TW202134470A - 反應腔室 - Google Patents

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Abstract

一種反應腔室，包括：腔體，腔體與上蓋通過絕緣部相連，且腔體與上蓋形成內腔，上蓋開設有與內腔連通的通孔；進氣機構包括至少部分設置在通孔中的絕緣主體，絕緣主體中設置有進氣通道，絕緣主體的背離內腔的一側設置有法蘭部件，法蘭部件接地，且用於將進氣通道的進氣端與用於輸送反應氣體的進氣管的出氣端相連通；進氣通道的出氣端與內腔相連通；並且，進氣通道包括至少兩個在通孔的軸向上依次連通的通道段，且任意相鄰兩個通道段在垂直于通孔的軸向的平面上的正投影相互錯開。本方案解決現有的反應腔室內部容易發生意外打火的問題。

Description

反應腔室
本發明涉及半導體設備技術領域，尤其涉及一種反應腔室。
半導體設備技術領域中，MOVCD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化合物化學氣相澱積）是在氣相外延生長的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。它以III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
通常情況下，腔室中具有兩塊相距一定距離且相互平行的平板電極，其中一塊平板電極接射頻，另一塊平板電極接地。在襯底表面生成所需要的材料後，製程氣體經過勻流室勻流後進入兩塊平板電極之間，製程氣體在射頻電場的作用下激發成為等離子體，等離子體和襯底表面通過MOCVD生成的材料發生反應，從而降低襯底表面膜層的電阻率。
在具體的應用過程中，由於不同材料所需要的膜層電阻率不同，進而需要調整不同的射頻功率來進行反應。但是，在提高射頻功率後，經常因為射頻電極與金屬進氣口之間發生意外放電，從而容易發生打火現象，進而影響襯底表面材料的電阻率的均勻性。
本發明公開一種反應腔室，以解決現有的反應腔室內部容易發生意外打火的問題。
一種反應腔室，包括：一腔體，該腔體接地；一上蓋，該上蓋與一電極電連接，該腔體與該上蓋通過一絕緣部相連，且該腔體與該上蓋形成一內腔，該上蓋開設有與該內腔連通的一通孔；一進氣機構，該進氣機構包括至少部分設置在所述通孔中的一絕緣主體，該絕緣主體中設置有一進氣通道，該絕緣主體的背離該內腔的一側設置有一法蘭部件，該法蘭部件接地，且用於將該進氣通道的一進氣端與用於輸送一反應氣體的一進氣管的一出氣端相連通；該進氣通道的一出氣端與該內腔相連通；並且，該進氣通道包括至少兩個在該通孔的軸向上依次連通的通道段，且任意相鄰兩個該通道段在垂直于該通孔的軸向的平面上的正投影相互錯開。
可選的，該絕緣主體包括在該通孔的軸向上依次設置的至少兩個絕緣塊，每個該絕緣塊均設置有用作該通道段的進氣孔。
可選的，該絕緣塊為兩個，分別為靠近該內腔的一第一絕緣塊和背離該內腔的一第二絕緣塊，其中，該第一絕緣塊開設有用作該通道段的一第一進氣孔，且該第一絕緣塊的背離該內腔的一側開設有容納空間，該第二絕緣塊設置在該容納空間中，且該第二絕緣塊開設有用作該通道段的第二進氣孔。
可選的，該第二絕緣塊的外周面開設有一進氣槽，該進氣槽與該容納空間的內壁形成該第二進氣孔。
可選的，該第二絕緣塊朝向該內腔的一側開設有一第一凹槽，該第一凹槽與該容納空間的內壁形成一第一氣腔，該第一進氣孔和該第二進氣孔均與該第一氣腔連通。
可選的，該第二進氣孔為多個，且沿該第一凹槽的周向間隔分佈；並且，該第一凹槽的內周面在垂直於該通孔的軸向的平面上的正投影與各個該第二進氣孔在垂直於該通孔的軸向的平面上的正投影部分重疊。
可選的，該第一進氣孔為多個，且間隔設置於該第一絕緣塊上。
可選的，該第二絕緣塊背離該內腔的一側開設有一第二凹槽，該第二凹槽與該法蘭部件形成一第二氣腔，該第二氣腔分別與該進氣通道的一進氣端和該進氣管的一出氣端相連通。
可選的，該法蘭部件朝向該第二絕緣塊的一側開設有一第三凹槽，該第三凹槽與該第二凹槽對接形成該第二氣腔。
可選的，該進氣機構還包括一限位結構，該限位結構設置在該第二絕緣塊的外周面與該容納空間的內壁之間，用以限制該第二絕緣塊在該容納空間內轉動。
可選的，該反應腔室為金屬有機化合物化學氣相澱積製程腔室。
本發明採用的技術方案能夠達到以下有益效果：本發明實施例公開的反應腔室中，進氣通道的任意相鄰兩個通道段在垂直於所述通孔的軸向的平面上的正投影相互錯開，此種情況下，當上蓋通過電極通電時，接地的法蘭部件與上蓋以及上蓋中的帶電部件之間較難形成射頻電場，從而可以減少意外放電現象的發生，進而能夠降低產生打火現象的風險，最終可以提高襯底表面材料的均勻性和穩定性。
以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。
儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。
第一實施例
如圖1~圖7所示，本發明第一實施例公開一種反應腔室，所公開的反應腔室可以為MOCVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化合物化學氣相澱積）製程腔室，所公開的反應腔室包括腔體100、上蓋200和進氣機構。
其中，請參考圖1，腔體100接地。上蓋200與電極300電連接，該電極300的一端例如可以設置在上蓋200上，另一端與射頻源電連接，用以將射頻源輸出的射頻功率加載至上蓋200。腔體100與上蓋200通過絕緣部400相連，在腔體100與上蓋200相連的情況下，腔體100與上蓋200形成內腔110，該內腔110中對應腔體100的部分為第一空腔，對應上蓋200的部分為第二空腔，其中，第一空腔中設置有加熱器120，用於承載襯底，並對襯底進行加熱。在進行化學氣相沉澱的過程中，III族、II族元素的有機化合物和V族、VI族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在加熱器120上進行氣相外延，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料，同時，為了降低材料的電阻率，加熱器120通過腔體100接地。
請再次參考圖1，第二空腔中設置有勻流板220和噴灑器（showerhead）230，勻流板220與噴灑器230相對設置，而噴灑器230與加熱器120相對設置，在進行製程時，反應氣體首先流入到第二空腔中，該第二空腔中的勻流板220能夠對流經的反應氣體進行勻流，以使從勻流板220中流出的反應氣體較均勻。之後，從勻流板220中流出的反應氣體會流入噴灑器230，該噴灑器230能夠將流經的反應氣體噴淋至加熱器120上的襯底表面進行氣相外延反應，進而在襯底表面生成所需要的材料。另外，噴灑器230與上蓋200電連接，在上蓋200帶電時，噴灑器230帶電，帶電的噴灑器230與接地的加熱器120之間形成射頻電場，該射頻電場能夠降低襯底表面所生成材料的電阻率。
相應地，上蓋200開設有與內腔110連通的通孔210，進氣機構包括至少部分設置在該通孔210中的絕緣主體500，該絕緣主體500中設置有進氣通道，該進氣通道的出氣端與內腔110相連通；絕緣主體500的背離內腔110的一側設置有法蘭部件540，該法蘭部件540接地，且用於將進氣通道的進氣端與用於輸送反應氣體的進氣管530的出氣端相連通，具體地，法蘭部件540與進氣管530密封連接，以便於進氣管530的出氣端能夠與進氣通道的進氣端相連通。進氣管530的另一端可以連通裝有反應氣體的容器。
上述絕緣主體500的結構可以有多種，本發明實施例中，絕緣主體500包括在通孔210的軸向上依次設置的兩個絕緣塊，分別為靠近內腔110的第一絕緣塊510和背離內腔110的第二絕緣塊520，其中，第一絕緣塊510的至少部分處於通孔210中，如圖4所示，第一絕緣塊510的背離內腔110的一側開設有容納空間511，第二絕緣塊520設置於容納空間511中，如圖1所示，法蘭部件540設置於第一絕緣塊510的背離內腔110的一側表面，且封堵容納空間511的開口。
其中，第二絕緣塊520開設有第二進氣孔521，第一絕緣塊510開設有第一進氣孔512，該第一進氣孔512的進氣端與第二進氣孔521的出氣端相連通，第一進氣孔512的出氣端與內腔110相連通，此種情況下，第一進氣孔512和第二進氣孔521分別構成了上述進氣通道的兩個通道段。進氣管530中的反應氣體能夠依次通過第二進氣孔521、第一進氣孔512，進而流入到內腔110中。本發明實施例中，在垂直于通孔210的軸向的平面上，第一進氣孔512和第二進氣孔521的正投影相互錯開，即，第一進氣孔512的軸線與第二進氣孔521的軸線不為一條直線，例如，第一進氣孔512的正投影處於第二進氣孔521的正投影之外。這樣，當上蓋通過電極通電時，接地的法蘭部件與上蓋以及上蓋中的帶電部件之間較難形成射頻電場，從而可以減少意外放電現象的發生，進而能夠降低產生打火現象的風險，最終可以提高襯底表面材料的均勻性和穩定性。
本發明實施例中，可選地，如圖3所示，第二絕緣塊520的外周面開設有進氣槽，該進氣槽與容納空間511的內壁可以形成第二進氣孔521。相比於在第二絕緣塊520中直接開設第二進氣孔521，進氣槽的設置更容易加工成型，同時，此種方式使得第二進氣孔521處於第二絕緣塊520的邊緣區域，進而使得第二進氣孔521在垂直于通孔210的軸向的平面上的正投影更容易處於第一進氣孔512在垂直于通孔210的軸向的平面上的正投影之外，進而使得第二進氣孔521與第一進氣孔512的錯開效果更好。
本發明公開的實施例中，如圖6和圖7所示，第二絕緣塊520朝向內腔110的一側可以開設有第一凹槽522a，該第一凹槽522a可以與容納空間511的內壁形成第一氣腔，第一進氣孔512與第二進氣孔521通過該第一氣腔連通，在進行製程時，反應氣體首先通過第二進氣孔521進入到第一氣腔，進入到第一氣腔中的反應氣體通過第一進氣孔512流入到內腔110中。此種方式不僅便於第一進氣孔512與第二進氣孔521的連通，還使得第二絕緣塊520朝向內腔110的一側的其他部分可以更好地支撐於容納空間511，進而有利於整體裝配。當然，在實際應用中，還可以採用其他任意結構實現第一進氣孔512與第二進氣孔521的連通。
本發明實施例中，在一種可選的方案中，如圖7所示，第二進氣孔521為多個，且沿第一凹槽522a的周向間隔分佈，多個第二進氣孔521能夠提高反應氣體的流通速率，同時，多個第二進氣孔521的直徑均可以較小，以使法蘭盤540與上蓋200以及上蓋200中的帶電部件之間較難產生射頻電場，從而還能夠較好地防止產生意外放電。
並且，第一凹槽522a的內周面在垂直于通孔210的軸向的平面上的正投影與各個第二進氣孔521在垂直于通孔210的軸向的平面上的正投影部分重疊。例如，第二絕緣塊520的外周面開設有沿其周向間隔分佈的多個進氣槽，各個進氣槽與容納空間511的內壁可以形成多個第二進氣孔521，並且，如圖7所示，第一凹槽522a的直徑D1大於多個進氣槽的內側邊構成的內切圓的直徑D2，從而實現第一凹槽522a與各個進氣槽相連通。
本發明公開的實施例中，如圖6所示，第二絕緣塊520的背離內腔110的一側可以開設有第二凹槽522b，該第二凹槽522b可以與法蘭部件540形成第二氣腔，上述進氣管530的出氣端與第二進氣孔521的進氣端通過該第二氣腔連通，在進行製程時，進氣管530中的反應氣體首先進入第二氣腔，然後經過該第二氣腔進入第二進氣孔521中。此種方式便於進氣管530與第二進氣孔521的連通。此種情況下，進氣管530無需直接與第二進氣孔521相連，從而降低裝配難度。與此同時，在第二進氣孔521為多個的情況下，上述第二氣腔使得進氣管530中流出的反應氣體可以流入各個第二進氣孔521，從而在提高反應氣體流通速率的同時，還能夠防止產生意外放電現象。
可選地，如圖1所示，法蘭部件540朝向第二絕緣塊520的一側開設有第三凹槽541，該第三凹槽541與第二凹槽522b對接形成上述第二氣腔，以實現進氣管530與第二進氣孔521的連通。當然，在實際應用中，也可以僅設置第二凹槽522b，或者僅設置第三凹槽541。
類似地，第一進氣孔512為多個，且間隔設置在第一絕緣塊510上。多個第一進氣孔512可以使得第二進氣孔521流出的氣體能夠較快地流入到內腔110中，同樣地，多個第一進氣孔512的直徑均可以較小，以使法蘭盤540與上蓋200以及上蓋200中的帶電部件之間較難產生射頻電場，從而還能夠較好地防止產生意外放電。可選地，在此情況下，第二絕緣塊520可以間隔開設有多個第二進氣孔521，多個第二進氣孔521可以與多個第一進氣孔512連通，從而能夠提高反應氣體的流通速率。
本發明實施例中，進氣機構還可以包括限位結構，該限位結構設置在第二絕緣塊520的外周面與容納空間511的內壁之間，用以限制第二絕緣塊520在容納空間511內轉動。限位結構的結構可以有多種，例如，如圖2所示，限位結構包括設置在第二絕緣塊520的外周面上的凸部550和設置在容納空間511的內壁上的凹部，該凸部550與所述凹部相配合，以防止第二絕緣塊520在容納空間511中產生轉動，可選地，凸部550可以與第二絕緣塊520為一體式結構，此種情況下，容納空間511的內壁上開設有安裝槽，凸部550至少部分可以處於安裝槽內。
本發明公開的實施例中，第一絕緣塊510可以包括主體部513和限位部514，主體部513與限位部514相連，主體部513設置在通孔210中，限位部514與通孔210背離內腔110的一側限位配合。此種方式便於第一絕緣塊510與通孔210的連接，同時，限位部514不僅起到與通孔210背離內腔110的一側限位配合的作用，限位部514也具有較大的外表面，進而便於開設容納空間511。
第二實施例
本發明第二實施例提供的反應腔室，其與上述第一實施例相比，其區別僅在於，絕緣主體的結構不同。具體地，請一併參閱圖8和圖9，本發明實施例中，絕緣主體500’中設置有進氣通道，且該絕緣主體500’包括在豎直方向（即，與圖1中通孔210的軸向相同的方向）上依次設置的三個絕緣塊，分別為沿靠近內腔110的方向依次設置的第一絕緣塊503a、第二絕緣塊503b和第三絕緣塊503c，這三個絕緣塊在通孔210的軸向上依次疊置，其中，第三絕緣塊503c開設有第三進氣孔501c，第二絕緣塊503b開設有第二進氣孔501b，第一絕緣塊503a開設有第一進氣孔501a，上述第一進氣孔501a、第二進氣孔501b和第三進氣孔501c分別構成了上述進氣通道的三個通道段。
其中，第三進氣孔501c的出氣端與內腔110相連通，第三進氣孔501c的進氣端與第二進氣孔501b的出氣端相連通，例如可以通過設置在絕緣主體500’中的第二連接通道502b相連通；第二進氣孔501b的進氣端與第一進氣孔501a的出氣端相連通，例如可以通過設置在絕緣主體500’中的第一連接通道502a相連通，第一進氣孔501a的進氣端通過法蘭部件與用於輸送反應氣體的進氣管的出氣端相連通，該法蘭部件和進氣管可以採用與圖1中示出的法蘭部件540和進氣管530相同的結構。這樣，進氣管530中的反應氣體能夠依次通過第一進氣孔501a、第二進氣孔501b和第三進氣孔501c，進而流入到內腔110中。
本發明實施例中，如圖8所示，在垂直於豎直方向的平面上，第一進氣孔501a、第二進氣孔501b和第三進氣孔501c的正投影相互錯開，即，第一進氣孔501a的軸線、第二進氣孔501b的軸線和第三進氣孔501c的軸線中的任意兩條軸線均不為一條直線，例如，第二進氣孔501b的正投影處於第三進氣孔501c的正投影之外；第一進氣孔501a的正投影處於第二進氣孔501b的正投影之外。這樣，當上蓋通過電極通電時，接地的法蘭部件與上蓋以及上蓋中的帶電部件之間較難形成射頻電場，從而可以減少意外放電現象的發生，進而能夠降低產生打火現象的風險，最終可以提高襯底表面材料的均勻性和穩定性。
本發明實施例中，如圖9所示，在第二絕緣塊503b和第三絕緣塊503c彼此相對的兩個表面上分別設置有凹槽，兩個凹槽對接形成上述第一連接通道502a；類似的，在第二絕緣塊503b和第一絕緣塊503a彼此相對的兩個表面上分別設置有凹槽，兩個凹槽對接形成上述第二連接通道502b。當然，在實際應用中，也可以僅在第二絕緣塊503b和第三絕緣塊503c彼此相對的兩個表面中的其中一個表面上設置凹槽，這同樣可以形成上述第一連接通道502a；以及，僅在第二絕緣塊503b和第一絕緣塊503a彼此相對的兩個表面中的其中一個表面上設置凹槽，這同樣可以形成上述第二連接通道502b。另外，在實際應用中，還可以採用其他任意方式實現第一進氣孔501a與第二進氣孔501b的連通，以及第二進氣孔501b與第三進氣孔501c的連通，本發明實施例對此沒有特別的限制。
本發明實施例中，如圖8所示，可選的，第一進氣孔501a為多個，且沿絕緣主體500’的周向間隔設置；同樣的，第二進氣孔501b為多個，且沿絕緣主體500’的周向間隔設置，並且多個第二進氣孔501b位於多個第一進氣孔501a的內側；第三進氣孔501c為多個，且間隔設置在多個第二進氣孔501b的內側。這樣，可以提高反應氣體的流通速率。
需要說明的是，在本實施例中，絕緣主體500’包括在豎直方向（即，與圖1中通孔210的軸向相同的方向）上依次疊置的三個絕緣塊，以便於分別對三個絕緣塊加工進氣孔以及相應的凹槽，最終達到構成連續的進氣通道，且該進氣通道的任意相鄰兩個通道段在豎直方向上的正投影相互錯開的目的，但是，本發明實施例並不局限於此，在實際應用中，絕緣主體可以採用任意方式劃分成多個分體，只要能夠加工獲得上述結構的進氣通道即可。或者，絕緣主體還可以採用一體式結構，利用現有的加工手段可以實現在一體式的絕緣主體中形成上述結構的進氣通道。例如，在絕緣主體的不同方向上開孔，並通過該開孔進一步加工相互錯開的通道段以及將相鄰兩個通道段連通的連接通道，之後，可以再將該開孔封堵，從而獲得封閉的進氣通道。
本發明第二實施例提供的反應腔室未提及的其他結構和功能，由於與上述第一實施例相同，在此不再重複描述。
需要說明的是，在實際應用中，根據具體需要，絕緣主體所包括的絕緣塊的數量還可以為四個或者四個以上。此外，任意相鄰的兩個絕緣塊之間的設置方式也不局限於採用上述實施例中的嵌套方式（即，將上方的絕緣塊設置在下方絕緣塊的容納空間中）以及疊置方式，在實際應用中，也可以採用其他任意方式設置，例如同心環繞設置。
前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。
100:腔體 110:內腔 120:加熱器 200:上蓋 210:通孔 220:勻流板 230:噴灑器 300:電極 400:絕緣部 510:第一絕緣塊 520:第二絕緣塊 530:進氣管 540:法蘭部件 522b:第二凹槽 512:第一進氣孔 521:第二進氣孔 522、522a:第一凹槽 550:定位塊 511:容納空間 513:絕緣主體 514:限位部 541:第三凹槽 550:凸部 D1:第一凹槽直徑 D2:多個進氣槽的內側邊構成的內切圓的直徑 500’:絕緣主體 501:進氣通道 501a:第一通道段 501b:第二通道段 501c:第三通道段 502a:第一連接通道 502b:第二連接通道 503a:第一絕緣塊 503b:第二絕緣塊 503c:第三絕緣塊
當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。 圖1為本發明第一實施例公開的反應腔室的剖視圖； 圖2為本發明第一實施例公開的反應腔室中的絕緣主體的局部剖視圖； 圖3為本發明第一實施例公開的反應腔室中的絕緣主體的俯視圖； 圖4為本發明第一實施例公開的反應腔室中的第一絕緣塊的剖視圖； 圖5為本發明第一實施例公開的反應腔室中的第一絕緣塊的俯視圖； 圖6為本發明第一實施例公開的反應腔室中的第二絕緣塊的剖視圖； 圖7為本發明第一實施例公開的反應腔室中的第二絕緣塊的仰視圖； 圖8為本發明第二實施例公開的反應腔室中的絕緣主體的俯視圖； 圖9為本發明第二實施例公開的反應腔室中的絕緣主體沿圖8中A-A線的剖視圖。
100:腔體
110:內腔
120:加熱器
200:上蓋
210:通孔
220:勻流板
230:噴灑器
300:電極
400:絕緣部
510:第一絕緣塊
520:第二絕緣塊
530:進氣管
540:法蘭部件
541:第三凹槽
500:絕緣主體

Claims (11)

  1. 一種反應腔室，包括： 一腔體，其中該腔體接地； 一上蓋，該上蓋與一電極電連接，該腔體與該上蓋通過一絕緣部相連，且該腔體與該上蓋形成一內腔，該上蓋開設有與該內腔連通的一通孔； 一進氣機構，該進氣機構包括至少部分設置在該通孔中的一絕緣主體，該絕緣主體中設置有一進氣通道，該絕緣主體的背離該內腔的一側設置有一法蘭部件，該法蘭部件接地，且用於將該進氣通道的一進氣端與用於輸送一反應氣體的一進氣管的一出氣端相連通；該進氣通道的出氣端與該內腔相連通；並且，該進氣通道包括至少兩個在該通孔的軸向上依次連通的通道段，且任意相鄰兩個該通道段在垂直於該通孔的軸向的平面上的正投影相互錯開。
  2. 根據請求項1所述的反應腔室，該絕緣主體包括在該通孔的軸向上依次設置的至少兩個絕緣塊，每個該絕緣塊均設置有用作該通道段的進氣孔。
  3. 根據請求項2所述的反應腔室，其中該絕緣塊為兩個，分別為靠近該內腔的一第一絕緣塊和背離該內腔的一第二絕緣塊，其中，該第一絕緣塊開設有用作該通道段的一第一進氣孔，且該第一絕緣塊的背離該內腔的一側開設有一容納空間，該第二絕緣塊設置在該容納空間中，且該第二絕緣塊開設有用作該通道段的一第二進氣孔。
  4. 根據請求項3所述的反應腔室，其中該第二絕緣塊的外周面開設有一進氣槽，該進氣槽與該容納空間的內壁形成該第二進氣孔。
  5. 根據請求項4所述的反應腔室，其中該第二絕緣塊朝向該內腔的一側開設有一第一凹槽，該第一凹槽與該容納空間的內壁形成一第一氣腔，該第一進氣孔和該第二進氣孔均與該第一氣腔連通。
  6. 根據請求項5所述的反應腔室，其中該第二進氣孔為多個，且沿該第一凹槽的周向間隔分佈；並且，該第一凹槽的內周面在垂直於該通孔的軸向的平面上的正投影與各個該第二進氣孔在垂直於該通孔的軸向的平面上的正投影部分重疊。
  7. 根據請求項1所述的反應腔室，其中該第一進氣孔為多個，且間隔設置於該第一絕緣塊上。
  8. 根據請求項1所述的反應腔室，其中該第二絕緣塊背離該內腔的一側開設有一第二凹槽，該第二凹槽與該法蘭部件形成一第二氣腔，該第二氣腔分別與該進氣通道的一進氣端和該進氣管的一出氣端相連通。
  9. 根據請求項1所述的反應腔室，其中該法蘭部件朝向該第二絕緣塊的一側開設有一第三凹槽，該第三凹槽與該第二凹槽對接形成該第二氣腔。
  10. 根據請求項1所述的反應腔室，其中該進氣機構還包括一限位結構，該限位結構設置在該第二絕緣塊的外周面與該容納空間的內壁之間，用以限制該第二絕緣塊在該容納空間內轉動。
  11. 根據請求項1所述的反應腔室，其中該反應腔室為金屬有機化合物化學氣相澱積製程腔室。
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