TW202107788A - 用於材料處理的相位陣列波束操縱 - Google Patents

用於材料處理的相位陣列波束操縱 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種系統，該系統包括：多通道波束分裂器，其經排列及配置以將輸入光學信號分裂成複數個分裂光學信號；複數個相位調變器，其中該複數個相位調變器中之每一相位調變器可操作以回應於控制信號而修改該複數個分裂光學信號中之一對應分裂光學信號之相位；波導，其排列在該複數個相位調變器之光學輸出端，該波導經配置以將自該複數個相位調變器輸出的所述分裂光學信號在空間上重新排列成一圖案，藉此產生光學信號圖案；及光學放大器，其排列在該波導之光學輸出端，其中該光學放大器經配置以放大由該波導產生之該光學信號圖案。

Description

用於材料處理的相位陣列波束操縱
本文中所描述的具體實例一般關於用於雷射能量之相位陣列波束操縱之系統及技術。 相關申請案之交叉參考
本申請案主張2019年2月21日申請之美國臨時申請案第62/808,742號及2019年3月25日申請之美國臨時申請案第62/823,454號之優先權，所述案中之每一者以全文引用的方式併入本文中。
雷射微機械加工領域中之許多程序需要在空間上與相鄰脈衝完全分開（在工件處）的脈衝。若此等脈衝在空間上重疊，則多種負面效應可發生，諸如局部熱累積，其藉由超速雷射或脈衝羽流相互作用抵消「非熱消融」之有益效應。當今目前先進技術雷射以高重複率（亦即，在1 MHz至100 MHz及更高）提供高功率脈衝。因此，為高效利用此類雷射，可需要使用具有適當高定位頻寬之波束操縱系統。舉例而言，聲光偏轉器（acousto-optic deflector；AOD）提供大於檢流計接近3個數量級的定位頻寬（亦即，相較於檢流計之約2.5 kHz，AOD為約1 MHz）。雖然由多邊形鏡面啟用的高速波束操縱已作為在完全光點間距情況下實現按比例調整至＞＞1 MHz雷射重複率之一個解決方案引起許多關注，但採用限於「高填充因數」問題之子集。隨著基於雷射之材料處理的發展繼續進行以使得能夠形成較小且需要較高準確度的特徵，將最終需要能夠在超過由AOD提供之定位頻寬的定位頻寬下導向高重複率雷射脈衝且多邊形鏡面可提供的波束操縱系統。
本發明之一個具體實例可廣泛地特徵化為包括以下各者之系統：多通道波束分裂器，其經排列及配置以將一輸入第一光學信號分裂成複數個分裂第一光學信號；複數個相位調變器，其中該複數個相位調變器中之每一相位調變器可操作以回應於控制信號而修改該複數個分裂第一光學信號中之一對應分裂第一光學信號之相位；波導，其排列在該複數個相位調變器之光學輸出端，該波導經配置以將自該複數個相位調變器輸出的所述分裂第一光學信號在空間上重新排列成一圖案，藉此產生第一光學信號圖案；及光學放大器，其排列在該波導之光學輸出端，該光學放大器經配置以放大由該波導產生之該第一光學信號圖案。
本發明之另一具體實例可廣泛地特徵化為包括以下各者之系統：波束定位系統，其可操作以使具有第一波長之雷射波束偏轉；透鏡，其安置於波束路徑內，該雷射波束在由該波束定位系統偏轉之後可沿著該波束路徑傳播；及諧波轉換模組，其安置於波束路徑內，該雷射波束在通過該透鏡透射之後可沿著該波束路徑傳播，其中該諧波轉換模組可操作以將該雷射波束之該第一波長轉換成第二波長。
本文中參看隨附圖式來描述實例具體實例。除非以其他方式明確地陳述，否則在圖式中，組件、特徵、元件等的大小、位置等以及其間的任何距離未必依據比例，而是出於明晰之目的而放大。在圖式中，相同數字通篇指相同元件。因此，可能在參考其他圖式時描述相同或類似數字，即使所述數字在對應圖式中未提及亦未描述。另外，即使未經參考數字指示之元件亦可參考其他圖式加以描述。
本文中所使用之術語僅出於描述特定實例具體實例之目的，且並不意欲為限制性的。除非另外定義，否則本文中所使用之所有術語（包括技術及科學術語）具有一般熟習此項技術者通常所理解之相同意義。如本文中所使用，除非上下文另外明確地指示，否則單數形式「一（a/an）」及「該」意欲亦包括複數形式。應認識到，術語「包含」在用於本說明書中時指定所陳述之特徵、整體、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但並不排除一或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或添加。除非另外指定，否則在敍述值範圍時，值範圍包括該範圍之上限及下限兩者以及在其間的任何子範圍。除非另外指示，否則諸如「第一」、「第二」等術語僅用於區別一個元件與另一元件。舉例而言，一個節點可稱為「第一節點」，且類似地，另一節點可稱為「第二節點」，或反之亦然。
除非另外指示，否則術語「約」、「大約」等意謂量、大小、配方、參數及其他量及特性並非且不必為精確的，而視需要可為大致的及/或更大或更小，從而反映容限、轉換因數、捨入、量測誤差及其類似者，以及熟習此項技術者已知之其他因數。諸如「在……下方」、「在……之下」、「下部」、「在……上方」及「上部」以及其類似者之空間相對術語可在本文中使用以易於描述如在圖式中所說明的一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。應認識到，所述空間相對術語意欲涵蓋除圖式中所描繪之定向之外的不同定向。舉例而言，若圖式中的物件經翻轉，則描述為「在」其他元件或特徵「下方」或「下面」的元件將接著定向為「在」其他元件或特徵「上方」。因此，例示性術語「在...下方」可涵蓋在...上方及在...下方之定向。物件可以其他方式定向（例如，旋轉90度或處於其他定向），且本文中所用之空間相對描述詞可相應地進行解釋。
本文中所使用之章節標題僅用於組織目的，且除非另外明確地陳述，否則所述章節標題不應被理解為限制所描述之標的。應瞭解，許多不同形式、具體實例及組合係可能的，而不會背離本發明之精神及教示，且因此，本發明不應被視為限於本文中所闡述之實例具體實例。確切而言，提供此等實例及具體實例，使得本發明將為透徹且完整的，且將向熟習此項技術者傳達本發明之範疇。一般而言，與基於 PIC 之相位陣列波束操縱有關的具體實例
參看圖1，相位陣列波束操縱系統100包括光子積體電路（photonic integrated circuit；PIC）102、光學放大器104、回饋系統106及電子控制器108。
在所說明之具體實例中，PIC 102可光學耦接至種子雷射110之輸出端。在另一具體實例中，種子雷射110可經整合為PIC 102之部分。在一個具體實例中，種子雷射110為具有大於0.9 μm之波長（例如，1 μm或大約1 μm、1.03 μm或大約1.03 μm、1.06 μm或大約1.06 μm、1.1 μm或大約1.1 μm，或大於1.1 μm之任何波長）的頻率穩定雷射二極體。將瞭解在近IR範圍中之其他波長可由種子雷射110輸出。
種子雷射110可以5 kHz至50 GHz之範圍內之脈衝重複率輸出雷射脈衝。然而，將瞭解，可使脈衝重複率小於5 kHz或大於50 GHz。因此，雷射脈衝可由種子雷射以小於、大於或等於5 kHz、50 kHz、100 kHz、175 kHz、225 kHz、250 kHz、275 kHz、500 kHz、800 kHz、900 kHz、1 MHz、1.5 MHz、1.8 MHz、1.9 MHz、2 MHz、2.5 MHz、3 MHz、4 MHz、5 MHz、10 MHz、20 MHz、50 MHz、60 MHz、100 MHz、150 MHz、200 MHz、250 MHz、300 MHz、350 MHz、500 MHz、550 MHz、600 MHz、900 MHz、2 GHz、10 GHz、20 GHz、50 GHz、75 GHz等或在此等值中之任何值之間的脈衝重複率輸出。種子雷射110可輸出具有在20 fs至900 ms範圍內之脈寬或脈衝持續時間（亦即，基於在脈衝對時間中光功率之半峰全寬）的雷射脈衝。然而，將瞭解，可使脈衝持續時間小於20 fs或大於900 ms。因此，由種子雷射110輸出的至少一個雷射脈衝可具有小於、大於或等於10 fs、15 fs、30 fs、50 fs、100 fs、150 fs、200 fs、300 fs、500 fs、600 fs、750 fs、800 fs、850 fs、900 fs、950 fs、1ps、2 ps、3 ps、4 ps、5 ps、7 ps、10 ps、15 ps、25 ps、50 ps、75 ps、100 ps、200 ps、500 ps、1 ns、1.5 ns、2 ns、5 ns、10 ns、20 ns、50 ns、100 ns、200 ns、400 ns、800 ns、1000 ns、2 μs、5 μs、10 μs、15 μs、20 μs、25 μs、30 μs、40 μs、50 μs、100 μs、300 μs、500 μs、900 μs、1 ms、2 ms、5 ms、10 ms、20 ms、50 ms、100 ms、300 ms、500 ms、900 ms、1 s等或在此等值之任何值之間的脈衝持續時間。可替代地，種子雷射110可輸出連續波（continuous wave；CW）或準CW（quasi- continuous wave；QCW）雷射能量波束。
參考圖2，PIC 102包括振幅調變器200、多通道波束分裂器202、相位調變器陣列204及3D波導206。亦即，振幅調變器200、多通道波束分裂器202、相位調變器陣列204及3D波導206併入至共同光子積體電路102中。然而，在其他具體實例中，此等組件中之僅僅兩個或三個經併入至共同光子積體電路102中，且剩餘組件經單獨地形成並光學耦接至光子積體電路102之光學輸入端或輸出端任一者。舉例而言，僅僅相位調變器陣列204及多通道波束分裂器202及3D波導206中之一者或兩者可併入至共同光子積體電路102中。
參看圖2中所展示的具體實例，回應於由電子控制器108輸出之一或多個控制信號，種子雷射110之輸出（在本文中亦被稱作「種子信號」）係通過振幅調變器200（例如，經提供為馬赫-曾德爾調變器）來振幅調變。振幅調變可視情況經執行以在光學放大器（參見例如美國專利第9,776,277號之圖9，該專利以全文引用的方式併入本文中）之後使指向/位置依賴之輸出振幅變平，並提供由程序或系統需要的任何振幅調變。隨後，種子信號行進穿過多通道波束分裂器202，該多通道波束分裂器經配置以將種子信號分裂成複數個通道且藉此產生複數個「分裂種子信號」。在一個具體實例中，多通道波束分裂器202由足以到達所要數目個通道（例如用於矩形16×16陣列之256通道系統將需要具有總共255個1×2分裂器組件的8個分裂級聯）的任何數目個1×2光束分裂器組成。在另一具體實例中，多通道波束分裂器202可經提供為星形分裂器或為多個級聯星形分裂器。在一個具體實例中，通道之所要數目可為32、50、64、90、100、128、150、200、256、300、350、512、800、1024、1500、2000、2500等或此等值之任何值之間。
分裂種子信號接著經導引至相位調變器陣列204中。在此情況下，相位調變器陣列204包括複數個相位調變器，且相位調變器中之每一者經排列以便接收由多通道波束分裂器202產生的分裂種子信號中之一者（亦即，每分裂種子信號一個相位調變器）。另外，每一相位調變器可操作以基於由電子控制器108輸出的一或多個控制信號維持或修改每一分裂種子信號之相位。可以任何合適或所要之方式提供相位調變器陣列204內之相位調變器。舉例而言，每一相位調變器可經提供為馬赫-曾德爾調變器（Mach-Zehnder modulator；MZM）。當經適當提供（例如，為MZM）時，每一相位調變器可經操作以維持或修改輸入至其的每一分裂種子信號之振幅（例如，基於由電子控制器108輸出之一或多個控制信號）。
接下來，相位調變信號經由3D波導206重新排列成密集填充圖案（例如，六邊形、矩形等）。因此，相位調變器陣列204中之每一相位調變器之輸出經光學耦接至3D波導206之光學輸入端且光學輸出端可表徵為提供複數個個別光學發射器之「平鋪」排列。3D波導206可如所說明為PIC之部分，或可為與PIC分開之組件。具有此等性質中之一些的PIC 102已在2017年雷射及電光會議（Conference on Lasers and Electro-Optics；CLEO），IEEE，Poulton, Christopher V.等人之「Large-scale visible and infrared optical phased arrays in silicon nitride」中論證及報告，其被理解為展示10分裂級聯深度(splitting cascade deep)1024通道晶片與後續天線陣列之成功整合。然而，在彼論文中利用的波束操縱機構是基於波長掃掠(wavelength sweeping)而非相位調變器。
具有500或更多個相位調變調變器之整合陣列的高度可靠PIC 102當前正被開發用於汽車雷射雷達（LIDAR）應用。然而，用於此等陣列之典型波長為眼睛安全1.5 μm頻帶。然而，此類PIC可經調適以藉由適當改變供形成PIC之組件的材料而在0.9 μm（或大約0.9 μm）至1.1 μm（或大約1.1 μm）範圍內之波長下操作。參見例如美國專利第8,213,751及9,612,398號；感測器，17，2088（2017年），Munoz、Pascual等人之「Silicon Nitride Photonic Integration Platforms for Visible, Near-Infrared and Mid-Infrared Applications」美國專利申請公開案第20180180811號；2017年2月15日光波技術期刊第35卷第4號，Rahim,Abdul等人之「Expanding the Silicon Photonics Portfolio with Silicon Nitride Photonic Integrated Circuits」， 以上所有文獻均以全文引用的方式併入本文中。在一個具體實例中，整合於PIC 102內的相位調變器具有大於1 MHz之高頻寬（例如，大於1 GHz等）。
在一個具體實例中，光學放大器104包括一個多模光纖增益模組（或經串聯連接例如以達成較高平均及峰值功率的多個多模光纖增益模組），一或多個多核心光纖放大器，或其類似者或其任何組合。當光學放大器104包括多模光纖增益模組時，該多模光纖增益模組經選擇使得光纖增益模組之所支援導引模式的數目大致匹配在3D波導206之光學輸出端產生的圖案內的通道之數目。經由此，多模光纖增益模組之輸出模式可經有效控制。當光學放大器104包括多核心光纖放大器時，該多核心光纖放大器經選擇使得多核心光纖放大器中之核心的數目及排列大致匹配在3D波導206之光學輸出端產生的圖案內之通道的數目及排列。來自PIC 102之光直接耦接或以另外方式成像至光學放大器104中。如在Light: Science & Applications 6.2 (2017): e16208，Florentin,Raphael等人之「Shaping the light amplified in a multimode fiber」中已展示，模態控制不僅在被動光纖中而且在多模式增益光纖中係可能的。在一個具體實例中，且不同於Florentin等人之論文，多模光纖之輸出模式為填充多模光纖核心中之大多數的超級模式，且其空間相位可經調變用於在準直透鏡（亦即，如圖1中所展示之透鏡112）之後在傅裏葉平面中操縱/塑形。輸出光學放大器由透鏡112準直且小部分經導向（例如，經由波束分裂器114及後續透鏡116）至光偵測器118（例如，快速光二極體）上。來自光學放大器104的經放大輸出之主要功率（亦即，未導向至光偵測器118上的波束之分數）本文中被稱作前述「處理波束」。
由光偵測器118（亦即，回應於偵測到自透鏡116透射之光）輸出的信號可經由LOCSET方法（但亦可實施替代方法）分析（例如，由電子控制器108）以導出最終發送至相位調變器陣列204的控制信號。一般而言，控制信號當由相位調變器陣列204作用時經調適以使自光學放大器104輸出的光學信號之相位穩定以在光學放大器104之輸出處得到所需模態形狀、指向及位置（例如，基於與所需相移、處理系統形狀及定位要求相關聯的一或多個預定要求）。在一個具體實例中，可經由LOCSET方法控制的可能通道之數目達1000或大約1000（例如，稍微小於或多於1000）。
光學放大器104之主要功率輸出（亦即，前述「處理波束」）可視情況以此項技術中已知之任何方式轉送至波束定位系統（圖中未示）中。視情況，處理波束可導向至諧波轉換模組120且接著諧波轉換模組120之光學輸出可以此項技術中已知之任何方式轉送至波束定位系統（圖中未示）中。處理波束典型地自波束定位系統導向以按此項技術中已知之任何方式處理（例如，破裂、損害、熔融、汽化、消融、發泡、標記等）工件（圖中未示）。
在一個具體實例中，電子控制器108可操作以輸出控制信號至相位調變器陣列204中之複數個相位調變器，以便以任何合適或所要之方式實行由相位陣列波束操縱系統100最終輸出的處理波束之波束操縱（例如，沿著一或多個軸線，在任何所需方向上），實行處理波束之波束塑形，或其任何組合。如本文所用，術語「波束塑形」指代改變由相位陣列波束操縱系統100產生的處理波束之大小或形狀的動作。處理波束之形狀指代處理波束之光學強度之空間分佈或剖面，如在正交於處理波束之束軸的平面內量測。因此，處理波束可包含單一「波束」或多個空間分開之「小波束」。如本文所使用，「波束」或「小波束」之大小指代波束或小波束之最大或平均寬度，如沿著自波束軸至光學強度下降至在波束或小波束之傳播軸線處的光學強度之至少1/e2 之處的徑向或橫向距離量測。在由3D波導可達成之圖案的解析度內，相位陣列波束操縱系統因此使得能夠產生具有任何形狀（例如，平整頂部、高斯、厄米特-高斯、拉蓋爾-高斯、貝塞爾、半貝塞爾、圓形環圈、正方形環圈或其類似者，或其他，或其任何組合）的波束（或小波束）。如將瞭解，處理波束可在其被操縱同時經形成為具有任何形狀或大小，且相位陣列波束操縱系統100可經操作以在處理波束被操縱的同時改變或維持處理波束之形狀及/或大小。
諧波轉換模組120可包括二階諧波產生（second harmonic generation；SHG）介質、三階諧波產生（third harmonic generation；THG）介質，或其類似者或其任何組合，如在此項技術中所已知。將瞭解由諧波轉換模組120輸出的光之波長將取決於供形成諧波轉換模組的介質（例如，SHG介質、THG介質等）及輸入至諧波轉換模組的光之波長（例如，如由多模光纖增益模組輸出）。因此，若輸入至諧波轉換模組120的光之波長在近IR範圍（例如，如上文所論述）中，則自諧波轉換模組120輸出的光之波長可一般表徵為在電磁波譜之綠色可見光範圍中或在電磁波譜之紫外線範圍中。
一般而言，波束定位系統經提供為高頻寬波束定位系統（亦即，具有大於1 kHz之頻寬），諸如AOD、電光偏轉器（EOD）、電流計鏡面掃描器、旋轉多邊形掃描器，或其類似者或其任何組合。其他具體實例
如上文所論述，本發明的具體實例可經調適以組合（相干地或以其他方式）光學放大器之輸出與操縱或塑形在達GHz頻寬下之處理波束的能力。因此，不同於習知相干波束組合（亦即，其中波束通過薄膜偏振器、繞射光學件等之樹在空間上重疊），本文所論述之具體實例可經調適以「平鋪」個別發射器之輸出，但仍在個別光學信號之間建立穩定及可控制相位關係。
在一些具體實例中，上文關於圖1所論述的光學放大器104可以具有極寬範圍之脈寬及重複率的經脈衝模式操作。因此，種子雷射110可經操作以產生包含具有廣泛範圍之脈寬（例如，10多奈秒至幾皮秒）及重複率（例如，100 kHz至50 GHz）的複數個光學脈衝的種子信號。如上文所提及，自相位調變器陣列204輸出的信號之相位經由LOCSET方法控制，該方法非常適合於甚至在「平鋪」輸出排列中的大量通道之相干組合。
然而不幸的是，LOCSET方法並不容易與作為輸入之光學脈衝相容。因此，在一個具體實例中，且不同於圖1中所展示的具體實例，當處理波束體現為一系列脈衝時，處理波束不用於相位鎖定。實際上，除了由種子雷射110產生的種子信號（在本文中亦被稱作「主波束」）之外，相位陣列波束操縱系統100可經修改以對第二雷射波束（在本文中亦被稱作「參考波束」或「探測波束」）進行操作。參考波束具有由光學放大器104僅僅稍微或完全不放大的波長。參考波束因此可用以在其自身未被明顯地振幅調變，且因此為LOCSET迴路提供穩定信號以用於分析的同時追蹤在光學脈衝之間及在光學脈衝期間的每一通道之相移。
合適之經修改相位陣列波束操縱系統之一個實例係關於圖3而論述，且一般以參考標號300說明。
參考圖3，種子雷射110（例如，產生體現為具有所需脈衝寬度及在所需脈衝重複率下之一系列雷射脈衝的主波束）及參考雷射302（例如，產生前述參考波束）兩者耦接至共同光子積體電路（PIC）304中。一般而言，光子積體電路（PIC）304可如上文關於圖1及圖2所論述而提供，但可如關於圖4更詳細論述而修改。
PIC 304之光學輸出接著由光學放大器104放大。由光學放大器104輸出的光束包含主波束及參考波束。然而，參考波束與主波束分開（例如，由簡單分光鏡306）並經導向至LOCSET系統之前述光偵測器118上。
由光學放大器104放大的主波束通過鏡面306透射且因此不到達光偵測器118，亦不干擾（例如，飽和）光偵測器118。
參考圖4，PIC 304經配置以在主波束之波長（在本文中亦被稱作「主波長」）（例如，1030 nm+/-5 nm）上以及在參考波束之波長上操作，參考波束之波長不同於主波束之波長。一般而言，參考波束可表徵為具有相對窄線寬、長相干長度。在一些具體實例中，參考波束之波長（在本文中亦被稱作「參考波長」）係在1070 nm（或大約1070 nm）至1150 nm（或大約1150 nm）（例如，1100 nm）之範圍內。PIC 304中之波束分裂器經提供為雙重波長波束分裂器，且需要經工程設計以不僅均勻分裂在主波長下之主波束，而且同時分裂在參考波長下之參考波束。對應地，所有後續組件（例如相位調變器陣列204及任何後續波束導引及塑形光學件（例如，3D波導206））亦需要與主波束及參考波束兩者之波長相容。
上文所論述的適應在主要波長及參考波長下之雷射能量之波束的修改排除大模式光子晶體光纖的使用，所述光纖僅具有相當窄的波長範圍，在該窄波長範圍中導引模式係穩定的且接近於單模（1100 nm很好在彼範圍外部）。然而，歸因於大量模式之相干添加（在單獨的核心中或在多模光纖中（或在固態放大器中）），較小模式場直徑之使用並不是關注點。
起因於上文所論述之修改的另一問題係在參考波長下將不同通道之間的相位差驅動降至零並不完全暗示不同通道之間的相位差可同時被驅動降至零以用於主波長。因此，需要額外相位校準。此係在圖3中展示，其中額外波束撿拾器308收集經放大主波束之樣本，其接著經聚焦（例如，經由透鏡310）至孔徑312上，其中光偵測器314（例如，光二極體）在該孔徑後方。經典（減慢）SPGD演算法可用以一次算出在校準期間在主波長下的相位關係，其中LOCSET電子裝置可偵測在參考波長下之對應相位關係並在校準步驟期間使任何相移穩定，使得甚至極大量的通道可經最佳化。隨後，每一「相位捲繞（phase wrap）」（亦即，對應於參考波長之大於2π之相移）可被計數並被追蹤，使得在主波長下之總相位關係可被控制，即使個別通道之差分路徑長度偏移累積至許多微米。舉例而言，20 μm之差分偏移將經量測為在1100 nm下之18個「捲繞」及0.36π相移（18×2π+0.36π=36.36π=2π*20μm/1100 nm），但容易轉換成在1030 nm下之19個「捲繞」及0.83π相移。因此，電子控制器108可補償在1030 nm下之0.83π相移，其中對應相位調變器使兩個通道返回為其標稱相位關係。
運用關於圖3及圖4論述的具體實例之優點係鎖相電子裝置與主波束之重複率及脈寬去耦，主波束之重複率及脈寬可取決於所使用種子雷射或種子雷射操作所運用的可變方式而變化。如同上文關於圖1及圖2所論述的具體實例，如由圖3中展示之波束撿拾器308透射的處理波束可視情況經導向至諧波轉換模組120，以此項技術中已知之任何方式轉送至波束定位系統（圖中未示）中，或其類似者或其任何組合。與諧波轉換有關的額外具體實例
如上文所論述，結合圖1及圖3中所說明的具體實例描述之前述準直透鏡112經配置以確保處理波束為一經準直（或至少實質上經準直）光束。因此，處理波束中之全部射線可獨立於操縱（亦即，藉由上文所論述之相位陣列操縱技術）處理波束的角度而平行（或至少實質上平行）於諧波產生模組120以便匹配必要邊界條件以用於高效諧波產生。
儘管圖1及圖3說明其中無透鏡排列在處理波束（如由相位陣列波束操縱系統輸出）可傳播所沿著的波束路徑中的一系統，但將瞭解一或多個透鏡、鏡面或其類似者或其任何組合可經提供以減少最終傳播至諧波轉換模組中的處理波束之大小（例如，寬度或直徑）。
在一些情況下，諸如AOD及EOD之波束定位系統可適當運用在某一波長範圍內（例如，在電磁波譜之紅外線範圍內）之光，而非一定運用在其他波長範圍內（例如，在電磁波譜之可見光或紫外線範圍內）的光來工作。因此，諧波產生模組120可在需要時插入於相位陣列波束操縱系統100或300與波束定位系統之間（例如，以將處理波束之波長轉換成另一波長）。在圖5中展示的一具體實例中，透鏡（例如，中繼透鏡500）視情況插入於諧波轉換模組與波束定位系統502（例如，AOD、電光偏轉器（EOD）、電流計鏡面掃描器、旋轉多邊形掃描器、或其類似者或其任何組合）之間以減少由透鏡112所引起的過程轉換之橫向位移的程度。
儘管已結合相位陣列波束操縱系統100及300之各個具體實例論述諧波轉換模組120之使用，但將瞭解諧波轉換模組120可用於轉換由任何波束定位系統502（例如，AOD、EOD、電流計鏡面掃描器、旋轉多邊形掃描器等）輸出的處理波束之波長。在此情況下，且如在圖6中例示性展示，透鏡（例如，600）可插入在波束定位系統502與諧波轉換模組120之間的波束路徑中。在圖6中所示之具體實例中，波束定位系統502之光學輸出在透鏡600之焦點處或靠近該焦點定位，同樣係諧波轉換模組120之光學輸入。
藉由在相位陣列波束操縱系統100或300或任何其他波束定位系統（例如，AOD、EOD、電流計鏡面掃描器、旋轉多邊形掃描器等）之「光學下游」定位諧波轉換模組120，可對於多個波長實現與此類波束定位系統之使用相關聯的益處。
舉例而言，剪切波TeO2 AOD可具有大量可分辨光點（典型地大於100），此使AOD為極有吸引力的波束操縱器件。然而，剪切波TeO2 AOD不能用以使具有在電磁波譜之UV範圍中之波長的相對高功率處理波束（亦即，高於10 W或大約10 W）偏轉。藉由在剪切波TeO2 AOD之「光學下游」提供透鏡600及諧波轉換模組120，由剪切波TeO2 AOD輸出的處理波束之波長可轉換成在電磁波譜之UV範圍中之波長。
在另一實例中，典型地用於EOD之材料在IR中及（在一定程度上）在電磁波譜之可見光範圍中而完全不在電磁波譜之UV範圍中工作。藉由在EOD之「光學下游」提供透鏡600及諧波轉換模組120，由EOD輸出的處理波束之波長可轉換成在電磁波譜之UV範圍中之波長。
在另一實例中，晶體石英AOD能夠在電磁波譜之UV及IR範圍中操作，且能夠由石英AOD產生的可分辨光點之數目在使用相同頻寬及聲學孔徑大小時對於兩個波長係相同的。然而，典型地與在電磁波譜之UV範圍中相比更易於按比例調整在電磁波譜之IR範圍中的過程波束之功率，且因此與運用具有在電磁波譜之UV範圍中的波長之過程波束遇到的功率損耗相比，可更易於補償在電磁波譜之IR範圍中之歸因於石英AOD之有限繞射效率的損耗功率，即使石英AOD典型地在電磁波譜之UV範圍中具有相對高繞射效率。因此，藉由在石英AOD之「光學下游」提供透鏡600及諧波轉換模組120，輸入至石英AOD的相對高功率過程波束之IR波長可由石英AOD繞射（例如，以便經偏轉，或以其他方式），且經繞射過程波束可接著轉換成在電磁波譜之UV範圍中的波長。結論
前文說明本發明之具體實例及實例，且不應解釋為對其之限制。雖然已參看圖式描述幾個特定具體實例及實例，熟習此項技術者將易於瞭解，對所揭示具體實例及實例以及其他具體實例的許多修改在不顯著背離本發明之新穎教示及優點的情況下為可能的。因此，所有此等修改意欲包括於如申請專利範圍中所界定的本發明之範疇內。舉例而言，所屬領域中具有通常知識者將瞭解，任何句子、段落、實例或具體實例之主題可與其他句子、段落、實例或具體實例中之一些或全部的主題組合，除非此等組合彼此互斥。本發明之範疇因此應由以下申請專利範圍判定，且所述技術方案之等效物包括於本發明之範疇中。
100:相位陣列波束操縱系統 102:光子積體電路 104:光學放大器 106:回饋系統 108:電子控制器 110:種子雷射 112:透鏡 114:波束分裂器 116:透鏡 118:光偵測器 120:諧波轉換模組 200:振幅調變器 202:多通道波束分裂器 204:相位調變器陣列 206:3D波導 300:相位陣列波束操縱系統 302:參考雷射 304:光子積體電路（PIC） 306:簡單分光鏡/鏡面 308:波束撿拾器 310:透鏡 312:孔徑 314:光偵測器 500:中繼透鏡 502:波束定位系統 600:透鏡
[圖1]示意性說明根據本發明之一個具體實例的相位陣列波束操縱系統。 [圖2]示意性說明根據本發明之一個具體實例的圖1中所展示的相位陣列波束操縱系統中之光子積體電路。 [圖3]示意性說明根據本發明之另一具體實例的相位陣列波束操縱系統。 [圖4]示意性說明根據本發明之一個具體實例的圖3中所展示的相位陣列波束操縱系統中之光子積體電路。 [圖5]及[圖6]示意性說明用於實施雷射能量之操縱後波長轉換的不同具體實例。
100:相位陣列波束操縱系統
102:光子積體電路
104:光學放大器
106:回饋系統
108:電子控制器
110:種子雷射
112:透鏡
114:波束分裂器
116:透鏡
118:光偵測器
120:諧波轉換模組

Claims (41)

  1. 一種系統，其包含： 多通道波束分裂器，其經排列及配置以將一輸入第一光學信號分裂成複數個分裂第一光學信號； 複數個相位調變器，其中該複數個相位調變器中之每一相位調變器可操作以回應於控制信號而修改該複數個分裂第一光學信號中之一對應分裂第一光學信號之相位； 波導，其排列在該複數個相位調變器之光學輸出端，該波導經配置以將自該複數個相位調變器輸出的所述分裂第一光學信號在空間上重新排列成一圖案，藉此產生第一光學信號圖案；及 光學放大器，其排列在該波導之光學輸出端，該光學放大器經配置以放大由該波導產生的該第一光學信號圖案。
  2. 如請求項1之系統，其進一步包含： 波束分裂器，其排列在該光學放大器之光學輸出端，該波束分裂器經配置以透射由該光學放大器輸出的該組合第一光學信號之第一部分並反射由該光學放大器輸出的該組合第一光學信號之第二部分；及 第一光偵測器，其經排列以接收該組合第一光學信號之該第二部分並輸出一對應第一偵測信號。
  3. 如請求項2之系統，其進一步包含以通信方式耦接至該第一光偵測器之輸出端及該複數個相位調變器中之每一者之輸入端的控制電路，其中該控制電路經配置以產生並輸出該控制信號。
  4. 如請求項1之系統，其中該多通道波束分裂器及該複數個相位調變器位於共同光子積體電路內。
  5. 如請求項1之系統，其中該複數個相位調變器及該波導位於共同光子積體電路內。
  6. 如請求項1之系統，其進一步包含經排列及配置以產生該第一光學信號的種子雷射。
  7. 如請求項1之系統，其中該第一光學信號具有在1000 nm至1150 nm之範圍內之第一波長。
  8. 如請求項7之系統，其中該第一波長在1000 nm至1060 nm之範圍內。
  9. 如請求項8之系統，其中該第一波長為1030 nm。
  10. 如請求項1之系統，其中該複數個相位調變器中之相位調變器之數目大於100。
  11. 如請求項10之系統，其中該複數個相位調變器中之相位調變器之數目大於200。
  12. 如請求項11之系統，其中該複數個相位調變器中之相位調變器之數目大於500。
  13. 如請求項12之系統，其中該複數個相位調變器中之相位調變器之數目大於1000。
  14. 如請求項1之系統，其進一步包含可操作以回應於控制信號而調變該輸入第一光學信號之振幅的振幅調變器，其中該多通道波束分裂器排列在該振幅調變器之光學輸出端。
  15. 如請求項14之系統，其中該振幅調變器及該多通道波束分裂器位於共同光子積體電路內。
  16. 如請求項1之系統，其中該控制電路經配置以輸出控制信號至該複數個相位調變器中之每一者以與該波導之該圖案的配置結合實行在該波導之該光學輸出端處的相位陣列波束操縱。
  17. 如請求項16之系統，其中該控制電路經配置以基於至少部分由複數個相位調變器實行的該相位陣列波束操縱之量值而輸出一控制信號至該振幅調變器。
  18. 如請求項1之系統，其中該控制電路經配置以至少部分基於該第一偵測信號而輸出控制信號至該複數個相位調變器，從而使自該光學放大器輸出的所述分裂第一光學信號之所述相位穩定。
  19. 如請求項1之系統，其進一步包含經配置以產生第二光學信號的參考雷射。
  20. 如請求項19之系統，其中該第二光學信號具有不同於該第一光學信號之波長的第二波長。
  21. 如請求項20之系統，其中該第二波長在1070 nm至1150 nm之範圍內。
  22. 如請求項21之系統，其中該第二波長為1100 nm。
  23. 如請求項19之系統，其中該多通道波束分裂器經排列及配置以將該第二光學信號分裂成複數個分裂第二光學信號。
  24. 如請求項19之系統，其中該複數個相位調變器中之每一相位調變器可操作以回應於該控制信號而修改該複數個分裂第二光學信號中之一對應分裂第二光學信號之相位。
  25. 如請求項19之系統，其中該波導經配置以將自該複數個相位調變器輸出的所述分裂第二光學信號在空間上重新排列成該圖案，使得所述分裂第二光學信號可相干地組合成一組合第二光學信號。
  26. 如請求項19之系統，其進一步包含排列於波束分裂器與該光學放大器之該光學輸出端之間的分光鏡，該分光鏡經配置以反射該組合第二光學信號且透射該組合第一光學信號。
  27. 如請求項19之系統，其進一步包含第二光偵測器，該第二光偵測器經排列以接收由該分光鏡反射之該組合第二光學信號並輸出一對應第二偵測信號。
  28. 如請求項19之系統，其中該控制電路經配置以至少部分基於該第二偵測信號輸出該控制信號至該複數個相位調變器，從而使自該複數個相位調變器輸出的所述分裂第二光學信號之所述相位穩定。
  29. 如請求項1之系統，其進一步包含經排列以接收該組合第一光學信號之該第一部分的諧波轉換模組，該諧波轉換模組經配置以修改該組合第一光學信號之該第一部分的該波長。
  30. 如請求項1之系統，其進一步包含經排列以接收該組合第一光學信號之該第一部分且經配置以使該組合第一光學信號的該第一部分偏轉的波束定位系統。
  31. 如請求項30之系統，其中該波束定位系統包括由下列各者組成之群組中選出的至少一者：聲光偏轉器、電光偏轉器、電流計鏡面掃描器及旋轉多邊形掃描器。
  32. 一種系統，其包含： 波束定位系統，其可操作以使具有第一波長之雷射波束偏轉； 透鏡，其安置於波束路徑內，該雷射波束在由該波束定位系統偏轉之後可沿著該波束路徑傳播；及 諧波轉換模組，其安置於波束路徑內，該雷射波束在通過該透鏡透射之後可沿著所述波束路徑傳播， 其中該諧波轉換模組可操作以將該雷射波束之該第一波長轉換成第二波長。
  33. 如請求項32之系統，其中該波束定位系統包括相位陣列波束定位系統。
  34. 如請求項32之系統，其中該波束定位系統包括聲光偏轉器。
  35. 如請求項34之系統，其中聲光偏轉器為剪切波TeO2 聲光偏轉器。
  36. 如請求項34之系統，其中聲光偏轉器為石英聲光偏轉器。
  37. 如請求項32之系統，其中該波束定位系統包括電光偏轉器。
  38. 如請求項32之系統，其中該第一波長在電磁波譜之紅外線範圍中。
  39. 如請求項32之系統，其中該第二波長在電磁波譜之可見光範圍中。
  40. 如請求項39之系統，其中該第二波長在電磁波譜之綠色可見光範圍中。
  41. 如請求項32之系統，其中該第二波長在電磁波譜之紫外線範圍中。
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