TW202128266A - 液處理裝置及液處理方法 - Google Patents

液處理裝置及液處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202128266A
TW202128266A TW109120796A TW109120796A TW202128266A TW 202128266 A TW202128266 A TW 202128266A TW 109120796 A TW109120796 A TW 109120796A TW 109120796 A TW109120796 A TW 109120796A TW 202128266 A TW202128266 A TW 202128266A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
passage portion
processing
branch passage
treatment
Prior art date
Application number
TW109120796A
Other languages
English (en)
Inventor
信國力
尾嶋智明
板橋拓也
堀口亮一
若山翔太
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202128266A publication Critical patent/TW202128266A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C3/00Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material
    • B05C3/02Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D35/00Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1015Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1026Valves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1039Recovery of excess liquid or other fluent material; Controlling means therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1042Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material provided with means for heating or cooling the liquid or other fluent material in the supplying means upstream of the applying apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

[課題]液處理裝置的處理液供應機構的部件數刪減 [解決手段]液處理裝置,具備:槽、循環通路、泵、複數液處理部、複數供應通路,循環通路,具有設置泵的主通路部分、和從主通路部分分岐的第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,從槽流出的處理液,在通過主通路部分後,流入各分岐通路部分,通過各分岐通路部分回到前述槽;複數液處理部,分割成第1處理部群及第2處理部群;複數供應通路,分割成第1通路群及第2通路群;屬於第1處理部群的液處理部,分別通過屬於第1通路群的供應通路連接至第1分岐通路部分;屬於第2處理部群的液處理部,分別通過屬於第2通路群的供應通路連接至第2分岐通路部分。

Description

液處理裝置及液處理方法
本揭示係有關於液處理裝置及液處理方法。
於半導體裝置的製造工程中,包含對半導體晶圓等被處理體供應預定的處理液,進行洗淨或者濕蝕刻等的液處理的工程。設於進行這樣的液處理的液處理裝置的處理液供應機構之一例記載於專利文獻1。專利文獻1記載的處理液供應機構,具有儲留處理液的儲留槽、兩端連接至儲存槽的循環線(循環管路)。在循環線中,從儲存槽出來由上游側依序設置輸送加熱處理液的加熱器、輸送處理液的循環泵、除去包含在處理液中的粒子等汙染物質的過濾器。複數分岐供應線從循環線分岐,各循環線對處理基板的處理部供應處理液。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2015‐220318號公報
[發明所欲解決的問題]
本揭示提供一種能夠將液處理裝置的處理液供應機構的部件數刪減的技術。 [解決問題的手段]
液處理裝置的一實施形態,具備:儲留從處理液供應部供應的處理液的槽;連接至前述槽的循環通路;設於前述循環通路的泵;對基板進行液處理的複數液處理部;對前述複數液處理部分別供應處理液的複數供應通路;前述循環通路,具有設置前述泵的主通路部分、和從前述主通路部分分岐的第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,從前述槽流出的處理液,在通過前述主通路部分後,流入前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,通過前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分回到前述槽;前述複數液處理部,分割成複數液處理部所屬的第1處理部群及複數液處理部所屬的第2處理部群;前述複數供應通路,分割成複數供應通路所屬的第1通路群及複數處理部所屬的第2通路群;屬於前述第1處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第1通路群的供應通路連接至前述第1分岐通路部分;屬於前述第2處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第2通路群的供應通路連接至前述第2分岐通路部分。 [發明的效果]
根據本揭示,能夠將液處理裝置的處理液供應機構的部件數刪減的技術。
參照附圖說明液處理裝置的實施形態。在各圖中,相同或大致相同的構件附加相同參照符號。
圖1表示液處理裝置的第1實施形態。液處理裝置具有處理液供應機構,處理液供應機構具有儲留從處理液供應部70供應的處理液的槽10、及連接至槽10的循環通路20。設於循環通路20的泵30,形成從槽10出發通過循環通路20回到槽10的處理液的循環流。
循環通路20具有上游側的主通路部分(幹管部)22、下游側的複數(圖示例為2個)分岐通路部分(枝管部)24A、24B(以下,也稱為「第1分岐通路部分24A」及「第2分岐通路部分24B」)。
此外,以下,在本說明書中,附屬於第1分岐通路部分24A的構成要素被賦予的參照符號的末尾的文字為「A」、附屬於第2分岐通路部分24B的構成要素被賦予的參照符號的末尾的文字為「B」。附屬於第1分岐通路部分24A的構成要素與附屬於第2分岐通路部分24B的構成要素為相同、或實質相同者。附屬於第1分岐通路部分24A的構成要素與附屬於第2分岐通路部分24B的構成要素沒有相互區別的必要時,也有將末尾的文字「A」、「B」刪除表記的情形(例如將40A、40B表記成40)。又,參照符號的末尾的文字為「A」的構成要素也有稱為「第1(構成要素的名稱)」、參照符號的末尾的文字為「B」的構成要素也有稱為「第2(構成要素的名稱)」的情形。又,也有省略「第1~」及「第2」的情形。
過濾部40,除去通過該過濾部的處理液中含有的粒子等的汙染物質。過濾部40包含並列設置的複數(圖示例中為3個)過濾模組。屬於1個過濾部40的過濾模組之數,能夠考慮在過濾部要求的過濾能力及在過濾部中容許的壓力下降等來決定。此外,在本案添附的全部圖中,以在中央描繪縱線的菱形(正方形)表示的1個符號表示1個過濾器模組。
主通路部分22,於在其下游端也就是泵30的下游側設定的分岐(分岐點)23,向第1分岐通路部分24A與第2分岐通路部分24B分岐。從槽10流出的處理液,通過主通路部分22後,流入第1分岐通路部分24A及第2分岐通路部分24B,通過第1分岐通路部分24A及第2分岐通路部分24B回到槽10。
液處理裝置具有對基板W(例如半導體晶圓)施予液處理的複數液處理部60。液處理部60具有相同的構造。各液處理部60,例如,能夠具有保持基板W使其旋轉的轉盤、對藉由轉盤保持而旋轉的基板W供應處理液的噴嘴66。
液處理部60,分割成與分岐通路部分(24A、24B)相同數(圖示例為2個)的群組。從第1分岐通路部分24A供應處理液至屬於第1群組的液處理部60A。因此,複數供應通路62(62A)從第1分岐通路部分24A並列分岐,連接至屬於第1群組的液處理部60A的任一者。從第2分岐通路部分24B供應處理液至屬於第2群組的液處理部60B。因此,複數供應通路62(62B)從第2分岐通路部分24B並列分岐,連接至屬於第1群組的液處理部60B的任一者。屬於各群組的液處理部(60A、60B)之數相同。
為了圖式的簡略化,圖1(圖2、圖7中也一樣)中雖描繪3個液處理部60屬於1個群組之例,但屬於1個群組的處理部之數不限於此。例如,屬於1個群組的處理部之數能夠是6~10個左右。
在各供應通路62設有流通控制機器64。流通控制機器64包含開關閥、流量控制閥、流量計、液體流量控制器等之中的1個以上。供應通路62的下游端,連接至對基板W供應處理液的噴嘴66。因此,能夠從噴嘴66以控制的流量將處理液供應至載入液處理部60內的基板W。
分岐通路部分24A從上游側依序設置調溫部50(50A)、溫度感測器21Q(21QA)、流量計25(25A)、附加開度調整機能的開關閥26(26A)、溫度感測器21R(21RA)。分岐通路部分24B也從上游側依序設置調溫部50(50B)、溫度感測器21Q(21QB)、流量計25(25B)、附加開度調整機能的開關閥26(26B)、溫度感測器21R(21RB)。
調溫部50調節通過該調溫部的處理液溫度。各調溫部50包含並列設置的複數(圖示例為4個)調溫模組。調溫模組,可以是電阻加熱加熱器或燈加熱器那種只專門進行加熱的模組、也可以是具備調溫元件(例如熱電元件)的能進行加熱及冷卻的兩者的加熱/冷卻模組。
屬於1個調溫部50的調溫模組之數,能夠考慮在調溫部50要求的調溫能力及在調溫部50中容許的壓力下降等來決定。圖示例中,各調溫部50(50A、50B)藉由並列配置的2個調溫模組構成。此外,在本案添附的全部圖中,以在中央描繪2個對向的縱箭頭的菱形(正方形)表示的1個符號表示1個調溫模組。
液處理裝置具有控制部100。控制部100例如是電腦,具有控制演算部及記憶部。在記憶部中,儲存有控制在液處理裝置中執行的各種處理的程式。控制演算部藉由將記憶於記憶部中的程式讀出並執行,控制液處理裝置的各種構成部件的動作。程式為記錄於由電腦可讀取的記憶媒體中者,為從該記憶媒體安裝至控制部100的記憶部者也可以。作為由電腦可讀取的記憶媒體,例如有硬碟(HD)、可撓性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
控制部100,基於在泵30的出口附近的溫度感測器21P、在調溫部50A的出口附近的溫度感測器21QA、在第1分岐通路部分24A的供應通路62A的連接區域的正上游的溫度感測器21RA的檢出溫度控制調溫部50A的調溫動作(加熱及/或冷卻動作),藉此將從第1分岐通路部分24A供應至液處理部60A的處理液的溫度維持在目標值。
同樣地,控制部100,基於在泵30的出口附近的溫度感測器21P、在調溫部50B的出口附近的溫度感測器21QB、在第2分岐通路部分24B的供應通路62B的連接區域的正上游的溫度感測器21RB的檢出溫度控制調溫部50B的調溫動作(加熱及/或冷卻動作),藉此將從第2分岐通路部分24B供應至液處理部60B的處理液的溫度維持在目標值。
調溫部50A的控制與調溫部50B的控制相互獨立。
具體來說,控制部100,基於在調溫部50A (50B)的出口附近的溫度感測器21QA(21QB)的檢出溫度,將調溫部50A(50B)的調溫動作(加熱及/或冷卻動作)進行回饋控制,使得溫度感測器21QA(21QB)的檢出溫度維持在設定溫度。上述設定溫度該當於回饋控制系中的設定值SV,溫度感測器21QA(21QB)的檢出溫度該當於回饋控制系中的測定值PV。
在液處理部60A(60B)附近的溫度感測器21RA(21RB)的檢出溫度,最接近對基板W實際供應的處理液的溫度。處理液,從調溫部50A(50B)流出後到供應至基板W為止的期間,藉由分岐通路部分24A(24B)中的自然放熱,溫度會降低。控制部100,因應溫度感測器21QA (21QB)的檢出溫度與溫度感測器21RA(21RB)的檢出溫度之差,補正回饋控制系中的設定值(SV)或操作量(MV)。具體來說,溫度感測器21RA(21RB)的檢出溫度若比溫度感測器21QA(21QB)的檢出溫度例如還低1℃,則考慮在設定值(SV)作為補正值(CV)增加1℃。溫度感測器21RA(21RB)的檢出溫度與溫度感測器21QA(21QB)的檢出溫度之差若為無視程度,則不進行基於溫度感測器21RA(21RB)的檢出溫度的補正也可以。
在泵30的出口附近的溫度感測器21P,為了進行前饋控制而設置。從處理液供應部70對槽10補充新的處理液後,溫度較低的處理液從槽10流入調溫部50A (50B)。回饋控制因為基於在調溫部50A(50B)的出口附近的溫度感測器21QA(21QB)的檢出溫度進行,到溫度感測器21QA(21QB)的檢出溫度降低為止的期間,調溫部50A (50B)的發熱量不增加。因此,未進行前饋控制時,溫度較低的處理液會暫時朝向液處理部60A(60B)流通分岐通路部分24A(24B)。又,欲補償溫度感測器21QA(21QB)的檢出溫度的降低時,從調溫部50A(50B)流出的處理液的溫度可能會產生不均的現象。
在前饋控制中,因應溫度感測器21P的檢出溫度與設定溫度(由溫度感測器21QA(21QB)應檢出的溫度)之差,補正回饋控制系中的設定值(SV)或操作量(MV)。具體來說,例如,溫度感測器21RA(21RB)的檢出溫度若比檢出溫度例如還低5℃,則考慮在設定值(SV)暫時作為補正值(CV)增加5℃。對設定值(SV)加上補正值(CV)的時機,能夠考慮處理液的流通從溫度感測器21P到達調溫部50A(50B)為止的時間、回饋控制系的控制應答性等實驗地決定。藉由進行前饋控制,流入調溫部50A(50B)的處理液的溫度較急劇地降低時,能夠控制供應至液處理部60A(60B)的處理液的溫度變動。
前饋控制,僅在預想從處理液供應部70對槽10補充新的處理液等的向溫度控制系造成大外擾時進行也可以。
附加開度調整機能的開關閥26A(26B),能夠調節流通分岐通路部分24A(24B)的處理液的流量,又,能夠遮斷分岐通路部分24A(24B)的處理液的流通。流量計25A(25B)能夠監視流通分岐通路部分24A(24B)的處理液的流量。
分岐通路部分24A(24B)的最下游部分設有背壓閥27A(27B)。
處理液供應部70能夠對槽10供應(或補充)處理液。作為從處理液供應部70供應的處理液,例示了DHF(稀氫氟酸)。處理液供應部70,具有將從HF(氫氟酸)的供應源供應的HF,藉由從DIW(純水)的供應源供應的DIW稀釋,生成DHF的機能也可以。此時,DIW供應源及HF的供應源能夠作為半導體裝置製造工廠的工廠輸出提供。處理液供應部70,具備將預先調配的處理液儲留的槽(與槽10不同的槽)也可以。處理液供應部70可以是混合複數成份而成的處理液者、也可以是供應單一成份的處理液者。
圖2表示液處理裝置的第2實施形態。第2實施形態中,在第1分岐通路部分24A設置調溫部50A及過濾部40A、在第2分岐通路部分24B的調溫部50B及過濾部40B這點不同。調溫部50A(50B)設於過濾部40A(40B)的上游側。調溫部50A(50B)包含並列設置的4個調溫模組。又,過濾部40A(40B)包含並列設置的2個調溫模組。除了上述事項,第2實施形態與第1實施形態相同,省略重複說明。
圖3~圖6僅將液處理裝置的第3~第6實施形態中的泵30、過濾部40及調溫部50的配置簡略化表示。第3~第6實施形態具有與第1及第2實施形態具備的構成要素一樣的構成要素(60、21P、21Q、21R、25、26等),但該等圖示省略。
圖3所示的第3實施形中,在主通路部分22設有泵30。第1分岐通路部分24A設置過濾部40A及調溫部50A。第2分岐通路部分24B設置過濾部40B及調溫部50B。各過濾部(40A、40B)具有1個過濾模組、各調溫部(50A、50B)具有1個調溫模組。
圖4所示的第4實施形態中,在主通路部分22設有泵30及過濾部40。在第1分岐通路部分24A設置調溫部50A、在第2分岐通路部分24B設置調溫部50B。過濾部40具有1個過濾模組、各調溫部(50A、50B)具有1個調溫模組。
圖5所示的第5實施形態中,在主通路部分22設有泵30、過濾部40及調溫部50。過濾部40具有1個過濾模組、調溫部50具有1個調溫模組。
圖6所示的第6實施形態中,在主通路部分22設置泵30及過濾部40、在第1分岐通路部分24A設置調溫部50A、在第2分岐通路部分24B設置調溫部50B。第6實施形態中,各調溫部(50A、50B)分別具有2個調溫模組這點與第4實施形態不同。
在第1~第6實施形態共通的是在循環通路20的主通路部分22設置泵30,藉由共通的泵30產生的驅動力,產生在循環通路20的第1分岐通路部分24A及第2分岐通路部分24B的兩者的處理液的循環。藉此,與在2個循環通路分別設置泵的構造,能夠減少泵之數,能夠降低液處理裝置的裝置成本。
圖4所示的第4實施形態中,在主通路部分22加上泵30設置過濾部40,過濾部40具有1個過濾模組。該構造,於過濾部40不需要高粒子捕集能力時被使用。根據該構造,與圖3所示的第3實施形態比較,能夠減少過濾器模組之數,能夠降低液處理裝置的裝置成本。
在過濾部40需要高粒子捕集能力時,如圖3所示的第3實施形態那樣在各分岐通路部分(24A、24B)分別設置過濾部(40A、40B)即可。再來需要高粒子捕集能力時,如圖2所示的第2實施形態那樣,為在各分岐通路部分(24A、24B)分別設置過濾部(40A、40B),且各過濾部具有2個(或者其以上)的過濾器模組的那種構造即可。
圖1所示的第1實施形態中,在主通路部分22所設的過濾部40具有並列設置的3個過濾模組。圖1所示的第1實施形態中,與設置各者具有1個過濾器模組2個過濾部40A、40B的情形(圖3所示的第3實施形態)相比較,作為全體的過濾能力變高。藉由奇數個(此時為3個)過濾模組構成1個過濾部40,能夠作為循環系統剛好適合全體要求的粒子捕集能力時,在主通路部分22設置過濾部40也可以。藉此,能夠減少過濾器模組之數(能夠避免設置必要以上之數的過濾器模組),能夠降低液處理裝置的裝置成本。
圖5所示的第5實施形態中,在主通路部分22加上泵30設置過濾部40及調溫部50,調溫部50具有1個過濾模組。該構造,於調溫部50不需要高調溫能力時被使用。根據該構造,與圖4所示的第4實施形態比較,能夠減少調溫模組之數,能夠降低液處理裝置的裝置成本。
在調溫部50需要高調溫能力時,如圖4所示的第4實施形態那樣在各分岐通路部分(24A、24B)分別設置調溫部(50A、50B)即可。再來需要高調溫能力時,如圖6所示的第6實施形態那樣,為在各分岐通路部分(24A、24B)分別設置調溫部(50A、50B),且各調溫部具有2個(或者其以上)的調溫模組的那種構造即可。
與先前說明的過濾部一樣,藉由奇數個(此時為3個)調溫模組構成的1個調溫部50設置於主通路部分22也可以。
簡單說明關於沿著處理液的流動方向的泵30、過濾部40及調溫部50的排列順序的決定方式。
特別重視供應至液處理部60的處理液的調溫精度時,在最下游側配置調溫部50較佳。此時,例如,能夠從上游側依序配置泵30、過濾部40及調溫部50。圖1、圖3~圖6的實施形態該當於該配置。
特別重視使供應至液處理部60的處理液中含有的粒子之量減少時,在最下游側配置過濾部40較佳。因為調溫部50有發塵的可能性。此時,例如,能夠從上游側依序配置泵30、調溫部50及過濾部40。例如,處理液為作為乾燥用溶劑使用的IPA(異丙醇)時,該配置較佳。圖2及圖7的實施形態該當於該配置。
構成調溫部50的調溫模組例如加熱器模組有耐壓性低者。此時,為了防止調溫模組的破損,在比泵30還上游側配置調溫部50較佳。此時,例如,能夠從上游側依序配置調溫部50、泵30及過濾部40。
圖7表示液處理裝置的第7實施形態。第7實施形態中,在主通路部分22設置泵30及調溫部50、各分岐通路部分(24A、24B)分別設置過濾部(40A、40B)。第7實施形態的其他構成要素,與圖1及圖2所示的第1及第2實施形態的構成要素相同,重複說明省略。
圖8~圖10為說明第7實施形態的液處理裝置的動作的時序圖。時序圖中的項目如同以下。以下說明的動作,依照儲存於控制部100的配方,在控制部100的控制下自動執行。 「PUMP」:表示泵30動作(ON)、或停止(OFF)。 「PUMP RPM」:表示泵30的旋轉數。「ZERO」為0旋轉、「RI」表示啟動時的低旋轉、「RS」表示僅在一者的分岐通路部分(24A、24B)流通處理液時的中旋轉、「RW」表示在兩者的分岐通路部分(24A、24B)流通處理液時的高旋轉。ZERO<RI<RS<RW。「VA」:表示第1分岐通路部分24A的開關閥26A開啟(OPEN)、或關閉(CLOSE) 「VB」:表示第2分岐通路部分24B的開關閥26B開啟(OPEN)、或關閉(CLOSE) 「HEATER」:表示在調溫部50的調溫模組(這裡是電加熱器模組)通電(ON)、或未通電(OFF)。此外,「ON」的情形,向電加熱器模組的供應電力為了進行回饋控制而非一定。 「A Ready」:表示向連接至第1分岐通路部分24A的液處理部60A的處理液供應的準備完成(ON)、或未準備完成(OFF)。 「B Ready」:表示向連接至第2分岐通路部分24B的液處理部60B的處理液供應的準備完成(ON)、或未準備完成(OFF)。
首先,參照圖8的時序圖說明關於液處理裝置的啟動時的動作。
現在,假設槽10是空的。從該狀態開始,在開關閥26A、26B一同關閉的狀態下,從處理液供應部70開始向槽10供應處理液(時點t0)。此時,泵停止(OFF),未進行向調溫部50的電加熱器模組的通電(OFF)。
由圖未示液位感測器檢出槽10內的處理液的液位上升成為預先設定的下限液位以上時(時點t1),在預先設定的延遲時間的經過後(時點t2),僅開啟另一開關閥26A,將泵30啟動。藉此,形成從槽10通過主通路部分22及第1分岐通路部分24A,回到槽10的處理液的循環流。此時,在第2分岐通路部分24B未流通處理液。
泵30以低旋轉(RI)啟動,低旋轉(RI)以預先設定的時間保持後(時點t3),漸漸地使旋轉數上升至高旋轉(RW)。啟動泵30的旋轉速度的同時使其上升至高旋轉(RW),則過濾部40A的過濾器模組的一次側與二次側之間的差壓會暫時變得過大,過濾器模組(例如濾波器要素)會有破損的危險。藉由以上述順序啟動泵30,能夠防止過濾器模組的破損。
泵30的旋轉數成為高旋轉(RW)後(時點t4),在預先設定的延遲時間(例如10秒左右)經過後(時點t5),開始流量計25A的分岐通路部分24A內的處理液流量的監視。從時點t4經過預先設定的時間(時點t6),且流量計25A的流量監視結果沒有問題時,開啟開關閥26B,將開關閥26A關閉。藉此,形成從槽10通過主通路部分22及第2分岐通路部分24B,回到槽10的處理液的循環流。此時,在第1分岐通路部分24A未流通處理液。
從時點t6預先設定的延遲時間(例如10秒左右)經過後(時點t7),開始流量計25B的分岐通路部分24B內的處理液流量的監視。從時點t6經過預先設定的時間(時點t8),且流量計25B的流量監視結果沒有問題時,以開啟開關閥26B的狀態將開關閥26A開啟。藉此,形成從槽10通過主通路部分22、和第1及第2分岐通路部分24A、24B的兩者,回到槽10的處理液的循環流。從時點t6到時點t8的時間例如為60秒左右。
從時點t8經過預先設定的時間後(時點t9),開始向調溫部50的電加熱器模組的供電,開始處理液的加熱。向電加熱器模組的供應電力,能夠藉由使用前述回饋控制(組合前饋控制也可以)的調溫方法進行控制。
該第7實施形態中,設於在主通路部分22的調溫部50,將流入第1及第2分岐通路部分24A、24B兩者的處理液加熱。此時,將僅存在1個的溫度感測器21Q的檢出溫度、與溫度感測器21RA及21RB的任一者(例如溫度感測器21RA)的檢出溫度之差能夠用於前述補正值(CV)的算出。將溫度感測器21RA的檢出溫度與溫度感測器21RB的檢出溫度的平均值用於補正值(CV)的算出也可以。
處理液的加熱開始後,待機至處理液的溫度到目標溫度穩定為止。處理液的溫度穩定後(時點t10),向連接至第1及第2分岐通路部分24A、24B的兩者的全部液處理部60的處理液供應的準備結束(Ready狀態)。之後,依照預先訂定的處理排程,在各液處理部60進行處理。此時,對各液處理部(60A、60B)從分岐通路部分(24A、24B)通過分岐供應通路(62A、62B),以由流通控制機器64控制的流量,供應處理液。
在液處理部60預定的全部的液處理結束後,停止泵30,關閉開關閥26A、26B,停止向調溫部50的電加熱器模組的供電(時點t11)。
根據上述實施形態,以在兩者的分岐通路部分(24A、24B)流通處理液時使用的高旋轉(RW)將泵30驅動的狀態下,首先,僅在一者的分岐通路部分24A以大流量流通處理液,之後僅在另一者的分岐通路部分24B以大流量流通處理液。在這裡「大流量」為在液處理裝置的通常運轉時流通1個分岐通路部分(24A、24B)的處理液的流量的例如約2倍。但是,在這裡的「大流量」是比在液處理裝置的通常運轉時(在處理部60A、60B如同預定進行依序處理時)流通1個分岐通路部分(24A、24B)的處理液的流量還大的流量即可。藉由進行這樣的操作,能夠將在循環通路20(主通路部分22和第1及第2分岐通路部分24A、24B)內殘留的空氣(氣泡)以短時間排出。因此,能夠使向連接至分岐通路部分24A、24B的兩者的全部液處理部60的處理液供應的準備在短時間結束。液處理裝置的通常運轉中,在循環通路20內完全不存在空氣(氣泡)較佳。
接著,參照圖9的時序圖,說明關於附屬於第1及第2分岐通路部分24A、24B之中的一者(這裡是第1分岐通路部分24A)的液處理裝置的構成要素發生錯誤時的動作(動作的停止及再度開始)。在該例中,係關於檢出錯誤時停止向第1分岐通路部分24A的處理液的供應,之後解消錯誤時再度開始向第1分岐通路部分24A的處理液的供應的順序。
該動作,在圖8的時序圖中液處理裝置從時點t10與時點t11之間的狀態(Ready狀態)開始。圖9的時點t20(相當於時點t10與時點t11之間的時點)中,附屬於第1分岐通路部分24A的液處理裝置的構成要素產生錯誤。
作為向一者的分岐通路部分24A(24B)的處理液的供應停止這種錯誤,例示了從附屬於第1分岐通路部分24A的配管的處理液的洩漏、附屬於第1分岐通路部分24A的調溫部50A的故障、在液處理部60A的排氣壓的降低、液處理部60A側的維護面板的開放等。
此外,作為向兩者的分岐通路部分24A、24B的處理液的供應停止這種錯誤,例示了泵30的故障、槽10及附屬於槽10的感測器類(液位感測器等)的故障、在主通路部分22產生的洩漏、處理液供應容器(收容槽、配管等的部分)的面板的開放等。
在時點t20檢出錯誤後,泵30的旋轉數下降至適合僅在一者的分岐通路部分(24A、24B)流通處理液的中旋轉RS,關閉開關閥26A。藉此,在第1分岐通路部分24A未流入處理液,僅在第2分岐通路部分24B流通處理液。流通第2分岐通路部分24B的處理液的流量,在時點t20的前後實質上未發生變化。因此,能夠在連接至第2分岐通路部分24B的全部液處理部60繼續進行液處理。
到達時點t20為止的期間若將溫度感測器21RA的檢出值用於前述補正值(CV)的算出,進行前述回饋控制系的切換,使得溫度感測器21RB的檢出值用於補正值(CV)的算出值。
此外,因為在時點t20的前後通過調溫部50的電加熱器模組的處理液的流量減半,於時點t20之後預先設定的期間內,使對調溫部50的電加熱器模組供電的電力暫時降低也可以。回饋控制系若具有充分的控制應答性,不進行該操作也可以。
若檢出解消錯誤時(時點t21),泵30的旋轉數上升至適合在兩者的分岐通路部分24A、24B流通處理液的高旋轉RW,開啟附加開度調整機能的開關閥26A。藉此,在第1分岐通路部分24A也流入處理液,會在第1及第2分岐通路部分24A、24B的兩者流通處理液。
時點t21之後,在未流通處理液的第1分岐通路部分24A的處理液的溫度及流量穩定後(時點t22),向連接至分岐通路部分24A的全部的液處理部60的處理液供應的準備結束(Ready狀態)。也就是說,能夠在連接至第1及第2分岐通路部分24A、24B的全部液處理部60進行液處理。
到時點t21為止未流通處理液的第1分岐通路部分24A(管壁)的溫度降低。因此,基於溫度感測器21RA的檢出溫度,判定流通第1分岐通路部分24A的處理液的溫度穩定也可以。能夠基於流量計25A的檢出值,判定流通第1分岐通路部分24A的處理液的流量穩定。
接著,參照圖10的時序圖,說明關於附屬於第1及第2分岐通路部分24A、24B的兩者的液處理裝置的構成要素發生錯誤時,使運轉再度開始的動作。該動作,想定成附屬於第2分岐通路部分24B的液處理裝置的構成要素的錯誤解消,之後,附屬於第1分岐通路部分24A的液處理裝置的構成要素的錯誤解消的情形。
在時點t30的液處理裝置的狀態,與圖8的時序圖的時點t11之後的液處理裝置的狀態等價。也就是說,循環通路20內的全域實質上充滿處理液。
在時點t31中,設為附屬於第2分岐通路部分24B的液處理裝置的構成要素的錯誤解消者。此後,開啟第2分岐通路部分24B的開關閥26B,啟動泵30。藉此,形成從槽10通過主通路部分22及第2分岐通路部分24B,回到槽10的處理液的循環流。此時,在第1分岐通路部分24A未流通處理液。
泵30以低旋轉(RI)啟動,低旋轉(RI)以預先設定的時間保持後(時點t32),漸漸地使旋轉數上升至中旋轉(RS)。將泵30的旋轉數漸漸地提高是為了如同前述防止過濾器模組的破損。
泵30的旋轉數成為中旋轉(RS)後(時點t33),在預先設定的延遲時間(例如10秒左右)經過後,開始流量計25B的第2分岐通路部分24B內的處理液流量的監視。流量穩定後(時點t34),開始向調溫部50的電加熱器模組的供電,開始處理液的加熱。向電加熱器模組的供應電力,能夠藉由使用前述回饋控制(組合前饋控制也可以)的調溫方法進行控制。此時,溫度感測器21RB的檢出溫度用於前述補正值(CV)的算出。之後,處理液的溫度穩定後(時點t35),向連接至第2分岐通路部分24B的全部液處理部60的處理液供應的準備結束(Ready狀態)。
在時點t36中,設為附屬於第1分岐通路部分24A的液處理裝置的構成要素的錯誤解消者。此後,開啟第1分岐通路部分24A的開關閥26A。藉此,通過第1及第2分岐通路部分24A、24B的兩者,流通處理液。也開始流量計25A的第1分岐通路部分24A內的處理液流量的監視。在第1分岐通路部分24A內的處理液的溫度及處理液的流量穩定後(時點t37),向連接至第1分岐通路部分24A的全部的液處理部60的處理液供應的準備也結束(Ready狀態)。藉由以上液處理裝置恢復到通常運轉狀態。
參照圖11,說明關於處理液供應部70的構造之一例。如同前述,處理液為DHF,處理液供應部70為將從HF供應源供應的HF,藉由從DIW的供應源供應的DIW稀釋生成DHF者。從作為工廠輸出的DIW供應源供應的DIW的溫度,有比所期望的溫度還高的情形。此時,若設於循環通路20的調溫部50的調溫模組未有充分的冷卻機能,有無法將處理液的溫度控制在所期望的溫度(例如,常溫附近的溫度)的情形。圖11所示的構造為能對應該種情形者。
從DIW供應源701通過DIW供應線702向槽10供應DIW。DIW供應線702從上游側依序設置開關閥703、熱交換器704、溫度感測器705、開關閥706、開關閥707。在溫度感測器705與開關閥706之間,返回線708從DIW供應線702分岐。在返回線708設置開關閥709。
在熱交換704作為冷卻媒體,從作為工廠輸出提供的PCW(Plant Coolin g Water、工廠冷卻水)供應源701,通過PCW供應線711供應PCW。供應至熱交換器704的PCW通過PCW排出線712排出。PCW供應線711從上游側依序設置開關閥713、流量控制機器(例如流量控制閥)714。PCW排出線712從上游側依序設置流量計715、開關閥716。PCW藉由與通過熱交換器704內的DIW進行熱交換,將DIW冷卻。
說明關於圖11的處理液供應部70的動作。處理液供應部70的動作也在前述控制部100的控制之下進行。開啟開關閥703及開關閥709,且關閉開關閥706。從DIW供應源701供應的DIW,通過熱交換器704後,流入返回線708,回到DIW供應源701(或者被廢棄)。在該狀態下,藉由溫度感測器705檢出的溫度比所期望的溫度還高時,開啟開關閥713、716,從PCW供應線711向熱交換器704供應PCW,通過熱交換器704的DIW被冷卻。基於溫度感測器705的檢出溫度,流量控制機器714控制通過熱交換器704的PCW的流量,使得藉由溫度感測器705檢出的DIW的溫度成為所期望的溫度。DIW的溫度在所期望的範圍內穩定後,關閉開關閥709,開啟開關閥706、707。藉此在所期望的溫度範圍內的DIW被供應至槽10。
從圖未示的HF的供應源供應的HF,直接供應至槽10,在槽10內與DIW混合也可以。從圖未示的HF的供應源供應的HF,例如藉由連接至開關閥706與開關閥707之間的圖未示的HF供應線供應至DIW供應線702也可以。此時,藉由在DIW供應線702內與HF混合,生成的DHF被供應至槽10。
熱交換器704不限於將溫度高的液體冷卻者,將溫度低的液體加溫也可以。
應注意這次揭示的實施形態全部的點都是例示,並非用來限制者。上述實施形態,在不脫離申請專利範圍及其主旨的情況下,也能夠以各種形態進行省略、置換、變更。
10:槽 20:循環通路 22:主通路部分 24A:第1分岐通路部分 24B:第2分岐通路部分 70:處理液供應部 30:泵30 60(60A,60B):液處理部 62(62A,62B):供應通路
[圖1]第1實施形態的液處理裝置的流體回路圖。 [圖2]第2實施形態的液處理裝置的流體回路圖。 [圖3]第3實施形態的液處理裝置的概略流體回路圖。 [圖4]第4實施形態的液處理裝置的概略流體回路圖。 [圖5]第5實施形態的液處理裝置的概略流體回路圖。 [圖6]第6實施形態的液處理裝置的概略流體回路圖。 [圖7]第7實施形態的液處理裝置的流體回路圖。 [圖8]用以說明第7實施形態的液處理裝置的動作的時序圖。 [圖9]用以說明第7實施形態的液處理裝置的動作的時序圖。 [圖10]用以說明第7實施形態的液處理裝置的動作的時序圖。 [圖11]表示處理液供應部的構造之一例的流體回路圖。
10:槽
20:循環通路
21RA:溫度感測器
21RB:溫度感測器
21P:溫度感測器
21QA:溫度感測器
21QB:溫度感測器
22:主通路部分
23:分岐(分岐點)
24A:第1分岐通路部分
24B:第2分岐通路部分
25A:流量計
25B:流量計
26A:開關閥
26B:開關閥
27A:背壓閥
27B:背壓閥
30:泵
40:過濾部
50A:調溫部
50B:調溫部
60(60A,60B):液處理部
62(62A,62B):供應通路
64:流通控制機器
66:噴嘴
70:處理液供應部
100:控制部
W:基板

Claims (15)

  1. 一種液處理裝置,具備:儲留從處理液供應部供應的處理液的槽; 連接至前述槽的循環通路; 設於前述循環通路的泵; 對基板進行液處理的複數液處理部; 對前述複數液處理部分別供應處理液的複數供應通路; 前述循環通路,具有設置前述泵的主通路部分、和從前述主通路部分分岐的第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,從前述槽流出的處理液,在通過前述主通路部分後,流入前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,通過前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分回到前述槽; 前述複數液處理部,分割成複數液處理部所屬的第1處理部群及複數液處理部所屬的第2處理部群; 前述複數供應通路,分割成複數供應通路所屬的第1通路群及複數處理部所屬的第2通路群; 屬於前述第1處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第1通路群的供應通路連接至前述第1分岐通路部分; 屬於前述第2處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第2通路群的供應通路連接至前述第2分岐通路部分。
  2. 如請求項1記載的液處理裝置,更具備:設於前述主通路部分,過濾處理液的過濾部; 設於前述第1分岐通路部分的第1調溫部; 設於前述第2分岐通路部分的第2調溫部。
  3. 如請求項2記載的液處理裝置,其中,前述過濾部具有在主通路部分並列設置的複數過濾模組。
  4. 如請求項1記載的液處理裝置,更具備:設於前述第1分岐通路部分的第1過濾部、及設於前述第2分岐通路部分的第2過濾部。
  5. 如請求項4記載的液處理裝置,更具備:設於前述第1分岐通路部分的第1調溫部、及設於前述第2分岐通路部分的第2調溫部。
  6. 如請求項1記載的液處理裝置,其中,前述處理液供應部,具有對前述槽供應前述處理液其自體或作為前述處理液的構成成份的液體的液供應線、及設於前述液供應線,將前述液體調溫的調溫機構。
  7. 如請求項6記載的液處理裝置,其中,前述液體為作為工廠輸出提供的液體,前述調溫機構為將工廠冷卻水作為冷卻媒體使用的冷卻用的熱交換器。
  8. 如請求項1記載的液處理裝置,更具備:設於前述第1分岐通路部分的第1開關閥; 設於前述第2分岐通路部分的第2開關閥; 控制部; 前述控制部,控制前述第1開關閥及前述第2開關閥,使得在前述液處理裝置啟動時,僅在前述第1分岐通路部分流通前述處理液,之後僅在前述第2分岐通路部分流通前述處理液,之後在前述第1分岐通路部分及前述第2分岐通路部分的兩者流通前述處理液。
  9. 請求項8記載的液處理裝置,其中,前述控制部,控制前述泵的動作,使得在前述液處理裝置的啟動時僅在前述第1分岐通路部分或前述第2分岐通路部分流通前述處理液時在前述第1或第2分岐通路部分流通的處理液的流量,比在前述液處理裝置的通常運轉時在前述第1分岐通路部分及前述第2分岐通路部分的兩者流通前述處理液時在各分岐通路部分流通的處理液的流量還大。
  10. 如請求項1記載的液處理裝置,更具備:設於前述第1分岐通路部分的第1開關閥; 設於前述第2分岐通路部分的第2開關閥; 控制部; 前述控制部,在前述液處理裝置的通常運轉時在前述第1分岐通路部分及前述第2分岐通路部分的兩者流通前述處理液時,認為在前述第1分岐通路部分有異常時,關閉第1開關閥並使前述泵的吐出量降低。
  11. 如請求項1記載的液處理裝置,更具備:設於前述循環通路,將流通前述循環通路的處理液調溫的調溫部; 在比前述調溫部還下游側的位置設於前述循環通路的第1溫度感測器; 在前述槽與前述調溫部之間設於前述循環通路的第2溫度感測器; 至少基於前述第1溫度感測器的檢出溫度將前述調溫部進行回饋控制的控制部; 前述控制部,在對前述槽從前述處理液供應部補充處理液時,併用基於前述第2溫度感測器的檢出溫度的前饋控制,控制前述調溫部。
  12. 一種液處理方法,係使用液處理裝置,前述液處理裝置具備:儲留從處理液供應部供應的處理液的槽; 連接至前述槽的循環通路; 設於前述循環通路的泵; 對基板進行液處理的複數液處理部; 對前述複數液處理部分別供應處理液的複數供應通路; 前述循環通路,具有設置前述泵的主通路部分、和從前述主通路部分分岐的第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,從前述槽流出的處理液,在通過前述主通路部分後,流入前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,通過前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分回到前述槽; 前述複數液處理部,分割成複數液處理部所屬的第1處理部群及複數液處理部所屬的第2處理部群; 前述複數供應通路,分割成複數供應通路所屬的第1通路群及複數處理部所屬的第2通路群; 屬於前述第1處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第1通路群的供應通路連接至前述第1分岐通路部分; 屬於前述第2處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第2通路群的供應通路連接至前述第2分岐通路部分;其中,前述液處理方法,具備: 在前述液處理裝置啟動時, 僅在前述第1分岐通路部分流通前述處理液的工程; 之後,僅在前述第2分岐通路部分流通前述處理液的工程; 之後,僅在前述第1分岐通路部分及前述第2分岐通路部分的兩者流通前述處理液的工程。
  13. 如請求項12記載的液處理方法,其中,將僅在前述第1分岐通路部分流通前述處理液的工程中流通前述第1分岐通路部分的處理液的流量、及僅在前述第2分岐通路部分流通前述處理液的工程中流通前述第2分岐通路部分的處理液的流量,設為比在前述液處理裝置的通常運轉時在前述第1分岐通路部分及前述第2分岐通路部分的兩者流通前述處理液時流通各分岐通路部分的處理液的流量還大。
  14. 一種液處理方法,係使用液處理裝置,前述液處理裝置具備:儲留從處理液供應部供應的處理液的槽; 連接至前述槽的循環通路; 設於前述循環通路的泵; 對基板進行液處理的複數液處理部; 對前述複數液處理部分別供應處理液的複數供應通路; 前述循環通路,具有設置前述泵的主通路部分、和從前述主通路部分分岐的第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,從前述槽流出的處理液,在通過前述主通路部分後,流入前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,通過前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分回到前述槽; 前述複數液處理部,分割成複數液處理部所屬的第1處理部群及複數液處理部所屬的第2處理部群; 前述複數供應通路,分割成複數供應通路所屬的第1通路群及複數處理部所屬的第2通路群; 屬於前述第1處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第1通路群的供應通路連接至前述第1分岐通路部分; 屬於前述第2處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第2通路群的供應通路連接至前述第2分岐通路部分;其中,前述液處理方法,在前述液處理裝置的通常運轉時在前述第1分岐通路部分及前述第2分岐通路部分的兩者流通前述處理液時,認為在前述第1分岐通路部分有異常時,停止向前述第1分岐通路部分流通處理液,並使前述泵的吐出量降低。
  15. 一種液處理方法,係使用液處理裝置,前述液處理裝置具備:儲留從處理液供應部供應的處理液的槽; 連接至前述槽的循環通路; 設於前述循環通路的泵; 對基板進行液處理的複數液處理部; 對前述複數液處理部分別供應處理液的複數供應通路; 前述循環通路,具有設置前述泵的主通路部分、和從前述主通路部分分岐的第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,從前述槽流出的處理液,在通過前述主通路部分後,流入前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分,通過前述第1分岐通路部分及第2分岐通路部分回到前述槽; 前述複數液處理部,分割成複數液處理部所屬的第1處理部群及複數液處理部所屬的第2處理部群; 前述複數供應通路,分割成複數供應通路所屬的第1通路群及複數處理部所屬的第2通路群; 屬於前述第1處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第1通路群的供應通路連接至前述第1分岐通路部分; 屬於前述第2處理部群的液處理部,分別通過屬於前述第2通路群的供應通路連接至前述第2分岐通路部分;其中,前述液處理方法,具備: 藉由設於前述循環通路的調溫部,將流通前述循環通路的處理液調溫的調溫工程; 前述調溫工程,包含: 在前述液處理裝置的通常運轉時,基於由在比前述調溫部還下游側的位置設於前述循環通路的第1溫度感測器檢出的處理液的溫度,將前述調溫部進行回饋控制的工程; 在對前述槽從前述處理液供應部補充處理液時,將基於在前述槽與前述調溫部之間設於前述循環通路的第2溫度感測器的溫度的前饋控制與前述回饋控制併用進行前述調溫部的控制的工程。
TW109120796A 2019-07-02 2020-06-19 液處理裝置及液處理方法 TW202128266A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-123898 2019-07-02
JP2019123898A JP7382164B2 (ja) 2019-07-02 2019-07-02 液処理装置および液処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202128266A true TW202128266A (zh) 2021-08-01

Family

ID=73918867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109120796A TW202128266A (zh) 2019-07-02 2020-06-19 液處理裝置及液處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11691172B2 (zh)
JP (2) JP7382164B2 (zh)
KR (1) KR20210003682A (zh)
CN (1) CN112185845A (zh)
TW (1) TW202128266A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022029861A1 (ja) * 2020-08-04 2022-02-10 株式会社 東芝 塗布装置及び塗布方法
JP2024060860A (ja) 2022-10-20 2024-05-07 東京エレクトロン株式会社 処理液供給システムおよびその運転方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2006865A (en) * 1933-03-09 1935-07-02 Preferred Utilities Company In Flow proportioning device for liquids of variable viscosity
US2363200A (en) * 1941-08-06 1944-11-21 Linde Air Prod Co Apparatus for dispensing gas material
DE1070014B (de) * 1958-09-09 1959-11-26 Escher Wyss G.m.b.H., Ravensburg Einrichtung zum kontinuierlichen Evakuieren und Tränken von faserhaltigen Stoffen der Zellstoff- und Papierindustrie
US3592159A (en) * 1968-11-21 1971-07-13 L S Heath & Sons Inc Liquid level control
US4019530A (en) * 1976-02-17 1977-04-26 The Raymond Lee Organization, Inc. Chemical diluting system
US5174855A (en) * 1989-04-28 1992-12-29 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Surface treating apparatus and method using vapor
JPH04281808A (ja) * 1991-03-08 1992-10-07 Sharp Corp フィルタ装置
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US7004185B2 (en) * 2001-08-17 2006-02-28 Kistler Aerospace Corporation Liquid loading techniques
US6878216B2 (en) * 2001-09-03 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing system
JP4660579B2 (ja) * 2008-09-11 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 キャップメタル形成方法
JP2012076045A (ja) * 2010-10-04 2012-04-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
EP2715075A2 (en) * 2011-05-17 2014-04-09 Sustainx, Inc. Systems and methods for efficient two-phase heat transfer in compressed-air energy storage systems
JP5714428B2 (ja) * 2011-06-24 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP5714449B2 (ja) * 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5726784B2 (ja) * 2012-02-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および基板処理装置
JP6118044B2 (ja) * 2012-07-19 2017-04-19 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6034144B2 (ja) * 2012-11-07 2016-11-30 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP6010457B2 (ja) * 2012-12-28 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および薬液回収方法
KR102495563B1 (ko) * 2013-12-12 2023-02-06 카티바, 인크. 두께를 제어하기 위해 하프토닝을 이용하는 잉크-기반 층 제조
JP6385714B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
JP6499414B2 (ja) * 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
EP3202501B1 (en) * 2014-10-01 2021-05-05 Sekisui Chemical Co., Ltd. Liquid ejection device
JP6454629B2 (ja) * 2014-12-16 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6461617B2 (ja) * 2015-01-20 2019-01-30 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US9862179B2 (en) * 2015-07-29 2018-01-09 Eastman Kodak Company Web transport system including scavenger blade
CN105133039B (zh) * 2015-09-06 2017-12-08 常州捷佳创精密机械有限公司 一种单多晶制绒设备
JP6605394B2 (ja) * 2016-05-17 2019-11-13 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、タンク洗浄方法及び記憶媒体
JP6739285B2 (ja) * 2016-08-24 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102456820B1 (ko) * 2016-12-26 2022-10-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 제어 장치, 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 기판
JP6999392B2 (ja) * 2017-02-15 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6959743B2 (ja) * 2017-02-22 2021-11-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7170578B2 (ja) * 2018-08-31 2022-11-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7220537B2 (ja) * 2018-09-20 2023-02-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7213648B2 (ja) * 2018-09-27 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11033925B2 (en) * 2018-10-10 2021-06-15 Girbau, S.A. Device for the surface coating of pieces
KR102234619B1 (ko) * 2018-10-19 2021-04-05 세메스 주식회사 액 공급 노즐 및 기판 처리 장치
JP7250566B2 (ja) * 2019-02-26 2023-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7381370B2 (ja) * 2020-03-05 2023-11-15 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210003682A (ko) 2021-01-12
CN112185845A (zh) 2021-01-05
US11691172B2 (en) 2023-07-04
US20230234091A1 (en) 2023-07-27
JP7382164B2 (ja) 2023-11-16
US20210001370A1 (en) 2021-01-07
JP2023181511A (ja) 2023-12-21
JP2021009956A (ja) 2021-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230234091A1 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5951384B2 (ja) 温度制御システムへの温調流体供給方法及び記憶媒体
KR102591343B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
CN114072746B (zh) 温度控制系统和温度控制方法
US10690011B2 (en) Power generation system, management device, and semiconductor manufacturing apparatus
US11387119B2 (en) Fluid heating device
US20210398828A1 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR102134949B1 (ko) 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법
KR102353774B1 (ko) 냉각챔버
WO2023204048A1 (ja) 液供給システム、液処理装置および液供給方法
KR102398341B1 (ko) 액체 가열 장치 및 세정 시스템
US20240234169A9 (en) Processing liquid supply system and operation method thereof
US20240136204A1 (en) Processing liquid supply system and operation method thereof
JP2020107841A (ja) 基板処理装置および基板処理装置の運転方法
US20240096650A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2022108088A (ja) 処理液供給システムおよび基板処理装置
JP2022180847A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH0964010A (ja) リンス機用温洗浄液供給装置
KR20000007568U (ko) 반도체 약액공급장비의 유량조절장치