TW202112185A - 半導體處理裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本申請案提供一種用於半導體處理裝置之盤體，其包含第一電極及第二電極，其中上述第一電極經由第一切換開關選擇性地耦接至第一接地端，上述第二電極經由第二切換開關選擇性地耦接至第二接地端，上述第一電極與上述第二電極彼此電隔離。

Description

半導體處理裝置及方法
本申請案大體上係關於半導體處理裝置，且更具體言之，係關於具有可調射頻迴路之半導體處理裝置。
電漿處理被使用於如積體電路、光罩、電漿顯示及太陽能科技之製造。在積體電路之製造中，晶圓由電漿腔體處理，例如蝕刻、電漿增強型化學氣相沈積(PECVD)或物理氣相沈積(PEPVD)。針對尺寸更微小的積體電路而言，處理參數之控制需要更精確，像是電漿能量頻譜、電漿能量徑向分佈、電漿密度及電漿密度徑向分佈。尤其是電漿密度，其決定了晶圓表面之沈積率及蝕刻率。而電漿密度徑向分佈及電漿能量徑向分佈更影響沈積及蝕刻之均勻性。已知的半導體處理裝置提供有一上電極及一下電極，其可在兩者之間產生電漿。然而，已知的組態仍不容易達到此等精確的控制，甚至限制了電漿調整之自由度。
因此，有必要開發一種半導體處理裝置或者射頻組件，可提供不同的射頻控制策略，以滿足製程設計之自由度。
在一個態樣中，本申請案提供一種用於半導體處理裝置之盤體，其包含第一電極及第二電極，其中上述第一電極經由第一切換開關選擇性地耦接至第一接地端，上述第二電極經由第二切換開關選擇性地耦接至第二接地端，上述第一電極與上述第二電極彼此電隔離。
在一些實施例中，上述盤體進一步包含用於承載晶圓之承載面，其中上述第一電極及上述第二電極位於上述承載面下方。
在一些實施例中，上述第一電極由第一半徑界定，上述第二電極由第二半徑及第三半徑界定，上述第三半徑大於上述第一半徑及上述第二半徑。上述第一電極與上述第二電極位於同一平面或不同平面。
在一些實施例中，上述第一電極由第一半徑界定，上述第二下電極由第二半徑界定，上述第一電極與上述第二電極位於不同平面。根據本申請案之一項實施例，上述第一半徑與上述第二半徑大致相等。
在一些實施例中，上述第一電極與上述第二電極同心排列。在另一些實施例中，上述第一電極及上述第二電極中之至少一者為圓形或環形電極中之區塊，上述圓形或環形電極包含多個區塊。
在一些實施例中，上述第一電極及上述第二電極中之至少一者包括網狀結構。
在另一態樣中，本申請案提供一種半導體處理裝置，其包含根據本申請案之實施例之盤體。上述半導體處理裝置亦包含第二盤體，其包含第三電極，上述第三電極電耦接至射頻產生及匹配器。
在一些實施例中，上述半導體處理裝置亦包含：第一回饋組件，其經組態以基於自上述第一電極接收之信號向上述射頻產生及匹配器提供第一回饋信號；及第二回饋組件，其經組態以基於自上述第二電極接收之信號向上述射頻產生及匹配器提供第二回饋信號。
在另一態樣中，本申請案提供一種製造用於半導體處理裝置之接地電極之方法，其包含：提供盤體基體；及藉由以下方式在上述盤體基體中形成彼此電隔離之第一電極及第二電極：(1)將上述第一電極及上述第二電極分別燒結於上述盤體基體中；或(2)藉由編織組合之方法將上述第一電極及上述第二電極一次成型壓製於上述盤體基體中。
在一些實施例中，將上述第一電極及上述第二電極分別燒結於上述盤體基體中包括將上述第一電極及上述第二電極燒結形成於上述盤體基體中之同一平面處。在另一些實施例中，將上述第一電極及上述第二電極分別燒結於上述盤體基體中包括將上述第一電極及上述第二電極燒結形成於上述盤體基體中之不同平面處。
在又一態樣中，本申請案提供一種操作根據本申請案之實施例之半導體處理裝置之方法，其包含：針對第一處理，控制上述第一切換開關將上述第一電極耦接至上述第一接地端；及針對第二處理，控制上述第二切換開關將上述第二電極耦接至上述第二接地端。在一些實施例中，上述方法亦包含：針對第三處理，控制上述第一切換開關及上述第二切換開關將上述第一電極及上述第二電極分別耦接至上述第一接地端及上述第二接地端。
在以下隨附圖式及實施方式中闡述本申請案之一或多項實例之細節。其他特徵、目標及優勢將根據上述實施方式及隨附圖式以及申請專利範圍而顯而易見。
以下將參考圖式更完整說明本發明，且藉由實例顯示特定範例具體實施例。不過，本主張主題可具體實施於許多不同形式，因此所涵蓋或申請主張主題之建構並不受限於本說明書所揭示之任何範例具體實施例；範例具體實施例僅為實例。同樣，本發明在於提供合理寬闊的範疇給所申請或涵蓋之主張主題。除此之外，例如主張主題可具體實施為方法、裝置或系統。因此，具體實施例可採用例如硬體、軟體、韌體或此等之任意組合(已知並非軟體)之形式。
本說明書內使用之詞彙「在一實施例」或「根據一實施例」並不必要參照相同具體實施例，亦不意謂請求保護之技術方案必須包含實施例所描述之所有特徵，且本說明書內使用之「在其他(一些/某些)實施例」或「根據其他(一些/某些)實施例」並不必要參照不同具體實施例。其目的在於例如主張之主題包括全部或部分範例具體實施例之組合。
本說明書中之術語「包括」及「包含」係以開放式之方式使用的，因此應被解釋為意謂「包括但不限於……」。本說明書所稱之「耦接」應被理解為涵蓋「直接連接」以及「經由一或多個中間部件連接」。本說明書所指「上」及「下」之意義並不限於圖式所直接呈現之關係，其應包含具有明確對應關係之描述，例如「左」及「右」，或者係「上」及「下」之相反。本說明書中之詞彙「晶圓」應被理解為可與術語「晶元」、「晶片」、「基片」、「基板」、「矽片」、「基底」等術語互換使用。本說明書使用某些術語來指稱特定系統部件，正如熟習此項技術者將會理解的，不同的企業可能會用不同的名稱來指稱此等系統部件。
圖1顯示根據本申請案之一些實施例之射頻組件100的示意圖。射頻組件100包含位於半導體處理裝置之一腔體(如處理腔體，圖中未示出)中之第一電極101及多個第二電極102、103以及射頻產生及匹配器104。儘管圖1中示出了一個第一電極及兩個第二電極，但熟習此項技術者將會理解，射頻組件100可包括更多數量之第一電極及/或更多數量之第二電極。圖1僅用於例示性說明，並非限制各組件之實際大小、形狀及相對位置。
在圖1之實例中，射頻產生及匹配器104電耦接(例如以同軸電纜連接)至第一電極101，以提供射頻信號。第二電極102、103則分別經由回饋/控制裝置105、106電耦接至射頻產生及匹配器104。上述回饋/控制裝置105、106經組態成分別自第二電極102、103接收一或多個感應信號並據此產生各別的多個回饋信號，以及提供上述回饋信號至射頻產生及匹配器104。回饋/控制裝置105、106亦可經組態成作為切換開關，用於選擇性地使第二電極102、103電耦接至各別的接地端或與各別的接地端斷開連接。第二電極102、103耦接之接地端可為相同的接地點或不同的接地點。在本申請案中，第一電極101亦可被稱為「射頻電極」，第二電極102、103亦可被稱為「接地電極」。
在一些實施例中，第一電極101可為上電極，第二電極102、103可為下電極。在另一些實施例中，第一電極101可為下電極，第二電極102、103可為上電極。一般而言，上電極組態於腔體之頂部。雖然圖1沒有顯示腔體之結構，但典型的腔體具有一腔室，其由一頂部、一底部及一壁部界定。頂部通常具有複雜的進氣歧管、氣體分配器、氣體通道及噴淋頭。在典型的組態中，上電極包含於噴淋頭之結構中。腔體之頂部或噴淋頭電耦接至射頻產生及匹配器104使上電極接收來自射頻源之信號。
下電極組態於晶圓支撐座中。儘管圖1未顯示，但典型的晶圓支撐座與上述腔體之底部連接，使晶圓可被支撐於腔室中之一高度。一電漿區域可被形成於上電極與包含下電極之晶圓支撐座之間。晶圓支撐座可包含用於承載晶圓之承載面，其中下電極位於上述承載面下方。
雖然未顯示，但射頻產生及匹配器104可包含射頻產生器及射頻匹配器。在一實施例中，射頻產生及匹配器104中之射頻產生器可包含一低頻射頻源、一高頻射頻源或兩者之組合，而射頻產生及匹配器104中之射頻匹配器可包含低頻專用之匹配網路、高頻專用之匹配網路或兩者之組合。上述匹配網路包含一或多個電容器、電感器及一些電子組件，其詳細組成不在此贅述。依據不同處理，選擇低頻或高頻射頻操作係已知的，亦不在此贅述。射頻產生及匹配器104經組態成接收來自回饋/控制裝置105、106提供之一或多個回饋信號並據此調整上述低頻或高頻射頻源之輸出頻率及/或上述匹配網路中之一或多個可變電子組件，如可變電容器，或係射頻電路組件中之其他可變組件，以控制腔室中電漿之特性。在一些實施例中，射頻產生及匹配器104可經組態成接收來自第一電極101之一或多個回饋信號。在另一些實施例中，回饋/控制裝置105、106中之一者或多者不向射頻產生及匹配器104提供回饋信號。
此外，根據不同目的，本申請案中之回饋/控制裝置可用於決定與第二電極相關聯之各種操作，如決定第二電極是否接地、是否調整相關之可變電子組件或施加於第二電極之功率等。
圖1A顯示根據本申請案之實施例之例示性回饋/控制裝置115的結構示意圖。回饋/控制裝置115可為圖1中之回饋/控制裝置105或106之實例。回饋/控制裝置115可包含回饋組件116及切換開關118。回饋組件116基於自接地電極112 (例如圖1所示之第二電極102或103)接收之信號產生回饋信號，並將上述回饋信號提供給射頻產生及匹配器114 (例如圖1所示之射頻產生及匹配器104)。在一些實施例中，回饋組件116將自接地電極112接收之信號直接提供給射頻產生及匹配器114。在一些實施例中，回饋/控制裝置115並不包含回饋組件116，即，回饋/控制裝置115不向射頻產生及匹配器114提供回饋信號。
切換開關118在控制信號SC 之控制下，選擇性地將接地電極112耦接至接地端或與接地端斷開連接。控制信號SC 可至少部分地基於自接地電極112接收之信號，或者至少部分地基於自其他接地電極或射頻電極接收之信號，或者至少部分地基於正在進行或將要進行之處理之製程要求。控制信號SC 可藉由硬體或軟體方式產生。基於某些信號或參數來產生一控制信號之方法已為熟習此項技術者所熟知，故不在此贅述。在一些實施例中，接地電極112與接地端之間可包含由一或多個電阻器、一或多個電容器、一或多個電感器等元件組成之阻抗網路，上述阻抗網路可在射頻迴路中提供固定阻抗或可變阻抗(例如，藉由可變電容器等)。
圖2顯示根據本申請案之實施例之例示性接地電極組態的示意圖(省略回饋/控制裝置)。此示意圖顯示接地電極的俯視圖。儘管圖2中示出了特定數量之電極，但熟習此項技術者將會理解，本申請案之接地電極組態可包括更少或更多數量之電極。
本實施例所示接地電極組態具有第一電極201、第二電極202及第三電極203。在一些實施例中，第一電極201、第二電極202及第三電極203同心排列。第一電極201為圓形電極，由第一半徑R1 界定。第二電極202至少由第二半徑R2 界定。第三電極203至少由第三半徑R3 界定。其中第二半徑R2 大於第一半徑R1 但小於第三半徑R3 。在一實施例中，第二電極202為圓形電極；在另一實施例中，第二電極202可為由第一內徑及第二半徑R2 界定之環形電極，上述第一內徑可大於、等於或小於第一半徑R1 。在一實施例中，第三電極203為圓形電極；在另一實施例中，第三電極203可為由第二內徑及第三半徑R3 界定之另一環形電極，上述第二內徑可大於、等於或小於第二半徑R2 。
在一些實施例中，第一電極201、第二電極202及第三電極203可位於相同的水平高度(即，位於同一平面)。在此等實施例中，第二電極202及第二電極203為環形電極，且第二電極202之內徑大於或等於第一半徑R1 ，第三電極203之內徑大於或等於第二半徑R2 。在另一些實施例中，第一電極201、第二電極202及第三電極203可分別在不同的水平高度(即，位於不同平面)，相關舉例如後。第一電極201、第二電極202及第三電極203彼此電隔離(例如，藉由各電極間之絕緣材料，或者各電極在空間上彼此間隔開)。如圖所示，第一電極201、第二電極202及第三電極203中之每一者分別可選擇性地(省略回饋/控制裝置)與一接地端連接。
在圖2之實例中，接地電極可為圓形電極或環形電極。在其他實施例中，接地電極可為圓形或環形電極中之區塊。圖2A及圖2B分別顯示根據本申請案之實施例的包含多個區塊之例示性圓形電極210及環形電極220的示意圖。儘管圖2A及圖2B中示出了以特定方式劃分的特定數量之區塊，但熟習此項技術者將會理解，圓形電極210及環形電極220可包含以其他方式劃分的更少或更多數量之區塊。
圓形電極210包含區塊212、214、216及218。環形電極220包含區塊222、224、226及228。在一些實施例中，區塊212、214、216及218藉由絕緣材料彼此電隔離，因而可分別獨立接地。類似地，在一些實施例中，區塊222、224、226及228藉由絕緣材料彼此電隔離，因而可分別獨立接地。舉例而言，圖1所示之第二電極202可為區塊212，第三電極203可為區塊214或者另一圓形或環形電極或者另一圓形或環形電極中之區塊。
圖3顯示根據本申請案之實施例之例示性半導體處理裝置的示意圖。在圖3之實例中，接地電極係下電極，組態於晶圓支撐座中。儘管未顯示處理腔體，但應瞭解，上述晶圓支撐座安裝於處理腔體中。此處晶圓支撐座包含盤體300，其具有晶圓承載面301用於承載經歷各種處理之晶圓。上電極302位於腔體之頂部。在一實施例中，上電極302包含於位於腔體頂部之噴淋頭。例如，上電極302可為噴淋頭之蓋子或者殼體。上電極302電耦接至射頻產生及匹配器303以接收射頻源，其電路組成如同前述圖1所示之射頻產生及匹配器104，故不重複說明。射頻產生及匹配器303可組態於腔體之頂部或者腔體之外部。替代地，上述射頻產生及匹配器303電耦接至一或多個下電極。或者，在可能的實施例中，射頻產生及匹配器303可同時電耦接至上電極及下電極。上述射頻產生及匹配器之組成及組合可有多種變化，並不限於本文之描述。在一些實施例中，盤體300亦可包含一或多個加熱元件。
圖3所示之晶圓支撐座具有多個下電極。在本實施例中，盤體300埋設有兩個下電極，分別係第一下電極304及第二下電極305。兩者位於晶圓承載面301下方且彼此結構獨立(即，彼此不接觸亦不構成電導通)。第一下電極304位於晶圓承載面301下方，但位於第二下電極305上方。第一下電極304及第二下電極305具有大致相同的直徑，並擴展至與晶圓承載面301相當的面積。在其他實施例中，第一下電極304可具有比第二下電極305更大或更小的直徑。第一下電極304與第二下電極305同心排列。此處第一下電極304及第二下電極305為網狀電極，其可經由燒結(sintering)及加壓之製造手段成型於盤體300中。第一下電極304及第二下電極305之網格密度可相同或不同。應瞭解，第一下電極304及第二下電極305亦可具有其他結構，第一下電極304可具有與第二下電極305相同或不同的結構。
第一下電極304及第二下電極305分別電耦接至第一回饋/控制裝置306及第二回饋/控制裝置307。第一回饋/控制裝置306經組態成具有適當的電路組成以接收來自第一下電極304之感應信號並據此產生第一回饋信號。相似地，第二回饋/控制裝置307經組態成具有適當的電路組成以接收來自第二下電極305之感應信號並據此產生第二回饋信號。上述感應信號與各下電極(304、305)自上電極302所接收到之射頻功率有關，故上述回饋信號可反映出腔室中電漿之特性。第一回饋/控制裝置306經由第一回饋路徑308與射頻產生及匹配器303通信連接並藉此提供第一回饋信號至射頻產生及匹配器303。相似地，第二回饋/控制裝置307經由第二回饋路徑309通信連接並提供第二回饋信號至射頻產生及匹配器303。此外，第一回饋/控制裝置306及第二回饋/控制裝置307亦經組態成能夠選擇性地將第一下電極304及第二下電極305電耦接至各別的接地端。此外，雖然未顯示，但第一回饋路徑308及第二回饋路徑309可分別電連接於射頻產生及匹配器303中之低頻及高頻控制部分，以實現低頻及高頻所對應之不同處理。
射頻產生及匹配器303經組態成用於接收第一回饋信號及/或第二回饋信號，並基於上述回饋信號調整電漿。上述射頻產生及匹配器303可進一步包括控制器，其用於信號之處理及輸出。在可能的實施例中，射頻產生及匹配器303中之射頻產生器(如高頻產生器或低頻產生器)可根據控制器之指令調整其射頻輸出頻率。替代地，射頻產生及匹配器303中之射頻匹配器(如高頻匹配器或低頻匹配器)可根據控制器之指令調整其可變電容之值，以獲得一適當的匹配阻抗。
在一些可能的實施例中，射頻產生及匹配器303可進一步包含其他電路模組，例如帶通(bandpass)濾波器及/或陷波(notch)濾波器組成之阻抗控制器，其可由一或多個電容器、電感器及可變電容器連接而成。上述阻抗控制器可經組態成包含於上述回饋/控制裝置(306、307)、上述射頻產生及匹配器303、上述控制器或獨立於此等組件之電路中。一或多個阻抗控制器可經組態成電耦接至上述第一下電極304或第二下電極305及/或上電極302。據此，上述控制器基於第一回饋信號或第二回饋信號控制上述射頻產生器、射頻匹配器及/或上述阻抗控制器，進而達到調整電漿之目的。
本申請案提供之接地電極可具有不同的尺寸、形狀、材質、埋入深度或網狀密度。圖4顯示根據本申請案之實施例之另一例示性半導體處理裝置的示意圖。與圖3實施例不同的是下電極之組態，與圖3相同的組件採用了相同的附圖標記，不在此贅述。圖4之實例包含第一下電極401及第二下電極402。兩者仍彼此結構獨立，其中第一下電極401位於晶圓承載面301下方但位於第二下電極402上方。雖然僅顯示剖面圖，但第一下電極401為由第一半徑R1 界定之圓形下電極，第二下電極402為由第二半徑R2 及第三半徑R3 界定之環形下電極，兩者之面積總和大致上相當於晶圓承載面301之有效區域。其中，第三半徑R3 大於第一半徑R1 及第二半徑R2 ，第二半徑R2 可小於、等於或大於第一半徑R1 。根據圖4之組態，靠近晶圓中心之電漿可至少基於第一下電極401調整，而位於晶圓邊緣之電漿可至少基於第二下電極402調整。在其他可能的實施例中，第一下電極401及第二下電極402之位置可被交換。在其他可能的實施例中，最靠近晶圓承載面301之下電極可經組態成具有靜電吸附之能力。更多數量之下電極亦係可行的。下電極亦可為非對稱配置，即，多個下電極為不同形狀且部分下電極為非旋轉對稱。例如下電極係不同的扇形。
綜上所述，本申請案提供之半導體處理裝置具有埋設了彼此電隔離之多個接地電極之盤體，且此等接地電極中之每一者經由切換開關選擇性地耦接至各別的接地端。因此，依據半導體處理裝置所執行之不同處理，可選擇不同的接地電極之組合耦接至接地端，構成不同的射頻迴路，從而可調節不同電極位置附近之電漿密度，進而控制沈積之薄膜厚度或刻蝕之均勻性。
圖5顯示根據本申請案之實施例的製造用於半導體處理裝置之接地電極(例如，本說明書所描述之實施例中之各接地電極)之例示性方法500的流程圖。如圖5所示，在步驟502中，提供盤體基體，例如，藉由壓製氮化鋁材料形成。在步驟504中，在盤體基體中形成彼此電隔離之第一電極及第二電極。在一些實施例中，第一電極及第二電極可分別藉由燒結壓製之手段形成。上述第一電極及上述第二電極可燒結形成於上述盤體基體中之同一平面或不同平面處。在另一些實施例中，可藉由編織組合之方法將第一電極及第二電極一次成型壓製於盤體基體中。
圖6顯示根據本申請案之實施例的操作半導體處理裝置(例如圖3及圖4所示之半導體處理裝置)之例示性方法600的流程圖。根據本申請案之實施例，半導體處理裝置至少包含第一接地電極及第二接地電極，例如圖3所示之下電極304及305、圖4所示之下電極401及402。第一接地電極經由第一切換開關選擇性地耦接至第一接地端，第二接地電極經由第二切換開關選擇性地耦接至第二接地端，上述第一接地電極與上述第二電極彼此電隔離。
在步驟602中，針對半導體處理裝置所執行之第一處理，控制上述第一切換開關將上述第一接地電極耦接至上述第一接地端，即，第一處理之射頻迴路將至少包含上述第一接地電極。在步驟604中，針對半導體處理裝置所執行之第二處理，控制上述第二切換開關將上述第二接地電極耦接至上述第二接地端，即，第二處理之射頻迴路將至少包含上述第二接地電極。方法600亦可包含針對第三處理，控制上述第一切換開關及上述第二切換開關將上述第一接地電極及上述第二接地電極分別耦接至上述第一接地端及上述第二接地端，即，第三處理之射頻迴路將至少包含上述第一接地電極及上述第二接地電極兩者。
本說明書中之描述經提供以使熟習此項技術者能夠進行或使用本發明。熟習此項技術者將易於顯而易見對本發明之各種修改，且本說明書中所界定之一般原理可應用於其他變化形式，而不會脫離本發明之精神或範疇。因此，本發明並不限於本說明書所述之實例及設計，而是被賦予與本說明書所揭示之原理及新穎特徵一致的最寬範疇。
100:射頻組件 101:第一電極 102:第二電極 103:第二電極 104:射頻產生及匹配器 105:回饋/控制裝置 106:回饋/控制裝置 112:接地電極 114:射頻產生及匹配器 115:回饋/控制裝置 116:回饋組件 118:切換開關 201:第一電極 202:第二電極 203:第三電極 210:圓形電極 212:區塊 214:區塊 216:區塊 218:區塊 220:環形電極 222:區塊 224:區塊 226:區塊 228:區塊 300:盤體 301:晶圓承載面 302:上電極 303:射頻產生及匹配器 304:第一下電極 305:第二下電極 306:第一回饋/控制裝置 307:第二回饋/控制裝置 308:第一回饋路徑 309:第二回饋路徑 401:第一下電極 402:第二下電極 500:方法 502:步驟 504:步驟 600:方法 602:步驟 604:步驟 R1 :第一半徑 R2 :第二半徑 R3 :第三半徑 SC :控制信號
本說明書中之揭示內容提及且包含以下各圖： 圖1顯示根據本申請案之實施例之例示性射頻組件的方塊示意圖。 圖1A顯示根據本申請案之實施例之例示性回饋/控制裝置的結構示意圖。 圖2顯示根據本申請案之實施例之例示性接地電極組態的示意圖。 圖2A顯示根據本申請案之實施例之例示性圓形電極的示意圖。 圖2B顯示根據本申請案之實施例之例示性環形電極的示意圖。 圖3顯示根據本申請案之實施例之例示性半導體處理裝置的示意圖。 圖4顯示根據本申請案之實施例之另一例示性半導體處理裝置的示意圖。 圖5顯示根據本申請案之實施例的製造用於半導體處理裝置之接地電極之例示性方法的流程圖。 圖6顯示根據本申請案之實施例的操作半導體處理裝置之例示性方法的流程圖。
根據慣例，圖示僅用於說明非限制性與非窮舉性實例。圖式中之構件並非必須為實際尺寸，圖示中所說明之各種特徵亦可能並非按比例繪製。因此，為了清晰起見，可任意擴大或減小各種特徵之尺寸。另外，為了清楚起見，可簡化圖示中所說明之實施方案。因此，圖示可能並未說明給定設備或裝置之全部組件。最後，可貫穿說明書及圖示使用相同參考標號來表示相同特徵。
100:射頻組件
101:第一電極
102:第二電極
103:第二電極
104:射頻產生及匹配器
105:回饋/控制裝置
106:回饋/控制裝置

Claims (17)

  1. 一種用於半導體處理裝置之盤體，其包含： 一第一電極；及 一第二電極； 其中該第一電極經由一第一切換開關選擇性地耦接至第一接地端，該第二電極經由第二切換開關選擇性地耦接至一第二接地端，該第一電極與該第二電極彼此電隔離。
  2. 如請求項1之盤體，其進一步包含用於承載晶圓之一承載面，其中該第一電極及該第二電極位於該承載面下方。
  3. 如請求項1之盤體，其中該第一電極由一第一半徑界定，該第二電極由一第二半徑及一第三半徑界定，該第三半徑大於該第一半徑及該第二半徑。
  4. 如請求項3之盤體，該第一電極與該第二電極位於同一平面。
  5. 如請求項3之盤體，該第一電極與該第二電極位於不同平面。
  6. 如請求項1之盤體，其中該第一電極由一第一半徑界定，該第二下電極由一第二半徑界定，該第一電極與該第二電極位於不同平面。
  7. 如請求項6之盤體，其中該第一半徑及該第二半徑大致相等。
  8. 如請求項1之盤體，其中該第一電極與該第二電極同心排列。
  9. 如請求項1之盤體，其中該第一電極及該第二電極中之至少一者為圓形或環形電極中之區塊，該圓形或環形電極包含多個區塊。
  10. 如請求項1之盤體，其中該第一電極及該第二電極中之至少一者包括網狀結構。
  11. 一種半導體處理裝置，其包含： 如請求項1至10中任一項之盤體；及 一第二盤體，其包含一第三電極，該第三電極電耦接至一射頻產生及匹配器。
  12. 如請求項11之半導體處理裝置，其進一步包含： 一第一回饋組件，其經組態以基於自該第一電極接收之信號向該射頻產生及匹配器提供一第一回饋信號；及 一第二回饋組件，其經組態以基於自該第二電極接收之信號向該射頻產生及匹配器提供一第二回饋信號。
  13. 一種製造用於半導體處理裝置之接地電極之方法，其包含： 提供一盤體基體；及 藉由以下方式在該盤體基體中形成彼此電隔離之一第一電極及一第二電極： 將該第一電極及該第二電極分別燒結於該盤體基體中；或 藉由編織組合之方法將該第一電極及該第二電極一次成型壓製於該盤體基體中。
  14. 如請求項13之方法，其中將該第一電極及該第二電極分別燒結於該盤體基體中包括將該第一電極及該第二電極燒結形成於該盤體基體中之同一平面處。
  15. 如請求項13之方法，其中將該第一電極及該第二電極分別燒結於該盤體基體中包括將該第一電極及該第二電極燒結形成於該盤體基體中之不同平面處。
  16. 一種操作如請求項11之半導體處理裝置之方法，其包含： 針對第一處理，控制該第一切換開關將該第一電極耦接至該第一接地端；及 針對第二處理，控制該第二切換開關將該第二電極耦接至該第二接地端。
  17. 如請求項16之方法，其進一步包含： 針對第三處理，控制該第一切換開關及該第二切換開關將該第一電極及該第二電極分別耦接至該第一接地端及該第二接地端。
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