TW202147019A - 防護薄膜框架、防護薄膜組件、防護薄膜組件的檢查方法、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示板的製造方法 - Google Patents
防護薄膜框架、防護薄膜組件、防護薄膜組件的檢查方法、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示板的製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
本發明的目的在於提供一種防護薄膜框架及使用所述防護薄膜框架的防護薄膜組件，所述防護薄膜框架藉由將對於檢查光的框架內表面的反射率設置得低，而可盡可能地抑制來自框架的散射光，提高異物檢查性，並且藉由降低僅對於檢查光的波長的反射率，而框架的著色等的限制少。一種防護薄膜框架，其為具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架，且其特徵在於：所述防護薄膜框架的至少內側面處的光源波長500 nm～1000 nm的最小反射率為20%以下；一種防護薄膜組件，其特徵在於：包括所述防護薄膜框架作為結構要素；以及一種防護薄膜組件的檢查方法，其特徵在於：藉由將防護薄膜框架的至少內側面處的反射率為20%以下的特定波長用作檢查光的波長，而檢測存在於所述防護薄膜組件的異物。
Description
本發明關於一種作為除塵器而裝設於微影（lithography）用光遮罩的防護薄膜框架（pellicle frame）、防護薄膜組件（pellicle）、防護薄膜組件的檢查方法、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示板的製造方法。
近年來，大規模積體電路（Large Scale Integrated circuit，LSI）的設計規則正推進向次四分之一微米（sub-quarter micron）的微細化，伴隨於此，正推進曝光光源的短波長化。即，曝光光源自基於水銀燈的g射線（436 nm）、i射線（365 nm）轉移為KrF準分子雷射（248 nm）、ArF準分子雷射（193 nm）等，進而研究有使用主波長13.5 nm的極紫外光（Extreme Ultra Violet Light，EUV光）的EUV曝光。
在LSI、超LSI等半導體製造或液晶顯示板的製造中，對半導體晶片或液晶用原板照射光來製作圖案，若此時使用的微影用遮罩及標線（reticle）（以下，加以總稱而記述為“曝光原版”）附著有塵埃，則所述塵埃會吸收光，或者會使光彎曲，因此所轉印的圖案變形，或者邊緣粗雜，此外，還存在基底被染黑，尺寸、品質、外觀等受損的問題。
這些作業通常是於潔淨室（clean room）內進行，但即便如此，也難以使曝光原版始終保持潔淨。因此，通常採用於在曝光原版表面貼附防護薄膜組件作為除塵器後進行曝光的方法。此情況下，異物不會直接附著於曝光原版的表面，而是附著於防護薄膜組件上，因此，若在微影時使焦點在曝光原版的圖案上對焦，則防護薄膜組件上的異物便與轉印無關。
所述防護薄膜組件的基本結構為：在包含鋁或鈦等的防護薄膜框架的上端面張設相對於曝光中所使用的光而透過率高的防護膜，並且在下端面形成氣密用襯墊（gasket）。氣密用襯墊通常使用黏合劑層，並貼附有以保護所述黏合劑層為目的的保護片。防護膜包含使曝光中使用的光（基於水銀燈的g射線（436 nm）、i射線（365 nm）、KrF準分子雷射（248 nm）、ArF準分子雷射（193 nm）等）良好地透過的硝基纖維素、乙酸纖維素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用途中，正在研究極薄矽膜或碳膜來作為防護膜。
防護薄膜組件的目的在於保護曝光原版以便異物不會附著於曝光原版，因此，對防護薄膜組件要求非常高的潔淨度。因此，在防護薄膜組件製造步驟中，需要在出貨前檢查防護膜、防護薄膜框架、黏合劑及保護片是否沒有附著異物。
通常，對防護薄膜框架的異物檢查是在暗室中將聚光照射到框架，並以目視檢測來自異物的散射光。若防護薄膜框架的內表面存在異物，則異物會因振動或空氣的移動而容易地落下至遮罩面。因此，最近，除了目視檢查以外，增加有利用異物檢查裝置來對防護薄膜框架內表面進行檢查。通常，在異物檢查裝置中，對防護薄膜框架照射He-Ne雷射或半導體雷射等雷射，並利用半導體檢測器（電荷耦合器件（Charge Coupled Device，CCD））等檢測來自異物的散射光。
但是，並無對來自防護薄膜框架內表面的散射光與來自異物的散射光進行分辨的手段，且存在檢測器會檢測到由防護薄膜框架引起的散射光，無法正常地進行異物檢查的問題。
在專利文獻1中，提出有藉由使防護薄膜框架內表面處的對於檢查光400 nm～1100 nm的反射率降低至0.3%以下來提高檢查性。但是，為了將對於400 nm～1100 nm的反射率設為0.3%以下，需要將框架無限地著色為黑色，為了實現這一點，需要嚴格選定防護薄膜框架材料或著色方法，且有時根據材料而難以實現。
另外，檢查光中所使用的He-Ne雷射或半導體雷射的波長範圍例如為640 nm～660 nm等，其範圍是限定的，且未必需要在400 nm～1100 nm的全波長區域中降低反射率。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-249442號公報
[發明所要解決的問題]
本發明是鑒於所述情況而成，目的在於提供一種防護薄膜框架及使用其的防護薄膜組件、以及該防護薄膜組件的檢查方法，所述防護薄膜框架藉由降低防護薄膜框架內表面對於檢查光的反射率，而可盡可能地抑制來自所述框架的散射光，提高異物檢查性，並且藉由降低僅對於檢查光的波長的反射率，而防護薄膜框架的著色等的限制少。
[解決問題的技術手段]
本發明人發現，在具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架中，將所述防護薄膜框架的內表面處的光源波長500 nm～1000 nm下的最小反射率調整為20%以下，結果，盡可能地抑制來自防護薄膜框架的散射光，且藉由將反射率為20%以下的特定波長用作檢查光的波長，而使僅對於所述檢查光的波長的反射率降低，藉由著眼於所述情況，可提供防護薄膜框架的著色方法等表面處理並無大的限制、檢查性良好的防護薄膜框架，從而形成了本發明。
因此，本發明提供以下的防護薄膜框架、防護薄膜組件、防護薄膜組件的檢查方法、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體或液晶顯示板的製造方法。
1. 一種防護薄膜框架，其為具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架，其特徵在於：所述防護薄膜框架的至少內側面處的光源波長500 nm～1000 nm的最小反射率為20%以下。
2. 根據所述1記載的防護薄膜框架，其中：所述最小反射率為10%以下。
3. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：光源波長500 nm～1000 nm的所有波長下的反射率為20%以下。
4. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：光源波長500 nm～1000 nm的所有波長下的反射率為10%以下。
5. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的整個周面處的光源波長500 nm～1000 nm的最小反射率為20%以下。
6. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架為鈦框架或鈦合金框架。
7. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架為鋁框架或鋁合金框架。
8. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的厚度小於2.5 mm。
9. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的厚度小於1.5 mm。
10. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：在防護薄膜框架的表面形成有氧化膜。
11. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的表面被黑色化。
12. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的表面施加有傷痕消除處理。
13. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的表面施加有手工研磨處理、噴砂處理、化學研磨處理或是電解研磨處理。
14. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：其為用於極紫外光用防護薄膜組件的防護薄膜框架。
15. 一種防護薄膜組件，包括：根據所述1記載的防護薄膜框架、以及經由黏合劑或黏接劑而設置於所述防護薄膜框架的一端面的防護膜。
16. 根據所述15記載的防護薄膜組件，其中：防護膜是設置於防護薄膜框架的上端面。
17. 根據所述15或16記載的防護薄膜組件，其中：防護膜為矽膜或碳膜。
18. 根據所述15或16記載的防護薄膜組件，其中：防護薄膜組件的高度為2.5 mm以下。
19. 根據所述15或16記載的防護薄膜組件，其為用於極紫外光微影的防護薄膜組件。
20. 一種防護薄膜組件的檢查方法，藉由異物檢查機檢測存在於根據所述15記載的防護薄膜組件的異物，其特徵在於：藉由將防護薄膜框架的至少內側面處的反射率為20%以下的特定波長用作檢查光的波長，而檢測存在於所述防護薄膜組件的異物。
21. 一種帶防護薄膜組件的曝光原版，其特徵在於：在曝光原版裝設有根據所述15記載的防護薄膜組件。
22. 根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版，其中：曝光原版為極紫外光用曝光原版。
23. 根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版，其為用於極紫外光微影的帶防護薄膜組件的曝光原版。
24. 一種曝光方法，其特徵在於：藉由根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版進行曝光。
25. 根據所述24記載的曝光方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。
26. 一種半導體的製造方法，其特徵在於：使用根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版，對半導體晶圓進行曝光。
27. 根據所述26記載的半導體的製造方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。
28. 一種液晶顯示板的製造方法，其特徵在於：使用根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版，對液晶用原板進行曝光。
29. 根據所述28記載的液晶顯示板的製造方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。
[發明的效果]
本發明的防護薄膜框架、防護薄膜組件、以及防護薄膜組件的檢查方法藉由盡可能地抑制來自所述防護薄膜框架的散射光，並且使用防護薄膜框架的反射率為20%以下的特定波長作為檢查光的波長，而可對防護薄膜框架進行表面處理，以使僅對於所述檢查光的波長的反射率降低，且所述表面處理的自由度變高，可提供檢查性良好的防護薄膜框架。
以下，對本發明，更詳細地進行說明。
本發明的防護薄膜框架為具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架。
防護薄膜框架若為框狀，則其形狀與裝設防護薄膜組件的光遮罩的形狀對應。通常為四邊形（長方形或正方形）框狀。關於四邊形框狀，也包含對所存在的角部實施了C倒角加工、R倒角加工、線倒角加工等倒角加工的形態。
另外，在防護薄膜框架，存在用於設置防護膜的面（此處設為上端面）、以及裝設光遮罩時面向光遮罩的面（此處設為下端面）。
通常，在防護薄膜框架的上端面，經由黏接劑等而設置防護膜，且在下端面設置用於將防護薄膜組件裝設到光遮罩的黏合劑等，但並不限於此。
防護薄膜框架的材質並無限制，可使用公知的材質。在EUV用途的防護薄膜框架中，由於有暴露於高溫下的可能性，因此優選為熱膨脹係數小的材料。例如，可列舉Si、SiO2
、SiN、石英、因瓦合金（invar）、鈦、鈦合金等。其中，就加工容易性或輕量的方面而言，優選為鈦或鈦合金。
防護薄膜框架的尺寸並無特別限定，由於EUV用防護薄膜組件的高度被限制為2.5 mm以下，因此EUV用途的防護薄膜框架的厚度比其小而小於2.5 mm。尤其是，若考量到防護膜或遮罩黏合劑等的厚度，則EUV用途的防護薄膜框架的厚度優選為1.5 mm以下。
本發明的防護薄膜框架中，實施所述防護薄膜框架的表面處理，以使至少其內側面處的波長500 nm～1000 nm的範圍內的最小反射率為20%以下。尤其適宜的是在防護薄膜框架的整個周面中所述光源波長的範圍中的最小反射率為20%以下，適宜地實施所述防護薄膜框架的表面處理。關於所述表面處理的方法，並無特別限制，例如，可為：藉由利用陽極氧化處理在表面形成100 μm的氧化膜而利用干涉色使其發色為藍色的方法，或者實施鍍黑鎳處理而進行黑色化。另外，也可對氧化膜摻雜碳，使框架表面黑色化。
關於本發明的防護薄膜框架，無需相對於所述波長範圍500 nm～1000 nm下的全波長使反射率為20%以下，只要相對於所述波長範圍中的特定波長使反射率為20%以下即可。此處所述的特定波長為異物檢查機中使用的檢查光的波長，且相對於所述波長，優選為反射率為20%以下，特別優選為10%以下。相反地，也可根據表示防護薄膜框架的最小反射率的反射率的分佈，選定異物檢查機中使用的檢查光。
另外，為了使檢查性更良好，也可對表面實施手工研磨或噴砂處理、化學研磨處理、電解研磨處理等傷痕消除處理。關於這些表面處理，藉由使表面粗糙度粗糙化，可盡可能地防止來自防護薄膜框架的散射光。
另外，通常，在防護薄膜框架的側面，設置有在進行處理（handling）或將防護薄膜組件自光遮罩剝離時所使用的夾具孔。關於夾具孔的大小，在防護薄膜框架的厚度方向上的長度（在為圓形時為直徑）為0.5 mm～1.0 mm。孔的形狀並無限制，可為圓形或矩形。
另外，在防護薄膜框架，設置有通氣部，為了防止異物侵入到通氣部，可設置過濾器。
本發明的防護薄膜組件經由黏合劑或黏接劑而在防護薄膜框架的上端面設置防護膜。黏合劑或黏接劑的材料並無限制，可使用公知的材料。為了強力地保持防護膜，優選為黏接力強的黏合劑或黏接劑。
關於所述防護膜的材質，並無特別限制，優選為曝光光源的波長下的透過率高且耐光性高的材質。例如，針對EUV曝光而使用極薄矽膜或碳膜等。作為這些碳膜，例如可列舉：石墨烯、類鑽碳、碳納米管等膜。所述防護膜並不僅限定於薄膜，也可採用包括對防護膜進行支撐的支撐框的膜。例如，可採用如下方法：在矽晶片上形成防護膜，僅對用作防護膜的部位進行背面蝕刻而去除矽晶片，由此製作防護膜。此情況下，防護膜可在由矽框支撐的狀態下獲得。
進而，在防護薄膜框架的下端面，形成用於裝設於光遮罩的遮罩黏合劑。通常，遮罩黏合劑優選為遍及防護薄膜框架的整周來設置。
作為所述遮罩黏合劑，可使用公知的黏合劑，可適宜地使用丙烯酸系黏合劑或矽酮系黏合劑。黏合劑也可視需要被加工成任意形狀。
在所述遮罩黏合劑的下端面，也可貼附用於保護黏合劑的脫模層（隔離膜（separator））。脫模層的材質並無特別限制，例如可使用：聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物（tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer，PFA）、聚乙烯（polyethylene，PE）、聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）、聚氯乙烯（polyvinyl chloride，PVC）、聚丙烯（polypropylene，PP）等。另外，視需要，也可在脫模層的表面塗布矽酮系脫模劑或氟系脫模劑等脫模劑。再者，關於防護薄膜組件向光遮罩的裝設，除了利用遮罩黏合劑以外，也可利用物理性固定手段進行固定。作為所述固定手段，可列舉螺釘、螺栓、螺母、鉚釘、鍵、銷等。也可將遮罩黏合劑與物理性固定手段加以並用。
此處，圖1中示出本發明的防護薄膜框架1的一例，符號11表示防護薄膜框架的內側面，符號12表示防護薄膜框架的外側面，符號13表示防護薄膜框架的上端面，符號14表示防護薄膜框架的下端面。再者，通常，在防護薄膜框架的長邊側設置用於將防護薄膜組件自光遮罩剝離的夾具孔，但在圖1中並未特別地進行圖示。
圖2是表示防護薄膜組件10的圖，利用黏接劑4而在防護薄膜框架1的上端面黏接、張設防護膜2。另外，在防護薄膜框架1的下端面，利用黏合劑5以能夠剝離的方式黏接於光遮罩3，保護光遮罩3上的圖案面。
本發明的防護薄膜組件不僅可作為用於在EUV曝光裝置內抑制異物附著於曝光原版的保護構件，而且還可作為在曝光原版的保管時或在曝光原版的搬運時用於保護曝光原版的保護構件。將防護薄膜組件裝設於光遮罩等曝光原版並製造帶防護薄膜組件的曝光原版的方法除了存在利用所述遮罩黏合劑進行貼附的方法以外，還存在靜電吸附法、進行機械性固定的方法等。
本實施形態的半導體或液晶顯示板的製造方法包括利用所述帶防護薄膜組件的曝光原版對基板（半導體晶片或液晶用原板）進行曝光的系統。例如，在作為半導體裝置或液晶顯示板的製造步驟之一的微影步驟中，為了在基板上形成與積體電路等對應的光致抗蝕劑圖案，而在步進器設置所述帶防護薄膜組件的曝光原版進行曝光。通常，在EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射並被引導至基板的投影光學系統，這些是在減壓或真空下進行。由此，假設即便在微影步驟中異物附著於防護薄膜組件上，這些異物也不會在塗布有光致抗蝕劑的晶片上成像，因此可防止由異物的像引起的積體電路等的短路或斷線等。因此，藉由使用帶防護薄膜組件的曝光原版，可提高微影步驟中的良率。
[實施例]
以下，示出實施例及比較例，具體說明本發明，但本發明不受下述實施例的限制。
[實施例1]
製作鈦製防護薄膜框架（外形尺寸150 mm×118 mm×1.5 mm，框架寬度4.0 mm）。將鈦製框架浸漬於磷酸、硫酸及過氧化氫的混合電解液中，在溫度25℃、電壓20 V、時間30分鐘的條件下，藉由陽極氧化來形成氧化膜，使作為干涉色的藍色發色。利用中性洗劑與純水對所述防護薄膜框架進行清洗，在所述框架的上端面，以成為寬度1 mm、厚度0.1 mm的方式塗布對矽酮黏合劑（信越化學工業（股）製造的X-40-3264）100質量份加入1質量份的硬化劑（信越化學工業（股）製造的PT-56）並進行攪拌而成的材料。另外，在框架的下端面，遍及整周，以成為寬度1 mm、厚度0.1 mm的方式塗布對丙烯酸黏合劑（綜研化學（股）製造的SK戴恩（SK-Dyne）1495）100質量份加入0.1質量份的硬化劑（綜研化學（股）製造的L-45）並進行攪拌而成的材料來作為遮罩黏合劑。其後，將防護薄膜框架在90℃下加熱12小時，使上下端面的黏合劑硬化。繼而，使作為防護膜的極薄矽膜壓接於形成於框架的上端面的黏合劑，從而完成防護薄膜組件。
[實施例2]
製作鈦框架後，依次進行陽極氧化、黑色染色、封孔處理，在所述框架的表面形成黑色的氧化被膜。除了所述框架表面的著色處理方法以外，與實施例1相同。
[實施例3]
製作鋁合金製框架後，依次進行陽極氧化、黑色染色、封孔處理，在所述框架的表面形成黑色的氧化被膜。除了所述框架的材質及表面處理以外，與實施例1相同。
[比較例1]
除了不對鈦製防護薄膜框架進行任何表面處理以外，與實施例1相同。
對於實施例1～實施例3及比較例1中獲得的防護薄膜組件，實施利用異物檢查裝置進行的檢查。另外，使用利用與實施例1～實施例3、比較例1相同的框架的材質、並對所述材質實施表面處理而成的樣件（sample piece），實施各樣品的反射率測定。
[反射率測定]
準備3 cm×3 cm、厚度5 mm的樣件，準備實施了與實施例1～實施例3及比較例1相同的表面處理的樣品。使用“分光光度計V-780”（日本分光（股）製造，型號名）測定500 nm～1000 nm的反射率。將最小反射率與檢查光（532 nm）下的反射率的測定值示於表1中。關於最小反射率，根據由分光光度計獲得的圖表進行確定。再者，作為檢查光選定532 nm的雷射的理由，是因為此種半導體雷射雖緊湊但穩定性優異，容易作為裝置組裝用途來使用，而且在面向半導體的檢查裝置中有使用實績。
[異物檢查]
利用夾具孔將所獲得的防護薄膜組件握持於專用的夾具，並使20 μm的標準粒子附著於防護薄膜框架的內壁面的一部分。將所述防護薄膜組件與夾具一起放入具備波長532 nm的半導體雷射的內表面異物檢查裝置（信越工程（股）製造）中，並根據下述基準評價內壁面的異物檢查的好壞。
＜判定基準＞
○：在並未附著粒子的區域中未確認到散射光，確認到僅附著粒子的部分的散射光。
×：在並未附著粒子的部分也確認到散射光。
[表1]
| 最小反射率 （%） | 最小反射率 時的波長（nm） | 532 nm下的 反射率（%） | 異物檢查 | |
| 實施例1 | 3.7 | 522 | 3.7 | ○ |
| 實施例2 | 16.9 | 852 | 18.1 | ○ |
| 實施例3 | 5 | 500 | 5.2 | ○ |
| 比較例1 | 39.1 | 500 | 41 | × |
根據所述表1的結果考察下述方面。
在使用實施例1～實施例3的防護薄膜框架的情況下，藉由將檢查光（532 nm）下的防護薄膜框架處的反射率設為20%以下，可提供基於異物檢查機的檢查性良好的防護薄膜組件。相對於此，在使用比較例1的防護薄膜框架的情況下，在並未附著異物粒子的部分也確認到框架的散射光，因此不可以說是檢查性良好。
1:防護薄膜框架
2:防護膜
3:光遮罩
4:防護膜黏接劑
5:遮罩黏合劑
10:防護薄膜組件
11:防護薄膜框架的內側面
12:防護薄膜框架的外側面
13:防護薄膜框架的上端面
14:防護薄膜框架的下端面
圖1是表示本發明的防護薄膜框架的一例的立體圖。
圖2是表示將本發明的防護薄膜組件裝設於光遮罩的形態的概略圖。
1:防護薄膜框架
11:防護薄膜框架的內側面
12:防護薄膜框架的外側面
13:防護薄膜框架的上端面
14:防護薄膜框架的下端面
Claims (29)
- 一種防護薄膜框架，其為具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架，其特徵在於：所述防護薄膜框架的至少內側面處的光源波長500 nm～1000 nm的最小反射率為20%以下。
- 如請求項1所述的防護薄膜框架，其中：所述最小反射率為10%以下。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：光源波長500 nm～1000 nm的所有波長下的反射率為20%以下。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：光源波長500 nm～1000 nm的所有波長下的反射率為10%以下。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的整個周面處的光源波長500 nm～1000 nm的最小反射率為20%以下。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架為鈦框架或鈦合金框架。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架為鋁框架或鋁合金框架。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的厚度小於2.5 mm。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的厚度小於1.5 mm。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：在防護薄膜框架的表面形成有氧化膜。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的表面被黑色化。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的表面施加有傷痕消除處理。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的表面施加有手工研磨處理、噴砂處理、化學研磨處理或是電解研磨處理。
- 如請求項1或2所述的防護薄膜框架，其中：其為用於極紫外光用防護薄膜組件的防護薄膜框架。
- 一種防護薄膜組件，包括：如請求項1所述的防護薄膜框架、以及經由黏合劑或黏接劑而設置於所述防護薄膜框架的一端面的防護膜。
- 如請求項15所述的防護薄膜組件，其中：防護膜是設置於防護薄膜框架的上端面。
- 如請求項15或16所述的防護薄膜組件，其中：防護膜為矽膜或碳膜。
- 如請求項15或16所述的防護薄膜組件，其中：防護薄膜組件的高度為2.5 mm以下。
- 如請求項15或16所述的防護薄膜組件，其為用於極紫外光微影的防護薄膜組件。
- 一種防護薄膜組件的檢查方法，藉由異物檢查機檢測存在於如請求項15所述的防護薄膜組件的異物，其特徵在於：藉由將防護薄膜框架的至少內側面處的反射率為20%以下的特定波長用作檢查光的波長，而檢測存在於所述防護薄膜組件的異物。
- 一種帶防護薄膜組件的曝光原版，其特徵在於：在曝光原版裝設有如請求項15所述的防護薄膜組件。
- 如請求項21所述的帶防護薄膜組件的曝光原版，其中：曝光原版為極紫外光用曝光原版。
- 如請求項21所述的帶防護薄膜組件的曝光原版，其為用於極紫外光微影的帶防護薄膜組件的曝光原版。
- 一種曝光方法，其特徵在於：藉由如請求項21所述的帶防護薄膜組件的曝光原版進行曝光。
- 如請求項24所述的曝光方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。
- 一種半導體的製造方法，其特徵在於：使用如請求項21所述的帶防護薄膜組件的曝光原版，對半導體晶圓進行曝光。
- 如請求項26所述的半導體的製造方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。
- 一種液晶顯示板的製造方法，其特徵在於：使用如請求項21所述的帶防護薄膜組件的曝光原版，對液晶用原板進行曝光。
- 如請求項28所述的液晶顯示板的製造方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。
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