TW202136546A - 蒸鍍遮罩 - Google Patents

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Abstract

本發明目的在於提供可以抑制蒸鍍遮罩與被蒸鍍基板密接時在該蒸鍍遮罩產生的皺褶。 蒸鍍遮罩(20)具備：構成面對被蒸鍍基板之一側之面的第1面(20a)；及構成與第1面(20a)相反之一側之面的第2面(20b)；具有形成有複數個貫穿孔(25)的有效區域(22)，具有長邊方向(dL )，而且沿著長邊方向(dL )配列有1個以上之有效區域(22)，至少在長邊方向(dL )之中央部中的與長邊方向(dL )正交的斷面中，以朝第1面(20a)側成為凸狀的方式彎曲。

Description

蒸鍍遮罩
本發明關於按照所期望的圖案將蒸鍍材料蒸鍍於有機EL基板等之被蒸鍍基板上時使用的蒸鍍遮罩。
近年來，對智慧手機或平板PC等之可攜帶型裝置使用的顯示裝置，要求高精細之例如像素密度為500 ppi以上。又，可攜帶型裝置中，要求對應於超高畫質(UHD)亦漸變高，該情況下，顯示裝置之像素密度例如要求800ppi以上。
顯示裝置之中，有機EL顯示裝置基於良好的響應性，低消費電力或高對比而被注目。作為形成有機EL顯示裝置之像素的方法，習知有使用包含按照所期望的圖案配列之貫穿孔的蒸鍍遮罩，按照所期望的圖案來形成像素的方法。具體而言，首先，使蒸鍍遮罩密接於有機EL顯示裝置用之有機EL基板(被蒸鍍基板)，接著，將密接的蒸鍍遮罩及有機EL基板一起投入蒸鍍裝置，進行使有機材料(蒸鍍材料)蒸鍍於有機EL基板的蒸鍍工程。使蒸鍍遮罩密接於被蒸鍍基板時，例如在被蒸鍍基板之與蒸鍍遮罩相反之一側之表面上配置磁鐵，使蒸鍍遮罩接近被蒸鍍基板，據此，可以藉由磁鐵之磁力將蒸鍍遮罩吸到該磁鐵的近旁並使其密接於被蒸鍍基板。
作為此種蒸鍍遮罩，習知有藉由使用光微影成像技術的蝕刻法形成有複數個貫穿孔的蒸鍍遮罩(參照JP2015-214741A)。JP2015-214741A揭示的蒸鍍遮罩中，係從用於形成蒸鍍遮罩的金屬板之一面側蝕刻來形成第1凹部，從該金屬板之另一面側蝕刻來形成第2凹部，藉由該第1凹部及第2凹部形成蒸鍍遮罩之各貫穿孔。據此，可以獲得複數個具有複數個貫穿孔的有效區域沿著與蒸鍍遮罩之長邊方向平行的方向配列而成的的蒸鍍遮罩。
[發明之揭示]
使用蒸鍍遮罩將蒸鍍材料成膜於被蒸鍍基板上之情況下，蒸鍍材料不僅附著在基板亦附著於蒸鍍遮罩。例如蒸鍍材料之中有部分會沿著相對於蒸鍍遮罩之法線方向大幅傾斜的方向朝向被蒸鍍基板，該些蒸鍍材料在到達被蒸鍍基板之前先到達蒸鍍遮罩之貫穿孔之壁面並附著。該情況下，蒸鍍材料將難以附著在被蒸鍍基板之中位於蒸鍍遮罩之貫穿孔之壁面之近旁的區域，其結果，附著的蒸鍍材料之厚度比其他部分小，推測有可能發生蒸鍍材料未附著的部分。亦即推測蒸鍍遮罩之貫穿孔之壁面之近旁的蒸鍍變為不穩定。因此，使用蒸鍍遮罩形成有機EL顯示裝置之像素的情況下，導致像素之尺寸精度或位置精度降低，其結果，有機EL顯示裝置之發光效率有可能降低。為了抑制這樣的不良情況之產生，因此要求藉由縮小蒸鍍遮罩整體之厚度，縮小蒸鍍遮罩之貫穿孔之壁面之高度，來降低蒸鍍材料之中附著於貫穿孔之壁面者之比率。
但是，這樣的厚度被縮小亦即被薄板化的蒸鍍遮罩，其密接於被蒸鍍基板時容易產生皺褶。尤其是，蒸鍍遮罩具有長邊方向且沿著該長邊方向拉伸之情況下，蒸鍍遮罩容易產生沿著該長邊方向延伸的皺褶。本案發明人針對這樣的蒸鍍遮罩之皺褶深入檢討後發現，在蒸鍍遮罩內，在通過被蒸鍍基板之與蒸鍍遮罩相反的一側所配置的磁鐵之磁力而被吸到被蒸鍍基板近旁的時序上存在偏差。
作用於2個物體間的磁力係與該2個物體間之距離之平方呈反比例為周知者。蒸鍍遮罩具有長邊方向且沿著該長邊方向拉伸之情況下，伴隨著拉伸而在蒸鍍遮罩之寬度方向中在該蒸鍍遮罩產生微小的起伏。本案發明人推測，因為在該蒸鍍遮罩之寬度方向產生的微小的起伏，造成在蒸鍍遮罩之寬度方向中與磁鐵間的距離產生偏差，其引起該蒸鍍遮罩被吸到被蒸鍍基板近旁的時序上產生偏差。亦即推測蒸鍍遮罩內之與磁鐵間的距離小的部位比起與磁鐵間的距離大的部位先被密接於被蒸鍍基板。在蒸鍍遮罩與被蒸鍍基板密接之部位摩擦力起作用，該摩擦力阻礙該部位中蒸鍍遮罩朝被蒸鍍基板之板面方向之移動。因此，蒸鍍遮罩中位於較先密接於被蒸鍍基板之二個部位之間的區域中，該密接之部位中的蒸鍍遮罩朝向被蒸鍍基板之板面方向之移動被阻礙了，基於此而導致無法與被蒸鍍基板密接。與未薄板化的蒸鍍遮罩比較，薄板化的蒸鍍遮罩在長邊方向拉伸時產生的起伏相對地變大。據此而推測，薄板化的蒸鍍遮罩與被蒸鍍基板密接時容易產生皺褶。
本發明考量此點而完成者，目的在於提供可以抑制蒸鍍遮罩與被蒸鍍基板密接時在該蒸鍍遮罩產生皺褶。
本發明之蒸鍍遮罩，係使用於蒸鍍材料對被蒸鍍基板之蒸鍍者，具備：第1面，其構成面對上述被蒸鍍基板之一側之面；及第2面，其構成與上述第1面相反一側之面； 具有形成有複數個貫穿孔的有效區域， 具有長邊方向，而且沿著上述長邊方向配列有1個以上之上述有效區域， 至少在上述長邊方向之中央部中的與上述長邊方向正交的斷面中，以使上述第1面側成為凸狀的方式彎曲。
本發明之蒸鍍遮罩中， 具有包圍上述有效區域的周圍區域， 將上述周圍區域中的上述有效區域之上述寬度方向之一側所配置的1個以上之總間距標記(Total pitch mark)之中，與上述長邊方向之中央部最近的總間距標記設為第1總間距標記， 將上述周圍區域中的上述有效區域之上述寬度方向之另一側所配置的1個以上之總間距標記之中，與上述第1總間距標記對應的總間距標記設為第2總間距標記， 使上述蒸鍍遮罩以上述第1面朝向上方的方式載置於水平的平坦面上，將上述第1總間距標記與上述第2總間距標記之間之沿著上述寬度方向的距離設為D1(mm)， 使上述蒸鍍遮罩以上述第1面朝向上方的方式載置於水平的平坦面上，對上述蒸鍍遮罩從上方施加荷重使上述蒸鍍遮罩平坦化時的，上述第1總間距標記與上述第2總間距標記之間之沿著上述寬度方向的距離設為D2(mm)時， 上述距離D2與上述距離D1之差(D2-D1)之值大於0mm且小於0.05mm亦可。
本發明之蒸鍍遮罩中， 將與上述蒸鍍遮罩之上述寬度方向之一側之端緣最近接的1個以上之上述貫穿孔之中，與上述長邊方向之中央部最近的貫穿孔設為第1貫穿孔， 將與上述蒸鍍遮罩之上述寬度方向之另一側之端緣最近接的1個以上之上述貫穿孔之中，與上述第1貫穿孔之間之沿著上述長邊方向的分離距離為最小的貫穿孔設為第2貫穿孔， 使上述蒸鍍遮罩以上述第1面朝向上方的方式載置於水平的平坦面上，將上述第1貫穿孔與上述第2貫穿孔之間之沿著上述寬度方向的距離設為D1(mm)， 使上述蒸鍍遮罩以上述第1面朝向上方的方式載置於水平的平坦面上，對上述蒸鍍遮罩從上方施加荷重使上述蒸鍍遮罩平坦化時的，上述第1貫穿孔與上述第2貫穿孔之間之沿著上述寬度方向的距離設為D2(mm)時， 上述距離D2與上述距離D1之差(D2-D1)之值大於0mm且小於0.05mm亦可。 [發明效果]
依據本發明，可以有效抑制蒸鍍遮罩與被蒸鍍基板密接時在該蒸鍍遮罩產生皺褶。
以下，參照圖面對本發明之一實施形態進行說明。又，本件說明書附加的圖面中，為了圖示與理解之方便，適當地變更或擴大與實物間的縮尺及縱橫之尺寸比等。
圖1～圖25係對本發明之一實施形態進行說明之圖。以下之實施形態中，以製造有機EL顯示裝置時為了按照所期望的圖案將有機材料(蒸鍍材料)蒸鍍於有機EL基板(被蒸鍍基板)上進行圖案化所使用的蒸鍍遮罩及使用該蒸鍍遮罩的蒸鍍方法為例進行說明。但是，不限定於這樣的適用，本發明亦適用在各種用途所使用的蒸鍍遮罩及使用該蒸鍍遮罩的蒸鍍方法。
又，本說明書中，「板」、「片」、「膜」之用語僅為稱呼上之差異，互相之間並無區別。例如「板」亦有包含可以稱為「片」或「膜」的構件之概念，因此，例如「金屬板」與稱為「金屬片」或「金屬膜」之構件僅為稱呼上之差異，互相之間並無區別。
又，「板面(片面、膜面)」係指，從整體且全面觀察成為對象的板狀(片狀、膜狀)之構件之情況下與成為對象的板狀構件(片狀構件、膜狀構件)之平面方向一致的面。又，針對板狀(片狀、膜狀)之構件使用的法線方向係指相對於該構件之板面(片面、膜面)的法線方向。
另外，關於本說明書中使用的用於界定形狀或幾何學的條件及物理特性以及彼等之程度的例如「平行」、「正交」、「同一」、「同等」等之用語或長度或角度以及物理特性之值等，並非侷限於嚴格的意味，亦可以解釋為包含期待能獲得同樣功能的程度之範圍。
首先，參照圖1及圖2對包含蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩裝置之一例進行說明。圖1係組裝有蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩裝置之一例的平面圖，圖2係對圖1所示蒸鍍遮罩裝置之使用方法進行說明之圖。
圖1及圖2所示的蒸鍍遮罩裝置10具備：由大致矩形狀之金屬板21形成的複數個蒸鍍遮罩20；及保持複數個蒸鍍遮罩20的框架15。蒸鍍遮罩20具有相互對向的第1面20a及第2面20b，金屬板21具有相互對向的第1面21a及第2面21b。金屬板21之第1面21a構成蒸鍍遮罩20之第1面20a之一部分，金屬板21之第2面21b構成蒸鍍遮罩20之第2面20b之一部分。
如圖1所示，蒸鍍遮罩20具有：沿著其長邊方向配列的複數個有效區域22；包圍有效區域22的周圍區域23；夾持有效區域22及周圍區域23且位於蒸鍍遮罩20之長邊方向之端部的一對耳部區域24；於各耳部區域24安裝有框架15。亦即框架15安裝於矩形狀之蒸鍍遮罩20之長邊方向之端部。圖1及圖2所示的例中，以蒸鍍遮罩20不產生撓曲的方式，使蒸鍍遮罩20沿其長邊方向拉伸的狀態下，亦即於蒸鍍遮罩20之長邊方向產生張力的狀態下，藉由框架15保持蒸鍍遮罩20。蒸鍍遮罩20與框架15例如藉由點焊被互相固定。
在有效區域22按照所期望的圖案形成有在對蒸鍍對象物亦即被蒸鍍基板進行蒸鍍材料之蒸鍍時有意使蒸鍍材料通過的複數個貫穿孔25。圖示的例中，貫穿孔25係從金屬板21之至少第2面21b側藉由蝕刻而形成。該蒸鍍遮罩裝置10，如圖2所示，使用於以蒸鍍遮罩20之第1面20a(金屬板21之第1面21a)面對被蒸鍍基板例如有機EL基板92之下面的方式，蒸鍍遮罩20被支撐於蒸鍍裝置90內，對被蒸鍍基板進行蒸鍍材料之蒸鍍時。因此，蒸鍍遮罩20之第1面20a構成面對被蒸鍍基板之一側之面，第2面20b構成與第1面20a相反之一側之面。
在蒸鍍裝置90內透過磁鐵93之磁力使蒸鍍遮罩20與有機EL基板92成為密接。在蒸鍍裝置90內，在蒸鍍遮罩裝置10之下方配置有對蒸鍍材料(一例為有機發光材料)98進行收納的坩堝94；及對坩堝94進行加熱的加熱器96。將蒸鍍裝置90內減壓成為高真空之後，坩堝94內之蒸鍍材料98透過加熱器96之加熱而氣化或昇華並附著於有機EL基板92之表面。如上述說明，在蒸鍍遮罩20形成有複數個貫穿孔25，蒸鍍材料98經由該貫穿孔25附著於有機EL基板92。其結果，蒸鍍材料98按照與蒸鍍遮罩20之貫穿孔25之位置對應的所期望的圖案被成膜於有機EL基板92之表面。
如上述說明，本實施形態中，貫穿孔25在蒸鍍遮罩20之各有效區域22中按照規定之圖案被配置。又，欲進行彩色顯示之情況下，沿著貫穿孔25之配列方向(前述之一方向)一點一點地使蒸鍍遮罩20(蒸鍍遮罩裝置10)與有機EL基板92相對移動，依序蒸鍍紅色用之有機發光材料、綠色用之有機發光材料及藍色用之有機發光材料亦可。又，對應於各色例如使用按照不同的圖案配置有貫穿孔25的不同的蒸鍍遮罩20，對有機EL基板92進行有機發光材料之蒸鍍亦可。
但是，蒸鍍處理有可能在成為高溫氛圍的蒸鍍裝置90之內部實施之情況。該情況下，在蒸鍍處理之間，保持於蒸鍍裝置90之內部的蒸鍍遮罩20、框架15及被蒸鍍基板亦即有機EL基板92亦被加熱。此時，蒸鍍遮罩20、框架15及有機EL基板92出現基於各自的熱膨脹係數之尺寸變化之行為。該情況下，若蒸鍍遮罩20或框架15與有機EL基板92間之熱膨脹係數存在大幅差異，則產生彼等之尺寸變化之差異引起的位置偏移，其結果，附著於有機EL基板92上的蒸鍍材料之尺寸精度或位置精度降低。為了解決這樣的課題，蒸鍍遮罩20及框架15之熱膨脹係數與有機EL基板92之熱膨脹係數為同等之值為較佳。例如有機EL基板92使用玻璃基板的情況下，作為蒸鍍遮罩20(金屬板21)及框架15之材料，例如可以使用鎳及鈷之含有量合計為30質量%以上而且54質量%以下，而且鈷之含有量為0質量%以上而且6質量%以下的鐵合金。作為包含鎳或鎳及鈷的鐵合金之具體例，可以舉出包含34質量%以上而且38質量%以下之鎳的殷鋼(Invar)材及除了30質量%以上而且34質量%以下之鎳以外還包含鈷的超殷鋼(super Invar)材等。
作為蒸鍍遮罩20(金屬板21)之厚度之一例可以是10μm以上40μm以下。蒸鍍遮罩逐年成為高像素密度化而且其厚度變小。蒸鍍遮罩20之厚度在40μm以下時，基於內部應力之影響即使在蒸鍍遮罩20產生卷曲之情況下，蒸鍍遮罩20透過磁鐵93之磁力密接於有機EL基板92時蒸鍍遮罩20可以充分變形，因此可以提升蒸鍍遮罩20對有機EL基板92之密接性。又，蒸鍍遮罩20之厚度為8μm以上時，可以有效抑制蒸鍍遮罩20之處理中在蒸鍍遮罩20產生的變形，據此可以提升製品良率。尤其是，蒸鍍遮罩20之材料使用鎳及鈷之含有量合計為30質量%以上而且54質量%以下，而且鈷之含有量為0質量%以上而且6質量%以下的鐵合金之情況下，將蒸鍍遮罩20之厚度設為10μm以上，據此更能顯著發揮抑制蒸鍍遮罩20之處理中在蒸鍍遮罩20產生變形之效果。
又，蒸鍍處理時，若蒸鍍遮罩20、框架15及有機EL基板92之溫度未達高溫之情況下，蒸鍍遮罩20及框架15之熱膨脹係數與有機EL基板92之熱膨脹係數可以為不同等之值。該情況下，蒸鍍遮罩20(金屬板21)之材料可以使用包含上述鎳的鐵合金以外之各樣的材料。作為蒸鍍遮罩20(金屬板21)之材料之一例，可以使用包含鉻的鐵合金、包含鎳及鉻的鐵合金等之所謂不鏽鋼材。又，亦可以使用鎳或鎳-鈷合金等之鐵合金以外之金屬材料。
接著，主要參照圖1及圖3～圖5對蒸鍍遮罩20進行說明。圖3係圖1所示蒸鍍遮罩20的斜視圖，圖4係沿著圖3之IV-IV線的蒸鍍遮罩20的斷面圖，圖5係圖3之蒸鍍遮罩20的平面圖。
本實施形態中，蒸鍍遮罩20由金屬板21形成，從蒸鍍遮罩20(金屬板21)之法線方向觀察，亦即俯視狀態下為大致四角形形狀，更正確說是俯視狀態下具有大致矩形狀之輪廓。尤其是圖3所示的例中，蒸鍍遮罩20具有俯視狀態下具有長邊方向dL 及與長邊方向dL 正交的寬度方向dW 的大致矩形狀之輪廓。蒸鍍遮罩20之金屬板21包含：以規則的配列形成有貫穿孔25的1個以上之有效區域22；包圍各有效區域22的周圍區域23；及夾持有效區域22及周圍區域23而位於蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之兩端部的一對耳部區域24。
周圍區域23及耳部區域24係支撐有效區域22的區域，並非使意圖對被蒸鍍基板進行蒸鍍的蒸鍍材料通過的區域。例如在有機EL顯示裝置用之有機發光材料之蒸鍍所使用的蒸鍍遮罩20中，有效區域22意味著與供作為蒸鍍有機發光材料來形成像素的被蒸鍍基板(有機EL基板92)上之區域，亦即與構成所製作的有機EL顯示裝置之顯示面的有機EL基板92上之區域面對面的蒸鍍遮罩20內之區域。但是，基於各種目地而在周圍區域23或耳部區域24形成貫穿孔或凹部亦可。本實施形態中，各有效區域22在俯視狀態下為大致四角形形狀，更正確的說是俯視狀態下具有大致矩形狀之輪廓。又，雖未圖示，各有效區域22可以和由有機EL基板92製作的有機EL顯示裝置之顯示區域之形狀對應地具有各樣的形狀之輪廓。例如各有效區域22具有圓形狀之輪廓亦可。
圖1所示的例中，蒸鍍遮罩20具有複數個有效區域22，各有效區域22沿著與蒸鍍遮罩20之長邊方向平行的一方向隔開規定之間隔排列成一列。圖示的例中，有機EL基板92構成為從1片之該有機EL基板92可以作成複數個有機EL顯示裝置。亦即有機EL基板92可以獲取多個有機EL顯示裝置。又，圖示的例中，一個有效區域22對應於從有機EL基板92應被製作的一個有機EL顯示裝置。因此，依據圖1所示的蒸鍍遮罩裝置10(蒸鍍遮罩20)，可以對有機EL基板92進行拼版蒸鍍。
本實施形態之蒸鍍遮罩20，至少在長邊方向dL 之中央部中的與長邊方向dL 正交的斷面中，以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲。於此，蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部係指包含蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中心26且沿著長邊方向dL 具有規定之長度的區域。尤其是蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中心26與中央部之長邊方向dL 之中心一致。因此，中央部之長邊方向dL 之中心亦以符號26表示。又，中央部之沿著長邊方向dL 的規定之長度可以設為有效區域22之沿著長邊方向dL 的長度之1/2。蒸鍍遮罩20在長邊方向dL 之中央部中之與長邊方向dL 正交的斷面中以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲，係指蒸鍍遮罩20在長邊方向dL 之中央部所包含的與長邊方向dL 正交的任一斷面中均以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲。尤其是圖3所示的例中，蒸鍍遮罩20至少在長邊方向dL 之中心26中之與長邊方向dL 正交的斷面中以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲。
又，蒸鍍遮罩20以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲，係指參照圖11如後述說明般，將蒸鍍遮罩20以第1面20a朝向上方的方式載置於水平的平坦面52上之情況下，以第2面20b中的寬度方向dW 之兩端緣29接觸平坦面52，第2面20b中的寬度方向dW 之中央部27不接觸平坦面52的形狀。換言之，在蒸鍍遮罩20之第2面20b與平坦面52之間，除了第2面20b中的寬度方向dW 之兩端緣29之部位以外，形成有隙間G的形狀。
圖3所示的例中，蒸鍍遮罩20中，遍及包含長邊方向dL 之中央部在內的配置有有效區域22的區域之整體，在與長邊方向dL 正交的斷面中，以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲。換言之，蒸鍍遮罩20中，被一對耳部區域24夾持的區域整體在與長邊方向dL 正交的斷面中以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲。圖示的例中，蒸鍍遮罩20之耳部區域24不彎曲，遍及其整體為平坦的形狀。又，但不限定於此，蒸鍍遮罩20之耳部區域24中之至少一部分彎曲亦可。例如耳部區域24中的長邊方向dL 之中央部側之一部分，在與長邊方向dL 正交的斷面中，以朝向第1面20a側成為凸狀的方式彎曲亦可。於此，以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲意味著，蒸鍍遮罩20之第1面20a構成蒸鍍遮罩20之彎曲之外側之面，第2面20b構成蒸鍍遮罩20之彎曲之內側之面。又，圖3～圖5中，作為與本實施形態之蒸鍍遮罩20的比較，以二點虛線表示假設不彎曲而整體具有平坦的形狀之情況下之蒸鍍遮罩之形狀。
圖3所示的例中，蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部在與長邊方向dL 正交的斷面中彎曲最大。亦即蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部在與長邊方向dL 正交的斷面中具有最大的曲率。換言之，蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部在與長邊方向dL 正交的斷面中具有最小的曲率半径。圖示的例中，蒸鍍遮罩20之被一對耳部區域24夾持的區域中，隨著自各耳部區域24側之端部往長邊方向dL 之中央部，在與長邊方向dL 正交的斷面中的彎曲之曲率變大。尤其是，蒸鍍遮罩20之被一對耳部區域24夾持的區域中，隨著自各耳部區域24側之端部往長邊方向dL 之中央部，在與長邊方向dL 正交的斷面中的彎曲之曲率保持變大。
將蒸鍍遮罩20以其第1面20a朝向上方而且以第2面20b朝向下方的方式配置之情況下，圖3所示的例中，在與長邊方向dL 正交的斷面中該蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27成為最高的部位。尤其是圖示的例中，蒸鍍遮罩20中被一對耳部區域24夾持的區域中，遍及一方之耳部區域24側之端部至另一方之耳部區域24側之端部的全部區域中，在與長邊方向dL 正交的斷面中該蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27成為最高的部位。伴隨此，蒸鍍遮罩20之第1面20a中被一對耳部區域24夾持的區域中，遍及一方之耳部區域24側之端部至另一方之耳部區域24側之端部，蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27形成連續的稜線28。稜線28係在蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27上沿著在與長邊方向dL 延伸。尤其是，圖示的例中，稜線28在蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27上成為與長邊方向dL 平行而直線狀延伸。
圖4表示蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部中與長邊方向dL 正交的斷面。圖示的例中，隨著自寬度方向dW 之中央部27往寬度方向dW 之兩端緣29、29，蒸鍍遮罩20朝其之第2面20b側彎曲。據此，蒸鍍遮罩20以第1面20a側成為凸狀的方式，換言之以第2面20b側成為凹狀的方式彎曲。尤其是圖示的例中，隨著自寬度方向dW 之中央部27往寬度方向dW 之兩端緣29、29，蒸鍍遮罩20僅朝向其第2面20b側彎曲。尤其是，隨著自寬度方向dW 之中央部27至寬度方向dW 之兩端緣29、29，蒸鍍遮罩20保持朝向其第2面20b側彎曲。
圖5表示俯視狀態下的蒸鍍遮罩20。伴隨著蒸鍍遮罩20以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲，俯視狀態下，蒸鍍遮罩20之沿著寬度方向dW 的寬度係沿著長邊方向dL 變化。圖示的例中，在蒸鍍遮罩20中被一對耳部區域24夾持的區域中，蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度，係隨著自各耳部區域24側之端部往長邊方向dL 之中央部以變窄的方式變化。尤其是圖示的例中，蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度，係隨著自各耳部區域24側之端部往長邊方向dL 之中央部僅以變窄的方式變化。更詳細言之，圖示的例中，蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度，係隨著自各耳部區域24側之端部往長邊方向dL 之中央部以變窄的方式保持變化。結果，長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度，係比蒸鍍遮罩20中被一對耳部區域24夾持的區域之各耳部區域24側之端部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度窄。尤其是，長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度，在蒸鍍遮罩20中被一對耳部區域24夾持的區域內，係成為最小寬度。
因此，藉由對長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度進行評價，由此可以對長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之彎曲之程度進行評價。亦即長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度被評價為較小的情況下，可以將長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之彎曲評價為較大(彎曲之曲率較大，彎曲之曲率半徑較小)。又，長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度被評價為較大的情況下，可以將長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之彎曲評價為較小(彎曲之曲率較小，彎曲之曲率半徑較大)。又，長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度之具體的評價方法如後述。
習知蒸鍍遮罩中，係從金屬板之至少第2面側對金屬板進行半蝕刻(half etching)而形成複數個貫穿孔。金屬板係對金屬材料進行軋製加工而製造。通常，在軋製加工的金屬板內沿其板厚方向殘留有應力。因此，由軋製加工的金屬板製造蒸鍍遮罩之情況下，習知技術中，軋製加工後，在形成複數個貫穿孔之半蝕刻工程前，進行將該金屬板在規定溫度內保持規定時間的退火工程，減低金屬板內殘留的應力，較好是使金屬板內殘留的應力接近零。據此，由習知金屬板製造的蒸鍍遮罩不產生彎曲，蒸鍍遮罩整體具有平坦的形狀。
本實施形態中，作為一例，藉由對半蝕刻工程前之退火工程中的後述之金屬板64之保持溫度及/或保持時間進行調整，而使殘留於金屬板64內的應力僅殘留所要量。此時，藉由從金屬板64之至少第2面64b側之半蝕刻，而在金屬板64之板厚方向產生殘留金屬量較多的部位(第1面64a側)及較少的部位(第2面64b側)，據此，而在金屬板64之第1面64a側與第2面64b側之間之殘留應力量產生差。因此，針對由切斷該金屬板64而製作的金屬板21所形成的蒸鍍遮罩20，至少在長邊方向dL 之中央部中的與長邊方向dL 正交的斷面中，可以賦予以第1面20a側成為凸狀的彎曲。
接著，主要參照圖6～圖9對蒸鍍遮罩20之各有效區域22上形成的複數個貫穿孔25之一例進行詳細說明。圖6係圖1所示的蒸鍍遮罩20的部分平面圖，圖7係沿圖6之蒸鍍遮罩20之VII-VII線的斷面圖，圖8係沿圖6之蒸鍍遮罩20之VIII-VIII線的斷面圖，圖9係沿圖6之蒸鍍遮罩20之IX-IX線的斷面圖。圖6所示的例中，蒸鍍遮罩20之各有效區域22上形成的複數個貫穿孔25，在該有效區域22中沿著相互正交的二方向分別以規定之間距被配列。
如圖7～圖9所示，複數個貫穿孔25，係在成為沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的一側之第1面20a與成為沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的另一側之第2面20b之間延伸，將蒸鍍遮罩20貫穿。圖示的例中，如之後之詳細說明，藉由蝕刻從成為蒸鍍遮罩20之法線方向中的一側的金屬板21之第1面21a之側在金屬板21形成第1凹部30，從成為金屬板21之法線方向中的另一側的第2面21b之側在金屬板21形成第2凹部35，藉由該第1凹部30及第2凹部35形成貫穿孔25。
如圖6～圖9所示，從蒸鍍遮罩20之第1面20a之側向第2面20b之側，沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的各位置中的沿著蒸鍍遮罩20之板面的斷面中的各第1凹部30之斷面積逐漸變小。圖示的例中，第1凹部30之壁面31，在其全區域中沿著與蒸鍍遮罩20之法線方向交叉的方向延伸，向沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的一側露出。同樣地，圖示的例中，沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的各位置中的沿著蒸鍍遮罩20之板面的斷面中的各第2凹部35之斷面積，係從蒸鍍遮罩20之第2面20b之側向第1面20a之側逐漸變小。第2凹部35之壁面36，係在其全區域中朝與蒸鍍遮罩20之法線方向交叉的方向延伸，而向沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的另一側露出。
又，如圖7～圖9所示，第1凹部30之壁面31與第2凹部35之壁面36係透過周狀之連接部41連接。連接部41係由相對於蒸鍍遮罩20之法線方向傾斜的第1凹部30之壁面31與相對於蒸鍍遮罩20之法線方向傾斜的第2凹部35之壁面36合流的伸出部之稜線來劃定。連接部41劃定蒸鍍遮罩20之俯視狀態下貫穿孔25之面積最小的貫穿部42。
如圖7～圖9所示，在蒸鍍遮罩20之沿法線方向的一側之面，亦即在蒸鍍遮罩20之第1面20a上，相鄰的二個貫穿孔25沿著蒸鍍遮罩20之板面互相分離。亦即如後述的製造方法之說明，從與蒸鍍遮罩20之第1面20a對應的金屬板21之第1面21a側對該金屬板21進行蝕刻而製作第1凹部30之情況下，在相鄰的二個第1凹部30之間殘存有金屬板21之第1面21a。
另一方面，如圖7～圖9所示，在蒸鍍遮罩20之沿法線方向的另一側，亦即在蒸鍍遮罩20之第2面20b之側，相鄰的二個第2凹部35被連接。亦即如後述的製造方法之說明，從與蒸鍍遮罩20之第2面20b對應的金屬板21之第2面21b側對該金屬板21進行蝕刻而形成第2凹部35之情況下，在相鄰的二個第2凹部35之間不殘存金屬板21之第2面21b。亦即金屬板21之第2面21b遍及有效區域22之全域被蝕刻。依據形成有這樣的第2凹部35的蒸鍍遮罩20之第2面20b，如圖2所示將蒸鍍遮罩20之第2面20b面對蒸鍍材料98的方式來使用該蒸鍍遮罩20之情況下，可以有效改善蒸鍍材料98之利用效率。
如圖2所示般蒸鍍遮罩裝置10被收納於蒸鍍裝置90之情況下，如圖7之二點虛線所示，蒸鍍遮罩20之第2面20b位於保持有蒸鍍材料98的坩堝94側，蒸鍍遮罩20之第1面20a面對有機EL基板92。因此，蒸鍍材料98通過斷面積逐漸變小的第2凹部35附著於有機EL基板92。蒸鍍材料98不僅由坩堝94向有機EL基板92沿著有機EL基板92之法線方向移動，如圖7之箭頭所示，亦有可能沿著相對於有機EL基板92之法線方向大幅傾斜的方向移動。此時，若蒸鍍遮罩20之厚度大，則斜向移動的蒸鍍材料98之大部分在通過貫穿孔25到達有機EL基板92之前，先到達並附著於第2凹部35之壁面36。例如斜向移動的蒸鍍材料98之大部分附著於壁面36之中連接部41近旁之部分或前端緣32近旁之部分。該情況下，在面對有機EL基板92上之貫穿孔25的區域內存在蒸鍍材料98容易到達的區域與不容易到達的部分。因此，為了提高蒸鍍材料之利用效率(成膜效率：附著於有機EL基板92的比例)節省高價位的蒸鍍材料，而且，使使用高價位的蒸鍍材料之成膜穩定且均勻地在所要之區域內實施，將蒸鍍遮罩20構成為盡可能使斜向移動的蒸鍍材料98到達有機EL基板92乃重要者。亦即在與蒸鍍遮罩20之板面正交的圖7～圖9之斷面中，將通過成為持有貫穿孔25之最小斷面積的部分之連接部41與第2凹部35之壁面36之其他任意之位置的直線L1，相對於蒸鍍遮罩20之法線方向所成的最小角度θ(參照圖7)設為充分大為有利者。
作為增大角度θ之方法之一，可以考慮縮小蒸鍍遮罩20之厚度，據此，可以縮小第2凹部35之壁面36或第1凹部30之壁面31之高度。亦即作為構成蒸鍍遮罩20的金屬板21，使用在可以確保蒸鍍遮罩20之強度的範圍內厚度盡可能小的金屬板21為較佳。
作為增大角度θ之其他方法，亦可以考慮將第2凹部35之輪廓最適化的方法。例如依據本實施形態，藉由使相鄰的二個第2凹部35之壁面36合流，依此則和不與其他凹部合流的具有虛線所示壁面(輪廓)的凹部比較，可以大幅增大該角度θ(參照圖7)。以下，對其理由進行說明。
如後述詳細說明，第2凹部35係藉由對金屬板21之第2面21b進行蝕刻形成。藉由蝕刻形成的凹部之壁面通常成為朝向侵蝕方向凸出的曲面狀。因此，藉由蝕刻形成的凹部之壁面36，在成為蝕刻之開始側的區域中成為陡峭，在成為與蝕刻之開始側相反之一側的區域、亦即在凹部之最深之側中，成為相對於金屬板21之法線方向較大幅傾斜。另一方面，圖示的蒸鍍遮罩20中，相鄰的二個第2凹部35之壁面36在蝕刻之開始側中合流，因此二個第2凹部35之壁面36之前端緣32所合流的部分43之外輪廓並非陡峭的形狀，而是成為去角的形狀。因此，可以使構成貫穿孔25之大部分的第2凹部35之壁面36相對於蒸鍍遮罩20之法線方向有效地傾斜。亦即可以增大角度θ。
依據本實施形態的蒸鍍遮罩20，在有效區域22之全域中，可以使第2凹部35之壁面36相對於蒸鍍遮罩20之法線方向所成的傾斜角度θ有效地增大。據此可以有效地改善蒸鍍材料98之利用效率，而且可以高精度且穩定地實施所期望的圖案的蒸鍍。
又，如後述的製造方法之說明，從與蒸鍍遮罩20之第2面20b對應的金屬板21之第2面21b側對該金屬板21進行蝕刻而製作第2凹部35之情況下，在構成蒸鍍遮罩20之有效區域22的金屬板21之全區域中，該金屬板21之第2面21b被蝕刻侵蝕。亦即在有效區域22不存在金屬板21之第2面21b。進一步換言之，蒸鍍遮罩20之沿有效區域22內之法線方向的最大厚度Ta，成為小於蒸鍍遮罩20之沿周圍區域23內之法線方向的最大厚度Tb之100%。如此般使有效區域22內的厚度整體變薄就提升蒸鍍材料之利用效率之觀點而言較好。另一方面，就蒸鍍遮罩20之強度之觀點而言，蒸鍍遮罩20之沿有效區域22內之法線方向的最大厚度Ta，成為蒸鍍遮罩20之沿周圍區域23內之法線方向的最大厚度Tb之固定以上之比例為較佳。可以有效抑制蒸鍍遮罩20張設於框架15之情況下蒸鍍遮罩20之有效區域22內的變形，據此，可以有效地實施按所期望的圖案的蒸鍍。
又，第2凹部35之寬度係從蒸鍍遮罩20之沿法線方向的一側朝向另一側變寬，因此藉由第2凹部35之壁面36之前端緣32與其他第2凹部35之壁面36之前端緣32之合流形成稜線33。圖示的例中，俯視狀態下貫穿孔25形成為大致矩形狀，而且，在相互正交的二個方向分別按規定之間距配列。因此，如圖6所示，將位於有效區域22內之最外方以外的貫穿孔25進行劃定的第2凹部35之壁面36之前端緣32係沿著大致矩形狀延伸，又，在相鄰的二個第2凹部35之間延伸的稜線33，係成為朝向與貫穿孔25之配列方向分別平行的二方向延伸。
另外，如後述的製造方法之說明，藉由蝕刻形成第2凹部35之情況下，與其他第2凹部35之壁面36之前端緣32合流的第2凹部35之壁面36之前端緣32之，位處蒸鍍遮罩20之法線方向中的位置並非固定而是變動的。基於後述的第2凹部35之形成方法，前端緣32之高度，係與第2凹部35之深度為最深的貫穿孔25之貫穿部42之沿蒸鍍遮罩20之板面的距離對應地變化。具體而言，與其他第2凹部35之壁面36之前端緣32合流的第2凹部35之壁面36之前端緣32之沿蒸鍍遮罩20之法線方向的高度，通常隨著自以該第2凹部35所劃定的貫穿孔25之貫穿部42至前端緣32為止的沿著蒸鍍遮罩20之板面的距離之變長而變高。因此，如圖6所示，貫穿孔25(第2凹部35)為方形配列之情況下，在二個配列方向之各別方向中在成為相鄰的貫穿孔25之中間的位置中，前端緣32之高度成為最高。
作為一般的傾向，在這樣的蒸鍍遮罩20中，尤其是由圖8可以進一步理解，第2凹部35之壁面36之前端緣32之高度，係隨著自成為對象的前端緣32之位置至被該第2凹部35所劃定的貫穿孔25之中之俯視狀態下貫穿金屬板21的區域(本例中為貫穿部42)之中心為止的俯視狀態下的距離k(參照圖6)變短而變低。因此，可以有效增大壁面36相對於蒸鍍遮罩20之法線方向所成的上述角度θ。據此，可以更有效地改善蒸鍍材料98之利用效率而且可以高精度且穩定地實施所期望的圖案的蒸鍍。
另外，圖示的例中，基於後述的製造方法，致使蒸鍍遮罩20之沿法線方向的斷面中的二個第2凹部35之壁面36之前端緣32所合流的部分43之外輪廓(成形斷面中的合流部分43之外形的線)成為去角的形狀。如上述說明，通常經由蝕刻形成的凹部之壁面，係成為向蝕刻的主要進行方向凸出的曲面狀。因此，若單純將蝕刻所形成的二個第2凹部35局部性重合時，如圖7～圖9之虛線所示，合流部分43朝向蝕刻之開始側亦即蒸鍍遮罩20之沿法線方向的另一側而成為尖銳的形狀。相對於此，圖示的蒸鍍遮罩20中，合流部分43中的尖銳的部分成為被去角的形狀。由圖7～圖9可以理解，藉由該去角可以有效增大壁面36相對於蒸鍍遮罩20之法線方向所成的上述角度θ。據此，可以更有效地改善蒸鍍材料98之利用效率而且可以高精度且穩定地實施所期望的圖案的蒸鍍。
接著，參照圖10～圖12對蒸鍍遮罩20的長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度之評價方法進行說明。圖示的例中，作為與長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度對應的尺寸，係使用長邊方向dL 之中央部近旁中的，在蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 上分離的2個基準點45間之沿寬度方向dW 的距離，對長邊方向dL 之中央部中的蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度進行評價。
圖10所示的例中，在蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部中的周圍區域23配置有總間距標記47，以該總間距標記47之中在寬度方向dW 分離的2個總間距標記47作為基準點45，對該2個總間距標記47間之沿寬度方向dW 的距離進行測定。總間距標記係指為了對蒸鍍遮罩20內之複數個貫穿孔25間之位置精度等進行評價而設置的標記，通常設於有效區域22之外側亦即周圍區域23。圖示的例中，與有效區域22對應的總間距標記47，係設於該有效區域22所包含的複數個貫穿孔25之中位於該有效區域22之四角的各貫穿孔25之寬度方向dW 之外側之周圍區域23內。因此，圖示的例中，對應於一個有效區域22設置有四個總間距標記47。
於此，將配置於有效區域22之寬度方向dW 之一側的1個以上之總間距標記47之中，與長邊方向dL 之中央部最近的總間距標記47設為第1總間距標記47a，將配置於有效區域22之寬度方向dW 之另一側的1個以上之總間距標記47之中，相對於第1總間距標記47a位於寬度方向dW 之另一側的總間距標記47、亦即和第1總間距標記47a對應的總間距標記47設為第2總間距標記47b。圖10所示的例中，將第1總間距標記47a設為2個基準點45之中之一方之基準點45，將第2總間距標記47b設為2個基準點45之中之另一方之基準點45。
沿著蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 配置奇數個有效區域22之情況下，如圖10所示，在長邊方向dL 之中央部上配置一個有效區域22。該情況下，將與位於長邊方向dL 之中央的有效區域22對應的複數個總間距標記47之中，配置於該有效區域22之寬度方向dW 之一側的1個以上之總間距標記47之中，與長邊方向dL 之中央部最近的第1總間距標記47a設為2個基準點45之中之一方之基準點45，將與第1總間距標記47a對應的第2總間距標記47b設為2個基準點45之中之另一方之基準點45。
如圖11所示，將蒸鍍遮罩20以第1面20a朝向上方的方式載置於載置台51之上面。載置台51之上面形成為水平的平坦面52。圖11及圖12表示蒸鍍遮罩20之與圖10之XI-XI線對應的斷面。圖11所示的例中，蒸鍍遮罩20於其斷面中以朝向第1面20a側成為凸狀的方式彎曲，據此，圖示的例中，蒸鍍遮罩20以第2面20b中的寬度方向dw 之兩端緣29接觸平坦面52，第2面20b中的寬度方向dW 之中央部27則不接觸平坦面52。因此，圖示的例中，在蒸鍍遮罩20之第2面20b與平坦面52之間，除了第2面20b中的寬度方向dw 之兩端緣29之部位以外形成有隙間G。將此時的在蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 分離的總間距標記47a、47b(基準點45)間之沿寬度方向dW 的距離設為D1(mm)。對距離D1進行測定的方法無特別限定，例如可以使用SINTO S-PRECISION，LTD.製自動2維座標測定機AMIC1710D從上方以光學式進行測定。
又，如圖12所示，將蒸鍍遮罩20以第1面20a朝向上方的方式載置於水平的平坦面52上，對蒸鍍遮罩20從上方施加荷重使蒸鍍遮罩20平坦化。圖示的例中，使透明的玻璃板54載置於平坦面52上所載置的蒸鍍遮罩20之上，從上方對玻璃板54施加荷重，據此使蒸鍍遮罩20之彎曲伸展而平坦化。將此時的在蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 分離的總間距標記47a、47b(基準點45)間之沿寬度方向dW 的距離設為D2(mm)。距離D2可以使用和距離D1同樣的方法進行測定。可以透過玻璃板54以光學式測定。
藉由距離D2與距離D1之差(D2-D1)之值可以對蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部之，與長邊方向dL 正交的斷面中的蒸鍍遮罩20之彎曲之程度進行評價。如參照圖3～圖5之上述說明，蒸鍍遮罩20至少在長邊方向dL 之中央部之與長邊方向dL 正交的斷面中，係以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲，由此而使得蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部中的沿寬度方向dW 的寬度，小於未彎曲狀態亦即平坦化狀態之蒸鍍遮罩20之寬度。因此，可以評價為(D2-D1)之值越小蒸鍍遮罩20之彎曲之程度越小，(D2-D1)之值越大蒸鍍遮罩20之彎曲之程度越大。
(D2-D1)之值以大於0mm且小於0.05mm的值為較佳。(D2-D1)之值為大於0mm之值時，如參照圖23～圖25如後述說明般，蒸鍍遮罩20之第1面20a，可以由蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27(稜線28)朝向寬度方向dW 之端緣29依序密接於蒸鍍基板。據此，可以有效地抑制蒸鍍遮罩20與被蒸鍍基板密接時產生於蒸鍍遮罩20的皺褶。又，若(D2-D1)之值小於0.05mm的值時，可以提升基於磁鐵93之磁力對蒸鍍遮罩20之於被蒸鍍基板的密接性。
又，即使彎曲之程度相同，若蒸鍍遮罩20之尺寸，尤其是蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度不同的話，(D2-D1)之值亦不同。例如即使彎曲之程度相同，蒸鍍遮罩20之寬度越大的話，(D2-D1)之值變大。於此，本發明人對蒸鍍遮罩20之彎曲之程度與(D2-D1)之值之關係進行深入檢討獲得以下知見。如本實施形態般，將蒸鍍遮罩20以第1面20a朝向上方的方式載置於水平的平坦面52上時，蒸鍍遮罩20之尺寸越大的話，尤其是蒸鍍遮罩20之沿寬度方向dW 的寬度越大的話，自身的重量使得蒸鍍遮罩20之彎曲變小。因此，(D2-D1)之值和載置於平坦面52上之前比較變小。結果，彎曲之程度相同之情況下，和蒸鍍遮罩20之尺寸無關而可以獲得同程度之值的(D2-D1)之值。據此而發現藉由測定距離D1及距離D2算出(D2-D1)之值的簡便方法，可以在具有某種程度之精度下針對蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部的與長邊方向dL 正交的斷面中的蒸鍍遮罩20之彎曲之程度進行評價。
作為蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 之中央部的與長邊方向dL 正交的斷面中的蒸鍍遮罩20之彎曲之測定方法，例如可以考慮將蒸鍍遮罩20在長邊方向dL 之中央部中沿著與長邊方向dL 正交的面進行切斷，對切斷面直接進行測定的方法，或使用3維測定裝置，對該3維測定裝置與蒸鍍遮罩20之第1面20a之距離，沿著蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 進行測定的方法等。但是，對切斷面直接進行測定的方法中，對薄板化的蒸鍍遮罩20在無變形之情況下亦即不變化其彎曲量之情況下進行切斷會有困難。另外，使用3維測定裝置方法中，無需切斷蒸鍍遮罩20，但需要3維測定裝置，對蒸鍍遮罩20之彎曲進行測定的測定裝置整體變為複雜化及大型化，成本亦增大。相對於此，如本實施形態般，對長邊方向dL 之中央部中，在蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 分離的2個基準點45間之沿寬度方向dW 的距離D1、D2進行測定，依據(D2-D1)之值進行評價的評價方法中，無需切斷蒸鍍遮罩20，而且可以使用簡便的測定裝置對蒸鍍遮罩20之彎曲之程度進行評價。因此，依據本實施形態之蒸鍍遮罩20之彎曲之評價方法，對於蒸鍍遮罩20之彎曲之評價精度或評價速度之提升及評價之成本之抑制大有幫助。
本實施形態中，如參照圖23～圖25之後述說明般，在將蒸鍍遮罩20密接於被蒸鍍基板(有機EL基板92)的工程中，使蒸鍍遮罩20從下方接近有機EL基板92時，首先，藉由磁鐵93之磁力使蒸鍍遮罩20之第1面20a之寬度方向dW 之中央部27(稜線28)被吸到有機EL基板92近旁，密接於有機EL基板92之下面。之後，蒸鍍遮罩20之第1面20a，從蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27向寬度方向dW 之端緣29依序密接於有機EL基板92之下面。此時，蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之兩端緣29未與有機EL基板92之下面接觸，因此不會因為與有機EL基板92之下面之間之摩擦力阻礙蒸鍍遮罩20在有機EL基板92之板面方向之移動。最後，蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之端緣29中的第1面20a與有機EL基板92之下面密接，據此，在不產生皺褶之情況下，蒸鍍遮罩20之第1面20a之整體密接於有機EL基板92之下面。
相對於此，蒸鍍遮罩在該蒸鍍遮罩之長邊方向之中央部中的與長邊方向正交的斷面中，以朝第2面側成為凸狀的方式彎曲之情況下，亦即以朝第1面側成為凹狀的方式彎曲之情況下，將蒸鍍遮罩密接於被蒸鍍基板的工程中，使蒸鍍遮罩從下方接近有機EL基板時，首先，蒸鍍遮罩之第1面之寬度方向之端緣被磁鐵之磁力吸到有機EL基板近旁，密接於有機EL基板之下面。接著，藉由磁鐵之磁力，與蒸鍍遮罩之寬度方向之端緣鄰接的寬度方向之中央部側之部分被吸到有機EL基板近旁，與有機EL基板之下面接觸。接著，蒸鍍遮罩之第1面從蒸鍍遮罩之寬度方向之端緣起向寬度方向之中央部依序密接於有機EL基板之下面。此時，蒸鍍遮罩之寬度方向之兩端緣已經接觸有機EL基板之下面，與有機EL基板之下面之間之摩擦力阻礙了蒸鍍遮罩在有機EL基板之板面方向之移動。因此，蒸鍍遮罩沿著長邊方向拉伸所產生的該蒸鍍遮罩之微小的起伏殘存於該蒸鍍遮罩之尤其是寬度方向之中央部近旁，導致在該蒸鍍遮罩產生皺褶。
因此，即使(D2-D1)之值為大於0mm且小於0.05mm的值，若蒸鍍遮罩在該蒸鍍遮罩之長邊方向之中央部中的與長邊方向正交的斷面中，以朝向第1面側成為凹狀的方式彎曲之情況下，亦無法如本實施形態般獲得將蒸鍍遮罩20密接於被蒸鍍基板的工程中在蒸鍍遮罩20不產生皺褶的效果。又，蒸鍍遮罩以朝向第1面側成為凸狀或成為凹狀之判定時，未必一定要進行立體觀察，例如於平面觀察中依2維座標測定機之示波器或顯微鏡觀察時的焦點位置，可以判定蒸鍍遮罩之上面呈凸狀之變化或凹狀之變化。
參照圖13～圖15對蒸鍍遮罩20之2個基準點45之獲取方法之另一例進行說明。
沿著蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 配置偶數個有效區域22之情況下，如圖13所示，夾持長邊方向dL 之中央部而沿著長邊方向dL 配置有二個有效區域22。該情況下，相對於長邊方向dL 之中央部位於長邊方向dL 之一側的有效區域22a所對應的複數個總間距標記47及位於另一方側的有效區域22b所對應的複數個總間距標記47之中，將配置於該有效區域22a、22b之寬度方向dW 之一側的複數個總間距標記47之中，與長邊方向dL 之中央部最近的總間距標記47設為第1總間距標記47a。接著，以該第1總間距標記47a作為2個基準點45之中之一方之基準點45，將與第1總間距標記47a對應的第2總間距標記47b設為2個基準點45之中之另一方之基準點45。
又，亦可以將包含於有效區域22的複數個貫穿孔25之中之規定的貫穿孔25作為2個基準點45使用。該情況下，將與蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之一側之端緣29最近接的1個以上之貫穿孔25之中，最接近長邊方向dL 之中央部的貫穿孔25設為第1貫穿孔25a，將與蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之另一側之端緣29最近接的1個以上之貫穿孔25之中，與第1貫穿孔25a之間的沿著長邊方向dL 的分離距離為最小的貫穿孔25設為第2貫穿孔25b。將第1貫穿孔25a設為2個基準點45之中之一方之基準點45，將第2貫穿孔25b設為2個基準點45之中之另一方之基準點45。
沿著蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 配置奇數個有效區域22之情況下，如圖14所示，可以將位於長邊方向dL 之中央的有效區域22所包含的複數個貫穿孔25的，與蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之一側之端緣29最近接的1個以上之貫穿孔25之中，最接近長邊方向dL 之中央部的貫穿孔25設為第1貫穿孔25a，將該有效區域22所包含的複數個貫穿孔25的，與蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之另一側之端緣29最近接的1個以上之貫穿孔25之中，與第1貫穿孔25a之間之沿著長邊方向dL 的分離距離為最小的貫穿孔25設為第2貫穿孔25b。
又，蒸鍍遮罩20僅具有1個有效區域22之情況下，亦即單版之情況下，於圖10及圖14中可以考慮為僅具有沿著長邊方向dL 的中央之有效區域22者。
又，沿著蒸鍍遮罩20之長邊方向dL 配置偶數個有效區域22之情況下，如圖15所示，可以將相對於長邊方向dL 之中央部位於長邊方向dL 之一側的有效區域22a所包含的複數個貫穿孔25及位於另一側的有效區域22b所包含的複數個貫穿孔25的，與蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之一側之端緣29最近接的複數個貫穿孔25之中，最接近長邊方向dL 之中央部的貫穿孔25設為第1貫穿孔25a，將與另一側之端緣29最近接的1個以上之貫穿孔25之中，與第1貫穿孔25a之間之沿長邊方向dL 的分離距離為最小的貫穿孔25設為第2貫穿孔25b。
又，圖13～圖15所示的例中，2個基準點45間之沿寬度方向dW 的距離D1、D2之測定，可以藉由和參照圖10～圖12說明的距離D1、D2之測定方法同樣的方法進行。
接著，參照圖16～圖22對這樣的蒸鍍遮罩20之製造方法之一例進行說明。
本實施形態中，藉由以下工程製造由金屬板21形成的蒸鍍遮罩20：供給具有第1面64a及第2面64b且以帶狀延伸的長尺狀之金屬板64的工程；對金屬板64實施藉由使用光微影成像技術的蝕刻，在金屬板64上從第1面64a之側形成第1凹部30的工程；對形成的第1凹部30進行密封的工程；對金屬板64實施藉由使用光微影成像技術的蝕刻，在金屬板64上從第2面64b之側形成第2凹部35的工程；及將金屬板64裁斷為片狀而獲得片狀之金屬板21的工程。於此，形成於金屬板64的第1凹部30與第2凹部35相互連通，由此而在金屬板64形成貫穿孔25。以下說明各工程之詳細。
圖16表示製作蒸鍍遮罩20之製造裝置60。如圖所示，首先，準備在鐵心61卷繞有長尺狀之金屬板64的卷繞體62。卷繞體62中，長尺狀之金屬板64以沿著其長邊方向的前端側成為外側，隨著往沿著其長邊方向的後端側而接近鐵心61的方式被卷繞於鐵心61。藉由該鐵心61之旋轉將卷繞體62卷出，據此而供給帶狀延伸的金屬板64。又，該金屬板64於之後之工程被切斷成為片狀之金屬板21，進而構成蒸鍍遮罩20。金屬板64之材料，例如可以使用鎳及鈷之含有量合計為30質量%以上而且54質量%以下，而且鈷之含有量為0質量%以上而且6質量%以下的鐵合金等。作為包含鎳或鎳及鈷的鐵合金之具體例，可以舉出包含34質量%以上而且38質量%以下之鎳的殷鋼材，除了30質量%以上而且34質量%以下之鎳以外還包含鈷的超殷鋼材等。該金屬板64係對金屬材料進行軋製加工而製造。又，軋製加工後之退火工程中將金屬板64在規定之溫度下保持規定時間，據此減低金屬板64內殘留的應力。本實施形態中，在該退火工程中，藉由調整金屬板64之保持溫度及/或保持時間，使金屬板64內殘留的應力僅殘留所要量。又，作為金屬板64之厚度之一例可以設為10μm以上40μm以下。供給的金屬板64係藉由搬送輥72搬送至處理裝置70。藉由處理裝置70實施圖17～圖22所示的各處理。
首先，如圖17所示，於金屬板64之第1面64a上形成第1阻劑圖案65a，而且於金屬板64之第2面64b上形成第2阻劑圖案65b。作為一具體例，如以下般形成負型之阻劑圖案。首先，在金屬板64之第1面64a上(圖17之紙面中的下側之表面上)及第2面64b上塗布感光性阻劑材料，於金屬板64上形成阻劑膜。接著，準備在阻劑膜之中之欲除去的區域不透過光而成的玻璃乾板，將玻璃乾板配置於阻劑膜上。之後，通過玻璃乾板對阻劑膜進行曝光，進一步對阻劑膜進行顯像。藉由以上可以於金屬板64之第1面64a上形成第1阻劑圖案65a，於金屬板64之第2面64b上形成第2阻劑圖案65b。
接著，如圖18所示，以形成於金屬板64上的第1阻劑圖案65a作為遮罩，使用蝕刻液(例如氯化鐵溶液)，從金屬板64之第1面64a側進行蝕刻(第1次之蝕刻)。例如蝕刻液係由配置於與被搬送的金屬板64之第1面64a面對之一側的噴嘴，越過第1阻劑圖案65a而噴射向金屬板64之第1面64a。其結果，如圖18所示，在金屬板64之中之未被第1阻劑圖案65a覆蓋的區域進展基於蝕刻液之侵蝕。如此而從第1面64a之側在金屬板64上形成具有壁面31的複數個第1凹部30。
之後，如圖19所示，藉由對蝕刻液具有抗性的樹脂68覆蓋所形成的第1凹部30。亦即藉由對蝕刻液具有抗性的樹脂68密封第1凹部30。如圖19所示例中，樹脂68之膜不僅覆蓋所形成的第1凹部30，亦覆蓋第1面64a(第1阻劑圖案65a)而形成。
接著，如圖20所示，對金屬板64進行第2次之蝕刻。第2次之蝕刻中，金屬板64僅從第2面64b之側進行蝕刻，從第2面64b之側進行第2凹部35之形成。金屬板64之第1面64a之側被對蝕刻液具有抗性的樹脂68覆蓋，因此經由第1次之蝕刻形成有所要之形狀的第1凹部30之形狀未受損。
蝕刻之侵蝕係在金屬板64之中之與蝕刻液接觸的部分進行。因此，侵蝕並非僅在金屬板64之法線方向(厚度方向)進展，亦在沿著金屬板64之板面的方向進展。其結果，如圖21所示，蝕刻沿著金屬板64之法線方向進展不僅使第2凹部35與第1凹部30連接，在第2阻劑圖案65b之相鄰的二個孔66b對面的位置所分別形成的二個第2凹部35，亦在位於二個孔66b之間的橋接部67b之背側合流。
如圖22所示，當來自金屬板64之第2面64b之側之蝕刻進一步進展時，相鄰的二個第2凹部35合流而成的合流部分43從第2阻劑圖案65b(橋接部67b)分離，於該合流部分43中，蝕刻之侵蝕亦沿著金屬板64之法線方向(厚度方向)進展。據此，向沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的一側尖銳的合流部分43被從沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的一側進行蝕刻，而如圖示般被去角。據此，可以增大第2凹部35之壁面36相對於蒸鍍遮罩20之法線方向所成的傾斜角度θ(圖7)。如此般，藉由蝕刻對金屬板64之第2面64b之侵蝕係在構成金屬板64之有效區域22的全區域內進展。
如以上說明，從金屬板64之第2面64b之側之蝕刻在事先設定的量之範圍內進展著，結束對金屬板64的第2次之蝕刻。此時，第2凹部35沿著金屬板64之厚度方向延伸至到達第1凹部30的位置，據此，藉由相互連通在一起的第2凹部35與第1凹部30而在金屬板64形成貫穿孔25。
之後，由金屬板64除去樹脂68。樹脂68例如可以使用鹼系剝離液除去。之後，除去阻劑圖案65a、65b。又，亦可以和樹脂68同時除去阻劑圖案65a、65b。
如此般形成有複數個貫穿孔25的金屬板64，如圖16所示，藉由夾持該金屬板64的狀態下旋轉的搬送輥72、72被搬送至切斷裝置73。又，圖示的例中，藉由該搬送輥72、72之旋轉透過作用在金屬板64上的張力(拉伸應力)使上述鐵心61旋轉，而從卷繞體62供給金屬板64。
之後，藉由切斷裝置73將形成有複數個貫穿孔25的金屬板64切斷為規定之長度及寬度，而從金屬板64獲得如圖6～圖9所示形成有複數個貫穿孔25的片狀之金屬板21。此時，金屬板64之第1面64a構成金屬板21之第1面21a，金屬板64之第2面64b構成金屬板21之第2面21b。此時，基於從金屬板64之第1面64a側之蝕刻量與從第2面64b側之蝕刻量之差，在金屬板64之板厚方向產生殘留金屬量較多的部位(第1面64a側)與較少的部位(第2面64b側)，據此，而在金屬板64之第1面64a側與第2面64b側之間產生殘留應力量之差。因此，在由切斷該金屬板64而製作的金屬板21所形成的蒸鍍遮罩20，至少在長邊方向dL 之中央部中的與長邊方向dL 正交的斷面中，產生以朝向第1面20a側成為凸狀的方式彎曲。
接著，參照圖23～圖25對使用蒸鍍遮罩20的蒸鍍方法進行說明。圖23～圖25之蒸鍍遮罩20表示長邊方向dL 之中央部的與長邊方向dL 正交的斷面。本實施形態之蒸鍍方法具有：將蒸鍍遮罩20以其第1面20a面對被蒸鍍基板的方式密接於被蒸鍍基板的密接工程；及透過蒸鍍遮罩20之各貫穿孔25將蒸鍍材料98蒸鍍於被蒸鍍基板的蒸鍍工程。
密接工程中，係以面對作為被蒸鍍基板之一例之有機EL基板92之上面的方式配置磁鐵93。之後，以面對有機EL基板92之下面的方式，使蒸鍍遮罩20從有機EL基板92之下方接近有機EL基板92。尤其是，以使構成蒸鍍遮罩20之與長邊方向dL 正交的斷面中彎曲的凸側之面的第1面20a面對有機EL基板92之下面的方式，使蒸鍍遮罩20接近有機EL基板92。該情況下，如圖23所示，首先，蒸鍍遮罩20之第1面20a之寬度方向dW 之中央部27被磁鐵93之磁力吸到有機EL基板92之近旁，密接於有機EL基板92之下面。在本實施形態之蒸鍍遮罩20之第1面20a中的一對耳部區域24所夾持的區域中，從一方之耳部區域24側之端部遍及另一方之耳部區域24側之端部，在蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27上形成有沿著長邊方向dL 延伸的稜線28。因此，圖示的例中，首先，蒸鍍遮罩20之第1面20a之稜線28密接於有機EL基板92之下面。
接著，如圖24所示，藉由磁鐵93之磁力，使與蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27(稜線28)在寬度方向dW 鄰接的部分被吸到有機EL基板92之近旁，與有機EL基板92之下面接觸。接著，蒸鍍遮罩20之第1面20a從蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27(稜線28)向寬度方向dW 之端緣29依序與有機EL基板92之下面密接。此時，蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之兩端緣29未接觸有機EL基板92之下面，亦即成為自由端，因此不會因為與有機EL基板92之下面之間之摩擦力而致阻礙蒸鍍遮罩20之沿著有機EL基板92之板面方向之移動之情況。
之後，蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之端緣29中的第1面20a密接於有機EL基板92之下面，據此，在不產生皺褶之之情況下，蒸鍍遮罩20之第1面20a之整體密接於有機EL基板92之下面。
密接工程後，在蒸鍍遮罩20密接於有機EL基板92之下面之狀態下，透過蒸鍍遮罩20之各貫穿孔25使蒸鍍材料98蒸鍍於有機EL基板92。
本實施形態之蒸鍍遮罩20具備構成面對被蒸鍍基板之一側之面的第1面20a，及構成第1面20a之相反之一側之面的第2面20b，具有形成有複數個貫穿孔25的有效區域22，具有長邊方向dL ，而且沿著長邊方向dL 配列1個以上之有效區域22，至少在長邊方向dL 之中央部中的與長邊方向dL 正交的斷面中以朝第1面20a側成為凸狀的方式彎曲。
又，本實施形態之蒸鍍方法具有，使蒸鍍遮罩20以第1面20a面對被蒸鍍基板的方式密接於被蒸鍍基板的密接工程；及透過蒸鍍遮罩20之各貫穿孔25將蒸鍍材料98蒸鍍於被蒸鍍基板的蒸鍍工程；於密接工程中，在蒸鍍遮罩20之至少沿著長邊方向dL 的中央部中，首先使蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27密接於被蒸鍍基板，之後，朝蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之端緣29依序密接於被蒸鍍基板。
依據這樣的蒸鍍遮罩20及蒸鍍方法，將蒸鍍遮罩20密接於被蒸鍍基板時，首先，使蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之中央部27(稜線28)密接於被蒸鍍基板，之後，可以使蒸鍍遮罩20順著往寬度方向dW 之端緣29密接於被蒸鍍基板。該過程中，蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之兩端緣29未接觸被蒸鍍基板，亦即成為自由端，因此不會因為與被蒸鍍基板之間之摩擦力而阻礙蒸鍍遮罩20在被蒸鍍基板之板面方向之移動。因此，可以有效抑制在蒸鍍遮罩20產生皺褶，而且可以使蒸鍍遮罩20密接於被蒸鍍基板。
又，本實施形態之蒸鍍遮罩20具有包圍有效區域22的周圍區域23，將在周圍區域23中的有效區域22之寬度方向dW 之一側所配置的1個以上之總間距標記47之中，與長邊方向dL 之中央部最接近的總間距標記47設為第1總間距標記47a，將在周圍區域23中的有效區域22之寬度方向dW 之另一側所配置的1個以上之總間距標記47之中，與第1總間距標記47a對應的總間距標記47設為第2總間距標記47b，將蒸鍍遮罩20以第1面20a朝向上方的方式載置於水平的平坦面52上，將第1總間距標記47a與第2總間距標記47b之間之沿寬度方向dW 的距離設為D1(mm)，將蒸鍍遮罩20以第1面20a朝向上方的方式載置於水平的平坦面52上，將從上方對蒸鍍遮罩20施加荷重使蒸鍍遮罩20平坦化時的第1總間距標記47a與第2總間距標記47b之間之沿寬度方向dW 的距離設為D2(mm)時，距離D2與距離D1之差(D2-D1)之值大於0mm且小於0.05mm。
另外，本實施形態之蒸鍍遮罩20，將與蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之一側之端緣29最近接的1個以上之貫穿孔25之中，與長邊方向dL 之中央部最近的貫穿孔25設為第1貫穿孔25a，將與蒸鍍遮罩20之寬度方向dW 之另一側之端緣29最近接的1個以上之貫穿孔25之中，與第1貫穿孔25a之間之沿長邊方向dL 的分離距離為最小的貫穿孔25設為第2貫穿孔25b，將蒸鍍遮罩20以第1面20a朝向上方的方式載置於水平的平坦面52上，將第1貫穿孔25a與第2貫穿孔25b之間之沿寬度方向dW 的距離設為D1(mm)，將蒸鍍遮罩20以第1面20a朝向上方的方式載置於水平的平坦面52上，從上方對蒸鍍遮罩20施加荷重使蒸鍍遮罩20平坦化時的，第1貫穿孔25a與第2貫穿孔25b之間之沿寬度方向dW 的距離設為D2(mm)時，距離D2與距離D1之差(D2-D1)之值大於0mm且小於0.05mm。
依據這樣的蒸鍍遮罩20，無需切斷蒸鍍遮罩20，而且，可以使用簡便的測定裝置對蒸鍍遮罩20之彎曲之程度進行評價。據此，可以有效地提升蒸鍍遮罩20之彎曲之評價精度及評價速度。又，可以有效抑制蒸鍍遮罩20之彎曲之評價成本。
又，可以對上述實施形態添加各樣的變更。又，可以明瞭上述實施形態中可以獲得的作用效果在變形例中亦能夠獲得，因此省略其說明。
上述實施形態中示出第1凹部30與第2凹部35連通形成貫穿孔25者，但貫穿孔25之形狀及形成方法不限定於上述者。例如貫穿孔25分別僅由1個凹部，例如僅由第1凹部30或第2凹部35形成亦可。
作為其他變形例，上述實施形態中示出蒸鍍遮罩20由對金屬板64進行蝕刻而形成有貫穿孔25的金屬板21所形成者，但不限定於此。例如蒸鍍遮罩20亦可以使用藉由鍍敷製作的蒸鍍遮罩20。藉由鍍敷製作蒸鍍遮罩20之情況下，作為一例如特開2016-148112號公報所揭示，在應形成貫穿孔25以外之區域藉由鍍敷沈積金屬層，由沈積的金屬層構成蒸鍍遮罩20亦可。
藉由鍍敷沈積金屬層之情況下，於沈積的金屬層(鍍敷層)內殘留有應力。因此，在鍍敷的金屬層之沈積後進行對該金屬層形成的蒸鍍遮罩20之退火工程，藉由調整該退火工程中的蒸鍍遮罩20之保持溫度及/或保持時間，使蒸鍍遮罩20內殘留的應力僅殘留為所要量。據此而在蒸鍍遮罩20之第1面20a側與第2面20b側之間之殘留應力量產生差。藉由以上，對蒸鍍遮罩20，至少在長邊方向dL 之中央部中的與長邊方向dL 正交的斷面中，可以賦予朝第1面20a側成為凸狀的方式的彎曲。 [實施例]
以下，使用實施例更進一步詳細說明本發明，但該實施例僅為一實驗結果，不應解釋為本發明限定於該實驗結果。
實際製作以下說明的複數個蒸鍍遮罩，對使用各蒸鍍遮罩將蒸鍍材料蒸鍍於被蒸鍍基板時之蒸鍍品質進行確認。
對藉由KOBELCO製12段軋製機軋製而成的由36%鎳-鐵合金形成的厚度20μm之金屬板在規定之溫度及時間內進行退火之後，藉由蝕刻在該金屬板形成第1凹部及第2凹部，切斷該金屬板而製作具有由第1凹部及第2凹部形成的貫穿孔的長度1200mm、寬度65mm之蒸鍍遮罩。於蒸鍍遮罩沿著長邊方向設置七個有效區域。各有效區域之尺寸係將沿著蒸鍍遮罩之長邊方向的長度設為132mm，沿著蒸鍍遮罩之寬度方向的寬度設為64mm。於各有效區域，在沿著蒸鍍遮罩之長邊方向配置有2560個貫穿孔，在沿著寬度方向配置有1440個貫穿孔。貫穿孔之形狀為，在貫穿部中沿著蒸鍍遮罩之長邊方向的尺寸為30μm，沿著寬度方向的尺寸為30μm之圓形。
[實施例1] 製作的蒸鍍遮罩都是在長邊方向之中央部中的與長邊方向正交的斷面中，以使構成面對被蒸鍍基板之一側之面的第1面側成為凸狀的方式彎曲。對各蒸鍍遮罩測定D1 (mm)及D2(mm)。具體而言，對各蒸鍍遮罩，使該蒸鍍遮罩以第1面朝向上方的方式載置於水平的平坦面上，對與長邊方向之中心最接近的第1總間距標記與第2總間距標記之間之沿寬度方向的距離進行測定，獲得D1(mm)之值。又，將該蒸鍍遮罩以第1面朝向上方的方式載置於水平的平坦面上，從上方將玻璃基板配置於該蒸鍍遮罩上，針對從該玻璃基板上對蒸鍍遮罩施加荷重使蒸鍍遮罩平坦化時的第1總間距標記與第2總間距標記之間之沿寬度方向的距離進行測定，獲得D2(mm)之值。D1及D2之值可以使用SINTO S-PRECISION，LTD.製自動2維座標測定機AMIC1710D從上方以光學式進行測定而獲得。具體而言，D1及D2之值，係計算第1總間距標記、第2總間距標記之個別之中心之座標之後，算出該中心彼此之間之沿寬度方向的距離而得。之後，對各蒸鍍遮罩算出D2與D1之差(D2-D1)(mm)之值。
[實施例2] 針對各蒸鍍遮罩，將與蒸鍍遮罩之寬度方向之一側之端緣最近接的複數個貫穿孔之中，與長邊方向之中心最接近的貫穿孔設為第1貫穿孔，將與蒸鍍遮罩之寬度方向之另一側之端緣最近接的複數個貫穿孔之中，與第1貫穿孔之間之沿長邊方向的分離距離為最小的貫穿孔設為第2貫穿孔。使該蒸鍍遮罩以第1面朝向上方的方式載置於水平的平坦面上，對第1貫穿孔與第2貫穿孔之間之沿寬度方向的距離進行測定，獲得D1(mm)之值。又，將該蒸鍍遮罩以第1面朝向上方的方式載置於水平的平坦面上，從上方將玻璃基板載置於該蒸鍍遮罩上，對從該玻璃基板上對蒸鍍遮罩施加荷重使蒸鍍遮罩平坦化時的第1貫穿孔與第2貫穿孔之間之沿寬度方向的距離進行測定，獲得D2(mm)之值。除代替第1總間距標記及第2總間距標記改利用第1貫穿孔及第2貫穿孔來獲得D1及D2之值以外，均和實施例1同樣地進行。又，D1及D2之值，係計算第1貫穿孔、第2貫穿孔之各別之中心之座標，算出該中心彼此之間之沿寬度方向的距離而獲得。
製作的各蒸鍍遮罩，其耳部區域藉由熔接被固定於框架，據此而製作由蒸鍍遮罩及框架構成的蒸鍍遮罩裝置。
在俯視狀態下尺寸為900mm×1500mm且厚度為0.5mm之無鹼玻璃所形成的被蒸鍍基板的配置有蒸鍍遮罩之側之相反之一側之表面上，使俯視狀態下尺寸為900mm×1500mm的永久磁鐵及可以對該永久磁鐵之磁力進行增減控制的可以調節極性方向的電磁鐵，以與被蒸鍍基板密接的方式進行配置。使蒸鍍遮罩裝置之蒸鍍遮罩之第1面密接於該被蒸鍍基板之配置有磁鐵的側之相反之一側之面。之後，透過形成於各蒸鍍遮罩的貫穿孔，將由有機發光材料形成的蒸鍍材料蒸鍍於被蒸鍍基板。將蒸鍍遮罩由被蒸鍍基板除去之後，對蒸鍍材料於被蒸鍍基板之蒸鍍品質進行評價。蒸鍍材料之蒸鍍品質係藉由二維座標尺寸測定器進行評價。但是，如後述般針對製造後已經產生有皺褶的蒸鍍遮罩，不使用該蒸鍍遮罩進行蒸鍍材料對被蒸鍍基板之蒸鍍，亦不進行蒸鍍品質之評價。
於表1及表2，針對製作的蒸鍍遮罩之中，在長邊方向之中央部中的與長邊方向正交的斷面中第1面側成為凸狀的方式彎曲的蒸鍍遮罩，彙整表示本實施例的退火條件(退火溫度及退火時間)、經由各退火條件之退火製作的蒸鍍遮罩之(D2-D1)(mm)之值、及使用各蒸鍍遮罩之情況下之蒸鍍品質。蒸鍍品質之欄中，「○」表示各像素中的蒸鍍材料之尺寸精度及位置精度可以作為製品使用的等級者，「◎」表示各像素中的蒸鍍材料具有更高的尺寸精度及位置精度者，「-」表示製造後於蒸鍍遮罩產生皺褶且未進行蒸鍍品質之評價者。表1表示實施例1的蒸鍍品質，表2表示實施例2的蒸鍍品質。
於實施例1及實施例2，在與長邊方向正交的斷面中以第1面側成為凸狀的方式彎曲的蒸鍍遮罩中，在蒸鍍遮罩未產生皺褶，確認了可以確保各像素中的蒸鍍材料之尺寸精度及位置精度可以作為製品使用的等級之良好的蒸鍍品質。據此，使用彼等蒸鍍遮罩製造的有機EL基板中，可以確保良好的發光品質。又，(D2-D1)之值為0.015 mm以上且0.050mm以下之範圍內的蒸鍍遮罩中，各像素中的蒸鍍材料具有更高的尺寸精度及位置精度，確認了可以確保更良好的蒸鍍品質。據此，在使用彼等蒸鍍遮罩製造的有機EL基板中，可以確保更良好的發光品質。
另一方面，製作的蒸鍍遮罩之中，在長邊方向之中央部中的與長邊方向正交的斷面中，以第1面側成為凹狀的方式彎曲的蒸鍍遮罩都是由寬度方向之兩端緣較先密接於被蒸鍍基板，而在寬度方向之中央部產生了皺褶。結果，產生了各像素中的蒸鍍材料之尺寸及形狀之偏差或位置偏移。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
10:蒸鍍遮罩裝置 15:框架 20:蒸鍍遮罩 20a:蒸鍍遮罩的第1面 20b:蒸鍍遮罩的第2面 21:金屬板 21a:金屬板的第1面 21b:金屬板的第2面 22:有效區域 23:周圍區域 24:耳部區域
[圖1]圖1係說明本發明之一實施形態之圖，示出包含蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩裝置之一例的概略平面圖。 [圖2]圖2係說明使用圖1所示蒸鍍遮罩裝置對被蒸鍍基板進行蒸鍍材料之蒸鍍的方法之圖。 [圖3]圖3係圖1所示的蒸鍍遮罩的斜視圖。 [圖4]圖4係圖3之IV-IV線對應的斷面中蒸鍍遮罩的圖。 [圖5]圖5係圖3之蒸鍍遮罩的平面圖。 [圖6]圖6係圖1所示的蒸鍍遮罩的部分平面圖。 [圖7]圖7係沿著圖6之蒸鍍遮罩之VII-VII線的斷面圖。 [圖8]圖8係沿著圖6之蒸鍍遮罩之VIII-VIII線的斷面圖。 [圖9]圖9係沿著圖6之蒸鍍遮罩之IX-IX線的斷面圖。 [圖10]圖10係圖5之蒸鍍遮罩的部分平面圖，尤其是對蒸鍍遮罩之基準點之一例進行說明之圖。 [圖11]圖11係說明對圖10之2個基準點間之距離進行測定的方法之圖。 [圖12]圖12係說明對圖10之2個基準點間之距離進行測定的方法之圖。 [圖13]圖13係對蒸鍍遮罩之基準點之另一例進行說明之圖。 [圖14]圖14係對蒸鍍遮罩之基準點之再另一例進行說明之圖。 [圖15]圖15係對蒸鍍遮罩之基準點之再另一例進行說明之圖。 [圖16]圖16係對圖1所示蒸鍍遮罩之製造方法之一例整體進行說明之模式圖。 [圖17]圖17係對蒸鍍遮罩之製造方法之一例進行說明之圖。 [圖18]圖18係對蒸鍍遮罩之製造方法之一例進行說明之圖。 [圖19]圖19係對蒸鍍遮罩之製造方法之一例進行說明之圖。 [圖20]圖20係對蒸鍍遮罩之製造方法之一例進行說明之圖。 [圖21]圖21係對蒸鍍遮罩之製造方法之一例進行說明之圖。 [圖22]圖22係對蒸鍍遮罩之製造方法之一例進行說明之圖。 [圖23]圖23表示蒸鍍遮罩密接於被蒸鍍基板之模式的圖。 [圖24]圖24係蒸鍍遮罩密接於被蒸鍍基板之模式的圖。 [圖25]圖25係蒸鍍遮罩密接於被蒸鍍基板之模式的圖。
10:蒸鍍遮罩裝置
15:框架
20:蒸鍍遮罩
20b:蒸鍍遮罩的第2面
21:金屬板
21b:金屬板的第2面
22:有效區域
23:周圍區域
24:耳部區域

Claims (15)

  1. 一種蒸鍍遮罩，係使用於蒸鍍材料對被蒸鍍基板之蒸鍍者，該蒸鍍遮罩具備：第1面，其構成面對上述被蒸鍍基板之一側之面；及第2面，其構成與上述第1面相反一側之面； 該蒸鍍遮罩具有：形成有複數個貫穿孔的有效區域；及夾持上述有效區域且位於上述蒸鍍遮罩之長邊方向之端部的一對端部區域； 沿著上述長邊方向配列有1個以上之上述有效區域， 上述端部區域之至少一部分具有平坦的形狀， 至少在上述長邊方向之中央部中，在與上述長邊方向正交的斷面中以使上述第1面側成為凸狀的方式彎曲。
  2. 如請求項1之蒸鍍遮罩，其中 在上述中央部彎曲最大。
  3. 如請求項2之蒸鍍遮罩，其中 與上述長邊方向正交的斷面中的彎曲的曲率，係沿著上述長邊方向隨著朝向上述中央部而變大。
  4. 如請求項1之蒸鍍遮罩，其中 上述端部區域整體具有平坦的形狀。
  5. 如請求項1之蒸鍍遮罩，其中 在上述中央部具有最小的寬度。
  6. 如請求項5之蒸鍍遮罩，其中 寬度係沿著上述長邊方向隨著朝向上述中央部而變小。
  7. 如請求項1之蒸鍍遮罩，其中 該蒸鍍遮罩係由單一金屬層構成。
  8. 如請求項1之蒸鍍遮罩，其中 該蒸鍍遮罩具有10μm以上且40μm以下的厚度。
  9. 一種蒸鍍遮罩的製造方法，該製造方法包含： 貫穿孔形成工程，係針對藉由軋製加工被製造且具有第1面及位於與上述第1面之相反側的第2面之金屬板，以從上述第1面之蝕刻量與從上述第2面之蝕刻量成為不同的方式進行蝕刻，藉此來形成貫穿孔；及 切斷工程，切斷上述金屬板而獲得具有長邊方向，且在上述長邊方向之中央部中，在與上述長邊方向正交的斷面中以使上述第1面側成為凸狀的方式彎曲的蒸鍍遮罩。
  10. 如請求項9之蒸鍍遮罩的製造方法，其中 從上述第2面之蝕刻量，係大於從上述第1面之蝕刻量。
  11. 如請求項9之蒸鍍遮罩的製造方法，其中 上述貫穿孔形成工程包含： 藉由從上述第1面之蝕刻來形成第1凹部的工程；及 藉由從上述第2面之蝕刻來形成通過上述第1凹部的第2凹部，並設置具有上述第1面和上述第2面之上述貫穿孔的工程。
  12. 如請求項11之蒸鍍遮罩的製造方法，其中 相鄰的2個上述第2凹部相互連通。
  13. 如請求項9之蒸鍍遮罩的製造方法，其中 在上述切斷工程中，藉由位於上述第1面側的第1部分的殘留應力量與相比上述第1部分位於更靠近上述第2面側的第2部分的殘留應力量之間之差，而在上述斷面中蒸鍍遮罩以上述第1面側成為凸狀的方式彎曲。
  14. 如請求項9之蒸鍍遮罩的製造方法，其中 該製造方法還具有：退火工程，係在上述貫穿孔形成工程之前，將上述金屬板在預定的溫度下保持預定的時間。
  15. 如請求項9之蒸鍍遮罩的製造方法，其中 上述金屬板具有10μm以上且40μm以下的厚度。
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