TW202125244A - 具有元件修整功能的積體電路 - Google Patents

具有元件修整功能的積體電路 Download PDF

Info

Publication number
TW202125244A
TW202125244A TW109143279A TW109143279A TW202125244A TW 202125244 A TW202125244 A TW 202125244A TW 109143279 A TW109143279 A TW 109143279A TW 109143279 A TW109143279 A TW 109143279A TW 202125244 A TW202125244 A TW 202125244A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
value
trimming
trim
integrated circuit
measurement
Prior art date
Application number
TW109143279A
Other languages
English (en)
Inventor
金一權
Original Assignee
南韓商矽工廠股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商矽工廠股份有限公司 filed Critical 南韓商矽工廠股份有限公司
Publication of TW202125244A publication Critical patent/TW202125244A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G01R31/3187—Built-in tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K21/00—Details of pulse counters or frequency dividers
    • H03K21/02—Input circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/31703—Comparison aspects, e.g. signature analysis, comparators
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G01R31/3183—Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02—Details
    • H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01—Shaping pulses
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/26—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being duration, interval, position, frequency, or sequence

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

公開了一種具有用於嵌入式類比元件或數位元件的修整功能的積體電路；積體電路包含修整值產生器、測量目標、判斷單元及儲存器；修整值產生器被配置為提供變化的修整值；測量目標係選自數位元件及類比元件，並且被配置為由於與修整值相對應的內部操作的結果而提供測量值；判斷單元被配置為基於從外部接收到的參考值來判斷測量值，並且當測量值對應於預設目標值時提供修整控制信號；儲存器被配置為響應於修整控制信號而儲存當前的修整值以作為測量結果值。

Description

具有元件修整功能的積體電路
本公開係有關於一種積體電路，並且更具體地，係有關於一種具有修整功能的積體電路，該積體電路係用於藉由測量嵌入式類比元件或數位元件以計算修整值，並且儲存修整值以作為測量結果值。
積體電路被設計用於各種用途，並且藉由半導體製程被製造為晶片。
積體電路可被製造為系統晶片，該系統級晶片具有混合了類比元件及數位元件的結構。
由於在製造過程中的幾個環境因素的影響，積體電路的類比元件及數位元件可具有與設計的輸出特性不同的輸出特性。
類比元件的例子可為能隙參考電壓產生器，能隙參考電壓產生器可被製造為由於在製造過程中幾個環境因素的影響而輸出具有高於或低於設計準位的準位的能隙參考電壓。
數位元件的例子可為振盪器；由於在製造過程中幾個環境因素的影響，可將振盪器製造為提供具有高於或低於設計準位的頻率的輸出信號。
通常，在測試程序中測量之後，可校正在製造過程中產生的積體電路的特性變化。
對於測試程序，需要將積體電路設計為具有複數之用於測試的輸入端子及測量端子；因此，積體電路在內部電路的設計及佈局方面具有不便及缺點。
此外，測試程序需要具有高精度的昂貴的測量設備；但是，可使用測量設備進行測試的積體電路的數量是有限的；因此，存在著積體電路生產率受到限制的問題。
此外，一般的積體電路由於測試結果而被要求要另外執行在測試結果得到的修整值儲存到內部記憶體的操作。
由於這個原因，一般的積體電路具有以下問題：生產率有限，並且需要執行伴隨測試的附加操作。
各個實施例旨在提供一種具有元件修整功能的積體電路，該積體電路具有用於用以測量一測量目標的修整功能的簡單電路，該積體電路藉由儲存在一嵌入式儲存器的由修整功能所得到的測量值，在設計及佈局方面具有優勢，並且不需要外部連接的或昂貴的測量設備即可進行測試，因此可以提高生產率。
在一個實施例中，具有元件修整功能的積體電路可包含修整值產生器、測量目標、判斷單元及儲存器；修整值產生器被配置為提供變化的修整值；測量目標係選自數位元件及類比元件並被配置為由於與修整值相對應的內部操作的結果而提供測量值；判斷單元被配置為基於從外部接收的參考值判斷測量值，並且當測量值對應於預設目標值時提供修整控制信號；儲存器被配置為響應於修整控制信號而儲存當前的修整值以作為測量結果值。
在一個實施例中，具有元件修整功能的積體電路可包含修整值產生器、數位元件、判斷單元及儲存器；修整值產生器被配置為提供變化的修整值；數位元件被配置為由於與修整值相對應的內部操作的結果而提供具有頻率的測量值；判斷單元被配置為基於從外部接收的參考信號的參考頻率判斷測量值的頻率，並且當測量值的頻率對應於預設目標值時提供修整控制信號；儲存器被配置為響應於修整控制信號而儲存當前的修整值以作為測量結果值。
在一個實施例中，具有元件修整功能的積體電路可包含修整值產生器、類比元件、判斷單元及儲存器；修整值產生器被配置為提供變化的修整值；類比元件被配置為由於與修整值相對應的內部操作的結果而提供具有類比準位的測量值；判斷單元被配置為基於從外部接收的參考信號的參考準位判斷測量值的類比準位，並且當測量值的類比準位對應於預設目標值時提供修整控制信號；儲存器被配置為響應於修整控制信號而儲存當前的修整值以作為測量結果值。
根據本公開的實施例的具有元件修整功能的積體電路可在設計及佈局方面具有優點，因為該積體電路僅需要一端子以接收用於修整功能的來自外部的參考信號。
此外，根據本公開的實施例的積體電路可具有以下優點：不需要用於測試程序的外部連接的或昂貴的測量設備，並且可藉由包含用於在元件上修整的簡單部件以簡單地執行測試程序。
此外，根據本公開的實施例的積體電路可具有如下優點：可以提高生產率，因為可藉由簡單地執行測試程序而同時在許多部件上執行測試程序，並且藉由在嵌入式儲存器內儲存的由於修整結果所得到的測量值的測試程序之後，不需要額外的操作。
下面將參照附圖更詳細地描述示例性實施例；然而，本公開可以以不同的形式體現並且不應被構造為限於本文闡述的實施例；相反地，提供這些實施例使得本公開將是透徹及完整的，並將向本領域技術人員充分傳達本公開的範圍；在整個本公開中，於本公開的各個附圖及實施例中，相似的附圖標記指代相似的部分。
根據本公開的實施例的具有用於測量元件的修整功能的積體電路100可被理解為包含類比元件或數位元件，例如微電腦或微處理器，或者具有類比元件及數位元件混合在一起的結構。
可將數位元件理解為提供具有頻率特性或數位值的輸出信號，以用於例如振盪器之類的數位邏輯。稍後參考示出振盪器的圖2描述本公開的詳細示例。
此外，類似於能隙參考電壓產生器，類比元件可被理解為提供具有類比準位的輸出信號，例如電壓或電流。本公開稍後配合圖4描述一能隙參考電壓產生器，以說明另一詳細示例。
首先，請參考圖1，根據本公開的實施例的具有用於測量元件的修整功能的積體電路100包含修整值產生器10、測量目標30、判斷單元50及儲存器70。在這種情況下，修整值產生器10、判斷單元50和儲存器70可理解為對應於用於測量該測量目標30的修整功能的電路。
修整值產生器10被配置為提供變化的修整值TV；修整值產生器10可被配置為提供修整值TV作為數位值；為此，修整值產生器10被配置為並行提供多個位元。
例如，修整值TV可以以順序的位元值“0000”、“0001”、“0010”、…、“1111”依次地提供，或者可以按相反的順序提供，或者可以隨機提供。
例如，在本公開的實施例中，修整值TV被描述為以“0000”、“0001”、“0010”、…、“1111”的順序提供。
測量目標30可被理解為選自數位元件及類比元件中的一種。
測量目標30執行與修整值產生器10所提供的修整值TV相對應的內部操作，並且提供測量值MV以作為內部操作的結果。
如果測量目標30是振盪器，即數位元件，則測量值MV可理解為具有頻率的方波信號，該方波信號由振盪器基於修整值TV而輸出。此外，如果測量目標30是能隙參考電壓，即類比元件，則測量值MV可被理解為由能隙參考電壓產生器基於修整值TV而輸出的參考電壓。
判斷單元50被配置為從外部接收參考值RS及從測量目標30接收測量值MV。
判斷單元50被配置為基於參考值RS判斷測量值MV，並在測量值MV對應於預設目標值時提供修整控制信號DS；例如，判斷單元50可被配置為將修整控制信號DS提供給修整值產生器10。
在這種情況下，可將目標值設置為給定值或測量值要達到的給定範圍；可以參考稍後將描述的圖2及圖4的詳細示例來理解目標值。
當接收到修整控制信號DS時，修整值產生器10將與測量值MV相對應的當前的修整值TV作為測量結果值STV以提供給儲存器70。
儲存器70儲存測量結果值STV；可使用各種記憶體裝置來配置儲存器70；例如，可使用非揮發性記憶體來配置儲存器70。
儲存器70可以為測量目標30的內部操作設置測量結果值STV。
在本公開的實施例中，可以基於在儲存器70中設置的測量結果值STV來校正由於測量目標30的製造過程所引起的特性變化。
因此，如果積體電路100在批量生產之後進行操作，則測量目標30可基於設置在儲存器70中的測量結果值STV以執行內部操作，並且可實現具有設計準位的特性而不會歸因於製造過程而改變特徵。
圖2示出了詳細的實施例，其中將測量目標30示出為數位元件。在圖2的元件中，與圖1的元件重複的元件的配置及操作的描述被省略。
圖2與圖1不同之處在於，在測量目標30中包含振盪器32，即數位元件，並且在判斷單元50中包含計數器52及比較器54。振盪器32被配置為數位元件的代表。下文中將描述的振盪器32的配置及操作可被理解為數位元件的配置及操作。
振盪器32接收由修整值產生器10所提供的修整值TV，振盪器32執行與修整值TV相對應的內部操作，並且振盪器32由於內部操作結果而提供具有頻率的測量值MVF。
振盪器32可由於內部操作而執行振盪操作，並且當修整值TV改變為具有逐漸增加的值的順序“0000”、“0001”、“0010”、…、“1111”時，根據輸入位元的值的增加而提供具有更高頻率的測量值MVF；在這種情況下，測量值MVF可被理解為具有脈衝波形的信號。
判斷單元50基於從外部接收的參考信號RSF的參考頻率來判斷測量值MVF的頻率，並且當測量值MVF的頻率對應於預設目標值時，判斷單元50提供修整控制信號DS。
為此，判斷單元50包含計數器52及比較器54。
計數器52從外部接收參考信號RSF，並從振盪器32接收測量值MVF，並基於參考信號RSF的參考頻率來判斷測量值MVF的頻率。
請參考圖3，參考信號RSF的參考頻率可被設置為低於測量值MVF的頻率。
為了便於描述，示出了振盪器32被設計為輸出具有8MHz的準位的測量值MVF，並且參考信號RSF被提供為8KHz的準位；示出了測量值MVF具有比參考信號RSF的頻率高1000倍的頻率。
如果振盪器32輸出具有設計準位的測量值MVF而沒有由於製造過程而出現的特性變化，則具有1000個週期的測量值MVF被包含在具有一個週期的參考信號RSF中。
由於因為製造過程而產生的特性變化，振盪器32可提供具有比8MHz的頻率更低的頻率的測量值MVF。
計數器52在參考信號RSF的預設時間段內，例如在半週期或一個週期內，對在測量值MVF中包含多少個週期進行計數，並將計數結果FC提供給比較器54。
比較器54可將計數結果FC的目標值設置為例如“1000”；當計數結果FC未達到目標值時，比較器54基於來自比較器54的反饋以逐漸地增加修整值產生器10的修整值TV。
當藉由比較器54的反饋來增加修整值TV時，振盪器32提供具有逐漸增加的頻率的測量值MVF。
當計數結果FC在該過程中達到目標值時，比較器54將修整控制信號DS提供給修整值產生器10。
在以上描述中，可被理解的是，比較器54向修整值產生器10提供具有用於反饋的低準位的修整控制信號DS，並且向修整值產生器10提供當計數結果FC達到目標值時具有高準位的修整控制信號DS。
當接收到指出計數結果FC已經達到目標值的修整控制信號DS時，修整值產生器10可將與測量值MVF相對應的當前的修整值TV作為測量結果值STV以提供給儲存器70。儲存器70可設置用於振盪器32的內部操作的測量結果值STV。
參照圖1所描述的在圖2的實施例中，可基於在儲存器70中設置的測量結果值STV來校正由於振盪器32(即數位元件)的製造過程而產生的特性變化。
因此，如果積體電路100在批量生產之後進行操作，則振盪器32可基於在儲存器70中設置的測量結果值以執行內部操作，並且可實現具有設計準位的特性而不會歸因於製造過程而改變特徵。
圖4示出了詳細的實施例，其中將測量目標30示出為類比元件。在圖4的元件中，與圖1的元件重複的元件的配置及操作的描述被省略。
圖4與圖1的不同處在於，能隙參考電壓產生器34及特性變化單元36（即類比元件）被包含在測量目標30中，並且比較器56被包含在判斷單元50中。能隙參考電壓產生器34被配置為類比元件的代表。下文將描述的能隙參考電壓產生器34的配置及操作是類比元件的配置及操作。
能隙參考電壓產生器34可被配置為接收特性變化單元36的負載。
在能隙參考電壓產生器34的情況下，由於製造過程而產生的特性的改變可能引起在能隙參考電壓產生器34中配置的電晶體的特性的改變或用於電晶體的輸入電壓、驅動電壓及偏電電壓的特性變化單元36的在負載特性的改變。
能隙參考電壓產生器34可被修整以藉由調節特性變化單元36的負載來計算具有設計準位(即測量值MVV)的能隙參考電壓。
如上所述，特性變化單元36從修整值產生器10接收變化的修整值TV，並且根據變化的修整值TV向能隙參考電壓產生器34提供變化的負載。
能隙參考電壓產生器34可根據特性變化單元36的負載來執行內部操作，並且由於內部操作的結果向比較器56提供具有類比準位(即能隙參考電壓)的測量值MVV。
被配置為判斷單元50的比較器56接收來自外部的參考信號RSV及來自能隙參考電壓產生器34的測量值MVV，並基於參考信號RSV的參考準位判斷測量值MVV的類比準位。
請參考圖5，參考信號RSV的參考準位具有預設的給定準位；測量值MVV的類比準位係根據變化的修整值TV逐漸地變高。
比較器56將參考信號RSV的參考準位設置為目標值，並將測量值MVV的類比準位與參考信號RSV的參考準位進行比較。
當因為比較的結果為測量值MVV的類比準位小於參考信號RSV的參考準位時，比較器56基於反饋而逐漸地增加修整值產生器10的修整值TV。
當藉由比較器56的反饋來增加修整值TV時，能隙參考電壓產生器34提供具有逐漸增加的準位的測量值MVV。
在該過程中，當因為比較的結果為測量值MVV達到參考信號RSV的參考準位（圖5中的定時TD）即目標值時，比較器56提供修整控制信號DS到修整值產生器10。
在以上描述中，可被理解的是，比較器56向修整值產生器10提供具有低準位以用於反饋的修整控制信號DS，並且當因為比較的結果為測量值MVV達到目標值時，比較器56向修整值產生器10提供具有高準位的修整控制信號DS。
當接收到指出測量值MVV達到參考信號RSV的參考準位(即目標值)的修整控制信號DS時，修整值產生器10以與測量值MVV相對應的當前的修整值TV作為測量結果值STV以提供至儲存器70。儲存器70可為了能隙參考電壓產生器34的內部操作而設置測量結果值STV。
參照圖1所描述的在圖4的實施例中，可基於在儲存器70中設置的測量結果值STV來校正由於能隙參考電壓產生器34(即類比元件)的製造過程而產生的特性的變化。
因此，如果積體電路100在批量生產後進行操作，則能隙參考電壓產生器34可基於設置在儲存器70中的測量結果值來執行內部操作，並且可實現具有設計準位的特性而不會歸因於製造過程而改變特徵。
如上所述，根據本公開的實施例的具有元件修整功能的積體電路可在設計及佈局方面具有優點，因為該積體電路僅需要一端子以接收用於修整功能的來自外部的參考信號。
此外，根據本公開的實施例的積體電路可具有如下優點：不需要用於測試程序的外部連接的或昂貴的測量設備，並且可藉由包含用於在元件上修整的簡單部件以簡單地執行測試程序。
此外，根據本公開的實施例的積體電路可具有如下優點：可以提高生產率，因為可藉由簡單地執行測試程序而同時在許多部件上執行測試程序，並且藉由在嵌入式儲存器內儲存的由於修整結果所得到的測量值的測試程序之後，不需要額外的操作。
10:修整值產生器
30:測量目標
32:振盪器
34:能隙參考電壓產生器
36:特性變化單元
50:判斷單元
52:計數器
54:比較器
56:比較器
70:儲存器
100:積體電路
DS:修整控制信號
FC:計數結果
MV:測量值
MVF:測量值
MVV:測量值
RS:參考值
RSF:參考信號
RSV:參考信號
STV:測量結果值
T:時間
TD:定時
TV:修整值
V:電壓
圖1是示出根據本公開的實施例的具有元件修整功能的積體電路的較佳實施例的方塊圖。
圖2是根據本公開的詳細實施例的積體電路的方塊圖。
圖3是用於說明圖2的計數器的操作的方塊圖。
圖4是根據本公開的另一詳細實施例的積體電路的方塊圖。
圖5是用於說明圖4的比較器的操作的方塊圖。
10:修整值產生器
30:測量目標
50:判斷單元
70:儲存器
100:積體電路
DS:修整控制信號
MV:測量值
RS:參考值
STV:測量結果值
TV:修整值

Claims (15)

  1. 一種具有元件修整功能的積體電路，包含： 一修整值產生器，被配置為提供變化的一修整值； 一測量目標，選自於一數位元件及一類比元件，並且該測量目標被配置為由於與該修整值相對應的一內部操作的一結果而提供一測量值； 一判斷單元，被配置為基於從外部接收的一參考值判斷該測量值，並且當該測量值對應於一預設目標值時，該判斷單元提供一修整控制信號；及 一儲存器，被配置為響應於該修整控制信號而儲存當前的該修整值以作為一測量結果值。
  2. 如請求項1所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該修整值產生器提供一數位值以作為該修整值。
  3. 如請求項1所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該修整值產生器接收該修整控制信號；該修整值產生器響應於該修整控制信號向該儲存器提供當前的該修整值。
  4. 如請求項1所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該測量結果值被設定以用於該測量目標的該內部操作；在該測量結果值被設定之後，該測量目標基於該測量結果值以執行該內部操作。
  5. 一種具有元件修整功能的積體電路，包含： 一修整值產生器，被配置為提供變化的一修整值； 一數位元件，被配置為由於對應於該修整值的一內部操作的一結果而提供具有一頻率的一測量值； 一判斷單元，被配置為基於從外部接收的一參考信號的一參考頻率來判斷該測量值的該頻率，並且當該測量值的該頻率對應於一預設目標值時，該判斷單元提供一修整控制信號；及 一儲存器，被配置為響應於該修整控制信號而儲存當前的該修整值以作為一測量結果值。
  6. 如請求項5所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該修整值產生器提供一數位值以作為該修整值。
  7. 如請求項5所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該判斷單元包含： 一計數器，基於該參考信號的該參考頻率低於該測量值的該頻率，該計數器被配置為對該測量值進行計數；及 一比較器，當該計數器的一計數結果對應於一目標值時，該比較器被配置為提供該修整控制信號。
  8. 如請求項7所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該計數器對在該參考信號的一預設週期中所包含的該測量值的一週期進行計數；當該計數結果對應於該目標值時，該判斷單元提供該修整控制信號。
  9. 如請求項5所述之具有元件修整功能的積體電路，其中當該修整值產生器接收到該修整控制信號時，該修整值產生器提供當前的該修整值至該儲存器。
  10. 如請求項5所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該數位元件包含一振盪器；對應於該振盪器的該測量結果值係為了該振盪器的該內部操作而被設置；在該測量結果值被設置之後，該振盪器基於該測量結果值以執行該內部操作。
  11. 一種具有元件修整功能的積體電路，包含： 一修整值產生器，被配置為提供變化的一修整值； 一類比元件，被配置為由於對應於該修整值的一內部操作的一結果而提供具有一類比準位的一測量值； 一判斷單元，被配置為基於從外部接收的一參考信號的一參考準位來判斷該測量值的該類比準位，並且當該測量值的該類比準位對應於一預設目標值時，該判斷單元提供一修整控制信號；及 一儲存器，被配置為響應於該修整控制信號而儲存當前的該修整值以作為一測量結果值。
  12. 如請求項11所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該修整值產生器提供一數位值以作為該修整值;該類比元件包含一特性變化單元;該特性變化單元被配置為作為該測量值的一負載；該特性變化單元根據變化的該修整值向該類比元件提供變化的該負載。
  13. 如請求項11所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該判斷單元包含一比較器；該比較器比較該測量值的該類比準位以及該參考信號的該參考準位以得到一比較結果；在該比較結果與一目標值相對應時，該比較器提供該修整控制信號。
  14. 如請求項11所述之具有元件修整功能的積體電路，其中當該修整值產生器接收到該修整控制信號時，該修整值產生器提供當前的該修整值至該儲存器。
  15. 如請求項11所述之具有元件修整功能的積體電路，其中該類比元件包含一能隙參考電壓產生器；該測量結果值係為了該能隙參考電壓產生器的該內部操作而被設置；在該測量結果值被設置之後，該能隙參考電壓產生器基於該測量結果值來執行該內部操作。
TW109143279A 2019-12-24 2020-12-08 具有元件修整功能的積體電路 TW202125244A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190173695A KR20210081583A (ko) 2019-12-24 2019-12-24 컴포넌트에 대한 트리밍 기능을 갖는 집적 회로
KR10-2019-0173695 2019-12-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202125244A true TW202125244A (zh) 2021-07-01

Family

ID=76438537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109143279A TW202125244A (zh) 2019-12-24 2020-12-08 具有元件修整功能的積體電路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11067619B2 (zh)
KR (1) KR20210081583A (zh)
TW (1) TW202125244A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI840019B (zh) * 2022-12-15 2024-04-21 新唐科技股份有限公司 修整裝置、具有該修整裝置的電子裝置及同時對多個待測裝置進行修整的修整方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114879789B (zh) * 2022-04-14 2022-12-02 深圳市迪浦电子有限公司 一种可双向自动追踪的修调集成电路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7634376B2 (en) * 2003-06-16 2009-12-15 Aptina Imaging Corporation Internal bias measure with onboard ADC for electronic devices
US7280929B1 (en) 2004-09-29 2007-10-09 Keithley Instruments, Inc. Method and apparatus for pulse I-V semiconductor measurements
KR20060069138A (ko) 2004-12-17 2006-06-21 엘지전자 주식회사 테스트 모듈의 타이밍 특성 측정 장치
US7277350B2 (en) * 2005-06-01 2007-10-02 Infineon Technologies Ag Implementation of a fusing scheme to allow internal voltage trimming
KR101171398B1 (ko) 2006-01-09 2012-08-07 엘지전자 주식회사 오디오 음질 보정 장치 및 그 방법
US7852099B1 (en) * 2007-01-31 2010-12-14 Ixys Ch Gmbh Frequency trimming for internal oscillator for test-time reduction
KR20100048609A (ko) * 2008-10-31 2010-05-11 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함한 메모리 시스템, 및 메모리 테스트 시스템
KR20100084247A (ko) 2009-01-16 2010-07-26 엘지전자 주식회사 디스플레이장치 및 그의 제어 방법
US8929158B1 (en) * 2013-10-15 2015-01-06 Integrated Silicon Solution, Inc. Auto-trimming of internally generated voltage level in an integrated circuit
KR20160107564A (ko) * 2015-03-04 2016-09-19 에스케이하이닉스 주식회사 트리밍 회로 및 이를 포함하는 반도체 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI840019B (zh) * 2022-12-15 2024-04-21 新唐科技股份有限公司 修整裝置、具有該修整裝置的電子裝置及同時對多個待測裝置進行修整的修整方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210081583A (ko) 2021-07-02
US11067619B2 (en) 2021-07-20
US20210194472A1 (en) 2021-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7459983B2 (en) Temperature detecting semiconductor device
US7852099B1 (en) Frequency trimming for internal oscillator for test-time reduction
TW202125244A (zh) 具有元件修整功能的積體電路
JP2002359289A (ja) プロセスモニタ回路を備えた半導体装置、その試験方法、並びにその製造方法
US7653170B2 (en) Electrical circuit for measuring times and method for measuring times
WO2013126136A1 (en) Physical unclonable function cell and array
CN114397561B (zh) 时序错误检测电路、方法以及电子设备
US8929158B1 (en) Auto-trimming of internally generated voltage level in an integrated circuit
US7804371B2 (en) Systems, modules, chips, circuits and methods with delay trim value updates on power-up
US20100188102A1 (en) Semiconductor device
US9716398B2 (en) Auto correction driving device and wireless charger driving system using the same
US20040041595A1 (en) Semiconductor integrated circuit device, and adjustment method of semiconductor integrated circuit device
US9341658B2 (en) Fast on-chip oscillator trimming
JP4852004B2 (ja) トリミング方法
US6622106B2 (en) Device for testing and calibrating the oscillation frequency of an integrated oscillator
JPH05215791A (ja) 電圧低下検出回路
US8169232B2 (en) Apparatus and method for generating resistance calibration code in semiconductor integrated circuit
US7466259B2 (en) Methods and apparatus to measure a voltage on an integrated circuit
CN108139763A (zh) 调压电路及电路调压方法
US9502956B1 (en) Configuration of semiconductor device supply voltage
US20080218151A1 (en) On chip duty cycle measurement module
US8907732B2 (en) Oscillation frequency regulating circuit and method
JP2020016578A (ja) 電圧検出回路、半導体装置及び製造方法
US20240210473A1 (en) Semiconductor chip and semiconductor package including the same
CN117539323B (zh) 基于ate设备的mcu内部时钟校准方法、系统及芯片