TW202136907A - 阻劑組成物、阻劑圖型形成方法及酸擴散控制劑 - Google Patents

Abstract

一種阻劑組成物，其係藉由曝光而產生酸，且藉由酸的作用，對顯影液之溶解性會變化的阻劑組成物，其含有藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的基材成分(A)，與下述通式(d0)表示之化合物(D0)。Rd⁰¹ 表示1價有機基。Rd⁰² 表示單鍵或2價連結基。m表示1以上之整數，M^m+ 表示m價之有機陽離子。

Description

阻劑組成物、阻劑圖型形成方法及酸擴散控制劑

本發明係關於阻劑組成物、阻劑圖型形成方法及酸擴散控制劑。  　　本案係基於2019年12月19日於日本申請的日本特願2019-229770號主張優先權，其內容援用於此。

近年來，於半導體元件或液晶顯示元件之製造中，由於微影術技術的進步，圖型之微細化係急速地進展。微細化之手法，一般而言係進行曝光光源之短波長化(高能量化)。

對於阻劑材料，係要求對此等曝光光源之感度、可再現微細尺寸之圖型的解像性等之微影術特性。  　　作為滿足如此的要求之阻劑材料，以往，係使用含有藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的基材成分，與藉由曝光而會產生酸的酸產生劑成分之化學增幅型阻劑組成物。

於阻劑圖型之形成中，藉由曝光而由酸產生劑成分所產生之酸的行為，為對微影術特性造成大的影響之一要素。  　　對此，提出了一併具有酸產生劑成分以及酸擴散控制劑的化學增幅型阻劑組成物，該酸擴散控制劑係控制藉由曝光而由該酸產生劑成分所產生之酸的擴散。  　　例如專利文獻1中，揭示含有藉由酸的作用，對顯影液之溶解性會變化的樹脂成分、酸產生劑成分，與具有特定結構之陰離子部作為酸擴散控制劑的光反應性淬滅劑之阻劑組成物。該光反應性淬滅劑，係為與由酸產生劑成分所產生之酸產生離子交換反應而發揮淬滅效果的成分，藉由摻合該光反應性淬滅劑，控制由酸產生劑成分所產生之酸自阻劑膜曝光部擴散至未曝光部，實現微影術特性之提高。    [先前技術文獻]  [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-125146號公報

[發明所欲解決之課題]

最近，微影術技術之更加進步、應用領域之擴大等係有進展，圖型之微細化係急速地推進。而伴隨於此，於製造半導體元件等時，要求能夠以良好的形狀形成圖型寬度之尺寸低於100nm之微細之圖型的技術。  　　但是，如上述專利文獻1所記載的以往之阻劑組成物中，高感度化與粗糙度減低係存在著取捨(trade off)之關係，難以兼顧此等。

本發明係有鑑於上述實情而為者，其課題為提供可實現高感度化，且粗糙度等之微影術特性優良的阻劑組成物及使用該阻劑組成物之阻劑圖型形成方法。    [用以解決課題之手段]

為了解決上述課題，本發明採用以下構成。  　　亦即，本發明之第1態樣，為一種阻劑組成物，其係藉由曝光而產生酸，且藉由酸的作用，對顯影液之溶解性會變化的阻劑組成物，其含有藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的基材成分(A)，與下述通式(d0)表示之化合物(D0)；

[式中，Rd⁰¹ 表示1價有機基；Rd⁰² 表示單鍵或2價連結基；m表示1以上之整數，M^m+ 表示m價之有機陽離子]。

本發明之第2態樣，為一種阻劑圖型形成方法，其具有使用前述第1態樣之阻劑組成物於支持體上形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟，及將前述曝光後之阻劑膜顯影而形成阻劑圖型之步驟。

本發明之第3態樣，為一種酸擴散控制劑，其包含下述通式(d0)表示之化合物；

[式中，Rd⁰¹ 表示1價有機基；Rd⁰² 表示單鍵或2價連結基；m表示1以上之整數，M^m+ 表示m價之有機陽離子]。    [發明之效果]

依照本發明，可提供可實現高感度化，且粗糙度等之微影術特性優良的阻劑組成物及使用該阻劑組成物之阻劑圖型形成方法。

本說明書及本申請專利範圍中，「脂肪族」係指對於芳香族之相對的概念，定義為意指不具備芳香族性之基、化合物等。  　　「烷基」若無特別指明，則包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀之1價飽和烴基。烷氧基中之烷基亦相同。  　　「伸烷基」若無特別指明，則包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀之2價飽和烴基。  　　「鹵素原子」可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。「構成單位」，意指構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)之單體單位(單體單位)。  　　記載為「可具有取代基」時，包含將氫原子(-H)以1價基取代的情況，與將亞甲基(-CH₂ -)以2價基取代的情況兩者。  　　「曝光」，係指包含放射線之照射整體的概念。

「酸分解性基」，為具有可藉由酸的作用，使該酸分解性基之結構中的至少一部分鍵結開裂的酸分解性之基。  　　藉由酸的作用而極性會增大的酸分解性基，例如可列舉藉由酸的作用而分解而產生極性基之基。  　　極性基例如可列舉羧基、羥基、胺基、磺基(-SO₃ H)等。  　　作為酸分解性基，更具體而言，可列舉前述極性基經酸解離性基保護之基(例如將含OH之極性基之氫原子，以酸解離性基保護之基)。

「酸解離性基」，係指下述(i)、(ii)的雙方：(i)具有可藉由酸的作用，使該酸解離性基與鄰接於該酸解離性基的原子之間的鍵結開裂之酸解離性之基，或(ii)藉由酸的作用而使一部分鍵結開裂之後，可進一步藉由產生脫碳酸反應，使該酸解離性基與鄰接於該酸解離性基的原子之間的鍵結開裂之基。  　　構成酸分解性基之酸解離性基，必需為較藉由該酸解離性基之解離所生成的極性基更低極性之基，藉此，藉由酸的作用而使該酸解離性基解離時，產生較該酸解離性基更高極性之極性基，而使極性增大。其結果，(A1)成分全體之極性會增大。藉由極性增大，相對地，對顯影液之溶解性會變化，顯影液為鹼顯影液時溶解性會增大，顯影液為有機系顯影液時溶解性會減少。

「基材成分」，係指具有膜形成能力之有機化合物。作為基材成分使用的有機化合物，粗分為非聚合物與聚合物。非聚合物通常係使用分子量500以上且未達4000者。以下稱作「低分子化合物」時，係表示分子量500以上且未達4000之非聚合物。聚合物通常係使用分子量1000以上者。以下稱作「樹脂」、「高分子化合物」或「聚合物」時，係表示分子量1000以上之聚合物。聚合物之分子量，為使用以GPC(凝膠滲透層析)所得之聚苯乙烯換算之質量平均分子量者。

「所衍生之構成單位」，意指碳原子間之多重鍵，例如乙烯性雙鍵開裂而構成的構成單位。  　　「丙烯酸酯」，其鍵結於α位之碳原子上的氫原子亦可經取代基取代。取代該鍵結於α位之碳原子上的氫原子之取代基(R^αx )，為氫原子以外之原子或基。又，亦包含取代基(R^αx )經含酯鍵之取代基取代的依康酸二酯，或取代基(R^αx )經羥基烷基或其羥基經修飾之基取代的α羥基丙烯酸酯。再者，丙烯酸酯的α位之碳原子，若無特別指明，則指丙烯酸之羰基所鍵結的碳原子。  　　以下，有將鍵結於α位之碳原子上的氫原子經取代基取代之丙烯酸酯，稱為α取代丙烯酸酯者。

「衍生物」，係指包含對象化合物的α位之氫原子經烷基、鹵化烷基等之其他取代基取代者，以及該等之衍生物的概念。該等之衍生物，可列舉將α位之氫原子可經取代基取代的對象化合物之羥基的氫原子以有機基取代者；於α位之氫原子可經取代基取代的對象化合物上，鍵結羥基以外之取代基者等。再者，α位若無特別指明，則指與官能基鄰接之第1個碳原子。  　　取代羥基苯乙烯的α位之氫原子的取代基，可列舉與R^{α x} 相同者。

本說明書及本申請專利範圍中，依化學式表示之結構不同，係有存在不對稱碳，而可存在鏡像異構物(enantiomer)或非鏡像異構物(diastereomer)者。此時係以一個化學式而代表性地表示該等異構物。該等異構物可單獨使用、亦可作為混合物來使用。

(阻劑組成物)  　　本實施形態之阻劑組成物，為藉由曝光而產生酸，且藉由酸的作用，對顯影液之溶解性會變化者。  　　該阻劑組成物，含有藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的基材成分(A)(以下亦稱「(A)成分」)，與上述通式(d0)表示之化合物(D0)(以下亦稱「(D0)成分」)。

使用本實施形態之阻劑組成物形成阻劑膜，並對該阻劑膜進行選擇性的曝光時，於該阻劑膜之曝光部產生酸，藉由該酸的作用，(A)成分對顯影液之溶解性會變化，另一方面，於該阻劑膜之未曝光部，(A)成分對顯影液之溶解性不會變化，因此於曝光部與未曝光部之間產生對顯影液的溶解性之差。因此，將該阻劑膜顯影時，該阻劑組成物為正型的情況，阻劑膜曝光部被溶解去除而形成正型之阻劑圖型，該阻劑組成物為負型的情況，阻劑膜未曝光部被溶解去除而形成負型之阻劑圖型。

本說明書中，將阻劑膜曝光部被溶解去除而形成正型阻劑圖型之阻劑組成物稱為正型阻劑組成物，將阻劑膜未曝光部被溶解去除而形成負型阻劑圖型之阻劑組成物稱為負型阻劑組成物。本實施形態之阻劑組成物，可為正型阻劑組成物、亦可為負型阻劑組成物。又，本實施形態之阻劑組成物，可為於阻劑圖型形成時之顯影處理使用鹼顯影液的鹼顯影製程用、亦可為於該顯影處理使用含有有機溶劑之顯影液(有機系顯影液)的溶劑顯影製程用。

本實施形態之阻劑組成物，為具有藉由曝光而產生酸的酸產生能力者，可為(A)成分藉由曝光而產生酸、亦可為不同於(A)成分而另外摻合的添加劑成分藉由曝光而產生酸。  　　本實施形態之阻劑組成物，具體而言，可為(1)進一步含有藉由曝光而會產生酸的酸產生劑成分(B)(以下稱「(B)成分」)者；可為(2)(A)成分為藉由曝光而產生酸的成分；亦可為(3)(A)成分為藉由曝光而產生酸的成分，且進一步含有(B)成分者。亦即，上述(2)及(3)的情況時，(A)成分係為「藉由曝光而產生酸，且藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的基材成分」。(A)成分為藉由曝光而產生酸，且藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的基材成分時，較佳後述(A1)成分，為藉由曝光而產生酸，且藉由酸的作用，對顯影液之溶解性會變化的高分子化合物。作為如此的高分子化合物，可使用具有藉由曝光而產生酸的構成單位之樹脂。藉由曝光而產生酸的構成單位，可使用公知者。其中，本實施形態之阻劑組成物尤以上述(1)的情況者為佳。

＜(A)成分＞  　　本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分較佳包含藉由酸的作用，對顯影液之溶解性會變化的樹脂成分(A1)(以下亦稱為「(A1)成分」)。藉由使用(A1)成分，於曝光前後，基材成分之極性會變化，因此不僅是鹼顯影製程，即使於溶劑顯影製程亦可得到良好的顯影對比。  　　作為(A)成分，至少使用(A1)成分，亦可與該(A1)成分一起，合併使用其他高分子化合物及/或低分子化合物。

應用鹼顯影製程時，含有該(A1)成分之基材成分，曝光前對鹼顯影液為難溶性，例如藉由曝光而由(B)成分產生酸時，藉由該酸的作用而極性會增大，對鹼顯影液之溶解性增大。因此，於阻劑圖型之形成中，對將該阻劑組成物塗佈於支持體上所得的阻劑膜選擇性地進行曝光時，阻劑膜曝光部對鹼顯影液係由難溶性變化為可溶性，另一方面，阻劑膜未曝光部未變化，維持鹼難溶性，因此藉由進行鹼顯影，形成正型阻劑圖型。

另一方面，應用溶劑顯影製程時，含有該(A1)成分之基材成分，曝光前對有機系顯影液溶解性高，例如藉由曝光而由(B)成分產生酸時，藉由該酸的作用而極性增高，對有機系顯影液之溶解性減少。因此，於阻劑圖型之形成中，對將該阻劑組成物塗佈於支持體上所得的阻劑膜選擇性地進行曝光時，阻劑膜曝光部對有機系顯影液係由可溶性變化為難溶性，另一方面，阻劑膜未曝光部未變化，維持可溶性，因此藉由以有機系顯影液進行顯影，可於曝光部與未曝光部之間賦予對比(contrast)，而形成負型阻劑圖型。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。

･關於(A1)成分  　　(A1)成分，為藉由酸的作用，對顯影液之溶解性會變化的樹脂成分。作為(A1)成分，較佳為具有包含藉由酸的作用而極性會增大的酸分解性基之構成單位(a1)者。  　　(A1)成分，除了構成單位(a1)以外，亦可依需要具有其他構成單位。

≪構成單位(a1)≫  　　構成單位(a1)，為包含藉由酸的作用而極性會增大的酸分解性基之構成單位。

酸解離性基，可列舉至今為止作為化學增幅型阻劑組成物用之基底樹脂的酸解離性基所提案者。  　　作為化學增幅型阻劑組成物用之基底樹脂的酸解離性基所提案者，具體而言，可列舉以下所說明之「縮醛型酸解離性基」、「3級烷基酯型酸解離性基」、「3級烷氧基羰基酸解離性基」。

縮醛型酸解離性基：  　　前述極性基當中保護羧基或羥基之酸解離性基，例如可列舉下述通式(a1-r-1)表示之酸解離性基(以下有稱為「縮醛型酸解離性基」者)。

[式中，Ra’¹ 、Ra’² 為氫原子或烷基。Ra’³ 為烴基，Ra’³ 亦可與Ra’¹ 、Ra’² 之任一者鍵結而形成環]。

式(a1-r-1)中，Ra’¹ 及Ra’² 當中，較佳至少一方為氫原子、更佳兩方為氫原子。  　　Ra’¹ 或Ra’² 為烷基時，該烷基可列舉於上述α取代丙烯酸酯之說明中，與作為可鍵結於α位碳原子之取代基所列舉的烷基相同者，較佳為碳數1~5之烷基。具體而言，較佳可列舉直鏈狀或分支鏈狀之烷基。更具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，更佳為甲基或乙基、特佳為甲基。

式(a1-r-1)中，Ra’³ 之烴基，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之烷基，或環狀之烴基。  　　該直鏈狀之烷基，較佳為碳數1~5、更佳為碳數1~4、又更佳為碳數1或2。具體而言，可列舉甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等之中，尤佳為甲基、乙基或n-丁基；更佳為甲基或乙基。

該分支鏈狀之烷基，較佳為碳數3~10、更佳為碳數3~5。具體而言，可列舉異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，較佳為異丙基。

Ra’³ 為環狀之烴基時，該烴基可為脂肪族烴基亦可為芳香族烴基，又，可為多環式基亦可為單環式基。  　　單環式基之脂肪族烴基，較佳為由單環烷去除1個氫原子而得之基。該單環烷，較佳為碳數3~6者，具體而言可列舉環戊烷、環己烷等。  　　多環式基之脂肪族烴基，較佳為由多環烷去除1個氫原子而得之基，該多環烷，較佳為碳數7~12者，具體而言可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

Ra’³ 之環狀之烴基為芳香族烴基時，該芳香族烴基，為具有至少1個芳香環之烴基。  　　該芳香環只要係具備4n+2個π電子之環狀共軛系，則無特殊限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數較佳為5~30、更佳為碳數5~20、又更佳為碳數6~15、特佳為碳數6~12。作為芳香環，具體而言，可列舉苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。  　　Ra’³ 中之芳香族烴基，具體而言，可列舉由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子而得之基(芳基或雜芳基)；由包含2個以上的芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除1個氫原子而得之基；前述芳香族烴環或芳香族雜環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如，苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環之伸烷基的碳數，較佳為1~4、更佳為碳數1~2、特佳為碳數1。

Ra’³ 中之環狀之烴基，可具有取代基。該取代基例如可列舉-R^P1 、-R^P2 -O-R^P1 、-R^P2 -CO-R^P1 、-R^P2 -CO-OR^P1 、  -R^P2 -O-CO-R^P1 、-R^P2 -OH、-R^P2 -CN或-R^P2 -COOH(以下將此等取代基亦一併地稱為「Ra^x5 」)等。此處，R^P1 為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基、碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30之1價芳香族烴基。又，R^P2 為單鍵、碳數1~10之2價鏈狀飽和烴基、碳數3~20之2價脂肪族環狀飽和烴基或碳數6~30之2價芳香族烴基。惟，R^P1 及R^P2 之鏈狀飽和烴基、脂肪族環狀飽和烴基及芳香族烴基所具有的氫原子的一部分或全部亦可經氟原子取代。上述脂肪族環狀烴基，可1種單獨地具有1個以上的上述取代基、亦可各具有1個以上的上述取代基中之複數種。  　　碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。  　　碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基，例如可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基。  　　碳數6~30之1價芳香族烴基，例如可列舉由苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環去除1個氫原子而得之基。

Ra’³ 與Ra’¹ 、Ra’² 之任一者鍵結而形成環的情況時，該環式基較佳為4~7員環、更佳為4~6員環。該環式基之具體例子可列舉四氫吡喃基、四氫呋喃基等。

3級烷基酯型酸解離性基：  　　上述極性基當中，保護羧基之酸解離性基，例如可列舉下述通式(a1-r-2)表示之酸解離性基。  　　再者，下述式(a1-r-2)表示之酸解離性基當中，藉由烷基所構成者，以下有為了方便而稱為「3級烷基酯型酸解離性基」者。

[式中，Ra’⁴ ~Ra’⁶ 分別為烴基，Ra’⁵ 、Ra’⁶ 亦可彼此鍵結而形成環]。

Ra’⁴ 之烴基，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之烷基、鏈狀或環狀之烯基，或環狀之烴基。  　　Ra’⁴ 中之直鏈狀或分支鏈狀之烷基、環狀之烴基(單環式基的脂肪族烴基、多環式基的脂肪族烴基、芳香族烴基)，可列舉與前述Ra’³ 相同者。  　　Ra’⁴ 中之鏈狀或環狀之烯基，較佳為碳數2~10之烯基。  　　Ra’⁵ 、Ra’⁶ 之烴基，可列舉與前述Ra’³ 相同者。

Ra’⁵ 與Ra’⁶ 彼此鍵結而形成環的情況時，可適合地列舉下述通式(a1-r2-1)表示之基、下述通式(a1-r2-2)表示之基、下述通式(a1-r2-3)表示之基。  　　另一方面，Ra’⁴ ~Ra’⁶ 未彼此鍵結，而為獨立的烴基時，可適合地列舉下述通式(a1-r2-4)表示之基。

[式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰ ，表示一部分可經鹵素原子或含雜原子之基取代的直鏈狀或分支鏈狀之碳數1~12之烷基。Ra’¹¹ 表示與Ra’¹⁰ 所鍵結的碳原子一起形成脂肪族環式基之基。式(a1-r2-2)中，Ya為碳原子。Xa為與Ya一起形成環狀之烴基之基。該環狀之烴基所具有的氫原子之一部分或全部亦可被取代。Ra¹⁰¹ ~Ra¹⁰³ ，係分別獨立地為氫原子、碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基。該鏈狀飽和烴基及脂肪族環狀飽和烴基所具有的氫原子之一部分或全部亦可被取代。Ra¹⁰¹ ~Ra¹⁰³ 之2者以上亦可彼此鍵結而形成環狀結構。式(a1-r2-3)中，Yaa為碳原子。Xaa為與Yaa一起形成脂肪族環式基之基。Ra¹⁰⁴ 為可具有取代基之芳香族烴基。式(a1-r2-4)中，Ra’¹² 及Ra’¹³ ，係分別獨立地為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或氫原子。該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子之一部分或全部亦可被取代。Ra’¹⁴ 為可具有取代基之烴基。*表示鍵結部位]。

上述式(a1-r2-1)中，Ra’¹⁰ 為一部分可經鹵素原子或含雜原子之基取代的直鏈狀或分支鏈狀之碳數1~12之烷基。

Ra’¹⁰ 中之直鏈狀之烷基，為碳數1~12、較佳為碳數1~10、特佳為碳數1~5。  　　Ra’¹⁰ 中之分支鏈狀之烷基，可列舉與前述Ra’³ 相同者。

Ra’¹⁰ 中之烷基，一部分可經鹵素原子或含雜原子之基取代。例如，構成烷基之氫原子的一部分，亦可經鹵素原子或含雜原子之基取代。又，構成烷基之碳原子(亞甲基等)的一部分，亦可經含雜原子之基取代。  　　此處所稱之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子。含雜原子之基，可列舉-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-等。

式(a1-r2-1)中，Ra’¹¹ (與Ra’¹⁰ 所鍵結的碳原子一起形成之脂肪族環式基)，較佳為作為式(a1-r-1)中之Ra’³ 之單環式基或多環式基的脂肪族烴基(脂環式烴基)所列舉之基。其中尤以單環式之脂環式烴基為佳，具體而言，更佳為環戊基、環己基；又更佳為環戊基。

式(a1-r2-2)中，Xa與Ya一起形成的環狀之烴基，可列舉由前述式(a1-r-1)中之Ra’³ 中之環狀之1價烴基(脂肪族烴基)進一步去除1個以上的氫原子而得之基。  　　Xa與Ya一起形成的環狀之烴基，可具有取代基。該取代基可列舉與上述Ra’³ 中之環狀之烴基可具有的取代基相同者。  　　式(a1-r2-2)中，Ra¹⁰¹ ~Ra¹⁰³ 中之碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基等。  　　Ra¹⁰¹ ~Ra¹⁰³ 中之碳數3~20之1價脂肪族環狀飽和烴基，例如可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基、環十二烷基等之單環式脂肪族飽和烴基；雙環[2.2.2]辛基、三環[5.2.1.02,6]癸基、三環[3.3.1.13,7]癸基、四環[6.2.1.13,6.02,7]十二烷基、金剛烷基等之多環式脂肪族飽和烴基等。  　　Ra¹⁰¹ ~Ra¹⁰³ ，其中就合成容易性之觀點，尤以氫原子、碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基為佳，其中尤更佳為氫原子、甲基、乙基；特佳為氫原子。

上述Ra¹⁰¹ ~Ra¹⁰³ 表示之鏈狀飽和烴基，或脂肪族環狀飽和烴基所具有的取代基，例如可列舉與上述Ra^x5 相同之基。

藉由Ra¹⁰¹ ~Ra¹⁰³ 之2者以上彼此鍵結形成環狀結構所產生的含碳-碳雙鍵之基，例如可列舉環戊烯基、環己烯基、甲基環戊烯基、甲基環己烯基、環亞戊基乙烯基、環亞己基乙烯基等。此等之中就合成容易性之觀點，尤以環戊烯基、環己烯基、環亞戊基乙烯基為佳。

式(a1-r2-3)中，Xaa與Yaa一起形成之脂肪族環式基，較佳為作為式(a1-r-1)中之Ra’³ 之單環式基或多環式基的脂肪族烴基所列舉之基。  　　式(a1-r2-3)中，Ra¹⁰⁴ 中之芳香族烴基，可列舉由碳數5~30之芳香族烴環去除1個以上的氫原子而得之基。其中，Ra¹⁰⁴ 尤以由碳數6~15之芳香族烴環去除1個以上的氫原子而得之基為佳；更佳為由苯、萘、蒽或菲去除1個以上的氫原子而得之基；又更佳為由苯、萘或蒽去除1個以上的氫原子而得之基；特佳為由苯或萘去除1個以上的氫原子而得之基；最佳為由苯去除1個以上的氫原子而得之基。

式(a1-r2-3)中之Ra¹⁰⁴ 可具有的取代基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、烷氧基羰基等。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹² 及Ra’¹³ ，係分別獨立地為碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基或氫原子。Ra’¹² 及Ra’¹³ 中之碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基，可列舉與上述Ra¹⁰¹ ~Ra¹⁰³ 中之碳數1~10之1價鏈狀飽和烴基相同者。該鏈狀飽和烴基所具有的氫原子之一部分或全部亦可被取代。  　　Ra’¹² 及Ra’¹³ ，其中尤以氫原子、碳數1~5之烷基為佳；更佳為碳數1~5之烷基；又更佳為甲基、乙基；特佳為甲基。  　　上述Ra’¹² 及Ra’¹³ 表示之鏈狀飽和烴基經取代時，其取代基，例如可列舉與上述Ra^x5 相同之基。

式(a1-r2-4)中，Ra’¹⁴ 為可具有取代基之烴基。Ra’¹⁴ 中之烴基，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之烷基，或環狀之烴基。

Ra’¹⁴ 中之直鏈狀之烷基，較佳為碳數1~5、更佳為1~4、又更佳為1或2。具體而言，可列舉甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。此等之中，尤佳為甲基、乙基或n-丁基；更佳為甲基或乙基。

Ra’¹⁴ 中之分支鏈狀之烷基，較佳為碳數3~10、更佳為3~5。具體而言，可列舉異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丁基等，較佳為異丙基。

Ra’¹⁴ 為環狀之烴基時，該烴基可為脂肪族烴基亦可為芳香族烴基，又，可為多環式基亦可為單環式基。  　　單環式基之脂肪族烴基，較佳為由單環烷去除1個氫原子而得之基。該單環烷，較佳為碳數3~6者，具體而言可列舉環戊烷、環己烷等。  　　多環式基之脂肪族烴基，較佳為由多環烷去除1個氫原子而得之基，該多環烷，較佳為碳數7~12者，具體而言可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

Ra’¹⁴ 中之芳香族烴基，可列舉與Ra¹⁰⁴ 中之芳香族烴基相同者。其中，Ra’¹⁴ 尤以由碳數6~15之芳香族烴環去除1個以上的氫原子而得之基為佳；更佳為由苯、萘、蒽或菲去除1個以上的氫原子而得之基；又更佳為由苯、萘或蒽去除1個以上的氫原子而得之基；特佳為由萘或蒽去除1個以上的氫原子而得之基；最佳為由萘去除1個以上的氫原子而得之基。  　　Ra’¹⁴ 可具有的取代基，可列舉與Ra¹⁰⁴ 可具有的取代基相同者。

式(a1-r2-4)中之Ra’¹⁴ 為萘基時，與前述式(a1-r2-4)中之3級碳原子鍵結的位置，係萘基之1位或2位均可。  　　式(a1-r2-4)中之Ra’¹⁴ 為蒽基時，與前述式(a1-r2-4)中之3級碳原子鍵結的位置，係蒽基之1位、2位或9位均可。

前述式(a1-r2-1)表示之基之具體例子列舉如下。

前述式(a1-r2-2)表示之基之具體例子列舉如下。

前述式(a1-r2-3)表示之基之具體例子列舉如下。

前述式(a1-r2-4)表示之基之具體例子列舉如下。

3級烷氧基羰基酸解離性基：  　　前述極性基當中，保護羥基之酸解離性基，例如，可列舉下述通式(a1-r-3)表示之酸解離性基(以下係有為了方便而稱為「3級烷氧基羰基酸解離性基」者)。

[式中，Ra’⁷ ~Ra’⁹ 分別為烷基]。

式(a1-r-3)中，Ra’⁷ ~Ra’⁹ ，較佳分別為碳數1~5之烷基、更佳為碳數1~3之烷基。  　　又，各烷基之合計碳數，較佳為3~7、更佳為碳數3~5、最佳為碳數3~4。

作為構成單位(a1)，可列舉由α位碳原子上所鍵結的氫原子亦可經取代基取代的丙烯酸酯所衍生之構成單位、由丙烯醯胺所衍生之構成單位、由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物所衍生之構成單位的羥基中之氫原子的至少一部分經包含前述酸分解性基之取代基保護的構成單位、由乙烯基苯甲酸或乙烯基苯甲酸衍生物所衍生之構成單位的-C(=O)-OH中之氫原子的至少一部分經包含前述酸分解性基之取代基保護的構成單位等。

構成單位(a1)，於上述之中尤以由α位碳原子上所鍵結的氫原子亦可經取代基取代的丙烯酸酯所衍生之構成單位為佳。該構成單位(a1)的較佳具體例子，可列舉下述通式(a1-1)或(a1-2)表示之構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Va¹ 為可具有醚鍵之2價烴基。n_a1 為0~2之整數。Ra¹ 為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-2)表示之酸解離性基。Wa¹ 為n_a2 +1價烴基，n_a2 為1~3之整數，Ra² 為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-3)表示之酸解離性基]。

前述式(a1-1)中，R之碳數1~5之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5之鹵化烷基，為前述碳數1~5之烷基之氫原子的一部分或全部經鹵素原子取代之基。該鹵素原子特佳為氟原子。  　　R較佳為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基，就工業上之獲得容易性而言，最佳為氫原子或甲基。

前述式(a1-1)中，Va¹ 中之2價烴基，可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。

作為Va¹ 中之2價烴基之脂肪族烴基，可為飽和亦可為不飽和，通常較佳為飽和。  　　該脂肪族烴基，更具體而言，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，或結構中包含環的脂肪族烴基等。

前述直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~6、又更佳為碳數1~4、最佳為碳數1~3。直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。  　　前述分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數2~10、更佳為碳數3~6、又更佳為碳數3或4、最佳為碳數3。分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為分支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、  -C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、  -CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；    -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；     -CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

前述結構中包含環的脂肪族烴基，可列舉脂環式烴基(由脂肪族烴環去除2個氫原子而得之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基的末端之基、脂環式烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基的途中之基等。前述直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與前述直鏈狀之脂肪族烴基或前述分支鏈狀之脂肪族烴基相同者。  　　前述脂環式烴基，較佳為碳數3~20、更佳為碳數3~12。  　　前述脂環式烴基，可為多環式亦可為單環式。單環式之脂環式烴基，較佳為由單環烷去除2個氫原子而得之基。該單環烷較佳為碳數3~6者，具體而言可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為由多環烷去除2個氫原子而得之基，該多環烷較佳為碳數7~12者，具體而言可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

作為Va¹ 中之2價烴基之芳香族烴基，為具有芳香環之烴基。  　　該芳香族烴基，較佳為碳數3~30、更佳為5~30、又更佳為5~20、特佳為6~15、最佳為6~12。惟，該碳數中，不包含取代基之碳數。芳香族烴基所具有的芳香環具體而言，可列舉苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。  　　該芳香族烴基具體而言，可列舉由前述芳香族烴環去除2個氫原子而得之基(伸芳基)；由前述芳香族烴環去除1個氫原子而得之基(芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如，由苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中的芳基進一步去除1個氫原子之基)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數，較佳為1~4、更佳為1~2、特佳為1。

前述式(a1-1)中，Ra¹ 為上述式(a1-r-1)或(a1-r-2)表示之酸解離性基。

前述式(a1-2)中，Wa¹ 中之n_a2 +1價烴基，可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。該脂肪族烴基意指不具備芳香族性之烴基，可為飽和亦可為不飽和，通常較佳為飽和。前述脂肪族烴基，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基、結構中包含環的脂肪族烴基，或組合直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基與結構中包含環的脂肪族烴基而得之基。前述n_a2 +1價，較佳為2~4價、更佳為2或3價。

前述式(a1-2)中，Ra² 為上述通式(a1-r-1)或(a1-r-3)表示之酸解離性基。

以下顯示前述式(a1-1)表示之構成單位的具體例子。以下各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所具有的構成單位(a1)，可為1種亦可為2種以上。  　　作為構成單位(a1)，由於可更容易提高以電子束或EUV所進行之微影術的特性(感度、形狀等)，故更佳為前述式(a1-1)表示之構成單位。  　　其中，作為構成單位(a1)，尤特佳為包含下述通式(a1-1-1)表示之構成單位者。

[式中，Ra¹ ”為通式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)或(a1-r2-4)表示之酸解離性基]。

前述式(a1-1-1)中，R、Va¹ 及n_a1 ，係與前述式(a1-1)中之R、Va¹ 及n_a1 相同。  　　針對通式(a1-r2-1)、(a1-r2-3)或(a1-r2-4)表示之酸解離性基的說明，係如上所述。其中，由於在EB用或EUV用途可提高反應性而為適宜，故尤佳選擇酸解離性基為環式基者。

(A1)成分中之構成單位(a1)之比例，相對於構成該(A1)成分之全部構成單位的合計(100莫耳%)而言，較佳為5~80莫耳%、更佳為10~75莫耳%、又更佳為30~70莫耳%、特佳為40~60莫耳%。  　　構成單位(a1)之比例，藉由成為前述較佳範圍內，可適切地擔保去保護反應之效率與顯影液溶解性，故更容易得到本發明之效果。

≪其他構成單位≫  　　(A1)成分，除了上述構成單位(a1)以外，亦可依需要具有其他構成單位。  　　其他構成單位，例如，可列舉後述通式(a10-1)表示之構成單位(a10)；包含含內酯之環式基、含-SO₂ -之環式基或含碳酸酯之環式基的構成單位(a2)；包含含極性基之脂肪族烴基之構成單位(a3)；包含酸非解離性之脂肪族環式基之構成單位(a4)；由苯乙烯或苯乙烯衍生物所衍生之構成單位(st)等。

關於構成單位(a10)：  　　構成單位(a10)，為由下述通式(a10-1)表示之化合物所衍生之構成單位。

[式中，W為含聚合性基之基。惟，W中之含聚合性基之基，不含氧原子。Ya^x1 為單鍵或2價連結基。Wa^x1 為可具有取代基之芳香族烴基。n_ax1 為1以上之整數]。

前述式(a10-1)中，W為含聚合性基之基。  　　W中之「聚合性基」，係指可將具有聚合性基之化合物藉由自由基聚合等而聚合之基，例如係指包含乙烯性雙鍵等之碳原子間的多重鍵之基。  　　構成單位(a10)中，上述通式(a10-1)表示之化合物之聚合性基中之多重鍵係開裂而形成主鏈。

聚合性基例如可列舉乙烯基、烯丙基、氟乙烯基、二氟乙烯基、三氟乙烯基、二氟三氟甲基乙烯基、三氟烯丙基、全氟烯丙基、苯乙烯基、乙烯基萘基、含氟苯乙烯基、含氟乙烯基萘基、降莰基、含氟降莰基、矽烷基等。  　　含聚合性基之基，可為僅由聚合性基所構成之基、亦可為由聚合性基與該聚合性基以外之其他基所構成之基。該聚合性基以外之其他基，可列舉可具有取代基之2價烴基、包含雜原子(氧原子除外)之2價連結基等。惟，W中之含聚合性基之基，不含氧原子。

W，例如可適合地列舉化學式：  C(R^X11 )(R^X12 )=C(R^X13 )-表示之基。  　　該化學式中，R^X11 、R^X12 及R^X13 ，分別為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。

前述化學式中，R^X11 、R^X12 及R^X13 中之碳數1~5之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5之鹵化烷基，為前述碳數1~5之烷基之氫原子的一部分或全部經鹵素原子取代而得之基。該鹵素原子特佳為氟原子。  　　此等之中，R^X11 及R^X12 ，尤分別以氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基為佳；就工業上獲得的容易性而言，更佳為氫原子、甲基；特佳為氫原子。  　　又，R^X13 較佳為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基；就工業上獲得的容易性而言，更佳為氫原子、甲基。

前述式(a10-1)中，Ya^x1 為單鍵或2價連結基。  　　前述化學式中，Ya^x1 中之2價連結基，並無特殊限定，可列舉可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基等作為適合者。

･可具有取代基之2價烴基：  　　Ya^x1 為可具有取代基之2價烴基時，該烴基可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。

･･Ya^x1 中之脂肪族烴基  　　脂肪族烴基，意指不具備芳香族性之烴基。該脂肪族烴基，可為飽和亦可為不飽和，通常較佳為飽和。前述脂肪族烴基，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，或結構中包含環的脂肪族烴基等。

･･･直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基  　　該直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~6、又更佳為碳數1~4、最佳為碳數1~3。  　　直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。  　　該分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數2~10、更佳為碳數3~6、又更佳為碳數3或4、最佳為碳數3。  　　分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為分支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、  -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

前述直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，可具有亦可不具有取代基。該取代基可列舉氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等。

･･･結構中包含環的脂肪族烴基  　　該結構中包含環的脂肪族烴基，可列舉環結構中可含有包含雜原子的取代基之環狀之脂肪族烴基(由脂肪族烴環去除2個氫原子而得之基)、前述環狀之脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基的末端而得之基、前述環狀之脂肪族烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基途中之基等。前述直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與前述相同者。  　　環狀之脂肪族烴基，較佳為碳數3~20、更佳為碳數3~12。  　　環狀之脂肪族烴基，可為多環式基、亦可為單環式基。單環式之脂環式烴基，較佳為由單環烷去除2個氫原子而得之基。該單環烷較佳為碳數3~6者，具體而言可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為由多環烷去除2個氫原子而得之基，該多環烷較佳為碳數7~12者，具體而言可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀之脂肪族烴基，可具有亦可不具有取代基。該取代基可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。  　　作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基；更佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。  　　作為前述取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基；更佳為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基；又更佳為甲氧基、乙氧基。  　　作為前述取代基之鹵素原子，較佳為氟原子。  　　作為前述取代基之鹵化烷基，可列舉前述烷基之氫原子的一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。  　　環狀之脂肪族烴基，構成其環結構之碳原子的一部分亦可經包含雜原子的取代基取代。該包含雜原子的取代基，較佳為-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-。

･･Ya^x1 中之芳香族烴基  　　該芳香族烴基，為具有至少1個芳香環之烴基。  　　該芳香環只要係具備4n+2個π電子之環狀共軛系，則無特殊限定，可為單環式、亦可為多環式。芳香環之碳數較佳為5~30、更佳為碳數5~20、又更佳為碳數6~15、特佳為碳數6~12。惟，該碳數中，不包含取代基之碳數。  　　作為芳香環，具體而言，可列舉苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。  　　芳香族烴基具體而言，可列舉由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子而得之基(伸芳基或伸雜芳基)；由包含2個以上的芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除去除2個氫原子而得之基；由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子而得之基(芳基或雜芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如，由苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中的芳基進一步去除1個氫原子之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基之伸烷基的碳數，較佳為1~4、更佳為碳數1~2、特佳為碳數1。

前述芳香族烴基，該芳香族烴基所具有的氫原子亦可經取代基取代。例如該芳香族烴基中之芳香環上所鍵結的氫原子亦可經取代基取代。該取代基，例如可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。  　　作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基；更佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。  　　作為前述取代基之烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基，可列舉作為取代前述環狀之脂肪族烴基所具有的氫原子之取代基所例示者。

･包含雜原子之2價連結基：  　　Ya^x1 為包含雜原子之2價連結基時，該連結基較佳者可列舉-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H亦可經烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、通式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -表示之基[式中，Y²¹ 及Y²² 係分別獨立地為可具有取代基之2價烴基，O為氧原子，m”為0~3之整數]等。  　　前述包含雜原子之2價連結基為-C(=O)-NH-、     -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，其H亦可經烷基、醯基等之取代基取代。該取代基(烷基、醯基等)，較佳為碳數1~10、更佳為1~8、特佳為1~5。  　　通式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 係分別獨立地為可具有取代基之2價烴基。該2價烴基，可列舉與作為前述Ya^x1 中之2價連結基之說明中所列舉的(可具有取代基之2價烴基)相同者。  　　Y²¹ ，較佳為直鏈狀之脂肪族烴基、更佳為直鏈狀之伸烷基、又更佳為碳數1~5之直鏈狀之伸烷基、特佳為亞甲基或伸乙基。  　　Y²² ，較佳為直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基；更佳為亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基。該烷基亞甲基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基、更佳為碳數1~3之直鏈狀之烷基、最佳為甲基。  　　式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基中，m”為0~3之整數、較佳為0~2之整數、更佳為0或1、特佳為1。換言之，式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基，特佳為式-Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -表示之基。其中尤以式-(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -表示之基為佳。該式中，a’為1~10之整數、較佳為1~8之整數、更佳為1~5之整數、又更佳為1或2、最佳為1。b’為1~10之整數、較佳為1~8之整數、更佳為1~5之整數、又更佳為1或2、最佳為1。

上述之中尤佳Ya^x1 為單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]、醚鍵(-O-)、直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基，或此等之組合；更佳為單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-、-O-C(=O)-]。

前述式(a10-1)中，Wa^x1 為可具有取代基之芳香族烴基。  　　Wa^x1 中之芳香族烴基，可列舉由可具有取代基之芳香環去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基。此處之芳香環，只要係具備4n+2個π電子之環狀共軛系則無特殊限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數較佳為5~30、更佳為碳數5~20、又更佳為碳數6~15、特佳為碳數6~12。作為該芳香環，具體而言，可列舉苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。  　　又，Wa^x1 中之芳香族烴基，亦可列舉由包含2個以上的可具有取代基之芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基。

作為Wa^x1 中之芳香族烴基，亦可為在由芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子而得之基中，n_ax 個以下之氫原子經伸烷基或鹵化伸烷基取代而得之基。該伸烷基及鹵化伸烷基，可與前述式(a10-1)中之Ya^x1 鍵結、亦可與前述式(a10-1)中之OH鍵結。前述式(a10-1)中之OH未與該伸烷基及鹵化伸烷基鍵結時，該OH係直接鍵結於前述芳香族烴環或芳香族雜環。該伸烷基或鹵化伸烷基中之伸烷基之碳數，較佳為1~4、更佳為碳數1~3。

上述之中尤佳Wa^x1 為由苯、萘、蒽或聯苯去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基；更佳為由苯或萘去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基；又更佳為由苯去除(n_ax1 +1)個氫原子而得之基。

Wa^x1 中之芳香族烴基，可具有亦可不具有取代基。前述取代基，例如可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基等。作為前述取代基之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基，可列舉與作為Ya^x1 中之環狀之脂肪族烴基的取代基所列舉的為相同者。前述取代基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基、更佳為碳數1~3之直鏈狀或分支鏈狀之烷基、又更佳為乙基或甲基、特佳為甲基。Wa^x1 中之芳香族烴基，較佳不具有取代基。

Wa^x1 亦可與Ya^x1 及W一起形成縮合環。Wa^x1 、Ya^x1 及W形成縮合環時，其環結構，例如可列舉脂環式烴與芳香族烴之縮合環。Wa^x1 與Ya^x1 及W所形成之縮合環，亦可具有雜原子。  　　W、Ya^x1 及Wa^x1 所形成的縮合環中，脂環式烴之部分可為單環、亦可為多環。W、Ya^x1 及Wa^x1 所形成的縮合環，當Ya^x1 為單鍵時可列舉W中之聚合性基與Wa^x1 所形成的縮合環、Ya^x1 與Wa^x1 所形成的縮合環。

W、Ya^x1 及Wa^x1 所形成的縮合環，可具有取代基。該取代基例如可列舉甲基、乙基、丙基、羥基、羥基烷基、羧基、鹵素原子、烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等)、醯基、烷氧基羰基、烷基羰氧基等。

以下顯示W、Ya^x1 及Wa^x1 所形成的縮合環之具體例子。W^α1 表示聚合性基。**表示與羥基(-(OH)_n01 )之鍵結部位。

前述式(a10-1)中，n_ax1 為1以上之整數、較佳為1~10之整數、更佳為1~5之整數；又更佳為1、2或3；特佳為1或2。

構成單位(a10)較佳為下述通式(a10-1-1)表示之構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Ya^x1 為單鍵或2價連結基。Wa^x1 為可具有取代基之芳香族烴基。n_ax1 為1以上之整數]。

前述式(a10-1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。前述式(a10-1-1)中之R，可列舉與前述通式(a1-1)中之R所列舉的相同者，較佳的例子亦相同。

前述式(a10-1-1)中之Ya^x1 、Wa^x1 ，及na^x1 ，係與前述式(a10-1)中之Ya^x1 、Wa^x1 ，及na^x1 相同。

以下顯示前述式(a10-1)表示之構成單位(a10)的具體例子。  　　以下各式中，R^α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。

(A1)成分所具有的構成單位(a10)，可為1種亦可為2種以上。  　　(A1)成分具有構成單位(a10)時，(A1)成分中之構成單位(a10)之比例，相對於構成(A1)成分之全部構成單位的合計(100莫耳%)而言，較佳為5~80莫耳%、更佳為10~75莫耳%、又更佳為30~70莫耳%、特佳為40~60莫耳%。  　　構成單位(a10)之比例藉由成為前述較佳範圍內，於阻劑膜中供給質子之效率上昇，且可適切地擔保顯影液溶解性，故更容易得到本發明之效果。

關於構成單位(a2)：  　　(A1)成分，除了構成單位(a1)以外，亦可進一步具有包含含內酯之環式基、含-SO₂ -之環式基或含碳酸酯之環式基的構成單位(a2)(惟，相當於構成單位(a1)者除外)。  　　構成單位(a2)的含內酯之環式基、含-SO₂ -之環式基或含碳酸酯之環式基，當使用(A1)成分於形成阻劑膜時，為有效於提高阻劑膜對基板之密著性者。又，藉由具有構成單位(a2)，例如藉由適切調整酸擴散長、提高阻劑膜對基板之密著性、適切調整顯影時之溶解性等之效果，而使微影術特性等成為良好。

「含內酯之環式基」，表示含有其環骨架中包含-O-C(=O)-之環(內酯環)的環式基。將內酯環計數為第一個環，僅有內酯環時稱為單環式基、進一步具有其他環結構時，無關其結構地稱為多環式基。含內酯之環式基，可為單環式基、亦可為多環式基。  　　構成單位(a2)中之含內酯之環式基，無特殊限定，可使用任意者。具體而言，可列舉下述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之基。

[式中，Ra’²¹ 係分別獨立地為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO₂ -之環式基；A”為可包含氧原子(-O-)或硫原子(-S-)之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2之整數，m’為0或1]。

前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)中，Ra’²¹ 中之烷基，較佳為碳數1~6之烷基。該烷基，較佳為直鏈狀或分支鏈狀。具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。此等之中尤以甲基或乙基為佳、特佳為甲基。  　　Ra’²¹ 中之烷氧基，較佳為碳數1~6之烷氧基。該烷氧基，較佳為直鏈狀或分支鏈狀。具體而言，可列舉作為前述Ra’²¹ 中之烷基所列舉的烷基與氧原子(-O-)連結而得之基。  　　Ra’²¹ 中之鹵素原子較佳為氟原子。  　　Ra’²¹ 中之鹵化烷基，可列舉前述Ra’²¹ 中之烷基之氫原子的一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。該鹵化烷基，較佳為氟化烷基、特佳為全氟烷基。

Ra’²¹ 中之-COOR”、-OC(=O)R”中，R”皆為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO₂ -之環式基。  　　R”中之烷基，係直鏈狀、分支鏈狀、環狀均可，碳數較佳為1~15。  　　R”為直鏈狀或分支鏈狀之烷基時，較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5、特佳為甲基或乙基。  　　R”為環狀之烷基時，較佳為碳數3~15、更佳為碳數4~12、最佳為碳數5~10。具體而言，可例示由可經亦可不經氟原子或氟化烷基取代之單環烷去除1個以上之氫原子而得之基；由雙環烷、三環烷、四環烷等之多環烷去除1個以上之氫原子而得之基等。更具體而言，可列舉由環戊烷、環己烷等之單環烷去除1個以上之氫原子而得之基；由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個以上之氫原子而得之基等。  　　R”中之含內酯之環式基，可列舉與前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之基相同者。  　　R”中之含碳酸酯之環式基，係與後述之含碳酸酯之環式基相同，具體而言可列舉通式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)分別表示之基。  　　R”中之含-SO₂ -之環式基，係與後述之含-SO₂ -之環式基相同，具體而言可列舉通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之基。  　　Ra’²¹ 中之羥基烷基，較佳為碳數1~6者，具體而言，可列舉前述Ra’²¹ 中之烷基的至少1個氫原子經羥基取代之基。

前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中，A”中之碳數1~5之伸烷基，較佳為直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基，可列舉亞甲基、伸乙基、n-伸丙基、伸異丙基等。該伸烷基包含氧原子或硫原子時，其具體例子，可列舉於前述伸烷基之末端或碳原子間存在有-O-或-S-之基，例如可列舉-O-CH₂ -、-CH₂ -O-CH₂ -、-S-CH₂ -、-CH₂ -S-CH₂ -等。A”較佳為碳數1~5之伸烷基或-O-、更佳為碳數1~5之伸烷基、最佳為亞甲基。

下述係列舉通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之基的具體例子。

「含-SO₂ -之環式基」，表示含有其環骨架中包含-SO₂ -之環的環式基，具體而言，為-SO₂ -中之硫原子(S)形成環式基之環骨架的一部分之環式基。將其環骨架中包含-SO₂ -之環計數為第一個環，僅有該環時稱為單環式基、進一步具有其他環結構時，無關其結構地稱為多環式基。含-SO₂ -之環式基，可為單環式基亦可為多環式基。  　　含-SO₂ -之環式基，特佳為其環骨架中包含-O-SO₂ -之環式基，亦即含有-O-SO₂ -中之-O-S-形成環骨架的一部分之磺內酯(sultone)環的環式基。  　　含-SO₂ -之環式基，更具體而言，可列舉下述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之基。

[式中，Ra’⁵¹ 係分別獨立地為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO₂ -之環式基；A”為可包含氧原子或硫原子之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，n’為0~2之整數]。

前述通式(a5-r-1)~(a5-r-2)中，A”係與前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。  　　Ra’⁵¹ 中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，各自可列舉與針對前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)中之Ra’²¹ 之說明所列舉的相同者。  　　於下述列舉通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之基之具體例子。式中之「Ac」表示乙醯基。

「含碳酸酯之環式基」，表示含有其環骨架中包含-O-C(=O)-O-之環(碳酸酯環)的環式基。將碳酸酯環計數為第一個環，僅有碳酸酯環時稱為單環式基，進一步具有其他環結構時，無關其結構地稱為多環式基。含碳酸酯之環式基，可為單環式基、亦可為多環式基。  　　含碳酸酯環之環式基，無特殊限定，可使用任意者。具體而言，可列舉下述通式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)分別表示之基。

[式中，Ra’^x31 係分別獨立地為氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基或氰基；R”為氫原子、烷基、含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO₂ -之環式基；A”為可包含氧原子或硫原子之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，p’為0~3之整數，q’為0或1]。

前述通式(ax3-r-2)~(ax3-r-3)中，A”係與前述通式(a2-r-2)、(a2-r-3)、(a2-r-5)中之A”相同。  　　Ra’³¹ 中之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、   -COOR”、-OC(=O)R”、羥基烷基，各自可列舉與針對前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)中之Ra’²¹ 之說明所列舉的相同者。  　　於下述列舉通式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)分別表示之基之具體例子。

構成單位(a2)，其中尤佳為由α位碳原子上所鍵結的氫原子亦可經取代基取代的丙烯酸酯所衍生之構成單位。  　　該構成單位(a2)，較佳為下述通式(a2-1)表示之構成單位。

[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Ya²¹ 為單鍵或2價連結基。La²¹ 為-O-、-COO-、-CON(R’)-、-OCO-、-CONHCO-或-CONHCS-，R’表示氫原子或甲基。惟La²¹ 為-O-時，Ya²¹ 不為-CO-。Ra²¹ 為含內酯之環式基、含碳酸酯之環式基，或含-SO₂ -之環式基]。

前述式(a2-1)中，R係與前述相同。R較佳為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基，就工業上獲得的容易性而言，特佳為氫原子或甲基。

前述式(a2-1)中，Ya²¹ 中之2價連結基，並無特殊限定，可適合地列舉可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基等。

･可具有取代基之2價烴基：  　　Ya²¹ 為可具有取代基之2價烴基時，該烴基可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。

･･Ya²¹ 中之脂肪族烴基  　　脂肪族烴基，意指不具備芳香族性之烴基。該脂肪族烴基，可為飽和亦可為不飽和，通常較佳為飽和。前述脂肪族烴基，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，或結構中包含環的脂肪族烴基等。

･･･直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基  　　該直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~6、又更佳為碳數1~4、最佳為碳數1~3。  　　直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。  　　該分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數2~10、更佳為碳數3~6、又更佳為碳數3或4、最佳為碳數3。  　　分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為分支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

前述直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，可具有亦可不具有取代基。該取代基可列舉氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等。

･･･結構中包含環的脂肪族烴基  　　該結構中包含環的脂肪族烴基，可列舉環結構中可含有包含雜原子的取代基之環狀之脂肪族烴基(由脂肪族烴環去除2個氫原子而得之基)、前述環狀之脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基的末端而得之基、前述環狀之脂肪族烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基途中之基等。前述直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與前述相同者。  　　環狀之脂肪族烴基，較佳為碳數3~20、更佳為碳數3~12。  　　環狀之脂肪族烴基，可為多環式基、亦可為單環式基。單環式之脂環式烴基，較佳為由單環烷去除2個氫原子而得之基。該單環烷較佳為碳數3~6者，具體而言可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為由多環烷去除2個氫原子而得之基，該多環烷較佳為碳數7~12者，具體而言可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。

環狀之脂肪族烴基，可具有亦可不具有取代基。該取代基可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。  　　作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基；更佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。  　　作為前述取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基；更佳為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基；又更佳為甲氧基、乙氧基。  　　作為前述取代基之鹵素原子，較佳為氟原子。  　　作為前述取代基之鹵化烷基，可列舉前述烷基之氫原子的一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。  　　環狀之脂肪族烴基，構成其環結構之碳原子的一部分亦可經包含雜原子的取代基取代。該包含雜原子的取代基，較佳為-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-。

･･Ya²¹ 中之芳香族烴基  　　該芳香族烴基，為具有至少1個芳香環之烴基。  　　該芳香環只要係具備4n+2個π電子之環狀共軛系，則無特殊限定，可為單環式、亦可為多環式。芳香環之碳數較佳為5~30、更佳為碳數5~20、又更佳為碳數6~15、特佳為碳數6~12。惟，該碳數中，不包含取代基之碳數。  　　作為芳香環，具體而言，可列舉苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。作為芳香族雜環，具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。  　　芳香族烴基具體而言，可列舉由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除2個氫原子而得之基(伸芳基或伸雜芳基)；由包含2個以上的芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除去除2個氫原子而得之基；由前述芳香族烴環或芳香族雜環去除1個氫原子而得之基(芳基或雜芳基)之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如，由苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中的芳基進一步去除1個氫原子之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基之伸烷基的碳數，較佳為1~4、更佳為碳數1~2、特佳為碳數1。

前述芳香族烴基，該芳香族烴基所具有的氫原子亦可經取代基取代。例如該芳香族烴基中之芳香環上所鍵結的氫原子亦可經取代基取代。該取代基，例如可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。  　　作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基；更佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。  　　作為前述取代基之烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基，可列舉作為取代前述環狀之脂肪族烴基所具有的氫原子之取代基所例示者。

･包含雜原子之2價連結基：  　　Ya²¹ 為包含雜原子之2價連結基時，該連結基較佳者可列舉-O-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H亦可經烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)₂ -、-S(=O)₂ -O-、通式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -表示之基[式中，Y²¹ 及Y²² 係分別獨立地為可具有取代基之2價烴基，O為氧原子，m”為0~3之整數]等。  　　前述包含雜原子之2價連結基為-C(=O)-NH-、   -C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，其H亦可經烷基、醯基等之取代基取代。該取代基(烷基、醯基等)，較佳為碳數1~10、更佳為1~8、特佳為1~5。  　　通式-Y²¹ -O-Y²² -、-Y²¹ -O-、-Y²¹ -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y²¹ -、-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -、-Y²¹ -O-C(=O)-Y²² -或-Y²¹ -S(=O)₂ -O-Y²² -中，Y²¹ 及Y²² 係分別獨立地為可具有取代基之2價烴基。該2價烴基，可列舉與作為前述Ya²¹ 中之2價連結基之說明中所列舉的(可具有取代基之2價烴基)相同者。  　　Y²¹ ，較佳為直鏈狀之脂肪族烴基、更佳為直鏈狀之伸烷基、又更佳為碳數1~5之直鏈狀之伸烷基、特佳為亞甲基或伸乙基。  　　Y²² ，較佳為直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基；更佳為亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基。該烷基亞甲基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基、更佳為碳數1~3之直鏈狀之烷基、最佳為甲基。  　　式-[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基中，m”為0~3之整數、較佳為0~2之整數、更佳為0或1、特佳為1。換言之，式   -[Y²¹ -C(=O)-O]_m” -Y²² -表示之基，特佳為式-Y²¹ -C(=O)-O-Y²² -表示之基。其中尤以式-(CH₂ )_a’ -C(=O)-O-(CH₂ )_b’ -表示之基為佳。該式中，a’為1~10之整數、較佳為1~8之整數、更佳為1~5之整數、又更佳為1或2、最佳為1。b’為1~10之整數、較佳為1~8之整數、更佳為1~5之整數、又更佳為1或2、最佳為1。

上述之中尤佳Ya²¹ ，較佳為單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-]、醚鍵(-O-)、直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基，或此等之組合。

前述式(a2-1)中，Ra²¹ 為含內酯之環式基、含-SO₂ -之環式基或含碳酸酯之環式基。  　　Ra²¹ 中之含內酯之環式基、含-SO₂ -之環式基、含碳酸酯之環式基，分別可適合地列舉前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之基、通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之基、通式(ax3-r-1)~(ax3-r-3)分別表示之基。  　　其中尤以含內酯之環式基或含-SO₂ -之環式基為佳；更佳為前述通式(a2-r-1)、(a2-r-2)、(a2-r-6)或(a5-r-1)分別表示之基。具體而言，更佳為前述化學式(r-lc-1-1)~(r-lc-1-7)、(r-lc-2-1)~(r-lc-2-18)、(r-lc-6-1)、(r-sl-1-1)、(r-sl-1-18)分別表示之任一者之基。

(A1)成分所具有的構成單位(a2)，可為1種亦可為2種以上。  　　(A1)成分具有構成單位(a2)時，構成單位(a2)之比例，相對於構成該(A1)成分之全部構成單位的合計(100莫耳%)而言，較佳為5~60莫耳%、更佳為10~60莫耳%、又更佳為20~55莫耳%、特佳為30~50莫耳%。  　　構成單位(a2)之比例為較佳的下限值以上時，藉由前述效果，可充分得到含有構成單位(a2)所致之效果，若為上限值以下，則可取得與其他構成單位之平衡，各種微影術特性成為良好。

關於構成單位(a3)：  　　(A1)成分，除了構成單位(a1)以外，亦可進一步具有包含含極性基之脂肪族烴基之構成單位(a3)(惟，相當於構成單位(a1)或構成單位(a2)者除外)。(A1)成分藉由具有構成單位(a3)，(A)成分之親水性增高，有助於提高解像性。又，可適切地調整酸擴散長。

極性基可列舉羥基、氰基、羧基、烷基之氫原子的一部分經氟原子取代之羥基烷基等，特佳為羥基。  　　脂肪族烴基，可列舉碳數1~10之直鏈狀或分支鏈狀之烴基(較佳為伸烷基)，或環狀之脂肪族烴基(環式基)。該環式基可為單環式基亦可為多環式基，例如於ArF準分子雷射用阻劑組成物用的樹脂當中，可由多數提案者中適當選擇來使用。

該環式基為單環式基時，碳數更佳為3~10。其中尤更佳為由包含含有羥基、氰基、羧基，或烷基之氫原子的一部分經氟原子取代之羥基烷基的脂肪族單環式基之丙烯酸酯所衍生之構成單位。該單環式基，可例示由單環烷去除2個以上之氫原子而得之基。具體而言，可列舉由環戊烷、環己烷、環辛烷等之單環烷去除2個以上之氫原子而得之基等。此等之單環式基當中，尤以由環戊烷去除2個以上之氫原子而得之基、由環己烷去除2個以上之氫原子而得之基在工業上較佳。

該環式基為多環式基時，該多環式基之碳數更佳為7~30。其中尤更佳為由包含含有羥基、氰基、羧基，或烷基之氫原子的一部分經氟原子取代之羥基烷基的脂肪族多環式基之丙烯酸酯所衍生之構成單位。該多環式基，可例示由雙環烷、三環烷、四環烷等去除2個以上之氫原子而得之基等。具體而言，可列舉由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除2個以上之氫原子而得之基等。此等之多環式基當中，尤以由金剛烷去除2個以上之氫原子而得之基、由降莰烷去除2個以上之氫原子而得之基、由四環十二烷去除2個以上之氫原子而得之基在工業上較佳。

構成單位(a3)，只要係包含含極性基之脂肪族烴基者則無特殊限定，可使用任意者。  　　作為構成單位(a3)，較佳為由α位碳原子上所鍵結的氫原子亦可經取代基取代的丙烯酸酯所衍生之構成單位，且其係包含含極性基之脂肪族烴基之構成單位。  　　作為構成單位(a3)，當含極性基之脂肪族烴基中的烴基為碳數1~10之直鏈狀或分支鏈狀之烴基時，較佳為由丙烯酸之羥基乙基酯所衍生之構成單位。  　　又，作為構成單位(a3)，當含極性基之脂肪族烴基中之該烴基為多環式基時，可列舉下述式(a3-1)表示之構成單位、式(a3-2)表示之構成單位、式(a3-3)表示之構成單位作為較佳者；單環式基時，可列舉式(a3-4)表示之構成單位作為較佳者。

[式中，R係與前述相同，j為1~3之整數，k為1~3之整數，t’為1~3之整數，l為0~5之整數，s為1~3之整數]。

式(a3-1)中，j較佳為1或2、更佳為1。j為2時，羥基較佳為鍵結於金剛烷基之3位與5位。j為1時，羥基較佳為鍵結於金剛烷基之3位。j較佳為1，羥基特佳為鍵結於金剛烷基之3位。

式(a3-2)中，k較佳為1。氰基較佳為鍵結於降莰基之5位或6位。

式(a3-3)中，t’較佳為1。l較佳為1。s較佳為1。此等較佳在丙烯酸之羧基的末端，鍵結有2-降莰基或3-降莰基。氟化烷基醇，較佳為鍵結於降莰基之5或6位。

式(a3-4)中，t’較佳為1或2。l較佳為0或1。s較佳為1。氟化烷基醇較佳為鍵結於環己基之3或5位。

(A1)成分所具有的構成單位(a3)。可為1種亦可為2種以上。  　　(A1)成分具有構成單位(a3)時，構成單位(a3)之比例，相對於構成該(A1)成分之全部構成單位的合計(100莫耳%)而言，較佳為1~30莫耳%、更佳為2~25莫耳%、又更佳為5~20莫耳%。  　　藉由使構成單位(a3)之比例成為較佳的下限值以上，藉由前述效果，可充分得到含有構成單位(a3)所致之效果，若為較佳的上限值以下，則可取得與其他構成單位之平衡，各種微影術特性成為良好。

關於構成單位(a4)：  　　(A1)成分，除了構成單位(a1)以外，亦可進一步具有包含酸非解離性之脂肪族環式基之構成單位(a4)。  　　(A1)成分藉由具有構成單位(a4)，所形成的阻劑圖型之乾蝕刻耐性提高。又，(A)成分之疏水性增高。疏水性之提高，特別是當溶劑顯影製程的情況時，係有助於解像性、阻劑圖型形狀等之提高。  　　構成單位(a4)中之「酸非解離性環式基」，為藉由曝光而於該阻劑組成物中產生酸時(例如，藉由曝光而由產生酸的構成單位或(B)成分產生酸時)，即使該酸進行作用亦不會解離，而維持殘留在該構成單位中之環式基。

構成單位(a4)，較佳為例如由包含酸非解離性之脂肪族環式基的丙烯酸酯所衍生之構成單位等。該環式基可使用作為ArF準分子雷射用、KrF準分子雷射用(較佳為ArF準分子雷射用)等之阻劑組成物的樹脂成分所用者而自以往已知之多數者。  　　該環式基，就工業上容易獲得等之觀點，特佳為選自三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基、異莰基、降莰基的至少1種。此等之多環式基，亦可具有碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基作為取代基。  　　構成單位(a4)，具體而言，可例示下述通式(a4-1)~(a4-7)分別表示之構成單位。

[式中，R^α 係與前述相同]。

(A1)成分所具有的構成單位(a4)。可為1種亦可為2種以上。  　　(A1)成分具有構成單位(a4)時，構成單位(a4)之比例，相對於構成該(A1)成分之全部構成單位的合計(100莫耳%)而言，較佳為1~40莫耳%、更佳為5~20莫耳%。  　　構成單位(a4)之比例，藉由成為較佳的下限值以上，可充分得到含有構成單位(a4)所致之效果，另一方面，藉由成為較佳的上限值以下，容易取得與其他構成單位之平衡。

關於構成單位(st)：  　　構成單位(st)，為由苯乙烯或苯乙烯衍生物所衍生之構成單位。「由苯乙烯所衍生之構成單位」，意指苯乙烯之乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位。「由苯乙烯衍生物所衍生之構成單位」，意指苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵開裂所構成的構成單位(惟，相當於構成單位(a10)者除外)。

「苯乙烯衍生物」，意指苯乙烯的至少一部分之氫原子經取代基取代之化合物。苯乙烯衍生物，例如，可列舉苯乙烯之α位之氫原子經取代基取代者、苯乙烯之苯環的1個以上之氫原子經取代基取代者、苯乙烯之α位之氫原子及苯環的1個以上之氫原子經取代基取代者等。

取代苯乙烯之α位之氫原子的取代基，可列舉碳數1~5之烷基，或碳數1~5之鹵化烷基。  　　前述碳數1~5之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。  　　前述碳數1~5之鹵化烷基，為前述碳數1~5之烷基之氫原子的一部分或全部經鹵素原子取代而得之基。該鹵素原子特佳為氟原子。  　　取代苯乙烯之α位之氫原子的取代基，較佳為碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基、更佳為碳數1~3之烷基或碳數1~3之氟化烷基，就工業上獲得的容易性而言，又更佳為甲基。

取代苯乙烯的苯環之氫原子的取代基，例如可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基等。  　　作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基；更佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。  　　作為前述取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基；更佳為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基；又更佳為甲氧基、乙氧基。  　　作為前述取代基之鹵素原子，較佳為氟原子。  　　作為前述取代基之鹵化烷基，可列舉前述烷基之氫原子的一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。  　　取代苯乙烯的苯環之氫原子的取代基，較佳為碳數1~5之烷基、更佳為甲基或乙基、又更佳為甲基。

作為構成單位(st)，較佳為由苯乙烯所衍生之構成單位，或由苯乙烯的α位之氫原子經碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基取代的苯乙烯衍生物所衍生之構成單位；更佳為由苯乙烯所衍生之構成單位，或由苯乙烯的α位之氫原子經甲基取代的苯乙烯衍生物所衍生之構成單位；又更佳為由苯乙烯所衍生之構成單位。

(A1)成分所具有的構成單位(st)。可為1種亦可為2種以上。  　　(A1)成分具有構成單位(st)時，構成單位(st)之比例，相對於構成該(A1)成分之全部構成單位的合計(100莫耳%)而言，較佳為1~30莫耳%、更佳為3~20莫耳%。

阻劑組成物所含有的(A1)成分可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。  　　本實施形態之阻劑組成物中，(A1)成分可列舉具有構成單位(a1)之重複結構的高分子化合物。  　　較佳的(A1)成分，可列舉具有構成單位(a1)與構成單位(a10)之重複結構的高分子化合物。  　　此時，該高分子化合物中之構成單位(a1)之比例，相對於構成該高分子化合物的全部構成單位之合計(100莫耳%)而言，較佳為5~80莫耳%、更佳為10~75莫耳%、又更佳為30~70莫耳%、特佳為40~60莫耳%。  　　又，該高分子化合物中之構成單位(a10)之比例，相對於構成該高分子化合物的全部構成單位之合計(100莫耳%)而言，較佳為5~80莫耳%、更佳為10~75莫耳%、又更佳為30~70莫耳%、特佳為40~60莫耳%。

該高分子化合物中之構成單位(a1)與構成單位(a10)之莫耳比(構成單位(a1)：構成單位(a10))，較佳為2：8~8：2、更佳為3：7~7：3、又更佳為4：6~6：4。

該(A1)成分，可藉由將衍生各構成單位之單體溶解於聚合溶劑中，於其中例如添加偶氮二異丁腈(AIBN)、偶氮雙異丁酸二甲酯(例如V-601等)等之自由基聚合起始劑進行聚合來製造。  　　或者，該(A1)成分，可藉由將衍生構成單位(a1)之單體，與依需要之衍生構成單位(a1)以外的構成單位之單體溶解於聚合溶劑中，於其中添加如上述之自由基聚合起始劑進行聚合，之後，進行去保護反應來製造。  　　再者，聚合時，例如，亦可藉由合併使用如  HS-CH₂ -CH₂ -CH₂ -C(CF₃ )₂ -OH之鏈轉移劑，於末端導入  -C(CF₃ )₂ -OH基。如此地，經導入烷基之氫原子的一部分經氟原子取代之羥基烷基的共聚物，係有效於顯影缺陷的減低或LER(線邊緣粗糙度：線側壁之不均勻的凹凸)的減低。

(A1)成分之重量平均分子量(Mw)(藉由凝膠滲透層析(GPC)以聚苯乙烯換算為基準)，並無特殊限定，較佳為1000~50000、更佳為2000~30000、又更佳為3000~ 20000。  　　(A1)成分之Mw若為該範圍之較佳的上限值以下，則係有作為阻劑使用所充分的對阻劑溶劑之溶解性，若為該範圍之較佳的下限值以上，則耐乾蝕刻性或阻劑圖型截面形狀良好。  　　(A1)成分之分散度(Mw/Mn)並無特殊限定，較佳為1.0~4.0、更佳為1.0~3.0、特佳為1.0~2.0。再者，Mn表示數平均分子量。

･關於(A2)成分  　　本實施形態之阻劑組成物，亦可合併使用不相當於前述(A1)成分之藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的基材成分(以下稱為「(A2)成分」)，作為(A)成分。  　　(A2)成分並無特殊限定，可由作為化學增幅型阻劑組成物用之基材成分而自以往為人所知的多數者中任意選擇來使用。  　　(A2)成分，可單獨使用高分子化合物或低分子化合物之1種，亦可組合使用2種以上。

(A)成分中之(A1)成分之比例，相對於(A)成分之總質量而言，較佳為25質量%以上、更佳為50質量%以上、又更佳為75質量%以上，亦可為100質量%。該比例若為25質量%以上，則容易形成高感度化或解像性、粗糙度改善等之各種微影術特性優良的阻劑圖型。

本實施形態之阻劑組成物中，(A)成分之含量，可依所欲形成之阻劑膜厚等來調整。

＜(D0)成分＞  　　本實施形態之阻劑組成物，於(A)成分以外，進一步含有下述通式(d0)表示之化合物(D0)((D0)成分)。(D0)成分，較佳為在阻劑組成物中作為捕捉藉由曝光所產生的酸之淬滅劑(酸擴散控制劑)而作用。(D0)成分亦可於阻劑組成物中作為藉由曝光而會產生酸的酸產生劑成分而作用。

(D0)成分為下述通式(d0)表示之化合物。藉由使用(D0)成分，可實現感度之提高，且可提高粗糙度等之微影術特性。

[式中，Rd⁰¹ 表示1價有機基。Rd⁰² 表示單鍵或2價連結基。m表示1以上之整數，M^m+ 表示m價之有機陽離子]。

{陰離子部}  　　前述式(d0)中，Rd⁰¹ 表示1價有機基。前述1價有機基，可列舉可具有取代基之1價烴基。前述1價烴基，較佳為碳數1~20、更佳為碳數2~15、又更佳為碳數3~10。前述1價烴基，可列舉可具有取代基之鏈狀之脂肪族烴基，及可具有取代基之環狀之烴基。

･可具有取代基之鏈狀之脂肪族烴基  　　鏈狀之脂肪族烴基，可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。鏈狀之脂肪族烴基，可為飽和亦可為不飽和。前述鏈狀之脂肪族烴基，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之烷基、直鏈狀或分支鏈狀之烯基，及直鏈狀或分支鏈狀之炔基。

前述直鏈狀烷基，較佳為碳數1~20、更佳為碳數2~15、又更佳為碳數3~10。  　　前述分支鏈狀烷基，較佳為碳數2~15、更佳為碳數3~10。分支鏈狀之烷基之具體例子可列舉與前述式(a1-r-1)中之Ra’³ 所列舉的相同者。  　　其中，直鏈狀或分支鏈狀之烷基，尤以n-丁基、異丁基、n-戊基、異戊基，或新戊基等為佳。

前述直鏈狀之烯基，較佳為碳數2~15、更佳為碳數3~10。前述分支鏈狀之烯基，較佳為碳數3~15、更佳為碳數3~10。前述直鏈狀之烯基，可列舉乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基(烯丙基)，及丁烯基等。前述分支鏈狀之烯基，可列舉1-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基，及2-甲基丙烯基等。

前述直鏈狀之炔基，較佳為碳數2~15、更佳為碳數3~10。前述分支鏈狀之炔基，較佳為碳數5~15、更佳為碳數5~10。前述直鏈狀之炔基，可列舉乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基等。前述分支鏈狀之炔基，可列舉3-甲基-1-丁炔基、1-甲基-2-丁炔基，及1-甲基-3-丁炔基等。  　　其中，直鏈狀或分支鏈狀之炔基，尤佳為1-丁炔基等。

前述鏈狀之脂肪族烴基，可具有亦可不具有取代基。前述鏈狀之脂肪族烴基可具有的取代基，例如可列舉烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基，及胺基等。

･可具有取代基之環狀之烴基  　　環狀之烴基，可為芳香族烴基、亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基，可為飽和亦可為不飽和，較佳為飽和。

前述芳香族烴基，為具有芳香環之烴基。前述芳香族烴基之碳數較佳為3~30、更佳為5~30、又更佳為5~20、特佳為6~15、最佳為6~10。惟，前述碳數中，不包含取代基中的碳數。  　　前述芳香族烴基所具有的芳香環，可列舉苯、茀、萘、蒽、菲、聯苯，或構成此等之芳香環的碳原子之一部分經雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。  　　前述芳香族烴基，可列舉由前述芳香環去除1個氫原子而得之基(芳基：例如，苯基、萘基等)、前述芳香環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如，苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數，較佳為1~4、更佳為1~2。

前述環狀之脂肪族烴基，可列舉結構中包含環的脂肪族烴基。前述結構中包含環的脂肪族烴基，可列舉脂環式烴基(由脂肪族烴環去除1個氫原子而得之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基的末端之基、脂環式烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基的途中之基等。  　　前述脂環式烴基，較佳為碳數3~20、更佳為5~12、又更佳為5~10。  　　前述脂環式烴基，可為多環式基、亦可為單環式基。單環式之脂環式烴基，較佳為由單環烷去除1個以上之氫原子而得之基。前述單環烷，較佳為碳數3~6者，具體而言可列舉環戊烷，及環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為由多環烷去除1個以上之氫原子而得之基。前述多環烷，較佳為碳數7~30者。前述多環烷，可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之具有交聯環系的多環式骨架之多環烷；及具有類固醇骨架之環式基等之具有縮合環系的多環式骨架之多環烷。

其中，前述環狀之脂肪族烴基，尤佳為由單環烷或多環烷去除1個以上的氫原子而得之基；更佳為由單環烷去除1個氫原子而得之基；又更佳為環戊基或環己基；特佳為環己基。

可鍵結於前述脂環式烴基的直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數1~10、更佳為1~6、又更佳為1~4、特佳為1~3。前述直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂ -]、伸乙基[-(CH₂ )₂ -]、三亞甲基[-(CH₂ )₃ -]、四亞甲基[-(CH₂ )₄ -]、五亞甲基[-(CH₂ )₅ -]等。  　　可鍵結於前述脂環式烴基的分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數2~10、更佳為3~6、又更佳為3或4、最佳為3。前述分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為分支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、  -C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、 -C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -、-C(CH₂ CH₃ )₂ -CH₂ -等之烷基伸乙基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。

前述環狀之烴基，亦可如雜環般包含雜原子。包含前述雜原子的環狀之烴基，可列舉前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之含內酯之環式基、前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之含-SO₂ -之環式基、其他下述化學式(r-hr-1)~(r-hr-16)分別表示之雜環式基。式中，*表示鍵結於式(d0)中之三鍵的碳原子之鍵結部位。

前述環狀之烴基，可具有亦可不具有取代基。前述環狀之烴基可具有的取代基，例如可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基等。  　　作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5。具體例子可列舉甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等。作為前述取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5。具體例子可列舉甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基，較佳為甲氧基或乙氧基。  　　作為前述取代基之鹵素原子，較佳為氟原子。  　　作為前述取代基之鹵化烷基，可列舉碳數1~5之烷基之氫原子的一部分或全部經前述鹵素原子取代之基。  　　前述作為取代基之羰基，為取代構成環狀之烴基的亞甲基(-CH₂ -)之基。  　　前述環狀之烴基可具有的取代基，較佳為烷基、鹵素原子，或鹵化烷基；更佳為鹵素原子；又更佳為氟原子。

前述環狀之烴基，可為包含脂肪族烴環與芳香環經縮合而得的縮合環之縮合環式基。前述縮合環，例如可列舉於具有交聯環系的多環式骨架之多環烷上，縮合有1個以上之芳香環者等。前述交聯環系多環烷之具體例子可列舉雙環[2.2.1]庚烷(降莰烷)、雙環[2.2.2]辛烷等之雙環烷。前述縮合環式基，較佳為包含於雙環烷上縮合有2個或3個芳香環的縮合環之基、更佳為包含於雙環[2.2.2]辛烷上縮合有2個或3個芳香環的縮合環之基。前述縮合環式基之具體例子可列舉下述式(r-br-1)~(r-br-2)表示者。式中，*表示鍵結於式(d0)中之三鍵的碳原子之鍵結部位。

前述縮合環式基可具有的取代基，例如可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、芳香族烴基、脂環式烴基等。  　　作為前述取代基之烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基，可列舉與作為上述環狀之烴基的取代基所列舉的相同者。作為前述縮合環式基之取代基之芳香族烴基，可列舉由芳香環去除1個氫原子而得之基(芳基：例如，苯基、萘基等)、前述芳香環之1個氫原子經伸烷基取代之基(例如，苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基等)、上述式(r-hr-1)~(r-hr-6)分別表示之雜環式基等。  　　作為前述縮合環式基之取代基之脂環式烴基，可列舉由環戊烷、環己烷等之單環烷去除1個氫原子而得之基；由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個氫原子而得之基；前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之含內酯之環式基；前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之含-SO₂ -之環式基；前述式(r-hr-7)~(r-hr-16)分別表示之雜環式基等。

其中，Rd⁰¹ 尤佳為環狀之烴基。藉由使Rd⁰¹ 成為環狀之烴基，感度及粗糙度更加提高。Rd⁰¹ 更佳為單環式之脂肪族烴基，或芳香族烴基；又更佳為芳香族烴基。Rd⁰¹ 特佳為苯基、苄基，或苯乙基；最佳為苯基。

前述式(d0)中，Rd⁰² 表示單鍵或2價連結基。前述2價連結基，可列舉可具有取代基之2價烴基，及包含雜原子之2價連結基。前述2價連結基，可列舉與前述式(a10-1)中之Ya^x1 所列舉的相同者。Rd⁰² 中之2價連結基，較佳為碳數1~20、更佳為碳數1~10、又更佳為碳數1~6、特佳為碳數1~3、最佳為碳數1或2。  　　其中，Rd⁰² 中之2價連結基，尤佳為可具有取代基之2價烴基、更佳為可具有取代基之脂肪族烴基、又更佳為可具有取代基之直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基、特佳為可具有取代基之直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基。  　　前述2價烴基，可具有亦可不具有取代基。前述2價烴基可具有的取代基，可列舉與前述式(a10-1)中之Ya^x1 所列舉的相同者。

Rd⁰² 較佳為單鍵，或直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基；更佳為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸丙基，或伸異丙基；又更佳為單鍵或亞甲基；特佳為單鍵。

(D0)成分之陰離子部，較佳為下述通式(d0-an)表示之陰離子。

[式中，Rd⁰¹¹ 表示可具有取代基之環狀之烴基。Rd⁰²¹ 表示單鍵或直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基。n⁰¹¹ 表示0~3之整數]。

前述式(d0-an)中，Rd⁰¹¹ 表示可具有取代基之環狀之烴基。前述環狀之烴基，可列舉與前述式(d0)中之Rd⁰¹ 所列舉的相同者。前述環狀之烴基，較佳為芳香族烴基、更佳為苯基。

前述式(d0-an)中，Rd⁰²¹ 表示單鍵或直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基。前述直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基，更佳為碳數1~10、又更佳為碳數1~6、特佳為碳數1~3、最佳為碳數1或2。  　　Rd⁰²¹ 較佳為單鍵或碳數1~6之直鏈狀之伸烷基；更佳為單鍵，或碳數1~3之直鏈狀之伸烷基；又更佳為單鍵或甲基；特佳為單鍵。

前述式(d0-an)中，n⁰¹¹ 表示0~3之整數。n⁰¹¹ 較佳為0~2之整數、更佳為0或1、又更佳為0。

(D0)成分中之陰離子部之較佳例子如以下所示。

{陽離子部}  　　前述式(d0)中，M’^m+ 表示m價之有機陽離子。前述有機陽離子，較佳為鋶陽離子、錪陽離子。  　　m為1以上之整數。

較佳的陽離子部((M’^m+ )_1/m )，可列舉下述通式(ca-1)~(ca-5)分別表示之有機陽離子。

[式中，R²⁰¹ ~R²⁰⁷ ，及R²¹¹ ~R²¹² ，係分別獨立地表示可具有取代基之芳基、烷基或烯基。R²⁰¹ ~R²⁰³ 、R²⁰⁶ ~R²⁰⁷ 、R²¹¹ ~R²¹² 亦可相互鍵結而與式中之硫原子一起形成環。R²⁰⁸ ~R²⁰⁹ 係分別獨立地表示氫原子或碳數1~5之烷基。R²¹⁰ 為可具有取代基之芳基、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基，或可具有取代基之含-SO₂ -之環式基。L²⁰¹ 表示-C(=O)-或-C(=O)-O-。Y²⁰¹ 係分別獨立地表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。x為1或2。W²⁰¹ 表示(x+1)價連結基]。

上述通式(ca-1)~(ca-5)中，R²⁰¹ ~R²⁰⁷ ，及R²¹¹ ~R²¹² 中之芳基，可列舉碳數6~20之無取代之芳基，較佳為苯基、萘基。  　　R²⁰¹ ~R²⁰⁷ ，及R²¹¹ ~R²¹² 中之烷基，係鏈狀或環狀之烷基，較佳為碳數1~30者。  　　R²⁰¹ ~R²⁰⁷ ，及R²¹¹ ~R²¹² 中之烯基，較佳為碳數2~10。  　　R²⁰¹ ~R²⁰⁷ ，及R²¹⁰ ~R²¹² 可具有的取代基，例如可列舉烷基、鹵素原子、鹵化烷基、羰基、氰基、胺基、芳基、下述通式(ca-r-1)~(ca-r-7)分別表示之基等。

[式中，R’²⁰¹ 係分別獨立地為氫原子、可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基]。

可具有取代基之環式基：  　　該環式基較佳為環狀之烴基，該環狀之烴基可為芳香族烴基、亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基，意指不具備芳香族性之烴基。又，脂肪族烴基，可為飽和亦可為不飽和，通常較佳為飽和。  　　R’²⁰¹ 中之環狀之烴基，可列舉與前述式(d0)中之Rd⁰¹ 所列舉的相同者。

可具有取代基之鏈狀之烷基：  　　R’²⁰¹ 之鏈狀之烷基，係直鏈狀或分支鏈狀之任意者均可。  　　直鏈狀之烷基，較佳為碳數1~20、更佳為碳數1~15、最佳為碳數1~10。  　　分支鏈狀之烷基，較佳為碳數3~20、更佳為碳數3~15、最佳為碳數3~10。具體而言，例如可列舉1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

可具有取代基之鏈狀之烯基：  　　R’²⁰¹ 之鏈狀之烯基，係直鏈狀或分支鏈狀之任意者均可，較佳為碳數2~10、更佳為碳數2~5、又更佳為碳數2~4、特佳為碳數3。直鏈狀之烯基，例如可列舉乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。分支鏈狀之烯基，例如可列舉1-甲基乙烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。  　　作為鏈狀之烯基，於上述之中尤以直鏈狀之烯基為佳；更佳為乙烯基、丙烯基；特佳為乙烯基。

R’²⁰¹ 之鏈狀之烷基或烯基中的取代基，例如可列舉烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述R’²⁰¹ 中的環式基等。

R’²⁰¹ 之可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基，於上述者以外，亦可列舉作為可具有取代基之環式基或可具有取代基之鏈狀之烷基，而與上述式(a1-r-2)表示之酸解離性基相同者。

其中尤其是R’²⁰¹ ，較佳為可具有取代基之環式基、更佳為可具有取代基之環狀之烴基。更具體而言，例如，較佳為由苯基、萘基、多環烷去除1個以上之氫原子而得之基；前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之含內酯之環式基；前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之含-SO₂ -之環式基等。

上述通式(ca-1)~(ca-5)中，R²⁰¹ ~R²⁰⁷ ，及R²¹⁰ ~R²¹² 可具有的取代基，於上述之中，尤以拉電子性基為佳。該拉電子性基可為1種、亦可為2種以上。  　　該拉電子性基，例如可為1價取代基之拉電子性基、亦可為2價取代基之拉電子性基。具體而言，可列舉醯基、甲烷磺醯基(甲磺醯基)、鹵素原子、鹵化烷基、鹵化烷氧基、鹵化芳氧基、鹵化烷基胺基、鹵化烷硫基、氰基、硝基、二烷基膦醯基、二芳基膦醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、磺醯氧基、醯硫基、胺磺醯基、硫氰酸酯基、硫羰基。  　　上述之中，就高感度化之觀點，尤以氟原子、氟化烷基或磺醯基為佳；更佳為氟原子，或氟化烷基。前述氟化烷基，較佳為碳原子數1~5之氟化烷基。

拉電子性基為氟原子或氟化烷基時，(D0)成分之陽離子部中的氟原子之數目較佳為1~9個、更佳為2~6個、又更佳為3個或4個。  　　氟原子若為前述較佳範圍之下限值以上，感度成為良好。另一方面，若為前述較佳範圍之上限值以下，則阻劑組成物對顯影液之溶解性被保持，容易抑制粗糙度的劣化。

上述通式(ca-1)~(ca-5)中，R²⁰¹ ~R²⁰³ 、R²⁰⁶ ~ R²⁰⁷ 、R²¹¹ ~R²¹² 相互鍵結而與式中之硫原子一起形成環時，亦可隔著硫原子、氧原子、氮原子等之雜原子，或羰基、-SO-、-SO₂ -、-SO₃ -、-COO-、-CONH-或-N(R_N )-(該R_N 為碳數1~5之烷基)等之官能基而鍵結。作為所形成的環，其環骨架中包含式中之硫原子的1個環，含硫原子較佳為3~10員環、特佳為5~7員環。所形成的環之具體例子例如可列舉噻吩環、噻唑環、苯并噻吩環、二苯并噻吩環、9H-噻吨環、噻噸酮環、噻嗯環、啡噁噻環、四氫噻吩鎓環、四氫硫代吡喃鎓環等。

R²⁰⁸ ~R²⁰⁹ 係分別獨立地表示氫原子或碳數1~5之烷基，較佳為氫原子或碳數1~3之烷基，為烷基時，亦可相互鍵結而形成環。

R²¹⁰ 為可具有取代基之芳基、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烯基，或可具有取代基之含-SO₂ -之環式基。  　　R²¹⁰ 中之芳基，可列舉碳數6~20之無取代之芳基，較佳為苯基、萘基。  　　R²¹⁰ 中之烷基，係鏈狀或環狀之烷基，較佳為碳數1~30者。  　　R²¹⁰ 中之烯基，較佳為碳數2~10。R²¹⁰ 中的可具有取代基之含SO₂ -之環式基，較佳為「含-SO₂ -之多環式基」、更佳為上述通式(a5-r-1)表示之基。

Y²⁰¹ 係分別獨立地表示伸芳基、伸烷基或伸烯基。  　　Y²⁰¹ 中的伸芳基，可列舉由作為上述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之芳香族烴基所例示的芳基去除1個氫原子而得之基。  　　Y²⁰¹ 中之伸烷基、伸烯基，可列舉由作為上述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之鏈狀之烷基、鏈狀之烯基所例示之基去除1個氫原子而得之基。

前述式(ca-4)中，x為1或2。  　　W²⁰¹ 為(x+1)價，亦即2價或3價連結基。  　　W²⁰¹ 中之2價連結基，較佳為可具有取代基之2價烴基，可例示與上述通式(a2-1)中之Ya²¹ 相同的可具有取代基之2價烴基。W²⁰¹ 中之2價連結基係直鏈狀、分支鏈狀、環狀之任意者均可，較佳為環狀。其中尤以於伸芳基之兩端組合2個羰基之基為佳。伸芳基可列舉伸苯基、伸萘基等，特佳為伸苯基。  　　W²⁰¹ 中之3價連結基，可列舉由前述W²⁰¹ 中之2價連結基去除1個氫原子而得之基、於前述2價連結基進一步鍵結有前述2價連結基之基等。W²⁰¹ 中之3價連結基，較佳為於伸芳基鍵結有2個羰基之基。

以下顯示前述式(ca-1)表示之適合的陽離子。

[式中，g1、g2、g3表示重複數，g1為1~5之整數，g2為0~20之整數，g3為0~20之整數]。

[式中，R”²⁰¹ 為氫原子或取代基，該取代基係與作為前述R²⁰¹ ~R²⁰⁷ ，及R²¹⁰ ~R²¹² 可具有的取代基所列舉的相同]。

前述式(ca-2)表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉二苯基錪陽離子、雙(4-tert-丁基苯基)錪陽離子等。

前述式(ca-3)表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉下述式(ca-3-1)~(ca-3-6)分別表示之陽離子。

前述式(ca-4)表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉下述式(ca-4-1)~(ca-4-2)分別表示之陽離子。

前述式(ca-5)表示之適合的陽離子，具體而言，可列舉下述通式(ca-5-1)~(ca-5-3)分別表示之陽離子。

(D0)成分之陽離子部，於上述之中，尤以通式(ca-1)表示之陽離子為佳。其中尤佳為前述化學式(ca-1-1)~(ca-1-117)之任一者表示之陽離子、更佳為(ca-1-1)或(ca-1-92)表示之陽離子。

(D0)成分，於上述之中，尤以下述通式(d0-1)表示之化合物為佳。

[式中，R²⁰¹ ~R²⁰³ ，係分別獨立地表示可具有取代基之芳基、烷基或烯基。R²⁰¹ ~R²⁰³ 亦可相互鍵結而與式中之硫原子一起形成環。Rd⁰² 表示單鍵或2價連結基。R¹⁰¹ 為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基]。

前述式(d0-1)中，R²⁰¹ ~R²⁰³ 係與前述式(ca-1)中之R²⁰¹ ~R²⁰³ 相同。R²⁰¹ ~R²⁰³ 較佳分別獨立地為可具有取代基之芳基。R²⁰¹ ~R²⁰³ 之任意2個亦可相互鍵結而與式中之硫原子一起形成環。

前述式(d0-1)中，Rd⁰¹ 及Rd⁰² 係與前述式(d0)中之Rd⁰¹ 及Rd⁰² 相同。

以下列舉(D0)成分之具體例子，但不限定於此等。

本實施形態之阻劑組成物中，(D0)成分可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。  　　(D0)成分作為酸擴散控制劑而發揮功能時，阻劑組成物中之(D0)成分之含量，相對於(A)成分100質量份而言，較佳為1~35質量份、更佳為2~25質量份、又更佳為3~20質量份、特佳為3~15質量份。(D0)成分作為酸產生劑成分而發揮功能時，阻劑組成物中之(D0)成分之含量，相對於(A)成分100質量份而言，較佳為未達50質量份、更佳為1~40質量份、又更佳為5~25質量份。  　　(D0)成分之含量，藉由成為前述較佳範圍內，容易以更高等級達成兼顧高感度化與粗糙度降低。

＜任意成分＞  　　本實施形態之阻劑組成物，亦可進一步含有上述(A)成分，及(D0)成分以外之成分(任意成分)。該任意成分，例如可列舉以下所示之(B)成分(惟，相當於(D0)成分者除外)、(D)成分(惟，相當於(D0)成分者除外)、(E)成分、(F)成分、(S)成分等。

≪酸產生劑成分(B)≫  　　本實施形態之阻劑組成物，於(A)成分及(D0)成分以外，較佳含有酸產生劑成分(B)((B)成分)。(B)成分並無特殊限定，可列舉至今為止作為化學增幅型阻劑組成物用之酸產生劑所提案的錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑。

(B)成分例如可列舉下述通式(b-1)表示之化合物(以下亦稱「(b-1)成分」)、通式(b-2)表示之化合物(以下亦稱「(b-2)成分」)或通式(b-3)表示之化合物(以下亦稱「(b-3)成分」)。

[式中，R¹⁰¹ 及R¹⁰⁴ ~R¹⁰⁸ ，係分別獨立地為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基。R¹⁰⁴ 與R¹⁰⁵ 亦可相互鍵結而形成環結構。R¹⁰² 為碳數1~5之氟化烷基或氟原子。Y¹⁰¹ 為包含氧原子之2價連結基或單鍵。V¹⁰¹ ~V¹⁰³ 係分別獨立地為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。L¹⁰¹ ~L¹⁰² 係分別獨立地為單鍵或氧原子。L¹⁰³ ~L¹⁰⁵ 係分別獨立地為單鍵、-CO-或-SO₂ -。m為1以上之整數，M’^m+ 為m價之鎓陽離子]。

{陰離子部}  ･(b-1)成分中之陰離子  　　式(b-1)中，R¹⁰¹ 為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基。

可具有取代基之環式基：  　　該環式基較佳為環狀之烴基，該環狀之烴基可為芳香族烴基、亦可為脂肪族烴基。脂肪族烴基，意指不具備芳香族性之烴基。又，脂肪族烴基，可為飽和亦可為不飽和，通常較佳為飽和。R¹⁰¹ 中之環狀之烴基，可列舉與前述式(d1)中之Rd⁰¹ 所列舉的相同者。

可具有取代基之鏈狀之烷基：  　　R¹⁰¹ 之鏈狀之烷基，係直鏈狀或分支鏈狀之任意者均可。直鏈狀之烷基，較佳為碳數1~20、更佳為1~15、最佳為1~10。R¹⁰¹ 之鏈狀之烷基，可列舉與前述式(ca-r-1)~(ca-r-7)中之R’²⁰¹ 所列舉的相同者。

可具有取代基之鏈狀之烯基：  　　R¹⁰¹ 之鏈狀之烯基，係直鏈狀或分支鏈狀之任意者均可，較佳為碳數2~10、更佳為2~5、又更佳為2~4、特佳為3。R¹⁰¹ 之鏈狀之烯基，可列舉與前述式(ca-r-1)~(ca-r-7)中之R’²⁰¹ 所列舉的相同者。

R¹⁰¹ 之鏈狀之烷基或烯基中的取代基，例如可列舉烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基、硝基、胺基、上述R¹⁰¹ 中的環式基等。

上述之中尤其是R¹⁰¹ 較佳為可具有取代基之環式基、更佳為可具有取代基之環狀之烴基。更具體而言，較佳為由苯基、萘基、多環烷去除1個以上之氫原子而得之基；前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之含內酯之環式基；前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之含-SO₂ -之環式基等。

式(b-1)中，Y¹⁰¹ 為單鍵或包含氧原子之2價連結基。  　　Y¹⁰¹ 為包含氧原子之2價連結基時，該Y¹⁰¹ 亦可含有氧原子以外之原子。氧原子以外之原子，例如可列舉碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。  　　包含氧原子之2價連結基，例如可列舉氧原子(醚鍵：-O-)、酯鍵(-C(=O)-O-)、氧羰基(-O-C(=O)-)、醯胺鍵(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵(-O-C(=O)-O-)等之非烴系之含氧原子之連結基；該非烴系之含氧原子之連結基與伸烷基的組合等。於該組合亦可進一步連結有磺醯基(-SO₂ -)。該包含氧原子之2價連結基，例如可列舉下述通式(y-al-1)~(y-al-7)分別表示之連結基。

[式中，V’¹⁰¹ 為單鍵或碳數1~5之伸烷基，V’¹⁰² 為碳數1~30之2價飽和烴基]。

V’¹⁰² 中之2價飽和烴基，較佳為碳數1~30之伸烷基、更佳為碳數1~10之伸烷基、又更佳為碳數1~5之伸烷基。

V’¹⁰¹ 及V’¹⁰² 中之伸烷基，可為直鏈狀之伸烷基亦可為分支鏈狀之伸烷基，較佳為直鏈狀之伸烷基。  　　V’¹⁰¹ 及V’¹⁰² 中之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH₂ -]；-CH(CH₃ )-、-CH(CH₂ CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ -、-C(CH₃ )(CH₂ CH₃ )-、    -C(CH₃ )(CH₂ CH₂ CH₃ )-、-C(CH₂ CH₃ )₂ -等之烷基亞甲基；伸乙基   [-CH₂ CH₂ -]；-CH(CH₃ )CH₂ -、-CH(CH₃ )CH(CH₃ )-、-C(CH₃ )₂ CH₂ -、-CH(CH₂ CH₃ )CH₂ -等之烷基伸乙基；三亞甲基(n-伸丙基)            [-CH₂ CH₂ CH₂ -]；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH(CH₃ )CH₂ -等之烷基三亞甲基；四亞甲基[-CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ -]；-CH(CH₃ )CH₂ CH₂ CH₂ -、   -CH₂ CH(CH₃ )CH₂ CH₂ -等之烷基四亞甲基；五亞甲基    [-CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ CH₂ -]等。  　　又，V’¹⁰¹ 或V’¹⁰² 中之前述伸烷基中的一部分亞甲基，亦可經碳數5~10之2價脂肪族環式基取代。該脂肪族環式基，較佳為由前述式(a1-r-1)中之Ra’³ 的環狀之脂肪族烴基(單環式之脂肪族烴基、多環式之脂肪族烴基)進一步去除1個氫原子而得之2價基；更佳為伸環己基、1,5-伸金剛烷基或2,6-伸金剛烷基。

Y¹⁰¹ 較佳為包含酯鍵之2價連結基，或包含醚鍵之2價連結基；更佳為上述式(y-al-1)~(y-al-5)分別表示之連結基。

式(b-1)中，V¹⁰¹ 為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基。V¹⁰¹ 中之伸烷基、氟化伸烷基，較佳為碳數1~4。V¹⁰¹ 中之氟化伸烷基，可列舉V¹⁰¹ 中之伸烷基之氫原子的一部分或全部經氟原子取代之基。其中尤其是V¹⁰¹ 較佳為單鍵或碳數1~4之氟化伸烷基。

式(b-1)中，R¹⁰² 為氟原子或碳數1~5之氟化烷基。R¹⁰² 較佳為氟原子或碳數1~5之全氟烷基、更佳為氟原子。

前述式(b-1)表示之陰離子部之具體例子，例如，Y¹⁰¹ 為單鍵時，可列舉三氟甲磺酸根陰離子或全氟丁磺酸根陰離子等之氟化烷基磺酸根陰離子；Y¹⁰¹ 為包含氧原子之2價連結基時，可列舉下述式(an-1)~(an-3)之任一者表示之陰離子。

[式中，R”¹⁰¹ 為可具有取代基之脂肪族環式基、上述化學式(r-hr-1)~(r-hr-6)分別表示之1價雜環式基、前述式(r-br-1)或(r-br-2)表示之縮合環式基，或可具有取代基之鏈狀之烷基。R”¹⁰² 為可具有取代基之脂肪族環式基、前述式(r-br-1)或(r-br-2)表示之縮合環式基、前述通式(a2-r-1)、(a2-r-3)~(a2-r-7)分別表示之含內酯之環式基，或前述通式(a5-r-1)~(a5-r-4)分別表示之含-SO₂ -之環式基。R”¹⁰³ 為可具有取代基之芳香族環式基、可具有取代基之脂肪族環式基，或可具有取代基之鏈狀之烯基。V”¹⁰¹ 為單鍵、碳數1~4之伸烷基，或碳數1~4之氟化伸烷基。R¹⁰² 為氟原子或碳數1~5之氟化烷基。v”係分別獨立地為0~3之整數，q”係分別獨立地為0~20之整數，n”為0或1]。

R”¹⁰¹ 、R”¹⁰² 及R”¹⁰³ 的可具有取代基之脂肪族環式基，較佳為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之環狀之脂肪族烴基所例示之基。前述取代基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之可取代環狀之脂肪族烴基的取代基相同者。

R”¹⁰³ 中之可具有取代基之芳香族環式基，較佳為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之環狀之烴基中之芳香族烴基所例示之基。前述取代基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之可取代該芳香族烴基的取代基相同者。

R”¹⁰¹ 中之可具有取代基之鏈狀之烷基，較佳為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之鏈狀之烷基所例示之基。  　　R”¹⁰³ 中之可具有取代基之鏈狀之烯基，較佳為作為前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 中之鏈狀之烯基所例示之基。

･(b-2)成分中之陰離子  　　式(b-2)中，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ ，係分別獨立地為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基，分別可列舉與式(b-1)中之R¹⁰¹ 相同者。惟，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 亦可相互鍵結而形成環。  　　R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 較佳為可具有取代基之鏈狀之烷基、更佳為直鏈狀或分支鏈狀之烷基，或直鏈狀或分支鏈狀之氟化烷基。  　　該鏈狀之烷基之碳數，較佳為1~10、更佳為碳數1~7、又更佳為碳數1~3。R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 之鏈狀之烷基之碳數，於上述碳數之範圍內，因對阻劑用溶劑之溶解性亦為良好等之理由，而越小越佳。又，R¹⁰⁴ 、R¹⁰⁵ 之鏈狀之烷基中，經氟原子取代之氫原子的數目越多，酸之強度越增強，又，對250nm以下之高能量光或電子束的透明性提高故較佳。前述鏈狀之烷基中之氟原子之比例，亦即氟化率，較佳為70~100%、更佳為90~100%、最佳為全部之氫原子經氟原子取代的全氟烷基。  　　式(b-2)中，V¹⁰² 、V¹⁰³ ，係分別獨立地為單鍵、伸烷基，或氟化伸烷基，分別可列舉與式(b-1)中之V¹⁰¹ 相同者。  　　式(b-2)中，L¹⁰¹ 、L¹⁰² ，係分別獨立地為單鍵或氧原子。

･(b-3)成分中之陰離子  　　式(b-3)中，R¹⁰⁶ ~R¹⁰⁸ ，係分別獨立地為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基，分別可列舉與式(b-1)中之R¹⁰¹ 相同者。  　　式(b-3)中，L¹⁰³ ~L¹⁰⁵ 係分別獨立地為單鍵、-CO-或  -SO₂ -。

上述之中，(B)成分之陰離子部，尤以(b-1)成分中之陰離子為佳。其中尤更佳為上述通式(an-1)~(an-3)之任一者表示之陰離子、又更佳為通式(an-1)或(an-2)之任一者表示之陰離子、特佳為通式(an-2)表示之陰離子。

{陽離子部}  　　前述式(b-1)、式(b-2)、式(b-3)中，M’^m+ 表示m價之鎓陽離子。鎓陽離子，較佳為鋶陽離子、錪陽離子。m為1以上之整數。

較佳的陽離子部((M’^m+ )_1/m )，可列舉前述通式(ca-1)~(ca-5)分別表示之有機陽離子。

(B)成分之陽離子部，於上述之中，尤以通式(ca-1)表示之陽離子為佳。亦即，較佳為上述化學式(ca-1-1)~(ca-1-117)之任一者表示之陽離子、更佳為(ca-1-1)~(ca-1-96)之任一者表示之陽離子。

(B)成分，於上述之中，尤以下述通式(b-1-1)表示之化合物為佳。

[式中，R²⁰¹ ~R²⁰³ ，係分別獨立地表示可具有取代基之芳基、烷基或烯基。R²⁰¹ ~R²⁰³ 之任2個亦可相互鍵結而與式中之硫原子一起形成環。R¹⁰¹ 為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基。R¹⁰² 為碳數1~5之氟化烷基或氟原子。Y¹⁰¹ 為包含氧原子之2價連結基或單鍵。V¹⁰¹ 為單鍵或氧原子]。

前述式(b-1-1)中之R¹⁰¹ 、Y¹⁰¹ 、V¹⁰¹ ，及R¹⁰² ，係與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 、Y¹⁰¹ 、V¹⁰¹ ，及R¹⁰² 相同。

前述式(b-1-1)中之R²⁰¹ ~R²⁰³ ，係與前述式(ca-1)中之R²⁰¹ ~R²⁰³ 相同。R²⁰¹ ~R²⁰³ 較佳分別獨立地為可具有取代基之芳基。R²⁰¹ ~R²⁰³ 之任2個亦可相互鍵結而與式中之硫原子一起形成環。

(B)成分可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。  　　阻劑組成物含有(B)成分時，阻劑組成物中，(B)成分之含量，相對於(A)成分100質量份而言，較佳為未達50質量份、更佳為1~40質量份、又更佳為5~25質量份。  　　(B)成分之含量，藉由成為前述較佳範圍內，可適切地擔保顯影液溶解性，故更容易得到本發明之效果。

≪酸擴散控制劑成分(D)≫  　　本實施形態中之阻劑組成物，在不損及本發明之效果的範圍，亦可進一步含有鹼成分((D)成分)(惟，相當於前述(D0)成分者除外)。(D)成分，為作為於阻劑組成物中捕捉藉由曝光所產生的酸之淬滅劑(酸擴散控制劑)而作用者。  　　(D)成分例如可列舉藉由曝光而分解，失去酸擴散控制性的光崩解性鹼(D1)(以下稱「(D1)成分」)，及不相當於該(D1)成分的含氮有機化合物(D2)(以下稱「(D2)成分」)等。  　　藉由成為含有(D)成分之阻劑組成物，於形成阻劑圖型時，可更提高阻劑膜之曝光部與未曝光部之對比。

･關於(D1)成分  　　(D1)成分，只要係不相當於(D0)成分，且藉由曝光而分解，失去酸擴散控制性者，則無特殊限定，較佳為選自由下述通式(d1-1)表示之化合物(以下稱「(d1-1)成分」)、下述通式(d1-2)表示之化合物(以下稱「(d1-2)成分」)及下述通式(d1-3)表示之化合物(以下稱「(d1-3)成分」)所成之群的1種以上之化合物。  　　(d1-1)~(d1-3)成分，因為於阻劑膜之曝光部會分解而失去酸擴散控制性(鹼性)，故不作為淬滅劑作用，於阻劑膜之未曝光部係作為淬滅劑作用。

[式中，Rd¹ ~Rd⁴ 為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基。惟，通式(d1-2)中之Rd² 中，鄰接於S原子之碳原子上未鍵結氟原子。Yd¹ 為單鍵或2價連結基。m為1以上之整數，M’^m+ 係分別獨立地為m價之鎓陽離子]。

{(d1-1)成分}  ･陰離子部  　　式(d1-1)中，Rd¹ 為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基，分別可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 等相同者。  　　此等之其中尤其是Rd¹ ，較佳為可具有取代基之芳香族烴基、可具有取代基之脂肪族環式基，或可具有取代基之鏈狀之烷基。此等之基可具有的取代基，可列舉羥基、側氧基、烷基、芳基、氟原子、氟化烷基、前述通式(a2-r-1)~(a2-r-7)分別表示之含內酯之環式基、醚鍵、酯鍵，或此等之組合。包含醚鍵或酯鍵作為取代基時，亦可隔著伸烷基，此時之取代基，較佳為上述式(y-al-1)~(y-al-5)分別表示之連結基。  　　前述芳香族烴基，可適合地列舉包含苯基、萘基、雙環辛烷骨架之多環結構(例如，包含雙環辛烷骨架之環結構與其以外之環結構的多環結構等)。  　　前述脂肪族環式基，更佳為由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環烷去除1個以上之氫原子而得之基。  　　前述鏈狀之烷基，較佳為碳數1~10，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之直鏈狀之烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等之分支鏈狀之烷基。

前述鏈狀之烷基為具有氟原子或氟化烷基作為取代基之氟化烷基時，氟化烷基之碳數較佳為1~11、更佳為1~8、又更佳為1~4。該氟化烷基亦可含有氟原子以外之原子。氟原子以外之原子例如可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。  　　Rd¹ 較佳為構成直鏈狀之烷基的一部分或全部之氫原子經氟原子取代之氟化烷基、特佳為構成直鏈狀之烷基的全部之氫原子經氟原子取代之氟化烷基(直鏈狀之全氟烷基)。

以下顯示(d1-1)成分之陰離子部的較佳之具體例子。

･陽離子部  　　式(d1-1)中，M’^m+ 為m價之鎓陽離子。  　　M’^m+ 之鎓陽離子，可適合地列舉與前述通式(ca-1)~(ca-5)分別表示之陽離子相同者。  　　(d1-1)成分可1種單獨使用、亦可組合使用2種以上。

{(d1-2)成分}  ･陰離子部  　　式(d1-2)中，Rd² 為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 等相同者。  　　惟，Rd² 中，鄰接於S原子之碳原子上未鍵結有氟原子(未經氟取代)。藉此，(d1-2)成分之陰離子成為適度的弱酸陰離子，作為(D1)成分之淬滅能力提高。  　　Rd² 較佳為可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之脂肪族環式基。鏈狀之烷基，較佳為碳數1~10、更佳為3~10。脂肪族環式基，更佳為由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等去除1個以上之氫原子而得之基(可具有取代基)；由樟腦等去除1個以上之氫原子而得之基。  　　Rd² 之烴基可具有取代基，該取代基可列舉與前述式(d1-1)之Rd¹ 中之烴基(芳香族烴基、脂肪族環式基、鏈狀之烷基)可具有的取代基相同者。

以下顯示(d1-2)成分之陰離子部之較佳的具體例子。

･陽離子部  　　式(d1-2)中，M’^m+ 為m價之鎓陽離子，係與前述式(d1-1)中之M’^m+ 相同。  　　(d1-2)成分可1種單獨使用、亦可組合使用2種以上。

{(d1-3)成分}  ･陰離子部  　　式(d1-3)中，Rd³ 為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 等相同者，較佳為包含氟原子之環式基、鏈狀之烷基，或鏈狀之烯基。其中尤佳為氟化烷基，更佳為與前述Rd¹ 之氟化烷基相同者。

式(d1-3)中，Rd⁴ 為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 等相同者。  　　其中尤佳為可具有取代基之烷基、烷氧基、烯基、環式基。  　　Rd⁴ 中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。Rd⁴ 之烷基之氫原子的一部分亦可經羥基、氰基等取代。  　　Rd⁴ 中之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基，碳數1~5之烷氧基具體而言，可列舉甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基。其中尤以甲氧基、乙氧基為佳。

Rd⁴ 中之烯基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 等相同者，較佳為乙烯基、丙烯基(烯丙基)、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基。此等之基亦可進一步具有作為取代基的碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。

Rd⁴ 中之環式基，可列舉與前述式(b-1)中之R¹⁰¹ 等相同者，較佳為由環戊烷、環己烷、金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之環烷去除1個以上之氫原子而得之脂環式基，或苯基、萘基等之芳香族基。Rd⁴ 為脂環式基時，藉由使阻劑組成物良好地溶解於有機溶劑，微影術特性成為良好。

式(d1-3)中，Yd¹ 為單鍵或2價連結基。  　　Yd¹ 中之2價連結基，並無特殊限定，可列舉可具有取代基之2價烴基(脂肪族烴基、芳香族烴基)、包含雜原子之2價連結基等。此等分別可列舉與針對上述式(a10-1)中之Ya^x1 中之2價連結基之說明中所列舉的可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基相同者。  　　Yd¹ 較佳為羰基、酯鍵、醯胺鍵、伸烷基或此等之組合。伸烷基更佳為直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基、又更佳為亞甲基或伸乙基。

以下顯示(d1-3)成分之陰離子部之較佳的具體例子。

･陽離子部  　　式(d1-3)中，M’^m+ 為m價之鎓陽離子，係與前述式(d1-1)中之M’^m+ 相同。  　　(d1-3)成分可1種單獨使用、亦可組合使用2種以上。

(D1)成分，可僅使用上述(d1-1)~(d1-3)成分之任1種、亦可組合使用2種以上。  　　阻劑組成物含有(D1)成分時，阻劑組成物中，(D1)成分之含量，相對於(A)成分100質量份而言，較佳為0.5~35質量份、更佳為1~25質量份、又更佳為2~20質量份、特佳為3~15質量份。  　　(D1)成分之含量為較佳的下限值以上時，特別容易得到良好的微影術特性及阻劑圖型形狀。另一方面，若為上限值以下，可取得與其他成分之平衡，各種微影術特性成為良好。

(D1)成分之製造方法：  　　前述(d1-1)成分、(d1-2)成分之製造方法並無特殊限定，可藉由公知的方法製造。  　　又，(d1-3)成分之製造方法並無特殊限定，例如，可同US2012-0149916號公報記載之方法來製造。

･關於(D2)成分  　　(D2)成分為鹼成分，其係於阻劑組成物中作為酸擴散控制劑作用的含氮有機化合物。

(D2)成分只要係作為酸擴散控制劑作用者，且不相當於(D0)成分及(D1)成分者則無特殊限定，例如可列舉脂肪族胺、芳香族胺等。

脂肪族胺，其中尤以2級脂肪族胺或3級脂肪族胺為佳。  　　脂肪族胺，為具有1個以上的脂肪族基之胺，該脂肪族基較佳為碳數1~12。  　　脂肪族胺可列舉將氨NH₃ 之至少1個氫原子，經碳數12以下之烷基或羥基烷基取代而得之胺(烷基胺或烷基醇胺)或環式胺。  　　烷基胺及烷基醇胺之具體例子可列舉n-己基胺、n-庚基胺、n-辛基胺、n-壬基胺、n-癸基胺等之單烷基胺；二乙基胺、二-n-丙基胺、二-n-庚基胺、二-n-辛基胺、二環己基胺等之二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三-n-丙基胺、三-n-丁基胺、三-n-戊基胺、三-n-己基胺、三-n-庚基胺、三-n-辛基胺、三-n-壬基胺、三-n-癸基胺、三-n-十二烷基胺等之三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺等之烷基醇胺。此等之中尤更佳為碳數5~10之三烷基胺、特佳為三-n-戊基胺或三-n-辛基胺。

環式胺例如可列舉包含氮原子作為雜原子之雜環化合物。該雜環化合物，可為單環式者(脂肪族單環式胺)亦可為多環式者(脂肪族多環式胺)。  　　脂肪族單環式胺，具體而言可列舉哌啶、哌嗪等。脂肪族多環式胺，較佳為碳數6~10者，具體而言，可列舉1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、六亞甲四胺、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷等。

其他脂肪族胺，可列舉參(2-甲氧基甲氧基乙基)胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基}胺、參{2-(1-甲氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基乙氧基)乙基}胺、參{2-(1-乙氧基丙氧基)乙基}胺、參[2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基]胺、三乙醇胺三乙酸酯等，較佳為三乙醇胺三乙酸酯。

芳香族胺可列舉4-二甲基胺基吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或此等之衍生物、三苄基胺、苯胺化合物、N-tert-丁氧基羰基吡咯啶等。

(D2)成分可1種單獨使用、亦可組合使用2種以上。(D2)成分，於上述之中，尤以芳香族胺為佳，更佳為苯胺化合物。苯胺化合物例如可列舉2,6-二異丙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、N,N-二丁基苯胺、N,N-二己基苯胺等。

阻劑組成物含有(D2)成分時，阻劑組成物中，(D2)成分，相對於(A)成分100質量份而言，通常於0.01~5質量份之範圍使用。藉由成為上述範圍，可取得與其他成分之平衡，各種微影術特性成為良好。

≪選自由有機羧酸，以及磷的含氧酸及其衍生物所成之群的至少1種化合物(E)≫  　　本實施形態之阻劑組成物中，以防止感度劣化，或提高阻劑圖型形狀、曝光後經時安定性等為目的，可含有選自由有機羧酸，以及磷的含氧酸及其衍生物所成之群的至少1種化合物(E)(以下稱「(E)成分」)，作為任意成分。  　　有機羧酸例如以乙酸、丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、苯甲酸、水楊酸等為適宜。  　　磷的含氧酸，可列舉磷酸、膦酸、次磷酸等，此等之中尤特佳為膦酸。  　　磷的含氧酸之衍生物，例如可列舉上述含氧酸之氫原子經烴基取代而得之酯等，前述烴基可列舉碳數1~5之烷基、碳數6~15之芳基等。  　　磷酸之衍生物，可列舉磷酸二-n-丁酯、磷酸二苯酯等之磷酸酯等。  　　膦酸之衍生物，可列舉膦酸二甲酯、膦酸-二-n-丁酯、苯基膦酸、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等之膦酸酯等。  　　次磷酸之衍生物，可列舉次磷酸酯或苯基次磷酸等。  　　本實施形態之阻劑組成物中，(E)成分可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。  　　阻劑組成物含有(E)成分時，(E)成分之含量，相對於(A)成分100質量份而言，通常於0.01~5質量份之範圍使用。

≪氟添加劑成分(F)≫  　　本實施形態之阻劑組成物，為了對阻劑膜賦予撥水性，或為了提高微影術特性，亦可含有氟添加劑成分(以下稱「(F)成分」)。  　　(F)成分，例如可使用日本特開2010-002870號公報、日本特開2010-032994號公報、日本特開2010-277043號公報、日本特開2011-13569號公報、日本特開2011-128226號公報記載之含氟高分子化合物。  　　(F)成分更具體而言，可列舉具有下述通式(f1-1)表示之構成單位(f1)的聚合物。該聚合物較佳為僅包含下述式(f1-1)表示之構成單位(f1)之聚合物(均聚物)；該構成單位(f1)與前述構成單位(a1)之共聚物；該構成單位(f1)、由丙烯酸或甲基丙烯酸所衍生之構成單位與前述構成單位(a1)之共聚物。此處，與該構成單位(f1)共聚合之前述構成單位(a1)，較佳為由(甲基)丙烯酸1-乙基-1-環辛酯所衍生之構成單位、由(甲基)丙烯酸1-甲基-1-金剛烷酯所衍生之構成單位。

[式中，R係與前述相同，Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 係分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 可相同亦可相異。nf¹ 為0~5之整數，Rf¹⁰¹ 為包含氟原子之有機基]。

式(f1-1)中，鍵結於α位碳原子之R，係與前述相同。R較佳為氫原子或甲基。  　　式(f1-1)中，Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 之碳數1~5之烷基，可列舉與上述R之碳數1~5之烷基相同者，較佳為甲基或乙基。Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ 之碳數1~5之鹵化烷基，具體而言，可列舉碳數1~5之烷基之氫原子的一部分或全部經鹵素原子取代之基。該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。其中Rf¹⁰² 及Rf¹⁰³ ，尤以氫原子、氟原子，或碳數1~5之烷基為佳；更佳為氫原子、氟原子、甲基，或乙基。  　　式(f1-1)中，nf¹ 為0~5之整數，較佳為0~3之整數、更佳為1或2。

式(f1-1)中，Rf¹⁰¹ 為包含氟原子之有機基，較佳為包含氟原子之烴基。  　　包含氟原子之烴基，可為直鏈狀、分支鏈狀或環狀之任意者，較佳為碳數1~20、更佳為碳數1~15、特佳為碳數1~10。  　　又，包含氟原子之烴基，較佳為該烴基中之氫原子的25%以上經氟化、更佳為50%以上經氟化，由於浸漬曝光時之阻劑膜的疏水性提高，特佳為60%以上經氟化。  　　其中尤其是Rf¹⁰¹ 更佳為碳數1~6之氟化烴基；特佳為三氟甲基、-CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CF₂ -CF₃ 、-CH(CF₃ )₂ 、-CH₂ -CH₂ -CF₃ 、-CH₂ -CH₂ -CF₂ -CF₂ -CF₂ -CF₃ 。

(F)成分之重量平均分子量(Mw)(藉由凝膠滲透層析以聚苯乙烯換算為基準)，較佳為1000~50000、更佳為5000~40000、最佳為10000~30000。若為該範圍之上限值以下，則具有作為阻劑使用之對阻劑用溶劑之充分的溶解性，若為該範圍之下限值以上，則阻劑膜之撥水性良好。  　　(F)成分之分散度(Mw/Mn)，較佳為1.0~5.0、更佳為1.0~3.0、最佳為1.0~2.5。

本實施形態之阻劑組成物中，(F)成分可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。  　　阻劑組成物含有(F)成分時，(F)成分之含量，相對於(A)成分100質量份而言，通常係以0.5~10質量份之比例使用。

≪有機溶劑成分(S)≫  　　本實施形態之阻劑組成物，可將阻劑材料溶解於有機溶劑成分(以下稱「(S)成分」)而製造。  　　作為(S)成分，只要為可溶解所使用的各成分，而成為均勻溶液者即可，可由以往作為化學增幅型阻劑組成物之溶劑所公知者中適當選擇任意者來使用。  　　(S)成分例如可列舉γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯，或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵之化合物；前述多元醇類或前述具有酯鍵之化合物之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等之單烷基醚或單苯基醚等之具有醚鍵之化合物等之多元醇類之衍生物[此等之中，較佳為丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME)]；如二噁烷之環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、均三甲苯等之芳香族系有機溶劑、二甲基亞碸(DMSO)等。  　　本實施形態之阻劑組成物中，(S)成分可1種單獨使用、亦可作為2種以上之混合溶劑使用。其中尤以PGMEA、PGME、γ-丁內酯、EL、環己酮為佳。

又，(S)成分亦佳為將PGMEA與極性溶劑混合而得的混合溶劑。其摻合比(質量比)，只要考慮PGMEA與極性溶劑之相溶性等而適當決定即可，較佳為1：9~9：1、更佳為2：8~8：2之範圍內為佳。  　　更具體而言，摻合EL或環己酮作為極性溶劑時，PGMEA：EL或環己酮之質量比，較佳為1：9~9：1、更佳為2：8~8：2。又，摻合PGME作為極性溶劑時，PGMEA：PGME之質量比，較佳為1：9~9：1、更佳為2：8~8：2、又更佳為3：7~7：3。進一步地，亦佳為PGMEA、PGME與環己酮之混合溶劑。  　　又，作為(S)成分，其他亦佳為由PGMEA及EL中選出的至少1種與γ-丁內酯之混合溶劑。此時，就混合比例而言，前者與後者之質量比，較佳為70：30~95：5。  　　(S)成分之使用量並無特殊限定，係於可塗佈於基板等之濃度，依塗佈膜厚而適當設定。一般而言(S)成分係以阻劑組成物之固體成分濃度成為0.1~20質量%、較佳成為0.2~15質量%之範圍內的方式使用。

本實施形態之阻劑組成物中，可進一步依期望適當添加含有具有混溶性之添加劑，例如用以改良阻劑膜之性能的附加性樹脂、溶解抑制劑、可塑劑、安定劑、著色劑、暈光防止劑、染料等。

本實施形態之阻劑組成物，於將上述阻劑材料溶解於(S)成分後，亦可使用聚醯亞胺多孔質膜、聚醯胺醯亞胺多孔質膜等來進行雜質等之去除。例如，亦可使用包含聚醯亞胺多孔質膜之濾膜、包含聚醯胺醯亞胺多孔質膜之濾膜、包含聚醯亞胺多孔質膜及聚醯胺醯亞胺多孔質膜之濾膜等，來進行阻劑組成物之過濾。前述聚醯亞胺多孔質膜及前述聚醯胺醯亞胺多孔質膜，例如例示有日本特開2016-155121號公報記載者等。

以上說明的本實施形態之阻劑組成物，含有通式(d0)表示之化合物(D0)。前述(D0)成分之陰離子部，藉由具有羧基與三鍵，酸性度適度地被控制。藉此，可實現高感度化，並且可減低粗糙度。特別是一併使用(D0)成分與(B)成分，作為酸擴散控制劑成分而發揮功能時，能夠以更高等級來兼顧高感度化與粗糙度減低。

(阻劑圖型形成方法)  　　本實施形態之阻劑圖型形成方法，為具有使用上述實施形態之阻劑組成物，於支持體上形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟，及將前述曝光後之阻劑膜顯影而形成阻劑圖型之步驟的方法。  　　該阻劑圖型形成方法之一實施形態，例如可列舉如以下般進行的阻劑圖型形成方法。

首先，將上述實施形態之阻劑組成物，以旋轉器等塗佈於支持體上，例如於80~150℃之溫度條件實施40~120秒、較佳為60~90秒的烘烤(塗佈後烘烤(PAB))處理，形成阻劑膜。  　　接著，對該阻劑膜，例如使用電子束描繪裝置、EUV曝光裝置等之曝光裝置，進行透過形成有特定圖型之遮罩(遮罩圖型)的曝光或不透過遮罩圖型而藉由電子束直接照射之描繪等以進行選擇性曝光後，例如於80~150℃之溫度條件實施40~120秒、較佳為60~90秒的烘烤(曝光後烘烤(PEB))處理。  　　接著將前述阻劑膜進行顯影處理。當鹼顯影製程時，顯影處理係使用鹼顯影液，當溶劑顯影製程時係使用含有有機溶劑之顯影液(有機系顯影液)來進行。

顯影處理後較佳為進行潤洗處理。當鹼顯影製程時，潤洗處理較佳為使用純水之水潤洗，當溶劑顯影製程時，較佳為使用含有有機溶劑之潤洗液。  　　溶劑顯影製程時，亦可於前述顯影處理或潤洗處理之後，進行將附著於圖型上之顯影液或潤洗液藉由超臨界流體去除的處理。  　　顯影處理後或潤洗處理後係進行乾燥。又，亦可依情況於上述顯影處理後進行烘烤處理(後烘烤)。  　　如此地，可形成阻劑圖型。

支持體並無特殊限定，可使用以往公知者，例如，可列舉電子零件用之基板，或於其形成有特定配線圖型者等。更具體而言，可列舉矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等之金屬製的基板，或玻璃基板等。配線圖型之材料，例如可使用銅、鋁、鎳、金等。  　　又，作為支持體，亦可為於如上述之基板上，設置有無機系及/或有機系之膜者。無機系之膜可列舉無機抗反射膜(無機BARC)。有機系之膜可列舉有機抗反射膜(有機BARC)，或多層阻劑法中之下層有機膜等之有機膜。  　　此處，多層阻劑法係指於基板上設置至少一層之有機膜(下層有機膜)，與至少一層之阻劑膜(上層阻劑膜)，且以形成於上層阻劑膜之阻劑圖型為遮罩來進行下層有機膜之圖型化的方法，被認為可形成高長寬比之圖型。亦即，依照多層阻劑法，可藉由下層有機膜確保所需的厚度，故可使阻劑膜薄膜化，可形成高長寬比之微細圖型。  　　多層阻劑法，基本上分為使成為上層阻劑膜與下層有機膜的二層結構之方法(2層阻劑法)，與使成為在上層阻劑膜與下層有機膜之間設置一層以上之中間層(金屬薄膜等)的三層以上之多層結構之方法(3層阻劑法)。

曝光所用之波長並無特殊限定，可使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F₂ 準分子雷射、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子束)、X射線、軟X射線等之放射線來進行。前述阻劑組成物，作為KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性高，作為ArF準分子雷射、EB或EUV用之有用性更高，作為EB或EUV用之有用性特高。亦即，本實施形態之阻劑圖型形成方法，為在使阻劑膜曝光之步驟包含對前述阻劑膜曝光EUV(極紫外線)或EB(電子束)之操作的情況時特別有用之方法。

阻劑膜之曝光方法，可為於空氣或氮等之惰性氣體中進行之通常曝光(乾式曝光)、亦可為液浸曝光(Liquid Immersion Lithography)。  　　液浸曝光，為預先將阻劑膜與曝光裝置之最下位置的透鏡間，填滿具有較空氣之折射率更大折射率之溶劑(液浸介質)，於該狀態下進行曝光(浸漬曝光)之曝光方法。  　　作為液浸介質，較佳為具有較空氣之折射率更大，且較被曝光的阻劑膜之折射率更小的折射率之溶劑。該溶劑之折射率，只要係前述範圍內，則無特殊限制。  　　具有較空氣之折射率更大，且較前述阻劑膜之折射率更小的折射率之溶劑，例如可列舉水、氟系不活性液體、矽系溶劑、烴系溶劑等。  　　氟系不活性液體之具體例子可列舉以C₃ HCl₂ F₅ 、C₄ F₉ OCH₃ 、C₄ F₉ OC₂ H₅ 、C₅ H₃ F₇ 等之氟系化合物為主成分之液體等，沸點較佳為70~180℃者、更佳為80~160℃者。氟系不活性液體為具有上述範圍之沸點者時，於曝光結束後可由簡便的方法進行液浸所用介質的去除，故較佳。  　　氟系不活性液體，特佳為烷基之氫原子全部經氟原子取代之全氟烷基化合物。全氟烷基化合物，具體而言，可列舉全氟烷基醚化合物、全氟烷基胺化合物。  　　更具體而言，前述全氟烷基醚化合物，可列舉全氟(2-丁基-四氫呋喃)(沸點102℃)，前述全氟烷基胺化合物，可列舉全氟三丁基胺(沸點174℃)。  　　就成本、安全性、環境問題、通用性等之觀點，液浸介質較佳使用水。

鹼顯影製程中使用於顯影處理之鹼顯影液，例如可列舉0.1~10質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液。  　　溶劑顯影製程中使用於顯影處理之有機系顯影液所含有的有機溶劑，只要係可溶解(A)成分(曝光前之(A)成分)者即可，可由公知之有機溶劑中適當選擇。具體而言，可列舉酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、腈系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑等之極性溶劑、烴系溶劑等。  　　酮系溶劑為結構中包含C-C(=O)-C之有機溶劑。酯系溶劑為結構中包含C-C(=O)-O-C之有機溶劑。醇系溶劑為結構中包含醇性羥基之有機溶劑。「醇性羥基」意指鍵結於脂肪族烴基之碳原子的羥基。腈系溶劑為結構中包含腈基之有機溶劑。醯胺系溶劑為結構中包含醯胺基之有機溶劑。醚系溶劑為結構中包含C-O-C之有機溶劑。  　　有機溶劑之中，亦存在有於結構中包含複數種對上述各溶劑賦予特徵的官能基之有機溶劑，此時，同時相當於包含該有機溶劑所具有的官能基之所有的溶劑種類。例如，二乙二醇單甲基醚，係同時相當於上述分類中之醇系溶劑、醚系溶劑。  　　烴系溶劑為包含可經鹵化之烴，且不具有鹵素原子以外之取代基的烴溶劑。鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，較佳為氟原子。  　　有機系顯影液所含有的有機溶劑，於上述之中尤佳為極性溶劑；更佳為酮系溶劑、酯系溶劑、腈系溶劑等。

酮系溶劑例如可列舉1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯基丙酮、丙酮基丙酮、紫羅酮、二丙酮醇、乙醯基甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛酮、碳酸丙烯酯、γ-丁內酯、甲基戊基酮(2-庚酮)等。此等之中，酮系溶劑尤以甲基戊基酮(2-庚酮)為佳。

酯系溶劑例如可列舉乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單丙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單甲基醚乙酸酯、二乙二醇單丙基醚乙酸酯、二乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單丁基醚乙酸酯、二乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙酸2-甲氧基丁酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸4-甲氧基丁酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙酸3-乙基-3-甲氧基丁酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單丙基醚乙酸酯、乙酸2-乙氧基丁酯、乙酸4-乙氧基丁酯、乙酸4-丙氧基丁酯、乙酸2-甲氧基戊酯、乙酸3-甲氧基戊酯、乙酸4-甲氧基戊酯、乙酸2-甲基-3-甲氧基戊酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基戊酯、乙酸3-甲基-4-甲氧基戊酯、乙酸4-甲基-4-甲氧基戊酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、丙酸甲基-3-甲氧酯、丙酸乙基-3-甲氧酯、丙酸乙基-3-乙氧酯、丙酸丙基-3-甲氧酯等。此等之中，酯系溶劑尤以乙酸丁酯為佳。

腈系溶劑例如可列舉乙腈、丙腈、戊腈、丁腈等。

有機系顯影液中，可依需要摻合公知之添加劑。該添加劑例如可列舉界面活性劑。界面活性劑並無特殊限定，例如可使用離子性或非離子性之氟系及/或矽系界面活性劑等。界面活性劑較佳為非離子性之界面活性劑、更佳為非離子性之氟系界面活性劑，或非離子性之矽系界面活性劑。  　　摻合界面活性劑時，其摻合量，相對於有機系顯影液之全部量而言，通常為0.001~5質量%、較佳為0.005~2質量%、更佳為0.01~0.5質量%。

顯影處理可藉由公知之顯影方法實施，例如可列舉於顯影液中浸漬支持體一定時間之方法(浸漬法)、於支持體表面使顯影液藉由表面張力隆起而靜止一定時間之方法(覆液法)、對支持體表面噴霧顯影液之方法(噴霧法)、於以一定速度旋轉的支持體上一邊以一定速度使顯影液塗出噴嘴進行掃描一邊持續塗出顯影液之方法(動態塗出法)等。

溶劑顯影製程中使用於顯影處理後之潤洗處理的潤洗液所含有的有機溶劑，例如可適當選擇作為前述有機系顯影液所用的有機溶劑所列舉之有機溶劑當中，不易溶解阻劑圖型者來使用。通常係使用選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑的至少1種溶劑。此等之中，尤以選自烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑的至少1種為佳；更佳為選自醇系溶劑及酯系溶劑的至少1種；特佳為醇系溶劑。  　　潤洗液所用的醇系溶劑，較佳為碳數6~8之1元醇，該1元醇係直鏈狀、分支狀或環狀之任意者均可。具體而言，可列舉1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、苄醇等。此等之中尤以1-己醇、2-庚醇、2-己醇為佳；更佳為1-己醇、2-己醇。  　　此等之有機溶劑，可單獨使用任1種、亦可合併使用2種以上。又，亦可與上述以外之有機溶劑或水混合來使用。惟，考慮到顯影特性時，潤洗液中之水的摻合量，相對於潤洗液之全部量而言，較佳為30質量%以下、更佳為10質量%以下、又更佳為5質量%以下、特佳為3質量%以下。  　　潤洗液中，可依需要摻合公知之添加劑。該添加劑例如可列舉界面活性劑。界面活性劑可列舉與前述相同者，較佳為非離子性之界面活性劑，更佳為非離子性之氟系界面活性劑，或非離子性之矽系界面活性劑。  　　摻合界面活性劑時，其摻合量，相對於潤洗液之全部量而言，通常為0.001~5質量%、較佳為0.005~2質量%、更佳為0.01~0.5質量%。

使用潤洗液之潤洗處理(洗淨處理)，可藉由公知之潤洗方法實施。該潤洗處理之方法，例如可列舉於以一定速度旋轉的支持體上持續塗出潤洗液之方法(旋轉塗佈法)、於潤洗液中浸漬支持體一定時間之方法(浸漬法)、對支持體表面噴霧潤洗液之方法(噴霧法)等。

依照以上說明的本實施形態之阻劑圖型形成方法，由於係使用上述第1實施形態之阻劑組成物，故為高感度，可形成粗糙度等之微影術特性優良的阻劑圖型。    [實施例]

以下藉由實施例以更詳細說明本發明，但本發明不受此等例子的限定。

＜阻劑組成物之調製＞  (實施例1~27、比較例1~18)  　　將表1~4所示之各成分混合而溶解，分別調製各例之阻劑組成物。

表1~4中，各縮寫分別具有以下意義。[ ]內之數值為摻合量(質量份)。  　　(A)-1：下述化學式(A-1)表示之高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為6500、分子量分散度(Mw/Mn)為1.65。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位之比例(莫耳比))為l/m=55/45。  　　(A)-2：下述化學式(A-2)表示之高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為6700、分子量分散度(Mw/Mn)為1.61。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位之比例(莫耳比))為l/m=55/45。  　　(A)-3：下述化學式(A-3)表示之高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為6400、分子量分散度(Mw/Mn)為1.62。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位之比例(莫耳比))為l/m=55/45。  　　(A)-4：下述化學式(A-4)表示之高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為6600、分子量分散度(Mw/Mn)為1.64。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位之比例(莫耳比))為l/m=55/45。  　　(A)-5：下述化學式(A-5)表示之高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為7000、分子量分散度(Mw/Mn)為1.67。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位之比例(莫耳比))為l/m/n=30/45/25。  　　(A)-6：下述化學式(A-6)表示之高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為6700、分子量分散度(Mw/Mn)為1.65。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位之比例(莫耳比))為l/m/n=30/45/25。  　　(A)-7：下述化學式(A-7)表示之高分子化合物。藉由GPC測定所求得的標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)為6800、分子量分散度(Mw/Mn)為1.66。藉由¹³ C-NMR所求得之共聚合組成比(結構式中之各構成單位之比例(莫耳比))為l/m/n=30/45/25。

(B)-1~(B)-7：下述式(B-1)~(B-7)分別表示之化合物。

(D0)-1~(D0)-15：下述化學式(D0-1)~(D0-15)分別表示之化合物。

(D)-1~(D)-6：下述化學式(D-1)~(D-6)分別表示之化合物。

(S)-1：丙二醇單甲基醚乙酸酯/丙二醇單甲基醚=60/40(質量比)之混合溶劑。

＜阻劑圖型之形成＞  　　於經實施六甲基二矽氮烷(HMDS)處理之8吋矽基板上，分別使用旋轉器塗佈各例之阻劑組成物，於加熱板上、溫度110℃進行60秒的預烘烤(PAB)處理並乾燥，藉以形成膜厚30nm之阻劑膜。  　　接著對前述阻劑膜，使用電子束描繪裝置JEOL-JBX-9300FS(日本電子股份有限公司製)，以加速電壓100kV進行使目標尺寸成為線寬50nm之1：1線與間隙(line & space)圖型(以下「LS圖型」)的描繪(曝光)之後，於110℃進行60秒之曝光後加熱(PEB)處理。接著，於23℃使用2.38質量%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液「NMD-3」(商品名、東京應化工業股份有限公司製)，進行60秒的鹼顯影。之後，使用純水進行60秒的水潤洗。其結果，形成了線寬50nm之1：1之LS圖型。

[最適曝光量(Eop)之評估]  　　求得藉由上述＜阻劑圖型之形成＞形成目標尺寸(線寬50nm)之LS圖型的最適曝光量Eop(μC/cm² )。將其作為「Eop(μC/cm² )」而示於表5~8。

[LWR(線寬粗糙度)之評估]  　　對於在上述＜阻劑圖型之形成＞中所形成的LS圖型，求得顯示LWR之尺度即3σ。將其作為「LWR(nm)」而示於表5~8。  　　「3σ」表示藉由掃描型電子顯微鏡(加速電壓800V、商品名：S-9380、日立先端科技公司製)於線的長度方向測定400個部位之線位置，由其測定結果所求得之標準偏差(σ)的3倍值(3σ)(單位：nm)。  　　該3σ之值越小，意指線側壁之粗糙度越小，得到越均勻之寬度的LS圖型。

由表5~8所示之結果，可確認到依照實施例之阻劑組成物，相較於比較例之阻劑組成物而言，於阻劑圖型之形成中，可形成感度，及粗糙度之減低性均優良的阻劑圖型。

Claims (7)

1. 一種阻劑組成物，其係藉由曝光而產生酸，且藉由酸的作用，對顯影液之溶解性會變化的阻劑組成物，其含有  　　藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的基材成分(A)，與  　　下述通式(d0)表示之化合物(D0)；

   

   [式中，Rd⁰¹ 表示1價有機基；Rd⁰² 表示單鍵或2價連結基；m表示1以上之整數，M^m+ 表示m價之有機陽離子]。
2. 如請求項1之阻劑組成物，其中前述通式(d0)中之Rd⁰¹ ，為可具有取代基之環狀之烴基。
3. 如請求項1之阻劑組成物，其中前述通式(d0)中之Rd⁰² 為單鍵。
4. 一種阻劑圖型形成方法，其具有使用如請求項1~3中任一項之阻劑組成物於支持體上形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟，及將前述曝光後之阻劑膜顯影而形成阻劑圖型之步驟。
5. 一種酸擴散控制劑，其含有下述通式(d0)表示之化合物；

   

   [式中，Rd⁰¹ 表示1價有機基；Rd⁰² 表示單鍵或2價連結基；m表示1以上之整數，M^m+ 表示m價之有機陽離子]。
6. 如請求項5之酸擴散控制劑，其中前述通式(d0)中之Rd⁰¹ ，為可具有取代基之環狀之烴基。
7. 如請求項5或6之酸擴散控制劑，其中前述通式(d0)中之Rd⁰² 為單鍵。