TW202105446A - 多帶電粒子束描繪裝置 - Google Patents

Abstract

實施形態之多帶電粒子束描繪裝置，具備：放出部，放出帶電粒子束；及第1孔徑基板，具有複數個第1開口部，受到帶電粒子束照射而帶電粒子束的一部分通過複數個第1開口部，藉此形成多射束；及第2孔徑基板，具有供多射束的各射束通過之複數個第2開口部，可將多射束的各射束獨立地偏向；及遮蔽板，設置成可插入至第1孔徑基板與第2孔徑基板之間，可將多射束同時全部遮蔽。

Description

多帶電粒子束描繪裝置

本發明有關多帶電粒子束描繪裝置。

隨著半導體元件的高度積體化，半導體元件的電路圖樣的微細化不斷進展。欲實現電路圖樣的微細化，在半導體基板上形成電路圖樣之微影技術係為重要。為了運用微影技術形成微細的電路圖樣，必須有高精度的原圖圖樣(亦稱為倍縮光罩(reticle)或光罩(mask))。電子束描繪，本質上具有優良的解析性，故被用來製造高精度的原圖圖樣。 例如，有運用多射束的描繪裝置。相較於以一道電子束描繪的情形，藉由運用多射束能夠一次照射較多的射束。是故，可使描繪的產出量大幅提升。 運用多射束的描繪裝置中，是將從電子槍放出的電子束通過具有複數個開口部的成形孔徑陣列基板而形成多射束。多射束的各射束，藉由遮沒孔徑陣列基板而獨立地被偏向。 遮沒孔徑陣列基板，具有供多射束的各射束通過之複數個開口部、及設於各開口部之電極對、及控制施加於電極對的電壓之電子電路。藉由控制施加於電極對的電壓，多射束的各射束受到偏向。藉由電極對而受到偏向的射束係被遮蔽，未受到偏向的射束則照射至試料，藉此進行描繪。 成形孔徑陣列基板，會由於受到電子束照射而溫度上昇。若成形孔徑陣列基板的溫度上昇，則會因熱膨脹而開口部的間距(pitch)變化。因此，例如成形孔徑陣列基板的開口部的間距，會事先將成形孔徑陣列基板的溫度上昇所造成的變化納入考量來設計。也就是說，會設計成在由於成形孔徑陣列基板的熱膨脹而開口部的間距達穩定的時間點，多射束的各射束通過遮沒孔徑陣列基板的各開口部。 是故，在成形孔徑陣列基板的開口部的間距達穩定前的期間，電子束恐會照射至遮沒孔徑陣列基板的電子電路。若電子束照射至電子電路，則電子電路恐會故障。

本發明提供一種可抑制帶電粒子束往孔徑部的電子電路照射之多帶電粒子束描繪裝置。 本發明的一個態樣之多帶電粒子束描繪裝置，具備：放出部，放出帶電粒子束；及第1孔徑基板，具有複數個第1開口部，受到前述帶電粒子束照射而前述帶電粒子束的一部分通過前述複數個第1開口部，藉此形成多射束；及第2孔徑基板，具有供前述多射束的各射束通過之複數個第2開口部，可將前述多射束的各射束獨立地偏向；及遮蔽板，設置成可插入至前述第1孔徑基板與前述第2孔徑基板之間，可將前述多射束同時全部遮蔽。

以下，參照圖面說明本發明之實施形態。以下，實施形態中，說明運用了電子束來作為帶電粒子束的一例之構成。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等使用了帶電粒子的射束。 本說明書中，所謂描繪資料，係對試料描繪之圖樣的源資料。描繪資料，是將藉由CAD等而由設計者生成的設計資料變換格式以便可在描繪裝置內做演算處理之資料。圖形等的描繪圖樣，例如藉由圖形的頂點等的座標而被定義。 (第1實施形態) 第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置，具備：放出部，放出帶電粒子束；及第1孔徑基板，具有複數個第1開口部，受到帶電粒子束照射而帶電粒子束的一部分通過複數個第1開口部，藉此形成多射束；及第2孔徑基板，具有供多射束的各射束通過之複數個第2開口部，可將多射束的各射束獨立地偏向；及遮蔽板，設置成可插入至第1孔徑基板與第2孔徑基板之間，可將多射束同時全部遮蔽。 以下，舉例說明多帶電粒子束描繪裝置為光罩描繪裝置的情形。 圖1為第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的構成示意概念圖。 如圖1所示，光罩描繪裝置(帶電粒子束描繪裝置)具備描繪部100及控制部200。光罩描繪裝置，對試料42描繪期望的圖樣。 描繪部100，具有電子鏡筒12、描繪室14、驅動馬達15(驅動部)。在電子鏡筒12內，配置有電子槍16(放出部)、照明透鏡18、成形孔徑陣列基板28(第1孔徑基板)、遮沒孔徑陣列基板30(第2孔徑基板)、遮蔽板31、投影透鏡32、支撐部33、偏向器34、止擋孔徑36、及對物透鏡38。描繪部100，執行對試料42之描繪。 在描繪室14內，配置有配置成可移動之XY平台40。在XY平台40上，可載置試料(描繪對象物)42。試料42，為將圖樣轉印至晶圓之曝光用的光罩基板。光罩基板，例如為尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。 電子鏡筒12內及描繪室14內，藉由未圖示之真空泵浦被抽真空，成為比大氣壓還低的壓力。 控制部200，具有平台驅動電路44、偏向控制電路46、判斷電路47、遮蔽板驅動電路48、控制計算機50、記憶體52、及磁碟裝置54。控制部200，控制進行對試料42之描繪的描繪部100。 電子槍16，放出電子束B。電子槍16，為放出部的一例。 照明透鏡18，設於電子槍16的XY平台40側。照明透鏡18，使從電子槍16放出的電子束B折射，而近乎垂直地照射至成形孔徑陣列基板28。照明透鏡18，為電子透鏡。 成形孔徑陣列基板28，設於照明透鏡18的XY平台40側。成形孔徑陣列基板28，設於照明透鏡18與遮沒孔徑陣列基板30之間。在成形孔徑陣列基板28，受到電子束B照射。成形孔徑陣列基板28，會形成多射束MB。 遮沒孔徑陣列基板30，設於成形孔徑陣列基板28的XY平台40側。藉由遮沒孔徑陣列基板30，可將多射束MB的各射束獨立地偏向。 遮蔽板31，在成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間可插入地設置。遮蔽板31，可將多射束MB同時全部遮蔽。 圖2A、2B、2C為第1實施形態之成形孔徑陣列基板、遮沒孔徑陣列基板、及遮蔽板的模型俯視圖。圖2A示意成形孔徑陣列基板、圖2B示意遮沒孔徑陣列基板、圖2C示意遮蔽板。 如圖2A所示，成形孔徑陣列基板28為板狀。成形孔徑陣列基板28，具有複數個第1開口部28x。在成形孔徑陣列基板28，例如有縱m列×橫n列(m、n≧2)的第1開口部28x以規定的間距排列。複數個第1開口部28x構成第1孔徑陣列。 第1開口部28x，例如為矩形。第1開口部28x，例如為正方形。亦可將第1開口部28x例如做成圓形。成形孔徑陣列基板28的第1開口部28x，例如運用半導體製程而形成。 從電子槍16放出的電子束B的一部分，通過成形孔徑陣列基板28的複數個第1開口部28x而被分割，藉此形成多射束MB。 成形孔徑陣列基板28的材質，例如為矽(Si)。 如圖2B所示，遮沒孔徑陣列基板30為板狀。在遮沒孔徑陣列基板30，具有供在成形孔徑陣列基板28形成的多射束MB的各射束通過之複數個第2開口部30x。在遮沒孔徑陣列基板30，例如有縱m列×橫n列(m、n≧2)的第2開口部30x以規定的間距排列。複數個第2開口部30x構成第2孔徑陣列。 成形孔徑陣列基板28的第1開口部28x的數量，和遮沒孔徑陣列基板30的第2開口部30x的數量為同一。例如第1開口部28x的排列的間距，和第2開口部30x的排列的間距為同一。 在第2開口部30x的各者，設有未圖示之遮沒器。遮沒器，由一對電極所形成。在遮沒孔徑陣列基板30，形成未圖示之電子電路。運用電子電路，控制施加於遮沒器的電壓。 例如遮沒器的一方的電極被固定在接地電位，在另一方的電極被施加和接地電位相異的電位。通過第2開口部30x的多射束MB的各射束，藉由施加於遮沒器的電壓而獨立地受到偏向。 遮沒孔徑陣列基板30的材質，例如為矽(Si)。第2開口部30x、遮沒器、及電子電路，例如是對矽基板運用半導體製程而形成。 如圖2C所示，遮蔽板31為板狀。遮蔽板31的厚度，例如為0.5mm以上5mm以下。 遮蔽板31，例如包含金屬。作為遮蔽板31的材料，例如使用金屬。 成為遮蔽板31的材料之金屬，例如為重金屬。重金屬，例如為鉭(Ta)、鎢(W)、金(Au)、或鉛(Pb)。另，所謂重金屬，意指具有鐵(Fe)以上的比重之金屬。 遮蔽板31中包含的金屬，例如為非磁性金屬。 作為遮蔽板31的材料，例如亦可使用鋁(Al)或鈦(Ti)等的輕金屬。作為遮蔽板31的材料，例如亦可使用碳(C)或矽(Si)。 如圖2A、圖2C所示，遮蔽板31的橫幅a3及縱幅b3，各自比成形孔徑陣列基板28的第1孔徑陣列的橫幅a1及縱幅b1還寬。此外，如圖2B、圖2C所示，遮蔽板31的橫幅a3及縱幅b3，各自比遮沒孔徑陣列基板30的第2孔徑陣列的橫幅a2及縱幅b2還寬。 支撐部33，支撐遮蔽板31。支撐部33，貫通電子鏡筒12。 驅動馬達15，設於電子鏡筒12的外部。驅動馬達15，連接至支撐部33。驅動馬達15，例如使支撐部33於水平方向移動，藉此進行遮蔽板31的往成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間的插入及抽出。驅動馬達15，亦可設於電子鏡筒12的內部。 投影透鏡32，設於遮沒孔徑陣列基板30的XY平台40側。投影透鏡32，使通過了遮沒孔徑陣列基板30的多射束MB匯聚。投影透鏡32，為電子透鏡。 偏向器34，設於投影透鏡32的XY平台40側。偏向器34，將藉由投影透鏡32而匯聚的多射束MB集體藉由同一方向偏向。 止擋孔徑36，設於偏向器34的XY平台40側。止擋孔徑36，將多射束MB當中藉由遮沒孔徑陣列基板30的遮沒器而受到偏向的電子束予以遮蔽。 止擋孔徑36，為板狀。止擋孔徑36，具有第3開口部36x。多射束MB當中未藉由遮沒孔徑陣列基板30的遮沒器而受到偏向的電子束，會通過第3開口部36x。 另，亦可將偏向器34設置於止擋孔徑36的XY平台40側。 對物透鏡38，設於止擋孔徑36的XY平台40側。對物透鏡38，將通過了止擋孔徑36的各射束的焦點對合於試料42。 平台驅動電路44，控制描繪室14內的XY平台40的移動。偏向控制電路46，控制遮沒孔徑陣列基板30及偏向器34所造成的多射束MB的偏向。 遮蔽板驅動電路48，控制驅動馬達15所造成的遮蔽板31的移動。遮蔽板驅動電路48，控制往成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間的遮蔽板31的插入及抽出。另，亦可藉由手動來控制遮蔽版31的移動。 判斷電路47，判斷往成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間的遮蔽板31的插入及抽出。判斷電路47，判斷往成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間插入遮蔽板31的適當的時間點、及抽出的適當的時間點。另，亦可不使用電路，而藉由手動來給予時間點。 磁碟裝置54，例如記憶描繪資料。從磁碟裝置54對控制計算機50輸入描繪資料。 記憶體52，例如記憶輸入至控制計算機50的資訊、演算處理中的資訊、及演算處理後的資訊。 控制計算機50，連接至平台驅動電路44、偏向控制電路46、判斷電路47、遮蔽板驅動電路48。平台驅動電路44、偏向控制電路46、判斷電路47、遮蔽板驅動電路48，藉由控制計算機50而被控制。從控制計算機50對平台驅動電路44、偏向控制電路46、判斷電路47、遮蔽板驅動電路48等發送指令訊號，執行描繪。 圖1中，記載了用以說明第1實施形態所必要之構成部分。第1實施形態的光罩描繪裝置中，對光罩描繪裝置而言，無庸置疑地，通常也可具備必要的其他構成。 接著，說明第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的動作。 圖3A、3B為第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的動作說明圖。圖3A為遮蔽板31的往成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間的插入及抽出的時間點示意圖。圖3B為往試料42的電子束的照射及非照射的時間點示意圖。 往試料42描繪圖樣時，最初將試料42搬入描繪室14內，載置於XY平台40之上。 例如在時間t0，設為將遮蔽板31插入至成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間的狀態。時間t0，為將試料42載置於XY平台40之上以後的時間。接著，從時間t0至時間t1之間，從電子槍16開始放出電子束B。 圖4為第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的動作說明圖。圖4示意將遮蔽板31插入至成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間的狀態。 從電子槍16放出的電子束B，藉由照明透鏡18而近乎垂直地照明成形孔徑陣列基板28。照明了成形孔徑陣列基板28的電子束B，通過成形孔徑陣列基板28的複數個第1開口部28x而被分割，形成多射束MB。多射束MB，由複數個電子束所構成。 從時間t0至時間t1的期間，如圖4所示，多射束MB藉由遮蔽板31而被遮蔽，因此不會照射至試料42。從時間t0至時間t1的期間，為不往試料42進行描繪之待命狀態。 其後，在判斷電子束B的輸出達穩定且成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定之時間，遮蔽板31從成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間被抽出。此時間相當於時間t1。 電子束B的輸出達穩定且成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定之判斷，是由判斷電路47進行。判斷電路47所做的判斷，例如是基於電子束B放出起算的時間經過來判斷。判斷電路47，例如當從電子束B的放出已經過規定的時間的情形下，判斷電子束B的輸出達穩定且成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定。 判斷電路47的判斷，例如透過控制計算機50傳達至遮蔽板驅動電路48，驅動馬達15驅動。藉由驅動馬達15驅動，遮蔽板31從成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間被抽出。 於時間t1，一旦遮蔽板31從成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間被抽出，則如圖1所示，多射束MB的各射束各自通過遮沒孔徑陣列基板30的複數個第2開口部30x。多射束MB的各射束當中，例如一部分藉由施加於遮沒器的電壓而受到偏向。 通過了遮沒孔徑陣列基板30的多射束MB的各射束，藉由投影透鏡32而匯聚，前往止擋孔徑36的第3開口部36x。多射束MB的各射束當中，藉由遮沒孔徑陣列基板30而受到偏向的電子束，從止擋孔徑36的第3開口部36x偏離而藉由止擋孔徑36被遮蔽。 另一方面，未藉由遮沒孔徑陣列基板30而受到偏向的電子束，通過止擋孔徑36的第3開口部36x。藉由遮沒孔徑陣列基板30與止擋孔徑36，各射束的往試料42之照射及非照射獨立地受到控制。 從控制計算機50往偏向控制電路46傳達基於描繪資料之指令訊號。藉由來自偏向控制電路46的指令訊號，控制施加於遮沒孔徑陣列基板30的各遮沒器之電壓，而控制各射束的偏向的有無。 通過了止擋孔徑36的各射束，藉由對物透鏡38而焦點被對合，照射至試料42上，執行往試料42之圖樣描繪。 多射束MB的各射束，藉由偏向器34而集體受到偏向，藉此照射至試料42的規定的位置。從控制計算機50往偏向控制電路46傳達基於描繪資料之指令訊號。基於來自偏向控制電路46的指令訊號，藉由偏向器34而電子束受到偏向，電子束照射至藉由描繪資料而決定的試料42上的規定位置。 電子束，例如照射至連續移動的XY平台40上的試料42上的規定位置。XY平台40，基於來自平台驅動電路44的指令訊號而移動。電子束，藉由偏向器34而受到偏向，藉此追蹤XY平台40的移動。 一旦往試料42之圖樣描繪結束，便將遮蔽板31插入至成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間。此時間相當於時間t2。時間t2以後，成為不往試料42進行描繪之待命狀態。 將遮蔽板31插入至成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間以後，停止從電子槍16放出電子束B。其後，將描繪結束的試料42從描繪室14搬出。 接著，將另一試料42搬入描繪室14內，載置於XY平台40之上。接著，從電子槍16開始放出電子束B。 如同先前的往試料42之圖樣描繪時般，在判斷電子束B的輸出達穩定且成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定之時間，遮蔽板31從成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間被抽出。此時間相當於時間t3。 其後，如同先前的試料42的情形般，進行往試料42之圖樣描繪。 接著，說明第1實施形態之帶電粒子束描繪裝置的作用及效果。 運用多射束MB的光罩描繪裝置中，是將從電子槍16放出的電子束B通過具有複數個第1開口部28x的成形孔徑陣列基板28而形成多射束MB。多射束MB的各射束，藉由遮沒孔徑陣列基板30而獨立地被偏向。 遮沒孔徑陣列基板30，具有供多射束MB的各射束通過之複數個第2開口部30x、及設於各開口部之電極對、及控制施加於電極對的電壓之電子電路。藉由控制施加於電極對的電壓，多射束MB的各射束受到偏向。藉由電極對而受到偏向的射束係被遮蔽，未受到偏向的電子束則照射至試料，藉此進行描繪。 成形孔徑陣列基板28，會由於受到電子束B照射而溫度上昇。若成形孔徑陣列基板28的溫度上昇，則會因熱膨脹而第1開口部28x的間距變化。若第1開口部28x的間距超出規定的範圍，則例如多射束MB的各射束會變得無法通過遮沒孔徑陣列基板30的期望的第2開口部30x，而發生應該照射至試料42的電子束欠缺之問題。 因此，例如成形孔徑陣列基板28的第1開口部28x的間距，會事先將溫度上昇所造成的變化納入考量來設計。也就是說，會設計成在由於成形孔徑陣列基板28的熱膨脹而第1開口部28x的間距達穩定的時間點，多射束MB的各射束通過遮沒孔徑陣列基板30的各開口部。 是故，在成形孔徑陣列基板28的第1開口部28x的間距達穩定前的期間，電子束恐無法通過遮沒孔徑陣列基板30的各開口部而照射至遮沒孔徑陣列基板30的電子電路。此外，由於電子束B照射成形孔徑陣列基板28而產生的X射線恐會照射至遮沒孔徑陣列基板30的電子電路。若電子束或X射線照射至電子電路，則電子電路恐會故障。 第1實施形態之光罩描繪裝置，具備遮蔽板31，其設置成可插入至成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間，而可遮蔽多射束MB。在成形孔徑陣列基板28的第1開口部28x的間距達穩定前的期間，藉由遮蔽板31將多射束MB遮蔽，防止電子束照射至遮沒孔徑陣列基板30的電子電路。 是故，會抑制遮沒孔徑陣列基板30的電子電路的故障。故，會實現可靠性提升之光罩描繪裝置。 遮蔽板31，較佳為包含金屬，更佳為包含重金屬。藉由包含金屬，特別是重金屬，電子束或X射線的遮蔽效果會提升。 遮蔽板31中包含的金屬，從避免遮蔽板31的存在對電子束的軌道帶來的影響之觀點看來，較佳為非磁性金屬。 遮蔽板31的厚度，較佳為0.5mm以上5mm以下，更佳為1mm以上3mm以下。藉由比上述下限值還厚，對於電子束或X射線的遮蔽能力會提升。此外，藉由比上述上限值還薄會變得輕量，容易藉由支撐部33支撐。 從遮蔽多射束MB的觀點看來，遮蔽板31的橫幅a3及縱幅b3，較佳為各自比成形孔徑陣列基板28的第1孔徑陣列的橫幅a1及縱幅b1還寬。從同樣的觀點看來，遮蔽板31的橫幅a3及縱幅b3，較佳為各自比遮沒孔徑陣列基板30的第2孔徑陣列的橫幅a2及縱幅b2還寬。 以上，第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置，藉由設置可插入至成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間的遮蔽板31，會抑制帶電粒子束照射至遮沒孔徑陣列基板30的電子電路。是故，會實現可靠性提升之多帶電粒子束描繪裝置。 (第2實施形態) 第2實施形態之多帶電粒子束描繪裝置，更具備測定流通遮蔽板的電流之測定器，基於測定器的測定結果而判斷電路判斷將遮蔽板從第1孔徑基板與第2孔徑基板之間抽出，這點和第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置相異。以下，針對和第1實施形態重複之內容，省略部分記述。 圖5為第2實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的構成示意概念圖。 如圖5所示，光罩描繪裝置(帶電粒子束描繪裝置)具備描繪部100及控制部200。光罩描繪裝置，對試料42描繪期望的圖樣。 描繪部100，具有電子鏡筒12、描繪室14、驅動馬達15(驅動部)、電流計17(測定器)。在電子鏡筒12內，配置有電子槍16(放出部)、照明透鏡18、成形孔徑陣列基板28(第1孔徑基板)、遮沒孔徑陣列基板30(第2孔徑基板)、遮蔽板31、投影透鏡32、支撐部33、偏向器34、止擋孔徑36、及對物透鏡38。描繪部100，執行對試料42之描繪。 在描繪室14內，配置有配置成可移動之XY平台40。在XY平台40上，可載置試料42。試料42，為將圖樣轉印至晶圓之曝光用的光罩基板。光罩基板，例如為尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。 控制部200，具有平台驅動電路44、偏向控制電路46、判斷電路47、遮蔽板驅動電路48、控制計算機50、記憶體52、及磁碟裝置54。控制部200，控制進行對試料42之描繪的描繪部100。 電流計17，設於電子鏡筒12的外部。電流計17，例如透過配線電性連接至遮蔽板31。電流計17，可測定由於多射束MB照射至遮蔽板31而流通的電流。 電流計17的測定結果，例如透過控制計算機50傳達至判斷電路47。判斷電路47，基於電流計17的測定結果，判斷遮蔽板31的從成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間抽出的適當的時間點。 第1實施形態中，如運用圖3A、3B說明般，於往試料42之圖樣描繪時，從時間t0至時間t1之間，從電子槍16開始放出電子束B。然後，在判斷電子束B的輸出達穩定且成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定之時間，遮蔽板31從成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間被抽出。此時間相當於時間t1。 若成形孔徑陣列基板28熱膨脹，則成形孔徑陣列基板28的第1開口部28x的開口徑亦會因膨脹而變大。若第1開口部28x的開口徑變大，則通過成形孔徑陣列基板28而照射至遮蔽板31的多射束MB的照射量亦會變大。換言之，流通遮蔽板31的電流變大。 是故，可藉由測定流通遮蔽板31的電流來判斷成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定與否。例如將流通遮蔽板31的電流的增加停止之時間點，判斷為成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定之時間點。 電子束B的輸出達穩定且成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定之判斷，是由判斷電路47進行。判斷電路47，例如將藉由電流計17測定出的電流值的增加停止之時間點，判斷為電子束B的輸出達穩定且成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定之時間點。 按照第2實施形態，藉由設置電流計17，可準確地判斷成形孔徑陣列基板28的熱膨脹達穩定之時間點。是故，可準確地判斷將遮蔽板31從成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間抽出的適當的時間點。故，在遮蔽板31抽出前便不需要設立冗長的待命時間，光罩描繪裝置的產出量的提升，光罩描繪裝置的生產性會提升。 從減低遮蔽板31的電阻，使流通遮蔽板31的電流的測定精度提升之觀點看來，遮蔽板31較佳為包含金屬。此外，遮蔽板31較佳為金屬板。 以上，第2實施形態之多帶電粒子束描繪裝置，如同第1實施形態般，藉由設置可插入至成形孔徑陣列基板28與遮沒孔徑陣列基板30之間的遮蔽板31，會抑制帶電粒子束照射至遮沒孔徑陣列基板30的電子電路。又，藉由設置電流計17，光罩描繪裝置的產出量的提升，光罩描繪裝置的生產性會提升。 以上已一面參照具體例一面針對實施形態做了說明。但，本發明並非限定於該些具體例。 第1及第2實施形態中，舉例說明遮蔽板31由1片板所構成之情形，但遮蔽板31不限定於1片板。例如遮蔽板31亦可由複數個板所構成。亦可在遮蔽板31運用例如使用了光圈葉片之虹膜光圈結構。 第1及第2實施形態中，舉例說明帶電粒子束描繪裝置為光罩描繪裝置之情形，但例如亦可將本發明適用於在半導體晶圓上直接描繪圖樣之帶電粒子束描繪裝置。 第1及第2實施形態中，舉例說明從電子槍16放出的電子束B藉由照明透鏡18而近乎垂直地照明成形孔徑陣列基板28之情形，但即使朝電子束B的徑變窄之方向帶有角度而照明成形孔徑陣列基板28之情形下仍可適用本發明。 此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。例如，有關控制帶電粒子束描繪裝置之控制部構成雖省略其記載，但無需贅言地可適當選擇使用必要之控制部的構成。其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有帶電粒子束描繪裝置及孔徑，均包含於本發明之範圍。

12:電子鏡筒 14:描繪室 15:驅動馬達 16:電子槍 17:電流計 18:照明透鏡 28:成形孔徑陣列基板 28x:第1開口部 30:遮沒孔徑陣列基板 30x:第2開口部 31:遮蔽板 32:投影透鏡 33:支撐部 34:偏向器 36:止擋孔徑 36x:第3開口部 38:對物透鏡 40:XY平台 42:試料 44:平台驅動電路 46:偏向控制電路 47:判斷電路 48:遮蔽板驅動電路 50:控制計算機 52:記憶體 54:磁碟裝置 100:描繪部 200:控制部 B:電子束 MB:多射束

[圖1] 為第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的構成示意概念圖。 [圖2A、2B、2C] 為第1實施形態之成形孔徑陣列基板、遮沒孔徑陣列基板、及遮蔽板的模型俯視圖。 [圖3A、3B] 為第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的動作說明圖。 [圖4] 為第1實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的動作說明圖。 [圖5] 為第2實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的構成示意概念圖。

12:電子鏡筒

14:描繪室

15:驅動馬達

16:電子槍

18:照明透鏡

28:成形孔徑陣列基板

28x:第1開口部

30:遮沒孔徑陣列基板

30x:第2開口部

31:遮蔽板

32:投影透鏡

33:支撐部

34:偏向器

36:止擋孔徑

36x:第3開口部

38:對物透鏡

40:XY平台

42:試料

44:平台驅動電路

46:偏向控制電路

47:判斷電路

48:遮蔽板驅動電路

50:控制計算機

52:記憶體

54:磁碟裝置

100:描繪部

200:控制部

B:電子束

MB:多射束

Claims (11)

1. 一種多帶電粒子束描繪裝置，具備： 放出部，放出帶電粒子束；及 第1孔徑基板，具有複數個第1開口部，受到前述帶電粒子束照射而前述帶電粒子束的一部分通過前述複數個第1開口部，藉此形成多射束；及 第2孔徑基板，具有供前述多射束的各射束通過之複數個第2開口部，可將前述多射束的各射束獨立地偏向；及 遮蔽板，設置成可插入至前述第1孔徑基板與前述第2孔徑基板之間，可將前述多射束同時全部遮蔽。
2. 如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，更具備：測定器，測定流通前述遮蔽板的電流。
3. 如請求項2記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，更具備：判斷電路，基於前述測定器的測定結果，判斷前述遮蔽板的從前述第1孔徑基板與前述第2孔徑基板之間的抽出。
4. 如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，更具備：驅動馬達，進行前述遮蔽板的往前述第1孔徑基板與前述第2孔徑基板之間的插入及抽出。
5. 如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述遮蔽板包含金屬。
6. 如請求項5記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述金屬為重金屬。
7. 如請求項5記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述金屬為非磁性金屬。
8. 如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述第1孔徑基板具有第1孔徑陣列，前述遮蔽板的橫幅及縱幅，比前述第1孔徑陣列的橫幅及縱幅還寬。
9. 如請求項8記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述第2孔徑基板具有第2孔徑陣列，前述遮蔽板的橫幅及縱幅，比前述第2孔徑陣列的橫幅及縱幅還寬。
10. 如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述遮蔽板的厚度為0.5mm以上5mm以下。
11. 如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述帶電粒子束為電子束。

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