TW202134788A - 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法 - Google Patents

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Abstract

經由曝光產生酸，且經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的阻劑組成物。包含具有以下述一般式(a0-1)所表示之構成單位(a0)的高分子化合物(A1)、具有以下述一般式(f01-1)所表示之構成單位(f01)與含有以下述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基的構成單位(f02)的高分子化合物(F1)。R為氫原子等；Va01 為2價連結基；na01 為0~2的整數；Ra01 為具有氰基等的含內酯之環式基；Vf01 為2價連結基；Rf011 及Rf012 為三氟甲基等；Rf021 及Rf022 為碳數1~3的烷基；Rf023 為多環式脂肪族烴基。

Description

阻劑組成物及阻劑圖型形成方法
本發明係關於阻劑組成物及阻劑圖型形成方法。 本發明基於2019年12月11日在日本申請的特願2019-224094號，主張優先權，並將其內容引用於此。
近年半導體元件或液晶顯示元件之製造中，伴隨微影術技術的進步而圖型微細化急速進展。作為微細化的手法，一般進行曝光光源的短波長化(高能量化)。
在阻劑材料，要求對此等之曝光光源的感度、可再現微細尺寸的圖型的解像性等之微影術特性。 作為滿足如此之要求的阻劑材料，以往使用含有經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的基材成分、與經由曝光而產生酸的酸產生劑成分的化學增幅型阻劑組成物。
化學增幅型阻劑組成物中，一般為了微影術特性等之提升，使用具有複數的構成單位的樹脂。 例如，在專利文獻1，記載採用具有2種特定之構成單位的高分子化合物，使微影術特性提升之阻劑組成物等。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2018-124548號公報
[發明所欲解決之課題]
在最近，伴隨微影術技術之更進步、應用領域的擴大等，圖型微細化急速進展。接著，伴隨此，製造半導體元件等時，追求可以良好的形狀形成圖型寬的尺寸小於100nm的微細的圖型的技術。 然而，上述專利文獻1所記載般以往的阻劑組成物中，缺陷、圖型形狀及粗糙度難以全部維持良好。
本發明係有鑑於上述情況而成者，以提供缺陷、圖型形狀及粗糙度等之微影術特性優異的阻劑組成物及使用該阻劑組成物的阻劑圖型形成方法為課題。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述之課題，本發明採用以下的構成。 即，本發明之第1態樣為經由曝光產生酸，且經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的阻劑組成物，其係含有經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的基材成分(A)與氟添加劑成分(F)，前述基材成分(A)包含具有以下述一般式(a0-1)所表示之構成單位(a0)的高分子化合物(A1)，前述氟添加劑成分(F)包含具有以下述一般式(f01-1)所表示之構成單位(f01)與含有以下述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基的構成單位(f02)的高分子化合物(F1)之阻劑組成物。
Figure 02_image001
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Va01 為2價連結基。na01 為0~2的整數。Ra01 為具有自鹵素原子、羧基、醯基、硝基及氰基所構成的群選擇之至少1個取代基的含內酯之環式基。]
Figure 02_image003
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Vf01 為2價連結基。Rf011 及Rf012 各自獨立，為氫原子、氟原子、羥基、甲基、或三氟甲基。]
Figure 02_image005
[式中，Rf021 及Rf022 各自獨立，為可具有取代基的碳數1~3的烷基。Rf023 為可具有取代基的多環式脂肪族烴基。*為鍵結鍵。]
本發明之第2態樣係具有於支持體上，使用前述第1態樣之阻劑組成物，形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟、及使前述曝光後的阻劑膜顯影，形成阻劑圖型之步驟的阻劑圖型形成方法。 [發明之效果]
根據本發明，可提供缺陷、圖型形狀及粗糙度等之微影術特性優異的阻劑組成物及使用該阻劑組成物的阻劑圖型形成方法。 [實施發明之最佳形態]
本說明書及本申請專利範圍中，「脂肪族」係對於芳香族之相對的概念，定義為不具有芳香族性的基、化合物等者。 「烷基」不特別限制下，為包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀的1價飽和烴基者。烷氧基中的烷基亦同。 「伸烷基」不特別限制下，為包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀的2價飽和烴基者。 「鹵素原子」，可舉例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。 「構成單位」係指構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)的單體單位(單體單元)。 記載為「可具有取代基的」之場合，包含氫原子(-H)被1價基取代之場合、與亞甲基(-CH2 -)被2價基取代之場合兩者。 「曝光」為包含全部之放射線照射之概念。
「酸分解性基」為具有:經由酸的作用，該酸分解性基的構造中之至少一部份的鍵結可開裂的酸分解性的基。 作為經由酸的作用而極性增大的酸分解性基，例如，經由酸的作用分解而產生極性基的基。 極性基方面，例如羧基、羥基、胺基、磺基(-SO3 H)等。 酸分解性基方面，更具體上，例如前述極性基被酸解離性基保護的基(例如含OH之極性基的氫原子被酸解離性基保護的基)。
「酸解離性基」係指下述兩者:(i)具有經由酸的作用而該酸解離性基與鄰接該酸解離性基的原子間的鍵結可開裂的酸解離性之基、或、(ii)經由酸的作用一部份的鍵結開裂後，進一步藉由產生脫碳酸反應，該酸解離性基與鄰接該酸解離性基的原子間的鍵結可開裂的基。 構成酸分解性基的酸解離性基必須為比由該酸解離性基的解離所生成的極性基更低極性的基，且藉由此，在經由酸的作用該酸解離性基解離時，生成比該酸解離性基極性更高的極性基而極性增大。其結果，(A1)成分全體的極性增大。藉由極性增大，相對地，對顯影液的溶解性產生變化，顯影液為鹼顯影液時，溶解性增大，顯影液為有機系顯影液時，溶解性減少。
「基材成分」係指具有膜形成能力的有機化合物。用作為基材成分的有機化合物，大致分為非聚合物與聚合物。非聚合物方面，通常使用分子量500以上未達4000者。以下稱「低分子化合物」之場合，係指分子量500以上未達4000的非聚合物。聚合物方面，通常使用分子量1000以上者。以下稱「樹脂」、「高分子化合物」或「聚合物」之場合係指分子量1000以上之聚合物。聚合物的分子量方面，係使用GPC(膠體滲透層析法)之聚苯乙烯換算的質量平均分子量者。
「所衍生的構成單位」係指，由碳原子間的多鍵，例如乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。 「丙烯酸酯」，鍵結於α位碳原子的氫原子可被取代基取代。取代該鍵結於α位碳原子的氫原子的取代基(Rαx )為氫原子以外的原子或基。又，為亦包含取代基(Rαx )被含酯鍵的取代基取代的伊康酸二酯、或取代基(Rαx )被羥基烷基或修飾該羥基的基取代的α羥基丙烯酸基酯者。又，丙烯酸酯的α位碳原子，不特別限制下，為丙烯酸的羰基鍵結之碳原子。 以下，有將鍵結於α位碳原子的氫原子被取代基取代的丙烯酸酯稱為α取代丙烯酸酯之情形。
「衍生物」係包含對象化合物的α位氫原子取代為烷基、鹵化烷基等之其他取代基者、以及彼等之衍生物的概念。彼等之衍生物方面，例如α位氫原子可取代為取代基的對象化合物的羥基的氫原子被有機基取代者；α位氫原子可取代為取代基的對象化合物鍵結有羥基以外的取代基者等。又，α位在不特別限制下，係指與官能基相鄰的第1個碳原子。 取代羥基苯乙烯的α位氫原子的取代基方面，例如與Rαx 相同者。
本說明書及本申請專利範圍中，依化學式所表示之構造而有存在有不對稱碳，且可存在鏡像異構物(enantiomer)或非鏡像異構物(diastereomer)者。彼時，以一個化學式代表彼等異構物。彼等之異構物，可單獨使用、亦可作為混合物使用。
(阻劑組成物) 本實施形態的阻劑組成物，為經由曝光產生酸，且經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變者。 該阻劑組成物，含有經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的基材成分(A)(以下亦稱「(A)成分」與氟添加劑成分(F)(以下，亦稱「(F)成分」)。前述基材成分(A)包含具有前述一般式(a0-1)所表示之構成單位(a0)的高分子化合物(A1)。前述氟添加劑成分(F)包含具有前述一般式(f0-1)所表示之構成單位(f01)與含有前述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基的構成單位(f02)的高分子化合物(F1)。
使用本實施形態的阻劑組成物，形成阻劑膜，對該阻劑膜進行選擇性曝光，則在該阻劑膜的曝光部產生酸，經由該酸的作用(A)成分對顯影液之溶解性改變，另一方面在該阻劑膜的未曝光部，(A)成分對顯影液的溶解性未改變，故在曝光部與未曝光部之間，對顯影液的溶解性產生差異。因此，使該阻劑膜顯影，則該阻劑組成物為正型時，阻劑膜曝光部被溶解除去，形成正型的阻劑圖型，該阻劑組成物為負型時，阻劑膜未曝光部被溶解除去，形成負型的阻劑圖型。
本說明書中，將阻劑膜曝光部被溶解除去，形成正型阻劑圖型的阻劑組成物稱為正型阻劑組成物，將阻劑膜未曝光部被溶解除去，形成負型阻劑圖型的阻劑組成物稱為負型阻劑組成物。本實施形態的阻劑組成物可為正型阻劑組成物，亦可為負型阻劑組成物。又，本實施形態的阻劑組成物，可為阻劑圖型形成時的顯影處理使用鹼顯影液的鹼顯影製程用，亦可為該顯影處理使用含有有機溶劑的顯影液(有機系顯影液)的溶劑顯影製程用。
本實施形態的阻劑組成物，為具有經由曝光而產生酸的酸產生能力者，可為(A)成分曝光而產生酸，亦可為與(A)成分為不同的搭配之添加劑成分曝光而產生酸。 本實施形態的阻劑組成物，具體上(1)可為進一步含有經由曝光而產生酸的酸產生劑成分(B)(以下，稱「(B)成分」)者；(2)可為(A)成分經由曝光而產生酸的成分；(3)可為(A)成分經由曝光而產生酸的成分，且進一步含有(B)成分者。 即，上述(2)及(3)之情況，(A)成分為「經由曝光產生酸，且經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的基材成分」。為(A)成分經由曝光產生酸，且經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的基材成分之情況。後述(A1)成分以經由曝光產生酸，且經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的高分子化合物為佳。如此之高分子化合物方面，可使用具有經由曝光而產生酸的構成單位的樹脂。經由曝光而產生酸的構成單位方面，可使用已知者。其中，本實施形態的阻劑組成物，以上述(1)之情況者為佳。
＜(A)成分＞ 本實施形態的阻劑組成物中，(A)成分包含經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的高分子化合物(A1)(以下，亦稱「(A1)成分」)。藉由使用(A1)成分，在曝光前後，基材成分的極性改變，所以不僅鹼顯影製程，在溶劑顯影製程中亦能得到良好的顯影對比。 (A)成分方面，至少使用(A1)成分，亦可與該(A1)成分併用其他高分子化合物及/或低分子化合物。
適用鹼顯影製程之情況，含該(A1)成分的基材成分，曝光前對鹼顯影液為難溶性，例如藉由曝光產生酸，則經由該酸的作用而極性增大，對鹼顯影液的溶解性增大。因此，在阻劑圖型的形成中，將該阻劑組成物塗佈於支持體上，對得到的阻劑膜進行選擇性地曝光，則阻劑膜曝光部對鹼顯影液從難溶性變化為可溶性，另一方面，阻劑膜未曝光部維持鹼難溶性而無變化，故藉由進行鹼顯影，形成正型阻劑圖型。
另一方面，適用溶劑顯影製程之情況，含該(A1)成分的基材成分，曝光前對有機系顯影液溶解性高，例如藉由曝光，從(B)成分產生酸，則經由該酸的作用而極性變高，對有機系顯影液的溶解性減少。因此，在阻劑圖型的形成中，將該阻劑組成物塗佈於支持體上，對得到的阻劑膜進行選擇性地曝光，則阻劑膜曝光部對有機系顯影液，從可溶性變化為難溶性，另一方面，阻劑膜未曝光部維持可溶性而無變化，故藉由以有機系顯影液進行顯影，在曝光部與未曝光部之間，可製造對比，形成負型阻劑圖型。
本實施形態的阻劑組成物中，(A)成分可1種單獨使用，亦可2種以上併用。
･關於(A1)成分 (A1)成分為經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的樹脂成分。 (A1)成分為具有以下述一般式(a0-1)所表示之構成單位(a0)。 (A1)成分可為除構成單位(a0)之外，因應必要而具有其他構成單位者。
≪構成單位(a0)≫ 構成單位(a0)為下述一般式(a0-1)所表示之構成單位。
Figure 02_image007
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Va01 為2價連結基。na01 為0~2的整數。Ra01 為具有自鹵素原子、羧基、醯基、硝基及氰基所構成的群選擇之至少1個取代基的含內酯之環式基。]
前述式(a0-1)中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。R的碳數1~5的烷基，以碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀的烷基為佳，具體上，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5的鹵化烷基，為前述碳數1~5的烷基的氫原子的一部份或全部被鹵素原子取代的基。該鹵素原子方面，尤其以氟原子為佳。 R方面，以氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為佳，由工業上取得之難易度，以氫原子或甲基最佳。
前述式(a0-1)中，Va01 為2價連結基。前述2價連結基方面，雖不特別限制，例如可具有取代基的2價烴基、含雜原子的2價連結基等。
･可具有取代基的2價烴基: Va01 為可具有取代基的2價烴基時，該烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。
･･Va01 中之脂肪族烴基 脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基。該脂肪族烴基可為飽和，亦可為不飽和，通常以飽和為佳。 前述脂肪族烴基方面，例如直鏈狀或者分支鏈狀的脂肪族烴基、或構造中含有環的脂肪族烴基等。
･･･直鏈狀或者分支鏈狀的脂肪族烴基 該直鏈狀的脂肪族烴基，以碳數1~10為佳、碳數1~6更佳、碳數1~4再佳、碳數1~3最佳。 直鏈狀的脂肪族烴基方面，以直鏈狀的伸烷基為佳，具體上，例如亞甲基[-CH2 -]、伸乙基[-(CH2 )2 -]、三亞甲基[-(CH2 )3 -]、四亞甲基[-(CH2 )4 -]、五亞甲基[-(CH2 )5 -]等。 該分支鏈狀的脂肪族烴基，以碳數2~10為佳、碳數3~6更佳、碳數3或4再佳、碳數3最佳。 分支鏈狀的脂肪族烴基方面，以分支鏈狀的伸烷基為佳，具體上，例如-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )2 -、-C(CH3 )(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、-C(CH2 CH3 )2 -等之烷基亞甲基；-CH(CH3 )CH2 -、-CH(CH3 )CH(CH3 )-、-C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -、-C(CH2 CH3 )2 -CH2 -等之烷基伸乙基；      -CH(CH3 )CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 -等之烷基三亞甲基；      -CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基方面，以碳數1~5之直鏈狀的烷基為佳。
前述直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基，可具有或不具有取代基。該取代基方面，例如氟原子、被氟原子取代的碳數1~5的氟化烷基、羰基等。
･･･構造中含有環的脂肪族烴基 該構造中含有環的脂肪族烴基方面，例如環構造中可含有含雜原子的取代基的環狀的脂肪族烴基(從脂肪族烴環除去2個氫原子的基)、前述環狀的脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基的末端的基、前述環狀的脂肪族烴基介在於直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基的中間的基等。前述直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基方面，可舉例如與前述相同者。 環狀的脂肪族烴基，以碳數3~20為佳、碳數3~12更佳。 環狀的脂肪族烴基，可為多環式基、亦可為單環式基。單環式的脂環式烴基方面，以從單環烷烴除去2個氫原子的基為佳。該單環烷烴方面，以碳數3~6者為佳，具體上，例如環戊烷、環己烷等。多環式的脂環式烴基方面，以從聚環烷烴除去2個氫原子的基為佳，該聚環烷烴方面，以碳數7~12者為佳，具體上，例如金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。
環狀的脂肪族烴基，可具有或不具有取代基。該取代基方面，例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。 作為前述取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為佳、甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基更佳。 作為前述取代基的烷氧基方面，以碳數1~5的烷氧基為佳、甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基更佳、甲氧基、乙氧基又更佳。 作為前述取代基的鹵素原子方面，以氟原子為佳。 作為前述取代基的鹵化烷基方面，例如前述烷基的氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子取代的基。 環狀的脂肪族烴基，構成該環構造的碳原子的一部份可被含雜原子的取代基取代。該含雜原子的取代基方面，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)2 -、-S(=O)2 -O-為佳。
･･Va01 中之芳香族烴基 該芳香族烴基為至少具有1個芳香環的烴基。 該芳香環為具有4n+2個π電子的環狀共軛系，則不特別限制，可為單環式亦可為多環式。芳香環的碳數，以5~30為佳、碳數5~20更佳、碳數6~15再佳、碳數6~12特別佳。但，為該碳數中不包含取代基中之碳數者。 芳香環方面，具體上，例如苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子的一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子方面，例如氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環方面，具體上，例如吡啶環、噻吩環等。 芳香族烴基方面，具體上，例如從前述芳香族烴環或芳香族雜環除去2個氫原子的基(伸芳基或雜伸芳基)；從含2以上之芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)除去2個氫原子的基；從前述芳香族烴環或芳香族雜環除去1個氫原子的基(芳基或雜芳基)的氫原子的1個被伸烷基取代的基(例如，從苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基進一步除去1個氫原子的基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基的伸烷基的碳數，以碳數1~4為佳、碳數1~2較佳、碳數1特別佳。
前述芳香族烴基，該芳香族烴基具有的氫原子可被取代基取代。例如鍵結於該芳香族烴基中之芳香環的氫原子可被取代基取代。該取代基方面，例如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。 作為前述取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為佳、甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基更佳。 作為前述取代基的烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基方面，例如作為取代前述環狀的脂肪族烴基具有的氫原子之取代基所例示者。
･含雜原子的2價連結基: Va01 為含雜原子的2價連結基時，作為該連結基的較佳者方面，例如-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H可被烷基、醯基等之取代基取代。)、-S-、-S(=O)2 -、-S(=O)2 -O-、一般式-Y21 -O-Y22 -、-Y21 -O-、-Y21 -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21 -、-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -、-Y21 -O-C(=O)-Y22 -或-Y21 -S(=O)2 -O-Y22 -所表示之基[式中，Y21 及Y22 各自獨立為可具有取代基的2價烴基，O為氧原子，m”為0~3的整數。]等。 前述含雜原子的2價連結基為-C(=O)-NH-、-C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，該H可被烷基、醯基等之取代基取代。該取代基(烷基、醯基等)，以碳數1~10為佳、1~8再佳、1~5特別佳。 一般式-Y21 -O-Y22 -、-Y21 -O-、-Y21 -C(=O)-O-、     -C(=O)-O-Y21 -、-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -、-Y21 -O-C(=O)-Y22 -或-Y21 -S(=O)2 -O-Y22 -中，Y21 及Y22 各自獨立，為可具有取代基的2價烴基。該2價烴基方面，例如與前述可具有取代基的2價烴基相同者。 Y21 方面，例如直鏈狀的脂肪族烴基為佳、直鏈狀的伸烷基更佳、碳數1~5之直鏈狀的伸烷基再佳、亞甲基或伸乙基特別佳。 Y22 方面，例如直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基為佳、亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基更佳。該烷基亞甲基中之烷基為碳數1~5之直鏈狀的烷基為佳、碳數1~3之直鏈狀的烷基更佳、甲基最佳。 式-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -所表示之基中，m”為0~3的整數，0~2的整數為佳、0或1更佳、1特別佳。亦即，式   -[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -所表示之基方面，式-Y21 -C(=O)-O-Y22 -所表示之基特別佳。其中，以式-(CH2 )a’ -C(=O)-O-(CH2 )b’ -所表示之基為佳。該式中，a’為1~10的整數，1~8的整數為佳、1~5的整數更佳、1或2再佳、1最佳。b’為1~10的整數，1~8的整數為佳、1~5的整數更佳、1或2再佳、1最佳。
其中，Va01 方面，可具有取代基的2價烴基為佳、可具有取代基的脂肪族烴基更佳、可具有取代基的碳數1~10之直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基又更佳。前述伸烷基為碳數1~6更佳、碳數1~4再佳、碳數1~3特別佳。Va01 方面，亞甲基或伸乙基特別佳。
前述式(a0-1)中，na01 為0~2的整數。na01 以0或1為佳。
前述式(a0-1)中，Ra01 為具有選自鹵素原子、羧基、醯基、硝基及氰基所構成的群的至少1個取代基的含內酯之環式基。「含內酯之環式基」係指含有於其環骨架中包含-O-C(=O)-的環(內酯環)的環式基。以內酯環作為第一個環計算，僅內酯環時稱為單環式基，進一步具有其他環構造的情況，無論其構造而稱為多環式基。含內酯之環式基，可為單環式基、亦可為多環式基。
Ra01 中之含內酯之環式基方面，不特別限定而可使用任意者。含內酯之環式基方面，例如，後述的一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的基。Ra01 中之含內酯之環式基方面，在後述的一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所表示之基中，例如Ra’21 為鹵素原子、羧基、醯基、硝基、或氰基者。
Ra01 中之含內酯之環式基的較佳例方面，例如下述一般式(Ra0-1)所表示之含內酯之環式基。
Figure 02_image009
[式中，Ra012 及Ra013 各自獨立，為氫原子、碳數1~5的烷基、碳數1~5的烷氧基、或者碳數1~5的烷基硫基、或Ra012 及Ra013 相互鍵結，為可含氧原子或者硫原子的碳數1~6的伸烷基、醚鍵(-O-)、或者硫醚鍵(-S-)。X011 為鹵素原子、羧基、醯基、硝基、或氰基。Ra011 為可含鹵素原子的碳數1~6的烷基、羥基部分可被保護基保護且可含鹵素原子的碳數1~6的羥基烷基、可形成鹽的羧基、或取代氧基羰基。p01 為0~8的整數，q01 為1~9的整數。但是，p01 +q01 ≦9。X011 存在2個以上時，複數的X011 可互為相同或相異。Ra011 存在2個以上時，複數的Ra011 可互為相同或相異。Ra012 及Ra013 相互鍵結形成可含氧原子或硫原子的碳數1~6的伸烷基之情況，X011 及Ra011 各自獨立，可存在作為取代前述碳數1~6的伸烷基的氫原子的取代基。*為與前述式(a0-1)中之氧原子鍵結之鍵結鍵。]
前述一般式(Ra0-1)中，Ra012 及Ra013 各自獨立，為氫原子、碳數1~5的烷基、碳數1~5的烷氧基、或者碳數1~5的烷基硫基、或、Ra012 及Ra013 相互鍵結，為可含氧原子或者硫原子的碳數1~6的伸烷基、醚鍵、或者硫醚鍵(-S-)。
前述碳數1~5的烷基，以直鏈狀或分支鏈狀的烷基為佳，具體上，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。 前述碳數1~5的烷氧基，以直鏈狀或分支鏈狀的烷氧基為佳，具體上，例如前述Ra012 及Ra013 中列舉作為烷基的烷基與氧原子(-O-)連結的基。 前述碳數1~5烷基硫基，以碳數1~4者為佳，具體上，例如甲硫基、乙基硫基、n-丙基硫基、iso-丙基硫基、n-丁基硫基、tert-丁基硫基等。
Ra012 及Ra013 相互鍵結所形成的碳數1~6的伸烷基方面，以直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基為佳，例如亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。該伸烷基包含氧原子或硫原子之情況，其具體例方面，例如在該伸烷基的末端或碳原子間介隔有-O-或者-S-的基，例如-O-CH2 -、-CH2 -O-CH2 -、-S-CH2 -、-CH2 -S-CH2 -等。Ra012 及Ra013 相互鍵結所形成的基方面，以碳數1~6的伸烷基或-O-為佳、碳數1~6的伸烷基更佳、碳數1~5的伸烷基再佳、亞甲基特別佳。
其中，Ra012 及Ra013 以Ra012 及Ra013 相互鍵結形成碳數1~6的伸烷基為佳。前述碳數1~6的伸烷基，以碳數1~3的伸烷基更佳、亞甲基又更佳。
前述一般式(Ra0-1)中，Ra011 為可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基、羥基部分可被保護基保護且可具有鹵素原子的碳數1~6的羥基烷基、形成鹽的羧基、或取代氧基羰基。
前述碳數1~6的烷基方面，例如，甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、s-丁基、t-丁基、戊基、己基等。此等之中，以碳數1~5的烷基為佳、碳數1~4的烷基更佳、碳數1~3的烷基再佳、甲基或乙基特佳、甲基最佳。 前述碳數1~6的烷基可具有或不具有鹵素原子。前述鹵素原子方面，以氟原子或氯原子為佳、氟原子更佳。具有鹵素原子的碳數1~6的烷基方面，例如氯甲基等之氯烷基；三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、五氟乙基等之氟烷基(較佳為碳數1~3的氟烷基)等。
前述碳數1~6的羥基烷基方面，例如羥基甲基、2-羥基乙基、1-羥基乙基、3-羥基丙基、2-羥基丙基、4-羥基丁基、6-羥基己基等。 前述碳數1~6的羥基烷基可具有或不具有鹵素原子。前述鹵素原子方面，以氟原子為佳。具有鹵素原子的碳數1~6的羥基烷基方面，例如二氟羥基甲基、1,1-二氟-2-羥基乙基、2,2-二氟-2-羥基乙基、1,1,2,2-四氟-2-羥基乙基等。 前述可具有鹵素原子的碳數1~6的羥基烷基，以碳數1~3為佳、碳數1或2更佳、碳數1又更佳。 前述碳數1~6的羥基烷基，羥基部分可被保護基保護、亦可不被保護基保護。前述保護羥基部分的保護基方面，例如可與甲基、甲氧基甲基等之構成羥基的氧原子一起形成醚鍵或縮醛鍵的基；可與乙醯基、苯甲醯基等之構成羥基的氧原子一起形成酯鍵的基等。
前述可形成鹽的羧基係選自羧基、及、形成鹽的羧基(羧基的鹽)所構成的群。前述形成鹽的羧基(羧基的鹽)方面，例如羧基的鹼金屬鹽、羧基的鹼土類金屬鹽、及羧基的過渡金屬鹽等。
前述取代氧基羰基方面，例如碳數1~4的烷氧基與羰基鍵結的烷氧基羰基(具體上，例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、異丙基氧基羰基、n-丙氧基羰基等之烷基氧基羰基；乙烯基氧基羰基、烯丙基氧基羰基等之烯基氧基羰基)；環己基氧基羰基等之環烷基氧基羰基、苯基氧基羰基等之芳基氧基羰基等。
前述一般式(Ra0-1)中，X011 為鹵素原子、羧基、醯基、硝基、或氰基。前述鹵素原子方面，以氟原子為佳。前述醯基方面，以碳數1~3的醯基為佳，具體例方面，例如甲醯基、乙醯基、丙醯基。其中，X011 以氰基為佳。
前述一般式(Ra0-1)中，p01 為0~8的整數。前述一般式(Ra0-1)中，q01 為1~9的整數。但是，p01 +q01 ≦9。 p01 ，較佳為0~6的整數，更佳為0~3的整數，進一步較佳為0或1，尤其較佳為0。 q01 較佳為1~5的整數，更佳為1或2，進一步較佳為1。 p01 為2~8的整數，Ra011 存在2個以上時，複數的Ra011 可互為相同或相異。 q01 為2~9的整數，X011 存在2個以上時，複數的X011 可互為相同或相異。
Ra012 及Ra013 相互鍵結形成可含有氧原子或硫原子的碳數1~6的伸烷基之情況，X011 及Ra011 各自獨立，可作為取代前述碳數1~6的伸烷基的氫原子的取代基存在。
構成單位(a0)以下述一般式(a0-1-1)所表示之構成單位為佳。
Figure 02_image011
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Va01 為可具有取代基的2價烴基。na01 為0~2的整數。X011 為鹵素原子、羧基、醯基、硝基、或氰基。q011 為1~7的整數。]
前述式(a0-1-1)中之R、Va01 及na01 與前述式(a0-1)中之R、Va01 及na01 相同。前述式(a0-1-1)中之X011 與前述式(Ra0-1)中之X011 相同。
上述式(a0-1-1)中之q011 為1~7的整數，以1或2為佳、1更佳。
以下為構成單位(a0)的具體例。 以下的各式中，Rα 為氫原子、甲基或三氟甲基。nα01 為0~2的整數，較佳為0或1。Ac為乙醯基。X為鹵素原子、羧基、醯基、硝基、或氰基，較佳為氰基(-CN)。
Figure 02_image013
Figure 02_image015
Figure 02_image017
構成單位(a0)，在上述中，以前述式(a0-1-1-1)~(a0-1-1-18)之任一所表示之構成單位為佳、前述式(a0-1-1-1)所表示之構成單位更佳。
(A1)成分具有的構成單位(a0)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分中之構成單位(a0)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位之合計(100莫耳%)，以10莫耳%以上80莫耳%以下為佳、20莫耳%以上70莫耳%以下較佳、30莫耳%以上60莫耳%以下再佳、35莫耳%以上55莫耳%以下再更佳、40莫耳%以上55莫耳%以下特別佳。 構成單位(a0)的比例藉由在前述的較佳範圍之下限值以上，可使缺陷、圖型形狀、及粗糙度等之微影術特性更提升。又，構成單位(a0)的比例在前述較佳範圍的上限值以下，則可取得與其他構成單位的平衡。
≪其他構成單位≫
(A1)成分，除前述構成單位(a0)之外，因應必要亦可含有其他構成單位。 其他構成單位方面，例如，包含經由酸的作用而極性增大的酸分解性基的構成單位(a1)；包含含內酯之環式基、含-SO2 -之環式基或含碳酸酯之環式基的構成單位(a2)(相當前述構成單位(a0)者除外)；包含含有極性基之脂肪族烴基的構成單位(a3)；包含酸非解離性的脂肪族環式基的構成單位(a4)；後述的一般式(a10-1)所表示之構成單位(a10)；苯乙烯或者苯乙烯衍生物所衍生的構成單位(st)等。
關於構成單位(a1): 構成單位(a1)為包含經由酸的作用而極性增大的酸分解性基的構成單位。
酸解離性基方面，到目前為止，可舉例如作為化學增幅型阻劑組成物用的基礎樹脂之酸解離性基所提案者。 作為化學增幅型阻劑組成物用的基礎樹脂之酸解離性基所提案者方面，具體上，例如以下說明之「縮醛型酸解離性基」、「第3級烷基酯型酸解離性基」、「第3級烷基氧基羰基酸解離性基」。
縮醛型酸解離性基: 前述極性基中保護羧基或羥基的酸解離性基方面，例如下述一般式(a1-r-1)所表示之酸解離性基(以下有稱「縮醛型酸解離性基」之情形。)。
Figure 02_image019
[式中，Ra’1 、Ra’2 為氫原子或烷基。Ra’3 為烴基且Ra’3 可與Ra’1 、Ra’2 之任一鍵結而形成環。]
式(a1-r-1)中，Ra’1 及Ra’2 中，以至少一者為氫原子為佳、兩者為氫原子更佳。 Ra’1 或Ra’2 為烷基時，該烷基方面，可舉例如在上述α取代丙烯酸酯之說明，與作為亦可鍵結於α位的碳原子的取代基所列舉的烷基相同者，以碳數1~5的烷基為佳。具體上，較佳可舉例如直鏈狀或分支狀的烷基。更具體上，可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，甲基或乙基更佳、甲基特別佳。
式(a1-r-1)中，Ra’3 的烴基方面，可舉例如直鏈狀或者分支狀的烷基、或環狀的烴基。 該直鏈狀的烷基，以碳數1~5為佳、碳數1~4更佳、碳數1或2又更佳。具體上，可舉例如甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等之中，以甲基、乙基或n-丁基為佳、甲基或乙基更佳。
該分支狀的烷基，以碳數3~10為佳、碳數3~5更佳。具體上，可舉例如異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，以異丙基為佳。
Ra’3 成為環狀的烴基之情況，該烴基可為脂肪族烴基亦可為芳香族烴基，又，可為多環式基亦可為單環式基。 單環式基之脂肪族烴基方面，以從單環烷烴除去1個氫原子的基為佳。該單環烷烴方面，以碳數3~6者為佳，具體上，例如環戊烷、環己烷等。 多環式基之脂肪族烴基方面，以從聚環烷烴除去1個氫原子的基為佳，該聚環烷烴方面，以碳數7~12者為佳，具體上例如金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。
Ra’3 的環狀的烴基成為芳香族烴基時，該芳香族烴基為具有至少1個芳香環的烴基。 該芳香環為具有4n+2個π電子的環狀共軛系則不特別限制，可為單環式亦可為多環式。芳香環的碳數以5~30為佳、碳數5~20更佳、碳數6~15再佳、碳數6~12特別佳。 作為芳香環，具體上，可舉例如苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子的一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子方面，可舉例如氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體上，可舉例如吡啶環、噻吩環等。 作為Ra’3 中之芳香族烴基，具體上，可舉例如從前述芳香族烴環或芳香族雜環除去1個氫原子的基(芳基或雜芳基)；從包含2以上之芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)除去1個氫原子的基；前述芳香族烴環或芳香族雜環的1個氫原子被伸烷基取代的基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環的伸烷基的碳數，以1~4為佳、碳數1~2較佳、碳數1特別佳。
Ra’3 中之環狀的烴基，具有取代基亦可。該取代基方面，例如-RP1 、-RP2 -O-RP1 、-RP2 -CO-RP1 、-RP2 -CO-ORP1 、 -RP2 -O-CO-RP1 、-RP2 -OH、-RP2 -CN或-RP2 -COOH(以下將此等之取代基一併稱為「Rax5 」。)等。 在此，RP1 為碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基、碳數3~20的1價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30的1價芳香族烴基。又，RP2 為單鍵、碳數1~10的2價鏈狀飽和烴基、碳數3~20的2價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30的2價芳香族烴基。但是，RP1 及RP2 的鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有的氫原子之一部份或全部可被氟原子取代。上述脂肪族環狀烴基，可具有1個以上1種單獨之上述取代基，亦可具有各1個以上複數種之上述取代基。 碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基方面，例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。 碳數3~20的1價脂肪族環狀飽和烴基方面，例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基。 碳數6~30的1價芳香族烴基方面，例如從苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環除去1個氫原子的基。
Ra’3 與Ra’1 、Ra’2 中任一者鍵結而形成環的情況下，作為該環式基，4~7員環為佳、4~6員環為更佳。該環式基之具體例，可舉例如四氫吡喃基、四氫呋喃基等。
第3級烷酯型酸解離性基: 上述極性基中，保護羧基的酸解離性基方面，例如下述一般式(a1-r-2)所表示之酸解離性基。 又，下述式(a1-r-2)所表示之酸解離性基中，將由烷基構成者，在以下有方便上稱為「第3級烷酯型酸解離性基」之情形。
Figure 02_image021
[式中，Ra’4 ~Ra’6 各自為烴基，且Ra’5 、Ra’6 可相互鍵結形成環。]
Ra’4 的烴基方面，例如直鏈狀或者分支鏈狀的烷基、鏈狀或者環狀的烯基、或、環狀的烴基。 Ra’4 中之直鏈狀或者分支鏈狀的烷基、環狀的烴基(單環式基之脂肪族烴基、多環式基之脂肪族烴基、芳香族烴基)，可舉例如與前述Ra’3 相同者。 Ra’4 中之鏈狀或者環狀的烯基，以碳數2~10的烯基為佳。 Ra’5 、Ra’6 的烴基方面，可舉例如與前述Ra’3 相同者。
Ra’5 與Ra’6 相互鍵結形成環之情況，宜舉例如下述一般式(a1-r2-1)所表示之基、下述一般式(a1-r2-2)所表示之基、下述一般式(a1-r2-3)所表示之基。 另一方面，Ra’4 ~Ra’6 互不鍵結而為獨立的烴基時，例如以下述一般式(a1-r2-4)所表示之基為佳。
Figure 02_image023
[式(a1-r2-1)中，Ra’10 為一部份可被鹵素原子或含雜原子之基取代的直鏈狀或分支鏈狀的碳數1~12的烷基。Ra’11 為與Ra’10 所鍵結的碳原子一起形成脂肪族環式基的基。式(a1-r2-2)中，Ya為碳原子。Xa為與Ya一起形成環狀的烴基的基。該環狀的烴基具有的氫原子的一部份或全部可被取代。Ra101 ~Ra103 各自獨立，為氫原子、碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基或碳數3~20的1價脂肪族環狀飽和烴基。該鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基具有的氫原子的一部份或全部可被取代。Ra101 ~Ra103 的2個以上可相互鍵結形成環狀構造。式(a1-r2-3)中，Yaa為碳原子。Xaa為與Yaa一起形成脂肪族環式基的基。Ra104 為可具有取代基的芳香族烴基。式(a1-r2-4)中，Ra’12 及Ra’13 各自獨立，為碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基或氫原子。該鏈狀飽和烴基具有的氫原子的一部份或全部可被取代。Ra’14 為可具有取代基的烴基。*為鍵結鍵。]
上述之式(a1-r2-1)中，Ra’10 為一部份可被鹵素原子或者含雜原子之基取代的直鏈狀或者分支鏈狀的碳數1~12的烷基。
Ra’10 中之直鏈狀的烷基方面，為碳數1~12，以碳數1~10為佳、碳數1~5特別佳。 Ra’10 中之分支鏈狀的烷基方面，例如與前述Ra’3 相同者。
Ra’10 中之烷基，一部份可被鹵素原子或者含雜原子之基取代。例如，構成烷基的氫原子的一部份可被鹵素原子或含雜原子之基取代。又，構成烷基的碳原子(亞甲基等)的一部份可被含雜原子之基取代。 在此所謂雜原子方面，例如氧原子、硫原子、氮原子。含雜原子之基方面，例如(-O-)、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、  -C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-S-、     -S(=O)2 -、-S(=O)2 -O-等。
式(a1-r2-1)中，Ra’11 (與Ra’10 所鍵結的碳原子一起形成的脂肪族環式基)以作為式(a1-r-1)中之Ra’3 的單環式基或多環式基之脂肪族烴基(脂環式烴基)所列舉的基為佳。其中，以單環式的脂環式烴基為佳，具體上，環戊基、環己基更佳、環戊基又更佳。
式(a1-r2-2)中，Xa與Ya一起形成的環狀的烴基方面，例如從前述式(a1-r-1)中之Ra’3 中之環狀的1價烴基(脂肪族烴基)進一步除去1個以上氫原子的基。 Xa與Ya一起形成的環狀的烴基，可具有取代基。該取代基方面，例如與上述Ra’3 中之環狀的烴基可具有的取代基相同者。 式(a1-r2-2)中，Ra101 ~Ra103 中之碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基方面，例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。 Ra101 ~Ra103 中之碳數3~20的1價脂肪族環狀飽和烴基方面，例如，環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛烷基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基等。 Ra101 ~Ra103 之中，由合成容易性的觀點，以氫原子、碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基為佳，其中，以氫原子、甲基、乙基更佳、氫原子特別佳。
上述Ra101 ~Ra103 所表示之鏈狀飽和烴基、或脂肪族環狀飽和烴基具有的取代基方面，例如，與上述Rax5 相同的基。
Ra101 ~Ra103 的2個以上相互鍵結形成環狀構造而生成的含碳-碳雙鍵的基方面，例如，環戊烯基、環己烯基、甲基環戊烯基、甲基環己烯基、環亞戊基乙烯基、環亞己基乙烯基等。此等之中，由合成容易性的觀點，以環戊烯基、環己烯基、環亞戊基乙烯基為佳。
式(a1-r2-3)中，Xaa與Yaa一起形成的脂肪族環式基，以式(a1-r-1)中之Ra’3 的單環式基或多環式基之脂肪族烴基所列舉的基為佳。 式(a1-r2-3)中，Ra104 中之芳香族烴基方面，例如從碳數5~30的芳香族烴環除去1個以上氫原子的基。其中，Ra104 以從碳數6~15的芳香族烴環除去1個以上氫原子的基為佳、從苯、萘、蒽或菲除去1個以上氫原子的基更佳、從苯、萘或蒽除去1個以上氫原子的基再佳、從苯或萘除去1個以上氫原子的基特佳、從苯除去1個以上氫原子的基最佳。
式(a1-r2-3)中之Ra104 可具有的取代基方面，例如，甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷基氧基羰基等。
式(a1-r2-4)中，Ra’12 及Ra’13 各自獨立，為碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基或氫原子。Ra’12 及Ra’13 中之碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基方面，例如與上述之Ra101 ~Ra103 中之碳數1~10的1價鏈狀飽和烴基相同者。該鏈狀飽和烴基具有的氫原子的一部份或全部可被取代。 Ra’12 及Ra’13 中，以氫原子、碳數1~5的烷基為佳、碳數1~5的烷基更佳、甲基、乙基再佳、甲基特別佳。 上述Ra’12 及Ra’13 所表示之鏈狀飽和烴基被取代之情況，其取代基方面，例如，與上述Rax5 相同的基。
式(a1-r2-4)中，Ra’14 為可具有取代基的烴基。Ra’14 中之烴基方面，例如直鏈狀或者分支鏈狀的烷基、或環狀的烴基。
Ra’14 中之直鏈狀的烷基，以碳數1~5為佳、1~4更佳、1或2又更佳。具體上，例如甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等之中，以甲基、乙基或n-丁基為佳、甲基或乙基更佳。
Ra’14 中之分支鏈狀的烷基，以碳數3~10為佳、3~5更佳。具體上，例如異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，以異丙基為佳。
Ra’14 成為環狀的烴基之情況，該烴基可為脂肪族烴基亦可為芳香族烴基，又，可為多環式基亦可為單環式基。 單環式基之脂肪族烴基方面，以從單環烷烴除去1個氫原子的基為佳。該單環烷烴方面，以碳數3~6者為佳，具體上，例如環戊烷、環己烷等。 多環式基之脂肪族烴基方面，以從聚環烷烴除去1個氫原子的基為佳，該聚環烷烴方面，以碳數7~12者為佳，具體上，例如金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。
Ra’14 中之芳香族烴基方面，例如與Ra104 中之芳香族烴基相同者。其中，Ra’14 以從碳數6~15的芳香族烴環除去1個以上氫原子的基為佳、從苯、萘、蒽或菲除去1個以上氫原子的基更佳、從苯、萘或蒽除去1個以上氫原子的基再佳、從萘或蒽除去1個以上氫原子的基特佳、從萘除去1個以上氫原子的基最佳。 Ra’14 可具有的取代基方面，例如與Ra104 可具有的取代基相同者。
式(a1-r2-4)中之Ra’14 為萘基時，與前述式(a1-r2-4)中之第3級碳原子鍵結的位置可為萘基的1位或2位任一。 式(a1-r2-4)中之Ra’14 為蒽基時，與前述式(a1-r2-4)中之第3級碳原子鍵結的位置可為蒽基的1位、2位或9位任一。
前述式(a1-r2-1)所表示之基的具體例如下。
Figure 02_image025
Figure 02_image027
Figure 02_image029
前述式(a1-r2-2)所表示之基的具體例如下。
Figure 02_image031
Figure 02_image033
Figure 02_image035
前述式(a1-r2-3)所表示之基的具體例如下。
Figure 02_image037
前述式(a1-r2-4)所表示之基的具體例如下。
Figure 02_image039
第3級烷基氧基羰基酸解離性基: 前述極性基中保護羥基的酸解離性基方面，例如，下述一般式(a1-r-3)所表示之酸解離性基(以下方便上有稱「第3級烷基氧基羰基酸解離性基」之情形)。
Figure 02_image041
[式中，Ra’7 ~Ra’9 各自為烷基。]
式(a1-r-3)中，Ra’7 ~Ra’9 各自以碳數1~5的烷基為佳、碳數1~3的烷基更佳。 又，各烷基的合計的碳數，以3~7為佳、碳數3~5較佳、碳數3~4最佳。
構成單位(a1)方面，可舉例如鍵結於α位碳原子的氫原子被取代基取代亦可的丙烯酸酯所衍生的構成單位、丙烯醯胺所衍生的構成單位、羥基苯乙烯或者羥基苯乙烯衍生物所衍生的構成單位的羥基中之氫原子的至少一部份被包含前述酸分解性基之取代基保護的構成單位、乙烯基安息香酸或者乙烯基安息香酸衍生物所衍生的構成單位的-C(=O)-OH中之氫原子的至少一部份被包含前述酸分解性基之取代基保護的構成單位等。
構成單位(a1)方面，上述中，以鍵結於α位碳原子的氫原子被取代基取代亦可的丙烯酸酯所衍生的構成單位為佳。 該構成單位(a1)的較佳具體例方面，可舉例如下述一般式(a1-1)或(a1-2)所表示之構成單位。
Figure 02_image043
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Va1 為可具有醚鍵的2價烴基。na1 為0~2的整數。Ra1 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基。Wa1 為na2 +1價烴基，na2 為1~3的整數，Ra2 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基。]
前述式(a1-1)中之R與前述一般式(a0-1)中之R相同。前述式(a1-1)中之R方面，例如與前述一般式(a0-1)中之R所列舉者相同者，較佳例亦同。
前述式(a1-1)中，Va1 中之2價烴基，可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。Va1 中之2價烴基方面，例如與前述一般式(a0-1)中之Va01 中之可具有取代基的2價烴基所列舉者相同者，較佳例亦同。
前述式(a1-1)中，Ra1 為上述式(a1-r-1)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基。
前述式(a1-2)中，Wa1 中之na2 +1價烴基，可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。該脂肪族烴基係指不具有芳香族性的烴基，可為飽和、亦可為不飽和，通常以飽和為佳。前述脂肪族烴基方面，例如直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基、構造中含有環的脂肪族烴基、或者直鏈狀或分支鏈狀的脂肪族烴基與構造中含有環的脂肪族烴基組合而成的基。 前述na2 +1價，以2~4價為佳、2或3價更佳。
前述式(a1-2)中，Ra2 為上述一般式(a1-r-1)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基。
以下為前述式(a1-1)所表示之構成單位的具體例。以下的各式中，Rα 為氫原子、甲基或三氟甲基。
Figure 02_image045
Figure 02_image047
Figure 02_image049
Figure 02_image051
Figure 02_image053
Figure 02_image055
Figure 02_image057
Figure 02_image059
(A1)成分具有的構成單位(a1)可為1種亦可為2種以上。 其中，構成單位(a1)方面，以下述一般式(a1-1-1)所表示之構成單位為佳。
Figure 02_image061
[式中，Ra1 ”為一般式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)或(a1-r2-4)所表示之酸解離性基。]
前述式(a1-1-1)中，R、Va1 及na1 與前述式(a1-1)中之R、Va1 及na1 相同。 關於一般式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)或(a1-r2-4)所表示之酸解離性基的說明同上述。
前述式(a1-1-1)中，Ra1 ”在上述中，以一般式(a1-r2-1)所表示之酸解離性基為佳。
(A1)成分中之構成單位(a1)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位之合計(100莫耳%)，以5~80莫耳%為佳、10~75莫耳%更佳、30~70莫耳%再佳、40~60莫耳%特別佳。 構成單位(a1)的比例藉由設為前述的較佳範圍內，可適當地確保脫保護反應之效率與顯影液溶解性，故變得更易得到本發明之效果。
關於構成單位(a10): 構成單位(a10)為下述一般式(a10-1)所表示之構成單位。
Figure 02_image063
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Yax1 為單鍵或2價連結基。Wax1 為可具有取代基的芳香族烴基。nax1 為1以上之整數。]
前述式(a10-1)中之R與前述一般式(a0-1)中之R相同。前述式(a10-1)中之R方面，例如與前述一般式(a0-1)中之R所列舉者相同者，較佳例亦同。
前述式(a10-1)中，Yax1 為單鍵或2價連結基。 前述的化學式中，Yax1 中之2價連結基方面，雖不特別限制，較佳可舉例如可具有取代基的2價烴基、含雜原子的2價連結基等。Yax1 中之2價連結基方面，例如與前述一般式(a0-1)中之Va01 所列舉者相同者。 其中，Yax1 方面，以單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵(-O-)、直鏈狀或者分支鏈狀的伸烷基、或此等之組合為佳、單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]更佳。
前述式(a10-1)中，Wax1 為可具有取代基的芳香族烴基。 Wax1 中之芳香族烴基方面，例如從可具有取代基的芳香環除去(nax1 +1)個氫原子的基。在此的芳香環為具有4n+2個π電子的環狀共軛系，則不特別限制，可為單環式亦可為多環式。芳香環的碳數，以5~30為佳、碳數5~20更佳、碳數6~15再佳、碳數6~12特別佳。該芳香環方面，具體上，例如苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環的碳原子的一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子方面，例如氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環方面，具體上，例如吡啶環、噻吩環等。 又，Wax1 中之芳香族烴基方面，亦可舉例如從包含可具有2以上之取代基的芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)除去(nax1 +1)個氫原子的基。 上述中，Wax1 方面，以從苯、萘、蒽或聯苯除去(nax1 +1)個氫原子的基為佳、從苯或萘除去(nax1 +1)個氫原子的基更佳、從苯除去(nax1 +1)個氫原子的基又更佳。
Wax1 中之芳香族烴基，可具有或不具有取代基。前述取代基方面，例如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基等。作為前述取代基的烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基方面，例如與Yax1 中之環狀的脂肪族烴基的取代基所列舉者相同者。前述取代基，以碳數1~5之直鏈狀或者分支鏈狀的烷基為佳、碳數1~3之直鏈狀或者分支鏈狀的烷基更佳、乙基或甲基再佳、甲基特別佳。Wax1 中之芳香族烴基，以不具有取代基為佳。
前述式(a10-1)中，nax1 為1以上之整數，以1~10的整數為佳、1~5的整數更佳、1、2或3再佳、1或2特別佳。
以下為前述式(a10-1)所表示之構成單位(a10)的具體例。 以下的各式中，Rα 為氫原子、甲基或三氟甲基。
Figure 02_image065
Figure 02_image067
Figure 02_image069
Figure 02_image071
(A1)成分具有的構成單位(a10)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a10)之情況，(A1)成分中之構成單位(a10)的比例，相對於構成(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)，以5~80莫耳%為佳、10~75莫耳%更佳、30~70莫耳%再佳、40~60莫耳%特別佳。 構成單位(a10)的比例藉由設定在前述的較佳範圍內，在阻劑膜中供給質子的效率提高，且變得容易確保顯影液溶解性。
關於構成單位(a2): (A1)成分，可為具有包含含內酯之環式基、含-SO2 -之環式基或含碳酸酯之環式基的構成單位(a2)(但是，相當構成單位(a0)者除外)者。 構成單位(a2)的含內酯之環式基、含-SO2 -之環式基或含碳酸酯之環式基，在(A1)成分用於阻劑膜的形成之場合，為有效提升阻劑膜對基板的密著性者。又，藉由具有構成單位(a2)，例如因適當地調整酸擴散長、提高阻劑膜對基板的密著性、適當地調整顯影時的溶解性等之效果，而微影術特性等變得良好。
構成單位(a2)中之含內酯之環式基方面，不特別限定而可使用任意者。具體上，例如下述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的基。
Figure 02_image073
[式中，Ra’21 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO2 -之環式基；A”為可含氧原子(-O-)或者硫原子(-S-)的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2的整數，m’為0或1。]
前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中，Ra’21 中之烷基方面，以碳數1~6的烷基為佳。該烷基，以直鏈狀或分支鏈狀為佳。具體上，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。此等之中，甲基或乙基為佳、甲基特別佳。 Ra’21 中之烷氧基方面，以碳數1~6的烷氧基為佳。該烷氧基，以直鏈狀或分支鏈狀為佳。具體上，例如前述Ra’21 中之烷基所列舉的烷基與氧原子(-O-)連結而成的基。 Ra’21 中之鹵素原子方面，以氟原子為佳。 Ra’21 中之鹵化烷基方面，例如前述Ra’21 中之烷基的氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子取代的基。該鹵化烷基方面，以氟化烷基為佳、尤其全氟烷基為佳。
Ra’21 中之-COOR”、-OC(=O)R”中，R”皆為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO2 -之環式基。 R”中之烷基方面，為直鏈狀、分支鏈狀、環狀之任一皆可，碳數以1~15為佳。 R”為直鏈狀或者分支鏈狀的烷基時，以碳數1~10為佳、碳數1~5再佳、甲基或乙基特別佳。 R”為環狀的烷基時，以碳數3~15為佳、碳數4~12再佳、碳數5~10最佳。具體上，例如從可被或不被氟原子或氟化烷基取代的單環烷烴除去1個以上氫原子的基；從雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等之聚環烷烴除去1個以上氫原子的基等。更具體上，例如從環戊烷、環己烷等之單環烷烴除去1個以上氫原子的基；從金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之聚環烷烴除去1個以上氫原子的基等。 R”中之含內酯之環式基方面，例如與前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的基相同者。 R”中之含碳酸酯之環式基方面，與後述的含碳酸酯之環式基相同，具體上例如一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)所各自表示的基。 R”中之含-SO2 -之環式基方面，與後述的含-SO2 -之環式基相同，具體上例如一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的基。 Ra’21 中之羥基烷基方面，以碳數1~6者為佳，具體上，例如前述Ra’21 中之烷基的氫原子的至少1個被羥基取代的基。
前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中，A”中之碳數1~5的伸烷基方面，以直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基為佳，例如亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。該伸烷基包含氧原子或硫原子之情況，其具體例方面，在前述伸烷基的末端或碳原子間介隔有-O-或-S-的基，例如O-CH2 -、-CH2 -O-CH2 -、-S-CH2 -、-CH2 -S-CH2 -等。A”方面，以碳數1~5的伸烷基或-O-為佳、碳數1~5的伸烷基更佳、亞甲基最佳。
下述為一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的基的具體例。
Figure 02_image075
Figure 02_image077
「含-SO2 -之環式基」係指含有於其環骨架中包含-SO2 -的環的環式基，具體上為-SO2 -中之硫原子(S)形成環式基的環骨架的一部份之環式基。以於其環骨架中包含-SO2 -的環作為第一個環計算，僅該環時稱為單環式基、進一步具有其他環構造的情況，無論其構造而稱為多環式基。含-SO2 -之環式基，可為單環式基亦可為多環式基。 含-SO2 -之環式基，尤其以於其環骨架中包含-O-SO2 -的環式基、即含有-O-SO2 -中之-O-S-形成環骨架的一部份的磺內酯(sultone)環的環式基為佳。 含-SO2 -之環式基，更具體上，例如下述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的基。
Figure 02_image079
[式中，Ra’51 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO2 -之環式基；A”為可含氧原子或者硫原子的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2的整數。]
前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-2)中，A”與前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。 Ra’51 中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基方面，例如各自與前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中之Ra’21 之說明所列舉者相同者。 下述為一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的基的具體例。式中之「Ac」為乙醯基。
Figure 02_image081
Figure 02_image083
Figure 02_image085
「含碳酸酯之環式基」係指含有於其環骨架中包含-O-C(=O)-O-的環(碳酸酯環)的環式基。以碳酸酯環作為第一個環計算，僅碳酸酯環時稱為單環式基、進一步具有其他環構造的情況，無論其構造而稱為多環式基。含碳酸酯之環式基，可為單環式基、亦可為多環式基。 含碳酸酯環之環式基方面，不特別限定而可使用任意者。具體上，例如下述一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)所各自表示的基。
Figure 02_image087
[式中，Ra’x31 各自獨立為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO2 -之環式基；A”為可含氧原子或者硫原子的碳數1~5的伸烷基、氧原子或硫原子，p’為0~3的整數，q’為0或1。]
前述一般式(ax3-r-2)~(ax3-r-3)中，A”與前述一般式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。 Ra’31 中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基方面，各自與前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)中之Ra’21 之說明所列舉者相同者。 下述為一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)所各自表示的基的具體例。
Figure 02_image089
構成單位(a2)方面，其中，以鍵結於α位碳原子的氫原子可被取代基取代之丙烯酸酯所衍生的構成單位為佳。 該構成單位(a2)，以下述一般式(a2-1)所表示之構成單位為佳。
Figure 02_image091
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Ya21 為單鍵或2價連結基。La21 為-O-、-COO-、-CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’為氫原子或甲基。但La21 為-O-時，Ya21 不為-CO-。Ra21 為含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基、或含-SO2 -之環式基。]
前述式(a2-1)中之R與前述一般式(a0-1)中之R相同。前述式(a2-1)中之R方面，例如與前述一般式(a0-1)中之R所列舉者相同者，較佳例亦同。
前述式(a2-1)中，Ya21 中之2價連結基方面，雖不特別限制，宜舉例如可具有取代基的2價烴基、含雜原子的2價連結基等。Ya21 中之2價連結基方面，例如與前述一般式(a0-1)中之Va01 所列舉者相同者。
其中，Ya21 方面，以單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-]、醚鍵(-O-)、直鏈狀或者分支鏈狀的伸烷基、或此等之組合為佳。
前述式(a2-1)中，Ra21 為含內酯之環式基、含-SO2 -之環式基或含碳酸酯之環式基。 Ra21 中之含內酯之環式基、含-SO2 -之環式基、含碳酸酯之環式基方面，各自宜舉例如前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的基、一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的基、一般式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)所各自表示的基。 其中，以含內酯之環式基或含-SO2 -之環式基為佳、前述一般式(a2-r-1)、(a2-r-2)、(a2-r-6)或(a5-r-1)所各自表示的基更佳。具體上，以前述化學式(r-lc-1-1)~(r-lc-1-7)、(r-lc-2-1)~(r-lc-2-18)、(r-lc-6-1)、(r-sl-1-1)、(r-sl-1-18)所各自表示任一的基更佳。
(A1)成分具有的構成單位(a2)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a2)之情況，構成單位(a2)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位之合計(100莫耳%)，以5~50莫耳%為佳、10~40莫耳%較佳、15~35莫耳%再佳、20~30莫耳%特別佳。 構成單位(a2)的比例設為較佳下限值以上，則藉由前述效果，可充分得到含有構成單位(a2)所致之效果，若為上限值以下，則可取得與其他構成單位之平衡，種種之微影術特性變得良好。
關於構成單位(a3): (A1)成分可具有包含含有極性基之脂肪族烴基的構成單位(a3)(但是，相當構成單位(a1)或構成單位(a2)者除外)。(A1)成分藉由具有構成單位(a3)，(A)成分的親水性提高，有助於解像性的提升。又，可適當地調整酸擴散長。
極性基方面，例如羥基、氰基、羧基、烷基的氫原子的一部份被氟原子取代的羥基烷基等，尤其以羥基為佳。 脂肪族烴基方面，例如碳數1~10之直鏈狀或分支鏈狀的烴基(較佳為伸烷基)、或環狀的脂肪族烴基(環式基)。該環式基方面，可為單環式基亦可為多環式基，例如可由ArF準分子雷射用阻劑組成物用樹脂中，多數提案者中適宜選擇使用。
該環式基為單環式基時，碳數以3~10更佳。其中，以包含含有羥基、氰基、羧基、或烷基的氫原子的一部份被氟原子取代的羥基烷基的脂肪族單環式基的丙烯酸酯所衍生的構成單位更佳。該單環式基方面，例如從單環烷烴除去2個以上氫原子的基。具體上，例如從環戊烷、環己烷、環辛烷等之單環烷烴除去2個以上氫原子的基等。此等之單環式基中，以從環戊烷除去2個以上氫原子的基、從環己烷除去2個以上氫原子的基在工業上為佳。
該環式基為多環式基時，該多環式基的碳數以7~30更佳。其中，以包含含有羥基、氰基、羧基、或烷基的氫原子的一部份被氟原子取代的羥基烷基的脂肪族多環式基的丙烯酸酯所衍生的構成單位更佳。該多環式基方面，例如從雙環烷烴、三環烷烴、四環烷烴等除去2個以上氫原子的基等。具體上，例如從金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之聚環烷烴除去2個以上氫原子的基等。此等之多環式基中，以從金剛烷除去2個以上氫原子的基、從降冰片烷除去2個以上氫原子的基、從四環十二烷除去2個以上氫原子的基在工業上為佳。
構成單位(a3)方面，若為包含含有極性基之脂肪族烴基者，不特別限定而可使用任意者。 構成單位(a3)方面，以鍵結於α位碳原子的氫原子可被取代基取代之丙烯酸酯所衍生的構成單位，且包含含有極性基之脂肪族烴基的構成單位為佳。 構成單位(a3)方面，含有極性基之脂肪族烴基中之烴基為碳數1~10之直鏈狀或分支鏈狀的烴基時，以丙烯酸的羥基乙基酯所衍生的構成單位為佳。 又，構成單位(a3)方面，例如含有極性基之脂肪族烴基中之該烴基為多環式基時，較佳可舉例如下述式(a3-1)所表示之構成單位、式(a3-2)所表示之構成單位、式(a3-3)所表示之構成單位；單環式基時，較佳可舉例如式(a3-4)所表示之構成單位。
Figure 02_image093
[式中，R同前述，j為1~3的整數，k為1~3的整數，t’為1~3的整數，l為0~5的整數，s為1~3的整數。]
式(a3-1)中，j以1或2為佳、1再更佳。j為2時，羥基以鍵結於金剛烷基的3位與5位者為佳。j為1時，羥基以鍵結於金剛烷基的3位者為佳。 j以1為佳、羥基以鍵結於金剛烷基的3位者特別佳。
式(a3-2)中，k以1為佳。以氰基鍵結於降冰片基的5位或6位為佳。
式(a3-3)中，t’以1為佳。l以1為佳。s以1為佳。此等，以丙烯酸的羧基的末端鍵結有2-降冰片基或3-降冰片基為佳。氟化烷基醇以鍵結於降冰片基的5或6位為佳。
式(a3-4)中，t’以1或2為佳。l以0或1為佳。s以1為佳。氟化烷基醇以鍵結於環己基的3或5位為佳。
(A1)成分具有的構成單位(a3)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a3)之情況，構成單位(a3)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)，以1~30莫耳%為佳、2~25莫耳%更佳、5~20莫耳%又更佳。 構成單位(a3)的比例藉由在較佳下限值以上，則藉由前述效果，可充分得到含有構成單位(a3)所致之效果，若為較佳上限值以下，則可取得與其他構成單位之平衡，種種之微影術特性變得良好。
關於構成單位(a4): (A1)成分可具有包含酸非解離性的脂肪族環式基的構成單位(a4)。 (A1)成分藉由具有構成單位(a4)，所形成的阻劑圖型的乾耐蝕刻性提升。又，(A)成分的疏水性提高。疏水性的提升，尤其在溶劑顯影製程之情況，有助於解像性、阻劑圖型形狀等之提升。 構成單位(a4)中之「酸非解離性環式基」為藉由曝光，在該阻劑組成物中產生酸時(例如，從經由曝光而產生酸的構成單位或(B)成分產生酸時)，即使該酸作用亦不解離而直接殘留在該構成單位中的環式基。
構成單位(a4)方面，例如以包含酸非解離性的脂肪族環式基的丙烯酸酯所衍生的構成單位等為佳。該環式基，可使用作為ArF準分子雷射用、KrF準分子雷射用(較佳為ArF準分子雷射用)等之阻劑組成物的樹脂成分使用者之以往被習知的多數者。 該環式基，由工業上取得容易等之點，尤其以三環癸基、金剛烷基、四環十二基、異冰片基、降冰片基所選出的至少1種為佳。此等之多環式基，可具有碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀的烷基作為取代基。 構成單位(a4)方面，具體上，例如下述一般式(a4-1)~(a4-7)所各自表示的構成單位。
Figure 02_image095
[式中，Rα 同前述。]
(A1)成分具有的構成單位(a4)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(a4)之情況，構成單位(a4)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位之合計(100莫耳%)，以1~40莫耳%為佳、5~20莫耳%更佳。 構成單位(a4)的比例藉由在較佳下限值以上，則可充分得到含有構成單位(a4)所致之效果，另一方面，藉由在較佳上限值以下，則易取得與其他構成單位之平衡。
關於構成單位(st): 構成單位(st)為由苯乙烯或苯乙烯衍生物所衍生的構成單位。「苯乙烯所衍生的構成單位」係指苯乙烯的乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。「苯乙烯衍生物所衍生的構成單位」係指苯乙烯衍生物的乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位(但是，相當構成單位(a10)者除外)。
「苯乙烯衍生物」係指苯乙烯的至少一部份的氫原子被取代基取代的化合物。苯乙烯衍生物方面，例如，苯乙烯的α位氫原子被取代基取代者、苯乙烯的苯環的1個以上之氫原子被取代基取代者、苯乙烯的α位氫原子及苯環的1個以上之氫原子被取代基取代者等。
取代苯乙烯的α位氫原子的取代基方面，例如碳數1~5的烷基、或碳數1~5的鹵化烷基。 前述碳數1~5的烷基方面，以碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀的烷基為佳，具體上，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。 前述碳數1~5的鹵化烷基，為前述碳數1~5的烷基的氫原子的一部份或全部被鹵素原子取代的基。該鹵素原子方面，尤其以氟原子為佳。 取代苯乙烯的α位氫原子的取代基方面，以碳數1~5的烷基或碳數1~5的氟化烷基為佳、碳數1~3的烷基或碳數1~3的氟化烷基更佳，由工業上取得之難易度，以甲基又更佳。
取代苯乙烯的苯環的氫原子的取代基方面，例如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基等。 作為前述取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為佳、甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基更佳。 作為前述取代基的烷氧基方面，以碳數1~5的烷氧基為佳、甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基更佳、甲氧基、乙氧基又更佳。 作為前述取代基的鹵素原子方面，以氟原子為佳。 作為前述取代基的鹵化烷基方面，例如前述烷基的氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子取代的基。 取代苯乙烯的苯環的氫原子的取代基方面，以碳數1~5的烷基為佳、甲基或乙基更佳、甲基又更佳。
構成單位(st)方面，以苯乙烯所衍生的構成單位、或苯乙烯的α位氫原子被碳數1~5的烷基或者碳數1~5的鹵化烷基取代的苯乙烯衍生物所衍生的構成單位為佳、苯乙烯所衍生的構成單位、或苯乙烯的α位氫原子被甲基取代的苯乙烯衍生物所衍生的構成單位更佳、苯乙烯所衍生的構成單位又更佳。
(A1)成分具有的構成單位(st)可為1種亦可為2種以上。 (A1)成分具有構成單位(st)之情況，構成單位(st)的比例，相對於構成該(A1)成分的全構成單位之合計(100莫耳%)，以1~30莫耳%為佳、3~20莫耳%更佳。
阻劑組成物所含有之(A1)成分可1種單獨使用，亦可2種以上併用。 本實施形態的阻劑組成物中，例如(A1)成分為具有構成單位(a0)的重複構造的高分子化合物。 較佳(A1)成分方面，例如具有構成單位(a0)與其他構成單位的重複構造之高分子化合物。(A1)成分方面，例如，具有構成單位(a0)與構成單位(a1)的重複構造之高分子化合物等。 除了上述2個各構成單位的組合外，進一步作為第3種或3種以上之構成單位，可適宜地配合期望的效果組合上述說明的構成單位。
其中，(A1)成分方面，以具有構成單位(a0)與構成單位(a1)的重複構造之高分子化合物為佳。 該場合，該高分子化合物中之構成單位(a0)與構成單位(a1)的莫耳比(構成單位(a0):構成單位(a1))，以2:8~8:2為佳、3:7~7:3較佳、4:6~6:4再更佳。
該(A1)成分，可藉由將衍生各構成單位的單體溶解於聚合溶劑，在此，加入例如偶氮二異丁腈(AIBN)、偶氮雙異酪酸二甲酯(例如V-601等)等之自由基聚合起始劑，進行聚合而製造。 或者該(A1)成分，可藉由將衍生構成單位(a0)的單體與因應必要之衍生構成單位(a0)以外的構成單位的單體，溶於聚合溶劑，在此，加入上述般自由基聚合起始劑後進行聚合，之後，藉由進行脫保護反應來製造。 又，聚合時，例如可藉由併用HS-CH2 -CH2 -CH2 -C(CF3 )2 -OH般鏈轉移劑，在末端導入-C(CF3 )2 -OH基。這樣導入有烷基的氫原子的一部份被氟原子取代的羥基烷基的共聚物，有效使顯影缺陷降低或LER(線邊緣粗糙度:線側壁之不均勻的凹凸)降低。
(A1)成分的重量平均分子量(Mw)(膠體滲透層析法(GPC)之聚苯乙烯換算基準)不特別限制，以1000~ 50000為佳、2000~30000更佳、3000~20000又更佳。 (A1)成分的Mw若為該範圍的較佳上限值以下，則用作為阻劑，有充分的對阻劑溶劑之溶解性，若在該範圍的較佳下限值以上，則耐乾蝕刻性或阻劑圖型截面形狀為良好。 (A1)成分的分散度(Mw/Mn)不特別限制，以1.0~4.0為佳、1.0~3.0更佳、1.0~2.0特別佳。又，Mn為數平均分子量。
･關於(A2)成分 本實施形態的阻劑組成物，作為(A)成分，可併用不為前述(A1)成分之經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的基材成分(以下，稱「(A2)成分」。)。 (A2)成分方面，不特別限制，由作為化學增幅型阻劑組成物用的基材成分在以往已知的多數者中任意地選擇使用即可。 (A2)成分，可單獨使用高分子化合物或低分子化合物的1種，亦可2種以上組合使用。
(A)成分中之(A1)成分的比例相對於(A)成分的總質量，以25質量%以上為佳、50質量%以上更佳、75質量%以上再佳、亦可為100質量%。該比例在25質量%以上，則變得易形成高感度化、以及缺陷、解像性、及粗糙度改善等之種種之微影術特性優異的阻劑圖型。
本實施形態的阻劑組成物中，(A)成分的含量因應所欲形成的阻劑膜厚等調整即可。
＜氟添加劑成分(F)＞ 本實施形態的阻劑組成物，除(A)成分外，進一步含有氟添加劑成分(F)(以下，稱「(F)成分」。)。(F)成分賦予阻劑膜拒水性。
･關於(F1)成分 (F)成分包含具有以下述一般式(f01-1)所表示之構成單位(f01)與含有以下述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基的構成單位(f02)的高分子化合物(F1)。
≪構成單位(f01)≫ 構成單位(f01)為下述一般式(f01-1)所表示之構成單位。
Figure 02_image097
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Vf01 為2價連結基。Rf011 及Rf012 各自獨立，為氫原子、氟原子、羥基、甲基、或三氟甲基。]
前述式(f01-1)中，R與前述一般式(a0-1)中之R相同。前述式(f01-1)中之R方面，例如與前述一般式(a0-1)中之R所列舉者相同者，較佳例亦同。
前述式(f01-1)中，Vf01 為2價連結基。Vf01 中之2價連結基方面，例如與前述式(a0-1)中之Va01 中之2價連結基所列舉者相同者。 Vf01 方面，以可具有取代基的2價烴基為佳、可具有取代基的脂肪族烴基更佳、可具有取代基的直鏈狀或者分支鏈狀的脂肪族烴基又更佳。前述脂肪族烴基，以碳數1~10為佳、碳數1~6更佳、碳數1~4再佳、碳數1~3最佳。其中，以可具有取代基的直鏈狀或者分支鏈狀的伸烷基為佳，例如與前述式(a0-1)中之Va01 中列舉者相同者。 前述2價烴基可具有或不具有取代基。該取代基方面，例如氟原子、被氟原子取代的碳數1~5的氟化烷基、羰基等。前述2價烴基以不具有取代基為佳。 Vf01 方面，以碳數1~3的伸烷基為佳、亞甲基或伸乙基更佳。
前述式(f01-1)中，Rf011 及Rf012 各自獨立，為氫原子、氟原子、羥基、甲基、或三氟甲基。Rf011 及Rf012 各自獨立，以氫原子、氟原子、甲基、或三氟甲基為佳、氫原子或三氟甲基更佳。Rf011 及Rf012 以至少一者為三氟甲基為佳。Rf011 及Rf012 以任一者為氫原子，另一者為三氟甲基特別佳(例如，Rf011 為三氟甲基；Rf012 為氫原子)。
構成單位(f01)以下述一般式(f01-1-1)所表示之構成單位為佳。
Figure 02_image099
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Vf011 為可具有取代基的脂肪族烴基。Rf014 為氫原子、氟原子、羥基、甲基、或三氟甲基。]
前述式(f01-1-1)中，R與前述式(f01-1)中之R相同。
前述式(f0-1-1-1)中，Vf011 為可具有取代基的脂肪族烴基。前述脂肪族烴基方面，例如與前述一般式(a0-1)中之Va01 中列舉者相同者。 Vf011 中之脂肪族烴基方面，以碳數1~10為佳、碳數1~6更佳、碳數1~3又更佳。前述脂肪族烴基，可為飽和、亦可為不飽和，但以飽和為佳。前述脂肪族烴基，以直鏈狀或分支鏈狀為佳、直鏈狀更佳。 Vf011 中之脂肪族烴基可具有或不具有取代基，但以不具有取代基為佳。前述脂肪族烴基可具有的取代基方面，例如氟原子、被氟原子取代的碳數1~5的氟化烷基、羰基等。 Vf011 方面，以碳數1~3的伸烷基為佳、亞甲基或伸乙基更佳。
前述式(f01-1-1)中，Rf014 為氫原子、氟原子、羥基、甲基、或三氟甲基。Rf014 以氫原子、氟原子、甲基、或三氟甲基為佳、氫原子或三氟甲基更佳、氫原子又更佳。
構成單位(f01)的具體例如下述，但不限於此等。 以下的各式中，Rα 為氫原子、甲基或三氟甲基。
Figure 02_image101
(F1)成分具有的構成單位(f01)可為1種亦可為2種以上。 (F1)成分中之構成單位(f01)的比例，相對於構成該(F1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)，以30~95莫耳%為佳、40~90莫耳%較佳、50~85莫耳%再佳、60~80莫耳%特別佳。 構成單位(f01)的比例若在前述較佳範圍的下限值以上，則缺陷、圖型形狀、及粗糙度等之微影術特性更提升。構成單位(f01)的比例若為前述較佳範圍的上限值以下，則可取得與其他構成單位之平衡，種種之微影術特性變得良好。
≪構成單位(f02)≫ 構成單位(f02)為含有以下述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基的構成單位。
Figure 02_image103
[式中，Rf021 及Rf022 各自獨立，為可具有取代基的碳數1~3的烷基。Rf023 為可具有取代基的多環式脂肪族烴基。*為鍵結鍵。]
前述式(f02-r-1)中，Rf021 及Rf022 各自獨立，為可具有取代基的碳數1~3的烷基。 前述碳數1~3的烷基可具有或不具有取代基，但以不具有取代基為佳。前述碳數1~3的烷基可具有的取代基方面，例如羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷基氧基羰基等。 Rf021 及Rf022 各自獨立，以甲基或乙基為佳、以至少一者為乙基為佳、兩者為乙基再更佳。
Rf023 為可具有取代基的多環式脂肪族烴基。前述多環式脂肪族烴基方面，以從聚環烷烴除去1個氫原子的基為佳。前述聚環烷烴方面，以碳數7~12者為佳，例如金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。其中，Rf023 以金剛烷基為佳。
一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基的具體例如下述，但不限於此等。
Figure 02_image105
構成單位(f02)以下述一般式(f02-1)所表示之構成單位為佳。
Figure 02_image107
[式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。Vf02 為可具有醚鍵的2價烴基。nf02 為0~2的整數。Rf024 為前述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基。]
前述式(f02-1)中，R與前述式(f01-1)中之R相同。
前述式(f02-1)中，Vf02 為可具有醚鍵的2價烴基。前述2價烴基方面，例如與前述一般式(a0-1)中之Va01 中之可具有取代基的2價烴基所列舉者相同者。 Vf02 中之2價烴基方面，以可具有取代基的脂肪族烴基為佳、可具有取代基的碳數1~10之直鏈狀或分支鏈狀的伸烷基更佳。前述伸烷基，以碳數1~6更佳、碳數1~4再佳、碳數1~3特別佳。Vf02 方面，以亞甲基或伸乙基特別佳。
前述式(f02-1)中，nf02 為0~2的整數。nf02 以0或1為佳、0更佳。
前述式(f02-1)中，Rf024 為前述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基。
構成單位(f02)的具體例如下述，但不限於此等。
Figure 02_image109
(F1)成分具有的構成單位(f02)可為1種亦可為2種以上。 (F1)成分中之構成單位(f02)的比例，相對於構成該(F1)成分的全構成單位的合計(100莫耳%)，以5~70莫耳%為佳、10~60莫耳%較佳、15~50莫耳%再佳、20~40莫耳%特別佳。 構成單位(f02)的比例若在前述較佳範圍的下限值以上，則缺陷、圖型形狀、及粗糙度等之微影術特性更提升。構成單位(f02)的比例若為前述較佳範圍的上限值以下，則可取得與其他構成單位之平衡，種種之微影術特性變得良好。
(F1)成分可1種單獨使用，亦可2種以上併用。 (F1)成分，例如具有構成單位(f01)及構成單位(f02)的重複構造之高分子化合物。該場合，前述高分子化合物中之構成單位(f01)與構成單位(f02)的莫耳比(構成單位(f01):構成單位(f02))，以90:10~40:60為佳、85:15~50:50較佳、80:20~60:40再更佳。
(F1)成分，除了構成單位(f01)及構成單位(f02)外，亦可含有其他構成單位。前述其他構成單位方面，例如丙烯酸或甲基丙烯酸所衍生的構成單位。 (F1)成分方面，以具有構成單位(f01)及構成單位(f02)的重複構造之高分子化合物為佳。
(F1)成分的重量平均分子量(Mw)(膠體滲透層析法之聚苯乙烯換算基準)以1000~50000為佳、5000~ 40000更佳、10000~30000又更佳。(F1)成分的Mw若為前述範圍之上限值以下，則對阻劑用溶劑的溶解性變得良好。(F1)成分的Mw若為前述範圍之下限值以上，則阻劑膜的拒水性變得良好。 (F1)成分的分散度(Mw/Mn)以1.0~5.0為佳、1.0~3.0更佳、1.0~2.5又更佳。
阻劑組成物中之(F1)成分的含量相對於(A)成分100質量份，以0.5~10質量份為佳、1~5質量份更佳。
･關於(F2)成分 (F)成分亦可含有前述(F1)成分以外的氟添加劑成分(F2)(以下，稱(F2)成分)。 (F2)成分方面，可使用例如，特開2010-002870號公報、特開2010-032994號公報、特開2010-277043號公報、特開2011-13569號公報、特開2011-128226號公報記載之含氟高分子化合物。 (F2)成分可1種單獨使用亦可2種以上併用。
(F)成分中之(F1)的比例，相對於(F)成分的總質量，以25質量%以上為佳、50質量%以上更佳、75質量%以上再佳、亦可為100質量%。前述比例為25質量%以上，則變得易形成缺陷、圖型形狀、及粗糙度改善等之種種之微影術特性優異的阻劑圖型。(F)成分中之(F1)的比例以100質量%為佳。
＜任意成分＞ 本實施形態的阻劑組成物，可進一步含有上述(A)成分及(F)成分以外的成分(任意成分)。前述任意成分方面，例如後述的(B)成分、(D)成分、(E)成分、及(S)成分等。
≪酸產生劑成分(B)≫ 本實施形態的阻劑組成物，除(A)成分及(F)成分外，可進一步含有經由曝光而產生酸的酸產生劑成分(B)(以下，稱「(B)成分」。)。 (B)成分方面，不特別限制，可使用到目前為止作為化學增幅型阻劑組成物用的酸產生劑所提案者。 如此之酸產生劑方面，例如錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸酯系酸產生劑；雙烷基或雙芳基磺醯基重氮甲烷類、聚(雙磺醯基)重氮甲烷類等之重氮甲烷系酸產生劑；硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺基磺酸酯系酸產生劑、二碸系酸產生劑等多種者。
鎓鹽系酸產生劑方面，例如，下述的一般式(b-1)所表示之化合物(以下，稱「(b-1)成分」)、一般式(b-2)所表示之化合物(以下，稱「(b-2)成分」)或一般式(b-3)所表示之化合物(以下，稱「(b-3)成分」)。
Figure 02_image111
[式中，R101 及R104 ~R108 各自獨立，為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基。R104 與R105 可相互鍵結，形成環構造。R102 為碳數1~5的氟化烷基或氟原子。Y101 為含氧原子的2價連結基或單鍵。V101 ~V103 各自獨立，為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。L101 ~L102 各自獨立，為單鍵或氧原子。L103 ~L105 各自獨立，為單鍵、-CO-或-SO2 -。m為1以上之整數，且M’m+ 為m價鎓陽離子。]
{陰離子部} ･關於(b-1)成分中之陰離子 式(b-1)中，R101 為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基。
具有取代基亦可的環式基: 該環式基以環狀的烴基為佳，該環狀的烴基可為芳香族烴基，亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基為不具有芳香族性的烴基。又，脂肪族烴基可為飽和、亦可為不飽和，通常以飽和為佳。
R101 中之芳香族烴基為具有芳香環的烴基。該芳香族烴基的碳數以3~30為佳、5~30較佳、5~20再佳、6~15特佳、6~10最佳。但是，該碳數中不包含取代基中之碳數。 R101 中之芳香族烴基具有的芳香環方面，具體上，例如苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯、或構成此等之芳香環的碳原子的一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子方面，可舉例如氧原子、硫原子、氮原子等。 R101 中之芳香族烴基，具體上，例如從前述芳香環除去1個氫原子的基(芳基:例如苯基、萘基等)、前述芳香環的1個氫原子被伸烷基取代的基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)的碳數，以1~4為佳、1~2較佳、1特別佳。
R101 中之環狀的脂肪族烴基，例如構造中包含環的脂肪族烴基。 該構造中包含環的脂肪族烴基方面，例如脂環式烴基(從脂肪族烴環除去1個氫原子的基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分支狀的脂肪族烴基的末端的基、脂環式烴基介隔於直鏈狀或分支狀的脂肪族烴基中的基等。 前述脂環式烴基，以碳數3~20為佳、3~12更佳。 前述脂環式烴基，可為多環式基、亦可為單環式基。單環式的脂環式烴基方面，以從單環烷烴除去1個以上之氫原子的基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3~6為佳，具體上可舉例如環戊烷、環己烷等。多環式的脂環式烴基方面，以從聚環烷烴除去1個以上之氫原子的基為佳，該聚環烷烴方面，以碳數7~30者為佳。其中，該聚環烷烴方面，以金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之具有交聯環系的多環式骨架的聚環烷烴；具有類固醇骨架的環式基等之具有縮合環系的多環式骨架的聚環烷烴更佳。
其中，R101 中之環狀的脂肪族烴基方面，以從單環烷烴或聚環烷烴除去1個以上氫原子的基為佳、從聚環烷烴除去1個氫原子的基更佳、金剛烷基、降冰片基特佳、金剛烷基最佳。
亦可鍵結於脂環式烴基的直鏈狀的脂肪族烴基，以碳數1~10為佳、1~6更佳、1~4再佳、1~3最佳。直鏈狀的脂肪族烴基方面，以直鏈狀的伸烷基為佳，具體上，可舉例如亞甲基[-CH2 -]、伸乙基[-(CH2 )2 -]、三亞甲基[-(CH2 )3 -]、四亞甲基[-(CH2 )4 -]、五亞甲基[-(CH2 )5 -]等。 亦可鍵結於脂環式烴基的分支狀的脂肪族烴基，以碳數2~10為佳、3~6更佳、3或4再佳、3最佳。分支狀的脂肪族烴基方面，以分支狀的伸烷基為佳，具體上，可舉例如    -CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )2 -、-C(CH3 )(CH2 CH3 )-、   -C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、-C(CH2 CH3 )2 -等之烷基亞甲基；  -CH(CH3 )CH2 -、-CH(CH3 )CH(CH3 )-、-C(CH3 )2 CH2 -、   -CH(CH2 CH3 )CH2 -、-C(CH2 CH3 )2 -CH2 -等之烷基伸乙基； -CH(CH3 )CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 -等之烷基三亞甲基；-CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基方面，以碳數1~5之直鏈狀的烷基為佳。
又，R101 中之環狀的烴基亦可如雜環等般含有雜原子。具體上，例如前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的含有內酯之環式基、前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的含有-SO2 -之環式基、其他下述化學式(r-hr-1)~(r-hr-16)所各自表示的雜環式基。式中*為鍵結於式(b-1)中之Y101 的鍵結鍵。
Figure 02_image113
R101 的環式基中之取代基方面，例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。 作為取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為佳、甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基最佳。 作為取代基的烷氧基方面，以碳數1~5的烷氧基為佳、甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基更佳、甲氧基、乙氧基最佳。 作為取代基的鹵原子方面，以氟原子為佳。 作為取代基的鹵化烷基方面，為碳數1~5的烷基，例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等之氫原子的一部份或全部被前述鹵原子取代的基。 作為取代基的羰基，為取代構成環狀的烴基的亞甲基(-CH2 -)之基。
R101 中之環狀的烴基，可為包含縮合脂肪族烴環與芳香環的縮合環的縮合環式基。前述縮合環方面，例如在具有交聯環系的多環式骨架的聚環烷烴，縮合1個以上之芳香環者等。前述交聯環系聚環烷烴的具體例方面，例如雙環[2.2.1]庚烷(降冰片烷)、雙環[2.2.2]辛烷等之雙環烷烴。前述縮合環式基方面，以包含雙環烷烴上縮合有2個或3個芳香環的縮合環之基為佳、包含雙環[2.2.2]辛烷縮合有2個或3個芳香環的縮合環之基更佳。R101 中之縮合環式基的具體例方面，例如下述式(r-br-1)~(r-br-2)所表示。式中*為鍵結於式(b-1)中之Y101 的鍵結鍵。
Figure 02_image115
R101 中之縮合環式基可具有的取代基方面，例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、芳香族烴基、脂環式烴基等。 作為前述縮合環式基的取代基的烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基為與上述R101 中之環式基的取代基所列舉者相同者。 作為前述縮合環式基的取代基的芳香族烴基方面，例如從芳香環除去1個氫原子的基(芳基:例如苯基、萘基等)、前述芳香環的1個氫原子被伸烷基取代的基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)、上述式(r-hr-1)~(r-hr-6)所各自表示的雜環式基等。 作為前述縮合環式基的取代基的脂環式烴基方面，例如從環戊烷、環己烷等之單環烷烴除去1個氫原子的基；從金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之聚環烷烴除去1個氫原子的基；前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的含有內酯之環式基；前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的含有-SO2 -之環式基；前述式(r-hr-7)~(r-hr-16)所各自表示的雜環式基等。
可具有取代基的鏈狀的烷基: 作為R101 之鏈狀的烷基方面，為直鏈狀或分支鏈狀之任一皆可。 直鏈狀的烷基方面，以碳數1~20為佳、1~15較佳、1~10最佳。 分支鏈狀的烷基方面，以碳數3~20為佳、3~15較佳、3~10最佳。具體上，例如，1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。
可具有取代基的鏈狀的烯基: 作為R101 之鏈狀的烯基方面，為直鏈狀或分支鏈狀之任一皆可，以碳數2~10為佳、2~5更佳、2~4再佳、3特別佳。直鏈狀的烯基方面，例如，乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基(烯丙基)、丁炔基等。分支鏈狀的烯基方面，例如，1-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。 鏈狀的烯基方面，上述中，以直鏈狀的烯基為佳、乙烯基、丙烯基更佳、乙烯基特別佳。
R101 的鏈狀的烷基或烯基中之取代基方面，例如烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述R101 中之環式基等。
上述中，R101 以可具有取代基之環式基為佳、具有取代基亦可的環狀的烴基更佳。更具體上，以從苯基、萘基、聚環烷烴除去1個以上之氫原子的基；前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的含有內酯之環式基；前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的含有-SO2 -之環式基等為佳。
式(b-1)中，Y101 為單鍵或含有氧原子的2價連結基。 Y101 為含有氧原子的2價連結基時，該Y101 可含有氧原子以外的原子。氧原子以外的原子方面，例如碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。 含有氧原子的2價連結基方面，例如氧原子(醚鍵:-O-)、酯鍵(-C(=O)-O-)、氧基羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵(-O-C(=O)-O-)等之非烴系的含氧原子之連結基；該非烴系的含氧原子之連結基與伸烷基之組合等。該組合可進一步連結有磺醯基(-SO2 -)。該含有氧原子的2價連結基方面，例如下述一般式(y-al-1)~(y-al-7)所各自表示的連結基。
Figure 02_image117
[式中，V’101 為單鍵或碳數1~5的伸烷基，V’102 為碳數1~30的2價飽和烴基。]
V’102 中之2價飽和烴基，以碳數1~30的伸烷基為佳、碳數1~10的伸烷基較佳、碳數1~5的伸烷基再更佳。
V’101 及V’102 中之伸烷基方面，可為直鏈狀的伸烷基亦可為分支狀的伸烷基，以直鏈狀的伸烷基為佳。 V’101 及V’102 中之伸烷基方面，具體上，例如亞甲基[-CH2 -]；-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )2 -、-C(CH3 )(CH2 CH3 )-、   -C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、-C(CH2 CH3 )2 -等之烷基亞甲基；伸乙基[-CH2 CH2 -]；-CH(CH3 )CH2 -、-CH(CH3 )CH(CH3 )-、-C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -等之烷基伸乙基；三亞甲基(n-伸丙基)[-CH2 CH2 CH2 -]；-CH(CH3 )CH2 CH2 -、    -CH2 CH(CH3 )CH2 -等之烷基三亞甲基；四亞甲基[-CH2 CH2 CH2 CH2 -]；-CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等之烷基四亞甲基；五亞甲基[-CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -]等。 又，V’101 或V’102 中之前述伸烷基中之一部份的亞甲基可被碳數5~10的2價脂肪族環式基取代。該脂肪族環式基以從前述式(a1-r-1)中之Ra’3 的環狀的脂肪族烴基(單環式的脂肪族烴基、多環式的脂肪族烴基)進一步除去1個氫原子的2價基為佳、伸環己基、1,5-伸金剛烷基或2,6-伸金剛烷基更佳。
Y101 方面，以含酯鍵的2價連結基、或含醚鍵的2價連結基為佳、上述式(y-al-1)~(y-al-5)所各自表示的連結基更佳。
式(b-1)中，V101 為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。V101 中之伸烷基、氟化伸烷基，以碳數1~4為佳。V101 中之氟化伸烷基方面，例如V101 中之伸烷基的氫原子的一部份或全部被氟原子取代的基。其中，V101 以單鍵、或碳數1~4的氟化伸烷基為佳。
式(b-1)中，R102 為氟原子或碳數1~5的氟化烷基。R102 以氟原子或碳數1~5的全氟烷基為佳、氟原子更佳。
前述式(b-1)所表示之陰離子部的具體例方面，例如Y101 成為單鍵之場合，可舉例如三氟甲磺酸酯陰離子或全氟丁烷磺酸酯陰離子等之氟化烷基磺酸酯陰離子；Y101 為含有氧原子的2價連結基時，例如下述式(an-1)~(an-3)之任一所表示之陰離子。
Figure 02_image119
[式中，R”101 為可具有取代基的脂肪族環式基、上述之化學式(r-hr-1)~(r-hr-6)所各自表示的1價雜環式基、前述式(r-br-1)又(r-br-2)所表示之縮合環式基、或可具有取代基的鏈狀的烷基。R”102 為可具有取代基的脂肪族環式基、前述式(r-br-1)又(r-br-2)所表示之縮合環式基、前述一般式(a2-r-1)、(a2-r-3)~(a2-r-7)所各自表示的含有內酯之環式基、或前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的含有-SO2 -之環式基。R”103 為可具有取代基的芳香族環式基、可具有取代基的脂肪族環式基、或可具有取代基的鏈狀的烯基。V”101 為單鍵、碳數1~4的伸烷基、或碳數1~4的氟化伸烷基。R102 為氟原子或碳數1~5的氟化烷基。v”各自獨立為0~3的整數，q”各自獨立為0~20的整數，n”為0或1。]
R”101 、R”102 及R”103 的可具有取代基的脂肪族環式基，以前述式(b-1)中之R101 中之環狀的脂肪族烴基所例示的基為佳。前述取代基方面，例如與可取代前述式(b-1)中之R101 中之環狀的脂肪族烴基的取代基相同者。
R”103 中之可具有取代基的芳香族環式基，以前述式(b-1)中之R101 中之環狀的烴基中之作為芳香族烴基所例示的基為佳。前述取代基方面，例如與可取代前述式(b-1)中之R101 中之該芳香族烴基的取代基相同者。
R”101 中之可具有取代基的鏈狀的烷基，以前述式(b-1)中之R101 中之鏈狀的烷基所例示的基為佳。 R”103 中之可具有取代基的鏈狀的烯基，以前述式(b-1)中之R101 中之鏈狀的烯基所例示的基為佳。
･(b-2)成分中之陰離子 式(b-2)中，R104 、R105 ，各自獨立，為具有取代基亦可的環式基、具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的鏈狀的烯基，各自例如與式(b-1)中之R101 相同者。但，R104 、R105 亦可相互鍵結形成環。 R104 、R105 以可具有取代基之鏈狀的烷基為佳、直鏈狀或者分支狀的烷基、或直鏈狀或者分支狀的氟化烷基更佳。 該鏈狀的烷基的碳數以1~10為佳、更佳為碳數1~7、進一步較佳為碳數1~3。R104 、R105 的鏈狀的烷基的碳數在上述碳數之範圍內，由對抗蝕劑用溶劑之溶解性亦良好等之理由，而愈小愈好。又，R104 、R105 的鏈狀的烷基中，被氟原子取代的氫原子之數愈多，酸強度愈強，且對250 nm以下之高能量光或電子線之透明性提高，故為佳。前述鏈狀的烷基中之氟原子之比例，即氟化率，較佳為70~100%、進一步較佳為90~100%，最佳為全部的氫原子被氟原子取代的全氟烷基。 式(b-2)中，V102 、V103 ，各自獨立，為單鍵、伸烷基、或氟化伸烷基，各自可舉例與式(b-1)中之V101 相同者。 式(b-2)中，L101 、L102 ，各自獨立為單鍵或氧原子。
･(b-3)成分中之陰離子 式(b-3)中，R106 ~R108 ，各自獨立，為具有取代基亦可的環式基、具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的鏈狀的烯基，各自可舉例與式(b-1)中之R101 相同者。 式(b-3)中，L103 ~L105 ，各自獨立，為單鍵、-CO-或-SO2 -。
上述中，(B)成分的陰離子部方面，以(b-1)成分中之陰離子為佳。此中，以上述一般式(an-1)~(an-3)之任一所表示之陰離子更佳、一般式(an-1)或(an-2)之任一所表示之陰離子再佳、一般式(an-2)所表示之陰離子特別佳。
{陽離子部} 前述式(b-1)、式(b-2)、式(b-3)中，M’m+ 為m價鎓陽離子。此中，以鋶陽離子、錪陽離子為佳。 m為1以上之整數。
較佳陽離子部((M’m+ )1/m )方面，例如下述的一般式(ca-1)~(ca-5)所各自表示的有機陽離子。
Figure 02_image121
[式中，R201 ~R207 、及R211 ~R212 ，各自獨立，為具有取代基亦可的芳基、烷基或烯基。R201 ~R203 、R206 ~R207 、R211 ~R212 可相互鍵結而與式中之硫原子一起形成環。R208 ~R209 ，各自獨立，為氫原子或碳數1~5的烷基。R210 為可具有取代基之芳基、具有取代基亦可的烷基、具有取代基亦可的烯基、或具有取代基亦可的含有-SO2 -之環式基。L201 為-C(=O)-或-C(=O)-O-。Y201 ，各自獨立，為伸芳基、伸烷基或伸烯基。x為1或2。W201 為(x+1)價連結基。]
上述一般式(ca-1)~(ca-5)中，R201 ~R207 、及R211 ~R212 中之芳基方面，例如碳數6~20的無取代的芳基，以苯基、萘基為佳。 R201 ~R207 、及R211 ~R212 中之烷基方面，可為鏈狀或環狀的烷基，且以碳數1~30者為佳。 R201 ~R207 、及R211 ~R212 中之烯基方面，以碳數2~10為佳。 R201 ~R207 、及R210 ~R212 可具有的取代基方面，例如烷基、鹵原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、下述的一般式(ca-r-1)~(ca-r-7)所各自表示的基等。
Figure 02_image123
[式中，R’201 ，各自獨立，為氫原子、可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基。]
具有取代基亦可的環式基: 該環式基以環狀的烴基為佳，該環狀的烴基可為芳香族烴基，亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基為不具有芳香族性的烴基。又，脂肪族烴基可為飽和、亦可為不飽和，通常以飽和為佳。
R’201 中之芳香族烴基為具有芳香環的烴基。該芳香族烴基的碳數以3~30為佳、碳數5~30更佳、碳數5~20再佳、碳數6~15特佳、碳數6~10最佳。但，該碳數中不包含取代基中之碳數。 R’201 中之芳香族烴基具有的芳香環方面，具體上，例如苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯、或構成此等之芳香環的碳原子的一部份被雜原子取代的芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子方面，可舉例如氧原子、硫原子、氮原子等。 R’201 中之芳香族烴基，具體上，例如從前述芳香環除去1個氫原子的基(芳基:例如苯基、萘基等)、前述芳香環的1個氫原子被伸烷基取代的基(例如苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中的烷基鏈)的碳數，以1~4為佳、碳數1~2更佳、碳數1特別佳。
R’201 中之環狀的脂肪族烴基，例如構造中包含環的脂肪族烴基。 該構造中包含環的脂肪族烴基方面，例如脂環式烴基(從脂肪族烴環除去1個氫原子的基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分支狀的脂肪族烴基的末端的基、脂環式烴基介隔於直鏈狀或分支狀的脂肪族烴基中的基等。 前述脂環式烴基，以碳數3~20為佳、3~12更佳。 前述脂環式烴基，可為多環式基、亦可為單環式基。單環式的脂環式烴基方面，以從單環烷烴除去1個以上之氫原子的基為佳。作為該單環烷烴，以碳數3~6為佳，具體上可舉例如環戊烷、環己烷等。多環式的脂環式烴基方面，以從聚環烷烴除去1個以上之氫原子的基為佳，該聚環烷烴方面，以碳數7~30者為佳。其中，該聚環烷烴方面，以金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之具有交聯環系的多環式骨架的聚環烷烴；具有類固醇骨架的環式基等之具有縮合環系的多環式骨架的聚環烷烴更佳。
其中，R’201 中之環狀的脂肪族烴基方面，以從單環烷烴或聚環烷烴除去1個以上氫原子的基為佳、從聚環烷烴除去1個氫原子的基更佳、金剛烷基、降冰片基特佳、金剛烷基最佳。
亦可鍵結於脂環式烴基的直鏈狀或分支狀的脂肪族烴基，以碳數1~10為佳、碳數1~6更佳、碳數1~4再佳、碳數1~3特別佳。 直鏈狀的脂肪族烴基方面，以直鏈狀的伸烷基為佳，具體上，可舉例如亞甲基[-CH2 -]、伸乙基[-(CH2 )2 -]、三亞甲基[-(CH2 )3 -]、四亞甲基[-(CH2 )4 -]、五亞甲基[-(CH2 )5 -]等。 分支狀的脂肪族烴基方面，以分支狀的伸烷基為佳，具體上，可舉例如-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )2 -、-C(CH3 )(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、-C(CH2 CH3 )2 -等之烷基亞甲基；-CH(CH3 )CH2 -、-CH(CH3 )CH(CH3 )-、 -C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -、-C(CH2 CH3 )2 -CH2 -等之烷基伸乙基；-CH(CH3 )CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 -等之烷基三亞甲基；-CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基方面，以碳數1~5之直鏈狀的烷基為佳。
又，R’201 中之環狀的烴基亦可如雜環等般含有雜原子。具體上，例如前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的含有內酯之環式基、前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的含有-SO2 -之環式基、其他上述之化學式(r-hr-1)~(r-hr-16)所各自表示的雜環式基。
R’201 的環式基中之取代基方面，例如烷基、烷氧基、鹵原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。 作為取代基的烷基方面，以碳數1~5的烷基為佳、甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基最佳。 作為取代基的烷氧基方面，以碳數1~5的烷氧基為佳、甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基更佳、甲氧基、乙氧基最佳。 作為取代基的鹵原子方面，以氟原子為佳。 作為取代基的鹵化烷基方面，可舉例如碳數1~5的烷基，例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等之氫原子的一部份或全部被前述鹵原子取代的基。 作為取代基的羰基為取代構成環狀的烴基的亞甲基(-CH2 -)之基。
具有取代基亦可的鏈狀的烷基: R’201 的鏈狀的烷基方面，為直鏈狀或分支狀之任一皆可。 直鏈狀的烷基方面，以碳數1~20為佳、碳數1~15較佳、碳數1~10最佳。 分支狀的烷基方面，以碳數3~20為佳、碳數3~15較佳、碳數3~10最佳。具體上，例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。
可具有取代基的鏈狀的烯基: R’201 的鏈狀的烯基方面，可為直鏈狀或分支鏈狀之任一皆可，以碳數2~10為佳、碳數2~5更佳、碳數2~4再佳、碳數3特別佳。直鏈狀的烯基方面，例如，乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基(烯丙基)、丁炔基等。分支鏈狀的烯基方面，例如，1-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。 鏈狀的烯基方面，上述中，以直鏈狀的烯基為佳、乙烯基、丙烯基更佳、乙烯基特別佳。
R’201 的鏈狀的烷基或烯基中之取代基方面，例如烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述R’201 中之環式基等。
R’201 的具有取代基亦可的環式基、具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的鏈狀的烯基，除上述者之外，可具有取代基的環式基或具有取代基亦可的鏈狀的烷基方面，亦可舉例如與上述式(a1-r-2)所表示之酸解離性基相同者。
其中，R’201 以可具有取代基之環式基為佳、具有取代基亦可的環狀的烴基更佳。更具體上，例如苯基、萘基、從聚環烷烴除去1個以上之氫原子的基；前述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的含有內酯之環式基；前述一般式(a5-r-1)~(a5-r-4)所各自表示的含有-SO2 -之環式基等為佳。
上述一般式(ca-1)~(ca-5)中，R201 ~R203 、R206 ~R207 、R211 ~R212 相互鍵結，與式中之硫原子一起形成環之場合，可透過硫原子、氧原子、氮原子等之雜原子或羰基、-SO-、-SO2 -、-SO3 -、-COO-、-CONH-或-N(RN )-(該RN 為碳數1~5的烷基。)等之官能基進行鍵結。所形成的環方面，於其環骨架包含式中之硫原子的1個環，包含硫原子，以3~10員環為佳、5~7員環特別佳。所形成的環的具體例方面，例如噻吩環、噻唑環、苯並噻吩環、二苯並噻吩環、9H-硫雜蒽環、噻噸酮環、噻嗯環、吩噁噻環、四氫噻吩嗡環、四氫硫吡喃(Thiopyranium)環等。
R208 ~R209 ，各自獨立，為氫原子或碳數1~5的烷基，以氫原子或碳數1~3的烷基為佳，成為烷基之情況，可相互鍵結形成環。
R210 為可具有取代基之芳基、具有取代基亦可的烷基、具有取代基亦可的烯基、或具有取代基亦可的含有-SO2 -之環式基。 R210 中之芳基方面，例如碳數6~20的無取代的芳基，以苯基、萘基為佳。 R210 中之烷基方面，可為鏈狀或環狀的烷基，且以碳數1~30者為佳。 R210 中之烯基方面，以碳數2~10為佳。 R210 中之具有取代基亦可的含有-SO2 -之環式基方面，以「含有-SO2 -之多環式基」為佳、上述一般式(a5-r-1)所表示之基更佳。
Y201 ，各自獨立，為伸芳基、伸烷基或伸烯基。 Y201 中之伸芳基，例如從上述式(b-1)中之R101 中之作為芳香族烴基所例示的芳基除去1個氫原子的基。 Y201 中之伸烷基、伸烯基，例如從上述式(b-1)中之R101 中之作為鏈狀的烷基、鏈狀的烯基所例示的基除去1個氫原子的基。
前述式(ca-4)中，x為1或2。 W201 為(x+1)價、即2價或3價連結基。 W201 中之2價連結基方面，以可具有取代基的2價烴基為佳，例如與上述的一般式(a2-1)中之Ya21 相同的可具有取代基的2價烴基。W201 中之2價連結基可為直鏈狀、分支狀、環狀任意，以環狀為佳。其中，以伸芳基的兩端組合有2個羰基的基為佳。伸芳基方面，例如伸苯基、伸萘基等，以伸苯基特別佳。 W201 中之3價連結基方面，例如從前述W201 中之2價連結基除去1個氫原子的基、在前述2價連結基進一步鍵結有前述2價連結基的基等。W201 中之3價連結基方面，以伸芳基鍵結有2個羰基的基為佳。
前述式(ca-1)所表示之適宜之陽離子如以下所示。
Figure 02_image125
Figure 02_image127
Figure 02_image129
[式中，g1、g2、g3為重複數，g1為1~5的整數，g2為0~20的整數，g3為0~20的整數。]
Figure 02_image131
Figure 02_image133
Figure 02_image135
Figure 02_image137
[式中，R”201 為氫原子或取代基，且該取代基方面，與前述R201 ~R207 、及R210 ~R212 可具有的取代基所列舉者相同。]
Figure 02_image139
前述式(ca-2)所表示之適宜之陽離子方面，具體上，例如二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁基苯基)錪陽離子等。
前述式(ca-3)所表示之適宜之陽離子方面，具體上，例如下述式(ca-3-1)~(ca-3-6)所各自表示的陽離子。
Figure 02_image141
前述式(ca-4)所表示之適宜之陽離子方面，具體上，例如下述式(ca-4-1)~(ca-4-2)所各自表示的陽離子。
Figure 02_image143
前述式(ca-5)所表示之適宜之陽離子方面，具體上，例如下述一般式(ca-5-1)~(ca-5-3)所各自表示的陽離子。
Figure 02_image145
本實施形態的阻劑組成物中，(B)成分的陽離子部，以上述一般式(ca-1)~(ca-5)所各自表示的有機陽離子之任一具有電子吸引性基的有機陽離子為佳。
電子吸引性基為氟原子或氟化烷基時，(B)成分的陽離子部中之氟原子數以1~9個為佳、2~6個較佳、3個或4個再更佳。 氟原子愈多感度愈良好，但若在較佳範圍的上限值以下，則維持對顯影液的溶解性且粗糙度的劣化易被抑制。
本實施形態的阻劑組成物中，(B)成分的陽離子部，在上述中，以一般式(ca-1)所表示之陽離子為佳。即，以上述之化學式(ca-1-1)~(ca-1-117)之任一所表示之陽離子為佳、(ca-1-12)~(ca-1-96)之任一所表示之陽離子更佳。
本實施形態的阻劑組成物中，(B)成分，在上述中，以下述一般式(b-1-1)所表示之化合物為佳。
Figure 02_image147
[式中，Rb1 ~Rb3 分別獨立，為可具有取代基的芳基。Rb1 ~Rb3 之任2個可相互鍵結，與式中之硫原子一起形成環。R101 為可具有取代基的環式基、可具有取代基的鏈狀的烷基、或可具有取代基的鏈狀的烯基。R102 為碳數1~5的氟化烷基或氟原子。Y101 為含氧原子的2價連結基或單鍵。V101 為單鍵或氧原子。]
前述式(b-1-1)中，R101 、Y101 ，V101 、及R102 與前述式(b-1)中之R101 、Y101 ，V101 、及R102 相同。 Rb1 ~Rb3 各自獨立，為可具有取代基的芳基。Rb1 ~Rb3 之任2個可相互鍵結，與式中之硫原子一起形成環。Rb1 ~Rb3 中之芳基與上述式(ca-1)的R201 ~R203 中之芳基相同。前述芳基可具有的取代基與上述式(ca-1)的R201 ~R203 中之芳基可具有的取代基相同。 Rb1 ~Rb3 之任2個相互鍵結，與式中之硫原子一起形成的環方面，例如與上述式(ca-1)的R201 ~R203 相互鍵結，與式中之硫原子一起形成的環相同者。
本實施形態的阻劑組成物中，(B)成分可1種單獨使用，亦可2種以上併用。 本實施形態的阻劑組成物中，(B)成分的含量相對於(A)成分100質量份，以未達50質量份為佳、1~40質量份更佳、5~25質量份又更佳。 (B)成分的含量藉由在前述的較佳範圍，圖型形成充分地進行。又，將阻劑組成物的各成分溶解於有機溶劑時，容易得到均勻的溶液、作為阻劑組成物的保存安定性變得良好，故為佳。
≪酸擴散控制劑成分(D)≫ 本實施形態的阻劑組成物，除(A)成分及(F)成分外，進一步可含有捕捉藉由曝光而產生之酸(即，控制酸的擴散)的酸擴散控制劑成分((D)成分)。(D)成分，在阻劑組成物中用作為捕捉藉由曝光而產生之酸的淬滅劑(酸擴散控制劑)。阻劑組成物藉由含有(D)成分，在形成阻劑圖型時，可使阻劑膜的曝光部與未曝光部之對比更提升。 (D)成分方面，例如，藉由曝光而分解，喪失酸擴散控制性的光崩散性鹼(D1)(以下，稱「(D1)成分」。)、非該(D1)成分的含氮有機化合物(D2)(以下，稱「(D2)成分」。)等。此等之中，由易使高感度化、粗糙度降低、塗佈缺陷產生的抑制特性提高，以光崩散性鹼((D1)成分)為佳。
･關於(D1)成分 藉由為含有(D1)成分的抗蝕劑組成物，形成抗蝕劑圖型時，可使抗蝕劑膜的曝光部與未曝光部之對比更提升。 (D1)成分方面，若為藉由曝光而分解喪失酸擴散控制性者，則不特別限制，以下述一般式(d1-1)表示之化合物(以下稱「(d1-1)成分」。)、下述一般式(d1-2)表示之化合物(以下稱「(d1-2)成分」。)及下述一般式(d1-3)表示之化合物(以下稱「(d1-3)成分」。)所構成的群所選出的1種以上之化合物為佳。 (d1-1)~(d1-3)成分因在抗蝕劑膜的曝光部中分解而喪失酸擴散控制性(鹼性)，而不作為淬滅劑，在抗蝕劑膜的未曝光部中作為淬滅劑。
Figure 02_image149
[式中，Rd1 ~Rd4 為具有取代基亦可的環式基、具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的鏈狀的烯基。但是，為式(d1-2)中之Rd2 中之與S原子相鄰的碳原子上未鍵結有氟原子者。Yd1 為單鍵或2價連結基。m為1以上之整數，且Mm+ 各自獨立為m價有機陽離子。]
{(d1-1)成分} ･･陰離子部 式(d1-1)中，Rd1 為具有取代基亦可的環式基、具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的鏈狀的烯基，例如各自與前述R’201 相同者。 此等中，Rd1 方面，以具有取代基亦可的芳香族烴基、具有取代基亦可的脂肪族環式基、或具有取代基亦可的鏈狀的烷基為佳。此等之基可具有的取代基方面，例如羥基、側氧基、烷基、芳基、氟原子、氟化烷基、上述一般式(a2-r-1)~(a2-r-7)所各自表示的含有內酯之環式基、醚鍵、酯鍵、或此等之組合。含有醚鍵或酯鍵作為取代基之情況，可介隔伸烷基，此時之取代基方面，以上述式(y-al-1)~(y-al-5)所各自表示的連結基為佳。 前述芳香族烴基方面，宜列舉如苯基、萘基、含雙環辛烷骨架的多環構造(由雙環辛烷骨架與其以外的環構造所構成的多環構造)。 前述脂肪族環式基方面，以從金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之聚環烷烴除去1個以上之氫原子的基更佳。 前述鏈狀的烷基方面，以碳數1~10為佳，具體上，可舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之直鏈狀的烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等之分支狀的烷基。
前述鏈狀的烷基為作為取代基具有氟原子或氟化烷基的氟化烷基時，氟化烷基的碳數以1~11為佳、1~8更佳、1~4又更佳。該氟化烷基可含有氟原子以外的原子。氟原子以外的原子方面，例如氧原子、硫原子、氮原子等。 Rd1 方面，以構成直鏈狀的烷基的一部份或全部的氫原子被氟原子取代的氟化烷基為佳，構成直鏈狀的烷基的氫原子之全部被氟原子取代的氟化烷基(直鏈狀的全氟烷基)特別佳。
以下為(d1-1)成分的陰離子部的較佳具體例。
Figure 02_image151
･･陽離子部 式(d1-1)中，Mm+ 為m價有機陽離子。 Mm+ 之有機陽離子方面，較佳可舉例與前述一般式(ca-1)~(ca-4)所各自表示的陽離子相同者，前述一般式(ca-1)所表示之陽離子更佳、前述式(ca-1-1)~(ca-1-84)所各自表示的陽離子又更佳。 (d1-1)成分可1種單獨使用亦可2種以上組合使用。
{(d1-2)成分} ･･陰離子部 式(d1-2)中，Rd2 為具有取代基亦可的環式基、具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的鏈狀的烯基，例如與前述R’201 相同者。 但是，為Rd2 中之與S原子相鄰的碳原子未鍵結有氟原子(無氟取代)者。藉由此，(d1-2)成分的陰離子成為適度的弱酸陰離子，作為(D)成分的淬熄能力提升。 Rd2 方面，以具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的脂肪族環式基為佳。鏈狀的烷基方面，以碳數1~10為佳、3~10更佳。脂肪族環式基方面，以從金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等除去1個以上之氫原子的基(具有取代基亦可)；從樟腦等除去1個以上之氫原子的基更佳。 Rd2 的烴基可具有取代基，該取代基方面，例如與前述式(d1-1)的Rd1 中之烴基(芳香族烴基、脂肪族環式基、鏈狀的烷基)可具有的取代基相同者。
以下為(d1-2)成分的陰離子部的較佳具體例。
Figure 02_image153
･･陽離子部 式(d1-2)中，Mm+ 為m價有機陽離子，與前述式(d1-1)中之Mm+ 相同。 (d1-2)成分可1種單獨使用亦可2種以上組合使用。
{(d1-3)成分} ･･陰離子部 式(d1-3)中，Rd3 為具有取代基亦可的環式基、具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的鏈狀的烯基，例如與前述R’201 相同者，以含氟原子的環式基、鏈狀的烷基、或鏈狀的烯基為佳。其中，以氟化烷基為佳、與前述Rd1 之氟化烷基相同者更佳。
式(d1-3)中，Rd4 為具有取代基亦可的環式基、具有取代基亦可的鏈狀的烷基、或具有取代基亦可的鏈狀的烯基，例如與前述R’201 相同者。 其中，以具有取代基亦可的烷基、烷氧基、烯基、環式基為佳。 Rd4 中之烷基，以碳數1~5之直鏈狀或分支狀的烷基為佳，具體上，可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。Rd4 的烷基的氫原子的一部份可被羥基、氰基等取代。 Rd4 中之烷氧基，以碳數1~5的烷氧基為佳，碳數1~5的烷氧基方面，具體上，可舉例如甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基。其中，以甲氧基、乙氧基為佳。
Rd4 中之烯基為與前述R’201 中之烯基相同者，以乙烯基、丙烯基(烯丙基)、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基為佳。此等之基，進一步作為取代基可具有碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基。
Rd4 中之環式基，可舉例與前述R’201 中之環式基相同者，以從環戊烷、環己烷、金剛烷、降冰片烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之環烷烴除去1個以上之氫原子的脂環式基、或苯基、萘基等之芳香族基為佳。Rd4 為脂環式基時，阻劑組成物在有機溶劑良好地溶解，故微影術特性變得良好。又，Rd4 為芳香族基時，以EUV等為曝光光源的微影術中，該阻劑組成物光吸收效率優，感度或微影術特性變得良好。
式(d1-3)中，Yd1 為單鍵或2價連結基。 Yd1 中之2價連結基方面，雖不特別限制，例如可具有取代基的2價烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)、包含雜原子的2價連結基等。此等各自，可舉例如與在上述式(a2-1)中之Ya21 中之2價連結基說明中所列舉的可具有取代基的2價烴基、包含雜原子的2價連結基相同者。 Yd1 方面，以羰基、酯鍵、醯胺鍵、伸烷基或此等之組合為佳。伸烷基方面，以直鏈狀或分支狀的伸烷基較佳、亞甲基或伸乙基再更佳。
以下為(d1-3)成分的陰離子部的較佳具體例。
Figure 02_image155
Figure 02_image157
･･陽離子部 式(d1-3)中，Mm+ 為m價有機陽離子，與前述式(d1-1)中之Mm+ 相同。 (d1-3)成分可1種單獨使用亦可2種以上組合使用。
(D1)成分可僅使用上述(d1-1)~(d1-3)成分的任1種，亦可2種以上組合使用。 阻劑組成物含有(D1)成分之情況，阻劑組成物中，(D1)成分的含量相對於(A)成分100質量份，以0.5~20質量份為佳、1~15質量份更佳、5~10質量份又更佳。 (D1)成分的含量在較佳下限值以上，則尤其易得到良好的微影術特性及阻劑圖型形狀。另一方面，若為上限值以下，則可良好地維持感度，產率亦優異。
(D1)成分之製造方法: 前述的(d1-1)成分、(d1-2)成分之製造方法，不特別限制，可以習知方法製造。 又，(d1-3)成分之製造方法，不特別限制，例如與US2012-0149916號公報記載之方法同樣地製造。
･關於(D2)成分 (D)成分方面，可含有非上述之(D1)成分的含氮有機化合物成分(以下稱「(D2)成分」。)。 (D2)成分方面，為用作為酸擴散控制劑者，且為非(D1)成分者，則不特別限制，任意使用已知者即可。其中，以脂肪族胺為佳，其中尤其第2級脂肪族胺或第3級脂肪族胺更佳。 脂肪族胺係指具有1個以上之脂肪族基的胺，該脂肪族基以碳數1~12為佳。 脂肪族胺方面，例如氨NH3 的氫原子之至少1個以碳數12以下的烷基或者羥基烷基取代的胺(烷基胺或者烷基醇胺)或環式胺。 烷基胺及烷基醇胺的具體例方面，例如n-己基胺、n-庚基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、n-癸基胺等之單烷基胺；二乙基胺、二-n-丙基胺、二-n-庚基胺、二-n-辛基胺、二環己基胺等之二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三-n-丙基胺、三-n-丁基胺、三-n-戊基胺、三-n-己基胺、三-n-庚基胺、三-n-辛基胺、三-n-壬基胺、三-n-癸基胺、三-n-十二基胺等之三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺等之烷基醇胺。此等之中，以碳數5~10的三烷基胺再佳、三-n-戊基胺或三-n-辛基胺特別佳。
環式胺方面，例如含有氮原子作為雜原子的雜環化合物。該雜環化合物方面，可為單環式者(脂肪族單環式胺)，亦可為多環式者(脂肪族多環式胺)。 作為脂肪族單環式胺，具體上，可舉例如哌啶、哌嗪等。 脂肪族多環式胺方面，以碳數6~10者為佳，具體上，可舉例如1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、六亞甲基四胺、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷等。
其他脂肪族胺方面，例如參(2-甲氧基甲氧基乙基)胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基}胺、參{2-(1-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基丙氧基)乙基}胺、參[2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基]胺、三乙醇胺三乙酸酯等，以三乙醇胺三乙酸酯為佳。
又，(D2)成分方面，亦可使用芳香族胺。 芳香族胺方面，例如4-二甲基胺基吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或此等之衍生物、三苄基胺、2,6-二異丙基苯胺、N-tert-丁氧基羰基吡咯烷等。
(D2)成分可1種單獨使用亦可2種以上組合使用。 抗蝕劑組成物含有(D2)成分之情況，抗蝕劑組成物中，(D2)成分的含量相對於(A)成分100質量份，通常在0.01~5質量份之範圍使用。藉由在上述範圍，抗蝕劑圖型形狀、長期安定性等提升。
≪由有機羧酸、以及磷的含氧酸及其衍生物所構成的群選出的至少1種化合物(E)≫ 在本實施形態的抗蝕劑組成物，以防止感度劣化、或抗蝕劑圖型形狀、長期安定性等之提升的目的，作為任意成分，可含有由有機羧酸、以及磷的含氧酸及其衍生物所構成的群選出的至少1種化合物(E)(以下稱「(E)成分」)。 有機羧酸方面，例如以乙酸、丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、安息香酸、水楊酸等為宜。 磷的含氧酸方面，例如磷酸、膦酸、次膦酸(Phosphinic acid)等，此等之中，尤其以膦酸為佳。 磷的含氧酸的衍生物方面，例如上述含氧酸的氫原子以烴基取代的酯等，前述烴基方面，例如碳數1~5的烷基、碳數6~15的芳基等。 磷酸的衍生物方面，例如磷酸二-n-丁酯、磷酸二苯酯等之磷酸酯等。 膦酸的衍生物方面，例如膦酸二甲酯、膦酸-二-n-丁酯、苯基膦酸、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等之膦酸酯等。 次膦酸(Phosphinic acid)的衍生物方面，例如次膦酸酯或苯基次膦酸等。 本實施形態的抗蝕劑組成物中，(E)成分，可1種單獨使用、亦可2種以上併用。 抗蝕劑組成物含有(E)成分之情況，(E)成分的含量相對於(A)成分100質量份，通常在0.01~5質量份之範圍使用。
≪有機溶劑成分(S)≫ 本實施形態的阻劑組成物，可將阻劑材料溶於有機溶劑成分(以下，稱「(S)成分」)來製造。 (S)成分方面，為可將使用的各成分溶解，作成均勻的溶液者即可，以往可由作為化學增幅型阻劑組成物的溶劑之已知者中適宜選擇任意者使用。 (S)成分方面，例如，γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵的化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵的化合物的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等之單烷基醚或單苯基醚等之具有醚鍵的化合物等之多元醇類的衍生物[在此等之中，以丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME)為佳]；二噁烷般環式醚類、或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、均三甲苯等之芳香族系有機溶劑、二甲基亞碸(DMSO)等。 本實施形態的阻劑組成物中，(S)成分可1種單獨使用，亦可作為2種以上之混合溶劑使用。其中，以PGMEA、PGME、γ-丁內酯、EL、環己酮為佳。
又，(S)成分方面，為混合PGMEA與極性溶劑的混合溶劑亦佳。該搭配比(質量比)考量PGMEA與極性溶劑之相溶性等而適宜決定即可，但較佳為1:9~9:1、更佳為2:8~8:2之範圍內。 更具體上，搭配EL或環己酮作為極性溶劑之情況，PGMEA:EL或環己酮的質量比，較佳為1:9~9:1、更佳為2:8~8:2。又，搭配PGME作為極性溶劑之情況，PGMEA:PGME的質量比，較佳為1:9~9:1、更佳為2:8~8:2、進一步較佳為3:7~7:3。進一步，為PGMEA與PGME與環己酮之混合溶劑亦佳。 又，作為(S)成分，此外，由PGMEA及EL中所選出的至少1種與γ-丁內酯之混合溶劑亦佳。該情況，混合比例方面，前者與後者之質量比，較佳為70:30~95:5。 (S)成分的使用量不特別限制，為能塗佈於基板等的濃度，因應塗佈膜厚而適宜設定。一般來說，抗蝕劑組成物的固形分濃度成為0.1~20質量%、較佳為0.2~15質量%之範圍內使用(S)成分。
在本實施形態的抗蝕劑組成物，進一步因期望，可適宜、添加含有具混和性的添加劑，例如改良抗蝕劑膜的性能用的附加的樹脂、溶解抑制劑、可塑劑、安定劑、著色劑、暈影防止劑、染料等。
本實施形態的抗蝕劑組成物，使上述抗蝕劑材料溶於(S)成分後，可使用聚醯亞胺多孔質膜、聚醯胺醯亞胺多孔質膜等，進行雜質等之除去。例如亦可使用由聚醯亞胺多孔質膜所構成的過濾器、由聚醯胺醯亞胺多孔質膜所構成的過濾器、由聚醯亞胺多孔質膜及聚醯胺醯亞胺多孔質膜所構成的過濾器等，進行抗蝕劑組成物的過濾。前述聚醯亞胺多孔質膜及前述聚醯胺醯亞胺多孔質膜方面，例如特開2016-155121號公報記載者等。
以上說明的本實施形態的阻劑組成物，含有組合具有一般式(a0-1)所表示之構成單位(a0)的(A1)成分、與具有一般式(f01-1)所表示之構成單位(f01)與包含一般式(f02-1)所表示之酸解離性基的構成單位(f02)之(F1)成分。 以往的阻劑組成物，在缺陷、圖型形狀、及粗糙度有權衡關係，難以獲得此等全部提升的阻劑組成物。 相對於此，本實施形態的阻劑組成物，藉由含有組合(A1)成分及(F1)成分，可使缺陷降低，圖型形狀提升，且可得到粗糙度的改善。該理由雖未解明，但推測如下。 (A1)成分藉由具有構成單位(a0)，對顯影液(尤其鹼顯影液)之溶解性提高。另一方面，(F1)成分藉由具有構成單位(f01)，阻劑膜的拒水性提升，藉由具有構成單位(f02)，在曝光部中對酸之反應性提升。進一步藉由具有構成單位(f01)，對顯影液的親和性變高。藉由此，認為阻劑組成物藉由組合含有(A1)成分及(F1)成分，顯影前的阻劑膜的拒水性變高，同時對曝光後的顯影所使用的顯影液的親和性變高，得到缺陷、圖型形狀、及粗糙度的改善。
(阻劑圖型形成方法) 本實施形態的阻劑圖型形成方法為具有:於支持體上，使用上述實施形態的阻劑組成物，形成阻劑膜的步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟、及使前述曝光後的阻劑膜顯影，形成阻劑圖型之步驟的方法。 該阻劑圖型形成方法的一實施形態方面，例如如下進行的阻劑圖型形成方法。
首先將上述實施形態的抗蝕劑組成物於支持體上以旋塗機等塗佈，以例如80~150℃的溫度條件，實施40~120秒鐘、較佳為60~90秒鐘之烘烤(預烘烤(PAB))處理，形成抗蝕劑膜。 接著，對該抗蝕劑膜，使用例如電子線描繪裝置、EUV曝光裝置等之曝光裝置，進行透過形成有特定圖型的遮罩(遮罩圖型)的曝光或不透過遮罩圖型的電子線之直接照射之描繪等的選擇性曝光後，以例如80~150℃的溫度條件，實施40~120秒鐘、較佳為60~90秒鐘之烘烤(曝光後烘烤(PEB))處理。 接著將前述抗蝕劑膜進行顯影處理。顯影處理為鹼顯影製程時，使用鹼顯影液，為溶劑顯影製程時，使用含有有機溶劑之顯影液(有機系顯影液)進行。
顯影處理後，較佳為進行淋洗處理。淋洗處理為鹼顯影製程時以使用純水的水淋洗為佳，為溶劑顯影製程時以使用含有機溶劑的淋洗液為佳。 溶劑顯影製程時，在前述顯影處理或淋洗處理後，可進行將附著於圖型上的顯影液或淋洗液以超臨界流體除去之處理。 顯影處理後或淋洗處理後、進行乾燥。又，因情況，於上述顯影處理後可進行烘烤處理(曝光後烘烤)。 如此，可形成抗蝕劑圖型。
支持體方面，不特別限制，可使用以往已知者，例如電子零件用的基板、或於其形成有特定的配線圖型者等。更具體上，可舉例如矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等之金屬製的基板、或玻璃基板等。配線圖型的材料方面，可使用例如銅、鋁、鎳、金等。 又，支持體方面，可為在上述般基板上設有無機系及/或有機系的膜者。無機系的膜方面，例如無機防反射膜(無機BARC)。有機系的膜方面，例如有機防反射膜(有機BARC)、或多層抗蝕劑法中之下層有機膜等之有機膜。 在此，多層抗蝕劑法係指在基板上設置至少一層之有機膜(下層有機膜)與至少一層之抗蝕劑膜(上層抗蝕劑膜)，以形成於上層抗蝕劑膜的抗蝕劑圖型作為遮罩，進行下層有機膜的圖型化之方法，且可形成高長寬比之圖型。即，根據多層抗蝕劑法，藉由下層有機膜而可確保所要之厚度，故可使抗蝕劑膜薄膜化，能形成高長寬比的微細圖型。 多層抗蝕劑法，基本上，可分為作成上層抗蝕劑膜與下層有機膜之二層構造的方法(2層抗蝕劑法)、與作成在上層抗蝕劑膜與下層有機膜間設置一層以上之中間層(金屬薄膜等)的三層以上之多層構造的方法(3層抗蝕劑法)。
曝光所使用的波長不特別限制，可使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F2 準分子雷射、EUV(極端紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等之放射線進行。前述抗蝕劑組成物非常有用於KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB或EUV用，作為ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性更高、作為ArF準分子雷射用之有用性特別高。即，本實施形態的抗蝕劑圖型形成方法在使抗蝕劑膜曝光的步驟包含對前述抗蝕劑膜進行作為ArF準分子雷射曝光操作之情況，為特別有用的方法。
抗蝕劑膜的曝光方法可為在空氣或氮等之惰性氣體中進行的一般曝光(乾曝光)，亦可為液浸曝光(Liquid Immersion Lithography)。 液浸曝光為預先使抗蝕劑膜與曝光裝置之最下位置之鏡片間，充滿具有比空氣之折射率大的折射率之溶劑(液浸媒介)，以該狀態進行曝光(浸漬曝光)之曝光方法。 液浸媒介方面，以具有比空氣之折射率大，且比欲曝光之抗蝕劑膜的折射率小的折射率之溶劑為佳。該溶劑的折射率方面，在前述範圍內則不特別限制。 具有比空氣之折射率大，且比前述抗蝕劑膜的折射率小的折射率的溶劑方面，例如水、氟系惰性液體、矽系溶劑、烴系溶劑等。 氟系惰性液體的具體例方面，例如以C3 HCl2 F5 、C4 F9 OCH3 、C4 F9 OC2 H5 、C5 H3 F7 等之氟系化合物為主成分之液體等，以沸點70~180℃者為佳、80~160℃者更佳。氟系惰性液體若為具有上述範圍之沸點者，則曝光完畢後，可以簡便方法進行液浸使用的媒介之除去，故為佳。 氟系惰性液體方面，尤其以烷基的氫原子全部被氟原子取代的全氟烷基化合物為佳。全氟烷基化合物方面，具體上，可舉例如全氟烷基醚化合物、全氟烷基胺化合物。 進一步具體上，前述全氟烷基醚化合物方面，可舉例如全氟(2-丁基-四氫呋喃)(沸點102℃)，前述全氟烷基胺化合物方面，可舉例如全氟三丁基胺(沸點174℃)。 液浸媒介方面，由成本、安全性、環境問題、通用性等之觀點來看，以使用水為佳。
在鹼顯影製程，顯影處理所使用的鹼顯影液方面，例如0.1~10質量%四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液。 在溶劑顯影製程，顯影處理所使用的有機系顯影液所含有之有機溶劑方面，為可溶解(A)成分(曝光前之(A)成分)者即可，可由習知有機溶劑中適宜選擇。具體上，可舉例如酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等之極性溶劑、烴系溶劑等。 酮系溶劑為構造中包含C-C(=O)-C的有機溶劑。酯系溶劑為構造中包含C-C(=O)-O-C的有機溶劑。醇系溶劑為構造中包含醇性羥基的有機溶劑。「醇性羥基」係指鍵結於脂肪族烴基的碳原子的羥基。腈系溶劑為構造中包含腈基的有機溶劑。醯胺系溶劑為構造中包含醯胺基的有機溶劑。醚系溶劑為構造中包含C-O-C的有機溶劑。 有機溶劑中，亦存在構造中包含數種上述各溶劑特徴的官能基之有機溶劑，但彼時，亦為包含該有機溶劑具有的官能基之任意溶劑種。例如二乙二醇單甲基醚為上述分類中之醇系溶劑、醚系溶劑的任意。 烴系溶劑為由可經鹵素化的烴而成，且不具有鹵原子以外的取代基的烴溶劑。鹵原子方面，可舉例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，以氟原子為佳。 有機系顯影液所含有之有機溶劑方面，上述中，以極性溶劑為佳、酮系溶劑、酯系溶劑、腈系溶劑等為佳。
酮系溶劑方面，例如1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯基丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮、二丙酮基醇、乙醯基甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛爾酮、丙烯碳酸酯、γ-丁內酯、甲基戊基酮(2-庚酮)等。此等之中，酮系溶劑方面，以甲基戊基酮(2-庚酮)為佳。
酯系溶劑方面，例如乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單丙基醚乙酸酯、二乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、蟻酸甲酯、蟻酸乙酯、蟻酸丁酯、蟻酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。此等之中，酯系溶劑方面，以乙酸丁酯為佳。
腈系溶劑方面，例如乙腈、丙腈、戊腈、丁腈等。
在有機系顯影液，因應必要可搭配習知添加劑。該添加劑方面，例如界面活性劑。界面活性劑方面，雖不特別限制，可使用例如離子性或非離子性的氟系及/或矽系界面活性劑等。界面活性劑方面，以非離子性的界面活性劑為佳、非離子性的氟系界面活性劑、或非離子性的矽系界面活性劑更佳。 搭配界面活性劑之情形，該搭配量，相對有機系顯影液的全量，通常為0.001~5質量%，以0.005~2質量%為佳、0.01~0.5質量%更佳。
本實施形態的阻劑圖型形成方法，在使顯影使用鹼顯影液進行之場合為尤其有用的方法。
顯影處理可以習知顯影方法實施，例如在顯影液中使支持體進行一定時間浸漬之方法(浸漬法)、藉由利用表面張力使顯影液堆積至支持體表面並靜止一定時間之(覆液法)、對支持體表面噴射顯影液的方法(噴霧法)、一面以一定速度掃描顯影液噴出噴嘴，一面朝以一定速度旋轉的支持體上連續噴出顯影液的方法(動態分配法)等。
在溶劑顯影製程，顯影處理後的淋洗處理所使用的淋洗液所含有之有機溶劑方面，例如作為前述有機系顯影液所使用的有機溶劑所列舉的有機溶劑中，可適宜選擇使用不易溶解抗蝕劑圖型者。通常使用由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑選出的至少1種類的溶劑。此等中，以由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑選出的至少1種類為佳、由醇系溶劑及酯系溶劑選出的至少1種類更佳、醇系溶劑特別佳。 淋洗液所使用的醇系溶劑以碳數6~8的1價醇為佳，該1價醇可為直鏈狀、分支狀或環狀任意。具體上，可舉例如1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、苄基醇等。此等中，以1-己醇、2-庚醇、2-己醇為佳、1-己醇、2-己醇更佳。 此等之有機溶劑可任1種單獨使用亦可2種以上併用。又，亦可與上述以外的有機溶劑或水混合使用。但是，考量顯影特性，則淋洗液中之水的搭配量，相對於淋洗液的全量，以30質量%以下為佳、10質量%以下更佳、5質量%以下再佳、3質量%以下特別佳。 在淋洗液，因應必要可搭配習知添加劑。該添加劑方面，例如界面活性劑。界面活性劑，例如與前述相同者，以非離子性的界面活性劑為佳、非離子性的氟系界面活性劑、或非離子性的矽系界面活性劑更佳。 搭配界面活性劑之情形，該搭配量相對淋洗液的全量，通常為0.001~5質量%，以0.005~2質量%為佳、0.01~ 0.5質量%更佳。
使用淋洗液的淋洗處理(洗淨處理)可藉由習知淋洗方法實施。該淋洗處理的方法方面，例如將淋洗液連續噴出至以一定速度旋轉的支持體上的方法(旋轉塗佈法)、使支持體於淋洗液中浸漬一定時間的方法(浸漬法)、對支持體表面噴射淋洗液的方法(噴霧法)等。
根據以上說明的本實施形態的阻劑圖型形成方法，因使用上述第1實施形態的阻劑組成物，可形成高感度、微影術特性優異的阻劑圖型。
[實施例]
以下，以實施例將本發明進一步詳細說明，但本發明不限於此等之例。
＜阻劑組成物的調製＞ (實施例1~8、比較例1~5) 混合表1及2所示各成分使其溶解，各自調製各例的阻劑組成物。
Figure 02_image159
Figure 02_image161
表1、2中，各縮寫各自具有以下的意義。[ ]內的數值為搭配量(質量份)。 (A1)-1:下述化學式(A1-1)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為7200、分子量分散度(Mw/Mn)為1.44。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。 (A1)-2:下述化學式(A1-2)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為6900、分子量分散度(Mw/Mn)為1.43。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。 (A1)-3:下述化學式(A1-3)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為7000、分子量分散度(Mw/Mn)為1.43。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。 (A1)-4:下述化學式(A1-4)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為7500、分子量分散度(Mw/Mn)為1.48。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。 (A1)-5:下述化學式(A1-5)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為7200、分子量分散度(Mw/Mn)為1.44。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。 (A1)-6:下述化學式(A1-6)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為6700、分子量分散度(Mw/Mn)為1.41。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。 (A2)-1:下述化學式(A2-1)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為6500、分子量分散度(Mw/Mn)為1.40。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=50/50。
Figure 02_image163
Figure 02_image165
(F1)-1:下述化學式(F1-1)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為24100、分子量分散度(Mw/Mn)為1.54。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=75/25。 (F1)-2:下述化學式(F1-2)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為21100、分子量分散度(Mw/Mn)為1.53。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=75/25。 (F1)-3:下述化學式(F1-3)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為197000、分子量分散度(Mw/Mn)為1.56。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=75/25。 (F2)-1:下述化學式(F2-1)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為22900、分子量分散度(Mw/Mn)為1.49。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=75/25。 (F2)-2:下述化學式(F2-2)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為21900、分子量分散度(Mw/Mn)為1.58。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=75/25。 (F2)-3:下述化學式(F2-3)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為24000、分子量分散度(Mw/Mn)為1.55。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=75/25。 (F2)-4:下述化學式(F2-4)所表示之高分子化合物。GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為22800、分子量分散度(Mw/Mn)為1.50。13 C-NMR所求得的共聚合組成比(構造式中之各構成單位的比例(莫耳比))為l/m=75/25。
Figure 02_image167
Figure 02_image169
(B)-1:下述化合物(B-1)所表示之化合物所構成的酸產生劑。 (D)-1:下述化合物(D-1)所表示之化合物所構成的酸擴散控制劑。
Figure 02_image171
Figure 02_image173
(S)-1:丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單甲基醚/環己酮=1300/900/700(質量比)的混合溶劑。
＜阻劑圖型的形成1＞ 在12吋的矽晶圓上，將有機系防反射膜組成物「ARC29A」(Brewer Science公司製)使用旋塗機進行塗佈，在加熱板上以205℃、進行60秒鐘燒成使其乾燥，形成膜厚98nm的有機系防反射膜。 在前述有機系防反射膜上，將各例的阻劑組成物各自使用旋塗機進行塗佈，在加熱板上以120℃進行60秒鐘的預烘烤(PAB)處理，進行乾燥，藉此形成膜厚100nm的阻劑膜。 接著以液浸用ArF曝光裝置XT1900Gi[ASML公司製；NA(開口數)=1.35，Annular，Sigma0.90/0.44，液浸媒介:超純水]，透過光罩(6%半色调)，選擇性地照射ArF準分子雷射(193nm)。之後在80℃進行60秒鐘的PEB處理。接著，在23℃以2.38質量%之TMAH水溶液(商品名:NMD-3、東京應化工業股份公司製)進行15秒鐘的鹼顯影，之後，使用純水進行15秒鐘的水淋洗，進行甩乾乾燥。其結果，任一例中各自形成線寬90nm、間距160nm(遮罩尺寸80nm)的線/間距圖型(以下，稱「LS圖型」)。
[LWR(線寬粗糙度)的評估] 關於上述＜阻劑圖型的形成1＞所形成的LS圖型，求出表示LWR之尺度的3σ。將其作為「LWR(nm)」表示於表3、4。 「3σ」係藉由掃描型電子顯微鏡(加速電壓800V、商品名:S-9380、Hitachi High-Technologies公司製)，在線的縱向方向測定線位置400處，由該測定結果求出的標準偏差(σ)的3倍值(3σ)(單位:nm)。該3σ值愈小，線側壁的粗糙度愈小，意指得到更均勻寬度的LS圖型。
[LS圖型形狀的評估] 將前述＜阻劑圖型的形成1＞所形成的LS圖型的形狀以測長SEM(掃描型電子顯微鏡、加速電壓800V、商品名:SU-8000、日立高科技公司製)觀察，依據下述評估基準進行評估。其結果作為「圖型形狀」表示於表3、4。 評估基準 ◎:為矩形且垂直性高 〇:雖為矩形但與◎相比，垂直性稍差 ×:T形形狀(T-shaped)、或頂圓形狀(圖型的頂部為圓的)
＜阻劑圖型的形成2＞ 在12吋的矽晶圓上，將有機系防反射膜組成物「ARC29A」(Brewer Science公司製)使用旋塗機進行塗佈，在加熱板上以205℃、進行60秒鐘燒成使其乾燥，形成膜厚98nm的有機系防反射膜。 在前述有機系防反射膜上，將各例的阻劑組成物各自使用旋塗機進行塗佈，在加熱板上以120℃進行60秒鐘的預烘烤(PAB)處理，進行乾燥，藉此形成膜厚100nm的阻劑膜。 接著，以液浸用ArF曝光裝置XT1900Gi[ASML公司製；NA(開口數)=1.35，Annular，Sigma0.90/0.44，TE偏向，液浸媒介:超純水]，透過光罩(6%半色调)，選擇性地照射ArF準分子雷射(193nm)。之後在80℃進行60秒鐘的PEB處理。接著，在23℃以2.38質量%之TMAH水溶液(商品名:NMD-3、東京應化工業股份公司製)進行10秒鐘的鹼顯影，之後，使用純水進行15秒鐘的水淋洗，進行甩乾乾燥。其結果，任一例中各自形成線寬70nm、間距130nm (遮罩尺寸65nm)的LS圖型。
[缺陷(缺陷數)的評估] 關於上述＜阻劑圖型的形成2＞所形成的LS圖型，使用表面缺陷觀察裝置(製品名:KLA2905、KLA-Tencor公司製)，測定晶圓內全部缺陷數(全缺陷數)。以下述評估基準評估缺陷數，其評估結果作為「缺陷數」表示於表3、4。 評估基準 A:缺陷數未達50個 B:缺陷數50個以上未達100個 C:缺陷數100個以上未達200個 D:缺陷數200個以上
Figure 02_image175
Figure 02_image177
由表3、4所示結果，可確認根據實施例的阻劑組成物，與比較例的阻劑組成物相比，LWR及圖型形狀提升，且可形成缺陷數少的阻劑圖型。

Claims (5)

  1. 一種阻劑組成物，其係經由曝光產生酸，且經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的阻劑組成物，其特徵係含有經由酸的作用而對顯影液之溶解性改變的基材成分(A)、與氟添加劑成分(F)， 前述基材成分(A)包含具有以下述一般式(a0-1)所表示之構成單位(a0)的高分子化合物(A1)， 前述氟添加劑成分(F)包含具有以下述一般式(f01-1)所表示之構成單位(f01)與含有以下述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基的構成單位(f02)的高分子化合物(F1)，
    Figure 03_image001
    [式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Va01 為2價連結基，na01 為0~2的整數，Ra01 為具有自鹵素原子、羧基、醯基、硝基及氰基所構成的群選擇之至少1個取代基的含內酯之環式基]
    Figure 03_image003
    [式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Vf01 為2價連結基，Rf011 及Rf012 各自獨立，為氫原子、氟原子、羥基、甲基、或三氟甲基]
    Figure 03_image005
    [式中，Rf021 及Rf022 各自獨立，為可具有取代基的碳數1~3的烷基，Rf023 為可具有取代基的多環式脂肪族烴基，*為鍵結鍵]。
  2. 如請求項1記載之阻劑組成物，其中，前述一般式(a0-1)中之Ra01 為下述一般式(Ra0-1)所表示之含內酯之環式基，
    Figure 03_image007
    [式中，Ra012 及Ra013 各自獨立，為氫原子、碳數1~5的烷基、碳數1~5的烷氧基、碳數1~5的烷基硫基、或Ra012 及Ra013 相互連結，為可含氧原子或者硫原子的碳數1~6的伸烷基、醚鍵(-O-)、或者硫醚鍵(-S-)，X011 為鹵素原子、羧基、醯基、硝基、或氰基，Ra011 為碳數1~6的烷基、羥基部分可被保護基保護的碳數1~6的羥基烷基、形成鹽的羧基、或取代氧基羰基，p01 為0~8的整數，q01 為1~9的整數。但是，p01 +q01 =9，X011 存在2個以上時，複數的X011 可為相同或相異，Ra011 存在2個以上時，複數的Ra011 可為相同或相異，Ra012 及Ra013 相互連結，形成可含氧原子或硫原子的碳數1~6的伸烷基之情況，X011 及Ra011 各自獨立，可作為取代前述碳數1~6的伸烷基的氫原子的取代基存在，*為與前述式(a0-1)中之氧原子鍵結之鍵結鍵]。
  3. 如請求項1記載之阻劑組成物，其中，前述構成單位(f02)為下述一般式(f02-1)所表示之構成單位，
    Figure 03_image009
    [式中，R為氫原子、碳數1~5的烷基或碳數1~5的鹵化烷基，Vf02 為可具有醚鍵的2價烴基，nf02 為0~2的整數，Rf024 為前述一般式(f02-r-1)所表示之酸解離性基]。
  4. 一種阻劑圖型形成方法，其特徵系具有下述步驟:於支持體上，使用請求項1記載之阻劑組成物形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟、及使前述曝光後的阻劑膜顯影，形成阻劑圖型之步驟。
  5. 如請求項4記載之阻劑圖型形成方法，其中，前述曝光為液浸曝光。
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