TW202123328A - 碳化矽基板及碳化矽基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

碳化矽基板係具備設置有定向平面之圓形之第1主面、及與上述第1主面為相反側之第2主面者。第1主面具備將設置定向平面之前之第1主面之形狀設為圓時的圓之中心。第1主面具備第1徑向之第1兩端部，該第1兩端部係假定於第1主面之第1徑向上設置有通過圓之中心並於第1徑向上延伸之第1假想直線時，第1假想直線與第1主面之周緣之兩個交點。第1主面具備第2徑向之第2兩端部，該第2兩端部係假定於與第1主面之第1徑向正交之第2徑向上設置有通過圓之上述中心並於第2徑向上延伸之第2假想直線時，第2假想直線與第1主面之周緣之兩個交點。第1主面具備不包括第1區域與第2區域之中央區域，該第1區域係自第1徑向之第1兩端部之各者起向第1主面之內側5 mm以內之區域，該第2區域係自第2徑向之第2兩端部之各者起向第1主面之內側5 mm以內之區域。複數個第1正方形區域之LTV之平均值為0.75 μm以下，該複數個第1正方形區域係指以包含數量最多之邊長為5 mm之完整地構成正方形之正方形區域之方式，將第1主面之中央區域分割成複數個正方形區域時，以相對於圓之中心位於最外側而構成最外周之方式配置成環狀之複數個正方形區域。

Description

碳化矽基板及碳化矽基板之製造方法
本發明係關於一種碳化矽基板及碳化矽基板之製造方法。本申請案基於2019年6月13日申請之日本專利申請案特願2019-110318號主張優先權。該日本專利申請案中記載之全部記載內容係以參照之形式引用於本說明書中。
於日本專利特開2016-139685號公報(專利文獻1)中，揭示有一種單晶碳化矽基板之製造方法，其包含對單晶碳化矽基板之實施過機械研磨之主面進行化學機械研磨之步驟。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-139685號公報
本發明之碳化矽基板係具備設置有定向平面之圓形之第1主面、及與上述第1主面為相反側之第2主面者。第1主面具備將設置定向平面之前之第1主面之形狀設為圓時的圓之中心。第1主面具備第1徑向之第1兩端部，該第1兩端部係假定於第1主面之第1徑向上設置有通過圓之中心並於第1徑向上延伸之第1假想直線時，第1假想直線與第1主面之周緣之兩個交點。第1主面具備第2徑向之第2兩端部，該第2兩端部係假定於與第1主面之第1徑向正交之第2徑向上設置有通過圓之上述中心並於第2徑向上延伸之第2假想直線時，第2假想直線與第1主面之周緣之兩個交點。第1主面具備不包括第1區域與第2區域之中央區域，該第1區域係自第1徑向之第1兩端部之各者起向第1主面之內側5 mm以內之區域，該第2區域係自第2徑向之第2兩端部之各者起向第1主面之內側5 mm以內之區域。複數個第1正方形區域之LTV之平均值為0.75 μm以下，該複數個第1正方形區域係指以包含數量最多之邊長為5 mm之完整地構成正方形之正方形區域之方式，將第1主面之中央區域分割成複數個正方形區域時，以相對於圓之中心位於最外側而構成最外周之方式配置成環狀之複數個正方形區域。
本發明之碳化矽基板之製造方法包括：對包含碳化矽單晶之晶錠進行切片而形成碳化矽單晶晶圓之步驟、藉由切削碳化矽單晶晶圓之角而進行碳化矽單晶晶圓之倒角之步驟、對倒角後之碳化矽單晶晶圓之兩主面進行粗研磨之步驟、使用研磨布及研磨液對粗研磨後之碳化矽單晶晶圓進行至少一次之第1兩主面化學機械研磨之步驟、及使用與進行第1兩主面化學機械研磨之步驟不同之研磨布及研磨液對第1兩主面化學機械研磨後之碳化矽單晶晶圓進行至少一次之第2兩主面化學機械研磨之步驟。於進行第1兩主面化學機械研磨之步驟及進行第2兩主面化學機械研磨之步驟之至少一者中，用以研磨碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布之有效表面積率Asi 、與用以研磨碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布之有效表面積率Ac 滿足以下之式(6)～式(8)。於進行第1兩主面化學機械研磨之步驟及進行第2兩主面化學機械研磨之步驟之至少一者中，碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率Rsi 、與碳化矽單晶晶圓之C面之研磨速率Rc 之比(Rsi /Rc )為0.6以上1.4以下。 Asi ≧80、且Ac ≧80 …式(6) Asi ＞90、且Ac ＜90 …式(7) 1＜(Asi /Ac )＜1.25 …式(8)
[發明所欲解決之問題] 本發明之目的在於提供一種基板之周緣之平坦性得到提高之碳化矽基板。
[發明之效果] 根據本發明，能夠提供一種基板之周緣之平坦性得到提高之碳化矽基板。
[本發明之實施形態之說明] 首先，列舉本發明之實施態樣進行說明。
(1)本發明之碳化矽基板係具備設置有定向平面之圓形之第1主面、及與上述第1主面為相反側之第2主面者；上述第1主面具備將設置上述定向平面之前之上述第1主面之形狀設為圓時之上述圓之中心；上述第1主面具備上述第1徑向之第1兩端部，該第1兩端部係假定於上述第1主面之第1徑向上設置有通過上述圓之上述中心並於上述第1徑向上延伸之第1假想直線時，上述第1假想直線與上述第1主面之周緣之兩個交點；上述第1主面具備上述第2徑向之第2兩端部，該第2兩端部係假定於與上述第1主面之上述第1徑向正交之第2徑向上設置有通過上述圓之上述中心並於上述第2徑向上延伸之第2假想直線時，上述第2假想直線與上述第1主面之上述周緣之兩個交點；上述第1主面具備不包括第1區域與第2區域之中央區域，該第1區域係自上述第1徑向之上述第1兩端部之各者起向上述第1主面之內側5 mm以內之區域，該第2區域係自上述第2徑向之上述第2兩端部之各者起向上述第1主面之內側5 mm以內之區域；複數個第1正方形區域之LTV之平均值為0.75 μm以下，該複數個第1正方形區域係指以包含數量最多之邊長為5 mm之完整地構成正方形之正方形區域之方式，將上述第1主面之上述中央區域分割成複數個上述正方形區域時，以相對於上述圓之上述中心位於最外側而構成最外周之方式配置成環狀之複數個上述正方形區域。藉由使複數個上述第1正方形區域之LTV之平均值為0.75 μm以下，能夠提供一種基板之周緣之平坦性得到提高之碳化矽基板。
(2)於上述(1)之碳化矽基板中，複數個上述第1正方形區域之上述LTV之平均值可為0.1 μm以上。於複數個上述第1正方形區域之上述LTV之平均值為0.1 μm以上之情形時，亦能夠使碳化矽基板之周緣之平坦性提高。
(3)複數個第2正方形區域之LTV之平均值可為0.4 μm以下，該複數個第2正方形區域係指複數個上述正方形區域中之於複數個上述第1正方形區域之上述第1徑向之內側或上述第2徑向之內側與上述第1正方形區域相鄰配置，且以構成由複數個上述第1正方形區域構成之環之內周之方式配置成環狀者。藉由使複數個上述第2正方形區域之LTV之平均值為0.4 μm以下，存在碳化矽基板之周緣之平坦性提高之傾向。
(4)於上述(3)之碳化矽基板中，複數個上述第2正方形區域之上述LTV之平均值可為0.1 μm以上。於複數個上述第2正方形區域之上述LTV之平均值為0.1 μm以上之情形時，亦能夠使碳化矽基板之周緣之平坦性提高。
(5)複數個第3正方形區域之LTV之平均值可為0.3 μm以下，該複數個第3正方形區域係指複數個上述正方形區域中之於複數個上述第2正方形區域之上述第1徑向之內側或上述第2徑向之內側與上述第2正方形區域相鄰配置，且以構成由複數個上述第2正方形區域構成之環之內周之方式配置成環狀者。藉由使複數個上述第3正方形區域之LTV之平均值為0.3 μm以下，存在碳化矽基板之周緣之平坦性提高之傾向。
(6)於上述(5)之碳化矽基板中，複數個上述第3正方形區域之上述LTV之平均值可為0.1 μm以上。於複數個上述第3正方形區域之上述LTV之平均值為0.1 μm以上之情形時，亦能夠使碳化矽基板之周緣之平坦性提高。
(7)複數個第4正方形區域之LTV之平均值可為0.25 μm以下，該複數個第4正方形區域係指上述複數個正方形區域中之於複數個上述第3正方形區域之上述第1徑向之內側或上述第2徑向之內側與上述第3正方形區域相鄰配置，且以構成由複數個上述第3正方形區域構成之環之內周之方式配置成環狀者。藉由使複數個上述第4正方形區域之LTV之平均值為0.25 μm以下，存在碳化矽基板之周緣之平坦性提高之傾向。
(8)於上述(7)之碳化矽基板中，複數個上述第4正方形區域之上述LTV之平均值可為0.1 μm以上。於複數個上述第4正方形區域之上述LTV之平均值為0.1 μm以上之情形時，亦能夠使碳化矽基板之周緣之平坦性提高。
(9)本發明之碳化矽基板之製造方法包括：對包含碳化矽單晶之晶錠進行切片而形成碳化矽單晶晶圓之步驟、藉由切削上述碳化矽單晶晶圓之角而進行上述碳化矽單晶晶圓之倒角之步驟、對上述倒角後之上述碳化矽單晶晶圓之兩主面進行粗研磨之步驟、使用研磨布及研磨液對上述粗研磨後之上述碳化矽單晶晶圓進行至少一次之第1兩主面化學機械研磨之步驟、及使用與進行上述第1兩主面化學機械研磨之步驟不同之研磨布及研磨液對上述第1兩主面化學機械研磨後之上述碳化矽單晶晶圓進行至少一次之第2兩主面化學機械研磨之步驟，於進行上述第1兩主面化學機械研磨之步驟及進行上述第2兩主面化學機械研磨之步驟之至少一者中，用以研磨上述碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布之有效表面積率Asi 、與用以研磨上述碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布之有效表面積率Ac 滿足以下之式(6)～式(8)，於進行上述第1兩主面化學機械研磨之步驟及進行上述第2兩主面化學機械研磨之步驟之至少一者中，上述碳化矽單晶晶圓之上述Si面之研磨速率Rsi 、與上述碳化矽單晶晶圓之上述C面之研磨速率Rc 之比(Rsi /Rc )為0.6以上1.4以下。本發明之碳化矽基板之製造方法能夠製造基板之周緣之平坦性得到提高之碳化矽基板。 Asi ≧80、且Ac ≧80 …式(6) Asi ＞90、且Ac ＜90 …式(7) 1＜(Asi /Ac )＜1.25 …式(8) [本發明之實施形態之詳細] 以下，對本發明之實施形態之詳細進行說明。於以下之說明中，對相同或對應之要素標註相同之符號，對該等不重複進行相同之說明。
＜實施形態1＞ 圖1係實施形態1之碳化矽基板10之俯視模式圖。如圖1之俯視模式圖所示，實施形態1之碳化矽基板10具備第1主面11。於第1主面11設置有定向平面13。
第1主面11具備第1徑向101之兩端部10a、10b。第1主面11之第1徑向101之兩端部10a、10b意指假定於第1主面11上設置有於第1徑向101上延伸之第1假想直線101a時，第1假想直線101a與第1主面11之周緣之兩個交點。
第1假想直線101a係通過第1主面11之中心45a並於第1徑向101上延伸之假想之直線。第1主面11之中心45a意指將第1主面11之形狀設為圓時(例如設為於設置定向平面13之前之圓時)之中心。第1徑向101例如能夠設定為第1主面11之任意之方向。
第1主面11具備第2徑向102之兩端部10c、10d。第1主面11之第2徑向102之兩端部10c、10d意指假定於第1主面11上設置有於第2徑向102上延伸之第2假想直線102a時，第2假想直線102a與第1主面11之周緣之兩個交點。
第2假想直線102a係通過第1主面11之中心45a並於第2徑向101上延伸之假想之直線。第2徑向102係與第1徑向101正交之方向。
第1主面11具備自第1主面11之第1徑向101之兩端部10a、10b起向內側5 mm以內之第1區域51a、51b。第1主面11具備自第1主面11之第2徑向102之兩端部10c、10d起向內側5 mm以內之第2區域51c、51d。第1主面11具備自第1主面11之整個區域除去第1區域51a、51b與第2區域51c、51d之區域即中央區域50。
例如如圖1所示，中央區域50分割成邊長為5 mm之複數個正方形區域。以包含數量最多之邊長為5 mm之正方形區域之方式，中央區域50分割成複數個該正方形區域。作為正方形區域，僅認定完整地構成正方形之區域。由於一部分欠缺等而未完整地構成正方形之區域不被認定為正方形區域。
將中央區域50之所分割之複數個正方形區域中之構成最外周之正方形區域設為第1正方形區域41。第1正方形區域41係中央區域50之所分割之複數個正方形區域中之完整地構成正方形之正方形區域，且意指位於中央區域50之最外側之正方形區域。
例如如圖1所示例中，區域410a於第1徑向101上位於較第1正方形區域41更靠中央區域50之外側(第1主面11之周緣側)。又，區域410b於第2徑向102上位於較第1正方形區域41更靠中央區域50之外側。然而，如圖1所示，區域410a、410b未完整地構成正方形，故而不被認定為正方形區域。
因此，第1正方形區域41係被認定為構成最外周之第1正方形區域41。中央區域50包含複數個第1正方形區域41。例如如圖1所示，複數個第1正方形區域41係以構成中央區域50之複數個正方形區域之最外周之方式配置成環狀。
圖2係沿圖1之II-II之剖面之放大模式圖。於圖2中，示出第1正方形區域41之局部厚度變動(LTV，Local Thickness Variation)。第1正方形區域41之LTV係於使與第1主面11為相反側之第2主面12整面吸附於平坦之吸附面之狀態下之第1正方形區域41中的、自第2主面12至第1主面11之最高點41b之高度T2減去自第2主面12至第1主面11之最低點41a之高度T1而得之值。
即，第1正方形區域41之LTV係藉由下式(1)算出。
第1正方形區域41之LTV＝｜T2－T1｜ …式(1)
LTV係定量地表示碳化矽基板10之第1主面11之平坦性之指標。LTV例如可藉由使用Corning Tropel公司製造之「Tropel FlatMaster(註冊商標)」進行測定。
LTV係針對構成中央區域50之複數個正方形區域之最外周的複數個第1正方形區域41之各者而測定。而且，根據複數個第1正方形區域41之各者之LTV之測定值算出LTV之平均值。將該LTV之平均值設為實施形態1之碳化矽基板10之複數個第1正方形區域41之LTV之平均值。
實施形態1之碳化矽基板10之複數個第1正方形區域41之LTV之平均值為0.75 μm以下。其意指相比於先前之碳化矽基板，實施形態1之碳化矽基板10之周緣之平坦性得到提高。藉此，於實施形態1之碳化矽基板10中，相比於先前之碳化矽基板，能夠將元件之製作區域擴展至更靠近碳化矽基板10之第1主面11之周緣之區域，故而可由1片碳化矽基板10製作更多之元件。
＜實施形態2＞ 圖3係實施形態2之碳化矽基板10之俯視模式圖。實施形態2之碳化矽基板10之特徵在於第2正方形區域42之LTV之平均值為0.4 μm以下。
第2正方形區域42係配置於中央區域50之所分割之複數個正方形區域中之第1正方形區域41之各者之第1徑向101之內側或第2徑向102之內側之正方形區域，且係位於與第1正方形區域41相鄰之位置之正方形區域。
中央區域50之所分割之複數個正方形區域包含複數個第2正方形區域42。例如如圖3所示，第2正方形區域42係以構成由第1正方形區域41構成之環之內周之方式配置成環狀。
圖4係沿圖3之IV-IV之剖面之放大模式圖。於圖4中，示出第2正方形區域42之LTV。第2正方形區域42之LTV係於使與第1主面11為相反側之第2主面12整面吸附於平坦之吸附面之狀態下之第2正方形區域42中的、自第2主面12至第1主面11之最高點42b之高度T4減去自第2主面12至第1主面11之最低點42a之高度T3而得之值。
即，第2正方形區域42之LTV係藉由下式(2)算出。
第2正方形區域42之LTV＝｜T4－T3｜ …式(2)
LTV係針對以構成第1正方形區域41之環之內周之方式配置成環狀之複數個第2正方形區域42之各者而測定。而且，根據複數個第2正方形區域42之各者之LTV之測定值算出LTV之平均值。將該LTV之平均值設為實施形態2之碳化矽基板10之複數個第2正方形區域42之LTV之平均值。
實施形態2之碳化矽基板10之複數個第2正方形區域42之LTV之平均值為0.4 μm以下。於第2正方形區域42之LTV之平均值為0.4 μm以下之情形時，存在與第2正方形區域42之外側相鄰之第1正方形區域41之LTV之平均值亦具有較低之值之傾向。其意指會令實施形態2之碳化矽基板10之周緣之平坦性提高。
因此，於實施形態2之碳化矽基板10中亦然，相比於先前之碳化矽基板，亦能夠將元件之製作區域擴展至更靠近碳化矽基板10之第1主面11之周緣之區域，故而可由1片碳化矽基板10製作更多之元件。
由於實施形態2中之上述以外之說明與實施形態1相同，故而省略其說明。
＜實施形態3＞ 圖5係實施形態3之碳化矽基板10之俯視模式圖。實施形態3之碳化矽基板10之特徵在於第3正方形區域43之LTV之平均值為0.3 μm以下。
第3正方形區域43係配置於中央區域50之所分割之複數個正方形區域中之第2正方形區域42之各者之第1徑向101之內側或第2徑向102之內側的正方形區域，且係位於與第2正方形區域42相鄰之位置之正方形區域。
中央區域50之所分割之複數個正方形區域包含複數個第3正方形區域43。例如如圖5所示，第3正方形區域43係以構成由第2正方形區域42構成之環之內周之方式配置成環狀。
圖6係沿圖5之VI-VI之剖面之放大模式圖。於圖6中，示出第3正方形區域43之LTV。第3正方形區域43之LTV係於使與第1主面11為相反側之第2主面12整面吸附於平坦之吸附面之狀態下之第3正方形區域43中的、自第2主面12至第1主面11之最高點43b之高度T6減去自第2主面12至第1主面11之最低點43a之高度T5而得之值。
即，第3正方形區域43之LTV係藉由下式(3)算出。
第3正方形區域43之LTV＝｜T6－T5｜ …式(3)
LTV係針對以構成第2正方形區域42之環之內周之方式配置成環狀之複數個第3正方形區域43之各者而測定。而且，根據複數個第3正方形區域43之各者之LTV之測定值算出LTV之平均值。將該LTV之平均值設為實施形態3之碳化矽基板10之複數個第3正方形區域43之LTV之平均值。
實施形態3之碳化矽基板10之複數個第3正方形區域43之LTV之平均值為0.3 μm以下。於第3正方形區域43之LTV之平均值為0.3 μm以下之情形時，存在與第3正方形區域43之外側相鄰之第2正方形區域42之LTV之平均值及與第2正方形區域42之外側相鄰之第1正方形區域41之LTV之平均值亦具有較低之值之傾向。其意指會令實施形態3之碳化矽基板10之周緣之平坦性提高。
因此，於實施形態3之碳化矽基板10中，相比於先前之碳化矽基板，亦能夠將元件之製作區域擴展至更靠近碳化矽基板10之第1主面11之周緣之區域，故而可由1片碳化矽基板10製作更多之元件。
由於實施形態3中之上述以外之說明與實施形態1及實施形態2相同，故而省略其說明。
＜實施形態4＞ 圖7係實施形態4之碳化矽基板10之俯視模式圖。實施形態4之碳化矽基板10之特徵在於第4正方形區域44之LTV之平均值為0.25 μm以下。
第4正方形區域44係配置於中央區域50之所分割之複數個正方形區域中之第3正方形區域43之各者之第1徑向101之內側或第2徑向102之內側的正方形區域，且係位於與第3正方形區域43相鄰之位置之正方形區域。
中央區域50之所分割之複數個正方形區域包含複數個第4正方形區域44。例如如圖7所示，第4正方形區域44係以構成由第3正方形區域43構成之環之內周之方式配置成環狀。
圖8係沿圖7之VIII-VIII之剖面之放大模式圖。於圖8中，示出第4正方形區域44之LTV。第4正方形區域44之LTV係於使與第1主面11為相反側之第2主面12整面吸附於平坦之吸附面之狀態下之第4正方形區域44中的、自第2主面12至第1主面11之最高點44b之高度T8減去自第2主面12至第1主面11之最低點44a之高度T7而得之值。
即，第4正方形區域44之LTV係藉由下式(4)算出。
第4正方形區域44之LTV＝｜T8－T7｜ …式(4)
LTV係針對以構成第3正方形區域43之環之內周之方式配置成環狀之複數個第4正方形區域44之各者而測定。而且，根據複數個第4正方形區域44之各者之LTV之測定值算出LTV之平均值。將該LTV之平均值設為實施形態4之碳化矽基板10之複數個第4正方形區域44之LTV之平均值。
實施形態4之碳化矽基板10之複數個第4正方形區域44之LTV之平均值為0.25 μm以下。於第4正方形區域44具有較高之平坦性之情形時，存在與第4正方形區域44之外側相鄰之第3正方形區域43之LTV之平均值、與第3正方形區域43之外側相鄰之第2正方形區域42之LTV之平均值、及與第2正方形區域42之外側相鄰之第1正方形區域41之LTV之平均值亦具有較低之值之傾向。其意指會令實施形態3之碳化矽基板10之周緣之平坦性提高。
藉此，於實施形態4之碳化矽基板10中，相比於先前之碳化矽基板，亦能夠將元件之製作區域擴展至更靠近碳化矽基板10之第1主面11之周緣之區域，故而可由1片碳化矽基板10製作更多之元件。
又，於圖8中，示出第1主面11之中心45a之第5正方形區域45之LTV。第5正方形區域45之LTV係於使與第1主面11為相反側之第2主面12整面吸附於平坦之吸附面之狀態下之第5正方形區域45中的、自第2主面12至第1主面11之最高點45b之高度T10減去自第2主面12至第1主面11之最低點45c之高度T9而得之值。例如如圖7所示，第5正方形區域45係由邊長為5 mm之正方形構成。構成第5正方形區域45之正方形之對角線之交點成為中心45a。
即，第5正方形區域45之LTV係藉由下式(5)算出。
第5正方形區域45之LTV＝｜T10－T9｜ …式(5)
由於實施形態4中之上述以外之說明與實施形態1～實施形態3相同，故而省略其說明。
又，於實施形態1～實施形態4中，能夠將選自由第1正方形區域41、第2正方形區域42、第3正方形區域43及第4正方形區域44所組成之群中之至少1個區域之LTV之平均值設為0.1 μm以上。即便於該情形時，亦存在實施形態1～實施形態4之碳化矽基板10之周緣之平坦性提高之傾向。
＜實施形態5＞ 圖9係實施形態5之碳化矽基板之製造方法之流程圖。
如圖9所示，於實施形態5之碳化矽基板之製造方法中，首先進行切片步驟S1。切片步驟S1可藉由利用線切割機對例如藉由昇華法而製造之包含碳化矽單晶之晶錠進行切片而進行。
其次，進行倒角步驟S2。倒角步驟S2可藉由切削例如藉由切片步驟S1所獲得之碳化矽單晶晶圓之角而進行。
其次，進行粗研磨步驟S3。粗研磨步驟S3可藉由例如對倒角步驟S2後之碳化矽單晶晶圓之兩主面進行機械研磨而進行。作為機械研磨，例如可列舉研削或磨削。
其次，進行第1兩主面化學機械研磨步驟S4。第1兩主面化學機械研磨步驟S4可藉由於以下表1中所示之條件下對粗研磨步驟S3後之碳化矽單晶晶圓之兩主面實施化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)而進行。
第1兩主面化學機械研磨步驟S4係以如下之方式進行。首先，於上壓盤及下壓盤之各者之面設置表1中記載之研磨布。其次，將碳化矽單晶晶圓夾於上壓盤之研磨布與下壓盤之研磨布之間，對碳化矽單晶晶圓施加表1中記載之表面壓力。其次，一面分別向碳化矽單晶晶圓之上下之主面供給表1中記載之研磨液，一面使上壓盤與下壓盤分別以表1中記載之壓盤轉速向相反方向旋轉。此時，上壓盤與下壓盤之間之碳化矽單晶晶圓亦經由載體沿與上壓盤或下壓盤之任一者相同之方向旋轉。
再者，表1中之「相對速度比」之欄之「上：下＝3：2」意指對碳化矽單晶晶圓之上側之主面即矽面(Si面)進行研磨之上壓盤相對於碳化矽單晶晶圓之轉速之相對轉速、與對碳化矽單晶晶圓之下側之主面即碳面(C面)進行研磨之下壓盤相對於碳化矽單晶晶圓之轉速之相對轉速之比(上壓盤之相對轉速：下壓盤之轉速)為3：2。例如假定上壓盤以30 rpm之轉速沿順時針方向旋轉、碳化矽單晶晶圓以6 rpm之轉速沿逆時針方向旋轉、下壓盤以30 rpm之轉速沿逆時針方向旋轉之情形。此情形時之上壓盤相對於碳化矽單晶晶圓之轉速之相對轉速為36 rpm(30 rpm＋6 rpm＝36 rpm)，下壓盤相對於碳化矽單晶晶圓之轉速之相對轉速為24 rpm(30 rpm－6 rpm＝24 rpm)。因此，此情形時之表1之「相對速度比」之欄之記載為「上：下＝3：2(＝36 rpm：24 rpm)」。
[表1]
研磨液 DSC-201 (Fujimi Inc.)
研磨布 (不織布) SUBA800 (Nitta Haas Inc.)
壓盤轉速 30 rpm
相對速度比 上：下＝3：2
表面壓力 300 g/cm2
其次，進行第2兩主面化學機械研磨步驟S5。第2兩主面化學機械研磨步驟S5可藉由於以下表2所示之條件下對第1兩主面化學機械研磨步驟S4後之碳化矽單晶晶圓之兩主面實施化學機械研磨而進行。再者，第2兩主面化學機械研磨步驟S5除了將研磨液及研磨布變更為表2之條件以外，與第1兩主面化學機械研磨步驟S4同樣地進行。
[表2]
研磨液 DSC-0902 (Fujimi Inc.)
研磨布 (絨面革) supreme (Nitta Haas Inc.)
壓盤轉速 30 rpm
相對速度比 上：下＝3：2
表面壓力 300 g/cm2
圖10係第1兩主面化學機械研磨步驟S4及第2兩主面化學機械研磨步驟S5中使用之研磨布34之一例之整個表面之俯視模式圖。
如圖10所示，研磨布34之圓環狀之整個表面具有如下構成：於有助於研磨布34對碳化矽單晶晶圓之主面之研磨的有效研磨面34a上，設置有並不有助於研磨布34對碳化矽單晶晶圓之主面之研磨的格子狀槽34b。
自抑制因兩主面CMP而導致之碳化矽單晶晶圓之破裂、缺損或碎片之產生之觀點而言，較佳為於第1兩主面化學機械研磨步驟S4及第2兩主面化學機械研磨步驟S5之至少一者中，碳化矽單晶晶圓之兩主面中之用以研磨Si面之研磨布34之有效表面積率Asi 、與用以研磨C面之研磨布34之有效表面積率Ac 滿足以下之式(6)～式(8)，更佳為滿足以下之式(6)～式(9)。
Asi ≧80、且Ac ≧80 …式(6) Asi ＞90、且Ac ＜90 …式(7) 1＜(Asi /Ac )＜1.25 …式(8) 1.02＜(Asi /Ac )＜1.05 …式(9)
用以研磨碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布34之有效表面積率Asi [%]可利用下式(10)算出。
有效表面積率Asi [%]＝100×{(用以研磨碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布34之有效研磨面34a之面積[mm2 ])/(研磨布34之整個表面之面積[mm2 ])} …式(10)
用以研磨碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布34之有效表面積率Ac [%]可利用下式(11)算出。
有效表面積率Ac [%]＝100×{(用以研磨碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布34之有效研磨面34a之面積[mm2 ])/(研磨布34之整個表面之面積[mm2 ])} …式(11)
再者，上述之式(10)及式(11)中之研磨布34之整個表面之面積[mm2 ]例如如圖10所示，意指於俯視研磨布34之表面時之研磨布34之表面之整個面積。
又，自抑制因兩主面CMP而導致之碳化矽單晶晶圓之破裂、缺損或碎片之產生之觀點而言，較佳為於第1兩主面化學機械研磨步驟S4及第2兩主面化學機械研磨步驟S5之至少一者中，碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率Rsi 、與C面之研磨速率Rc 之比(Rsi /Rc )為0.6以上1.4以下，更佳為0.7以上1.3以下，進而較佳為0.8以上1.2以下。再者，研磨速率意指每單位時間內研磨碳化矽單晶晶圓之量。研磨速率例如可藉由調整研磨條件而進行調節。
＜實施形態6＞ 圖11係實施形態6之碳化矽基板之製造方法之流程圖。
如圖11所示，於實施形態6之碳化矽基板之製造方法中，切片步驟S1、倒角步驟S2、粗研磨步驟S3及第1兩主面化學機械研磨步驟S4亦按照該順序進行。關於該等步驟之說明，由於與實施形態5中所說明之內容相同，故而省略其說明。
其次，進行單主面化學機械研磨步驟S5a。單主面化學機械研磨步驟S5a可藉由於以下表3所示之條件下對第1兩主面化學機械研磨步驟S4後之碳化矽單晶晶圓之Si面及C面分別逐個單面地實施化學機械研磨而進行。
單主面化學機械研磨步驟S5a係以如下之方式進行。首先，於壓盤之面設置表3中記載之研磨布。其次，以碳化矽單晶晶圓之主面與研磨布對向之方式將碳化矽單晶晶圓保持於研磨頭。其次，將表3中記載之研磨液供給至研磨布與碳化矽單晶晶圓之主面之間。其次，向碳化矽單晶晶圓施加表3中記載之表面壓力。此處，使碳化矽單晶晶圓之待研磨側之主面與研磨布接觸。其次，使壓盤與研磨頭沿相同之方向以表3中記載之壓盤轉速旋轉。對碳化矽單晶晶圓之每個單主面進行該操作。
[表3]
研磨液 DSC-0902 (Fujimi Inc.)
研磨布 (絨面革) supreme (Nitta Haas Inc.)
壓盤轉速 60 rpm
研磨頭轉速 100 rpm
表面壓力 500 g/cm2
[實施例]
＜實驗例1＞ 於實驗例1中，按照圖9中所示之碳化矽基板之製造方法之流程圖製造碳化矽基板。具體而言，以如下之方式製造碳化矽基板。
首先，利用線切割機對藉由昇華法而製造之包含碳化矽單晶之晶錠進行切片，藉此進行切片步驟S1。
其次，切削藉由切片步驟S1所獲得之碳化矽單晶晶圓之角，藉此進行倒角步驟S2。
其次，對倒角步驟S2後之碳化矽單晶晶圓之兩主面進行機械研磨，藉此進行粗研磨步驟S3。
其次，於上述表1中所示之條件下，如上所述對粗研磨步驟S3後之碳化矽單晶晶圓之兩主面實施化學機械研磨，藉此進行第1兩主面化學機械研磨步驟S4。
其次，於上述表2中所示之條件下，如上所述對第1兩主面化學機械研磨步驟S4後之碳化矽單晶晶圓之兩主面實施化學機械研磨，藉此進行第2兩主面化學機械研磨步驟S5。藉此，製造實驗例1之碳化矽基板。
＜實驗例2＞ 於實驗例2中，按照圖11中所示之碳化矽基板之製造方法之流程圖製造碳化矽基板。即，於實驗例2中，除了進行單主面化學機械研磨步驟S5a以代替實驗例1之第2兩主面化學機械研磨步驟S5以外，以與實驗例1相同之方式製造實驗例2之碳化矽基板。
具體而言，於上述表3中所示之條件下，如上所述對第1兩主面化學機械研磨步驟S4後之碳化矽單晶晶圓之Si面及C面逐面地實施化學機械研磨，藉此進行單主面化學機械研磨步驟S5a。
＜實驗例3＞ 於實驗例3中，除了代替第1兩主面化學機械研磨步驟S4而於以下表4中所示之條件下對粗研磨步驟S3後之碳化矽單晶晶圓之Si面及C面逐面地實施化學機械研磨而進行單主面化學機械研磨步驟以外，以與實驗例2相同之方式製造實驗例3之碳化矽基板。
[表4]
研磨液 DSC-201 (Fujimi Inc.)
研磨布 (不織布) SUBA800 (Nitta Haas Inc.)
壓盤轉速 60 rpm
研磨頭轉速 100 rpm
表面壓力 500 g/cm2
＜評價＞ 針對實驗例1～3之碳化矽基板之各者，算出上述第1正方形區域41之LTV之平均值、第2正方形區域42之LTV之平均值、第3正方形區域43之LTV之平均值及第4正方形區域44之LTV之平均值。再者，第5正方形區域45之LTV僅算出1點。將其結果示於以下之表5中。又，將每一實驗例中繪製表5中所示之LTV之值之圖示於圖12。再者，於圖12中，LTV之值越繪於下方，則意指越平坦。又，於圖12中，意指隨著自第5正方形區域45向第1正方形區域41前進，則自碳化矽基板之中心向周緣前進。
[表5]
   實驗例1 實驗例2 實驗例3
第1正方形區域41 之LTV之平均值 0.69 0.71 0.88
第2正方形區域42 之LTV之平均值 0.38 0.71 0.76
第3正方形區域43 之LTV之平均值 0.28 0.56 0.53
第4正方形區域44 之LTV之平均值 0.22 0.27 0.43
第5正方形區域45之LTV 0.20 0.14 0.15
如圖12所示，可知實驗例1及實驗例2之碳化矽基板相比於實驗例3之碳化矽基板，隨著自碳化矽基板之中心向周緣前進，碳化矽基板變得平坦。
又，如圖12所示，可知實驗例1之碳化矽基板相比於實驗例2之碳化矽基板，隨著自碳化矽基板之中心向周緣前進，碳化矽基板變得平坦。
＜實驗例4＞ 於實驗例1中，分別變更碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率(Rsi )與C面之研磨速率(Rc )之比(Rsi /Rc )，藉此對進行第1兩主面化學機械研磨步驟S4後之碳化矽單晶晶圓之良品率[%]進行評價。將其結果示於表6中。
[表6]
Rsi /Rc 良品率[%]
0.5以下、且大於1.8 62
0.6以上1.4以下 84
0.7以上1.3以下 91
0.8以上1.2以下 94
根據表6中所示之結果，可知自改善碳化矽單晶晶圓之良品率[%]之觀點而言，較佳為將實驗例1中之第1兩主面化學機械研磨步驟S4中之碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率(Rsi )與C面之研磨速率(Rc )之比(Rsi /Rc )設為0.6以上1.4以下，更佳為設為0.7以上1.3以下，進而較佳為設為0.8以上1.2以下。
＜實驗例5＞ 於實驗例1中，分別變更碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率(Rsi )與C面之研磨速率(Rc )之比(Rsi /Rc )，藉此對進行第1兩主面化學機械研磨步驟S4後之碳化矽單晶晶圓之狀態藉由以下基準進行評價。將其結果示於表7中。
(基準) A…LTV最小 B…LTV較小 C…LTV為基準以下 D…LTV惡化 E…不良
[表7]
Rsi /Rc Rsi
1.10 1.00 0.70 0.60 0.47 0.40 0.30
Rc 1.80 0.61 E 0.56 E 0.39 E 0.33 E 0.26 E 0.22 E 0.17 E
1.35 0.81 E 0.74 A 0.52 E 0.44 E 0.35 E 0.30 E 0.22 E
1.15 0.96 C 0.87 B 0.61 A 0.52 E 0.41 E 0.35 E 0.26 E
0.94 1.17 C 1.06 C 0.74 B 0.64 C 0.50 E 0.43 E 0.32 E
0.80 1.38 C 1.25 C 0.88 C 0.75 D 0.59 D 0.50 E 0.38 E
0.60 1.83 C 1.67 D 1.17 D 1.00 D 0.78 D 0.67 D 0.50 E
表7中自上數起第2行之數值(1.10、1.00、0.70、0.60、0.47、0.40、及0.30)表示碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率(Rsi )。表7中自左數起第2列之數值(1.80、1.35、1.15、0.94、0.80、及0.60)表示碳化矽單晶晶圓之C面之研磨速率(Rc )。表7中該等以外之數值表示碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率Rsi 與C面之研磨速率Rc 之比(Rsi /Rc )。表7中A～E之標記表示藉由上述基準對碳化矽單晶晶圓之狀態進行評價之結果。再者，按照E、D、C、B、及A之順序表示研磨後之碳化矽單晶晶圓之狀態之良好等級。
於實驗例1中，分別變更碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率(Rsi )與C面之研磨速率(Rc )之比(Rsi /Rc )，藉此對進行第2兩主面化學機械研磨步驟S5後之碳化矽單晶晶圓之狀態藉由上述基準進行評價。將其結果示於表8中。
[表8]
Rsi /Rc Rsi
0.27 0.26 0.24 0.20 0.19 0.17 0.13
Rc 0.62 0.44 E 0.42 E 0.39 E 0.32 E 0.31 E 0.27 E 0.21 E
0.49 0.55 E 0.53 A 0.49 E 0.41 E 0.39 E 0.35 E 0.27 E
0.46 0.59 C 0.57 B 0.52 A 0.43 E 0.41 E 0.37 E 0.28 E
0.40 0.68 C 0.65 C 0.60 B 0.50 C 0.48 E 0.43 E 0.33 E
0.32 0.84 C 0.81 C 0.75 C 0.63 D 0.59 D 0.53 E 0.41 E
0.25 1.08 C 1.04 D 0.96 D 0.80 D 0.76 D 0.68 D 0.52 E
表8中自上數起第2行之數值(0.27、0.26、0.24、0.20、0.19、0.17、及0.13)表示碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率(Rsi )。表8中自左數起第2列之數值(0.62、0.49、0.46、0.40、0.32、及0.25)表示碳化矽單晶晶圓之C面之研磨速率(Rc )。表8中該等以外之數值表示碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率Rsi 與C面之研磨速率Rc 之比(Rsi /Rc )。表8中A～E之標記表示藉由上述基準對碳化矽單晶晶圓之狀態進行評價之結果。
如表7及表8所示，可知於第1兩主面化學機械研磨步驟S4及第2兩主面化學機械研磨步驟S5之任一步驟中，亦存在對於良好地保持研磨後之碳化矽單晶晶圓之狀態而言較佳之碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨速率Rsi 與C面之研磨速率Rc 之比(Rsi /Rc )。
＜實驗例6＞ 於實驗例1中，分別變更用以研磨碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布之有效表面積率Asi [%]與用以研磨碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布之有效表面積率Ac [%]之比(Asi /Ac )，藉此對進行第1兩主面化學機械研磨步驟S4後之碳化矽單晶晶圓之狀態藉由上述A～E之基準進行評價。
又，於實驗例1中，分別變更用以研磨碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布之有效表面積率Asi [%]與用以研磨碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布之有效表面積率Ac [%]之比(Asi /Ac )，藉此對進行第2兩主面化學機械研磨步驟S5後之碳化矽單晶晶圓之狀態藉由上述A～E之基準進行評價。
該等碳化矽單晶晶圓之狀態之評價結果相同。將其結果示於表9中。
[表9]
Asi /Ac Asi [%]
99.7 97.7 93.2 90.0 86.9 80.8 63.8
Ac [%] 98.0 1.01 E 0.99 E 0.95 E 0.92 E 0.89 E 0.82 E 0.65 E
93.5 1.06 C 1.04 A 0.99 E 0.96 E 0.93 E 0.86 E 0.68 E
90.3 1.10 C 1.08 B 1.03 A 0.99 E 0.96 E 0.89 E 0.71 E
87.2 1.14 C 1.12 C 1.07 B 1.03 C 0.99 E 0.93 E 0.73 E
81.1 1.23 C 1.20 C 1.15 C 1.11 D 1.07 D 0.99 E 0.77 E
64.1 1.56 D 1.60 D 1.45 D 1.40 D 1.36 D 1.26 D 0.99 E
表9中自上數起第2行之數值(99.7、97.7、93.2、90.0、86.9、80.8、及63.8)表示用以研磨碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布之有效表面積率Asi [%]。表9中自左數起第2列之數值(98.0、93.5、90.3、87.2、81.1、及64.1)表示用以研磨碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布之有效表面積率Ac [%]。表9中該等以外之數值表示用以研磨碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布之有效表面積率Asi [%]、與用以研磨碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布之有效表面積率Ac [%]之比(Asi /Ac )。表9中A～E之標記表示藉由與實驗例5相同之基準對碳化矽單晶晶圓之狀態進行評價之結果。
如表9所示，可知於第1兩主面化學機械研磨步驟S4及第2兩主面化學機械研磨步驟S5之任一步驟中，亦存在適於良好地保持研磨後之碳化矽單晶晶圓之狀態之用以研磨碳化矽單晶晶圓之Si面的研磨布之有效表面積率As [%]與用以研磨碳化矽單晶晶圓之C面的研磨布之有效表面積率Ac [%]之比(Asi /Ac )。
應考慮到此次揭示之實施形態係所有特點皆為例示而並非限制性說明。本發明之範圍係藉由申請專利範圍表示而並非由上述實施形態表示，其意圖是包含與申請專利範圍均等之涵義及申請專利範圍內之全部變更。
10:碳化矽基板 10a,10b,10c,10d:兩端部 11:第1主面 12:第2主面 13:定向平面 34:研磨布 34a:有效研磨面 34b:槽 41:第1正方形區域 41a:最低點 41b:最高點 42:第2正方形區域 42a:最低點 42b:最高點 43:第3正方形區域 43a:最低點 43b:最高點 44:第4正方形區域 44a:最低點 44b:最高點 45:第5正方形區域 45a:中心 45b:最高點 45c:最低點 50:中央區域 51a,51b:第1區域 51c,51d:第2區域 101:第1徑向 101a:第1假想直線 102:第2徑向 102a:第2假想直線 410a,410b:區域 T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9,T10:高度 S1,S2,S3,S4,S5,S5a:步驟
圖1係實施形態1之碳化矽基板之俯視模式圖。 圖2係沿圖1之II-II之剖面之放大模式圖。 圖3係實施形態2之碳化矽基板之俯視模式圖。 圖4係沿圖3之IV-IV之剖面之放大模式圖。 圖5係實施形態3之碳化矽基板之俯視模式圖。 圖6係沿圖5之VI-VI之剖面之放大模式圖。 圖7係實施形態4之碳化矽基板之俯視模式圖。 圖8係沿圖7之VIII-VIII之剖面之放大模式圖。 圖9係實施形態5之碳化矽基板之製造方法之流程圖。 圖10係第1兩主面化學機械研磨步驟及第2兩主面化學機械研磨步驟中使用之研磨布之一例之整個表面之俯視模式圖。 圖11係實施形態6之碳化矽基板之製造方法之流程圖。 圖12係表示算出實驗例1～3之各者之碳化矽基板之各者之第1正方形區域、第2正方形區域、第3正方形區域、第4正方形區域、及第5正方形區域之LTV之平均值之結果的圖。
10:碳化矽基板
10a,10b,10c,10d:兩端部
11:第1主面
13:定向平面
41:第1正方形區域
50:中央區域
51a,51b:第1區域
51c,51d:第2區域
101:第1徑向
101a:第1假想直線
102:第2徑向
102a:第2假想直線
410a,410b:區域

Claims (9)

  1. 一種碳化矽基板，其係具備設置有定向平面之圓形之第1主面、及與上述第1主面為相反側之第2主面者； 上述第1主面具備將設置上述定向平面之前之上述第1主面之形狀設為圓時之上述圓之中心； 上述第1主面具備第1徑向之第1兩端部，該第1兩端部係假定於上述第1主面之第1徑向上設置有通過上述圓之上述中心並於上述第1徑向上延伸之第1假想直線時，上述第1假想直線與上述第1主面之周緣之兩個交點； 上述第1主面具備第2徑向之第2兩端部，該第2兩端部係假定於與上述第1主面之上述第1徑向正交之第2徑向上設置有通過上述圓之上述中心並於上述第2徑向上延伸之第2假想直線時，上述第2假想直線與上述第1主面之上述周緣之兩個交點； 上述第1主面具備不包括第1區域與第2區域之中央區域，該第1區域係自上述第1徑向之上述第1兩端部之各者起向上述第1主面之內側5 mm以內之區域，該第2區域係自上述第2徑向之上述第2兩端部之各者起向上述第1主面之內側5 mm以內之區域； 複數個第1正方形區域之LTV之平均值為0.75 μm以下，該複數個第1正方形區域係指以包含數量最多之邊長為5 mm之完整地構成正方形之正方形區域之方式，將上述第1主面之上述中央區域分割成複數個上述正方形區域時，以相對於上述圓之上述中心位於最外側而構成最外周之方式配置成環狀之複數個上述正方形區域。
  2. 如請求項1之碳化矽基板，其中複數個上述第1正方形區域之上述LTV之平均值為0.1 μm以上。
  3. 如請求項1之碳化矽基板，其中複數個第2正方形區域之LTV之平均值為0.4 μm以下，該複數個第2正方形區域係指複數個上述正方形區域中之於複數個上述第1正方形區域之上述第1徑向之內側或上述第2徑向之內側與上述第1正方形區域相鄰配置，且以構成由複數個上述第1正方形區域構成之環之內周之方式配置成環狀者。
  4. 如請求項3之碳化矽基板，其中複數個上述第2正方形區域之上述LTV之平均值為0.1 μm以上。
  5. 如請求項1之碳化矽基板，其中複數個第3正方形區域之LTV之平均值為0.3 μm以下，該複數個第3正方形區域係指複數個上述正方形區域中之於複數個上述第2正方形區域之上述第1徑向之內側或上述第2徑向之內側與上述第2正方形區域相鄰配置，且以構成由複數個上述第2正方形區域構成之環之內周之方式配置成環狀者。
  6. 如請求項5之碳化矽基板，其中複數個上述第3正方形區域之上述LTV之平均值為0.1 μm以上。
  7. 如請求項1之碳化矽基板，其中複數個第4正方形區域之LTV之平均值為0.25 μm以下，該複數個第4正方形區域係指上述複數個正方形區域中之於複數個上述第3正方形區域之上述第1徑向之內側或上述第2徑向之內側與上述第3正方形區域相鄰配置，且以構成由複數個上述第3正方形區域構成之環之內周之方式配置成環狀者。
  8. 如請求項7之碳化矽基板，其中複數個上述第4正方形區域之上述LTV之平均值為0.1 μm以上。
  9. 一種碳化矽基板之製造方法，包括： 對包含碳化矽單晶之晶錠進行切片而形成碳化矽單晶晶圓之步驟、 藉由切削上述碳化矽單晶晶圓之角而進行上述碳化矽單晶晶圓之倒角之步驟、 對上述倒角後之上述碳化矽單晶晶圓之兩主面進行粗研磨之步驟、 使用研磨布及研磨液對上述粗研磨後之上述碳化矽單晶晶圓進行至少一次之第1兩主面化學機械研磨之步驟、及 使用與進行上述第1兩主面化學機械研磨之步驟不同之研磨布及研磨液對上述第1兩主面化學機械研磨後之上述碳化矽單晶晶圓進行至少一次之第2兩主面化學機械研磨之步驟， 於進行上述第1兩主面化學機械研磨之步驟及進行上述第2兩主面化學機械研磨之步驟之至少一者中，用以研磨上述碳化矽單晶晶圓之Si面之研磨布之有效表面積率Asi 、與用以研磨上述碳化矽單晶晶圓之C面之研磨布之有效表面積率Ac 滿足以下之式(6)～式(8)： Asi ≧80、且Ac ≧80 …式(6) Asi ＞90、且Ac ＜90 …式(7) 1＜(Asi /Ac )＜1.25 …式(8) 於進行上述第1兩主面化學機械研磨之步驟及進行上述第2兩主面化學機械研磨之步驟之至少一者中，上述碳化矽單晶晶圓之上述Si面之研磨速率Rsi 、與上述碳化矽單晶晶圓之上述C面之研磨速率Rc 之比(Rsi /Rc )為0.6以上1.4以下。
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