TW202143332A - 晶圓的退火方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提出一種晶圓的退火方法，包括：提供一晶圓，該晶圓包括多個區域，該多個區域同心設置在該晶圓上；對該多個區域進行升溫處理，該升溫處理具有多個升溫階段，每個該升溫階段相應的升溫速率不同，其中，該多個區域在每個該升溫階段中的溫度不同；對該多個區域進行保溫處理；對該多個區域採用氮氣吹冷方式進行降溫處理。本發明提出的晶圓的退火方法可以提高晶圓的電性均勻性。

Description

晶圓的退火方法
本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種晶圓的退火方法。
晶圓是半導體行業最重要的材料之一，通過在晶圓上形成各種電子元件結構，即可形成特定電性功能的產品。在現在的生產過程中，由於製造設備的均勻性有一定的差異，即便每一道製程的均勻性都非常小，經過多道製程疊加後，通過對晶圓進行測試後，可以明顯看到晶圓的電性分佈不均勻，導致良率降低，晶圓邊緣漏電嚴重。現有技術多通過黃光製程調節關鍵尺寸（Critical dimension，簡稱CD）來改善這一問題，但是黃光製程只針對小尺寸器件電性改善效果明顯，隨著尺寸增大，效果逐漸失效。
鑒於上述現有技術的缺陷，本發明提出一種晶圓的退火方法，以改善晶圓的電性均勻性，提高產品良率。
為實現上述目的及其他目的，本發明提出一種晶圓的退火方法，包括：提供一晶圓，該晶圓包括多個區域，該多個區域同心設置在該晶圓上；對該多個區域進行升溫處理，該升溫處理具有多個升溫階段，每個該升溫階段相應的升溫速率不同，其中，該多個區域在每個該升溫階段中的溫度不同；對該多個區域進行保溫處理；對該多個區域採用氮氣吹冷方式進行降溫處理。
進一步地，該多個區域包括第一區域到第七區域，相鄰兩個該區域之間的溫度差為1~4℃。
進一步地，該第一區域到該第七區域由該晶圓中心向邊緣依序排布。
進一步地，該多個升溫階段包括第一階段到第五階段，該第一階段到該第五階段的該升溫速率由大到小依次為第三階段、第四階段、第一階段、第五階段和第二階段。
進一步地，該第一階段的該升溫速率為33℃/s，該第二階段的該升溫速率為10℃/s，該第三階段的該升溫速率為75℃/s，該第四階段的該升溫速率為50℃/s，該第五階段的該升溫速率為25℃/s。
進一步地，該第一階段到該第五階段的升溫時間分別為10~12s、9~10s、5~6s、0.5~1s、3~5s。
進一步地，該第一區域到該第七區域經過每個該升溫階段後的溫度分別為：該第一區域到該第七區域經過該第一階段後的溫度分別為：390~410℃、389~409℃、388~408℃、387~407℃、386~406℃、385~405℃、384~404℃；該第一區域到該第七區域經過該第二階段後的溫度分別為：485~505℃、484~504℃、483~503℃、482~502℃、481~501℃、480~500℃、479~499℃；該第一區域到該第七區域經過該第三階段後的溫度分別為：870~890℃、869~889℃、868~888℃、867~887℃、866~886℃、865~885℃、864~884℃；該第一區域到該第七區域經過該第四階段後的溫度分別為：920~940℃、919~939℃、918~938℃、917~937℃、916~936℃、915~935℃、914~934℃；該第一區域到該第七區域經過該第五階段後的溫度分別為：1020~1040℃、1019~1039℃、1018~1038℃、1017~1037℃、1016~1036℃、1015~1035℃、1014~1034℃；其中，靠近該晶圓中心的溫度大於遠離該晶圓中心的溫度。
進一步地，該第一區域到該第七區域經過該第一階段後、該第二階段前，進行保溫10~20s。
進一步地，該保溫時間為10~15s。
進一步地，該降溫速率為35℃/s。
本發明提出一種晶圓的退火方法，通過將晶圓劃分為多個區域，對多個區域進行階段式升溫，每個階段的升溫速率不同，且在每個升溫階段中每個區域的溫度也不同，靠近晶圓中心的溫度大於遠離晶圓中心的溫度，由此提高了晶圓的電性均勻性，改善了晶圓上晶片與晶片之間的差異，降低了晶圓的漏電情況，提高了產品良率。同時該退火方法適用性廣，可根據製程的調整，設置不同的區域溫度。
以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地瞭解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基於不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。
需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發明中有關的組件而非按照實際實施時的元件數目、形狀及尺寸繪製，其實際實施時各元件的型態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其元件佈局型態也可能更為複雜。
在本實施例中，晶圓可以為矽晶圓，藍寶石晶圓，碳化矽晶圓等所有半導體材料支撐的晶圓。以矽晶圓為例，矽晶圓的尺寸可以為2寸，4寸，6寸，8寸或12寸等各種合適半導體基板(即稱襯底)應用尺寸的矽晶圓。
離子注入是一種將帶電的且具有能量的粒子注入晶圓的過程。相對於擴散製程，離子注入的主要好處在於能更準確地控制雜質摻雜、可重複性和較低的製程溫度。離子注入製程是在真空系統中，通過電場對離子進行加速，並利用磁場使其運動方向改變，從而控制離子以一定的能量注入晶圓內部，從而在所選擇的區域形成一個具有特殊性質的表面層（即注入層），從而達到摻雜的目的。它的主要副作用是離子碰撞引起的半導體晶格斷裂或損傷。為消除該損傷必須在適當的時間與溫度下對晶圓片進行熱處理，以消除晶圓中的晶格缺陷和內應力，恢復晶格的完整性，使植入的摻雜原子擴散到替代位置，產生電特性。快速熱處理可以用來啟動半導體材料中的摻雜元素和將由離子注入造成的非晶結構恢復為完整晶格結構。
如圖1所示，本實施例提出一種晶圓的退火方法，包括：
S1：提供一晶圓，該晶圓包括多個區域，該多個區域同心設置在該晶圓上；
S2：對該多個區域進行升溫處理，該升溫處理具有多個升溫階段，每個該升溫階段相應的升溫速率不同，其中該多個區域在每個該升溫階段中的溫度不同；
S3：對該多個區域進行保溫處理；
S4：對該多個區域採用氮氣吹冷方式進行降溫處理。
如圖2所示，在步驟S1中，在本實施例中，將該晶圓100分成多個區域，多個區域沿著晶圓100的中心向邊緣分佈，在本實施例中，可例如將晶圓100劃分七個區域，七個區域例如為一個圓形區域和六個環形區域，該七個區域由晶圓100的中心向邊緣依次排布。具體地，第一區域101為圓形區域，第二區域102至第七區域107為環形區域。第二區域102圍繞第一區域101的外周設置，第三區域103圍繞第二區域102的外周設置，第四區域104圍繞第三區域103的外周設置，第五區域105圍繞第四區域104的外周設置，第六區域106圍繞第五區域105的外周設置，第七區域107圍繞第六區域106的外周設置。通過將晶圓100劃分成七個區域，該七個區域相互獨立，因此可單獨對每一區域進行溫度控制。
如圖2所示，第一區域101的半徑與第二區域102的內徑相等，位於外側的環形區域的內徑和與其相鄰的位於內側的環形區域的外徑相等。例如，第二區域102的內徑與第一區域101的半徑相等，第二區域102的外徑與第三區域103的內徑相等，第三區域103的外徑和與第四區域104的內徑相等，以此類推。以避免在兩個相鄰的區域之間出現較為明顯的溫度過渡區。
如圖3所示，在一些實施例中，晶圓100可根據爐體內加熱器的分佈來設置多個區域，例如可將晶圓劃分四個區域，也就是第一區域101至第四區域104，第一區域101為圓形區域，第二區域102至第四區域104為環形區域。三個環形區域和圓形區域同心設置，且沿著第一區域101的外周分佈。在一些實施例中，還可將晶圓100劃分成兩個，三個，五個或六個區域，應當注意的是，在其他實施例中，區域的個數並不以此為限。
如圖2及圖4所示，圖4顯示為各個區域的升溫曲線示意圖，需要說明的是，升溫曲線L1表示第一區域101的升溫過程，升溫曲線L7表示第七區域107的升溫過程，圖4中未顯示出其他第二區域102至第六區域106的升溫曲線。在步驟S2中，當晶圓100放置在退火爐體內時，通過多個升溫階段對該晶圓100進行升溫處理，可例如通過五個升溫階段對晶圓100的多個區域進行升溫處理，從而進行退火處理。在本實施例中，通過五個升溫階段後，晶圓100的多個區域的溫度不同，靠近晶圓100中心的溫度大於遠離晶圓100中心的溫度，也就是溫度從晶圓100的中心向邊緣遞減。在本實施例中，相鄰兩個區域的溫差在1~4℃，例如為2℃或3℃。
如圖2和圖4所示，在本實施例中，當將晶圓100放入在退火爐體內時，首先進行第一階段A1升溫過程，升溫速率例如為33℃/s，時間可以為10~12s，例如為11s，使得各個區域達到預設的溫度，且晶圓100的溫度從第一區域101向第七區域107逐漸遞減。例如，在經過第一階段A1後，第一區域100的溫度可以在390~410℃，例如為396℃；第二區域102的溫度可以在389~409℃，例如為395℃；第三區域103的溫度可以在388~408℃，例如為394℃；第四區域104的溫度可以在387~407℃，例如為393℃；第五區域105的溫度可以在386~406℃，例如為392℃；第六區域106的溫度可以在385~405℃，例如為391℃；第七區域107的溫度可以在384~404℃，例如為390℃。在本實施例中，經過第一升溫階段A1後，第一區域101至第七區域107的溫度逐步遞減，且相鄰兩個區域的溫差為1℃。
如圖2和圖4所示，當第一階段A1完成後，還可以保溫10~20s，例如保溫15s之後再對晶圓100進行第二階段A2升溫過程，升溫速率例如為10℃/s，升溫時間可以為9~10s，例如為10.2s，經過第二階段A2後，第一區域101的溫度可以在485~505℃，例如為498℃；第二區域102的溫度可以在484~504℃，例如為497℃；第三區域103的溫度可以在483~503℃，例如為496℃；第四區域104的溫度可以在482~502℃，例如為495℃；第五區域105的溫度可以在481~501℃，例如為494℃；第六區域106的溫度可以在480~500℃，例如為493℃；第七區域107的溫度可以在479~499℃，例如為492℃。在本實施例中，經過第二階段A2後，第一區域101至第七區域107的溫度逐步遞減，且相鄰兩個區域的溫差為1℃。
如圖2及圖4所示，當第二階段A2完成後，開始對晶圓100進行第三階段A3升溫過程，升溫速率例如為75℃/s，升溫時間可以為5~6s，例如為5.2s，經過第三階段A3後，第一區域101的溫度可以在870~890℃，例如為888℃；第二區域102的溫度可以在869~889℃，例如為887℃；第三區域103的溫度可以在868~888℃，例如為886℃；第四區域104的溫度可以在867~887℃，例如為885℃；第五區域105的溫度可以在866~886℃，例如為884℃；第六區域106的溫度可以在865~885℃，例如為883℃；第七區域107的溫度可以在864~884℃，例如為882℃。在本實施例中，經過第三階段A3後，第一區域101至第七區域107的溫度逐步遞減，且相鄰兩個區域的溫差為1℃。
如圖2及圖4所示，當第三階段A3完成後，對晶圓100進行第四階段A4升溫過程，升溫速率例如為50℃/s，升溫時間可以為0.5~1s，例如為0.84s，經過第四階段A4後，第一區域101的溫度可以在920~940℃，例如為930℃；第二區域102的溫度可以在919~939℃，例如為929℃；第三區域103的溫度可以在918~938℃，例如為928℃；第四區域104的溫度可以在917~937℃，例如為927℃；第五區域105的溫度可以在916~936℃，例如為926℃；第六區域106的溫度可以在915~935℃，例如為925℃；第七區域107的溫度可以在914~934℃，例如為924℃。在本實施例中，經過第四階段A4後，第一區域101至第七區域107的溫度逐步遞減，且相鄰兩個區域的溫差為1℃。
如圖2及圖4所示，當第四階段A4完成後，對晶圓100進行第五階段A5升溫過程，升溫速率例如為25℃/s，升溫時間可以為3~5s，例如為4s，經過第五階段A5後，第一區域101的溫度可以在1020~1040℃，例如為1030℃；第二區域102的溫度可以在1019~1039℃，例如為1029℃；第三區域103的溫度可以在1018~1038℃，例如為1028℃；第四區域104的溫度可以在1017~1037℃，例如為1027℃；第五區域105的溫度可以在1016~1036℃，例如為1026℃；第六區域106的溫度可以在1015~1035℃，例如為1025℃；第七區域107的溫度可以在1014~1034℃，例如為1024℃。在本實施例中，經過第五階段A5後，第一區域101至第七區域107的溫度逐步遞減，且相鄰兩個區域的溫差為1℃。
如圖2及圖4所示，升溫曲線L1表示第一區域101的升溫過程，升溫曲線L7表示第七區域107的升溫過程。經過五個升溫階段之後，第一區域101的溫度最高，第七區域107的溫度最低，也就是溫度從第一區域101向第七區域107逐漸降低，也就是靠近晶圓100中心的溫度大於遠離晶圓100中心的溫度。從升溫曲線L1或L7中可以得知，第三升溫階段A3的升溫速率大於第四升溫階段A4，第四升溫階段A4的升溫速率大於第一升溫階段A1的升溫速率，第一升溫階段A1的升溫速率大於第五升溫階段A5的升溫速率，第五升溫階段A5的升溫速率大於第二升溫階段A2的升溫速率。
如圖5所示，圖5顯示為經過步驟S2後各個區域的溫度值。從圖中可以看出溫度從第一區域101向第七區域107逐漸降低，也就是第一區域101的溫度最高，例如為1040℃，第七區域107的溫度最低，例如為1014℃。
如圖6所述，在本步驟S3~S4，當步驟S2完成後，也就是當晶圓100內的各個區域加熱到相應的溫度後，還可以進行保溫處理，保溫時間可以為10~15s，例如保溫12s，之後再進行冷卻處理，也就是對晶圓100的各個區域進行降溫，例如可以採用氮氣冷吹的方式進行冷卻，晶圓100的降溫速率例如為35℃/s。需要說明的是，圖6中僅顯示出第一區域101的保溫階段和降溫階段。
在本實施例中，通過五個升溫階段對晶圓100進行升溫，在一些實施例中，還可以通過三個或四個升溫階段對晶圓100進行升溫，需要指出的是，本發明提供的升溫階段數量，並不以此為限。
如圖7A~圖7B所示，在圖7A中，曲線1為通過本實施例中的退火方法獲得的測試曲線，曲線2為通過現有技術獲得的標準測試曲線。通過對比曲線1和曲線2可知，由於通過多個區域控溫的方法，即晶圓的溫度自晶圓中心區域向邊緣區域逐步遞減，且設置多個升溫階段，每個升溫階段的升溫速率不同，從而呈現出晶圓的電阻值從中心向邊緣逐漸上升的趨勢，符合晶圓內的電阻的變化規律，同時還使晶圓表面邊緣區域的熱預算降低。根據本實施例中的退火方法進行多次驗證，由圖7B可知，三次驗證試驗獲得的曲線基本一致，重合性好，靈敏度高，具有良好的再現性。在本實施例中的電阻值趨勢曲線是指在晶圓的表面按照離晶圓中心的距離，由近至遠取若干點，並測量相應點的電阻值後連成的一條曲線。
如圖8所示，為通過三種方式獲得的晶圓的漏電測試圖，曲線3和曲線4均為現有技術獲得的測試曲線，其中，曲線3為沒有設置多道曝光製程獲得的測試曲線，曲線4為設置多道曝光製程獲得的測試曲線，曲線5為通過本實施例中的退火方法獲得的測試曲線。通過對比三組曲線可知，曲線5位於曲線3和曲線4的下方，也就是說通過本實施例中的退火方法獲得的晶圓表面電性均勻性好，各個區域的漏電均下降，即晶圓整體的漏電情況明顯下降，從而提高了晶圓的良率。
如圖9所示，本實施例提出一種晶圓快速熱處理方法，包括：
S101：提供一晶圓，該晶圓包括同心設置的多個區域，該多個區域沿著該晶圓的中心向邊緣分佈；
S102：對該晶圓進行快速熱處理。
其中，如圖2所示，在步驟S101中，該晶圓100包括多個區域，多個區域按照同心設置的方式從晶圓100的中心向邊緣分佈，具體地，第二區域102圍繞第一區域101的外周設置，第三區域103圍繞第二區域102的外周設置，第四區域104圍繞第三區域103的外周設置，以此類推，將該晶圓100分成一個圓形區域和六個環形區域，本實施例中的多個區域相互獨立，可單獨對每一區域進行加熱，也可同時進行加熱。
在步驟S102中，當對晶圓進行快速熱處理時，晶圓上的多個區域的溫度不同，且晶圓中心的溫度大於晶圓邊緣的溫度。
在本實施例中，在進行快速熱處理時，可例如包括四個或五個升溫階段，快速熱處理所採用的退火溫度例如為900~1100℃，例如為1000℃，退火時間為5~60s，例如為30s，氣氛可以為N2，氣體流量為10~30slm（slm，即稱 Standard Liter per Minute），例如為20slm。
本實施例中通過對晶圓進行快速熱處理，能夠在降低晶圓邊緣溫度的同時，還可以提高晶圓的電性均勻性，提高產品良率。
如圖10所示，本實施例還提出一種退火設備200，該退火設備200包括一腔體201，在該腔體201的頂部設置了多個加熱單元202，多個加熱單元202用於對待退火晶圓的多個區域進行單獨的退火處理。在腔體201的底部還設有晶圓固定裝置203，在該晶圓固定裝置203上用於承載一個或多個晶圓。
如圖10~圖11所示，在本實施例中，該晶圓固定裝置203上承載了一個晶圓100，每一該晶圓100包括同心設置的多個區域，多個區域沿著晶圓100的中心向晶圓100的邊緣分佈。在本實施例中，通過多個加熱單元202對晶圓100的多個區域進行升溫，以進行退火處理，加熱單元202可例如為雷射器或燈管。需要說明的是，可根據多個加熱單元202對多個區域進行升溫，使得多個區域的溫度不同，且晶圓100中心的溫度大於晶圓100邊緣的溫度。在本實施例中，通過該退火設備200，晶圓100的退火溫度可以例如達到950~1050℃，退火時間例如在32~36s。在一些實施例中，該晶圓固定裝置203上可例如承載多個晶圓100。
綜上所述，本發明提出一種晶圓的退火方法，通過多個升溫階段對晶圓進行升溫，且自第一升溫階段起，晶圓表面的溫度從中心向邊緣逐步遞減，提高了晶圓的電性均勻性，改善了晶圓上晶片與晶片之間的差異，還降低了晶圓的漏電情況，提高了產品良率，且該退火方法適用範圍廣，可適用於大尺寸產品和小尺寸產品。
以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術原理的說明，本領域技術人員應當理解，本申請中所涉及的發明範圍，並不限於上述技術特徵的特定組合而成的技術方案，同時也應涵蓋在不脫離所述發明構思的情況下，由上述技術特徵或其等同特徵進行任意組合而形成的其它技術方案，例如上述特徵與本申請中公開的(但不限於)具有類似功能的技術特徵進行互相替換而形成的技術方案。
除說明書所述的技術特徵外，其餘技術特徵為本領域技術人員的已知技術，為突出本發明的創新特點，其餘技術特徵在此不再贅述。
1、2:曲線 100:晶圓 101:第一區域 102:第二區域 103:第三區域 104:第四區域 105:第五區域 106:第六區域 107:第七區域 200:退火設備 201:腔體 202:加熱單元 203:晶圓固定裝置 A1:第一階段 A2:第二階段 A3:第三階段 A4:第四階段 A5:第五階段 L1、L7:升溫曲線 S1 、S101、S102、S2~S4:步驟
圖1：本實施例中晶圓的退火方法流程圖。
圖2：本實施例中晶圓的多個區域的簡要示意圖。
圖3：本實施例中晶圓的多個區域的另一簡要示意圖。
圖4：本實施例中晶圓的多個升溫階段的簡要示意圖。
圖5：本實施例中步驟S2完成後各個區域的溫度值。
圖6：本實施例中第一區域的保溫階段和降溫階段的簡要示意圖。
圖7A：本實施例中晶圓的電阻值曲線示意圖。
圖7B：本實施例中晶圓的電阻值的重複測試圖。
圖8：本實施例中晶圓漏電情況測試曲線圖。
圖9：本實施例中晶圓的快速熱處理方法流程圖。
圖10：本實施例中退火設備的簡要示意圖。
圖11：本實施例中晶圓固定裝置的俯視圖。
S1~S4:步驟

Claims (10)

  1. 一種晶圓的退火方法，其特徵在於，包括： 提供一晶圓，該晶圓包括多個區域，該多個區域同心設置在該晶圓上； 對該多個區域進行升溫處理，該升溫處理具有多個升溫階段，每個該升溫階段相應的升溫速率不同，其中，該多個區域在每個該升溫階段中的溫度不同； 對該多個區域進行保溫處理； 對該多個區域採用氮氣吹冷方式進行降溫處理。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的退火方法，其特徵在於：該多個區域包括第一區域、第二區域、第三區域、第四區域、第五區域、第六區域及第七區域，相鄰兩個該區域之間的溫度差為1~4℃。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的退火方法，其特徵在於：該第一區域到該第七區域由該晶圓中心向邊緣依序排列。
  4. 根據申請專利範圍第2項所述的退火方法，其特徵在於：該多個升溫階段包括第一階段、第二階段、第三階段、第四階段及第五階段，該第一階段、該第二階段、該第三階段、該第四階段及該第五階段的該升溫速率由大到小依次為該第三階段、該第四階段、該第一階段、該第五階段和該第二階段。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的退火方法，其特徵在於：該第一階段的該升溫速率為33℃/s，該第二階段的該升溫速率為10℃/s，該第三階段的該升溫速率為75℃/s，該第四階段的該升溫速率為50℃/s，該第五階段的該升溫速率為25℃/s。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述的退火方法，其特徵在於：該第一階段、該第二階段、該第三階段、該第四階段及該第五階段的升溫時間分別為10~12s、9~10s、5~6s、0.5~1s、3~5s。
  7. 根據申請專利範圍第5項所述的退火方法，其特徵在於：該第一區域、該第二區域、該第三區域、該第四區域、該第五區域、該第六區域及該第七區域經過每個該升溫階段後的溫度分別為： 該第一區域、該第二區域、該第三區域、該第四區域、該第五區域、該第六區域及該第七區域經過該第一階段後的溫度分別為：390~410℃、389~409℃、388~408℃、387~407℃、386~406℃、385~405℃、384~404℃； 該第一區域、該第二區域、該第三區域、該第四區域、該第五區域、該第六區域及該第七區域經過該第二階段後的溫度分別為：485~505℃、484~504℃、483~503℃、482~502℃、481~501℃、480~500℃、479~499℃； 該第一區域、該第二區域、該第三區域、該第四區域、該第五區域、該第六區域及該第七區域經過該第三階段後的溫度分別為：870~890℃、869~889℃、868~888℃、867~887℃、866~886℃、865~885℃、864~884℃； 該第一區域、該第二區域、該第三區域、該第四區域、該第五區域、該第六區域及該第七區域經過該第四階段後的溫度分別為：920~940℃、919~939℃、918~938℃、917~937℃、916~936℃、915~935℃、914~934℃； 該第一區域、該第二區域、該第三區域、該第四區域、該第五區域、該第六區域及該第七區域經過該第五階段後的溫度分別為：1020~1040℃、1019~1039℃、1018~1038℃、1017~1037℃、1016~1036℃、1015~1035℃、1014~1034℃；其中，靠近該晶圓中心的溫度大於遠離該晶圓中心的溫度。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的退火方法，其特徵在於：該第一區域、該第二區域、該第三區域、該第四區域、該第五區域、該第六區域及該第七區域經過該第一階段後、該第二階段前，進行保溫10~20s。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的退火方法，其特徵在於：該保溫時間為10~15s。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的退火方法，其特徵在於：該降溫速率為35℃/s。
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