TW202103920A - 接合體及彈性波元件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 69
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical group [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 claims 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 188
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
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Abstract
本發明提供一種可使彈性波元件的Q值改善之接合體。接合體9A，具備支持基板6、壓電性材料基板1A、及支持基板與壓電性材料基板之間的多層膜22。多層膜22，包含依序具備第一層3A、第二層7A、第三層3B及第四層7B的疊層構造2。第一層3A及第三層3B由矽氧化物構成，第二層7A及第四層7B由金屬氧化物構成。第二層7A之折射率較第一層3A之折射率及第三層3B之折射率更高。第二層7A之折射率與第四層7B之折射率不同。
Description
本發明係關於一種壓電性材料基板與支持基板之接合體及彈性波元件。
過去，已知具有可作為使用在行動電話等之濾波元件或振盪器而作用的彈性表面波裝置、利用壓電薄膜之藍姆波（Lamb wave）元件或薄膜共振器（FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator）等彈性波裝置。作為此等彈性波裝置，已知一種裝置，將支持基板與傳播彈性表面波之壓電基板貼合，於壓電基板的表面設置可激發彈性表面波之梳齒狀電極。如此地，藉由將具有較壓電基板更小的熱膨脹係數之支持基板貼附於壓電基板，而抑制溫度改變時之壓電基板的尺寸變化，抑制作為彈性表面波裝置之頻率特性的變化。
已知一種方法，在將壓電基板與矽基板接合時，於壓電基板表面形成氧化矽膜，隔著氧化矽膜將壓電基板與矽基板直接接合（專利文獻1）。在此一接合時，對氧化矽膜表面與矽基板表面照射電漿束而使表面活性化，進行直接接合（電漿活性化法）。
此外，已知所謂FAB（Fast Atom Beam，快速原子束）方式之直接接合法（專利文獻2）。此一方法，在常溫對各接合面照射中性原子束而使各接合面活性化，予以直接接合。
此外，前人提出一種方法：於壓電性單晶基板與支持基板間，設置由Ta2
O5
等構成之中間層，藉由對中間層與支持基板分別照射中性射束而使表面活性化，予以直接接合（專利文獻3）。
在專利文獻4提出一種構造：於支持基板與壓電性材料基板之間，設置有將SiO2
層、Ta2
O5
層堆疊複數層的多層膜。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：美國專利第7213314B2號
專利文獻2：日本特開第2014-086400號
專利文獻3：WO 2017/163722 A1
專利文獻4：WO 2018/154950 A1
[本發明所欲解決的問題]
專利文獻3之彈性波元件，在中頻率導向（0.7～3.5GHz的4G導向等）觀察到Q值等特性之改善。然而，在高頻率導向（3.5～6GHz的5G導向等），得知Q值之改善微小。
此外，如同專利文獻4所記載，在將SiO2
/Ta2
O5
的多層膜插入至支持基板與壓電性材料基板之間的彈性波元件，藉由多層膜反射從壓電性材料基板朝向支持基板漏洩之彈性波，追求降低損耗。然而，在高頻率導向（3.5～6GHz的5G導向等）中，已發現即便為此等彈性波元件，Q值之改善仍並非必然足夠。
本發明之課題在於提供一種接合體，可使彈性波元件的Q值改善。
[解決問題之技術手段]
本發明係關於一種接合體，具備
支持基板、
壓電性材料基板、以及
該支持基板與該壓電性材料基板之間的多層膜，
其特徵在於：
該多層膜，包含依序具備第一層、第二層、第三層及第四層的疊層構造；
該第一層及該第三層由矽氧化物構成，該第二層及第四層由金屬氧化物構成，該第二層之折射率較該第一層之折射率及該第三層之折射率更高，該第二層之該折射率與該第四層之折射率不同。
本發明係關於一種彈性波元件，其特徵為具備：
該接合體、以及
設置於該壓電性材料基板上之電極。
[本發明之效果]
本案發明人，檢討如同專利文獻4所記載，將SiO2
/Ta2
O5
的多層膜插入至支持基板與壓電性材料基板之間的彈性波元件中，在高頻率導向（3.5～6GHz的5G導向等），Q值之改善並非必然足夠的理由。其結果，推測係因適合中頻率（4G等）導向之多層膜品質，與適合更高頻率（5G等）導向之多層膜品質不同，而在高頻範圍難以獲得期望的Q值。
本案發明人，依據此等推測，將依序具備第一層、第二層、第三層及第四層的疊層構造設置於多層膜內，此時，使第一層及第三層為矽氧化物，使第二層及第四層為折射率較矽氧化物更高的金屬氧化物。此外，發現藉由使由金屬氧化物構成的第二層之折射率與第四層之折射率不同，而進一步改善Q值。尤其是，發現在高頻帶（5G帶）中，仍可獲得高的Q值，進而達成本發明。
以下，適宜參考圖式，並詳細地說明本發明。
如圖1（a）所示，壓電性材料基板1具有一對表面1a與1b。於其一方之表面1a，形成多層膜22。在本例中，多層膜22，係藉由在壓電性材料基板1上例如設置2個疊層構造2而獲得。各疊層構造2，成為從壓電性材料基板1側觀察，交互地設置有第一層3A、第二層7A、第三層3B、第四層7B的構造。另，在本例中，雖從壓電性材料基板側起依序疊層第一層、第二層、第三層、第四層，但亦可為從壓電性材料基板1側觀察，依序疊層第四層、第三層、第二層、第一層。
如圖1（b）所示，可於多層膜22之表面22a，進一步設置接合層4。此一情況，如圖1（c）所示，對接合層4之表面，如同箭頭A般地照射中性射束，而可將接合層4之表面活性化，使其成為活性化面5。
另一方面，如圖2（a）所示，對支持基板6之表面，如同箭頭B般地照射中性射束，將支持基板6之表面活性化，使其成為活性化面6a。接著，如圖2（b）所示，使接合層4之活性化面5與支持基板6之活性化面6a直接接觸，施加壓力，藉以如圖2（b）所示地獲得接合體9。箭頭C為接合邊界。
較佳實施形態中，將接合體9的壓電性材料基板1之表面1b進一步研磨加工，如圖3（a）所示地使壓電性材料基板1A的厚度減小，獲得接合體9A。1c為研磨面。在圖3（b），於壓電性材料基板1A之研磨面1c上形成既定電極11，藉以製作彈性波元件10A。
較佳實施形態中，於支持基板上亦設置接合層14，與多層膜上的接合層直接接合。藉此，可獲得如圖4（a）所示之接合體9B。以箭頭C顯示接合邊界。如圖4（b）所示，藉由在此接合體的壓電性材料基板1A上設置電極11，而可獲得彈性波元件10B。
此外，較佳實施形態中，將支持基板與多層膜直接接合。藉此，可獲得如圖5（a）所示之接合體9C。以箭頭C顯示接合邊界。如圖5（b）所示，藉由在此接合體的壓電性材料基板1A上設置電極11，而可獲得彈性波元件10C。
本發明中，設置於支持基板與壓電性材料基板之間的多層膜，包含依序具備第一層、第二層、第三層及第四層的疊層構造；第一層及第三層由矽氧化物構成，第二層及第四層由金屬氧化物構成，第二層之折射率較第一層之折射率及第三層之折射率更高，第二層之折射率與第四層之折射率不同。第一層、第二層、第三層及第四層，可從支持基體側起朝向壓電性材料基板側依上述順序配置，抑或從壓電性材料基板側起朝向支持基體側依上述順序配置亦可。
構成第一層及第三層之矽氧化物，宜具有SiOx
（1.80≦x≦2.50）之組成。
此外，構成第二層及第四層的金屬氧化物並未特別限定，但從改善Q值之觀點來看，特別宜為鉿氧化物、鉭氧化物或鋯氧化物。
此處，鉿氧化物之組成，宜為HfOz
（1.80≦z≦2.50）。鉭氧化物之組成，宜為Ta2
Oy
（4.60≦y≦5.50）。此外，鋯氧化物之組成，宜為ZrOz
（1.80≦z≦2.50）。
較佳實施形態中，多層膜，具備複數之該疊層構造。藉此，折射率調變變得有效，進一步有效地降低Q值。多層膜所具有的疊層構造之數量，宜為2個以上。然則，若疊層構造之數量過多，則支持基板所產生的壓電性材料基板之束縛效果變少，故疊層構造數宜為5以下，更宜為3以下。
從本發明之觀點來看，第二層之折射率與第一層之折射率的差、及與第三層之折射率的差，宜為0.2以上，更宜為0.3以上。另一方面，第二層之折射率與第一層之折射率的差、及與第三層之折射率的差，宜為0.8以下，更宜為0.6以下。
從本發明之觀點來看，宜使第四層之折射率與第二層之折射率的差為0.02以上，更宜為0.03以上。另一方面，宜使該差為0.10以下。
第一層、第三層由矽氧化物構成，折射率一般為1.40～1.58。宜使第一層之折射率與第三層之折射率略相同，從此一觀點來看，宜使第一層之折射率與第三層之折射率的差為0.01以下。然則，藉由在第一層之折射率與第三層之折射率之間設置差異，亦可進一步改善Q值，故從此一觀點來看，宜使第一層與第三層之折射率的差為0.02以上，更宜為0.03以上。然而，宜使該差為0.10以下。
藉由下述條件，測定各層之折射率。
以高速分光橢圓偏光計，藉由下述裝置及測定條件實施測定。
「裝置」
M-2000（J.A.Woollam社製）、旋轉補償子型
「測定條件」
入射角：65、70、75度
測定波長：195～1680nm
束徑：2mm×8mm
其後，實施下述解析。
「解析模式」
金屬氧化物/矽氧化物/金屬氧化物/矽氧化物/金屬氧化物/矽氧化物/金屬氧化物/矽氧化物/基板
「解析方法」
將測定到的Δ（相位差）與ψ（振幅反射率）之光譜，與從上述解析模式算出之（Δ,ψ）比較，以接近測定值（Δ,ψ）的方式改變介電函數、膜厚而施行擬合（fitting）。各膜之光學常數，將從單層成膜時之參考值獲得的值作為初始值。將測定值與理論值予以最佳擬合（使均方誤差收斂至最小），結果獲得折射率之波長分散。
第一層之厚度、第二層之厚度、第三層之厚度及第四層之厚度，宜分別為20nm以上，更宜為100nm以上。另一方面，若各層之厚度變得過厚，則支持基板所產生的壓電性材料基板之束縛變弱，故從此一觀點來看，各層之厚度宜為300nm以下。
構成多層膜的第一層、第二層、第三層、第四層之成膜方法並未限定，可例示濺鍍（sputtering）法、化學氣相沉積法（CVD）、蒸鍍。例如，濺鍍之情況，可藉由偏電壓的有無而改變第二層之折射率與第四層之折射率。
亦即，可藉由施加偏電壓而使金屬氧化物層之折射率相對地增高，藉由不施行偏電壓而將相同金屬氧化物層之折射率減低。此外，離子輔助蒸鍍之情況，可藉由輔助能量調整各層之折射率。亦即，藉由將輔助能量增大而可使金屬氧化物層之折射率相對地增高，藉由將輔助能量減小而可使相同金屬氧化物層之折射率減低。
構成多層膜的各層之具體製造條件依腔室規格而異，故可適宜選擇，但較佳例子中，使總壓力為0.28～0.34Pa，使氧分壓為1.2×10-3
～5.7×10-2
Pa，使成膜溫度為常溫。
較佳實施形態中，於壓電性材料基板與支持基板之間，可設置一層或複數層接合層。作為此等接合層之材質，可例示以下材質。
Si（ 1-v ）
Ov
、Ta2
O5
、Al2
O3
、Nb2
O5
、TiO2
。
進一步，較佳實施形態中，設置於支持基板與壓電性材料基板之間的該接合層，具有Si（ 1-v ）
Ov
（0.008≦v≦0.408）之組成。
此一組成，相較於SiO2
（與v＝0.667對應），係將氧比率相當地減低之組成。藉由進一步夾設由此等組成的矽氧化物Si（ 1-v ）
Ov
構成之接合層，而可進一步提高接合層的絕緣性。
在構成各接合層的Si（ 1-v ）
Ov
之組成中，若v未滿0.008，則接合層的電阻變低。因此，宜使v為0.008以上，更宜為0.010以上，特別宜為0.020以上，更特別宜為0.024以上。此外，藉由使v為0.408以下，進一步改善接合強度，故宜使v為0.408以下，更宜為0.225以下。
各接合層之厚度，並未特別限定，但從製造成本的觀點來看，宜為0.01～10μm，更宜為0.01～0.5μm。
各接合層之成膜方法並未限定，可例示濺鍍（sputtering）法、化學氣相沉積法（CVD）、蒸鍍。此處，特別宜為使濺鍍靶材為Si之反應性濺鍍時，調整在腔室內流通的氧氣量，藉而可控制各接合層之氧比率（v）。
各接合層之具體製造條件依腔室規格而異，故可適宜選擇，但較佳例子中，使總壓力為0.28～0.34Pa，使氧分壓為1.2×10-3
～5.7×10-2
Pa，使成膜溫度為常溫。此外，作為Si靶材，可例示摻B之Si。
藉由EDS，以下述條件測定接合層之氧濃度。
測定裝置：
利用元素分析裝置（日本電子JEM-ARM200F）施行元素分析。
測定條件：
對薄片化之試樣，藉由FIB（聚焦離子束）法以加速電壓200kV觀察。
本發明中，支持基板，可由單結晶構成，亦可由多結晶構成。支持基板的材質，宜從由矽、SiAlON（矽鋁氮氧化物）、藍寶石、堇青石、富鋁紅柱石及氧化鋁構成的群組中選出。氧化鋁宜為透光性氧化鋁。
矽，可為單晶矽，亦可為多晶矽，或為高電阻矽亦可。
SiAlON，為將氮化矽與氧化鋁之混合物燒結而獲得的陶瓷，具有如下組成。
Si6-w
Alw
Ow
N8-w
亦即，SiAlON，具有在氮化矽中混合氧化鋁之組成，w表示氧化鋁之混合比率。w更宜為0.5以上。此外，w更宜為4.0以下。
藍寶石為具有Al2
O3
之組成的單結晶，氧化鋁為具有Al2
O3
之組成的多結晶。堇青石為具有2MgO･2Al2
O3
･5SiO2
之組成的陶瓷。富鋁紅柱石為具有3Al2
O3
･2SiO2
～2Al2
O3
･SiO2
的範圍之組成的陶瓷。
壓電性材料基板的材質，若具有所需之壓電性即無限定，但宜為具有LiAO3
之組成的單結晶。此處，A係從由鈮及鉭構成的群組中選出之一種以上的元素。因此，LiAO3
，可為鈮酸鋰，亦可為鉭酸鋰，或為鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體亦可。
以下，對本發明之各構成要素進一步地說明。
本發明之接合體的用途並未特別限定，例如可適宜應用在彈性波元件或光學元件。
作為彈性波元件，已知有彈性表面波裝置、藍姆波元件、薄膜共振器（FBAR）等。例如，彈性表面波裝置，於壓電性材料基板之表面，設置有激發彈性表面波之輸入側的IDT（Interdigital Transducer，數位間轉換器）電極（梳齒狀電極，亦稱作竹簾狀電極）、及接收彈性表面波之輸出側的IDT電極。若對輸入側的IDT電極施加高頻訊號，則於電極間產生電場，激發彈性表面波而在壓電性材料基板上傳播。而後，可從設置於傳播方向之輸出側的IDT電極，將傳播之彈性表面波作為電訊號取出。
於壓電性材料基板之底面，亦可具有金屬膜。金屬膜，在製造藍姆波元件作為彈性波裝置時，發揮使壓電性材料基板之背面附近的機電耦合係數增大之作用。此一情況，藍姆波元件，於壓電性材料基板之表面形成梳齒狀電極，藉由設置在支持基板的孔洞而成為使壓電性材料基板之金屬膜露出的構造。作為此金屬膜的材質，例如可列舉鋁、鋁合金、銅、金等。另，製造藍姆波元件之情況，亦可使用具備底面不具有金屬膜之壓電性材料層的複合基板。
此外，於壓電性材料基板之底面，亦可具有金屬膜與絕緣膜。金屬膜，在製造薄膜共振器作為彈性波裝置時，發揮電極之作用。此一情況，薄膜共振器，於壓電性材料基板之表背面形成電極，藉由將絕緣膜打洞而成為使壓電性材料基板之金屬膜露出的構造。作為此等金屬膜的材質，例如可列舉鉬、釕、鎢、鉻、鋁等。此外，作為絕緣膜的材質，例如可列舉二氧化矽、磷矽玻璃、硼磷矽玻璃等。
此外，作為光學元件，可例示光切換元件、波長轉換元件、光調變元件。此外，可於壓電性材料基板中形成周期性極化反轉構造。
本發明之對象為彈性波元件，在壓電性材料基板的材質為鉭酸鋰之情況，使用以彈性表面波的傳播方向即X軸為中心，從Y軸往Z軸旋轉123～133°（例如128°）的方向者，由於其傳播損耗小故適宜。
此外，在壓電性材料基板由鈮酸鋰構成之情況，使用以彈性表面波的傳播方向即X軸為中心，從Y軸往Z軸旋轉86～94°（例如90°）的方向者，由於其傳播損耗小故適宜。進一步，壓電性材料基板之尺寸，並未特別限定，但例如直徑為50～150mm、厚度為0.2～60μm。
為了獲得本發明之接合體，宜為下述方法。
首先，將應接合之表面（多層膜之表面、接合層之表面、壓電性材料基板之表面、支持基板之表面）平坦化而獲得平坦面。此處，各表面之平坦化的方法，具有拋光（lap）研磨、化學機械研磨加工（Chemical Mechanical Polishing，CMP）等。此外，平坦面，宜為Ra≦1nm，更宜為0.3nm以下。
接著，為了將研磨劑的殘渣與加工變質層除去，而清洗各接合層之各表面。清洗表面的方法，具有濕式清洗、乾式清洗、刷擦清洗等，但為了簡便且有效率地獲得乾淨表面，宜為刷擦清洗。此時，特別宜在使用SUNWASH LH540作為清洗液後，使用丙酮與IPA之混合溶液藉由刷擦清洗機予以清洗。
接著，藉由對各接合面照射中性射束，而將各接合面活性化。
在施行中性射束所進行之表面活性化時，宜使用如專利文獻2記載的裝置產生中性射束，予以照射。亦即，作為射束源，使用鞍形場型之高速原子束源。而後，將惰性氣體導入至腔室，從直流電源往電極施加高電壓。藉此，藉由在電極（正極）與框體（負極）之間產生的鞍形場型之電場，使電子e運動，產生惰性氣體的原子與離子之射束。到達至柵極（grid）之射束中的離子束，受到柵極中和，故中性原子之射束從高速原子束源射出。構成射束之原子種，宜為惰性氣體（氬、氮等）。
宜使射束照射所進行的活性化時之電壓為0.5～2.0kV，宜使電流為50～200mA。
接著，在真空環境氣體下，使活性化的接合面彼此接觸，予以接合。此時的溫度為常溫，具體而言宜為40℃以下，更宜為30℃以下。此外，接合時的溫度，特別宜為20℃以上、25℃以下。接合時的壓力，宜為100～20000N。
[實施例]
（預備實驗）
首先，於壓電性材料基板上形成氧化矽層、氧化鉿層，紀錄可獲得如下各層之成膜條件。然則，為了調節鉿氧化物層之折射率，而將偏電壓如同下述地調節。
矽氧化物層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.52
鉿氧化物層（HfO2
）：偏電壓 100V；
厚度150nm、折射率2.07
鉿氧化物層（HfO2
）：偏電壓 200V；
厚度150nm、折射率2.12
鉿氧化物層（HfO2
）：偏電壓 400V；
厚度150nm、折射率2.15
（實施例A1）
接著，參考圖1～圖3並藉由所說明之方法，試作出彈性表面波元件。
具體而言，將具備OF（Orientation Flat，定向平面）部，直徑4英吋、厚度250μm之鉭酸鋰基板（LT基板），作為壓電性材料基板1使用。LT基板，利用使彈性表面波（SAW）的傳播方向為X，切出角旋轉Y切割基板，即128°Y切割X傳播LT基板。壓電性材料基板1之表面1a，先鏡面研磨至算術平均粗糙度Ra成為0.3nm。而Ra，係以原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，AFM）在10μm×10μm之視野測定。
接著，於壓電性材料基板1上，藉由濺鍍法，依序形成2個疊層構造2，獲得多層膜22。然則，於壓電性材料基板上，首先，形成由氧化矽構成的第一層，依序形成第二層、第三層、第四層。各層之厚度及折射率，依照預備實驗而如同下述地調節。
第一層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.53
第二層（HfO2
）：厚度150nm、折射率2.12
第三層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.53
第四層（HfO2
）：厚度150nm、折射率2.07
接著，於多層膜22上，形成接合層4。具體而言，利用直流濺鍍法，於靶材使用摻硼之Si。此外，作為氧源，導入氧氣。此時，藉由調節氧氣導入量，而調節腔室內之環境氣體的總壓力與氧分壓。使接合層4之厚度為50nm。接合層4之表面的算術平均粗糙度Ra為0.2～0.6nm。接著，將接合層4予以化學機械研磨加工，使膜厚為80～190nm，使Ra為0.08～0.4nm。
另一方面，作為支持基板6，準備具備定向平面（OF）部，直徑4英吋、厚度500μm之由矽構成的支持基板6。藉由化學機械研磨加工，將支持基板6之表面精加工，算術平均粗糙度Ra成為0.2nm。
接著，對接合層4之表面及支持基板6即Si基板表面照射中性射束，將表面活性化而直接接合。
具體而言，清洗接合層4之表面與支持基板6之表面，去除髒污後，導入至真空腔室。抽真空至10-6
Pa範圍後，對各表面照射高速原子束（加速電壓1kV、Ar流量27sccm）120秒。而後，使接合層4之射束照射面（活性化面）與支持基板6之活性化面接觸後，以10000N加壓2分鐘而將其等接合。接著，將獲得的各例之接合體以100℃加熱20小時。藉由光學橢圓偏光術測定所獲得之接合體，獲得如圖6所示之折射率圖表。
接著，將壓電性材料基板1之表面研削及研磨，使其厚度從初始的250μm成為1μm。接著，形成測定用電極圖案，獲得彈性表面波元件。而後，測定在頻率5.5GHz的Q值，於表1顯示。
然則，如同下述地測定Q值。
於晶圓上製作表面彈性波共振器，利用網路分析儀測定頻率特性。從藉此獲得之頻率特性，算出共振頻率fr
、及其半值寬Δfr
，求出fr
/Δfr
，藉以獲得Q值。
（實施例A2）
與實施例A1同樣地，獲得接合體及彈性表面波元件。然則，如同下述地調節構成多層膜的各層。對於獲得之元件，測定在頻率5.5GHz的Q值，於表1顯示。
第一層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.53
第二層（HfO2
）：厚度150nm、折射率2.15
第三層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.53
第四層（HfO2
）：厚度150nm、折射率2.05
（比較例A1）
與實施例A1同樣地，獲得接合體及彈性表面波元件。然則，如同下述地調節構成多層膜的各層。藉由光學橢圓偏光術測定所獲得之接合體，獲得如圖7所示之折射率圖表。此外，對於獲得之元件，測定在頻率5.5GHz的Q值，於表1顯示。
第一層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.53
第二層（HfO2
）：厚度150nm、折射率2.07
第三層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.53
第四層（HfO2
）：厚度150nm、折射率2.07
（比較例A2）
與實施例A1同樣地，獲得接合體及彈性表面波元件。然則，如同下述地調節構成多層膜的各層。藉由光學橢圓偏光術測定所獲得之接合體，獲得如圖8所示之折射率圖表。此外，對於獲得之元件，測定在頻率5.5GHz的Q值，於表1顯示。
第一層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.53
第二層（HfO2
）：厚度150nm、折射率2.12
第三層（SiO2
）：厚度150nm、折射率1.53
第四層（HfO2
）：厚度150nm、折射率2.12
【表1】
| 鉿氧化物層7A之折射率 （下側的疊層構造/上側的疊層構造） | 鉿氧化物層7B之折射率 （下側的疊層構造/上側的疊層構造） | Q值之評價結果 | |
| 比較例A1 | 2.07/2.07 | 2.07/2.07 | 基準（±0%） |
| 比較例A2 | 2.12/2.12 | 2.12/2.12 | ±0% |
| 實施例A1 | 2.12/2.12 | 2.07/2.07 | +20% |
| 實施例A2 | 2.15/2.15 | 2.05/2.05 | +8% |
如表1所示，比較例A1中，雖將第二層、第四層之折射率調節為低折射率，但如圖7所示，第二層、第四層之折射率與在預備實驗獲得之折射率為相同程度。
比較例A2中，雖將第二層、第四層之折射率調節為高折射率，但如圖8所示，第二層、第四層之折射率與在預備實驗獲得之折射率為相同程度。此外，Q值，與比較例A1中的Q值相同，未觀察到將折射率增高所產生的效果。
實施例A1中，獲得如圖6所示之折射率分布。
進一步，如表1所示，得知Q值相對於基準值亦改善20%。
實施例A2中，雖改變第二層之折射率與第四層之折射率，但仍觀察到與圖6類似之在厚度方向所看到的折射率調變。
進一步，如表1所示，得知Q值相對於基準值大幅改善。
（實施例B1、B2，比較例B1、B2）
於實施例A1、A2，及比較例A1、A2中，將第二層的材質，由HfO2
變更為Ta2
O5
。而後，對獲得之元件測定Q值後，獲得與實施例A1、A2，及比較例A1、A2同樣的結果。
（實施例C1、C2，比較例C1、C2）
於實施例A1、A2，及比較例A1、A2中，將第二層的材質，由HfO2
變更為ZrO2
。而後，對獲得之元件測定Q值後，獲得與實施例A1、A2，及比較例A1、A2同樣的結果。
1,1A:壓電性材料基板
1a,1b:表面
1c:研磨面
2:疊層構造
3A:第一層
3B:第三層
4,14:接合層
5,6a:活性化面
6:支持基板
7A:第二層
7B:第四層
9,9A,9B,9C:接合體
10A,10B,10C:彈性波元件
11:電極
22:多層膜
22a:表面
A,B:中性射束
C:接合邊界
圖1（a）顯示於壓電性材料基板1上設置有多層膜22的狀態，圖1（b）顯示於多層膜22上設置有接合層4的狀態，圖1（c）顯示將接合層4之表面活性化的狀態。
圖2（a）顯示將支持基板6之表面活性化的狀態，圖2（b）顯示支持基板與壓電性材料基板之接合體9。
圖3（a）顯示藉由將接合體9A之壓電性材料基板1A加工而使其減薄的狀態，圖3（b）顯示於接合體9A設置有電極的狀態。
圖4（a）顯示將設置於多層膜上的接合層4、與設置於支持基板6上的接合層14直接接合所獲得之接合體9B，圖4（b）顯示於接合體9B的壓電性材料基板1A上設置電極11所獲得之彈性波元件10B。
圖5（a）顯示將多層膜22與支持基板6直接接合所獲得之接合體9C，圖5（b）顯示於接合體9C之壓電性材料基板1A上設置有電極的狀態。
圖6係顯示第四層之折射率與第二層之折射率不同的情況之光學橢圓偏光術所進行的折射率分布之圖表。
圖7係顯示第二層及第四層之折射率相同且相對較低的情況之光學橢圓偏光術所進行的折射率分布之圖表。
圖8係顯示第二層及第四層之折射率相同且相對較高的情況之光學橢圓偏光術所進行的折射率分布之圖表。
1A:壓電性材料基板
1a:表面
1c:研磨面
2:疊層構造
3A:第一層
3B:第三層
4:接合層
5,6a:活性化面
6:支持基板
7A:第二層
7B:第四層
9A:接合體
10A:彈性波元件
11:電極
22:多層膜
C:接合邊界
Claims (9)
- 一種接合體，包含： 支持基板、 壓電性材料基板、以及 該支持基板與該壓電性材料基板之間的多層膜， 其特徵在於： 該多層膜，包含依序具備第一層、第二層、第三層及第四層的疊層構造； 該第一層及該第三層由矽氧化物構成，該第二層及第四層由金屬氧化物構成，該第二層之折射率較該第一層之折射率及該第三層之折射率更高，該第二層之該折射率與該第四層之折射率不同。
- 如請求項第1項之接合體，其中， 該多層膜，包含複數之該疊層構造。
- 如請求項第1或2項之接合體，其中， 該金屬氧化物，為鉿氧化物、鉭氧化物或鋯氧化物。
- 如請求項第1或2項之接合體，其中， 該第二層之該折射率與該第一層之該折射率的差，為0.3～0.8。
- 如請求項第1或2項之接合體，其中， 該第二層之該折射率與該第四層之該折射率的差，為0.02以上。
- 如請求項第1或2項之接合體，其中， 該第一層之厚度、該第二層之厚度、該第三層之厚度及該第四層之厚度，分別為20nm以上、300nm以下。
- 如請求項第1或2項之接合體，其中， 於該壓電性材料基板與該支持基板之間，包含具有Si（ 1-v ） Ov （0.008≦v≦0.408）之組成的接合層。
- 一種彈性波元件，其特徵為包含： 如請求項第1至7項中任一項之接合體、及 設置於該壓電性材料基板上之電極。
- 如請求項第8項之彈性波元件，其係供頻率3.5～6GHz的彈性波用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019134285 | 2019-07-22 | ||
| JP2019-134285 | 2019-07-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202103920A true TW202103920A (zh) | 2021-02-01 |
| TWI782260B TWI782260B (zh) | 2022-11-01 |
Family
ID=74194039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109108100A TWI782260B (zh) | 2019-07-22 | 2020-03-12 | 接合體及彈性波元件 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220149811A1 (zh) |
| JP (1) | JP6850401B1 (zh) |
| CN (1) | CN114144897A (zh) |
| DE (1) | DE112020003512T5 (zh) |
| TW (1) | TWI782260B (zh) |
| WO (1) | WO2021014669A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3094484B1 (fr) * | 2019-03-29 | 2021-07-16 | Frecnsys | Dispositif résonateur |
| TWI806457B (zh) | 2022-03-01 | 2023-06-21 | 鴻創應用科技有限公司 | 複合基板及其製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7105980B2 (en) | 2002-07-03 | 2006-09-12 | Sawtek, Inc. | Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics |
| JP2006339873A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器、フィルタ及び電圧制御発振器 |
| JP2012084753A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子及び光装置 |
| JP2014081522A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | 反射防止膜を備えた光学部材およびその製造方法 |
| US9337802B2 (en) * | 2014-03-09 | 2016-05-10 | United Microelectronics Corp. | Resonator filter having a recess in insulating material of a multi-layered coupling structure |
| TW201621585A (zh) * | 2014-10-14 | 2016-06-16 | 康寧公司 | 壓電膜結構與感測器以及使用該壓電膜結構與感測器的顯 示組件 |
| WO2016134122A1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-08-25 | Materion Corporation | Near infrared optical interference filters with improved transmission |
| KR20180107212A (ko) | 2016-03-25 | 2018-10-01 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합 방법 |
| JP6809595B2 (ja) | 2017-02-21 | 2021-01-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| WO2018180287A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 日本電産株式会社 | 電気接点、それを備えた電磁リレー及び電気接点の製造方法 |
| DE112018000012B4 (de) * | 2017-03-31 | 2019-11-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundene Körper und Akustikwellenvorrichtungen |
| CN110650841A (zh) * | 2017-05-12 | 2020-01-03 | 中央硝子株式会社 | 日照遮蔽构件 |
| JP6741078B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2020-08-19 | 東洋紡株式会社 | 易接着性ポリエステルフィルム |
-
2020
- 2020-02-21 DE DE112020003512.3T patent/DE112020003512T5/de active Pending
- 2020-02-21 CN CN202080029092.XA patent/CN114144897A/zh active Pending
- 2020-02-21 JP JP2020543830A patent/JP6850401B1/ja active Active
- 2020-02-21 WO PCT/JP2020/007117 patent/WO2021014669A1/ja active Application Filing
- 2020-03-12 TW TW109108100A patent/TWI782260B/zh active
-
2022
- 2022-01-20 US US17/579,678 patent/US20220149811A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021014669A1 (ja) | 2021-01-28 |
| JPWO2021014669A1 (ja) | 2021-09-13 |
| KR20220024705A (ko) | 2022-03-03 |
| TWI782260B (zh) | 2022-11-01 |
| CN114144897A (zh) | 2022-03-04 |
| JP6850401B1 (ja) | 2021-03-31 |
| US20220149811A1 (en) | 2022-05-12 |
| DE112020003512T5 (de) | 2022-04-07 |
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