JPH04107818A - ランプアニール装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はランプアニール装置に関し、特に複数の可動式
加熱ランプを備えたランプアニール装置に関する。

〔従来の技術〕

近年、半導体チップの高集積化、超微細化に伴い、浅い
接合の実現が要求されてきている。このため、半導体ウ
ェーハの加熱工程では、加熱時間を短くするためにラン
プアニール装置を使用するようになってきた。

第３図は従来のランプアニール装置の一例の断面図であ
る。

従来のランプアニール装置は、第３図に示すように、石
英チャンバ１．ウェーハ支持ピン２．半導体ウェーハ３
．ハロゲンランプ４から構成されている。

半導体ウェーハ３は、石英チャンバ１内において、ウェ
ーハ支持ピン２によって支えられている。石英チャンバ
２の外側には、複数の棒状のハロゲンランプ４が配置さ
れている。複数のハロゲンランプ４を点燈させることに
より、石英チャンバ２内の半導体ウェーハ３を加熱昇温
させる。

以上のような構造を持つランプアニール装置を使用する
ことによって、半導体ウェーハ３の加熱時間を短時間で
済ますことができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

この従来のランプアニール装置では、加熱ランプが固定
されているため、加熱ランプ間の加熱特性に差がある場
合、そのまま半導体ウェーハ加熱の不均一性の原因とな
ってしまうというような問題点があった。

本発明の目的は、半導体ウェーハを均一に加熱できるラ
ンプアニール装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、半導体処理室内におかれた半導体ウェーハを
複数の加熱ランプで６００℃から１２００℃に加熱させ
るランプアニール装置において、前記複数の加熱ランプ
が可動で、かつ、該複数の加熱ランプが前記半導体処理
室周辺を移動する機構を備えている。

〔作用〕

本発明のランプアニール装置で半導体ウェーハを加熱す
ると、加熱ランプ間に加熱特性の差があっても、加熱ラ
ンプは半導体処理室周辺を移動している為、半導体ウェ
ーハ加熱の不均一性の原因になりにくくなる。したがっ
て、半導体ウェーハ加熱の均一性が向上する。

〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の第１の実施例のランプアニール装置の
断面図である。

第１の実施例は、第１図に示すように、石英チャンバ１
．ウェーハ支持ピン２．半導体ウェー八３、ハロゲンラ
ンプ４がら構成されている。半導体ウェーハ３は、石英
チャンバ１内において、ウェーハ支持ビシ２によって支
えられている。ハロゲンランプ４は、石英チャンバ１の
上部と下部でそれぞれ回転している。したがって、すべ
てのハロゲンランプ４は半導体ウェーハ３上の各点をく
まなく加熱していく。

以上のような構造を持つラブ−アニール装置を使用する
ことにより、ハロゲンランプ４間の加熱特性の差に起困
する半導体ウェーハ３が加熱の不均一性を解消すること
ができる。従来のランベアニール半導体ウェーハ３の加
熱均一性は０．５％程度であったが、本実施例のランプ
アニール装置では０．２％程度へ向上させることがてき
る。

第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。

第２の実施例は、第２図に示すように、ハロゲンランプ
４を石英チャンバ１の回りを回転させている。したがっ
て、すべてのハロゲンランプ４は半導体ウェーハ３の表
面と裏面の両方を加熱することになるので、半導体ウェ
ー八３の両面における加熱特性が均一となる６ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、加熱ランプを可動とし、
半導体処理室周辺を移動させているので、加熱ランプ間
の加熱特性の差に起困する半導体ウェーハ加熱の不均一
性を解消することかできる効果がある。

来のランプアニール装置の一例の断面図である。

１・・・石英チャンバ、２・・・ウェーハ支持ピン、３
・・・半導体ウェーハ、４・・・ハロゲンランプ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体処理室内におかれた半導体ウェーハを複数の加熱
   ランプで６００℃から１２００℃に加熱させるランプア
   ニール装置において、前記複数の加熱ランプが可動で、
   かつ、該複数の加熱ランプが前記半導体処理室周辺を移
   動する機構を備えていることを特徴とするランプアニー
   ル装置。