TW202128574A - 玻璃基板之製造方法 - Google Patents

玻璃基板之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202128574A
TW202128574A TW109118399A TW109118399A TW202128574A TW 202128574 A TW202128574 A TW 202128574A TW 109118399 A TW109118399 A TW 109118399A TW 109118399 A TW109118399 A TW 109118399A TW 202128574 A TW202128574 A TW 202128574A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
glass substrate
glass
less
manufacturing
ppm
Prior art date
Application number
TW109118399A
Other languages
English (en)
Inventor
林昌宏
藤井未侑
Original Assignee
日商日本電氣硝子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日本電氣硝子股份有限公司 filed Critical 日商日本電氣硝子股份有限公司
Publication of TW202128574A publication Critical patent/TW202128574A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B17/00—Forming molten glass by flowing-out, pushing-out, extruding or drawing downwardly or laterally from forming slits or by overflowing over lips
    • C03B17/06—Forming glass sheets
    • C03B17/064—Forming glass sheets by the overflow downdraw fusion process; Isopipes therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B25/00—Annealing glass products
    • C03B25/04—Annealing glass products in a continuous way
    • C03B25/10—Annealing glass products in a continuous way with vertical displacement of the glass products
    • C03B25/12—Annealing glass products in a continuous way with vertical displacement of the glass products of glass sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/097—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing phosphorus, niobium or tantalum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03C2201/08—Doped silica-based glasses containing boron or halide
    • C03C2201/10—Doped silica-based glasses containing boron or halide containing boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
    • C03C2201/32—Doped silica-based glasses containing metals containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
    • C03C2201/40—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
    • C03C2201/42—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn containing titanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
    • C03C2201/54—Doped silica-based glasses containing metals containing beryllium, magnesium or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2203/00—Production processes
    • C03C2203/50—After-treatment
    • C03C2203/52—Heat-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

本發明提供一種避免設備之短命化，可減少熱處理時之尺寸變化之玻璃基板之製造方法。 本發明之玻璃基板之製造方法，特徵在於：其係將玻璃原料熔融、成形，製造應變點為690～750℃之玻璃基板之方法，且在成形時之冷卻過程中，藉由將(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之平均冷卻速度設為100～400℃/分，獲得進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下之玻璃基板。

Description

玻璃基板之製造方法
本發明係關於一種玻璃基板之製造方法，具體而言係關於適合於有機EL(OLED(Organic Light-Emitting Diode：有機發光二極體))顯示器、液晶顯示器之玻璃基板之製造方法，進而關於適合於氧化物TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)、低溫p-Si･TFT(LTPS(Low Temperature Poly-silicon))驅動之顯示器之玻璃基板之製造方法。
先前以來，作為液晶顯示器等平面顯示器、硬碟、濾波器、感測器等基板，廣泛使用玻璃基板。近年來，除先前之液晶顯示器以外，基於自發光、較高之色再現性、高視角、高速應答、及高精細等理由而言，積極開發OLED顯示器，且一部分已實用化。
又，智慧型手機等移動機器之液晶顯示器、OLED顯示器由於被要求小面積且能顯示較多資訊，故需超高精細之畫面。進而為了進行動畫顯示，亦需高速應答。
於此種用途，OLED顯示器、或以LTPS驅動之液晶顯示器較佳。OLED顯示器藉由電流流通於構成像素之OLED元件而發光。因此，作為驅動TFT元件，使用低電阻、高電子遷移度之材料。作為該材料，除上述LTPS以外，以IGZO(銦、鎵、鋅氧化物)為代表之氧化物TFT備受矚目。氧化物TFT為低電阻、高遷移度，且可以較低溫形成。又，氧化物TFT於在大面積之玻璃基板形成元件之情形時，因TFT特性之均質性優異，故作為有力之TFT形成材料備受矚目，且一部分已實用化。
對於高精細之顯示器所使用之玻璃基板，要求較多之特性。尤其，要求以下(1)及(2)之特性。
(1)若玻璃中之鹼成分較多，則於熱處理中鹼離子擴散於成膜之半導體物質中，導致膜之特性之劣化。因而，鹼成分(尤其為Li成分、Na成分)之含有量較少，或實質上不含有。
(2)於成膜、脫氫、半導體層之結晶化、退火等步驟，玻璃基板於數百℃下進行熱處理。作為熱處理時引起之問題，列舉因玻璃基板之熱收縮等引起之圖案偏移。顯示器越高精細，則熱處理溫度越高溫，但圖案偏移之容許寬度反而變小。因而，對玻璃基板，要求於熱處理時尺寸變化較小。熱處理時之尺寸變化之主要原因為熱收縮、成膜後之膜應力等。因而，為了減小熱處理時之尺寸變化，而要求應變點較高等。
再者，自製造玻璃基板之觀點而言，對玻璃基板要求以下(3)～(5)之特性。 (3)為了使成形設備長壽命化，而要求成形溫度較低。 (4)為了防止氣泡、結塊、條紋等熔融缺陷，而要求熔融性優異。 (5)為了避免玻璃基板中之失透結晶之混入，=而要求耐失透性優異。
[發明所欲解決之問題]
作為降低熱收縮率之方法之一，如上所述列舉設計應變點較高。然而，若應變點過高，則熔融溫度或成形溫度變高，故有熔融設備或成形設備之壽命變短之缺點。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其技術課題在於提供一種避免設備之短命化，且可減少熱處理時之尺寸變化之玻璃基板之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明者等深入研究之結果，發現藉由將玻璃基板之應變點、及成形時之冷卻速度控制於特定之範圍，可減輕製造設備之負擔，且可將熱收縮率降低為所期望之值，因而以本發明進行提案者。即，本發明之玻璃基板之製造方法之特徵在於：其係將玻璃原料熔融、成形，製造應變點為690～750℃之玻璃基板之方法，且於成形時之冷卻過程中，藉由將(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之平均冷卻速度設為100～400℃/分，獲得進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下之玻璃基板。此處，「應變點」、「緩冷點」係指基於ASTM(American Society Testing materials：美國材料試驗協會) C336之方法測定之值。「進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率」由以下之方法測定。首先如圖1(a)所示，準備160 mm×30 mm之短條狀試料G作為測定試料。於該短條狀試料G之長邊方向之兩端部之各者，使用#1000之耐水研磨紙，於距離端緣20～40 mm之位置形成標記M。之後，如圖1(b)所示，將形成標記M之短條狀試料G沿與標記M正交方向對切為2片，製作試料片Ga、Gb。且，僅使一試料片Gb以5℃/分自常溫升溫至500℃，於500℃保持1小時之後，進行以5℃/分降溫之熱處理。上述熱處理後，如圖1(c)所示，於並行排列未進行熱處理之試料片Ga、與進行熱處理之試料片Gb之狀態下，藉由雷射顯微鏡讀取2片試料片Ga、Gb之標記M之位置偏移量(△L1 、△L2 )，並藉由下述之式算出熱收縮率。另，下述之式之10 mm係初始之標記M間之距離。「平均冷卻速度」係指藉由算出玻璃之板寬方向中央部分通過位於(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之區域(=緩冷區域)之時間，並將緩冷區域內之溫度差(=350℃)除以通過所需之時間而求出之速度。
熱收縮率(ppm)=[{ΔL1 (μm)+ΔL2 (μm)}×103 ]/l0(mm)
本發明之玻璃基板之製造方法較佳由溢流下拉法成形。
本發明之玻璃基板之製造方法較佳獲得板寬為3 m以上之玻璃基板。
本發明之玻璃基板之製造方法較佳獲得作為玻璃組成，以莫耳%計含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%之玻璃基板。
本發明之玻璃基板之製造方法較佳於成形玻璃基板之後，分割玻璃基板獲得2張以上G6尺寸(1.5m×1.8m)之玻璃基板。
本發明之玻璃基板之製造方法之特徵在於：其係將玻璃原料熔融、成形，製造應變點為690～750℃，且進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下，且作為玻璃組成，以莫耳%計含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%之玻璃基板之方法，且在成形玻璃基板之後，分割玻璃基板獲得2張以上G6尺寸(1.5 m×1.8 m)之玻璃基板。
本發明之玻璃基板之製造方法之特徵在於：其係將玻璃原料熔融、下拉成形，製造應變點為690～750℃，且作為玻璃組成，以莫耳%計含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%之玻璃基板之方法，且在成形時之冷卻過程中，藉由將(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之平均冷卻速度設為100～400℃/分，而獲得進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下，且板寬為3 m以上之玻璃基板之後，沿寬度方向分割玻璃基板獲得2張以上G6尺寸(1.5m×1.8m)之玻璃基板。
本發明之玻璃基板之特徵在於：應變點為690～750℃，且進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下，作為玻璃組成，以莫耳%計含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種避免設備之短命化，且可減少熱處理時之尺寸變化之玻璃基板之製造方法。
玻璃基板之熱收縮率主要受到玻璃基板之應變點、及成形時之冷卻速度之左右。因此，於本發明，將玻璃基板之應變點設為690～750℃，及於成形時之冷卻過程中將(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之平均冷卻速度設為100～400℃/分，藉此可獲得進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下之玻璃基板。
首先，對玻璃基板之特性、組成進行說明。
進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率較佳為15 ppm以下、14.5 ppm以下、14 ppm以下、13.5 ppm以下、13 ppm以下、12.5 ppm以下，尤其為12 ppm以下。據此，即使於LTPS之製造步驟中受到熱處理，亦不易產生圖案偏移等不良。另，若熱收縮率過低，則玻璃基板之生產效率容易下降。因而，熱收縮率較佳為1 ppm以上、2 ppm以上、3 ppm以上、4 ppm以上，尤其為5 ppm以上。
應變點越高，則越可使熱效率下降。應變點較佳為690℃以上、695℃以上、700℃以上、702℃以上、704℃以上、705℃以上、706℃以上、707℃以上、708℃以上、709℃以上，尤其為710℃以上。另一方面，若應變點過高，則熔融溫度或成形溫度變高，故有玻璃基板之生產效率容易下降，且有對成形設備之負荷變高之傾向。因而，應變點較佳為750℃以下、748℃以下、746℃以下、744℃以下、742℃以下、740℃以下、738℃以下、736℃以下、735℃以下、734℃以下、733℃以下、732℃以下、731℃以下，尤其為730℃以下。應變點之最佳之範圍為710～730℃。
於104.5 dPa･s時之溫度越低，則越可減少對成形設備之負荷。於104.5 dPa･s時之溫度較佳為1300℃以下、1295℃以下、1290℃以下、1285℃以下、1280℃以下、1275℃以下，尤其為1270℃以下。另一方面，若於104.5 dPa･s時之溫度過低，則無法較高地設計應變點。因而，於104.5 dPa･s時之溫度較佳為1150℃以上、1170℃以上、1180℃以上、1185℃以上、1190℃以上、1195℃以上、1200℃以上、1205℃以上、1210℃以上、1215℃以上，尤其為1220℃以上。
玻璃基板除上述特性以外，較佳具有以下之特性。
於由溢流下拉法等成形為板狀之情形時，耐失透性變得重要。若考慮於玻璃組成中包含SiO2 、Al2 O3 、B2 O3 及鹼土類金屬氧化物(RO)之玻璃之成形溫度，則液相溫度較佳為1300℃以下、1280℃以下、1270℃以下、1250℃以下、1240℃以下、1230℃以下、1220℃以下、1210℃以下，尤其為1200℃以下。又，液相黏度較佳為104.8 dPa･s以上、104.9 dPa･s以上、105.0 dPa･s以上、105.1 dPa･s以上、105.2 dPa･s以上，尤其為105.3 dPa･s以上。此處，「液相溫度」係指將通過標準篩30篩眼(500 μm)，但留於50篩眼(300 μm)之玻璃粉末放入鉑舟皿，於設定為1100℃至1350℃之溫度梯度爐中保持24小時之後，取出鉑舟皿並於玻璃中觀察到失透結晶(結晶異物)之溫度。「液相黏度」係指以鉑球上拉法測定液相溫度下之玻璃黏度之值。
楊氏模數越高，則玻璃基板越不易變形。楊氏模數較佳為78 GPa以上、78.5 GPa以上、79 GPa以上、79.5 GPa以上、80 GPa以上、80.5 GPa以上、81 GPa以上、81.5 GPa以上、82 GPa以上、82.5 GPa以上，尤其為83 GPa以上。另一方面，楊氏模數較高之組成有耐化學品性惡化之傾向。因而，楊氏模數較佳為120 GPa以下、110 GPa以下、100 GPa以下、95 GPa以下、90 GPa以下，尤其為88 GPa以下。另，「楊氏模數」係指基於根據JIS(Japanese Industrial Standards：日本工業標準) R1602之動態彈性率測定法(共振法)測定之值。
熱膨脹係數之較佳上限範圍為45×10-7 /℃以下、42×10-7 /℃以下、41×10-7 /℃以下，尤其為40×10-7 /℃以下，較佳之下限範圍為35×10-7 /℃以上，36×10-7 /℃以上，尤其為37×10-7 /℃以上。熱膨脹係數若為上述範圍外，則與各種膜(例如a-Si、p-Si)之熱膨脹係數不匹配，容易產生膜剝落、熱處理時之尺寸變化等不良。另，「熱膨脹係數」係指於30～380℃之溫度範圍測定之平均熱膨脹係數，例如可由熱膨脹儀測定。
室溫下於10質量%HF水溶液浸漬30分鐘時之蝕刻深度較佳為20 μm以上、22 μm以上、25 μm以上、27 μm以上、28 μm以上、29～50 μｍ，尤其為30～40 μm。若蝕刻深度過小，則於薄化步驟中難以將玻璃基板薄板化。另，蝕刻深度成蝕刻率之指標。即，若蝕刻深度較大，則蝕刻率變快，若蝕刻深度較小，則蝕刻率變慢。
β-OH值較佳為0.50/mm以下、0.45/mm以下、0.40/mm以下、0.35/mm以下、0.30/mm以下、0.25/mm以下、0.20/mm以下、0.15/mm以下，尤其為0.10/mm以下。若使β-OH值降低，則可提高應變點。作為使β-OH值降低之方法，列舉例如以下之方法。(1)選擇低含水量之原料。(2)添加使玻璃中之水份量減少之成分(Cl、SO3 等)。(3)使爐內環境氣體中之水份量降低。(4)於熔融玻璃中進行冒入N2 泡。(5)採用小型熔融爐。(6)放大熔融玻璃之流量。(7)採用電氣熔融法。此處，「β-OH值」係指使用FT-IR(Fourier Transform Infrared:傅立葉轉換紅外線光譜儀)測定玻璃之透過率，並使用下述之式求出之值。
β-OH値=(1/X)log(T1 /T2 ) X：玻璃壁厚(mm) T1 ：參照波長3846cm-1 下之透過率(%) T2 ：於羥基吸收波長3600cm-1 附近之最小透過率(%)
本發明之玻璃基板作為玻璃組成，較佳以莫耳%計含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%。以下顯示如上所述般限定各成分之含有範圍之理由。另，於各成分之含有範圍之說明中，%之表示意為莫耳%。
若SiO2 之含量過少，則耐化學品性，尤其耐酸性容易降低，且應變點容易降低。另一方面，若SiO2 之含量過多，則利用氟化氫或氟化氫之混合溶液進行之蝕刻速度容易變慢，又高溫黏度變高，熔融性容易降低，進而析出SiO2 系結晶，尤其是方英石，液相黏度容易降低。因而，SiO2 之較佳上限含量為75%、74%、73%、72%、71%、70%，尤其為69%，較佳之下限含量為60%、61%、62%、62.5%、63%、63.5%、64%、64.5%、65%、65.5%、66%、66.5%，尤其為67%。最佳之含有範圍為67～69%。
若Al2 O3 之含量過少，則應變點降低，熱收縮量變大，且楊氏模數降低，玻璃基板容易撓曲。另一方面，若Al2 O3 之含量過多，則耐BHF(緩衝氫氟酸)性降低，容易於玻璃表面產生白濁，且耐裂化抵抗性容易降低。進而，於玻璃中析出SiO2 -Al2 O3 系結晶，尤其係莫來石，液相黏度容易降低。Al2 O3 之較佳之上限含量為15%、14.5%、14%、13.5%，尤其為13%，較佳之下限含量為10%、10.5%、11%、11.5%，尤其為12%。最佳之含有範圍為12～13%。
B2 O3 係作為熔劑發揮作用，係降低黏性改善熔融性之成分。且係改善耐BHF性或耐裂化性，進而使液相溫度降低之成分。另一方面，若B2 O3 之含量過多，則應變點、耐熱性、及耐酸性容易降低，尤其係應變點容易降低。又玻璃容易分相。B2 O3 之較佳之上限含量為5%、4.5%，尤其為4%，較佳之下限含量為0%、1%、1.5%、2%、2.5%、3%，尤其為超3%。最佳之含有範圍為超3%～4%。
因Li2 O、Na2 O使形成於玻璃基板上之各種膜或半導體元件之特性劣化，故較佳將其含量分別減少至0.1%(期望為0.06%、0.05%、0.02%，尤其為0.01%）。K2 O與Li2 O、Na2 O相比，對形成於玻璃基板上之各種膜或半導體元件之特性劣化較為輕度。又，藉由少量含有，而有改善溶解性或除電帶電之效果。因此較佳將K2 O含量減少至1%(期望為0.5%、0.4%，尤其為0.3%)。
MgO係不降低應變點而降低高溫黏性，改善熔融性之成分。又，MgO雖於RO(R係自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn選擇之至少一種)中最具有降低密度之效果，但若過量導入，則析出SiO2 系結晶，尤其析出方英石，且液相黏度容易降低。再者，MgO係容易與BHF反應形成生成物之成分。該反應生成物有固著於玻璃基板表面之元件上，或附著於玻璃基板，污染元件或玻璃基板之虞。再者有來自白雲石等MgO之導入原料的Fe2 O3 等雜質混入玻璃中，降低玻璃基板之透過率之虞。因而，MgO之較佳上限含量為8%、7.5%、7%、6.5%，尤其為6%，較佳之下限含量為0%、1%、1.5%、2%、2.5%、3%、3.5%、4%，尤其為4.5%。最佳之含有範圍為4.5～6%。
CaO與MgO同樣，係不降低應變點而降低高溫黏性，顯著改善熔融性之成分。然而，若CaO之含量過多，則析出SiO2 -Al2 O3 -RO系結晶，尤其析出鈣長石，液相黏度容易降低，且耐BHF性降低，有反應生成物固著於玻璃表面之元件上，或附著於玻璃基板，使元件或玻璃基板白濁之虞。因而，CaO之較佳上限含量為10%、9.5%、9%、8.5%、8%、7.5%，尤其為7%，較佳之下限含量為0%、1%、2%、3%、3.5%、4%、4.5%，尤其為5%。最佳之含有範圍為5～7%。
SrO雖係提高耐化學品性、耐失透性之成分，但於RO整體之中，若其比例過高，則熔融性容易降低，且密度、熱膨脹係數容易上升。因而，SrO之含有量較佳為0～10%、0～9%、0～8%、0～7%、0～6%，尤其為0～5%。
BaO雖係提高耐化學品性、耐失透性之成分，但若其含量過多，則密度容易上升。又，因SiO2 -Al2 O3 -B2 O3 -RO系玻璃一般而言難以熔融，故自低價且大量供給高品質之玻璃基板之觀點而言，提高熔融性，減輕氣泡、異物等所致之不良率非常重要。然而，BaO於RO之中，缺乏提高熔融性之效果。因而，BaO之較佳上限含量為10%、9%、8%、7%、6%、5%、4.5%、4%，尤其為3.5%，較佳之下限含量為0%、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%，尤其為0.5%。
ZnO雖係改善熔融性、耐BHF性之成分，但若其含量過多，則玻璃容易失透，或應變點下降，難以確保耐熱性。因而，ZnO之含量較佳為0～10%、0～5%、0～3%、0～2%，尤其為0～1%。
P2 O5 係使SiO2 -Al2 O3 -CaO系結晶(尤其係鈣長石)與SiO2 -Al2 O3 系結晶(尤其係莫來石)之液相線溫度降低之成分。然而，若導入多量P2 O5 ，則玻璃容易分相。因而，P2 O5 之含量較佳為0～10%、0～5%、0～3%、0～2%、0～1%，尤其為0～0.1%。
SnO2 具有作為減少玻璃中氣泡之澄清劑之作用。另一方面，若SnO2 之含量過多，則容易於玻璃中產生SnO2 之失透結晶。SnO2 之較佳上限含量為1%、0.5%、0.4%，尤其為0.3%，較佳之下限含量為0%、0.01%、0.03%，尤其為0.05%。最佳之含有範圍為0.05～0.3%。
除上述成分以外，亦可導入其他成分。其導入量於合計量較佳為5%以下、3%以下，尤其為1%以下。
ZrO2 雖係提高化學耐久性之成分，但若其導入量變多，則容易產生ZrSiO4 之結晶。ZrO2 之較佳上限含量為1%、0.5%、0.3%、0.2%，尤其為0.1%，自化學耐久性之觀點而言較佳導入0.001%以上。最佳之含有範圍為0.001%～0.1%。另，ZrO2 可自原料導入，亦可藉由來自耐火物之溶出而導入。
TiO2 雖係降低高溫黏性提高熔融性之成分，且係提高化學耐久性之成分，但若過量導入，則紫外線透過率容易降低。TiO2 之含量較佳為3%以下、1%以下、0.5%以下、0.1%以下、0.05%以下、0.03%，尤其為0.01%以下。另，若極少量導入(例如0.0001%以上)TiO2 ，則可獲得抑制紫外線所致之著色之效果。最佳之含有範圍為0.0001～0.01%。
As2 O3 、Sb2 O3 雖係作為澄清劑發揮作用之成分，但為環境負荷化學物質，故期望儘可能不使用。As2 O3 、Sb2 O3 之含量較佳分別未達0.3%、未達0.1%、未達0.09%、未達0.05%、未達0.03%、未達0.01%、未達0.005%，尤其未達0.003%。
鐵係作為雜質而自原料混入之成分，但若鐵之含量過多，則有紫外線透過率降低之虞。若紫外線透過率降低，則有於製作TFT之光微影步驟或利用紫外線使液晶配向之步驟，進而於塑膠OLED製造步驟之雷射掀離步驟產生不良之虞。因而，鐵之較佳下限含量換算為Fe2 O3 ，為0.0001%、0.0005%、0.001%，尤其為0.0015%，較佳之上限含量換算為Fe2 O3 ，為0.01%、0.009%、0.008%、0.007%，尤其為0.006%。最佳之含有範圍為0.0015%～0.006%。
Cr2 O3 係作為雜質而自原料混入之成分，但若Cr2 O3 之含量過多，則於自玻璃基板端面入射光，藉由散射光進行玻璃基板內部之異物檢查之情形時，有光難以透過，於異物檢查產生不良之虞。尤其，於玻璃尺寸為730 mm×920 mm以上之情形時，容易產生該不良。又，若玻璃基板之板厚較小(例如0.5 mm以下、0.4 mm以下，尤其為0.3 mm以下)，則因自玻璃基板端面入射之光變少，故限制Cr2 O3 之含量之意義變大。Cr2 O3 之較佳上限含量為0.001%、0.0008%、0.0006%、0.0005%，尤其為0.0003%，較佳之下限含量為0.00001%。最佳之含有範圍為0.00001～0.0003%。
SO3 係作為雜質而自原料混入之成分，但若SO3 之含量過多，則有於熔融或成形中產生稱為再沸之氣泡，於玻璃中產生缺陷之虞。SO3 之較佳上限含量為0.005%、0.003%、0.002%，尤其為0.001%，較佳之下限含量為0.0001%。最佳之含有範圍為0.0001%～0.001%。
其次，對玻璃基板之製造方法進行說明。
以獲得具有上述組成、特性之玻璃基板之方式調整之玻璃原料供給至玻璃熔融裝置並於1500～1650℃左右之溫度下熔融。本發明所言之熔融，包含澄清、攪拌等各種步驟。另，於熔融步驟中，較佳電氣熔融玻璃原料。此處所言之「電氣熔融」係於玻璃中通電，以藉此產生之焦耳熱加熱、熔融玻璃之熔融方法。
其次將熔融玻璃供給至成形裝置，以下拉法成形為板狀。作為下拉法，較佳採用溢流下拉法。溢流下拉法係一面自剖面為楔狀之流槽狀耐火物之兩側使熔融玻璃溢流，使溢流之熔融玻璃於流槽狀耐火物之下端合流，一面向下方延伸成形而將玻璃成形為板狀之方法。於溢流下拉法，應成為玻璃基板之表面之面不與流槽狀耐火物接觸，以自由表面之狀態成形。因此，可以低價製造未研磨且表面品質良好之玻璃基板，又玻璃之大型化或薄型化亦容易。另，溢流下拉法所使用之流槽狀耐火物之構造或材質若為可實現期望之尺寸或表面精度者，則無特別限定。又，於進行向下方之延伸成形時，施加力之方法亦無特別限定。例如，可採用使具有充分大寬度之耐熱性輥與玻璃接觸之狀態下旋轉並延伸之方法，亦可採用使成複數對之耐熱性輥僅接觸玻璃之端面附近並延伸之方法。另，除溢流下拉法以外，亦可採用例如狹縫流下法等。
板狀玻璃之板寬雖無特別限制，但為了於稍後敘述之分割步驟中沿寬度方向(即與板拉伸方向正交之方向)獲得複數張玻璃基板，板寬較佳為2 m以上、2.2 m以上、2.4 m以上、2.6 m以上、2.8 m以上，尤其為3 m以上。另一方面，若板狀玻璃之板寬過大，則有成形裝置過大且成形裝置之壽命變短之傾向。因而，板狀玻璃之板寬較佳為4 m以下、3.5 m以下，尤其為3.2 mm以下。
其次，將板狀玻璃供給至緩冷爐並冷卻。冷卻速度因直接關聯到獲得之玻璃基板之熱收縮率故需嚴密管理。具體而言，為使玻璃基板之熱收縮率降低，而自(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之平均冷卻速度較佳為400℃/分以下、390℃/分以下、380℃/分以下、370℃/分以下、360℃/分以下、及350℃/分以下。另一方面，若平均冷卻速度過慢，則有生產效率降低之傾向。因而，自(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之平均冷卻速度較佳為100℃/分以上、150℃/分以上、200℃/分以上，尤其為250℃/分以上。另，冷卻速度之調整只要調整玻璃搬送方向之加熱器之電力即可。具體而言，只要於玻璃搬送方向設置複數個可個別調整之加熱器，並調整各加熱器之輸出即可。又，為了減少玻璃基板之熱收縮率之面內不均，較佳以板寬方向之冷卻速度之不均變小之方式進行溫度控制。具體而言，只要於板寬方向設置複數個可個別調整之加熱器，並調整各加熱器之輸出即可。進而，自使熱收縮率降低之觀點而言，緩冷爐越長越佳，具體而言，長度較佳為2 m以上、3 m以上、4 m以上、5 m以上、6 m以上、7 m以上、8 m以上、9 m以上，尤其為10 m以上。另一方面，若加長緩冷爐，則相應地必須將玻璃熔融裝置或成形爐設置於高處，有受設備設計上之制約之虞。又，自成形裝置垂下之玻璃過重，難以保持。具體而言，緩冷爐之長度較佳為30 m以下、25 m以下、22 m以下、20 m以下、18 m以下、16 m以下，尤其為15 m以下。
將如此成形之板狀玻璃切斷為特定之長度，獲得玻璃基板(母玻璃基板)。進而，藉由將獲得之玻璃基板沿寬度方向分割，可獲得複數張玻璃基板。例如，若為以1.8 m之長度切斷板寬為3 m之板狀玻璃製作之玻璃基板(3 m×1.8 m之玻璃基板)，則可獲得2張G6尺寸(1.5 m×1.8 m)之玻璃基板，同樣地，若為2.6 m×1.1 m之玻璃基板，則可獲得2張G5尺寸(1.2 m×1.0 m～1.3 m×1.1 m)之玻璃基板。同樣地，若為2.19 m×0.92 m之玻璃基板，則可獲得3張G4.5尺寸(0.73 m×0.92 m)之玻璃基板。如此成形板寬較大之玻璃基板，並將其玻璃基板分割為複數張玻璃基板，藉此可使生產效率提高。因而，即使如上所述為了使玻璃基板之熱收縮率降低而放慢平均冷卻速度，亦可維持生產效率。另，於切斷玻璃基板之後，亦可根據需要實施各種化學、或機械性加工等。
玻璃基板之板厚雖無特別限定，但為了容易使裝置輕量化，較佳為0.5 mm以下、0.4 mm以下、0.35 mm以下，尤其為0.3mm以下。另一方面，若板厚過小，則玻璃基板容易彎曲。因而，玻璃基板之板厚較佳為0.001 mm以上，尤其為0.005 mm以上。另，板厚可由玻璃製造時之流量或板拉伸速度等調整。 [實施例1]
以下，基於實施例，詳細說明本發明。另，以下之實施例僅為例示。本發明並非限定於以下任意之實施形態。
表1顯示本發明之比較例(試料A～C、F～H)、及比較例(試料D、E、I)。
[表1]
Figure 02_image001
首先，如表1之組成般，混合並調合矽砂、氧化鋁、硼酸酐、碳酸鈣、硝酸鍶、硝酸鋇、氧化錫、氯化鍶、及氯化鋇。
其次，將玻璃原料不與燃燒器燃燒並用而供給至電氣熔融爐熔融，接著於澄清槽、調整槽內，將熔融玻璃澄清均質化，且調整為適於成形之黏度。
其次於將熔融玻璃供給至溢流下拉成形裝置，成形為板狀之後，如成表1所記載之冷卻速度般冷卻，切斷，藉此製作板厚0.5 mm、寬度3 m、及長度1.8 m之玻璃基板。之後，分割該玻璃基板，獲得2張板厚0.5 mm之G6尺寸(1.5 m×1.8 m)之玻璃基板。另，出熔融爐之熔融玻璃一面僅與鉑或鉑合金接觸一面向成形裝置供給。針對獲得之各試料，評價β-OH值、密度、熱膨脹係數、楊氏模數、應變點、緩冷點、於104.5 dPa･s時之溫度、液相黏度及熱收縮率。
β-OH值係藉由已述算出之值。
密度係藉由周知之阿基米德法測定之值。
熱膨脹係數係於30～380℃之溫度範圍內，由熱膨脹儀測定之平均熱膨脹係數。
楊氏模數係藉由基於JIS R1602之動態彈性率測定法(共振法)測定之值。
應變點、緩冷點係基於ASTM C336之方法測定之值。
高溫黏度104.5 dPa･s時之溫度係由鉑球上拉法測定之值。
液相黏度係由鉑球上拉法測定液相溫度時之玻璃之黏度之值。
熱收縮率係由已述之方法測定者。
試料A～C、F～H由於應變點為750℃以下，且冷卻速度慢至400℃/分以下，故熱縮縮率低至15 ppm以下。又，認為因試料A～C、F～H之應變點為750℃以下，故對成形設備之負荷較低。另一方面，雖試料D、E、I之應變點為750℃以下，但因冷卻速度快至460℃/分以上，故熱收縮率變高至16 ppm以上。 [實施例2]
表2顯示本發明之實施例(試料1～8)、及比較例(試料9)。
[表2]
Figure 02_image003
與實施例1同樣製作並評價表2所記載之試料1～8。
試料1～8因應變點為750℃以下，且冷卻速度慢至400℃/分以下，故熱收縮率低至14 ppm以下。又，認為因試料1～8之應變點為750℃以下，故對成形設備之負荷較低。另一方面，試料9因應變點低至未達690℃，故熱收縮率高至20 ppm。
G:短條狀試料 Ga:試料片 Gb:試料片 M:標記 △L1 :位置偏移量 △L2 :位置偏移量
圖1(a)～(c)係用於說明熱收縮率之測定方法之說明圖。

Claims (8)

  1. 一種玻璃基板之製造方法，特徵在於：其係將玻璃原料熔融、成形，製造應變點為690～750℃之玻璃基板之方法，且在成形時之冷卻過程中，藉由將(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之平均冷卻速度設為100～400℃/分，獲得進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下之玻璃基板。
  2. 如請求項1之玻璃基板之製造方法，其係藉由溢流下拉法成形。
  3. 如請求項1或2之玻璃基板之製造方法，其係獲得板寬為3 m以上之玻璃基板。
  4. 如請求項1至3中任一項之玻璃基板之製造方法，其係獲得作為玻璃組成，以莫耳%計，含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%之玻璃基板。
  5. 如請求項1至4中任一項之玻璃基板之製造方法，其中於成形玻璃基板之後，分割玻璃基板獲得2張以上G6尺寸(1.5m×1.8m)之玻璃基板。
  6. 一種玻璃基板之製造方法，特徵在於：其係將玻璃原料熔融、成形，製造應變點為690～750℃，且進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下，且作為玻璃組成，以莫耳%計，含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%之玻璃基板之方法，且在成形玻璃基板之後，分割玻璃基板獲得2張以上G6尺寸(1.5 m×1.8 m)之玻璃基板。
  7. 一種玻璃基板之製造方法，特徵在於：其係將玻璃原料熔融、下拉成形，製造應變點為690～750℃，且作為玻璃組成，以莫耳%計，含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%之玻璃基板之方法，且在成形時之冷卻過程中，藉由將(緩冷點+150℃)至(緩冷點－200℃)之溫度範圍之平均冷卻速度設為100～400℃/分，而獲得進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下，且板寬為3 m以上之玻璃基板之後，沿寬度方向分割玻璃基板獲得2張以上G6尺寸(1.5m×1.8m)之玻璃基板。
  8. 一種玻璃基板，其特徵在於：應變點為690～750℃，且進行1小時500℃之熱處理時之熱收縮率為15 ppm以下，作為玻璃組成，以莫耳%計，含有SiO2 60～75%、Al2 O3 10～15%、B2 O3 0～5%、Li2 O 0～0.1%、Na2 O 0～0.1%、K2 O 0～1%、MgO 0～8%、CaO 0～10%、SrO 0～10%、BaO 0～10%、ZnO 0～10%、P2 O5 0～10%、SnO2 0～1%。
TW109118399A 2019-06-18 2020-06-02 玻璃基板之製造方法 TW202128574A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019112452 2019-06-18
JP2019-112452 2019-06-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202128574A true TW202128574A (zh) 2021-08-01

Family

ID=74037094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109118399A TW202128574A (zh) 2019-06-18 2020-06-02 玻璃基板之製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220242775A1 (zh)
JP (1) JPWO2020255625A1 (zh)
KR (1) KR20220021903A (zh)
CN (1) CN113727952B (zh)
TW (1) TW202128574A (zh)
WO (1) WO2020255625A1 (zh)

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5703535B2 (ja) * 2006-05-23 2015-04-22 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板
KR101037988B1 (ko) * 2006-05-25 2011-05-30 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 무알칼리 유리 및 무알칼리 유리 기판
JP5435394B2 (ja) * 2007-06-08 2014-03-05 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板及びその製造方法
JP5327702B2 (ja) * 2008-01-21 2013-10-30 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
JP5375385B2 (ja) * 2009-07-13 2013-12-25 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
JP5656080B2 (ja) * 2010-03-23 2015-01-21 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
JP5787296B2 (ja) * 2011-09-30 2015-09-30 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス板及びガラス板の製造方法
WO2013047585A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法
JP5831212B2 (ja) * 2011-12-26 2015-12-09 日本電気硝子株式会社 帯状ガラスの製造方法
CN104010981B (zh) * 2012-09-28 2017-07-18 安瀚视特控股株式会社 玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置
JP5805602B2 (ja) * 2012-09-28 2015-11-04 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス基板の製造方法、および、冷却器
JP2016011235A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス基板の製造方法
JP7004488B2 (ja) * 2015-03-10 2022-01-21 日本電気硝子株式会社 ガラス基板
WO2016185976A1 (ja) * 2015-05-18 2016-11-24 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板
TWI766041B (zh) * 2017-06-14 2022-06-01 美商康寧公司 控制壓實的方法
WO2019124271A1 (ja) * 2017-12-20 2019-06-27 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113727952A (zh) 2021-11-30
JPWO2020255625A1 (zh) 2020-12-24
US20220242775A1 (en) 2022-08-04
CN113727952B (zh) 2024-04-19
KR20220021903A (ko) 2022-02-22
WO2020255625A1 (ja) 2020-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6037117B2 (ja) ガラス及びガラス基板
JP6365826B2 (ja) ガラス
JP6801651B2 (ja) ガラス
TWI623505B (zh) 無鹼玻璃
TW201641457A (zh) 玻璃基板
JP6532218B2 (ja) ガラス
JP6770984B2 (ja) ガラス及びガラス基板
JP6323730B2 (ja) ガラス及びガラス基板
JP6709519B2 (ja) ガラス及びガラス基板
JP6955522B2 (ja) ガラス及びガラス基板
TW202128574A (zh) 玻璃基板之製造方法
WO2020189337A1 (ja) ガラス基板
JP6354943B2 (ja) ガラス
TW201841842A (zh) 玻璃基板
JP6172481B2 (ja) ガラス基板及びその製造方法