间。

在本发明至少一实施例中，上述阴极还包括缓冲层。缓冲层设置于像素阵列层上，并且分布于这些非发光区，其中混合层覆盖缓冲层。

在本发明至少一实施例中，上述阴极包括混合层与多个导电层。混合层与这些导电层皆设置于像素阵列层上，而混合层分布于这些非发光区，但不分布于这些发光区。这些导电层分别分布于这些发光区，其中这些导电层分别与这些电致发光层重叠，并电性连接混合层，而各个导电层的厚度大于混合层的厚度。

在本发明至少一实施例中，上述阴极包括缓冲层与导电层。缓冲层设置于像素阵列层上，并分布于这些非发光区，但不分布于这些发光区。导电层设置于像素阵列层上，并分布于这些发光区与这些非发光区，其中导电层覆盖缓冲层，且导电层在发光区的厚度大于导电层在非发光区的厚度。

在本发明至少一实施例中，上述缓冲层的表面能小于导电层的表面能。

在本发明至少一实施例中，上述缓冲层的最低未占分子轨域介于电子传输层与导电层两者的最低未占分子轨域之间。

基于上述，由于阴极在发光区的厚度大于阴极在非发光区的厚度，因此位于发光区的部分阴极具有较厚的厚度，而位于非发光区的部分阴极具有较薄的厚度，以使在非发光区内的阴极容易被光线穿透。如此，设置在非发光区下方的影像感光元件能从显示面板顺利地接收外界而来的光线，以进行拍照或摄影。

为让本发明的特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图，作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明至少一实施例的显示面板的剖面示意图。

图2是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图3是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图4是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

图5是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。

附图标记说明：

100、200、300、400、500：显示面板

110：基板

120：像素阵列层

121、122、123、124：绝缘层

124h：接触窗

125：阳极

126：控制元件

127：像素定义层

127h：开口

128：电致发光层

128a：电子传输层

130、230、330、430、530：阴极

131、231：混合层

131a：上表面

133、233、333：导电层

332：缓冲层

A10：发光区

A11：非发光区

C26：通道层

D26：漏极

G26：栅极

S26：源极

L1：光线

T11、T12、T21、T22、T32、T33a、T33b：厚度

具体实施方式

在以下的内文中，为了清楚呈现本公开的技术特征，附图中的元件(例如层、膜、基板以及区域等)的尺寸(例如长度、宽度、厚度与深度)会以不等比例的方式放大。因此，下文实施例的说明与解释不受限于附图中的元件所呈现的尺寸与形状，而应涵盖如实际工艺及/或公差所导致的尺寸、形状以及两者的偏差。例如，附图所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非线性的特征，而附图所示的锐角可以是圆的。所以，本公开附图所呈示的元件主要是用于示意，并非旨在精准地描绘出元件的实际形状，也非用于限制本公开的权利要求。

其次，本公开内容中所出现的“约”、“近似”或“实质上”等这类用字不仅涵盖明确记载的数值与数值范围，而且也涵盖发明所属技术领域中技术人员所能理解的可允许偏差范围，其中此偏差范围可由测量时所产生的误差来决定，而此误差例如是起因于测量系统或工艺条件两者的限制。此外，“约”可表示在上述数值的一个或多个标准偏差内，例如±30％、±20％、±10％或±5％内。本公开文中所出现的“约”、“近似”或“实质上”等这类用字可依光学性质、蚀刻性质、机械性质或其他性质来选择可以接受的偏差范围或标准偏差，并非单以一个标准偏差来套用以上光学性质、蚀刻性质、机械性质以及其他性质等所有性质。

图1是本发明至少一实施例的显示面板的剖面示意图。请参阅图1，显示面板100包括基板110与像素阵列层120，其中像素阵列层120设置于基板110上，并包括多个电致发光层128。各个电致发光层128能发出光线L1，且可以是有机发光二极管(OLED)，其中各个电致发光层128可包括电子传输层128a、发光层(未示出)以及空穴传输层(未示出)。

这些电致发光层128可呈阵列排列，而这些电致发光层128所发出的光线L1的颜色可不全部相同。例如，这些电致发光层128其中三者所发出的光线L1分别是红光、蓝光与绿光。各个电致发光层128可视为一个子像素(sub-pixel)，而利用这些电致发光层128所发出的红光、蓝光与绿光，显示面板100能显示影像。

另外，这些电致发光层128所发出的光线L1的颜色也可以全部相同。例如，显示面板100可以还包括彩色滤光基板(图未示出)，而这些电致发光层128所发出的光线L1可以皆为白光，其中这些光线L1(白光)可以穿透彩色滤光基板，以使这些光线L1能转换成红光、绿光与蓝光，从而让显示面板100能显示影像。

像素阵列层120具有多个发光区A10与多个非发光区A11，其中这些电致发光层128分别位于这些发光区A10，但不位于非发光区A11。在图1所示的实施例中，像素阵列层120可以还包括像素定义层127，其中像素定义层127具有多个开口127h，而这些电致发光层128分别位于这些开口127h内。例如，这些电致发光层128分别设置于这些开口127h的底部。因此，这些开口127h基本上可视为发光区A10，而这些开口127h以外的区域基本上可视为非发光区A11。

像素阵列层120可以还包括多层绝缘层121、122、123与124，其中这些绝缘层121、122、123与124按序堆叠于基板110上。所以，绝缘层122与123可形成在绝缘层121与124之间。此外，像素定义层127可设置于绝缘层124上，因此这些绝缘层121、122、123与124可位在基板110与像素定义层127之间。

像素阵列层120可以还包括多个控制元件126，其例如是晶体管或二极管。以图1为例，各个控制元件126可为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，并包括栅极G26、漏极D26、源极S26与通道层C26。通道层C26形成于基板110上，并且被绝缘层121所覆盖，而通道层C26的构成材料可以是半导体材料。

在同一个控制元件126中，栅极G26形成于绝缘层121上，并且位于通道层C26的正上方。因此，栅极G26与通道层C26重叠，且栅极G26、绝缘层121与通道层C26会形成电容结构。绝缘层122覆盖栅极G26与绝缘层121，而漏极D26与源极S26形成于绝缘层122上，其中漏极D26与源极S26会穿透绝缘层122与121而连接于下方的通道层C26，以使漏极D26与源极S26两者能电性连接通道层C26。

须说明的是，在图1所示的实施例中，控制元件126为顶栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT)，但在其他实施例中，控制元件126可以是底栅极型薄膜晶体管(bottom-gateTFT)。因此，图1仅供举例说明，并不限制控制元件126仅为顶栅极型薄膜晶体管。

像素阵列层120可以还包括多个阳极125。这些阳极125可为金属层，并形成于绝缘层124上，而绝缘层124具有多个接触窗124h，其中这些阳极125分别延伸至这些接触窗124h内，并且接触及连接这些漏极D26，以使这些漏极D26能分别电性连接这些阳极125。

像素定义层127覆盖这些阳极125与绝缘层124，其中开口127h位于这些阳极125上方，而像素定义层127在其开口127h处不覆盖阳极125，以使位于开口127h内的电致发光层128能设置于阳极125上，并且进一步地接触与连接阳极125。如此，电致发光层128得以电性连接阳极125，其中本实施例的阳极125可以电性连接电致发光层128的空穴传输层(未示出)。

像素阵列层120还包括阴极130，其中阴极130设置于像素阵列层120上，并电性连接这些电致发光层128。以图1为例，阴极130设置于像素定义层127上，并且延伸至这些开口127h内，以使阴极130能接触及连接这些电致发光层128，其中阴极130可连接电致发光层128的电子传输层128a，如图1所示。如此，阴极130能电性连接电致发光层128，而各个电致发光层128可以被夹置在阳极125与阴极130之间。

由于控制元件126的漏极D26电性连接阳极125，因此可利用栅极G26来开启或关闭控制元件126，进而控制电致发光层128发光。另外，像素阵列层120还可以包括多条扫描线与多条数据线(两者皆未示出)，其中这些扫描线分别电性连接这些栅极G26，而这些数据线分别电性连接这些源极S26。如此，这些扫描线能开启或关闭这些控制元件126，以控制这些数据线输入电流至这些阳极125，进而控制这些电致发光层128发光，促使显示面板100可以显示影像。

阴极130具有不均匀一致的厚度，其中阴极130在发光区A10的厚度T11大于阴极130在非发光区A11的厚度T12，而厚度T11与厚度T12相差大约在1纳米至22纳米之间。例如，阴极130在发光区A10的厚度T11可介于16纳米至30纳米之间，而阴极130在非发光区A11的厚度T12可介于8纳米至15纳米之间，所以厚度T11与厚度T12可相差在1纳米至22纳米之间。

阴极130可以包括混合层131，其中混合层131设置于像素阵列层120上，并且分布于这些发光区A10与这些非发光区A11。以图1为例，混合层131设置于像素定义层127上，并且全面性地覆盖像素定义层127，其中混合层131更覆盖这些开口127h内的侧壁，而且混合层131可依像素定义层127的表面起伏，共形地(conformally)覆盖像素定义层127。因此，混合层131分布于发光区A10与非发光区A11。此外，混合层131可具有厚度T12，如图1所示。

阴极130可以还包括多个导电层133，而这些导电层133设置于混合层131上，并分别分布于这些发光区A10。这些导电层133可以分别设置在这些开口127h内，但实质上不设置在开口127h以外的区域，所以这些导电层133分别分布于这些发光区A10，并分别与这些电致发光层128重叠，即这些导电层133分别对准这些电致发光层128。由于这些电致发光层128可以呈阵列排列，因此这些导电层133可以随着电致发光层128而呈阵列排列。此外，厚度T11实质上等于导电层133的厚度加上混合层131的厚度T12。

混合层131与导电层133可由金属材料制成，而整个阴极130可以是金属膜层，其中混合层131以及导电层133可以采用蒸镀(evaporation)以及光刻(photolithography)来形成。由于一般蒸镀不会产生等离子体，因此在进行上述蒸镀以形成阴极130的过程中，电致发光层128不会被等离子体损伤，以避免电致发光层128失效或故障，从而让电致发光层128保有原来的发光功能。

由于阴极130在发光区A10的厚度T11大于阴极130在非发光区A11的厚度T12，因此位于发光区A10的部分阴极130具有较厚的厚度(例如介于16纳米至30纳米之间)而具有较低的电阻值，以帮助提升输入至电致发光层128的电流，从而提升电致发光层128的发光效率。

位于非发光区A11的部分阴极130具有较薄的厚度(例如介于8纳米至15纳米之间)，因此光线容易穿透位于非发光区A11的部分阴极130。所以，图1中的显示面板100非发光区A11下方可以设置影像感光元件，而影像感光元件能从显示面板100顺利地接收外界而来的光线，以进行拍照或摄影。

须说明的是，虽然阴极130为金属层，且在发光区A10处具有较厚的厚度T11，但阴极130不会完全阻挡电致发光层128所发出的光线L1，而大部分的光线L1仍然可以穿透阴极130。所以，显示面板100所显示的影像整体上是不会被发光区A10内的阴极130所影响。详细而言，阴极130的厚度T11约在100纳米以内，例如介于16纳米至30纳米之间，所以大部分的光线L1仍然可以穿透具有厚度T11的部分阴极130。因此，整体而言，阴极130不会影响到显示面板100所显示的影像。

特别一提的是，在图1所示的实施例中，导电层133形成于开口127h内，且未覆盖混合层131在这些开口127h以外的上表面131a。然而，在其他实施例中，导电层133可以覆盖邻接开口127h边缘处的一小部分上表面131a。也就是说，导电层133的边缘部分会覆盖到一点上表面131a。因此，图1所示的导电层133仅供举例说明，并非限制导电层133不能覆盖上表面131a。

由于混合层131与导电层133可由金属材料制成，因此混合层131与导电层133皆可包括第一金属材料，其中混合层131还包括第二金属材料。第一金属材料可为导电层133的主要材料，即导电层133主要可用第一金属材料来制成。在本实施例中，混合层131中的第二金属材料的体积百分比可约在10％以下，因此混合层131实质上可视为掺杂第二金属材料的导电层133。然而，在其他实施例中，混合层131中的第二金属材料的体积百分比也可超过10％，所以上述体积百分比不限制在10％以下。

第二金属材料的表面能小于第一金属材料的表面能，所以混合层131的表面能可以小于导电层133的表面能，而第二金属材料能修补混合层131的表面缺陷，以使混合层131具有平坦的上表面131a，其中上表面131a的均方根粗糙度(Root Mean Square Roughness，RMS Roughness)可介于0纳米至2纳米之间。如此，即使混合层131具有偏薄的厚度T12，具平坦上表面131a的混合层131仍然具有较低的电阻值，以帮助提升输入至电致发光层128的电流，从而提升电致发光层128的发光效率。

第二金属材料的最低未占分子轨域(LUMO)可介于电子传输层128a与第一金属材料两者的最低未占分子轨域之间，所以混合层131的最低未占分子轨域也可介于导电层133与电子传输层128a两者的最低未占分子轨域之间。因此，混合层131的能阶(energy level)会介于导电层133的能阶与电子传输层128a的能阶之间。当导电层133的电子传输至电子传输层128a时，电子会先从导电层133的能阶跃迁至混合层131的能阶。之后，电子再从混合层131的能阶跃迁至电子传输层128a。如此，有助于对电致发光层128进行电子注入，从而提升电致发光层128的发光效率。

另外，在第二金属材料的表面能小于第一金属材料的表面能，以及第二金属材料的最低未占分子轨域介于电子传输层128a与第一金属材料两者的最低未占分子轨域之间的条件下，第一金属材料可以是银，而第二金属材料可以是镁、铝与镱。不过，第一与第二金属材料也可为其他金属材料，并不局限于前述所举例的金属材料。

图2是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参阅图2，图2所示的实施例与前述实施例相似，且图2所示的显示面板200与图1所示的显示面板100两者具有相同的技术效果，其中显示面板100与200两者包括相同的元件：基板110与像素阵列层120。显示面板100与200之间的差异仅在于：显示面板200所包括的阴极230不同于前述实施例中的阴极130。以下主要叙述上述差异，而两者相同之处原则上不再重复叙述。

在显示面板200中，阴极230包括混合层231与多个导电层233，其中混合层231的构成材料可相同于混合层131的构成材料，而导电层233的构成材料可相同于导电层133的构成材料。换句话说，混合层231与各个导电层233皆包括前述第一金属材料，而混合层231还包括前述第二金属材料，其中混合层231中的第二金属材料的体积百分比也可以约在10％以下。

混合层231与这些导电层233皆设置于像素阵列层120上，其中混合层231分布于非发光区A11，但不分布于发光区A10。例如，混合层231设置在像素定义层127上，并且位于开口127h以外的像素定义层127表面上，但不分布于开口127h内，如图2所示。因此，混合层231的形状可为网状。这些导电层233分别分布于这些发光区A10，例如分别分布在这些开口127h内。

这些导电层233分别与这些电致发光层128重叠，并且电性连接混合层231与这些电致发光层128，以使阴极230电性连接这些电致发光层128。各个导电层233的厚度T21大于混合层231的厚度T22。所以，阴极230在发光区A10的厚度(即厚度T21)也大于阴极230在非发光区A11的厚度(即厚度T22)。此外，厚度T21的范围可等于前述厚度T11的范围，而厚度T22的范围可等于前述厚度T12的范围。

特别一提的是，导电层233与133的形成方法可以相同，而混合层231与131的形成方法可以相同。也就是说，导电层233与混合层231可采用蒸镀与光刻来形成，所以这些导电层233的形状可由掩模来设计。上述掩模可将导电层233设计成具有较大的宽度，以使各个导电层233的宽度能大于开口127h的口径，从而让导电层233能覆盖邻接开口127h边缘处的一部分混合层231，如图2所示。如此，各个导电层233能接触混合层231，以确保这些导电层233电性连接混合层231，从而避免导电层233与混合层231之间发生断路或接触不良。

图3是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参阅图3，图3所示的实施例与图1所示的实施例相似，其中图3中的显示面板300与图1中的显示面板100皆具有相同的技术效果，并包括相同的元件：基板110与像素阵列层120。以下主要叙述显示面板300与100之间的差异，而两者相同之处原则上不再重复叙述。

有别于前述实施例中的显示面板100，显示面板300包括阴极330，而阴极330包括缓冲层332与导电层333，其中导电层333与缓冲层332皆设置于像素阵列层120上。缓冲层332分布于这些非发光区A11，但不分布于这些发光区A10。导电层333分布于这些发光区A10与这些非发光区A11，并覆盖缓冲层332。

以图3为例，导电层333与缓冲层332皆设置像素定义层127上，其中缓冲层332分布于开口127h以外的像素定义层127表面上，但不分布于开口127h内，所以缓冲层332的形状可为网状。导电层333全面性覆盖像素定义层127与缓冲层332，并且更覆盖这些开口127h内的侧壁，所以导电层333分布于发光区A10与非发光区A11。此外，导电层333具有不均匀一致的厚度。

从图3来看，导电层333在发光区A10的厚度T33a明显大于导电层333在非发光区A11的厚度T33b。缓冲层332可以具有相当薄的厚度T32，其可小于或等于1纳米。由于缓冲层332的厚度T32相当薄，因此阴极330在发光区A10的厚度(等于厚度T33a)仍会大于阴极330在非发光区A11的厚度(等于厚度T32加厚度T33b)。厚度T33a的范围可等于厚度T11的范围，而阴极330在非发光区A11的厚度(等于厚度T32加厚度T33b)的范围实质上可等于厚度T12的范围。

导电层333的构成材料可相同于导电层133的构成材料，所以导电层333可包括前述第一金属材料。缓冲层332的表面能可小于导电层333的表面能。例如，缓冲层332可由前述第二金属材料制成，其中导电层333与缓冲层332两者可采用蒸镀来形成。由于缓冲层332的表面能可以小于导电层333的表面能，所以在缓冲层332上形成导电层333的过程中(例如进行蒸镀)，导电层333可易于被分散在缓冲层332上，以使导电层333能形成平坦的表面，其均方根粗糙度(RMS Roughness)可以介于0纳米至2纳米之间。

如此，即使导电层333具有偏薄的厚度T33b，具有平坦表面的导电层333仍然具有较低的电阻值以帮助提升输入至电致发光层128的电流。此外，缓冲层332的最低未占分子轨域可介于电子传输层128a与导电层333两者的最低未占分子轨域之间，因此缓冲层332的能阶会介于导电层333的能阶与电子传输层128a的能阶之间，从而有助于对电致发光层128进行电子注入，提升电致发光层128的发光效率。

在本实施例中，导电层333还可以采用光刻来形成，并且可以分成二次工艺来形成。具体而言，导电层333可包括第一次导电层333a与第二次导电层333b，其中第一次导电层333a先形成于非发光区A11。之后，第二次导电层333b才形成于发光区A10内。

在形成第二次导电层333b的过程中，可以先后进行蒸镀与光刻。光刻所使用的掩模可以将第二次导电层333b设计成具有较大的宽度，以使第二次导电层333的宽度能大于开口127h的口径。如此，第二次导电层333b能覆盖邻接开口127h边缘处的一部分第一次导电层333a以确保第二次导电层333b电性连接第一次导电层333a。所以，第二次导电层333b会在开口127h的边缘处形成凸起部，如图3所示。

图4是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参阅图4，图4所示的显示面板400相似于图2所示的显示面板200，且两者具有相同的技术效果，并包括基板110与像素阵列层120。以下主要叙述显示面板200与400之间的差异，即显示面板400所包括的阴极430。显示面板200与400两者相同之处原则上不再重复叙述。

有别于图2中的阴极230，图4中的阴极430不仅包括混合层231与多个导电层233，而且还包括缓冲层332。混合层231、缓冲层332与这些导电层233皆设置于像素阵列层120上，其中混合层231与缓冲层332皆设置于像素定义层127上，并且分布于这些非发光区A11。混合层231覆盖缓冲层332，而缓冲层332可被夹置在混合层231与像素定义层127之间，如图4所示。

图5是本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。请参阅图5，图5所示的显示面板500与图1所示的显示面板100相似，且两者具有相同的技术效果，因此显示面板500与100两者相同之处原则上不再重复叙述。显示面板500与100之间的差异仅在于：显示面板500的阴极530不仅包括混合层131与导电层133，还包括缓冲层332。缓冲层332仅分布于非发光区A11，而混合层131不仅覆盖像素定义层127，且还覆盖缓冲层332，以使缓冲层332被夹置于像素定义层127与混合层131之间。

综上所述，在本发明至少一实施例的显示面板具有厚度不均匀一致的阴极，其中阴极在发光区的厚度大于阴极在非发光区的厚度。换句话说，位于发光区的部分阴极具有较厚的厚度，而位于非发光区的部分阴极具有较薄的厚度。因此，在非发光区内的阴极容易被光线穿透，以使设置在非发光区下方的影像感光元件能从显示面板顺利地接收外界而来的光线，以进行拍照或摄影。在发光区内的阴极具有较低的电阻值，以帮助提升输入至电致发光层的电流，从而提升电致发光层的发光效率。

虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，本发明所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明构思和范围内，当可作些许变动与润饰，因此本发明保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (16)

1.一种显示面板，包括：

一基板；

一像素阵列层，设置于该基板上，并具有多个发光区与多个非发光区，其中该像素阵列层包括多个电致发光层，而该些电致发光层分别位于该些发光区；以及

一阴极，设置于该像素阵列层上，并电性连接该些电致发光层，其中该阴极在该发光区的厚度大于该阴极在该非发光区的厚度，且该阴极在该发光区的厚度与该阴极在该非发光区的厚度相差在1纳米至22纳米之间。

2.如权利要求1所述的显示面板，其中该阴极在该发光区的厚度介于16纳米至30纳米之间。

3.如权利要求1或2所述的显示面板，其中该阴极在该非发光区的厚度介于8纳米至15纳米之间。

4.如权利要求1所述的显示面板，其中该阴极包括：

一混合层，设置于该像素阵列层上，并分布于该些发光区与该些非发光区；以及

多个导电层，设置于该混合层上，并分布于该些发光区，其中该些导电层分别与该些电致发光层重叠。

5.如权利要求4所述的显示面板，其中该混合层与该导电层皆包括一第一金属材料，而该混合层还包括一第二金属材料，其中该第二金属材料的表面能小于该第一金属材料的表面能。

6.如权利要求5所述的显示面板，其中该混合层中的该第二金属材料的体积百分比约在10％以下。

7.如权利要求4所述的显示面板，其中各该电致发光层包括一电子传输层，该混合层与该导电层皆包括一第一金属材料，而该混合层还包括一第二金属材料，其中该第二金属材料的最低未占分子轨域介于该电子传输层与该第一金属材料两者的最低未占分子轨域之间。

8.如权利要求4所述的显示面板，其中该阴极还包括一缓冲层，该缓冲层设置于该像素阵列层上，并且分布于该些非发光区，其中该混合层覆盖该缓冲层。

9.如权利要求1所述的显示面板，其中该阴极包括：

一混合层，设置于该像素阵列层上，并分布于该些非发光区，但不分布于该些发光区；以及

多个导电层，设置于该像素阵列层上，并分别分布于该些发光区，其中该些导电层分别与该些电致发光层重叠，并电性连接该混合层，而各该导电层的厚度大于该混合层的厚度。

10.如权利要求9所述的显示面板，其中该混合层与各该导电层皆包括一第一金属材料，而该混合层还包括一第二金属材料，其中该第二金属材料的表面能小于该第一金属材料的表面能。

11.如权利要求10所述的显示面板，其中该混合层中的该第二金属材料的体积百分比约在10％以下。

12.如权利要求9所述的显示面板，其中各该电致发光层包括一电子传输层，该混合层与各该导电层皆包括一第一金属材料，而该混合层还包括一第二金属材料，其中该第二金属材料的最低未占分子轨域介于该电子传输层与该第一金属材料两者的最低未占分子轨域之间。

13.如权利要求9所述的显示面板，其中该阴极还包括一缓冲层，该缓冲层设置于该像素阵列层上，并且分布于该些非发光区，其中该混合层覆盖该缓冲层。

14.如权利要求1所述的显示面板，其中该阴极包括：

一缓冲层，设置于该像素阵列层上，并分布于该些非发光区，但不分布于该些发光区；以及

一导电层，设置于该像素阵列层上，并分布于该些发光区与该些非发光区，其中该导电层覆盖该缓冲层，且该导电层在该发光区的厚度大于该导电层在该非发光区的厚度。

15.如权利要求14所述的显示面板，其中该缓冲层的表面能小于该导电层的表面能。

16.如权利要求14所述的显示面板，其中各该电致发光层包括一电子传输层，该缓冲层的最低未占分子轨域介于该电子传输层与该导电层两者的最低未占分子轨域之间。

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