TW202142951A - 光罩的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明所欲解決的問題在於提供一種光罩的製造方法，該方法能夠形成具有不同光學特性的圖案，且抑制曝光時的重疊誤差的發生。 為了解決此問題，製備光罩母片，該光罩母片在透射性基板上具有半透射膜、中間膜、及上層膜，使在上層膜上形成的光阻劑膜曝光，形成曝光量不同的第一區域、第二區域、及第三區域。之後，選擇性去除第一區域，蝕刻上層膜。之後，選擇性去除第二區域，蝕刻半透射膜，且蝕刻上層膜及中間膜。之後，去除第三區域。

Description

光罩的製造方法

本發明關於光罩（photomask）的製造方法。

光罩使用在製造平板顯示器等電子裝置的步驟中。以往，使用具有透射部和遮光部的二元（binary）光罩作為光罩。然而，近年來，例如為了形成細微的圖案，使用具備遮光膜和相轉移膜的相轉移遮罩（phase shift mask），及為了減少電子元件的製造步驟數，使用多階調（multi-tone）光罩。這樣的光罩在透射性基板上具備不同的複數種光學特性的圖案，並且必須有複數個圖案描繪（曝光）步驟以形成這些圖案。

[先前技術文獻] (專利文獻) 專利文獻1：日本特開2017-76146號公報 專利文獻2：日本特開2013-134435號公報

[發明所要解決的問題] 當形成具有不同光學特性的半透射區域和遮光區域時，針對各別的圖案形成，都需要光阻劑的曝光（描繪）處理，而增加了製造工時。進而，每次描繪各別圖案時，由於將光罩基板設置在曝光（描繪）裝置而進行曝光處理，因此可能會發生重疊誤差（對準偏差）。基於此原因，必須要有考慮了重疊餘裕的圖案配置，而變得無法獲得精細的圖案。 專利文獻1中揭示避免重疊誤差發生的方法。在專利文獻1中，揭示下述方法：以透過預備顯影而形成的第一阻劑圖案為遮罩而進行第一蝕刻，之後透過施加追加顯影使第一阻劑圖案的邊緣部縮回，再進行第二蝕刻，在遮光部的兩側對稱地形成相轉移膜。但是，在第二蝕刻中，雖然能夠防止曝光裝置的重疊誤差發生，但是由於曝光時使用了不必要的光量，所以不穩定，圖案尺寸自然受到限制。而且，能夠形成的圖案也是受限的。 專利文獻2揭示形成由不同材料所成的圖案的方法。在專利文獻2中，揭示下述方法：將阻劑圖案形成在由不同材料所成的下層膜和上層膜的積層體上，以上述阻劑圖案為遮罩，選擇性地分別濕蝕刻上層膜和下層膜，之後以上述阻劑圖案為遮罩，對上層膜進行側向蝕刻。專利文獻2使用透過一次的描繪步驟形成的阻劑圖案，能夠防止重疊誤差發生，但是由於在曝光時使用了不必要的光量，所以不穩定，圖案尺寸自然受到限制。

鑑於上述問題，本發明旨在提供一種光罩的製造方法，其能夠形成具有不同光學特性的圖案，且抑制曝光時的重疊誤差的發生。

[解決問題的手段] A. 第一態樣 本發明之光罩的製造方法的特徵在於，該方法包括下述步驟： 製備步驟，製備光罩母片（photomask blanks），該光罩母片在透射性基板上具有半透射膜，在前述半透射膜上具有中間膜，在前述中間膜上具有上層膜； 形成步驟，在前述上層膜上形成光阻劑膜； 曝光步驟，使前述光阻劑膜曝光，形成曝光量不同的第一區域、第二區域、及第三區域； 第一阻劑去除步驟，選擇性去除前述第一區域； 第一蝕刻步驟，蝕刻前述上層膜； 第二阻劑去除步驟，選擇性去除前述第二區域； 第二蝕刻步驟，蝕刻前述半透射膜、前述上層膜、及前述中間膜；及， 去除步驟，去除前述第三區域。

此外，本發明之光罩的製造方法的特徵在於，前述半透射膜與前述上層膜是由相同材料構成。

此外，本發明之光罩的製造方法的特徵在於，在前述曝光步驟中，前述第一區域的曝光量比前述第二區域的曝光量多，前述第三區域的曝光量是0。

透過這樣的光罩的製造方法，能夠形成由半透射膜所成的圖案及由半透射膜、中間膜、與上層膜所成的圖案，且抑制曝光時的重疊誤差的發生，能夠有助於縮短光罩之製造工期。 此外，能夠無須考慮重疊餘裕而進行圖案設計，能夠形成精細的圖案，並且能夠減輕設計者的作業負荷。 此外，能夠有助於降低製造步驟中的成本。

此外，本發明之光罩的製造方法的特徵在於前述半透射膜是半色調（halftone）膜。

透過這樣的光罩的製造方法，能夠製造多調遮罩的半色調遮罩。

本發明之光罩的製造方法的特徵在於前述半透射膜是相轉移膜。

透過這樣的光罩的製造方法，能夠製造相轉移遮罩。

B. 第二態樣 本發明之光罩的製造方法的特徵在於，該方法包括下述步驟： 製備步驟，製備光罩母片，該光罩母片在透射性基板上具有下層膜，在前述下層膜上具有上層膜； 形成步驟，在前述上層膜上形成阻劑膜； 曝光步驟，使前述阻劑膜曝光，形成曝光量不同的第一區域、第二區域、及第三區域； 第一阻劑去除步驟，選擇性去除前述第一區域； 第一蝕刻步驟，蝕刻前述上層膜及前述下層膜； 第二阻劑去除步驟，選擇性去除前述第二區域； 第二蝕刻步驟，蝕刻前述上層膜；及， 去除步驟，去除前述第三區域。

此外，本發明之光罩的製造方法的特徵在於，前述下層膜與前述上層膜是由不同材料構成。

此外，本發明之光罩的製造方法的特徵在於，在前述曝光步驟中，前述第一區域的曝光量比前述第二區域的曝光量多，前述第三區域的曝光量是0。

透過這樣的光罩的製造方法，能夠形成由下層膜所成的圖案及由下層膜與上層膜所成的圖案，且抑制曝光時的重疊誤差的發生。能夠無須考慮重疊餘裕而進行圖案設計，能夠形成精細的圖案，並且能夠減輕設計者的作業負荷。 此外，能夠有助於降低製造步驟中的成本。

此外，本發明之光罩的製造方法的特徵在於前述下層膜是半色調膜。

透過這樣的光罩的製造方法，能夠製造多調遮罩的半色調遮罩。

此外，本發明之光罩的製造方法的特徵在於前述下層膜是相轉移膜。

透過這樣的光罩的製造方法，能夠製造相轉移遮罩。

[發明的效果] 根據上述第一態樣與第二態樣，無論是哪一者之情況，能夠提供下述之光罩的製造方法：能夠形成具有不同光學特性的圖案，且抑制曝光時的重疊誤差的發生。

以下，參照圖式針對本發明的實施型態進行說明。但是，以下的實施型態均不給出認定本發明之要旨的限制性解釋。此外，針對相同或同類的部件，以相同的元件符號標示，且可能會省略其說明。

（實施型態1） 圖1、圖2是顯示根據實施型態1的光罩100的主要製造步驟的剖面圖。 以下，參照圖式說明光罩100的製造方法。

（成膜步驟：光罩母片製備步驟） 如圖1（a）所示，製備合成石英玻璃等透射性基板1，在透射性基板1上透過濺射法、蒸鍍法等使半透射性的功能性膜2（半透射膜）成膜，該功能性膜2是由例如鉻系金屬化合物、矽系化合物、金屬矽化物等習知材料所成。

在此，透射性基板1具有相對於在使用光罩100的微影步驟中所使用的曝光的光線中所含的代表性波長（例如，i線、h線、g線）呈90%至100%的透射率（90%≤透射率≤100%）。 此外，所謂半透射性是意味，相對於曝光的光線中所含的代表性波長，透射率低於透射性基板1之透射率且高於下述的積層結構膜的透射率。 再者，曝光的光線可以是例如i線、h線或g線，或者可以是包含這些光線中的至少兩種光線的混合光線。此外，曝光的光線不限於這些。

功能性膜2可用作半色調膜或相轉移膜。 例如，當功能性膜2用作半色調膜時，功能性膜2的透射率設定為相對於代表性波長呈10%至70%（10%≤透射率≤70%）。此外，相轉移量可以設定成較小（大約0[°]，例如，0至20[°]）。 此外，例如，當功能性膜2用作相轉移膜時，功能性膜2的透射率設定為相對於曝光的光線中所含的代表性波長呈3%至15%（3%≤透射率≤15%）。此外，相轉移量設定成約180°（160°≤相轉移量≤200°），更佳為170°≤相轉移量≤190°。 功能性膜2的作為半色調膜和相轉移膜的光學性質能夠例如藉由調整組成和膜厚而實現。

接著，藉由濺射法、蒸鍍法等使蝕刻停止膜3（中間膜3）成膜（例如，膜厚為1[nm]～20[nm]的膜厚）。 接著，藉由濺射法、蒸鍍法等使遮光膜4（上層膜4）成膜（例如，膜厚50[nm]～100[nm]）。 蝕刻停止膜3是由具有與下述的遮光膜4（上層膜4）及功能性膜2不同的蝕刻特性（具抵抗力）的材料所構成。 再者，如果由功能性膜2、蝕刻停止膜3和遮光膜4所成的積層膜具有遮光性，則遮光膜4（上層膜4）不需要是單層、具遮光性的遮光膜，以此觀點而言，可以調整遮光膜4的材料（組成）和膜厚。此積層膜的相對於代表性波長的透射率為例如1%以下。換言之，可藉由調整功能性膜2、蝕刻停止膜3和遮光膜4的積層區域中的遮光膜4之材質（組成）和膜厚，使光學濃度OD值符合3.0以上。

以下，將在透射性基板1上形成功能性膜2、蝕刻停止膜3和遮光膜4的積層結構體稱作光罩母片。 可以預先製備複數片有上述構造的光罩母片且妥善保存。在客戶等下訂單時利用預先製備的有上述構造的光罩母片，能有助於縮短工期。

（光阻劑形成步驟） 接著，如圖1（b）所示，藉由塗佈法、噴塗法等在遮光膜4上形成（光）阻劑膜5。

（曝光步驟） 接著，如圖1（c）所示，將光罩母片裝載於曝光（描繪）裝置（例如雷射描繪等）（載置於曝光裝置內的曝光用平台），使阻劑膜5曝光。 此時，於阻劑膜5形成曝光量不同的三個區域，即高劑量區域5c（第一區域）、低劑量區域5b（第二區域）和未曝光區域5a（第三區域）。 在此，未曝光區域5a是不曝光的區域，也就是曝光量為0的區域，低劑量區域5b是相對於高劑量以相對低曝光量曝光的區域，而高劑量區域5c是相對於低劑量區域以相對高曝光量曝光的區域。 根據曝光裝置的描繪方法並不限於雷射描繪。例如，可以使用電子束進行曝光。

更具體而言，上述高劑量區域的高劑量是指，在下述的第一顯影步驟中去除阻劑時為了使阻劑溶解的必要曝光量以上的曝光量。相對地，低劑量區域的低劑量是指，阻劑不被下述的第一顯影步驟去除而殘留，而被第二顯影步驟去除的這樣程度的曝光量。例如，其意味，當以第一顯影步驟所需的高劑量為基準時，相對於此高劑量，為5%至90%之曝光量範圍內的曝光量。 低劑量的設定能夠在上述範圍內適當地設定，但不言而喻的是，需要考慮第二顯影步驟的製程步驟時間。

為簡明起見，阻劑膜5的高劑量區域5c稱為「高劑量區域5c」，阻劑膜5的低劑量區域5b稱為「低劑量區域5b」，阻劑膜5的阻劑膜5之未曝光區域5a稱為「未曝光區域5a」。

低劑量區域5b和高劑量區域5c可在不從曝光裝置卸載（取出）透射性基板1的情況下形成。例如，能夠使對應於低劑量區域5b的區域和對應於高劑量區域5c的區域藉由各別掃描實現第一曝光量與第二曝光量的雷射而進行曝光，而形成這些區域。

此外，也可以使對應於低劑量區域5b的區域和對應於高劑量區域5c的區域進行下述操作：掃描實現第一曝光量的雷射而曝光，之後僅對對應於高劑量區域5c的區域進行追加的雷射掃描以使高劑量區域5c實現第二曝光量而進行曝光。透過複數次的雷射照射，使曝光量平均化，提高了高劑量區域5c之曝光量的均勻性。此外，當低劑量區域5b和高劑量區域5c相接時，邊界區域的曝光量的均勻性也提升。

由於並未從曝光裝置卸載光罩母片，而進行低劑量區域5b和高劑量區域5c的曝光處理，所以抑制了這些區域（圖案）之間重疊誤差（偏差）的發生。

（第一顯影（阻劑去除）步驟） 接著，如圖1（d）所示，在第一顯影步驟中，利用顯影液僅選擇性地去除高劑量區域5c的阻劑膜5，而將阻劑膜5圖案化。 如下文所述，阻劑膜5的顯影液所致的溶解特性是取決於曝光量（劑量），所以能夠根據曝光量而選擇性地依次去除曝光的阻劑膜5。在第一顯影步驟中，是以高劑量區域5c的溶解速度相對於未曝光區域5a和低劑量區域5b的溶解速度充分高（例如，數倍至十倍以上）的顯影條件下進行顯影（藉由顯影液而溶解），藉此能夠選擇性地僅去除高劑量區域5c。 再者，如圖1（d）所示，低劑量區域5b的阻劑膜厚比未曝光區域5a的阻劑膜厚還要薄。

（第一蝕刻步驟） 接著，如圖2（a）所示，以圖案化的阻劑膜5（即，未曝光區域5a和低劑量區域5b的阻劑膜5）作為蝕刻遮罩，以濕蝕刻法或乾蝕刻法蝕刻遮光膜4。透過使遮光膜4和蝕刻停止膜3採用彼此不同的材料，使用蝕刻停止膜3不會被蝕刻的蝕刻劑（液體藥劑或氣體），能夠將蝕刻停止膜3上的遮光膜4進行選擇性蝕刻。其結果為，蝕刻停止膜3及其下方的功能性膜2沒有被蝕刻，殘留在透射性基板1上。

在此步驟中，因為表面被蝕刻停止膜3所覆蓋的功能性膜2不被蝕刻，所以能夠讓功能性膜2與遮光膜4使用相同的材料而建構。 在此情況，功能性膜2和遮光膜4的成膜步驟中能夠使用相同的成膜裝置或是相同的成膜材料（濺射靶、蒸鍍材料），而且，功能性膜2和遮光膜4的蝕刻步驟中能夠使用相同的蝕刻裝置或相同的蝕刻劑，因此生產管理變得容易並且有助於降低製造成本。

接著，如圖2（b）所示，以未曝光區域5a和低劑量區域5b的阻劑膜5作為蝕刻遮罩，透過濕蝕刻法或乾蝕刻法對蝕刻停止膜3進行蝕刻。透過使功能性膜2和蝕刻停止膜3採用彼此不同的材料，使用功能性膜2不會被蝕刻的蝕刻劑（液體藥劑或氣體），能夠將功能性膜2上的蝕刻停止膜3進行選擇性蝕刻。其結果為，功能性膜2並未被蝕刻，殘留在透射性基板1上。

（第二顯影（阻劑去除）步驟） 接著，如圖2（c）所示，在第二顯影步驟中，利用顯影液僅選擇性去除低劑量區域5b的阻劑膜5，使阻劑膜5圖案化。此步驟中，遮光膜4上僅殘留未曝光區域5a。 如第一顯影步驟和第二顯影步驟所示，能夠使曝光量不同的阻劑膜5根據曝光量依次去除，這是因為溶解速度非線性地取決於顯影條件（時間等）所致。利用溶解速度變化（增加）的變化點取決於曝光量而變化的特性，藉此能夠選擇性地依次去除曝光量不同的區域。 於第二顯影步驟中，是以低劑量區域5b的溶解速度相對於未曝光區域5a的溶解速度充分高的顯影條件下進行顯影（溶解），能夠選擇性地僅去除低劑量區域5b。 再者，透過使用此方法，能夠得到三種以上的不同阻劑膜5的圖案。

（第二蝕刻步驟） 接著，如圖2（d）所示，透過濕蝕刻法或乾蝕刻法蝕刻而去除功能性膜2，且以未曝光區域5a的阻劑膜5作為蝕刻遮罩，透過濕蝕刻法或乾蝕刻法蝕刻而去除遮光膜4。透射性基板1在功能性膜2被蝕刻的區域中暴露。 透過使功能性膜2和遮光膜4以相同材料構成，能夠使用相同的蝕刻劑同時蝕刻功能性膜2和遮光膜4。 之後，透過濕蝕刻法或乾蝕刻法蝕刻、去除蝕刻停止膜3。 之後，透過灰化法或在阻劑剝離液中浸漬，而去除未曝光區域5a的阻劑膜5（第三阻劑去除步驟)。 透過上文所述之方式，能夠得到具備下述各者的光罩100：由功能性膜2構成的半透射區域6；包含作為下層膜的功能性膜2和作為中間膜的蝕刻停止膜3和作為上層膜的遮光膜4的積層體所構成的遮光區域7；以及透射性基板1暴露的透射區域8。 光罩100透過採用上述半色調膜的條件作為功能性膜2，而發揮作為多調半色調遮罩之作用，並且透過採用上述相轉移膜的條件作為功能性膜2，而發揮作為相轉移遮罩之作用。

再者，於圖2（b）所示的步驟中，可選擇性地蝕刻功能性膜2上的蝕刻停止膜3，然後進一步蝕刻功能性膜2。 然而，在此情況，圖2（d）所示的第二蝕刻步驟中，如果採用濕蝕刻那樣的各向同性蝕刻而對遮光膜4進行蝕刻，則結果功能性膜2也被蝕刻，功能性膜2的側向蝕刻量會增加。 在圖2（b）所示的步驟中，僅蝕刻遮光膜4和蝕刻停止膜3，而殘留功能性膜2，藉此在圖2（d）所示的步驟中功能性膜2的側向蝕刻量能夠減少。其結果為，功能性膜2的圖案化控制性提升。

圖3是顯示光阻劑之剖面形狀的SEM照片。圖3（a）顯示第一顯影步驟之後阻劑膜5的剖面形狀，圖3（b）顯示第二顯影步驟後阻劑膜5的剖面形狀。

如圖3（a）所示，阻劑膜5的剖面可在未曝光區域5a和低劑量區域5b相接的邊界部分處有平緩的漸縮（taper）形狀。 但是，如圖3（b）所示，在第二顯影步驟之後，未曝光區域5a的阻劑膜5的剖面顯現陡峭的形狀。也就是，表示在圖1（c）所示的曝光步驟中所決定的低劑量區域5b的阻劑膜5在第二顯影步驟中被選擇性地去除了。

在第二顯影步驟中阻劑膜5一律溶解的情況，未曝光區域5a的阻劑膜5的剖面無法得到如圖3（b）所示的陡峭形狀。 膜厚較厚的未曝光區域5a的阻劑膜5之側壁為漸縮形狀的情況，圖案寬度波動，變得難以形成精細圖案。

特別是，未曝光區域5a的阻劑膜5的膜厚因為比低劑量區域5b的厚，所以未曝光區域5a的剖面的漸縮角對形成在光罩100上的圖案精度有大幅度的影響。但是，透過控制曝光量，在光學上確定低劑量區域5b和未曝光區域5a之間的邊界，藉此第二顯影步驟後未曝光區域5a的阻劑膜5的側面形狀變得如圖3（b）所示般陡峭。其結果為，透過使用本光罩100的微影術，能夠形成精細圖案。

再者，圖1和圖2中雖然示出半透射區域6和遮光區域7彼此相接的範例，但光阻劑膜5的形狀能夠在曝光步驟中在光學上決定，所以能夠將光阻劑膜5圖案化成期望的形狀。 例如，如圖4（c）所示，半透射區域6和遮光區域7也能夠彼此分隔而形成。如圖4（a）所示，透過曝光（描繪）裝置針對阻劑膜5將未曝光區域5a和低劑量區域5b彼此分隔而曝光，之後如圖4（b）所示，能夠透過第一顯影步驟，獲得彼此分隔的未曝光區域5a的阻劑膜5和低劑量區域5b的阻劑膜5。 之後，透過圖2所示之步驟，半透射區域6和遮光區域7也能夠彼此分隔而形成。因此，光罩100的圖案設計的自由度相較於專利文獻1中所揭示的方法大幅度地提升。 此外，也能夠有將半透射區域6和遮光區域7彼此分隔的圖案與半透明區域6和遮光區域7彼此鄰接的圖案混合的圖案配置。

（實施型態2） 也能夠透過參照圖5和圖6進行說明的以下之製造步驟，進行光罩100的製造。

如圖5（a）所示，透過濺射法、蒸鍍法在透射性基板1上使半透射性之功能性膜2（半透射膜）成膜，該功能性膜2是由金屬化合物（例如鉻化合物）所成。 如上所述，功能性膜2能夠用作半色調膜或相轉移膜。

接著，在功能性膜2上透過濺射法、蒸鍍法等使遮光膜41成膜。 遮光膜41由與構成功能性膜2的金屬化合物之金屬不同種類的金屬（或其化合物）構成。例如，能夠使功能性膜2為鉻化合物，遮光膜41為鎳膜。 形成的遮光膜41的膜厚設定為使得光學濃度（OD值）為3以上。例如，當採用鎳作為遮光膜41時，膜厚能夠設為例如100[nm]。

接著，在遮光膜41上透過濺射法、蒸鍍法等使由金屬化合物所成的抗反射膜9成膜。抗反射膜9的膜厚例如能夠是2～5[nm]的膜厚。抗反射膜9由例如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物等金屬化合物構成。構成抗反射膜9的金屬化合物的金屬與構成功能性膜2的金屬化合物的金屬是同種類的金屬。也就是，構成功能性膜2的金屬成分與構成抗反射膜9的金屬成分是由相同的金屬元素構成。例如，當功能性膜2由含鉻的化合物構成時，抗反射膜9也由含鉻的化合物構成。 此外，作為鉻化合物，例如，能夠採用鉻氧化物、鉻氮化物、和鉻氮氧化物。

接著，在抗反射膜9上透過塗佈法、噴塗法等形成（光）阻劑膜5。 因此，在透射性基板1上，功能性膜2、遮光膜41、抗反射膜9和阻劑膜5是以此順序形成。

接著，如圖5（b）所示，透過與圖1（c）和圖1（d）所示之步驟同樣的步驟，將阻劑膜5圖案化，形成曝光量不同的兩個區域，即低劑量區域5b（第二區域）和未曝光區域5a（第三區域）。 抗反射膜9能夠減少阻劑膜5曝光時曝光之光線的不必要的的反射（光暈等），使阻劑膜5的圖案化精度提升。

接著，如圖5（c）所示，以阻劑膜5的低劑量區域5b（第二區域）和未曝光區域5a（第三區域）作為遮罩，透過濕蝕刻法或乾蝕刻法將抗反射膜9相對於遮光膜41選擇性地蝕刻。 如上所述，由於遮光膜41是由與構成抗反射膜9之金屬化合物的金屬不同類型的金屬所構成，所以能夠透過採用遮光膜41的蝕刻速率低且抗反射膜9之蝕刻相對於遮光膜41的蝕刻的選擇比高的蝕刻劑（液體藥劑或氣體），使遮光膜41不被蝕刻，僅抗反射膜9被選擇性蝕刻。 再者，在此步驟中，功能性膜2因為其表面由遮光膜41所覆蓋，所以並未被蝕刻。

再者，關於蝕刻裝置和蝕刻劑，能夠適當地使用能夠選擇性蝕刻的習知蝕刻裝置和蝕刻劑。下文中亦是如此。

接著，如圖5（d）所示，將阻劑膜5的低劑量區域5b（第二區域）和未曝光區域5a（第三區域）作為遮罩，透過濕蝕刻法或乾蝕刻法，相對於抗反射膜9和功能性膜2選擇性蝕刻遮光膜41。由於抗反射膜9和功能性膜2是由與構成遮光膜41的金屬不同的金屬之化合物所構成，所以能夠透過採用抗反射膜9和功能性膜2的蝕刻速率低且遮光膜41之蝕刻相對於抗反射膜9和功能性膜2之蝕刻的選擇比高的蝕刻劑（液體藥劑或氣體），而將抗反射膜9和功能性膜2的蝕刻速率壓低，僅選擇性地蝕刻遮光膜41。

一般而言，在濕蝕刻的情況，當選擇性蝕刻上層的遮光膜41時，會有對下層的功能性膜2造成損壞（膜的損失、乾蝕刻造成的離子撞擊等）變小的傾向。因此，從避免損壞功能性膜2的觀點考量，能夠適宜地使用濕蝕刻法。

接著，如圖5（e）所示，以阻劑膜5的低劑量區域5b（第二區域）和未曝光區域5a（第三區域）作為遮罩，透過濕蝕刻法或乾蝕刻法，相對於遮光膜41選擇性地蝕刻功能性膜2。與上述抗反射膜9的選擇性蝕刻同樣，遮光膜41由與構成功能性膜2的金屬化合物之金屬不同的金屬所構成，由於能夠採用功能性膜2之蝕刻相對於遮光膜41之蝕刻的選擇比高的蝕刻劑（液體藥劑或氣體），因此藉由使用遮光膜41不被蝕刻的蝕刻劑，能夠僅選擇性蝕刻功能性膜2。

但是，抗反射膜9和功能性膜2是以相同種類金屬作為構成要素的金屬化合物，並且在各向同性蝕刻（特別是濕蝕刻）的情況，會有因蝕刻功能性膜2之蝕刻劑造成抗反射膜9被側向蝕刻的情況。 然而，抗反射膜9的膜厚比功能性膜2的膜厚還要薄。例如，能夠將抗反射膜9的膜厚設定為功能性膜2的膜厚的五分之一至比功能性膜2的膜厚薄一個數量級（但並不限於此）。因此，相較於功能性膜2，抗反射膜9暴露的側壁面的高度較低，暴露面積較小，抗反射膜9的側向蝕刻量變少。 因此，即使圖5（c）中抗反射膜9的蝕刻步驟中使用的蝕刻劑和此步驟中功能性膜2的蝕刻劑相同，抗反射膜9的側向蝕刻量（因側向蝕刻所致的縮回量）變少。 因此，能夠使用相同的蝕刻裝置（濕蝕刻裝置），使用相同的蝕刻劑（液體藥劑）。

在此步驟中，不應排除使用抗反射膜9不被蝕刻的蝕刻劑（液體藥劑或氣體）而蝕刻功能性膜2。然而，如上文所述，在抗反射膜9的蝕刻處理步驟和功能性膜2的蝕刻處理步驟中，透過以相同蝕刻裝置使用相同的蝕刻劑，能夠得到減少蝕刻裝置及/或蝕刻劑的運作成本的效果。

接著，如圖6（a）所示，與圖2（c）所示之步驟同樣地，僅選擇性去除低劑量區域5b中的阻劑膜5，而僅將未曝光區域5a留在抗反射膜9上。

接著，如圖6（b）所示，將阻劑膜5的未曝光區域5a作為遮罩，與圖5（c）所示的步驟同樣地，相對於遮光膜41選擇性蝕刻抗反射膜9。

當蝕刻抗反射膜9時，會有功能性膜2受到側向蝕刻的情況。然而，由於抗反射膜9之膜厚相較於功能性膜2充分地薄，所以抗反射膜9的蝕刻量小。因此，在蝕刻抗反射膜9的此步驟中，即使是使用蝕刻抗反射膜9和功能性膜2兩者的蝕刻劑時，功能性膜2的側向蝕刻量少，且減少功能性膜2的圖案寬度的縮小。

再者，在此步驟中，不應排除使用遮光膜41和功能性膜2均不被蝕刻的蝕刻劑（液體藥劑或氣體）而蝕刻抗反射膜9。然而，如上文所述，在蝕刻抗反射膜9時功能性膜2的側向蝕刻對圖案尺寸的影響輕微，並且能夠防止尺寸精度的劣化。因此，在抗反射膜9的蝕刻處理步驟（圖5（c）及圖6（b）所示的步驟）和功能性膜2的蝕刻處理步驟（圖5（e）所示的步驟）中使用同樣的蝕刻劑，藉此能夠有助於降低蝕刻處理的運作成本（例如包括蝕刻劑的管理成本）。

再者，作為蝕刻法，不應排除使用乾蝕刻方法作為蝕刻方法。然而，與乾蝕刻裝置相較，濕蝕刻裝置不需要真空腔室、排氣設備等，易於應對大面積的光罩100的製造，而且一般而言價格低廉。根據本實施型態，即使採用濕蝕刻法（其為各向同性強的蝕刻法），也能夠容易地確保功能性膜2的圖案尺寸精度，因此透過使用濕蝕刻裝置作為蝕刻裝置，降低製造成本的效果很大。

接著，如圖6（c）所示，與圖5（d）所示之步驟同樣地，以阻劑膜5的未曝光區域5a為遮罩，相對於抗反射膜9及功能性膜2選擇性蝕刻遮光膜41。

接著，如圖6（d）所示，透過灰化法或在阻劑剝離液中浸漬，去除未曝光區域5a的阻劑膜5，得到光罩100。

在本實施型態中，由於遮光膜41是以具有與功能性膜2和抗反射膜9不同的蝕刻特性的膜所構成，並且將抗反射膜9之膜厚設定為比功能性膜2之膜厚更薄，因此減少功能性膜2的側向蝕刻，容易確保功能性膜2的尺寸精度。 因此，對於在微影步驟中使用光罩100製造的最終產品，能夠容易地確保所要求的尺寸精度。

另外，即使使用相同的蝕刻裝置進行抗反射膜9和功能性膜2的蝕刻，也能夠實現良好的加工精度。其結果為，能夠得到有助於降低製造成本的效果。尤其是採用濕蝕刻裝置作為蝕刻裝置時，其效果更顯著。

再者，上述實施型態是以使用正性阻劑作為阻劑膜5的情況為例子進行說明，但使用負性阻劑的情況也是同樣的。在負型阻劑的情況，曝光量的關係與正型阻劑的相反。正型阻劑的未曝光區域對應負型阻劑的高劑量區域，正型阻劑的高劑量區域對應負型阻劑的未曝光區域。

（實施型態3） 圖7和圖8是顯示根據實施型態3的光罩100的主要製造步驟的剖面圖。以下，參照圖式說明光罩100的製造方法。

（成膜步驟：光罩母片製備步驟） 如圖7（a）所示，製備合成石英玻璃等透射性基板11，在透射性基板11上透過濺射法、蒸鍍法等使半透射性的下層膜12成膜（例如，膜厚為5[nm]～20[nm]），該下層膜12是由鉻系金屬化合物、矽系化合物、金屬矽化物等習知材料所成。

在此，透射性基板11具有相對於在使用光罩100的微影步驟中所使用的曝光的光線中所含的代表性波長（例如，i線、h線、g線）呈90%至100%的透射率（90%≤透光率≤100%）。 此外，所謂半透射性是意味，相對於曝光的光線中所含的代表性波長，透射率低於透射性基板11之透射率且高於下述的積層結構膜的透射率。 再者，曝光的光線可以是例如i線、h線或g線，或者可以是包含這些光線中的至少兩種光線的混合光線。此外，曝光的光線不限於這些。

下層膜12可用作半色調膜或相轉移膜。 例如，當下層膜12用作半色調膜時，下層膜12的透射率設定為相對於代表性波長呈10%至70%（10%≤透射率≤70%）。此外，相轉移量可以設定成較小（大約0[°]，例如，0至20°）。 此外，例如，當下層膜12用作相轉移膜時，下層膜12的透射率設定為相對於曝光的光線中所含的代表性波長呈3%至15%（3%≤透射率≤15%）。此外，相轉移量設定成約180°（160°≤相轉移量≤200°），更佳為170°≤相轉移量≤190°。 下層膜12的作為半色調膜和相轉移膜的光學性質能夠例如藉由調整組成和膜厚而實現。

接著，在下層膜12上藉由濺射法、蒸鍍法等使上層膜13成膜（例如，膜厚為50[nm]～100[nm]），該上層膜13是由鉻系金屬化合物、矽系化合物、金屬矽化物等習知材料所成。但是，上層膜13是由蝕刻特性與下層膜12不同的材料所構成。例如，選擇這樣的組合：以鉻系化合物作為下層膜12，以鉻以外的金屬系化合物（例如，鈦系化合物或鎳系化合物）作為上層膜13。此外，鉻系化合物等金屬系化合物可僅由金屬所構成。 關於上層膜13的相對於代表性波長的透射率，可調整上層膜13的材料（組成）及膜厚以使上層膜13與下層膜12之積層膜有遮光性。此積層膜的相對於代表性波長的透射率為例如1%以下（0%≤透射率≤1%）。換言之，可藉由調整功能性膜2、蝕刻停止膜3和遮光膜4的積層區域中的遮光膜4之材質（組成）和膜厚，使光學濃度（OD值）符合3.0以上。

以下，將在透射性基板11上形成的下層膜12和上層膜13的積層結構體稱為光罩母片。 可以預先製備複數片有上述構造的光罩母片且妥善保存。在客戶等下訂單時利用預先製備的有上述構造的光罩母片，能有助於縮短工期。

（光阻劑形成步驟） 接著，如圖7（b）所示，藉由塗佈法、噴塗法等在上層膜13上形成（光）阻劑膜14。

（曝光步驟） 接著，如圖7（c）所示，將光罩母片裝載於曝光（描繪）裝置（例如雷射描繪裝置）（載置於曝光裝置內的曝光用平台）使阻劑膜14曝光。 此時，於阻劑膜14形成曝光量不同的三個區域，即高劑量區域14c（第一區域）、低劑量區域14b（第二區域）和未曝光區域14a（第三區域）。 在此，未曝光區域14a是不曝光的區域，也就是曝光量為0的區域，低劑量區域14b是以相對低曝光量曝光的區域，而高劑量區域14c是以相對高曝光量曝光的區域。 根據曝光裝置的描繪方法並不限於雷射描繪。例如，可以使用電子束。

更具體而言，上述高劑量區域的高劑量是指，在下述的第一顯影步驟中去除阻劑時使阻劑溶解的必要曝光量以上的曝光量。相對地，低劑量區域的低劑量是指，阻劑不被下述的第一顯影步驟去除而殘留，而被第二顯影步驟中去除的這樣程度的曝光量。例如，其意味，當以第一顯影步驟所需的高劑量為基準時，相對於此高劑量，為5%至90%之曝光量範圍的曝光量。 低劑量的設定能夠在上述範圍內適當地設定，但不言而喻的是，需要考慮第二顯影步驟的製程步驟時間。

再者，為簡明起見，阻劑膜14的高劑量區域14c稱為「高劑量區域14c」，阻劑膜14的低劑量區域14b稱為「低劑量區域14b」，阻劑膜14的阻劑膜14之未曝光區域14a稱為「未曝光區域14a」。

低劑量區域14b和高劑量區域14c能夠在不從曝光裝置卸載（取出）透射性基板11的情況下形成。例如，能夠使對應於低劑量區域14b的區域和對應於高劑量區域14c的區域藉由各別掃描實現第一曝光量與第二曝光量的雷射而進行曝光，而形成這些區域。

此外，也可以使對應於低劑量區域14b的區域和對應於高劑量區域14c的區域進行下述操作：掃描實現第一曝光量的雷射而曝光，之後僅對對應於高劑量區域14c的區域進行追加的雷射掃描以使高劑量區域14c實現第二曝光量而進行曝光。透過複數次的雷射照射，使曝光量平均化，提高了高劑量區域14c之曝光量的均勻性。此外，當低劑量區域14b和高劑量區域14c相接時，邊界區域的曝光量的均勻性也提升。

以上述方式，由於並未從曝光裝置卸載光罩母片，而進行低劑量區域14b和高劑量區域14c的曝光處理，所以抑制了這些區域（圖案）之間重疊誤差（偏差）的發生。

（第一顯影（阻劑去除）步驟） 接著，如圖7（d）所示，在第一顯影步驟中，利用顯影液僅選擇性地去除高劑量區域14c的阻劑膜14，而將阻劑膜14圖案化。 如下文所述，阻劑膜14的由顯影液所致的溶解特性是取決於曝光量（劑量），所以能夠根據曝光量而選擇性地依次去除曝光的阻劑膜14。在第一顯影步驟中，是以高劑量區域14c的溶解速度相對於未曝光區域14a和低劑量區域14b的溶解速度充分高（例如，數倍至十倍以上）的顯影條件下進行顯影，藉此能夠選擇性地僅去除高劑量區域14c。 再者，如圖7（d）所示，低劑量區域14b的阻劑膜厚比未曝光區域14a的阻劑膜厚還要薄。

（第一蝕刻步驟） 接著，如圖8（a）所示，以圖案化的阻劑膜14（即，未曝光區域14a和低劑量區域14b的阻劑膜14）作為蝕刻遮罩，以濕蝕刻法或乾蝕刻法蝕刻上層膜13，之後透過濕蝕刻法或乾蝕刻法蝕刻下層膜12，使透射性基板11的表面暴露。 透過使上層膜13和下層膜12採用彼此不同的材料，使用下層膜12不會被蝕刻的蝕刻劑（液體藥劑或氣體），能夠將上層膜13進行選擇性蝕刻。之後，使用上層膜13不會被蝕刻的蝕刻劑（液體藥劑或氣體），能夠將下層膜12進行選擇性蝕刻。

（第二顯影（阻劑去除）步驟） 接著，如圖8（b）所示，在第二顯影步驟中，利用顯影液僅選擇性去除低劑量區域14b的阻劑膜14，使阻劑膜14圖案化。此步驟中，上層膜13上僅殘留未曝光區域14a。 如第一顯影步驟和第二顯影步驟所示，能夠使曝光量不同的阻劑膜14根據曝光量依次去除，這是因為溶解速度非線性地取決於顯影條件（時間等）所致。利用溶解速度變化（增加）的變化點取決於曝光量而變化的特性，藉此能夠選擇性地依次去除曝光量不同的區域。 於第二顯影步驟中，是以低劑量區域14b的溶解速度相對於未曝光區域14a的溶解速度充分高的顯影條件下進行顯影（溶解），能夠選擇性地僅去除低劑量區域14b。

再者，透過使用此方法，能夠得到三種以上的不同阻劑膜14的圖案。

（第二蝕刻步驟） 接著，如圖8（c）所示，以未曝光區域14a作為蝕刻遮罩，使用下層膜12不會被蝕刻的蝕刻劑（液體藥劑或氣體），透過濕蝕刻法或乾蝕刻法蝕刻上層膜13。 在圖8（c）中，在由下層膜12與上層膜13之積層體所構成的圖案之兩側，形成僅由下層膜12構成的圖案。 僅由下層膜12構成的圖案由於是由低劑量區域14b所決定，所以在圖7（c）所示的曝光步驟中能夠在光學上進行設定。

（第三阻劑去除步驟） 之後，如圖8（d）所示，透過灰化法或在阻劑剝離液中浸漬，而去除未曝光區域14a的阻劑膜14。 透過上文所述之方式，能夠得到具備下述各者的光罩100：由包含下層膜12與上層膜13的積層體所構成的遮光區域15；由下層膜12構成的半透射區域16；以及透射性基板11暴露的透射區域17。 光罩100透過採用上述作為半色調膜的條件作為下層膜12，而發揮作為多調半色調遮罩之作用。此外，光罩100透過採用作為上述相轉移膜的條件作為下層膜12，而能夠發揮作為相轉移遮罩之作用。尤其是在此情況，因為抑制曝光步驟的重疊誤差的發生，所以能夠在遮光區域15的兩側設置半透射區域16的框緣部，能夠得到實現精細圖案形成的相轉移遮罩。

圖9是顯示光阻劑之剖面形狀的SEM照片。圖9（a）顯示第一顯影步驟之後阻劑膜14的剖面形狀，圖9（b）顯示第二顯影步驟之後阻劑膜14的剖面形狀。

如圖9（a）所示，阻劑膜14的剖面可在未曝光區域14a和低劑量區域14b相接的邊界部分處具有平緩的漸縮形狀。 然而，如圖9（b）所示，在第二次顯影步驟之後，未曝光區域14a中的阻劑膜14的剖面呈現陡峭的形狀。即，在圖7（c）所示的曝光步驟中，所決定的低劑量區域14b的阻劑膜14在第二顯影步驟中被選擇性地去除，在光學上正確地決定未曝光區域14a。

此外，如圖10（c）所示，半透射區域16和遮光區域15能夠相互分隔而形成。如圖10（a）所示，透過曝光（描繪）裝置，針對阻劑膜14將未曝光區域14a和低劑量區域14b彼此分隔而曝光，之後如圖10（b）所示，能夠透過第一顯影步驟，獲得彼此分隔的未曝光區域14a和低劑量區域14b。 之後，透過圖8所示之步驟，能夠將半透射區域16和遮光區域15彼此分隔而形成。 因此，遮光區域15和半透射區域16能夠設定光學上期望的圖案，光罩100的圖案設計的自由度相較於專利文獻1、2中所揭示的方法大幅度地提升。 此外，也能夠有將半透射區域16和遮光區域15彼此分隔的圖案與半透明區域16和遮光區域16彼此鄰接的圖案混合的圖案配置。 關於半透射區域16和遮光區域15的圖案配置，能夠有如上所述之多種配置，對其他的實施型態而言亦同。

（實施型態4） 在實施型態3中，透過一次曝光處理，在阻劑膜14上形成未曝光區域14a、低劑量區域14b和高劑量區域14c三種區域，顯示能夠製造透射區域、半透射區域和遮光區域之三調的光罩。 根據實施型態4，能夠進一步提供多調光罩100。

如圖11（a）所示，在一次曝光步驟中曝光阻劑膜14，並且按照曝光量高低順序形成第一區域14d、第二區域14e、第三區域14f、和第四區域14g（曝光量0）。

接著，如圖11（b）所示，在選擇性去除曝光量最多的第一區域14d之後，以第二區域14e、第三區域14f、和第四區域14g的阻劑膜14為遮罩，蝕刻上層膜13與下層膜12，使透射性基板11暴露。

接著，如圖11（c）所示，在選擇性去除曝光量第二多的第二區域14e之後，以第三區域14f、第四區域14g的阻劑膜14為遮罩，蝕刻而去除上層膜13，進而將下層膜12部分地蝕刻，形成膜厚相對薄的第一下層膜12a（薄膜下層膜12a）與膜厚相對厚的第二下層膜12b（厚膜下層膜12b）。

接著，如圖11（d）所示，在選擇性去除曝光量第三多的第三區域14f後，以第四區域14g的阻劑膜14為遮罩，蝕刻而去除上層膜13，使第二下層膜12b的表面暴露。

接著，如圖11（e）所示，透過灰化法或在阻劑剝離液中浸漬，去除第四區域14g的阻劑膜14。 形成遮光區域15、透射區域17、第一半透射區域161、及第二半透射區域162，該遮光區域15是下層膜12與上層膜13的積層體，該透射區域17是透射性基板11暴露的區域，該第一半透射區域161是由膜厚相對薄的第一下層膜12a所構成，該第二半透射區域162是由膜厚相對厚的第二下層膜12b所構成。 因此，可以獲得四調光罩100，其具有透射區域17與遮光區域15，以及透射率不同的第一半透射區域161和第二半透射區域162。

再者，可以藉由部分蝕刻上層膜13的一部分區域，使膜厚減少，而形成半透射區域。 在圖11（c）所示的步驟中，在選擇性去除曝光量第二多的第二區域14e後，以第三區域14f和第四區域14g的阻劑膜14為遮罩，與圖8（c）所示的步驟同樣地，僅上層膜13被選擇性地蝕刻而去除，以暴露下層膜12的表面。（參照圖12（a））。

接著，如圖12（b）所示，在選擇性去除曝光量第三多的第三區域14f後，以第四區域14g的阻劑膜14為遮罩，部分地蝕刻上層膜13，形成膜厚相對薄的第一上層膜13a（薄膜上層膜13a）與膜厚相對厚的第二上層膜13b（厚膜上層膜13b）。 藉由使上層膜13之膜厚減少而得到的薄膜上層膜13a，其相對於代表性波長的透射率增加，而成為半透射膜。

接著，如圖12（c）所示，透過灰化法或在阻劑剝離液中浸漬，去除第四區域14g的阻劑膜14。 形成透射區域17、第一半透射區域161、第二半透射區域162、及遮光區域15，該透射區域17是透射性基板11暴露的區域，該第一半透射區域161是由下層膜12所構成，該第二半透射區域162是由下層膜12與膜厚相對薄的第一上層膜13a的積層體所構成，該遮光區域15是由下層膜12與膜厚相對厚的第二上層膜13b的積層體所構成。由於第二半透射區域162於下層膜12之上層具備第一上層膜13a（薄膜上層膜13a），所以透射率低於第一半透射區域161。此外，由於第一上層膜13a的膜厚比上層膜13薄，透射率增加，所以第二半透射區域162成為透射率比遮光區域15（下層膜12和厚膜上層膜13b之積層體）高的半透射區域。 因此，能夠獲得四調光罩100，該四調光罩100具備各有不同透射率的透射區域17、第一半透射區域161、第二半透射區域162、及遮光區域15。

以此方式，在下層膜12或上層膜13的一部分區域中，透過減少膜厚而使透射率變化，能夠獲得進一步的多調光罩100。進而，組合圖11所示的製造步驟與圖12所示的製造步驟，在下層膜12與上層膜13的一部分區域中，透過使膜厚減少而使透射率變化，也能夠得到多調光罩100。

此外，在上述各實施型態中，以使用正性阻劑作為阻劑膜14的情況為例子進行說明，但使用負性阻劑的情況也相同。在負型阻劑的情況，曝光量的關係與正型阻劑相反。例如，正型阻劑的未曝光區域對應負型阻劑的高劑量區域，正型阻劑的高劑量區域對應負型阻劑的未曝光區域。

[產業利用性] 根據本發明，可以透過一次曝光處理步驟獲得具備不同光學特性的圖案的光罩。其結果為，不僅能夠防止光罩的製造工時增加，同時也能夠實現精細圖案。 透過在顯示裝置等產品的生產步驟中使用本光罩，能夠有助於產品性能等的提升，具有莫大的產業利用性。

1:透射性基板 2:功能性膜（半透射膜） 3:蝕刻停止膜（中間膜） 4:遮光膜（上層膜） 5:（光）阻劑膜 5a:未曝光區域 5b:低劑量區域 5c:高劑量區域 6:半透射區域 7:遮光區域 8:透射區域 9:抗反射膜 11:透射性基板 12:下層膜 12a:第一下層膜（薄膜下層膜） 12b:第二下層膜（厚膜下層膜） 13:上層膜 13a:第一上層膜（薄膜上層膜） 13b:第二上層膜（厚膜上層膜） 14:（光）阻劑膜 14a:未曝光區域（第三區域） 14b:低劑量區域（第二區域） 14c:高劑量區域（第一區域） 14d:第一區域 14e:第二區域 14f:第三區域 14g:第四區域 15:遮光區域 16:半透射區域 17:透射區域 41:遮光膜 100:光罩 161:第一半透射區域 162:第二半透射區域

圖1是顯示光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖2是顯示光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖3是顯示光阻劑膜的剖面的SEM照片。 圖4是顯示光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖5是顯示實施型態2的光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖6是顯示實施型態2的光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖7是顯示實施型態1的光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖8是顯示實施型態1的光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖9是顯示光阻劑膜的剖面的SEM照片。 圖10是顯示實施型態1的光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖11是顯示實施型態2的光罩的主要製造步驟的剖面圖。 圖12是顯示實施型態2的光罩的主要製造步驟的剖面圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

1:透射性基板

2:功能性膜(半透射膜)

3:蝕刻停止膜(中間膜)

4:遮光膜(上層膜)

5:(光)阻劑膜

5a:未曝光區域

5b:低劑量區域

5c:高劑量區域

6:半透射區域

7:遮光區域

8:透射區域

100:光罩

Claims (10)

1. 一種光罩的製造方法，其特徴在於包括下述步驟： 製備步驟，製備光罩母片（photomask blanks），該光罩母片在透射性基板上具有半透射膜、在前述半透射膜上具有中間膜、在前述中間膜上具有上層膜； 形成步驟，在前述上層膜上形成阻劑膜； 曝光步驟，使前述阻劑膜曝光，形成曝光量不同的第一區域、第二區域、及第三區域； 第一阻劑去除步驟，選擇性去除前述第一區域； 第一蝕刻步驟，蝕刻前述上層膜； 第二阻劑去除步驟，選擇性去除前述第二區域； 第二蝕刻步驟，蝕刻前述半透射膜、前述上層膜、及前述中間膜；及， 去除步驟，去除前述第三區域。
2. 如請求項1所述之光罩的製造方法，其中前述半透射膜與前述上層膜是由相同材料構成。
3. 如請求項1或2所述之光罩的製造方法，其中在前述曝光步驟中，前述第一區域的曝光量比前述第二區域的曝光量多，前述第三區域的曝光量是0。
4. 如請求項1至3任一項所述之光罩的製造方法，其中前述半透射膜是半色調（halftone）膜。
5. 如請求項1至3任一項所述之光罩的製造方法，其中前述半透射膜是相轉移（phase shift）膜。
6. 一種光罩的製造方法，其特徴在於包括下述步驟： 製備步驟，製備光罩母片，該光罩母片在透射性基板上具有下層膜，在前述下層膜上具有上層膜； 形成步驟，在前述上層膜上形成阻劑膜； 曝光步驟，使前述阻劑膜曝光，形成曝光量不同的第一區域、第二區域、及第三區域； 第一阻劑去除步驟，選擇性去除前述第一區域； 第一蝕刻步驟，蝕刻前述上層膜及前述下層膜； 第二阻劑去除步驟，選擇性去除前述第二區域； 第二蝕刻步驟，蝕刻前述上層膜；及， 去除步驟，去除前述第三區域。
7. 如請求項6所述之光罩的製造方法，其中前述下層膜與前述上層膜是由不同材料構成。
8. 如請求項6或7所述之光罩的製造方法，其中在前述曝光步驟中，前述第一區域的曝光量比前述第二區域的曝光量多，前述第三區域的曝光量是0。
9. 如請求項6至8任一項所述之光罩的製造方法，其中前述下層膜是半色調膜。
10. 如請求項6至8任一項所述之光罩的製造方法，其中前述下層膜是相轉移膜。

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